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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
STB 3/3-5.08Phoenix ContactConn PC Terminal Block 3 POS 5.08mm Solder Thru-Hole 16A
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STB 3/3-ST-5,08Phoenix ContactConn Terminal Block 3 POS 5.08mm Screw 16A
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STB 3/3-ST-5.08Phoenix ContactConn Terminal Block 3 POS 5.08mm Screw 16A
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STB 3/4-5.08Phoenix ContactConn PC Terminal Block 4 POS 5.08mm Solder Thru-Hole 16A
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STB 3/4-G-5.08Phoenix ContactConn Wire to Board HDR 4 POS 5.08mm Solder
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STB 3/4-ST-5.08Phoenix ContactConn Terminal Block 4 POS 5.08mm Screw 10A
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STB 3/4-ST-5.08 BD:1-4Phoenix ContactConn 4 POS 5.08mm
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STB 3202EAdam EquipmentDescription: WEIGH SCALE PREC BALANCES
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB 3202IAdam EquipmentDescription: WEIGH SCALE PREC BALANCES
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB-01T-001J.S.T. Deutschland GmbHApplicator Crimping Tool
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STB-10 WHTane Alarm ProductsDescription: .35" X .75" HARD-WIRE STUBBY REC
Packaging: Bag
Package / Case: Module
Type: Reed Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 100V
Actuator Material: Magnet
Part Status: Active
auf Bestellung 649 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10+3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 10
STB-3/8 TC WHTane Alarm ProductsDescription: .37" X .92" TERMINAL CONNECT REC
Packaging: Bag
Package / Case: Module
Output Type: No
Type: Reed Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 100V
Actuator Material: Magnet
Part Status: Active
auf Bestellung 920 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 10
STB-3/8TC BRTane Alarm ProductsDescription: .37" X .92" TERMINAL CONNECT REC
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Output Type: No
Type: Reed Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 100V
Actuator Material: Magnet
Part Status: Active
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 10
STB-50Analog Devices Inc.Description: SCREW-TERMINATION PANEL
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STB-50AAnalog Devices Inc.Description: THERMOCOUPLE
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STB0050STSOP-28
auf Bestellung 5503 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB01-1-1TE Connectivity Passive ProductDescription: STB01-1-1
Packaging: Box
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STB01-BLANK-0TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON BLACK
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STB01-BLANK-0TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB01-BLANK-0
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STB01-BLANK-1TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON BROWN
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STB01-BLANK-1TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB01-BLANK-1
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STB01-BLANK-2TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON RED
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STB01-BLANK-2TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB01-BLANK-2
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STB01-BLANK-3TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON ORANGE
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STB01-BLANK-3TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB01-BLANK-3
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STB01-BLANK-5TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB01-BLANK-5
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STB01-BLANK-5TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON GREEN
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STB01-BLANK-6TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON BLUE
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STB01-BLANK-6TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB01-BLANK-6
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STB01-BLANK-7TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB01-BLANK-7
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STB01-BLANK-7TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON VIOLET
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STB01001PBC
auf Bestellung 562 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB02-BLANK-0TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON BLACK
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.055" ~ 0.071" (1.40mm ~ 1.80mm)
Legend: Blank
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STB02-BLANK-0TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB02-BLANK-0
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STB02-BLANK-1TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON BROWN
Packaging: Bulk
Color: Brown
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.055" ~ 0.071" (1.40mm ~ 1.80mm)
Legend: Blank
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STB02-BLANK-2TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON RED
Packaging: Bulk
Color: Red
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.055" ~ 0.071" (1.40mm ~ 1.80mm)
Legend: Blank
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STB02-BLANK-3TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON ORANGE
Packaging: Bulk
Color: Orange
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.055" ~ 0.071" (1.40mm ~ 1.80mm)
Legend: Blank
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STB02-BLANK-5TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON GREEN
Packaging: Bulk
Color: Green
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.055" ~ 0.071" (1.40mm ~ 1.80mm)
Legend: Blank
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STB02-BLANK-6TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON BLUE
Packaging: Bulk
Color: Blue
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.055" ~ 0.071" (1.40mm ~ 1.80mm)
Legend: Blank
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STB02-BLANK-7TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON VIOLET
Packaging: Bulk
Color: Violet
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.055" ~ 0.071" (1.40mm ~ 1.80mm)
Legend: Blank
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STB02-BLANK-7TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB02-BLANK-7
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STB02100PBC
auf Bestellung 562 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB02500ST
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB02500LFA
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB02500PBA05CAIBM
auf Bestellung 3325 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB02501ST
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB03-1-1TE ConnectivityWire Labels & Markers
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STB03-1-1TE ConnectivityCategory: Wire Markers
Description: STB03-1-1
auf Bestellung 8700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1200+0.07 EUR
7200+ 0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 1200
STB03-5-5TE ConnectivityCategory: Wire Markers
Description: Markers
Type of cable accessories: markers
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
STB03-BLANK-0TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: MARKERS
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STB03-BLANK-1TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: MARKERS
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STB03-BLANK-2TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: MARKERS
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STB03-BLANK-3TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: MARKERS
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STB03-BLANK-5TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: MARKERS
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STB03-BLANK-6TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON BLUE
Packaging: Box
Color: Blue
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.075" ~ 0.104" (1.90mm ~ 2.65mm)
Legend: Blank
Part Status: Active
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STB03-BLANK-7TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON VIOLET
Packaging: Box
Color: Violet
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.075" ~ 0.104" (1.90mm ~ 2.65mm)
Legend: Blank
Part Status: Active
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STB03-BLANK-7TE ConnectivityWire Labels & Markers STB03-BLANK-7
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STB0399ESTMicroelectronicsN-CHANNEL 30V - 0.0026 OHM - 100A - D2PAK/I2/TO-220 STRIPFET III POWER MOSFET
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STB03N60
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB04500LFAO5CC
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB04500PBB
auf Bestellung 562 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB05-BLANK-1TE Connectivity Passive ProductDescription: STB05-BLANK-1
Packaging: Box
Part Status: Active
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STB05-BLANK-6TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB05-BLANK-6
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STB06-0-0RAYCHEM - TE CONNECTIVITYDescription: RAYCHEM - TE CONNECTIVITY - STB06-0-0 - Kabelmarkierung, Einrastbar, vorgedruckt, 0, Weiß, Schwarz, 3.5 mm
tariffCode: 39162000
Markierungsfarbe: Schwarz
productTraceability: No
Beschriftung: 0
rohsCompliant: YES
Maße Kabelmarkierung: -
Kabeldurchmesser, min.: 2.6mm
euEccn: NLR
Markierungstyp: Einrastbar, vorgedruckt
Farbe der Beschriftung: Weiß
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Kabeldurchmesser, max.: 3.5mm
Markierungsmaterial: PVC (Polyvinylchlorid)
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STB06-5-5RAYCHEM - TE CONNECTIVITYDescription: RAYCHEM - TE CONNECTIVITY - STB06-5-5 - Kabelmarkierung, Einrastbar, vorgedruckt, 5, Weiß, Grün, 3.5 mm
tariffCode: 39162000
Markierungsfarbe: Grün
productTraceability: No
Beschriftung: 5
rohsCompliant: YES
Maße Kabelmarkierung: -
Kabeldurchmesser, min.: 2.6mm
euEccn: NLR
Markierungstyp: Einrastbar, vorgedruckt
Farbe der Beschriftung: Weiß
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Kabeldurchmesser, max.: 3.5mm
Markierungsmaterial: PVC (Polyvinylchlorid)
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STB06-BLANK-0TE Connectivity Passive ProductDescription: STB06-BLANK-0
Packaging: Box
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STB06-BLANK-1TE Connectivity Passive ProductDescription: STB06-BLANK-1
Packaging: Box
Part Status: Active
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STB06-BLANK-6TE Connectivity Passive ProductDescription: STB06-BLANK-6
Packaging: Box
Part Status: Active
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STB0612Fairview MicrowaveDescription: TERM PLUG TYPE N 1.35 VSWR
Packaging: Bag
Connector Type: Plug, Male Pin
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Free Hanging, Cap
Connector Style: N Type
Contact Material: Brass
Body Finish: Tri-Metal
Impedance: 50 Ohms
Frequency - Max: 6 GHz
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STB070A1483ABB Power Electronics Inc.Description: BG STB070A1483 COPPER FLEX BRAID
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+322.19 EUR
STB0899ST
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB09-8-8TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON GRAY
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STB0FS12A-AB-BASeoul SemiconductorHigh Power LEDs - Single Colour BLUE PUMP LED MID POWER
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STB0FS12A-AD-BASeoul Semiconductor Inc.Description: LED BLUE 450NM 2.5MMX2.5MM
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STB1.00BK36TechflexDescription: 1" FIREFLEX SEAL TAPE BLK 36 FT
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STB100N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB100N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 50 V
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STB100N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB100N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB100N10F7STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 100V 0.0068 Ohm typ. 80A STripFET
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.79 EUR
10+ 5.64 EUR
100+ 4.5 EUR
500+ 3.72 EUR
1000+ 3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 8
STB100N10F7STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 70A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STB100N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB100N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 50 V
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STB100N10F7STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 70A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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STB100N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
STB100N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB100N6F7STMicroelectronicsMOSFET N-channel 60 V, 4.7 mOhm typ 100 A STripFET F7 Power MOSFET
auf Bestellung 1778 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
12+4.45 EUR
14+ 3.72 EUR
100+ 2.94 EUR
500+ 2.51 EUR
1000+ 2.12 EUR
2000+ 2.01 EUR
5000+ 1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 12
STB100N6F7STMТранзистор польовий потужний MOSFET, N-Ch, D2PAK (TO-263-3); 60 В; 100 A; 0.0056 Ohm; Pd=125W
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+8.93 EUR
10+ 7.44 EUR
STB100N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB100N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 25 V
auf Bestellung 1431 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.52 EUR
10+ 3.77 EUR
100+ 3 EUR
500+ 2.54 EUR
Mindestbestellmenge: 6
STB100N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB100N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB100N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB100NF03-01L
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB100NF03LSTIPAK
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB100NF03L-03STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB100NF03L-03ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB100NF03L-03-01STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB100NF03L-03-1
Produktcode: 158535		Transistoren > MOSFET N-CH
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STB100NF03L-03-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STB100NF03L-03-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB100NF03L-03-1STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 30 Volt 100 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
STB100NF03L-03-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STB100NF03L-03T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB100NF03L-03T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 30 Volt 100 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
STB100NF03L-03T4STM09+
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB100NF03L-03T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB100NF03L-03T4
Produktcode: 99423		Transistoren > MOSFET N-CH
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STB100NF03L-03T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB100NF04ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB100NF04STMicroelectronicsSTMicroelectronics N-channel 40 V, 0.0043 Ohm typ., 120 A StripFET II Power MOSFET in D2PAK package
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STB100NF04STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB100NF04-01
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB100NF04-1STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB100NF04LSTTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB100NF04LSTSOT235
auf Bestellung 171000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB100NF04T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB100NF04T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB100NF04T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+4.28 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
STB100NF04T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 40 Volt 120 Amp
auf Bestellung 2632 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+8.32 EUR
10+ 7.02 EUR
25+ 6.6 EUR
100+ 5.67 EUR
250+ 5.36 EUR
500+ 5.02 EUR
1000+ 4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 7
STB100NF04T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
auf Bestellung 405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.06 EUR
20+ 3.6 EUR
22+ 3.3 EUR
23+ 3.12 EUR
100+ 3 EUR
Mindestbestellmenge: 18
STB100NF04T4
Produktcode: 170858		Transistoren > MOSFET N-CH
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STB100NF04T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB100NF04T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
STB100NF04T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
STB100NF04T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB100NF04T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0043 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
auf Bestellung 769 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STB100NF04T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 405 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.06 EUR
20+ 3.6 EUR
22+ 3.3 EUR
23+ 3.12 EUR
100+ 3 EUR
Mindestbestellmenge: 18
STB100NF04T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1580 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+8.27 EUR
10+ 6.94 EUR
100+ 5.62 EUR
500+ 4.99 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STB100NH02
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB100NH02LST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB100NH02LSTTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB100NH02LT4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 24 Volt 60 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
STB100NH02LT4STTO263
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB100NH02LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
STB10100SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 462pF @ 5V, 1MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB10100SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 462pF @ 5V, 1MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB10100CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTT 100V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB10100CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTT 100V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 100 V
auf Bestellung 798 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2 EUR
16+ 1.73 EUR
100+ 1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 13
STB10100CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
auf Bestellung 798 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB10100CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 100V; 10A; D2PAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.68V
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 120A
Produkt ist nicht verfügbar
STB10100CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
STB10100CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 100V; 10A; D2PAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.68V
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 120A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STB10100TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 100V; 10A; D2PAK; reel,tape
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 150A
Max. forward voltage: 0.68V
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Type of diode: Schottky rectifying
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STB10100TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 462pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 100 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
25+1.07 EUR
26+ 1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 25
STB10100TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 100V; 10A; D2PAK; reel,tape
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 150A
Max. forward voltage: 0.68V
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Type of diode: Schottky rectifying
Produkt ist nicht verfügbar
STB1010T4
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB10150SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 150V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 150 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB10150SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 150V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 150 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB10150CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 150V; 10A; D2PAK; reel,tape
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Max. off-state voltage: 150V
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 10A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 120A
Produkt ist nicht verfügbar
STB10150CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 150V; 10A; D2PAK; reel,tape
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Max. off-state voltage: 150V
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 10A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 120A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STB10150TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 150V; 10A; D2PAK; reel,tape
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Max. off-state voltage: 150V
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 150A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STB10150TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 150V; 10A; D2PAK; reel,tape
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Max. off-state voltage: 150V
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 150A
Produkt ist nicht verfügbar
STB10200CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 200V; 10A; D2PAK; reel,tape
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 0.73V
Load current: 10A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 120A
Produkt ist nicht verfügbar
STB10200CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 200V; 10A; D2PAK; reel,tape
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 0.73V
Load current: 10A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 120A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STB10200TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 200V; 10A; D2PAK; reel,tape
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 0.76V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 150A
Produkt ist nicht verfügbar
STB10200TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 200V; 10A; D2PAK; reel,tape
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 0.76V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 150A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STB1045CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 45V; 10A; D2PAK; reel,tape
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Max. off-state voltage: 45V
Max. forward voltage: 0.5V
Load current: 10A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 120A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STB1045CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 45V; 10A; D2PAK; reel,tape
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Max. off-state voltage: 45V
Max. forward voltage: 0.5V
Load current: 10A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 120A
Produkt ist nicht verfügbar
STB1045TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 45V; 10A; D2PAK; reel,tape
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Max. off-state voltage: 45V
Max. forward voltage: 0.68V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 150A
Produkt ist nicht verfügbar
STB1045TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 45V; 10A; D2PAK; reel,tape
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Max. off-state voltage: 45V
Max. forward voltage: 0.68V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 150A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STB1060SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 60V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 850 µA @ 60 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB1060SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 60V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 850 µA @ 60 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB1060CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 60V; 10A; D2PAK; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common cathode; double
Load current: 10A
Max. forward voltage: 0.6V
Max. off-state voltage: 60V
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 100A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STB1060CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 60V; 10A; D2PAK; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common cathode; double
Load current: 10A
Max. forward voltage: 0.6V
Max. off-state voltage: 60V
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 100A
Produkt ist nicht verfügbar
STB1060TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 60V D2PAK
auf Bestellung 799 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB1060TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 60V; 10A; D2PAK; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Load current: 10A
Max. forward voltage: 0.59V
Max. off-state voltage: 60V
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 150A
Produkt ist nicht verfügbar
STB1060TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 60V D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
STB1060TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 60V; 10A; D2PAK; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Load current: 10A
Max. forward voltage: 0.59V
Max. off-state voltage: 60V
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 150A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STB1081L3
auf Bestellung 8900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB1081SL3GRochester Electronics, LLCDescription: IGBT D2PAK 350V SPECIAL
auf Bestellung 6450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB1081TF4GRochester Electronics, LLCDescription: IGBT D2PAK 350V SPECIAL
auf Bestellung 15286 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB10LN80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB10LN80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB10LN80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB10LN80K5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ 8 A MDmesh K5 Power MOSFET
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 490-504 Tag (e)
7+7.72 EUR
10+ 6.97 EUR
100+ 5.69 EUR
250+ 5.67 EUR
500+ 4.94 EUR
1000+ 4.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7
STB10LN80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB10LN80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB10N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB10N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A
auf Bestellung 854 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
12+4.55 EUR
14+ 3.77 EUR
100+ 3.02 EUR
250+ 2.96 EUR
500+ 2.54 EUR
1000+ 2.16 EUR
2000+ 2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 12
STB10N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB10N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB10N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB10N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.52 EUR
10+ 3.75 EUR
100+ 2.98 EUR
500+ 2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 6
STB10N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB10N65K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB10N95K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB10N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 8 A, 0.65 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STB10N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB10N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB10N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB10N95K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB10N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 8 A, 0.65 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STB10N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB10N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB10N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB10N95K5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 950 V, 0.65 Ohm typ 8 A MDmesh K5 Power MOSFET
auf Bestellung 5846 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+8.22 EUR
10+ 6.92 EUR
25+ 6.53 EUR
100+ 5.59 EUR
250+ 5.28 EUR
500+ 4.99 EUR
1000+ 3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7
STB10NA40STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB10NA40ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB10NB20ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB10NB20STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB10NB20T4
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB10NB50STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB10NB50ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB10NB50T4STTO-263
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB10NB50T4STMicroelectronicsMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
STB10NC50STTO-263
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB10NC50-01
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB10NC50-1STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB10NK60ZSTTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB10NK60ZST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB10NK60Z-1STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
Produkt ist nicht verfügbar
STB10NK60Z-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB10NK60Z-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STB10NK60Z-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STB10NK60Z-1STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB10NK60Z-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STB10NK60ZT
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB10NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB10NK60ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A; 115W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Produkt ist nicht verfügbar
STB10NK60ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
auf Bestellung 2689 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+8.55 EUR
10+ 7.17 EUR
100+ 5.8 EUR
500+ 5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STB10NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB10NK60ZT4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 597 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+8.61 EUR
10+ 7.2 EUR
25+ 7.15 EUR
100+ 5.82 EUR
250+ 5.8 EUR
500+ 5.2 EUR
1000+ 4.42 EUR
Mindestbestellmenge: 7
STB10NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+2.54 EUR
100+ 2.34 EUR
250+ 2.16 EUR
500+ 2 EUR
1000+ 1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 62
STB10NK60ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB10NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 0.65 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 1352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STB10NK60ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+4.41 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
STB10NK60ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A; 115W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STB1109-100
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB1109-101
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB1109-120
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB1109-121
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB1109-150
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB1109-180
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB1109-220
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB1109-221
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB1109-270
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB1109-271
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB1109-2R5
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB1109-330
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB1109-390
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB1109-470
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB1109-560
auf Bestellung 300 Stücke:
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STB1109-5R6
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STB1109-680
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STB1109-681
auf Bestellung 400 Stücke:
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STB1109-820
auf Bestellung 400 Stücke:
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STB1109-821
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STB110N55F6STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
STB1132ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
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STB1132STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
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STB1132-YAUKSOT-89
auf Bestellung 657 Stücke:
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STB1132YAUKSOT89
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STB1188STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB1188ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB1188-YAUKSOT89
auf Bestellung 10000 Stücke:
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STB1188LDM
auf Bestellung 26900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB1188YAUK07+ SOT89
auf Bestellung 1000 Stücke:
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STB11K50Z-TR
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB11N52K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 525V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB11N52K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 525V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB11N52K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 525V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
auf Bestellung 936 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.31 EUR
10+ 6.56 EUR
100+ 5.38 EUR
500+ 4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STB11N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 650V 9A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 100 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+2.63 EUR
2000+ 2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
STB11N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB11N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB11N65M5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 5.6A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STB11N65M5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 5.6A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
STB11N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB11N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 650V 9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 100 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.54 EUR
10+ 4.6 EUR
100+ 3.66 EUR
500+ 3.1 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STB11N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmeshM5 710V
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.59 EUR
12+ 4.65 EUR
100+ 3.69 EUR
250+ 3.54 EUR
500+ 3.09 EUR
1000+ 2.63 EUR
2000+ 2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 10
STB11N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB11NB40STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB11NB40ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB11NB40-1STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB11NB40T4STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB11NB40T4ST
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB11NB40T4STMTO-263
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB11NK40ZSTTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB11NK40ZST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.71 EUR
94+ 1.61 EUR
95+ 1.54 EUR
100+ 1.47 EUR
250+ 1.4 EUR
500+ 1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 92
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsN-канальний ПТ; Udss, В = 400; Id = 9 A; Ptot, Вт = 110; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 930 @ 25; Qg, нКл = 32 @ 10 В; Rds = 550 мОм @ 4,5 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4,5 В @ 100 мкА; D2PAK
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+5.69 EUR
10+ 4.91 EUR
100+ 4.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STB11NK40ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB11NK40ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 4.5 A, 0.49 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
auf Bestellung 2096 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.67A; 110W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 110W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.67A
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 1059 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+1.66 EUR
49+ 1.49 EUR
63+ 1.14 EUR
66+ 1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 44
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 400V 9A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+2.73 EUR
2000+ 2.6 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 400 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 999 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+4.11 EUR
15+ 3.61 EUR
100+ 3.15 EUR
500+ 2.89 EUR
1000+ 2.65 EUR
2000+ 2.6 EUR
5000+ 2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 13
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.58 EUR
2000+ 1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.67A; 110W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 110W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.67A
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1059 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.66 EUR
49+ 1.49 EUR
63+ 1.14 EUR
66+ 1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 44
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.43 EUR
2000+ 1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
STB11NK40ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB11NK40ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 4.5 A, 0.49 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
auf Bestellung 2096 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 400V 9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
auf Bestellung 4196 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.75 EUR
10+ 4.78 EUR
100+ 3.81 EUR
500+ 3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.71 EUR
94+ 1.61 EUR
95+ 1.54 EUR
100+ 1.47 EUR
250+ 1.4 EUR
500+ 1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 92
STB11NK50Z
Produktcode: 115514		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
STB11NK50ZSTTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB11NK50ZST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB11NK50Z-1
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
auf Bestellung 872 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.36 EUR
10+ 6.18 EUR
100+ 5 EUR
500+ 4.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 125W
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.3A
On-state resistance: 0.52Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 413 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.96 EUR
41+ 1.76 EUR
54+ 1.34 EUR
57+ 1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 37
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB11NK50ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB11NK50ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 0.48 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
auf Bestellung 645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB11NK50ZT4STMicroelectronics NVMOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
auf Bestellung 970 Stücke:
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STB11NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB11NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 22 Stücke:
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STB11NK50ZT4
Produktcode: 188607		Transistoren > MOSFET N-CH
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STB11NK50ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 125W
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.3A
On-state resistance: 0.52Ω
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+1.96 EUR
41+ 1.76 EUR
54+ 1.34 EUR
57+ 1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 37
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB11NK50ZT4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 1500 Stücke:
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8+6.55 EUR
10+ 5.93 EUR
100+ 5.1 EUR
250+ 5.07 EUR
500+ 4.52 EUR
1000+ 3.98 EUR
2000+ 3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 8
STB11NK60Z-1
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STB11NM50T4
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STB11NM60STTO-263/D2-PAK
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STB11NM60
Produktcode: 39826		Transistoren > MOSFET N-CH
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STB11NM60ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB11NM60ST
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB11NM60-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
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STB11NM60-1STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB11NM60A-1STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB11NM60FDSTTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB11NM60FD-1STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB11NM60FDT4STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB11NM60FDT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB11NM60FDT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
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STB11NM60FDT4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp
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STB11NM60FDT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
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STB11NM60N
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB11NM60N-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
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STB11NM60N-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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STB11NM60T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB11NM60T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
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STB11NM60T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp
auf Bestellung 986 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+10.27 EUR
10+ 8.63 EUR
25+ 6.99 EUR
250+ 6.21 EUR
500+ 5.3 EUR
1000+ 4.99 EUR
Mindestbestellmenge: 6
STB11NM60T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB11NM60T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB11NM60T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+10.19 EUR
10+ 8.57 EUR
100+ 6.93 EUR
500+ 6.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STB11NM60T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB11NM80ST
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB11NM80STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB11NM80ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB11NM80 Transistor N-Kanal
Produktcode: 46618		Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541290010
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STB11NM80T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+6.87 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
STB11NM80T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 44A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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STB11NM80T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB11NM80T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
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STB11NM80T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 44A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
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STB11NM80T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB11NM80T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STB11NM80T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+6.86 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
STB11NM80T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
auf Bestellung 999 Stücke:
Lieferzeit 105-119 Tag (e)
3+18.46 EUR
10+ 15.81 EUR
25+ 14.33 EUR
100+ 13.18 EUR
250+ 12.4 EUR
500+ 11.62 EUR
1000+ 10.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STB11NM80T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
auf Bestellung 779 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+18.33 EUR
10+ 15.71 EUR
100+ 13.09 EUR
500+ 11.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STB12-0-0TE ConnectivityCable Markers Printable
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
900+0.2 EUR
4800+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 900
STB12-2-2TE ConnectivityTE Connectivity STB12-2-2
Produkt ist nicht verfügbar
STB12-2-2TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON RED
Packaging: Box
Color: Red
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.177" ~ 0.236" (4.50mm ~ 6.00mm)
Legend: 2
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STB12-3-3TE ConnectivityCable Markers Printable
auf Bestellung 22800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9000+0.14 EUR
15000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 9000
STB12-5-5TE ConnectivityTE Connectivity
Produkt ist nicht verfügbar
STB12-6-6TE ConnectivityTE Connectivity
Produkt ist nicht verfügbar
STB12-7-7TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON VIOLET
Packaging: Box
Color: Violet
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.177" ~ 0.236" (4.50mm ~ 6.00mm)
Legend: 7
Produkt ist nicht verfügbar
STB12-7-7TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB12-7-7
auf Bestellung 744 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
108+0.48 EUR
142+ 0.37 EUR
191+ 0.27 EUR
600+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 108
STB12-BLANK-7TE ConnectivityWire Labels & Markers STB12-BLANK-7
Produkt ist nicht verfügbar
STB120N10F4STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
auf Bestellung 607 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
STB120N10F4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
STB120N10F4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB120N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB120N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB120N4F6STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 320A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
STB120N4F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
STB120N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB120N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB120N4F6STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 320A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STB120N4F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 944 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.59 EUR
10+ 4.64 EUR
100+ 3.7 EUR
500+ 3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STB120N4F6STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 40V 4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE
auf Bestellung 1804 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.64 EUR
15+ 3.67 EUR
100+ 3.17 EUR
250+ 3.15 EUR
500+ 2.89 EUR
1000+ 2.54 EUR
2000+ 2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 10
STB120N4LF6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 615 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+6.4 EUR
10+ 5.31 EUR
100+ 4.23 EUR
500+ 3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STB120N4LF6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB120N4LF6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB120N4LF6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
STB120N4LF6STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 40V 3.1 Ohm STripFET VI DeepGATE
auf Bestellung 1087 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+7.07 EUR
10+ 6.4 EUR
100+ 5.12 EUR
500+ 4.24 EUR
1000+ 3.3 EUR
2000+ 3.25 EUR
5000+ 3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 8
STB120N4LF6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB120N4LF6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB120NF10ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB120NF10STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB120NF10ST09+
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB120NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 898 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.07 EUR
27+ 5.7 EUR
29+ 5.14 EUR
100+ 4.2 EUR
250+ 3.78 EUR
500+ 3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 23
STB120NF10T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 77A; 312W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMesh™
On-state resistance: 10.5mΩ
Drain current: 77A
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 312W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STB120NF10T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 100 Volt 120Amp
auf Bestellung 722 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+11.13 EUR
10+ 9.33 EUR
100+ 7.57 EUR
500+ 6.73 EUR
1000+ 5.75 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STB120NF10T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
auf Bestellung 25229 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+11.02 EUR
10+ 9.26 EUR
100+ 7.49 EUR
500+ 6.66 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STB120NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB120NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 898 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.07 EUR
27+ 5.43 EUR
100+ 4.2 EUR
250+ 4 EUR
500+ 2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 23
STB120NF10T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+5.7 EUR
2000+ 5.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
STB120NF10T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 77A; 312W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMesh™
On-state resistance: 10.5mΩ
Drain current: 77A
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 312W
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STB120NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB120NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB120NH03
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB120NH03LST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB120NH03LSTTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB120NH03LT4STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB12100SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 660pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 100 V
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STB12100TRSMC DIODE SOLUTIONSSTB12100TR-SMC SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
STB12100TRSMC Diode Solutions LLCDescription: DIODE SCHOTTKY 100V 12A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
STB1277STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB1277ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB1277-Y
auf Bestellung 5750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB1277LSTTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB1277LST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB1277L-Y
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB1277LY
auf Bestellung 2510 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB1277LY-AT
auf Bestellung 5750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB12N120K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB12N60DM2AGSTMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
STB12N60DM2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB12N60DM2AGSTMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
Produkt ist nicht verfügbar
STB12NK50ZT4 Transistor
Produktcode: 92403		Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
STB12NK80ZST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB12NK80ZSTTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB12NK80Z-
auf Bestellung 70499 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB12NK80Z-1
auf Bestellung 70499 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB12NK80Z-SSTTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB12NK80Z-SST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB12NK80ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB12NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.25 A, 0.65 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 190W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.65ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STB12NK80ZT4
Produktcode: 131646		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
STB12NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB12NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+5.96 EUR
31+ 4.97 EUR
34+ 4.32 EUR
100+ 3.65 EUR
250+ 3.42 EUR
500+ 2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 27
STB12NK80ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
auf Bestellung 1247 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+11.83 EUR
10+ 9.94 EUR
100+ 8.04 EUR
500+ 7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STB12NK80ZT4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 717-731 Tag (e)
5+11.91 EUR
10+ 10.01 EUR
25+ 9.65 EUR
100+ 7.8 EUR
500+ 7.2 EUR
1000+ 5.8 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STB12NK80ZT4STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB12NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB12NK80ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+6.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
STB12NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB12NK80ZT4ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB12NM50ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB12NM50STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB12NM50-1ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB12NM50-1STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB12NM50-T4ST
auf Bestellung 3574 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB12NM50FDST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB12NM50FDSTTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB12NM50FD-1ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB12NM50FD-1STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB12NM50FDT4STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB12NM50FDT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB12NM50FDT4ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB12NM50FDT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB12NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB12NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB12NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB12NM50N
auf Bestellung 3080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB12NM50NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB12NM50ND
Produktcode: 129325		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
STB12NM50NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB12NM50NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 347 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+3.61 EUR
47+ 3.23 EUR
100+ 2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 44
STB12NM50NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 500 V 11 A Fdmesh
Produkt ist nicht verfügbar
STB12NM50NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB12NM50NT4STMicroelectronicsMOSFET N-CHANNEL MOSFET
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STB12NM50T4STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB12NM50T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500 Volt 12 Amp
auf Bestellung 871 Stücke:
Lieferzeit 105-119 Tag (e)
5+10.76 EUR
10+ 9.05 EUR
100+ 7.33 EUR
500+ 6.5 EUR
1000+ 5.69 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STB12NM50T4ST
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB12NM50T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB12NM50T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB12NM50T4ST09+ SPQ 1K P
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB12NM50T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB12NM50T4STMicroelectronics
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB12NM50T4ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB12NM50T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB12NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB12NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB12NM60N
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB12NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB12NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N ch 600V 0.005 Ohm 10A Pwr MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
STB12NM60N-1STMicroelectronicsMOSFET N Ch 1500V 2.5A Hi Vltg Pwr MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
STB12NM60N-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB13005STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB13005ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB13005-1ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB13005-1STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 4A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 1905 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
11+2.52 EUR
13+ 2.06 EUR
100+ 1.6 EUR
500+ 1.36 EUR
1000+ 1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 11
STB13005-1STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB13007DT4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB13007DT4
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB13007DT4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB13007DT4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
auf Bestellung 8727 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
9+3.02 EUR
11+ 2.47 EUR
100+ 1.92 EUR
500+ 1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 9
STB13007DT4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB13007DT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB13007DT4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 18hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 517 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STB13007DT4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STB13007DT4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN power transistor
auf Bestellung 5621 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
18+3.04 EUR
21+ 2.49 EUR
100+ 1.94 EUR
500+ 1.64 EUR
1000+ 1.34 EUR
2000+ 1.26 EUR
5000+ 1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 18
STB13007DT4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+1.33 EUR
2000+ 1.25 EUR
5000+ 1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
STB130N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB130N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB130N6F7STMicroelectronicsMOSFET N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ 80 A STripFET F7 Power MOSFET in D2PAK package
auf Bestellung 1018 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.64 EUR
11+ 5.1 EUR
25+ 4.78 EUR
100+ 4.08 EUR
500+ 3.35 EUR
1000+ 2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 10
STB130N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB130N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB130N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB130N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB130NH02LSTTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB130NH02LST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB130NH02LT4STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB130NH02LT4ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB130NS04ZBST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB130NS04ZBSTTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB130NS04ZB-1STMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade N-channel clamped 7 mOhm, 80 A fully protected Mesh Overlay Power MOSFET in a I2PAK package
Produkt ist nicht verfügbar
STB130NS04ZB-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 33V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STB130NS04ZBT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 33V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): Clamped
Drain to Source Voltage (Vdss): 33 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB130NS04ZBT4ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB130NS04ZBT4STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB135N10STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB135N10ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB13N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB13N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
auf Bestellung 1937 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STB13N60M2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+2.25 EUR
36+ 1.99 EUR
41+ 1.76 EUR
44+ 1.66 EUR
200+ 1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 32
STB13N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB13N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB13N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+2.56 EUR
2000+ 2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
STB13N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.43 EUR
12+ 4.52 EUR
100+ 3.61 EUR
250+ 3.46 EUR
500+ 3.02 EUR
1000+ 2.56 EUR
2000+ 2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 10
STB13N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB13N60M2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 874 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.25 EUR
36+ 1.99 EUR
41+ 1.76 EUR
44+ 1.66 EUR
200+ 1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 32
STB13N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB13N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
auf Bestellung 1937 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STB13N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
auf Bestellung 6170 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.41 EUR
10+ 4.48 EUR
100+ 3.57 EUR
500+ 3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STB13N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB13N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+10.5 EUR
10+ 8.83 EUR
100+ 7.14 EUR
500+ 6.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STB13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB13N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 0.37Ohm 12A MDmesh K5
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+10.58 EUR
10+ 8.89 EUR
25+ 8.42 EUR
100+ 7.2 EUR
250+ 6.79 EUR
500+ 6.4 EUR
1000+ 5.33 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STB13N80K5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.6A; 190W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STB13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB13N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB13N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.37 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 190
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.37
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STB13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB13N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+5.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
STB13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB13N80K5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.6A; 190W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Produkt ist nicht verfügbar
STB13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB13N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB13N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.37 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 190
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.37
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STB13NK60STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB13NK60ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB13NK60ZST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB13NK60ZSTTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB13NK60Z-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STB13NK60Z-1STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.2A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Produkt ist nicht verfügbar
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 10085 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+3.83 EUR
44+ 3.5 EUR
100+ 3.16 EUR
500+ 2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 41
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 10085 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+3.83 EUR
44+ 3.5 EUR
100+ 3.16 EUR
500+ 2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 41
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 13 Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 739 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+9.93 EUR
10+ 8.37 EUR
25+ 7.9 EUR
100+ 6.76 EUR
250+ 6.4 EUR
500+ 6.03 EUR
1000+ 5.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.2A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+2.82 EUR
57+ 2.68 EUR
58+ 2.54 EUR
Mindestbestellmenge: 56
STB13NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB13NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N Ch 600V 6A Hyper fast IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
STB13NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB13NM50N-1STMicroelectronicsMOSFET N Ch 600V 6A Hyper fast IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
STB13NM50N-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 12A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB13NM60NSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.93A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
STB13NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB13NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STB13NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB13NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.09 EUR
2000+ 2.98 EUR
3000+ 2.87 EUR
4000+ 2.76 EUR
5000+ 2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
STB13NM60NSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.93A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STB13NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB13NM60NSTMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
STB13NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.66 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
STB13NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB13NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
auf Bestellung 959 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+11.83 EUR
10+ 9.94 EUR
100+ 8.04 EUR
500+ 7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STB140N4F6STMicroelectronicsMOSFET 40V 0.0036 OHM
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STB140NF55ST07+ TO-263/D2-PAK
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STB140NF55STTO-263/D2-PAK
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STB140NF55T
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STB140NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB140NF55T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
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4+8.29 EUR
10+ 6.96 EUR
100+ 5.63 EUR
500+ 5 EUR
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STB140NF55T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp
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8+6.55 EUR
10+ 5.8 EUR
25+ 5.77 EUR
100+ 5.1 EUR
250+ 5.07 EUR
500+ 4.76 EUR
1000+ 4.11 EUR
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STB140NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB140NF55T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
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1000+4.28 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
STB140NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB140NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB140NF55T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 55V; 80A; Idm: 320A
Mounting: SMD
Gate charge: 142nC
Technology: STripFET™ II
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 320A
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 300W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 8mΩ
Drain current: 80A
Drain-source voltage: 55V
Case: D2PAK
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STB140NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB140NF55T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 55V; 80A; Idm: 320A
Mounting: SMD
Gate charge: 142nC
Technology: STripFET™ II
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 320A
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 300W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 8mΩ
Drain current: 80A
Drain-source voltage: 55V
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STB140NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB140NF75STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
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STB140NF75ST07+ TO-263/D2-PAK
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STB140NF75-1STTO-263/D2-PAK
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STB140NF75-1ST07+ TO-263/D2-PAK
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STB140NF75T
auf Bestellung 49000 Stücke:
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STB140NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB140NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.21 EUR
28+ 5.39 EUR
29+ 5.1 EUR
100+ 4.12 EUR
250+ 3.74 EUR
500+ 3.1 EUR
Mindestbestellmenge: 26
STB140NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.21 EUR
28+ 5.39 EUR
29+ 5.1 EUR
100+ 4.12 EUR
250+ 3.74 EUR
500+ 3.1 EUR
Mindestbestellmenge: 26
STB140NF75T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 310W; D2PAK
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 310W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 6.5mΩ
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 75V
Case: D2PAK
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+2.73 EUR
29+ 2.49 EUR
36+ 2.03 EUR
38+ 1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 27
STB140NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
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STB140NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
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1000+3.49 EUR
2000+ 3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
STB140NF75T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
auf Bestellung 2644 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+8.89 EUR
10+ 7.47 EUR
100+ 6.04 EUR
500+ 5.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STB140NF75T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 310W; D2PAK
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 310W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 6.5mΩ
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 75V
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.73 EUR
29+ 2.49 EUR
36+ 2.03 EUR
38+ 1.92 EUR
250+ 1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 27
STB140NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STB140NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
STB140NF75T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB140NF75T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0075 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STB140NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
STB140NF75T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 75 Volt 120 Amp
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+8.97 EUR
10+ 7.51 EUR
100+ 6.08 EUR
500+ 5.41 EUR
1000+ 4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 6
STB140NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
STB140NF75T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+4.6 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
STB140NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB141NF55STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB141NF55STMicroelectronicsMOSFET N-Ch, 55V-0.0065ohms 80A
Produkt ist nicht verfügbar
STB141NF55STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB141NF55STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB141NF55-1
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB141NF55-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB14N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 445mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB14N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB14N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 445mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+9.2 EUR
10+ 7.73 EUR
100+ 6.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STB14N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB14N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ 12 A MDmesh K5 Power MOSFET
auf Bestellung 768 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+8.09 EUR
10+ 6.79 EUR
25+ 6.4 EUR
100+ 5.49 EUR
250+ 5.17 EUR
500+ 4.89 EUR
1000+ 4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 7
STB14NF10STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB14NF10ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB14NF10T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 100 Volt 15 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
STB14NK50Z-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 14A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
STB14NK50Z-1STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB14NK50Z-1ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB14NK50ZT4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 6644 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+4.99 EUR
Mindestbestellmenge: 11
STB14NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB14NK50ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB14NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB14NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STB14NK50ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; Idm: 48A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Produkt ist nicht verfügbar
STB14NK50ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB14NK50ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; Idm: 48A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STB14NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB14NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STB14NK60STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB14NK60ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB14NK60ZSTTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB14NK60ZST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB14NK60Z-1STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB14NK60Z-1ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB14NK60ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STB14NK60ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+5.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
STB14NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB14NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB14NK60ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Produkt ist nicht verfügbar
STB14NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB14NK60ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+10.61 EUR
10+ 8.91 EUR
100+ 7.21 EUR
500+ 6.41 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STB14NK60ZT4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 13.5 A Zener SuperMESH
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+10.69 EUR
10+ 9 EUR
100+ 7.28 EUR
500+ 6.45 EUR
1000+ 5.49 EUR
2000+ 5.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STB14NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB14NM50NSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 12A; Idm: 48A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
STB14NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 934 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+2.06 EUR
77+ 1.96 EUR
79+ 1.85 EUR
100+ 1.75 EUR
250+ 1.66 EUR
500+ 1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 76
STB14NM50NSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 12A; Idm: 48A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STB14NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 50 V
auf Bestellung 1455 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+9.33 EUR
10+ 7.83 EUR
100+ 6.34 EUR
500+ 5.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STB14NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB14NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II
auf Bestellung 893 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+9.41 EUR
10+ 7.9 EUR
25+ 7.88 EUR
100+ 6.4 EUR
500+ 5.8 EUR
1000+ 4.84 EUR
2000+ 4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 6
STB14NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
STB14NM50N
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB14NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB14NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB14NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 50 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
STB14NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB14NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB14NM65NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB14NM65NSTMicroelectronicsMOSFET N-Channel 650V 0.33 Ohms 12A
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STB15-3-3TE ConnectivitySnap-On Marker STB/STD Size 15 with Applicator
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
435+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 435
STB15-3-3TE ConnectivityTE Connectivity
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STB15-5-5TE ConnectivityTE Connectivity
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STB15-5-5TE ConnectivityCable Markers Printable
auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+0.56 EUR
1100+ 0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 278
STB15-BLANK-2TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON RED
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STB15-BLANK-3TE ConnectivityCable Markers Pre-Marked Snap On
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STB15-BLANK-5TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON GREEN
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STB15-BLANK-6TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON BLUE
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STB150N3LH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 30V 80A D2PAK
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.44 EUR
10+ 6.68 EUR
100+ 5.37 EUR
500+ 4.41 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STB150N3LH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 30V 80A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
STB150N3LH6STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 30V 2.4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE
Produkt ist nicht verfügbar
STB150NF04STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB150NF04STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB150NF55STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB150NF55ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB150NF55T
auf Bestellung 6900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB150NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB150NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB150NF55T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 55 Volt 120 Amp
auf Bestellung 838 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+9 EUR
10+ 7.57 EUR
25+ 7.12 EUR
100+ 6.11 EUR
250+ 5.77 EUR
500+ 5.43 EUR
1000+ 4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 6
STB150NF55T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
auf Bestellung 954 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+8.94 EUR
10+ 7.5 EUR
100+ 6.07 EUR
500+ 5.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STB150NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB150NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB150NF55T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB151-78Carling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE SPST-NO 15A 125V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 15A (AC)
Mounting Type: Panel Mount
Circuit: SPST-NO
Switch Function: Off-Mom
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Illumination: Non-Illuminated
Actuator Length: 17.45mm
Actuator Type: Standard Round
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia
Part Status: Active
Voltage Rating - AC: 125 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB15100SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 686pF @ 5V, 1MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2.16 EUR
15+ 1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 13
STB15100SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 686pF @ 5V, 1MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB15100CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTT 100V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB15100CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
STB15100CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 100V; 15A; D2PAK; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 15A
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 120A
Max. forward voltage: 0.7V
Produkt ist nicht verfügbar
STB15100CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 100V; 15A; D2PAK; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 15A
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 120A
Max. forward voltage: 0.7V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STB15100TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
STB15100TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 100V; 15A; D2PAK; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 15A
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 200A
Max. forward voltage: 0.68V
Produkt ist nicht verfügbar
STB15100TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 100V; 15A; D2PAK; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 15A
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 200A
Max. forward voltage: 0.68V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STB15100TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB15150SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 150V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.36 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 150 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB15150SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 150V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.36 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 150 V
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
12+2.21 EUR
15+ 1.83 EUR
100+ 1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 12
STB151508Hoffman Enclosures, Inc.Description: IP66 TERM BOX 150X150X80MM
Packaging: Box
Color: Light Gray
Size / Dimension: 5.906" L x 5.906" W (150.00mm x 150.00mm)
Material: Metal, Steel
Height: 3.150" (80.00mm)
Design: Cover Included
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13
Container Type: Enclosure
Area (L x W): 35in² (225cm²)
Part Status: Active
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+203.29 EUR
5+ 189.75 EUR
10+ 186.36 EUR
STB15150CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 150V; 15A; D2PAK; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 15A
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 130A
Max. forward voltage: 0.75V
Produkt ist nicht verfügbar
STB15150CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 150V; 15A; D2PAK; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 15A
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 130A
Max. forward voltage: 0.75V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STB15150TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 150V; 15A; D2PAK; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 15A
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 200A
Max. forward voltage: 0.79V
Produkt ist nicht verfügbar
STB15150TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 150V; 15A; D2PAK; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 15A
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 200A
Max. forward voltage: 0.79V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STB15150TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 150V D2PAK
auf Bestellung 517 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB15150TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 150V D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
STB151512Hoffman Enclosures, Inc.Description: IP66 TERM BOX 150X150X120MM
Packaging: Box
Color: Light Gray
Size / Dimension: 5.906" L x 5.906" W (150.00mm x 150.00mm)
Material: Metal, Steel
Height: 4.724" (120.00mm)
Design: Cover Included
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13
Container Type: Enclosure
Area (L x W): 35in² (225cm²)
Part Status: Active
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+223.13 EUR
STB15200SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 200V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 200 V
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2.16 EUR
15+ 1.77 EUR
100+ 1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 13
STB15200SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 200V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB15200CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 200V; 15A; D2PAK; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 15A
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 130A
Max. forward voltage: 0.73V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STB15200CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 200V; 15A; D2PAK; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 15A
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 130A
Max. forward voltage: 0.73V
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STB15200TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 200V; 15A; D2PAK; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 15A
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 200A
Max. forward voltage: 0.72V
Produkt ist nicht verfügbar
STB15200TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 200V; 15A; D2PAK; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 15A
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 200A
Max. forward voltage: 0.72V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STB155N3H6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB155N3H6STMicroelectronicsMOSFET N-channel 30 V, 2.5 mOhm, 80 A, D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
STB155N3H6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB155N3LH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB155N3LH6STMicroelectronicsMOSFET N-channel 30V 0.0024 Ohm, 80 A, D2PAK
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 378-392 Tag (e)
7+7.51 EUR
10+ 6.79 EUR
25+ 6.4 EUR
100+ 5.46 EUR
Mindestbestellmenge: 7
STB155N3LH6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB155N3LH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB1560SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 60V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.2 mA @ 60 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB1560SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 60V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.2 mA @ 60 V
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2.16 EUR
15+ 1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 13
STB1560CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 60V; 15A; D2PAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 15A
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 130A
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 0.63V
Produkt ist nicht verfügbar
STB1560CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 60V; 15A; D2PAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 15A
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 130A
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 0.63V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STB1560TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 60V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 712pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.2 mA @ 60 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
20+1.33 EUR
21+ 1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 20
STB1560TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 60V; 15A; D2PAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 170A
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 0.65V
Produkt ist nicht verfügbar
STB1560TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 60V; 15A; D2PAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 170A
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 0.65V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STB15810STMicroelectronicsDescription: N-channel 800 V, 0.300 Ohm typ.,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8115 pF @ 50 V
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
STB15810STMicroelectronicsMOSFET D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
STB15N25STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB15N25ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB15N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB15N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STB15N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB15N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB15N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 650V 0.308 Ohm 11A MDmesh M5
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
STB15N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STB15N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB15N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 800V 0.3Ohm typ MDmesh K5 14A
auf Bestellung 848 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+13.13 EUR
10+ 11.02 EUR
100+ 8.92 EUR
500+ 7.93 EUR
1000+ 6.66 EUR
2000+ 6.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STB15N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 800V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB15N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STB15N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB15N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB15N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 800V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
auf Bestellung 932 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+12.77 EUR
10+ 10.73 EUR
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500+ 7.72 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STB15N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB15NK50ZSTTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB15NK50ZST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB15NK50Z-1STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB15NK50ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 25 V
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STB15NK50ZT4STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
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STB15NK60Z-1
auf Bestellung 8000 Stücke:
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STB15NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB15NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
STB15NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK
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STB15NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N Ch 600V 0.270 ohm 14A
Produkt ist nicht verfügbar
STB15NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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31+5.2 EUR
32+ 4.86 EUR
33+ 4.5 EUR
50+ 4.12 EUR
100+ 3.84 EUR
250+ 3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 31
STB15NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB15NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK
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STB15NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600V, 14A FDMesh II
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STB15NM60NDSTD2PAK 10+
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB15NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB15NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
STB15NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB15NM65NSTMicroelectronicsMOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
STB15NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB160N75F3STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; Idm: 480A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STB160N75F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB160N75F3STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; Idm: 480A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
STB160N75F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB160N75F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB160N75F3STMicroelectronicsMOSFET 75V 3.5mOhm N-Channel
auf Bestellung 1989 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+11.86 EUR
10+ 9.96 EUR
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100+ 8.06 EUR
250+ 7.62 EUR
500+ 7.15 EUR
1000+ 5.75 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STB160N75F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 25 V
auf Bestellung 934 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+11.75 EUR
10+ 9.87 EUR
100+ 7.99 EUR
500+ 7.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STB160N75F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB160N75F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB160NF02LSTTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB160NF02LST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB160NF03LSTTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB160NF03LST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB160NF3LLST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB160NF3LLSTTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB160NF3LLT4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 30 Volt 160 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
STB160NF3LLT4ST00+
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB160NF3LLT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK
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STB160NF3LLT4STTO-263
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB16N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB16N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB16N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB16N90K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB16N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STB16N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027 pF @ 100 V
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB16N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB16N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB16N90K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB16N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STB16N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027 pF @ 100 V
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+13.83 EUR
10+ 11.62 EUR
100+ 9.4 EUR
500+ 8.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STB16N90K5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 900 V, 280 mOhm typ 15 A MDmesh K5 Power MOSFET
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+12.43 EUR
10+ 11.23 EUR
25+ 10.56 EUR
100+ 9.49 EUR
250+ 8.94 EUR
500+ 8.48 EUR
1000+ 7.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STB16NB25STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB16NB25ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB16NB25T4STMTO-263
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB16NB25T4STM07+ TO-263
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB16NF06LSTTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB16NF06LST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB16NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB16NF06LT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 45W; D2PAK
Power dissipation: 45W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain current: 11A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 90mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.43 EUR
51+ 1.4 EUR
70+ 1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 50
STB16NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
STB16NF06LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 16A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB16NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB16NF06LT4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 60 Volt 16 Amp
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 378-392 Tag (e)
13+4.11 EUR
15+ 3.69 EUR
100+ 2.89 EUR
500+ 2.37 EUR
1000+ 1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 13
STB16NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB16NF06LT4STTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 16V; 100mOhm; 16A; 45W; -55°C ~ 175°C; STB16NF06LT4 STB16NF06L TSTB16NF06L
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 25
STB16NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
STB16NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STB16NF06LT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 45W; D2PAK
Power dissipation: 45W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain current: 11A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 90mΩ
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+1.43 EUR
51+ 1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 50
STB16NF06LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 16A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
auf Bestellung 1151 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.9 EUR
10+ 3.18 EUR
100+ 2.48 EUR
500+ 2.1 EUR
Mindestbestellmenge: 7
STB16NF25STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB16NK60Z
auf Bestellung 49000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB16NK60Z-SSTMicroelectronicsMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
STB16NK60Z-SSTTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB16NK60Z-SST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB16NK65Z
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB16NK65Z-SSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 13A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB16NK65Z-SSTTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB16NK65Z-SST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB16NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
STB16NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
STB16NS25STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB16NS25ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB16NS25T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 250V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB16NS25T4
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB16NS25T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 250 Volt 16 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
STB16NS25T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 250V 16A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB16PF06LSTTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB16PF06LST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB16PF06LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 60V 16A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB16PF06LT4STMicroelectronicsMOSFET P-Ch 60 Volt 16 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
STB16PF06LT4
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
STB16PF06LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 60V 16A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB16PF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB16PF06LT4STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB17-5-5TE ConnectivityCable Markers Pre-Marked Snap On
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
404+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 404
STB17-BLANK-5TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON GREEN
Produkt ist nicht verfügbar
STB170NF04STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB170NF04STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB170NF04STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB170NF04STMicroelectronicsMOSFET N-CH 40V STripFET 80A
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+8.58 EUR
10+ 7.23 EUR
25+ 7.18 EUR
100+ 5.82 EUR
250+ 5.8 EUR
500+ 5.36 EUR
1000+ 3.74 EUR
Mindestbestellmenge: 7
STB170NF04STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+8.63 EUR
10+ 7.26 EUR
100+ 5.87 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STB17N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 866 pF @ 100 V
auf Bestellung 531 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+10.63 EUR
10+ 8.93 EUR
100+ 7.22 EUR
500+ 6.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STB17N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB17N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 800 V, 0.29 Ohm typ 14 A MDmesh K5 Power MOSFET
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+10.71 EUR
10+ 9 EUR
25+ 8.71 EUR
100+ 7.28 EUR
250+ 7.07 EUR
500+ 6.47 EUR
1000+ 5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STB17N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 866 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB17N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB180N55ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB180N55STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB180N55F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB180N55F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
auf Bestellung 2169 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+15.34 EUR
10+ 13.78 EUR
100+ 11.29 EUR
500+ 9.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STB180N55F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3 EUR
Mindestbestellmenge: 53
STB180N55F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
STB185N55F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
STB185N55F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB185N55F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
STB18N20ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB18N20STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB18N55M5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 550V 0.8 Ohm MDmesh M5 13A
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
STB18N55M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 16A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB18N55M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 550V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB18N55M5
Produktcode: 89166		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
STB18N55M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 16A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB18N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB18N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+3 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
STB18N60DM2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB18N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.26 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 1901 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STB18N60DM2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.295Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STB18N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB18N60DM2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.295Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Produkt ist nicht verfügbar
STB18N60DM2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET
auf Bestellung 1994 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+6.37 EUR
10+ 5.3 EUR
100+ 4.21 EUR
250+ 3.9 EUR
500+ 3.54 EUR
1000+ 2.99 EUR
2000+ 2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 9
STB18N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB18N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB18N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V
auf Bestellung 1785 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+6.32 EUR
10+ 5.25 EUR
100+ 4.17 EUR
500+ 3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STB18N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 791 pF @ 100 V
auf Bestellung 2776 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.69 EUR
10+ 4.72 EUR
100+ 3.76 EUR
500+ 3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STB18N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
auf Bestellung 703 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+6.08 EUR
11+ 5.07 EUR
100+ 4.03 EUR
250+ 3.72 EUR
500+ 3.41 EUR
1000+ 2.7 EUR
2000+ 2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 9
STB18N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB18N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 791 pF @ 100 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+2.7 EUR
2000+ 2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
STB18N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB18N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB18N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB18N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB18N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB18N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB18N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB18N60M6STMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 230 mOhm typ 13 A MDmesh M6 Power MOSFET
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 1015-1029 Tag (e)
9+6.29 EUR
10+ 5.23 EUR
100+ 4.16 EUR
250+ 3.85 EUR
500+ 3.48 EUR
1000+ 2.96 EUR
2000+ 2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 9
STB18N65M5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 60A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
STB18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+4.84 EUR
36+ 4.21 EUR
38+ 3.85 EUR
100+ 3.21 EUR
250+ 3.05 EUR
500+ 2.53 EUR
1000+ 2.1 EUR
Mindestbestellmenge: 33
STB18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB18N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.66 EUR
10+ 5.59 EUR
100+ 4.52 EUR
500+ 4 EUR
1000+ 3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 8
STB18N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+6.45 EUR
10+ 5.42 EUR
100+ 4.39 EUR
500+ 3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STB18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+4.84 EUR
36+ 4.21 EUR
38+ 3.85 EUR
100+ 3.21 EUR
250+ 3.05 EUR
500+ 2.53 EUR
1000+ 2.1 EUR
Mindestbestellmenge: 33
STB18N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+3.34 EUR
2000+ 3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
STB18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB18N65M5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 60A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STB18NF25STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 250V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
STB18NF25STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
STB18NF25STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB18NF25STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
STB18NF25STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.48 EUR
69+ 2.18 EUR
100+ 1.72 EUR
200+ 1.54 EUR
500+ 1.48 EUR
1000+ 1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 63
STB18NF25STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB18NF25STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 250V; 12A; Idm: 68A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29.3nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STB18NF25STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 250V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1907 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+4.24 EUR
10+ 3.52 EUR
100+ 2.8 EUR
500+ 2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 7
STB18NF25STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 250V; 12A; Idm: 68A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29.3nC
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
STB18NF25STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB18NF25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.14 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STB18NF25STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB18NF25STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 250 V .14 ohm 17A STripFET II
auf Bestellung 6906 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+4.26 EUR
15+ 3.56 EUR
100+ 2.83 EUR
250+ 2.7 EUR
500+ 2.36 EUR
1000+ 2.02 EUR
2000+ 1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 13
STB18NF30STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 330V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 330 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
STB18NF30STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 330V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB18NF30STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 330V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB18NF30STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 330V 18A MOS STripFET II D2PAK
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 287-301 Tag (e)
8+6.5 EUR
10+ 5.85 EUR
100+ 4.71 EUR
500+ 3.87 EUR
1000+ 3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 8
STB18NF30STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 330V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB18NF30STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 330V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB18NF30STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 330V 18A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 330 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 311 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+6.16 EUR
10+ 5.12 EUR
100+ 4.07 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STB18NM60N
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB18NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB18NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB18NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB18NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB18NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 0.25Ohm 13A FDmesh II
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STB18NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB18NM60NDSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.19A; Idm: 52A; 130W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.19A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
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STB18NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB18NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB18NM60NDSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.19A; Idm: 52A; 130W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.19A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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STB18NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB18NM80STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V
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STB18NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB18NM80STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB18NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 1067 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STB18NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB18NM80STMicroelectronicsMOSFET N-channel 800 V MDMesh
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+10.95 EUR
10+ 9.18 EUR
25+ 8.68 EUR
100+ 7.44 EUR
250+ 7.02 EUR
500+ 6.6 EUR
1000+ 5.67 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STB18NM80STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V
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STB18NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB190NF04ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB190NF04STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB190NF04/-1STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB190NF04/-1ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB190NF04T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 40 Volt 190 Amp
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STB190NF04T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
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STB19NB20STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB19NB20ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB19NB20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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STB19NB20STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 200 Volt 19 Amp
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STB19NB20-1STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB19NB20-1ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB19NB20-TR
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB19NB20T4STMTO-263
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB19NB20T4STMicroelectronicsMOSFET
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STB19NB20T4STM07+ TO-263
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB19NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB19NF20STMicroelectronicsMOSFET 200V 0.15Ohm 15A N-Channel
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.8 EUR
17+ 3.15 EUR
100+ 2.51 EUR
500+ 2.06 EUR
1000+ 1.76 EUR
2000+ 1.67 EUR
5000+ 1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 14
STB19NF20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
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STB19NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB19NF20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
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STB19NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB19NF20STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.45A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.45A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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STB19NF20STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.45A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.45A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STB19NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 15.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB19NM65NSTMicroelectronicsMOSFET N-Channel 650V 0.25 Ohms 15.5A
Produkt ist nicht verfügbar
STB19NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 15.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB1E1-53Carling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE
Produkt ist nicht verfügbar
STB1E1-58Carling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE
Produkt ist nicht verfügbar
STB1E4-53Carling TechnologiesToggle Switches 16A 12/24V (ON)OFF 1P Scrw Cage Clmps
Produkt ist nicht verfügbar
STB1E4-58Carling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE SPST-NO 16A 24V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 16A (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Circuit: SPST-NO
Switch Function: Off-Mom
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Screw Terminal
Illumination: Non-Illuminated
Actuator Length: 14.25mm
Actuator Type: Standard Round
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia
Part Status: Active
Voltage Rating - DC: 24 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB200N4F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
STB200N6F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB200N6F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+14.33 EUR
10+ 12.86 EUR
100+ 10.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STB200N75F4STMicroelectronics.
Produkt ist nicht verfügbar
STB200N75F4STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
STB200NF03STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB200NF03ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB200NF03-1STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB200NF03-1ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB200NF03T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
auf Bestellung 959 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+8.53 EUR
10+ 7.16 EUR
100+ 5.8 EUR
500+ 5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STB200NF03T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB200NF03T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB200NF03T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STB200NF03T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 30 Volt 120 Amp
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+8.16 EUR
10+ 6.86 EUR
25+ 6.47 EUR
100+ 5.56 EUR
250+ 5.25 EUR
500+ 4.94 EUR
1000+ 4.21 EUR
Mindestbestellmenge: 7
STB200NF03T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STB200NF04STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB200NF04ST07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB200NF04-1STMicroelectronicsMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
STB200NF04-1STTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB200NF04-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
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STB200NF04LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
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STB200NF04LSTMicroelectronicsMOSFET N Ch 40V 3mOhm 120A
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STB200NF04LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
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STB200NF04L-1STMicroelectronicsMOSFET N Ch 40V 3mOhm 120A
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STB200NF04L-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
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STB200NF04LT4STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
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STB200NF04T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
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STB200NF04T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB200NF04T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 40 Volt 120 Amp
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STB200NF04T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
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STB200NF04T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STB20100SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
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STB20100SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
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STB20100CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTT 100V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 100 V
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STB20100CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTT 100V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 100 V
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STB20100CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
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STB20100CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 100V; 20A; D2PAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 20A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.7V
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 150A
Produkt ist nicht verfügbar
STB20100CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
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STB20100CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 100V; 20A; D2PAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 20A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.7V
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 150A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STB20100TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 100V; 20A; D2PAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.7V
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 250A
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STB20100TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 100V; 20A; D2PAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.7V
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 250A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STB20100TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB20100TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
STB20150CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 150 V
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