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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
NSV-BATBelimoDescription: 12V 1.2AH BATT 1=1, 2 REQUIRED
Packaging: Box
Voltage: 12
Type: Battery
Part Status: Active
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NSV12100UW3TCGON SemiconductorBipolar Transistors - BJT WDFN3 2*2 LOW VCE
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NSV12100UW3TCGonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 740 mW
auf Bestellung 87000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
14+1.95 EUR
16+ 1.7 EUR
100+ 1.18 EUR
500+ 0.98 EUR
1000+ 0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 14
NSV12100UW3TCGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 1A 1100mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
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NSV12100UW3TCGonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 740 mW
auf Bestellung 87000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.75 EUR
6000+ 0.71 EUR
9000+ 0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSV12100UW3TCGonsemiBipolar Transistors - BJT WDFN3 2*2 LOW VCE
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NSV12100XV6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XTR
auf Bestellung 3999 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
44+1.21 EUR
51+ 1.04 EUR
100+ 0.78 EUR
500+ 0.61 EUR
1000+ 0.43 EUR
8000+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 44
NSV12100XV6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-563
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 650 mW
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
22+1.2 EUR
26+ 1.02 EUR
100+ 0.71 EUR
500+ 0.55 EUR
1000+ 0.45 EUR
2000+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 22
NSV12100XV6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-563
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 650 mW
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
NSV12100XV6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 1A 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
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NSV12200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 2A 540mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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NSV12200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XT
auf Bestellung 2959 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
39+1.35 EUR
46+ 1.15 EUR
100+ 0.86 EUR
500+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 39
NSV12200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 2A SOT23-3
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1930+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1930
NSV1C200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 710mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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NSV1C200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT Low VCE(sat) Transistor, PNP, 100 V, 3.0 A
auf Bestellung 2254 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
44+1.21 EUR
51+ 1.04 EUR
100+ 0.76 EUR
500+ 0.61 EUR
1000+ 0.49 EUR
3000+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 44
NSV1C200LT1GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 100V 2A SOT23-3
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NSV1C200LT1GON Semiconductor
auf Bestellung 2171 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSV1C200MZ4T1GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP SOT223 BIP POWER TRAN
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NSV1C200MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+0.57 EUR
2000+ 0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
NSV1C200MZ4T1GON Semiconductor
auf Bestellung 835 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSV1C200MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NSV1C200MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
17+1.53 EUR
20+ 1.31 EUR
100+ 0.91 EUR
500+ 0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 17
NSV1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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NSV1C201LT1GON Semiconductor
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSV1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSV1C201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.45 EUR
6000+ 0.43 EUR
9000+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSV1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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NSV1C201LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 100 V, 2.0 A NPN Low VCE(sat) Bipolar Transistor
auf Bestellung 24521 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
40+1.33 EUR
46+ 1.14 EUR
100+ 0.81 EUR
500+ 0.63 EUR
1000+ 0.51 EUR
3000+ 0.43 EUR
9000+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 40
NSV1C201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
auf Bestellung 17817 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
20+1.35 EUR
23+ 1.15 EUR
100+ 0.8 EUR
500+ 0.62 EUR
1000+ 0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 20
NSV1C201MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 14683 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
18+1.48 EUR
21+ 1.27 EUR
100+ 0.88 EUR
500+ 0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 18
NSV1C201MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 2.0 A, 100 V Low VCE(sat) NPN Bipolar Transistor
auf Bestellung 54675 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
40+1.33 EUR
47+ 1.12 EUR
100+ 0.83 EUR
500+ 0.67 EUR
1000+ 0.52 EUR
2000+ 0.45 EUR
10000+ 0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 40
NSV1C201MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSV1C201MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+0.56 EUR
2000+ 0.5 EUR
5000+ 0.48 EUR
10000+ 0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
NSV1C201MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1977 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSV1C201MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSV1C201MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSV1C300ET4GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 100V 3A 3DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
NSV1C300ET4GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 100V 3A 3DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
NSV1C300ET4GON-SemicoductorPNP 3A 100V 33W 100MHz 120 < beta < 360 NSV1C300ET4G TNSV1C300et4g
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 25
NSV1C300ET4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIPOLAR XTSR 3A/100V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NSV1C300ET4GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 100V 3A 3DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
NSV1C301CTWGonsemiBipolar Transistors - BJT BIPOLAR XTSR 3A/100V LFPAK4
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
22+2.44 EUR
26+ 2.03 EUR
100+ 1.58 EUR
500+ 1.33 EUR
1000+ 1.09 EUR
3000+ 1.02 EUR
6000+ 0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 22
NSV1C301ET4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
NSV1C301ET4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIPOLAR XTSR 3A/100V
auf Bestellung 2449 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
28+1.91 EUR
32+ 1.66 EUR
100+ 1.15 EUR
500+ 0.96 EUR
1000+ 0.82 EUR
2500+ 0.73 EUR
5000+ 0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 28
NSV1C301ET4GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIPOLAR XTSR 3A/100V
Produkt ist nicht verfügbar
NSV1C301ET4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
14+1.9 EUR
16+ 1.65 EUR
100+ 1.14 EUR
500+ 0.95 EUR
1000+ 0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 14
NSV1C301ET4G-VF01onsemiBipolar Transistors - BJT BIPOLAR XTSR 3A/100V
auf Bestellung 5846 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
26+2.03 EUR
30+ 1.79 EUR
100+ 1.37 EUR
500+ 1.08 EUR
1000+ 0.87 EUR
2500+ 0.79 EUR
5000+ 0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 26
NSV1C301ET4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A 3DPAK
auf Bestellung 7485 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSV1C301ET4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A 3DPAK
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSV1SS400T1GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 0.2A Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-523 T/R
auf Bestellung 3171000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.088 EUR
9000+ 0.074 EUR
24000+ 0.07 EUR
45000+ 0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSV1SS400T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV1SS400T1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1.2 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 45435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSV1SS400T1GonsemiDescription: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-523
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 80 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 65737 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
28+0.94 EUR
40+ 0.66 EUR
100+ 0.33 EUR
500+ 0.27 EUR
1000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 28
NSV1SS400T1GON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 0.2A 4ns Automotive 2-Pin SOD-523 T/R
auf Bestellung 303000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSV1SS400T1GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 0.2A Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-523 T/R
auf Bestellung 3171000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.098 EUR
9000+ 0.086 EUR
24000+ 0.077 EUR
45000+ 0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSV1SS400T1GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 0.2A Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-523 T/R
auf Bestellung 12495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
282+0.55 EUR
435+ 0.35 EUR
440+ 0.33 EUR
1030+ 0.14 EUR
1042+ 0.13 EUR
1053+ 0.12 EUR
1393+ 0.088 EUR
3000+ 0.073 EUR
6000+ 0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 282
NSV1SS400T1GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SWDI 100V TR
auf Bestellung 79098 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
57+0.92 EUR
91+ 0.57 EUR
209+ 0.25 EUR
1000+ 0.2 EUR
3000+ 0.16 EUR
9000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 57
NSV1SS400T1GonsemiDescription: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-523
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 80 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.17 EUR
6000+ 0.16 EUR
9000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSV1SS400T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV1SS400T1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1.2 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 45435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSV1SS400T1GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 0.2A Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-523 T/R
auf Bestellung 12495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1022+0.15 EUR
1090+ 0.14 EUR
1101+ 0.13 EUR
1393+ 0.1 EUR
3000+ 0.073 EUR
6000+ 0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1022
NSV1SS400T5GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 0.2A Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-523 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSV1SS400T5GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 0.2A Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-523 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSV1SS400T5GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode, 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
NSV1SS400T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV1SS400T5G - SWITCHING DIODE, 100 V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NSV1SS400T5GonsemiDescription: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-523
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 80 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 208000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
28+0.94 EUR
40+ 0.65 EUR
100+ 0.33 EUR
500+ 0.27 EUR
1000+ 0.2 EUR
2000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 28
NSV1SS400T5GonsemiDescription: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-523
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 80 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 208000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8000+0.16 EUR
16000+ 0.14 EUR
56000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
NSV20101JT1GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 20V 1A 89SC3
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSV20101JT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 1A 300mW Automotive 3-Pin SC-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSV20101JT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT)
Produkt ist nicht verfügbar
NSV20200DMTWTBGON Semiconductor20 V,2 A PNP GP BJT Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
NSV20200DMTWTBGonsemiDescription: TRANS NPN 20V 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Produkt ist nicht verfügbar
NSV20200DMTWTBGonsemiBipolar Transistors - BJT 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR
Produkt ist nicht verfügbar
NSV20200DMTWTBGonsemiDescription: TRANS NPN 20V 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Produkt ist nicht verfügbar
NSV20200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 20V PNP LOW VCE(SAT) XTR
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
45+1.16 EUR
52+ 1 EUR
100+ 0.71 EUR
500+ 0.55 EUR
1000+ 0.45 EUR
3000+ 0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 45
NSV20200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
auf Bestellung 623740 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
23+1.17 EUR
26+ 1.01 EUR
100+ 0.7 EUR
500+ 0.55 EUR
1000+ 0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 23
NSV20200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
auf Bestellung 621000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.4 EUR
6000+ 0.38 EUR
9000+ 0.35 EUR
30000+ 0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSV20201DMTWTBGON SemiconductorDescription: TRANS NPN 20V 2A SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
NSV20201DMTWTBGonsemiBipolar Transistors - BJT 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR
Produkt ist nicht verfügbar
NSV20201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
auf Bestellung 5960 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
23+1.17 EUR
26+ 1.01 EUR
100+ 0.7 EUR
500+ 0.55 EUR
1000+ 0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 23
NSV20201LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT) XTR
auf Bestellung 1848 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
44+1.19 EUR
52+ 1.02 EUR
100+ 0.71 EUR
500+ 0.55 EUR
1000+ 0.45 EUR
3000+ 0.38 EUR
9000+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 44
NSV20201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSV20201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 2A 540mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSV20201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 2A 540mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSV2029M3T5GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 265mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSV2029M3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SOT723
Produkt ist nicht verfügbar
NSV2029M3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT SS XTR PNP SOT723MTK
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
53+0.99 EUR
69+ 0.75 EUR
122+ 0.43 EUR
1000+ 0.22 EUR
2500+ 0.19 EUR
8000+ 0.15 EUR
24000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 53
NSV204NL-CC-B100K-9.5G; моно; с LED-подсветкой; линейная характеристика; 0,1Вт; 40,7x6мм; TOMY
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSV2SA2029M3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500pA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 265 mW
auf Bestellung 2875 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
31+0.86 EUR
44+ 0.6 EUR
100+ 0.29 EUR
500+ 0.24 EUR
1000+ 0.17 EUR
2000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 31
NSV2SA2029M3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500pA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 265 mW
Produkt ist nicht verfügbar
NSV2SA2029M3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT SS TRANSISTOR PNP SOT723
auf Bestellung 6328 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
57+0.93 EUR
69+ 0.76 EUR
128+ 0.41 EUR
500+ 0.27 EUR
1000+ 0.17 EUR
2500+ 0.14 EUR
8000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 57
NSV2SA2029M3T5GON Semiconductor
auf Bestellung 7985 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSV2SA2029M3T5GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.1A 265mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSV2SC5658M3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT GENERAL PURPOSE
auf Bestellung 21529 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
62+0.85 EUR
88+ 0.6 EUR
211+ 0.25 EUR
1000+ 0.16 EUR
2500+ 0.15 EUR
8000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 62
NSV2SC5658M3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 50V 0.15A SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
auf Bestellung 54156 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
32+0.83 EUR
45+ 0.58 EUR
100+ 0.3 EUR
500+ 0.24 EUR
1000+ 0.18 EUR
2000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 32
NSV2SC5658M3T5GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 260mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSV2SC5658M3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 50V 0.15A SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8000+0.14 EUR
16000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
NSV30100LT1GonsemiDescription: NSV30100 - LOW VCE(SAT) TRANSIST
Packaging: Bulk
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1781+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1781
NSV40200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
auf Bestellung 805 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
24+1.12 EUR
30+ 0.87 EUR
100+ 0.52 EUR
500+ 0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 24
NSV40200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 710mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9000+0.15 EUR
30000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 9000
NSV40200LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV40200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSV40200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 710mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSV40200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
Produkt ist nicht verfügbar
NSV40200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 710mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSV40200LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV40200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSV40200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT LESHANBE (CN1) XTR
auf Bestellung 9861 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
47+1.11 EUR
76+ 0.69 EUR
107+ 0.49 EUR
1000+ 0.33 EUR
3000+ 0.27 EUR
9000+ 0.26 EUR
45000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 47
NSV40200UW6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 2A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2.03 EUR
15+ 1.78 EUR
100+ 1.23 EUR
500+ 1.03 EUR
1000+ 0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 13
NSV40200UW6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV40200UW6T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSV40200UW6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT Low VCE(sat) Transistor, PNP, -40 V, 4.0 A
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NSV40200UW6T1GON Semiconductor
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSV40200UW6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.78 EUR
6000+ 0.74 EUR
9000+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSV40200UW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin WDFN EP T/R
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NSV40200UW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW Automotive 6-Pin WDFN EP T/R
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NSV40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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NSV40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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NSV40201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
auf Bestellung 10912 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
23+1.14 EUR
28+ 0.94 EUR
100+ 0.64 EUR
500+ 0.48 EUR
1000+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 23
NSV40201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV40201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSV40201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.31 EUR
6000+ 0.3 EUR
9000+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSV40201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV40201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 180
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3140 Stücke:
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NSV40201LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 40V NPN LOW VCE(SAT) XTR
auf Bestellung 7564 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
47+1.11 EUR
65+ 0.81 EUR
107+ 0.49 EUR
1000+ 0.33 EUR
3000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 47
NSV40300CTWGonsemiDescription: PNP LFPAK4 BIP POWER TRAN
Produkt ist nicht verfügbar
NSV40300MDR2GonsemiDescription: TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 2478 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2.03 EUR
16+ 1.67 EUR
100+ 1.3 EUR
500+ 1.1 EUR
1000+ 0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 13
NSV40300MDR2GonsemiBipolar Transistors - BJT DUAL MATCHED 40V PNP LOW
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NSV40300MDR2GonsemiDescription: TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
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NSV40300MDR2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 783mW Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
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NSV40300MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 3.0 A, 40 V Low VCE(sat) PNP Power Bipolar Junction Transistor AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
35+1.49 EUR
39+ 1.35 EUR
100+ 1.07 EUR
500+ 0.84 EUR
1000+ 0.56 EUR
2000+ 0.48 EUR
10000+ 0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 35
NSV40300MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
17+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 17
NSV40300MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+0.61 EUR
2000+ 0.56 EUR
5000+ 0.52 EUR
10000+ 0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
NSV40301CTWGonsemiDescription: NPN 40V LOW SAT LFPAK4 BP
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NSV40301MDR2GON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN 40V 3A 8SOIC
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NSV40301MDR2GonsemiBipolar Transistors - BJT SOIC8 MATCHED LO VCE(SAT)
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NSV40301MZ4T1GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSV40301MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 40V LOW SAT BP
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
37+1.44 EUR
41+ 1.27 EUR
100+ 0.98 EUR
500+ 0.7 EUR
1000+ 0.57 EUR
10000+ 0.55 EUR
25000+ 0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 37
NSV40301MZ4T1GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
auf Bestellung 12448 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSV40301MZ4T3GonsemiDescription: NPN 40V LOW SAT SOT223 BP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
NSV40301MZ4T3GonsemiDescription: NPN 40V LOW SAT SOT223 BP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
17+1.53 EUR
20+ 1.33 EUR
100+ 0.92 EUR
500+ 0.77 EUR
1000+ 0.66 EUR
2000+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 17
NSV40302PDR2GON SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC
auf Bestellung 1650 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSV40302PDR2GON SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC
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NSV40302PDR2GonsemiBipolar Transistors - BJT COMP 40V NPN/PNP LO
auf Bestellung 27706 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
33+1.59 EUR
37+ 1.43 EUR
100+ 1.2 EUR
500+ 1.04 EUR
1000+ 0.88 EUR
2500+ 0.74 EUR
10000+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 33
NSV40501UW3T2GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 5A 3WDFN
auf Bestellung 84865 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1466+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1466
NSV40501UW3T2GonsemiBipolar Transistors - BJT 40V NPN LOW VCE(SAT) XTR
auf Bestellung 2833 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
36+1.45 EUR
42+ 1.24 EUR
100+ 0.93 EUR
500+ 0.73 EUR
1000+ 0.57 EUR
3000+ 0.47 EUR
9000+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 36
NSV40501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSV40501UW3T2GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 5A 3WDFN
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NSV45015WT1GonsemiLED Lighting Drivers SOD 123 15MA +/- 20% CCR
auf Bestellung 1901 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
49+1.06 EUR
59+ 0.88 EUR
100+ 0.61 EUR
500+ 0.5 EUR
1000+ 0.37 EUR
3000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 49
NSV45015WT1GON SemiconductorLED Driver 19.4uA Supply Current Automotive 2-Pin SOD-123 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSV45015WT1GON Semiconductor
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSV45015WT1GON SemiconductorLED Driver 19.4uA Supply Current Automotive 2-Pin SOD-123 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSV45015WT1GON SemiconductorLED Driver 19.4uA Supply Current Automotive 2-Pin SOD-123 T/R
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NSV45015WT1GCypress Semiconductor CorpDescription: NSI450LDRIVECONSTACURREREGULATOM
Packaging: Tape & Reel (TR)
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NSV45020AT1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 10% SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 20mA
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 14369 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
25+1.04 EUR
30+ 0.88 EUR
32+ 0.82 EUR
100+ 0.61 EUR
250+ 0.52 EUR
500+ 0.49 EUR
1000+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 25
NSV45020AT1GON SemiconductorConstant Current Regulator and LED Driver
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSV45020AT1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 10% SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 20mA
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.34 EUR
6000+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSV45020AT1GonsemiLED Lighting Drivers SOD 123 20MA 10% CCR
auf Bestellung 11900 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
54+0.97 EUR
65+ 0.81 EUR
100+ 0.52 EUR
500+ 0.5 EUR
1000+ 0.36 EUR
3000+ 0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 54
NSV45020AT1GON SemiconductorConstant Current Regulator and LED Driver
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NSV45020AT1GON Semiconductor
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSV45020AT1GON SemiconductorConstant Current Regulator and LED Driver
Produkt ist nicht verfügbar
NSV45020JZT1GonsemiLED Lighting Drivers LED Driver, Adjustable Constant Current Regulator, 45 V, 20 mA
auf Bestellung 973 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
37+1.43 EUR
44+ 1.19 EUR
100+ 0.77 EUR
500+ 0.73 EUR
1000+ 0.55 EUR
2000+ 0.5 EUR
10000+ 0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 37
NSV45020JZT1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 40mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
11+2.57 EUR
12+ 2.27 EUR
25+ 2.13 EUR
100+ 1.74 EUR
250+ 1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 11
NSV45020JZT1GON SemiconductorLED Driver 23000uA Supply Current Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSV45020JZT1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 40mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
NSV45020JZT1GON SemiconductorLED Driver 23000uA Supply Current Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSV45020T1GON SemiconductorConstant Current Regulator and LED Driver
Produkt ist nicht verfügbar
NSV45020T1GON Semiconductor
auf Bestellung 2940 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSV45020T1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 20mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
23+1.17 EUR
27+ 0.99 EUR
29+ 0.93 EUR
100+ 0.74 EUR
250+ 0.69 EUR
500+ 0.58 EUR
1000+ 0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 23
NSV45020T1GON SemiconductorConstant Current Regulator and LED Driver
Produkt ist nicht verfügbar
NSV45020T1GonsemiLED Lighting Drivers SOD 123 20MA 15% CCR
auf Bestellung 794 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
50+1.04 EUR
64+ 0.82 EUR
101+ 0.52 EUR
500+ 0.49 EUR
1000+ 0.36 EUR
3000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 50
NSV45020T1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 20mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
NSV45025AT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV45025AT1G - CURRENT REGULATORS
tariffCode: 85423990
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NSV45025AT1GonsemiDescription: IC REG CCR 45V 25MA SOD123
Produkt ist nicht verfügbar
NSV45025AT1GonsemiLED Lighting Drivers SOD 123 25MA 10% CCR
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
52+1.02 EUR
59+ 0.88 EUR
100+ 0.61 EUR
500+ 0.5 EUR
1000+ 0.36 EUR
3000+ 0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 52
NSV45025AT1GonsemiDescription: IC REG CCR 45V 25MA SOD123
auf Bestellung 34013 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSV45025AT1GON SemiconductorConstant Current Regulator and LED Driver
Produkt ist nicht verfügbar
NSV45025AZT1GonsemiLED Lighting Drivers LED Driver, Constant Current Regulator, 25 mA, 45 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 133-147 Tag (e)
36+1.47 EUR
44+ 1.2 EUR
100+ 0.79 EUR
500+ 0.75 EUR
1000+ 0.57 EUR
2000+ 0.54 EUR
10000+ 0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 36
NSV45025AZT1GON SemiconductorIC REG CCR 45V 25MA SOT223
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NSV45025AZT1GonsemiDescription: IC REG CCR 45V 25MA SOT223
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NSV45025AZT1GON SemiconductorIC REG CCR 45V 25MA SOT223
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NSV45025AZT1GON SemiconductorIC REG CCR 45V 25MA SOT223
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NSV45025AZT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV45025AZT1G - LED-Treiber, AC/DC, 25mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 45V, AEC-Q101, SOD-223-4
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 45
Bauform - Treiber: SOT-223
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NSV45025AZT1GON SemiconductorIC REG CCR 45V 25MA SOT223
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NSV45025AZT1GonsemiDescription: IC REG CCR 45V 25MA SOT223
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NSV45025AZT1GON SemiconductorIC REG CCR 45V 25MA SOT223
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NSV45025T1GonsemiDescription: NSV45025 - LED DRIVER, CONSTANT
auf Bestellung 35826 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSV45025T1GON SemiconductorLED Controller IC
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NSV45025T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV45025T1G - LED-Treiber, AC/DC, 25mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 45V, AEC-Q101, SOD-123-2
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 45
Bauform - Treiber: SOD-123
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NSV45025T1GonsemiDescription: IC REG CCR 45V 25MA SOD123
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NSV45025T1GonsemiLED Lighting Drivers SOD 123 25MA 15% CCR
auf Bestellung 2942 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
50+1.04 EUR
64+ 0.82 EUR
101+ 0.52 EUR
500+ 0.49 EUR
1000+ 0.36 EUR
3000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 50
NSV45030AT1GonsemiLED Lighting Drivers SOD 123 30MA 10% CCR
auf Bestellung 1379 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
49+1.06 EUR
59+ 0.89 EUR
100+ 0.62 EUR
500+ 0.51 EUR
1000+ 0.38 EUR
3000+ 0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 49
NSV45030AT1GonsemiDescription: IC REG CCR 45V 30MA SOD123
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NSV45030AT1GON SemiconductorConstant Current Regulator And LED Driver
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NSV45030AT1GonsemiDescription: IC REG CCR 45V 30MA SOD123
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NSV45030AT1GON SemiconductorConstant Current Regulator And LED Driver
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NSV45030AT1GonsemiDescription: IC REG CCR 45V 30MA SOD123
Produkt ist nicht verfügbar
NSV45030AT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV45030AT1G - LED-Treiber, AC/DC, 30mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 45V, AEC-Q101, SOD-123-2
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 45
Bauform - Treiber: SOD-123
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NSV45030T1GonsemiDescription: NSV45030 - LED DRIVER, CONSTANT
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NSV45030T1GON SemiconductorAC-DC LED Drivers
Produkt ist nicht verfügbar
NSV45030T1GON SemiconductorAC-DC LED Drivers
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NSV45030T1GonsemiDescription: IC REG CCR LED DVR 30MA SOD123
Produkt ist nicht verfügbar
NSV45030T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV45030T1G - LED-Treiber, AC/DC, 30mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 45V, AEC-Q101, SOD-123-2
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 45
Bauform - Treiber: SOD-123
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NSV45030T1GonsemiLED Lighting Drivers SOD 123 30MA 15% CCR
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NSV45035JZT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV45035JZT1G - LED-Treiber, einstellbarer Konstantstrom, AEC-Q101, 1 Ausgang, 45Vin, 35mA bis 70mAout, SOT-223-4
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: -Hz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 70mA
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -V
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOT-223
Bausteintopologie: Konstantstrom
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsspannung, min.: -V
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Outputs
auf Bestellung 7999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSV45035JZT1GonsemiDescription: IC REG CCR 45V 35MA SOT223
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NSV45035JZT1GON SemiconductorLED Driver 80 Segment Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
174+0.9 EUR
206+ 0.73 EUR
209+ 0.69 EUR
308+ 0.45 EUR
315+ 0.43 EUR
500+ 0.38 EUR
1000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 174
NSV45035JZT1GonsemiLED Lighting Drivers LED Dvr Adj Constant Crnt Reg 45V 35mA
auf Bestellung 1995 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
43+1.23 EUR
51+ 1.02 EUR
100+ 0.72 EUR
500+ 0.71 EUR
1000+ 0.55 EUR
2000+ 0.5 EUR
10000+ 0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 43
NSV45035JZT1GonsemiDescription: IC REG CCR 45V 35MA SOT223
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NSV45035JZT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV45035JZT1G - LED-Treiber, einstellbarer Konstantstrom, AEC-Q101, 1 Ausgang, 45Vin, 35mA bis 70mAout, SOT-223-4
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -888
auf Bestellung 7999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSV45035JZT1GON SemiconductorLED Driver 80 Segment Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
NSV45035JZT1GON SemiconductorLED Driver 80 Segment Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSV45035JZT3GON SemiconductorAdjustable Constant Current Regulator LED Driver 45 V, 35-70 mA 15%, 1.5 W
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NSV45035JZT3GonsemiLED Lighting Drivers LED Driver, Adjustable Constant Current Regulator, 45 V, 35 mA
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NSV45060JDT4GON SemiconductorIC REG CCR 45V 60MA DPAK
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NSV45060JDT4GON SemiconductorIC REG CCR 45V 60MA DPAK
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+1.27 EUR
131+ 1.15 EUR
161+ 0.91 EUR
250+ 0.81 EUR
500+ 0.68 EUR
1000+ 0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 124
NSV45060JDT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV45060JDT4G - LED-Treiber, 1 Ausgang, linear, einstellbarer Konstantstrom, 45V/60mA bis 100mA, 2.7W, TO-252-3
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -888
auf Bestellung 5750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSV45060JDT4GON SemiconductorIC REG CCR 45V 60MA DPAK
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
NSV45060JDT4GonsemiDescription: IC REG CCR 45V 60MA DPAK
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NSV45060JDT4GON SemiconductorIC REG CCR 45V 60MA DPAK
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+1.42 EUR
124+ 1.22 EUR
131+ 1.11 EUR
161+ 0.87 EUR
250+ 0.77 EUR
500+ 0.65 EUR
1000+ 0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 110
NSV45060JDT4GONSEMICategory: LED drivers
Description: IC: driver; current regulator,LED driver; DPAK; 45V; 2.7W
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Case: DPAK
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...175°C
Operating voltage: 45V
Power dissipation: 2.7W
Operating current: 60...100mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NSV45060JDT4GonsemiLED Lighting Drivers DPAK 60MA
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 126-140 Tag (e)
25+2.1 EUR
28+ 1.9 EUR
100+ 1.39 EUR
500+ 1.16 EUR
1000+ 0.9 EUR
2500+ 0.86 EUR
5000+ 0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 25
NSV45060JDT4GON SemiconductorIC REG CCR 45V 60MA DPAK
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
NSV45060JDT4GONSEMICategory: LED drivers
Description: IC: driver; current regulator,LED driver; DPAK; 45V; 2.7W
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Case: DPAK
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...175°C
Operating voltage: 45V
Power dissipation: 2.7W
Operating current: 60...100mA
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NSV45060JDT4GonsemiDescription: IC REG CCR 45V 60MA DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
NSV45060JDT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV45060JDT4G - LED-Treiber, 1 Ausgang, linear, einstellbarer Konstantstrom, 45V/60mA bis 100mA, 2.7W, TO-252-3
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -888
auf Bestellung 5750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSV45060JDT4GON SemiconductorIC REG CCR 45V 60MA DPAK
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NSV45060JDT4GON Semiconductor
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSV45090JDT4GonsemiLED Lighting Drivers LED Driver, Adjustable Constant Current Regulator, 45 V, 90 mA
auf Bestellung 7429 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
25+2.1 EUR
28+ 1.9 EUR
100+ 1.39 EUR
500+ 1.16 EUR
1000+ 0.9 EUR
2500+ 0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 25
NSV45090JDT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV45090JDT4G - LED-Treiber, 1 Ausgang, linear, einstellbarer Konstantstrom, 45V/90 mA bis 100mA, 2.7W, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: -
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 160mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: TO-252 (DPAK)
Bausteintopologie: Linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSV45090JDT4GON SemiconductorLED DRVR Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NSV45090JDT4GonsemiDescription: IC REG CCR 45V 90MA DPAK
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NSV45090JDT4GON SemiconductorLED DRVR Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSV45090JDT4GON SemiconductorLED DRVR Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSV45090JDT4GonsemiDescription: IC REG CCR 45V 90MA DPAK
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NSV50010YT1GON SemiconductorIC REG CCR 50V 10MA SOD123
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NSV50010YT1GON Semiconductor
auf Bestellung 2530 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSV50010YT1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 50V
Current - Output: 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.51 EUR
6000+ 0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSV50010YT1GON SemiconductorIC REG CCR 50V 10MA SOD123
Produkt ist nicht verfügbar
NSV50010YT1GON SemiconductorIC REG CCR 50V 10MA SOD123
Produkt ist nicht verfügbar
NSV50010YT1GonsemiLED Lighting Drivers SOD 123 10MA
auf Bestellung 2933 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
59+0.89 EUR
74+ 0.71 EUR
111+ 0.47 EUR
500+ 0.45 EUR
1000+ 0.34 EUR
3000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 59
NSV50010YT1GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 50V
Current - Output: 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
auf Bestellung 8524 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
18+1.46 EUR
21+ 1.25 EUR
25+ 1.16 EUR
100+ 0.93 EUR
250+ 0.86 EUR
500+ 0.73 EUR
1000+ 0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 18
NSV50010YT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV50010YT1G - LED-Treiber, AC/DC, 10mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 50V, AEC-Q101, SOD-123-2
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 50
Bauform - Treiber: SOD-123
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NSV50150ADT4GON SemiconductorLED Driver 80 Segment Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSV50150ADT4GON SemiconductorLED Driver 80 Segment Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSV50150ADT4GonsemiLED Lighting Drivers DPAK 150MA
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
22+2.47 EUR
26+ 2.01 EUR
100+ 1.57 EUR
500+ 1.33 EUR
1000+ 1.06 EUR
2500+ 0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 22
NSV50150ADT4GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 10% DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 50V
Current - Output: 150mA ~ 350mA
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
NSV50150ADT4GON SemiconductorLED Driver 80 Segment Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSV50150ADT4GON Semiconductor
auf Bestellung 2460 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSV50150ADT4GON SemiconductorLED Driver 80 Segment Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSV50150ADT4GON SemiconductorLED Driver 80 Segment Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSV50150ADT4GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 10% DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 50V
Current - Output: 150mA ~ 350mA
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
NSV50350ADT4GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 10% DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 50V
Current - Output: 350mA
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10+2.73 EUR
11+ 2.44 EUR
25+ 2.31 EUR
100+ 1.78 EUR
250+ 1.57 EUR
500+ 1.49 EUR
1000+ 1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 10
NSV50350ADT4GON SemiconductorIC REG CCR 50V 350mA DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
NSV50350ADT4GON Semiconductor
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSV50350ADT4GON SemiconductorIC REG CCR 50V 350MA DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
NSV50350ADT4GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 10% DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 50V
Current - Output: 350mA
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
NSV50350ADT4GON SemiconductorIC REG CCR 50V 350mA DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
NSV50350ADT4GonsemiLED Lighting Drivers DPAK 350MA
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
27+1.96 EUR
30+ 1.76 EUR
100+ 1.41 EUR
500+ 1.36 EUR
1000+ 1.08 EUR
2500+ 1.02 EUR
5000+ 0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 27
NSV50350AST3GON SemiconductorConstant Current Regulator and LED Driver
Produkt ist nicht verfügbar
NSV50350AST3G
Produktcode: 131283
IC > IC LED-Treiber
Produkt ist nicht verfügbar
NSV50350AST3GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 10% SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 50V
Current - Output: 350mA
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SMC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2297 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
12+2.26 EUR
14+ 1.99 EUR
25+ 1.87 EUR
100+ 1.42 EUR
250+ 1.2 EUR
500+ 1.14 EUR
1000+ 0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 12
NSV50350AST3GonsemiLED Lighting Drivers SMC 350MA
auf Bestellung 17019 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
23+2.27 EUR
28+ 1.88 EUR
100+ 1.21 EUR
500+ 1.15 EUR
1000+ 0.88 EUR
2500+ 0.79 EUR
10000+ 0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 23
NSV50350AST3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV50350AST3G - LED-Treiber, AC/DC, 350mA, -55 bis 175°C, 1 Ausgang, 50V, AEC-Q101, DO-214AB-2
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: -Hz
Anzahl der Ausgänge: 1Outputs
Eingangsspannung, max.: 50V
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
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auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSV50350AST3GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 10% SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 50V
Current - Output: 350mA
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SMC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NSV50350AST3GON SemiconductorConstant Current Regulator and LED Driver Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NSV60100DMTWTBGON SemiconductorBipolar Transistors - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NSV60100DMTWTBGonsemiDescription: DUAL TRANSISTOR PNP
Produkt ist nicht verfügbar
NSV60100DMTWTBGonsemiDescription: DUAL TRANSISTOR PNP
Produkt ist nicht verfügbar
NSV60101DMR6T1GonsemiDescription: 60V, 1A DUAL NPN LOW VCE(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 530mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-74
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSV60101DMR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 530mW Automotive 6-Pin SC-74 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSV60101DMR6T1GonsemiDescription: 60V, 1A DUAL NPN LOW VCE(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 530mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-74
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
24+1.12 EUR
30+ 0.87 EUR
100+ 0.52 EUR
500+ 0.48 EUR
1000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 24
NSV60101DMR6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 60V, 1A DUAL NPN LOW VCE(
auf Bestellung 2675 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
46+1.14 EUR
59+ 0.88 EUR
107+ 0.49 EUR
1000+ 0.33 EUR
3000+ 0.29 EUR
9000+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 46
NSV60101DMR6T1GON Semiconductor
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSV60101DMR6T2GonsemiDescription: 60V 1A DUAL NPN LOW VCE(SAT) IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 400mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-74
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.32 EUR
6000+ 0.31 EUR
9000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSV60101DMR6T2GonsemiBipolar Transistors - BJT 60V, 1A DUAL NPN LOW VCE(SAT) IN SC-74
Produkt ist nicht verfügbar
NSV60101DMR6T2GonsemiDescription: 60V 1A DUAL NPN LOW VCE(SAT) IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 400mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-74
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
23+1.17 EUR
29+ 0.92 EUR
100+ 0.55 EUR
500+ 0.51 EUR
1000+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 23
NSV60101DMTWTBGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 2270mW Automotive 6-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
517+0.3 EUR
947+ 0.16 EUR
961+ 0.15 EUR
977+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 517
NSV60101DMTWTBGonsemiDescription: TRANS NPN DUAL 60V 1A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
18+1.46 EUR
21+ 1.26 EUR
100+ 0.87 EUR
500+ 0.73 EUR
1000+ 0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 18
NSV60101DMTWTBGonsemiDescription: TRANS NPN DUAL 60V 1A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSV60101DMTWTBGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 2270mW Automotive 6-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSV60101DMTWTBGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 2270mW Automotive 6-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSV60101DMTWTBGonsemiBipolar Transistors - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA
auf Bestellung 688 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
36+1.47 EUR
41+ 1.27 EUR
100+ 0.88 EUR
500+ 0.74 EUR
1000+ 0.63 EUR
3000+ 0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 36
NSV60200DMTWTBGON SemiconductorPNP Transistors
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NSV60200DMTWTBGonsemiBipolar Transistors - BJT DUAL 60V 2A LOWVCES AT PNP
Produkt ist nicht verfügbar
NSV60200DMTWTBGonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
NSV60200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 60V PNP LOW VCE(SAT) XTR
auf Bestellung 2968 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
47+1.11 EUR
61+ 0.86 EUR
110+ 0.48 EUR
1000+ 0.32 EUR
3000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 47
NSV60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
319+0.49 EUR
527+ 0.29 EUR
533+ 0.27 EUR
570+ 0.25 EUR
1000+ 0.15 EUR
3000+ 0.13 EUR
6000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 319
NSV60200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
Produkt ist nicht verfügbar
NSV60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+0.63 EUR
316+ 0.48 EUR
319+ 0.45 EUR
527+ 0.26 EUR
533+ 0.25 EUR
570+ 0.23 EUR
1000+ 0.14 EUR
3000+ 0.13 EUR
6000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 250
NSV60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSV60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSV60200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
23+1.14 EUR
29+ 0.9 EUR
100+ 0.54 EUR
500+ 0.5 EUR
1000+ 0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 23
NSV60200SMTWTBGonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
18+1.48 EUR
21+ 1.26 EUR
100+ 0.87 EUR
500+ 0.68 EUR
1000+ 0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 18
NSV60200SMTWTBGonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSV60200SMTWTBGonsemiBipolar Transistors - BJT 60V SINGLE 2A LOWVC E(SAT)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
37+1.43 EUR
43+ 1.23 EUR
100+ 0.92 EUR
500+ 0.72 EUR
1000+ 0.56 EUR
3000+ 0.51 EUR
9000+ 0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 37
NSV60201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
22+1.22 EUR
27+ 0.99 EUR
100+ 0.67 EUR
500+ 0.5 EUR
1000+ 0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 22
NSV60201LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 60V NPN LOW VCE(SAT) XTR
auf Bestellung 9055 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
64+0.82 EUR
85+ 0.62 EUR
140+ 0.37 EUR
1000+ 0.29 EUR
3000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 64
NSV60201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSV60201SMTWTBGonsemiDescription: TRANS NPN 60V 2A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
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Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
19+1.43 EUR
22+ 1.21 EUR
100+ 0.84 EUR
500+ 0.66 EUR
1000+ 0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 19
NSV60201SMTWTBGonsemiDescription: TRANS NPN 60V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
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Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSV60201SMTWTBGonsemiBipolar Transistors - BJT 60V SINGLE 2A LOWVC E(SAT)
Produkt ist nicht verfügbar
NSV60600MZ4T1GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 60V 6A SOT223-4
Produkt ist nicht verfügbar
NSV60600MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 6A SOT223
Produkt ist nicht verfügbar
NSV60600MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSV60600MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT PNP LOW VCE(SAT)
auf Bestellung 51068 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
47+1.11 EUR
58+ 0.91 EUR
100+ 0.74 EUR
500+ 0.67 EUR
1000+ 0.59 EUR
2000+ 0.51 EUR
5000+ 0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 47
NSV60600MZ4T1GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 60V 6A SOT223-4
Produkt ist nicht verfügbar
NSV60600MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSV60600MZ4T3GonsemiBipolar Transistors - BJT PNP LOW VCE(SAT)
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 650-664 Tag (e)
43+1.23 EUR
45+ 1.17 EUR
100+ 0.86 EUR
500+ 0.71 EUR
1000+ 0.6 EUR
2000+ 0.57 EUR
4000+ 0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 43
NSV60600MZ4T3GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 60V 6A SOT223-4
auf Bestellung 15980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
16+1.64 EUR
19+ 1.44 EUR
100+ 1.1 EUR
500+ 0.87 EUR
1000+ 0.7 EUR
2000+ 0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 16
NSV60600MZ4T3GON Semiconductor
auf Bestellung 3900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSV60600MZ4T3GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 60V 6A SOT223-4
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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8000+ 0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
NSV60601MZ4T1GON Semiconductor
auf Bestellung 1085 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSV60601MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSV60601MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSV60601MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
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Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 751 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
19+1.43 EUR
22+ 1.23 EUR
100+ 0.85 EUR
500+ 0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 19
NSV60601MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NSV60601MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 60V/6A LOW VCE(SAT)
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NSV60601MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NSV60601MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NSV60601MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
NSV60601MZ4T3GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
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NSV60601MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NSV60601MZ4T3GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 60V/6A LOW VCE(SAT)
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NSV60601MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NSV60601MZ4T3GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
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NSV60601MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NSV9435T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.72W SOT223-4
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NSV9435T1GON Semiconductor
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NSV9435T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
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46+1.15 EUR
51+ 1.03 EUR
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500+ 0.76 EUR
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2000+ 0.56 EUR
10000+ 0.54 EUR
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NSVA235(MPS-F-7217
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NSVA278JRCSMD
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NSVA278-903MHZ
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NSVA278903MHZ
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NSVA279JRCSMD
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NSVA279927MHZ
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NSVA391
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NSVA531
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NSVA531.
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NSVA531/886.0/931.
auf Bestellung 3000 Stücke:
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NSVA541
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NSVA541.
auf Bestellung 28000 Stücke:
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NSVA543(1765MHZ)
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NSVA543-1765MHZJRC3X3
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NSVB114YPDXV6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 RSTR XSTR
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NSVB114YPDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS BRT 50V 100MA SOT563
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NSVB123JPDXV6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS SRF MT RST XSTR
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NSVB123JPDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
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NSVB124XPDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
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NSVB124XPDXV6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 COMPLEMENTARY
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NSVB143TPDXV6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS RSTR XSTR TR
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NSVB143TPDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT563
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NSVB143ZPDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
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NSVB143ZPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
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NSVB143ZPDXV6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-563 COMPLEMENTARY 4.7/47 K OH
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NSVB144EPDXV6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 RSTR XSTR TR
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NSVB144EPDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
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NSVB1706DMW5T1GonsemiDigital Transistors Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
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48+1.09 EUR
57+ 0.93 EUR
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500+ 0.5 EUR
1000+ 0.41 EUR
3000+ 0.36 EUR
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NSVB1706DMW5T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC88-A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
auf Bestellung 47000 Stücke:
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24+1.09 EUR
29+ 0.92 EUR
100+ 0.64 EUR
500+ 0.5 EUR
1000+ 0.41 EUR
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NSVB1706DMW5T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC88-A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
auf Bestellung 45000 Stücke:
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3000+0.36 EUR
6000+ 0.34 EUR
9000+ 0.32 EUR
30000+ 0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSVBA114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
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NSVBA114EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
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NSVBA114EDXV6T1GonsemiDigital Transistors SS SOT563 RSTR XSTR
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46+1.14 EUR
63+ 0.83 EUR
134+ 0.39 EUR
1000+ 0.24 EUR
4000+ 0.2 EUR
8000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 46
NSVBA114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBA114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563-6
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 136000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4873+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4873
NSVBA114YDXV6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 RSTR XSTR TR
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NSVBA114YDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBA143ZDXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP BIPO 60V SOT564
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 52000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4000+0.2 EUR
8000+ 0.19 EUR
12000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
NSVBA143ZDXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP BIPO 60V SOT564
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 52000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
24+1.09 EUR
34+ 0.77 EUR
100+ 0.39 EUR
500+ 0.32 EUR
1000+ 0.24 EUR
2000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 24
NSVBA143ZDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT SOT-563 DUAL 4.7/47 K OH
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBAS116LT3GonsemiDescription: DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
NSVBAS116LT3GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching 75V SWITCH DIODE SS SOT23
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 173-187 Tag (e)
50+1.04 EUR
70+ 0.75 EUR
158+ 0.33 EUR
1000+ 0.23 EUR
2500+ 0.22 EUR
10000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 50
NSVBAS116LT3GonsemiDescription: DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 11695 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
26+1.01 EUR
37+ 0.72 EUR
100+ 0.36 EUR
500+ 0.32 EUR
1000+ 0.25 EUR
2000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 26
NSVBAS16TT1GON SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 100V 200MA SC75
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBAS16TT1GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching SWITCHING DIODE 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBAS16TT1GON SemiconductorDIODE GEN PURP 100V 200MA SC75
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBAS16TT1GON SemiconductorDiodes - General Purpose, Power, Switching SWITCHING DIODE 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBAS16W1T1GonsemiDescription: DIODE GEN PURP 100V 200MA SC88
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSVBAS16W1T1GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SC88 SWITCHING DIODE
auf Bestellung 33123 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
59+0.89 EUR
84+ 0.62 EUR
200+ 0.26 EUR
1000+ 0.19 EUR
3000+ 0.15 EUR
9000+ 0.14 EUR
24000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 59
NSVBAS16W1T1GON SemiconductorUltra High Speed Switching Diodes
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBAS16W1T1GonsemiDescription: DIODE GEN PURP 100V 200MA SC88
auf Bestellung 5865 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
28+0.96 EUR
37+ 0.7 EUR
100+ 0.4 EUR
500+ 0.26 EUR
1000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 28
NSVBAS16WT1G
auf Bestellung 444000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSVBAS16WT3GonsemiDescription: DIODE GP 100V 200MA SC70-3
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBAS16WT3GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SC70 SWCH DIO 75V TR
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 451-465 Tag (e)
47+1.12 EUR
62+ 0.85 EUR
109+ 0.48 EUR
500+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 47
NSVBAS16WT3GonsemiDescription: DIODE GP 100V 200MA SC70-3
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBAS19LT1GonsemiDescription: DIODE GP 120V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 70308 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
34+0.78 EUR
48+ 0.55 EUR
100+ 0.27 EUR
500+ 0.22 EUR
1000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 34
NSVBAS19LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAS19LT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 120 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 120V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 649 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVBAS19LT1GON Semiconductor
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSVBAS19LT1GON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 120V 0.2A 50ns Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBAS19LT1GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode, High Voltage 120 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
90+0.58 EUR
131+ 0.4 EUR
318+ 0.16 EUR
1000+ 0.13 EUR
3000+ 0.11 EUR
9000+ 0.088 EUR
24000+ 0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 90
NSVBAS19LT1GonsemiDescription: DIODE GP 120V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+ 0.12 EUR
9000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSVBAS20LT3GonsemiDescription: DIODE GP 200V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 150 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
34+0.78 EUR
49+ 0.54 EUR
100+ 0.26 EUR
500+ 0.22 EUR
1000+ 0.15 EUR
2000+ 0.13 EUR
5000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 34
NSVBAS20LT3GonsemiDescription: DIODE GP 200V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 150 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
NSVBAS20LT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAS20LT3G - 200 V SWITCHING DIODE
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBAS20LT3GON Semiconductor
auf Bestellung 9920 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSVBAS20LT3GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SWCH DIO 200V
auf Bestellung 1611 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
120+0.43 EUR
167+ 0.31 EUR
393+ 0.13 EUR
1000+ 0.078 EUR
2500+ 0.073 EUR
10000+ 0.06 EUR
20000+ 0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 120
NSVBAS21AHT1GON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 250V 0.2A 50ns Automotive 2-Pin SOD-323 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBAS21AHT1GON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 250V 0.2A 50ns Automotive 2-Pin SOD-323 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBAS21AHT1GonsemiDescription: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 nA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4470 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
44+0.6 EUR
63+ 0.42 EUR
129+ 0.2 EUR
500+ 0.17 EUR
1000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 44
NSVBAS21AHT1GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching SOD323 SWCH DIO 250V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
47+1.11 EUR
65+ 0.81 EUR
145+ 0.36 EUR
1000+ 0.28 EUR
3000+ 0.23 EUR
9000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 47
NSVBAS21AHT1GON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 250V 0.2A 50ns Automotive 2-Pin SOD-323 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBAS21AHT1GON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 250V 0.2A 50ns Automotive 2-Pin SOD-323 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBAS21AHT1GON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 250V 0.2A 50ns Automotive 2-Pin SOD-323 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBAS21AHT1GonsemiDescription: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 nA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBAS21HT1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAS21HT1 - DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVBAS21HT1
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSVBAS21HT1onsemiDescription: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323
auf Bestellung 65000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7212+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 7212
NSVBAS21HT1GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SWCH DIO 250V
auf Bestellung 2203 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
113+0.46 EUR
156+ 0.34 EUR
318+ 0.16 EUR
1000+ 0.094 EUR
2500+ 0.083 EUR
10000+ 0.062 EUR
30000+ 0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 113
NSVBAS21HT1GonsemiDescription: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 18764 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
56+0.47 EUR
79+ 0.33 EUR
160+ 0.16 EUR
500+ 0.14 EUR
1000+ 0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 56
NSVBAS21HT1GON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 250V 0.2A 50ns Automotive 2-Pin SOD-323 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBAS21HT1GONSEMICategory: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 0.2A; 50ns; SOD323; Ufmax: 1.25V; 200mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 250V
Load current: 0.2A
Max. load current: 0.5A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 5pF
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2.5A
Power dissipation: 0.2W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBAS21HT1GonsemiDescription: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.082 EUR
6000+ 0.076 EUR
9000+ 0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSVBAS21HT1GONSEMICategory: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 0.2A; 50ns; SOD323; Ufmax: 1.25V; 200mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 250V
Load current: 0.2A
Max. load current: 0.5A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 5pF
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2.5A
Power dissipation: 0.2W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBAS21HT3GonsemiDescription: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8890 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
44+0.6 EUR
63+ 0.42 EUR
129+ 0.2 EUR
500+ 0.17 EUR
1000+ 0.12 EUR
2000+ 0.1 EUR
5000+ 0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 44
NSVBAS21HT3GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SWCH DIO 250V
auf Bestellung 6330 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
90+0.58 EUR
125+ 0.42 EUR
257+ 0.2 EUR
1000+ 0.12 EUR
2500+ 0.1 EUR
10000+ 0.078 EUR
50000+ 0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 90
NSVBAS21HT3GonsemiDescription: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBAS21HT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAS21HT3G - 250 V SWITCHING DIODE HIGH VOLTAGE
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBAS21HT3GON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 250V 0.2A 50ns Automotive 2-Pin SOD-323 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBAS21M3T5GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SWITCHING DIODE
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
58+0.91 EUR
73+ 0.72 EUR
137+ 0.38 EUR
500+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 58
NSVBAS21M3T5GonsemiDescription: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-723
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9627 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
34+0.78 EUR
50+ 0.53 EUR
101+ 0.26 EUR
500+ 0.22 EUR
1000+ 0.15 EUR
2000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 34
NSVBAS21M3T5GON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 0.2A 50ns Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVBAS21M3T5GonsemiDescription: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-723
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
NSVBAS21SLT1GonsemiDescription: DIODE GP 250V 225MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 225mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSVBAS21SLT1GonsemiDescription: DIODE GP 250V 225MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 225mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4475 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
27+0.99 EUR
38+ 0.69 EUR
100+ 0.35 EUR
500+ 0.29 EUR
1000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 27
NSVBAS21SLT1GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SOT23 SWCH DIO 250V TR
auf Bestellung 7252 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
53+0.99 EUR
82+ 0.64 EUR
186+ 0.28 EUR
1000+ 0.22 EUR
3000+ 0.17 EUR
9000+ 0.15 EUR
24000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 53
NSVBAS21TMR6T1GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 0.2A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-74 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVBAS21TMR6T1GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 250V 200MA SC74
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 3 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SC-74
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.17 EUR
6000+ 0.16 EUR
9000+ 0.14 EUR
30000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSVBAS21TMR6T1GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching TRIPLE HIGH VTG SWITCH
auf Bestellung 221686 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
57+0.92 EUR
81+ 0.65 EUR
200+ 0.26 EUR
1000+ 0.2 EUR
3000+ 0.16 EUR
9000+ 0.14 EUR
24000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 57
NSVBAS21TMR6T1GON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 0.2A 50ns Automotive 6-Pin SC-74 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBAS21TMR6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAS21TMR6T1G - Kleinsignaldiode, Dreifach, isoliert, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-74
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVBAS21TMR6T1GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 250V 200MA SC74
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 3 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SC-74
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
auf Bestellung 50779 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
29+0.91 EUR
41+ 0.64 EUR
100+ 0.32 EUR
500+ 0.26 EUR
1000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 29
NSVBAS21TMR6T1GON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 0.2A 50ns Automotive 6-Pin SC-74 T/R
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVBAS21TMR6T2GON SemiconductorDiodes - General Purpose, Power, Switching TRIPLE HIGH VOLTAGE
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBAS21TMR6T2GonsemiDescription: DIODE SWITCHING 250V SC-74
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 3 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SC-74
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
27+0.99 EUR
36+ 0.74 EUR
100+ 0.42 EUR
500+ 0.28 EUR
1000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 27
NSVBAS21TMR6T2GonsemiDescription: DIODE SWITCHING 250V SC-74
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 3 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SC-74
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.18 EUR
6000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSVBAS21TMR6T2GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 0.2A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-74 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBAS21XV2T5GonsemiDescription: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-523
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
auf Bestellung 15275 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
38+0.7 EUR
55+ 0.48 EUR
111+ 0.23 EUR
500+ 0.2 EUR
1000+ 0.14 EUR
2000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 38
NSVBAS21XV2T5GON Semiconductor250V SW DIODE IN SOD523
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBAS21XV2T5GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching 250V SW DIODE IN SOD523
auf Bestellung 17415 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
75+0.7 EUR
108+ 0.48 EUR
264+ 0.2 EUR
1000+ 0.12 EUR
2500+ 0.11 EUR
8000+ 0.088 EUR
24000+ 0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 75
NSVBAS21XV2T5GonsemiDescription: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-523
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
NSVBAS70LT1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAS70LT1 - NSVBAS70LT1, STAND RECOVERY RECTIFIERS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVBAS70LT1
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSVBAS70LT1onsemiDescription: RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 0.07A
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3249+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3249
NSVBAS70LT1GON SemiconductorDescription: DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3
auf Bestellung 6659 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSVBAS70LT1GON Semiconductor
auf Bestellung 54970 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSVBAS70LT1GonsemiSchottky Diodes & Rectifiers SS SCHTKY DIODE
auf Bestellung 6303 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
54+0.98 EUR
70+ 0.75 EUR
100+ 0.53 EUR
500+ 0.41 EUR
1000+ 0.31 EUR
3000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 54
NSVBAS70LT1GON SemiconductorDescription: DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSVBASH16MX2WT5GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching 100V SW DIODE IN X2DFNW2
auf Bestellung 2789 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
53+0.99 EUR
74+ 0.71 EUR
146+ 0.36 EUR
1000+ 0.22 EUR
2500+ 0.18 EUR
8000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 53
NSVBASH19LT1GonsemiDescription: DIODE GP 120V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
34+0.78 EUR
48+ 0.55 EUR
100+ 0.28 EUR
500+ 0.23 EUR
1000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 34
NSVBASH19LT1GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SWCH DIO 250V
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBASH19LT1GonsemiDescription: DIODE GP 120V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+ 0.13 EUR
9000+ 0.12 EUR
30000+ 0.11 EUR
75000+ 0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSVBASH20MX2WT5GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching 100V & 200V SW DIODE IN X2DFNW2
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
49+1.06 EUR
69+ 0.76 EUR
137+ 0.38 EUR
1000+ 0.23 EUR
2500+ 0.19 EUR
8000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 49
NSVBASH20MX2WT5GonsemiDescription: 100V & 200V SW DIODE IN X2DFNW2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-XDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: 2-X2DFNW (1x0.6)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 111990 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
24+1.09 EUR
33+ 0.8 EUR
38+ 0.7 EUR
100+ 0.4 EUR
250+ 0.37 EUR
500+ 0.3 EUR
1000+ 0.23 EUR
2500+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 24
NSVBASH20MX2WT5GonsemiDescription: 100V & 200V SW DIODE IN X2DFNW2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-XDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: 2-X2DFNW (1x0.6)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 104000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8000+0.18 EUR
16000+ 0.16 EUR
24000+ 0.15 EUR
56000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
NSVBASH21LT1GON SemiconductorDescription: HIGH VOLT DIODE
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBASH21LT1GON SemiconductorDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SOT23 SWCH DIO 250V TR-175DEGC
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBASH21LT1GON SemiconductorSwitching Diode, High Voltage, High Temperature
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVBAT54HT1ONSOD323
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSVBAT54HT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1084 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
44+0.6 EUR
65+ 0.4 EUR
132+ 0.2 EUR
500+ 0.16 EUR
1000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 44
NSVBAT54HT1GonsemiSchottky Diodes & Rectifiers SS SCHOTTKY DIODE
auf Bestellung 109156 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
94+0.56 EUR
129+ 0.41 EUR
264+ 0.2 EUR
1000+ 0.11 EUR
2500+ 0.099 EUR
10000+ 0.075 EUR
60000+ 0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 94
NSVBAT54HT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAT54HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 16060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVBAT54HT1G
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSVBAT54HT1GON SemiconductorRectifier Diode Schottky 0.2A 5ns Automotive 2-Pin SOD-323 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVBAT54HT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBAT54HT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAT54HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 16060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVBAT54LT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.16 EUR
6000+ 0.14 EUR
15000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSVBAT54LT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3
auf Bestellung 26154 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
28+0.94 EUR
34+ 0.77 EUR
100+ 0.41 EUR
500+ 0.27 EUR
1000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 28
NSVBAT54LT1GonsemiSchottky Diodes & Rectifiers SS SHKY DIO 30V TR
auf Bestellung 26771 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
70+0.75 EUR
92+ 0.57 EUR
218+ 0.24 EUR
1000+ 0.17 EUR
3000+ 0.12 EUR
9000+ 0.11 EUR
24000+ 0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 70
NSVBAT54LT1GON Semiconductor
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSVBAT54M3T5GON SemiconductorRectifier Diode Schottky Si 0.2A 5ns Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBAT54M3T5GON SemiconductorDescription: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT723
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSVBAT54M3T5GonsemiSchottky Diodes & Rectifiers SS SWITCHING DIODE
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
97+0.54 EUR
103+ 0.51 EUR
189+ 0.28 EUR
500+ 0.17 EUR
1000+ 0.12 EUR
2500+ 0.091 EUR
8000+ 0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 97
NSVBAT54SWT1GON SemiconductorDiode Schottky 0.2A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 23880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
222+0.7 EUR
316+ 0.48 EUR
697+ 0.21 EUR
1000+ 0.15 EUR
3000+ 0.13 EUR
9000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 222
NSVBAT54SWT1GON SemiconductorDiode Schottky 0.2A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
9000+ 0.13 EUR
45000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSVBAT54SWT1GonsemiSchottky Diodes & Rectifiers SS SHKY DIO 30V TR
auf Bestellung 16972 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
47+1.11 EUR
66+ 0.79 EUR
131+ 0.4 EUR
1000+ 0.27 EUR
2500+ 0.24 EUR
10000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 47
NSVBAT54SWT1GON SemiconductorDiode Schottky 0.2A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 28805 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
332+0.47 EUR
665+ 0.23 EUR
672+ 0.22 EUR
727+ 0.19 EUR
1003+ 0.13 EUR
3000+ 0.11 EUR
6000+ 0.094 EUR
15000+ 0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 332
NSVBAT54SWT1GonsemiDescription: DIODE ARR SCHOT 30V 200MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
auf Bestellung 38177 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
24+1.09 EUR
34+ 0.79 EUR
100+ 0.4 EUR
500+ 0.35 EUR
1000+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 24
NSVBAT54SWT1GON SemiconductorDiode Schottky 0.2A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 23880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
697+0.22 EUR
1000+ 0.16 EUR
3000+ 0.14 EUR
9000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 697
NSVBAT54SWT1GON Semiconductor
auf Bestellung 625 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSVBAT54SWT1GON SemiconductorDiode Schottky 0.2A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBAT54SWT1GON SemiconductorRectifier Diode Schottky 0.2A 5ns Automotive 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBAT54SWT1GON SemiconductorDiode Schottky 0.2A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 28805 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
232+0.68 EUR
329+ 0.46 EUR
332+ 0.44 EUR
665+ 0.21 EUR
672+ 0.2 EUR
727+ 0.18 EUR
1003+ 0.12 EUR
3000+ 0.11 EUR
6000+ 0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 232
NSVBAT54SWT1GonsemiDescription: DIODE ARR SCHOT 30V 200MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.24 EUR
9000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSVBAT54SWT1GON SemiconductorDiode Schottky 0.2A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
9000+ 0.13 EUR
45000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSVBAT54WT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
Grade: Automotive
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSVBAT54WT1GON SemiconductorRectifier Diode Schottky 0.2A 5ns Automotive 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBAT54WT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
Grade: Automotive
auf Bestellung 8693 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
35+0.75 EUR
52+ 0.5 EUR
106+ 0.25 EUR
500+ 0.2 EUR
1000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 35
NSVBAT54WT1GonsemiSchottky Diodes & Rectifiers SS SHKY DIO 30V TR
auf Bestellung 11802 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
70+0.75 EUR
104+ 0.5 EUR
250+ 0.21 EUR
1000+ 0.15 EUR
3000+ 0.11 EUR
9000+ 0.094 EUR
24000+ 0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 70
NSVBAV23CLT1GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 250V 400MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
auf Bestellung 5895 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSVBAV23CLT1GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching DUAL CPR CMDTY PBF
auf Bestellung 81088 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
54+0.97 EUR
81+ 0.64 EUR
199+ 0.26 EUR
1000+ 0.21 EUR
3000+ 0.19 EUR
9000+ 0.17 EUR
24000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 54
NSVBAV23CLT1GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 250V 400MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
auf Bestellung 5895 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
23+1.14 EUR
33+ 0.8 EUR
100+ 0.41 EUR
500+ 0.33 EUR
1000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 23
NSVBAV23CLT1GON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 250V 0.4A 150ns Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBAV70DXV6T5GonsemiDescription: NSVBAV70D - SWITCHING DIODE, QUA
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSVBAV70DXV6T5GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SOT563 SWITCH DIO
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
55+0.96 EUR
66+ 0.79 EUR
100+ 0.54 EUR
500+ 0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 55
NSVBAV70TT1
auf Bestellung 219000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSVBAV70TT1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAV70TT1 - BAV70T - DIODE ARRAY SW 100V 100MA SC75
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6967 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVBAV70TT1onsemiDescription: DIODE ARRAY GP 100V 100MA SC75
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6967 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5323+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5323
NSVBAV70TT1GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 100V 100MA SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 11995 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
28+0.94 EUR
40+ 0.66 EUR
100+ 0.33 EUR
500+ 0.27 EUR
1000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 28
NSVBAV70TT1GON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 0.2A 6ns Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBAV70TT1GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SC75 DUAL DIO 70V
auf Bestellung 82650 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
53+0.99 EUR
76+ 0.69 EUR
182+ 0.29 EUR
1000+ 0.21 EUR
3000+ 0.17 EUR
9000+ 0.15 EUR
24000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 53
NSVBAV70TT1GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 100V 100MA SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.083 EUR
6000+ 0.077 EUR
9000+ 0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSVBAV70TT3GON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 0.2A 6ns Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBAV70TT3GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching DUAL SWITCHING DIODE
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
56+0.94 EUR
74+ 0.7 EUR
193+ 0.27 EUR
1000+ 0.17 EUR
2500+ 0.15 EUR
10000+ 0.12 EUR
20000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 56
NSVBAV70TT3GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 100V 100MA SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 19962 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
28+0.94 EUR
41+ 0.64 EUR
100+ 0.31 EUR
500+ 0.26 EUR
1000+ 0.18 EUR
2000+ 0.16 EUR
5000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 28
NSVBAV70TT3GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 100V 100MA SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
NSVBAV99WT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAV99WT3G - Kleinsignaldiode, Zwei in Reihe, 100 V, 215 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-70
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV99W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 13385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVBAV99WT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAV99WT3G - Kleinsignaldiode, Zwei in Reihe, 100 V, 215 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-70
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV99W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 13385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVBAV99WT3GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 100V 215MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 215mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 17183 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
25+1.07 EUR
36+ 0.73 EUR
100+ 0.37 EUR
500+ 0.3 EUR
1000+ 0.22 EUR
2000+ 0.19 EUR
5000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 25
NSVBAV99WT3GON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.215A 6ns Automotive 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBAV99WT3GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SC70 DUAL DIODE T
auf Bestellung 1455 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
64+0.82 EUR
80+ 0.66 EUR
230+ 0.23 EUR
1000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 64
NSVBAV99WT3GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 100V 215MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 215mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBAWH56WT1GonsemiDescription: DIODE GEN PURP 70V 200MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSVBAWH56WT1GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SC70 SWCH DIO 70V TR-175DEGC
auf Bestellung 8137 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
57+0.92 EUR
81+ 0.64 EUR
159+ 0.33 EUR
1000+ 0.17 EUR
3000+ 0.16 EUR
9000+ 0.14 EUR
24000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 57
NSVBAWH56WT1GonsemiDescription: DIODE GEN PURP 70V 200MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
29+0.91 EUR
41+ 0.64 EUR
100+ 0.32 EUR
500+ 0.26 EUR
1000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 29
NSVBC114EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN BIAS BIPOLAR SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
NSVBC114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN BIAS BIPOLAR SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
26+1.01 EUR
32+ 0.81 EUR
100+ 0.55 EUR
500+ 0.42 EUR
1000+ 0.31 EUR
2000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 26
NSVBC114EDXV6T1GonsemiDigital Transistors SS SOT563 RSTR XSTR
auf Bestellung 1989 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
47+1.11 EUR
67+ 0.78 EUR
160+ 0.32 EUR
1000+ 0.2 EUR
8000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 47
NSVBC114EPDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP BIAS SOT563
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC114EPDXV6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 DUAL RSTR XSTR
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC114EPDXV6T1GON SemiconductorDual Bias Resistor Digital Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC114YDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
NSVBC114YDXV6T1GonsemiDigital Transistors SS RSTR XSTR TR
auf Bestellung 3694 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
47+1.11 EUR
67+ 0.78 EUR
160+ 0.32 EUR
1000+ 0.24 EUR
4000+ 0.2 EUR
8000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 47
NSVBC114YDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
26+1.01 EUR
32+ 0.81 EUR
100+ 0.55 EUR
500+ 0.42 EUR
1000+ 0.31 EUR
2000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 26
NSVBC114YPDXV65GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC114YPDXV65GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC114YPDXV65G - TRANS PREBIAS NPN-PNP SOT563
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVBC114YPDXV65G
auf Bestellung 104000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSVBC114YPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 7900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
26+1.01 EUR
34+ 0.78 EUR
100+ 0.47 EUR
500+ 0.43 EUR
1000+ 0.29 EUR
2000+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 26
NSVBC114YPDXV6T1GonsemiDigital Transistors Complementary Bipolar Digital Transistor (BRT)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
54+0.97 EUR
77+ 0.68 EUR
184+ 0.28 EUR
1000+ 0.18 EUR
4000+ 0.17 EUR
8000+ 0.15 EUR
24000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 54
NSVBC114YPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
NSVBC123JDXV6T5GonsemiDescription: SS SOT563 SRF MT RST XSTR
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC123JPDXV6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 SRF MT RST XSTR
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NSVBC123JPDXV6T1GON SemiconductorComplementary Bipolar Digital Transistor (BRT)
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NSVBC123JPDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased Complementary Bipolar Digital Transistor (BRT)
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC124EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC124EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3146+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3146
NSVBC124EDXV6T1GonsemiDigital Transistors Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC124EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC124EPDXV6T1GonsemiDigital Transistors SS SOT563 DUAL RSTR XSTR
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 112-126 Tag (e)
47+1.11 EUR
67+ 0.78 EUR
160+ 0.32 EUR
1000+ 0.2 EUR
8000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 47
NSVBC124EPDXV6T1GonsemiDescription: SS SOT563 DUAL RSTR XSTR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
24+1.09 EUR
34+ 0.78 EUR
100+ 0.39 EUR
500+ 0.32 EUR
1000+ 0.24 EUR
2000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 24
NSVBC124EPDXV6T1GonsemiDescription: SS SOT563 DUAL RSTR XSTR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4000+0.2 EUR
8000+ 0.19 EUR
12000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
NSVBC124XDXV6T1GonsemiDescription: TRANS BRT 2NPN BIPO SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC124XDXV6T1GonsemiDescription: TRANS BRT 2NPN BIPO SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC124XDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT563 DUALL 22/ 47
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC124XPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 52000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4000+0.2 EUR
8000+ 0.19 EUR
12000+ 0.17 EUR
28000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
NSVBC124XPDXV6T1GonsemiDigital Transistors Complemetary Bipolar Digital Transistor (BRT)
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NSVBC124XPDXV6T1GON SemiconductorComplementary Bipolar Digital Transistor (BRT)
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC124XPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 52000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
24+1.09 EUR
34+ 0.78 EUR
100+ 0.39 EUR
500+ 0.32 EUR
1000+ 0.24 EUR
2000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 24
NSVBC143TPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC143TPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC143TPDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 RSTR XSTR TR
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC143ZDXV6T1GonsemiDescription: TRANS BRT 2NPN BIPO SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC143ZDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT SOT-563 DUAL 4.7/47 K OH
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC143ZDXV6T1GonsemiDescription: TRANS BRT 2NPN BIPO SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
28+0.96 EUR
36+ 0.74 EUR
100+ 0.44 EUR
500+ 0.41 EUR
1000+ 0.28 EUR
2000+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 28
NSVBC143ZPDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased Complementary Bipolar Digital Transistor (BRT)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 214-228 Tag (e)
46+1.14 EUR
63+ 0.83 EUR
111+ 0.47 EUR
1000+ 0.24 EUR
4000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 46
NSVBC143ZPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC143ZPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 288000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2996+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2996
NSVBC143ZPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC143ZPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC143ZPDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC143ZPDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-563 COMPLEMENTARY 4.7/47 K OH
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC143ZPDXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC144EDXV6T1GON SemiconductorNPN Transistors with Monolithic Bias Resistor Network Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC144EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
24+1.09 EUR
34+ 0.77 EUR
100+ 0.39 EUR
500+ 0.32 EUR
1000+ 0.24 EUR
2000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 24
NSVBC144EPDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased Complementary Bipolar Digital Transistor (BRT)
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC144EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
NSVBC144EPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC817-16LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
331+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 331
NSVBC817-16LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC817-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 8900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVBC817-16LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Current gain: 100...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC817-16LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 14850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
34+0.78 EUR
48+ 0.55 EUR
100+ 0.28 EUR
500+ 0.23 EUR
1000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 34
NSVBC817-16LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC817-16LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.14 EUR
9000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSVBC817-16LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 45V
auf Bestellung 5682 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
66+0.8 EUR
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Mindestbestellmenge: 66
NSVBC817-16LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC817-16LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC817-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 8900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVBC817-16LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Current gain: 100...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC817-40WT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 17989 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
384+0.41 EUR
605+ 0.25 EUR
611+ 0.24 EUR
622+ 0.22 EUR
1222+ 0.11 EUR
1276+ 0.1 EUR
1311+ 0.094 EUR
2416+ 0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 384
NSVBC817-40WT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC817-40WT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC817-40WT1GonsemiDigital Transistors SS SC70 GP XSTR NPN 45V
auf Bestellung 23159 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
57+0.92 EUR
75+ 0.69 EUR
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2500+ 0.17 EUR
10000+ 0.14 EUR
30000+ 0.13 EUR
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NSVBC817-40WT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 22600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2106+0.074 EUR
2128+ 0.071 EUR
2146+ 0.068 EUR
2160+ 0.065 EUR
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15000+ 0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 2106
NSVBC817-40WT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.5A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 460 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 32036 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
28+0.94 EUR
40+ 0.65 EUR
100+ 0.33 EUR
500+ 0.27 EUR
1000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 28
NSVBC817-40WT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC817-40WT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 22600 Stücke:
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639+0.24 EUR
1007+ 0.15 EUR
1024+ 0.14 EUR
2106+ 0.066 EUR
2128+ 0.063 EUR
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2160+ 0.057 EUR
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Mindestbestellmenge: 639
NSVBC817-40WT1GON Semiconductor
auf Bestellung 8584 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSVBC817-40WT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.5A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 460 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.17 EUR
6000+ 0.16 EUR
9000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSVBC817-40WT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC818-40LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN Bipolar Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC818-40LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 225 mW
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC818-40LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 0.5A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC818-40LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 225 mW
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC846BM3T5GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 640mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC846BM3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 65V 0.1A SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
NSVBC846BM3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC846BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 265mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVBC846BM3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN Bipolar Transistor
auf Bestellung 22364 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
60+0.87 EUR
104+ 0.5 EUR
220+ 0.24 EUR
1000+ 0.15 EUR
2500+ 0.12 EUR
8000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 60
NSVBC846BM3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 65V 0.1A SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
auf Bestellung 17860 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
31+0.86 EUR
44+ 0.6 EUR
100+ 0.29 EUR
500+ 0.24 EUR
1000+ 0.17 EUR
2000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 31
NSVBC847BDW1T2GonsemiDescription: TRANS 2NPN 45V 0.1A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 5172 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
26+1.01 EUR
37+ 0.7 EUR
100+ 0.35 EUR
500+ 0.29 EUR
1000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 26
NSVBC847BDW1T2GonsemiBipolar Transistors - BJT Dual NPN Bipolar Transistor
auf Bestellung 13833 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
52+1.02 EUR
74+ 0.71 EUR
184+ 0.28 EUR
1000+ 0.22 EUR
3000+ 0.16 EUR
9000+ 0.15 EUR
24000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 52
NSVBC847BDW1T2GON Semiconductor
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSVBC847BDW1T2GonsemiDescription: TRANS 2NPN 45V 0.1A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSVBC847BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5019 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1154+0.14 EUR
1734+ 0.087 EUR
2381+ 0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 1154
NSVBC847BLT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC847BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8683 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVBC847BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 38750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
273+0.57 EUR
371+ 0.41 EUR
679+ 0.21 EUR
1020+ 0.14 EUR
1465+ 0.091 EUR
2500+ 0.079 EUR
10000+ 0.066 EUR
20000+ 0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 273
NSVBC847BLT3GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 18421 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
29+0.91 EUR
41+ 0.64 EUR
100+ 0.32 EUR
500+ 0.26 EUR
1000+ 0.2 EUR
2000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 29
NSVBC847BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6489 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
420+0.37 EUR
570+ 0.26 EUR
576+ 0.25 EUR
1047+ 0.13 EUR
1603+ 0.08 EUR
1965+ 0.062 EUR
3000+ 0.059 EUR
6000+ 0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 420
NSVBC847BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC847BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6489 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1047+0.15 EUR
1056+ 0.14 EUR
1603+ 0.091 EUR
1965+ 0.071 EUR
3000+ 0.064 EUR
6000+ 0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 1047
NSVBC847BLT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC847BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 225mW
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 9918 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVBC847BLT3GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
NSVBC847BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC847BLT3GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 45V
auf Bestellung 29405 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
64+0.82 EUR
113+ 0.46 EUR
271+ 0.19 EUR
1000+ 0.15 EUR
2500+ 0.13 EUR
10000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 64
NSVBC847BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5019 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
464+0.34 EUR
629+ 0.24 EUR
1154+ 0.13 EUR
1734+ 0.08 EUR
2381+ 0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 464
NSVBC847BTT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC75 GP XSTR NPN
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
60+0.87 EUR
86+ 0.61 EUR
211+ 0.25 EUR
1000+ 0.19 EUR
3000+ 0.15 EUR
9000+ 0.13 EUR
24000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 60
NSVBC847BTT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SC75 SOT416
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 3665 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
31+0.86 EUR
44+ 0.6 EUR
100+ 0.3 EUR
500+ 0.25 EUR
1000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 31
NSVBC847BTT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC847BTT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SC75 SOT416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC848BWT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC70 GP XSTR NPN 30V
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NSVBC848BWT1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
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NSVBC848BWT1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
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Mindestbestellmenge: 48
NSVBC848CDW1T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN 30V 0.1A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC848CDW1T1GonsemiBipolar Transistors - BJT Dual NPN Bipolar Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC848CLT1GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN Bipolar Transistor
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Mindestbestellmenge: 120
NSVBC848CLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC848CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC846
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8343 Stücke:
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NSVBC848CLT1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 10185 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 56
NSVBC848CLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC848CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC846
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8343 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVBC848CLT1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 9000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 3000
NSVBC849BLT1GonsemiDescription: TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC850BLT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
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48+ 0.55 EUR
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NSVBC850BLT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC850BLT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
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3000+0.14 EUR
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NSVBC850BLT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN
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NSVBC850CLT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN
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93+ 0.56 EUR
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3000+ 0.12 EUR
9000+ 0.1 EUR
24000+ 0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 64
NSVBC850CLT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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47+ 0.56 EUR
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Mindestbestellmenge: 33
NSVBC850CLT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+ 0.13 EUR
9000+ 0.11 EUR
30000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSVBC856BM3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 65V 0.1A SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
NSVBC856BM3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC856BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 640 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 640mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVBC856BM3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC856BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 640 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 640mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVBC856BM3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 65V 0.1A SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
31+0.86 EUR
44+ 0.6 EUR
100+ 0.29 EUR
500+ 0.24 EUR
1000+ 0.17 EUR
2000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 31
NSVBC856BM3T5GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC856BM3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT PNP Bipolar Transistor
auf Bestellung 25611 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
60+0.87 EUR
86+ 0.61 EUR
211+ 0.25 EUR
1000+ 0.15 EUR
2500+ 0.14 EUR
8000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 60
NSVBC857BLT3GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
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Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC857BLT3GonsemiDigital Transistors SS SOT23 GP XSTR PNP 45V
auf Bestellung 10609 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
57+0.92 EUR
83+ 0.63 EUR
203+ 0.26 EUR
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2500+ 0.14 EUR
10000+ 0.12 EUR
20000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 57
NSVBC857BLT3GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 8135 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
29+0.91 EUR
42+ 0.62 EUR
100+ 0.31 EUR
500+ 0.25 EUR
1000+ 0.18 EUR
2000+ 0.15 EUR
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Mindestbestellmenge: 29
NSVBC857BTT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC75 GP XSTR PNP
auf Bestellung 14186 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
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77+ 0.68 EUR
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Mindestbestellmenge: 58
NSVBC857BTT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A SC75 SOT416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC857BTT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVBC857BTT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A SC75 SOT416
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 2964 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
31+0.86 EUR
44+ 0.6 EUR
100+ 0.3 EUR
500+ 0.25 EUR
1000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 31
NSVBC857CWT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 45V 0.1A 150mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC857CWT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 1124 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
56+0.47 EUR
79+ 0.33 EUR
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1000+ 0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 56
NSVBC857CWT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC857CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: BC857
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVBC857CWT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC857CWT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC857CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: BC857
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVBC857CWT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC70 GP XSTR PNP 45V
auf Bestellung 3240 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
113+0.46 EUR
166+ 0.31 EUR
364+ 0.14 EUR
1000+ 0.086 EUR
3000+ 0.07 EUR
24000+ 0.052 EUR
45000+ 0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 113
NSVBC857CWT1G-M01onsemiDescription: NSVBC857CWT1G-M01
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC857CWT1G-M02onsemiDescription: NSVBC857CWT1G-M02
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC858AWT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 171000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
53+0.49 EUR
75+ 0.35 EUR
152+ 0.17 EUR
500+ 0.14 EUR
1000+ 0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 53
NSVBC858AWT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC70 GP XSTR PNP 30V
auf Bestellung 11364 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
98+0.53 EUR
145+ 0.36 EUR
230+ 0.23 EUR
1000+ 0.1 EUR
3000+ 0.086 EUR
9000+ 0.065 EUR
24000+ 0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 98
NSVBC858AWT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 171000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.086 EUR
6000+ 0.08 EUR
9000+ 0.066 EUR
30000+ 0.065 EUR
75000+ 0.058 EUR
150000+ 0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSVBC858AWT1GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT SS SC70 GP XSTR PNP 30V Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC858AWT1GonsemiDescription: NSVBC858A - PNP BIPOLAR TRANSIST
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70 (SOT323)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 156000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
11539+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 11539
NSVBC858BLT1GON Semiconductor
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSVBC858BLT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 2894 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
56+0.47 EUR
82+ 0.32 EUR
152+ 0.17 EUR
500+ 0.14 EUR
1000+ 0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 56
NSVBC858BLT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBC858BLT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS GP XSTR PNP 30V
auf Bestellung 7584 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
113+0.46 EUR
167+ 0.31 EUR
378+ 0.14 EUR
1000+ 0.083 EUR
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9000+ 0.052 EUR
24000+ 0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 113
NSVBC858CLT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 5540 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
56+0.47 EUR
79+ 0.33 EUR
145+ 0.18 EUR
500+ 0.14 EUR
1000+ 0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 56
NSVBC858CLT1GonsemiBipolar Transistors - BJT PNP Bipolar Transistor
auf Bestellung 4676 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
103+0.51 EUR
152+ 0.34 EUR
274+ 0.19 EUR
1000+ 0.096 EUR
3000+ 0.083 EUR
9000+ 0.062 EUR
24000+ 0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 103
NSVBC858CLT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSVBCH807-25LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
NSVBCH807-25LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT +175C TJ(MAX) PNP Bipolar Transistor AEC-Q101.revD Qualified, +175C TJ(MAX)
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBCH807-40LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBCH807-40LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR SPCL TR _175DEGC
auf Bestellung 5816 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
66+0.8 EUR
89+ 0.59 EUR
157+ 0.33 EUR
1000+ 0.17 EUR
3000+ 0.15 EUR
9000+ 0.12 EUR
24000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 66
NSVBCH817-40LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+ 0.13 EUR
9000+ 0.12 EUR
30000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSVBCH817-40LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR SPCL TR _175DEGC
auf Bestellung 4860 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
66+0.8 EUR
89+ 0.59 EUR
157+ 0.33 EUR
1000+ 0.17 EUR
3000+ 0.15 EUR
9000+ 0.12 EUR
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Mindestbestellmenge: 66
NSVBCH817-40LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 56500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
34+0.78 EUR
48+ 0.55 EUR
100+ 0.28 EUR
500+ 0.23 EUR
1000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 34
NSVBCP53-16T3GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 4940 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
25+1.07 EUR
29+ 0.9 EUR
100+ 0.63 EUR
500+ 0.49 EUR
1000+ 0.4 EUR
2000+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 25
NSVBCP53-16T3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 1.5A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBCP53-16T3GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
NSVBCP53-16T3GON Semiconductor
auf Bestellung 2740 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSVBCP53-16T3GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT223 GP XSTR PNP 80V
auf Bestellung 4016 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
54+0.97 EUR
63+ 0.83 EUR
100+ 0.61 EUR
500+ 0.49 EUR
1000+ 0.36 EUR
8000+ 0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 54
NSVBCP56-10T3GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 1070 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
25+1.07 EUR
29+ 0.9 EUR
100+ 0.63 EUR
500+ 0.49 EUR
1000+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 25
NSVBCP56-10T3GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT223 GP XSTR NPN 80V
auf Bestellung 2246 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
50+1.04 EUR
58+ 0.91 EUR
100+ 0.68 EUR
500+ 0.53 EUR
1000+ 0.41 EUR
4000+ 0.37 EUR
8000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 50
NSVBCP56-10T3GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBCP56-10T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVBCP68T1GonsemiBipolar Transistors - BJT LOW VOLTAGE-HIGH CURRENT
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 98-112 Tag (e)
38+1.38 EUR
44+ 1.19 EUR
100+ 0.82 EUR
500+ 0.69 EUR
1000+ 0.58 EUR
2000+ 0.51 EUR
5000+ 0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 38
NSVBCP68T1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1.5 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1397 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
19+1.38 EUR
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Mindestbestellmenge: 19
NSVBCP68T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVBCP68T1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBCP69T1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+0.27 EUR
2000+ 0.25 EUR
5000+ 0.24 EUR
10000+ 0.22 EUR
25000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
NSVBCP69T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBCP69T1GON Semiconductor
auf Bestellung 12800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSVBCP69T1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 30513 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
28+0.94 EUR
37+ 0.72 EUR
100+ 0.43 EUR
500+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 28
NSVBCP69T1GonsemiBipolar Transistors - BJT PNP Bipolar Transistor
auf Bestellung 6577 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
57+0.92 EUR
72+ 0.73 EUR
130+ 0.4 EUR
1000+ 0.25 EUR
2000+ 0.24 EUR
10000+ 0.22 EUR
25000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 57
NSVBCW32LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 225 mW
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBCW32LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 32V
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBCW32LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBCW68GLT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4753+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4753
NSVBCW68GLT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBCW68GLT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBCW68GLT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR PNP
auf Bestellung 1814 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
46+1.14 EUR
62+ 0.85 EUR
109+ 0.48 EUR
1000+ 0.24 EUR
3000+ 0.21 EUR
9000+ 0.17 EUR
30000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 46
NSVBCX17LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 620mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 21341 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
24+1.09 EUR
35+ 0.76 EUR
100+ 0.39 EUR
500+ 0.31 EUR
1000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 24
NSVBCX17LT1GonsemiDigital Transistors SS SOT23 GP XSTR PNP 45V
auf Bestellung 5994 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
48+1.09 EUR
68+ 0.77 EUR
167+ 0.31 EUR
1000+ 0.24 EUR
3000+ 0.2 EUR
9000+ 0.16 EUR
24000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 48
NSVBCX17LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 620mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.2 EUR
6000+ 0.19 EUR
9000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSVBSP19AT1GonsemiDescription: TRANS NPN 350V 0.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
NSVBSS63LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 DR XSTR PNP 100V
auf Bestellung 6887 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
48+1.09 EUR
68+ 0.77 EUR
167+ 0.31 EUR
1000+ 0.24 EUR
3000+ 0.2 EUR
9000+ 0.16 EUR
24000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 48
NSVBSS63LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 95MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.2 EUR
6000+ 0.19 EUR
9000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSVBSS63LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 95MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 35308 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
24+1.09 EUR
35+ 0.76 EUR
100+ 0.39 EUR
500+ 0.31 EUR
1000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 24
NSVBT2222ADW1T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN 40V 0.6A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 6293 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
26+1.01 EUR
37+ 0.7 EUR
100+ 0.35 EUR
500+ 0.29 EUR
1000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 26
NSVBT2222ADW1T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVBT2222ADW1T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN 40V 0.6A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSVBT2222ADW1T1GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN Bipolar Transistor
auf Bestellung 6235 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
52+1.02 EUR
74+ 0.71 EUR
177+ 0.29 EUR
1000+ 0.22 EUR
3000+ 0.17 EUR
9000+ 0.15 EUR
24000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 52
NSVC2020JBT3GonsemiLED Lighting Drivers SMB 20 MA 15% CCR
auf Bestellung 3557 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
36+1.47 EUR
43+ 1.21 EUR
100+ 0.92 EUR
500+ 0.78 EUR
1000+ 0.63 EUR
2500+ 0.53 EUR
10000+ 0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 36
NSVC2020JBT3GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 120V
Current - Output: 20mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SMB
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7220 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
20+1.35 EUR
22+ 1.19 EUR
25+ 1.12 EUR
100+ 0.85 EUR
250+ 0.72 EUR
500+ 0.69 EUR
1000+ 0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 20
NSVC2020JBT3GonsemiDescription: IC CURRENT REGULATOR 15% SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 120V
Current - Output: 20mA
Accuracy: ±15%
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SMB
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+0.49 EUR
5000+ 0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
NSVC2020JBT3GON SemiconductorConstant Current Regulator and LED Driver
Produkt ist nicht verfügbar
NSVC2030JBT3GonsemiLED Lighting Drivers SMB 30 MA 15% CCR
auf Bestellung 50469 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
47+1.11 EUR
55+ 0.96 EUR
100+ 0.7 EUR
500+ 0.67 EUR
1000+ 0.53 EUR
2500+ 0.48 EUR
10000+ 0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 47
NSVC2030JBT3GON SemiconductorIC REG CCR 20V 30MA SMB
Produkt ist nicht verfügbar
NSVC2030JBT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVC2030JBT3G - LED-Treiber, AC/DC, 30mA, -55 bis 175°C, 1 Ausgang, 120V, AEC-Q101, DO-214AA (SMB)-2
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 120
Bauform - Treiber: DO-214AA (SMB)
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NSVC2030JBT3GON SemiconductorLED Lighting Drivers SMB 30 MA 15% CCR
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NSVC2030JBT3GON SemiconductorDescription: IC REG CCR 20V 30MA SMB
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSVC2050JBT3GonsemiLED Lighting Drivers SMB 50 MA 15% CCR
auf Bestellung 4975 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
38+1.38 EUR
46+ 1.14 EUR
100+ 0.74 EUR
500+ 0.7 EUR
1000+ 0.53 EUR
2500+ 0.48 EUR
10000+ 0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 38
NSVC2050JBT3GON SemiconductorIC REG CCR 20V 50MA SMB
Produkt ist nicht verfügbar
NSVC2050JBT3GON SemiconductorDescription: IC REG CCR 120V 50MA SMB
auf Bestellung 3505 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSVC2050JBT3GON SemiconductorIC REG CCR 20V 50MA SMB
Produkt ist nicht verfügbar
NSVC2050JBT3GON SemiconductorDescription: IC REG CCR 120V 50MA SMB
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSVC2050JBT3GON SemiconductorIC REG CCR 20V 50MA SMB
Produkt ist nicht verfügbar
NSVD2004ML2T1
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSVD2004ML2T1/
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSVD350HT1GON SemiconductorDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SOD323 SWCH DIO 3
auf Bestellung 2327 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NSVD350HT1GON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 0.2A 55ns Automotive 2-Pin SOD-323 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVD350HT1GON SemiconductorDescription: DIODE SWITCHING 350V SOD323
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSVD4001DR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVD4001DR2G - LED-Treiber, 1 Ausgang, AEC-Q101, konstanter LED-Strom, bis zu 30Vin, 30V/500mAout, SOIC-8
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVD4001DR2GON Semiconductor
auf Bestellung 680 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSVD4001DR2GonsemiLED Lighting Drivers MI SO8 60V LED DRVR TR
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
24+2.18 EUR
29+ 1.8 EUR
100+ 1.38 EUR
500+ 1.29 EUR
1000+ 1.01 EUR
2500+ 0.96 EUR
5000+ 0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 24
NSVD4001DR2GON SemiconductorLED Driver 3 Segment Automotive 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVD4001DR2GonsemiDescription: IC LED DRVR LIN PWM 500MA 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Voltage - Output: 28V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Type: Linear
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: Lighting
Current - Output / Channel: 500mA
Internal Switch(s): Yes
Supplier Device Package: 8-SOIC
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 3.6V
Voltage - Supply (Max): 30V
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+0.96 EUR
5000+ 0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
NSVD4001DR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVD4001DR2G - LED-Treiber, 1 Ausgang, AEC-Q101, konstanter LED-Strom, bis zu 30Vin, 30V/500mAout, SOIC-8
Schaltfrequenz: -
Ausgangsstrom: 500
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgangsspannung: 28
Betriebstemperatur, min.: -40
Eingangsspannung, max.: 30
Bauform - Treiber: SOIC
Bausteintopologie: -
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVD4001DR2GonsemiDescription: IC LED DRVR LIN PWM 500MA 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Voltage - Output: 28V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Type: Linear
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: Lighting
Current - Output / Channel: 500mA
Internal Switch(s): Yes
Supplier Device Package: 8-SOIC
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 3.6V
Voltage - Supply (Max): 30V
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
11+2.37 EUR
13+ 2.12 EUR
25+ 2.02 EUR
100+ 1.55 EUR
250+ 1.37 EUR
500+ 1.3 EUR
1000+ 1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 11
NSVDAN222T1GonsemiDescription: DIODE SW 80V DUAL SC75-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
auf Bestellung 8883 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
28+0.96 EUR
37+ 0.72 EUR
100+ 0.41 EUR
500+ 0.27 EUR
1000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 28
NSVDAN222T1GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching 80 V Dual Common Cathode Switching Diode
auf Bestellung 967 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
61+0.87 EUR
81+ 0.65 EUR
142+ 0.37 EUR
500+ 0.24 EUR
1000+ 0.19 EUR
3000+ 0.15 EUR
9000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 61
NSVDAN222T1GonsemiDescription: DIODE SW 80V DUAL SC75-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSVDAN222T1GON SemiconductorDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SC75 SWCH DIO 80V TR
auf Bestellung 15041 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NSVDAN222T1GON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 80V 0.1A 4ns Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVDAP222T1GON SemiconductorDiodes - General Purpose, Power, Switching SWITCHING DIODE (DUA
auf Bestellung 5870 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NSVDAP222T1GON SemiconductorDiode Switching Diode 80V 0.1A 3-Pin SC-75 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVDAP222T1GonsemiDescription: DIODE SW 80V DUAL SC75-3
Produkt ist nicht verfügbar
NSVDTA113EM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 600mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVDTA113EM3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A SOT723
Produkt ist nicht verfügbar
NSVDTA113EM3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSIST
auf Bestellung 4420 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
57+0.93 EUR
69+ 0.75 EUR
130+ 0.4 EUR
500+ 0.27 EUR
1000+ 0.18 EUR
2500+ 0.15 EUR
8000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 57
NSVDTA113EM3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A SOT723
auf Bestellung 7955 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
29+0.91 EUR
36+ 0.73 EUR
100+ 0.39 EUR
500+ 0.26 EUR
1000+ 0.17 EUR
2000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 29
NSVDTA114EET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
28+0.94 EUR
41+ 0.65 EUR
100+ 0.32 EUR
500+ 0.26 EUR
1000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 28
NSVDTA114EET1GonsemiDigital Transistors PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
auf Bestellung 60619 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
57+0.92 EUR
83+ 0.63 EUR
205+ 0.25 EUR
1000+ 0.18 EUR
3000+ 0.12 EUR
9000+ 0.11 EUR
24000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 57
NSVDTA114EET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.16 EUR
6000+ 0.15 EUR
9000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSVDTA114EET1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVDTA114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP
Bauform - HF-Transistor: SC-75
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA114EE
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NSVDTA114EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVDTA114EM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 600mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVDTA114EM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 112000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
31+0.86 EUR
44+ 0.59 EUR
100+ 0.29 EUR
500+ 0.24 EUR
1000+ 0.17 EUR
2000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 31
NSVDTA114EM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 112000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8000+0.13 EUR
16000+ 0.11 EUR
56000+ 0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
NSVDTA114EM3T5GonsemiDigital Transistors PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
auf Bestellung 5571 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
60+0.87 EUR
87+ 0.6 EUR
213+ 0.24 EUR
1000+ 0.15 EUR
2500+ 0.14 EUR
8000+ 0.1 EUR
24000+ 0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 60
NSVDTA114YM3T5GonsemiDigital Transistors SS SOT-723 BIAS RESISTO
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
60+0.87 EUR
87+ 0.6 EUR
213+ 0.24 EUR
1000+ 0.15 EUR
2500+ 0.13 EUR
8000+ 0.1 EUR
24000+ 0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 60
NSVDTA114YM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
31+0.86 EUR
44+ 0.59 EUR
100+ 0.29 EUR
500+ 0.24 EUR
1000+ 0.17 EUR
2000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 31
NSVDTA114YM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 600mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVDTA114YM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NSVDTA115EET1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.2W SC75-3
Produkt ist nicht verfügbar
NSVDTA115EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 600mW Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVDTA115EET1GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT SS SC75 BR XSTR PNP
Produkt ist nicht verfügbar
NSVDTA123EM3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT723 BR XSTR PN
Produkt ist nicht verfügbar
NSVDTA123EM3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 0.1A SOT723
Produkt ist nicht verfügbar
NSVDTA123EM3T5GON SemiconductorDigital BJT Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
NSVDTA123JM3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT723BR XSTR PNP
Produkt ist nicht verfügbar
NSVDTA123JM3T5GonsemiDescription: TRANS SS SOT723 BR XSTR PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7672+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 7672
NSVDTA123JM3T5GonsemiDescription: TRANS SS SOT723 BR XSTR PNP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
NSVDTA143EM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 600mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVDTA143EM3T5GonsemiDigital Transistors BIAS RESISTOR TRANSISTO
auf Bestellung 10223 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
46+1.14 EUR
65+ 0.81 EUR
134+ 0.39 EUR
1000+ 0.24 EUR
2500+ 0.17 EUR
8000+ 0.15 EUR
24000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 46
NSVDTA143ZET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
28+0.96 EUR
33+ 0.79 EUR
100+ 0.42 EUR
500+ 0.28 EUR
1000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 28
NSVDTA143ZET1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVDTA143ZET1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVDTA143ZET1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS SC75 BR XSTR PNP 50V
auf Bestellung 15198 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
56+0.94 EUR
74+ 0.71 EUR
191+ 0.27 EUR
1000+ 0.19 EUR
3000+ 0.15 EUR
9000+ 0.12 EUR
24000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 56
NSVDTA143ZET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.17 EUR
6000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSVDTA144EET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NSVDTA144EET1GON SemiconductorDigital BJT Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
NSVDTA144EET1GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT SS SC75 BR XSTR PNP
Produkt ist nicht verfügbar
NSVDTA144WET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 111000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.16 EUR
6000+ 0.15 EUR
9000+ 0.12 EUR
75000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSVDTA144WET1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVDTA144WET1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS SC75 BR XSTR PNP
auf Bestellung 987 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
56+0.94 EUR
80+ 0.65 EUR
126+ 0.41 EUR
1000+ 0.19 EUR
3000+ 0.15 EUR
9000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 56
NSVDTA144WET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 111000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
28+0.94 EUR
41+ 0.65 EUR
100+ 0.32 EUR
500+ 0.26 EUR
1000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 28
NSVDTC113EM3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN DIGITAL TRANSIST
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NSVDTC113EM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
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NSVDTC113EM3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased NPN DIGITAL TRANSIST
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NSVDTC113EM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
auf Bestellung 136000 Stücke:
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31+0.86 EUR
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NSVDTC114YM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
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31+0.86 EUR
44+ 0.59 EUR
100+ 0.29 EUR
500+ 0.24 EUR
1000+ 0.17 EUR
2000+ 0.15 EUR
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NSVDTC114YM3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT723 BIAS RES XSTR
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NSVDTC114YM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
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Mindestbestellmenge: 8000
NSVDTC123EM3T5GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 0.1A SOT723
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NSVDTC123EM3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT723 BIAS RESISTOR
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NSVDTC123EM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
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NSVDTC123JET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 6000 Stücke:
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3000+0.16 EUR
6000+ 0.15 EUR
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NSVDTC123JET1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SMALL SIGNAL BIAS RE
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NSVDTC123JET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
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NSVDTC123JET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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NSVDTC123JM3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-723BIAS RESISTOR
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NSVDTC123JM3T5GonsemiDescription: SOT-723 BIAS RESISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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31+0.86 EUR
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NSVDTC123JM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
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NSVDTC123JM3T5GonsemiDescription: SOT-723 BIAS RESISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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NSVDTC123JM3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-723BIAS RESISTOR
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NSVDTC143ZET1GonsemiDigital Transistors NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
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NSVDTC143ZET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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28+0.94 EUR
41+ 0.65 EUR
100+ 0.32 EUR
500+ 0.26 EUR
1000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 28
NSVDTC143ZET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSVDTC143ZET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
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NSVDTC143ZET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-416 T/R
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NSVDTC143ZM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
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NSVDTC143ZM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 2915 Stücke:
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31+0.86 EUR
45+ 0.59 EUR
100+ 0.29 EUR
500+ 0.24 EUR
1000+ 0.17 EUR
2000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 31
NSVDTC143ZM3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
auf Bestellung 8235 Stücke:
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87+ 0.6 EUR
213+ 0.24 EUR
1000+ 0.15 EUR
2500+ 0.13 EUR
8000+ 0.11 EUR
24000+ 0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 60
NSVDTC143ZM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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NSVDTC144EM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8000 Stücke:
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8000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
NSVDTC144EM3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT723 BR XSTR NP
auf Bestellung 213 Stücke:
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62+0.85 EUR
88+ 0.6 EUR
139+ 0.37 EUR
1000+ 0.17 EUR
2500+ 0.15 EUR
8000+ 0.11 EUR
24000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 62
NSVDTC144EM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
31+0.86 EUR
45+ 0.59 EUR
100+ 0.29 EUR
500+ 0.24 EUR
1000+ 0.17 EUR
2000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 31
NSVDTC144EM3T5GON SemiconductorDigital BJT Transistor
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NSVDTC144TM3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT723 BIASED RESISTOR TR
Produkt ist nicht verfügbar
NSVDTC144TM3T5GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V BIPOLAR SOT723
Produkt ist nicht verfügbar
NSVDTC144TM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
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NSVDTC144WET1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVDTC144WET1G - RF TRANSISTOR, NPN, 50V, 0.1A, SC-75
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 95900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVDTC144WET1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Transistor
auf Bestellung 11887 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NSVDTC144WET1GonsemiDescription: NSVDTC144 - BIAS RESISTOR TRANSI
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7212+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 7212
NSVEMC2DXV5T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT553
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre - Biased (Base-Collector Junction)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-553
Part Status: Active
auf Bestellung 5109 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
25+1.07 EUR
31+ 0.86 EUR
100+ 0.58 EUR
500+ 0.44 EUR
1000+ 0.33 EUR
2000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 25
NSVEMC2DXV5T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SSP COMMON BASE BRT
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
51+1.03 EUR
62+ 0.84 EUR
100+ 0.57 EUR
500+ 0.43 EUR
1000+ 0.32 EUR
4000+ 0.28 EUR
8000+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 51
NSVEMC2DXV5T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT553
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre - Biased (Base-Collector Junction)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-553
Part Status: Active
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
NSVEMD4DXV6T5GON SemiconductorDual Bias Resistor Digital Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
NSVEMD4DXV6T5GonsemiDescription: TRANS NPN/PNP DUAL BRT SOT563
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
25+1.04 EUR
32+ 0.82 EUR
100+ 0.56 EUR
500+ 0.42 EUR
1000+ 0.32 EUR
2000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 25
NSVEMD4DXV6T5GonsemiDescription: TRANS NPN/PNP DUAL BRT SOT563
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
NSVEMD4DXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT SS SOT563 DUL BRT TR
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NSVEMT1DXV6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS DUAL PURPOSE TRAN
Produkt ist nicht verfügbar
NSVEMT1DXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSVEMT1DXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSVEMT1DXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT SS DUAL PURPOSE TRAN
Produkt ist nicht verfügbar
NSVEMT1DXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563
auf Bestellung 64000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSVEMT1DXV6T5GRochester Electronics, LLCDescription: DUAL PNP BIPOLAR TRANSISTOR
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NSVEMX1DXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
auf Bestellung 52000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4000+0.3 EUR
8000+ 0.28 EUR
12000+ 0.26 EUR
28000+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
NSVEMX1DXV6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT Dual NPN Bipolar Transistor
auf Bestellung 7412 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
52+1 EUR
65+ 0.8 EUR
100+ 0.55 EUR
500+ 0.41 EUR
1000+ 0.31 EUR
4000+ 0.26 EUR
8000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 52
NSVF2250WT1onsemiDescription: RF TRANS NPN 15V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
NSVF2250WT1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 15V SC70-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 108000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1268+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1268
NSVF2250WT1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 15V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
NSVF2250WT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF2250WT1G - TRANSISTOR NPN BIPO UHF SOT-323
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 108000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVF3007SG3T1GonsemiRF Bipolar Transistors RF-TR 12V 30MA FT=8G NPN
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 684-698 Tag (e)
27+1.98 EUR
30+ 1.76 EUR
100+ 1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 27
NSVF3007SG3T1GonsemiDescription: RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE AMPL
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-70FL/MCPH3
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 107946 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
882+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 882
NSVF3007SG3T1GON Semiconductor
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSVF3007SG3T1GON SemiconductorTrans RF BJT NPN 12V 0.03A 350mW Automotive 3-Pin MCPH T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVF4009SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 3.5V 25GHZ SC82FL/
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 1V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
NSVF4009SG4T1GON Semiconductor
auf Bestellung 2840 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSVF4009SG4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4009SG4T1G - RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE AMPLIFIER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NSVF4009SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 3.5V 25GHZ SC82FL/
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 1V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Part Status: Active
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
21+1.25 EUR
25+ 1.07 EUR
26+ 1 EUR
100+ 0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 21
NSVF4009SG4T1GonsemiRF Bipolar Transistors BIP NPN 40MA 3.5V FT=25G
Produkt ist nicht verfügbar
NSVF4015SG4T1GON SemiconductorTrans RF BJT NPN 12V 0.1A 450mW Automotive 4-Pin MCPH T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVF4015SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC82FL/
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
NSVF4015SG4T1GonsemiRF Bipolar Transistors BIP NPN 100MA 12V FT=10G
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
35+1.52 EUR
40+ 1.33 EUR
100+ 1.02 EUR
500+ 0.81 EUR
1000+ 0.64 EUR
3000+ 0.55 EUR
9000+ 0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 35
NSVF4015SG4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4015SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 100 mA, SC-82FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SC-82FL
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2852 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVF4015SG4T1GON Semiconductor
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSVF4015SG4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4015SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 100 mA, SC-82FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 150hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 450mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SC-82FL
Bauform - HF-Transistor: SC-82FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2852 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVF4015SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC82FL/
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Part Status: Active
auf Bestellung 2145 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
18+1.51 EUR
21+ 1.28 EUR
25+ 1.19 EUR
100+ 0.96 EUR
250+ 0.89 EUR
500+ 0.75 EUR
1000+ 0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 18
NSVF4017SG4onsemionsemi BIP NPN 100MA 12V FT=10G
Produkt ist nicht verfügbar
NSVF4017SG4T1GON SemiconductorTrans RF BJT NPN 12V 0.1A 450mW Automotive 4-Pin MCPH T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVF4017SG4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4017SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 100 mA, SC-82FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SC-82FL
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVF4017SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC82FL/
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NSVF4017SG4T1GON SemiconductorTrans RF BJT NPN 12V 0.1A 450mW Automotive 4-Pin MCPH T/R
auf Bestellung 2965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
441+0.35 EUR
465+ 0.32 EUR
466+ 0.31 EUR
504+ 0.28 EUR
509+ 0.26 EUR
540+ 0.24 EUR
1000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 441
NSVF4017SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC82FL/
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NSVF4017SG4T1GonsemiRF Bipolar Transistors BIP NPN 100MA 12V FT=10G
auf Bestellung 23995 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
38+1.39 EUR
44+ 1.2 EUR
100+ 0.96 EUR
250+ 0.93 EUR
500+ 0.77 EUR
1000+ 0.62 EUR
3000+ 0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 38
NSVF4017SG4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4017SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 100 mA, SC-82FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SC-82FL
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVF4017SG4T1GON SemiconductorTrans RF BJT NPN 12V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin MCPH T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVF4020SG4T1GonsemiRF Bipolar Transistors BIP NPN 150MA 8V FT=16G
auf Bestellung 2094 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
25+2.13 EUR
28+ 1.86 EUR
100+ 1.43 EUR
500+ 1.13 EUR
1000+ 0.9 EUR
3000+ 0.76 EUR
9000+ 0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 25
NSVF4020SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 8V 16GHZ SC82FL/MCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17.5dB
Power - Max: 400mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 16GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 80315 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
20+1.35 EUR
22+ 1.19 EUR
25+ 1.12 EUR
100+ 0.91 EUR
250+ 0.85 EUR
500+ 0.72 EUR
1000+ 0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 20
NSVF4020SG4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4020SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 8 V, 16 GHz, 400 mW, 150 mA, SC-82FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SC-82FL
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 16GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVF4020SG4T1GON Semiconductor
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSVF4020SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 8V 16GHZ SC82FL/MCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17.5dB
Power - Max: 400mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 16GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.52 EUR
6000+ 0.49 EUR
15000+ 0.47 EUR
30000+ 0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSVF5488SKT3GON Semiconductor
auf Bestellung 7925 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSVF5488SKT3GON SemiconductorDescription: BIP NPN 70MA 10V FT=7G
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSVF5488SKT3GonsemiRF Bipolar Transistors BIP NPN 70MA 10V F
auf Bestellung 9548 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
66+0.8 EUR
80+ 0.66 EUR
100+ 0.54 EUR
500+ 0.48 EUR
1000+ 0.41 EUR
2500+ 0.39 EUR
8000+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 66
NSVF5488SKT3GON SemiconductorDescription: BIP NPN 70MA 10V FT=7G
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
NSVF5490SKT3GonsemiDescription: RF-TR 10V 30MA FT=8G NPN
Produkt ist nicht verfügbar
NSVF5490SKT3GON SemiconductorTrans RF BJT NPN 10V 0.03A 100mW Automotive 3-Pin SSFP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVF5490SKT3GonsemiRF Bipolar Transistors RF-TR 10V 30MA FT
auf Bestellung 13603 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
45+1.17 EUR
53+ 1 EUR
100+ 0.78 EUR
500+ 0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 45
NSVF5490SKT3GonsemiDescription: RF-TR 10V 30MA FT=8G NPN
auf Bestellung 7887 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
21+1.27 EUR
24+ 1.09 EUR
26+ 1.02 EUR
100+ 0.81 EUR
250+ 0.76 EUR
500+ 0.64 EUR
1000+ 0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 21
NSVF5490SKT3GON SemiconductorTrans RF BJT NPN 10V 0.03A 100mW Automotive 3-Pin SSFP T/R
auf Bestellung 4619 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
284+0.55 EUR
326+ 0.46 EUR
632+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 284
NSVF5490SKT3GON SemiconductorTrans RF BJT NPN 10V 0.03A 100mW Automotive 3-Pin SSFP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVF5501SKT3GonsemiDescription: RF-TR 10V 70MA FT=5.5GHZ
Produkt ist nicht verfügbar
NSVF5501SKT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF5501SKT3G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 5.5 GHz, 250 mW, 70 mA, SOT-623
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Verlustleistung Pd: 250
Übergangsfrequenz ft: 5.5
Bauform - HF-Transistor: SOT-623
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 10
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 70
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 7399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVF5501SKT3GON Semiconductor
auf Bestellung 7950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSVF5501SKT3GonsemiDescription: RF-TR 10V 70MA FT=5.5GHZ
auf Bestellung 7953 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
22+1.22 EUR
25+ 1.04 EUR
27+ 0.97 EUR
100+ 0.78 EUR
250+ 0.72 EUR
500+ 0.61 EUR
1000+ 0.47 EUR
2500+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 22
NSVF5501SKT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF5501SKT3G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 5.5 GHz, 250 mW, 70 mA, SOT-623
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 250
Übergangsfrequenz ft: 5.5
Bauform - HF-Transistor: SOT-623
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 10
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 70
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 7399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVF5501SKT3GonsemiRF Bipolar Transistors RF-TR 10V 70MA FT=5 .5GHZ
auf Bestellung 15037 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
47+1.12 EUR
58+ 0.9 EUR
100+ 0.67 EUR
500+ 0.56 EUR
1000+ 0.44 EUR
2500+ 0.4 EUR
5000+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 47
NSVF6001SB6T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 0.1A 12V MCPH6
Produkt ist nicht verfügbar
NSVF6003SB6T1GON SemiconductorDescription: RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6CPH
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSVF6003SB6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF6003SB6T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 7 GHz, 800 mW, 150 mA, CPH
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 7GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2549 Stücke:
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NSVF6003SB6T1GON Semiconductor
auf Bestellung 20950 Stücke:
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NSVF6003SB6T1GonsemiDescription: RF TRANSISTOR, NPN SINGLE, 12 V,
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NSVF6003SB6T1GON SemiconductorTrans RF BJT NPN 12V 0.15A 800mW Automotive 6-Pin CPH T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVF6003SB6T1GonsemiRF Bipolar Transistors BIP NPN 0.15A 12V FT=7G
auf Bestellung 2814 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
53+0.99 EUR
68+ 0.77 EUR
100+ 0.62 EUR
500+ 0.55 EUR
1000+ 0.54 EUR
24000+ 0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 53
NSVF6003SB6T1GON SemiconductorDescription: RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6CPH
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSVF6003SB6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF6003SB6T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 7 GHz, 800 mW, 150 mA, CPH
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 7GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2549 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVG1001MXTAGON SemiconductorRF Switch SPDT 100MHz to 8.5GHz 17dB Automotive AEC-Q100 6-Pin XDFNW EP T/R
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NSVG1001MXTAGonsemiRF Switch ICs Middle power SPDT RF switch, 8.5GHz, 1.6V Automotive Grade
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 669-683 Tag (e)
38+1.38 EUR
44+ 1.2 EUR
100+ 0.89 EUR
500+ 0.71 EUR
1000+ 0.55 EUR
3000+ 0.49 EUR
9000+ 0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 38
NSVG1001MXTAGonsemiDescription: IC RF SWITCH SPDT 8.5GHZ 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerXFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Circuit: SPDT
RF Type: 802.11a/b/g/n/ac/ax, Bluetooth, LTE, WLAN
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Insertion Loss: 0.65dB
Frequency Range: 100MHz ~ 8.5GHz
Test Frequency: 8.5GHz
Isolation: 20dB
Supplier Device Package: 6-DFN (1x1)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
NSVG1001MXTAGonsemiDescription: IC RF SWITCH SPDT 8.5GHZ 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerXFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Circuit: SPDT
RF Type: 802.11a/b/g/n/ac/ax, Bluetooth, LTE, WLAN
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Insertion Loss: 0.65dB
Frequency Range: 100MHz ~ 8.5GHz
Test Frequency: 8.5GHz
Isolation: 20dB
Supplier Device Package: 6-DFN (1x1)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
NSVG3109SG6T1GonsemiDescription: IC AMP GPS 100MHZ-3.6GHZ SC88FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 100MHz ~ 3.6GHz
RF Type: General Purpose
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3V
Gain: 27dB
Current - Supply: 16mA
Noise Figure: 4.3dB
P1dB: 6.4dBm
Test Frequency: 1GHz
Supplier Device Package: SC-88FL/MCPH6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSVG3109SG6T1GonsemiDescription: IC AMP GPS 100MHZ-3.6GHZ SC88FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 100MHz ~ 3.6GHz
RF Type: General Purpose
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3V
Gain: 27dB
Current - Supply: 16mA
Noise Figure: 4.3dB
P1dB: 6.4dBm
Test Frequency: 1GHz
Supplier Device Package: SC-88FL/MCPH6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 4738 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
18+1.46 EUR
21+ 1.26 EUR
25+ 1.19 EUR
100+ 0.9 EUR
250+ 0.77 EUR
500+ 0.73 EUR
1000+ 0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 18
NSVG3109SG6T1GON SemiconductorMMIC Amplifier, 3 V, 16mA
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NSVG3109SG6T1GonsemiRF Amplifier MMIC, AMPLIFIER, 3 V, 6 MA, 0.1 TO 2.8 GHZ
Produkt ist nicht verfügbar
NSVG3117SG6T1GonsemiDescription: IC RF AMP GPS 100MHZ-3GHZ SC88FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 100MHz ~ 3GHz
RF Type: General Purpose
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Gain: 35.5dB
Current - Supply: 22.7mA
Noise Figure: 3.9dB
P1dB: 9.8dBm
Test Frequency: 1GHz
Supplier Device Package: SC-88FL/MCPH6
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.52 EUR
6000+ 0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSVG3117SG6T1GON SemiconductorMMIC Wideband Amplifier, 5 V, 22.7 mA, 0.1 to 3 GHz, MCPH6 Automotive Grade part
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NSVG3117SG6T1GonsemiRF Amplifier SI MMIC FU=3.0GHZ
auf Bestellung 2065 Stücke:
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36+1.47 EUR
43+ 1.21 EUR
100+ 0.78 EUR
500+ 0.74 EUR
1000+ 0.57 EUR
3000+ 0.51 EUR
9000+ 0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 36
NSVG3117SG6T1GonsemiDescription: IC RF AMP GPS 100MHZ-3GHZ SC88FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 100MHz ~ 3GHz
RF Type: General Purpose
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Gain: 35.5dB
Current - Supply: 22.7mA
Noise Figure: 3.9dB
P1dB: 9.8dBm
Test Frequency: 1GHz
Supplier Device Package: SC-88FL/MCPH6
auf Bestellung 8450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
18+1.46 EUR
21+ 1.28 EUR
25+ 1.2 EUR
100+ 0.91 EUR
250+ 0.78 EUR
500+ 0.74 EUR
1000+ 0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 18
NSVIMD10AMT1GonsemiDescription: SURF MT BIASED RES XSTR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 285mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Resistor - Base (R1): 13kOhms, 130Ohms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-74R
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
24+1.12 EUR
34+ 0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 24
NSVIMD10AMT1GonsemiDescription: SURF MT BIASED RES XSTR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 285mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Resistor - Base (R1): 13kOhms, 130Ohms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-74R
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NSVIMD10AMT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 500mA 285mW Automotive 6-Pin SC-74R T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
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NSVIMD10AMT1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SURF MT BIASED RES XSTR
auf Bestellung 1973 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NSVJ2394SA3T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ2394SA3T1G - JFET-Transistor, 15 V, 32 mA, -1.5 V, SC-59, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2603 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVJ2394SA3T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 15V 50mA Automotive 3-Pin SC-59 T/R
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NSVJ2394SA3T1GON SemiconductorJFET N-Channel JFET, 15 V, 10 to 32 mA, 38 mS
auf Bestellung 3095 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NSVJ2394SA3T1GON SemiconductorDescription: IC JFET N-CH LNA SC59-3
Produkt ist nicht verfügbar
NSVJ2394SA3T1GON Semiconductor
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSVJ2394SA3T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ2394SA3T1G - JFET-Transistor, 15 V, 32 mA, -1.5 V, SC-59, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2603 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVJ3557SA3T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 15V 50mA Automotive 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVJ3557SA3T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 15V 50mA Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVJ3557SA3T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ3557SA3T1G - JFET-Transistor, 15 V, 32 mA, -1.5 V, SC-59, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
auf Bestellung 2321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVJ3557SA3T1GonsemiJFET NCH J-FET
auf Bestellung 31093 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
44+1.19 EUR
46+ 1.15 EUR
100+ 0.83 EUR
500+ 0.64 EUR
1000+ 0.53 EUR
3000+ 0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 44
NSVJ3557SA3T1GonsemiDescription: JFET N-CH 15V 50MA SC59-3/CP3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: SC-59-3/CP3
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 300 mV @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 mA @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.46 EUR
6000+ 0.44 EUR
9000+ 0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSVJ3557SA3T1GON Semiconductor
auf Bestellung 2815 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSVJ3557SA3T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 15V 50mA Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVJ3557SA3T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ3557SA3T1G - JFET-Transistor, 15 V, 32 mA, -1.5 V, SC-59, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
auf Bestellung 2321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVJ3557SA3T1GonsemiDescription: JFET N-CH 15V 50MA SC59-3/CP3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: SC-59-3/CP3
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 300 mV @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 mA @ 5 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 14717 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
19+1.4 EUR
23+ 1.18 EUR
100+ 0.82 EUR
500+ 0.64 EUR
1000+ 0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 19
NSVJ3910SB3T1GonsemiDescription: JFET N-CH 25V 50MA 3CPH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: 3-CPH
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Power - Max: 400 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 600 mV @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V
auf Bestellung 9153 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
18+1.48 EUR
21+ 1.28 EUR
100+ 0.89 EUR
500+ 0.74 EUR
1000+ 0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 18
NSVJ3910SB3T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 25V 50mA Automotive 3-Pin CPH T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVJ3910SB3T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ3910SB3T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85413000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
euEccn: NLR
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
auf Bestellung 5720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVJ3910SB3T1GonsemiDescription: JFET N-CH 25V 50MA 3CPH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: 3-CPH
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Power - Max: 400 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 600 mV @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.56 EUR
6000+ 0.53 EUR
9000+ 0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSVJ3910SB3T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 25V 50mA Automotive 3-Pin CPH T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVJ3910SB3T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 25V 50mA Automotive 3-Pin CPH T/R
auf Bestellung 2844 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+0.93 EUR
194+ 0.78 EUR
196+ 0.74 EUR
258+ 0.54 EUR
260+ 0.52 EUR
500+ 0.41 EUR
1000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 169
NSVJ3910SB3T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ3910SB3T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
euEccn: NLR
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
auf Bestellung 5720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVJ3910SB3T1GonsemiJFET NCH J-FET
auf Bestellung 2178 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
39+1.35 EUR
47+ 1.12 EUR
100+ 0.81 EUR
500+ 0.69 EUR
1000+ 0.58 EUR
3000+ 0.52 EUR
6000+ 0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 39
NSVJ5908DSG5T1GonsemiDescription: JFET 2N-CH 15V 50MA SC88AFL/MCPH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5pF @ 5V (Typ)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: SC-88AFL/MCPH5
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Power - Max: 300 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 300 mV @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 mA @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2839 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2.08 EUR
15+ 1.84 EUR
25+ 1.73 EUR
100+ 1.41 EUR
250+ 1.31 EUR
500+ 1.12 EUR
1000+ 0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 13
NSVJ5908DSG5T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 15V 50mA Automotive 5-Pin MCPH T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVJ5908DSG5T1GonsemiJFET NCH+NCH J-FET
auf Bestellung 3458 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
25+2.1 EUR
31+ 1.72 EUR
100+ 1.3 EUR
500+ 1.1 EUR
1000+ 0.89 EUR
3000+ 0.81 EUR
6000+ 0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 25
NSVJ5908DSG5T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 15V 50mA Automotive 5-Pin MCPH T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
118+1.32 EUR
120+ 1.27 EUR
121+ 1.21 EUR
122+ 1.15 EUR
250+ 1.09 EUR
500+ 1.04 EUR
1000+ 0.98 EUR
3000+ 0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 118
NSVJ5908DSG5T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ5908DSG5T1G - JFET-Transistor, -15 V, 32 mA, -1.5 V, MCPH, 5 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
usEccn: EAR99
Durchbruchspannung Vbr: -15V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
auf Bestellung 2880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVJ5908DSG5T1GonsemiDescription: JFET 2N-CH 15V 50MA SC88AFL/MCPH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5pF @ 5V (Typ)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: SC-88AFL/MCPH5
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Power - Max: 300 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 300 mV @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 mA @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NSVJ5908DSG5T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 15V 50mA Automotive 5-Pin MCPH T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVJ5908DSG5T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ5908DSG5T1G - JFET-Transistor, -15 V, 32 mA, -1.5 V, MCPH, 5 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MCPH
Anzahl der Pins: 5 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
auf Bestellung 2880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVJ6904DSB6onsemionsemi JFET -25V 20 TO 40MA DUA
Produkt ist nicht verfügbar
NSVJ6904DSB6T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 25V 50mA Automotive AEC-Q101 6-Pin CPH T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVJ6904DSB6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ6904DSB6T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 6 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
euEccn: NLR
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
productTraceability: No
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
auf Bestellung 3627 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVJ6904DSB6T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 25V 50mA Automotive AEC-Q101 6-Pin CPH T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVJ6904DSB6T1GonsemiDescription: JFET -25V, 20 TO 40MA DUA
auf Bestellung 1932 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.84 EUR
10+ 4.31 EUR
100+ 3.36 EUR
500+ 2.78 EUR
1000+ 2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 6
NSVJ6904DSB6T1GonsemiJFET JFET -25V, 20 TO 40MA DUA
auf Bestellung 4675 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
26+2.01 EUR
32+ 1.65 EUR
100+ 1.28 EUR
500+ 1.09 EUR
1000+ 0.89 EUR
3000+ 0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 26
NSVJ6904DSB6T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 25V 50mA Automotive AEC-Q101 6-Pin CPH T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVJ6904DSB6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ6904DSB6T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 6 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
Durchbruchspannung Vbr: -25V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
productTraceability: No
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
auf Bestellung 3627 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVJ6904DSB6T1GonsemiDescription: JFET -25V, 20 TO 40MA DUA
Produkt ist nicht verfügbar
NSVJ6904DSB6T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 25V 50mA Automotive 6-Pin CPH T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVJ6904DSB6T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 25V 50mA Automotive AEC-Q101 6-Pin CPH T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVM1MA141WAT1GON SemiconductorDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SC70 SWCH DIO 40V TR
Produkt ist nicht verfügbar
NSVM1MA141WAT1GON SemiconductorDescription: DIODE SW 40V DUAL CA SC70-3
Produkt ist nicht verfügbar
NSVM1MA152WAT1GON SemiconductorDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SC59 SWCH DIO 80V TR
Produkt ist nicht verfügbar
NSVM1MA152WAT1GON SemiconductorDescription: DIODE SW 80V DUAL CA SC59-3
Produkt ist nicht verfügbar
NSVM1MA152WAT1GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SC59 SWCH DIO 80V TR
auf Bestellung 1933 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
77+0.68 EUR
110+ 0.47 EUR
225+ 0.23 EUR
1000+ 0.14 EUR
3000+ 0.11 EUR
9000+ 0.086 EUR
45000+ 0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 77
NSVM1MA152WKT1GON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching Si 80V 0.15A 3ns Automotive 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVM1MA152WKT1GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 10 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SC-59
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSVM1MA152WKT1GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SC59 SWCH DIO 80V TR
auf Bestellung 7874 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
59+0.89 EUR
81+ 0.64 EUR
181+ 0.29 EUR
1000+ 0.22 EUR
3000+ 0.19 EUR
9000+ 0.17 EUR
24000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 59
NSVM1MA152WKT1GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 10 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SC-59
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
30+0.88 EUR
41+ 0.64 EUR
100+ 0.32 EUR
500+ 0.29 EUR
1000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 30
NSVMBD54DWT1GON SemiconductorDescription: DIODE SCHOTTKY DUAL 30V SOT363
Produkt ist nicht verfügbar
NSVMBD54DWT1GON SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers SMALL SIGNAL SCHOTTK
Produkt ist nicht verfügbar
NSVMBD770DW1T1GON SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers SS SC88 SHKY DIO 70V TR
Produkt ist nicht verfügbar
NSVMBD770DW1T1GON SemiconductorDiode RF Schottky 70V 380mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVMBD770DW1T1GON SemiconductorDescription: DIODE SCHOTTKY 70V 100MA SC88
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSVMBT3904DW1T3GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC88 GP XSTR NPN 40V
Produkt ist nicht verfügbar
NSVMBT3904DW1T3GonsemiDescription: TRANS 2NPN 40V 0.2A SC88-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
NSVMBT3904DW1T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVMBT3904DW1T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVMBT3904DW1T3GonsemiDescription: TRANS 2NPN 40V 0.2A SC88-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
NSVMMBD352WT1GonsemiDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 7V SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Diode Type: Schottky - 1 Pair Series Connection
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 7V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Power Dissipation (Max): 200 mW
Grade: Automotive
auf Bestellung 44955 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
24+1.09 EUR
32+ 0.83 EUR
35+ 0.75 EUR
100+ 0.52 EUR
250+ 0.44 EUR
500+ 0.36 EUR
1000+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 24
NSVMMBD352WT1GonsemiSchottky Diodes & Rectifiers SS SHKY DIO 7V TR
auf Bestellung 2613 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
47+1.11 EUR
69+ 0.76 EUR
144+ 0.36 EUR
1000+ 0.28 EUR
3000+ 0.23 EUR
9000+ 0.21 EUR
24000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 47
NSVMMBD352WT1GonsemiDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 7V SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Diode Type: Schottky - 1 Pair Series Connection
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 7V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Power Dissipation (Max): 200 mW
Grade: Automotive
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.25 EUR
6000+ 0.23 EUR
15000+ 0.21 EUR
30000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSVMMBD352WT1GON SemiconductorRF Diode Schottky 7V 300mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVMMBD353LT1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSVMMBD353LT1GonsemiSchottky Diodes & Rectifiers SS SHKY DIO 7V TR
auf Bestellung 2818 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
35+1.5 EUR
44+ 1.19 EUR
100+ 0.88 EUR
500+ 0.75 EUR
1000+ 0.58 EUR
3000+ 0.49 EUR
9000+ 0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 35
NSVMMBD353LT1GON SemiconductorRF Diode 7V 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVMMBD353LT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - 1 Pair Series Connection
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 7V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Power Dissipation (Max): 225 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
17+1.53 EUR
20+ 1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 17
NSVMMBD353LT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - 1 Pair Series Connection
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 7V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Power Dissipation (Max): 225 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NSVMMBD354LT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 7V 300MW SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 7V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Power Dissipation (Max): 300 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.54 EUR
6000+ 0.5 EUR
15000+ 0.47 EUR
30000+ 0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSVMMBD354LT1GonsemiSchottky Diodes & Rectifiers SS SOT23 SHKY DIO 7V TR
auf Bestellung 5137 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
35+1.5 EUR
44+ 1.19 EUR
100+ 0.88 EUR
500+ 0.73 EUR
1000+ 0.54 EUR
3000+ 0.48 EUR
9000+ 0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 35
NSVMMBD354LT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 7V 300MW SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 7V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Power Dissipation (Max): 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 46691 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
17+1.53 EUR
20+ 1.3 EUR
25+ 1.22 EUR
100+ 0.97 EUR
250+ 0.9 EUR
500+ 0.76 EUR
1000+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 17
NSVMMBD354LT1GON SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers SS SOT23 SHKY DIO 7V TR
auf Bestellung 5625 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NSVMMBD354LT1GON SemiconductorDiode RF 7V 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSVMMBD717LT1GonsemiSchottky Diodes & Rectifiers SS SC70 SHKY DIO 20V TR
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
46+1.14 EUR
65+ 0.8 EUR
130+ 0.4 EUR
1000+ 0.28 EUR
3000+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 46
NSVMMBD717LT1GON SemiconductorDescription: DIODE SCHOTTKY 20V SC70-3
Produkt ist nicht verfügbar
NSVMMBD717LT1GON SemiconductorSchottky Diodes Rectifiers
Produkt ist nicht verfügbar
NSVMMBT2222AM3T5GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVMMBT2222AM3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 640 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12751 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
28+0.94 EUR
41+ 0.64 EUR
100+ 0.31 EUR
500+ 0.26 EUR
1000+ 0.18 EUR
2000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 28
NSVMMBT2222AM3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT-723 GP TRANSISTOR
auf Bestellung 20230 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
66+0.8 EUR
94+ 0.56 EUR
218+ 0.24 EUR
1000+ 0.15 EUR
8000+ 0.11 EUR
24000+ 0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 66
NSVMMBT2222AM3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 640 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
NSVMMBT2222ATT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SC75 SOT416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSVMMBT2222ATT1GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN Bipolar Transistor
auf Bestellung 9920 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
70+0.75 EUR
93+ 0.56 EUR
218+ 0.24 EUR
1000+ 0.18 EUR
3000+ 0.12 EUR
24000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 70
NSVMMBT2222ATT1GON Semiconductor
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSVMMBT2222ATT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SC75 SOT416
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 9507 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
31+0.86 EUR
44+ 0.6 EUR
100+ 0.3 EUR
500+ 0.25 EUR
1000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 31
NSVMMBT2222ATT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVMMBT2907AM3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 640 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NSVMMBT2907AM3T5GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 640mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVMMBT2907AM3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT SS GP PNP TRANSISTOR
auf Bestellung 5057 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
59+0.89 EUR
93+ 0.56 EUR
218+ 0.24 EUR
1000+ 0.16 EUR
2500+ 0.15 EUR
8000+ 0.14 EUR
24000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 59
NSVMMBT2907AM3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 640 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NSVMMBT2907AWT1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 150 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10295 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
29+0.91 EUR
41+ 0.64 EUR
100+ 0.32 EUR
500+ 0.26 EUR
1000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 29
NSVMMBT2907AWT1GonsemiBipolar Transistors - BJT PNP Bipolar Transistor
auf Bestellung 681 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
57+0.92 EUR
81+ 0.65 EUR
195+ 0.27 EUR
1000+ 0.2 EUR
3000+ 0.16 EUR
9000+ 0.14 EUR
24000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 57