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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FF500R17KE4BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FF500R17KE4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 500A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 500A
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1kA
Mechanical mounting: screw
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF300R17ME4BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89D8A8BDE17AC13D7&compId=FF300R17ME4.pdf?ci_sign=3165dc23580ded91f906ca73de1a5b015a0a9dcf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 1.8kW
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoDUAL™ 3
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-ECONOD-3
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS150R17PE4BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FS150R17PE4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Collector current: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EconoPACK™ 4
Case: AG-ECONO4-1
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Pulsed collector current: 300A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF900R12ME7B11BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FF900R12ME7_B11-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4626e651a41016e8264085914c8 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 900A
Pulsed collector current: 1.8kA
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
Case: AG-ECONOD-5
Max. off-state voltage: 1.2kV
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS200R12KT4RB11BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FS200R12KT4R_B11-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a30432a14dd54012a3336af6002b6 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1kW
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EconoPACK™ 3
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Case: AG-ECONO3-4
Max. off-state voltage: 1.2kV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP75R12KE3BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FP75R12KE3-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430ab755195 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of module: IGBT
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+172.01 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS150R12KE3BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FS150R12KE3-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4311d745388 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+208.39 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS100R12KE3BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS28508-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Infineon-FS100R12KE3-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4310be95324 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+170.11 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F3L300R07PE4PBOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-F3L300R07PE4P-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46257fa4a9c015805c7ec845276 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of module: IGBT
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+241.28 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRS2004STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2004pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535675b86b2782 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCW67CE6327 BCW67CE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCW67B.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.8A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 32V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+0.27 EUR
410+0.17 EUR
517+0.14 EUR
588+0.12 EUR
658+0.11 EUR
1092+0.07 EUR
1155+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 264
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCW68FE6327 BCW68FE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCW68FE6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.8A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
703+0.10 EUR
785+0.09 EUR
1025+0.07 EUR
1083+0.07 EUR
3000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 703
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCW68GE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcw67_bcw68.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589ad64a2033e Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC817K40E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES 4a-BC-817-40-E6433.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC817K40WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BC817KSERIES_BC818KSERIES-DS-v01_01-en-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f541639624faa Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP5316H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcp51_bcp52_bcp53.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a304314dca38901156ad4194521c9 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC850CWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bc846%2Cbc847%2Cbc848%2Cbc849%2Cbc850.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFXKMA1 IRFB4227PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irfb4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615eb531e1f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+2.83 EUR
36+2.00 EUR
62+1.16 EUR
65+1.10 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS244ZE3043AKSA2 BTS244ZE3043AKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BTS244ZE3043AKSA2.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 19A; Ch: 1; N-Channel; THT; PG-TO220-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 19A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: THT
Case: PG-TO220-5
On-state resistance: 13mΩ
Kind of package: tube
Technology: TEMPFET®
Operating temperature: -40...175°C
Output voltage: 55V
Power dissipation: 170W
Integrated circuit features: internal temperature sensor
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP15N60C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPP_I_A15N60C3-DataSheet-v03_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640182d5124a105c23 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R380C6XKSA1 IPA65R380C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA65R380C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R380C6ATMA1 IPB65R380C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB65R380C6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R380C6BTMA1 IPD65R380C6BTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R380C6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 10.6A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R380E6ATMA1 IPD65R380E6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R380E6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 10.6A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R380E6BTMA1 IPD65R380E6BTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R380E6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 10.6A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI65R380C6XKSA1 IPI65R380C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI65R380C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP50R380CEXKSA1 IPP50R380CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP50R380CE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.9A; 73W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.9A
Power dissipation: 73W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+1.49 EUR
57+1.26 EUR
61+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA50R380CEXKSA2 IPA50R380CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDEE3A21EC971CC&compId=IPA50R380CE-DTE.pdf?ci_sign=ae539e39bc820f04d252019de81e3c5f64c466e6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4A; 29.2W; TO220FP
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4A
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 29.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220FP
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+1.47 EUR
68+1.07 EUR
85+0.85 EUR
90+0.80 EUR
250+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R380CEAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50R380CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433ecb86d4013ed0a2ef580f38 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLD2314ELXUMA1 TLD2314ELXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLD2314EL.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; high-side,LED driver; Litix™; PG-SSOP-14-EP; 120mA
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; LED driver
Technology: Litix™
Case: PG-SSOP-14-EP
Output current: 0.12A
Number of channels: 3
