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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NTT04TIMEGUARDDescription: TIMEGUARD - NTT04 - Zeitschalter, 168 h, 16 A, Digital
tariffCode: 91070000
Zeit, max.: 168h
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
Kontaktstrom, max.: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+128.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTT050B18.4320MHZ
auf Bestellung 416 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTT1020
auf Bestellung 14942 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTT2012N065M3SonsemiSiC MOSFETs T2PAK SIC 650V M3S 12MOHM
auf Bestellung 553 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.28 EUR
10+14.93 EUR
100+12.78 EUR
500+11.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTT2016N065M3SonsemiSiC MOSFETs T2PAK SIC 650V M3S 16MOHM
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.85 EUR
10+12.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTT2016N065M3SonsemiDescription: ELITESIC, 16 MOHM, 650 V, M3S,T2
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+8.21 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTT2016N065M3SonsemiDescription: ELITESIC, 16 MOHM, 650 V, M3S,T2
auf Bestellung 4794 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.24 EUR
10+13.22 EUR
100+10.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTT2023N065M3SonsemiDescription: ELITESIC, 23 MOHM, 650 V, M3S,T2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.6mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 288W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: T2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
auf Bestellung 3920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.41 EUR
10+8.77 EUR
25+8.12 EUR
100+7.39 EUR
250+7.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTT2023N065M3SonsemiDescription: ELITESIC, 23 MOHM, 650 V, M3S,T2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.6mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 288W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: T2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+6.71 EUR
1600+6.57 EUR
2400+6.49 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTT2023N065M3SonsemiSiC MOSFETs T2PAK SIC 650V M3S 23MOHM
auf Bestellung 596 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.9 EUR
10+10.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTT448BD
auf Bestellung 532 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTT479ACNLPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTT508ACNLPulse Electronics NetworkDescription: TRANSFORMER SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTT548AJT
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTT557AFT
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTT571AA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTT571AANL
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTT580AA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTA03AA-CAmphenol ProLabsFibre Optic Transmitters, Receivers, Transceivers Ciena NTTA03AA Compatible TAA 100GBase-SR10 CFP Transceiver (MMF, 850nm, 150m, MPO, DOM)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTA03AA-CATGBICSDescription: Compatible QSFP28 100G
Packaging: Tray
Connector Type: MPO-12
Wavelength: 850nm
Mounting Type: Pluggable, QSFP28
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Networking, General Purpose
Data Rate: 100Gbps
auf Bestellung 4329 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+187.39 EUR
50+178.02 EUR
150+168.66 EUR
1000+159.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTBC070NP10M5LonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 100V 3.5A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 14W (Tc), 1.9W (Ta), 10W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 9.5A (Tc), 2.2A (Ta), 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 252pF @ 50V, 256pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.3A, 10V, 186mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 10V, 7.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 24µA, 4V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3x3)
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.14 EUR
11+1.99 EUR
100+1.33 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTBC070NP10M5LONN
auf Bestellung 1650 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTBC070NP10M5LonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 100V 3.5A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 14W (Tc), 1.9W (Ta), 10W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 9.5A (Tc), 2.2A (Ta), 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 252pF @ 50V, 256pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.3A, 10V, 186mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 10V, 7.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 24µA, 4V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3x3)
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.83 EUR
6000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTBC070NP10M5LONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 100/-100V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 100/-100V
Drain current: 9.5/-5A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 14/10W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70/186mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.6/7.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTBC070NP10M5LonsemiMOSFET MV5_100V_N_P_IN DUALS AND SINGLE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTD1P02ON07+ Micro-8
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTD1P02R2ON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.45A 8MICRO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTD1P02R2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.45A 8MICRO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTD4401FR2ON07+ Micro-8
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTD4401FR2onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 16 V
auf Bestellung 5853 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTD4401FR2onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 16 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTD4401FR2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 16 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTD4401FR2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 16 V
auf Bestellung 12875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTD4401FR2G
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD018N08LConsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 6A 12WQFN
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 44µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 856pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 26A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-PowerWQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 108000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD018N08LConsemiMOSFETs MOSFET, Power, 80V POWERTRENCH Power Clip Half Bridge Configuration
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD018N08LCONN
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD018N08LConsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 6A 12WQFN
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 44µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 856pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 26A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-PowerWQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 110895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.69 EUR
10+5.05 EUR
100+3.56 EUR
500+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD021N08ConsemiMOSFETs 80V DUAL N-CH MOSFET
auf Bestellung 2731 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.38 EUR
10+5.53 EUR
100+3.92 EUR
500+3.36 EUR
1000+3.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD021N08ConsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 6A/24A 12WQFN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-PowerWQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 44µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 24A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.88 EUR
6000+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD021N08ConsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 6A/24A 12WQFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 44µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 24A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-PowerWQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 20890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.9 EUR
10+4.96 EUR
100+4.01 EUR
500+3.57 EUR
1000+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD022N10ConsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 6A 12WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 44µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
auf Bestellung 11288 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.54 EUR
10+4.97 EUR
100+3.51 EUR
500+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD022N10ConsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 6A 12WQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 44µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD022N10ConsemiMOSFETs MOSFET, Power, 100V POWERTRENCH Power Clip Half Bridge Configuration
auf Bestellung 3114 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.66 EUR
10+4.99 EUR
100+3.56 EUR
500+3.25 EUR
1000+3.2 EUR
3000+2.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD1D8N02P1EonsemiMOSFETs FET 25V 1.8 MOHM PC33 DUAL
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.06 EUR
10+2.59 EUR
100+1.76 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.3 EUR
6000+1.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD1D8N02P1EonsemiDescription: MOSFET, POWER, 25V DUAL N-CHANNE
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta), 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 21A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873pF @ 15V, 2700pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 15A, 10V, 1.4mOhm @ 29A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V, 17nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 190µA, 2V @ 310µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.05 EUR
10+2.58 EUR
100+1.76 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.29 EUR
3000+1.14 EUR
6000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD2D8N03P1EonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16.1A 12WQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W (Ta), 26W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 80A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V, 1521pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8nC @ 10V, 20.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 400µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD2D8N03P1EonsemiMOSFETs MOSFET, Power, 30V POWERTRENCH Power Clip
auf Bestellung 2129 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.4 EUR
10+3.19 EUR
100+2.32 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.83 EUR
3000+1.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD2D8N03P1EonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16.1A 12WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W (Ta), 26W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 80A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V, 1521pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8nC @ 10V, 20.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 400µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
auf Bestellung 1854 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.07 EUR
10+3.94 EUR
100+2.73 EUR
500+2.21 EUR
1000+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD4D0N04HLTWGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 15A 12WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
auf Bestellung 2265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.05 EUR
10+2.75 EUR
100+1.96 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD4D0N04HLTWGonsemiMOSFETs T8 40V DFN POWER CLIP 3X3 DUAL SYMMETRICAL
auf Bestellung 666 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.8 EUR
10+3.09 EUR
100+2.12 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.71 EUR
3000+1.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD4D0N04HLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFD4D0N04HLTWG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.0037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 26W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WQFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.98 EUR
101+2.13 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD4D0N04HLTWGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 15A 12WQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD4D0N04HLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFD4D0N04HLTWG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.0037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 26W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WQFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+4.25 EUR
79+2.98 EUR
101+2.13 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD4D1N03P1EonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A 12WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 270µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 14nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V, 3.5mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1103pF @ 15V, 972pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W (Ta), 20W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-PowerWQFN
auf Bestellung 20516 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.88 EUR
10+2.48 EUR
100+1.67 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD4D1N03P1EonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A 12WQFN
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 270µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 14nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V, 3.5mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1103pF @ 15V, 972pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W (Ta), 20W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-PowerWQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.07 EUR
6000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD4D1N03P1EonsemiMOSFETs Dual Power MOSFETs, N-Channel, Symmetric, 3x3mm, 30V/4.5mohm, 54A Dual Power MOSFETs, N-Channel, Symmetric, 3x3mm, 30V/4.5mohm, 54A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD9D0N06HLTWGonsemiDescription: MOSFET, POWER, 60V POWERTRENCH P
Part Status: Active
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 38A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-PowerWQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2984 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.93 EUR
10+4.93 EUR
100+3.92 EUR
500+3.32 EUR
1000+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD9D0N06HLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFD9D0N06HLTWG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 38 A, 38 A, 0.009 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 38A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 26W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WQFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.009ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2543 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+4.5 EUR
73+3.18 EUR
100+2.33 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD9D0N06HLTWGonsemiMOSFETs T8 60V DFN POWER CLIP 3X3 DUAL SYMMETRICAL
auf Bestellung 1631 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.07 EUR
10+3.28 EUR
100+2.26 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.83 EUR
3000+1.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD9D0N06HLTWGonsemiDescription: MOSFET, POWER, 60V POWERTRENCH P
Part Status: Active
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 38A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-PowerWQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFD9D0N06HLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFD9D0N06HLTWG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 38 A, 38 A, 0.009 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 38A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 26W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WQFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.009ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2543 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.33 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS002N04CLonsemiMOSFETs T6 40V SG NCH U8FL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS002N04CLTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 142A; Idm: 706A; 27W; WDFN8
Case: WDFN8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 49nC
On-state resistance: 2.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 27W
Drain current: 142A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 706A
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS002N04CLTAGON Semiconductor
auf Bestellung 1475 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS002N04CLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/142A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.19 EUR
3000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS002N04CLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS002N04CLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS002N04CLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/142A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V
auf Bestellung 19046 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.02 EUR
10+2.68 EUR
100+1.82 EUR
500+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS002N04CLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS002N04CLTAGonsemiMOSFETs T6 40V SG NCH U8FL
auf Bestellung 13170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.2 EUR
10+1.54 EUR
100+1.2 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.81 EUR
1500+0.73 EUR
3000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS002N04CLTAG-SR01onsemiDescription: T6 40V SG NCH U8FL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.11 EUR
3000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS002N04CLTAG-SR01onsemiMOSFETs T6 40V SG NCH U8FL
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.86 EUR
10+3.71 EUR
100+2.56 EUR
500+2.18 EUR
1000+1.82 EUR
1500+1.2 EUR
3000+1.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS002N04CLTAG-SR01onsemiDescription: T6 40V SG NCH U8FL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS002N04CLTAG-SR01ON SemiconductorNTTFS002N04CLTAG-SR01
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
398+1.64 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 398 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS002N04CTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 136A; Idm: 676A; 27W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 676A
Power dissipation: 27W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS002N04CTAGonsemiMOSFETs T6 40V SG NCH U8FL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS003N04CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS003N04CTAG - SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS003N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/103A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS003N04CTAGON SemiconductorMOSFET Single N-Chn Pwr
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS004N04CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS004N04CTAG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS005N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.58 EUR
3000+0.48 EUR
7500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS005N04CTAGonsemiMOSFETs T6 40V SG NCH U8FL
auf Bestellung 1135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.56 EUR
10+1.08 EUR
100+0.77 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.51 EUR
1500+0.43 EUR
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS005N04CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS005N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 69 A, 0.0047 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 69
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS005N04CTAGON Semiconductor
auf Bestellung 1480 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS005N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
auf Bestellung 18269 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.9 EUR
17+1.24 EUR
100+0.83 EUR
500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS005N04CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS005N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 69 A, 0.0047 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS007P02P8onsemiMOSFETs PT8P 20_8V FROM VANGUARD
auf Bestellung 2316 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.12 EUR
10+1.38 EUR
100+1.14 EUR
500+1.09 EUR
1000+1.06 EUR
3000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS008N04CTAGON Semiconductor
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS008N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/48A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.4 EUR
3000+0.37 EUR
4500+0.36 EUR
7500+0.33 EUR
10500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS008N04CTAGON SemiconductorMOSFET T6 40V SG NCH U8FL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS008N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/48A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 14980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.55 EUR
22+0.98 EUR
100+0.63 EUR
500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS008P03P8ZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 22A/96A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.36W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
auf Bestellung 4597 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.77 EUR
10+3.08 EUR
100+2.11 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS008P03P8ZONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS008P03P8Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 96 A, 3800 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2309 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.27 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS008P03P8ZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 22A/96A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.36W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS008P03P8ZONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS008P03P8Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 96 A, 3800 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2309 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.32 EUR
67+3.47 EUR
100+2.27 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS008P03P8ZonsemiMOSFETs PFET U8FL -30V 8MO
auf Bestellung 9311 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.82 EUR
10+3.12 EUR
100+2.14 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS010N10MCLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10.7A/50A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta),52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
auf Bestellung 33258 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.08 EUR
10+2.2 EUR
100+1.61 EUR
500+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS010N10MCLTAGonsemiMOSFETs PTNG 100V LL IN
auf Bestellung 28109 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.49 EUR
10+2.89 EUR
100+1.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS010N10MCLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10.7A/50A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta),52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.21 EUR
3000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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