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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IPD020N03LF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD020N03LF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca50192b80943cf2a7a Category: Transistors - Unclassified
Description: IPD020N03LF2SATMA1
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR4132TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES fundamentals-of-power-semiconductors Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD200N15N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD_BIP_200N15N3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a304319c6f18c0119cd1cc23279be Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 40A; Idm: 200A; 150W
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 40A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7821TRPBF IRF7821TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7821pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.6A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 2.5W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7821TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irf7821pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608d7f31d06 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.6A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.6A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7324TRPBF IRF7324TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219F09AAF424F1A303005056AB0C4F&compId=irf7324pbf.pdf?ci_sign=7f4dd42a2e4cfa06767174805d80f49497471ba7 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD08N50C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD08N50C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1ea5b45f0334 Category: Transistors - Unclassified
Description: SPD08N50C3ATMA1
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PVT422S-TPBF INFINEON TECHNOLOGIES pvt422.pdf?fileId=5546d462533600a401535684473f2973 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state
Type of relay: solid state
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
750+8.77 EUR
Mindestbestellmenge: 750
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2181STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2181.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c93cdd16ce Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB017N10N5LFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB017N10N5LF-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5b379cf73c7f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+5.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC9C6E07FC35EA&compId=IRF9389TRPBF.pdf?ci_sign=ea3b1216efc13bc500124d935d1fdf6b8d441c11 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.8/-4.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.8/-4.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27/64mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+0.69 EUR
134+0.53 EUR
206+0.35 EUR
218+0.33 EUR
500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE594C2490D540B6469&compId=BSD235CH6327XTSA1.pdf?ci_sign=02f2542ad9f8a828aa19eb10d1b08f515b50f21b Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.95/-0.53A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.415/1.221Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
auf Bestellung 2894 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+0.49 EUR
202+0.35 EUR
242+0.30 EUR
374+0.19 EUR
447+0.16 EUR
736+0.10 EUR
782+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY8C20546A-24PVXI INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.38 EUR
90+7.54 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA11N80C3XKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES SPP_A11N80C3_Rev[1].2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a60116385b2fcc00ec Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 492 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169IXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS169I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a42ad9911d52 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TZ240N36KOF TZ240N36KOF INFINEON TECHNOLOGIES TZ240N36KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 3.6kV; 240A; BG-PB501-1
Type of module: thyristor
Semiconductor structure: single thyristor
Max. off-state voltage: 3.6kV
Load current: 240A
Case: BG-PB501-1
Max. forward voltage: 3.43V
Max. forward impulse current: 6.1kA
Gate current: 300mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4110PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BF2040E6814HTSA1 BF2040E6814HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BF2040.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 8V; 40mA; 200mW; SOT143; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 40mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT143
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: reel; tape
Frequency: 800MHz
Kind of channel: depletion
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 23dB
Features of semiconductor devices: dual gate
auf Bestellung 8210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
215+0.34 EUR
310+0.23 EUR
425+0.17 EUR
450+0.16 EUR
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 215
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R180C7XKSA1 IPP60R180C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R180C7-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 68W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+4.39 EUR
19+3.89 EUR
22+3.36 EUR
23+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R180P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R180C7XKSA1 IPW60R180C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R180C7-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 68W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R180P7XKSA1 IPW60R180P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R180P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R180P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP60R180P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bdc7fff3cbb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 72W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPZA60R180P7XKSA1 IPZA60R180P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPZA60R180P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R180P7SE8228AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN60R180P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPAN60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c0190169e2cd6eaa00a6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.10 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB010N06NATMA1 IPB010N06NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB010N06N-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TT400N26KOF TT400N26KOF INFINEON TECHNOLOGIES TT400N26KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 2.6kV; 400A; BG-PB60-1; screw
Type of module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 2.6kV
Load current: 400A
Case: BG-PB60-1
Max. forward voltage: 1.88V
Max. forward impulse current: 13kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR6302LE6327XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Unclassified
Description: BAR6302LE6327XTMA1
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 15000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR6305WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR6306WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR6402ELE6327XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BAR64-02EL-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f023e4d38fa Category: Unclassified
Description: BAR6402ELE6327XTMA1
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 15000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR6404WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BAR64-04W-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0263783902 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR6405E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BAR64-05-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f026ce63904 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR6406E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BAR64-06-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0300ea3908 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRS2101STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2101pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567624e2279d Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4768PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4768-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c959b2021 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 66A; Idm: 370A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247AC
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 66A
On-state resistance: 17.5mΩ
Power dissipation: 520W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 180nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 370A
Mounting: THT
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+4.62 EUR
23+3.19 EUR
24+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4768PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4768-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c959b2021 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+3.50 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGA420H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bga420.pdf?folderId=db3a30431441fb5d0114b654e6581730&fileId=db3a304314dca3890115418cec781637 Category: SMD operational amplifiers
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
auf Bestellung 3000 Stücke:
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ICE3AR10080JZXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ICE3AR10080JZ-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a3043324cae8c01326fade0414605 Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC
Type of integrated circuit: PMIC
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CY8C6144LQI-S4F82 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-PSoC_6_MCU_CY8C61X4-DataSheet-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017ddd0276175906 Category: Integrated circuits - Unclassified
Description: CY8C6144LQI-S4F82
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IRLR3636TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS10828-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IRFP3077PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP3077-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535628cd701fee Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
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ITS4200SMEOHUMA1 ITS4200SMEOHUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ITS4200SMEOHUMA1.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 700mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4
Case: SOT223-4
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: Industrial PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Supply voltage: 11...45V DC
On-state resistance: 0.15Ω
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 0.7A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
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ITS4200SMENHUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ITS4200SMEN.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 700mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4
Case: SOT223-4
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: Industrial PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Supply voltage: 5...34V DC
On-state resistance: 0.16Ω
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 0.7A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
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ITS4200SSJDXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ITS4200SSJD.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: Industrial PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Supply voltage: 6...52V DC
On-state resistance: 0.15Ω
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 1.2A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
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ITS42008SBDAUMA1 ITS42008SBDAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ITS42008-SB-D.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 700mA; Ch: 8; N-Channel; SMD; PG-DSO-36
Case: PG-DSO-36
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 3.3W
Technology: Industrial PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Turn-off time: 0.1ms
Supply voltage: 11...45V DC
On-state resistance: 0.2Ω
Turn-on time: 150µs
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 0.7A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 8
Kind of output: N-Channel
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IRF150P221AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF150P221-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166acab699365cd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 186A; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 186A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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TLD1314ELXUMA1 TLD1314ELXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE994C10BB88A6898BF&compId=TLD1314EL.pdf?ci_sign=f5a79c5c9d23cf4197f383c96b3d26c6cde43150 Category: LED drivers
Description: IC: driver; high-side,LED driver; Litix™; PG-SSOP-14-EP; 120mA
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; LED driver
Technology: Litix™
Case: PG-SSOP-14-EP
Output current: 0.12A
Number of channels: 3
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 5.5...40V DC
Protection: overheating OTP
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BSZ100N06NSATMA1 BSZ100N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E418FECF9E11C&compId=BSZ100N06NS-DTE.pdf?ci_sign=2c2fadeec5f1af9aa66da941965b2afe221347ae Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 36W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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IR2183STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2183.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c9490e16d1 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
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2500+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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IRS2113STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2110.pdf?fileId=5546d462533600a40153567660ff27b0 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
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1000+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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SPD15P10PGBTMA1 SPD15P10PGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD15P10PGBTMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
Power dissipation: 128W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
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FP15R12W1T4_B3 FP15R12W1T4_B3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7AFB03D87438E8A15&compId=FP15R12W1T4B3.pdf?ci_sign=87de13b40d54fef0761dd0ea90a3bd47bf610608 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Case: AG-EASY1B-1
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Power dissipation: 130W
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPIM™ 1B
auf Bestellung 20 Stücke:
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2+44.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IPC60SR045CPX2SA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Transistors - Unclassified
Description: IPC60SR045CPX2SA1
auf Bestellung 6000 Stücke:
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2000+12.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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IPB160N04S4H1ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB160N04S4_H1-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c39839f5d47&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 10000 Stücke:
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1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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PVT212SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pvt212.pdf?fileId=5546d462533600a4015356841646295d Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state
Type of relay: solid state
auf Bestellung 125 Stücke:
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50+9.74 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IRLHS6376TRPBF IRLHS6376TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227803AA486FF1A303005056AB0C4F&compId=irlhs6376pbf.pdf?ci_sign=b652e0e89e6483e75af20b31fb083fa4743d19b3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; 1.5W; PQFN2X2
Case: PQFN2X2
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
auf Bestellung 1517 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+0.80 EUR
128+0.56 EUR
168+0.43 EUR
258+0.28 EUR
274+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR11682STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir11682spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c47188165a Category: Integrated circuits - Unclassified
Description: IR11682STRPBF
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA80R1K0CEXKSA2 IPA80R1K0CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPA80R1K0CE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 18A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+2.50 EUR
40+1.82 EUR
53+1.37 EUR
55+1.30 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD020N03LF2SATMA1 Infineon-IPD020N03LF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca50192b80943cf2a7a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Transistors - Unclassified
Description: IPD020N03LF2SATMA1
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR4132TRPBF fundamentals-of-power-semiconductors
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD200N15N3GATMA1 Infineon-IPD_BIP_200N15N3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a304319c6f18c0119cd1cc23279be
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 40A; Idm: 200A; 150W
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 40A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7821TRPBF irf7821pbf.pdf
IRF7821TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.6A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 2.5W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7821TRPBFXTMA1 irf7821pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608d7f31d06
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.6A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.6A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7324TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219F09AAF424F1A303005056AB0C4F&compId=irf7324pbf.pdf?ci_sign=7f4dd42a2e4cfa06767174805d80f49497471ba7
IRF7324TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD08N50C3ATMA1 Infineon-SPD08N50C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1ea5b45f0334
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Transistors - Unclassified
Description: SPD08N50C3ATMA1
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PVT422S-TPBF pvt422.pdf?fileId=5546d462533600a401535684473f2973
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state
Type of relay: solid state
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
750+8.77 EUR
Mindestbestellmenge: 750
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2181STRPBF ir2181.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c93cdd16ce
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB017N10N5LFATMA1 Infineon-IPB017N10N5LF-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5b379cf73c7f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+5.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9389TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC9C6E07FC35EA&compId=IRF9389TRPBF.pdf?ci_sign=ea3b1216efc13bc500124d935d1fdf6b8d441c11
IRF9389TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.8/-4.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.8/-4.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27/64mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
105+0.69 EUR
134+0.53 EUR
206+0.35 EUR
218+0.33 EUR
500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235CH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE594C2490D540B6469&compId=BSD235CH6327XTSA1.pdf?ci_sign=02f2542ad9f8a828aa19eb10d1b08f515b50f21b
BSD235CH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.95/-0.53A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.415/1.221Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
auf Bestellung 2894 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
148+0.49 EUR
202+0.35 EUR
242+0.30 EUR
374+0.19 EUR
447+0.16 EUR
736+0.10 EUR
782+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY8C20546A-24PVXI download
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30+8.38 EUR
90+7.54 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA11N80C3XKSA2 SPP_A11N80C3_Rev[1].2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a60116385b2fcc00ec
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 492 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169IXTSA1 Infineon-BSS169I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a42ad9911d52
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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TZ240N36KOF TZ240N36KOF.pdf
TZ240N36KOF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 3.6kV; 240A; BG-PB501-1
Type of module: thyristor
Semiconductor structure: single thyristor
Max. off-state voltage: 3.6kV
Load current: 240A
Case: BG-PB501-1
Max. forward voltage: 3.43V
Max. forward impulse current: 6.1kA
Gate current: 300mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
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IRFP4110PBFXKMA1 Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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BF2040E6814HTSA1 BF2040.pdf
BF2040E6814HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 8V; 40mA; 200mW; SOT143; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 40mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT143
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: reel; tape
Frequency: 800MHz
Kind of channel: depletion
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 23dB
Features of semiconductor devices: dual gate
auf Bestellung 8210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
215+0.34 EUR
310+0.23 EUR
425+0.17 EUR
450+0.16 EUR
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 215
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R180C7XKSA1 IPP60R180C7-DTE.pdf
IPP60R180C7XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 68W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.39 EUR
19+3.89 EUR
22+3.36 EUR
23+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7.pdf
IPB60R180P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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IPW60R180C7XKSA1 IPW60R180C7-DTE.pdf
IPW60R180C7XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 68W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IPW60R180P7XKSA1 IPW60R180P7.pdf
IPW60R180P7XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R180P7XKSA1 Infineon-IPP60R180P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bdc7fff3cbb
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 72W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Version: ESD
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IPZA60R180P7XKSA1 IPZA60R180P7.pdf
IPZA60R180P7XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
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IPD60R180P7SE8228AUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPAN60R180P7SXKSA1 Infineon-IPAN60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c0190169e2cd6eaa00a6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
100+1.10 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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IPB010N06NATMA1 IPB010N06N-DTE.pdf
IPB010N06NATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
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TT400N26KOF TT400N26KOF.pdf
TT400N26KOF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 2.6kV; 400A; BG-PB60-1; screw
Type of module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 2.6kV
Load current: 400A
Case: BG-PB60-1
Max. forward voltage: 1.88V
Max. forward impulse current: 13kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR6302LE6327XTMA1 INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Unclassified
Description: BAR6302LE6327XTMA1
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
15000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 15000
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BAR6305WH6327XTSA1 INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR6306WH6327XTSA1 INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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BAR6402ELE6327XTMA1 Infineon-BAR64-02EL-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f023e4d38fa
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Unclassified
Description: BAR6402ELE6327XTMA1
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
15000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 15000
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BAR6404WH6327XTSA1 Infineon-BAR64-04W-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0263783902
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR6405E6327HTSA1 Infineon-BAR64-05-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f026ce63904
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR6406E6327HTSA1 Infineon-BAR64-06-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0300ea3908
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRS2101STRPBF irs2101pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567624e2279d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4768PBFXKMA1 Infineon-IRFP4768-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c959b2021
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 66A; Idm: 370A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247AC
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 66A
On-state resistance: 17.5mΩ
Power dissipation: 520W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 180nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 370A
Mounting: THT
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.62 EUR
23+3.19 EUR
24+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4768PBFXKMA1 Infineon-IRFP4768-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c959b2021
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
25+3.50 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGA420H6327XTSA1 bga420.pdf?folderId=db3a30431441fb5d0114b654e6581730&fileId=db3a304314dca3890115418cec781637
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD operational amplifiers
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ICE3AR10080JZXKLA1 Infineon-ICE3AR10080JZ-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a3043324cae8c01326fade0414605
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC
Type of integrated circuit: PMIC
auf Bestellung 1920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.60 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY8C6144LQI-S4F82 Infineon-PSoC_6_MCU_CY8C61X4-DataSheet-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017ddd0276175906
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Integrated circuits - Unclassified
Description: CY8C6144LQI-S4F82
auf Bestellung 1560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
260+6.74 EUR
Mindestbestellmenge: 260
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRLPBF IRSDS10828-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3077PBFXKMA1 Infineon-IRFP3077-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535628cd701fee
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ITS4200SMEOHUMA1 ITS4200SMEOHUMA1.pdf
ITS4200SMEOHUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 700mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4
Case: SOT223-4
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: Industrial PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Supply voltage: 11...45V DC
On-state resistance: 0.15Ω
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 0.7A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ITS4200SMENHUMA1 ITS4200SMEN.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 700mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4
Case: SOT223-4
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: Industrial PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Supply voltage: 5...34V DC
On-state resistance: 0.16Ω
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 0.7A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ITS4200SSJDXUMA1 ITS4200SSJD.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: Industrial PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Supply voltage: 6...52V DC
On-state resistance: 0.15Ω
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 1.2A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
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ITS42008SBDAUMA1 ITS42008-SB-D.pdf
ITS42008SBDAUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 700mA; Ch: 8; N-Channel; SMD; PG-DSO-36
Case: PG-DSO-36
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 3.3W
Technology: Industrial PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Turn-off time: 0.1ms
Supply voltage: 11...45V DC
On-state resistance: 0.2Ω
Turn-on time: 150µs
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 0.7A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 8
Kind of output: N-Channel
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF150P221AKMA1 Infineon-IRF150P221-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166acab699365cd
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 186A; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 186A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLD1314ELXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE994C10BB88A6898BF&compId=TLD1314EL.pdf?ci_sign=f5a79c5c9d23cf4197f383c96b3d26c6cde43150
TLD1314ELXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; high-side,LED driver; Litix™; PG-SSOP-14-EP; 120mA
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; LED driver
Technology: Litix™
Case: PG-SSOP-14-EP
Output current: 0.12A
Number of channels: 3
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 5.5...40V DC
Protection: overheating OTP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N06NSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E418FECF9E11C&compId=BSZ100N06NS-DTE.pdf?ci_sign=2c2fadeec5f1af9aa66da941965b2afe221347ae
BSZ100N06NSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 36W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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IR2183STRPBF ir2183.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c9490e16d1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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IRS2113STRPBF irs2110.pdf?fileId=5546d462533600a40153567660ff27b0
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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SPD15P10PGBTMA1 SPD15P10PGBTMA1-DTE.pdf
SPD15P10PGBTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
Power dissipation: 128W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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FP15R12W1T4_B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7AFB03D87438E8A15&compId=FP15R12W1T4B3.pdf?ci_sign=87de13b40d54fef0761dd0ea90a3bd47bf610608
FP15R12W1T4_B3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Case: AG-EASY1B-1
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Power dissipation: 130W
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPIM™ 1B
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2+44.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPC60SR045CPX2SA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Transistors - Unclassified
Description: IPC60SR045CPX2SA1
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+12.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB160N04S4H1ATMA1 Infineon-IPB160N04S4_H1-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c39839f5d47&ack=t
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PVT212SPBF pvt212.pdf?fileId=5546d462533600a4015356841646295d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state
Type of relay: solid state
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+9.74 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6376TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227803AA486FF1A303005056AB0C4F&compId=irlhs6376pbf.pdf?ci_sign=b652e0e89e6483e75af20b31fb083fa4743d19b3
IRLHS6376TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; 1.5W; PQFN2X2
Case: PQFN2X2
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
auf Bestellung 1517 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
90+0.80 EUR
128+0.56 EUR
168+0.43 EUR
258+0.28 EUR
274+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR11682STRPBF ir11682spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c47188165a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Integrated circuits - Unclassified
Description: IR11682STRPBF
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA80R1K0CEXKSA2 IPA80R1K0CE.pdf
IPA80R1K0CEXKSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 18A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.50 EUR
40+1.82 EUR
53+1.37 EUR
55+1.30 EUR
Mindestbestellmenge: 29
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