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Description: ESSENTRA COMPONENTS - NSS 4 16 01 - Schraube, Flachkopfschraube, Schlitz, 4-40 UNC, Nylon 6.6, 25.4mm Länge
tariffCode: 39269097
Gewindemaß - Imperial: 4-40 UNC
Schraubenlänge: 25.4mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: -
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Schraubenkopf: Flachkopf, Schlitz
Befestigungsmaterial: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS 4 2 01

Description: ESSENTRA COMPONENTS - NSS 4 2 01 - Schraube, Flachkopfschraube, Schlitz, 4-40 UNC, Nylon 6.6, 3.2mm Länge
tariffCode: 39269097
Gewindemaß - Imperial: 4-40 UNC
Schraubenlänge: 3.2mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: -
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Schraubenkopf: Flachkopf, Schlitz
Befestigungsmaterial: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS 4 3 01

Description: ESSENTRA COMPONENTS - NSS 4 3 01 - Schrauben, Flachkopfschrauben, Schraubensatz, Schlitz, 4-40 UNC, Nylon 6.6, 4.8mm Länge
tariffCode: 39269097
Gewindemaß - Imperial: 4-40 UNC
Schraubenlänge: 4.8mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: -
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Schraubenkopf: Flachkopf, Schlitz
Befestigungsmaterial: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
usEccn: EAR99
Produktpalette: -

auf Bestellung 5 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS 8 16 01

Description: ESSENTRA COMPONENTS - NSS 8 16 01 - Schrauben, Flachkopfschrauben, Schraubensatz, Schlitz, 8-32, Nylon 6.6, 25.4mm Länge
tariffCode: 39269097
Gewindemaß - Imperial: 8-32
Schraubenlänge: 25.4mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: -
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Schraubenkopf: Flachkopf, Schlitz
Befestigungsmaterial: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
usEccn: EAR99
Produktpalette: -

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS 8 4 01

Description: ESSENTRA COMPONENTS - NSS 8 4 01 - Schrauben, Flachkopfschrauben, Schraubensatz, Schlitz, 8-32, Nylon 6.6, 6.4mm Länge
tariffCode: 39269097
Gewindemaß - Imperial: 8-32
Schraubenlänge: 6.4mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: -
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Schraubenkopf: Flachkopf, Schlitz
Befestigungsmaterial: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS-4-10-01

Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.695" (17.65mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 0.625" (15.88mm) 5/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted

auf Bestellung 583 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

100+	0.18 EUR
129+	0.14 EUR
150+	0.12 EUR
179+	0.099 EUR
191+	0.092 EUR
200+	0.088 EUR
250+	0.079 EUR
500+	0.075 EUR

Mindestbestellmenge: 100

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS-4-10-01

Screws & Fasteners

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS-4-12-01

Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.820" (20.83mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 0.750" (19.05mm) 3/4"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete

auf Bestellung 5165 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

112+	0.16 EUR
152+	0.12 EUR
167+	0.11 EUR
187+	0.094 EUR
202+	0.087 EUR
217+	0.081 EUR
250+	0.074 EUR
500+	0.069 EUR
1000+	0.065 EUR

Mindestbestellmenge: 112

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS-4-14-01

Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.945" (24.00mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 0.875" (22.23mm) 7/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS-4-16-01

Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 1.070" (27.18mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 1.000" (25.40mm) 1"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete

auf Bestellung 7439 Stücke:

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112+	0.16 EUR
136+	0.13 EUR
159+	0.11 EUR
191+	0.092 EUR
205+	0.086 EUR
213+	0.083 EUR
250+	0.074 EUR
500+	0.07 EUR
1000+	0.066 EUR

Mindestbestellmenge: 112

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS-4-2-01

Screws & Fasteners

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS-4-2-01

Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.195" (4.95mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 0.125" (3.18mm) 1/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete

auf Bestellung 401 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

100+	0.18 EUR
129+	0.14 EUR
139+	0.13 EUR
153+	0.12 EUR
166+	0.11 EUR
178+	0.099 EUR
250+	0.091 EUR

Mindestbestellmenge: 100

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS-4-3-01

Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40

auf Bestellung 839 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS-4-4-01

Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40

auf Bestellung 1410 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS-4-5-01

Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.383" (9.73mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 0.313" (7.95mm) 5/16"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted

auf Bestellung 7570 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

112+	0.16 EUR
143+	0.12 EUR
154+	0.11 EUR
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197+	0.089 EUR
250+	0.082 EUR
500+	0.076 EUR
1000+	0.072 EUR

Mindestbestellmenge: 112

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS-4-6-01

Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.445" (11.30mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 0.375" (9.53mm) 3/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS-4-7-01

Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.508" (12.90mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 0.438" (11.13mm) 7/16"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted

auf Bestellung 5786 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

100+	0.18 EUR
136+	0.13 EUR
157+	0.11 EUR
187+	0.094 EUR
200+	0.088 EUR
208+	0.085 EUR
250+	0.075 EUR
500+	0.071 EUR
1000+	0.068 EUR

Mindestbestellmenge: 100

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS-4-8-01

Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.570" (14.48mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 0.500" (12.70mm) 1/2"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted

auf Bestellung 2673 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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136+	0.13 EUR
159+	0.11 EUR
191+	0.092 EUR
205+	0.086 EUR
213+	0.083 EUR
250+	0.074 EUR
500+	0.07 EUR
1000+	0.066 EUR

Mindestbestellmenge: 112

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS-6-10-01

Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.705" (17.91mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.625" (15.88mm) 5/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted

auf Bestellung 793 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

112+	0.16 EUR
136+	0.13 EUR
162+	0.11 EUR
194+	0.091 EUR
206+	0.086 EUR
215+	0.082 EUR
250+	0.073 EUR
500+	0.069 EUR

Mindestbestellmenge: 112

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS-6-12-01

Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.830" (21.08mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.750" (19.05mm) 3/4"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted

auf Bestellung 6336 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

100+	0.18 EUR
136+	0.13 EUR
148+	0.12 EUR
163+	0.11 EUR
176+	0.1 EUR
189+	0.093 EUR
250+	0.085 EUR
500+	0.08 EUR
1000+	0.075 EUR

Mindestbestellmenge: 100

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS-6-14-01

Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.955" (24.26mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.875" (22.23mm) 7/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS-6-16-01

Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 1.080" (27.43mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 1.000" (25.40mm) 1"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted

auf Bestellung 8871 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

112+	0.16 EUR
143+	0.12 EUR
167+	0.11 EUR
200+	0.088 EUR
212+	0.083 EUR
222+	0.08 EUR
250+	0.071 EUR
500+	0.067 EUR
1000+	0.064 EUR

Mindestbestellmenge: 112

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS-6-2-01

Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.205" (5.21mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.125" (3.18mm) 1/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted

auf Bestellung 8114 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

112+	0.16 EUR
136+	0.13 EUR
148+	0.12 EUR
164+	0.11 EUR
177+	0.1 EUR
191+	0.093 EUR
250+	0.085 EUR
500+	0.079 EUR
1000+	0.075 EUR

Mindestbestellmenge: 112

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS-6-3-01

Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.267" (6.78mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.188" (4.78mm) 3/16"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted

auf Bestellung 7050 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

112+	0.16 EUR
132+	0.13 EUR
152+	0.12 EUR
184+	0.096 EUR
196+	0.09 EUR
205+	0.086 EUR
250+	0.077 EUR
500+	0.073 EUR
1000+	0.069 EUR

Mindestbestellmenge: 112

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS-6-4-01

Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.330" (8.38mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.250" (6.35mm) 1/4"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS-6-5-01

Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.393" (9.98mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.313" (7.95mm) 5/16"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS-6-6-01

Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.455" (11.56mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.375" (9.53mm) 3/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted

auf Bestellung 7675 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

112+	0.16 EUR
136+	0.13 EUR
148+	0.12 EUR
164+	0.11 EUR
177+	0.1 EUR
191+	0.093 EUR
250+	0.085 EUR
500+	0.079 EUR
1000+	0.075 EUR

Mindestbestellmenge: 112

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS-6-7-01

Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.518" (13.16mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.438" (11.13mm) 7/16"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted

auf Bestellung 9761 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

112+	0.16 EUR
152+	0.12 EUR
164+	0.11 EUR
184+	0.096 EUR
198+	0.089 EUR
213+	0.083 EUR
250+	0.075 EUR
500+	0.071 EUR
1000+	0.066 EUR

Mindestbestellmenge: 112

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS-6-8-01

Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.580" (14.73mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.500" (12.70mm) 1/2"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted

auf Bestellung 9675 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

112+	0.16 EUR
136+	0.13 EUR
148+	0.12 EUR
164+	0.11 EUR
177+	0.1 EUR
191+	0.093 EUR
250+	0.085 EUR
500+	0.079 EUR
1000+	0.075 EUR

Mindestbestellmenge: 112

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS-8-10-01

Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.705" (17.91mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.625" (15.88mm) 5/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS-8-12-01

Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.830" (21.08mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.750" (19.05mm) 3/4"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete

auf Bestellung 2817 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

100+	0.18 EUR
132+	0.13 EUR
141+	0.12 EUR
158+	0.11 EUR
170+	0.1 EUR
183+	0.096 EUR
250+	0.088 EUR
500+	0.083 EUR
1000+	0.078 EUR

Mindestbestellmenge: 100

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS-8-14-01

Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.955" (24.26mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.875" (22.23mm) 7/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS-8-16-01

Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 1.080" (27.43mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 1.000" (25.40mm) 1"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted

auf Bestellung 4955 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

112+	0.16 EUR
139+	0.13 EUR
162+	0.11 EUR
194+	0.091 EUR
206+	0.086 EUR
215+	0.082 EUR
250+	0.073 EUR
500+	0.069 EUR
1000+	0.066 EUR

Mindestbestellmenge: 112

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS-8-2-01

Screws & Fasteners

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS-8-2-01

Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.205" (5.21mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.125" (3.18mm) 1/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted

auf Bestellung 9653 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

112+	0.16 EUR
139+	0.13 EUR
162+	0.11 EUR
194+	0.091 EUR
206+	0.086 EUR
215+	0.082 EUR
250+	0.073 EUR
500+	0.069 EUR
1000+	0.066 EUR

Mindestbestellmenge: 112

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS-8-3-01

Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.267" (6.78mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.188" (4.78mm) 3/16"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS-8-4-01

Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.330" (8.38mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.250" (6.35mm) 1/4"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete

auf Bestellung 9083 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

112+	0.16 EUR
132+	0.13 EUR
143+	0.12 EUR
159+	0.11 EUR
172+	0.1 EUR
184+	0.096 EUR
250+	0.088 EUR
500+	0.082 EUR
1000+	0.077 EUR

Mindestbestellmenge: 112

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS-8-5-01

Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.393" (9.98mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.313" (7.95mm) 5/16"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted

auf Bestellung 7048 Stücke:

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112+	0.16 EUR
132+	0.13 EUR
143+	0.12 EUR
159+	0.11 EUR
172+	0.1 EUR
184+	0.096 EUR
250+	0.088 EUR
500+	0.082 EUR
1000+	0.077 EUR

Mindestbestellmenge: 112

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS-8-5-01

Screws & Fasteners

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS-8-6-01

Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.455" (11.56mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.375" (9.53mm) 3/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS-8-6-01

Screws & Fasteners

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS-8-7-01

Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.518" (13.16mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.438" (11.13mm) 7/16"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS-8-8-01

Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.580" (14.73mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.500" (12.70mm) 1/2"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted

auf Bestellung 2342 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

100+	0.18 EUR
132+	0.13 EUR
141+	0.12 EUR
159+	0.11 EUR
171+	0.1 EUR
184+	0.096 EUR
250+	0.088 EUR
500+	0.082 EUR
1000+	0.077 EUR

Mindestbestellmenge: 100

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS-G16D2

Description: NETWORK SWITCH-MANAGED 18 PORT

auf Bestellung 62 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS-G24D2

Description: NETWORK SWITCH-MANAGED 26 PORT

auf Bestellung 47 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS-G24D2

Ethernet Modules 24PortGB ManagSwitch L2 w/12-Out PDU

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS-G24D2P24

Description: NETWORK SWITCH-MANAGED 26 PORT

auf Bestellung 131 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS-G24D2P24

Ethernet Modules 24PortGB ManagSwitch L2 PoE+w/12-Out PDU

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS1001CLTWG

Bipolar Transistors - BJT 100V 2.5A PNP LOW SATURATION BJT

auf Bestellung 2384 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.53 EUR
10+	0.95 EUR
100+	0.62 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.45 EUR
3000+	0.38 EUR
6000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS1001CLTWG

Description: TRANS PNP 100V 2.5A 8-LFPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 250mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.2 W

auf Bestellung 2990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.51 EUR
19+	0.94 EUR
100+	0.61 EUR
500+	0.47 EUR
1000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 12

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS1002CLTWG

Description: TRANS NPN 100V 2.5A 8-LFPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 250mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.2 W

auf Bestellung 2990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.51 EUR
19+	0.94 EUR
100+	0.61 EUR
500+	0.47 EUR
1000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 12

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS1002CLTWG

Bipolar Transistors - BJT 100V 2.5A NPN LOW SATURATION BJT

auf Bestellung 2384 Stücke:

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2+	1.53 EUR
10+	0.95 EUR
100+	0.62 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.45 EUR
3000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS10200

auf Bestellung 99000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS10200

10 SOT-23

auf Bestellung 99000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS12100M3T5G

Trans GP BJT PNP 12V 1A 625mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

563+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 563

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS12100M3T5G

Bipolar Transistors - BJT 12V LOW VSAT SOT723 PNP

auf Bestellung 3152 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.03 EUR
10+	0.66 EUR
100+	0.45 EUR
500+	0.36 EUR
1000+	0.32 EUR
5000+	0.3 EUR
8000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS12100M3T5G

Trans GP BJT PNP 12V 1A 625mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS12100M3T5G

Description: TRANS PNP 12V 1A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 410mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 625 mW

auf Bestellung 56577 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.23 EUR
23+	0.77 EUR
100+	0.5 EUR
500+	0.38 EUR
1000+	0.34 EUR
2000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 15

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS12100M3T5G

Trans GP BJT PNP 12V 1A 625mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS12100M3T5G

Description: TRANS PNP 12V 1A SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 410mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 625 mW

auf Bestellung 56000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8000+	0.26 EUR
16000+	0.24 EUR
24000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 8000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS12100UW3TCG

Description: TRANS PNP 12V 1A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 740 mW

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS12100UW3TCG

Trans GP BJT PNP 12V 1A 1100mW 3-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 1064 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

184+	0.79 EUR
222+	0.63 EUR
224+	0.6 EUR
305+	0.42 EUR
308+	0.4 EUR
500+	0.28 EUR
1000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 184

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS12100UW3TCG

auf Bestellung 9350 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS12100UW3TCG

Description: TRANS PNP 12V 1A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 740 mW

auf Bestellung 5225 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

19+	0.97 EUR
22+	0.83 EUR
100+	0.58 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 19

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS12100UW3TCG

Trans GP BJT PNP 12V 1A 1100mW 3-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS12100UW3TCG

Bipolar Transistors - BJT 12V 1A LOW VCE(SAT) WDFN3

auf Bestellung 3415 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.01 EUR
10+	0.86 EUR
100+	0.65 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.4 EUR
3000+	0.35 EUR
9000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS12100UW3TCG

Trans GP BJT PNP 12V 1A 1100mW 3-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS12100XV6T1G

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 12V; 1A; 0.65W; SOT563
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.65W
Collector current: 1A
Collector-emitter voltage: 12V
Current gain: 100
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

8+	8.94 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS12100XV6T1G

Description: TRANS PNP 12V 1A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-563
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 500 mW

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4000+	0.23 EUR
8000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 4000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS12100XV6T1G

Bipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XTR

auf Bestellung 11245 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.62 EUR
10+	0.51 EUR
100+	0.37 EUR
500+	0.3 EUR
1000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS12100XV6T1G

Trans GP BJT PNP 12V 1A 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R

auf Bestellung 1760 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

238+	0.61 EUR
280+	0.5 EUR
302+	0.44 EUR
462+	0.28 EUR
486+	0.26 EUR
512+	0.23 EUR
1000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 238

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS12100XV6T1G

Trans GP BJT PNP 12V 1A 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS12100XV6T1G

Description: TRANS PNP 12V 1A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-563
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 500 mW

auf Bestellung 10248 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

26+	0.69 EUR
31+	0.58 EUR
100+	0.4 EUR
500+	0.31 EUR
1000+	0.25 EUR
2000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 26

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS12100XV6T1G

Trans GP BJT PNP 12V 1A 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS12100XV6T1G

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

8+	8.94 EUR
10+	7.15 EUR
100+	0.72 EUR
500+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS12200

auf Bestellung 1556 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS12200LT1G

Description: TRANS PNP 12V 2A SOT23-3

auf Bestellung 155 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS12200LT1G

Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS12200LT1G

Bipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XTR

auf Bestellung 2985 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	0.95 EUR
10+	0.61 EUR
100+	0.31 EUR
3000+	0.21 EUR
9000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS12200LT1G

Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS12200LT1G

Description: ONSEMI - NSS12200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2360 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS12200LT1G

Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS12200LT1G

10+ROHS SOT-23

auf Bestellung 99000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS12200LT1G

Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 5714 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

328+	0.44 EUR
601+	0.23 EUR
1000+	0.18 EUR
3000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 328

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NSS12200LT1G
Produktcode: 113923

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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

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NSS12200LT1G

Description: TRANS PNP 12V 2A SOT23-3

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NSS12200LT1G

Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NSS12200LT1G

auf Bestellung 2360 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NSS12200LT1G

Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 5714 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

275+	0.53 EUR
328+	0.43 EUR
601+	0.22 EUR
1000+	0.18 EUR
3000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 275

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NSS12200LT1G

Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R

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NSS12200LT1G

auf Bestellung 2601 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NSS12200LT1G

Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NSS12200WT1G

Description: TRANS PNP 12V 2A SC88/SC70-6

auf Bestellung 24000 Stücke:

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NSS12200WT1G

Trans GP BJT PNP 12V 2A 650mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R

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NSS12200WT1G

07+;

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NSS12200WT1G

Description: TRANS PNP 12V 2A SC88/SC70-6

auf Bestellung 24000 Stücke:

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3000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NSS12200WT1G

Bipolar Transistors - BJT 2A 12V Low VCEsat

auf Bestellung 448 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.77 EUR
10+	0.63 EUR
100+	0.43 EUR
500+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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NSS12200WT1G

Trans GP BJT PNP 12V 2A 650mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R

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NSS12200WT1G

SOT363

auf Bestellung 2685 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NSS12201LT1G

Bipolar Transistors - BJT LO V NPN TRANSISTOR 12V 4.0A

auf Bestellung 76274 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.92 EUR
10+	0.61 EUR
100+	0.3 EUR
1000+	0.26 EUR
3000+	0.2 EUR
9000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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NSS12201LT1G

Description: ONSEMI - NSS12201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 7925 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NSS12201LT1G

Trans GP BJT NPN 12V 2A 540mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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NSS12201LT1G

Description: TRANS NPN 12V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 90mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 460 mW

auf Bestellung 28745 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

24+	0.74 EUR
31+	0.58 EUR
100+	0.35 EUR
500+	0.32 EUR
1000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 24

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NSS12201LT1G

Trans GP BJT NPN 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R

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NSS12201LT1G

auf Bestellung 7925 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NSS12201LT1G

Description: TRANS NPN 12V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 90mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 460 mW

auf Bestellung 27000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.2 EUR
6000+	0.19 EUR
9000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NSS12201LT1G

Trans GP BJT NPN 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R

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NSS12201LT1H

Bipolar Transistors - BJT

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NSS12500UW3T2G

Description: TRANS PNP 12V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 875 mW

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NSS12500UW3T2G

Trans GP BJT PNP 12V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R

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NSS12500UW3T2G

Bipolar Transistors - BJT 2 2 LOW VCE(SAT) TR

auf Bestellung 3044 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.04 EUR
10+	1.28 EUR
100+	0.85 EUR
500+	0.66 EUR
1000+	0.6 EUR
3000+	0.55 EUR
9000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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NSS12500UW3T2G

auf Bestellung 647 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NSS12500UW3T2G

Description: TRANS PNP 12V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 875 mW

auf Bestellung 3098 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.27 EUR
13+	1.43 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 8

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NSS12500UW3T2G

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 12V; 5A; 1.5W; WDFN3; automotive industry
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN3
Power dissipation: 1.5W
Collector current: 5A
Collector-emitter voltage: 12V
Application: automotive industry

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NSS12500UW3T2G

Trans GP BJT PNP 12V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R

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NSS12501UW3T2G

Bipolar Transistors - BJT LO V NPN TRANSISTOR 12V 7.0A

auf Bestellung 1911 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.02 EUR
10+	1.02 EUR
100+	0.86 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.61 EUR
3000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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NSS12501UW3T2G

auf Bestellung 342 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS12501UW3T2G

Description: TRANS NPN 12V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 875 mW

auf Bestellung 39000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.58 EUR
6000+	0.54 EUR
9000+	0.52 EUR
15000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NSS12501UW3T2G

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 5A; 1.5W; WDFN3; automotive industry
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN3
Power dissipation: 1.5W
Collector current: 5A
Collector-emitter voltage: 12V
Current gain: 250
Frequency: 150MHz
Application: automotive industry

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NSS12501UW3T2G

Trans GP BJT NPN 12V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R

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NSS12501UW3T2G

Description: TRANS NPN 12V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 875 mW

auf Bestellung 39723 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.25 EUR
13+	1.42 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS12600CF8T1G

Description: TRANS PNP 12V 5A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 830 mW

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS12600CF8T1G

Description: TRANS PNP 12V 5A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 830 mW

auf Bestellung 355368 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1480+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 1480

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NSS12601CF8T1G

Trans GP BJT NPN 12V 6A 1400mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS12601CF8T1G

Description: TRANS NPN 12V 6A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 830 mW

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.65 EUR
16+	1.11 EUR
100+	0.77 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS12601CF8T1G

Description: TRANS NPN 12V 6A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 830 mW

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS12601CF8T1G

Bipolar Transistors - BJT HEX SCHMITT TRIGGER INVERTOR

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NSS12601CF8T1G

auf Bestellung 3315 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS13-LC-V-T/R

Diptronics

Slide Switches Slide Type 1P3T

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS13-RC-V-T/R

Diptronics

Slide Switches SLIDE SWITCH 1P3T

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NSS1C200L

Bipolar Transistors - BJT 100V PNP LOW VCE(SAT) TRA

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NSS1C200LT1G

Bipolar Transistors - BJT 100V LO VCE(SAT) TRA PNP

auf Bestellung 46464 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.78 EUR
10+	0.53 EUR
100+	0.39 EUR
250+	0.35 EUR
500+	0.29 EUR
1000+	0.28 EUR
3000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS1C200LT1G

Trans GP BJT PNP 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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NSS1C200LT1G

auf Bestellung 2910 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS1C200LT1G

Description: TRANS PNP 100V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW

auf Bestellung 20426 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

14+	1.27 EUR
23+	0.79 EUR
100+	0.51 EUR
500+	0.39 EUR
1000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 14

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS1C200LT1G

Trans GP BJT PNP 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 247 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

171+	0.85 EUR
206+	0.68 EUR
215+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 171

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NSS1C200LT1G

Trans GP BJT PNP 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS1C200LT1G

Description: TRANS PNP 100V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.3 EUR
6000+	0.27 EUR
9000+	0.26 EUR
15000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS1C200LT1G

Trans GP BJT PNP 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 247 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

215+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 215

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS1C200MZ4T1G

Trans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 2444 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

167+	0.87 EUR
189+	0.74 EUR
191+	0.7 EUR
242+	0.53 EUR
250+	0.51 EUR
500+	0.38 EUR
1000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 167

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NSS1C200MZ4T1G

Diodes Incorporated

Bipolar Transistors - BJT

Produkt ist nicht verfügbar

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NSS1C200MZ4T1G

Trans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS1C200MZ4T1G

Trans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS1C200MZ4T1G

Description: ONSEMI - NSS1C200MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 1385 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS1C200MZ4T1G

Description: TRANS PNP 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW

auf Bestellung 6069 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.06 EUR
20+	0.9 EUR
100+	0.63 EUR
500+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 17

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NSS1C200MZ4T1G

Trans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 2444 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

191+	0.76 EUR
242+	0.58 EUR
250+	0.55 EUR
500+	0.41 EUR
1000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 191

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NSS1C200MZ4T1G

Bipolar Transistors - BJT PNP SOT223 BIP POWER TRAN

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 118-122 Tag (e)

3+	1.01 EUR
10+	0.89 EUR
100+	0.69 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.44 EUR
2000+	0.38 EUR
10000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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NSS1C200MZ4T1G

auf Bestellung 1385 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NSS1C200MZ4T1G

auf Bestellung 155 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NSS1C200MZ4T1G

Description: TRANS PNP 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	0.4 EUR
2000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS1C200MZ4T3G

Description: TRANS PNP 100V 2A SOT223
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW

auf Bestellung 101694 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1596+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 1596

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NSS1C200MZ4T3G

Bipolar Transistors - BJT PNP BIP POWER TRAN SOT223

auf Bestellung 4280 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1 EUR
10+	0.87 EUR
100+	0.61 EUR
500+	0.47 EUR
1000+	0.34 EUR
8000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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NSS1C200MZ4T3G

Trans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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NSS1C200MZT1G

auf Bestellung 35000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NSS1C201L

Bipolar Transistors - BJT NPN 100V SOT23 LOW V-SAT

Produkt ist nicht verfügbar

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NSS1C201LT1G

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NSS1C201LT1G

Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NSS1C201LT1G

Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NSS1C201LT1G

Description: ONSEMI - NSS1C201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 490 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2665 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS1C201LT1G

Description: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW

auf Bestellung 22749 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.04 EUR
28+	0.64 EUR
100+	0.41 EUR
500+	0.31 EUR
1000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 17

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NSS1C201LT1G

Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 36000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.16 EUR
6000+	0.15 EUR
9000+	0.14 EUR
15000+	0.13 EUR
21000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NSS1C201LT1G

Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NSS1C201LT1G

Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 45000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS1C201LT1G

Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 36000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.16 EUR
6000+	0.15 EUR
9000+	0.14 EUR
15000+	0.13 EUR
21000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NSS1C201LT1G

Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6190 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

577+	0.25 EUR
737+	0.19 EUR
763+	0.18 EUR
771+	0.17 EUR
1000+	0.16 EUR
3000+	0.14 EUR
6000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 577

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NSS1C201LT1G

Description: ONSEMI - NSS1C201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 490 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 5239 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS1C201LT1G

Description: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.24 EUR
6000+	0.22 EUR
9000+	0.21 EUR
15000+	0.2 EUR
21000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NSS1C201LT1G

Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 19759 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2950+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 2950

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NSS1C201LT1G

Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6190 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

209+	0.69 EUR
571+	0.24 EUR
577+	0.23 EUR
737+	0.18 EUR
763+	0.16 EUR
771+	0.15 EUR
3000+	0.14 EUR
6000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 209

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS1C201LT1G

Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.2 EUR
6000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS1C201LT1G

Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2950+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 2950

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NSS1C201LT1G

Bipolar Transistors - BJT NPN 100V LOW V-SAT SOT23

auf Bestellung 74040 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.83 EUR
10+	0.53 EUR
100+	0.32 EUR
500+	0.27 EUR
1000+	0.23 EUR
3000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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NSS1C201MZ4

Bipolar Transistors - BJT 100V NPN LOW VCE(SAT) TRA

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS1C201MZ4T1G

Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 16000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS1C201MZ4T1G

Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 3035 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

132+	1.1 EUR
151+	0.93 EUR
152+	0.88 EUR
198+	0.65 EUR
250+	0.62 EUR
500+	0.47 EUR
1000+	0.36 EUR
3000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 132

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS1C201MZ4T1G

Bipolar Transistors - BJT 100V, NPN Low VCE Trans.

auf Bestellung 6533 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.29 EUR
10+	1.14 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.55 EUR
2000+	0.5 EUR
10000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS1C201MZ4T1G

Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 3035 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

152+	0.95 EUR
198+	0.7 EUR
250+	0.67 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.39 EUR
3000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 152

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS1C201MZ4T1G

Description: ONSEMI - NSS1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1946 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS1C201MZ4T1G

Description: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW

auf Bestellung 9388 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.07 EUR
20+	0.91 EUR
100+	0.64 EUR
500+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 17

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS1C201MZ4T1G

Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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NSS1C201MZ4T1G

Diodes Incorporated

Bipolar Transistors - BJT

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS1C201MZ4T1G

Description: ONSEMI - NSS1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1328 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS1C201MZ4T1G

Description: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	0.4 EUR
2000+	0.36 EUR
5000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS1C201MZ4T3G

Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 2628 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

213+	0.68 EUR
276+	0.51 EUR
280+	0.48 EUR
500+	0.37 EUR
1000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 213

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS1C201MZ4T3G

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 4000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS1C201MZ4T3G

Bipolar Transistors - BJT 100V LO VCE(SAT) TRA NPN

auf Bestellung 16524 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.8 EUR
10+	0.68 EUR
100+	0.47 EUR
500+	0.39 EUR
1000+	0.31 EUR
4000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS1C201MZ4T3G

Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 2628 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

186+	0.78 EUR
211+	0.66 EUR
213+	0.63 EUR
276+	0.47 EUR
280+	0.44 EUR
500+	0.34 EUR
1000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 186

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS1C201MZ4T3G

Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS1C201MZ4T3G

auf Bestellung 5938 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

19+	0.93 EUR
23+	0.79 EUR
100+	0.55 EUR
500+	0.43 EUR
1000+	0.35 EUR
2000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 19

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS1C201MZ4T3G

Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS1C300CTWG

Description: ONSEMI - NSS1C300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: LFPAK
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: e2PowerEdge Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS1C300CTWG

Description: ONSEMI - NSS1C300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS1C300CTWG

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR XTSR 3A/100V LFPAK4

auf Bestellung 2996 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.31 EUR
10+	1.45 EUR
100+	0.96 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.71 EUR
3000+	0.6 EUR
6000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS1C300ET4G

Description: ONSEMI - NSS1C300ET4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 3899 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NSS1C300ET4G

Trans GP BJT PNP 100V 3A 2100mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS1C300ET4G

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.57 EUR
5000+	0.53 EUR
7500+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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NSS1C300ET4G

Bipolar Transistors - BJT 3 A, 100 V Low VCE(sat) PNP Transistor

auf Bestellung 6562 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.15 EUR
10+	1.35 EUR
100+	0.9 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.64 EUR
2500+	0.57 EUR
5000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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NSS1C300ET4G

auf Bestellung 1863 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NSS1C300ET4G

Trans GP BJT PNP 100V 3A 2100mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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NSS1C300ET4G

Description: ONSEMI - NSS1C300ET4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 33
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 3
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS1C300ET4G

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W

auf Bestellung 12682 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.15 EUR
14+	1.35 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS1C301CTWG

Description: TRANS NPN 100V 3A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W

auf Bestellung 2980 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.5 EUR
15+	1.22 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.81 EUR
1000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 12

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS1C301CTWG

Description: TRANS NPN 100V 3A LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS1C301ET4G

Bipolar Transistors - BJT 3 A, 100 V Low VCE(sat) NPN Transistor

auf Bestellung 3052 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.57 EUR
10+	0.99 EUR
100+	0.64 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.46 EUR
2500+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS1C301ET4G

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W

auf Bestellung 208 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.57 EUR
18+	0.98 EUR
100+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 12

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NSS1C301ET4G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 2100mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS1C301ET4G

Description: ONSEMI - NSS1C301ET4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 6389 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS1C301ET4G

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS1C301ET4G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 2100mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS1C301ET4G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 2100mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1403 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

144+	1.01 EUR
167+	0.84 EUR
175+	0.77 EUR
219+	0.59 EUR
250+	0.56 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 144

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS1C301ET4G

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 12.5W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 12.5W
Collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 120...360
Frequency: 120MHz
Polarisation: bipolar

Produkt ist nicht verfügbar

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NSS200-50

NAE

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NSS20101JT1G

Description: ONSEMI - NSS20101JT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 1 A, 255 mW, SC-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 255
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 350
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20101JT1G

Trans GP BJT NPN 20V 1A 300mW 3-Pin SC-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20101JT1G

Trans GP BJT NPN 20V 1A 300mW 3-Pin SC-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20101JT1G

Description: TRANS NPN 20V 1A SC-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 300 mW

auf Bestellung 1006 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

35+	0.51 EUR
58+	0.31 EUR
100+	0.19 EUR
500+	0.14 EUR
1000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 35

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20101JT1G

Trans GP BJT NPN 20V 1A 300mW 3-Pin SC-89 T/R

auf Bestellung 1798 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1048+	0.14 EUR
1058+	0.13 EUR
1780+	0.072 EUR

Mindestbestellmenge: 1048

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20101JT1G

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 1A; 0.3W; SC89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.3W
Collector current: 1A
Collector-emitter voltage: 20V
Polarisation: bipolar
Case: SC89
Type of transistor: NPN

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20101JT1G

Trans GP BJT NPN 20V 1A 300mW 3-Pin SC-89 T/R

auf Bestellung 1798 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

393+	0.37 EUR
510+	0.27 EUR
514+	0.26 EUR
1048+	0.12 EUR
1068+	0.11 EUR
1780+	0.064 EUR

Mindestbestellmenge: 393

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20101JT1G

Bipolar Transistors - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT)

auf Bestellung 1782 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	0.42 EUR
10+	0.4 EUR
100+	0.37 EUR
500+	0.27 EUR
1000+	0.2 EUR
3000+	0.093 EUR
6000+	0.083 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20101JT1G

Description: TRANS NPN 20V 1A SC-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 300 mW

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20200DMTTBG

Description: TRANS PNP 20V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.39 EUR
6000+	0.37 EUR
9000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20200DMTTBG

Bipolar Transistors - BJT 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20200DMTTBG

Description: TRANS PNP 20V 2A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.04 EUR
20+	0.89 EUR
100+	0.62 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 17

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20200LT1G

Trans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20200LT1G

Trans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20200LT1G

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 20V; 2A; 0.71W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.71W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 20V
Current gain: 250
Frequency: 100MHz
Polarisation: bipolar
Case: SOT23; TO236AB
Type of transistor: PNP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20200LT1G

Description: ONSEMI - NSS20200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 3003 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20200LT1G

Trans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20200LT1G

Description: TRANS PNP 20V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.17 EUR
6000+	0.15 EUR
9000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20200LT1G

Trans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20200LT1G

Trans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 8900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

333+	0.44 EUR
486+	0.29 EUR
492+	0.27 EUR
690+	0.19 EUR
1000+	0.15 EUR
3000+	0.14 EUR
6000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 333

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20200LT1G

auf Bestellung 3003 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20200LT1G

Trans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20200LT1G

Description: TRANS PNP 20V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW

auf Bestellung 14749 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

24+	0.76 EUR
39+	0.46 EUR
100+	0.29 EUR
500+	0.22 EUR
1000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 24

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20200LT1G

Trans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20200LT1G

Bipolar Transistors - BJT 20V PNP LOW VCE(SAT) XTR

auf Bestellung 12444 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.74 EUR
10+	0.46 EUR
100+	0.3 EUR
500+	0.22 EUR
1000+	0.2 EUR
3000+	0.15 EUR
6000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20200LT1G 4A/20V

SOT23

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NSS20200W6T1G

Description: TRANS PNP 20V 2A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 215mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 555 mW

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20200W6T1G

Description: TRANS PNP 20V 2A SC88/SC70-6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 215mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 555 mW

auf Bestellung 20185 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1480+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 1480

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NSS20200W6T1G

Description: TRANS PNP 20V 2A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 215mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 555 mW

Produkt ist nicht verfügbar

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NSS20200W6T1G

Description: ONSEMI - NSS20200W6T1G - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 20185 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NSS20201DMTTBG

Description: TRANS PNP 20V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.39 EUR
6000+	0.37 EUR
9000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NSS20201DMTTBG

Bipolar Transistors - BJT 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.54 EUR
10+	0.97 EUR
100+	0.63 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.44 EUR
3000+	0.4 EUR
6000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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NSS20201DMTTBG

Description: TRANS PNP 20V 2A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

18+	1.02 EUR
20+	0.88 EUR
100+	0.61 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 18

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NSS20201LT1G

Trans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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NSS20201LT1G

Bipolar Transistors - BJT Low VCE(sat) Transistor, NPN, 20 V, 2.0 A

auf Bestellung 6486 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.83 EUR
10+	0.51 EUR
100+	0.33 EUR
500+	0.25 EUR
1000+	0.22 EUR
3000+	0.19 EUR
6000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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NSS20201LT1G

Trans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NSS20201LT1G

Description: ONSEMI - NSS20201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 10195 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NSS20201LT1G

Description: TRANS NPN 20V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NSS20201LT1G

Trans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NSS20201LT1G

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NSS20201LT1G

Description: ONSEMI - NSS20201LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 44277 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NSS20201LT1G

Trans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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NSS20201LT1G

Trans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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NSS20201LT1G

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 2A; 0.54W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.54W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 20V
Current gain: 200
Frequency: 150MHz
Polarisation: bipolar
Case: SOT23; TO236AB
Type of transistor: NPN

Produkt ist nicht verfügbar

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NSS20201LT1G

Trans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

9000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 9000

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NSS20201LT1G

Trans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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NSS20201LT1G

Description: TRANS NPN 20V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW

auf Bestellung 5600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

22+	0.83 EUR
35+	0.51 EUR
100+	0.33 EUR
500+	0.25 EUR
1000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 22

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NSS20201LT1G

Description: ONSEMI - NSS20201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 10195 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NSS20201MR6T1G

auf Bestellung 4740 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NSS20201MR6T1G

Description: TRANS NPN 20V 2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

19+	0.93 EUR
22+	0.82 EUR
100+	0.57 EUR
500+	0.47 EUR
1000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 19

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NSS20201MR6T1G

Description: ONSEMI - NSS20201MR6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 46370 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NSS20201MR6T1G

Trans GP BJT NPN 20V 2A 780mW Automotive 6-Pin TSOP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20201MR6T1G

Description: TRANS NPN 20V 2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20201MR6T1G

Bipolar Transistors - BJT 2A 20V Low VCEsat

auf Bestellung 2268 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.01 EUR
10+	0.89 EUR
100+	0.68 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.43 EUR
3000+	0.39 EUR
6000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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NSS20300MR

auf Bestellung 1556 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20300MR6T1G

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20300MR6T1G

Bipolar Transistors - BJT 3A 20V Low VCEsat

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.2 EUR
10+	0.83 EUR
100+	0.55 EUR
500+	0.42 EUR
1000+	0.37 EUR
3000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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NSS20300MR6T1G

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 20V; 3A; 0.545W; TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.545W
Collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 20V
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
Case: TSOP6
Type of transistor: PNP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20300MR6T1G

Description: TRANS PNP 20V 3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 545 mW

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

20+	0.9 EUR
23+	0.78 EUR
100+	0.58 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 20

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20300MR6T1G

Trans GP BJT PNP 20V 3A 106000mW Automotive 6-Pin TSOP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20300MR6T1G

Description: TRANS PNP 20V 3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 545 mW

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20300MR6T1G

Trans GP BJT PNP 20V 3A 106000mW Automotive 6-Pin TSOP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20300MR6T1G

Trans GP BJT PNP 20V 3A 106000mW Automotive 6-Pin TSOP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20500UW3T2G

WDFN3

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20500UW3T2G

Trans GP BJT PNP 20V 5A 3000mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20500UW3T2G

09+

auf Bestellung 30018 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20500UW3T2G

Description: TRANS PNP 20V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.06 EUR
20+	0.9 EUR
100+	0.67 EUR
500+	0.53 EUR
1000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 17

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20500UW3T2G

Trans GP BJT PNP 20V 5A 3000mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20500UW3T2G

auf Bestellung 2965 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20500UW3T2G

08NOPB

auf Bestellung 1460 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20500UW3T2G

Bipolar Transistors - BJT 20V PNP LOW VCE(SAT) XTR

auf Bestellung 994 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.29 EUR
10+	0.8 EUR
100+	0.52 EUR
500+	0.4 EUR
1000+	0.36 EUR
3000+	0.29 EUR
6000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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NSS20500UW3T2G

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 20V; 5A; 1.5W; WDFN3; automotive industry
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.5W
Collector current: 5A
Collector-emitter voltage: 20V
Current gain: 250
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
Case: WDFN3
Type of transistor: PNP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20500UW3T2G

Description: TRANS PNP 20V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20500UW3TBG

Trans GP BJT PNP 20V 5A 3000mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20500UW3TBG

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20500UW3TBG

Trans GP BJT PNP 20V 5A 3000mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20500UW3TBG

Bipolar Transistors - BJT 20V PNP LOW VCE(SAT) XTR

auf Bestellung 2980 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.29 EUR
10+	0.8 EUR
100+	0.52 EUR
500+	0.4 EUR
1000+	0.36 EUR
3000+	0.31 EUR
6000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20500UW3TBG

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20500UW3TBG

auf Bestellung 1391 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.06 EUR
25+	0.71 EUR
100+	0.48 EUR
500+	0.38 EUR
1000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 17

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20501UW3T2G

Bipolar Transistors - BJT LO V NPN TRANSISTOR 20V 7.0A

auf Bestellung 3366 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.21 EUR
10+	0.76 EUR
100+	0.52 EUR
500+	0.42 EUR
1000+	0.36 EUR
3000+	0.32 EUR
6000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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NSS20501UW3T2G

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 5A; 1.5W; WDFN3; automotive industry
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.5W
Collector current: 5A
Collector-emitter voltage: 20V
Current gain: 250
Frequency: 150MHz
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
Case: WDFN3
Type of transistor: NPN

Produkt ist nicht verfügbar

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NSS20501UW3T2G

Trans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 5987 Stücke:

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151+	0.96 EUR
178+	0.78 EUR
180+	0.75 EUR
240+	0.54 EUR
250+	0.52 EUR
500+	0.4 EUR
1000+	0.28 EUR
3000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 151

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NSS20501UW3T2G

auf Bestellung 348 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NSS20501UW3T2G

Description: TRANS NPN 20V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.32 EUR
6000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NSS20501UW3T2G

Description: ONSEMI - NSS20501UW3T2G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 5 A, 1.5 W, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 42 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NSS20501UW3T2G

Trans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

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3000+	0.37 EUR
6000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NSS20501UW3T2G

Trans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R

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NSS20501UW3T2G

Trans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R

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NSS20501UW3T2G

Description: ONSEMI - NSS20501UW3T2G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 5 A, 1.5 W, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 42 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NSS20501UW3T2G

Trans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 5987 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

180+	0.8 EUR
240+	0.58 EUR
250+	0.56 EUR
500+	0.43 EUR
1000+	0.31 EUR
3000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 180

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NSS20501UW3T2G

Description: TRANS NPN 20V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW

auf Bestellung 8784 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

14+	1.34 EUR
22+	0.83 EUR
100+	0.54 EUR
500+	0.41 EUR
1000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 14

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NSS20501UW3T2G

Trans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

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6000+	0.31 EUR
9000+	0.3 EUR

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NSS20501UW3TBG

auf Bestellung 2370 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

19+	0.97 EUR
22+	0.83 EUR
100+	0.57 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 19

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NSS20501UW3TBG

Trans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R

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NSS20501UW3TBG

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NSS20501UW3TBG

Bipolar Transistors - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT) XTR

auf Bestellung 940 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	0.98 EUR
10+	0.84 EUR
100+	0.63 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.38 EUR
3000+	0.32 EUR
9000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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NSS20501UW3TBG

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NSS20501UW3TBG

Trans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20600CF8T1G

Description: TRANS PNP 20V 6A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 830 mW

auf Bestellung 108000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1480+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 1480

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NSS20601CF8T1G

Bipolar Transistors - BJT OCTAL BUS TRANSCEIVR

auf Bestellung 458 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.48 EUR
10+	1.59 EUR
100+	1.05 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.76 EUR
3000+	0.67 EUR
6000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20601CF8T1G

Description: TRANS NPN 20V 6A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 830 mW

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.66 EUR
6000+	0.62 EUR
9000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20601CF8T1G

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 6A; 1.4W; ChipFET8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.4W
Collector current: 6A
Collector-emitter voltage: 20V
Current gain: 200
Frequency: 140MHz
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
Case: ChipFET8
Type of transistor: NPN

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS20601CF8T1G

Trans GP BJT NPN 20V 6A 1400mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R

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NSS20601CF8T1G

Trans GP BJT NPN 20V 6A 1400mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R

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NSS20601CF8T1G

Eaton - Bussmann Electrical Division

Description: TRANS NPN 20V 6A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 830 mW

auf Bestellung 14880 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.48 EUR
12+	1.57 EUR
100+	1.05 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS3-BK

Description: CONN BARRIER STRIP 3CIRC 0.385"
Packaging: Bulk
Color: Black
Voltage Rating: 600V
Current Rating (Amps): 30A
Pitch: 0.385" (9.77mm)
Number of Rows: 2 (Raised, Staggered)
Terminal Block Type: Barrier Block
Top Termination: Screws with Captive Plate
Bottom Termination: Closed
Barrier Type: 2 Wall (Dual)
Number of Circuits: 3
Number of Wire Entries: 6

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS3-BK

Eaton - Bussmann Electrical Division

Labels & Industrial Warning Signs BLOCK NYLON NSS3

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS3-WH

Description: CONN BARRIER STRIP 3CIRC 0.385"
Packaging: Bulk
Color: White
Voltage Rating: 600V
Current Rating (Amps): 30A
Pitch: 0.385" (9.77mm)
Number of Rows: 2 (Raised, Staggered)
Terminal Block Type: Barrier Block
Top Termination: Screws with Captive Plate
Bottom Termination: Closed
Barrier Type: 2 Wall (Dual)
Number of Circuits: 3
Number of Wire Entries: 6

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS3-WH

DIN Rail Terminal Blocks TERM BLOCK WHITE

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NSS30070MR6T1G

Bipolar Transistors - BJT 700mA 30V Low VCEsat

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS30070MR6T1G

Description: TRANS PNP 30V 0.7A SC74
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 70mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: SC-74
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 342 mW

auf Bestellung 57000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.2 EUR
23+	0.8 EUR
100+	0.55 EUR
500+	0.43 EUR
1000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 15

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS30070MR6T1G

Trans GP BJT PNP 30V 0.7A 665mW Automotive 6-Pin SC-74 T/R

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NSS30070MR6T1G

Bipolar Transistors - BJT 700mA 30V Low VCEsat

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.13 EUR
10+	0.78 EUR
100+	0.54 EUR
500+	0.42 EUR
1000+	0.39 EUR
3000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS30070MR6T1G

Description: TRANS PNP 30V 0.7A SC74
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 70mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: SC-74
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 342 mW

auf Bestellung 57000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.35 EUR
6000+	0.32 EUR
9000+	0.31 EUR
15000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS30070MR6T1G

auf Bestellung 36000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS30071MR6T1G

Bipolar Transistors - BJT 700mA 30V Low VCEsat

auf Bestellung 3631 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS30071MR6T1G

auf Bestellung 36000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS30071MR6T1G

Description: TRANS NPN 30V 0.7A SC74
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 70mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: SC-74
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 342 mW

auf Bestellung 337 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

22+	0.83 EUR
25+	0.71 EUR
100+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 22

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS30071MR6T1G

Trans GP BJT NPN 30V 0.7A 665mW Automotive 6-Pin SC-74 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS30071MR6T1G

Bipolar Transistors - BJT 700mA 30V Low VCEsat

auf Bestellung 2585 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.74 EUR
10+	0.56 EUR
100+	0.39 EUR
500+	0.36 EUR
1000+	0.34 EUR
3000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS30071MR6T1G

Description: TRANS NPN 30V 0.7A SC74
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 70mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: SC-74
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 342 mW

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS30071MR6T1G

Trans GP BJT NPN 30V 0.7A 665mW Automotive 6-Pin SC-74 T/R

auf Bestellung 556 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS30071MR6T1G

Trans GP BJT NPN 30V 0.7A 665mW Automotive 6-Pin SC-74 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS30100LT1G

Description: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS30100LT1G

Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 1518 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

291+	0.5 EUR
347+	0.4 EUR
409+	0.33 EUR
620+	0.21 EUR
627+	0.2 EUR
633+	0.19 EUR
1092+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 291

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS30100LT1G

Description: ONSEMI - NSS30100LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 315927 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS30100LT1G

Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 1518 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

409+	0.35 EUR
620+	0.22 EUR
627+	0.21 EUR
633+	0.2 EUR
1092+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 409

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS30100LT1G

Bipolar Transistors - BJT 2A 30V Low VCEsat

auf Bestellung 3537 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.67 EUR
10+	0.49 EUR
100+	0.29 EUR
1000+	0.19 EUR
3000+	0.18 EUR
9000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS30100LT1G

Description: ONSEMI - NSS30100LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 8590 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS30100LT1G

Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS30100LT1G

SOT23

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS30100LT1G

Description: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW

auf Bestellung 5351 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

28+	0.65 EUR
41+	0.44 EUR
100+	0.29 EUR
500+	0.23 EUR
1000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 28

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NSS30100LT1G

Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R

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NSS30100LT1G

auf Bestellung 8590 Stücke:

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NSS30100LT1G

09+

auf Bestellung 3018 Stücke:

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NSS30101LT1G

Bipolar Transistors - BJT 1A 30V Low VCEsat

auf Bestellung 19761 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.67 EUR
10+	0.41 EUR
100+	0.23 EUR
1000+	0.2 EUR
3000+	0.16 EUR
24000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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NSS30101LT1G

Trans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 7325 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

357+	0.41 EUR
659+	0.21 EUR
666+	0.2 EUR
673+	0.19 EUR
1000+	0.13 EUR
3000+	0.12 EUR
6000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 357

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NSS30101LT1G

Trans GP BJT NPN 30V 1A 710mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NSS30101LT1G

Description: TRANS NPN 30V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.18 EUR
6000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NSS30101LT1G

Trans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R

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NSS30101LT1G

Description: ONSEMI - NSS30101LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 19 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NSS30101LT1G

Description: TRANS NPN 30V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW

auf Bestellung 8570 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

28+	0.65 EUR
41+	0.44 EUR
100+	0.29 EUR
500+	0.23 EUR
1000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 28

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NSS30101LT1G

Trans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 7325 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

266+	0.54 EUR
353+	0.39 EUR
357+	0.38 EUR
659+	0.2 EUR
666+	0.19 EUR
673+	0.18 EUR
1000+	0.12 EUR
3000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 266

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NSS30201MR6T1

auf Bestellung 33500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NSS30201MR6T1G

Description: TRANS NPN 30V 2A 6-TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 75mV @ 1mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 535 mW

auf Bestellung 5377 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.43 EUR
20+	0.88 EUR
100+	0.57 EUR
500+	0.44 EUR
1000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 13

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NSS30201MR6T1G

09+

auf Bestellung 6751 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NSS30201MR6T1G

Description: TRANS NPN 30V 2A 6-TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 75mV @ 1mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 535 mW

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NSS30201MR6T1G

auf Bestellung 2236 Stücke:

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NSS30201MR6T1G

Bipolar Transistors - BJT 2A 30V Low VCEsat

auf Bestellung 3485 Stücke:

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2+	1.42 EUR
10+	0.88 EUR
100+	0.57 EUR
500+	0.44 EUR
1000+	0.4 EUR
3000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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NSS30201MR6T1G

Trans GP BJT NPN 30V 2A 1180mW 6-Pin TSOP T/R

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NSS30201MR6T1G

07NOPB

auf Bestellung 6683 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NSS30201MR6T1G

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 2A; 1.75W; TSOP6
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: TSOP6
Current gain: 300...900
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz

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NSS30201MR6T1G

TSOP-6 0719+

auf Bestellung 1135 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NSS35200CF8T1

auf Bestellung 12814 Stücke:

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NSS35200CF8T1G

Bipolar Transistors - BJT 2A 35V Low VCEsat

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NSS35200CF8T1G

Description: TRANS PNP 35V 2A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 635 mW

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.94 EUR
14+	1.3 EUR
100+	0.91 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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NSS35200CF8T1G

Trans GP BJT PNP 35V 2A 13500mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R

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NSS35200CF8T1G

SSOP8

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS35200CF8T1G

Description: TRANS PNP 35V 2A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 635 mW

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NSS35200CF8T1G

09+

auf Bestellung 6018 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NSS35200CF8T1G

Trans GP BJT PNP 35V 2A 13500mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R

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NSS35200CF8T1G

auf Bestellung 1790 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS35200CF8TIG

Description: TRANS PNP 35V 2A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 635 mW

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS35200MR6T1G

Description: TRANS PNP 35V 2A 6-TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 625 mW

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NSS35200MR6T1G

Trans GP BJT PNP 35V 2A 1000mW 6-Pin TSOP T/R

auf Bestellung 688 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS35200MR6T1G

07+;

auf Bestellung 8600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NSS35200MR6T1G

Bipolar Transistors - BJT 2A 35V Low VCEsat

auf Bestellung 3696 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	0.98 EUR
10+	0.84 EUR
100+	0.63 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.38 EUR
3000+	0.33 EUR
9000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS35200MR6T1G

Trans GP BJT PNP 35V 2A 1000mW 6-Pin TSOP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS35200MR6T1G

Description: TRANS PNP 35V 2A 6-TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 625 mW

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS3CS-WH

DIN Rail Terminal Blocks TB W/COMBO SCREW

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS3CS-WH

Eaton Bussmann

Description: TERM BLOCK W/COMBO SCREW

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS3PP-WH

DIN Rail Terminal Blocks TERM BLK W PP WHITE

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NSS40200LT1G

Trans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.14 EUR
6000+	0.13 EUR
9000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40200LT1G

Trans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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NSS40200LT1G

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40200LT1G

Description: TRANS PNP 40V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.17 EUR
6000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40200LT1G

Trans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 185658 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1678+	0.086 EUR
1710+	0.082 EUR

Mindestbestellmenge: 1678

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40200LT1G

Description: ONSEMI - NSS40200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 362 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40200LT1G

Trans GP BJT PNP 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40200LT1G

Trans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4116+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 4116

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NSS40200LT1G

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 2A; 0.71W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.71W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 250
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Case: SOT23; TO236AB

Produkt ist nicht verfügbar

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NSS40200LT1G

Bipolar Transistors - BJT LESHANBE (CN1) XTR

auf Bestellung 2931 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.64 EUR
10+	0.4 EUR
100+	0.27 EUR
500+	0.21 EUR
1000+	0.19 EUR
3000+	0.16 EUR
6000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40200LT1G

Trans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 8550 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

345+	0.42 EUR
502+	0.28 EUR
507+	0.27 EUR
764+	0.17 EUR
801+	0.15 EUR
1000+	0.12 EUR
3000+	0.094 EUR
6000+	0.09 EUR

Mindestbestellmenge: 345

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40200LT1G

Description: TRANS PNP 40V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW

auf Bestellung 9034 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

24+	0.76 EUR
38+	0.47 EUR
100+	0.3 EUR
500+	0.22 EUR
1000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 24

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40200LT1G

Trans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 8550 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

507+	0.29 EUR
764+	0.18 EUR
801+	0.17 EUR
810+	0.16 EUR
1000+	0.13 EUR
3000+	0.098 EUR
6000+	0.09 EUR

Mindestbestellmenge: 507

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NSS40200LT1G

Description: ONSEMI - NSS40200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2097 Stücke:

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NSS40200UW6T1G

Bipolar Transistors - BJT WDFN6 2*2 LOW VCE (SAT) TR

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NSS40200UW6T1G

Trans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 38280 Stücke:

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1180+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 1180

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NSS40200UW6T1G

Description: TRANS PNP 40V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW

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NSS40200UW6T1G

Trans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 159923 Stücke:

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1180+	0.46 EUR

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NSS40200UW6T1G

auf Bestellung 1700 Stücke:

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NSS40200UW6T1G

Trans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 7950 Stücke:

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1180+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 1180

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NSS40200UW6T1G

Description: TRANS PNP 40V 2A 6WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW

auf Bestellung 206153 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

791+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 791

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NSS40200UW6T1G

Trans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW 6-Pin WDFN EP T/R

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NSS40201LT1G

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 2A; 0.54W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
Application: automotive industry
Current gain: 200

auf Bestellung 570 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

143+	0.5 EUR
197+	0.36 EUR
271+	0.26 EUR
311+	0.23 EUR
500+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 143

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NSS40201LT1G

Description: ONSEMI - NSS40201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 370hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 6410 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NSS40201LT1G

Description: TRANS NPN 40V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW

auf Bestellung 41563 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

21+	0.86 EUR
34+	0.53 EUR
100+	0.34 EUR
500+	0.26 EUR
1000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 21

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NSS40201LT1G

Trans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.17 EUR
6000+	0.16 EUR
9000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NSS40201LT1G

auf Bestellung 570 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

143+	0.5 EUR
197+	0.36 EUR
271+	0.26 EUR
311+	0.23 EUR
500+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 143

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NSS40201LT1G

Trans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NSS40201LT1G

Trans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 8216 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

227+	0.64 EUR
359+	0.39 EUR
363+	0.37 EUR
687+	0.19 EUR
715+	0.17 EUR
723+	0.16 EUR
1000+	0.15 EUR
3000+	0.13 EUR
6000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 227

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NSS40201LT1G

auf Bestellung 6410 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NSS40201LT1G

Trans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NSS40201LT1G

Description: TRANS NPN 40V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW

auf Bestellung 39000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.19 EUR
6000+	0.18 EUR
9000+	0.17 EUR
15000+	0.16 EUR
21000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NSS40201LT1G

Trans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NSS40201LT1G

Trans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 13724 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3433+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3433

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NSS40201LT1G

Description: ONSEMI - NSS40201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 370hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40201LT1G

Trans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NSS40201LT1G

Bipolar Transistors - BJT LO V NPN TRANSISTOR 40V 4.0A

auf Bestellung 210086 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.76 EUR
10+	0.45 EUR
100+	0.32 EUR
500+	0.25 EUR
1000+	0.22 EUR
3000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40201LT1G

Trans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 8216 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

363+	0.4 EUR
687+	0.2 EUR
715+	0.19 EUR
723+	0.18 EUR
1000+	0.17 EUR
3000+	0.14 EUR
6000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 363

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40201LT1G

Trans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NSS40300

onsemi PNP SOT223 BIP POWER TRAN

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NSS40300CTWG

Description: ONSEMI - NSS40300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 175hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: LFPAK
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: e2PowerEdge Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40300CTWG

Description: TRANS PNP 40V 3A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.66 EUR
11+	1.64 EUR
25+	1.37 EUR
100+	1.07 EUR
250+	0.92 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40300CTWG

Description: TRANS PNP 40V 3A LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40300CTWG

Description: ONSEMI - NSS40300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 175hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40300CTWG

Bipolar Transistors - BJT PNP LFPAK4 BIP POWER TRAN

auf Bestellung 2988 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.31 EUR
10+	1.45 EUR
100+	0.96 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.71 EUR
3000+	0.6 EUR
6000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40300DDR2

Description: ONSEMI - NSS40300DDR2 - TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40300DDR2

Description: TRANS 2PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1158+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 1158

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40300DDR2G

Description: TRANS 2PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

auf Bestellung 24947 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.24 EUR
13+	1.41 EUR
100+	0.93 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40300DDR2G

Trans GP BJT PNP 40V 3A 783mW Automotive 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40300DDR2G

Trans GP BJT PNP 40V 3A 783mW Automotive 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40300DDR2G

Description: TRANS 2PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

auf Bestellung 22500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.59 EUR
5000+	0.55 EUR
7500+	0.52 EUR
12500+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40300DDR2G

Bipolar Transistors - BJT DUAL 40V LOW VCE XTR PNP

auf Bestellung 3565 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.01 EUR
10+	0.96 EUR
100+	0.74 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.59 EUR
2500+	0.5 EUR
5000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40300DDR2G

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 40V; 3A; 0.576W; SO8
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP x2
Power dissipation: 0.576W
Collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 220
Frequency: 100MHz
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40300DDR2G

auf Bestellung 398 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40300MDG

auf Bestellung 5388 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40300MDR2G

auf Bestellung 355 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40300MDR2G

Bipolar Transistors - BJT 40V 6A LOW VCE(SAT) DUAL PNP

auf Bestellung 2541 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.54 EUR
10+	1.26 EUR
100+	0.83 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.62 EUR
2500+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40300MDR2G

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40300MDR2G

auf Bestellung 265 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.27 EUR
13+	1.43 EUR
100+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40300MDR2G

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40300MDR2G

Trans GP BJT PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40300MDR2G

Trans GP BJT PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40300MZ4

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NSS40300MZ4T1G

Description: ONSEMI - NSS40300MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 5418 Stücke:

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NSS40300MZ4T1G

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NSS40300MZ4T1G

Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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NSS40300MZ4T1G

Bipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 40V 3.0A

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3+	1.21 EUR
10+	0.77 EUR
100+	0.52 EUR
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1000+	0.36 EUR
2000+	0.33 EUR
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NSS40300MZ4T1G

Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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NSS40300MZ4T1G

Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 175 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W

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19+	0.93 EUR
100+	0.6 EUR
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NSS40300MZ4T1G

Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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1000+	0.25 EUR

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NSS40300MZ4T1G

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NSS40300MZ4T1G

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NSS40300MZ4T1G

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 3A; 2W; SOT223-4,TO261-4
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 2W
Collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 175...350
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223-4; TO261-4
Polarisation: bipolar

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NSS40300MZ4T1G

Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 175 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W

auf Bestellung 6000 Stücke:

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1000+	0.42 EUR
2000+	0.38 EUR
3000+	0.36 EUR
5000+	0.34 EUR

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NSS40300MZ4T1G

Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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521+	0.28 EUR
529+	0.26 EUR
538+	0.25 EUR
546+	0.24 EUR
555+	0.22 EUR
565+	0.21 EUR
1000+	0.2 EUR

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NSS40300MZ4T3G

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NSS40300MZ4T3G

Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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NSS40300MZ4T3G

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NSS40300MZ4T3G

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22+	0.82 EUR
100+	0.53 EUR
500+	0.4 EUR
1000+	0.36 EUR
2000+	0.33 EUR

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NSS40300MZ4T3G

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NSS40300MZ4T3G

Bipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 40V 3.0A

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10+	0.73 EUR
100+	0.49 EUR
500+	0.38 EUR
1000+	0.31 EUR
4000+	0.29 EUR
8000+	0.25 EUR

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NSS40300MZ4T3G

Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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NSS40300UT001

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NSS40301

NPN 40V LOW SAT SOT223 BP

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NSS40301CTWG

Bipolar Transistors - BJT NPN 40V LOW SAT LFPAK4 BP

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10+	1.45 EUR
100+	0.96 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.71 EUR
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6000+	0.56 EUR

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NSS40301CTWG

Description: ONSEMI - NSS40301CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: LFPAK
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: e2PowerEdge Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 3000 Stücke:

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NSS40301CTWG

Description: TRANS NPN 40V 3A LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W

auf Bestellung 3000 Stücke:

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3000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NSS40301CTWG

Description: ONSEMI - NSS40301CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NSS40301CTWG

Description: TRANS NPN 40V 3A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.66 EUR
11+	1.64 EUR
25+	1.37 EUR
100+	1.07 EUR
250+	0.92 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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NSS40301MDG

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NSS40301MDR2G

Description: ONSEMI - NSS40301MDR2G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 3 A, 653 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 180hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 653mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 3207 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NSS40301MDR2G

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 3A; 0.576W; SO8
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN x2
Power dissipation: 0.576W
Collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 200
Frequency: 100MHz
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar

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NSS40301MDR2G

Description: TRANS 2NPN DUAL 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

auf Bestellung 2922 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.27 EUR
13+	1.43 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 8

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NSS40301MDR2G

auf Bestellung 3207 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40301MDR2G

Description: TRANS 2NPN DUAL 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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NSS40301MDR2G

Trans GP BJT NPN 40V 3A 783mW Automotive 8-Pin SOIC N T/R

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NSS40301MDR2G

auf Bestellung 8500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40301MDR2G

Trans GP BJT NPN 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40301MDR2G

Bipolar Transistors - BJT MATCHED LO VCE(SAT) SOIC8

auf Bestellung 14491 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.94 EUR
10+	1.16 EUR
100+	0.84 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.61 EUR
2500+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40301MZ4T1G

Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 772 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

368+	0.39 EUR
418+	0.33 EUR
489+	0.27 EUR
549+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 368

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40301MZ4T1G

Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40301MZ4T1G

Description: ONSEMI - NSS40301MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 47 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40301MZ4T1G

Description: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W

auf Bestellung 5863 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.37 EUR
21+	0.85 EUR
100+	0.55 EUR
500+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 13

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40301MZ4T1G

Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40301MZ4T1G

Bipolar Transistors - BJT NPN 40V LOW SAT BP

auf Bestellung 5689 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.1 EUR
10+	0.73 EUR
100+	0.49 EUR
500+	0.39 EUR
1000+	0.35 EUR
2000+	0.29 EUR
10000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40301MZ4T1G

Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 772 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

418+	0.35 EUR
489+	0.29 EUR
549+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 418

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40301MZ4T1G

auf Bestellung 47 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NSS40301MZ4T1G

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 3A; 2W; SOT223-4,TO261-4
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 2W
Collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 200...500
Frequency: 100MHz
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223-4; TO261-4
Polarisation: bipolar

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40301MZ4T1G

Description: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	0.38 EUR
2000+	0.34 EUR
3000+	0.33 EUR
5000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40301MZ4T1G

Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40301MZ4T1G

Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40301MZ4T3G

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40301MZ4T3G

Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40301MZ4T3G

auf Bestellung 5515 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.37 EUR
21+	0.85 EUR
100+	0.55 EUR
500+	0.42 EUR
1000+	0.38 EUR
2000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 13

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40301MZ4T3G

Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40301MZ4T3G

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 4000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40301MZ4T3G

Bipolar Transistors - BJT NPN 40V LOW SAT BP SOT223

auf Bestellung 1807 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.36 EUR
10+	0.83 EUR
100+	0.54 EUR
500+	0.41 EUR
1000+	0.34 EUR
4000+	0.3 EUR
8000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40301UT001

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40302PDR2G

Description: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

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2500+	0.85 EUR
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NSS40302PDR2G

Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

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486+	1.12 EUR
540+	0.97 EUR
1000+	0.86 EUR

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NSS40302PDR2G

Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R

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2500+	0.66 EUR

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NSS40302PDR2G

Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R

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NSS40302PDR2G

Description: ONSEMI - NSS40302PDR2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 3 A, 3 A, 783 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 783mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3A
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 783mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 10510 Stücke:

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NSS40302PDR2G

Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R

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NSS40302PDR2G

Bipolar Transistors - BJT COMP NPN/PNP LO VCE 40V 6A

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2+	2.75 EUR
10+	1.74 EUR
100+	1.17 EUR
500+	0.92 EUR
1000+	0.84 EUR
2500+	0.76 EUR
5000+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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NSS40302PDR2G

Description: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

auf Bestellung 6981 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.04 EUR
10+	1.93 EUR
100+	1.3 EUR
500+	1.03 EUR
1000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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NSS40302PDR2G

Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R

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64+	2.28 EUR
100+	1.53 EUR
200+	1.34 EUR
500+	0.98 EUR
1000+	0.92 EUR
2000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 64

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NSS40302PDR2G

auf Bestellung 10462 Stücke:

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NSS40302PDR2G

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 40V; 3A; SO8
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 3A
Power dissipation: 0.576W
Case: SO8
Current gain: 200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz

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NSS40302PDR2G

Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R

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NSS40400CF8T1G

Description: LOW VCES 40V SS XTR
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 6000 Stücke:

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1603+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 1603

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NSS40400CF8T1G

auf Bestellung 6000 Stücke:

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NSS40500UW3T2G

Description: ONSEMI - NSS40500UW3T2G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 36300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NSS40500UW3T2G

Trans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R

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NSS40500UW3T2G

Bipolar Transistors - BJT 2 2 LOW VCE(SAT) TR

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NSS40500UW3T2G

Trans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

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3000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NSS40500UW3T2G

Description: TRANS PNP 40V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW

auf Bestellung 288 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.37 EUR
21+	0.86 EUR
100+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 13

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NSS40500UW3T2G

auf Bestellung 6998 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NSS40500UW3T2G

Trans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NSS40500UW3T2G

Trans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NSS40500UW3T2G

Description: TRANS PNP 40V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW

Produkt ist nicht verfügbar

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NSS40500UW3T2G

Trans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R

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NSS40500UW3T2G

Trans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R

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NSS40501UW3T2G

Trans GP BJT NPN 40V 5A 1500mW 3-Pin WDFN EP T/R

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NSS40501UW3T2G

Trans GP BJT NPN 40V 5A 1500mW 3-Pin WDFN EP T/R

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NSS40501UW3T2G

Description: TRANS NPN 40V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW

auf Bestellung 2713 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.08 EUR
14+	1.31 EUR
100+	0.86 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 9

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NSS40501UW3T2G

Bipolar Transistors - BJT QUAD 2-INPUT OR GATE

auf Bestellung 2564 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.88 EUR
10+	0.98 EUR
100+	0.71 EUR
500+	0.59 EUR
1000+	0.56 EUR
6000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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NSS40501UW3T2G

Trans GP BJT NPN 40V 5A 1500mW 3-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 2765 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

162+	0.86 EUR
185+	0.73 EUR
250+	0.7 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 162

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NSS40501UW3T2G

Trans GP BJT NPN 40V 5A 1500mW 3-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 2765 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

154+	0.94 EUR
162+	0.83 EUR
185+	0.7 EUR
250+	0.67 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 154

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NSS40501UW3T2G

Description: TRANS NPN 40V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW

Produkt ist nicht verfügbar

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NSS40600CF8T1G

Trans GP BJT PNP 40V 6A 1400mW 8-Pin Chip FET T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40600CF8T1G

Description: TRANS PNP 40V 6A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 830 mW

Produkt ist nicht verfügbar

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NSS40600CF8T1G

Bipolar Transistors - BJT LOW VCES 40V PNP

auf Bestellung 526 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.75 EUR
10+	1.56 EUR
100+	1.22 EUR
500+	1.01 EUR
1000+	0.8 EUR
3000+	0.68 EUR
24000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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NSS40600CF8T1G

Trans GP BJT PNP 40V 6A 1400mW 8-Pin Chip FET T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40600CF8T1G

Description: TRANS PNP 40V 6A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 830 mW

auf Bestellung 970 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.01 EUR
13+	1.36 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40601CF8T1G

Description: TRANS NPN 40V 6A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 135mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 830 mW

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40601CF8T1G

Trans GP BJT NPN 40V 6A 1400mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40601CF8T1G

Bipolar Transistors - BJT HEX UNBUFFED INVERTR

auf Bestellung 1425 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.69 EUR
10+	1.52 EUR
100+	1.19 EUR
500+	0.98 EUR
1000+	0.78 EUR
3000+	0.72 EUR
9000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS40601CF8T1G

Description: TRANS NPN 40V 6A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 135mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 830 mW

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS43400MZ4T3G

auf Bestellung 1556 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS4532-200-F

auf Bestellung 50000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS504-012N-CAEG1T

auf Bestellung 589 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS504-012N-CFED1B

auf Bestellung 7600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS507-212F-GAAG1T

MISAKI

07+

auf Bestellung 34 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS5E472J

auf Bestellung 22000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS60100DMTTBG

Description: TRANS 2PNP 60V 1A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active

auf Bestellung 5413 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.06 EUR
20+	0.9 EUR
100+	0.63 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 17

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NSS60100DMTTBG

Trans GP BJT PNP 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS60100DMTTBG

Trans GP BJT PNP 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS60100DMTTBG

Trans GP BJT PNP 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1473+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 1473

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NSS60100DMTTBG

Bipolar Transistors - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.41 EUR
10+	0.88 EUR
100+	0.57 EUR
500+	0.44 EUR
1000+	0.4 EUR
3000+	0.37 EUR
6000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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NSS60100DMTTBG

Description: TRANS 2PNP 60V 1A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS60100DMTTBG

Trans GP BJT PNP 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1473+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 1473

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NSS60101DMR6T1G

Description: NSS60101DMR6T1G - 60 V, 1 A, LOW
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 400mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-74
Part Status: Obsolete

Produkt ist nicht verfügbar

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NSS60101DMR6T1G

60 V, 1 A NPN Bipolar Junction Transistor

Produkt ist nicht verfügbar

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NSS60101DMTTBG

Bipolar Transistors - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA

auf Bestellung 4721 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.27 EUR
10+	0.78 EUR
100+	0.55 EUR
500+	0.44 EUR
1000+	0.4 EUR
3000+	0.33 EUR
6000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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NSS60101DMTTBG

Description: TRANS 2NPN 60V 1A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active

auf Bestellung 3000 Stücke:

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3000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NSS60101DMTTBG

Trans GP BJT NPN 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R

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NSS60101DMTTBG

Trans GP BJT NPN 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 2700 Stücke:

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1473+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 1473

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NSS60101DMTTBG

Description: TRANS 2NPN 60V 1A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active

auf Bestellung 3765 Stücke:

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16+	1.16 EUR
23+	0.78 EUR
100+	0.54 EUR
500+	0.42 EUR
1000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 16

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NSS60101DMTTBG

Trans GP BJT NPN 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R

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NSS60200DMTTBG

PNP Bipolar Transistors

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NSS60200DMTTBG

Description: TRANS PNP 60V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)

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NSS60200DMTTBG

Bipolar Transistors - BJT DUAL 60V 2A LOWVCES AT PNP

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NSS60200LT1G

Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW

auf Bestellung 39000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.2 EUR
6000+	0.18 EUR
9000+	0.17 EUR
15000+	0.16 EUR
21000+	0.15 EUR

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NSS60200LT1G

Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R

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NSS60200LT1G

Bipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 4.0A

auf Bestellung 42339 Stücke:

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5+	0.67 EUR
10+	0.45 EUR
100+	0.33 EUR
500+	0.25 EUR
1000+	0.23 EUR
3000+	0.17 EUR
6000+	0.16 EUR

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NSS60200LT1G

Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R

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NSS60200LT1G

Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

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3000+	0.2 EUR
6000+	0.19 EUR
9000+	0.18 EUR
12000+	0.17 EUR

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NSS60200LT1G

Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

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3000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NSS60200LT1G

Description: ONSEMI - NSS60200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 15630 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NSS60200LT1G

Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R

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NSS60200LT1G

Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW

auf Bestellung 39414 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

21+	0.86 EUR
33+	0.54 EUR
100+	0.34 EUR
500+	0.26 EUR
1000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 21

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NSS60200LT1G

Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R

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NSS60200LT1G

Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

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3000+	0.14 EUR

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NSS60200LT1G
Produktcode: 121380

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NSS60200SMTTBG

60 V, 2 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

auf Bestellung 3899 Stücke:

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1655+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 1655

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NSS60200SMTTBG

Description: ONSEMI - NSS60200SMTTBG - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 3909 Stücke:

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NSS60200SMTTBG

Description: TRANS PNP 60V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W

auf Bestellung 93000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.29 EUR
6000+	0.27 EUR
9000+	0.26 EUR
15000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NSS60200SMTTBG

Bipolar Transistors - BJT 60V SINGLE 2A LOWVC E(SAT)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.3 EUR
10+	0.81 EUR
100+	0.52 EUR
500+	0.4 EUR
1000+	0.36 EUR
3000+	0.31 EUR
6000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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NSS60200SMTTBG

Description: TRANS PNP 60V 2A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W

auf Bestellung 93000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

18+	1.02 EUR
26+	0.69 EUR
100+	0.47 EUR
500+	0.37 EUR
1000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 18

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NSS60201LT1G

Description: TRANS NPN 60V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW

auf Bestellung 67608 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.07 EUR
27+	0.67 EUR
100+	0.43 EUR
500+	0.32 EUR
1000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 17

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NSS60201LT1G

Trans GP BJT NPN 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NSS60201LT1G

Trans GP BJT NPN 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R

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NSS60201LT1G

Trans GP BJT NPN 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R

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NSS60201LT1G

Bipolar Transistors - BJT 60V NPN LOW VCE(SAT) XTR

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NSS60201LT1G

Description: TRANS NPN 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW

auf Bestellung 66000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.25 EUR
6000+	0.23 EUR
9000+	0.21 EUR
15000+	0.2 EUR
30000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NSS60201LT1G

Trans GP BJT NPN 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NSS60201LT1G

Trans GP BJT NPN 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R

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NSS60201LT1G

Description: ONSEMI - NSS60201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1195 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NSS60201LT1G

Trans GP BJT NPN 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS60201LT1G

Trans GP BJT NPN 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2466+	0.22 EUR
10000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 2466

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NSS60201SMTTBG

60 V, 2 A, Low VCE(sat) NPN Transistor

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NSS60201SMTTBG

Bipolar Transistors - BJT 60V SINGLE 2A LOWVC E(SAT)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.3 EUR
10+	0.81 EUR
100+	0.52 EUR
500+	0.4 EUR
1000+	0.36 EUR
3000+	0.33 EUR
6000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS60201SMTTBG

Description: TRANS NPN 60V 2A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W

auf Bestellung 2998 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.06 EUR
25+	0.71 EUR
100+	0.49 EUR
500+	0.38 EUR
1000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 17

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS60201SMTTBG

Description: TRANS NPN 60V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS60201SMTTBG

Trans GP BJT NPN 60V 2A 1800mW 6-Pin WDFN EP T/R

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NSS60600

SOT223 PNP LOW VCE(SAT)

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NSS60600MZ4T1G

Bipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 6.0A

auf Bestellung 4485 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.14 EUR
10+	0.84 EUR
100+	0.55 EUR
500+	0.42 EUR
1000+	0.37 EUR
2000+	0.32 EUR
5000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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NSS60600MZ4T1G

Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NSS60600MZ4T1G

Description: ONSEMI - NSS60600MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 6 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 14388 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS60600MZ4T1G

Description: TRANS PNP 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW

auf Bestellung 25656 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

16+	1.11 EUR
24+	0.75 EUR
100+	0.51 EUR
500+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 16

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NSS60600MZ4T1G

10+

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NSS60600MZ4T1G

Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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NSS60600MZ4T1G

Description: TRANS PNP 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	0.37 EUR
2000+	0.34 EUR
3000+	0.32 EUR
5000+	0.3 EUR
7000+	0.29 EUR
10000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSS60600MZ4T1G

Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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NSS60600MZ4T1G

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NSS60600MZ4T3G

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4000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 4000

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NSS60600MZ4T3G

Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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NSS60600MZ4T3G

auf Bestellung 3340 Stücke:

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NSS60600MZ4T3G

Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

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NSS60600MZ4T3G

Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

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1560+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 1560

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NSS60600MZ4T3G

Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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NSS60600MZ4T3G

auf Bestellung 7446 Stücke:

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16+	1.11 EUR
24+	0.75 EUR
100+	0.51 EUR
500+	0.4 EUR
1000+	0.37 EUR
2000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 16

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NSS60600MZ4T3G

Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 3991 Stücke:

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1560+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 1560

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NSS60600MZ4T3G

Bipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 6.0A

auf Bestellung 7535 Stücke:

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3+	1.35 EUR
10+	0.84 EUR
100+	0.55 EUR
500+	0.42 EUR
1000+	0.38 EUR
2000+	0.34 EUR
4000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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NSS60600MZ4T3G

Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 4000

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NSS60601MZ4

NPN 60V/6A LOW VCE(SAT)

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NSS60601MZ4T1G

Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 22 Stücke:

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NSS60601MZ4T1G

Description: ONSEMI - NSS60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 710 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 541 Stücke:

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NSS60601MZ4T1G

Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 13000 Stücke:

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1364+	0.4 EUR
10000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 1364

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NSS60601MZ4T1G

Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW

auf Bestellung 7000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	0.41 EUR
2000+	0.38 EUR
3000+	0.36 EUR
5000+	0.34 EUR
7000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

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NSS60601MZ4T1G

Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

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1000+	0.37 EUR
2000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

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NSS60601MZ4T1G

Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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NSS60601MZ4T1G

Description: ONSEMI - NSS60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), niedrige Sättigungsspannung (VCE (SAT)), NPN, 60 V, 6 A, 710 mW
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 3000 Stücke:

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NSS60601MZ4T1G

Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1364+	0.4 EUR
10000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 1364

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NSS60601MZ4T1G

auf Bestellung 541 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NSS60601MZ4T1G

Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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NSS60601MZ4T1G

Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	0.37 EUR
2000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

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NSS60601MZ4T1G

Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW

auf Bestellung 7980 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.25 EUR
22+	0.83 EUR
100+	0.57 EUR
500+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 15

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NSS60601MZ4T1G

Bipolar Transistors - BJT NPN 60V/6A LOW VCE(SAT)

auf Bestellung 16891 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.35 EUR
10+	0.84 EUR
100+	0.61 EUR
500+	0.47 EUR
1000+	0.42 EUR
2000+	0.36 EUR
5000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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NSS60601MZ4T3G

Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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NSS60601MZ4T3G

auf Bestellung 1962 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.23 EUR
22+	0.83 EUR
100+	0.57 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 15

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NSS60601MZ4T3G

Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 35991 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1371+	0.4 EUR
10000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 1371

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NSS60601MZ4T3G

Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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NSS60601MZ4T3G

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NSS60601MZ4T3G
Produktcode: 173995

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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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NSS60601MZ4T3G

Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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NSS60601MZ4T3G

Bipolar Transistors - BJT 60V/6A LOW VCE(SAT) NPN

auf Bestellung 2196 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.3 EUR
10+	0.92 EUR
100+	0.6 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.42 EUR
2000+	0.39 EUR
4000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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NSS60601MZ4T3G

Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NSS60601MZ4T3G

Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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NSS6GE

Eaton - Bussmann Electrical Division

Labels and Industrial Warning Signs RAIL MOUNTED TERM. BLOCK

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NSS6GE

Description: RAIL MOUNTED TERM. BLOCK

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NSSB064T
Produktcode: 170623

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LEDs > LEDs sichtbare Spektrum SMD

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NSSB1001LT1

Description: SS BRT
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified

auf Bestellung 399000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4438+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 4438

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NSSB1001LT1

auf Bestellung 408000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NSSC-1

AC Power Plugs & Receptacles Sealing self-closing cap D for powerCON receptacles

auf Bestellung 326 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.5 EUR
100+	9.49 EUR
260+	9.17 EUR
500+	8.11 EUR
1000+	7.87 EUR
2500+	7.74 EUR

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NSSC-1

powerCON - Self-closing cap for NAC3MPX-TOP or D series without latches

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NSSC-2

AC Power Plugs & Receptacles Sealing self-closing cap D for powerCON receptacle

auf Bestellung 505 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.54 EUR
100+	9.52 EUR
260+	9.47 EUR
500+	9.06 EUR
1000+	8.78 EUR

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NSSC-2

powerCON Self-closing cap for NAC3FPX-TOP

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NSSC-3

AC Power Plugs & Receptacles Sealing self-closing cap PX for powerCON receptacle

auf Bestellung 55 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	18.67 EUR
10+	14.41 EUR
100+	14.19 EUR
500+	14.06 EUR
1000+	13.85 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSSL100T

auf Bestellung 1530 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSSM009T

auf Bestellung 209 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSSM016AT

auf Bestellung 101826 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSSM227T

auf Bestellung 3436 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NSSM440TVR

auf Bestellung 1695 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NSSM502K3J1NHB001

Littelfuse Inc.

Description: THERMISTOR NTC 5KOHM 3419K MELF
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 220°C
B0/50: 3419K
Resistance in Ohms @ 25°C: 5k
Resistance Tolerance: ±10%

auf Bestellung 749 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.2 EUR
10+	1.86 EUR
25+	1.74 EUR
50+	1.67 EUR
100+	1.6 EUR
500+	1.45 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSSR426CT

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSSS-50G

Description: NET+WORKS SUPPORT ADD'L SEAT

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSSS-50T

Description: NET+WORKS SUPPORT W/ONE SEAT

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NSSS-7520G

Description: NET+WORKS SUPPORT UNLIM SEAT

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NSSS-7520T

Description: NET+WORKS SUPPORT 1SEAT NS7520

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSSS-9360G

Description: NETWORKS SUPPORT UNL SEAT NS9360

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NSSS-9360T

Description: NET+WORKS MULTI UNL SEAT NS9360

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NSSS-9750G

Description: NETWORKS SUPPORT UNL SEAT NS9750

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NSSS-9750T

Description: NET+WORKS MULTI ONE SEAT NS9750

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSSS-GHS

Description: NETWORKS MULTI SUPPORT ADDL SEAT

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NSSW004T

auf Bestellung 11300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NSSW004TE

09+

auf Bestellung 6028 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NSSW006T

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NSSW006T-T238

auf Bestellung 667 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NSSW008AT

auf Bestellung 7000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NSSW008BT

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NSSW008CT

auf Bestellung 2900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NSSW008CT-P1

2010+ LED

auf Bestellung 54000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NSSW008CT-P1-T117

auf Bestellung 3500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NSSW008DT

NICHA

SMD 08+

auf Bestellung 3500 Stücke:

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NSSW020AT

TSMT

05+

auf Bestellung 1200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSSW020AT-TS9

auf Bestellung 26200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NSSW020BT

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSSW020BT

06+

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSSW020BT-P1

auf Bestellung 37481 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSSW020BT-T170

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NSSW020CT

auf Bestellung 115000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NSSW063AT
Produktcode: 106214

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Nichia

LEDs > LEDs sichtbare Spektrum SMD

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NSSW064T

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NSSW157AT-H3

Nichia Corporation

Світлодіод SMD; Кол. світ. = білий; Iv, мКд @ Ток, мА = 9.4 @ 80 мА; Кут світ., 2? = 120; Лінза = Прозора безбарвна; Габ. розм, мм = 3 х 1.5 х 0.52; Iроб, мА = 80; Uроб, В = 3; Тексп, °C = -40...+100; Серія = 157; CRI=85; 3x1.4x0.52mm

auf Bestellung 2094 Stücke:

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NSSW206T

auf Bestellung 10000 Stücke:

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NSSW206TE

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NSSW208ATE

auf Bestellung 500 Stücke:

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NSSW440-9159-TRB

auf Bestellung 27794 Stücke:

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NSSW440THR

auf Bestellung 27794 Stücke:

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NSSW440TVR

auf Bestellung 2500 Stücke:

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NSSWD37T