Produkte > BCR
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| BCR 08PN H6327 | Infineon Technologies | Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR | auf Bestellung 13907 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BCR 08PN H6433 | Infineon Technologies | Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR | auf Bestellung 9824 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BCR 08PN H6727 | Infineon Technologies | Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 18000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 101L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSLP-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 101T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.05A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SC75-3D Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 100 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 103F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 103L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 103T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 108 B6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 108 B6327 | Infineon Technologies | Digital Transistors Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single, Pre-Biased | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 108 E6327 | Infineon Technologies | Digital Transistors AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA | auf Bestellung 14485 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BCR 108 E6327 Produktcode: 196263
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| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BCR 108 E6433 | Infineon Technologies | Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR | auf Bestellung 11458 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BCR 108F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSFP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSFP-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 39000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 108L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSLP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSLP-3-4 Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 108S E6327 | Infineon Technologies | Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 108S E6433 | Infineon Technologies | Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 108S H6327 | Infineon Technologies | Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR | auf Bestellung 148 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BCR 108S H6433 | Infineon Technologies | Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 108T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SC75-3D Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 108W H6327 | Infineon Technologies | Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR | auf Bestellung 878 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BCR 10PN H6327 | Infineon Technologies | Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 10PN H6327 | Infineon | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| BCR 10PN H6727 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | auf Bestellung 20160 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 112 E6327 | Infineon Technologies | Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 112F E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTORS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 112F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSFP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSFP-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 39000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 112L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSLP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSLP-3-4 Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 112T E6327 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| BCR 112T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SC75-3D Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 112W H6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | auf Bestellung 21556 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BCR 114F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 114L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 114T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 116 E6327 | Infineon Technologies | Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR | auf Bestellung 401 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BCR 116 E6433 | Infineon Technologies | Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 116F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSFP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSFP-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 116L3 E6327 | Infineon Technologies | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 116L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSLP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSLP-3-4 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 116S E6727 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 116S H6327 | Infineon Technologies | Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 116S H6727 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Discontinued at Digi-Key | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 39000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 116T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SC75-3D Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 116W H6327 | Infineon Technologies | Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR | auf Bestellung 22557 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BCR 119 E6327 | Infineon Technologies | Digital Transistors NPN silicon Digital TRANSISTOR | auf Bestellung 28530 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BCR 119 E6433 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 119F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSFP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSFP-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 119L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSLP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSLP-3-4 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 119S E6433 | Infineon Technologies | Digital Transistors NPN silicon Digital TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 119S H6327 | Infineon Technologies | Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR | auf Bestellung 2346 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BCR 119T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SC75-3D Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 129 E6327 | Infineon Technologies | Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BCR 129 E6327 | Infineon Technologies | Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR | auf Bestellung 14489 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BCR 129F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSFP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSFP-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistors Included: R1 Only | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 39000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 129L3 E6327 | Infineon Technologies | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 129L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSLP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSLP-3-4 Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistors Included: R1 Only | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 129S E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 129S H6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 18000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 129T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SC75-3D Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistors Included: R1 Only | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 129T E6327 | Infineon Technologies | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 129W E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 129W H6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 36000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 133 B6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 130 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 133 E6327 | Infineon Technologies | Digital Transistors AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 133 E6327 | Infineon Technologies | Транзистор цифровий smd, Структура = NPN, Uceo, В = 50, Ic, А = 0,1, ft, МГц = 130, hFE = 30 @ 5 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Ptot, Вт = 0,2, R1, кОм = 10, R2, кОм = 10, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 500 мкA, 10 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистор Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 133 E6433 | Infineon Technologies | Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BCR 133F B6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSFP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSFP-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 130 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 133F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSFP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSFP-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 130 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 39000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 133L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSLP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSLP-3-4 Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 130 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 133S H6327 | Infineon Technologies | Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR | auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BCR 133S H6433 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 133S H6444 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 133T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SC75-3D Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 130 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 133W E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 133W H6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 135 B6327 | Infineon Technologies | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 135 B6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 135 E6327 | Infineon Technologies | Транзистор цифровий smd, Структура = NPN, Uceo, В = 50, Ic, А = 0,1, ft, МГц = 150, hFE = 70 @ 5 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 мА, Ptot, Вт = 0,2, R1, кОм = 10, R2, кОм = 47, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 500 мкA, 10 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистор Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 135 E6327 | Infineon Technologies | Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR | auf Bestellung 129 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BCR 135 E6433 | Infineon Technologies | Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR | auf Bestellung 462 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BCR 135F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSFP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSFP-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 39000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 135L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSLP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSLP-3-4 Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 135S H6327 | Infineon Technologies | Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 135T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SC75-3D Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 135W H6327 | Infineon Technologies | Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR | auf Bestellung 25339 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BCR 139F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 39000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 139L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 139T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SC75-3D Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 141 E6327 | Infineon Technologies | Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 141 E6327 Produktcode: 174710
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| Infineon | Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: SOT-23 Transitfrequenz fT: 130 МГц Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 50 В Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 50 В Kollektorstrom Ic, A: 0,1 А Montage: SMD | auf Bestellung: 7 St.
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| BCR 141 E6433 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 141F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSFP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSFP-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 130 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 39000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 141L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSLP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSLP-3-4 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 130 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 141S E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 141S E6727 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 141S H6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | auf Bestellung 1610 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 141S H6327 | Infineon Technologies | Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-6 Part Status: Active | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BCR 141S H6727 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 141S H6727 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 18000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR 141T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SC75-3D Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 130 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
