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IXX0107100UT
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IXX0107100UTQFP
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IXX0107100UTQFP
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IXX016960007+
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IXX016960007+
auf Bestellung 1000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXA30N65C3HVIXYSIGBTs TO263 650V 30A XPT
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IXXA30N65C3HVIXYSDescription: IGBT
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IXXA50N60B3IXYSIGBTs TO220 600V 50A XPT
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IXXA50N60B3IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 320ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXA50N60B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600000mW 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
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IXXA50N60B3IXYSDescription: IGBT 600V 120A TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-263AA
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/150ns
Switching Energy: 670µJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 360V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 600 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXA50N60B3IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 320ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH100N60B3IXYSDescription: IGBT 600V 220A 830W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/120ns
Switching Energy: 1.9mJ (on), 2mJ (off)
Test Condition: 360V, 70A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 143 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 220 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Power - Max: 830 W
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.71 EUR
30+12.57 EUR
120+11.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH100N60B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 220A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+17.18 EUR
10+15.06 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH100N60B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 100A; 830W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 830W
Kind of package: tube
Gate charge: 143nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 480A
Turn-on time: 92ns
Turn-off time: 350ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH100N60B3IXYSIGBTs XPT IGBT B3-Class 600V/210Amp
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.68 EUR
10+19.66 EUR
30+13.92 EUR
60+13.60 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH100N60B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 100A; 830W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 830W
Kind of package: tube
Gate charge: 143nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 480A
Turn-on time: 92ns
Turn-off time: 350ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH100N60B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 220A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH100N60B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 220A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH100N60C3IXYSIGBTs XPT IGBT C3-Class 600V/190Amp
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.17 EUR
10+19.15 EUR
30+13.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH100N60C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 100A; 830W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 830W
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 380A
Turn-on time: 95s
Turn-off time: 0.22µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH100N60C3IXYSDescription: IGBT 600V 190A 830W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/90ns
Switching Energy: 2mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 360V, 70A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 190 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 380 A
Power - Max: 830 W
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.80 EUR
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IXXH100N60C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 100A; 830W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 830W
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 380A
Turn-on time: 95s
Turn-off time: 0.22µs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH110N65B4IXYSDescription: IGBT PT 650V 250A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/146ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 183 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 250 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 570 A
Power - Max: 880 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH110N65B4IXYSIGBTs TO247 650V 110A XPT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH110N65C4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 234A 880000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH110N65C4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 234A 880000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH110N65C4IXYSIGBTs 650V/234A TRENCH IGBT GENX4 XPT
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.75 EUR
10+18.22 EUR
30+13.45 EUR
60+13.22 EUR
120+11.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH110N65C4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 160ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
auf Bestellung 247 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+15.49 EUR
7+10.50 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH110N65C4IXYSDescription: IGBT PT 650V 234A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 110A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/143ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 234 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 880 W
auf Bestellung 630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.86 EUR
30+13.27 EUR
120+11.39 EUR
510+11.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH110N65C4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 160ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 247 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.49 EUR
7+10.50 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH110N65C4IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXXH110N65C4 - IGBT, 235 A, 2.06 V, 880 W, 650 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 880
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 235
Bauform - Transistor: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.06
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: XPT GenX4
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH140N65B4IXYSIGBTs TO247 650V 140A XPT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH140N65B4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 140A; 1.2kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 140A
Power dissipation: 1.2kW
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 840A
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 128ns
Turn-off time: 340ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH140N65B4IXYSDescription: DISC IGBT XPT-GENX4 TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 105 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 54ns/270ns
Switching Energy: 5.75mJ (on), 2.67mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 340 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 840 A
Power - Max: 1200 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH140N65B4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 140A; 1.2kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 140A
Power dissipation: 1.2kW
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 840A
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 128ns
Turn-off time: 340ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH140N65C4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH140N65C4IXYSDescription: DISC IGBT XPT-GENX4 TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/240ns
Switching Energy: 4.9mJ (on), 1.7mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 320 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 730 A
Power - Max: 1200 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH140N65C4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 140A; 1.2kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 140A
Power dissipation: 1.2kW
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 730A
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 114ns
Turn-off time: 273ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH140N65C4IXYSIGBTs TO247 650V 320A IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH140N65C4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 140A; 1.2kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 140A
Power dissipation: 1.2kW
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 730A
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 114ns
Turn-off time: 273ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH150N60C3IXYSIGBTs TO247 600V 150A XPT
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.69 EUR
10+20.29 EUR
30+17.49 EUR
60+17.42 EUR
120+17.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH150N60C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 230ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 0.1µs
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+12.18 EUR
9+8.25 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH150N60C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 300A 1360000mW
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH150N60C3IXYSDescription: IGBT PT 600V 300A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 150A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/120ns
Switching Energy: 3.4mJ (on), 1.8mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 1360 W
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.10 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH150N60C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 230ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 0.1µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
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IXXH30N60B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 270000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXXH30N60B3IXYSDescription: IGBT 600V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/97ns
Switching Energy: 550µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 39 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 115 A
Power - Max: 270 W
Produkt ist nicht verfügbar
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IXXH30N60B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 270W
Gate charge: 39nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 115A
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXXH30N60B3IXYSIGBTs TO247 600V 30A XPT
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IXXH30N60B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 270W
Gate charge: 39nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 115A
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.75 EUR
11+6.98 EUR
13+5.56 EUR
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Mindestbestellmenge: 10
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IXXH30N60B3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXXH30N60B3D1IXYSIGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
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IXXH30N60B3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 115A
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60B3D1IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXXH30N60B3D1 - IGBT, 60 A, 1.66 V, 270 W, 600 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IXXH30N60B3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 270000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60B3D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 60A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/97ns
Switching Energy: 550µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 39 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 115 A
Power - Max: 270 W
auf Bestellung 638 Stücke:
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2+9.22 EUR
30+5.32 EUR
120+4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60B3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 115A
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60C3IXYSIGBTs TO247 600V 60A IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
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IXXH30N60C3IXYSDescription: DISC IGBT XPT-GENX3 TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/77ns
Switching Energy: 500µJ (on), 270µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 270 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60C3D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 60A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/77ns
Switching Energy: 500µJ (on), 270µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 270 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 270W
Gate charge: 37nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 110A
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 166ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 270000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 270W
Gate charge: 37nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 110A
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 166ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 270000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+9.40 EUR
19+7.72 EUR
25+7.30 EUR
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IXXH30N60C3D1IXYSIGBTs XPT 600V IGBT 30A
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 332-336 Tag (e)
1+11.76 EUR
30+7.81 EUR
120+6.85 EUR
510+6.76 EUR
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IXXH30N65B4IXYSIXXH30N65B4 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N65B4IXYSIGBTs 650V/65A Trench IGBT GenX4 XPT
auf Bestellung 329 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.68 EUR
10+8.13 EUR
30+5.51 EUR
120+5.30 EUR
510+5.17 EUR
1020+5.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N65B4IXYSDescription: IGBT PT 650V 65A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/170ns
Switching Energy: 1.55mJ (on), 480µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 52 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 146 A
Power - Max: 230 W
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.28 EUR
30+6.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N65B4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 70A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N65B4D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N65B4D1IXYSIXXH30N65B4D1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N65B4D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N65C4D1IXYSIXXH30N65C4D1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N65C4D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH40N65B4IXYSDescription: IGBT PT 650V 120A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/144ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 77 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 455 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH40N65B4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.28 EUR
11+6.55 EUR
14+5.22 EUR
15+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH40N65B4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.28 EUR
11+6.55 EUR
14+5.22 EUR
15+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH40N65B4IXYSIGBTs 650V/120A TRENCH IGBT GENX4 XPT
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.54 EUR
10+8.38 EUR
30+7.11 EUR
120+6.53 EUR
