Produkte > NSS
Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||||||
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NSS 4 14 01 | ESSENTRA COMPONENTS | Description: ESSENTRA COMPONENTS - NSS 4 14 01 - Schraube, Flachkopfschraube, Schlitz, 4-40 UNC, Nylon 6.6, 22.2mm Länge tariffCode: 39269097 Gewindemaß - Imperial: 4-40 UNC Schraubenlänge: 22.2mm productTraceability: No rohsCompliant: YES Gewindemaß - Metrisch: - euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Schraubenkopf: Flachkopf, Schlitz Befestigungsmaterial: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6) usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS 4 16 01 | ESSENTRA COMPONENTS | Description: ESSENTRA COMPONENTS - NSS 4 16 01 - Schraube, Flachkopfschraube, Schlitz, 4-40 UNC, Nylon 6.6, 25.4mm Länge tariffCode: 39269097 Gewindemaß - Imperial: 4-40 UNC Schraubenlänge: 25.4mm productTraceability: No rohsCompliant: YES Gewindemaß - Metrisch: - euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Schraubenkopf: Flachkopf, Schlitz Befestigungsmaterial: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6) usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS 4 2 01 | ESSENTRA COMPONENTS | Description: ESSENTRA COMPONENTS - NSS 4 2 01 - Schraube, Flachkopfschraube, Schlitz, 4-40 UNC, Nylon 6.6, 3.2mm Länge tariffCode: 39269097 Gewindemaß - Imperial: 4-40 UNC Schraubenlänge: 3.2mm productTraceability: No rohsCompliant: YES Gewindemaß - Metrisch: - euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Schraubenkopf: Flachkopf, Schlitz Befestigungsmaterial: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6) usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS 4 3 01 | ESSENTRA COMPONENTS | Description: ESSENTRA COMPONENTS - NSS 4 3 01 - Schrauben, Flachkopfschrauben, Schraubensatz, Schlitz, 4-40 UNC, Nylon 6.6, 4.8mm Länge tariffCode: 39269097 Gewindemaß - Imperial: 4-40 UNC Schraubenlänge: 4.8mm productTraceability: No rohsCompliant: YES Gewindemaß - Metrisch: - euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Schraubenkopf: Flachkopf, Schlitz Befestigungsmaterial: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6) usEccn: EAR99 Produktpalette: - | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS 8 16 01 | ESSENTRA COMPONENTS | Description: ESSENTRA COMPONENTS - NSS 8 16 01 - Schrauben, Flachkopfschrauben, Schraubensatz, Schlitz, 8-32, Nylon 6.6, 25.4mm Länge tariffCode: 39269097 Gewindemaß - Imperial: 8-32 Schraubenlänge: 25.4mm productTraceability: No rohsCompliant: YES Gewindemaß - Metrisch: - euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Schraubenkopf: Flachkopf, Schlitz Befestigungsmaterial: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6) usEccn: EAR99 Produktpalette: - | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS 8 4 01 | ESSENTRA COMPONENTS | Description: ESSENTRA COMPONENTS - NSS 8 4 01 - Schrauben, Flachkopfschrauben, Schraubensatz, Schlitz, 8-32, Nylon 6.6, 6.4mm Länge tariffCode: 39269097 Gewindemaß - Imperial: 8-32 Schraubenlänge: 6.4mm productTraceability: No rohsCompliant: YES Gewindemaß - Metrisch: - euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Schraubenkopf: Flachkopf, Schlitz Befestigungsmaterial: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6) usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS-4-10-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #4-40 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.695" (17.65mm) Head Height: 0.070" (1.78mm) Length - Below Head: 0.625" (15.88mm) 5/8" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.209" (5.30mm) Drive Type: Slotted | auf Bestellung 583 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS-4-10-01 | Essentra | Screws & Fasteners | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS-4-12-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #4-40 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.820" (20.83mm) Head Height: 0.070" (1.78mm) Length - Below Head: 0.750" (19.05mm) 3/4" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.209" (5.30mm) Drive Type: Slotted Part Status: Obsolete | auf Bestellung 5165 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS-4-14-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #4-40 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.945" (24.00mm) Head Height: 0.070" (1.78mm) Length - Below Head: 0.875" (22.23mm) 7/8" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.209" (5.30mm) Drive Type: Slotted | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS-4-16-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #4-40 Type: Machine Screw Length - Overall: 1.070" (27.18mm) Head Height: 0.070" (1.78mm) Length - Below Head: 1.000" (25.40mm) 1" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.209" (5.30mm) Drive Type: Slotted Part Status: Obsolete | auf Bestellung 7439 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS-4-2-01 | Essentra | Screws & Fasteners | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS-4-2-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #4-40 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.195" (4.95mm) Head Height: 0.070" (1.78mm) Length - Below Head: 0.125" (3.18mm) 1/8" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.209" (5.30mm) Drive Type: Slotted Part Status: Obsolete | auf Bestellung 401 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS-4-3-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40 | auf Bestellung 839 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS-4-4-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40 | auf Bestellung 1410 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS-4-5-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #4-40 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.383" (9.73mm) Head Height: 0.070" (1.78mm) Length - Below Head: 0.313" (7.95mm) 5/16" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.209" (5.30mm) Drive Type: Slotted | auf Bestellung 7570 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS-4-6-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #4-40 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.445" (11.30mm) Head Height: 0.070" (1.78mm) Length - Below Head: 0.375" (9.53mm) 3/8" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.209" (5.30mm) Drive Type: Slotted | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS-4-7-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #4-40 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.508" (12.90mm) Head Height: 0.070" (1.78mm) Length - Below Head: 0.438" (11.13mm) 7/16" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.209" (5.30mm) Drive Type: Slotted | auf Bestellung 5786 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS-4-8-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #4-40 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.570" (14.48mm) Head Height: 0.070" (1.78mm) Length - Below Head: 0.500" (12.70mm) 1/2" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.209" (5.30mm) Drive Type: Slotted | auf Bestellung 2673 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS-6-10-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #6-32 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.705" (17.91mm) Head Height: 0.080" (2.03mm) Length - Below Head: 0.625" (15.88mm) 5/8" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.272" (6.90mm) Drive Type: Slotted | auf Bestellung 793 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS-6-12-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #6-32 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.830" (21.08mm) Head Height: 0.080" (2.03mm) Length - Below Head: 0.750" (19.05mm) 3/4" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.272" (6.90mm) Drive Type: Slotted | auf Bestellung 6346 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS-6-14-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #6-32 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.955" (24.26mm) Head Height: 0.080" (2.03mm) Length - Below Head: 0.875" (22.23mm) 7/8" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.272" (6.90mm) Drive Type: Slotted | auf Bestellung 2881 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS-6-16-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #6-32 Type: Machine Screw Length - Overall: 1.080" (27.43mm) Head Height: 0.080" (2.03mm) Length - Below Head: 1.000" (25.40mm) 1" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.272" (6.90mm) Drive Type: Slotted | auf Bestellung 8871 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS-6-2-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #6-32 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.205" (5.21mm) Head Height: 0.080" (2.03mm) Length - Below Head: 0.125" (3.18mm) 1/8" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.272" (6.90mm) Drive Type: Slotted | auf Bestellung 8254 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS-6-3-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #6-32 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.267" (6.78mm) Head Height: 0.080" (2.03mm) Length - Below Head: 0.188" (4.78mm) 3/16" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.272" (6.90mm) Drive Type: Slotted | auf Bestellung 7050 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS-6-4-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #6-32 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.330" (8.38mm) Head Height: 0.080" (2.03mm) Length - Below Head: 0.250" (6.35mm) 1/4" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.272" (6.90mm) Drive Type: Slotted Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS-6-5-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #6-32 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.393" (9.98mm) Head Height: 0.080" (2.03mm) Length - Below Head: 0.313" (7.95mm) 5/16" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.272" (6.90mm) Drive Type: Slotted | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS-6-6-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #6-32 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.455" (11.56mm) Head Height: 0.080" (2.03mm) Length - Below Head: 0.375" (9.53mm) 3/8" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.272" (6.90mm) Drive Type: Slotted | auf Bestellung 7747 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS-6-7-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #6-32 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.518" (13.16mm) Head Height: 0.080" (2.03mm) Length - Below Head: 0.438" (11.13mm) 7/16" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.272" (6.90mm) Drive Type: Slotted | auf Bestellung 9771 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS-6-8-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #6-32 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.580" (14.73mm) Head Height: 0.080" (2.03mm) Length - Below Head: 0.500" (12.70mm) 1/2" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.272" (6.90mm) Drive Type: Slotted | auf Bestellung 9700 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS-8-10-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #8-32 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.705" (17.91mm) Head Height: 0.080" (2.03mm) Length - Below Head: 0.625" (15.88mm) 5/8" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.319" (8.10mm) Drive Type: Slotted | auf Bestellung 2140 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS-8-12-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #8-32 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.830" (21.08mm) Head Height: 0.080" (2.03mm) Length - Below Head: 0.750" (19.05mm) 3/4" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.319" (8.10mm) Drive Type: Slotted Part Status: Obsolete | auf Bestellung 2822 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS-8-14-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #8-32 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.955" (24.26mm) Head Height: 0.080" (2.03mm) Length - Below Head: 0.875" (22.23mm) 7/8" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.319" (8.10mm) Drive Type: Slotted | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS-8-16-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #8-32 Type: Machine Screw Length - Overall: 1.080" (27.43mm) Head Height: 0.080" (2.03mm) Length - Below Head: 1.000" (25.40mm) 1" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.319" (8.10mm) Drive Type: Slotted | auf Bestellung 4955 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS-8-2-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #8-32 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.205" (5.21mm) Head Height: 0.080" (2.03mm) Length - Below Head: 0.125" (3.18mm) 1/8" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.319" (8.10mm) Drive Type: Slotted | auf Bestellung 9663 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS-8-2-01 | Essentra | Screws & Fasteners | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS-8-3-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #8-32 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.267" (6.78mm) Head Height: 0.080" (2.03mm) Length - Below Head: 0.188" (4.78mm) 3/16" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.319" (8.10mm) Drive Type: Slotted Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS-8-4-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #8-32 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.330" (8.38mm) Head Height: 0.080" (2.03mm) Length - Below Head: 0.250" (6.35mm) 1/4" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.319" (8.10mm) Drive Type: Slotted Part Status: Obsolete | auf Bestellung 9245 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS-8-5-01 | Essentra | Screws & Fasteners | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS-8-5-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #8-32 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.393" (9.98mm) Head Height: 0.080" (2.03mm) Length - Below Head: 0.313" (7.95mm) 5/16" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.319" (8.10mm) Drive Type: Slotted | auf Bestellung 7181 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS-8-6-01 | Essentra | Screws & Fasteners | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS-8-6-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #8-32 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.455" (11.56mm) Head Height: 0.080" (2.03mm) Length - Below Head: 0.375" (9.53mm) 3/8" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.319" (8.10mm) Drive Type: Slotted Part Status: Obsolete | auf Bestellung 719 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS-8-7-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #8-32 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.518" (13.16mm) Head Height: 0.080" (2.03mm) Length - Below Head: 0.438" (11.13mm) 7/16" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.319" (8.10mm) Drive Type: Slotted Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS-8-8-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #8-32 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.580" (14.73mm) Head Height: 0.080" (2.03mm) Length - Below Head: 0.500" (12.70mm) 1/2" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.319" (8.10mm) Drive Type: Slotted | auf Bestellung 2342 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS-G16D2 | Tripp Lite | Description: NETWORK SWITCH-MANAGED 18 PORT | auf Bestellung 62 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS-G24D2 | Tripp Lite | Description: NETWORK SWITCH-MANAGED 26 PORT | auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS-G24D2 | Tripp Lite | Ethernet Modules 24PortGB ManagSwitch L2 w/12-Out PDU | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS-G24D2P24 | Tripp Lite | Description: NETWORK SWITCH-MANAGED 26 PORT | auf Bestellung 131 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS-G24D2P24 | Tripp Lite | Ethernet Modules 24PortGB ManagSwitch L2 PoE+w/12-Out PDU | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS10200 | auf Bestellung 99000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
NSS10200 | 10 SOT-23 | auf Bestellung 99000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
NSS12100M3T5G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 12V 1A 625mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS12100M3T5G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 12V 1A 625mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS12100M3T5G | onsemi | Description: TRANS PNP 12V 1A SOT723 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 410mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 625 mW | auf Bestellung 7990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS12100M3T5G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 12V 1A 625mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS12100M3T5G | onsemi | Description: TRANS PNP 12V 1A SOT723 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 410mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS12100M3T5G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 12V LOW VSAT SOT723 PNP | auf Bestellung 3192 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS12100UW3TCG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 12V 1A 1100mW 3-Pin WDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS12100UW3TCG | auf Bestellung 9350 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
NSS12100UW3TCG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 12V 1A LOW VCE(SAT) WDFN3 | auf Bestellung 3415 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS12100UW3TCG | onsemi | Description: TRANS PNP 12V 1A 3WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 740 mW | auf Bestellung 5225 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS12100UW3TCG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 12V 1A 1100mW 3-Pin WDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS12100UW3TCG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 12V 1A 1100mW 3-Pin WDFN EP T/R | auf Bestellung 1064 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS12100UW3TCG | onsemi | Description: TRANS PNP 12V 1A 3WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 740 mW | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS12100XV6T1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 12V; 1A; 0.65W; SOT563 Case: SOT563 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 12V Current gain: 100 Collector current: 1A Type of transistor: PNP Application: automotive industry Power dissipation: 0.65W Polarisation: bipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 83 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NSS12100XV6T1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XTR | auf Bestellung 11245 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS12100XV6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 12V 1A 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 1760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS12100XV6T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 12V 1A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Supplier Device Package: SOT-563 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 500 mW | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS12100XV6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 12V 1A 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS12100XV6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 12V 1A 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS12100XV6T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 12V 1A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Supplier Device Package: SOT-563 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 500 mW | auf Bestellung 10248 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS12100XV6T1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 12V; 1A; 0.65W; SOT563 Case: SOT563 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 12V Current gain: 100 Collector current: 1A Type of transistor: PNP Application: automotive industry Power dissipation: 0.65W Polarisation: bipolar | auf Bestellung 83 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS12200 | auf Bestellung 1556 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
NSS12200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS12200LT1G | ON | 10+ROHS SOT-23 | auf Bestellung 99000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS12200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 5714 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS12200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS12200LT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 12V 2A SOT23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS12200LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS12200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS12200LT1G Produktcode: 113923
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NSS12200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS12200LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XTR | auf Bestellung 2985 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS12200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS12200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS12200LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS12200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS12200LT1G | ON Semiconductor | auf Bestellung 2601 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
NSS12200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 5714 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS12200LT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 12V 2A SOT23-3 | auf Bestellung 155 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS12200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS12200WT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 12V 2A SC88/SC70-6 | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS12200WT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 2A 12V Low VCEsat | auf Bestellung 448 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS12200WT1G | ON | 07+; | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS12200WT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 12V 2A SC88/SC70-6 | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS12200WT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 12V 2A 650mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS12200WT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 12V 2A 650mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS12200WT1G | ON | SOT363 | auf Bestellung 2685 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS12201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS12201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 12V 2A 540mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS12201LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 12V 2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 90mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 460 mW | auf Bestellung 28745 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS12201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS12201LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS12201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 540mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 7925 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS12201LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 12V 2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 90mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 460 mW | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS12201LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT LO V NPN TRANSISTOR 12V 4.0A | auf Bestellung 76274 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS12201LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS12201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 540mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 7925 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS12201LT1H | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS12500UW3T2G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 2 2 LOW VCE(SAT) TR | auf Bestellung 3044 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS12500UW3T2G | onsemi | Description: TRANS PNP 12V 5A 3WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 875 mW | auf Bestellung 3098 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS12500UW3T2G | auf Bestellung 647 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
NSS12500UW3T2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 12V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS12500UW3T2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 12V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS12500UW3T2G | onsemi | Description: TRANS PNP 12V 5A 3WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 875 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS12501UW3T2G | onsemi | Description: TRANS NPN 12V 5A 3WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 875 mW | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS12501UW3T2G | auf Bestellung 342 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
