| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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Транзистор N-MOSFET IRF8734TRPBF Infineon | Infineon | ранзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 2,5Вт; SO8 Транзистори польові |
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Транзистор польовий BF1005E6327 Infineon | Infineon | Транз. Пол. МП RF (up to 1 GHz) N-MOSFET SOT143 Udss=8V; Id=0,025A; Pdmax=0,2W; двозатворний, Gp=19 dB BF1005E6327.pdf Транзистори польові |
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Транзистор польовий BF998E6327 Infineon | Infineon | Транз. Пол. МП N-MOSFET SOT143 Udss=12V; Id=0,03A; Pdmax=0,2W; Yfsmin=24mS; двозатворний Idss=(2…18)mA BF998E6327.pdf Транзистори польові |
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Транзистор польовий BSC052N08NS5ATMA1 Infineon | Infineon | Транз. Пол. БМ N-MOSFET TDSON-8 Udss=80V; Id=95A; Pdmax=83W; Rds=0,0076 Ohm Транзистори польові |
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Транзистор польовий BSC097N06NS Infineon | Infineon | Транз. Пол. ВП N-MOSFET TDSON-8 Udss=60V; Id=46A; Pdmax=36W; Rds=0,008 Ohm Транзистори польові |
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Транзистор польовий BSC340N08NS3GATMA1 Infineon | Infineon | Транзистор польовий TDSON-8 N-MOSFET Vds=80V, Id=23A, Rds=0,034Ohm, Pd=32W Транзистори польові |
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Транзистор польовий BSL372SNH6327XTSA1 Infineon | Infineon | Транз. Пол. ВПМ N-MOSFET SOT-23-6 Udss=100V; Id=2A; Pdmax=2W; Rds=0,22 Ohm BSL372SNH6327XTSA1.pdf Транзистори польові |
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Транзистор польовий BSP318SH6327 Infineon | Infineon | MOSFET Transistor, N Channel, 2.6 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 1.6 V BSP318SH6327.pdf Транзистори польові |
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Транзистор польовий BSP613PH6327 Infineon | Infineon | SOT-223 MOSFET Transistor, P Channel, -2.9 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -3 V BSP613PH6327.pdf Транзистори польові |
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Транзистор польовий BSS138NH6327 Infineon | Infineon | Транз. Пол. МП N-MOSFET SOT23 Udss=60V; Id=0,23A; Pdmax=0,36W; RdsOn=3,5 Ohm@230mA, 10V BSS138NH6327.pdf Транзистори польові |
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Транзистор польовий BSS84PH6327XTSA2 Infineon | Infineon | Транзистор польовий P Channel, 60 V, 170 mA, 8 Ohm, SOT-23, Surface Mount Транзистори польові |
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Транзистор польовий IPA50R280CEXKSA2 Infineon | Infineon | Транз. пол. ВП TO-220FP MOSFET N-CH 500V 7,5A IPA50R280CEXKSA2.pdf Транзистори польові |
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Транзистор польовий IPD25N06S4L30ATMA2 Infineon | Infineon | Транзистор польовий TO-252-3 N-MOSFET Vds=60V, Id=25A, Rds=0,03hm, Pd=29W Транзистори польові |
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Транзистор польовий IPP040N06N3GXKSA1 Infineon | Infineon | Транзистор польовий OptiMOS N-HEXFET TO220AB Udss=60В; Id=90A; Pdmax=188W; Rds=0,0037 Ohm; Ugs=+-20В; -55C...+175C IPP040N06N3GXKSA1.pdf Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRF3205PBF Infineon | Infineon | Транз. Пол. ВП N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm IRF3205PBF.pdf Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRF3205STRLPBF Infineon | Infineon | Транз. Пол. ВП N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRF4905PBF Infineon | Infineon | Транз. Пол. ВП P-HEXFET TO220AB Udss=-55V; Id=-74A; Pdmax=150W; Rds=0,02 Ohm IRF4905PBF.pdf Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRF4905STRLPBF Infineon | Infineon | Транз. Пол. ВП P-HEXFET D2PAK Udss=-55V; Id=-74A; Pdmax=3,8W; Rds=0,02 Ohm IRF4905SPBF.pdf Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRF5210STRLPBF Infineon | Infineon | MOSFET MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC , TO-263-3 IRF5210STRLPBF.pdf Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRF5305STRLPBF