270+5.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH40N65B4D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH40N65B4D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH40N65B4D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH40N65B4D1IXYSDescription: IGBT 650V 115A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/115ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 66 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 115 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 455 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH40N65B4H1IXYSIGBTs TO247 650V 40A GENX4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH40N65B4H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH40N65B4H1IXYSDescription: IGBT 650V 120A 455W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/144ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 77 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 455 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH40N65B4H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 207ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH40N65B4H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 207ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH40N65C4D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 215A
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 142ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH40N65C4D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 215A
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 142ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH40N65C4D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH40N65C4D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 110A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/100ns
Switching Energy: 1.6mJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 215 A
Power - Max: 455 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 320ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 320ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60B3IXYSIGBTs GenX3 600V XPT IGBTs
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.75 EUR
10+17.44 EUR
30+14.78 EUR
120+12.88 EUR
270+10.70 EUR
510+10.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60B3IXYSDescription: IGBT PT 600V 120A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/100ns
Switching Energy: 670µJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 360V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 600 W
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+9.97 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60B3D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 120A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/100ns
Switching Energy: 670µJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 360V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 600 W
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.36 EUR
30+14.92 EUR
120+12.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60B3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60B3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 320ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60B3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 320ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60B3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60B3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60B3D1IXYSIGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
auf Bestellung 566 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.98 EUR
10+21.31 EUR
30+14.17 EUR
120+13.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 170ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 69ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 170ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 69ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60C3IXYSIGBTs XPT IGBT C3-Class 600V/100 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60C3IXYSDescription: IGBT PT 600V 100A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/62ns
Switching Energy: 720µJ (on), 330µJ (off)
Test Condition: 360V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 600 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60C3D1IXYSIGBTs XPT IGBT C3-Class 600V/100Amp CoPacked
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.63 EUR
10+15.14 EUR
30+13.80 EUR
120+12.62 EUR
270+11.60 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60C3D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 100A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/62ns
Switching Energy: 720µJ (on), 330µJ (off)
Test Condition: 360V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 600 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 600000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 170ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 69ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 170ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 69ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 600000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N60B4IXYSIGBTs GenX3 600V XPT IGBTs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N60B4H1IXYSIGBTs 40 Amps 900V 2.5 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N65B4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 265A
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 536W
Kind of package: tube
Gate charge: 86nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Mounting: THT
Case: TO247-3
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+9.12 EUR
11+6.55 EUR
12+6.19 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N65B4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 265A
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 536W
Kind of package: tube
Gate charge: 86nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.12 EUR
11+6.55 EUR
12+6.19 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N65B4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 145A 536000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N65B4IXYSIGBTs 650V/116A TRENCH IGBT GENX4 XPT
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.89 EUR
10+8.31 EUR
30+7.85 EUR
120+6.72 EUR
270+5.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N65B4IXYSDescription: IGBT PT 650V 116A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/145ns
Switching Energy: 3.13mJ (on), 1.15mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 116 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 455 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N65B4H1IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXXH60N65B4H1 - IGBT, 60 A, 2.2 V, 455 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 455
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N65B4H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 265A
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 536W
Kind of package: tube
Gate charge: 86nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.43 EUR
7+11.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N65B4H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 116A 455mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N65B4H1IXYSIGBTs 650V/106A TRENCH IGBT GENX4 XPT
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 332-336 Tag (e)
1+17.60 EUR
10+17.58 EUR
30+12.39 EUR
120+12.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N65B4H1IXYSDescription: IGBT PT 650V 116A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/145ns
Switching Energy: 3.13mJ (on), 1.15mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 116 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Power - Max: 380 W
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.61 EUR
30+11.80 EUR
120+10.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N65B4H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 116A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N65B4H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 116A 455mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N65B4H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 116A 455000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N65B4H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 265A
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 536W
Kind of package: tube
Gate charge: 86nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Mounting: THT
Case: TO247-3
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+16.43 EUR
7+11.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N65C4IXYSIGBTs 650V/118A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N65C4IXYSDescription: IGBT PT 650V 118A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/133ns
Switching Energy: 3.2mJ (on), 830µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 118 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 455 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N65C4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 118A 455000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N65C4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 260A
Collector current: 60A
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 110ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 164ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N65C4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 260A
Collector current: 60A
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 110ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 164ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH75N60B3IXYSIGBTs TO247 600V 75A GENX3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH75N60B3IXYSDescription: IGBT PT 600V 160A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/118ns
Switching Energy: 1.7mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 107 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 750 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH75N60B3D1IXYSIGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBTs
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.64 EUR
10+12.88 EUR
30+9.17 EUR
120+8.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH75N60B3D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 160A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/118ns
Switching Energy: 1.7mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 107 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 750 W
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.98 EUR
30+10.06 EUR
120+8.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH75N60B3D1IXYSIXXH75N60B3D1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH75N60B3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 160A 750W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH75N60B3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 160A 750000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH75N60C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 165ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-on time: 105ns
Pulsed collector current: 300A
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH75N60C3IXYSIGBTs XPT 600V IGBT GenX3 Power Device
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH75N60C3IXYSDescription: IGBT PT 600V 150A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/90ns
Switching Energy: 1.6mJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 107 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 750 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH75N60C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 165ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-on time: 105ns
Pulsed collector current: 300A
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH75N60C3D1IXYSIGBTs TO247 600V 75A XPT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH75N60C3D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 150A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/90ns
Switching Energy: 1.6mJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 107 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 750 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH75N60C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 185ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-on time: 105ns
Pulsed collector current: 300A
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH75N60C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 185ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-on time: 105ns
Pulsed collector current: 300A
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH75N60C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH80N65B4IXYSIGBTs 650V/160A TRENCH IGBT GENX4 XPT
auf Bestellung 983 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.71 EUR
10+12.27 EUR
30+7.90 EUR
120+6.93 EUR
510+6.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH80N65B4IXYSDescription: IGBT PT 650V 160A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/120ns
Switching Energy: 3.77mJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 430 A
Power - Max: 625 W
auf Bestellung 6457 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.91 EUR
30+8.73 EUR
120+7.38 EUR
510+6.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH80N65B4IXYSIXXH80N65B4 THT IGBT transistors
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.65 EUR
10+7.35 EUR
11+6.95 EUR
250+6.81 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH80N65B4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 160A 625000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH80N65B4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 160A 625mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH80N65B4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXXH80N65B4 - TRANSISTOR, IGBT, 650V, 160A, TO-247AD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 625
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 160
Bauform - Transistor: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: XPT GenX4 Series
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH80N65B4D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH80N65B4D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH80N65B4D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 180A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/112ns
Switching Energy: 3.36mJ (on), 1.83mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 180 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 430 A
Power - Max: 625 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH80N65B4D1IXYSIXXH80N65B4D1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH80N65B4H1IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXXH80N65B4H1 - IGBT, 160 A, 1.65 V, 625 W, 650 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX4
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 160A
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH80N65B4H1IXYSIGBTs 650V/160A TRENCH IGBT GENX4 XPT
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.10 EUR
10+16.23 EUR
30+12.99 EUR
60+12.97 EUR
120+12.36 EUR
510+12.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH80N65B4H1IXYSDescription: IGBT PT 650V 160A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/120ns
Switching Energy: 3.77mJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 430 A
Power - Max: 625 W
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.53 EUR
30+13.71 EUR
120+11.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH80N65B4H1IXYSIXXH80N65B4H1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH80N65B4H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 160A 625W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH80N65B4H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 160A 625W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH80N65B4H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 160A 625000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK100N60B3H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 200A 695000mW 3-Pin TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK100N60B3H1IXYSIGBTs XPT IGBT B3-Class 600V/190Amp CoPacked
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK100N60B3H1IXYSDescription: IGBT PT 600V 200A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: TO-264 (IXXK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/120ns
Switching Energy: 1.9mJ (on), 2mJ (off)
Test Condition: 360V, 70A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 143 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 440 A
Power - Max: 695 W
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.39 EUR
25+23.35 EUR
100+22.90 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK100N60B3H1IXYSIXXK100N60B3H1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK100N60C3H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 170A 695000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK100N60C3H1IXYSIGBTs XPT IGBT C3-Class 600V/170Amp CoPacked
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.17 EUR
25+25.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK100N60C3H1IXYSDescription: IGBT PT 600V 170A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: TO-264 (IXXK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/90ns
Switching Energy: 2mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 360V, 70A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 340 A
Power - Max: 695 W
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.62 EUR
25+23.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK100N60C3H1IXYSIXXK100N60C3H1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK100N75B4H1IXYSIGBT Transistors Disc IGBT XPT-GenX4 TO-264(3)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK110N65B4H1IXYSDescription: IGBT PT 650V 240A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A
Supplier Device Package: TO-264 (IXXK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/156ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 183 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 630 A
Power - Max: 880 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK110N65B4H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 570A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.10 EUR
25+18.88 EUR
50+18.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK110N65B4H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 570A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+19.10 EUR
25+18.88 EUR
50+18.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK110N65B4H1IXYSIGBTs 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT
auf Bestellung 471 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.40 EUR
10+32.35 EUR
25+31.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK110N65B4H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 250A 880000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK110N65B4H1LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXXK110N65B4H1 - IGBT, 250 A, 1.72 V, 880 W, 650 V, TO-264, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.72V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 880W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 250A
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK160N65B4IXYSIGBTs 650V/310A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK160N65B4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 310A 940W 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK160N65B4IXYSDescription: IGBT PT 650V 310A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 160A
Supplier Device Package: TO-264 (IXXK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/220ns
Switching Energy: 3.3mJ (on), 1.88mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 425 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 310 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 860 A
Power - Max: 940 W
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.12 EUR
25+27.60 EUR
100+25.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK160N65B4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 940W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 425nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 860A
Collector current: 160A
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 93ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 380ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+21.52 EUR
25+21.32 EUR
100+20.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK160N65B4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 940W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 425nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 860A
Collector current: 160A
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 93ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 380ns
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+21.52 EUR
25+21.32 EUR
100+20.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK160N65C4IXYSDescription: IGBT PT 650V 290A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 160A
Supplier Device Package: TO-264 (IXXK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/197ns
Switching Energy: 3.5mJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 422 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 290 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 800 A
Power - Max: 940 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK160N65C4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 940W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 422nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 320A
Collector current: 160A
Technology: GenX4™; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 52ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 197ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK160N65C4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 940W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 422nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 320A
Collector current: 160A
Technology: GenX4™; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 52ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 197ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK160N65C4IXYSIGBTs 650V/290A Trench IGBT GenX4 XPT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK200N60B3IXYSIGBT Transistors GenX3 XPT 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK200N60B3IXYSDescription: IGBT 600V 380A 1630W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-264 (IXXK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/160ns
Switching Energy: 2.85mJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 360V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 315 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 380 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 900 A
Power - Max: 1630 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK200N60B3IXYSIXXK200N60B3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK200N60B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 380A 1630000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK200N60C3IXYSIGBT Transistors XPT 600V IGBT GenX3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK200N60C3IXYSDescription: IGBT 600V 340A 1630W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-264 (IXXK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/125ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.7mJ (off)
Test Condition: 360V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 315 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 340 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 900 A
Power - Max: 1630 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK200N60C3IXYSIXXK200N60C3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK200N60C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 340A 1630000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK200N65B4IXYSDescription: IGBT 650V 370A 1150W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 160A
Supplier Device Package: TO-264 (IXXK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 62ns/245ns
Switching Energy: 4.4mJ (on), 2.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 553 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 370 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1000 A
Power - Max: 1150 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK200N65B4IXYSIXXK200N65B4 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK200N65B4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 370A 1150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK200N65B4IXYSIGBTs 650V/370A TRENCH IGBT GENX4 XPT
auf Bestellung 481 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+58.91 EUR
10+57.45 EUR
25+48.80 EUR
50+47.29 EUR
100+47.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK200N65B4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 370A 1150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK300N60B3IXYSIGBTs XPT 600V IGBT 300A
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+50.62 EUR
10+45.00 EUR
25+41.96 EUR
50+40.64 EUR
100+39.34 EUR
250+35.38 EUR
500+34.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK300N60B3IXYSDescription: IGBT 600V 550A 2300W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-264 (IXXK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/190ns
Switching Energy: 3.45mJ (on), 2.86mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 460 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 550 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1140 A
Power - Max: 2300 W
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+50.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK300N60B3IXYSIXXK300N60B3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK300N60B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 550A 2300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK300N60C3IXYSDescription: IGBT 600V 510A 2300W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-264 (IXXK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/160ns
Switching Energy: 3.35mJ (on), 1.9mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 438 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 510 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1075 A
Power - Max: 2300 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK300N60C3IXYSIXXK300N60C3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK300N60C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 510A 2300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK300N60C3IXYSIGBT Transistors XPT 600V IGBT 300A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXN100N60B3H1IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 98A; SOT227B; 500W
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 98A
Pulsed collector current: 440A
Power dissipation: 500W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXN100N60B3H1IXYSIGBTs XPT 600V IGBT GenX3 w/Diode
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+46.94 EUR
10+36.64 EUR
20+36.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXN100N60B3H1LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXN100N60B3H1IXYSDescription: IGBT MOD 600V 170A 500W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.86 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXN100N60B3H1IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 98A; SOT227B; 500W
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 98A
Pulsed collector current: 440A
Power dissipation: 500W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXN100N60B3H1LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXN110N65B4H1IXYSDescription: IGBT MOD 650V 215A 750W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 215 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 750 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.65 nF @ 25 V
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+47.87 EUR
10+35.08 EUR
100+30.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXN110N65B4H1IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B
Technology: GenX4™; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 650A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXN110N65B4H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 200A 750000mW 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXN110N65B4H1IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B
Technology: GenX4™; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 650A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXN110N65B4H1IXYSIGBT Modules 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT
auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+44.05 EUR
10+33.28 EUR
100+32.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXN110N65C4H1IXYSDescription: IGBT MOD 650V 210A 750W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 110A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 210 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 750 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.69 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXN110N65C4H1IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 470A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXN110N65C4H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 200A 750000mW 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXN110N65C4H1IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 470A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXN110N65C4H1LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXXN110N65C4H1 - TRANSISTOR, IGBT, 650V, 210A, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Panel
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.06V
Dauer-Kollektorstrom: 210A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Tab
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.06V
Verlustleistung Pd: 750W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: XPT GenX4 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Single
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 210A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXN110N65C4H1IXYSIGBT Modules 650V/234A Trench IGBT GenX4 XPT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXN200N60B3IXYSIGBT Transistors XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXN200N60B3IXYSDescription: IGBT MOD 600V 280A 940W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 280 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 940 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.97 nF @ 25 V
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+47.03 EUR
10+34.42 EUR
100+29.34 EUR
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IXXN200N60B3IXYSIXXN200N60B3 IGBT modules
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IXXN200N60B3H1IXYSDescription: IGBT MOD 600V 200A 780W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 780 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.97 nF @ 25 V
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IXXN200N60B3H1IXYSIXXN200N60B3H1 IGBT modules
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IXXN200N60B3H1LittelfuseIGBT Module, XPT 600V IGBT GenX3 w/Diode
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IXXN200N60B3H1IXYSIGBT Transistors XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
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IXXN200N60C3H1LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 600V 200A 780000mW
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IXXN200N60C3H1IXYSIGBT Modules XPT 600V IGBT 98A
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IXXN200N60C3H1IXYSDescription: IGBT MOD 600V 200A 780W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 780 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.9 nF @ 25 V
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IXXN200N60C3H1IXYSIXXN200N60C3H1 IGBT modules
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IXXN200N65A4IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 200A; SOT227B
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 1.2kA
Power dissipation: 1.25kW
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: GenX4™; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXXN200N65A4IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 200A; SOT227B
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 1.2kA
Power dissipation: 1.25kW
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: GenX4™; XPT™
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IXXN340N65B4LittelfuseIGBT Module, 650V IGBT Transistor
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IXXN340N65B4IXYSIGBT Transistors IGBT XPT
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IXXP12N65B4LittelfuseIGBTs Disc IGBT XPT-GenX4 TO-220AB/FP
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IXXP12N65B4D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX4 TO-220AB/FP
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IXXP12N65B4D1IXYSDescription: IGBT 650V 38A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/158ns
Switching Energy: 440µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 12A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 34 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 70 A
Power - Max: 160 W
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IXXP12N65B4D1Littelfuse650V IGBT Transistor
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IXXP12N65B4D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 12A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 12A
Pulsed collector current: 70A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 245ns
Gate charge: 34nC
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IXXP12N65B4D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 12A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 12A
Pulsed collector current: 70A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 245ns
Gate charge: 34nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXXP50N60B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 320ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXP50N60B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 320ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXXP50N60B3IXYSIGBTs TO220 600V 50A IGBT
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IXXP50N60B3IXYSDescription: IGBT 600V 120A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/150ns
Switching Energy: 670µJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 360V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 600 W
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IXXQ30N60B3MIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 19A; 90W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Case: TO3PF
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 90W
Gate charge: 39nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 19A
Pulsed collector current: 140A
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 292ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXXQ30N60B3MIXYSIGBTs TO3P 600V 19A IGBT
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IXXQ30N60B3MIXYSDescription: IGBT 600V 33A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/150ns
Switching Energy: 550µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 39 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 33 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 90 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXQ30N60B3MIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 19A; 90W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Case: TO3PF
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 90W
Gate charge: 39nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 19A
Pulsed collector current: 140A
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 292ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXR100N60B3H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 145A 400000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXR100N60B3H1IXYSDescription: IGBT 600V 145A 400W ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/120ns
Switching Energy: 1.9mJ (on), 2mJ (off)
Test Condition: 360V, 70A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 143 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 145 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 440 A
Power - Max: 400 W
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+26.77 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXR100N60B3H1IXYSIXXR100N60B3H1 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXR100N60B3H1IXYSIGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXR110N65B4H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 70A; 455W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 455W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 183nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 70A
Pulsed collector current: 490A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXR110N65B4H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 70A; 455W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 455W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 183nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 70A
Pulsed collector current: 490A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXR110N65B4H1IXYSIGBTs 650V/150A TRENCH IGBT GENX4 XPT
auf Bestellung 503 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXR110N65B4H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXR110N65B4H1IXYSDescription: IGBT PT 650V 150A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 110A
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/156ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 183 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 460 A
Power - Max: 455 W
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXT100N75B4HVIXYSIGBTs IGBT DISCRETE TO-268HV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXT100N75B4HVIXYSDescription: IGBT DISCRETE TO-268HV
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX100N60B3H1IXYSIGBTs PLUS247 600V 100A DIODE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX100N60B3H1IXYSIXXX100N60B3H1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX100N60B3H1IXYSDescription: IGBT 600V 200A 695W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/120ns
Switching Energy: 1.9mJ (on), 2mJ (off)
Test Condition: 360V, 70A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 143 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 440 A
Power - Max: 695 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX100N60C3H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 170A 695000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX100N60C3H1IXYSIGBTs GenX3 w/Diode XPT 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX100N60C3H1IXYSIXXX100N60C3H1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX100N60C3H1IXYSDescription: IGBT 600V 170A 695W PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/90ns
Switching Energy: 2mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 360V, 70A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 340 A
Power - Max: 695 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX100N75B4H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX110N65B4H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 250A 880000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX110N65B4H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 183nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 570A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX110N65B4H1IXYSDescription: IGBT PT 650V 240A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/156ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 183 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 630 A
Power - Max: 880 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX110N65B4H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 250A 880000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX110N65B4H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 183nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 570A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX110N65B4H1IXYSIGBTs 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.69 EUR
10+29.67 EUR
30+24.96 EUR
60+24.82 EUR
120+22.76 EUR
270+20.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX140N65B4H1IXYSIGBTs PLUS247 650V 140A SN DIO
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 332-336 Tag (e)
1+35.08 EUR
10+31.19 EUR
30+27.44 EUR
60+26.70 EUR
120+23.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX140N65B4H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 140A; 1.2kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 140A
Power dissipation: 1.2kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 840A
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 128ns
Turn-off time: 340ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX140N65B4H1IXYSDescription: IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 105 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 54ns/270ns
Switching Energy: 5.75mJ (on), 2.67mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 340 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 840 A
Power - Max: 1200 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX140N65B4H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 140A; 1.2kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 140A
Power dissipation: 1.2kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 840A
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 128ns
Turn-off time: 340ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX160N65B4IXYSIGBTs 650V/310A TRENCH IGBT GENX4 XPT
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.14 EUR
10+37.01 EUR
30+32.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX160N65B4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 940W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 425nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 860A
Collector current: 160A
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 93ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 380ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX160N65B4IXYSDescription: IGBT PT 650V 310A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 160A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/220ns
Switching Energy: 3.3mJ (on), 1.88mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 425 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 310 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 860 A
Power - Max: 940 W
auf Bestellung 828 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.64 EUR
30+27.45 EUR
120+25.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX160N65B4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 940W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 425nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 860A
Collector current: 160A
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 93ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 380ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX160N65B4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 310A 940000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX160N65B4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 310A 940000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX160N65C4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 290A 940000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX160N65C4IXYSIGBTs 650V/290A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX160N65C4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 940W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 422nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 320A
Collector current: 160A
Technology: GenX4™; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 52ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 197ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX160N65C4IXYSDescription: IGBT PT 650V 290A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 160A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/197ns
Switching Energy: 3.5mJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 422 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 290 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 800 A
Power - Max: 940 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX160N65C4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 940W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 422nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 320A
Collector current: 160A
Technology: GenX4™; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 52ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 197ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX200N60B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 380A 1630000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX200N60B3IXYSIGBT Transistors IGBT XPT-GENX3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX200N60B3IXYSDescription: IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/160ns
Switching Energy: 2.85mJ (on), 4.4mJ (off)
Test Condition: 360V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 315 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 380 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 900 A
Power - Max: 1630 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX200N60B3IXYSIXXX200N60B3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX200N60C3IXYSDescription: IGBT 600V 200A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/125ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.7mJ (off)
Test Condition: 360V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 315 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 340 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 900 A
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.20 EUR
10+38.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX200N60C3IXYSIGBT Transistors IGBT XPT-GENX3
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.42 EUR
10+39.12 EUR
30+33.42 EUR
120+33.40 EUR
270+31.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX200N65B4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXXX200N65B4 - IGBT, 480 A, 1.5 V, 1.63 kW, 650 V, PLUS247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.63kW
Bauform - Transistor: PLUS247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 480A
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX200N65B4IXYSIXXX200N65B4 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX200N65B4IXYSIGBTs 650V/370A Trench IGBT GenX4 XPT
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+60.47 EUR
10+56.44 EUR
30+51.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX200N65B4IXYSDescription: IGBT 650V 370A 1150W PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 160A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 62ns/245ns
Switching Energy: 4.4mJ (on), 2.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 553 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 370 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1000 A
Power - Max: 1150 W
auf Bestellung 531 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.49 EUR
30+35.22 EUR
120+33.02 EUR
510+28.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX200N65B4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 370A 1150000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX300N60B3IXYSIGBTs XPT 600V IGBT 300A
auf Bestellung 333 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+49.67 EUR
10+43.67 EUR
30+37.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX300N60B3IXYSDescription: IGBT PT 600V 550A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/190ns
Switching Energy: 3.45mJ (on), 2.86mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 460 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 550 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1140 A
Power - Max: 2300 W
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+54.03 EUR
30+44.79 EUR
120+42.00 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX300N60B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 550A 2300000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX300N60B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 550A 2300000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX300N60B3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXXX300N60B3 - TRANSISTOR, IGBT, 600V, 550A, PLUS247
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 2.3
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: PLUS247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3
Kollektorstrom: 550
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: XPT GenX3 Series
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX300N60B3IXYSIXXX300N60B3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX300N60C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 510A 2300000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX300N60C3IXYSIXXX300N60C3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX300N60C3IXYSIGBT Transistors XPT 600V IGBT 300A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX300N60C3IXYSDescription: IGBT 600V 510A 2300W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/160ns
Switching Energy: 3.35mJ (on), 1.9mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 438 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 510 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1075 A
Power - Max: 2300 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH