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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NTT04TIMEGUARDDescription: TIMEGUARD - NTT04 - Zeitschalter, 168 h, 16 A, Digital
tariffCode: 91070000
Zeit, max.: 168h
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
Kontaktstrom, max.: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+128.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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NTT050B18.4320MHZ
auf Bestellung 416 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTT1020
auf Bestellung 14942 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTT2012N065M3SonsemiSiC MOSFETs T2PAK SIC 650V M3S 12MOHM
auf Bestellung 553 Stücke:
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1+21.28 EUR
10+14.93 EUR
100+12.78 EUR
500+11.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTT2016N065M3SonsemiDescription: ELITESIC, 16 MOHM, 650 V, M3S,T2
auf Bestellung 4794 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.24 EUR
10+13.22 EUR
100+10.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTT2016N065M3SonsemiDescription: ELITESIC, 16 MOHM, 650 V, M3S,T2
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+8.21 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTT2016N065M3SonsemiSiC MOSFETs T2PAK SIC 650V M3S 16MOHM
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.85 EUR
10+12.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTT2023N065M3SonsemiSiC MOSFETs T2PAK SIC 650V M3S 23MOHM
auf Bestellung 596 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.9 EUR
10+10.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTT2023N065M3SonsemiDescription: ELITESIC, 23 MOHM, 650 V, M3S,T2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.6mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 288W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: T2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
auf Bestellung 3920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.41 EUR
10+8.77 EUR
25+8.12 EUR
100+7.39 EUR
250+7.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTT2023N065M3SonsemiDescription: ELITESIC, 23 MOHM, 650 V, M3S,T2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.6mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 288W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: T2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+6.71 EUR
1600+6.57 EUR
2400+6.49 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTT448BD
auf Bestellung 532 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTT479ACNLPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTT508ACNLPulse Electronics NetworkDescription: TRANSFORMER SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTT548AJT
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTT557AFT
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTT571AA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTT571AANL
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTT580AA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTA03AA-CATGBICSDescription: Compatible QSFP28 100G
Packaging: Tray
Connector Type: MPO-12
Wavelength: 850nm
Mounting Type: Pluggable, QSFP28
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Networking, General Purpose
Data Rate: 100Gbps
auf Bestellung 4329 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+187.39 EUR
50+178.02 EUR
150+168.66 EUR
1000+159.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTA03AA-CAmphenol ProLabsFibre Optic Transmitters, Receivers, Transceivers Ciena NTTA03AA Compatible TAA 100GBase-SR10 CFP Transceiver (MMF, 850nm, 150m, MPO, DOM)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTBC070NP10M5LonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 100V 3.5A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 14W (Tc), 1.9W (Ta), 10W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 9.5A (Tc), 2.2A (Ta), 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 252pF @ 50V, 256pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.3A, 10V, 186mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 10V, 7.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 24µA, 4V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3x3)
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.14 EUR
11+1.99 EUR
100+1.33 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTBC070NP10M5LONN
auf Bestellung 1650 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTBC070NP10M5LonsemiMOSFET MV5_100V_N_P_IN DUALS AND SINGLE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTBC070NP10M5LonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 100V 3.5A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 14W (Tc), 1.9W (Ta), 10W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 9.5A (Tc), 2.2A (Ta), 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 252pF @ 50V, 256pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.3A, 10V, 186mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 10V, 7.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 24µA, 4V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3x3)
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.83 EUR
6000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTBC070NP10M5LONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 100/-100V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 100/-100V
Drain current: 9.5/-5A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 14/10W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70/186mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.6/7.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTD1P02ON07+ Micro-8
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTD1P02R2ON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.45A 8MICRO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTD1P02R2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.45A 8MICRO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTD4401FR2onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 16 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTD4401FR2ON07+ Micro-8
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTD4401FR2onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 16 V
auf Bestellung 5853 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTD4401FR2G
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTD4401FR2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 16 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTD4401FR2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 16 V
auf Bestellung 12875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD018N08LConsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 6A 12WQFN
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 44µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 856pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 26A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-PowerWQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD018N08LCONN
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD018N08LConsemiMOSFETs 80V LL DUAL N-CH MOSFET
auf Bestellung 1805 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.32 EUR
10+4.27 EUR
100+3.89 EUR
500+3.31 EUR
3000+3.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD018N08LConsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 6A 12WQFN
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 44µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 856pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 26A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-PowerWQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2433 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.46 EUR
10+5.58 EUR
50+4.34 EUR
100+3.94 EUR
500+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD021N08ConsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 6A/24A 12WQFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 44µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 24A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-PowerWQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 20890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.9 EUR
10+4.96 EUR
100+4.01 EUR
500+3.57 EUR
1000+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD021N08ConsemiMOSFETs 80V DUAL N-CH MOSFET
auf Bestellung 2731 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.38 EUR
10+5.53 EUR
100+3.92 EUR
500+3.36 EUR
1000+3.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD021N08ConsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 6A/24A 12WQFN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-PowerWQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 44µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 24A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.88 EUR
6000+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD022N10ConsemiMOSFETs MOSFET, Power, 100V POWERTRENCH Power Clip Half Bridge Configuration
auf Bestellung 3114 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.66 EUR
10+4.99 EUR
100+3.56 EUR
500+3.25 EUR
1000+3.2 EUR
3000+2.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD022N10ConsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 6A 12WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 44µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
auf Bestellung 11288 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.54 EUR
10+4.97 EUR
100+3.51 EUR
500+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD022N10ConsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 6A 12WQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 44µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD1D8N02P1EonsemiMOSFETs FET 25V 1.8 MOHM PC33 DUAL
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.06 EUR
10+2.59 EUR
100+1.76 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.3 EUR
6000+1.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD1D8N02P1EonsemiDescription: MOSFET, POWER, 25V DUAL N-CHANNE
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta), 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 21A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873pF @ 15V, 2700pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 15A, 10V, 1.4mOhm @ 29A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V, 17nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 190µA, 2V @ 310µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.05 EUR
10+2.58 EUR
100+1.76 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.29 EUR
3000+1.14 EUR
6000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD2D8N03P1EonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16.1A 12WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W (Ta), 26W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 80A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V, 1521pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8nC @ 10V, 20.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 400µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
auf Bestellung 1854 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.07 EUR
10+3.94 EUR
100+2.73 EUR
500+2.21 EUR
1000+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD2D8N03P1EonsemiMOSFETs MOSFET, Power, 30V POWERTRENCH Power Clip
auf Bestellung 2129 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.4 EUR
10+3.19 EUR
100+2.32 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.83 EUR
3000+1.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD2D8N03P1EonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16.1A 12WQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W (Ta), 26W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 80A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V, 1521pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8nC @ 10V, 20.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 400µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD4D0N04HLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFD4D0N04HLTWG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.0037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 26W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WQFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+4.25 EUR
79+2.98 EUR
101+2.13 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD4D0N04HLTWGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 15A 12WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
auf Bestellung 2265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.05 EUR
10+2.75 EUR
100+1.96 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD4D0N04HLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFD4D0N04HLTWG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.0037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 26W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WQFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.98 EUR
101+2.13 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD4D0N04HLTWGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 15A 12WQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD4D0N04HLTWGonsemiMOSFETs T8 40V DFN POWER CLIP 3X3 DUAL SYMMETRICAL
auf Bestellung 666 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.8 EUR
10+3.09 EUR
100+2.12 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.71 EUR
3000+1.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD4D1N03P1EonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A 12WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 270µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 14nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V, 3.5mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1103pF @ 15V, 972pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W (Ta), 20W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-PowerWQFN
auf Bestellung 20516 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.88 EUR
10+2.48 EUR
100+1.67 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD4D1N03P1EonsemiMOSFETs Dual Power MOSFETs, N-Channel, Symmetric, 3x3mm, 30V/4.5mohm, 54A Dual Power MOSFETs, N-Channel, Symmetric, 3x3mm, 30V/4.5mohm, 54A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD4D1N03P1EonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A 12WQFN
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 270µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 14nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V, 3.5mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1103pF @ 15V, 972pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W (Ta), 20W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-PowerWQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.07 EUR
6000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD9D0N06HLTWGonsemiDescription: MOSFET, POWER, 60V POWERTRENCH P
Part Status: Active
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 38A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-PowerWQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD9D0N06HLTWGonsemiMOSFETs T8 60V DFN POWER CLIP 3X3 DUAL SYMMETRICAL
auf Bestellung 1631 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.07 EUR
10+3.28 EUR
100+2.26 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.83 EUR
3000+1.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD9D0N06HLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFD9D0N06HLTWG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 38 A, 38 A, 0.009 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 38A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 26W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WQFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.009ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2543 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.33 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD9D0N06HLTWGonsemiDescription: MOSFET, POWER, 60V POWERTRENCH P
Part Status: Active
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 38A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-PowerWQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2984 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.93 EUR
10+4.93 EUR
100+3.92 EUR
500+3.32 EUR
1000+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD9D0N06HLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFD9D0N06HLTWG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 38 A, 38 A, 0.009 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 38A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 26W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WQFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.009ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2543 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+4.5 EUR
73+3.18 EUR
100+2.33 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS002N04CLonsemiMOSFETs T6 40V SG NCH U8FL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS002N04CLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS002N04CLTAGON Semiconductor
auf Bestellung 1475 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS002N04CLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/142A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.19 EUR
3000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS002N04CLTAGonsemiMOSFETs T6 40V SG NCH U8FL
auf Bestellung 13170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.2 EUR
10+1.54 EUR
100+1.2 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.81 EUR
1500+0.73 EUR
3000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS002N04CLTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 142A; Idm: 706A; 27W; WDFN8
Case: WDFN8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 49nC
On-state resistance: 2.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 27W
Drain current: 142A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 706A
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS002N04CLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS002N04CLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS002N04CLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/142A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V
auf Bestellung 19046 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.02 EUR
10+2.68 EUR
100+1.82 EUR
500+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS002N04CLTAG-SR01ON SemiconductorNTTFS002N04CLTAG-SR01
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
398+1.62 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 398 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS002N04CLTAG-SR01onsemiDescription: T6 40V SG NCH U8FL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS002N04CLTAG-SR01onsemiMOSFETs T6 40V SG NCH U8FL
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.38 EUR
10+3.86 EUR
100+2.81 EUR
500+2.28 EUR
1000+1.36 EUR
1500+1.24 EUR
3000+1.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS002N04CTAGonsemiMOSFETs T6 40V SG NCH U8FL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS002N04CTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 136A; Idm: 676A; 27W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 676A
Power dissipation: 27W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS003N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/103A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS003N04CTAGON SemiconductorMOSFET Single N-Chn Pwr
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS003N04CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS003N04CTAG - SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS004N04CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS004N04CTAG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS004N04CTAGonsemiMOSFETs Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.14 EUR
10+0.98 EUR
100+0.87 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS005N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
auf Bestellung 18269 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.9 EUR
17+1.24 EUR
100+0.83 EUR
500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS005N04CTAGonsemiMOSFETs T6 40V SG NCH U8FL
auf Bestellung 1135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.56 EUR
10+1.08 EUR
100+0.77 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.51 EUR
1500+0.43 EUR
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS005N04CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS005N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 69 A, 0.0047 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS005N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.58 EUR
3000+0.48 EUR
7500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS005N04CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS005N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 69 A, 0.0047 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 69
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS005N04CTAGON Semiconductor
auf Bestellung 1480 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS007P02P8onsemiMOSFETs PT8P 20_8V FROM VANGUARD
auf Bestellung 2316 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.12 EUR
10+1.38 EUR
100+1.14 EUR
500+1.09 EUR
1000+1.06 EUR
3000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS008N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/48A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 14980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.55 EUR
22+0.98 EUR
100+0.63 EUR
500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS008N04CTAGON Semiconductor
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS008N04CTAGON SemiconductorMOSFET T6 40V SG NCH U8FL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS008N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/48A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.4 EUR
3000+0.37 EUR
4500+0.36 EUR
7500+0.33 EUR
10500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS008P03P8ZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 22A/96A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.36W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS008P03P8ZonsemiMOSFETs PFET U8FL -30V 8MO
auf Bestellung 9311 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.82 EUR
10+3.12 EUR
100+2.14 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS008P03P8ZONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS008P03P8Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 96 A, 3800 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2309 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.27 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS008P03P8ZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 22A/96A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.36W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.9 EUR
10+3.17 EUR
50+2.4 EUR
100+2.17 EUR
500+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS008P03P8ZONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS008P03P8Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 96 A, 3800 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2309 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.32 EUR
67+3.47 EUR
100+2.27 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS010N10MCLTAGON Semiconductor
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS010N10MCLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10.7A/50A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta),52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 85500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.32 EUR
3000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS010N10MCLTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 250A; 52W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 52W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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