NSS12501UW3T2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 12V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS12501UW3T2G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT LO V NPN TRANSISTOR 12V 7.0A | auf Bestellung 2562 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS12501UW3T2G | onsemi | Description: TRANS NPN 12V 5A 3WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 875 mW | auf Bestellung 39723 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS12600CF8T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 12V 5A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: ChipFET™ Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 830 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS12600CF8T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 12V 5A CHIPFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: ChipFET™ Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 830 mW | auf Bestellung 355368 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS12601CF8T1G | onsemi | Description: TRANS NPN 12V 6A CHIPFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: ChipFET™ Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 830 mW | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS12601CF8T1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT HEX SCHMITT TRIGGER INVERTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS12601CF8T1G | onsemi | Description: TRANS NPN 12V 6A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: ChipFET™ Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 830 mW | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS12601CF8T1G | ON Semiconductor | auf Bestellung 3315 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
NSS12601CF8T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 12V 6A 1400mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS13-LC-V-T/R | Diptronics | Slide Switches Slide Type 1P3T | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS13-RC-V-T/R | Diptronics | Slide Switches SLIDE SWITCH 1P3T | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS1C200L | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100V PNP LOW VCE(SAT) TRA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS1C200LT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 490 mW | auf Bestellung 20426 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS1C200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 247 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS1C200LT1G | ON Semiconductor | auf Bestellung 2910 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
NSS1C200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 247 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS1C200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS1C200LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100V LO VCE(SAT) TRA PNP | auf Bestellung 47124 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS1C200LT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 490 mW | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS1C200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS1C200MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS1C200MZ4T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS1C200MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 1385 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS1C200MZ4T1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT PNP SOT223 BIP POWER TRAN | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 118-122 Tag (e) |
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NSS1C200MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 2444 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS1C200MZ4T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 2A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 800 mW | auf Bestellung 6069 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS1C200MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 2444 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS1C200MZ4T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS1C200MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 1385 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS1C200MZ4T1G | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS1C200MZ4T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 2A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 800 mW | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS1C200MZ4T1G | ON Semiconductor | auf Bestellung 155 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
NSS1C200MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS1C200MZ4T3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT PNP BIP POWER TRAN SOT223 | auf Bestellung 4280 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS1C200MZ4T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS1C200MZ4T3G | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 2A SOT223 Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 800 mW | auf Bestellung 101694 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS1C200MZT1G | auf Bestellung 35000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
NSS1C201L | onsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN 100V SOT23 LOW V-SAT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS1C201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS1C201LT1G | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
NSS1C201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS1C201LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 490 mW | auf Bestellung 22749 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS1C201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS1C201LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS1C201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 490 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 490mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 110MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2665 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS1C201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 19759 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS1C201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS1C201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS1C201LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN 100V LOW V-SAT SOT23 | auf Bestellung 80549 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS1C201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS1C201LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 490 mW | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS1C201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS1C201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS1C201LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS1C201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 490 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 490mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 110MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2665 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS1C201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS1C201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS1C201MZ4 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100V NPN LOW VCE(SAT) TRA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS1C201MZ4T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: Lead (17-Jan-2023) | auf Bestellung 1946 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS1C201MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS1C201MZ4T1G | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS1C201MZ4T1G | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 2A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 800 mW | auf Bestellung 9388 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS1C201MZ4T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1328 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS1C201MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 3035 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS1C201MZ4T1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100V, NPN Low VCE Trans. | auf Bestellung 6533 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS1C201MZ4T1G | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 2A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 800 mW | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS1C201MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS1C201MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 3035 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS1C201MZ4T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 2628 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS1C201MZ4T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS1C201MZ4T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS1C201MZ4T3G | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 2A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 800 mW | auf Bestellung 5938 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS1C201MZ4T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 2628 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS1C201MZ4T3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100V LO VCE(SAT) TRA NPN | auf Bestellung 16524 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS1C201MZ4T3G | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 2A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 800 mW | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS1C300CTWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS1C300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS1C300CTWG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR XTSR 3A/100V LFPAK4 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS1C300CTWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS1C300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: e2PowerEdge Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS1C300ET4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 3A 2100mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS1C300ET4G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100 V, 3 A, Low VCE(sat) PNP Transistor | auf Bestellung 4455 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS1C300ET4G | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2.1 W | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS1C300ET4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 3A 2100mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS1C300ET4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS1C300ET4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100 rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 33 euEccn: NLR DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Dauer-Kollektorstrom: 3 SVHC: Lead (17-Jan-2023) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS1C300ET4G | ON Semiconductor | auf Bestellung 1863 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
NSS1C300ET4G | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2.1 W | auf Bestellung 20988 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS1C300ET4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS1C300ET4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 3899 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS1C301CTWG | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 3A LFPAK4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6) Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS1C301CTWG | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 3A LFPAK4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6) Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS1C301ET4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS1C301ET4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 6739 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS1C301ET4G | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2.1 W | auf Bestellung 5829 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS1C301ET4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 3A 2100mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1403 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS1C301ET4G | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2.1 W | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS1C301ET4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 3A 2100mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS1C301ET4G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 3 A, 100 V Low VCE(sat) NPN Transistor | auf Bestellung 8712 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS1C301ET4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 3A 2100mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS200-50 | NAE | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
NSS20101JT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 1A 300mW 3-Pin SC-89 T/R | auf Bestellung 1798 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS20101JT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 1A 300mW 3-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS20101JT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 1A 300mW 3-Pin SC-89 T/R | auf Bestellung 1798 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS20101JT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT) | auf Bestellung 5358 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS20101JT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 20V 1A SC-89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 350MHz Supplier Device Package: SC-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 300 mW | auf Bestellung 1006 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS20101JT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 1A 300mW 3-Pin SC-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS20101JT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS20101JT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 1 A, 255 mW, SC-89, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100 DC-Stromverstärkung hFE: 100 Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 255 Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 350 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS20101JT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 20V 1A SC-89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 350MHz Supplier Device Package: SC-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 300 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS20200DMTTBG | onsemi | Description: TRANS PNP 20V 2A 6WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 155MHz Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS20200DMTTBG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS20200DMTTBG | onsemi | Description: TRANS PNP 20V 2A 6WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 155MHz Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS20200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 8900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS20200LT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 20V 2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 460 mW | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS20200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS20200LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS20200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 3003 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS20200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS20200LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 20V PNP LOW VCE(SAT) XTR | auf Bestellung 13766 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS20200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS20200LT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 20V 2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 460 mW | auf Bestellung 17479 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS20200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS20200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS20200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS20200LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS20200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 3003 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS20200LT1G 4A/20V | ON | SOT23 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS20200W6T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 20V 2A SC88/SC70-6 Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 215mV @ 20mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 555 mW | auf Bestellung 20185 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS20200W6T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 20V 2A SC88/SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 215mV @ 20mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 555 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS20200W6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS20200W6T1G - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: TBC SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 20185 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS20200W6T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 20V 2A SC88/SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 215mV @ 20mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 555 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS20201DMTTBG | onsemi | Description: TRANS PNP 20V 2A 6WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS20201DMTTBG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS20201DMTTBG | onsemi | Description: TRANS PNP 20V 2A 6WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS20201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS20201LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 20V 2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 460 mW | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS20201LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS20201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 540mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 10195 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS20201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS20201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS20201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS20201LT1G | ON | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
NSS20201LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS20201LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 44277 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS20201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS20201LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT Low VCE(sat) Transistor, NPN, 20 V, 2.0 A | auf Bestellung 11679 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS20201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS20201LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 20V 2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 460 mW | auf Bestellung 7226 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS20201LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS20201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 540mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 10195 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS20201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS20201MR6T1G | onsemi | Description: TRANS NPN 20V 2A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: 6-TSOP Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 460 mW | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS20201MR6T1G | ON Semiconductor | auf Bestellung 4740 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
NSS20201MR6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS20201MR6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 46370 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS20201MR6T1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 2A 20V Low VCEsat | auf Bestellung 2268 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS20201MR6T1G | onsemi | Description: TRANS NPN 20V 2A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: 6-TSOP Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 460 mW | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS20201MR6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 2A 780mW Automotive 6-Pin TSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS20300MR | auf Bestellung 1556 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
NSS20300MR6T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 20V 3A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 20mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 545 mW | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS20300MR6T1G | ON Semiconductor | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
NSS20300MR6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 20V 3A 106000mW Automotive 6-Pin TSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS20300MR6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 20V 3A 106000mW Automotive 6-Pin TSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS20300MR6T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 20V 3A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 20mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 545 mW | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS20300MR6T1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 3A 20V Low VCEsat | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS20300MR6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 20V 3A 106000mW Automotive 6-Pin TSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS20500UW3T2G | ON | WDFN3 | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS20500UW3T2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 20V 5A 3000mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS20500UW3T2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 20V 5A 3000mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS20500UW3T2G | onsemi | Description: TRANS PNP 20V 5A 3WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 875 mW | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS20500UW3T2G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 20V PNP LOW VCE(SAT) XTR | auf Bestellung 4094 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS20500UW3T2G | ON | 09+ | auf Bestellung 30018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS20500UW3T2G | ON Semiconductor | auf Bestellung 2965 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
NSS20500UW3T2G | onsemi | Description: TRANS PNP 20V 5A 3WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 875 mW | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS20500UW3T2G | ON | 08NOPB | auf Bestellung 1460 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS20500UW3TBG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 20V PNP LOW VCE(SAT) XTR | auf Bestellung 7329 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS20500UW3TBG | onsemi | Description: TRANS PNP 20V 5A 3WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 875 mW | auf Bestellung 1391 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS20500UW3TBG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 20V 5A 3000mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS20500UW3TBG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 20V 5A 3000mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS20500UW3TBG | onsemi | Description: TRANS PNP 20V 5A 3WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 875 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS20501UW3T2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS20501UW3T2G | onsemi | Description: TRANS NPN 20V 5A 3WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 875 mW | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS20501UW3T2G | auf Bestellung 348 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
NSS20501UW3T2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS20501UW3T2G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 5 A, 1.5 W, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS20501UW3T2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R | auf Bestellung 5987 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS20501UW3T2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS20501UW3T2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS20501UW3T2G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT LO V NPN TRANSISTOR 20V 7.0A | auf Bestellung 118007 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS20501UW3T2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R | auf Bestellung 5987 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS20501UW3T2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS20501UW3T2G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 5 A, 1.5 W, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS20501UW3T2G | onsemi | Description: TRANS NPN 20V 5A 3WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 875 mW | auf Bestellung 7779 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS20501UW3T2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS20501UW3TBG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT) XTR | auf Bestellung 940 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS20501UW3TBG | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS20501UW3TBG | onsemi | Description: TRANS NPN 20V 5A 3WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 875 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS20501UW3TBG | onsemi | Description: TRANS NPN 20V 5A 3WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 875 mW | auf Bestellung 2370 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS20501UW3TBG | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS20600CF8T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 20V 6A CHIPFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: ChipFET™ Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 830 mW | auf Bestellung 108000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS20601CF8T1G | onsemi | Description: TRANS NPN 20V 6A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: ChipFET™ Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 830 mW | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS20601CF8T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 6A 1400mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS20601CF8T1G | onsemi | Description: TRANS NPN 20V 6A CHIPFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: ChipFET™ Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 830 mW | auf Bestellung 6901 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS20601CF8T1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT OCTAL BUS TRANSCEIVR | auf Bestellung 458 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS20601CF8T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 6A 1400mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS3-BK | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: CONN BARRIER STRIP 3CIRC 0.385" Packaging: Bulk Color: Black Voltage Rating: 600V Current Rating (Amps): 30A Pitch: 0.385" (9.77mm) Number of Rows: 2 (Raised, Staggered) Terminal Block Type: Barrier Block Top Termination: Screws with Captive Plate Bottom Termination: Closed Barrier Type: 2 Wall (Dual) Number of Circuits: 3 Number of Wire Entries: 6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS3-BK | Bussmann / Eaton | Labels & Industrial Warning Signs BLOCK NYLON NSS3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS3-WH | Bussmann / Eaton | DIN Rail Terminal Blocks TERM BLOCK WHITE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS3-WH | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: CONN BARRIER STRIP 3CIRC 0.385" Packaging: Bulk Color: White Voltage Rating: 600V Current Rating (Amps): 30A Pitch: 0.385" (9.77mm) Number of Rows: 2 (Raised, Staggered) Terminal Block Type: Barrier Block Top Termination: Screws with Captive Plate Bottom Termination: Closed Barrier Type: 2 Wall (Dual) Number of Circuits: 3 Number of Wire Entries: 6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS30070MR6T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 30V 0.7A SC74 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 70mA, 700mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 3V Supplier Device Package: SC-74 Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 342 mW | auf Bestellung 57000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS30070MR6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.7A 665mW Automotive 6-Pin SC-74 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS30070MR6T1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 700mA 30V Low VCEsat | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS30070MR6T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 30V 0.7A SC74 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 70mA, 700mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 3V Supplier Device Package: SC-74 Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 342 mW | auf Bestellung 57000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS30070MR6T1G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 700mA 30V Low VCEsat | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS30070MR6T1G | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
NSS30071MR6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.7A 665mW Automotive 6-Pin SC-74 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS30071MR6T1G | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.7A SC74 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 70mA, 700mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 3V Supplier Device Package: SC-74 Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 342 mW | auf Bestellung 337 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS30071MR6T1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 700mA 30V Low VCEsat | auf Bestellung 2585 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS30071MR6T1G | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
NSS30071MR6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.7A 665mW Automotive 6-Pin SC-74 T/R | auf Bestellung 556 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS30071MR6T1G | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.7A SC74 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 70mA, 700mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 3V Supplier Device Package: SC-74 Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 342 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS30071MR6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.7A 665mW Automotive 6-Pin SC-74 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS30071MR6T1G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 700mA 30V Low VCEsat | auf Bestellung 3631 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS30100LT1G | ON | 09+ | auf Bestellung 3018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS30100LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS30100LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 315927 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS30100LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS30100LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS30100LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS30100LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 8825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS30100LT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 310 mW | auf Bestellung 5351 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS30100LT1G | ON | SOT23 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS30100LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1518 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS30100LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1518 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS30100LT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 310 mW | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS30100LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS30100LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 8825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS30100LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 2A 30V Low VCEsat | auf Bestellung 3537 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS30101LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS30101LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 310 mW | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS30101LT1G | ONSEMI | NSS30101LT1G NPN SMD transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS30101LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 7325 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS30101LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 1A 30V Low VCEsat | auf Bestellung 19761 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS30101LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 7325 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS30101LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS30101LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS30101LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 310 mW | auf Bestellung 8570 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS30101LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 1A 710mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS30201MR6T1 | auf Bestellung 33500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
NSS30201MR6T1G | ON | 09+ | auf Bestellung 6751 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS30201MR6T1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 2A 30V Low VCEsat | auf Bestellung 3485 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS30201MR6T1G | ON Semiconductor | auf Bestellung 2236 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
NSS30201MR6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 2A 1180mW 6-Pin TSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS30201MR6T1G | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 2A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 75mV @ 1mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: 6-TSOP Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 535 mW | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS30201MR6T1G | ON | 07NOPB | auf Bestellung 6683 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS30201MR6T1G | ON | TSOP-6 0719+ | auf Bestellung 1135 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS30201MR6T1G | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 2A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 75mV @ 1mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: 6-TSOP Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 535 mW | auf Bestellung 32548 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS35200CF8T1 | auf Bestellung 12814 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
NSS35200CF8T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 35V 2A CHIPFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: ChipFET™ Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V Power - Max: 635 mW | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS35200CF8T1G | ON | 09+ | auf Bestellung 6018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS35200CF8T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 35V 2A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: ChipFET™ Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V Power - Max: 635 mW | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS35200CF8T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 35V 2A 13500mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS35200CF8T1G | ON Semiconductor | auf Bestellung 1790 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
NSS35200CF8T1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 2A 35V Low VCEsat | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS35200CF8T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 35V 2A 13500mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS35200CF8T1G | ON | SSOP8 | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS35200CF8TIG | onsemi | Description: TRANS PNP 35V 2A CHIPFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: ChipFET™ Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V Power - Max: 635 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS35200MR6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 35V 2A 1000mW 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 688 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS35200MR6T1G | ON | 07+; | auf Bestellung 8600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS35200MR6T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 35V 2A 6-TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS35200MR6T1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 2A 35V Low VCEsat | auf Bestellung 3696 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS35200MR6T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 35V 2A 6-TSOP Packaging: Bulk Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 6-TSOP Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V Power - Max: 625 mW | auf Bestellung 357599 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS35200MR6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 35V 2A 1000mW 6-Pin TSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS35200MR6T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 35V 2A 6-TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS3CS-WH | Eaton Bussmann | Description: TERM BLOCK W/COMBO SCREW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS3CS-WH | Bussmann / Eaton | DIN Rail Terminal Blocks TB W/COMBO SCREW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS3PP-WH | Bussmann / Eaton | DIN Rail Terminal Blocks TERM BLK W PP WHITE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40200LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT LESHANBE (CN1) XTR | auf Bestellung 28242 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS40200LT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 460 mW | auf Bestellung 11746 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS40200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 8550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS40200LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS40200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2097 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 8550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS40200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS40200LT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 460 mW | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS40200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40200LT1G | ON | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
NSS40200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 185658 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS40200LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS40200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2097 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS40200UW6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW 6-Pin WDFN EP T/R | auf Bestellung 159923 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS40200UW6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW 6-Pin WDFN EP T/R | auf Bestellung 7950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS40200UW6T1G | ON Semiconductor | auf Bestellung 1700 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
NSS40200UW6T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 2A 6WDFN Packaging: Bulk Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 875 mW | auf Bestellung 206153 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS40200UW6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW 6-Pin WDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40200UW6T1G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT WDFN6 2*2 LOW VCE (SAT) TR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40200UW6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW 6-Pin WDFN EP T/R | auf Bestellung 38280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS40200UW6T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 2A 6WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 875 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40201LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS40201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 370hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 540mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 7380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS40201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 13724 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS40201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40201LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT LO V NPN TRANSISTOR 40V 4.0A | auf Bestellung 239866 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS40201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS40201LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS40201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 370hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 540mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 7135 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40201LT1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 2A; 0.54W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 2A Power dissipation: 0.54W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 200 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 150MHz Application: automotive industry | auf Bestellung 609 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS40201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 8216 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS40201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS40201LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 460 mW | auf Bestellung 47302 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS40201LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS40201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 370hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 540mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS40201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS40201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 8216 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS40201LT1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 2A; 0.54W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 2A Power dissipation: 0.54W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 200 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 150MHz Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 609 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NSS40201LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 460 mW | auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS40300 | onsemi | onsemi PNP SOT223 BIP POWER TRAN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40300CTWG | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 3A LFPAK4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6) Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 2 W | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS40300CTWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS40300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 175hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: e2PowerEdge Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40300CTWG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT PNP LFPAK4 BIP POWER TRAN | auf Bestellung 2988 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS40300CTWG | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 3A LFPAK4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6) Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 2 W | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS40300CTWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS40300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40300DDR2 | onsemi | Description: TRANS 2PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 653mW Current - Collector (Ic) (Max): 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 8-SOIC | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS40300DDR2 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS40300DDR2 - TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40300DDR2G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT DUAL 40V LOW VCE XTR PNP | auf Bestellung 1855 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS40300DDR2G | onsemi | Description: TRANS 2PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 653mW Current - Collector (Ic) (Max): 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | auf Bestellung 24947 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS40300DDR2G | ON Semiconductor | auf Bestellung 398 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
NSS40300DDR2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 783mW Automotive 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40300DDR2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 783mW Automotive 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40300DDR2G | onsemi | Description: TRANS 2PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 653mW Current - Collector (Ic) (Max): 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | auf Bestellung 22500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS40300MDG | auf Bestellung 5388 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
NSS40300MDR2G | onsemi | Description: TRANS 2PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 653mW Current - Collector (Ic) (Max): 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40300MDR2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40300MDR2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40300MDR2G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 6A LOW VCE(SAT) DUAL PNP | auf Bestellung 2541 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS40300MDR2G | onsemi | Description: TRANS 2PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 653mW Current - Collector (Ic) (Max): 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | auf Bestellung 265 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS40300MDR2G | ON Semiconductor | auf Bestellung 355 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
NSS40300MZ4 | onsemi | onsemi | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40300MZ4T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS40300MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 5653 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40300MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40300MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 3400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS40300MZ4T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 175 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 2 W | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS40300MZ4T1G | ON | auf Bestellung 41500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
NSS40300MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 3400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS40300MZ4T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS40300MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 5653 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40300MZ4T1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 40V 3.0A | auf Bestellung 2359 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS40300MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40300MZ4T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 175 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 2 W | auf Bestellung 7221 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS40300MZ4T1G | ON Semiconductor | auf Bestellung 31720 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
NSS40300MZ4T3G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 175 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 2 W | auf Bestellung 3782 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS40300MZ4T3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 40V 3.0A | auf Bestellung 846 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS40300MZ4T3G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 175 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 2 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40300MZ4T3G | auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
NSS40300MZ4T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40300MZ4T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40300UT001 | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
NSS40301 | onsemi | NPN 40V LOW SAT SOT223 BP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40301CTWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS40301CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: e2PowerEdge Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 215MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40301CTWG | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 3A LFPAK4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 215MHz Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6) Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 2 W | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS40301CTWG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN 40V LOW SAT LFPAK4 BP | auf Bestellung 2988 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS40301CTWG | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 3A LFPAK4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 215MHz Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6) Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 2 W | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS40301CTWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS40301CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40301MDG | auf Bestellung 5388 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
NSS40301MDR2G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT MATCHED LO VCE(SAT) SOIC8 | auf Bestellung 15806 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS40301MDR2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 783mW Automotive 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40301MDR2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40301MDR2G | auf Bestellung 8500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
NSS40301MDR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS40301MDR2G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 3 A, 653 mW tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 180hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 653mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 3207 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40301MDR2G | onsemi | Description: TRANS 2NPN DUAL 40V 3A 8-SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 653mW Current - Collector (Ic) (Max): 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | auf Bestellung 2922 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS40301MDR2G | onsemi | Description: TRANS 2NPN DUAL 40V 3A 8-SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 653mW Current - Collector (Ic) (Max): 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS40301MDR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS40301MDR2G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 3 A, 653 mW tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 180hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 653mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 3207 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40301MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 772 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS40301MZ4T1G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 3A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 215MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 2 W | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS40301MZ4T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS40301MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 215MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40301MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40301MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40301MZ4T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS40301MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 215MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40301MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 772 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS40301MZ4T1G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 3A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 215MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 2 W | auf Bestellung 5863 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS40301MZ4T1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN 40V LOW SAT BP | auf Bestellung 5689 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS40301MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40301MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40301MZ4T3G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 3A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 215MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 2 W | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS40301MZ4T3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN 40V LOW SAT BP SOT223 | auf Bestellung 1807 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS40301MZ4T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40301MZ4T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40301MZ4T3G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 3A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 215MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 2 W | auf Bestellung 5515 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS40301UT001 | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
NSS40302PDR2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40302PDR2G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT COMP NPN/PNP LO VCE 40V 6A | auf Bestellung 3006 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS40302PDR2G | onsemi | Description: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8-SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 653mW Current - Collector (Ic) (Max): 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | auf Bestellung 6981 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS40302PDR2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40302PDR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS40302PDR2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 3 A, 3 A, 783 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 783mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3A Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 783mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 11863 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40302PDR2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40302PDR2G | onsemi | Description: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8-SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 653mW Current - Collector (Ic) (Max): 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS40302PDR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS40302PDR2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 3 A, 3 A, 783 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 783mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3A Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 783mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 11863 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40400CF8T1G | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
NSS40400CF8T1G | onsemi | Description: LOW VCES 40V SS XTR Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS40500UW3T2G | auf Bestellung 6998 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
NSS40500UW3T2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS40500UW3T2G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 5A 3WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 875 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40500UW3T2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40500UW3T2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40500UW3T2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40500UW3T2G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 2 2 LOW VCE(SAT) TR | auf Bestellung 3962 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS40500UW3T2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40500UW3T2G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 5A 3WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 875 mW | auf Bestellung 4243 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS40500UW3T2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS40500UW3T2G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 36300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40500UW3T2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS40501UW3T2G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 5A 3WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 875 mW | auf Bestellung 4763 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS40501UW3T2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 5A 1500mW 3-Pin WDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40501UW3T2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 5A 1500mW 3-Pin WDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40501UW3T2G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT QUAD 2-INPUT OR GATE | auf Bestellung 8579 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS40501UW3T2G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 5A 3WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 875 mW | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS40501UW3T2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 5A 1500mW 3-Pin WDFN EP T/R | auf Bestellung 2765 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS40501UW3T2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 5A 1500mW 3-Pin WDFN EP T/R | auf Bestellung 2765 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS40600CF8T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 6A CHIPFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: ChipFET™ Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 830 mW | auf Bestellung 970 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS40600CF8T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 6A 1400mW 8-Pin Chip FET T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40600CF8T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 6A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: ChipFET™ Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 830 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40600CF8T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 6A 1400mW 8-Pin Chip FET T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40600CF8T1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT LOW VCES 40V PNP | auf Bestellung 526 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS40601CF8T1G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 6A CHIPFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 135mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: ChipFET™ Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 830 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40601CF8T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 6A 1400mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS40601CF8T1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT HEX UNBUFFED INVERTR | auf Bestellung 1425 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS40601CF8T1G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 6A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 135mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: ChipFET™ Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 830 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS43400MZ4T3G | auf Bestellung 1556 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
NSS4532-200-F | auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
NSS504-012N-CAEG1T | ?? | auf Bestellung 589 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
NSS504-012N-CFED1B | auf Bestellung 7600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
NSS507-212F-GAAG1T | MISAKI | 07+ | auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS5E472J | auf Bestellung 22000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
NSS60100DMTTBG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS60100DMTTBG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 87-91 Tag (e) |
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NSS60100DMTTBG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS60100DMTTBG | onsemi | Description: TRANS 2PNP 60V 1A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 2.27W Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 155MHz Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Part Status: Active | auf Bestellung 5413 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS60100DMTTBG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS60100DMTTBG | onsemi | Description: TRANS 2PNP 60V 1A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 2.27W Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 155MHz Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS60101DMR6T1G | onsemi | Description: NSS60101DMR6T1G - 60 V, 1 A, LOW Packaging: Bulk Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 400mW Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SC-74 Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS60101DMR6T1G | ON Semiconductor | 60 V, 1 A NPN Bipolar Junction Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS60101DMTTBG | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS60101DMTTBG | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS60101DMTTBG | onsemi | Description: TRANS 2NPN 60V 1A 6WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 2.27W Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Part Status: Active | auf Bestellung 3765 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS60101DMTTBG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS60101DMTTBG | onsemi | Description: TRANS 2NPN 60V 1A 6WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 2.27W Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Part Status: Active | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS60200DMTTBG | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT DUAL 60V 2A LOWVCES AT PNP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS60200DMTTBG | ON Semiconductor | PNP Bipolar Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS60200DMTTBG | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 2A 6WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 155MHz Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS60200LT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 460 mW | auf Bestellung 39454 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS60200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS60200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS60200LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS60200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 540mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS60200LT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 460 mW | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS60200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS60200LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 4.0A | auf Bestellung 54539 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS60200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS60200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS60200LT1G Produktcode: 121380
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| Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
NSS60200SMTTBG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS60200SMTTBG - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 3909 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS60200SMTTBG | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 2A 6WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 155MHz Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.8 W | auf Bestellung 93000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS60200SMTTBG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V SINGLE 2A LOWVC E(SAT) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS60200SMTTBG | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 2A 6WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 155MHz Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.8 W | auf Bestellung 93000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS60201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS60201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS60201LT1G | ONSEMI | NSS60201LT1G NPN SMD transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS60201LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 460 mW | auf Bestellung 67608 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS60201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS60201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS60201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 53000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS60201LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS60201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 540mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 7920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS60201LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 460 mW | auf Bestellung 66000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS60201LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V NPN LOW VCE(SAT) XTR | auf Bestellung 14603 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS60201SMTTBG | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 2A 6WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.8 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS60201SMTTBG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V SINGLE 2A LOWVC E(SAT) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS60201SMTTBG | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 2A 6WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.8 W | auf Bestellung 2998 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS60201SMTTBG | ON Semiconductor | 60 V, 2 A, Low VCE(sat) NPN Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS60600 | onsemi | onsemi SOT223 PNP LOW VCE(SAT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS60600MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS60600MZ4T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS60600MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS60600MZ4T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS60600MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 6 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 70hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 6A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) | auf Bestellung 3620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS60600MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS60600MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS60600MZ4T1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 6.0A | auf Bestellung 5118 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS60600MZ4T1G | ON | 10+ | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS60600MZ4T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW | auf Bestellung 25656 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS60600MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS60600MZ4T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS60600MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 6 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 6A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: Lead (14-Jun-2023) | auf Bestellung 3620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS60600MZ4T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS60600MZ4T3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 6.0A | auf Bestellung 15132 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS60600MZ4T3G | auf Bestellung 3340 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
NSS60600MZ4T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS60600MZ4T3G | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS60600MZ4T3G | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW | auf Bestellung 7446 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS60600MZ4T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS60600MZ4T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS60600MZ4T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS60601MZ4 | onsemi | NPN 60V/6A LOW VCE(SAT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS60601MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS60601MZ4T1G | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW | auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS60601MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 266 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS60601MZ4T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), niedrige Sättigungsspannung (VCE (SAT)), NPN, 60 V, 6 A, 710 mW tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS60601MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS60601MZ4T1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN 60V/6A LOW VCE(SAT) | auf Bestellung 28142 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS60601MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 266 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS60601MZ4T1G | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW | auf Bestellung 7980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS60601MZ4T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS60601MZ4T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS60601MZ4T3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V/6A LOW VCE(SAT) NPN | auf Bestellung 5671 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS60601MZ4T3G | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS60601MZ4T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS60601MZ4T3G Produktcode: 173995
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
NSS60601MZ4T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS60601MZ4T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS60601MZ4T3G | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW | auf Bestellung 1962 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS6GE | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: RAIL MOUNTED TERM. BLOCK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSS6GE | Bussmann / Eaton | Labels and Industrial Warning Signs RAIL MOUNTED TERM. BLOCK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSSB064T Produktcode: 170623
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Lieblingsprodukt
| LEDs > LEDs sichtbare Spektrum SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
NSSB1001LT1 | auf Bestellung 408000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
NSSB1001LT1 | onsemi | Description: SS BRT Packaging: Bulk DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 399000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSSC-1 | Neutrik | AC Power Plugs & Receptacles Sealing self-closing cap D for powerCON receptacles | auf Bestellung 154 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSSC-1 | NEUTRIK | NTR-NSSC-1 Other Neutrik Connectors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSSC-1 | Neutrik | powerCON - Self-closing cap for NAC3MPX-TOP or D series without latches | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSSC-2 | NEUTRIK | NTR-NSSC-2 Other Neutrik Connectors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSSC-2 | Neutrik | powerCON Self-closing cap for NAC3FPX-TOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSSC-2 | Neutrik | AC Power Plugs & Receptacles Sealing self-closing cap D for powerCON receptacle | auf Bestellung 559 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSSC-3 | Neutrik | AC Power Plugs & Receptacles Sealing self-closing cap PX for powerCON receptacle | auf Bestellung 68 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSSC-3 | NEUTRIK | NTR-NSSC-3 Other Neutrik Connectors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSSL100T | auf Bestellung 1530 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
NSSM009T | auf Bestellung 209 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
NSSM016AT | auf Bestellung 101826 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
NSSM227T | auf Bestellung 3436 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
NSSM440TVR | T | auf Bestellung 1695 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
NSSM502K3J1NHB001 | Littelfuse Inc. | Description: THERMISTOR NTC 5KOHM 3419K MELF Packaging: Bulk Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 220°C B0/50: 3419K Resistance in Ohms @ 25°C: 5k Resistance Tolerance: ±10% Part Status: Active | auf Bestellung 459 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSSR426CT | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
NSSS-50G | Digi International | Description: NET+WORKS SUPPORT ADD'L SEAT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSSS-50T | Digi International | Description: NET+WORKS SUPPORT W/ONE SEAT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSSS-7520G | Digi International | Description: NET+WORKS SUPPORT UNLIM SEAT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSSS-7520T | Digi International | Description: NET+WORKS SUPPORT 1SEAT NS7520 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSSS-9360G | Digi International | Description: NETWORKS SUPPORT UNL SEAT NS9360 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSSS-9360T | Digi International | Description: NET+WORKS MULTI UNL SEAT NS9360 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSSS-9750G | Digi International | Description: NETWORKS SUPPORT UNL SEAT NS9750 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSSS-9750T | Digi International | Description: NET+WORKS MULTI ONE SEAT NS9750 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSSS-GHS | Digi International | Description: NETWORKS MULTI SUPPORT ADDL SEAT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSSW004T | auf Bestellung 11300 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
NSSW004TE | NICHIA | 09+ | auf Bestellung 6028 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSSW006T | NICHIA | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
NSSW006T-T238 | auf Bestellung 667 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
NSSW008AT | auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
NSSW008BT | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
NSSW008CT | auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
NSSW008CT-P1 | NICHIA | 2010+ LED | auf Bestellung 54000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSSW008CT-P1-T117 | auf Bestellung 3500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
NSSW008DT | NICHA | SMD 08+ | auf Bestellung 3500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSSW020AT | TSMT | 05+ | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSSW020AT-TS9 | auf Bestellung 26200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
NSSW020BT | NICHIA | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
NSSW020BT | NICHIA | 06+ | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSSW020BT-P1 | auf Bestellung 37481 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
NSSW020BT-T170 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
NSSW020CT | auf Bestellung 115000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
NSSW063AT Produktcode: 106214
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| Nichia | LEDs > LEDs sichtbare Spektrum SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
NSSW064T | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
NSSW157AT-H3 | Nichia Corporation | Світлодіод SMD; Кол. світ. = білий; Iv, мКд @ Ток, мА = 9.4 @ 80 мА; Кут світ., 2? = 120; Лінза = Прозора безбарвна; Габ. розм, мм = 3 х 1.5 х 0.52; Iроб, мА = 80; Uроб, В = 3; Тексп, °C = -40...+100; Серія = 157; CRI=85; 3x1.4x0.52mm | auf Bestellung 2094 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSSW206T | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
NSSW206TE | auf Bestellung 5300 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
NSSW208ATE | NICHIA | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
NSSW440-9159-TRB | auf Bestellung 27794 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
NSSW440THR | NICHIA | auf Bestellung 27794 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
NSSW440TVR | NICHIA | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
NSSWD37T | NICHIA | LED | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |