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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
NTT04TIMEGUARDDescription: TIMEGUARD - NTT04 - Zeitschalter, 168 h, 16 A, Digital
tariffCode: 91070000
Zeit, min.: -
Zeit, max.: 168h
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Controllerausgang: Digital
euEccn: NLR
Kontaktstrom, max.: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktform: -
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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NTT050B18.4320MHZ
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NTT1020
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NTT448BD
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NTT479ACNLPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
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NTT508ACNLPulse Electronics NetworkDescription: TRANSFORMER SMD
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NTT548AJT
auf Bestellung 106 Stücke:
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NTT557AFT
auf Bestellung 1800 Stücke:
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NTT571AA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTT571AANL
auf Bestellung 1200 Stücke:
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NTT580AA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTTBC070NP10M5LonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 100V 3.5A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 14W (Tc), 1.9W (Ta), 10W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 9.5A (Tc), 2.2A (Ta), 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 252pF @ 50V, 256pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.3A, 10V, 186mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 10V, 7.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 24µA, 4V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3x3)
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NTTBC070NP10M5LonsemiMOSFET MV5_100V_N_P_IN DUALS AND SINGLE
Produkt ist nicht verfügbar
NTTBC070NP10M5LonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 100V 3.5A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 14W (Tc), 1.9W (Ta), 10W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 9.5A (Tc), 2.2A (Ta), 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 252pF @ 50V, 256pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.3A, 10V, 186mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 10V, 7.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 24µA, 4V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3x3)
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
11+2.5 EUR
13+ 2.04 EUR
100+ 1.59 EUR
500+ 1.35 EUR
1000+ 1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 11
NTTD1P02ON07+ Micro-8
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTTD1P02ONMicro-8
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTTD1P02R2ON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.45A 8MICRO
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NTTD1P02R2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.45A 8MICRO
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NTTD4401FR2onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 16 V
auf Bestellung 5853 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1902+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1902
NTTD4401FR2ON07+ Micro-8
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTTD4401FR2onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 16 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTTD4401FR2ONMicro-8
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTTD4401FR2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 16 V
auf Bestellung 12875 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1268+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1268
NTTD4401FR2G
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTTD4401FR2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-Pin Micro T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTTD4401FR2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 16 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFD018N08LConsemiDescription: 80V LL DUAL N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFD018N08LConsemiMOSFET 80V LL DUAL N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFD021N08ConsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 6A/24A 12WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 44µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
auf Bestellung 20890 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.33 EUR
10+ 6.16 EUR
100+ 4.98 EUR
500+ 4.43 EUR
1000+ 3.79 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NTTFD021N08CON Semiconductor80V DUAL N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFD021N08ConsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 6A/24A 12WQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 44µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+3.57 EUR
6000+ 3.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTTFD021N08ConsemiMOSFET 80V DUAL N-CH MOSFET
auf Bestellung 2797 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+7.46 EUR
10+ 6.29 EUR
25+ 6.19 EUR
100+ 5.1 EUR
250+ 5.02 EUR
500+ 4.52 EUR
1000+ 3.87 EUR
Mindestbestellmenge: 7
NTTFD022N10ConsemiMOSFET 100V DUAL N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFD022N10ConsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 6A/24A 12WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 44µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.75 EUR
10+ 6.5 EUR
100+ 5.26 EUR
500+ 4.68 EUR
1000+ 4 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NTTFD022N10ConsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 6A/24A 12WQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 44µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFD022N10CON SemiconductorMOSFET, Power, 100V POWERTRENCH Power Clip Half Bridge Configuration
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFD2D8N03P1EonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16.1A 12WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W (Ta), 26W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 80A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V, 1521pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8nC @ 10V, 20.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 400µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFD2D8N03P1EonsemiMOSFET FET 30V 2.8 MOHM PC33 DUAL SYMM
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.23 EUR
13+ 4.32 EUR
100+ 3.46 EUR
250+ 3.2 EUR
500+ 2.89 EUR
1000+ 2.47 EUR
3000+ 2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 10
NTTFD2D8N03P1EonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16.1A 12WQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W (Ta), 26W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 80A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V, 1521pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8nC @ 10V, 20.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 400µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFD4D0N04HLTWGonsemiDescription: MOSFET, POWER, 40V POWERTRENCH P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFD4D0N04HLTWGonsemiMOSFET T8 40V DFN POWER CLIP 3X3 DUAL SYMMETRICAL
auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.92 EUR
10+ 5.8 EUR
25+ 5.77 EUR
100+ 4.68 EUR
250+ 4.65 EUR
500+ 4.19 EUR
1000+ 3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 8
NTTFD4D0N04HLTWGonsemiDescription: MOSFET, POWER, 40V POWERTRENCH P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
auf Bestellung 1857 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.44 EUR
10+ 6.23 EUR
100+ 5.04 EUR
500+ 4.48 EUR
1000+ 3.84 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NTTFD4D0N04HLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFD4D0N04HLTWG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0037 ohm, WQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 26
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5
Bauform - Transistor: WQFN
Anzahl der Pins: 12
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTTFD4D1N03P1EonsemiDescription: FET 30V 4.1MOHM PC33 DUAL SYMM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1103pF @ 15V, 972pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V, 3.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 14nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 270µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFD4D1N03P1EonsemiDescription: FET 30V 4.1MOHM PC33 DUAL SYMM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1103pF @ 15V, 972pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V, 3.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 14nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 270µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
auf Bestellung 2809 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.64 EUR
10+ 2.98 EUR
100+ 2.32 EUR
500+ 1.96 EUR
1000+ 1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 8
NTTFD4D1N03P1EonsemiMOSFET FET 30V 4.1MOHM PC33 DUAL SYMM
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFD9D0N06HLTWGonsemiDescription: MOSFET, POWER, 60V POWERTRENCH P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 38A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
auf Bestellung 2984 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.36 EUR
10+ 6.11 EUR
100+ 4.86 EUR
500+ 4.12 EUR
1000+ 3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NTTFD9D0N06HLTWGonsemiDescription: MOSFET, POWER, 60V POWERTRENCH P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 38A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
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NTTFD9D0N06HLTWGonsemiMOSFET T8 60V DFN POWER CLIP 3X3 DUAL SYMMETRICAL
auf Bestellung 4496 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.73 EUR
10+ 5.62 EUR
100+ 4.5 EUR
250+ 4.42 EUR
500+ 3.82 EUR
1000+ 3.28 EUR
3000+ 3.17 EUR
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NTTFS002N04CLonsemionsemi
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NTTFS002N04CLTAGON Semiconductor
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTTFS002N04CLTAGON SemiconductorPower MOSFET
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NTTFS002N04CLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/142A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V
auf Bestellung 11900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.97 EUR
10+ 4.12 EUR
100+ 3.28 EUR
500+ 2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 6
NTTFS002N04CLTAGON SemiconductorPower MOSFET
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NTTFS002N04CLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/142A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V
auf Bestellung 10500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1500+2.36 EUR
3000+ 2.24 EUR
7500+ 2.15 EUR
10500+ 2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
NTTFS002N04CLTAGonsemiMOSFET T6 40V SG NCH U8FL
auf Bestellung 13338 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+5.04 EUR
13+ 4.19 EUR
100+ 3.33 EUR
250+ 3.07 EUR
500+ 2.78 EUR
1000+ 2.4 EUR
1500+ 2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 11
NTTFS002N04CTAGON SemiconductorPower MOSFET
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NTTFS002N04CTAGonsemiMOSFET T6 40V SG NCH U8FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS003N04CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS003N04CTAG - SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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NTTFS003N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/103A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS003N04CTAGON SemiconductorMOSFET Single N-Chn Pwr
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS004N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS004N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
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NTTFS004N04CTAGonsemiMOSFET Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 126-140 Tag (e)
16+3.46 EUR
19+ 2.86 EUR
100+ 2.2 EUR
500+ 1.87 EUR
1000+ 1.52 EUR
1500+ 1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 16
NTTFS004N04CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS004N04CTAG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS005N04CTAGonsemiMOSFET T6 40V SG NCH U8FL
auf Bestellung 1499 Stücke:
Lieferzeit 485-499 Tag (e)
16+3.38 EUR
18+ 3.02 EUR
100+ 2.34 EUR
500+ 1.93 EUR
1500+ 1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 16
NTTFS005N04CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS005N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 69 A, 0.0047 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS005N04CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS005N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 69 A, 0.0047 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 69
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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NTTFS005N04CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS005N04CTAGON Semiconductor
auf Bestellung 1480 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTTFS008N04CTAGON Semiconductor
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTTFS008N04CTAGON SemiconductorMOSFET T6 40V SG NCH U8FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS008P03P8ZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 22A/96A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.36W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
auf Bestellung 7158 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.18 EUR
10+ 6.03 EUR
100+ 4.88 EUR
500+ 4.33 EUR
1000+ 3.71 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NTTFS008P03P8ZonsemiMOSFET PFET U8FL -30V 8MO
auf Bestellung 2955 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+7.2 EUR
10+ 6.06 EUR
25+ 5.69 EUR
100+ 4.91 EUR
250+ 4.63 EUR
500+ 4.34 EUR
1000+ 3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 8
NTTFS008P03P8ZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS008P03P8ZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 22A/96A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.36W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+3.49 EUR
6000+ 3.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTTFS008P03P8ZONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS008P03P8Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 96 A, 0.0025 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 96
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS010N10MCLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10.7A/50A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta),52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
auf Bestellung 67250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.93 EUR
10+ 3.23 EUR
100+ 2.51 EUR
500+ 2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 7
NTTFS010N10MCLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10.7A/50A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta),52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1500+1.73 EUR
3000+ 1.63 EUR
7500+ 1.55 EUR
10500+ 1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
NTTFS010N10MCLTAGonsemiMOSFET PTNG 100V LL IN
auf Bestellung 29720 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.95 EUR
16+ 3.25 EUR
100+ 2.51 EUR
500+ 2.14 EUR
1000+ 1.74 EUR
1500+ 1.62 EUR
3000+ 1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 14
NTTFS010N10MCLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10.7A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS010N10MCLTAGON Semiconductor
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTTFS012N10MDTAGonsemiDescription: PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET, U8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 78µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1500+1.71 EUR
3000+ 1.61 EUR
7500+ 1.53 EUR
10500+ 1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
NTTFS012N10MDTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS012N10MDTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0122 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTTFS012N10MDTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS012N10MDTAGonsemiMOSFET PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET, U8FL
auf Bestellung 15019 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.9 EUR
17+ 3.22 EUR
100+ 2.49 EUR
500+ 2.11 EUR
1000+ 1.72 EUR
1500+ 1.61 EUR
3000+ 1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 14
NTTFS012N10MDTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS012N10MDTAGonsemiDescription: PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET, U8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 78µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V
auf Bestellung 17721 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.9 EUR
10+ 3.18 EUR
100+ 2.47 EUR
500+ 2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 7
NTTFS012N10MDTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS015N04CTAGonsemiMOSFET Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
auf Bestellung 1497 Stücke:
Lieferzeit 432-446 Tag (e)
23+2.27 EUR
28+ 1.88 EUR
100+ 1.47 EUR
500+ 1.24 EUR
1000+ 1.05 EUR
1500+ 0.96 EUR
3000+ 0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 23
NTTFS015N04CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS015N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS015N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
auf Bestellung 3210 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
12+2.26 EUR
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NTTFS015N04CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS015P03P8ZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 13.4A/47.6A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 47.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.66W (Ta), 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V
auf Bestellung 586500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 1500
NTTFS015P03P8ZTAGON Semiconductor
auf Bestellung 1490 Stücke:
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NTTFS015P03P8ZTAGonsemiMOSFET PFET U8FL 30V 15MO
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Mindestbestellmenge: 30
NTTFS015P03P8ZTAGON SemiconductorP Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS015P03P8ZTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS015P03P8ZTAG - MOSFET, SINGLE -30V P-CHANNEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS015P03P8ZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 13.4A/47.6A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 47.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.66W (Ta), 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V
auf Bestellung 587834 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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100+ 1.03 EUR
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Mindestbestellmenge: 16
NTTFS015P03P8ZTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 13.4A/47.6A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 47.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.66W (Ta), 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V
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NTTFS015P03P8ZTWGonsemiMOSFET PFET U8FL 30V 15MO
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29+1.84 EUR
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Mindestbestellmenge: 29
NTTFS015P03P8ZTWGON SemiconductorP Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS015P03P8ZTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS015P03P8ZTWG - MOSFET, SINGLE -30V P-CHANNEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS015P03P8ZTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 13.4A/47.6A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 47.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.66W (Ta), 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V
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NTTFS016N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS016N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
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NTTFS016N06CTAGonsemiMOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
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NTTFS020N06CTAGonsemiMOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
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NTTFS020N06CTAGON SemiconductorMOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
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NTTFS020N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
auf Bestellung 20890 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
9+3.12 EUR
11+ 2.54 EUR
100+ 1.98 EUR
500+ 1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 9
NTTFS020N06CTAGON SemiconductorSingle N Channel Power MOSFET 60V, 27A, 20.3m
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NTTFS020N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
auf Bestellung 19500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1500+1.36 EUR
3000+ 1.28 EUR
7500+ 1.22 EUR
10500+ 1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
NTTFS022N15MConsemiDescription: POWER MOSFET, N CHANNEL, 150V, 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 37.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS022N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 7.4A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS022N15MConsemiMOSFET PTNG 150V 22MOHM, POWERCLIP33
auf Bestellung 482 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.63 EUR
10+ 5.51 EUR
100+ 4.37 EUR
250+ 4.03 EUR
500+ 3.67 EUR
1000+ 3.15 EUR
3000+ 2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 8
NTTFS022N15MConsemiDescription: POWER MOSFET, N CHANNEL, 150V, 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 37.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS024N06CTAGonsemiMOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS024N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS024N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS030N06CTAGON SemiconductorSingle N Channel Power MOSFET 60V, 27A, 29.7m
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS030N06CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS030N06CTAG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS030N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS030N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS030N06CTAGonsemiMOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS030N10GTAGonsemiDescription: 100V MVSOA IN U8FL PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1366 pF @ 50 V
auf Bestellung 1480 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.77 EUR
10+ 3.09 EUR
100+ 2.4 EUR
500+ 2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 7
NTTFS030N10GTAGonsemiMOSFET MOSFET Power, Single N-Channel, 8FL, 100V, 30mohm, 35A MOSFET Power, Single N-Channel, 8FL, 100V, 30mohm, 35A
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS030N10GTAGonsemiDescription: 100V MVSOA IN U8FL PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1366 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS034N15MCON SemiconductorPower MOSFET, N Channel
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS034N15MConsemiDescription: PTNG 150V 34MOHM POWERCLIP33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 53.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTTFS080N10GTAGonsemiDescription: 100V MVSOA IN U8FL PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 22µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560.5 pF @ 50 V
auf Bestellung 11960 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
14+1.92 EUR
16+ 1.67 EUR
100+ 1.16 EUR
500+ 0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 14
NTTFS080N10GTAGonsemiDescription: 100V MVSOA IN U8FL PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 22µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560.5 pF @ 50 V
auf Bestellung 10500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1500+0.82 EUR
3000+ 0.73 EUR
7500+ 0.69 EUR
10500+ 0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
NTTFS080N10GTAGON SemiconductorPower MOSFET, Single N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS080N10GTAGonsemiMOSFET MOSFET Power, Single N-Channel, 8FL, 100V, 82mohm, 15A MOSFET Power, Single N-Channel, 8FL, 100V, 82mohm, 15A
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS115P10M5ON Semiconductor
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTTFS115P10M5ON SemiconductorPower, Single P-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS115P10M5onsemiDescription: MV5_100V_N_P_IN DUALS AND SINGLE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 50 V
auf Bestellung 20850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
12+2.21 EUR
15+ 1.81 EUR
100+ 1.41 EUR
500+ 1.2 EUR
1000+ 0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 12
NTTFS115P10M5onsemiMOSFET MV5_100V_N_P_IN DUALS AND SINGLE
auf Bestellung 3301 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
24+2.23 EUR
29+ 1.83 EUR
100+ 1.42 EUR
500+ 1.21 EUR
1000+ 0.98 EUR
3000+ 0.92 EUR
6000+ 0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 24
NTTFS115P10M5onsemiDescription: MV5_100V_N_P_IN DUALS AND SINGLE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 50 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.92 EUR
6000+ 0.87 EUR
9000+ 0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTTFS1D2N02P1EonsemiMOSFET 25V 1.2 MOHM PC33
auf Bestellung 1570 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+5.1 EUR
13+ 4.26 EUR
100+ 3.38 EUR
250+ 3.12 EUR
500+ 2.83 EUR
1000+ 2.42 EUR
3000+ 2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 11
NTTFS1D2N02P1EonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 934µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4040 pF @ 13 V
auf Bestellung 623 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+5.1 EUR
10+ 4.23 EUR
100+ 3.37 EUR
500+ 2.85 EUR
Mindestbestellmenge: 6
NTTFS1D2N02P1EONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS1D2N02P1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 180 A, 860 µohm, PQFN
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 180
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 52
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 860
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS1D2N02P1EON Semiconductor
auf Bestellung 2820 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTTFS1D2N02P1EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin PQFN EP Reel
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS1D2N02P1EonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 934µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4040 pF @ 13 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS1D8N02P1EonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 20A/152A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 152A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 700µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3159 pF @ 13 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+2.59 EUR
6000+ 2.5 EUR
9000+ 2.41 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTTFS1D8N02P1EONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS1D8N02P1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 150 A, 0.00105 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 150
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 46
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00105
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS1D8N02P1EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS1D8N02P1EonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 20A/152A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 152A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 700µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3159 pF @ 13 V
auf Bestellung 14263 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.77 EUR
10+ 4.78 EUR
100+ 3.8 EUR
500+ 3.22 EUR
1000+ 2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 5
NTTFS1D8N02P1EonsemiMOSFET FET 25V 1.8 MOHM PC33 SINGLE
auf Bestellung 13368 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+4.03 EUR
15+ 3.51 EUR
100+ 2.99 EUR
500+ 2.68 EUR
1000+ 2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 13
NTTFS2D1N04HLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/150A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2745 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS2D1N04HLTWGonsemiMOSFET T8 40V DFN POWER CLIP 3 X 3
auf Bestellung 2979 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+5.02 EUR
13+ 4.16 EUR
100+ 3.3 EUR
250+ 3.07 EUR
500+ 2.78 EUR
1000+ 2.39 EUR
3000+ 2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 11
NTTFS2D1N04HLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS2D1N04HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0017 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTTFS2D1N04HLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/150A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2745 pF @ 20 V
auf Bestellung 1803 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.3 EUR
10+ 4.79 EUR
100+ 3.85 EUR
500+ 3.16 EUR
1000+ 2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 5
NTTFS2D1N04HLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS2D1N04HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0017 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTTFS2D1N04HLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS2D8N04HLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS2D8N04HLTAG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS2D8N04HLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/104A 8WDFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS2D8N04HLTAGON SemiconductorN Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS2D8N04HLTAGonsemiMOSFET 40V T8 IN U8FL HEFET
auf Bestellung 1497 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTTFS3A08PZTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 14A U8FL
auf Bestellung 855000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTTFS3A08PZTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 15A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS3A08PZTAGON Semiconductor
auf Bestellung 1851 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTTFS3A08PZTAGON SemiconductorMOSFET PFET U8FL 20V 14A 6.7MOHM
auf Bestellung 371 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTTFS3A08PZTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 14A U8FL
auf Bestellung 855000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTTFS3A08PZTWGON SemiconductorMOSFET Power MOSFET -20V -15A 6.7 mOhm Single P-Channel u8FL with ESD Protection
auf Bestellung 3647 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTTFS3A08PZTWGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 14A U8FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS3A08PZTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 15A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS3A08PZTWGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 14A U8FL
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.93 EUR
10+ 3.49 EUR
100+ 2.72 EUR
Mindestbestellmenge: 7
NTTFS3A08PZTWGON Semiconductor
auf Bestellung 356 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTTFS3D7N06HLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS3D7N06HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 103 A, 0.0032 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
auf Bestellung 5957 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTTFS3D7N06HLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/103A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2383 pF @ 30 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+2.51 EUR
6000+ 2.42 EUR
9000+ 2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTTFS3D7N06HLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS3D7N06HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 103 A, 0.0032 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
auf Bestellung 5957 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTTFS3D7N06HLTWGonsemiMOSFET T8 60V DFN POWER CLIP 3X3
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 155-169 Tag (e)
10+5.72 EUR
12+ 4.68 EUR
100+ 3.9 EUR
250+ 3.72 EUR
500+ 3.25 EUR
1000+ 2.76 EUR
3000+ 2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 10
NTTFS3D7N06HLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS3D7N06HLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/103A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2383 pF @ 30 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.56 EUR
10+ 4.62 EUR
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NTTFS4800NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS4800NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin WDFN EP T/R
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1500+0.17 EUR
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NTTFS4800NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5A/32A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 964 pF @ 15 V
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
579+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 579
NTTFS4800NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS4800NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5A/32A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 964 pF @ 15 V
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NTTFS4800NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
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1500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
NTTFS4800NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS4800NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin WDFN EP T/R
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5000+0.24 EUR
5001+ 0.22 EUR
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NTTFS4800NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS4800NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 8WDFN
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NTTFS4821NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 57A 10.8mOhm
auf Bestellung 2405 Stücke:
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NTTFS4821NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.5A/57A 8WDFN
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NTTFS4821NTAG
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NTTFS4821NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.5A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS4821NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.5A/57A 8WDFN
auf Bestellung 12131 Stücke:
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NTTFS4821NTWG
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NTTFS4821NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8WDFN
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NTTFS4823NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.1A/50A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 32.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1013 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4823NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.1A/50A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 32.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1013 pF @ 12 V
auf Bestellung 367762 Stücke:
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1158+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 1158
NTTFS4823NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.1A 8WDFN
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NTTFS4823NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12.6A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1859 Stücke:
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NTTFS4823NTWG
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NTTFS4823NTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4823NTWG - NTTFS4823NTWG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 39942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTTFS4823NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.1A/50A 8WDFN
auf Bestellung 39942 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1255+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1255
NTTFS4824NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A/69A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 46.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2363 pF @ 12 V
auf Bestellung 1181 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2.08 EUR
16+ 1.7 EUR
100+ 1.32 EUR
500+ 1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 13
NTTFS4824NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.9A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4824NTAG
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTTFS4824NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.9A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 717 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+1.23 EUR
146+ 1.03 EUR
245+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 127
NTTFS4824NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A/69A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 46.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2363 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4824NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.9A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS4824NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.9A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS4824NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 69A 7.5mOhm
auf Bestellung 2629 Stücke:
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NTTFS4824NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8WDFN
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NTTFS4840NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
412+0.38 EUR
470+ 0.32 EUR
589+ 0.25 EUR
751+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 412
NTTFS4840NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.6A/26A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4840NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4840NTAG - NTTFS4840NTAG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTTFS4840NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
412+0.38 EUR
470+ 0.32 EUR
589+ 0.25 EUR
751+ 0.23 EUR
1501+ 0.21 EUR
3001+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 412
NTTFS4840NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.6A/26A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
auf Bestellung 4300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
592+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 592
NTTFS4840NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 4.6A 8WDFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4928Nonsemionsemi NFET U8FL 30V 41A 8MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4928NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.3A/37A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 913 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4928NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 41A 8MOHM
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTTFS4928NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.8A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTTFS4928NTAGON Semiconductor
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTTFS4928NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.8A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4928NTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4928NTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.8 A, 0.009 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20.8W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 453600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTTFS4928NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.3A/37A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 913 pF @ 15 V
auf Bestellung 453600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1032+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 1032
NTTFS4928NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.8A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4928NTWGON Semiconductor
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTTFS4928NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.8A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4928NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.3A/37A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 913 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4928NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 41A 8MOHM
auf Bestellung 4989 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTTFS4929NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 34A 11 MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4929NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.6A/34A 8WDFN
auf Bestellung 135000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1134+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 1134
NTTFS4929NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 34A 8WDFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4929NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 34A 8WDFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4929NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.6A/34A 8WDFN
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1191+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 1191
NTTFS4929NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 34A 11 MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4930NTAGON Semiconductor
auf Bestellung 4107 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTTFS4930NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.5A/23A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta), 20.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4930NTAGFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta), 20.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 15 V
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1236+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 1236
NTTFS4930NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 23A 23MOHM
auf Bestellung 2569 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTTFS4930NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.5A/23A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta), 20.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 15 V
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
19+1.4 EUR
22+ 1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 19
NTTFS4930NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7.2A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS4930NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 23A 8WDFN
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NTTFS4930NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 23A 23MOHM
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NTTFS4930NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.5A/23A 8WDFN
auf Bestellung 55000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1340+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1340
NTTFS4932NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS4932NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS4932NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/79A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3111 pF @ 15 V
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NTTFS4932NTAG
Produktcode: 198983		Transistoren > MOSFET N-CH
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NTTFS4932NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS4932NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4932NTAG - MOSFET, N-CH, 30V, 18A, WDFN-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 73565 Stücke:
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NTTFS4932NTAGON Semiconductor
auf Bestellung 251 Stücke:
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NTTFS4932NTAGonsemiMOSFET 30V 79A 4 mOhm Single N-Chan u8FL
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NTTFS4932NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/79A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3111 pF @ 15 V
auf Bestellung 73565 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
646+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 646
NTTFS4932NTWGON Semiconductor
auf Bestellung 5000 Stücke:
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NTTFS4932NTWGON SemiconductorMOSFET 30V 79A 4 mOhm Single N-Chan u8FL
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NTTFS4932NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8WDFN
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NTTFS4937NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS4937NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS4937NTAGON Semiconductor
auf Bestellung 20 Stücke:
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NTTFS4937NTAGonsemiMOSFET 30V 75A 4.5 mOhm Single N-Chan u8FL
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTTFS4937NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/75A 8WDFN
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NTTFS4937NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS4937NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS4937NTWGonsemiMOSFET 30V 75A 4.5 mOhm Single N-Chan u8FL
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTTFS4937NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/75A 8WDFN
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NTTFS4939NTAGON SemiconductorMOSFET 30V 56A 5.5 mOhm Single N-Chan u8FL
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTTFS4939NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.9A/52A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta), 29.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1979 pF @ 15 V
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NTTFS4939NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.3A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 162
NTTFS4939NTAGON Semiconductor
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTTFS4939NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.9A/52A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta), 29.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1979 pF @ 15 V
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1131+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 1131
NTTFS4939NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.3A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 162
NTTFS4939NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.3A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS4939NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.9A/52A 8WDFN
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NTTFS4939NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.3A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS4939NTWGonsemiMOSFET 30V 56A 5.5 mOhm Single N-Chan u8FL
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NTTFS4941NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS4941NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS4941NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A/46A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1619 pF @ 15 V
auf Bestellung 16500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
410+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 410
NTTFS4941NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A/46A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1619 pF @ 15 V
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NTTFS4941NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A/46A 8WDFN
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NTTFS4941NTWGON SemiconductorMOSFET 30V 46A 6.2 mOhm Single N-Chan u8FL
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NTTFS4941NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A/46A 8WDFN
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
419+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 419
NTTFS4943NTAGON Semiconductor
auf Bestellung 1443 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTTFS4943NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8A/41A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 22.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 15 V
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NTTFS4943NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8A/41A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 22.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 15 V
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
468+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 468
NTTFS4943NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8A/41A 8WDFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4945NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.1A/34A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1194 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4945NTAGON Semiconductor
auf Bestellung 1488 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTTFS4945NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.2A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4945NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.1A/34A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1194 pF @ 15 V
auf Bestellung 34500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
513+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 513
NTTFS4945NTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 47A 8.4MO
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4945NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.1A/34A 8WDFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4945NTWGonsemiMOSFET 30 V, 34 A, 9 mOhm Single N-Channel Power MOSFET, u8FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4965NFTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 64A 5.2MOHM
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTTFS4965NFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4965NFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V
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NTTFS4965NFTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 64A 5.2MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4985NFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4985NFTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 64A 5.2MOHM
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTTFS4985NFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
145+1.08 EUR
172+ 0.88 EUR
174+ 0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 145
NTTFS4985NFTAGON Semiconductor
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTTFS4985NFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN
auf Bestellung 264267 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
541+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 541
NTTFS4985NFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4985NFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4985NFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
541+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 541
NTTFS4985NFTWGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 64A 5.
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4985NFTWGON Semiconductor
auf Bestellung 4760 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTTFS4985NFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4C025NTAGonsemiDescription: NFET U8FL 30V 65A 6.1MOH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1500+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
NTTFS4C025NTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 65A 6.1MOH
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4C025NTAGonsemiDescription: NFET U8FL 30V 65A 6.1MOH
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.54 EUR
10+ 2.88 EUR
100+ 2.24 EUR
500+ 1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 8
NTTFS4C02Nonsemionsemi AFSM T6 30V NCH U8FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 36A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4C02NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 170A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1218 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.21 EUR
134+ 1.13 EUR
135+ 1.08 EUR
136+ 1.03 EUR
250+ 0.98 EUR
500+ 0.93 EUR
1000+ 0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 130
NTTFS4C02NTAGON Semiconductor
auf Bestellung 595 Stücke:
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NTTFS4C02NTAGonsemiMOSFET AFSM T6 30V NCH U8FL
auf Bestellung 7448 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
15+3.69 EUR
17+ 3.15 EUR
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500+ 2.2 EUR
1000+ 2.02 EUR
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Mindestbestellmenge: 15
NTTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4C02NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 170A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V
auf Bestellung 1151 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+4 EUR
10+ 3.34 EUR
100+ 2.65 EUR
500+ 2.25 EUR
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NTTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1218 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.21 EUR
134+ 1.13 EUR
135+ 1.08 EUR
136+ 1.03 EUR
250+ 0.98 EUR
500+ 0.93 EUR
1000+ 0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 130
NTTFS4C05NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/75A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4C05NTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM
auf Bestellung 1469 Stücke:
Lieferzeit 613-627 Tag (e)
15+3.67 EUR
18+ 3.04 EUR
100+ 2.44 EUR
250+ 2.25 EUR
500+ 2.05 EUR
1000+ 1.75 EUR
1500+ 1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 15
NTTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19.4A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4C05NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/75A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19.4A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4C05NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/75A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V
auf Bestellung 1269 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
405+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 405
NTTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19.4A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4C05NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/75A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V
auf Bestellung 400000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+1.31 EUR
10000+ 1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
NTTFS4C05NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19.4A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4C05NTWGonsemiMOSFET Power MOSFET 30V 75A 3.6 mOhm Single N-Channel u8FL
auf Bestellung 19964 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
17+3.07 EUR
20+ 2.73 EUR
100+ 2.13 EUR
500+ 1.76 EUR
1000+ 1.34 EUR
2500+ 1.3 EUR
5000+ 1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 17
NTTFS4C05NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/75A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V
auf Bestellung 400000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.25 EUR
10+ 2.91 EUR
100+ 2.27 EUR
500+ 1.87 EUR
1000+ 1.48 EUR
2000+ 1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 8
NTTFS4C05NTWGON Semiconductor
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTTFS4C06NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4C06NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 67 A, 0.0034 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTTFS4C06NTAGonsemiMOSFET Pwr MOSFET 30V 65A 4.2mOhm SGL N-CH
auf Bestellung 717 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.74 EUR
17+ 3.07 EUR
100+ 2.4 EUR
500+ 2.03 EUR
1000+ 1.66 EUR
1500+ 1.56 EUR
3000+ 1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 14
NTTFS4C06NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4C06NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/67A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3366 pF @ 15 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1500+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
NTTFS4C06NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4C06NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/67A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3366 pF @ 15 V
auf Bestellung 2398 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.85 EUR
10+ 3.14 EUR
100+ 2.44 EUR
500+ 2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 7
NTTFS4C06NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4C06NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/67A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3366 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4C06NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/67A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3366 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4C06NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4C06NTWGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 30V 65A 4.2mOhm SGL N-CH
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTTFS4C08NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
195+0.8 EUR
197+ 0.77 EUR
215+ 0.68 EUR
250+ 0.65 EUR
500+ 0.57 EUR
1000+ 0.53 EUR
3000+ 0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 195
NTTFS4C08NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4C08NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
11+2.52 EUR
13+ 2.08 EUR
100+ 1.62 EUR
500+ 1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 11
NTTFS4C08NTAGonsemiMOSFET Pwr MOSFET 30V 52A 5.9mOhm SGL N-CH
auf Bestellung 1561 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
30+1.79 EUR
33+ 1.61 EUR
100+ 1.39 EUR
500+ 1.22 EUR
1000+ 1.16 EUR
1500+ 1.03 EUR
3000+ 0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 30
NTTFS4C08NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4C08NTAGON Semiconductor
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTTFS4C08NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4C08NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
183+0.86 EUR
195+ 0.77 EUR
197+ 0.74 EUR
215+ 0.65 EUR
250+ 0.62 EUR
500+ 0.55 EUR
1000+ 0.51 EUR
3000+ 0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 183
NTTFS4C08NTWGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 30V 52A 5.9mOhm SGL N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4C08NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4C08NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 52A U8FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4C10NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.2A/44A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta), 23.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
auf Bestellung 7330 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10+2.6 EUR
13+ 2.12 EUR
100+ 1.65 EUR
500+ 1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 10
NTTFS4C10NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4C10NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.2A/44A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta), 23.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1500+0.7 EUR
3000+ 0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
NTTFS4C10NTAGonsemiMOSFET Power MOSFET 30V 44A 7.4 mOhm Single N-Channel u8FL
auf Bestellung 3433 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
32+1.64 EUR
37+ 1.43 EUR
100+ 0.99 EUR
500+ 0.98 EUR
3000+ 0.97 EUR
9000+ 0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 32
NTTFS4C10NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4C10NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.2A/44A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta), 23.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
auf Bestellung 405 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
12+2.18 EUR
15+ 1.8 EUR
100+ 1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 12
NTTFS4C10NTWGonsemiMOSFET Power MOSFET 30V 44A 7.4 mOhm Single N-Channel u8FL
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24+2.2 EUR
29+ 1.81 EUR
100+ 1.41 EUR
500+ 1.19 EUR
1000+ 0.92 EUR
5000+ 0.87 EUR
10000+ 0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 24
NTTFS4C10NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.2A/44A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta), 23.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
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NTTFS4C10NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS4C13NTAGON Semiconductor
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NTTFS4C13NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.7A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS4C13NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 21.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
auf Bestellung 1084 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
18+1.51 EUR
20+ 1.32 EUR
100+ 0.91 EUR
500+ 0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 18
NTTFS4C13NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.7A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS4C13NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 21.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
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NTTFS4C13NTAGonsemiMOSFET Pwr MOSFET 30V 38A 9.4mOhm SGL N-CH
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22+2.39 EUR
25+ 2.09 EUR
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500+ 1.36 EUR
1000+ 1.25 EUR
1500+ 1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 22
NTTFS4C13NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.7A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS4C13NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8WDFN
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NTTFS4C13NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8WDFN
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NTTFS4C13NTWGonsemiMOSFET Pwr MOSFET 30V 38A 9.4mOhm SGL N-CH
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30+1.76 EUR
35+ 1.51 EUR
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500+ 0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 30
NTTFS4C13NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8WDFN
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NTTFS4C13NTWGON Semiconductor
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NTTFS4C13NTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4C13NTWG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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NTTFS4C25NTAGON SemiconductorMOSFET Power MOSFET 30V 27A 17 mOhm Single N-Channel u8FL
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NTTFS4C25NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 27A U8FL
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17+1.53 EUR
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500+ 0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 17
NTTFS4C25NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7.7A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS4C25NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 27A U8FL
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NTTFS4C25NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 27A U8FL
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NTTFS4C25NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7.7A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS4C25NTWGON SemiconductorMOSFET Power MOSFET 30V 27A 17 mOhm Single N-Channel u8FL
auf Bestellung 4920 Stücke:
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NTTFS4C50NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 75A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta)
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
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6+4.71 EUR
10+ 3.9 EUR
100+ 3.1 EUR
500+ 2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 6
NTTFS4C50NTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM
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15+3.56 EUR
17+ 3.22 EUR
100+ 2.86 EUR
500+ 2.56 EUR
1000+ 2.19 EUR
1500+ 2.14 EUR
3000+ 2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 15
NTTFS4C50NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 75A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta)
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1500+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
NTTFS4C50NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS4C50NTWGRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 30V 75A 8WDFN
auf Bestellung 15000 Stücke:
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NTTFS4C50NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM
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NTTFS4C53NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4C53NTAG - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 46500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTTFS4C53NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 35A U8FL
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NTTFS4C53NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 35A 9.4MOH
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NTTFS4C53NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 35A U8FL
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NTTFS4C53NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 35A 9.4MOH
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NTTFS4C55NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 75A 8WDFN
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
566+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 566
NTTFS4C55NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 75A U8FL
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NTTFS4C55NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 75A 3.6MOH
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTTFS4C55NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 75A 3.6MOH
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NTTFS4C55NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 75A U8FL
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NTTFS4C56NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 65A U8FL
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NTTFS4C56NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 65A 4.2MOH
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NTTFS4C56NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 65A U8FL
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NTTFS4C56NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 65A 4.2MOH
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NTTFS4C58NTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 48A 5.9MOH
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NTTFS4C58NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 48A 8WDFN
auf Bestellung 384000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTTFS4C58NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 48A 5.9MO
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NTTFS4C58NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 48A 8WDFN
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NTTFS4C58NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 48A 5.9MOH
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NTTFS4C58NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 48A U8FL
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NTTFS4C65NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 27A 17MO
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NTTFS4C65NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 27A 8WDFN
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NTTFS4C65NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 27A 17MO
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NTTFS4C65NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 27A 8WDFN
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NTTFS4H05NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 25V 94A 3.3MOHM
auf Bestellung 545 Stücke:
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NTTFS4H05NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 22.4A U8FL
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NTTFS4H05NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 25V 94A 3.3MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS4H05NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 22.4A U8FL
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NTTFS4H05NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 22.4A/94A 8WDFN
auf Bestellung 218180 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
507+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 507
NTTFS4H07NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 18.5A U8FL
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTTFS4H07NTAGON Semiconductor
auf Bestellung 11110 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTTFS4H07NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 25V 66A 4.8MOHM
auf Bestellung 1028 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTTFS4H07NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 18.5A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS4H07NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 25V 66A 4.8MOHM
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NTTFS4H07NTWGRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 25V 18.5A/66A 8WDFN
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTTFS5116PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS5116PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTTFS5116PLTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 30 V
auf Bestellung 4557 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
12+2.34 EUR
14+ 1.9 EUR
100+ 1.48 EUR
500+ 1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 12
NTTFS5116PLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 9619 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTTFS5116PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS5116PLTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 30 V
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1500+1.02 EUR
3000+ 0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
NTTFS5116PLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 5.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.2
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS5116PLTAGonsemiMOSFET PFET U8FL 60V
auf Bestellung 137022 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTTFS5116PLTAGONSEMINTTFS5116PLTAG SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS5116PLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 9619 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTTFS5116PLTWGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-WDFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS5116PLTWGON SemiconductorMOSFET PFET U8FL 60V
auf Bestellung 21886 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTTFS5116PLTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS5116PLTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTTFS5116PLTWGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-WDFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS5116PLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5116PLTWG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS5116PLTWGonsemiMOSFET PFET U8FL 60V
auf Bestellung 50872 Stücke:
Lieferzeit 675-689 Tag (e)
27+1.98 EUR
30+ 1.74 EUR
100+ 1.33 EUR
500+ 1.06 EUR
1000+ 0.81 EUR
2500+ 0.79 EUR
5000+ 0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 27
NTTFS5811NLTAGON SemiconductorTrans Mosfet N-Ch 40V 16A 8-Pin Wdfn Ep T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS5811NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 53.6A 8DFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS5811NLTAGonsemiMOSFET Single N-CH 40V 53A
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS5811NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 53.6A 8DFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS5811NLTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 53.6A 8DFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS5811NLTWGonsemiMOSFET Single N-CH 40V 53A
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS5811NLTWGON SemiconductorTrans Mosfet N-Ch 40V 16A 8-Pin Wdfn Ep T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS5820NLonsemionsemi NFET U8FL 60V 37A 5.5MOH
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS5820NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS5820NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11A/37A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1462 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS5820NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5820NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 37 A, 0.0101 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 37
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 33
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0101
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 5387 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTTFS5820NLTAGonsemiMOSFET Single N-CH 60V 11A, 37A
auf Bestellung 40 Stücke:
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19+2.76 EUR
21+ 2.55 EUR
1000+ 1.15 EUR
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NTTFS5820NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS5820NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11A/37A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1462 pF @ 25 V
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NTTFS5820NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS5820NLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS5820NLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11A/37A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1462 pF @ 25 V
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NTTFS5826NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS5826NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A 8WDFN
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NTTFS5826NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS5826NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A 8WDFN
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NTTFS5826NLTAGON Semiconductor
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NTTFS5826NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS5826NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5826NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.019 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 19
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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NTTFS5826NLTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 60V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTTFS5826NLTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 8A 8-WDFN
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NTTFS5C453NLTAGON Semiconductor
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTTFS5C453NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS5C453NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/107A 8WDFN
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NTTFS5C453NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS5C453NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS5C453NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5C453NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 107 A, 0.0025 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 107
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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NTTFS5C453NLTAGonsemiMOSFET T6 40V NCH LL IN U8FL
auf Bestellung 1365 Stücke:
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8+7.1 EUR
10+ 6.24 EUR
100+ 5.1 EUR
500+ 4.34 EUR
1000+ 3.67 EUR
Mindestbestellmenge: 8
NTTFS5C453NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS5C453NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS5C453NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/107A 8WDFN
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NTTFS5C453NLTWGON SemiconductorMOSFET T6 40V NCH LL IN U8FL
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NTTFS5C453NLTWGON Semiconductor
auf Bestellung 3865 Stücke:
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NTTFS5C453NLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS5C454NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 20A/85A 8WDFN
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NTTFS5C454NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5C454NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0032 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 85
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 55
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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NTTFS5C454NLTAGON Semiconductor
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTTFS5C454NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 20A/85A 8WDFN
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NTTFS5C454NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS5C454NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 20A/85A 8WDFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS5C454NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5C454NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0032 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 85
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 55
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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NTTFS5C454NLTAGON SemiconductorMOSFET T6 40V NCH LL IN U8FL
auf Bestellung 7551 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTTFS5C454NLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS5C454NLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS5C454NLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5C454NLTWG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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NTTFS5C454NLTWGON SemiconductorMOSFET T6 40V NCH LL IN U8FL
auf Bestellung 4140 Stücke:
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NTTFS5C460NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS5C460NLTAGON Semiconductor
auf Bestellung 1095 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTTFS5C460NLTAGonsemiMOSFET Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
auf Bestellung 2443 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
15+3.51 EUR
17+ 3.15 EUR
100+ 2.47 EUR
500+ 2.02 EUR
1000+ 1.62 EUR
1500+ 1.46 EUR
3000+ 1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 15
NTTFS5C466NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 14A/51A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
auf Bestellung 19500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1500+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
NTTFS5C466NLTAGON Semiconductor
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTTFS5C466NLTAGonsemiMOSFET AFSM T6 40V LL U8FL
auf Bestellung 10173 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+5.98 EUR
10+ 5.38 EUR
100+ 4.32 EUR
500+ 3.64 EUR
1000+ 3.02 EUR
1500+ 2.76 EUR
3000+ 2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 9
NTTFS5C466NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS5C466NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 14A/51A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
auf Bestellung 19949 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+6.37 EUR
10+ 5.72 EUR
100+ 4.6 EUR
500+ 3.78 EUR
Mindestbestellmenge: 5
NTTFS5C471NLTAGON SemiconductorMOSFET AFSM T6 40V LL U8FL
auf Bestellung 1349 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTTFS5C471NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS5C478NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS5C478NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 338 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.32 EUR
74+ 2.05 EUR
78+ 1.87 EUR
100+ 1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 68
NTTFS5C478NLTAGonsemiMOSFET AFSM T6 40V LL U8FL
auf Bestellung 1292 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTTFS5C478NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS5C478NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS5C658NLTAGON SemiconductorMOSFET AFSM T6 60V LL U8FL
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NTTFS5C658NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS5C670NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 26074 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.93 EUR
10+ 5.33 EUR
25+ 5.03 EUR
100+ 4.03 EUR
250+ 3.52 EUR
500+ 3.42 EUR
Mindestbestellmenge: 5
NTTFS5C670NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS5C670NLTAGON Semiconductor
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTTFS5C670NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 25500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1500+2.72 EUR
3000+ 2.62 EUR
7500+ 2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
NTTFS5C670NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS5C670NLTAGonsemiMOSFET T6 60V NCH LL IN U8FL
auf Bestellung 23932 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+5.98 EUR
11+ 5.02 EUR
100+ 4 EUR
250+ 3.56 EUR
500+ 3.35 EUR
1000+ 2.94 EUR
1500+ 2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 9
NTTFS5C670NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5C670NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 0.0054 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTTFS5C670NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS5C670NLTWGON SemiconductorT6 60V NCH LL IN U8FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS5C670NLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.94 EUR
10+ 4.45 EUR
25+ 4.19 EUR
100+ 3.36 EUR
250+ 2.94 EUR
500+ 2.85 EUR
1000+ 2.27 EUR
2500+ 2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 6
NTTFS5C670NLTWGonsemiMOSFET T6 60V NCH LL IN U8FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS5C670NLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+2.1 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
NTTFS5C670NLTWGON SemiconductorT6 60V NCH LL IN U8FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS5C670NLTWGON Semiconductor
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTTFS5C673NLTAGonsemiMOSFET T6 60V NCH LL IN U8FL
auf Bestellung 209005 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
17+3.09 EUR
19+ 2.76 EUR
100+ 2.35 EUR
250+ 2.16 EUR
500+ 2.12 EUR
1000+ 2 EUR
1500+ 1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 17
NTTFS5C673NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTTFS5C673NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.98 EUR
10+ 3.57 EUR
25+ 3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 7
NTTFS5C673NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS5C673NLTWGON SemiconductorMOSFET T6 60V NCH LL IN U8FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS5C673NLTWGON SemiconductorT6 60V NCH LL IN U8FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS5C680NLTAGonsemiMOSFET T6 60V LL U8FL
auf Bestellung 1495 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
39+1.35 EUR
46+ 1.15 EUR
100+ 0.86 EUR
500+ 0.68 EUR
1000+ 0.57 EUR
1500+ 0.44 EUR
9000+ 0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 39
NTTFS5C680NLTAGON Semiconductor
auf Bestellung 1390 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTTFS5C680NLTAGON SemiconductorNTTFS5C680NLTAG
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NTTFS5CS70NLTAGonsemiMOSFET T6 60V NCH LL IN U8FL
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NTTFS5CS70NLTWGON SemiconductorMOSFET T6 60V NCH LL IN U8FL
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NTTFS5CS73NLTAGON SemiconductorMOSFET T6 60V NCH LL IN U8FL
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTTFS5CS73NLTWGonsemiDescription: T6 60V NCH LL IN U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.98 EUR
10+ 3.57 EUR
25+ 3.37 EUR
100+ 2.7 EUR
250+ 2.36 EUR
500+ 2.29 EUR
1000+ 1.82 EUR
2500+ 1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 7
NTTFS5CS73NLTWGON SemiconductorMOSFET T6 60V NCH LL IN U8FL
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTTFS5CS73NLTWGonsemiDescription: T6 60V NCH LL IN U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
NTTFS5D1N06HLTAGON SemiconductorN Channel Power MOSFET
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NTTFS5D1N06HLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V T8 8WDFN
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NTTFS5D1N06HLTAGonsemiMOSFET 60V T8 IN U8FL HEFET
auf Bestellung 3995 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+4.21 EUR
15+ 3.51 EUR
100+ 2.78 EUR
250+ 2.56 EUR
500+ 2.33 EUR
1000+ 1.94 EUR
1500+ 1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 13
NTTFS5D9N08HTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 13A/84A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 40 V
auf Bestellung 2054 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.99 EUR
10+ 4.15 EUR
100+ 3.3 EUR
500+ 2.8 EUR
1000+ 2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 6
NTTFS5D9N08HTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS5D9N08HTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 13A/84A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS5D9N08HTWGonsemiMOSFET T8 80V DFN POWER CLIP 3X3
auf Bestellung 1392 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
12+4.52 EUR
14+ 3.85 EUR
100+ 3.17 EUR
250+ 3.09 EUR
500+ 2.7 EUR
1000+ 2.34 EUR
3000+ 2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 12
NTTFS6H850NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14.8A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS6H850NLTAGON SemiconductorMOSFET 80V 108A 8.66m?Ohm Single N-Channel
auf Bestellung 1746 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTTFS6H850NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 14.8A/64A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 40 V
auf Bestellung 2262 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.8 EUR
10+ 3.1 EUR
100+ 2.41 EUR
500+ 2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 7
NTTFS6H850NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 14.8A/64A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 40 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
NTTFS6H850NTAGonsemiMOSFET TRENCH 8 80V NFET
auf Bestellung 7635 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+4.73 EUR
14+ 3.74 EUR
100+ 3.12 EUR
250+ 2.94 EUR
500+ 2.6 EUR
1000+ 2.1 EUR
1500+ 2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 11
NTTFS6H850NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1500+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
NTTFS6H850NTAGON SemiconductorNTTFS6H850NTAG ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 11A 8-Pin WDFN EP T/R - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS6H850NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
auf Bestellung 2905 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.76 EUR
10+ 3.95 EUR
100+ 3.14 EUR
500+ 2.66 EUR
Mindestbestellmenge: 6
NTTFS6H850NTAGON SemiconductorNTTFS6H850NTAG ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 11A 8-Pin WDFN EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.01 EUR
66+ 2.29 EUR
67+ 2.17 EUR
100+ 1.76 EUR
250+ 1.6 EUR
500+ 1.34 EUR
1000+ 1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 52
NTTFS6H850NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS6H850NTAGON SemiconductorNTTFS6H850NTAG ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 11A 8-Pin WDFN EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.01 EUR
66+ 2.29 EUR
67+ 2.17 EUR
100+ 1.76 EUR
250+ 1.6 EUR
500+ 1.34 EUR
1000+ 1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 52
NTTFS6H854NLTAGonsemiMOSFET T8 80V LL U8FL
auf Bestellung 1495 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
25+2.08 EUR
29+ 1.8 EUR
100+ 1.25 EUR
500+ 1.04 EUR
1000+ 0.89 EUR
1500+ 0.78 EUR
3000+ 0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 25
NTTFS6H854NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V T8 8WDFN
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NTTFS6H854NLTAGON SemiconductorPower, Single N-Channel MOSFET
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTTFS6H854NLTAGON SemiconductorMOSFET T8 80V LL U8FL
auf Bestellung 977 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTTFS6H854NTAGonsemiMOSFET TRENCH 8 80V NFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS6H854NTAGonsemiDescription: TRENCH 8 80V NFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS6H854NTAGON SemiconductorSingle N Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS6H860NLTAGON SemiconductorMOSFET T8 80V LL U8FL
auf Bestellung 2230 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTTFS6H860NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS6H860NLTAG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS6H860NLTAGON SemiconductorDescription: SINGLE NCHANNEL POWER MOSFET 80V
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS6H860NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8.1A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS6H860NLTAGON Semiconductor
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTTFS6H860NTAGonsemiDescription: TRENCH 8 80V NFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS6H880NLTAGON SemiconductorSingle N Channel Power MOSFET 80V, 22A
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS6H880NLTAGON SemiconductorDescription: SINGLE NCHANNEL POWER MOSFET 80V
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS6H880NTAGonsemiDescription: T8 80V U8FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS6H888NTAGonsemiDescription: T8 80V U8FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS8D1N08HTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 14A/61A 8WDFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFSC4821NTAGonsemiDescription: MOSFET 30V 57A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
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NTTFSC4821NTAGonsemiDescription: MOSFET 30V 57A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
auf Bestellung 10874 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1158+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1158
NTTFSC4823NTAGonsemiDescription: MOSFET 30V 50A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1158+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1158
NTTFSC4823NTAGonsemiDescription: MOSFET 30V 50A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
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NTTFSC4937NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 50A U8FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFSC4937NTAGON SemiconductorMOSFET N-CH 30V 50A U8F
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFSC4937NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 50A U8FL
auf Bestellung 187500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTTFSC4937NTAGON SemiconductorMOSFET N-CH 30V 50A U8F
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NTTFSC4937NTAGonsemiIGBT Transistors NFET U8FL 30V 50A 17
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NTTP01AF-CATGBICSDescription: 1000BASE-SX SFP 850nm 550m
Packaging: Retail Package
Connector Type: LC
Wavelength: 850nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Ethernet
Data Rate: 1Gbps
Part Status: Active
auf Bestellung 8960 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+50.41 EUR
50+ 48.02 EUR
150+ 45.38 EUR
1000+ 42.98 EUR
NTTP01CF-CATGBICSDescription: 1000BASE-LX SFP 1310nm 10km
Packaging: Retail Package
Connector Type: LC
Wavelength: 1310nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Ethernet
Data Rate: 1Gbps
Part Status: Active
auf Bestellung 9337 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+57.62 EUR
50+ 54.74 EUR
150+ 51.86 EUR
1000+ 48.98 EUR
NTTP01CFE6-CATGBICSDescription: 1000BASE-SX SFP 850nm 550m
Packaging: Retail Package
Connector Type: LC
Wavelength: 850nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Ethernet
Data Rate: 1Gbps
Part Status: Active
auf Bestellung 8766 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+50.41 EUR
50+ 48.02 EUR
150+ 45.38 EUR
1000+ 42.98 EUR
NTTP03FFE6-CProLabsDescription: Ciena NTTP03FFE6 Compatible TAA
Packaging: Retail Package
Part Status: Active
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+633.75 EUR
100+ 602.06 EUR
NTTP05EF-CATGBICSDescription: SFP 1000Base-EX 1310nm 40K
Packaging: Tray
Connector Type: LC Duplex
Wavelength: 1310nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.465V
Applications: Ethernet
Data Rate: 1.25Gbps
auf Bestellung 6847 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+72.02 EUR
50+ 68.42 EUR
150+ 64.82 EUR
1000+ 61.22 EUR
NTTP06AF-IOIntegra OpticsDescription: SFP 1G SX CIENA
Packaging: Bulk
Connector Type: LC
Wavelength: 850nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Ethernet
Data Rate: 1Gbps
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+75.95 EUR
10+ 59.45 EUR
80+ 51.93 EUR
NTTP06AFE6-CATGBICSDescription: FIBER TXRX SFP 1GBPS 850NM
Packaging: Retail Package
Connector Type: LC
Wavelength: 850nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Ethernet
Data Rate: 1Gbps
Part Status: Active
auf Bestellung 4136 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+53.9 EUR
10+ 51.21 EUR
100+ 48.53 EUR
1000+ 45.84 EUR
NTTP06CF-CATGBICSDescription: 1000BASE-LX SFP 1310nm 10km
Packaging: Tray
Connector Type: LC
Wavelength: 1310nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: General Purpose
Data Rate: 1Gbps
auf Bestellung 8279 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+57.1 EUR
50+ 54.23 EUR
150+ 51.38 EUR
1000+ 48.52 EUR
NTTP06CF-E6-CATGBICSDescription: SFP 1000Base-LX 1310nm 10km
Packaging: Tray
Connector Type: LC
Wavelength: 1310nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Ethernet, Networking
Data Rate: 1000Mbps
auf Bestellung 4268 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+57.1 EUR
50+ 54.23 EUR
150+ 51.38 EUR
1000+ 48.52 EUR
NTTP06CFE6-CATGBICSDescription: 1000BASE-LX SFP 1310nm 10km
Packaging: Tray
Connector Type: LC
Wavelength: 1310nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: General Purpose
Data Rate: 1Gbps
auf Bestellung 3675 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+57.1 EUR
50+ 54.23 EUR
150+ 51.38 EUR
1000+ 48.52 EUR
NTTP07FFE6-IOIntegra OpticsDescription: SFP 1G ZX CIENA
Packaging: Bulk
Connector Type: LC
Wavelength: 1550nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Ethernet
Data Rate: 1Gbps
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+192.53 EUR
10+ 165.36 EUR
NTTP51BD-IOIntegra OpticsDescription: SFP 1G LX CIENA
Packaging: Bulk
Connector Type: LC
Wavelength: 1310nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Ethernet
Data Rate: 1Gbps
auf Bestellung 1340 Stücke:
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1+74.13 EUR
10+ 58.04 EUR
80+ 50.7 EUR
440+ 46.51 EUR
NTTP80BA-CATGBICSDescription: 10GBASE XFP 1310nm 10km
Packaging: Retail Package
Connector Type: LC
Wavelength: 1310nm
Mounting Type: Pluggable, XFP
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Ethernet
Data Rate: 10Gbps
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1+310.62 EUR
50+ 295.17 EUR
150+ 279.71 EUR
1000+ 264.25 EUR
NTTP80BA-IOIntegra OpticsDescription: XFP 10G LR CIENA
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NTTS2P02ONMicro-8
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NTTS2P02ON07+ Micro-8
auf Bestellung 3000 Stücke:
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NTTS2P02R2ONSEMIDescription: ONSEMI - NTTS2P02R2 - NTTS2P02R2, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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NTTS2P02R2ON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO
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NTTS2P02R2ON Semicondu2000
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NTTS2P02R2GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO
Produkt ist nicht verfügbar
NTTS2P02R2G
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NTTS2P02R2GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO
Produkt ist nicht verfügbar
NTTS2P03ONMicro-8
auf Bestellung 3000 Stücke:
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NTTS2P03ON07+ Micro-8
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTTS2P03R2NO04+ SOP
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NTTS2P03R2ON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2.1A 8MICRO
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NTTS2P03R2NOSOP 04+
auf Bestellung 43549 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTTS2P03R2GON06NOPB
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTTS2P03R2GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2.48A 8MICRO
Produkt ist nicht verfügbar
NTTS2P03R2GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2.1A 8MICRO
Produkt ist nicht verfügbar
NTTS3P03R2ONSSOP-8
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NTTYS009N08HLTWGonsemiDescription: T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAG
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1402 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTTYS009N08HLTWGonsemiMOSFET T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAGE
auf Bestellung 2781 Stücke:
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13+4.21 EUR
15+ 3.51 EUR
100+ 2.78 EUR
250+ 2.56 EUR
500+ 2.32 EUR
1000+ 2.12 EUR
3000+ 1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 13
NTTYS009N08HLTWGonsemiDescription: T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAG
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1402 pF @ 40 V
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