Produkte > IPD

Description: INFINEON - IPD020N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 143 A, 2050 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 143A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 3903 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD020N03LF2SATMA1

MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

auf Bestellung 1004 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.69 EUR
10+	1.72 EUR
100+	1.15 EUR
500+	0.91 EUR
1000+	0.83 EUR
2000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD020N03LF2SATMA1

Description: IPD020N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD020N03LF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD020N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 143 A, 2050 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 143A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 3903 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD020N03LF2SATMA1

Description: IPD020N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V

auf Bestellung 2240 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.66 EUR
11+	1.69 EUR
100+	1.14 EUR
500+	0.9 EUR
1000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD023N03LF2SATMA1

Description: IPD023N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.78 EUR
10+	1.76 EUR
100+	1.18 EUR
500+	0.93 EUR
1000+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD023N03LF2SATMA1

Description: IPD023N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD023N03LF2SATMA1

MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

auf Bestellung 3929 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.39 EUR
10+	1.51 EUR
100+	1.01 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.75 EUR
2000+	0.64 EUR
4000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD023N04NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD023N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 143 A, 0.0019 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 143A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1795 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD023N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V

auf Bestellung 2084 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.83 EUR
10+	1.8 EUR
100+	1.21 EUR
500+	0.95 EUR
1000+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD023N04NF2SATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD023N04NF2SATMA1

auf Bestellung 1795 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD023N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD024N06N

MOSFETs 60V TO-252

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD024N06NATMA1

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD025N06N

MOSFETs N-Ch 60V 90A DPAK-2

auf Bestellung 13328 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.65 EUR
10+	2.97 EUR
100+	2.02 EUR
500+	1.69 EUR
1000+	1.61 EUR
2500+	1.51 EUR
5000+	1.46 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD025N06N

auf Bestellung 2479 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD025N06N

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2440 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

47+	3.12 EUR
50+	2.89 EUR
100+	2.69 EUR
250+	2.51 EUR
500+	2.34 EUR
1000+	2.19 EUR

Mindestbestellmenge: 47

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD025N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD025N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 67500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

237+	2.29 EUR
500+	1.99 EUR
1000+	1.76 EUR
10000+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 237

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD025N06NATMA1

Description: INFINEON - IPD025N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 2500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 7284 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD025N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.28 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD025N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.36 EUR
5000+	1.28 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD025N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 7902 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

45+	3.22 EUR
65+	2.17 EUR
100+	2.05 EUR
500+	1.51 EUR
1000+	1.16 EUR
2000+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 45

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD025N06NATMA1

MOSFETs N-Ch 60V 90A DPAK-2

auf Bestellung 7219 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.58 EUR
10+	2.8 EUR
100+	2.04 EUR
500+	1.65 EUR
1000+	1.57 EUR
2500+	1.46 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD025N06NATMA1

Description: INFINEON - IPD025N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 2500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 5328 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD025N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD025N06NATMA1
Produktcode: 169019

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD025N06NATMA1

MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD025N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V

auf Bestellung 5952 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.52 EUR
10+	2.93 EUR
100+	2.01 EUR
500+	1.62 EUR
1000+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD025N06NATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™

auf Bestellung 1512 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

28+	2.56 EUR
35+	2.1 EUR
50+	2.03 EUR

Mindestbestellmenge: 28

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD028N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 139A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD028N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD028N06NF2SATMA1

MOSFETs IFX FET 60V

auf Bestellung 1930 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.4 EUR
10+	2.22 EUR
100+	1.49 EUR
500+	1.21 EUR
1000+	1.15 EUR
2000+	0.99 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD028N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

88+	1.65 EUR
100+	1.4 EUR
103+	1.31 EUR
117+	1.11 EUR
250+	1 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 88

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD028N06NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD028N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 139 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1980 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD028N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	1.45 EUR
103+	1.36 EUR
117+	1.15 EUR
250+	1.04 EUR
500+	0.93 EUR
1000+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 100

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD028N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 139A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V

auf Bestellung 3162 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.4 EUR
10+	2.19 EUR
100+	1.49 EUR
500+	1.19 EUR
1000+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD028N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD028N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD028N06NF2SATMA1

auf Bestellung 1980 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD028N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD029N04NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD029N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 131 A, 2400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 445 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD029N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD029N04NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD029N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 131 A, 2400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 445 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD029N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V

auf Bestellung 327 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.72 EUR
13+	1.41 EUR
100+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD029N04NF2SATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

auf Bestellung 2046 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.7 EUR
10+	1.39 EUR
100+	1.08 EUR
500+	0.92 EUR
1000+	0.78 EUR
2000+	0.67 EUR
10000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD030N03LF2SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 160A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.05mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 15 V

auf Bestellung 1869 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.16 EUR
13+	1.37 EUR
100+	0.91 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD030N03LF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD030N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 99 A, 0.00305 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00305ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3978 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD030N03LF2SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 160A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.05mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD030N03LF2SATMA1

MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

auf Bestellung 3724 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.27 EUR
10+	1.43 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.68 EUR
2000+	0.59 EUR
4000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD030N03LF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD030N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 99 A, 0.00305 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00305ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3978 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD031N03L G

MOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD031N03L G E8177

MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD031N03LG

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD031N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 103 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD031N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V

auf Bestellung 4093 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.57 EUR
11+	1.63 EUR
100+	1.09 EUR
500+	0.86 EUR
1000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD031N03LGATMA1

MOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

auf Bestellung 5042 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1 EUR
10+	0.86 EUR
100+	0.74 EUR
500+	0.72 EUR
2500+	0.63 EUR
5000+	0.62 EUR
10000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD031N03LGATMA1
Produktcode: 149574

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD031N03LGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 2724 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

90+	0.8 EUR
99+	0.72 EUR
106+	0.68 EUR
109+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 90

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD031N03LGATMA1

Description: INFINEON - IPD031N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 3100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1430 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD031N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 103 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD031N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD031N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD031N03LGBTMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD031N03LGBTMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD031N03LGBTMA1

MOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD031N03M G

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD031N06L3 G

MOSFETs N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3

auf Bestellung 2312 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.56 EUR
10+	3.8 EUR
100+	3.03 EUR
250+	2.8 EUR
500+	2.53 EUR
1000+	2.16 EUR
2500+	2.06 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD031N06L3G

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD031N06L3G

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

39+	3.79 EUR
50+	3.52 EUR
100+	3.27 EUR
250+	3.05 EUR
500+	2.85 EUR
1000+	2.66 EUR
2500+	2.49 EUR

Mindestbestellmenge: 39

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD031N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

auf Bestellung 52500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.62 EUR
5000+	1.53 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD031N06L3GATMA1

MOSFETs N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3

auf Bestellung 4795 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.14 EUR
10+	3.04 EUR
100+	2.5 EUR
250+	2.45 EUR
500+	2.13 EUR
1000+	1.99 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD031N06L3GATMA1

MOSFET N-Channel 60V 100A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD031N06L3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 436 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

26+	2.77 EUR
32+	2.29 EUR
35+	2.07 EUR
50+	1.73 EUR

Mindestbestellmenge: 26

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD031N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.55 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD031N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1235 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

91+	1.59 EUR
93+	1.51 EUR
94+	1.43 EUR
100+	1.36 EUR
250+	1.28 EUR
500+	1.21 EUR
1000+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 91

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD031N06L3GATMA1

Description: INFINEON - IPD031N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0031 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 2582 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD031N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 10002 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

80+	1.81 EUR

Mindestbestellmenge: 80

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD031N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.57 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD031N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

auf Bestellung 53836 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.23 EUR
10+	3.39 EUR
100+	2.36 EUR
500+	1.91 EUR
1000+	1.88 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD031N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 924 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

65+	2.25 EUR
100+	2.07 EUR
250+	1.91 EUR
500+	1.77 EUR

Mindestbestellmenge: 65

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD031N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD031N06L3GATMA1

Description: INFINEON - IPD031N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 747 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD031N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1235 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

91+	1.59 EUR
93+	1.51 EUR
94+	1.43 EUR
100+	1.36 EUR
250+	1.28 EUR
500+	1.21 EUR
1000+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 91

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD033N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD033N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD033N06NATMA1

Power Management Specialised - PMIC TRENCH 40<-<100V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD033N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V

auf Bestellung 2056 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.73 EUR
10+	3.06 EUR
100+	2.11 EUR
500+	1.71 EUR
1000+	1.58 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD034N06N3 G

MOSFETs N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3

auf Bestellung 2121 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.63 EUR
10+	2.32 EUR
100+	1.59 EUR
500+	1.26 EUR
1000+	1.16 EUR
2500+	1.06 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD034N06N3 G

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2080 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

65+	2.24 EUR
100+	2.06 EUR
250+	1.91 EUR
500+	1.77 EUR
1000+	1.64 EUR

Mindestbestellmenge: 65

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD034N06N3G

auf Bestellung 1400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD034N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD034N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2322 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

316+	1.72 EUR

Mindestbestellmenge: 316

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD034N06N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD034N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 4729 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD034N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

auf Bestellung 27500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.03 EUR
5000+	0.97 EUR
7500+	0.93 EUR
12500+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD034N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1382 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

316+	1.72 EUR

Mindestbestellmenge: 316

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD034N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD034N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.93 EUR
5000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD034N06N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TO252-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 630 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

29+	2.5 EUR
36+	1.99 EUR
41+	1.76 EUR
55+	1.32 EUR
100+	1.3 EUR

Mindestbestellmenge: 29

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD034N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.92 EUR
5000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD034N06N3GATMA1