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 5.5...40V DC
Protection: overheating OTP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25FL064LABNFA043 INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; USON8
Operating voltage: 2.7...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: QUAD SPI
Kind of memory: NOR Flash
Application: automotive
Kind of package: reel; tape
Operating frequency: 108MHz
Kind of interface: serial
Memory: 64Mb FLASH
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Case: USON8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29GL064S70BHA043 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29GL064S_64-MBIT_(8_MBYTE)_3.0_V_FLASH_MEMORY-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed12bd84d2d&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; FBGA48; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: CFI; parallel
Kind of memory: NOR Flash
Access time: 70ns
Application: automotive
Kind of package: reel; tape
Kind of interface: parallel
Memory: 64Mb FLASH
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Case: FBGA48
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4468PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4468-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; TO247AC
Mounting: THT
Case: TO247AC
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS806NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.3A
On-state resistance: 82mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
auf Bestellung 4129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+0.40 EUR
254+0.28 EUR
327+0.22 EUR
385+0.19 EUR
455+0.16 EUR
770+0.09 EUR
820+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83PH6327 BSS83PH6327 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -330mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -330mA
Case: SOT23
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Power: 0.36W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4568PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4568-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c7c32201b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50N06S214ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50N06S2_14-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43351315b1a&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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BTS436L2GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTS436L2G-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa9aff33e35e5 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
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PVG612APBF INFINEON TECHNOLOGIES pvg612a.pdf?fileId=5546d462533600a401535683ca14293a Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state
Type of relay: solid state
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IRFP4668PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4668-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c8528201d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IPA030N10NF2SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA030N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0179176bf1c41165 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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CYPD3177-24LQXQ INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-EZ-PD_BCR_Datasheet_USB_Type-C_Port_Controller_for_Power_Sinks-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee7ce9d70ad Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: interface
Type of integrated circuit: interface
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IRFB4020PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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TC387QP160F300SAEKXUMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TC38x-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016fb316e6cf748b Category: Unclassified
Description: TC387QP160F300SAEKXUMA2
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FP40R12KE3 FP40R12KE3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58698978B6E7E2469&compId=FP40R12KE3.pdf?ci_sign=49b6b959139c32616d6c0ffbe2a4d7fbce40eaeb description Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 40A
Case: AG-ECONO2-5
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 80A
Application: Inverter
Power dissipation: 200W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoPIM™ 2
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
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FP40R12KE3BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FP40R12KE3-DataSheet-v03_02-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430a9dc5189 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
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15+119.09 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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BSC520N15NS3GATMA1 BSC520N15NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC520N15NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 57W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 21A
Power dissipation: 57W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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IRF7103TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 3A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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IKCM10H60GAXKMA1 IKCM10H60GAXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BACDC852B5593D7&compId=IKCM10H60GA.pdf?ci_sign=4b5a98fd60881639d3b88e907a50e2961c030923 Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; 20kHz
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: PG-MDIP24
Output current: -10...10A
Mounting: THT
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Power dissipation: 23.1W
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
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6+12.37 EUR
8+8.97 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IRF7311TRPBF IRF7311TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219D564C0834F1A303005056AB0C4F&compId=irf7311pbf.pdf?ci_sign=8996b5e8514953b18fbf8dc54ac6b3c8a3a84fbb Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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IRF7341GTRPBF IRF7341GTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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29+2.50 EUR
41+1.74 EUR
70+1.03 EUR
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IRF7341TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irf7341pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.7A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.7A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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AUIRFN8405TR INFINEON TECHNOLOGIES auirfn8405.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b179cb1440 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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4000+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
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IRF3007STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3007spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 62A; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 62A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
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IRFR6215TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr6215pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563595592114 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 150V; 13A; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 13A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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CY8CMBR3106S-LQXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY8CMBR3002_CY8CMBR3102_CY8CMBR3106S_CY8CMBR3108_CY8CMBR3110_CY8CMBR3116-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe3508318e Category: Unclassified
Description: CY8CMBR3106S-LQXI
auf Bestellung 4380 Stücke:
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490+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 490
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CY8CMBR3102-SX1IT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY8CMBR3002_CY8CMBR3102_CY8CMBR3106S_CY8CMBR3108_CY8CMBR3110_CY8CMBR3116-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe3508318e Category: Integrated circuits - Unclassified
Description: CY8CMBR3102-SX1IT
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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BSC094N06LS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC094N06LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015cc5ce52407ba3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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IPB034N06N3GATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB034N06N3%20G-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f56e2d130d41 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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IRF7465TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 1.9A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 1.9A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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FF500R17KE4BOSA1 FF500R17KE4.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 500A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 500A
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1kA
Mechanical mounting: screw
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FF300R17ME4BOSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89D8A8BDE17AC13D7&compId=FF300R17ME4.pdf?ci_sign=3165dc23580ded91f906ca73de1a5b015a0a9dcf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 1.8kW
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoDUAL™ 3
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-ECONOD-3
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
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FS150R17PE4BOSA1 FS150R17PE4.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Collector current: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EconoPACK™ 4
Case: AG-ECONO4-1
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Pulsed collector current: 300A
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FF900R12ME7B11BOSA1 Infineon-FF900R12ME7_B11-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4626e651a41016e8264085914c8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 900A
Pulsed collector current: 1.8kA
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
Case: AG-ECONOD-5
Max. off-state voltage: 1.2kV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS200R12KT4RB11BOSA1 Infineon-FS200R12KT4R_B11-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a30432a14dd54012a3336af6002b6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1kW
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EconoPACK™ 3
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Case: AG-ECONO3-4
Max. off-state voltage: 1.2kV
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FP75R12KE3BOSA1 Infineon-FP75R12KE3-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430ab755195
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of module: IGBT
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+172.01 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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FS150R12KE3BOSA1 Infineon-FS150R12KE3-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4311d745388
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+208.39 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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FS100R12KE3BOSA1 INFNS28508-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Infineon-FS100R12KE3-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4310be95324
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+170.11 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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F3L300R07PE4PBOSA1 Infineon-F3L300R07PE4P-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46257fa4a9c015805c7ec845276
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of module: IGBT
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+241.28 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IRS2004STRPBF irs2004pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535675b86b2782
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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BCW67CE6327 BCW67B.pdf
BCW67CE6327
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.8A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 32V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
264+0.27 EUR
410+0.17 EUR
517+0.14 EUR
588+0.12 EUR
658+0.11 EUR
1092+0.07 EUR
1155+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 264
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BCW68FE6327 BCW68FE6327.pdf
BCW68FE6327
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.8A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
703+0.10 EUR
785+0.09 EUR
1025+0.07 EUR
1083+0.07 EUR
3000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 703
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BCW68GE6327HTSA1 bcw67_bcw68.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589ad64a2033e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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BC817K40E6327HTSA1 4a-BC-817-40-E6433.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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BC817K40WH6327XTSA1 Infineon-BC817KSERIES_BC818KSERIES-DS-v01_01-en-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f541639624faa
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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BCP5316H6327XTSA1 bcp51_bcp52_bcp53.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a304314dca38901156ad4194521c9
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
auf Bestellung 7000 Stücke:
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1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC850CWH6327XTSA1 bc846%2Cbc847%2Cbc848%2Cbc849%2Cbc850.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
auf Bestellung 42000 Stücke:
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Anzahl Preis
3000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFXKMA1 irfb4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615eb531e1f
IRFB4227PBFXKMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
auf Bestellung 81 Stücke:
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Anzahl Preis
26+2.83 EUR
36+2.00 EUR
62+1.16 EUR
65+1.10 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS244ZE3043AKSA2 BTS244ZE3043AKSA2.pdf
BTS244ZE3043AKSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 19A; Ch: 1; N-Channel; THT; PG-TO220-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 19A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: THT
Case: PG-TO220-5
On-state resistance: 13mΩ
Kind of package: tube
Technology: TEMPFET®
Operating temperature: -40...175°C
Output voltage: 55V
Power dissipation: 170W
Integrated circuit features: internal temperature sensor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP15N60C3XKSA1 Infineon-SPP_I_A15N60C3-DataSheet-v03_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640182d5124a105c23
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R380C6XKSA1 IPA65R380C6-DTE.pdf
IPA65R380C6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R380C6ATMA1 IPB65R380C6-DTE.pdf
IPB65R380C6ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R380C6BTMA1 IPD65R380C6-DTE.pdf
IPD65R380C6BTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 10.6A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R380E6ATMA1 IPD65R380E6-DTE.pdf
IPD65R380E6ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 10.6A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R380E6BTMA1 IPD65R380E6-DTE.pdf
IPD65R380E6BTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain current: 10.6A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI65R380C6XKSA1 IPI65R380C6-DTE.pdf
IPI65R380C6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP50R380CEXKSA1 IPP50R380CE-DTE.pdf
IPP50R380CEXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.9A; 73W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.9A
Power dissipation: 73W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.49 EUR
57+1.26 EUR
61+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA50R380CEXKSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDEE3A21EC971CC&compId=IPA50R380CE-DTE.pdf?ci_sign=ae539e39bc820f04d252019de81e3c5f64c466e6
IPA50R380CEXKSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4A; 29.2W; TO220FP
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4A
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 29.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220FP
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.47 EUR
68+1.07 EUR
85+0.85 EUR
90+0.80 EUR
250+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R380CEAUMA1 Infineon-IPD50R380CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433ecb86d4013ed0a2ef580f38
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLD2314ELXUMA1 TLD2314EL.pdf
TLD2314ELXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; high-side,LED driver; Litix™; PG-SSOP-14-EP; 120mA
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; LED driver
Technology: Litix™
Case: PG-SSOP-14-EP
Output current: 0.12A
Number of channels: 3
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 5.5...40V DC
Protection: overheating OTP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25FL064LABNFA043 download
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; USON8
Operating voltage: 2.7...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: QUAD SPI
Kind of memory: NOR Flash
Application: automotive
Kind of package: reel; tape
Operating frequency: 108MHz
Kind of interface: serial
Memory: 64Mb FLASH
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Case: USON8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29GL064S70BHA043 Infineon-S29GL064S_64-MBIT_(8_MBYTE)_3.0_V_FLASH_MEMORY-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed12bd84d2d&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; FBGA48; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: CFI; parallel
Kind of memory: NOR Flash
Access time: 70ns
Application: automotive
Kind of package: reel; tape
Kind of interface: parallel
Memory: 64Mb FLASH
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Case: FBGA48
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4468PBFXKMA1 Infineon-IRFP4468-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; TO247AC
Mounting: THT
Case: TO247AC
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1.pdf
BSS806NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.3A
On-state resistance: 82mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
auf Bestellung 4129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.40 EUR
254+0.28 EUR
327+0.22 EUR
385+0.19 EUR
455+0.16 EUR
770+0.09 EUR
820+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83PH6327
BSS83PH6327
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -330mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -330mA
Case: SOT23
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Power: 0.36W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4568PBFXKMA1 Infineon-IRFP4568-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c7c32201b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50N06S214ATMA2 Infineon-IPD50N06S2_14-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43351315b1a&ack=t
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS436L2GATMA1 Infineon-BTS436L2G-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa9aff33e35e5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PVG612APBF pvg612a.pdf?fileId=5546d462533600a401535683ca14293a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state
Type of relay: solid state
auf Bestellung 353 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+12.73 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBFXKMA1 Infineon-IRFP4668-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c8528201d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA030N10NF2SXKSA1 Infineon-IPA030N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0179176bf1c41165
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+2.55 EUR
200+2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYPD3177-24LQXQ Infineon-EZ-PD_BCR_Datasheet_USB_Type-C_Port_Controller_for_Power_Sinks-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee7ce9d70ad
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: interface
Type of integrated circuit: interface
auf Bestellung 3900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
490+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 490
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFXKMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TC387QP160F300SAEKXUMA2 Infineon-TC38x-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016fb316e6cf748b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Unclassified
Description: TC387QP160F300SAEKXUMA2
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+60.20 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP40R12KE3 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58698978B6E7E2469&compId=FP40R12KE3.pdf?ci_sign=49b6b959139c32616d6c0ffbe2a4d7fbce40eaeb
FP40R12KE3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 40A
Case: AG-ECONO2-5
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 80A
Application: Inverter
Power dissipation: 200W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoPIM™ 2
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP40R12KE3BPSA1 Infineon-FP40R12KE3-DataSheet-v03_02-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430a9dc5189
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
auf Bestellung 810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
15+119.09 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC520N15NS3GATMA1 BSC520N15NS3G-DTE.pdf
BSC520N15NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 57W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 21A
Power dissipation: 57W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7103TRPBFXTMA1 irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 3A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKCM10H60GAXKMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BACDC852B5593D7&compId=IKCM10H60GA.pdf?ci_sign=4b5a98fd60881639d3b88e907a50e2961c030923
IKCM10H60GAXKMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; 20kHz
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: PG-MDIP24
Output current: -10...10A
Mounting: THT
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Power dissipation: 23.1W
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.37 EUR
8+8.97 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7311TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219D564C0834F1A303005056AB0C4F&compId=irf7311pbf.pdf?ci_sign=8996b5e8514953b18fbf8dc54ac6b3c8a3a84fbb
IRF7311TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341GTRPBF irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f
IRF7341GTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3866 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.50 EUR
41+1.74 EUR
70+1.03 EUR
74+0.97 EUR
2000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 29
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IRF7341TRPBFXTMA1 irf7341pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.7A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.7A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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AUIRFN8405TR auirfn8405.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b179cb1440
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
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IRF3007STRLPBF irf3007spbf.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 62A; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 62A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFR6215TRLPBF irfr6215pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563595592114
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 150V; 13A; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 13A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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CY8CMBR3106S-LQXI Infineon-CY8CMBR3002_CY8CMBR3102_CY8CMBR3106S_CY8CMBR3108_CY8CMBR3110_CY8CMBR3116-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe3508318e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Unclassified
Description: CY8CMBR3106S-LQXI
auf Bestellung 4380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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490+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 490
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CY8CMBR3102-SX1IT Infineon-CY8CMBR3002_CY8CMBR3102_CY8CMBR3106S_CY8CMBR3108_CY8CMBR3110_CY8CMBR3116-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe3508318e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Integrated circuits - Unclassified
Description: CY8CMBR3102-SX1IT
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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BSC094N06LS5ATMA1 Infineon-BSC094N06LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015cc5ce52407ba3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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IPB034N06N3GATMA2 Infineon-IPB034N06N3%20G-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f56e2d130d41
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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IRF7465TRPBFXTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 1.9A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 1.9A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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