Infineon | Infineon | Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2PAK Udss=-55V; Id=-31A; Pdmax=110W; Rds=0,06 Ohm Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRF7105PBF Infineon | Infineon | Транз. Пол. МП N&P-HEXFET logik SO8 Udss=(25; -25)V; Id=(3,5; -2,3)A; Pdmax=2W; Rds=(0,1; 0,25) Ohm Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRF7316PBF Infineon | Infineon | Транз. Пол. МП 2P-HEXFET logik SO8 Udss=-30V; Id=-4,9A; Pdmax=2W; Rds=0,058 Ohm Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRF7319PBF Infineon | Infineon | Транз. Пол. МП 1N-1P-MOSFET SO8 Udss=+-30V; Id=6,5A; Id=-5,2A Pdmax=2,0W; Rds=0,029 Ohm IRF7319PBF.pdf Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRF7341PBF Infineon | Infineon | Транз. Пол. МП 2 N-Channel (Dual) MOSFET SOIC8 Udss=55V; Id=4,7A; Pdmax=2W; Rds=50 mOhm @ 4.7A, 10V Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRF7342TRPBF Infineon | Infineon | Транз. Пол. МП 2P-Channel SO8 -55V -3,4A 2W 105mOhm IRF7342PBF.pdf Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRF7343TRPBF Infineon | Infineon | Транз. Пол. МП N&P-HEXFET logik SO8 Udss=(55; -55)V; Id=(+4,7; -3,4)A; Pdmax=2W; Rds=(0,05; 0,105) Ohm Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRF7350PBF Infineon | Infineon | Транз. Пол. МП N&P-HEXFET SO8 Udss=100V; Id=(2.1; 1.5)A; Pdmax=2W; Rds=0,21 Ohm IRF7350PBF.pdf Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRF7503TRPBF Infineon | Infineon | Транз. Пол. МП 2N-HEXFET logik MICRO8 IRF7503TRPBF.pdf Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRF7855TRPBF Infineon | Infineon | Транз. Пол. МП N-Channel SO8 Udss=60V Id=12A P=2.5W Rds=0,0074 Ohm Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRF8714TRPBF Infineon | Infineon | SO-8 30V 14A 8.7mOhm 8.1nC Qg Single N-Channel HEXFET Power MOSFET IRF8714TRPBF.pdf Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRF9540NSPBF Infineon | Infineon | Транз. Пол. ВП P-HEXFET D2Pak Udss=-100V; Id=-23A; Pdmax=110W; Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRFB23N20DPBF Infineon | Infineon | Транзистор N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 170W; TO220AB; HEXFET® IRFB23N20DPBF.pdf Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRFB260NPBF Infineon | Infineon | N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 200V; 56A; 380W; TO220AB IRFB260NPBF.pdf Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRFB4019PBF Infineon | Infineon | Транзистор N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB; HEXFET® IRFB4019PBF.pdf Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRFHM8330TRPBF Infineon | Infineon | Транз. Пол. МП N-MOSFET PQFN-8 SO8 Udss=30V; Id=16A; Pdmax=2,7W; Rds=0,0077 Ohm IRFHM8330TRPBF.pdf Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRFL9110TRPBF Infineon | Infineon | Транз. Пол. МП P-HEXFET SOT223 Udss=-100V; Id=-1,1A; Pdmax=2W; Rds=1,2 Ohm IRFL9110TRPBF.pdf Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRFP260NPBF Infineon | Infineon | Транз. Пол. ВП N-HEXFET TO247AC Udss=200V; Id=49A; Pdmax=300W; Rds=0,04 Ohm Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRFP9240PBF Infineon | Infineon | Транз. Пол. ВП TO247-3 P-канальний MOSFET Vdss=200V, Id=12A, Pdmax=150W IRFP9240PBF.pdf Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRFR024NTRPBF Infineon | Infineon | Транз. Пол. ВП N-HEXFET D-PAK Udss=55V; Id=17A; Pdmax=45W; Rds=0,075 Ohm IRFR024N.pdf Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRFR3411PBF Infineon | Infineon | Транз. Пол. ВП N-MOSFET DPAK Udss=100V; Id=32 A; Pdmax=130 W; Rds=0,044 Ohm Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRFR3412PBF Infineon | Infineon | Транз. Пол. ВП N-MOSFET DPAK Udss=100V; Id=48 A; Pdmax=140 W; Rds=0,025 Ohm IRFR3412PBF.pdf Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRFR3806TRPBF Infineon | Infineon | Транз. Пол. ВП N-MOSFET TO-252-3 (DPAK) Udss=60V; Id=43 A; Pdmax=71 W; Rds=0,0126 Ohm IRFR3806TRPBF.pdf Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRFR5305TRPBF Infineon | Infineon | Транз. Пол. ВП P-HEXFET D-PAK Udss=-55V; Id=31A; Pdmax=110W; Rds=0,065Ohm IRFR5305PBF.pdf Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRFR5410PBF Infineon | Infineon | Транз. Пол. ВП P-HEXFET D-PAK Udss=-100V; Id=-13A; Pdmax=66W; Rds=0,205 Ohm Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRFS4410ZTRLPBF Infineon | Infineon | Транз. Пол. ВП N-MOSFET D2PAK Udss=100V; Id=97 A; Pdmax=230 W; Rds=0,009 Ohm Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRFU5505PBF Infineon | Infineon | Транз. Пол. БМ P-MOSFET IPAK (TO-251AA) Udss=-55V; Id=-18A; Pdmax=57W; Rds=0,11 Ohm Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRL3705NSTRLPBF Infineon | Infineon | Транз. Пол. ВП N-MOSFET D2PAK Udss=55V; Id=89A; Pdmax=130W; Rds=0,018 Ohm, Logic Level IRL3705NSTRLPBF.pdf Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRL540NPBF Infineon | Infineon | Транз. Пол. ВП N-MOSFET TO220AB Udss=100V; Id=36A; Pdmax=140W; Rds=0,044 Ohm Logic Level Gate Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRLL024NTRPBF Infineon | Infineon | Транз. Пол. ММ MOSFETs MOSFT 55V 4.4A 65mOhm 10.4nC LogLvl SOT-223-4 Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRLL2705PBF Infineon | Infineon | Транз. Пол. МП N-HEXFET SOT223 Udss=55V; Id=3,8A; Pdmax=2,1W; Rds=0,04 Ohm IRLL2705PBF.pdf Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRLML2402TRPBF Infineon | Infineon | Транз. Пол. МП N-HEXFET SOT23 Udss=20V; Id=1,2A; Pdmax=0,54W; Rds=0,25 Ohm IRLML2402TRPBF.pdf Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRLML2502TRPBF Infineon | Infineon | Транз. Пол. МП N-HEXFET SOT23 Udss=20V; Id=4,2A; Pdmax=1,25W; Rds=0,045 Ohm IRLML2502TRPBF.pdf Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRLML2803TRPBF Infineon | Infineon | Транз. Пол. МП N-HEXFET Micro3TM Udss=30V; Id=1,2A; Pdmax=0,54W; Rds=0,25 Ohm IRLML2803TRPBF.pdf Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRLML5103TR Infineon | Infineon | Транз. Пол. МП P-HEXFET SOT23 Udss=-30V; Id=-0,76A; Pdmax=0,54W; Rds=0,6 Ohm IRLML5103TR.pdf Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRLML5203TRPBF Infineon | Infineon | Транз. Пол. МП P-MOSFET SOT23 Udss=30V; Id=3A; Pdmax=1,25W; Rds=98 mOhm @ 3A, 10V IRLML5203TRPBF.pdf Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRLML6402TRPBF Infineon | Infineon | Транз. Пол. МП P-HEXFET SOT23 Udss=-20V; Id=-3,5A; Pdmax=1,1W; Rds=0,06 Ohm IRLML6402TRPBF.pdf Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRLML9301TRPBF Infineon | Infineon | Транз. Пол. МП P-MOSFET SOT23 Udss=-30V; Id=-3,6A; Pdmax=1,3W; Rds=0,064 Ohm Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRLR2705TRPBF Infineon | Infineon | Транзистор DPAK MOSFET N-канал, 55В, 28A Транзистори польові |
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Транзистор польовий IRLR3103TRPBF Infineon | Infineon | МОП-транзистор 30V 1 N-CH HEXFET 19mOhms 33.3nC Транзистори польові |
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| Транзистор N-MOSFET IRF8734TRPBF Infineon |
Hersteller: Infineon
ранзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 2,5Вт; SO8 Транзистори польові
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| Транзистор польвий IAUC60N04S6L039ATMA1 |
Hersteller: Infineon
Транзистор полевой IAUC60N04S6L039ATMA1 Транзистори польові
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| Транзистор польовий BF1005E6327 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. МП RF (up to 1 GHz) N-MOSFET SOT143 Udss=8V; Id=0,025A; Pdmax=0,2W; двозатворний, Gp=19 dB BF1005E6327.pdf Транзистори польові
Транз. Пол. МП RF (up to 1 GHz) N-MOSFET SOT143 Udss=8V; Id=0,025A; Pdmax=0,2W; двозатворний, Gp=19 dB BF1005E6327.pdf Транзистори польові
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Stück im Wert von UAH
| Транзистор польовий BF998E6327 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. МП N-MOSFET SOT143 Udss=12V; Id=0,03A; Pdmax=0,2W; Yfsmin=24mS; двозатворний Idss=(2…18)mA BF998E6327.pdf Транзистори польові
Транз. Пол. МП N-MOSFET SOT143 Udss=12V; Id=0,03A; Pdmax=0,2W; Yfsmin=24mS; двозатворний Idss=(2…18)mA BF998E6327.pdf Транзистори польові
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| Транзистор польовий BSC052N08NS5ATMA1 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ N-MOSFET TDSON-8 Udss=80V; Id=95A; Pdmax=83W; Rds=0,0076 Ohm Транзистори польові
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Stück im Wert von UAH
| Транзистор польовий BSC097N06NS Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ВП N-MOSFET TDSON-8 Udss=60V; Id=46A; Pdmax=36W; Rds=0,008 Ohm Транзистори польові
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| Транзистор польовий BSC340N08NS3GATMA1 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транзистор польовий TDSON-8 N-MOSFET Vds=80V, Id=23A, Rds=0,034Ohm, Pd=32W Транзистори польові
Транзистор польовий TDSON-8 N-MOSFET Vds=80V, Id=23A, Rds=0,034Ohm, Pd=32W Транзистори польові
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| Транзистор польовий BSL372SNH6327XTSA1 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ВПМ N-MOSFET SOT-23-6 Udss=100V; Id=2A; Pdmax=2W; Rds=0,22 Ohm BSL372SNH6327XTSA1.pdf Транзистори польові
Транз. Пол. ВПМ N-MOSFET SOT-23-6 Udss=100V; Id=2A; Pdmax=2W; Rds=0,22 Ohm BSL372SNH6327XTSA1.pdf Транзистори польові
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| Транзистор польовий BSP318SH6327 Infineon |
Hersteller: Infineon
MOSFET Transistor, N Channel, 2.6 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 1.6 V BSP318SH6327.pdf Транзистори польові
MOSFET Transistor, N Channel, 2.6 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 1.6 V BSP318SH6327.pdf Транзистори польові
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| Транзистор польовий BSP613PH6327 Infineon |
Hersteller: Infineon
SOT-223 MOSFET Transistor, P Channel, -2.9 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -3 V BSP613PH6327.pdf Транзистори польові
SOT-223 MOSFET Transistor, P Channel, -2.9 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -3 V BSP613PH6327.pdf Транзистори польові
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| Транзистор польовий BSS138NH6327 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. МП N-MOSFET SOT23 Udss=60V; Id=0,23A; Pdmax=0,36W; RdsOn=3,5 Ohm@230mA, 10V BSS138NH6327.pdf Транзистори польові
Транз. Пол. МП N-MOSFET SOT23 Udss=60V; Id=0,23A; Pdmax=0,36W; RdsOn=3,5 Ohm@230mA, 10V BSS138NH6327.pdf Транзистори польові
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| Транзистор польовий BSS84PH6327XTSA2 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транзистор польовий P Channel, 60 V, 170 mA, 8 Ohm, SOT-23, Surface Mount Транзистори польові
Транзистор польовий P Channel, 60 V, 170 mA, 8 Ohm, SOT-23, Surface Mount Транзистори польові
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| Транзистор польовий IPA50R280CEXKSA2 Infineon |
Hersteller: Infineon
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| Транзистор польовий IPD25N06S4L30ATMA2 Infineon |
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Транзистор польовий TO-252-3 N-MOSFET Vds=60V, Id=25A, Rds=0,03hm, Pd=29W Транзистори польові
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| Транзистор польовий IPP040N06N3GXKSA1 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транзистор польовий OptiMOS N-HEXFET TO220AB Udss=60В; Id=90A; Pdmax=188W; Rds=0,0037 Ohm; Ugs=+-20В; -55C...+175C IPP040N06N3GXKSA1.pdf Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRF3205PBF Infineon |
Hersteller: Infineon
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| Транзистор польовий IRF3205STRLPBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ВП N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRF4905PBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ВП P-HEXFET TO220AB Udss=-55V; Id=-74A; Pdmax=150W; Rds=0,02 Ohm IRF4905PBF.pdf Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRF4905STRLPBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ВП P-HEXFET D2PAK Udss=-55V; Id=-74A; Pdmax=3,8W; Rds=0,02 Ohm IRF4905SPBF.pdf Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRF5210STRLPBF Infineon |
Hersteller: Infineon
MOSFET MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC , TO-263-3 IRF5210STRLPBF.pdf Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRF5305STRLPBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2PAK Udss=-55V; Id=-31A; Pdmax=110W; Rds=0,06 Ohm Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRF7105PBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. МП N&P-HEXFET logik SO8 Udss=(25; -25)V; Id=(3,5; -2,3)A; Pdmax=2W; Rds=(0,1; 0,25) Ohm Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRF7316PBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. МП 2P-HEXFET logik SO8 Udss=-30V; Id=-4,9A; Pdmax=2W; Rds=0,058 Ohm Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRF7319PBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. МП 1N-1P-MOSFET SO8 Udss=+-30V; Id=6,5A; Id=-5,2A Pdmax=2,0W; Rds=0,029 Ohm IRF7319PBF.pdf Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRF7341PBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. МП 2 N-Channel (Dual) MOSFET SOIC8 Udss=55V; Id=4,7A; Pdmax=2W; Rds=50 mOhm @ 4.7A, 10V Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRF7342TRPBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. МП 2P-Channel SO8 -55V -3,4A 2W 105mOhm IRF7342PBF.pdf Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRF7343TRPBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. МП N&P-HEXFET logik SO8 Udss=(55; -55)V; Id=(+4,7; -3,4)A; Pdmax=2W; Rds=(0,05; 0,105) Ohm Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRF7350PBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. МП N&P-HEXFET SO8 Udss=100V; Id=(2.1; 1.5)A; Pdmax=2W; Rds=0,21 Ohm IRF7350PBF.pdf Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRF7503TRPBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. МП 2N-HEXFET logik MICRO8 IRF7503TRPBF.pdf Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRF7855TRPBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. МП N-Channel SO8 Udss=60V Id=12A P=2.5W Rds=0,0074 Ohm Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRF8714TRPBF Infineon |
Hersteller: Infineon
SO-8 30V 14A 8.7mOhm 8.1nC Qg Single N-Channel HEXFET Power MOSFET IRF8714TRPBF.pdf Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRF9540NSPBF Infineon |
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Транз. Пол. ВП P-HEXFET D2Pak Udss=-100V; Id=-23A; Pdmax=110W; Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRFB23N20DPBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транзистор N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 170W; TO220AB; HEXFET® IRFB23N20DPBF.pdf Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRFB260NPBF Infineon |
Hersteller: Infineon
N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 200V; 56A; 380W; TO220AB IRFB260NPBF.pdf Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRFB4019PBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транзистор N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB; HEXFET® IRFB4019PBF.pdf Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRFHM8330TRPBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. МП N-MOSFET PQFN-8 SO8 Udss=30V; Id=16A; Pdmax=2,7W; Rds=0,0077 Ohm IRFHM8330TRPBF.pdf Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRFL9110TRPBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. МП P-HEXFET SOT223 Udss=-100V; Id=-1,1A; Pdmax=2W; Rds=1,2 Ohm IRFL9110TRPBF.pdf Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRFP260NPBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ВП N-HEXFET TO247AC Udss=200V; Id=49A; Pdmax=300W; Rds=0,04 Ohm Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRFP9240PBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ВП TO247-3 P-канальний MOSFET Vdss=200V, Id=12A, Pdmax=150W IRFP9240PBF.pdf Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRFR024NTRPBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ВП N-HEXFET D-PAK Udss=55V; Id=17A; Pdmax=45W; Rds=0,075 Ohm IRFR024N.pdf Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRFR3411PBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ВП N-MOSFET DPAK Udss=100V; Id=32 A; Pdmax=130 W; Rds=0,044 Ohm Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRFR3412PBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ВП N-MOSFET DPAK Udss=100V; Id=48 A; Pdmax=140 W; Rds=0,025 Ohm IRFR3412PBF.pdf Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRFR3806TRPBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ВП N-MOSFET TO-252-3 (DPAK) Udss=60V; Id=43 A; Pdmax=71 W; Rds=0,0126 Ohm IRFR3806TRPBF.pdf Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRFR5305TRPBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ВП P-HEXFET D-PAK Udss=-55V; Id=31A; Pdmax=110W; Rds=0,065Ohm IRFR5305PBF.pdf Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRFR5410PBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ВП P-HEXFET D-PAK Udss=-100V; Id=-13A; Pdmax=66W; Rds=0,205 Ohm Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRFS4410ZTRLPBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ВП N-MOSFET D2PAK Udss=100V; Id=97 A; Pdmax=230 W; Rds=0,009 Ohm Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRFU5505PBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ P-MOSFET IPAK (TO-251AA) Udss=-55V; Id=-18A; Pdmax=57W; Rds=0,11 Ohm Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRL3705NSTRLPBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ВП N-MOSFET D2PAK Udss=55V; Id=89A; Pdmax=130W; Rds=0,018 Ohm, Logic Level IRL3705NSTRLPBF.pdf Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRL540NPBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ВП N-MOSFET TO220AB Udss=100V; Id=36A; Pdmax=140W; Rds=0,044 Ohm Logic Level Gate Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRLL024NTRPBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ММ MOSFETs MOSFT 55V 4.4A 65mOhm 10.4nC LogLvl SOT-223-4 Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRLL2705PBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. МП N-HEXFET SOT223 Udss=55V; Id=3,8A; Pdmax=2,1W; Rds=0,04 Ohm IRLL2705PBF.pdf Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRLML2402TRPBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. МП N-HEXFET SOT23 Udss=20V; Id=1,2A; Pdmax=0,54W; Rds=0,25 Ohm IRLML2402TRPBF.pdf Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRLML2502TRPBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. МП N-HEXFET SOT23 Udss=20V; Id=4,2A; Pdmax=1,25W; Rds=0,045 Ohm IRLML2502TRPBF.pdf Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRLML2803TRPBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. МП N-HEXFET Micro3TM Udss=30V; Id=1,2A; Pdmax=0,54W; Rds=0,25 Ohm IRLML2803TRPBF.pdf Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRLML5103TR Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. МП P-HEXFET SOT23 Udss=-30V; Id=-0,76A; Pdmax=0,54W; Rds=0,6 Ohm IRLML5103TR.pdf Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRLML5203TRPBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. МП P-MOSFET SOT23 Udss=30V; Id=3A; Pdmax=1,25W; Rds=98 mOhm @ 3A, 10V IRLML5203TRPBF.pdf Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRLML6402TRPBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. МП P-HEXFET SOT23 Udss=-20V; Id=-3,5A; Pdmax=1,1W; Rds=0,06 Ohm IRLML6402TRPBF.pdf Транзистори польові
Транз. Пол. МП P-HEXFET SOT23 Udss=-20V; Id=-3,5A; Pdmax=1,1W; Rds=0,06 Ohm IRLML6402TRPBF.pdf Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRLML9301TRPBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. МП P-MOSFET SOT23 Udss=-30V; Id=-3,6A; Pdmax=1,3W; Rds=0,064 Ohm Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRLR2705TRPBF Infineon |
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Транзистор DPAK MOSFET N-канал, 55В, 28A Транзистори польові
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| Транзистор польовий IRLR3103TRPBF Infineon |
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МОП-транзистор 30V 1 N-CH HEXFET 19mOhms 33.3nC Транзистори польові
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