Produkte > SIZ

Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ200DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 22A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V, 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ200DT-T1-GE3

SIZ200DT-T1-GE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ200DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 22A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V, 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ200DT-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20/-16V Vgs PowerPAIR 3x3S

auf Bestellung 13657 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.08 EUR
10+	1.21 EUR
100+	0.99 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.74 EUR
3000+	0.65 EUR
6000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ240DT-T1-GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 48A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAIR® 3x3
On-state resistance: 13.3/12.25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22/23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ240DT-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ240DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ240DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 48 A, 48 A, 0.00671 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 48A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00671ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00671ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 4804 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ240DT-T1-GE3

Dual N-Channel 40 V (D-S) MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ240DT-T1-GE3

MOSFETs DUAL N-CHANNEL Symm.PowerPAIR 3 x 3

auf Bestellung 8207 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.97 EUR
10+	1.88 EUR
100+	1.25 EUR
500+	1.03 EUR
1000+	0.9 EUR
3000+	0.83 EUR
6000+	0.76 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ240DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 17.2A 8PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 48A (Tc), 16.9A (Ta), 47A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 20V, 1070pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.05mOhm @ 10A, 10V, 8.41mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V, 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ240DT-T1-GE3

auf Bestellung 4804 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ240DT-T1-GE3

SIZ240DT-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ240DT-T1-GE3

Transistor 2xN-Channel MOSFET; 40V; 20V; 12mOhm/13mOhm; 48A/47A; 33W; -55°C ~ 150°C; SIZ240DT-T1-GE3 TSIZ240dt
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	4.34 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ240DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 17.2A 8PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 48A (Tc), 16.9A (Ta), 47A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 20V, 1070pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.05mOhm @ 10A, 10V, 8.41mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V, 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ240DT-T1-GE3

Dual N-Channel 40 V (D-S) MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ250DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin PowerPAIR EP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ250DT-T1-GE3

SIZ250DT-T1-GE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ250DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ250DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 38 A, 38 A, 0.01007 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 38A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01007ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01007ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 14464 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ250DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 14A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 38A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 30V, 790pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 10A, 10V, 12.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)
Part Status: Active

auf Bestellung 11663 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.83 EUR
10+	1.8 EUR
100+	1.21 EUR
500+	0.96 EUR
1000+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ250DT-T1-GE3

auf Bestellung 14464 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ250DT-T1-GE3

MOSFETs DUAL N-CHANNEL 60-V PowerPAIR 3 x 3S

auf Bestellung 33949 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.66 EUR
10+	1.68 EUR
100+	1.13 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.81 EUR
3000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ250DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 14A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 38A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 30V, 790pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 10A, 10V, 12.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)
Part Status: Active

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.77 EUR
6000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ254DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ254DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 70 V, 32.5 A, 32.5 A, 0.0129 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 70V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0129ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 70V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0129ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 6951 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ254DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 70V 11.7A 8PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 70V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 32.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795pF @ 35V, 765pF @ 35V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)
Part Status: Active

auf Bestellung 4146 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	2.96 EUR
10+	1.87 EUR
100+	1.25 EUR
500+	0.99 EUR
1000+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ254DT-T1-GE3

MOSFETs PWRPR N CHAN 70V

auf Bestellung 3841 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.36 EUR
10+	1.58 EUR
100+	1.11 EUR
500+	0.96 EUR
1000+	0.86 EUR
3000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ254DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 70V 11.7A 8PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 70V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 32.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795pF @ 35V, 765pF @ 35V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)
Part Status: Active

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ256DT-T1-GE3
Produktcode: 185540

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ256DT-T1-GE3

MOSFETs PWRPR N CHAN 70V

auf Bestellung 2184 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.2 EUR
10+	1.42 EUR
100+	1.07 EUR
500+	0.9 EUR
1000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ256DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ256DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 70 V, 31.8 A, 31.8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 31.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 70V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 31.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 70V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 5830 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ256DT-T1-GE3

Description: DUAL N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ256DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 70V 11.5A 8-Pin PowerPAIR EP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ256DT-T1-GE3

auf Bestellung 5830 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ256DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 70V 11.5A 8-Pin PowerPAIR EP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ256DT-T1-GE3

SIZ256DT-T1-GE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ256DT-T1-GE3

Description: DUAL N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ260DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 80V 8.9A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
FET Type: N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 24.7A (Tc), 8.9A (Ta), 24.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 10A, 10V, 24.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V

auf Bestellung 13846 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.71 EUR
11+	1.71 EUR
100+	1.15 EUR
500+	0.91 EUR
1000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ260DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ260DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 24.7 A, 24.7 A, 0.0204 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 24.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0204ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0204ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 13613 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ260DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ260DT-T1-GE3

SIZ260DT-T1-GE3 Multi channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ260DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 80V 8.9A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 24.7A (Tc), 8.9A (Ta), 24.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 10A, 10V, 24.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.73 EUR
6000+	0.68 EUR
9000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ260DT-T1-GE3

MOSFETs DUAL N-CHANNEL 80-V PowerPAIR 3 x 3S

auf Bestellung 7205 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.55 EUR
10+	1.71 EUR
100+	1.24 EUR
500+	0.98 EUR
1000+	0.87 EUR
3000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ260DT-T1-GE3

auf Bestellung 13613 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ270DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ270DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 19.5 A, 19.5 A, 0.0302 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 19.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0302ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0302ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 13791 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ270DT-T1-GE3

SIZ270DT-T1-GE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ270DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 100V 7.1A 8PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta), 19.5A (Tc), 6.9A (Ta), 19.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 50V, 845pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.7mOhm @ 7A, 10V, 39.4mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)

auf Bestellung 11593 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.2 EUR
10+	1.8 EUR
100+	1.4 EUR
500+	1.19 EUR
1000+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ270DT-T1-GE3

MOSFETs Dual N-Ch 100V(D-S)

auf Bestellung 9808 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.03 EUR
10+	1.61 EUR
100+	1.2 EUR
500+	1.05 EUR
1000+	1.03 EUR
3000+	0.94 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ270DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ270DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19.5 A, 0.0302 ohm, PowerPAIR 3 x 3S, Oberflächenmontage
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ270DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 100V 7.1A 8PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta), 19.5A (Tc), 6.9A (Ta), 19.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 50V, 845pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.7mOhm @ 7A, 10V, 39.4mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.91 EUR
6000+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ300DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 9.8A/14.9A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ300DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 9.8A/14.9A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ300DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W, 31W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair®
Part Status: Active

auf Bestellung 13 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	1.97 EUR
10+	1.77 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ300DT-T1-GE3
Produktcode: 106566

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ300DT-T1-GE3

SIZ300DT-T1-GE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ300DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 9.8A/14.9A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ300DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W, 31W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair®
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ300DT-T1-GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SIZ3

auf Bestellung 1546 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.06 EUR
10+	1.65 EUR
500+	1.39 EUR
1000+	1.13 EUR
3000+	0.73 EUR
6000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ320DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W, 31W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 12.5V, 1370pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 8A, 10V, 4.24mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V, 11.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ320DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ320DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.00353 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00353ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ320DT-T1-GE3

SIZ320DT-T1-GE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ320DT-T1-GE3

MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 3 x 3

auf Bestellung 3904 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.57 EUR
10+	1.4 EUR
100+	1.07 EUR
500+	0.85 EUR
1000+	0.68 EUR
3000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ320DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 17.2A/24.8A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ320DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W, 31W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 12.5V, 1370pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 8A, 10V, 4.24mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V, 11.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 2900 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.6 EUR
13+	1.38 EUR
100+	0.96 EUR
500+	0.8 EUR
1000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ320DT-T1-GE3

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ322DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 30A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ322DT-T1-GE3

MOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 3 x 3

auf Bestellung 61170 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.44 EUR
10+	1.25 EUR
100+	0.86 EUR
500+	0.72 EUR
1000+	0.62 EUR
3000+	0.55 EUR
6000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ322DT-T1-GE3
Produktcode: 175930

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ322DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 30A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ322DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 25V 30A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.54 EUR
6000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ322DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 30A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ322DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 30A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ322DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ322DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 30 A, 30 A, 0.00529 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00529ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00529ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 1074 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ322DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 30A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 6000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ322DT-T1-GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 25V; 30A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 16.7W
Case: PowerPAIR® 3x3
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ322DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 25V 30A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

auf Bestellung 9950 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.43 EUR
15+	1.23 EUR
100+	0.85 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 13

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ322DT-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ322DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 30A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ322DT-T1-GE3

auf Bestellung 1074 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ328DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 25V 11.1A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 10V, 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V, 10mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V, 11.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

auf Bestellung 2850 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.65 EUR
16+	1.11 EUR
100+	0.77 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ328DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 25V 11.1A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 10V, 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V, 10mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V, 11.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ328DT-T1-GE3

MOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 3 x 3

auf Bestellung 4490 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.8 EUR
10+	1.25 EUR
100+	0.8 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.63 EUR
3000+	0.59 EUR
6000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ340ADT

Trans MOSFET N-CH 30V 15.7A/25.4A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ340ADT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ340ADT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 69.7 A, 69.7 A, 0.00357 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 69.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 69.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00357ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00357ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 6732 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ340ADT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc), 4.2W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 33.4A (Tc), 25.4A (Ta), 69.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V, 1290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 10A, 10V, 4.29mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V, 27.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

auf Bestellung 16381 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.74 EUR
13+	1.43 EUR
100+	1.11 EUR
500+	0.94 EUR
1000+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ340ADT-T1-GE3

MOSFETs DUAL N-CHANNEL 30-V

auf Bestellung 10323 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.72 EUR
10+	1.42 EUR
100+	1.11 EUR
500+	0.94 EUR
1000+	0.76 EUR
3000+	0.72 EUR
6000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ340ADT-T1-GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 33.4/69.7A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 33.4/69.7A
Pulsed drain current: 100...150A
Power dissipation: 16.7/31W
Case: PowerPAIR® 3x3
On-state resistance: 14.4/6.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27.9/12.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ340ADT-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ340ADT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.7A/25.4A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ340ADT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc), 4.2W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 33.4A (Tc), 25.4A (Ta), 69.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V, 1290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 10A, 10V, 4.29mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V, 27.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ340ADT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ340ADT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 69.7 A, 69.7 A, 0.00357 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 69.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 69.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00357ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
euEccn: NLR
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00357ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 11672 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ340ADT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.7A/25.4A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ340ADT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.7A/25.4A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ340BDT-T1-GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 36/69.3A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36/69.3A
Pulsed drain current: 100...150A
Power dissipation: 16.7/31W
Case: PowerPAIR® 3x3
On-state resistance: 14.03/6.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.5/12.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ340BDT-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ340BDT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16.9A/25.3A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ340BDT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ340BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 69.3 A, 69.3 A, 0.00359 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 69.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 69.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00359ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00359ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 8113 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ340BDT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16.9A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc), 4.2W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 36A (Tc), 25.3A (Ta), 69.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 15V, 1065pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.56mOhm @ 10A, 10V, 4.31mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 10V, 23.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

auf Bestellung 7463 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.88 EUR
15+	1.18 EUR
100+	0.77 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ340BDT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16.9A/25.3A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ340BDT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16.9A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc), 4.2W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 36A (Tc), 25.3A (Ta), 69.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 15V, 1065pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.56mOhm @ 10A, 10V, 4.31mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 10V, 23.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

auf Bestellung 7010 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.47 EUR
6000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ340BDT-T1-GE3

auf Bestellung 8113 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ340BDT-T1-GE3

MOSFETs PPAIR3X3 2NCH 30V 16.9A

auf Bestellung 8178 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.69 EUR
10+	1.06 EUR
100+	0.7 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.49 EUR
3000+	0.43 EUR
6000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ340DT HS

MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ340DT LS

MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ340DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A/40A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W, 31W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ340DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30A/40A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ340DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A/22.6A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ340DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30A/40A T/R

auf Bestellung 5400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

244+	0.59 EUR
245+	0.56 EUR
266+	0.5 EUR
269+	0.48 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.43 EUR
3000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 244

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ340DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ340DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.0042 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 5693 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ340DT-T1-GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30/40A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30/40A
Pulsed drain current: 100...150A
Power dissipation: 16.7/31W
Case: PowerPAIR® 3x3
On-state resistance: 13.7/7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19/35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ340DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A/40A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W, 31W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 6695 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.18 EUR
13+	1.42 EUR
100+	0.97 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ340DT-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ340DT-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3

auf Bestellung 17651 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.57 EUR
10+	1.12 EUR
100+	0.86 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.65 EUR
3000+	0.57 EUR
6000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ340DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30A/40A T/R

auf Bestellung 5400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

226+	0.63 EUR
244+	0.56 EUR
245+	0.54 EUR
266+	0.48 EUR
269+	0.46 EUR
500+	0.43 EUR
1000+	0.41 EUR
3000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 226

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ342ADT-T1-GE3

N Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ342ADT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ342ADT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 33.4 A, 33.4 A, 0.0078 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 33.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 33.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0078ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET GEN IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0078ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 3808 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ342ADT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 33.4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ342ADT-T1-GE3

SIZ342ADT-T1-GE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ342ADT-T1-GE3

MOSFET Dual N-Channel 30V

auf Bestellung 5351 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.06 EUR
10+	0.96 EUR
100+	0.71 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.55 EUR
3000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ342ADT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 33.4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 6313 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	1.97 EUR
15+	1.24 EUR
100+	0.82 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ342BDT-T1-GE3

MOSFETs PPAIR3X3 2NCH 30V 15.4A

auf Bestellung 745 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.78 EUR
10+	1.11 EUR
100+	0.73 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.57 EUR
3000+	0.49 EUR
9000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ342BDT-T1-GE3

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ342DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 3.6W, 4.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

auf Bestellung 12104 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.87 EUR
15+	1.25 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ342DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 6000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ342DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.41 EUR
6000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ342DT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3

auf Bestellung 2550 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.46 EUR
10+	1.19 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.64 EUR
3000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ342DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ342DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ342DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.0084 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0084ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0084ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 5499 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ342DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 3.6W, 4.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.57 EUR
6000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ342DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ342DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ342DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ342DT-T1-GE3

auf Bestellung 5499 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ342DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.41 EUR
6000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ342DT-T1-GE3

SIZ342DT-T1-GE3 Multi channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ346DT-T1-GE3

Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ346DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16W, 16.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V, 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 10A, 10V, 11.5mOhm @ 14.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 2755 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.87 EUR
16+	1.16 EUR
100+	0.76 EUR
500+	0.59 EUR
1000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ346DT-T1-GE3

SIZ346DT-T1-GE3 Multi channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ346DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16W, 16.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V, 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 10A, 10V, 11.5mOhm @ 14.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ346DT-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3

auf Bestellung 5784 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.68 EUR
10+	1.05 EUR
100+	0.69 EUR
500+	0.53 EUR
1000+	0.48 EUR
9000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ348DT-T1-GE3

SIZ348DT-T1-GE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ348DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

auf Bestellung 1895 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

218+	0.66 EUR
220+	0.63 EUR
222+	0.6 EUR
250+	0.57 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 218

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ348DT-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3

auf Bestellung 4219 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.53 EUR
10+	1.57 EUR
100+	1.03 EUR
500+	0.85 EUR
1000+	0.78 EUR
3000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ348DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 18A/30A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.12mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.78 EUR
13+	1.45 EUR
100+	1.13 EUR
500+	0.96 EUR
1000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ348DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

auf Bestellung 1895 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

88+	1.64 EUR
98+	1.41 EUR
99+	1.34 EUR
127+	1 EUR
250+	0.95 EUR
500+	0.75 EUR
1000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 88

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ348DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

78+	1.84 EUR
79+	1.76 EUR
100+	1.33 EUR
200+	1.21 EUR
500+	1 EUR
1000+	0.75 EUR
2000+	0.68 EUR
6000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 78

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ348DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ348DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 18A/30A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.12mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.73 EUR
6000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ348DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ350DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ350DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ350DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.00563 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00563ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00563ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 7345 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ350DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.75mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 7529 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.76 EUR
13+	1.43 EUR
100+	1.12 EUR
500+	0.95 EUR
1000+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ350DT-T1-GE3

SIZ350DT-T1-GE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ350DT-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 16V Vgs PowerPAIR 3 x 3

auf Bestellung 5830 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.78 EUR
10+	1.35 EUR
100+	1.03 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.76 EUR
3000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ350DT-T1-GE3

auf Bestellung 7345 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ350DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.75mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ700DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ700DT-T1-GE3

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ700DT-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SIZ710DT-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ702DT-T1-GE3

MOSFET 30 Volts 16 Amps 27 Watts

auf Bestellung 1480 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ702DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ702DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ704DT-T1-GE3

SIZ704DT-T1-GE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ704DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A 6PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W, 30W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™

auf Bestellung 6067 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.6 EUR
11+	1.66 EUR
100+	1.11 EUR
500+	0.87 EUR
1000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ704DT-T1-GE3

MOSFET 30V 12/16A 20/30W 24/13.5mohm @ 10V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ704DT-T1-GE3

QFN

auf Bestellung 90 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ704DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A 6PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W, 30W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ704DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 9.4A/14A 6-Pin PowerPAIR T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ710DT-T1-GE3

SIZ710DT-T1-GE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ710DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 16A 6PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 35A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™

auf Bestellung 19342 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.34 EUR
10+	1.93 EUR
100+	1.5 EUR
500+	1.27 EUR
1000+	1.03 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ710DT-T1-GE3

MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 3.7

auf Bestellung 3609 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.9 EUR
10+	1.6 EUR
100+	1.31 EUR
500+	1.15 EUR
1000+	0.99 EUR
3000+	0.95 EUR
6000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ710DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 16A/30A 6-Pin PowerPAIR T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ710DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 16A 6PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 35A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.97 EUR
6000+	0.93 EUR
9000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ720DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 16A 6POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 16.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ720DT-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ728DT-T1-GE3

MOSFET 25V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 3.7

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ728DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 25V 16A 6-POWERPAIR

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ730DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR

auf Bestellung 314 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.43 EUR
15+	1.18 EUR
100+	1.03 EUR

Mindestbestellmenge: 13

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ730DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16A/35A 6-Pin PowerPAIR T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ730DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ730DT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 3.7

auf Bestellung 5506 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ790DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ790DT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 3.7

auf Bestellung 1782 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ790DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ790DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12.9A/23.4A 6-Pin PowerPAIR T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ900DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR

auf Bestellung 2900 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ900DT-T1-GE3

MOSFET 30V 24/28A 48/100W 7.2/3.9mOhms @ 10V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ900DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR

auf Bestellung 2900 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ900DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ902DT-T1-GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 16A; 29/66W
Case: PowerPAIR® 3x3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21/65nC
On-state resistance: 14.5/8.3mΩ
Power dissipation: 29/66W
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50...80A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ902DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W, 66W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ902DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 14.3A/16A 8-Pin PowerPAIR T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ902DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 14.3A/16A 8-Pin PowerPAIR T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ902DT-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ902DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W, 66W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)

auf Bestellung 1972 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.29 EUR
10+	2.11 EUR
100+	1.43 EUR
500+	1.13 EUR
1000+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ902DT-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

auf Bestellung 2452 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.08 EUR
10+	1.97 EUR
100+	1.33 EUR
500+	1.18 EUR
6000+	1.16 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ902DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 14.3A/16A 8-Pin PowerPAIR T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ904DT-T1-GE3

SIZ904DT-T1-GE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ904DT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ904DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ904DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ904DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 9.5A/14.5A 8-Pin PowerPAIR T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ910DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W, 100W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ910DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 22A/32A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ910DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W, 100W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ914DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH Si 30V 16A/40A 8-Pin PowerPAIR EP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ914DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ914DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ914DT-T1-GE3

MOSFET 30V 16/40A 23/100W TrenchFET

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ916DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 22.7W, 100W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1208pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ916DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16A/40A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ918DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W, 100W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ918DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ918DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 28 A, 28 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 28A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 100W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 100W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 2043 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ918DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 14.3A/26A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ918DT-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

auf Bestellung 3304 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.71 EUR
10+	2.39 EUR
100+	1.64 EUR
500+	1.31 EUR
1000+	1.27 EUR
3000+	1.09 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ918DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W, 100W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

auf Bestellung 20297 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.14 EUR
10+	2.66 EUR
100+	1.82 EUR
500+	1.46 EUR
1000+	1.34 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ918DT-T1-GE3

auf Bestellung 2043 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ918DT-T1-GE3

SIZ918DT-T1-GE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ920DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 39W, 100W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 18.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ920DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 39W, 100W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 18.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ920DT-T1-GE3
Produktcode: 118521

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ920DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 22A/32A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ926DT-T1-GE3

MOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 6 x 5

auf Bestellung 5746 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.45 EUR
10+	1.65 EUR
100+	1.16 EUR
500+	1.04 EUR
1000+	0.89 EUR
3000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ926DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 22A/37A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ926DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 40W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 41nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ926DT-T1-GE3

SIZ926DT-T1-GE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ926DT-T1-GE3

Dual N-Channel 25 V (D-S) MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ926DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 40W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 41nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.08 EUR
10+	1.96 EUR
100+	1.32 EUR
500+	1.04 EUR
1000+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ980BDT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 23.7A/54.3A 8-Pin PowerPAIR EP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ980BDT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 23.7A 8PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 20W (Tc), 5W (Ta), 66W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 54.3A (Ta), 197A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V, 3655pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.39mOhm @ 15A, 10V, 1.06mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 79nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

auf Bestellung 13593 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.8 EUR
10+	1.89 EUR
100+	1.34 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ980BDT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ980BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 197 A, 197 A, 817 µohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 197A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 197A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 197A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 817µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 66W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 817µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 66W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 11794 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ980BDT-T1-GE3
Produktcode: 173623

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ980BDT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 23.7A 8PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 20W (Tc), 5W (Ta), 66W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 54.3A (Ta), 197A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V, 3655pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.39mOhm @ 15A, 10V, 1.06mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 79nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ980BDT-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) PowerPAIR 6 x 5

auf Bestellung 14982 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.87 EUR
10+	1.95 EUR
100+	1.54 EUR
500+	1.27 EUR
1000+	1.11 EUR
9000+	1.1 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ980BDT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 23.7A/54.3A 8-Pin PowerPAIR EP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ980BDT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ980BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 197 A, 197 A, 817 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 197A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 197A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 817µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 66W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 817µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 66W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 11794 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ980BDT-T1-GE3

SIZ980BDT-T1-GE3 Multi channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ980DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ980DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 60 A, 0.0011 ohm, PowerPAIR, Oberflächenmontage
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ980DT-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

auf Bestellung 2978 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.29 EUR
10+	2.11 EUR
100+	1.43 EUR
500+	1.14 EUR
1000+	1.07 EUR
3000+	1.06 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ980DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W, 66W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V, 4600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 1.6mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

auf Bestellung 7147 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.52 EUR
10+	2.25 EUR
100+	1.53 EUR
500+	1.22 EUR
1000+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ980DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ980DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ980DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 60 A, 0.0011 ohm, PowerPAIR, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 66
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal + Schottky
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ980DT-T1-GE3

SIZ980DT-T1-GE3 Multi channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ980DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ980DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W, 66W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V, 4600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 1.6mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ988DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ988DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0028 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0028ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 40W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 5900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ988DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 40W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V, 2425pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V, 4.1mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V, 23.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair®
Part Status: Active

auf Bestellung 10248 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.25 EUR
10+	2.02 EUR
100+	1.57 EUR
500+	1.3 EUR
1000+	1.03 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ988DT-T1-GE3

auf Bestellung 5900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ988DT-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

auf Bestellung 4167 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.01 EUR
10+	1.65 EUR
100+	1.28 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	0.89 EUR
3000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ988DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 40W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V, 2425pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V, 4.1mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V, 23.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair®
Part Status: Active

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ998BDT

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ998BDT

Trans MOSFET N-CH 30V 23.7A/36.2A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ998BDT-T1-GE3

MOSFET Dual N-Ch 30V(S1-S2)

auf Bestellung 2779 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.05 EUR
10+	0.85 EUR
100+	0.66 EUR
500+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ998BDT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 23.7A 8PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 20W (Tc), 4.8W (Ta), 32.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 36.2A (Ta), 94.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V, 2130pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.39mOhm @ 15A, 10V, 2.4mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 46.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.62 EUR
6000+	0.59 EUR
9000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ998BDT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 23.7A/36.2A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ998BDT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ998BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 94.6 A, 94.6 A, 0.0018 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 94.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 94.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0018ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0018ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 32.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 2904 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ998BDT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 23.7A/36.2A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ998BDT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 23.7A 8PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 20W (Tc), 4.8W (Ta), 32.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 36.2A (Ta), 94.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V, 2130pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.39mOhm @ 15A, 10V, 2.4mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 46.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

auf Bestellung 17917 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.5 EUR
15+	1.24 EUR
100+	0.96 EUR
500+	0.81 EUR
1000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 12

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ998BDT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 23.7A/36.2A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ998BDT-T1-GE3

auf Bestellung 2904 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ998DT-T1-GE3

SIZ998DT-T1-GE3 Multi channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ998DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ998DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ998DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 32.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

auf Bestellung 3770 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.24 EUR
10+	2.06 EUR
100+	1.4 EUR
500+	1.11 EUR
1000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ998DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ998DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 0.0022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 32.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 11234 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ998DT-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

auf Bestellung 6683 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.17 EUR
10+	2.02 EUR
100+	1.37 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	1.05 EUR
3000+	1 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ998DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 32.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ998DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ998DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 2200 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2200µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2200µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 32.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 11234 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZA20

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZA60

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZAL20

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZAL20/L291

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZAS4

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZB

SHINDENGEN

auf Bestellung 2200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZB20

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZB20/Z27N

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZB40

auf Bestellung 8500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZB4072

auf Bestellung 344 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZB60

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZB60-7072

auf Bestellung 2774 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZE 0 SOCKET

Circular MIL Spec Connector

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZE 12 SOCKET

Circular MIL Spec Connector

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZE 16 SOCKET

Circular MIL Spec Connector

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZE 20 SOCKET

Circular MIL Spec Connector

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZE 4 SOCKET

Circular MIL Spec Connector

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZE 5 COAX PC TERM BKW

ITT

SIZE 5 COAX PC TERM BKW

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	718.54 EUR
2+	686.95 EUR
3+	636.8 EUR
5+	593.05 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZE 8 SOCKET

Circular MIL Spec Connector

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF300DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.84mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 62nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF300DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZF300DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 141 A, 141 A, 0.0016 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 141A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 141A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0016ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 74W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0016ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 74W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF300DT-T1-GE3

Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 75A; 4,5mOhm; 20V; 75W; -55°C ~ 150°C; SIZF300DT-T1-GE3 SIZF300DT TSIZF300dt
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	1.92 EUR

Mindestbestellmenge: 20

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF300DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.84mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 62nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

auf Bestellung 2840 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.95 EUR
12+	1.6 EUR
100+	1.24 EUR
500+	1.05 EUR
1000+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF300DT-T1-GE3

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF300DT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds; 16/-12V Vgs PowerPAIR F 3.3x3.3

auf Bestellung 970 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.11 EUR
10+	1.9 EUR
100+	1.48 EUR
500+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF300DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 23A/34A 6-Pin PowerPAIR T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF300DT-T1-GE3

SIZF300DT-T1-GE3 Multi channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF360DT-T1-GE3

Description: MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3X3FDC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 52W (Tc), 4.3W (Ta), 78W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 83A (Tc), 34A (Ta), 143A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 62nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™
Part Status: Active

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF360DT-T1-GE3

MOSFET 30-V W/SCHOTTKY PowerPAIR 3 x 3FDC

auf Bestellung 5936 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.89 EUR
10+	2.43 EUR
100+	2.11 EUR
250+	2.06 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF360DT-T1-GE3

N Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF360DT-T1-GE3

Description: MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3X3FDC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 52W (Tc), 4.3W (Ta), 78W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 83A (Tc), 34A (Ta), 143A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 62nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF4800LDT-T1-GE3

MOSFETs PPAIR3X3 2NCH 80V 10A

auf Bestellung 4811 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.27 EUR
10+	2.22 EUR
100+	1.56 EUR
500+	1.24 EUR
1000+	1.19 EUR
3000+	1.02 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF4800LDT-T1-GE3

Dual N-Channel 80 V (D-S) MOSFET PowerPAIR FS 3 x 3, 19 m @ 10V, 23.8 m @ 4.5V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF4800LDT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZF4800LDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 36 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 36A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR 3 x 3FS
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 5506 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF4800LDT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 56.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS

auf Bestellung 5803 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	2.97 EUR
10+	2.03 EUR
100+	1.44 EUR
500+	1.18 EUR
1000+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF4800LDT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 56.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF4800LDT-T1-GE3

auf Bestellung 5506 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF5300DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 35A PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 56.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 125A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS
Part Status: Active

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF5300DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZF5300DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 125 A, 125 A, 0.00202 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 125A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00202ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 56.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00202ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 13410 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF5300DT-T1-GE3

auf Bestellung 13410 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF5300DT-T1-GE3

MOSFETs PPAIR3X3 2NCH 30V 35A

auf Bestellung 8033 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.24 EUR
10+	2.76 EUR
100+	1.9 EUR
500+	1.56 EUR
1000+	1.43 EUR
3000+	1.36 EUR
6000+	1.31 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF5300DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 35A PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 56.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 125A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS
Part Status: Active

auf Bestellung 5314 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.27 EUR
10+	2.72 EUR
100+	2.16 EUR
500+	1.83 EUR
1000+	1.55 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF5302DT-T1-RE3

MOSFETs PPAIR3X3 2NCH 30V 28.1A

auf Bestellung 8772 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.75 EUR
10+	1.74 EUR
100+	1.34 EUR
500+	1.17 EUR
1000+	1.16 EUR
3000+	1.11 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF5302DT-T1-RE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 28.1A PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 48.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Ta), 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF5302DT-T1-RE3

Description: VISHAY - SIZF5302DT-T1-RE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 100 A, 100 A, 0.0027 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0027ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0027ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 13960 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF5302DT-T1-RE3

auf Bestellung 13960 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF5302DT-T1-RE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 28.1A PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 48.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Ta), 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS
Part Status: Active

auf Bestellung 3803 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.19 EUR
10+	2.7 EUR
100+	1.84 EUR
500+	1.48 EUR
1000+	1.36 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF5302DT-T1-RE3-X

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF640DT-T1-GE3

MOSFETs PPAIR6X5 2NCH 40V 41A

auf Bestellung 11660 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.84 EUR
10+	3.77 EUR
100+	2.78 EUR
500+	2.46 EUR
1000+	2.11 EUR
3000+	1.99 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF906ADT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F

auf Bestellung 5804 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.53 EUR
10+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF906ADT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V, 200nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF906ADT-T1-GE3

SIZF906ADT-T1-GE3 Multi channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF906ADT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 27A/52A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

auf Bestellung 5805 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

152+	0.94 EUR
155+	0.89 EUR
157+	0.85 EUR
250+	0.8 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.71 EUR
3000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 152

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF906ADT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V, 200nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF906ADT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 27A/52A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

auf Bestellung 5805 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

150+	0.95 EUR
152+	0.91 EUR
155+	0.86 EUR
157+	0.81 EUR
250+	0.77 EUR
500+	0.72 EUR
1000+	0.68 EUR
3000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 150

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF906ADT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 27A/52A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF906BDT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 36A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 105A (Tc), 63A (Ta), 257A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630pF @ 15V, 5550pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 15A, 10V, 0.68mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V, 165nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)

auf Bestellung 22279 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.52 EUR
10+	2.91 EUR
100+	2 EUR
500+	1.61 EUR
1000+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF906BDT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 36A/63A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

auf Bestellung 2010 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

146+	0.98 EUR
149+	0.92 EUR
150+	0.85 EUR
156+	0.79 EUR
250+	0.75 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 146

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF906BDT-T1-GE3

MOSFETs PWRPR N CHAN 30V

auf Bestellung 23256 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.77 EUR
10+	2.22 EUR
100+	1.69 EUR
500+	1.58 EUR
1000+	1.46 EUR
3000+	1.34 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF906BDT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 36A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 105A (Tc), 63A (Ta), 257A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630pF @ 15V, 5550pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 15A, 10V, 0.68mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V, 165nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF906BDT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 36A/63A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

auf Bestellung 2010 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

149+	0.96 EUR
150+	0.89 EUR
156+	0.82 EUR
250+	0.79 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 149

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF906BDT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZF906BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 257 A, 257 A, 0.00045 ohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 257A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 257A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 257A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 450µohm
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung, p-Kanal: 83W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 450µohm
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 83W
Betriebswiderstand, Rds(on): 450µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF906DDT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZF906DDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 257 A, 900 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 257A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR F
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 900µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 83W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF906DDT-T1-GE3

MOSFETs DUAL N-CH 30-V (D-S) MOSFET W/ SCHOT

auf Bestellung 2950 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.56 EUR
10+	2.27 EUR
100+	1.57 EUR
500+	1.33 EUR
1000+	1.16 EUR
3000+	0.99 EUR
9000+	0.97 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF906DDT-T1-GE3

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF906DT-T1-GE3
Produktcode: 186042

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF906DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 27A/52A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SiZF906DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 60A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W (Tc), 83W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

auf Bestellung 16133 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.59 EUR
10+	2.11 EUR
100+	1.64 EUR
500+	1.39 EUR
1000+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SiZF906DT-T1-GE3

SIZF906DT-T1-GE3 Multi channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SiZF906DT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR F 6 x 5

auf Bestellung 8964 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.62 EUR
10+	2.16 EUR
100+	1.69 EUR
500+	1.42 EUR
1000+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SiZF906DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 60A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W (Tc), 83W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.07 EUR
6000+	1.02 EUR
9000+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF906DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 27A/52A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF914DT-T1-GE3

Description: DUAL N-CH 25-V (D-S) MOSFET W/SC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF914DT-T1-GE3

SIZF914DT-T1-GE3 Multi channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF914DT-T1-GE3

MOSFETs 25V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F

auf Bestellung 2950 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.69 EUR
10+	1.85 EUR
100+	1.56 EUR
500+	1.3 EUR
1000+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF914DT-T1-GE3

Dual N-Channel 25 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF916DT-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH DUAL 30V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 10V, 1.25mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 95nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

auf Bestellung 922 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.89 EUR
10+	2.58 EUR
100+	2.01 EUR
500+	1.66 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF916DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 23A/45A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF916DT-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH DUAL 30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 10V, 1.25mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 95nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF916DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZF916DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 60 A, 900 µohm, PowerPAIR, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV, SkyFET
Wandlerpolarität: n-Kanal + Schottky
Betriebswiderstand, Rds(on): 900
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF916DT-T1-GE3

SIZF916DT-T1-GE3 Multi channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF916DT-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F

auf Bestellung 2168 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.29 EUR
10+	2.11 EUR
100+	1.43 EUR
1000+	1.31 EUR
3000+	1.04 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF918DT-T1-GE3

Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF918DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZF918DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 60 A, 0.0012 ohm, PowerPAIR, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV, SkyFET
Wandlerpolarität: n-Kanal + Schottky
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.2
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 5957 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF918DT-T1-GE3

SIZF918DT-T1-GE3 Multi channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF918DT-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F

auf Bestellung 5283 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.22 EUR
10+	2.08 EUR
100+	1.4 EUR
500+	1.12 EUR
1000+	1.05 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF918DT-T1-GE3

Description: MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAIR 6

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF920DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 28A/49A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF920DT-T1-GE3

MOSFETs Dual 30V Vds PowerPAIR 6x5F

auf Bestellung 11012 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.46 EUR
10+	2.15 EUR
100+	1.8 EUR
250+	1.74 EUR
500+	1.58 EUR
1000+	1.42 EUR
3000+	1.35 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF920DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 28A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.07mOhm @ 10A, 10V, 1.05mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V, 125nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF920DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 28A/49A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

auf Bestellung 11890 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

74+	1.94 EUR
82+	1.69 EUR
84+	1.58 EUR
100+	1.32 EUR
250+	1.25 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	0.92 EUR
3000+	0.89 EUR
6000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 74

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF920DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 28A/49A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF920DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 28A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.07mOhm @ 10A, 10V, 1.05mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V, 125nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

auf Bestellung 2211 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.44 EUR
10+	2.86 EUR
100+	1.96 EUR
500+	1.58 EUR
1000+	1.45 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF928DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 33A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 88A (Tc), 61A (Ta), 248A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.45mOhm @ 10A, 10V, 0.75mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

auf Bestellung 6064 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.61 EUR
10+	2.31 EUR
100+	1.58 EUR
500+	1.26 EUR
1000+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF928DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZF928DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 248 A, 248 A, 0.00053 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 248A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00053ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 74W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00053ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 74W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 11994 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF928DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 33A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 88A (Tc), 61A (Ta), 248A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.45mOhm @ 10A, 10V, 0.75mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF928DT-T1-GE3

MOSFETs PPAIR6X5 2NCH 30V 33A

auf Bestellung 2890 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.61 EUR
10+	2.32 EUR
100+	1.59 EUR
500+	1.26 EUR
1000+	1.22 EUR
3000+	1.11 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF928DT-T1-GE3