Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > Alle Produkte des Herstellers INFINEON TECHNOLOGIES (148900) > Seite 2460 nach 2482

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 248 496 744 992 1240 1488 1736 1984 2232 2455 2456 2457 2458 2459 2460 2461 2462 2463 2464 2465 2480 2482  [ Nächste Seite >> ]
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
CY9AFA42LAQN-G-AVE2 Infineon Technologies y9aa40nb_series_32_bit_arm_cortex_m3_fm3_microcontroller.pdf MCU 32-bit ARM Cortex M3 RISC 160KB Flash 2.5V/3.3V 64-Pin QFN EP Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SAF-C164CI-8EM CB SAF-C164CI-8EM CB Infineon Technologies c164ci_ds_v2.0_2001_05_15.pdf MCU 16-bit C166 CISC/RISC 64KB ROM 5V 80-Pin MQFP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SAFC164CILMCA+ SAFC164CILMCA+ Infineon Technologies c164ci_ds_v2.0_2001_05_15.pdf MCU 16-bit C166 CISC/RISC ROMLess 5V 80-Pin MQFP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SAF-C164CI-8EM DB SAF-C164CI-8EM DB Infineon Technologies c164ci_ds_v2.0_2001_05_15.pdf MCU 16-bit C166 CISC/RISC 64KB ROM 5V 80-Pin MQFP Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYT2B63BADES Infineon Technologies CYT2B63BADES
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYT2B73CADES Infineon Technologies CYT2B73CADES
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTN7970B BTN7970B Infineon Technologies btn7970_ds_11.pdf H-Bridge Motor Driver Automotive AEC-Q100 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R045M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imbg40r045m2h-datasheet-v02_00-en.pdf Cool SiC G2 MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R036M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imbg40r036m2h-datasheet-v02_00-en.pdf Cool SiC G2 MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R025M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imbg40r025m2h-datasheet-v02_00-en.pdf Cool SiC G2 MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R015M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imbg40r015m2h-datasheet-v02_00-en.pdf Cool SiC G2 MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB165N15NZ3GXUMA3 Infineon Technologies Infineon-BSB165N15NZ3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30432e779412012e7b04a1353843 BSB165N15NZ3GXUMA3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB165N15NZ3GXUMA2 Infineon Technologies Infineon-BSB165N15NZ3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30432e779412012e7b04a1353843 BSB165N15NZ3GXUMA2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY5677 CY5677 Infineon Technologies quickstartguide_0.pdf CYBL11573-56LQX Bluetooth Development Board
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SLB9672VU20FW1523XTMA1 SLB9672VU20FW1523XTMA1 Infineon Technologies infineon-optigatpmslb9672fw15-datasheet-v01_20-en.pdf Secure MCU 16bit OPTIGA™ TPM CISC 1.8V/3.3V 32-Pin UQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SLB9672AU20FW1610XTMA1 SLB9672AU20FW1610XTMA1 Infineon Technologies infineon-optigatpmslb9672fw15-datasheet-v01_20-en.pdf Secure MCU 16bit OPTIGA™ TPM CISC 1.8V/3.3V 32-Pin UQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SLB9672XU20FW1523XTMA1 Infineon Technologies Infineon-OPTIGA%20TPM%20SLB%209672%20FW15-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f89965f764432 TPM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SLB9672XU20FW1613XTMA1 SLB9672XU20FW1613XTMA1 Infineon Technologies infineon-optigatpmslb9672fw16-datasheet-v01_10-en.pdf Secure MCU 32bit OPTIGA™ TPM RISC 51KB Flash 1.8V/3.3V 32-Pin UQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SLB9672AU20FW1612XTMA1 Infineon Technologies SP005750322
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SLB9672AU20FW1613XTMA1 SLB9672AU20FW1613XTMA1 Infineon Technologies infineon-optigatpmslb9672fw16-datasheet-v01_10-en.pdf Secure MCU 32bit OPTIGA™ TPM RISC 51KB Flash 1.8V/3.3V 32-Pin UQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SLB9672VU20FW1522XTMA1 Infineon Technologies infineon-optigatpmslb9672fw16-datasheet-v01_10-en.pdf Secure MCU 32bit OPTIGA™ TPM RISC 51KB Flash 1.8V/3.3V 32-Pin UQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC025N15NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPTC025N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01907740b75c7021 IPTC025N15NM6ATMA1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT025N15NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipt025n15nm6-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 26A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC055N15NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC055N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a0190772508436ff9 ISC055N15NM6ATMA1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC044N15NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC044N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a0190774086997018 ISC044N15NM6ATMA1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPF026N15NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPF026N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01907752f9db7046 IPF026N15NM6ATMA1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP089N15NM6AKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP089N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01907752e4c67042 IPP089N15NM6AKSA1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T3401N33TOFS20XPSA1 Infineon Technologies SP000091136
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL215C H6327 Infineon Technologies 4040bsl215c_rev2.2.pdffolderiddb3a30431add1d95011aed428f2d0285fileidd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB20N60H3ATMA1 IGB20N60H3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB20N60H3-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 692 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+2.33 EUR
44+1.64 EUR
53+1.37 EUR
59+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP20N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+2.27 EUR
39+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW20N60H3FKSA1 IGW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW20N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Manufacturer series: H3
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+2.83 EUR
28+2.59 EUR
30+2.39 EUR
34+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB20N60H3ATMA1 IKB20N60H3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB20N60H3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 205ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB20N60TATMA1 IKB20N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB20N60T.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 166W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 28A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60H3XKSA1 IKP20N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP20N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+2.76 EUR
40+1.83 EUR
53+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP20N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+2.79 EUR
30+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW20N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+1.94 EUR
40+1.82 EUR
43+1.7 EUR
45+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N60TFKSA1 IKW20N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW20N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+3.65 EUR
35+2.09 EUR
38+1.89 EUR
39+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA20N60C3 SPA20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES spp20n60c3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 34.5W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 34.5W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+5.29 EUR
17+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA20N60CFDXKSA1 SPA20N60CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPA20N60CFD.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 35W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60C3 SPB20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 763 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.16 EUR
20+3.68 EUR
25+3.3 EUR
100+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60S5 SPB20N60S5 INFINEON TECHNOLOGIES SPB20N60S5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0030TRPBF IRLML0030TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml0030pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 19244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+0.39 EUR
244+0.29 EUR
285+0.25 EUR
421+0.17 EUR
500+0.14 EUR
610+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr220npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 1888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+1.22 EUR
74+0.98 EUR
84+0.86 EUR
117+0.62 EUR
133+0.54 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS1602VH6327XTSA1 BAS1602VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS1602VH6327XTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC79; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SC79
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
auf Bestellung 3272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
625+0.11 EUR
807+0.089 EUR
893+0.08 EUR
1064+0.067 EUR
1183+0.06 EUR
1276+0.056 EUR
1337+0.053 EUR
3000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 625
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS1603WE6327HTSA1 BAS1603WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS1603WE6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOD323; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
auf Bestellung 584 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
584+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 584
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS16E6327HTSA1 BAS16E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS1603WE6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 370mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.37W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
auf Bestellung 6626 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.072 EUR
1214+0.059 EUR
1352+0.053 EUR
1458+0.049 EUR
1534+0.047 EUR
1640+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz48n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+0.66 EUR
140+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz48nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7545PBF IRFB7545PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb7545pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 95A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml5203pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 15494 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+0.37 EUR
268+0.27 EUR
358+0.2 EUR
407+0.18 EUR
481+0.15 EUR
544+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9z34n.pdf description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+1.33 EUR
169+0.42 EUR
174+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP15N65F5XKSA1 IKP15N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP15N65F5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 52.5W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-on time: 24ns
Manufacturer series: H5
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 166ns
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+1.59 EUR
53+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2104PBF IR2104PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2104PBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -270...130mA
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 680ns
Power: 1W
Voltage class: 600V
Kind of package: tube
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Type of integrated circuit: driver
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+3.55 EUR
27+2.69 EUR
29+2.5 EUR
50+2.37 EUR
100+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2104SPBF IR2104SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2104.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+2.16 EUR
38+1.89 EUR
41+1.77 EUR
44+1.63 EUR
50+1.53 EUR
95+1.47 EUR
285+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2104STRPBF IR2104STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2104PBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
auf Bestellung 994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+1.43 EUR
69+1.05 EUR
74+0.97 EUR
100+0.85 EUR
250+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB50N60T-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP50N60TXKSA1 IGP50N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP50N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW50N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Manufacturer series: H3
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+4.46 EUR
22+3.32 EUR
24+3.03 EUR
30+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW50N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+3.85 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY9AFA42LAQN-G-AVE2 y9aa40nb_series_32_bit_arm_cortex_m3_fm3_microcontroller.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MCU 32-bit ARM Cortex M3 RISC 160KB Flash 2.5V/3.3V 64-Pin QFN EP Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SAF-C164CI-8EM CB c164ci_ds_v2.0_2001_05_15.pdf
SAF-C164CI-8EM CB
Hersteller: Infineon Technologies
MCU 16-bit C166 CISC/RISC 64KB ROM 5V 80-Pin MQFP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SAFC164CILMCA+ c164ci_ds_v2.0_2001_05_15.pdf
SAFC164CILMCA+
Hersteller: Infineon Technologies
MCU 16-bit C166 CISC/RISC ROMLess 5V 80-Pin MQFP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SAF-C164CI-8EM DB c164ci_ds_v2.0_2001_05_15.pdf
SAF-C164CI-8EM DB
Hersteller: Infineon Technologies
MCU 16-bit C166 CISC/RISC 64KB ROM 5V 80-Pin MQFP Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYT2B63BADES
Hersteller: Infineon Technologies
CYT2B63BADES
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYT2B73CADES
Hersteller: Infineon Technologies
CYT2B73CADES
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTN7970B btn7970_ds_11.pdf
BTN7970B
Hersteller: Infineon Technologies
H-Bridge Motor Driver Automotive AEC-Q100 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R045M2HXTMA1 infineon-imbg40r045m2h-datasheet-v02_00-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Cool SiC G2 MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R036M2HXTMA1 infineon-imbg40r036m2h-datasheet-v02_00-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Cool SiC G2 MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R025M2HXTMA1 infineon-imbg40r025m2h-datasheet-v02_00-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Cool SiC G2 MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R015M2HXTMA1 infineon-imbg40r015m2h-datasheet-v02_00-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Cool SiC G2 MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB165N15NZ3GXUMA3 Infineon-BSB165N15NZ3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30432e779412012e7b04a1353843
Hersteller: Infineon Technologies
BSB165N15NZ3GXUMA3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB165N15NZ3GXUMA2 Infineon-BSB165N15NZ3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30432e779412012e7b04a1353843
Hersteller: Infineon Technologies
BSB165N15NZ3GXUMA2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY5677 quickstartguide_0.pdf
CY5677
Hersteller: Infineon Technologies
CYBL11573-56LQX Bluetooth Development Board
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SLB9672VU20FW1523XTMA1 infineon-optigatpmslb9672fw15-datasheet-v01_20-en.pdf
SLB9672VU20FW1523XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Secure MCU 16bit OPTIGA™ TPM CISC 1.8V/3.3V 32-Pin UQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SLB9672AU20FW1610XTMA1 infineon-optigatpmslb9672fw15-datasheet-v01_20-en.pdf
SLB9672AU20FW1610XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Secure MCU 16bit OPTIGA™ TPM CISC 1.8V/3.3V 32-Pin UQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SLB9672XU20FW1523XTMA1 Infineon-OPTIGA%20TPM%20SLB%209672%20FW15-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f89965f764432
Hersteller: Infineon Technologies
TPM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SLB9672XU20FW1613XTMA1 infineon-optigatpmslb9672fw16-datasheet-v01_10-en.pdf
SLB9672XU20FW1613XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Secure MCU 32bit OPTIGA™ TPM RISC 51KB Flash 1.8V/3.3V 32-Pin UQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SLB9672AU20FW1612XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
SP005750322
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SLB9672AU20FW1613XTMA1 infineon-optigatpmslb9672fw16-datasheet-v01_10-en.pdf
SLB9672AU20FW1613XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Secure MCU 32bit OPTIGA™ TPM RISC 51KB Flash 1.8V/3.3V 32-Pin UQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SLB9672VU20FW1522XTMA1 infineon-optigatpmslb9672fw16-datasheet-v01_10-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Secure MCU 32bit OPTIGA™ TPM RISC 51KB Flash 1.8V/3.3V 32-Pin UQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC025N15NM6ATMA1 Infineon-IPTC025N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01907740b75c7021
Hersteller: Infineon Technologies
IPTC025N15NM6ATMA1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT025N15NM6ATMA1 infineon-ipt025n15nm6-datasheet-v02_00-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 26A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC055N15NM6ATMA1 Infineon-ISC055N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a0190772508436ff9
Hersteller: Infineon Technologies
ISC055N15NM6ATMA1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC044N15NM6ATMA1 Infineon-ISC044N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a0190774086997018
Hersteller: Infineon Technologies
ISC044N15NM6ATMA1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPF026N15NM6ATMA1 Infineon-IPF026N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01907752f9db7046
Hersteller: Infineon Technologies
IPF026N15NM6ATMA1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP089N15NM6AKSA1 Infineon-IPP089N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01907752e4c67042
Hersteller: Infineon Technologies
IPP089N15NM6AKSA1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T3401N33TOFS20XPSA1
Hersteller: Infineon Technologies
SP000091136
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL215C H6327 4040bsl215c_rev2.2.pdffolderiddb3a30431add1d95011aed428f2d0285fileidd.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB20N60H3ATMA1 IGB20N60H3-DTE.pdf
IGB20N60H3ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 692 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.33 EUR
44+1.64 EUR
53+1.37 EUR
59+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3-DTE.pdf
IGP20N60H3XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.27 EUR
39+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW20N60H3FKSA1 IGW20N60H3-DTE.pdf
IGW20N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Manufacturer series: H3
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.83 EUR
28+2.59 EUR
30+2.39 EUR
34+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB20N60H3ATMA1 IKB20N60H3.pdf
IKB20N60H3ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 205ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB20N60TATMA1 IKB20N60T.pdf
IKB20N60TATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 166W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 28A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60H3XKSA1 IKP20N60H3-DTE.pdf
IKP20N60H3XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.76 EUR
40+1.83 EUR
53+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T.pdf
IKP20N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.79 EUR
30+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3.pdf
IKW20N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.94 EUR
40+1.82 EUR
43+1.7 EUR
45+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N60TFKSA1 IKW20N60T.pdf
IKW20N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.65 EUR
35+2.09 EUR
38+1.89 EUR
39+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA20N60C3 spp20n60c3.pdf
SPA20N60C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 34.5W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 34.5W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.29 EUR
17+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA20N60CFDXKSA1 SPA20N60CFD.pdf
SPA20N60CFDXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 35W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60C3
SPB20N60C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 763 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.16 EUR
20+3.68 EUR
25+3.3 EUR
100+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60S5 SPB20N60S5.pdf
SPB20N60S5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0030TRPBF irlml0030pbf.pdf
IRLML0030TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 19244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
244+0.29 EUR
285+0.25 EUR
421+0.17 EUR
500+0.14 EUR
610+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR220NTRPBF irfr220npbf.pdf
IRFR220NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 1888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.22 EUR
74+0.98 EUR
84+0.86 EUR
117+0.62 EUR
133+0.54 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS1602VH6327XTSA1 BAS1602VH6327XTSA1.pdf
BAS1602VH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC79; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SC79
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
auf Bestellung 3272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
625+0.11 EUR
807+0.089 EUR
893+0.08 EUR
1064+0.067 EUR
1183+0.06 EUR
1276+0.056 EUR
1337+0.053 EUR
3000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 625
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS1603WE6327HTSA1 BAS1603WE6327HTSA1.pdf
BAS1603WE6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOD323; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
auf Bestellung 584 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
584+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 584
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS16E6327HTSA1 BAS1603WE6327HTSA1.pdf
BAS16E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 370mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.37W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
auf Bestellung 6626 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.072 EUR
1214+0.059 EUR
1352+0.053 EUR
1458+0.049 EUR
1534+0.047 EUR
1640+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NPBF irfz48n.pdf
IRFZ48NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
109+0.66 EUR
140+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NSTRLPBF irfz48nspbf.pdf
IRFZ48NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7545PBF irfb7545pbf.pdf
IRFB7545PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 95A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML5203TRPBF irlml5203pbf.pdf
IRLML5203TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 15494 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.37 EUR
268+0.27 EUR
358+0.2 EUR
407+0.18 EUR
481+0.15 EUR
544+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NPBF description irf9z34n.pdf
IRF9Z34NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
54+1.33 EUR
169+0.42 EUR
174+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP15N65F5XKSA1 IKP15N65F5.pdf
IKP15N65F5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 52.5W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-on time: 24ns
Manufacturer series: H5
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 166ns
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.59 EUR
53+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2104PBF description IR2104PBF.pdf
IR2104PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -270...130mA
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 680ns
Power: 1W
Voltage class: 600V
Kind of package: tube
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Type of integrated circuit: driver
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.55 EUR
27+2.69 EUR
29+2.5 EUR
50+2.37 EUR
100+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2104SPBF description ir2104.pdf
IR2104SPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.16 EUR
38+1.89 EUR
41+1.77 EUR
44+1.63 EUR
50+1.53 EUR
95+1.47 EUR
285+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2104STRPBF description IR2104PBF.pdf
IR2104STRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
auf Bestellung 994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.43 EUR
69+1.05 EUR
74+0.97 EUR
100+0.85 EUR
250+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N60TATMA1 IGB50N60T-DTE.pdf
IGB50N60TATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP50N60TXKSA1 IGP50N60T-DTE.pdf
IGP50N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3-DTE.pdf
IGW50N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Manufacturer series: H3
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.46 EUR
22+3.32 EUR
24+3.03 EUR
30+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60T-DTE.pdf
IGW50N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.85 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 248 496 744 992 1240 1488 1736 1984 2232 2455 2456 2457 2458 2459 2460 2461 2462 2463 2464 2465 2480 2482  [ Nächste Seite >> ]