MOSFETs N

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD034N06N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD034N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 4729 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD034N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

auf Bestellung 29623 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.57 EUR
10+	2.29 EUR
100+	1.56 EUR
500+	1.24 EUR
1000+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD035N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD036N04L G
Produktcode: 166396

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD036N04L G

MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

auf Bestellung 465 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD036N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD036N04LGATMA1

MOSFETs IFX FET 40V

auf Bestellung 2492 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.69 EUR
10+	1.71 EUR
100+	1.14 EUR
500+	0.9 EUR
1000+	0.82 EUR
2500+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD036N04LGATMA1

Description: INFINEON - IPD036N04LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1416 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD036N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.68 EUR
5000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD036N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1825 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

76+	1.91 EUR
123+	1.14 EUR
200+	1.05 EUR
500+	0.8 EUR
1000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 76

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD036N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD036N04LGATMA1

Description: INFINEON - IPD036N04LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1416 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD036N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD036N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V

auf Bestellung 16996 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.82 EUR
10+	1.78 EUR
100+	1.19 EUR
500+	0.94 EUR
1000+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD036N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD036N04LGBTMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD036N04LGBTMA1

MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD036N04LGBTMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD036N04LGBTMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD038N04N G

MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD038N04NGBTMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD038N04NGBTMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD038N06N3

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD038N06N3 G

MOSFETs N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

auf Bestellung 374 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.59 EUR
10+	2.31 EUR
100+	1.56 EUR
500+	1.31 EUR
1000+	1.15 EUR
2500+	1.06 EUR
5000+	1.03 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD038N06N3G

Description: IPD038N06N3G

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD038N06N3G

09+ QFP-64

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD038N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD038N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 30 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD038N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 692 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

63+	2.32 EUR
70+	2 EUR
74+	1.82 EUR
100+	1.32 EUR
500+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 63

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD038N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 30 V

auf Bestellung 2515 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.48 EUR
10+	2.24 EUR
100+	1.52 EUR
500+	1.22 EUR
1000+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD038N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V

auf Bestellung 3814 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.45 EUR
12+	1.54 EUR
100+	1.03 EUR
500+	0.8 EUR
1000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD038N06NF2SATMA1

MOSFETs IFX FET 60V

auf Bestellung 3702 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.27 EUR
10+	1.44 EUR
100+	0.96 EUR
500+	0.75 EUR
1000+	0.69 EUR
2000+	0.61 EUR
4000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD038N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD03N03LA

07+ to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD03N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD03N03LAG

07+ to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD03N03LAP

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD03N03LB

07+ to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD03N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD03NLBG

07+ to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD040N03L G

MOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD040N03L G E8177

MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD040N03LF2SATMA1

MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

auf Bestellung 3728 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.11 EUR
10+	1.34 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.63 EUR
2000+	0.58 EUR
4000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD040N03LF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD040N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 4050 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 3898 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD040N03LF2SATMA1

Power-Transistor MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD040N03LF2SATMA1

Description: IPD040N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.05mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V

auf Bestellung 1846 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.09 EUR
14+	1.32 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD040N03LF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD040N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 4050 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 3898 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD040N03LF2SATMA1

Power-Transistor MOSFET

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

226+	0.64 EUR
251+	0.56 EUR
262+	0.51 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 226

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD040N03LF2SATMA1

Description: IPD040N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.05mOhm @ 40A, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-34

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD040N03LF2SATMA1

Power-Transistor MOSFET

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

181+	0.8 EUR
214+	0.65 EUR
226+	0.59 EUR
251+	0.51 EUR
262+	0.47 EUR
500+	0.42 EUR
1000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 181

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD040N03LG

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD040N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD040N03LGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3

auf Bestellung 2247 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

52+	1.39 EUR
82+	0.88 EUR
120+	0.6 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 52

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD040N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

auf Bestellung 2393 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.22 EUR
13+	1.39 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.72 EUR
1000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD040N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 447 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

348+	0.42 EUR
354+	0.39 EUR
360+	0.37 EUR
366+	0.35 EUR
372+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 348

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD040N03LGATMA1
Produktcode: 128410

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD040N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD040N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 447 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

354+	0.41 EUR
360+	0.39 EUR
366+	0.37 EUR
372+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 354

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD040N03LGATMA1

MOSFETs IFX FET 15V-30V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD040N03LGBTMA1

MOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD040N03LGBTMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD040N08NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD040N08NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

auf Bestellung 3099 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.15 EUR
10+	2.68 EUR
100+	1.84 EUR
500+	1.5 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD040N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 129 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD040N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 129 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD040N08NF2SATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 2563 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.87 EUR
10+	2.66 EUR
100+	1.85 EUR
500+	1.49 EUR
1000+	1.46 EUR
2000+	1.27 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD042P03L3

Група товару: Транзистори Од. вим: шт

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD042P03L3 G

MOSFET P-Ch -30V 70A DPAK-2 OptiMOS P3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD042P03L3G

auf Bestellung 178 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD042P03L3GATMA1

Description: INFINEON - IPD042P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, p-Kanal, 30 V, 70 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 6542 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD042P03L3GATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

auf Bestellung 17998 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.76 EUR
10+	1.99 EUR
25+	1.9 EUR
100+	1.54 EUR
500+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD042P03L3GATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 15 V

auf Bestellung 9936 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.7 EUR
10+	2.37 EUR
100+	1.61 EUR
500+	1.29 EUR
1000+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD042P03L3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.06 EUR
5000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD042P03L3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 3990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

49+	2.98 EUR
52+	2.68 EUR
100+	2.21 EUR
200+	2.02 EUR
500+	1.78 EUR
1000+	1.45 EUR
2000+	1.35 EUR
2500+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 49

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD042P03L3GATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 15 V

auf Bestellung 9936 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.07 EUR
5000+	1 EUR
7500+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD042P03L3GATMA1

Description: INFINEON - IPD042P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, p-Kanal, 30 V, 70 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 6542 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD042P03L3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.06 EUR
5000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD042P03L3GBTMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD042P03L3GBTMA1

MOSFETs P-Ch -30V 70A DPAK-2 OptiMOS P3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD042P03L3GBTMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD046N08N5

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD046N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD046N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD046N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.96 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD046N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

auf Bestellung 1649 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.91 EUR
10+	3.19 EUR
100+	2.22 EUR
500+	1.89 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD046N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

29+	5.15 EUR
39+	3.6 EUR
50+	2.8 EUR
100+	2.66 EUR
200+	2.54 EUR
500+	2.05 EUR
1000+	1.67 EUR
2000+	1.62 EUR

Mindestbestellmenge: 29

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD046N08N5ATMA1

MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS

auf Bestellung 106 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.49 EUR
10+	3.22 EUR
100+	2.24 EUR
500+	1.92 EUR
1000+	1.88 EUR
2500+	1.62 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD047N03LF2SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 71A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD047N03LF2SATMA1

MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

auf Bestellung 1979 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.94 EUR
10+	1.21 EUR
100+	0.8 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.55 EUR
2000+	0.49 EUR
4000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD047N03LF2SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 71A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V

auf Bestellung 1564 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.81 EUR
16+	1.14 EUR
100+	0.75 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD047N03LF2SATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 71A; 65W; DPAK,TO252
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.7mΩ
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 71A
Power dissipation: 65W
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD048N06L3 G

MOSFETs N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD048N06L3 G

auf Bestellung 42500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD048N06L3 G

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1925 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

87+	1.68 EUR
100+	1.55 EUR
250+	1.43 EUR
500+	1.33 EUR
1000+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 87

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD048N06L3G

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD048N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.72 EUR
5000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD048N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD048N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.97 EUR
5000+	0.91 EUR
7500+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD048N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD048N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.72 EUR
5000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD048N06L3GATMA1

MOSFETs IFX FET 60V

auf Bestellung 5144 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.99 EUR
10+	1.9 EUR
100+	1.28 EUR
500+	1.01 EUR
1000+	0.92 EUR
2500+	0.83 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD048N06L3GATMA1

N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 90 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 8400 @ 30, Qg, нКл = 50, Rds = 4,8 мОм, Ugs(th) = 2,2 В, Р, Вт = 115, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-252-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

verfügbar 55 Stücke:

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD048N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V

auf Bestellung 8824 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.48 EUR
10+	2.22 EUR
100+	1.49 EUR
500+	1.18 EUR
1000+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD048N06L3GBTMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD048N06L3GBTMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD048N06L3GBTMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD048N06L3GBTMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 676 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

152+	0.95 EUR
250+	0.88 EUR
500+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 152

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD04N03L

07+ to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD04N03LA

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD04N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5199 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD04N03LA G

09+

auf Bestellung 5030 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD04N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5199 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD04N03LA G

MOSFET N-Ch 25V 50A DPAK-2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD04N03LAG

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD04N03LB G

MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD04N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD04N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD04N03LBG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

348+	1.3 EUR

Mindestbestellmenge: 348

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD04N03LBG

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD050N03L G

MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

auf Bestellung 3784 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.16 EUR
10+	1.36 EUR
100+	0.9 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.66 EUR
2500+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD050N03L G

auf Bestellung 129200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD050N03L G

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD050N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1226 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

167+	0.87 EUR
168+	0.83 EUR
210+	0.64 EUR
250+	0.61 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 167

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD050N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 1817 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.69 EUR
17+	1.06 EUR
100+	0.69 EUR
500+	0.53 EUR
1000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD050N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD050N03LGATMA1

Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 5000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 4876 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD050N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD050N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 3216 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

133+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 133

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD050N03LGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3

auf Bestellung 1285 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

50+	1.43 EUR
104+	0.69 EUR
127+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 50

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD050N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD050N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1226 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

140+	1.04 EUR
167+	0.84 EUR
168+	0.8 EUR
210+	0.62 EUR
250+	0.59 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 140

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD050N03LGATMA1

MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

auf Bestellung 4856 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.27 EUR
10+	0.96 EUR
100+	0.72 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD050N03LGATMA1

Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 6308 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD050N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

auf Bestellung 4281 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.31 EUR
13+	1.45 EUR
100+	0.96 EUR
500+	0.75 EUR
1000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD050N03LGBTMA1

MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD050N03LGBTMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD050N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD050N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPD050N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2381 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD050N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD050N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 4157 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

24+	6.15 EUR
37+	3.78 EUR
50+	2.94 EUR
100+	2.65 EUR
200+	2.53 EUR
500+	2.16 EUR
1000+	1.93 EUR
2000+	1.88 EUR
2500+	1.87 EUR

Mindestbestellmenge: 24

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD050N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPD050N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 5000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 451 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD050N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 4980 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

97+	1.5 EUR

Mindestbestellmenge: 97

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD050N10N5ATMA1

MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS

auf Bestellung 6762 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.66 EUR
10+	3.01 EUR
100+	2.15 EUR
500+	1.8 EUR
1000+	1.66 EUR
2500+	1.56 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD050N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 50 V

auf Bestellung 1342 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.75 EUR
10+	3.08 EUR
100+	2.13 EUR
500+	1.72 EUR
1000+	1.65 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD050N10NF2SATMA1

Infineon

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD050N10NF2SATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Discontinued at Digi-Key

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD052N10NF2SATMA1

MOSFETs IFX FET >80 - 100V

auf Bestellung 1758 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.14 EUR
10+	2.66 EUR
100+	1.83 EUR
500+	1.46 EUR
1000+	1.36 EUR
2000+	1.27 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD052N10NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	1.24 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD052N10NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD052N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 118 A, 4400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1960 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD052N10NF2SATMA1

auf Bestellung 1960 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD052N10NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V

auf Bestellung 3542 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.08 EUR
10+	2.63 EUR
100+	1.8 EUR
500+	1.45 EUR
1000+	1.35 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD053N06N

MOSFETs N-Ch 60V 45A DPAK-2

auf Bestellung 1613 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.06 EUR
10+	1.95 EUR
100+	1.35 EUR
500+	1.15 EUR
1000+	0.99 EUR
2500+	0.91 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD053N06N3 G

MOSFET N-Ch 200V 90A DPAK-2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD053N06N3GBTMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD053N06N3GBTMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD053N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD053N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD053N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 6968 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

219+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 219

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD053N06NATMA1

Description: INFINEON - IPD053N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 23015 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD053N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

auf Bestellung 6381 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.04 EUR
10+	1.94 EUR
100+	1.31 EUR
500+	1.04 EUR
1000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD053N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD053N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 6968 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

192+	0.76 EUR
200+	0.7 EUR
202+	0.67 EUR
213+	0.61 EUR
250+	0.58 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 192

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD053N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 4962 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

176+	0.82 EUR
177+	0.79 EUR
200+	0.76 EUR
1000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 176

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD053N06NATMA1

MOSFETs N-Ch 60V 45A DPAK-2

auf Bestellung 3495 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.24 EUR
10+	2.08 EUR
100+	1.24 EUR
500+	1 EUR
1000+	0.91 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD053N06NATMA1

Description: INFINEON - IPD053N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 23015 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD053N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD053N08N3 G

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

59+	2.47 EUR
61+	2.29 EUR
100+	2.13 EUR
250+	1.99 EUR
500+	1.86 EUR
1000+	1.73 EUR
2500+	1.62 EUR

Mindestbestellmenge: 59

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD053N08N3 G

MOSFET N-Ch 80V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD053N08N3 G

auf Bestellung 45000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD053N08N3GATMA1

MOSFETs IFX FET > 60-80V

auf Bestellung 47974 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.24 EUR
10+	2.87 EUR
100+	2.11 EUR
500+	1.81 EUR
1000+	1.71 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD053N08N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD053N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 15346 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD053N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD053N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V

auf Bestellung 11755 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.16 EUR
10+	1.85 EUR
100+	1.82 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD053N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.61 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD053N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD053N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 4198 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

80+	1.82 EUR
89+	1.57 EUR
100+	1.46 EUR
200+	1.4 EUR
500+	1.25 EUR
1000+	1.15 EUR
2000+	1.08 EUR
2500+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 80

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD053N08N3GATMA1

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD053N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD053N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 110000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.68 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD053N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1504 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

76+	1.92 EUR
81+	1.72 EUR
82+	1.64 EUR
100+	1.45 EUR
250+	1.39 EUR
500+	1.24 EUR
1000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 76

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD053N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1504 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

109+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 109

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD053N08N3GBTMA1

MOSFET N-Ch 80V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD053N08N3GBTMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD055N08NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD055N08NF2SATMA1

MOSFETs IFX FET > 60-80V

auf Bestellung 1385 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.94 EUR
10+	1.78 EUR
100+	1.32 EUR
500+	1.2 EUR
1000+	1.17 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD055N08NF2SATMA1
Produktcode: 199783

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD055N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD055N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 98 A, 0.0047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 657 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD055N08NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V

auf Bestellung 914 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.94 EUR
10+	2.54 EUR
100+	1.73 EUR
500+	1.39 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD055N08NF2SATMA1

auf Bestellung 657 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD055N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD05N03

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD05N03LA

07+ to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD05N03LA G

09+

auf Bestellung 5030 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD05N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD05N03LAG

07+ to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD05N03LB

07+ to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD05N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD05N03LBG

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD060N03L G

MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD060N03L G

Description: INFINEON - IPD060N03L G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 50
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 56
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
Verlustleistung: 56
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD060N03L G E8177

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD060N03LG

Description: MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD060N03LG

Description: MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD060N03LG (Transistoren Feld N-Kanal)
Produktcode: 45565

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541 29 00 10

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD060N03LGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 56W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 43A
Power dissipation: 56W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 2392 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

81+	0.89 EUR
92+	0.78 EUR
101+	0.71 EUR
129+	0.56 EUR
133+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 81

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD060N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

995+	0.55 EUR
1078+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 995

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD060N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1346 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

473+	0.31 EUR
570+	0.24 EUR
578+	0.23 EUR
585+	0.22 EUR
593+	0.21 EUR
600+	0.2 EUR
608+	0.19 EUR
1000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 473

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD060N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.41 EUR
5000+	0.36 EUR
7500+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD060N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 4985 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

298+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 298

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD060N03LGATMA1

Description: INFINEON - IPD060N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 6000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 2872 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD060N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.4 EUR
5000+	0.36 EUR
7500+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD060N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD060N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD060N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

auf Bestellung 32652 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.76 EUR
16+	1.11 EUR
100+	0.73 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD060N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 157736 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

995+	0.55 EUR
1078+	0.48 EUR
10000+	0.42 EUR
100000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 995

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD060N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1346 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

585+	0.25 EUR
593+	0.24 EUR
600+	0.22 EUR
608+	0.21 EUR
1000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 585

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD060N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 6648 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

995+	0.55 EUR
1078+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 995

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD060N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

995+	0.55 EUR
1078+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 995

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD060N03LGATMA1

MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2

auf Bestellung 6020 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.85 EUR
10+	1.15 EUR
100+	0.76 EUR
500+	0.59 EUR
1000+	0.53 EUR
2500+	0.44 EUR
5000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD060N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

auf Bestellung 32500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.44 EUR
5000+	0.41 EUR
7500+	0.39 EUR
12500+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD060N03LGATMA1

Description: INFINEON - IPD060N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 2372 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD060N03LGBTMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD060N03LGINCT

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068N10N3 G

Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 4999 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

43+	3.4 EUR
50+	3.15 EUR
100+	2.93 EUR
250+	2.73 EUR
500+	2.55 EUR
1000+	2.39 EUR
2500+	2.23 EUR

Mindestbestellmenge: 43

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068N10N3 G

MOSFET N-Ch 100V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068N10N3 G

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068N10N3G

Description: MOSFET N-CH 100V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068N10N3G

Description: MOSFET N-CH 100V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 2466 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.71 EUR
10+	2.38 EUR
100+	1.63 EUR
500+	1.3 EUR
1000+	1.29 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

auf Bestellung 8128 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.81 EUR
12+	1.56 EUR
100+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068N10N3GATMA1

MOSFETs IFX FET >80 - 100V

auf Bestellung 32965 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.26 EUR
10+	2.27 EUR
100+	1.62 EUR
500+	1.46 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD068N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 511 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.26 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068N10N3GATMA1

auf Bestellung 511 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 434 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

108+	1.34 EUR
119+	1.18 EUR
120+	1.12 EUR
125+	1.03 EUR
250+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 108

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 434 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

108+	1.34 EUR
119+	1.18 EUR
120+	1.12 EUR
125+	1.03 EUR
250+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 108

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068N10N3GBTMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068P03L3 G

auf Bestellung 157500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068P03L3 G

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

auf Bestellung 6607 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068P03L3 G

MOSFET P-Ch -30V -70A DPAK-2 OptiMOS P3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068P03L3 G

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

auf Bestellung 6607 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068P03L3G

Description: MOSFET P-CH 30V 70A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 2387 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	1.99 EUR
14+	1.26 EUR
100+	0.83 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068P03L3G

Description: MOSFET P-CH 30V 70A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068P03L3G

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068P03L3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068P03L3GATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V

auf Bestellung 6851 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.94 EUR
13+	1.38 EUR
100+	0.97 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068P03L3GATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

auf Bestellung 5668 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.9 EUR
10+	1.35 EUR
100+	0.96 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.7 EUR
2500+	0.62 EUR
5000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068P03L3GATMA1

Description: INFINEON - IPD068P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 2342 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068P03L3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1350 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

676+	0.8 EUR
1000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 676

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068P03L3GATMA1

MOSFET, P-CH, -30V, -70A, TO-252-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068P03L3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 22500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.6 EUR
5000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068P03L3GATMA1

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; 100W; PG-TO252-3
Technology: OptiMOS™ P3
On-state resistance: 11mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: -70A
Drain-source voltage: -30V

auf Bestellung 2486 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

112+	0.64 EUR
119+	0.6 EUR
121+	0.59 EUR
130+	0.55 EUR
136+	0.53 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 112

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068P03L3GATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.62 EUR
5000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068P03L3GATMA1

Description: INFINEON - IPD068P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1137 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068P03L3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068P03L3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 22500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.6 EUR
5000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068P03L3GBTMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD06N03L

INF

07+;

auf Bestellung 300000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD06N03LA

07+ to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD06N03LA

MOSFET N-KANAL POWER MOS

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD06N03LA G

TO-252

auf Bestellung 1207 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD06N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD06N03LA G

MOSFET N-Ch 25V 50A DPAK-2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD06N03LAG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V

auf Bestellung 25570 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

417+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 417

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD06N03LAG

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD06N03LAGBUMA1

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD06N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD06N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD06N03LB G

MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD06N03LBG

07+ to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD06P002NATMA1

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD06P002NSAUMA1

Description: MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD06P003NATMA1

Description: MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.04mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD06P003NATMA1

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD06P003NSAUMA1

Description: MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD06P004NATMA1

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD06P004NSAUMA1

Description: MOSFET P-CH 60V 16.4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 710µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD06P005LATMA1

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD06P005LSAUMA1

Description: MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD06P005NATMA1

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD06P005NATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD06P005NSAUMA1

Description: MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD06P007NATMA1

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD075N03L G

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD075N03L G

MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD075N03LG

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD075N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD075N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

auf Bestellung 8392 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

23+	0.77 EUR
31+	0.58 EUR
100+	0.47 EUR
500+	0.43 EUR
1000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 23

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD075N03LGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 47W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Power dissipation: 47W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 2394 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

148+	0.49 EUR
165+	0.43 EUR
178+	0.4 EUR
195+	0.37 EUR
210+	0.34 EUR
218+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 148

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD075N03LGATMA1
Produktcode: 172911

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD075N03LGATMA1

MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2

auf Bestellung 2676 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.68 EUR
10+	0.52 EUR
100+	0.44 EUR
500+	0.42 EUR
2500+	0.41 EUR
5000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD075N03LGATMA1

Description: INFINEON - IPD075N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 3885 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD075N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.41 EUR
5000+	0.38 EUR
7500+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD075N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD075N03LGATMA1

Description: INFINEON - IPD075N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 3885 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD075N03LGBTMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD079N06L3 G

MOSFETs N-Ch 60V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD079N06L3 G

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD079N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD079N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD079N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.82 EUR
5000+	0.76 EUR
7500+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD079N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD079N06L3GATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 6496 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.34 EUR
10+	1.53 EUR
100+	1.05 EUR
500+	0.84 EUR
1000+	0.77 EUR
2500+	0.74 EUR
5000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD079N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

187+	0.75 EUR
200+	0.7 EUR
1000+	0.67 EUR
2500+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 187

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD079N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V

auf Bestellung 8278 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.01 EUR
10+	1.9 EUR
100+	1.27 EUR
500+	1 EUR
1000+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD079N06L3GBTMA1

Description: INFINEON - IPD079N06L3GBTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0063 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD079N06L3GBTMA1

MOSFETs N-Ch 60V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD079N06L3GBTMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD079N06L3GBTMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD079N06L3GBTMA1

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD07N03L

07+ to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD07N03LA

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD07N03LAG

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD082N10N3 G

MOSFET N-Ch 100V 80A DPAK-2 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD082N10N3G(Power-Transistor)
Produktcode: 82995

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Verschiedene Bauteile > Other components 3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD082N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD082N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1820 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

50+	2.94 EUR
54+	2.59 EUR
55+	2.45 EUR
100+	1.98 EUR
250+	1.86 EUR
500+	1.46 EUR
1000+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 50

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD082N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD082N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0082 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 14494 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD082N10N3GATMA1

MOSFETs IFX FET >80 - 100V

auf Bestellung 10037 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.96 EUR
10+	2.6 EUR
100+	1.85 EUR
500+	1.47 EUR
1000+	1.36 EUR
2500+	1.24 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD082N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD082N10N3GATMA1
Produktcode: 143398

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD082N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V

auf Bestellung 13807 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.8 EUR
10+	2.45 EUR
100+	1.68 EUR
500+	1.34 EUR
1000+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD082N10N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 1561 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

32+	2.26 EUR
40+	1.83 EUR
44+	1.63 EUR
58+	1.24 EUR
100+	1.12 EUR
250+	1 EUR
500+	0.9 EUR
1000+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 32

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD082N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1820 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

50+	2.94 EUR
54+	2.59 EUR
55+	2.45 EUR
100+	1.98 EUR
250+	1.86 EUR
500+	1.46 EUR
1000+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 50

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD082N10N3GATMA1

auf Bestellung 14494 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD082N10N3GBTMA1

MOSFET N-Ch 100V 80A DPAK-2 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD082N10N3GBTMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD088N04L G

MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD088N04LG

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD088N04LGBTMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD088N06N3 G

MOSFET N-Ch 60V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

auf Bestellung 22160 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD088N06N3G

Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 1530 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.34 EUR
12+	1.48 EUR
100+	0.99 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD088N06N3G

Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD088N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD088N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD088N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD088N06N3GATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD088N06N3GBTMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD088N06N3GBTMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD088N06N3GBTMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD088N06N3GBTMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD088N06N3GBTMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD090N03L G

MOSFETs N-Ch 30V 40A DPAK-2 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD090N03L G

Description: INFINEON - IPD090N03L G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 40
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD090N03L G E8177

MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD090N03LG

Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 13,5mOhm; 40A; 42W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IPD090N03LGATMA1; zamiennik dla IRLR8729TR; IPD090N03LG; IPD090N03LG-VB; HSU3004; HSU80N03; IPD090N03LG Infineon TIPD090n03lg
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 75 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 50

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD090N03LG (Transistoren feld- N-Kanal)
Produktcode: 45566

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 30
Idd,A: 40
Rds(on), Ohm: 01.09.2000
Ciss, pF/Qg, nC: /15
ZCODE: 8541290010

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD090N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD090N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15

auf Bestellung 93382 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.67 EUR
17+	1.05 EUR
100+	0.69 EUR
500+	0.53 EUR
1000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD090N03LGATMA1

Description: INFINEON - IPD090N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.009 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4024 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD090N03LGATMA1

MOSFET N-Ch 30V 40A DPAK-2 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD090N03LGATMA1

MOSFETs N-Ch 30V 40A DPAK-2

auf Bestellung 7884 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.79 EUR
10+	0.78 EUR
100+	0.61 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.45 EUR
2500+	0.36 EUR
5000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD090N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.28 EUR
5000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD090N03LGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 1641 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

88+	0.82 EUR
112+	0.64 EUR
147+	0.49 EUR
160+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 88

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD090N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 65 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD090N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15

auf Bestellung 92500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.43 EUR
5000+	0.39 EUR
7500+	0.37 EUR
12500+	0.35 EUR
17500+	0.34 EUR
25000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD090N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 65 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD090N03LGATMA1

auf Bestellung 4024 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD090N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 62500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.28 EUR
5000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD090N03LGBTMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD090N03LGBTMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD090N03LGBTMA1
Produktcode: 163865

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD096N08N3 G

MOSFET N-Ch 80V 73A DPAK-2 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD096N08N3G

auf Bestellung 748 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD096N08N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 73A; 100W; DPAK,TO252
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 7.9mΩ
Power dissipation: 100W
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 73A
Drain-source voltage: 80V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD096N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 73A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD096N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD096N08N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD096N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 73 A, 0.0079 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1253 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD096N08N3GATMA1

MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD096N08N3GATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 3569 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.75 EUR
10+	1.85 EUR
100+	1.34 EUR
500+	1.05 EUR
1000+	0.96 EUR
2500+	0.91 EUR
5000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD096N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 73A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD096N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 40 V

auf Bestellung 2331 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.82 EUR
10+	1.79 EUR
100+	1.21 EUR
500+	0.96 EUR
1000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD096N08N3GATMA1

auf Bestellung 1253 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD096N08N3GBTMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD09N032AL-AP

09+

auf Bestellung 5018 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD09N03L

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD09N03LA

09+

auf Bestellung 5030 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD09N03LA

MOSFET N-KANAL POWER MOS

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD09N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD09N03LA G

MOSFET N-Ch 25V 50A DPAK-2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD09N03LA G

09+

auf Bestellung 5030 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD09N03LAG

0825+

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD09N03LAGBUMA1

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD09N03LAP

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD09N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD09N03LBG

07+ to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD09N03LBG