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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BCR 08PN H6327Infineon TechnologiesDigital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR
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BCR 08PN H6433Infineon TechnologiesDigital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR
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BCR 08PN H6727Infineon TechnologiesDigital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR
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BCR 101L3 E6327Infineon TechnologiesDescription: TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3
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BCR 101T E6327Infineon TechnologiesDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.05A SC75
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Frequency - Transition: 100 MHz
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Supplier Device Package: PG-SC75-3D
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
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BCR 103F E6327Infineon TechnologiesDescription: TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3
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BCR 103L3 E6327Infineon TechnologiesDescription: TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3
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BCR 103T E6327Infineon TechnologiesDescription: TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75
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BCR 108 B6327Infineon TechnologiesDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 170 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-SOT23
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
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BCR 108 B6327Infineon TechnologiesDigital Transistors Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single, Pre-Biased
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BCR 108 E6327Infineon TechnologiesDigital Transistors AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA
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BCR 108 E6327
Produktcode: 196263
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BCR 108 E6433Infineon TechnologiesDigital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR
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BCR 108F E6327Infineon TechnologiesDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V TSFP-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-TSFP-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 170 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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 Mindestbestellmenge: 39000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 108L3 E6327Infineon TechnologiesDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V TSLP-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-4
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 170 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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 Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
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BCR 108S E6327Infineon TechnologiesDigital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR
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BCR 108S E6433Infineon TechnologiesDigital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR
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BCR 108S H6327Infineon TechnologiesDigital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR
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BCR 108S H6433Infineon TechnologiesDigital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR
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BCR 108T E6327Infineon TechnologiesDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SC75-3D
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 170 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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BCR 108W H6327Infineon TechnologiesDigital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR
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BCR 10PN H6327Infineon
auf Bestellung 18000 Stücke:
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BCR 10PN H6327Infineon TechnologiesDigital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR
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BCR 10PN H6727Infineon TechnologiesBipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR
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BCR 112 E6327Infineon TechnologiesDigital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR
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BCR 112F E6327Infineon TechnologiesBipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTORS
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BCR 112F E6327Infineon TechnologiesDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V TSFP-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-TSFP-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 140 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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 Mindestbestellmenge: 39000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 112L3 E6327Infineon TechnologiesDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V TSLP-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-4
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 140 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 112T E6327Infineon Technologies
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 112T E6327Infineon TechnologiesDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SC75-3D
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 140 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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 Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 112W H6327Infineon TechnologiesBipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR
auf Bestellung 21556 Stücke:
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100+0.32 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.17 EUR
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10000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BCR 112W H6327InfineonNPN 50V 100mA 140MHz 250mW BCR112WH6327XTSA1 BCR112WH6327 Infineon TBCR112w
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 114F E6327Infineon TechnologiesDescription: TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 114L3 E6327Infineon TechnologiesDescription: TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 114T E6327Infineon TechnologiesDescription: TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 116 E6327Infineon TechnologiesDigital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR
auf Bestellung 7553 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.49 EUR
10+0.33 EUR
100+0.21 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.09 EUR
6000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 116 E6433Infineon TechnologiesDigital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR
auf Bestellung 38648 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.49 EUR
10+0.33 EUR
100+0.21 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.1 EUR
2500+0.092 EUR
5000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 116F E6327Infineon TechnologiesDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V TSFP-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-TSFP-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 116L3 E6327Infineon TechnologiesDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V TSLP-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-4
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 116L3 E6327Infineon TechnologiesInfineon
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 116S E6727Infineon TechnologiesDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 116S H6327Infineon TechnologiesDigital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR
auf Bestellung 2094 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.76 EUR
10+0.57 EUR
100+0.32 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 116S H6727Infineon TechnologiesDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 39000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 116T E6327Infineon TechnologiesDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SC75-3D
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 116W H6327Infineon TechnologiesBipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR
auf Bestellung 35856 Stücke:
Lieferzeit 184-188 Tag (e)
5+0.68 EUR
10+0.5 EUR
100+0.29 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.12 EUR
9000+0.099 EUR
24000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BCR 119 E6327InfineonNPN 50V 100mA 150MHz 200mW BCR119E6327HTSA1 BCR119E6327 Infineon TBCR119
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 119 E6327Infineon TechnologiesDigital Transistors NPN silicon Digital TRANSISTOR
auf Bestellung 35850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.49 EUR
10+0.33 EUR
100+0.21 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.09 EUR
6000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 119 E6433Infineon TechnologiesDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 119F E6327Infineon TechnologiesDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V TSFP-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-TSFP-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 119L3 E6327Infineon TechnologiesDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V TSLP-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-4
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
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BCR 119S E6433Infineon TechnologiesDigital Transistors NPN silicon Digital TRANSISTOR
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BCR 119S H6327Infineon TechnologiesDigital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR
auf Bestellung 2380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.06 EUR
10+0.73 EUR
100+0.46 EUR
500+0.29 EUR
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6000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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BCR 119T E6327Infineon TechnologiesDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SC75-3D
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 129 E6327Infineon TechnologiesDescription: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
auf Bestellung 30000 Stücke:
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8362+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 8362 Stücke
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BCR 129 E6327Infineon TechnologiesDigital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR
auf Bestellung 20489 Stücke:
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4+0.84 EUR
10+0.58 EUR
100+0.37 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.18 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 129 E6327InfineonNPN 50V 100mA 150MHz 200mW BCR129E6327HTSA1 BCR129E6327 Infineon TBCR129
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2790 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 129F E6327Infineon TechnologiesDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V TSFP-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-TSFP-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
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 Mindestbestellmenge: 39000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 129L3 E6327Infineon TechnologiesInfineon
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 129L3 E6327Infineon TechnologiesDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V TSLP-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-4
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
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 Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
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BCR 129S E6327Infineon TechnologiesBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR
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BCR 129S H6327Infineon TechnologiesBipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR
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 Mindestbestellmenge: 18000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 129T E6327Infineon TechnologiesDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SC75-3D
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
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 Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 129T E6327Infineon TechnologiesInfineon
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BCR 129W E6327Infineon TechnologiesBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR
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BCR 129W H6327Infineon TechnologiesBipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR
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 Mindestbestellmenge: 36000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 133 B6327Infineon TechnologiesDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Resistors Included: R1 and R2
Frequency - Transition: 130 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-SOT23
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 133 E6327Infineon TechnologiesТранзистор цифровий smd, Структура = NPN, Uceo, В = 50, Ic, А = 0,1, ft, МГц = 130, hFE = 30 @ 5 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Ptot, Вт = 0,2, R1, кОм = 10, R2, кОм = 10, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 500 мкA, 10 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистор
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 133 E6327Infineon TechnologiesDigital Transistors AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA
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 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 133 E6433Infineon TechnologiesDigital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.49 EUR
10+0.43 EUR
20000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 133F B6327Infineon TechnologiesDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V TSFP-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 130 MHz
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TSFP-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 133F E6327Infineon TechnologiesDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V TSFP-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-TSFP-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 130 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 39000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 133L3 E6327Infineon TechnologiesDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V TSLP-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-4
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 130 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 133S H6327Infineon TechnologiesDigital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.76 EUR
10+0.57 EUR
100+0.32 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 133S H6433Infineon TechnologiesBipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 133S H6444Infineon TechnologiesDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 133T E6327Infineon TechnologiesDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SC75-3D
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 130 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 133W E6327Infineon TechnologiesBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 133W H6327InfineonNPN 50V 100mA 130MHz 250mW BCR133WH6327XTSA1 BCR133WH6327 Infineon TBCR133w
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2730 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 133W H6327Infineon TechnologiesBipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 135 B6327Infineon TechnologiesInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 135 B6327Infineon TechnologiesDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 135 E6327Infineon TechnologiesТранзистор цифровий smd, Структура = NPN, Uceo, В = 50, Ic, А = 0,1, ft, МГц = 150, hFE = 70 @ 5 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 мА, Ptot, Вт = 0,2, R1, кОм = 10, R2, кОм = 47, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 500 мкA, 10 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистор
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 135 E6327INFINEON09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 135 E6327Infineon TechnologiesDigital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.77 EUR
10+0.54 EUR
100+0.35 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 135 E6433Infineon TechnologiesDigital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR
auf Bestellung 25928 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.5 EUR
10+0.35 EUR
100+0.23 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
2500+0.096 EUR
5000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 135F E6327Infineon TechnologiesDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V TSFP-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-TSFP-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 39000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 135L3 E6327Infineon TechnologiesDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V TSLP-3
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 150 MHz
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-4
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 135S H6327Infineon TechnologiesDigital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 135T E6327Infineon TechnologiesDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SC75-3D
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 135W H6327Infineon TechnologiesDigital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR
auf Bestellung 33405 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.74 EUR
10+0.51 EUR
100+0.32 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.15 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 135W H6327Infineon
auf Bestellung 141000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 139F E6327Infineon TechnologiesDescription: TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 39000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 139L3 E6327Infineon TechnologiesDescription: TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR 139T E6327Infineon TechnologiesDescription: TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SC75-3D
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
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BCR 141 E6327Infineon TechnologiesDigital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR
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BCR 141 E6327
Produktcode: 174710
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InfineonTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 130 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 50 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 50 В
Kollektorstrom Ic, A: 0,1 А
Montage: SMD
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BCR 141 E6433Infineon TechnologiesBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR
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BCR 141F E6327Infineon TechnologiesDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V TSFP-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 130 MHz
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: PG-TSFP-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Mindestbestellmenge: 39000 Stücke
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BCR 141L3 E6327Infineon TechnologiesDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V TSLP-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 130 MHz
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-4
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
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BCR 141S E6327Infineon TechnologiesBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR
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