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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NSV-BATBelimoDescription: 12V 1.2AH BATT 1=1, 2 REQUIRED
Packaging: Box
Voltage: 12
Type: Battery
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV12100UW3TCGonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 740 mW
auf Bestellung 86998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.48 EUR
14+1.56 EUR
100+1.02 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV12100UW3TCGonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 740 mW
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.63 EUR
6000+0.58 EUR
9000+0.56 EUR
15000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV12100UW3TCGonsemiBipolar Transistors - BJT WDFN3 2*2 LOW VCE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV12100XV6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-563
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 650 mW
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.55 EUR
22+0.96 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
2000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV12100XV6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XTR
auf Bestellung 3999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.15 EUR
10+0.77 EUR
100+0.52 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.35 EUR
4000+0.32 EUR
8000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV12100XV6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-563
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 650 mW
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV12200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 2A 540mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV12200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 540 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV12200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XT
auf Bestellung 2959 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.11 EUR
10+0.76 EUR
100+0.51 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV12200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 540 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.44 EUR
24+0.9 EUR
100+0.58 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1C200LT1GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 100V 2A SOT23-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1C200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT Low VCE(sat) Transistor, PNP, 100 V, 3.0 A
auf Bestellung 2254 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.98 EUR
10+0.83 EUR
100+0.62 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.39 EUR
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1C200MZ4T1GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP SOT223 BIP POWER TRAN
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1C200MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.24 EUR
20+1.05 EUR
100+0.73 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1C200MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.46 EUR
2000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1C200MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT Low VCE(sat) Transistor, PNP, 100 V, 2.0 A
auf Bestellung 6826 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.19 EUR
10+1.04 EUR
100+0.71 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.46 EUR
2000+0.38 EUR
10000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1C201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1C201LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 100 V, 2.0 A NPN Low VCE(sat) Bipolar Transistor
auf Bestellung 21638 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.07 EUR
10+0.92 EUR
100+0.65 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.4 EUR
3000+0.35 EUR
9000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1C201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
auf Bestellung 2024 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.57 EUR
22+0.98 EUR
100+0.63 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1C201MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.46 EUR
2000+0.4 EUR
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1C201MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 100V NPN LOW VCE(SAT) TRAN
auf Bestellung 18935 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.73 EUR
10+0.99 EUR
100+0.67 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1C201MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 800mW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2633 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.52 EUR
180+1.3 EUR
210+1.02 EUR
246+0.87 EUR
500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1C201MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.46 EUR
2000+0.4 EUR
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1C201MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.45 EUR
2000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1C201MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1C201MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1523+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1523 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1C201MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 800mW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2633 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.52 EUR
180+1.3 EUR
210+1.02 EUR
246+0.87 EUR
500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1C201MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1C201MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.71 EUR
20+1.07 EUR
100+0.7 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1C300ET4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1C300ET4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 2100mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1C300ET4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1C300ET4GON-SemiconductorPNP 3A 100V 33W 100MHz 120 < beta < 360 NSV1C300ET4G TNSV1C300et4g
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1C300ET4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIPOLAR XTSR 3A/100V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1C300ET4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 2100mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
955+0.7 EUR
1036+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 955 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1C300ET4GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 12.5W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 12.5W
Case: DPAK
Current gain: 120...360
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1C301CTWGonsemiBipolar Transistors - BJT 100 V, 3.0 A Low VCE(sat) NPN Bipolar Junction Transistor, Automotive
auf Bestellung 5884 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.71 EUR
10+1.11 EUR
100+0.92 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.86 EUR
3000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1C301ET4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5117 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.18 EUR
16+1.36 EUR
100+0.89 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1C301ET4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIPOLAR XTSR 3A/100V
auf Bestellung 4010 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.64 EUR
10+1.62 EUR
100+1.06 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.71 EUR
2500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1C301ET4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.56 EUR
5000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1C301ET4GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIPOLAR XTSR 3A/100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1C301ET4G-VF01onsemiBipolar Transistors - BJT BIPOLAR XTSR 3A/100V
auf Bestellung 5846 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.63 EUR
10+1.44 EUR
100+1.11 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.7 EUR
2500+0.63 EUR
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1C301ET4G-VF01ONSEMIDescription: ONSEMI - NSV1C301ET4G-VF01 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+2.59 EUR
154+1.51 EUR
233+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1C301ET4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A 3DPAK
auf Bestellung 7485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1C301ET4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A 3DPAK
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1C301ET4G-VF01ONSEMIDescription: ONSEMI - NSV1C301ET4G-VF01 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 359 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1SS400T1GOn SemiconductorDIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523 Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1SS400T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV1SS400T1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1.2 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 38702 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.61 EUR
582+0.4 EUR
926+0.23 EUR
1278+0.17 EUR
1473+0.14 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1SS400T1GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 0.2A 2-Pin SOD-523 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2145593 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2370+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 2370 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1SS400T1GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 0.2A 2-Pin SOD-523 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 158765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35715+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 35715 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1SS400T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV1SS400T1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1.2 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 38702 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
412+0.61 EUR
582+0.4 EUR
926+0.23 EUR
1278+0.17 EUR
1473+0.14 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 412 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1SS400T1GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 0.2A 2-Pin SOD-523 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1SS400T1GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 0.2A 2-Pin SOD-523 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
385+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 385 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1SS400T1GonsemiDescription: DIODE STANDARD 100V 200MA SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-523
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 80 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.67 EUR
51+0.42 EUR
100+0.26 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1SS400T1GonsemiSmall Signal Switching Diodes SS SWDI 100V TR
auf Bestellung 416 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.65 EUR
10+0.43 EUR
100+0.26 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1SS400T1GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 0.2A 2-Pin SOD-523 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2145593 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
893+0.2 EUR
1238+0.14 EUR
1946+0.084 EUR
2370+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 893 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1SS400T1GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 0.2A 2-Pin SOD-523 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5918+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5918 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1SS400T1GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 0.2A 2-Pin SOD-523 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1SS400T1GonsemiDescription: DIODE STANDARD 100V 200MA SOD523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-523
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 80 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1SS400T5GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 0.2A Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-523 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1SS400T5GonsemiDescription: DIODE STANDARD 100V 200MA SOD523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-523
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 80 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1SS400T5GonsemiSmall Signal Switching Diodes SS SOD523 SWDI 100V TR
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 374-378 Tag (e)
5+0.67 EUR
11+0.3 EUR
100+0.26 EUR
500+0.19 EUR
8000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1SS400T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV1SS400T5G - SWITCHING DIODE, 100 V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV1SS400T5GonsemiDescription: DIODE STANDARD 100V 200MA SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-523
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 80 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3706 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.67 EUR
50+0.42 EUR
100+0.26 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
2000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV20101JT1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 1A SC-89-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV20101JT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV20101JT1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 1A SC-89-3
auf Bestellung 2525 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4 EUR
10+2.57 EUR
100+1.74 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV20200DMTWTBGonsemiDescription: TRANS 2PNP DUAL 6-WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV20200DMTWTBGonsemiBipolar Transistors - BJT 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR
auf Bestellung 5521 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.31 EUR
10+1.43 EUR
100+0.94 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.65 EUR
3000+0.57 EUR
6000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV20200DMTWTBGONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 20V; 2A; 2.1W; WDFN6
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 2A
Power dissipation: 2.1W
Case: WDFN6
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 155MHz
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV20200DMTWTBGonsemiDescription: TRANS 2PNP DUAL 6-WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV20200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 20V PNP LOW VCE(SAT) XTR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV20200LT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 20V; 2A; 0.71W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.71W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV20200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
auf Bestellung 2438 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.44 EUR
24+0.9 EUR
100+0.58 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV20200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV20201DMTWTBGonsemiBipolar Transistors - BJT 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.98 EUR
10+1.24 EUR
100+0.82 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
3000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV20201DMTWTBGON SemiconductorDescription: TRANS NPN 20V 2A SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV20201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
auf Bestellung 5960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.94 EUR
26+0.81 EUR
100+0.56 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV20201LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT) XTR
auf Bestellung 1842 Stücke:
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4+0.95 EUR
10+0.82 EUR
100+0.57 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV20201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV20201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 2A 540mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV2029M3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SOT723
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 Mindestbestellmenge: 16000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV2029M3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT SS XTR PNP SOT723MTK
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 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV2SA2029M3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500pA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 265 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV2SA2029M3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT SS TRANSISTOR PNP SOT723
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.7 EUR
10+0.49 EUR
100+0.2 EUR
1000+0.12 EUR
2500+0.12 EUR
8000+0.086 EUR
24000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV2SA2029M3T5GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.1A; 0.265W; SOT723
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.265W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 120...560
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
Case: SOT723
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV2SA2029M3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500pA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 265 mW
auf Bestellung 2839 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
39+0.55 EUR
64+0.33 EUR
102+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
2000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV2SC5658M3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT GENERAL PURPOSE
auf Bestellung 20487 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.43 EUR
11+0.3 EUR
100+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
2500+0.12 EUR
8000+0.092 EUR
24000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV2SC5658M3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 50V 0.15A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
auf Bestellung 35967 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.63 EUR
55+0.38 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
2000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV2SC5658M3T5GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.15A; 0.26W; SOT723
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Application: automotive industry
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Case: SOT723
Frequency: 180MHz
Collector current: 0.15A
Collector-emitter voltage: 50V
Power dissipation: 0.26W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV2SC5658M3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 50V 0.15A SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.11 EUR
16000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV30100LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 710 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV30100LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV30100LT1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV30100LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT Low VCE(sat) Transistor, PNP, 30 V, 1.0 A
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.83 EUR
10+0.73 EUR
100+0.54 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.29 EUR
9000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV30100LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 710 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV40200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT LESHANBE (CN1) XTR
auf Bestellung 1931 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.39 EUR
10+0.86 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.37 EUR
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSV40200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 710mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH