Produkte > IPD

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IPD 2131

OSRAM Opto Semiconductors

Alphanumeric Displays Panel 8DIGIT 280LED Yellow Automotive 24-Pin CDIP

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IPD 2132

OSRAM Opto Semiconductors

Alphanumeric Displays Panel 8DIGIT 280LED Hi-Eff. Red Automotive 24-Pin CDIP

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IPD 2133

OSRAM Opto Semiconductors

Alphanumeric Displays Panel 8DIGIT 280LED Hi-Eff. Green Automotive 24-Pin CDIP

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IPD 2545 A

OSRAM Opto Semiconductors

Alphanumeric Displays Panel 4DIGIT 140LED Hi-Eff. Red Automotive 20-Pin CDIP

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IPD 2547 A

OSRAM Opto Semiconductors

Alphanumeric Displays Panel 4DIGIT 140LED Green Automotive 20-Pin CDIP

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IPD 2548 A

OSRAM Opto Semiconductors

Alphanumeric Displays Panel 4DIGIT 140LED Yellow Automotive 20-Pin CDIP

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IPD CLICK - TPD2015

Category: Add-on boards
Description: Click board; load driver; GPIO; TPD2015FN; prototype board
Type of accessories for development kits: Click board
Components: TPD2015FN
Kind of connector: mikroBUS connector; screw terminal
Interface: GPIO
Kit contents: prototype board
Supply voltage: 3.3V DC; 5V DC
development kits accessories features: ClickID
Kind of module: load driver
Size: L

Produkt ist nicht verfügbar

IPD CLICK - TPD2015

Category: Add-on boards
Description: Click board; load driver; GPIO; TPD2015FN; prototype board
Type of accessories for development kits: Click board
Components: TPD2015FN
Kind of connector: mikroBUS connector; screw terminal
Interface: GPIO
Kit contents: prototype board
Supply voltage: 3.3V DC; 5V DC
development kits accessories features: ClickID
Kind of module: load driver
Size: L
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IPD CLICK - TPD2017

Category: Add-on boards
Description: Click board; load driver; GPIO; TPD2017FN; prototype board
Type of accessories for development kits: Click board
Components: TPD2017FN
Kind of connector: mikroBUS connector; screw terminal
Interface: GPIO
Kit contents: prototype board
Supply voltage: 3.3V DC; 5V DC
development kits accessories features: ClickID
Kind of module: load driver
Size: L

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IPD CLICK - TPD2017

Category: Add-on boards
Description: Click board; load driver; GPIO; TPD2017FN; prototype board
Type of accessories for development kits: Click board
Components: TPD2017FN
Kind of connector: mikroBUS connector; screw terminal
Interface: GPIO
Kit contents: prototype board
Supply voltage: 3.3V DC; 5V DC
development kits accessories features: ClickID
Kind of module: load driver
Size: L
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IPD WD 3P2,5 M20 BK

Phoenix Contact

Panel feed-through, Push-in connection, number of positions: 2+PE, 0.5 mm² . 2.5 mm², 690 V, 20 A, black, cable diameter range: 6 mm . 9 mm and 8 mm . 13 mm, Push-in connection

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IPD WD 3P2.5 M20 GY

Phoenix Contact

Panel feed-through, Push-in connection, number of positions: 2+PE, 0.5 mm² . 2.5 mm², 690 V, 20 A, light gray, cable diameter range: 6 mm . 9 mm and 8 mm . 13 mm, Push-in connection

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IPD WD 5P2,5 M25 GY

Phoenix Contact

1047344

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IPD023N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH <= 40V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

17+	3.15 EUR
21+	2.59 EUR
100+	2 EUR
500+	1.69 EUR
1000+	1.45 EUR
2000+	1.23 EUR
10000+	1.22 EUR

Mindestbestellmenge: 17

IPD023N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD023N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V

auf Bestellung 1940 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

9+	3.09 EUR
11+	2.52 EUR
100+	1.96 EUR
500+	1.66 EUR
1000+	1.35 EUR

Mindestbestellmenge: 9

IPD023N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V

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IPD024N06N

Infineon Technologies

MOSFET 60V TO-252

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IPD024N06NATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

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IPD025N06N

Infineon technologies

auf Bestellung 2479 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD025N06N

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2

auf Bestellung 9441 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

9+	6.21 EUR
11+	5.15 EUR
100+	4.11 EUR
250+	3.8 EUR
500+	3.46 EUR
1000+	3.12 EUR
2500+	2.7 EUR

Mindestbestellmenge: 9

IPD025N06NATMA1

Description: INFINEON - IPD025N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0021 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 167W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 11448 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD025N06NATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 1971 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

23+	3.19 EUR
26+	2.83 EUR
31+	2.32 EUR
33+	2.2 EUR

Mindestbestellmenge: 23

IPD025N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 661 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

32+	5.04 EUR

Mindestbestellmenge: 32

IPD025N06NATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2

auf Bestellung 10147 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

9+	6.19 EUR
11+	4.84 EUR
100+	4.08 EUR
250+	3.77 EUR
500+	3.43 EUR
1000+	2.94 EUR
2500+	2.7 EUR

Mindestbestellmenge: 9

IPD025N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD025N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD025N06NATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	2.78 EUR
5000+	2.67 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

IPD025N06NATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 1971 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

23+	3.19 EUR
26+	2.83 EUR
31+	2.32 EUR
33+	2.2 EUR

Mindestbestellmenge: 23

IPD025N06NATMA1

Description: INFINEON - IPD025N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0021 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 11448 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD025N06NATMA1
Produktcode: 169019

Transistoren > MOSFET N-CH

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IPD025N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD025N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD025N06NATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V

auf Bestellung 10441 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	6.14 EUR
10+	5.11 EUR
100+	4.07 EUR
500+	3.44 EUR
1000+	2.92 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IPD028N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD028N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

IPD028N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

SP005588978

Produkt ist nicht verfügbar

IPD028N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 139A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD028N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

IPD028N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

88+	1.78 EUR
100+	1.52 EUR
103+	1.42 EUR
117+	1.2 EUR
250+	1.08 EUR
500+	0.97 EUR
1000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 88

IPD028N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	1.57 EUR
103+	1.47 EUR
117+	1.24 EUR
250+	1.13 EUR
500+	1.01 EUR
1000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 100

IPD028N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 139A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V

auf Bestellung 1995 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	4.32 EUR
10+	3.88 EUR
100+	3.12 EUR
500+	2.56 EUR
1000+	2.12 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IPD028N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

IPD028N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 2073 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

15+	3.69 EUR
17+	3.07 EUR
100+	2.44 EUR
250+	2.25 EUR
500+	2.04 EUR
1000+	1.85 EUR
2000+	1.61 EUR

Mindestbestellmenge: 15

IPD029N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V

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IPD029N04NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD029N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 131 A, 0.0024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD029N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

auf Bestellung 286 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

21+	2.51 EUR
26+	2.06 EUR
100+	1.6 EUR
500+	1.36 EUR
1000+	1.16 EUR
2000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 21

IPD029N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD029N04NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD029N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 131 A, 0.0024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD029N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V

auf Bestellung 1999 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.5 EUR
13+	2.04 EUR
100+	1.59 EUR
500+	1.34 EUR
1000+	1.1 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IPD031N03L G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 210-224 Tag (e)

15+	3.56 EUR
18+	2.94 EUR
100+	2.27 EUR
500+	2.07 EUR
1000+	1.8 EUR
2500+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 15

IPD031N03L G

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 650 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

103+	1.53 EUR
108+	1.41 EUR
121+	1.21 EUR
200+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 103

IPD031N03L G E8177

Infineon Technologies

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

IPD031N03LG

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD031N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.95 EUR
5000+	0.88 EUR
10000+	0.82 EUR
12500+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

IPD031N03LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V

auf Bestellung 4271 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.21 EUR
15+	1.81 EUR
100+	1.59 EUR
500+	1.49 EUR
1000+	1.47 EUR

Mindestbestellmenge: 12

IPD031N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

82+	1.92 EUR
90+	1.69 EUR
110+	1.32 EUR
200+	1.19 EUR
1000+	1.01 EUR
2000+	0.91 EUR
5000+	0.84 EUR
10000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 82

IPD031N03LGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

auf Bestellung 2645 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

56+	1.29 EUR
61+	1.17 EUR
81+	0.89 EUR
86+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 56

IPD031N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2198 Stücke:

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159+	0.99 EUR
171+	0.88 EUR
172+	0.84 EUR
183+	0.77 EUR
250+	0.73 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 159

IPD031N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

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IPD031N03LGATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

auf Bestellung 1196 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

25+	2.15 EUR
30+	1.78 EUR
100+	1.57 EUR
500+	1.51 EUR
1000+	1.49 EUR
2500+	1.47 EUR
5000+	1.43 EUR

Mindestbestellmenge: 25

IPD031N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 20000 Stücke:

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2500+	0.95 EUR
5000+	0.88 EUR
10000+	0.82 EUR
12500+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

IPD031N03LGATMA1
Produktcode: 149574

Transistoren > MOSFET N-CH

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IPD031N03LGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2645 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

56+	1.29 EUR
61+	1.17 EUR
81+	0.89 EUR
86+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 56

IPD031N03LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	1.46 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

IPD031N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 215000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

IPD031N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2198 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

171+	0.91 EUR
172+	0.88 EUR
183+	0.8 EUR
250+	0.76 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 171

IPD031N03LGATMA1

Description: INFINEON - IPD031N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 94W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2120 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD031N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD031N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD031N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IPD031N03LGBTMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2

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IPD031N03M G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

Produkt ist nicht verfügbar

IPD031N03M G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

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IPD031N06L3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3

auf Bestellung 2158 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.76 EUR
10+	5.64 EUR
100+	4.5 EUR
250+	4.16 EUR
500+	3.77 EUR
1000+	3.41 EUR
2500+	2.96 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IPD031N06L3G

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

38+	4.19 EUR
50+	3.89 EUR
100+	3.62 EUR
250+	3.37 EUR
500+	3.15 EUR
1000+	2.95 EUR
2500+	2.76 EUR

Mindestbestellmenge: 38

IPD031N06L3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 1480 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

29+	2.55 EUR
32+	2.29 EUR
39+	1.87 EUR
41+	1.77 EUR
500+	1.7 EUR

Mindestbestellmenge: 29

IPD031N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

auf Bestellung 71124 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	6.66 EUR
10+	5.54 EUR
100+	4.41 EUR
500+	3.73 EUR
1000+	3.16 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IPD031N06L3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3

auf Bestellung 6796 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

9+	6.47 EUR
10+	5.33 EUR
100+	4.47 EUR
250+	4.39 EUR
500+	3.72 EUR
1000+	3.04 EUR
2500+	2.96 EUR

Mindestbestellmenge: 9

IPD031N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 10164 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

23+	7.09 EUR
35+	4.36 EUR
50+	3.4 EUR
100+	3.06 EUR
200+	2.92 EUR
500+	2.49 EUR
1000+	2.22 EUR
2000+	2.16 EUR
2500+	2.14 EUR

Mindestbestellmenge: 23

IPD031N06L3GATMA1

Description: INFINEON - IPD031N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2095 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD031N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.28 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

IPD031N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD031N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

auf Bestellung 65000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	3.01 EUR
5000+	2.89 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

IPD031N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.47 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

IPD031N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.47 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

IPD031N06L3GATMA1

Description: INFINEON - IPD031N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2095 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD031N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1890 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

38+	4.16 EUR
46+	3.32 EUR
100+	2.66 EUR
250+	2.53 EUR
500+	2.04 EUR
1000+	1.6 EUR

Mindestbestellmenge: 38

IPD031N06L3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

auf Bestellung 1480 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

29+	2.55 EUR
32+	2.29 EUR
39+	1.87 EUR
41+	1.77 EUR
500+	1.7 EUR

Mindestbestellmenge: 29

IPD031N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.44 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

IPD031N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1890 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

42+	3.77 EUR
50+	2.92 EUR
100+	2.43 EUR
250+	2.31 EUR
500+	1.8 EUR
1000+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 42

IPD033N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD033N06NATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V

auf Bestellung 2190 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	5.02 EUR
10+	4.18 EUR
100+	3.32 EUR
500+	2.81 EUR
1000+	2.39 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IPD033N06NATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V

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IPD033N06NATMA1

Infineon Technologies

Power Management Specialised - PMIC TRENCH 40<-<100V

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IPD034N06N3 G

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

71+	2.2 EUR
100+	2.03 EUR
250+	1.88 EUR
500+	1.74 EUR
1000+	1.61 EUR

Mindestbestellmenge: 71

IPD034N06N3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3

auf Bestellung 161 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

13+	4.26 EUR
15+	3.56 EUR
100+	2.83 EUR
250+	2.76 EUR
500+	2.36 EUR
1000+	2.02 EUR
2500+	1.92 EUR

Mindestbestellmenge: 13

IPD034N06N3G

Infineon technologies

auf Bestellung 1400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD034N06N3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 1884 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

40+	1.8 EUR
46+	1.59 EUR
52+	1.39 EUR
55+	1.32 EUR
500+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 40

IPD034N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IPD034N06N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD034N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm

auf Bestellung 5320 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD034N06N3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

auf Bestellung 1884 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

40+	1.8 EUR
46+	1.59 EUR
52+	1.39 EUR
55+	1.32 EUR
500+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 40

IPD034N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

auf Bestellung 11104 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	4.24 EUR
10+	3.52 EUR
100+	2.8 EUR
500+	2.37 EUR
1000+	2.01 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IPD034N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	2.02 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

IPD034N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IPD034N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD034N06N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD034N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm

auf Bestellung 5320 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD034N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	1.91 EUR
5000+	1.84 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

IPD034N06N3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH 40<-<100V

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IPD034N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.24 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

IPD035N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

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IPD035N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IPD036N04L G
Produktcode: 166396

Transistoren > MOSFET N-CH

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IPD036N04L G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

auf Bestellung 465 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

IPD036N04LGATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH <= 40V

auf Bestellung 7162 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

16+	3.41 EUR
19+	2.81 EUR
100+	2.17 EUR
500+	1.84 EUR
1000+	1.5 EUR
2500+	1.4 EUR
5000+	1.34 EUR

Mindestbestellmenge: 16

IPD036N04LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD036N04LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V

auf Bestellung 41783 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.38 EUR
10+	2.76 EUR
100+	2.15 EUR
500+	1.82 EUR
1000+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IPD036N04LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

85+	1.86 EUR
93+	1.63 EUR
114+	1.28 EUR
200+	1.15 EUR
1000+	0.98 EUR
2000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 85

IPD036N04LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V

auf Bestellung 37500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	1.4 EUR
5000+	1.33 EUR
12500+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

IPD036N04LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IPD036N04LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD036N04LGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD036N04LGBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD036N04LGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD036N04LGBTMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

IPD036N04LGBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD038N04N G

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

IPD038N04N G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2

Produkt ist nicht verfügbar

IPD038N04NGBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD038N04NGBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD038N04NGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD038N04NGXT

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD038N04NGXT

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD038N06N3

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD038N06N3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

auf Bestellung 17489 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

12+	4.65 EUR
14+	3.85 EUR
100+	3.07 EUR
250+	2.83 EUR
500+	2.56 EUR
1000+	2.21 EUR
2500+	2.03 EUR

Mindestbestellmenge: 12

IPD038N06N3G

Infineon Technologies

Description: IPD038N06N3G

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD038N06N3G

09+ QFP-64

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD038N06N3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO252-3
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IPD038N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD038N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD038N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD038N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 692 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

63+	2.51 EUR
70+	2.16 EUR
74+	1.97 EUR
100+	1.42 EUR
500+	1.16 EUR

Mindestbestellmenge: 63

IPD038N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD038N06N3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO252-3
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

IPD038N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD038N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

auf Bestellung 117 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

23+	2.32 EUR
28+	1.91 EUR
100+	1.48 EUR
500+	1.26 EUR
1000+	1.07 EUR
2000+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 23

IPD038N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V

auf Bestellung 1233 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.29 EUR
14+	1.87 EUR
100+	1.45 EUR
500+	1.23 EUR
1000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 12

IPD03N03LA

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD03N03LA

07+ to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD03N03LA G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD03N03LA G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

auf Bestellung 1037 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.87 EUR
10+	3.34 EUR
100+	3.04 EUR
500+	2.91 EUR
1000+	2.88 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IPD03N03LAG

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD03N03LAG

07+ to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD03N03LAP

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD03N03LB

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD03N03LB

07+ to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD03N03LB G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD03N03LB G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

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IPD03NLBG

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD03NLBG

07+ to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD040N03L G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

auf Bestellung 3711 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

19+	2.83 EUR
23+	2.33 EUR
100+	1.81 EUR
500+	1.54 EUR
1000+	1.31 EUR
2500+	1.12 EUR
10000+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 19

IPD040N03L G E8177

Infineon Technologies

MOSFET

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IPD040N03LG

Infineon Technologies

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD040N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1888 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

74+	2.12 EUR
75+	2.02 EUR
100+	1.93 EUR
250+	1.84 EUR
500+	1.74 EUR
1000+	1.65 EUR

Mindestbestellmenge: 74

IPD040N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD040N03LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD040N03LGATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH <= 40V

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IPD040N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD040N03LGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
On-state resistance: 4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

auf Bestellung 2490 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

54+	1.34 EUR
70+	1.03 EUR
91+	0.79 EUR
97+	0.74 EUR
500+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 54

IPD040N03LGATMA1
Produktcode: 128410

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

IPD040N03LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

auf Bestellung 281 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10+	2.83 EUR
12+	2.32 EUR
100+	1.8 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IPD040N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1888 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

74+	2.04 EUR
75+	1.95 EUR
100+	1.85 EUR
250+	1.76 EUR
500+	1.67 EUR
1000+	1.58 EUR

Mindestbestellmenge: 74

IPD040N03LGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
On-state resistance: 4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2490 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

54+	1.34 EUR
70+	1.03 EUR
91+	0.79 EUR
97+	0.74 EUR
500+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 54

IPD040N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD040N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD040N03LGBTMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2

Produkt ist nicht verfügbar

IPD040N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD040N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 1151 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

11+	4.73 EUR
14+	3.95 EUR
100+	3.15 EUR
250+	2.91 EUR
500+	2.63 EUR
1000+	2.38 EUR
2000+	2.07 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IPD040N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2000+	2.12 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

IPD040N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

auf Bestellung 3562 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	4.71 EUR
10+	3.91 EUR
100+	3.11 EUR
500+	2.63 EUR
1000+	2.23 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IPD042P03L3 G

Infineon Technologies

MOSFET P-Ch -30V 70A DPAK-2 OptiMOS P3

Produkt ist nicht verfügbar

IPD042P03L3G

Infineon technologies

auf Bestellung 178 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD042P03L3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; Idm: -280A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -70A
Pulsed drain current: -280A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IPD042P03L3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 15 V

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	2.09 EUR
5000+	2.01 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

IPD042P03L3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; Idm: -280A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -70A
Pulsed drain current: -280A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

IPD042P03L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.15 EUR
5000+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

IPD042P03L3GATMA1

Description: INFINEON - IPD042P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, p-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 18039 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD042P03L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.15 EUR
5000+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

IPD042P03L3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH <= 40V

auf Bestellung 13864 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

12+	4.65 EUR
14+	3.9 EUR
100+	3.09 EUR
500+	2.63 EUR
1000+	2.22 EUR
2500+	2.11 EUR
5000+	2.04 EUR

Mindestbestellmenge: 12

IPD042P03L3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 15 V

auf Bestellung 8577 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	4.63 EUR
10+	3.86 EUR
100+	3.07 EUR
500+	2.6 EUR
1000+	2.2 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IPD042P03L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 3990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

49+	3.23 EUR
52+	2.9 EUR
100+	2.39 EUR
200+	2.19 EUR
500+	1.93 EUR
1000+	1.57 EUR
2000+	1.46 EUR
2500+	1.44 EUR

Mindestbestellmenge: 49

IPD042P03L3GATMA1

Infineon Technologies

OptiMOS P3 Power-Transistor

Produkt ist nicht verfügbar

IPD042P03L3GATMA1

Description: INFINEON - IPD042P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, p-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 18039 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD042P03L3GBTMA1

Infineon Technologies

MOSFET P-Ch -30V 70A DPAK-2 OptiMOS P3

Produkt ist nicht verfügbar

IPD042P03L3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD042P03L3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD046N08N5

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH 40<-<100V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD046N08N5ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

auf Bestellung 2170 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	6.03 EUR
10+	5 EUR
100+	3.98 EUR
500+	3.36 EUR
1000+	2.85 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IPD046N08N5ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD046N08N5ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD046N08N5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS

auf Bestellung 2499 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

9+	6.06 EUR
11+	5.02 EUR
100+	4 EUR
250+	3.85 EUR
500+	3.35 EUR
1000+	2.89 EUR
2500+	2.7 EUR

Mindestbestellmenge: 9

IPD046N08N5ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD046N08N5ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD048N06L3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

IPD048N06L3 G

auf Bestellung 42500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD048N06L3G

Infineon technologies

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD048N06L3GATMA1

Infineon Technologies

IPD048N06L3 G

Produkt ist nicht verfügbar

IPD048N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V

auf Bestellung 6374 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

9+	3.12 EUR
11+	2.55 EUR
100+	1.98 EUR
500+	1.68 EUR
1000+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 9

IPD048N06L3GATMA1

Infineon Technologies

N-channel MOSFET

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IPD048N06L3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 67 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

17+	3.15 EUR
21+	2.59 EUR
100+	2 EUR
500+	1.69 EUR
1000+	1.38 EUR
2500+	1.3 EUR
5000+	1.24 EUR

Mindestbestellmenge: 17

IPD048N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	1.29 EUR
5000+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

IPD048N06L3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 73 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD048N06L3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD048N06L3GBTMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH 40<-<100V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD048N06L3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD048N06L3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD048N06L3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD048N06L3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD04N03L

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD04N03L

07+ to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD04N03L

03+

auf Bestellung 2690 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD04N03LA

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD04N03LA

0522+

auf Bestellung 1250 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD04N03LA G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5199 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD04N03LA G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5199 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD04N03LA G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 25V 50A DPAK-2

Produkt ist nicht verfügbar

IPD04N03LA G

09+

auf Bestellung 5030 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD04N03LAG

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD04N03LAG

0522+

auf Bestellung 32 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD04N03LB G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD04N03LB G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2

Produkt ist nicht verfügbar

IPD04N03LB G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

auf Bestellung 1119 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

9+	3.04 EUR
11+	2.5 EUR
100+	2.19 EUR
500+	2.05 EUR
1000+	2.02 EUR

Mindestbestellmenge: 9

IPD04N03LBG

Rochester Electronics, LLC

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD04N03LBG

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD050N03L G

Infineon Technologies

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD050N03L G

auf Bestellung 129200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD050N03L G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

auf Bestellung 2431 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

19+	2.76 EUR
23+	2.26 EUR
100+	1.76 EUR
500+	1.5 EUR
1000+	1.22 EUR
2500+	1.14 EUR
5000+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 19

IPD050N03LGATMA1

Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 8150 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD050N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.65 EUR
5000+	0.6 EUR
10000+	0.57 EUR
12500+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

IPD050N03LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

auf Bestellung 13512 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10+	2.73 EUR
12+	2.25 EUR
100+	1.75 EUR
500+	1.48 EUR
1000+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IPD050N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD050N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.6 EUR
5000+	0.57 EUR
10000+	0.54 EUR
12500+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

IPD050N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

150+	1.04 EUR
152+	1 EUR
172+	0.85 EUR
250+	0.81 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 150

IPD050N03LGATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

auf Bestellung 4376 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

26+	2.03 EUR
31+	1.73 EUR
100+	1.45 EUR
500+	1.32 EUR
1000+	1.13 EUR
2500+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 26

IPD050N03LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	1.14 EUR
5000+	1.08 EUR
12500+	1.03 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

IPD050N03LGATMA1

Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 8150 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD050N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

136+	1.15 EUR
150+	1.01 EUR
152+	0.96 EUR
172+	0.81 EUR
250+	0.77 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 136

IPD050N03LGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
On-state resistance: 5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

67+	1.07 EUR
88+	0.82 EUR
100+	0.72 EUR
115+	0.62 EUR
122+	0.59 EUR
500+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 67

IPD050N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD050N03LGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
On-state resistance: 5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

67+	1.07 EUR
88+	0.82 EUR
100+	0.72 EUR
115+	0.62 EUR
122+	0.59 EUR
500+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 67

IPD050N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 3316 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

196+	0.8 EUR
250+	0.74 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.64 EUR
2500+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 196

IPD050N03LGBTMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2

Produkt ist nicht verfügbar

IPD050N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD050N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD050N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 50 V

auf Bestellung 5073 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	6.66 EUR
10+	5.53 EUR
100+	4.4 EUR
500+	3.72 EUR
1000+	3.16 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IPD050N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD050N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPD050N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 966 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD050N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 50 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	3 EUR
5000+	2.89 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

IPD050N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 4157 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

24+	6.65 EUR
37+	4.09 EUR
50+	3.18 EUR
100+	2.86 EUR
200+	2.73 EUR
500+	2.34 EUR
1000+	2.08 EUR
2000+	2.03 EUR
2500+	2.02 EUR

Mindestbestellmenge: 24

IPD050N10N5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS

auf Bestellung 12919 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.71 EUR
10+	5.43 EUR
100+	4.45 EUR
250+	4.34 EUR
500+	3.77 EUR
1000+	3.2 EUR
2500+	2.99 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IPD050N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPD050N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 966 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD050N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 4980 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

97+	1.62 EUR

Mindestbestellmenge: 97

IPD050N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD050N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

Infineon

Produkt ist nicht verfügbar

IPD050N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Discontinued at Digi-Key

Produkt ist nicht verfügbar

IPD052N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD052N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH >=100V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 98-112 Tag (e)

12+	4.65 EUR
14+	3.87 EUR
100+	3.07 EUR
250+	2.86 EUR
500+	2.59 EUR
1000+	2.33 EUR
2000+	2.03 EUR

Mindestbestellmenge: 12

IPD053N06N

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 45A DPAK-2

auf Bestellung 3338 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

15+	3.67 EUR
18+	3.02 EUR
100+	2.35 EUR
500+	1.99 EUR
1000+	1.7 EUR
2500+	1.44 EUR

Mindestbestellmenge: 15

IPD053N06N3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 200V 90A DPAK-2

Produkt ist nicht verfügbar

IPD053N06N3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD053N06N3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD053N06N3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD053N06N3GXT

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD053N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

IPD053N06NATMA1

Description: INFINEON - IPD053N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 0.0045 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 26532 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD053N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD053N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD053N06NATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

IPD053N06NATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IPD053N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 7483 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

116+	1.35 EUR
117+	1.3 EUR
138+	1.05 EUR
250+	0.99 EUR
500+	0.84 EUR
1000+	0.73 EUR
3000+	0.69 EUR
6000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 116

IPD053N06NATMA1

Description: INFINEON - IPD053N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 0.0045 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 26532 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD053N06NATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	1.5 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

IPD053N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

IPD053N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 7483 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

113+	1.39 EUR
116+	1.3 EUR
117+	1.25 EUR
138+	1.01 EUR
250+	0.95 EUR
500+	0.81 EUR
1000+	0.7 EUR
3000+	0.69 EUR
6000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 113

IPD053N06NATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 45A DPAK-2

auf Bestellung 17943 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

21+	2.51 EUR
24+	2.17 EUR
100+	1.79 EUR
500+	1.59 EUR
1000+	1.44 EUR

Mindestbestellmenge: 21

IPD053N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD053N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 4965 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

79+	1.99 EUR
86+	1.75 EUR
106+	1.37 EUR
200+	1.23 EUR
500+	1.18 EUR
1000+	1.01 EUR
2000+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 79

IPD053N06NATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

auf Bestellung 6883 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.64 EUR
10+	2.97 EUR
100+	2.31 EUR
500+	1.96 EUR
1000+	1.59 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IPD053N08N3 G

auf Bestellung 45000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD053N08N3 G

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

59+	2.67 EUR
61+	2.48 EUR
100+	2.3 EUR
250+	2.15 EUR
500+	2.01 EUR
1000+	1.88 EUR
2500+	1.75 EUR

Mindestbestellmenge: 59

IPD053N08N3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 80V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

IPD053N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1759 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

75+	2.09 EUR
81+	1.79 EUR
100+	1.56 EUR
250+	1.48 EUR
500+	1.35 EUR
1000+	1.16 EUR

Mindestbestellmenge: 75

IPD053N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	2.79 EUR
5000+	2.68 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

IPD053N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.41 EUR
5000+	1.33 EUR
10000+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

IPD053N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 387500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.81 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

IPD053N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD053N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 4198 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

76+	2.07 EUR
85+	1.78 EUR
100+	1.65 EUR
200+	1.58 EUR
500+	1.41 EUR
1000+	1.3 EUR
2000+	1.22 EUR

Mindestbestellmenge: 76

IPD053N08N3GATMA1

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD053N08N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD053N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 0.0053 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm

auf Bestellung 21764 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD053N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V

auf Bestellung 15322 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	6.19 EUR
10+	5.14 EUR
100+	4.09 EUR
500+	3.46 EUR
1000+	2.93 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IPD053N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.41 EUR
5000+	1.33 EUR
10000+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

IPD053N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1759 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

75+	2.09 EUR
81+	1.79 EUR
100+	1.56 EUR
250+	1.48 EUR
500+	1.35 EUR
1000+	1.16 EUR

Mindestbestellmenge: 75

IPD053N08N3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 64402 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

12+	4.65 EUR
13+	4 EUR
100+	3.38 EUR
250+	3.35 EUR
500+	3.02 EUR
1000+	2.73 EUR

Mindestbestellmenge: 12

IPD053N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD053N08N3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD053N08N3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD053N08N3GBTMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 80V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

IPD053N08N3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD053N08N3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD055N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD055N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 1662 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

13+	4.13 EUR
16+	3.43 EUR
100+	2.73 EUR
250+	2.51 EUR
500+	2.28 EUR
1000+	2.07 EUR
2000+	1.8 EUR

Mindestbestellmenge: 13

IPD055N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD055N08NF2SATMA1
Produktcode: 199783

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

IPD055N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD055N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 98 A, 0.0047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 657 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD055N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V

auf Bestellung 1815 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	4.08 EUR
10+	3.4 EUR
100+	2.7 EUR
500+	2.29 EUR
1000+	1.94 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IPD055N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD055N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD055N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 98 A, 0.0047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 657 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD05N03

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD05N03LA

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD05N03LA

07+ to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD05N03LA G

09+

auf Bestellung 5030 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD05N03LA G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3

Produkt ist nicht verfügbar

IPD05N03LAG

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD05N03LAG

07+ to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD05N03LB

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD05N03LB

07+ to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD05N03LB G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

Produkt ist nicht verfügbar

IPD05N03LBG

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD060N03L G

Description: INFINEON - IPD060N03L G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 50
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 56
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
Verlustleistung: 56
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

Produkt ist nicht verfügbar

IPD060N03L G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

IPD060N03L G E8177

Infineon Technologies

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

IPD060N03LG

Infineon Technologies

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD060N03LG (Transistoren Feld N-Kanal)
Produktcode: 45565

Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541 29 00 10

Produkt ist nicht verfügbar

IPD060N03LGATMA1

Description: INFINEON - IPD060N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 56W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2846 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD060N03LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

auf Bestellung 1342 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.29 EUR
14+	1.87 EUR
100+	1.46 EUR
500+	1.24 EUR
1000+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 12

IPD060N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

91+	1.73 EUR
101+	1.5 EUR
103+	1.42 EUR
128+	1.09 EUR
250+	1.01 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 91

IPD060N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2796 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD060N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

101+	1.55 EUR
103+	1.47 EUR
128+	1.13 EUR
250+	1.05 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 101

IPD060N03LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD060N03LGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 56W; PG-TO252-3
Power dissipation: 56W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 43A
On-state resistance: 6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 132 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

56+	1.29 EUR
94+	0.77 EUR
105+	0.68 EUR
121+	0.59 EUR
128+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 56

IPD060N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD060N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

IPD060N03LGATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2

auf Bestellung 4159 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

28+	1.86 EUR
34+	1.55 EUR
100+	1.26 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	0.98 EUR
5000+	0.91 EUR
10000+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 28

IPD060N03LGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 56W; PG-TO252-3
Power dissipation: 56W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 43A
On-state resistance: 6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

auf Bestellung 132 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

56+	1.29 EUR
94+	0.77 EUR
105+	0.68 EUR
121+	0.59 EUR
128+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 56

IPD060N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

IPD060N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD060N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD060N03LGINCT

Infineon Technologies

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

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IPD068N10N3 G

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD068N10N3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 100V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

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IPD068N10N3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH >=100V

auf Bestellung 40531 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

9+	5.85 EUR
11+	4.84 EUR
100+	4.08 EUR
250+	4.03 EUR
500+	3.48 EUR
1000+	2.86 EUR
2500+	2.78 EUR

Mindestbestellmenge: 9

IPD068N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD068N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

auf Bestellung 11252 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	6.37 EUR
10+	5.28 EUR
100+	4.2 EUR
500+	3.55 EUR
1000+	3.02 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IPD068N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD068N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 650 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

38+	4.21 EUR
42+	3.47 EUR
100+	2.67 EUR
250+	2.54 EUR
500+	1.99 EUR

Mindestbestellmenge: 38

IPD068N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD068N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0057 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2823 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD068N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 650 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

38+	4.21 EUR
42+	3.47 EUR
100+	2.67 EUR
250+	2.54 EUR
500+	1.99 EUR

Mindestbestellmenge: 38

IPD068N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	2.86 EUR
5000+	2.76 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

IPD068N10N3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD068P03L3 G

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

auf Bestellung 6607 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD068P03L3 G

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

auf Bestellung 6607 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD068P03L3 G

Infineon Technologies

MOSFET P-Ch -30V -70A DPAK-2 OptiMOS P3

Produkt ist nicht verfügbar

IPD068P03L3 G

auf Bestellung 157500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD068P03L3G

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD068P03L3GATMA1

Infineon Technologies

Single P-Channel Power Transistor

Produkt ist nicht verfügbar

IPD068P03L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 3562 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

87+	1.81 EUR
96+	1.59 EUR
114+	1.28 EUR
200+	1.16 EUR
500+	1.01 EUR
1000+	0.81 EUR
2500+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 87

IPD068P03L3GATMA1

Description: INFINEON - IPD068P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm

auf Bestellung 2918 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD068P03L3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH <= 40V

auf Bestellung 9866 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

18+	3.04 EUR
21+	2.51 EUR
100+	1.95 EUR
500+	1.65 EUR
1000+	1.34 EUR
2500+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 18

IPD068P03L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 1880 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

143+	1.1 EUR
156+	0.93 EUR
177+	0.79 EUR
250+	0.75 EUR
500+	0.66 EUR
1000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 143

IPD068P03L3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V

auf Bestellung 6755 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

9+	3.02 EUR
11+	2.49 EUR
100+	1.93 EUR
500+	1.64 EUR
1000+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 9

IPD068P03L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 1880 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

156+	0.97 EUR
177+	0.82 EUR
250+	0.79 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 156

IPD068P03L3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; 100W; PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 100W
Drain current: -70A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

IPD068P03L3GATMA1

Description: INFINEON - IPD068P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm

auf Bestellung 2918 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD068P03L3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	1.26 EUR
5000+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

IPD068P03L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

IPD068P03L3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; 100W; PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 100W
Drain current: -70A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IPD068P03L3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD068P03L3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD068P03L3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 30V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IPD06N03L

03+

auf Bestellung 4077 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD06N03L

09+

auf Bestellung 5030 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD06N03L

07+;

auf Bestellung 300000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD06N03L

07+ to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD06N03L

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD06N03LA

0426+

auf Bestellung 5579 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD06N03LA

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD06N03LA

07+;

auf Bestellung 320 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD06N03LA

07+ to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD06N03LA

Infineon Technologies

MOSFET N-KANAL POWER MOS

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IPD06N03LA

TO252

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD06N03LA G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V

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IPD06N03LA G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 25V 50A DPAK-2

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IPD06N03LA G

TO-252

auf Bestellung 1207 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD06N03LA G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V

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IPD06N03LAG

TO-252 10+

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD06N03LAG

Infineon Technologies

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V

auf Bestellung 25570 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

611+	1.16 EUR

Mindestbestellmenge: 611

IPD06N03LAG

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD06N03LAGBUMA1

Infineon Technologies

MOSFET

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IPD06N03LB G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD06N03LB G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

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IPD06N03LB G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2

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IPD06N03LBG

07+ to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD06N03LBG

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD06P002NATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

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IPD06P002NSAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V

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IPD06P003NATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

IPD06P003NSAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3

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IPD06P004NATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

IPD06P004NSAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 60V 16.4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 710µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V

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IPD06P005LATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

IPD06P005LSAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD06P005NATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V

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IPD06P005NATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

IPD06P005NSAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3

Produkt ist nicht verfügbar

IPD06P007NATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

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IPD075N03L G

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD075N03L G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

IPD075N03LG

Infineon Technologies

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET

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IPD075N03LGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 47W; PG-TO252-3
Power dissipation: 47W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2491 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

53+	1.36 EUR
88+	0.82 EUR
109+	0.66 EUR
126+	0.57 EUR
133+	0.54 EUR
1000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 53

IPD075N03LGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 47W; PG-TO252-3
Power dissipation: 47W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

auf Bestellung 2491 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

53+	1.36 EUR
88+	0.82 EUR
109+	0.66 EUR
126+	0.57 EUR
133+	0.54 EUR
1000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 53

IPD075N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD075N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD075N03LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.9 EUR
5000+	0.86 EUR
12500+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

IPD075N03LGATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2

auf Bestellung 8500 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

34+	1.55 EUR
44+	1.2 EUR
100+	0.99 EUR
500+	0.93 EUR
1000+	0.83 EUR
2500+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 34

IPD075N03LGATMA1
Produktcode: 172911

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

IPD075N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD075N03LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

auf Bestellung 18379 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

16+	1.66 EUR
21+	1.28 EUR
100+	1.07 EUR
500+	0.98 EUR
1000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 16

IPD075N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD075N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD079N06L3 G

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD079N06L3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

IPD079N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	1.05 EUR
5000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

IPD079N06L3GATMA1

Infineon Technologies

SP005559925

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD079N06L3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

auf Bestellung 82 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

21+	2.56 EUR
25+	2.09 EUR
100+	1.63 EUR
500+	1.38 EUR
1000+	1.12 EUR
2500+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 21

IPD079N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V

auf Bestellung 8555 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.55 EUR
13+	2.08 EUR
100+	1.62 EUR
500+	1.37 EUR
1000+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IPD079N06L3GBTMA1

Description: INFINEON - IPD079N06L3GBTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0063 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

auf Bestellung 420 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD079N06L3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IPD079N06L3GBTMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

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IPD079N06L3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V

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IPD079N06L3GBTMA1

Description: INFINEON - IPD079N06L3GBTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0063 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

auf Bestellung 420 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD079N06L3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IPD079N06L3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V

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IPD07N03L

07+ to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD07N03L

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD07N03L

09+

auf Bestellung 5030 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD07N03LA

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD07N03LAG

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD082N10N3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 100V 80A DPAK-2 OptiMOS 3

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IPD082N10N3G(Power-Transistor)
Produktcode: 82995

Verschiedene Bauteile > Other components 3

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IPD082N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1820 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

50+	3.18 EUR
54+	2.8 EUR
55+	2.65 EUR
100+	2.14 EUR
250+	2.01 EUR
500+	1.58 EUR
1000+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 50

IPD082N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V

auf Bestellung 28646 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	4.86 EUR
10+	4.03 EUR
100+	3.21 EUR
500+	2.71 EUR
1000+	2.3 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IPD082N10N3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO252-3
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
On-state resistance: 8.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IPD082N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD082N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 125
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 16825 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD082N10N3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH >=100V

auf Bestellung 702 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

12+	4.71 EUR
14+	3.77 EUR
100+	3.17 EUR
250+	3.07 EUR
500+	2.7 EUR
1000+	2.29 EUR
2500+	2.2 EUR

Mindestbestellmenge: 12

IPD082N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1820 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

50+	3.18 EUR
54+	2.8 EUR
55+	2.65 EUR
100+	2.14 EUR
250+	2.01 EUR
500+	1.58 EUR
1000+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 50

IPD082N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	2.19 EUR
5000+	2.1 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

IPD082N10N3GATMA1
Produktcode: 143398

Transistoren > MOSFET N-CH

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IPD082N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD082N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 16825 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD082N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 17500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD082N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IPD082N10N3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO252-3
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
On-state resistance: 8.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

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IPD082N10N3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD082N10N3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD082N10N3GBTMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 100V 80A DPAK-2 OptiMOS 3

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IPD088N04L G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2

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IPD088N04L G

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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IPD088N04LG

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD088N04LGBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD088N04LGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD088N04LGXT

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD088N04LGXT

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD088N06N3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

auf Bestellung 22160 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

IPD088N06N3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

IPD088N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD088N06N3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD088N06N3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD088N06N3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD088N06N3GBTMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH 40<-<100V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD088N06N3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD088N06N3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD090N03L G

Description: INFINEON - IPD090N03L G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 40
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

Produkt ist nicht verfügbar

IPD090N03L G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 40A DPAK-2 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

IPD090N03L G E8177

Infineon Technologies

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

IPD090N03LG

N-MOSFET 30V 40A 42W 9mΩ IPD090N03LG Infineon TIPD090n03lg
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 75 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 50

IPD090N03LG (Transistoren feld- N-Kanal)
Produktcode: 45566

Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 30
Idd,A: 40
Rds(on), Ohm: 01.09.2000
Ciss, pF/Qg, nC: /15
ZCODE: 8541290010

Produkt ist nicht verfügbar

IPD090N03LGATMA1

Description: INFINEON - IPD090N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 3311 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD090N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD090N03LGATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 40A DPAK-2

auf Bestellung 34314 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

33+	1.62 EUR
37+	1.41 EUR
100+	1.02 EUR
500+	0.84 EUR
1000+	0.79 EUR
2500+	0.69 EUR
5000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 33

IPD090N03LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15

auf Bestellung 92324 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

15+	1.82 EUR
17+	1.59 EUR
100+	1.1 EUR
500+	0.92 EUR
1000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 15

IPD090N03LGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

auf Bestellung 2498 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

48+	1.5 EUR
112+	0.64 EUR
126+	0.57 EUR
146+	0.49 EUR
154+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 48

IPD090N03LGATMA1

Description: INFINEON - IPD090N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 3311 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD090N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 950 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

158+	0.99 EUR
179+	0.84 EUR
211+	0.69 EUR
237+	0.59 EUR
250+	0.54 EUR
500+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 158

IPD090N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 950 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

211+	0.74 EUR
237+	0.64 EUR
250+	0.58 EUR
500+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 211

IPD090N03LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15

auf Bestellung 91305 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.7 EUR
5000+	0.66 EUR
12500+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

IPD090N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5064 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD090N03LGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2498 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

48+	1.5 EUR
112+	0.64 EUR
126+	0.57 EUR
146+	0.49 EUR
154+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 48

IPD090N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD090N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD090N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD090N03LGBTMA1
Produktcode: 163865

Transistoren > MOSFET N-CH

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IPD096N08N3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 80V 73A DPAK-2 OptiMOS 3

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IPD096N08N3G

Infineon technologies

auf Bestellung 748 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD096N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 73A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

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IPD096N08N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD096N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 73 A, 0.0079 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 756 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD096N08N3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 1833 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

16+	3.25 EUR
20+	2.6 EUR
100+	2.03 EUR
500+	1.76 EUR
1000+	1.43 EUR
2500+	1.35 EUR
5000+	1.28 EUR

Mindestbestellmenge: 16

IPD096N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 40 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	1.34 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

IPD096N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 73A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD096N08N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD096N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 73 A, 0.0079 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 756 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD096N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 73A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD096N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 40 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.25 EUR
10+	2.65 EUR
100+	2.06 EUR
500+	1.74 EUR
1000+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IPD096N08N3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD09N032AL-AP

09+

auf Bestellung 5018 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD09N03L

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD09N03LA

0424+

auf Bestellung 1330 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD09N03LA

TO252

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD09N03LA

Infineon Technologies

MOSFET N-KANAL POWER MOS

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IPD09N03LA

09+

auf Bestellung 5030 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD09N03LA G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD09N03LA G

09+

auf Bestellung 5030 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD09N03LA G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 25V 50A DPAK-2

Produkt ist nicht verfügbar

IPD09N03LA G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD09N03LAG

0825+

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD09N03LAGBUMA1

Infineon Technologies

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

IPD09N03LAP

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD09N03LB G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD09N03LBG

07+ to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD09N03LBG

0521+

auf Bestellung 4304 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD09N03LBG

Infineon Technologies

MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD09N03LBG

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD09N03LBG

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD1-02-D

Description: CONN RCPT HSG 4POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 4
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6

auf Bestellung 982 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10+	2.89 EUR
11+	2.44 EUR
25+	2.35 EUR
50+	2.3 EUR
100+	2.2 EUR
250+	2 EUR
500+	1.8 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IPD1-02-D-GP-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-02-D-K

Description: CONN RCPT HSG 4POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 4
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

auf Bestellung 3870 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.42 EUR
13+	2.03 EUR
25+	1.95 EUR
50+	1.91 EUR
100+	1.83 EUR
250+	1.66 EUR
500+	1.49 EUR
1000+	1.33 EUR
2500+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IPD1-02-D-K

Conn Housing F 4 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

auf Bestellung 99 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD1-02-D-K

Description: SAMTEC - IPD1-02-D-K - Steckverbindergehäuse, zwei Reihen, IPD1, Buchse, 4 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85472000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-02-D-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

auf Bestellung 24138 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

20+	2.7 EUR
22+	2.37 EUR
100+	2.04 EUR
500+	1.67 EUR
1000+	1.49 EUR
2500+	1.34 EUR
5000+	1.3 EUR

Mindestbestellmenge: 20

IPD1-02-D-K-M

Conn Housing F 4 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-02-D-K-M

Description: MINI-POWER CONN

auf Bestellung 1776 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD1-02-D-K-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

auf Bestellung 1884 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.63 EUR
100+	4.94 EUR
500+	4.19 EUR
1000+	3.56 EUR
2500+	3.28 EUR
5000+	3.2 EUR
10000+	3.12 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IPD1-02-D-K-M

Conn Housing F 4 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD1-02-D-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-02-D-M

Conn Housing RCP 4 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate® Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-02-D-P-M

Conn Housing F 4 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-02-D-P-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-02-S

Description: SAMTEC - IPD1-02-S - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 2 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85472000
Anzahl der Positionen: 2-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Buchsenkontakte der Produktreihen CC79L & CC79R von Samtec
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 19 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD1-02-S

Conn Housing F 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-02-S

Description: CONN RCPT HSG 2POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 2
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

auf Bestellung 1181 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10+	2.65 EUR
12+	2.26 EUR
100+	2.03 EUR
1000+	1.47 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IPD1-02-S

Conn Housing F 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount

auf Bestellung 26 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD1-02-S-K

Conn Housing RCP 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Bulk

auf Bestellung 38051 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

106+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 106

IPD1-02-S-K

Conn Housing RCP 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Bulk

auf Bestellung 5200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

103+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 103

IPD1-02-S-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

auf Bestellung 11358 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

20+	2.63 EUR
23+	2.29 EUR
100+	1.98 EUR
500+	1.62 EUR

Mindestbestellmenge: 20

IPD1-02-S-K

Description: CONN RCPT HSG 2POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 2
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

auf Bestellung 11777 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.42 EUR
13+	2.03 EUR
25+	1.95 EUR
50+	1.91 EUR
100+	1.83 EUR
250+	1.66 EUR
500+	1.49 EUR
1000+	1.33 EUR
2500+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IPD1-02-S-K

Conn Housing RCP 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-02-S-K

Conn Housing RCP 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Bulk

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IPD1-02-S-K

Conn Housing RCP 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Bulk

auf Bestellung 38051 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

106+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 106

IPD1-02-S-K

Conn Housing F 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

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IPD1-02-S-K

Description: SAMTEC - IPD1-02-S-K - Steckverbindergehäuse, eine Reihe, IPD1, Buchse, 2 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 2Ways
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 8913 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD1-02-S-K-M

Conn Housing RCP 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate® Bulk

auf Bestellung 780 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

31+	5.1 EUR

Mindestbestellmenge: 31

IPD1-02-S-K-M

Conn Housing RCP 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate® Bulk

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IPD1-02-S-K-M

Conn Housing RCP 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate® Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-02-S-K-M

Conn Housing RCP 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate® Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-02-S-K-M

Description: MINI-POWER CONN

auf Bestellung 367 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD1-02-S-K-M

Conn Housing RCP 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate® Bulk

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IPD1-02-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 2POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 2
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-02-S-K-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-02-S-K..

Description: SAMTEC - IPD1-02-S-K.. - Steckverbindergehäuse, Single Row, Buchse, 2 -polig, 2.54 mm, CC79 Series Socket Crimp Contacts
Rastermaß: 2.54
Ausführung: Buchse
Zur Verwendung mit: CC79 Series Socket Crimp Contacts
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-02-S-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

auf Bestellung 330 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

19+	2.89 EUR
21+	2.52 EUR
100+	2.17 EUR
500+	1.78 EUR

Mindestbestellmenge: 19

IPD1-03-D

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

auf Bestellung 464 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

20+	2.7 EUR
22+	2.37 EUR
100+	2.04 EUR
500+	1.67 EUR
1000+	1.49 EUR
2500+	1.34 EUR
5000+	1.3 EUR

Mindestbestellmenge: 20

IPD1-03-D

Description: CONN RCPT HSG 6POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 6
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

auf Bestellung 36 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.42 EUR
13+	2.03 EUR
25+	1.95 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IPD1-03-D

Conn Housing F 6 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

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IPD1-03-D-GP

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-03-D-GP

Description: MINI-POWER CONNECTOR

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IPD1-03-D-GP-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

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IPD1-03-D-GP-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-03-D-GP-R

Description: MINI-POWER CONNECTOR

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IPD1-03-D-K

Description: CONN RCPT HSG 6POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 6
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

auf Bestellung 9025 Stücke:

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11+	2.42 EUR
13+	2.03 EUR
25+	1.95 EUR
50+	1.91 EUR
100+	1.83 EUR
250+	1.66 EUR
500+	1.49 EUR
1000+	1.33 EUR
2500+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IPD1-03-D-K

Conn Housing F 6 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

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IPD1-03-D-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

auf Bestellung 65554 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

29+	1.84 EUR
33+	1.61 EUR
100+	1.43 EUR
500+	1.15 EUR
1000+	1.06 EUR
2500+	1.05 EUR
10000+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 29

IPD1-03-D-K .

Description: SAMTEC - IPD1-03-D-K . - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 6 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85472000
Anzahl der Positionen: 6-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 18 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD1-03-D-K-M

Description: CONN RECEPT .100" 6POS

auf Bestellung 927 Stücke:

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IPD1-03-D-K-M

Conn Housing F 6 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

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IPD1-03-D-K-M
Produktcode: 130196

Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen sonstige

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IPD1-03-D-K-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

auf Bestellung 271 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	13.16 EUR
10+	12.58 EUR
100+	10.5 EUR
500+	8.92 EUR
1000+	7.59 EUR
2500+	6.97 EUR
5000+	6.84 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IPD1-03-D-K-M

Description: SAMTEC - IPD1-03-D-K-M - Steckverbindergehäuse, Buchse, 6 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 6-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC69L/CC69R von Samtec
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD1-03-D-K-R

Description: MINI-POWER CONNECTOR

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IPD1-03-D-K-R

IPD1-03-D-K-R

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IPD1-03-D-K-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

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IPD1-03-D-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

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IPD1-03-D-M

Conn Housing RCP 6 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Bulk

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IPD1-03-D-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

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IPD1-03-D-P

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

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IPD1-03-D-P

Description: MINI-POWER CONNECTOR

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IPD1-03-D-P

Conn Housing 6 POS 2.54mm Crimp ST Loose

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IPD1-03-D-P-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-03-D-P-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-03-D-R

Description: MINI-POWER CONNECTOR

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IPD1-03-D-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

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IPD1-03-S

Conn Housing F 3 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-03-S

Description: CONN RCPT HSG 3POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 3
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Part Status: Active
Number of Rows: 1

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-03-S

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-03-S-K

Conn Housing F 3 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-03-S-K

Description: CONN RCPT HSG 3POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 3
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Part Status: Active
Number of Rows: 1
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6

auf Bestellung 2787 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10+	2.73 EUR
12+	2.31 EUR
25+	2.22 EUR
50+	2.17 EUR
100+	2.08 EUR
250+	1.89 EUR
500+	1.7 EUR
1000+	1.51 EUR
2500+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IPD1-03-S-K

Conn Housing F 3 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

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IPD1-03-S-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

auf Bestellung 4892 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

20+	2.7 EUR
22+	2.37 EUR
100+	2.04 EUR
500+	1.67 EUR
1000+	1.49 EUR
2500+	1.34 EUR
5000+	1.3 EUR

Mindestbestellmenge: 20

IPD1-03-S-K

Conn Housing F 3 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD1-03-S-K .

Description: SAMTEC - IPD1-03-S-K . - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 3 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 3-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 325 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD1-03-S-K-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

auf Bestellung 643 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	13.16 EUR
10+	12.58 EUR
100+	10.5 EUR
500+	8.92 EUR
1000+	7.59 EUR
2500+	6.97 EUR
5000+	6.84 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IPD1-03-S-K-M

Conn Housing F 3 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-03-S-K-M

Conn Housing F 3 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-03-S-K-M

Description: CONN RCPT HSG 3POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 3
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Part Status: Active
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

auf Bestellung 520 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	13.36 EUR
10+	12.13 EUR
25+	11.49 EUR
50+	11.22 EUR
100+	10.69 EUR
250+	9.35 EUR
500+	9.08 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPD1-03-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 3POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 3
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Part Status: Active
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-03-S-K-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-03-S-P

Description: CONN RCPT HSG 3POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 3
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Part Status: Active
Number of Rows: 1

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-03-S-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-03-S-R

Description: CONN RCPT HSG 3POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 3
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Part Status: Active
Number of Rows: 1

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-04-D

Description: MINI-POWER CONN

auf Bestellung 770 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD1-04-D

Conn Housing F 8 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

auf Bestellung 97 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD1-04-D

Description: SAMTEC - IPD1-04-D - Steckverbindergehäuse, Buchse, 8 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 8-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC69L/CC69R von Samtec
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD1-04-D-K

Description: CONN RCPT HSG 8POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 8
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

auf Bestellung 2621 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.42 EUR
13+	2.03 EUR
25+	1.95 EUR
50+	1.91 EUR
100+	1.83 EUR
250+	1.66 EUR
500+	1.49 EUR
1000+	1.33 EUR
2500+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IPD1-04-D-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

auf Bestellung 11409 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

20+	2.63 EUR
23+	2.29 EUR
100+	1.98 EUR
500+	1.62 EUR

Mindestbestellmenge: 20

IPD1-04-D-K .

Description: SAMTEC - IPD1-04-D-K . - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 8 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85472000
Anzahl der Positionen: 8-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 130 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD1-04-D-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

auf Bestellung 850 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD1-04-D-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

auf Bestellung 56 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

IPD1-04-D-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-04-D-P-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-04-S

Description: MINI-POWER CONN

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD1-04-S-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

auf Bestellung 5455 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

20+	2.63 EUR
23+	2.29 EUR
100+	1.98 EUR
500+	1.62 EUR

Mindestbestellmenge: 20

IPD1-04-S-K

Description: MINI-POWER CONN

auf Bestellung 1813 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD1-04-S-K .

Description: SAMTEC - IPD1-04-S-K . - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 4 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85472000
Anzahl der Positionen: 4-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79 von Samtec
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 238 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD1-04-S-K-M

Description: CONN RCPT HSG 4POS 2.54MM

auf Bestellung 229 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	13.31 EUR
10+	12.08 EUR
25+	11.44 EUR
50+	11.17 EUR
100+	10.64 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPD1-04-S-K-M

Conn Housing F 4 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

auf Bestellung 18 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD1-04-S-K-M

Description: SAMTEC - IPD1-04-S-K-M - Steckverbindergehäuse, Buchse, 4 -polig, 2.54 mm, Samtech Mini Mate IPD1 Series Socket Contacts
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD1-04-S-K-M

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

auf Bestellung 122 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

IPD1-04-S-K-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-04-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 4POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 4
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-05-D

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

auf Bestellung 6506 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

20+	2.63 EUR
23+	2.29 EUR
100+	1.98 EUR
500+	1.62 EUR

Mindestbestellmenge: 20

IPD1-05-D

Description: SAMTEC - IPD1-05-D - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 10 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85472000
Anzahl der Positionen: 10Ways
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 313 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD1-05-D

Description: CONN RCPT HSG 10POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 10
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

auf Bestellung 55955 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10+	2.63 EUR
12+	2.23 EUR
25+	2.14 EUR
50+	2.09 EUR
100+	2 EUR
250+	1.82 EUR
500+	1.64 EUR
1000+	1.46 EUR
2500+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IPD1-05-D

Conn Housing F 10 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Bulk

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD1-05-D-K

Conn Housing F 10 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Bulk

auf Bestellung 1417 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD1-05-D-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

auf Bestellung 26341 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

20+	2.63 EUR
23+	2.29 EUR
100+	1.98 EUR
500+	1.62 EUR

Mindestbestellmenge: 20

IPD1-05-D-K

Description: SAMTEC - IPD1-05-D-K - Steckverbindergehäuse, zwei Reihen, IPD1, Buchse, 10 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 10Ways
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 12255 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD1-05-D-K

Description: CONN RCPT HSG 10POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 10
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

auf Bestellung 12122 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

13+	2.08 EUR
15+	1.76 EUR
25+	1.69 EUR
50+	1.65 EUR
100+	1.58 EUR
250+	1.44 EUR
500+	1.29 EUR
1000+	1.15 EUR
2500+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 13

IPD1-05-D-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

auf Bestellung 86 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

IPD1-05-D-K-M

Description: SAMTEC - IPD1-05-D-K-M - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 10 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85472000
Anzahl der Positionen: 10Ways
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Buchsenkontakte der Produktreihe CC69 von Samtec
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 690 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD1-05-D-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

auf Bestellung 624 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD1-05-D-M

Description: CONN RCPT HSG 10POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 10
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

auf Bestellung 1127 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	8.92 EUR
50+	7.25 EUR
100+	6.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IPD1-05-D-M

Conn Housing RCP 10 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-05-D-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

auf Bestellung 35 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	8.97 EUR
50+	7.31 EUR
100+	6.76 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IPD1-05-D-P

Description: MINI-POWER CONN

auf Bestellung 975 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD1-05-D-P-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-05-S

Description: MINI-POWER CONN

auf Bestellung 1271 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD1-05-S-K

Description: CONN RCPT HSG 5POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 5
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

auf Bestellung 33488 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10+	2.65 EUR
12+	2.24 EUR
100+	2.01 EUR
1000+	1.46 EUR
5000+	1.28 EUR
10000+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IPD1-05-S-K-M

Headers & Wire Housings .100" MINI MATE DISCRETE WIRE SOCKET HOUSING

auf Bestellung 232 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

IPD1-05-S-K-M

Conn Housing F 5 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-05-S-K-M

Description: MINI-POWER CONN

auf Bestellung 142 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD1-05-S-K-M

Conn Housing F 5 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

auf Bestellung 35 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD1-05-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 5POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 5
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-06-D

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

auf Bestellung 1215 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

21+	2.6 EUR
23+	2.27 EUR
100+	1.96 EUR
500+	1.6 EUR
1000+	1.42 EUR
2500+	1.29 EUR
5000+	1.24 EUR

Mindestbestellmenge: 21

IPD1-06-D

Description: CONN RECEPT .100" 12POS

auf Bestellung 575 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD1-06-D-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

auf Bestellung 8975 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

21+	2.6 EUR
23+	2.27 EUR
100+	1.96 EUR
500+	1.6 EUR
1000+	1.42 EUR
2500+	1.29 EUR
5000+	1.24 EUR

Mindestbestellmenge: 21

IPD1-06-D-K

Description: CONN RECEPT .100" 12POS

auf Bestellung 2588 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD1-06-D-K

Conn Housing F 12 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Bulk

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD1-06-D-K .

Description: SAMTEC - IPD1-06-D-K . - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 12 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85472000
Anzahl der Positionen: 12-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 561 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD1-06-D-K-M

Conn Housing F 12 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-06-D-K-M

Description: SAMTEC - IPD1-06-D-K-M - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 12 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 12-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79 von Samtec
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD1-06-D-K-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

auf Bestellung 481 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	10.63 EUR
10+	9.2 EUR
100+	8.11 EUR
250+	7.77 EUR
500+	7.57 EUR
1000+	6.66 EUR
5000+	6.55 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IPD1-06-D-K-M

Description: CONN RCPT HSG 12POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Pick and Place, Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 12
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

auf Bestellung 1525 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	13.03 EUR
10+	11.83 EUR
25+	11.21 EUR
50+	10.95 EUR
100+	10.43 EUR
250+	9.12 EUR
500+	8.86 EUR
1000+	7.56 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPD1-06-D-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-06-D-M

Description: CONN RCPT HSG 12POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 12
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

auf Bestellung 17 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	13.39 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPD1-06-S-K

Description: MINI-POWER CONN

auf Bestellung 361 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD1-06-S-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

auf Bestellung 3696 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

23+	2.35 EUR
27+	1.93 EUR
100+	1.73 EUR
500+	1.55 EUR
1000+	1.26 EUR
2500+	1.21 EUR
10000+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 23

IPD1-06-S-K-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

auf Bestellung 26 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

IPD1-06-S-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

auf Bestellung 499 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD1-06-S-K-M

Conn Housing F 6 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

auf Bestellung 208 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

48+	3.15 EUR
52+	3.03 EUR

Mindestbestellmenge: 48

IPD1-06-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 6POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 6
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-06-S-K-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-07-D

Description: SAMTEC - IPD1-07-D - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 14 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 14-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79 von Samtec
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 48 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD1-07-D

Supercapacitors / Ultracapacitors 100F 2.7V +30% / -10% tol

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-07-D

Description: CONN RCPT HSG 14POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 14
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

auf Bestellung 1075 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.64 EUR
10+	3.16 EUR
100+	2.82 EUR
1000+	2.02 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IPD1-07-D-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

auf Bestellung 2309 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.93 EUR
15+	3.56 EUR
100+	3.04 EUR
500+	2.55 EUR

Mindestbestellmenge: 14

IPD1-07-D-K

Conn Housing F 14 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-07-D-K

Description: CONN RCPT HSG 14POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 14
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

auf Bestellung 1198 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

9+	3.15 EUR
10+	2.65 EUR
100+	2.38 EUR
1000+	1.73 EUR

Mindestbestellmenge: 9

IPD1-07-D-K

Conn Housing F 14 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD1-07-D-K

Conn Housing F 14 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-07-D-K

Description: SAMTEC - IPD1-07-D-K - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 14 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85472000
Anzahl der Positionen: 14
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Buchsenkontakte der Produktreihen CC79L & CC79R von Samtec
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 21 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD1-07-D-K-M

Description: CONN RCPT HSG 14POS 2.54MM
Packaging: Tube
Features: Pick and Place, Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 14
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

auf Bestellung 280 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	13.96 EUR
10+	12.7 EUR
25+	12.02 EUR
50+	11.74 EUR
100+	11.18 EUR
250+	9.79 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPD1-07-D-K-M

Conn Housing F 14 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-07-D-K-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

auf Bestellung 1165 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	9.91 EUR
112+	7.33 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IPD1-07-D-K-M

Conn Housing F 14 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-07-S-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-07-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 7POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 7
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-08-D

Description: MINI-POWER CONN

auf Bestellung 119 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD1-08-D

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

auf Bestellung 370 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

IPD1-08-D-GP

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-08-D-GP

Description: MINI-POWER CONNECTOR

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-08-D-GP-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-08-D-GP-R

Description: MINI-POWER CONNECTOR

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-08-D-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

auf Bestellung 12514 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

26+	2.03 EUR
33+	1.61 EUR
100+	1.4 EUR
500+	1.26 EUR

Mindestbestellmenge: 26

IPD1-08-D-K

Conn Housing F 16 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-08-D-K

Description: SAMTEC - IPD1-08-D-K - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 16 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85472000
Anzahl der Positionen: 16-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79 von Samtec
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 230 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD1-08-D-K

Description: CONN RCPT HSG 16POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 16
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

auf Bestellung 3337 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10+	2.7 EUR
12+	2.29 EUR
25+	2.19 EUR
50+	2.15 EUR
100+	2.05 EUR
250+	1.87 EUR
500+	1.68 EUR
1000+	1.49 EUR
2500+	1.35 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IPD1-08-D-K

Conn Housing F 16 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD1-08-D-K-M

Description: SAMTEC - IPD1-08-D-K-M - Steckverbindergehäuse, Buchse, 16 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 16-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC69L/CC69R von Samtec
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 22 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD1-08-D-K-M

Description: CONN RCPT HSG 16POS 2.54MM
Packaging: Tube
Features: Pick and Place, Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 16
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

auf Bestellung 4207 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	12.92 EUR
10+	11.74 EUR
25+	11.12 EUR
50+	10.86 EUR
100+	10.34 EUR
250+	9.05 EUR
500+	8.79 EUR
1000+	7.5 EUR
2500+	6.98 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IPD1-08-D-K-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

auf Bestellung 129 Stücke:

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IPD1-08-D-K-R

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

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IPD1-08-D-K-R

Description: MINI-POWER CONNECTOR

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IPD1-08-D-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

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IPD1-08-D-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

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IPD1-08-D-P

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

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IPD1-08-D-P

Description: MINI-POWER CONNECTOR

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IPD1-08-D-P-M

Conn Housing F 16 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

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IPD1-08-D-P-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

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IPD1-08-D-P-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

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IPD1-08-D-P-R

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

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IPD1-08-D-R

Description: MINI-POWER CONNECTOR

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IPD1-08-S

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

auf Bestellung 362 Stücke:

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19+	2.76 EUR
22+	2.4 EUR
100+	2.07 EUR
500+	1.7 EUR
1000+	1.51 EUR
2500+	1.36 EUR
5000+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 19

IPD1-08-S

Description: MINI-POWER CONNECTOR

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IPD1-08-S-K

Description: MINI-POWER CONN

auf Bestellung 216 Stücke:

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IPD1-08-S-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

auf Bestellung 2642 Stücke:

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21+	2.51 EUR
29+	1.85 EUR
100+	1.61 EUR
500+	1.55 EUR
1000+	1.51 EUR
2500+	1.36 EUR
5000+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 21

IPD1-08-S-K-M

Conn Housing F 8 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

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IPD1-08-S-K-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

auf Bestellung 35 Stücke:

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4+	13.05 EUR
10+	12.56 EUR
100+	10.27 EUR
500+	8.79 EUR
1000+	7.57 EUR
2500+	6.94 EUR
5000+	6.79 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IPD1-08-S-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

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IPD1-08-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 8POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 8
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

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IPD1-08-S-K-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

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IPD1-08-S-R

Description: MINI-POWER CONNECTOR

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IPD1-08-S-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

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IPD1-09-D-K

Description: CONN RCPT HSG 18POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 18
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6

auf Bestellung 2331 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.98 EUR
10+	3.46 EUR
25+	3.31 EUR
50+	3.24 EUR
100+	3.09 EUR
250+	2.79 EUR
500+	2.57 EUR
1000+	2.21 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IPD1-09-D-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

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IPD1-09-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 9POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 9
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

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IPD1-10-D

Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Tube

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IPD1-10-D

Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Tube

auf Bestellung 1 Stücke:

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IPD1-10-D

Description: SAMTEC - IPD1-10-D - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 20 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85472000
Anzahl der Positionen: 20-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Baureihe CC79 von Samtec
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 396 Stücke:

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IPD1-10-D

Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Tube

auf Bestellung 1637 Stücke:

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92+	1.71 EUR

Mindestbestellmenge: 92

IPD1-10-D

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

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IPD1-10-D

Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Tube

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IPD1-10-D

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 20
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

auf Bestellung 3885 Stücke:

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10+	2.7 EUR
12+	2.29 EUR
25+	2.19 EUR
50+	2.15 EUR
100+	2.05 EUR
250+	1.87 EUR
500+	1.68 EUR
1000+	1.49 EUR
2500+	1.35 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IPD1-10-D-GP

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM

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IPD1-10-D-GP-M

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM

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IPD1-10-D-GP-R

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM

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IPD1-10-D-K

Conn Housing RCP 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate® Tube

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IPD1-10-D-K

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 20
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

auf Bestellung 1927 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.18 EUR
15+	1.84 EUR
100+	1.65 EUR
1000+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 12

IPD1-10-D-K

Description: SAMTEC - IPD1-10-D-K - Steckverbindergehäuse, zwei Reihen, IPD1, Buchse, 20 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85472000
Anzahl der Positionen: 20Ways
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 5371 Stücke:

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IPD1-10-D-K

Conn Housing RCP 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate® Tube

auf Bestellung 1 Stücke:

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IPD1-10-D-K

Conn Housing RCP 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate® Tube

auf Bestellung 4450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	1.81 EUR

Mindestbestellmenge: 100

IPD1-10-D-K

Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

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IPD1-10-D-K-M

Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

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IPD1-10-D-K-M

Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

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IPD1-10-D-K-M

Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

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IPD1-10-D-K-M

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

auf Bestellung 464 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	12.35 EUR
10+	11.83 EUR
100+	9.88 EUR
500+	8.37 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IPD1-10-D-K-M

Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

auf Bestellung 1088 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

24+	6.64 EUR

Mindestbestellmenge: 24

IPD1-10-D-K-M

Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

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IPD1-10-D-K-M

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM

auf Bestellung 626 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	12.04 EUR
10+	10.92 EUR
25+	10.35 EUR
50+	10.11 EUR
100+	9.62 EUR
250+	8.42 EUR
500+	8.18 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IPD1-10-D-K-R

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM

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IPD1-10-D-K..

Description: SAMTEC - IPD1-10-D-K.. - Steckverbindergehäuse, Dual Row, Buchse, 20 -polig, 2.54 mm
Ausführung: Buchse
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79

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IPD1-10-D-M

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM

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IPD1-10-D-M

Conn Housing RCP 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Tube

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IPD1-10-D-M

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	14.04 EUR
10+	13.49 EUR
100+	11.23 EUR
500+	9.54 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IPD1-10-D-P

Conn Housing 20 POS 2.54mm Crimp ST Loose

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IPD1-10-D-P

Description: SAMTEC - IPD1-10-D-P - CONNECTOR
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

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IPD1-10-D-P

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	10.95 EUR
10+	9.94 EUR
25+	9.42 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IPD1-10-D-P

Conn Housing 20 POS 2.54mm Crimp ST Loose

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IPD1-10-D-P-M

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM

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IPD1-10-D-P-M

Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

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IPD1-10-D-P-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

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IPD1-10-D-P-R

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM

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IPD1-10-D-R

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM

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IPD1-10-S

Description: CONN RCPT HSG 10POS 2.54MM

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IPD1-10-S

Conn Housing F 10 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount

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IPD1-10-S

Conn Housing F 10 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount

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IPD1-10-S-K

Description: SAMTEC - IPD1-10-S-K - Steckverbindergehäuse, eine Reihe, IPD1, Buchse, 10 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 10-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 26 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD1-10-S-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

auf Bestellung 2193 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

18+	2.96 EUR
21+	2.59 EUR
100+	2.23 EUR
500+	1.82 EUR

Mindestbestellmenge: 18

IPD1-10-S-K

Conn Housing F 10 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

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IPD1-10-S-K

Conn Housing F 10 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

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IPD1-10-S-K

Conn Housing F 10 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

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IPD1-10-S-K

Description: CONN RCPT HSG 10POS 2.54MM

auf Bestellung 541 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10+	2.86 EUR
11+	2.42 EUR
25+	2.32 EUR
50+	2.27 EUR
100+	2.17 EUR
250+	1.98 EUR
500+	1.78 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IPD1-10-S-K

Conn Housing F 10 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

auf Bestellung 185 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

92+	1.71 EUR

Mindestbestellmenge: 92

IPD1-10-S-K-M

Description: CONN RCPT HSG 10POS 2.54MM

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IPD1-10-S-K-M

Headers & Wire Housings

auf Bestellung 85 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	7.67 EUR
10+	7.38 EUR
100+	6.14 EUR
500+	5.2 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IPD1-10-S-K-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-10-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 10POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 10
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

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IPD1-10-S-P

Description: CONN RCPT HSG 10POS 2.54MM

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-10-S-R

Description: CONN RCPT HSG 10POS 2.54MM

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-103-S-K-M

Description: CONN RCPT HSG 3POS 2.54MM

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-11-D-K

Conn Housing F 22 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-11-D-K

Description: MINI-POWER CONNECTOR

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD1-11-D-K-M

Conn Housing F 22 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

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IPD1-11-D-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

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IPD1-11-S-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

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IPD1-11-S-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-11-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 11POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 11
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

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IPD1-12-D-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

auf Bestellung 3939 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

19+	2.78 EUR
22+	2.43 EUR
100+	2.1 EUR
500+	1.71 EUR
1000+	1.53 EUR
2500+	1.38 EUR
5000+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 19

IPD1-12-D-K

Conn Housing F 24 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD1-12-D-K

Conn Housing F 24 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

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IPD1-12-D-K

Conn Housing F 24 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-12-D-K

Description: MINI-POWER CONNECTOR

auf Bestellung 1088 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD1-12-D-K-M

Conn Housing F 24 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-12-D-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

auf Bestellung 464 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD1-12-D-K-M

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

auf Bestellung 961 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

IPD1-12-D-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-12-D-M

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

auf Bestellung 64 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	14.04 EUR
10+	13.49 EUR
102+	11.23 EUR
510+	9.54 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IPD1-12-S-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-12-S-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-12-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 12POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 12
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

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IPD1-13-D

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

auf Bestellung 215 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.72 EUR
15+	3.48 EUR
100+	2.89 EUR
500+	2.41 EUR
1000+	2.06 EUR
2500+	1.91 EUR
5000+	1.83 EUR

Mindestbestellmenge: 14

IPD1-13-D

Conn Housing F 26 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

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IPD1-13-D-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

auf Bestellung 195 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.72 EUR
18+	3.04 EUR
100+	2.63 EUR
500+	2.41 EUR
1000+	1.97 EUR
2500+	1.87 EUR
5000+	1.83 EUR

Mindestbestellmenge: 14

IPD1-13-D-K

Conn Housing F 26 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-13-D-K

Description: CONN RCPT HSG 26POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 26
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

auf Bestellung 964 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.82 EUR
10+	3.33 EUR
25+	3.19 EUR
50+	3.12 EUR
100+	2.98 EUR
250+	2.69 EUR
500+	2.48 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IPD1-13-D-K-M

Conn Housing F 26 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

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IPD1-13-D-K-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

auf Bestellung 36 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	14.14 EUR
10+	13.6 EUR
105+	10.4 EUR
255+	10.14 EUR
510+	9.36 EUR
1005+	8.19 EUR
2505+	7.51 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IPD1-13-D-K-R

Description: MINI-POWER CONNECTOR

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IPD1-13-D-R

Description: MINI-POWER CONNECTOR

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IPD1-13-S-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-13-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 13POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 13
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

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IPD1-14-D-K

Conn Housing F 28 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

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IPD1-14-D-K

Description: CONN RCPT HSG 28POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 28
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

auf Bestellung 68 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.74 EUR
10+	3.27 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IPD1-14-D-K-M

Conn Housing F 28 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

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IPD1-14-D-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

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IPD1-14-S-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

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IPD1-14-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 14POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 14
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

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IPD1-15-D

Description: SAMTEC - IPD1-15-D - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 30 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85389099
Anzahl der Positionen: 30-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD1-15-D

Description: CONN RCPT 30POS .100" DUAL

auf Bestellung 426 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD1-15-D-K

Description: SAMTEC - IPD1-15-D-K - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 30 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85472000
Anzahl der Positionen: 30-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Buchsenkontakte der Produktreihe CC69 von Samtec
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 80 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD1-15-D-K

Description: MINI-POWER CONN

auf Bestellung 1563 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

9+	3.12 EUR
10+	2.62 EUR
25+	2.52 EUR
50+	2.46 EUR
100+	2.36 EUR
250+	2.14 EUR
500+	1.93 EUR
1000+	1.71 EUR

Mindestbestellmenge: 9

IPD1-15-D-K

Conn Housing F 30 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD1-15-D-K-M

Conn Housing F 30 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

auf Bestellung 210 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

54+	2.94 EUR

Mindestbestellmenge: 54

IPD1-15-D-K-M

Conn Housing F 30 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD1-15-D-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

auf Bestellung 65 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

IPD1-15-D-K-M

Description: CONN RCPT HSG 30POS 2.54MM
Packaging: Tube
Features: Pick and Place, Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 30
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

auf Bestellung 3023 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	13.03 EUR
10+	11.82 EUR
25+	11.2 EUR
50+	10.94 EUR
100+	10.42 EUR
250+	9.11 EUR
500+	8.85 EUR
1000+	7.55 EUR
2500+	7.03 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPD1-15-D-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

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IPD1-15-D-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

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IPD1-15-D-P-M

Conn Housing F 30 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

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IPD1-15-S-K

Description: MINI-POWER CONN

auf Bestellung 478 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD1-15-S-K .

Description: SAMTEC - IPD1-15-S-K . - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 15 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 15-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD1-15-S-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

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IPD1-15-S-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

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IPD1-15-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 15POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 15
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

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IPD1-16-D

Conn Housing F 32 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

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IPD1-16-D

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.6 EUR
100+	4.65 EUR
500+	3.87 EUR
1000+	3.3 EUR
2500+	3.07 EUR
5000+	2.94 EUR
10000+	2.89 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IPD1-16-D

Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 32
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-16-D

Conn Housing F 32 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-16-D-GP

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-16-D-GP

Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM
Features: Guide Post
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 32
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-16-D-GP-M

Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM
Features: Guide Post
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 32
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

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IPD1-16-D-GP-M

Headers & Wire Housings

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IPD1-16-D-GP-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-16-D-GP-R

Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM
Features: Guide Post
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 32
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-16-D-K

Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 32
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

auf Bestellung 805 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	5.95 EUR
10+	5.18 EUR
25+	4.96 EUR
50+	4.85 EUR
100+	4.63 EUR
250+	4.18 EUR
500+	3.85 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IPD1-16-D-K

Conn Housing F 32 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-16-D-K

Conn Housing F 32 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-16-D-K

Conn Housing F 32 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

auf Bestellung 75 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

38+	4.12 EUR

Mindestbestellmenge: 38

IPD1-16-D-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

auf Bestellung 5844 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

9+	6.06 EUR
11+	4.94 EUR
100+	4.26 EUR
500+	3.93 EUR
1000+	3.28 EUR
2500+	3.12 EUR
5000+	3.02 EUR

Mindestbestellmenge: 9

IPD1-16-D-K .

Description: SAMTEC - IPD1-16-D-K . - Steckverbindergehäuse, zwei Reihen, IPD1, Buchse, 32 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 32-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD1-16-D-K-M

Conn Housing F 32 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-16-D-K-M

Conn Housing F 32 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-16-D-K-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

auf Bestellung 288 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	15.63 EUR
12+	14.98 EUR
108+	12.35 EUR
252+	11.57 EUR
504+	10.4 EUR
1008+	9.1 EUR
2508+	8.63 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IPD1-16-D-K-M

Conn Housing F 32 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-16-D-K-M

Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Tube
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 32
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

auf Bestellung 58 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	15.44 EUR
10+	13.98 EUR
25+	13.2 EUR
50+	12.88 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPD1-16-D-K-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

auf Bestellung 166 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

19+	2.83 EUR
22+	2.47 EUR
100+	2.12 EUR
500+	1.74 EUR
1000+	1.55 EUR
2500+	1.4 EUR
5000+	1.35 EUR

Mindestbestellmenge: 19

IPD1-16-D-K-R

Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 32
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-16-D-M

Conn Housing RCP 32 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate®

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-16-D-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

auf Bestellung 62 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	15.63 EUR
12+	14.98 EUR
108+	11.28 EUR
252+	11 EUR
504+	10.35 EUR
1008+	9.1 EUR
2508+	8.63 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IPD1-16-D-M

Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 32
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

auf Bestellung 48 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	15.44 EUR
10+	13.98 EUR
25+	13.2 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPD1-16-D-P

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-16-D-P

Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 32
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-16-D-P-M

Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 32
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-16-D-P-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-16-D-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-16-D-R

Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 32
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-16-S-K

Description: MINI-POWER CONNECTOR

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD1-16-S-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-16-S-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-16-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 16POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 16
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-17-D-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-17-S-K

Conn Housing F 17 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD1-17-S-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-17-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 17POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 17
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-18-D-K

Description: CONN RCPT HSG 36POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 36
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2

auf Bestellung 317 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	6.6 EUR
10+	5.74 EUR
25+	5.5 EUR
50+	5.37 EUR
100+	5.13 EUR
250+	4.64 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IPD1-18-D-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

auf Bestellung 34 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.73 EUR
100+	4.76 EUR
500+	3.95 EUR
1000+	3.41 EUR
2500+	3.15 EUR
5000+	3.02 EUR
10000+	2.96 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IPD1-18-D-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-18-S-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-18-S-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-18-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 18POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 18
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-19-S-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-19-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 19POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 19
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-20-D

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

auf Bestellung 314 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.84 EUR
100+	4.81 EUR
500+	4 EUR
1000+	3.43 EUR
2500+	3.17 EUR
5000+	3.07 EUR
10000+	2.99 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IPD1-20-D

Description: CONN RECEPT .100" 40POS

auf Bestellung 187 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD1-20-D-GP

Description: MINI-POWER CONNECTOR

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-20-D-GP-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-20-D-GP-R

Description: MINI-POWER CONNECTOR

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-20-D-K

Description: SAMTEC - IPD1-20-D-K - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 40 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 40-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Baureihe CC79 von SAMTEC
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 158 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD1-20-D-K

Conn Housing F 40 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-20-D-K

Description: MINI-POWER CONN

auf Bestellung 195 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD1-20-D-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

auf Bestellung 4800 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

10+	5.62 EUR
12+	4.68 EUR
100+	3.87 EUR
500+	3.54 EUR
1000+	2.89 EUR
2500+	2.81 EUR
10000+	2.68 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IPD1-20-D-K-M

Description: CONN RCPT HSG 40POS 2.54MM
Packaging: Tube
Features: Pick and Place, Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 40
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2

auf Bestellung 523 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	14.3 EUR
10+	12.99 EUR
25+	12.31 EUR
50+	12.02 EUR
100+	11.45 EUR
250+	10.02 EUR
500+	9.73 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPD1-20-D-K-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

auf Bestellung 77 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	13.31 EUR
10+	12.79 EUR
100+	10.66 EUR
500+	9.05 EUR
1000+	7.72 EUR
2500+	7.07 EUR
5000+	6.94 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IPD1-20-D-K-R

Description: MINI-POWER CONNECTOR

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-20-D-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-20-D-M

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

auf Bestellung 76 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	16.9 EUR
10+	16.2 EUR
100+	13.36 EUR
500+	11.26 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IPD1-20-D-P

Description: MINI-POWER CONNECTOR

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-20-D-P

Headers & Wire Housings Samtec

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

3+	24.21 EUR
10+	23.14 EUR
100+	19.47 EUR
250+	16.46 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IPD1-20-D-P-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-20-D-R

Description: MINI-POWER CONNECTOR

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-20-S-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-20-S-K

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 20
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-20-S-K-M

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM
Packaging: Tube
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 20
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10+	12.99 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IPD1-20-S-K-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-20-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 20
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-20-S-K-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-20-S-R

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 20
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-20-S-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-21-D

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-21-D-GP

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-21-D-GP-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-21-D-K

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-21-D-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-21-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 21POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 21
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-22-D

Conn Housing F 44 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-22-D-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-22-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 22POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 22
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-23-D

Conn Housing F 46 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-23-S-K-M

Headers & Wire Housings

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-23-S-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-23-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 23POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 23
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-24-D-P-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-24-D-R

Description: CONN RCPT HSG 48POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 48
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-24-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 24POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 24
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-25-D

Conn Housing F 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount

auf Bestellung 353 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD1-25-D

Description: CONN HOUSING 50 POS 2.54MM ST

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-25-D

Conn Housing F 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount

auf Bestellung 31 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD1-25-D-GP-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-25-D-K

Conn Housing F 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-25-D-K

Description: CONN RCPT HSG 50POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 50
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6

auf Bestellung 22 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	6.58 EUR
10+	5.73 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IPD1-25-D-K

Conn Housing F 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD1-25-D-K

Conn Housing F 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

auf Bestellung 825 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

50+	3.92 EUR

Mindestbestellmenge: 50

IPD1-25-D-K

Conn Housing F 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-25-D-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

auf Bestellung 286 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

10+	5.25 EUR
500+	4.19 EUR
1000+	3.56 EUR
2500+	3.22 EUR
5000+	3.07 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IPD1-25-D-K .

Description: SAMTEC - IPD1-25-D-K . - Steckverbindergehäuse, zwei Reihen, IPD1, Buchse, 50 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 50-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 28 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD1-25-D-K-M

Conn Housing F 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-25-D-K-M

Conn Housing F 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-25-D-K-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

auf Bestellung 72 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	15.91 EUR
8+	13.99 EUR
104+	11.36 EUR
256+	10.69 EUR
504+	9.83 EUR
1000+	8.63 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IPD1-25-D-K-M

Conn Housing F 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-25-D-K-M

Description: CONN RCPT HSG 50POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Tube
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 50
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

auf Bestellung 580 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	16.33 EUR
10+	14.78 EUR
25+	13.96 EUR
50+	13.62 EUR
100+	12.94 EUR
250+	11.58 EUR
500+	10.9 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPD1-25-D-K-R

Description: CONN RCPT HSG 50POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 50
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-25-D-K-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-25-D-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-25-D-P

Description: CONN RCPT HSG 50POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 50
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-25-D-P

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-25-D-P

Conn Housing 50 POS 2.54mm Crimp ST Loose

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-25-D-P-M

Conn Housing RCP 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate®

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-25-D-P-M

Description: CONN RCPT HSG 50POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 50
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-25-D-P-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-25-S-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

Produkt ist nicht verfügbar

IPD1-25-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 25POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 25
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

Produkt ist nicht verfügbar

IPD100N04S4-02

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

64+	2.47 EUR
66+	2.29 EUR
100+	2.13 EUR
250+	1.99 EUR
500+	1.86 EUR
1000+	1.74 EUR
2500+	1.62 EUR

Mindestbestellmenge: 64

IPD100N04S4-02

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 40V 100A DPAK-2 OptiMOS-T2

auf Bestellung 11806 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

10+	5.49 EUR
13+	4.29 EUR
100+	3.64 EUR
250+	3.35 EUR
500+	3.04 EUR
1000+	2.6 EUR
2500+	2.44 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IPD100N04S402ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 188 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

71+	2.21 EUR
100+	2.04 EUR

Mindestbestellmenge: 71

IPD100N04S402ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD100N04S402ATMA1

Description: INFINEON - IPD100N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 26294 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD100N04S402ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD100N04S402ATMA1

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD100N04S402ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 130000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.73 EUR
32500+	1.53 EUR
65000+	1.37 EUR
97500+	1.24 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

IPD100N04S402ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V

auf Bestellung 4318 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	5.49 EUR
10+	4.54 EUR
100+	3.62 EUR
500+	3.06 EUR
1000+	2.6 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IPD100N04S402ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

Produkt ist nicht verfügbar

IPD100N04S402ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 130000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.5 EUR
5000+	1.41 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

IPD100N04S402ATMA1

Description: INFINEON - IPD100N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 26294 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD100N04S402ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

45+	3.53 EUR
50+	3.13 EUR
100+	2.52 EUR
200+	2.29 EUR
500+	2.01 EUR
1000+	1.87 EUR
2000+	1.72 EUR
2500+	1.57 EUR
5000+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 45

IPD100N04S402ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 130000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD100N04S402ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	2.47 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

IPD100N04S4L-02

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

Produkt ist nicht verfügbar

IPD100N04S4L02ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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IPD100N04S4L02ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IPD100N04S4L02ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2219 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	6.19 EUR
10+	5.14 EUR
100+	4.09 EUR
500+	3.46 EUR
1000+	2.94 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IPD100N04S4L02ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 2490 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

9+	6.21 EUR
11+	5.17 EUR
100+	4.11 EUR
250+	3.8 EUR
500+	3.43 EUR
1000+	2.94 EUR
2500+	2.81 EUR

Mindestbestellmenge: 9

IPD100N04S4L02ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IPD100N06S4-03

TO252 09+

auf Bestellung 2000 Stücke:

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IPD100N06S403ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IPD100N06S403ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V

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IPD100N06S403ATMA2

Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3,5mOhm; 100A; 150W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IPD100N06S4-03; IPD100N06S403ATMA2; IPD100N06S403ATMA1; IPD100N06S403ATMA2 TIPD100n06s403
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke

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4+	10.3 EUR

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IPD100N06S403ATMA2

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET

auf Bestellung 4741 Stücke:

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10+	5.23 EUR
13+	4.13 EUR
100+	3.46 EUR
250+	3.2 EUR
500+	2.91 EUR
1000+	2.49 EUR
2500+	2.37 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IPD100N06S403ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IPD100N06S403ATMA2

Description: INFINEON - IPD100N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm

auf Bestellung 4440 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPD100N06S403ATMA2

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD100N06S403ATMA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	2.35 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

IPD100N06S403ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IPD100N06S403ATMA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2859 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	5.2 EUR
10+	4.33 EUR
100+	3.45 EUR
500+	2.92 EUR
1000+	2.47 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IPD100N06S403ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IPD105N03L G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 35A DPAK-2 OptiMOS 3

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IPD105N03LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD105N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPD105N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IPD105N03LGXT

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IPD105N04L G

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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IPD105N04LG

SOT-252 09+

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD105N04LG

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPD105N04LGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IPD105N04LGBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 40A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPD105N04LGXT

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar