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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRG4BC30KDPBF
Produktcode: 106309
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IR IRG4BC30KDPbF.pdf description Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
Sättigungsspannung Vce, V: 2,21 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 28 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 16 А
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 100 Вт
auf Bestellung 1 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL024ZPbF (Transistor) IRFL024ZPbF (Transistor)
Produktcode: 76176
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IR irfl024zpbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-223
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 5,1 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 57,5 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 340/9,1
Montage: SMD
verfügbar: 114 St.
  • 10 St. - stock Köln
  • 104 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9392PBF IRF9392PBF
Produktcode: 109150
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IR irf9392pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561181011db1 Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2106SPBF IR2106SPBF
Produktcode: 108346
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IR ir2106.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7cfc51673 IC > IC Transistoren-Treiber
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF830S IRF830S
Produktcode: 108365
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IR sihf830s.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR21593
Produktcode: 110166
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IR IR21592%2C93%20%28S%29%20%28PbF%29.pdf IC > IC Netzteile
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4332PBF IRFB4332PBF
Produktcode: 52140
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IR irfb4332pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561633be1e35 Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В
Drain-Strom Idd, A: 42 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 29 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5860/99
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+2.69 EUR
10+2.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRGS4062DPBF
Produktcode: 121697
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IR irgs4062dpbf-datasheet.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-263
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
Sättigungsspannung Vce, V: 1,65 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 48 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 24 А
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 250 Вт
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 40/104
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRS2168DPBF
Produktcode: 121698
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IR irs2168d-datasheet.pdf description
DIP-16
ADVANCED PFC + BALLAST CONTROL
auf Bestellung 43 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP048NPBF IRFP048NPBF
Produktcode: 121696
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IR IRSDS10312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Idd, A: 64 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,016 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1900/89
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7501TR IRF7501TR
Produktcode: 109125
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IR IRF7501.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3410TRLPBF (Transistor) IRLR3410TRLPBF (Transistor)
Produktcode: 89552
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IR irlr3410pbf-223115.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 17 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 800/34
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
verfügbar: 6 St.
    1+16.66 EUR
    10+14.99 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRLMS4502TR IRLMS4502TR
    Produktcode: 106343
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    		IR irlms4502.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7311TRPBF IRF7311TRPBF
    Produktcode: 107584
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    		IR irf7311pbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: SO-8
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
    Drain-Strom Idd, A: 5,3 A
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 900/18
    Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
    Montage: SMD
    auf Bestellung 28 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF
    Produktcode: 53875
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    		IR irfl4310pbf.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: SOT-223
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
    Drain-Strom Idd, A: 1,6 А
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,20 Ом
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 330/25
    Montage: SMD
    auf Bestellung 26 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFU024NPBF IRFU024NPBF
    Produktcode: 112197
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    		IR irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: TO-251
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
    Drain-Strom Idd, A: 17 А
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,075 Ом
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 370/20
    Montage: THT
    auf Bestellung 5 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFP460PBF IRFP460PBF
    Produktcode: 149448
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    		IR 91237irf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: TO-247AC
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 В
    Drain-Strom Idd, A: 20 А
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,27 Ом
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4200/210
    Montage: THT
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF6614TRPBF
    Produktcode: 106259
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    		IR irf6614pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e8346c1a0f IRSDS10487-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistoren > MOSFET N-CH
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFS7430TRL7PP
    Produktcode: 106258
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    		IR infineon-irfs7430-7p-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015356635f1a2599 Transistoren > MOSFET N-CH
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRLR3410PBF IRLR3410PBF
    Produktcode: 105980
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    		IR irlr3410-datasheet.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: TO-252/D-Pak
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
    Drain-Strom Idd, A: 17 А
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ом
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 800/34
    Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
    Montage: SMD
    auf Bestellung 45 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRLR8726PBF IRLR8726PBF
    Produktcode: 106471
    zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		IR irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7 description Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: D-Pak (TO-252)
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
    Drain-Strom Idd, A: 61 А
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5,8 мОм
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2150/15
    Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
    Montage: SMD
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRL6372PBF
    Produktcode: 106344
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    		IR irl6372pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535660046e2579 Transistoren > MOSFET N-CH
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRGPS46160D
    Produktcode: 111060
    1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		IR irgps46160d.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
    Gehäuse: Super-247
    Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
    Sättigungsspannung Vce, V: 1,7 В
    Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 240 А
    Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 160 А
    Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 750 Вт
    Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 80/190
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR1N60ATRPBF (IR) Transistor
    Produktcode: 47827
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    		IR irfr1n60a-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: D-Pak (TO-252)
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 В
    Drain-Strom Idd, A: 1,4 А
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 7 Omh
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 229/14
    Montage: SMD
    auf Bestellung 29 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRLU3110ZPBF IRLU3110ZPBF
    Produktcode: 32113
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    		IR irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a description Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: D-Pak (TO-252)
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
    Drain-Strom Idd, A: 63 A
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3980/34
    Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
    Montage: SMD
    Produkt ist nicht verfügbar
    1+1.83 EUR
    10+1.5 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7307PBF IRF7307PBF
    Produktcode: 28597
    zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		IR irf7307pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f20d211b0e description Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: SO-8
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
    Drain-Strom Idd, A: 5,7 A
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 660/20
    Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
    Montage: SMD
    Produkt ist nicht verfügbar
    1+0.68 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF8910PBF IRF8910PBF
    Produktcode: 32112
    zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		IR irf8910pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535610ec101d8d Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: SO-8
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
    Drain-Strom Idd, A: 10 A
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0134 Ohm
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 960/7,4
    Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
    Montage: SMD
    Produkt ist nicht verfügbar
    1+0.71 EUR
    10+0.67 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF9540NPBF IRF9540NPBF
    Produktcode: 31944
    3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		IR irf9540npbf.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
    Gehäuse: TO-220
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
    Drain-Strom Id, A: 23 A
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,117 Ohm
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/97
    Montage: THT
    auf Bestellung 564 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    1+0.69 EUR
    10+0.62 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFZ48NS
    Produktcode: 32184
    zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		IR Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: D2PAK (TO-263)
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
    Drain-Strom Idd, A: 64 A
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2200/85
    Montage: SMD
    Produkt ist nicht verfügbar
    1+1.31 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7450PBF IRF7450PBF
    Produktcode: 32457
    zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		IR irf7450pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fb33381be2 description Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: SO-8
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
    Drain-Strom Idd, A: 2,5 A
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,17 Ohm
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 940/26
    Bemerkung: -
    Montage: SMD
    verfügbar: 6 St.
      1+1.54 EUR
      10+1.19 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRFP460LCPBF IRFP460LCPBF
      Produktcode: 22653
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      		IR 91235.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
      Gehäuse: TO-247
      Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
      Drain-Strom Idd, A: 20 A
      Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
      Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3600/120
      Montage: THT
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRFU310PBF IRFU310PBF
      Produktcode: 32370
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      		IR sihfr310.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
      Gehäuse: I-Pak
      Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 V
      Drain-Strom Idd, A: 1,7 A
      Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,6 Ohm
      Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 170/12
      Montage: THT
      Produkt ist nicht verfügbar
      1+0.68 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRG4PF50WPBF IRG4PF50WPBF
      Produktcode: 32408
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      		IR IRG4PF50WPBF.pdf description Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
      Gehäuse: TO-247
      Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
      Sättigungsspannung Vce, V: 2,3 V
      Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 55 A
      Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 27 A
      Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 200 W
      auf Bestellung 39 St.:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      1+4.74 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7413Z PBF IRF7413Z PBF
      Produktcode: 25377
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      		IR irf7413z-datasheet.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
      Gehäuse: SO-8
      Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
      Drain-Strom Idd, A: 13 A
      Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,011 Ohm
      Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/22
      Bemerkung: -
      Montage: SMD
      Produkt ist nicht verfügbar
      1+0.68 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRG4PC40W IRG4PC40W
      Produktcode: 30315
      zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
      		IR description Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
      Gehäuse: TO-257
      Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
      Sättigungsspannung Vce, V: 2,05 V
      Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 40 A
      Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 20 A
      Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 160 W
      Produkt ist nicht verfügbar
      1+2.33 EUR
      10+1.87 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRFD120PBF (DIP4-300, IR)
      Produktcode: 28377
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      		IR Transistoren > MOSFET N-CH
      Gehäuse: HEXDIP (DIP4-300)
      Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
      Drain-Strom Idd, A: 1,3 A
      Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
      Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 450/11
      Montage: THT
      Produkt ist nicht verfügbar
      1+1.17 EUR
      10+0.96 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      15ETH06PBF
      Produktcode: 168311
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      		IR 9400215e.pdf Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
      Gehäuse: TO-220-2
      Sperrspannung Vrr, V: 600 В
      Mittlerer Strom Iav, A: 15 А
      Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 22 ns
      Montage: THT
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF8788PBF IRF8788PBF
      Produktcode: 32111
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      		IR irf8788pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535610cc961d84 description Transistoren > MOSFET N-CH
      Gehäuse: SO-8
      Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
      Drain-Strom Idd, A: 24 A
      Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm
      Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5720/44
      Montage: SMD
      auf Bestellung 68 St.:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      1+0.76 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9520NPBF
      Produktcode: 149959
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      		IR irf9520npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611ac381dbd Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
      Gehäuse: TO-220AB
      Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
      Drain-Strom Id, A: 6,8 А
      Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,48 Ом
      Montage: THT
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      VS-HFA15TB60PBF VS-HFA15TB60PBF
      Produktcode: 150565
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      		IR hfa15tb6khgub6rtu.pdf Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
      Gehäuse: TO-220AC
      Sperrspannung Vrr, V: 600 В
      Mittlerer Strom Iav, A: 15 А
      Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 42 ns
      Montage: THT
      auf Bestellung 2 St.:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      209CNQ150 209CNQ150
      Produktcode: 174808
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      		IR 209cnq150.pdf Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
      Gehäuse: PRM4
      Sperrspannung Vrrm, V: 150 В
      Durchlassstrom (per leg) If, A: 100 А
      Bemerkung: Aufbau: zwei Dioden in einem Gehäuse, gemeinsame Kathode, Strom 100 A pro Diode.
      Montage: 1440 A
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRFI4510GPBF IRFI4510GPBF
      Produktcode: 158921
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      		IR irfi4510gpbf-1228282.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
      Gehäuse: TO-220AB
      Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
      Drain-Strom Idd, A: 35 A
      Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 10,7 mOhm
      Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2998/54
      Montage: THT
      auf Bestellung 2 St.:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRFR6215 IRFR6215
      Produktcode: 170820
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      		IR infineon-irf6215-ds-v01_02-en.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
      Gehäuse: D-Pak
      Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 В
      Drain-Strom Id, A: 13 А
      Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,29 Ом
      Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 860/66
      Montage: SMD
      auf Bestellung 121 St.:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      11DQ04
      Produktcode: 83432
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      		IR 11dq04-datasheet.pdf Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
      Gehäuse: DO-41
      Sperrspannung Vrrm, V: 40 В
      Durchlassstrom (per leg) If, A: 1,1 А
      Durchlassspannung Vf, V: 0,5 В
      Montage: THT
      Stoßstrom Ifsm, A: 225 А
      auf Bestellung 26 St.:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRGB20B60PD1PBF
      Produktcode: 63117
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      		IR irgb20b60pd1pbf.pdf description Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
      Gehäuse: TO-220AB
      Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
      Sättigungsspannung Vce, V: 2,05 V
      Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 40 A
      Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 22 A
      Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 215 W
      Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 20/125
      Produkt ist nicht verfügbar
      1+3.09 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRG4PC50FDPBF
      Produktcode: 36672
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      		IR IRG4PC50FD.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
      Gehäuse: TO-247
      Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
      Sättigungsspannung Vce, V: 1,45 В
      Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 70 А
      Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 39 А
      Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 200 Вт
      Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 55/240
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRGP4062DPBF IRGP4062DPBF
      Produktcode: 39652
      2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
      		IR irgb4062dpbf.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
      Gehäuse: TO-247AC
      Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
      Sättigungsspannung Vce, V: 1,65 V
      Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 48 A
      Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 24 A
      Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 250 W
      Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 40/125
      Zolltarifnummer: 8541 29 00 10
      auf Bestellung 8 St.:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      1+6 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRG4BC40KPBF IRG4BC40KPBF
      Produktcode: 124588
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      		IR irg4bc40kpbf-datasheet.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
      Gehäuse: TO-220AB
      Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
      Sättigungsspannung Vce, V: 2,1 В
      Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 42 А
      Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 25 А
      Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 160 Вт
      Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 30/190
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRG4BC30UPBF IRG4BC30UPBF
      Produktcode: 52184
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      		IR irg4bc30upbf-datasheet.pdf description Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
      Gehäuse: TO-220AB
      Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
      Sättigungsspannung Vce, V: 1,95 В
      Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 23 А
      Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 12 A
      Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 100 Вт
      Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 17/20
      Produkt ist nicht verfügbar
      1+1.4 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      Halbleiterrelais PVT412PBFHalbleiterrelais PVT412PBF
      Halbleiterrelais PVT412PBFHalbleiterrelais PVT412PBF
      		 Halbleiterrelais PVT412PBF
      Produktcode: 104362
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      		IR pvt412-datasheet.pdf Relais
      Relaistyp: Halbleiterrelais
      Beschreibung: Photovoltaik-Relais mit Leistungs-MOSFET
      Abmessungen: DIP-6
      Spulenspannung: 6 VDC
      Strom max.: 0,14 А
      Kontaktkonfiguration: SPST-NO(1A)
      Schaltspannung: 8542399000
      8542 39 90 00
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9520PBF IRF9520PBF
      Produktcode: 154193
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      		IR 91074-datasheet.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
      Gehäuse: TO-220AB
      Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
      Drain-Strom Id, A: 6,8 А
      Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,06 Ом
      Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 390/18
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF
      Produktcode: 180205
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      		IR Infineon_IRF7343_DataSheet_v01_01_EN-1732495.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
      Gehäuse: SOIC-8
      Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
      Drain-Strom Idd, A: 4,7/3,4 А
      Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,043/0,095 Ом
      Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 740/690/24/26
      Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
      Montage: SMD
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF840SPBF IRF840SPBF
      Produktcode: 188626
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      		IR 91070-1768556.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
      Gehäuse: TO-263 (D2PAK)
      Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 В
      Drain-Strom Idd, A: 8 А
      Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,85 Ом
      Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/63
      Montage: SMD
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7433PBF IRF7433PBF
      Produktcode: 172872
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      		IR IRF7433PBF_InternationalRectifier.pdf description Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
      Gehäuse: SO-8
      Drain-Source-Spannung Uds, V: 12 В
      Drain-Strom Id, A: 8,9 А
      Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 24 мОм
      Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1877/20
      Anmerkung: Ultraniedriger Durchlasswiderstand
      Montage: SMD
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRLU2905Z IRLU2905Z
      Produktcode: 182753
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      		IR irlr2905z-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
      Gehäuse: I-Pak
      Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
      Drain-Strom Idd, A: 42 А
      Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 13,5 мОм
      Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1570/23
      Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
      Montage: THT
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRFP264NPBF IRFP264NPBF
      Produktcode: 197506
      zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
      		IR irfp264npbf.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
      Gehäuse: TO-247AC
      Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В
      Drain-Strom Idd, A: 44 А
      Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 60 мОм
      Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3860/210
      Montage: THT
      auf Bestellung 4 St.:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRLB8743PBF IRLB8743PBF
      Produktcode: 124979
      zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
      		IR irlb8743pbf.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
      Gehäuse: TO-220AB
      Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
      Drain-Strom Idd, A: 78 А
      Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,2 мОм
      Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5110/36
      Montage: THT
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      VS-HFA08TB60-M3
      Produktcode: 178968
      zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
      		IR vs-hfa08tb60-m3.pdf Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
      Gehäuse: TO-220AC
      Sperrspannung Vrr, V: 600 В
      Mittlerer Strom Iav, A: 8 А
      Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 18 ns
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IR2101SPBF IR2101SPBF
      Produktcode: 92069
      3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
      		IR IRSDS17613-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description IC > IC Transistoren-Treiber
      Gehäuse: SO-8
      Versorgungsspannung Uc, V: 600 В
      Ausgangsstrom Io ±, A: 130/270 мА
      Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 В
      Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 160/150 ns
      Betriebstemperatur, °C: -55…+150°C
      Konfiguration: Halbbrücke
      auf Bestellung 151 St.:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IR2104SPBF IR2104SPBF
      Produktcode: 67108
      3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
      		IR ir2104-datasheet.pdf description IC > IC Transistoren-Treiber
      Gehäuse: SOIC-8
      Versorgungsspannung Uc, V: 600 V
      Ausgangsstrom Io ±, A: 0,130/0,270 A
      Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V
      Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 680/150 ns
      Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C
      Konfiguration: Halbbrücke
      verfügbar: 39 St.
      • 6 St. - stock Köln
      • 33 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
      1+1.05 EUR
      10+0.9 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRG4BC30KDPBF
      Produktcode: 106309
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      		description IRG4BC30KDPbF.pdf
      Hersteller: IR
      Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
      Gehäuse: TO-220
      Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
      Sättigungsspannung Vce, V: 2,21 В
      Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 28 А
      Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 16 А
      Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 100 Вт
      auf Bestellung 1 St.:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRFL024ZPbF (Transistor)
      Produktcode: 76176
      1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
      		irfl024zpbf-datasheet.pdf
      IRFL024ZPbF (Transistor)
      Hersteller: IR
      Transistoren > MOSFET N-CH
      Gehäuse: SOT-223
      Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
      Drain-Strom Idd, A: 5,1 A
      Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 57,5 mOhm
      Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 340/9,1
      Montage: SMD
      verfügbar: 114 St.
      • 10 St. - stock Köln
      • 104 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
      AnzahlPrivatkunde
      1+0.55 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF9392PBF
      Produktcode: 109150
      zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
      		irf9392pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561181011db1
      IRF9392PBF
      Hersteller: IR
      Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IR2106SPBF
      Produktcode: 108346
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      		ir2106.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7cfc51673
      IR2106SPBF
      Hersteller: IR
      IC > IC Transistoren-Treiber
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF830S
      Produktcode: 108365
      zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
      		sihf830s.pdf
      IRF830S
      Hersteller: IR
      Transistoren > MOSFET N-CH
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IR21593
      Produktcode: 110166
      zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
      		IR21592%2C93%20%28S%29%20%28PbF%29.pdf
      Hersteller: IR
      IC > IC Netzteile
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRFB4332PBF
      Produktcode: 52140
      zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
      		irfb4332pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561633be1e35
      IRFB4332PBF
      Hersteller: IR
      Transistoren > MOSFET N-CH
      Gehäuse: TO-220AB
      Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В
      Drain-Strom Idd, A: 42 А
      Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 29 мОм
      Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5860/99
      Montage: THT
      Produkt ist nicht verfügbar
      AnzahlPrivatkunde
      1+2.69 EUR
      10+2.55 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRGS4062DPBF
      Produktcode: 121697
      zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
      		irgs4062dpbf-datasheet.pdf
      Hersteller: IR
      Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
      Gehäuse: TO-263
      Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
      Sättigungsspannung Vce, V: 1,65 В
      Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 48 А
      Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 24 А
      Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 250 Вт
      Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 40/104
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRS2168DPBF
      Produktcode: 121698
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      		description irs2168d-datasheet.pdf
      Hersteller: IR

      DIP-16
      ADVANCED PFC + BALLAST CONTROL
      auf Bestellung 43 St.:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRFP048NPBF
      Produktcode: 121696
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      		IRSDS10312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
      IRFP048NPBF
      Hersteller: IR
      Transistoren > MOSFET N-CH
      Gehäuse: TO-247AC
      Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
      Drain-Strom Idd, A: 64 А
      Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,016 Ом
      Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1900/89
      Montage: THT
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF7501TR
      Produktcode: 109125
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      		IRF7501.pdf
      IRF7501TR
      Hersteller: IR
      Transistoren > MOSFET N-CH
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRLR3410TRLPBF (Transistor)
      Produktcode: 89552
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      		irlr3410pbf-223115.pdf
      IRLR3410TRLPBF (Transistor)
      Hersteller: IR
      Transistoren > MOSFET N-CH
      Gehäuse: D-Pak (TO-252)
      Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
      Drain-Strom Idd, A: 17 A
      Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
      Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 800/34
      Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
      Montage: SMD
      verfügbar: 6 St.
        AnzahlPrivatkunde
        1+16.66 EUR
        10+14.99 EUR
        Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
        IRLMS4502TR
        Produktcode: 106343
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        		irlms4502.pdf
        IRLMS4502TR
        Hersteller: IR
        Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
        Produkt ist nicht verfügbar
        Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
        IRF7311TRPBF
        Produktcode: 107584
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        		irf7311pbf-datasheet.pdf
        IRF7311TRPBF
        Hersteller: IR
        Transistoren > MOSFET N-CH
        Gehäuse: SO-8
        Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
        Drain-Strom Idd, A: 5,3 A
        Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
        Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 900/18
        Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
        Montage: SMD
        auf Bestellung 28 St.:
        Lieferzeit 21-28 Tag (e)
        Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
        IRFL4310TRPBF
        Produktcode: 53875
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        		irfl4310pbf.pdf
        IRFL4310TRPBF
        Hersteller: IR
        Transistoren > MOSFET N-CH
        Gehäuse: SOT-223
        Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
        Drain-Strom Idd, A: 1,6 А
        Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,20 Ом
        Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 330/25
        Montage: SMD
        auf Bestellung 26 St.:
        Lieferzeit 21-28 Tag (e)
        Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
        IRFU024NPBF
        Produktcode: 112197
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        		irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c
        IRFU024NPBF
        Hersteller: IR
        Transistoren > MOSFET N-CH
        Gehäuse: TO-251
        Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
        Drain-Strom Idd, A: 17 А
        Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,075 Ом
        Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 370/20
        Montage: THT
        auf Bestellung 5 St.:
        Lieferzeit 21-28 Tag (e)
        Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
        IRFP460PBF
        Produktcode: 149448
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        		91237irf-datasheet.pdf
        IRFP460PBF
        Hersteller: IR
        Transistoren > MOSFET N-CH
        Gehäuse: TO-247AC
        Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 В
        Drain-Strom Idd, A: 20 А
        Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,27 Ом
        Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4200/210
        Montage: THT
        Produkt ist nicht verfügbar
        Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
        IRF6614TRPBF
        Produktcode: 106259
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        		irf6614pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e8346c1a0f IRSDS10487-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
        Hersteller: IR
        Transistoren > MOSFET N-CH
        Produkt ist nicht verfügbar
        Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
        IRFS7430TRL7PP
        Produktcode: 106258
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        		infineon-irfs7430-7p-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015356635f1a2599
        Hersteller: IR
        Transistoren > MOSFET N-CH
        Produkt ist nicht verfügbar
        Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
        IRLR3410PBF
        Produktcode: 105980
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        		description irlr3410-datasheet.pdf
        IRLR3410PBF
        Hersteller: IR
        Transistoren > MOSFET N-CH
        Gehäuse: TO-252/D-Pak
        Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
        Drain-Strom Idd, A: 17 А
        Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ом
        Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 800/34
        Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
        Montage: SMD
        auf Bestellung 45 St.:
        Lieferzeit 21-28 Tag (e)
        Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
        IRLR8726PBF
        Produktcode: 106471
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        		description irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7
        IRLR8726PBF
        Hersteller: IR
        Transistoren > MOSFET N-CH
        Gehäuse: D-Pak (TO-252)
        Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
        Drain-Strom Idd, A: 61 А
        Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5,8 мОм
        Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2150/15
        Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
        Montage: SMD
        Produkt ist nicht verfügbar
        Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
        IRL6372PBF
        Produktcode: 106344
        zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
        		irl6372pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535660046e2579
        Hersteller: IR
        Transistoren > MOSFET N-CH
        Produkt ist nicht verfügbar
        Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
        IRGPS46160D
        Produktcode: 111060
        1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
        		irgps46160d.pdf
        Hersteller: IR
        Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
        Gehäuse: Super-247
        Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
        Sättigungsspannung Vce, V: 1,7 В
        Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 240 А
        Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 160 А
        Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 750 Вт
        Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 80/190
        Produkt ist nicht verfügbar
        Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
        IRFR1N60ATRPBF (IR) Transistor
        Produktcode: 47827
        zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
        		irfr1n60a-datasheet.pdf
        Hersteller: IR
        Transistoren > MOSFET N-CH
        Gehäuse: D-Pak (TO-252)
        Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 В
        Drain-Strom Idd, A: 1,4 А
        Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 7 Omh
        Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 229/14
        Montage: SMD
        auf Bestellung 29 St.:
        Lieferzeit 21-28 Tag (e)
        Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
        IRLU3110ZPBF
        Produktcode: 32113
        zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
        		description irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a
        IRLU3110ZPBF
        Hersteller: IR
        Transistoren > MOSFET N-CH
        Gehäuse: D-Pak (TO-252)
        Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
        Drain-Strom Idd, A: 63 A
        Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm
        Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3980/34
        Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
        Montage: SMD
        Produkt ist nicht verfügbar
        AnzahlPrivatkunde
        1+1.83 EUR
        10+1.5 EUR
        Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
        IRF7307PBF
        Produktcode: 28597
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        		description irf7307pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f20d211b0e
        IRF7307PBF
        Hersteller: IR
        Transistoren > MOSFET N-CH
        Gehäuse: SO-8
        Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
        Drain-Strom Idd, A: 5,7 A
        Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
        Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 660/20
        Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
        Montage: SMD
        Produkt ist nicht verfügbar
        AnzahlPrivatkunde
        1+0.68 EUR
        Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
        IRF8910PBF
        Produktcode: 32112
        zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
        		irf8910pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535610ec101d8d
        IRF8910PBF
        Hersteller: IR
        Transistoren > MOSFET N-CH
        Gehäuse: SO-8
        Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
        Drain-Strom Idd, A: 10 A
        Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0134 Ohm
        Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 960/7,4
        Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
        Montage: SMD
        Produkt ist nicht verfügbar
        AnzahlPrivatkunde
        1+0.71 EUR
        10+0.67 EUR
        Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
        IRF9540NPBF
        Produktcode: 31944
        3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
        		irf9540npbf.pdf
        IRF9540NPBF
        Hersteller: IR
        Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
        Gehäuse: TO-220
        Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
        Drain-Strom Id, A: 23 A
        Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,117 Ohm
        Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/97
        Montage: THT
        auf Bestellung 564 St.:
        Lieferzeit 21-28 Tag (e)
        AnzahlPrivatkunde
        1+0.69 EUR
        10+0.62 EUR
        Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
        IRFZ48NS
        Produktcode: 32184
        zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
        Hersteller: IR
        Transistoren > MOSFET N-CH
        Gehäuse: D2PAK (TO-263)
        Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
        Drain-Strom Idd, A: 64 A
        Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm
        Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2200/85
        Montage: SMD
        Produkt ist nicht verfügbar
        AnzahlPrivatkunde
        1+1.31 EUR
        Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
        IRF7450PBF
        Produktcode: 32457
        zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
        		description irf7450pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fb33381be2
        IRF7450PBF
        Hersteller: IR
        Transistoren > MOSFET N-CH
        Gehäuse: SO-8
        Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
        Drain-Strom Idd, A: 2,5 A
        Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,17 Ohm
        Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 940/26
        Bemerkung: -
        Montage: SMD
        verfügbar: 6 St.
          AnzahlPrivatkunde
          1+1.54 EUR
          10+1.19 EUR
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRFP460LCPBF
          Produktcode: 22653
          zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
          		91235.pdf
          IRFP460LCPBF
          Hersteller: IR
          Transistoren > MOSFET N-CH
          Gehäuse: TO-247
          Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
          Drain-Strom Idd, A: 20 A
          Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
          Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3600/120
          Montage: THT
          Produkt ist nicht verfügbar
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRFU310PBF
          Produktcode: 32370
          zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
          		sihfr310.pdf
          IRFU310PBF
          Hersteller: IR
          Transistoren > MOSFET N-CH
          Gehäuse: I-Pak
          Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 V
          Drain-Strom Idd, A: 1,7 A
          Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,6 Ohm
          Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 170/12
          Montage: THT
          Produkt ist nicht verfügbar
          AnzahlPrivatkunde
          1+0.68 EUR
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRG4PF50WPBF
          Produktcode: 32408
          zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
          		description IRG4PF50WPBF.pdf
          IRG4PF50WPBF
          Hersteller: IR
          Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
          Gehäuse: TO-247
          Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
          Sättigungsspannung Vce, V: 2,3 V
          Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 55 A
          Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 27 A
          Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 200 W
          auf Bestellung 39 St.:
          Lieferzeit 21-28 Tag (e)
          AnzahlPrivatkunde
          1+4.74 EUR
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF7413Z PBF
          Produktcode: 25377
          zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
          		description irf7413z-datasheet.pdf
          IRF7413Z PBF
          Hersteller: IR
          Transistoren > MOSFET N-CH
          Gehäuse: SO-8
          Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
          Drain-Strom Idd, A: 13 A
          Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,011 Ohm
          Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/22
          Bemerkung: -
          Montage: SMD
          Produkt ist nicht verfügbar
          AnzahlPrivatkunde
          1+0.68 EUR
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRG4PC40W
          Produktcode: 30315
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          		description
          IRG4PC40W
          Hersteller: IR
          Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
          Gehäuse: TO-257
          Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
          Sättigungsspannung Vce, V: 2,05 V
          Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 40 A
          Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 20 A
          Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 160 W
          Produkt ist nicht verfügbar
          AnzahlPrivatkunde
          1+2.33 EUR
          10+1.87 EUR
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRFD120PBF (DIP4-300, IR)
          Produktcode: 28377
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          Hersteller: IR
          Transistoren > MOSFET N-CH
          Gehäuse: HEXDIP (DIP4-300)
          Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
          Drain-Strom Idd, A: 1,3 A
          Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
          Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 450/11
          Montage: THT
          Produkt ist nicht verfügbar
          AnzahlPrivatkunde
          1+1.17 EUR
          10+0.96 EUR
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          15ETH06PBF
          Produktcode: 168311
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          		9400215e.pdf
          Hersteller: IR
          Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
          Gehäuse: TO-220-2
          Sperrspannung Vrr, V: 600 В
          Mittlerer Strom Iav, A: 15 А
          Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 22 ns
          Montage: THT
          Produkt ist nicht verfügbar
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF8788PBF
          Produktcode: 32111
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          		description irf8788pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535610cc961d84
          IRF8788PBF
          Hersteller: IR
          Transistoren > MOSFET N-CH
          Gehäuse: SO-8
          Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
          Drain-Strom Idd, A: 24 A
          Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm
          Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5720/44
          Montage: SMD
          auf Bestellung 68 St.:
          Lieferzeit 21-28 Tag (e)
          AnzahlPrivatkunde
          1+0.76 EUR
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF9520NPBF
          Produktcode: 149959
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          		irf9520npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611ac381dbd
          Hersteller: IR
          Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
          Gehäuse: TO-220AB
          Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
          Drain-Strom Id, A: 6,8 А
          Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,48 Ом
          Montage: THT
          Produkt ist nicht verfügbar
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          VS-HFA15TB60PBF
          Produktcode: 150565
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          		hfa15tb6khgub6rtu.pdf
          VS-HFA15TB60PBF
          Hersteller: IR
          Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
          Gehäuse: TO-220AC
          Sperrspannung Vrr, V: 600 В
          Mittlerer Strom Iav, A: 15 А
          Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 42 ns
          Montage: THT
          auf Bestellung 2 St.:
          Lieferzeit 21-28 Tag (e)
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          209CNQ150
          Produktcode: 174808
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          		209cnq150.pdf
          209CNQ150
          Hersteller: IR
          Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
          Gehäuse: PRM4
          Sperrspannung Vrrm, V: 150 В
          Durchlassstrom (per leg) If, A: 100 А
          Bemerkung: Aufbau: zwei Dioden in einem Gehäuse, gemeinsame Kathode, Strom 100 A pro Diode.
          Montage: 1440 A
          Produkt ist nicht verfügbar
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRFI4510GPBF
          Produktcode: 158921
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          		irfi4510gpbf-1228282.pdf
          IRFI4510GPBF
          Hersteller: IR
          Transistoren > MOSFET N-CH
          Gehäuse: TO-220AB
          Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
          Drain-Strom Idd, A: 35 A
          Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 10,7 mOhm
          Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2998/54
          Montage: THT
          auf Bestellung 2 St.:
          Lieferzeit 21-28 Tag (e)
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRFR6215
          Produktcode: 170820
          zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
          		infineon-irf6215-ds-v01_02-en.pdf
          IRFR6215
          Hersteller: IR
          Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
          Gehäuse: D-Pak
          Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 В
          Drain-Strom Id, A: 13 А
          Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,29 Ом
          Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 860/66
          Montage: SMD
          auf Bestellung 121 St.:
          Lieferzeit 21-28 Tag (e)
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          11DQ04
          Produktcode: 83432
          zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
          		11dq04-datasheet.pdf
          Hersteller: IR
          Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
          Gehäuse: DO-41
          Sperrspannung Vrrm, V: 40 В
          Durchlassstrom (per leg) If, A: 1,1 А
          Durchlassspannung Vf, V: 0,5 В
          Montage: THT
          Stoßstrom Ifsm, A: 225 А
          auf Bestellung 26 St.:
          Lieferzeit 21-28 Tag (e)
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRGB20B60PD1PBF
          Produktcode: 63117
          zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
          		description irgb20b60pd1pbf.pdf
          Hersteller: IR
          Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
          Gehäuse: TO-220AB
          Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
          Sättigungsspannung Vce, V: 2,05 V
          Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 40 A
          Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 22 A
          Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 215 W
          Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 20/125
          Produkt ist nicht verfügbar
          AnzahlPrivatkunde
          1+3.09 EUR
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRG4PC50FDPBF
          Produktcode: 36672
          zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
          		IRG4PC50FD.pdf
          Hersteller: IR
          Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
          Gehäuse: TO-247
          Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
          Sättigungsspannung Vce, V: 1,45 В
          Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 70 А
          Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 39 А
          Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 200 Вт
          Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 55/240
          Produkt ist nicht verfügbar
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRGP4062DPBF
          Produktcode: 39652
          2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
          		irgb4062dpbf.pdf
          IRGP4062DPBF
          Hersteller: IR
          Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
          Gehäuse: TO-247AC
          Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
          Sättigungsspannung Vce, V: 1,65 V
          Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 48 A
          Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 24 A
          Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 250 W
          Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 40/125
          Zolltarifnummer: 8541 29 00 10
          auf Bestellung 8 St.:
          Lieferzeit 21-28 Tag (e)
          AnzahlPrivatkunde
          1+6 EUR
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRG4BC40KPBF
          Produktcode: 124588
          zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
          		irg4bc40kpbf-datasheet.pdf
          IRG4BC40KPBF
          Hersteller: IR
          Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
          Gehäuse: TO-220AB
          Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
          Sättigungsspannung Vce, V: 2,1 В
          Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 42 А
          Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 25 А
          Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 160 Вт
          Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 30/190
          Produkt ist nicht verfügbar
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRG4BC30UPBF
          Produktcode: 52184
          zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
          		description irg4bc30upbf-datasheet.pdf
          IRG4BC30UPBF
          Hersteller: IR
          Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
          Gehäuse: TO-220AB
          Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
          Sättigungsspannung Vce, V: 1,95 В
          Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 23 А
          Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 12 A
          Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 100 Вт
          Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 17/20
          Produkt ist nicht verfügbar
          AnzahlPrivatkunde
          1+1.4 EUR
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          Halbleiterrelais PVT412PBF
          Produktcode: 104362
          zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
          		pvt412-datasheet.pdf
          Halbleiterrelais PVT412PBFHalbleiterrelais PVT412PBF
          Halbleiterrelais PVT412PBFHalbleiterrelais PVT412PBF
          Hersteller: IR
          Relais
          Relaistyp: Halbleiterrelais
          Beschreibung: Photovoltaik-Relais mit Leistungs-MOSFET
          Abmessungen: DIP-6
          Spulenspannung: 6 VDC
          Strom max.: 0,14 А
          Kontaktkonfiguration: SPST-NO(1A)
          Schaltspannung: 8542399000
          8542 39 90 00
          Produkt ist nicht verfügbar
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF9520PBF
          Produktcode: 154193
          zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
          		91074-datasheet.pdf
          IRF9520PBF
          Hersteller: IR
          Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
          Gehäuse: TO-220AB
          Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
          Drain-Strom Id, A: 6,8 А
          Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,06 Ом
          Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 390/18
          Produkt ist nicht verfügbar
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF7343TRPBF
          Produktcode: 180205
          zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
          		description Infineon_IRF7343_DataSheet_v01_01_EN-1732495.pdf
          IRF7343TRPBF
          Hersteller: IR
          Transistoren > MOSFET N-CH
          Gehäuse: SOIC-8
          Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
          Drain-Strom Idd, A: 4,7/3,4 А
          Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,043/0,095 Ом
          Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 740/690/24/26
          Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
          Montage: SMD
          Produkt ist nicht verfügbar
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF840SPBF
          Produktcode: 188626
          zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
          		91070-1768556.pdf
          IRF840SPBF
          Hersteller: IR
          Transistoren > MOSFET N-CH
          Gehäuse: TO-263 (D2PAK)
          Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 В
          Drain-Strom Idd, A: 8 А
          Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,85 Ом
          Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/63
          Montage: SMD
          Produkt ist nicht verfügbar
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF7433PBF
          Produktcode: 172872
          zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
          		description IRF7433PBF_InternationalRectifier.pdf
          IRF7433PBF
          Hersteller: IR
          Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
          Gehäuse: SO-8
          Drain-Source-Spannung Uds, V: 12 В
          Drain-Strom Id, A: 8,9 А
          Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 24 мОм
          Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1877/20
          Anmerkung: Ultraniedriger Durchlasswiderstand
          Montage: SMD
          Produkt ist nicht verfügbar
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRLU2905Z
          Produktcode: 182753
          zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
          		irlr2905z-datasheet.pdf
          IRLU2905Z
          Hersteller: IR
          Transistoren > MOSFET N-CH
          Gehäuse: I-Pak
          Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
          Drain-Strom Idd, A: 42 А
          Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 13,5 мОм
          Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1570/23
          Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
          Montage: THT
          Produkt ist nicht verfügbar
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRFP264NPBF
          Produktcode: 197506
          zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
          		irfp264npbf.pdf
          IRFP264NPBF
          Hersteller: IR
          Transistoren > MOSFET N-CH
          Gehäuse: TO-247AC
          Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В
          Drain-Strom Idd, A: 44 А
          Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 60 мОм
          Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3860/210
          Montage: THT
          auf Bestellung 4 St.:
          Lieferzeit 21-28 Tag (e)
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRLB8743PBF
          Produktcode: 124979
          zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
          		irlb8743pbf.pdf
          IRLB8743PBF
          Hersteller: IR
          Transistoren > MOSFET N-CH
          Gehäuse: TO-220AB
          Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
          Drain-Strom Idd, A: 78 А
          Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,2 мОм
          Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5110/36
          Montage: THT
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          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          VS-HFA08TB60-M3
          Produktcode: 178968
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          		vs-hfa08tb60-m3.pdf
          Hersteller: IR
          Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
          Gehäuse: TO-220AC
          Sperrspannung Vrr, V: 600 В
          Mittlerer Strom Iav, A: 8 А
          Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 18 ns
          Produkt ist nicht verfügbar
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IR2101SPBF
          Produktcode: 92069
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          		description IRSDS17613-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
          IR2101SPBF
          Hersteller: IR
          IC > IC Transistoren-Treiber
          Gehäuse: SO-8
          Versorgungsspannung Uc, V: 600 В
          Ausgangsstrom Io ±, A: 130/270 мА
          Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 В
          Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 160/150 ns
          Betriebstemperatur, °C: -55…+150°C
          Konfiguration: Halbbrücke
          auf Bestellung 151 St.:
          Lieferzeit 21-28 Tag (e)
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IR2104SPBF
          Produktcode: 67108
          3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
          		description ir2104-datasheet.pdf
          IR2104SPBF
          Hersteller: IR
          IC > IC Transistoren-Treiber
          Gehäuse: SOIC-8
          Versorgungsspannung Uc, V: 600 V
          Ausgangsstrom Io ±, A: 0,130/0,270 A
          Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V
          Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 680/150 ns
          Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C
          Konfiguration: Halbbrücke
          verfügbar: 39 St.
          • 6 St. - stock Köln
          • 33 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
          AnzahlPrivatkunde
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