Produkte > IXX

Wählen Sie Seite:   1 2 3  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXX0107100UTQFP
auf Bestellung 3800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXX016960007+
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXA30N65C3HVIXYSDescription: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXA30N65C3HVIXYSIGBTs TO263 650V 30A XPT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXA30N65C3HVIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 52A; 230W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Collector current: 52A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 113A
Gate-emitter voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXA50N60B3IXYSDescription: IGBT 600V 120A TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-263AA
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/150ns
Switching Energy: 670µJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 360V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 600 W
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+14.71 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXA50N60B3IXYSIGBTs TO220 600V 50A XPT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXA50N60B3IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 320ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH100N60B3IXYSIGBTs XPT IGBT B3-Class 600V/210Amp
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.58 EUR
10+16.84 EUR
120+16.81 EUR
510+15.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH100N60B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 220A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH100N60B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 220A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+20.21 EUR
10+17.72 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH100N60B3IXYSDescription: IGBT 600V 220A 830W TO247AD
Power - Max: 830 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 220 A
Gate Charge: 143 nC
Test Condition: 360V, 70A, 2Ohm, 15V
Switching Energy: 1.9mJ (on), 2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/120ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.45 EUR
30+14.96 EUR
120+13.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH100N60C3IXYSDescription: IGBT 600V 190A 830W TO247AD
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 70A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 830 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 380 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 190 A
Part Status: Active
Gate Charge: 150 nC
Test Condition: 360V, 70A, 2Ohm, 15V
Switching Energy: 2mJ (on), 950µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/90ns
IGBT Type: PT
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH100N60C3IXYSIGBTs XPT IGBT C3-Class 600V/190Amp
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.12 EUR
10+22.96 EUR
120+16.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH110N65B4IXYSDescription: IGBT PT 650V 250A TO-247
Power - Max: 880 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 570 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 250 A
Part Status: Active
Gate Charge: 183 nC
Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V
Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.05mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/146ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH110N65C4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 160ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 167nC
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 71ns
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+17.1 EUR
10+15.8 EUR
30+13.45 EUR
60+12.26 EUR
120+12.02 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH110N65C4IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXXH110N65C4 - IGBT, 235 A, 2.06 V, 880 W, 650 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 880
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 235
Bauform - Transistor: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.06
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: XPT GenX4
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+23.9 EUR
11+20.94 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH110N65C4IXYSDescription: IGBT PT 650V 234A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 110A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/143ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 234 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 880 W
auf Bestellung 4471 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.63 EUR
30+20.1 EUR
120+17.35 EUR
510+16.29 EUR
1020+15.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH110N65C4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 234A 880000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH140N65B4IXYSDescription: DISC IGBT XPT-GENX4 TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 105 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 54ns/270ns
Switching Energy: 5.75mJ (on), 2.67mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 340 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 840 A
Power - Max: 1200 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH140N65B4IXYSIGBTs TO247 650V 140A XPT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH140N65C4IXYSDescription: DISC IGBT XPT-GENX4 TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/240ns
Switching Energy: 4.9mJ (on), 1.7mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 320 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 730 A
Power - Max: 1200 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH140N65C4IXYSIGBTs TO247 650V 320A IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH150N60C3IXYSDescription: IGBT PT 600V 300A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 150A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/120ns
Switching Energy: 3.4mJ (on), 1.8mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 1360 W
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.94 EUR
30+19.73 EUR
120+17.05 EUR
510+16.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH150N60C3IXYSIGBTs TO247 600V 150A XPT
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.28 EUR
10+23.29 EUR
120+20.12 EUR
510+18.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH150N60C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 230ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 0.1µs
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+18.23 EUR
10+15.92 EUR
30+14.33 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60B3IXYSDescription: IGBT PT 600V 60A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/97ns
Switching Energy: 550µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 39 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 115 A
Power - Max: 270 W
auf Bestellung 630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+4.8 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60B3IXYSIGBTs TO247 600V 30A XPT
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.7 EUR
10+9.17 EUR
120+7.35 EUR
510+6.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 270W
Gate charge: 39nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Pulsed collector current: 115A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 23ns
Kind of package: tube
Case: TO247AD
Turn-off time: 125ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+8.75 EUR
11+7.88 EUR
13+6.96 EUR
30+6.25 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60B3D1IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXXH30N60B3D1 - IGBT, 60 A, 1.66 V, 270 W, 600 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V
Verlustleistung: 270W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-247AD
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.27 EUR
16+15.39 EUR
19+11.89 EUR
50+9.58 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60B3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60B3D1IXYSIGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
auf Bestellung 446 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.21 EUR
10+8.82 EUR
120+7.39 EUR
510+7.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60B3D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 60A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/97ns
Switching Energy: 550µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 39 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 115 A
Power - Max: 270 W
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.49 EUR
30+8.98 EUR
120+7.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60B3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 270W
Gate charge: 39nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Pulsed collector current: 115A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 23ns
Kind of package: tube
Case: TO247AD
Turn-off time: 125ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+9.58 EUR
11+8.31 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60C3IXYSIGBTs TO247 600V 60A IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60C3IXYSDescription: IGBT 600V 60A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/77ns
Switching Energy: 500µJ (on), 270µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 270 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 270W
Gate charge: 37nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 270000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.06 EUR
19+9.08 EUR
25+8.58 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 110A
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 166ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 270W
Gate charge: 37nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60C3D1LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXXH30N60C3D1 - TRANSISTOR, IGBT, 600V, 60A, TO-247AD
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247AD
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+20.74 EUR
14+16.96 EUR
25+13.55 EUR
50+11.46 EUR
100+10.77 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60C3D1IXYSIGBTs XPT 600V IGBT 30A
auf Bestellung 441 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.24 EUR
10+8.84 EUR
120+7.44 EUR
510+7.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60C3D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 60A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/77ns
Switching Energy: 500µJ (on), 270µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 270 W
auf Bestellung 2506 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.54 EUR
30+9.01 EUR
120+7.58 EUR
510+6.53 EUR
1020+6.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N65B4IXYSIGBTs 650V/65A Trench IGBT GenX4 XPT
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.57 EUR
10+9.07 EUR
120+8.38 EUR
510+7.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N65B4IXYSDescription: IGBT PT 650V 65A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/170ns
Switching Energy: 1.55mJ (on), 480µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 52 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 146 A
Power - Max: 230 W
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.84 EUR
30+9.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N65B4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 30A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 146A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 206ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N65B4D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 30A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 146A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 206ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N65B4D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N65C4D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N65C4D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 30A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 136A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 161ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH40N65B4IXYSIGBTs 650V/120A TRENCH IGBT GENX4 XPT
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.02 EUR
10+9.37 EUR
120+7.88 EUR
510+7.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH40N65B4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH40N65B4Ixys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 455000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+9.1 EUR
30+8.07 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH40N65B4IXYSDescription: IGBT PT 650V 120A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/144ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 77 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 455 W
auf Bestellung 1440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.29 EUR
30+9.51 EUR
120+8.01 EUR
510+6.91 EUR
1020+6.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH40N65B4D1IXYSDescription: IGBT 650V 115A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/115ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 66 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 115 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 455 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH40N65B4D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH40N65B4H1IXYSDescription: IGBT PT 650V 120A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/144ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 77 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 455 W
auf Bestellung 1140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+12.1 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH40N65B4H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH40N65B4H1IXYSIGBTs TO247 650V 40A GENX4
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH40N65C4D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 110A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/100ns
Switching Energy: 1.6mJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 215 A
Power - Max: 455 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH40N65C4D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 320ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60B3IXYSDescription: IGBT PT 600V 120A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/100ns
Switching Energy: 670µJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 360V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 600 W
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.45 EUR
30+16.73 EUR
120+14.39 EUR
510+13.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60B3IXYSIGBTs GenX3 600V XPT IGBTs
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27 EUR
10+16.46 EUR
120+15.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60B3D1IXYSIGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60B3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60B3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 320ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60B3D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 120A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/100ns
Switching Energy: 670µJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 360V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 600 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60B3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 170ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 69ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60C3IXYSDescription: IGBT PT 600V 100A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/62ns
Switching Energy: 720µJ (on), 330µJ (off)
Test Condition: 360V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 600 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60C3IXYSIGBTs XPT IGBT C3-Class 600V/100 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60C3IGBT 600V 100A TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60C3D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 100A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/62ns
Switching Energy: 720µJ (on), 330µJ (off)
Test Condition: 360V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 600 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60C3D1IXYSIGBTs XPT IGBT C3-Class 600V/100Amp CoPacked
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60C3D1XPTTM 600V XPTTM 600V TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 600000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 170ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 69ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N60B4IXYSIGBTs GenX3 600V XPT IGBTs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N60B4H1IXYSIGBTs 40 Amps 900V 2.5 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N65B4IXYSIGBTs 650V/116A TRENCH IGBT GENX4 XPT
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.12 EUR
10+9.4 EUR
120+7.83 EUR
510+7.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N65B4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 145A 536000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N65B4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXXH60N65B4 - IGBT, 145 A, 1.8 V, 536 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 536W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 145A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX4 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.11 EUR
17+13.67 EUR
21+10.54 EUR
50+8.48 EUR
100+7.79 EUR
250+7.12 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N65B4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 536W
Gate charge: 86nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Pulsed collector current: 265A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 94ns
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Turn-off time: 208ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+10.01 EUR
10+8.63 EUR
11+7.75 EUR
30+7.08 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N65B4IXYSDescription: IGBT PT 650V 116A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/145ns
Switching Energy: 3.13mJ (on), 1.15mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 116 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 455 W
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.4 EUR
30+9.56 EUR
120+8.06 EUR
510+6.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N65B4H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 536W
Gate charge: 86nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Pulsed collector current: 265A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 94ns
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Turn-off time: 208ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+15.11 EUR
30+13.33 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N65B4H1IXYSDescription: IGBT PT 650V 116A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/145ns
Switching Energy: 3.13mJ (on), 1.15mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 116 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Power - Max: 380 W
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.61 EUR
30+17.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N65B4H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 116A 455mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N65B4H1IXYSIGBTs 650V/106A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N65B4H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 116A 455mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N65B4H1IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXXH60N65B4H1 - IGBT, 60 A, 2.2 V, 455 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 455
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N65C4IGBT Chip N-CH 650V 118A TO-247AD Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N65C4IXYSIGBTs 650V/118A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N65C4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 536W
Gate charge: 86nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Pulsed collector current: 260A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 164ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N65C4IXYSDescription: IGBT PT 650V 118A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/133ns
Switching Energy: 3.2mJ (on), 830µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 118 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 455 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH75N60B3IXYSDescription: IGBT PT 600V 160A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/118ns
Switching Energy: 1.7mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 107 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 750 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH75N60B3IXYSIGBTs TO247 600V 75A GENX3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH75N60B3D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 160A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/118ns
Switching Energy: 1.7mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 107 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 750 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH75N60B3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 160A 750W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH75N60B3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 108ns
Turn-off time: 315ns
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   1 2 3  [ Nächste Seite >> ]