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MOSFET 30V Vds 20/-16V Vgs PowerPAIR 3x3S

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SIZ200DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 22A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V, 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)

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SIZ200DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

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SIZ200DT-T1-GE3

SIZ200DT-T1-GE3 SMD N channel transistors

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SIZ200DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 22A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V, 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)

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SIZ240DT-T1-GE3

SIZ240DT-T1-GE3 Multi channel transistors

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SIZ240DT-T1-GE3

Description: MOSFET DUAL N-CH 40V POWERPAIR 3

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SIZ240DT-T1-GE3

Transistor 2xN-Channel MOSFET; 40V; 20V; 12mOhm/13mOhm; 48A/47A; 33W; -55°C ~ 150°C; SIZ240DT-T1-GE3 TSIZ240dt
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

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10+	4.37 EUR

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SIZ240DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ240DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 48 A, 48 A, 0.00671 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 48A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00671ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00671ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

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SIZ240DT-T1-GE3

MOSFETs DUAL N-CHANNEL Symm.PowerPAIR 3 x 3

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2+	2.46 EUR
10+	1.88 EUR
100+	1.35 EUR
500+	1.13 EUR
1000+	0.92 EUR
3000+	0.87 EUR
6000+	0.83 EUR

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SIZ240DT-T1-GE3

Description: MOSFET DUAL N-CH 40V POWERPAIR 3

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SIZ240DT-T1-GE3

SIZ240DT-T1-GE3

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SIZ250DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ250DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 38 A, 38 A, 0.01007 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 38A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01007ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01007ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

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SIZ250DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 14A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 38A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 30V, 790pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 10A, 10V, 12.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)
Part Status: Active

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3000+	0.77 EUR
6000+	0.71 EUR

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SIZ250DT-T1-GE3

SIZ250DT-T1-GE3 SMD N channel transistors

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SIZ250DT-T1-GE3

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SIZ250DT-T1-GE3

MOSFETs DUAL N-CHANNEL 60-V PowerPAIR 3 x 3S

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2+	2.27 EUR
10+	1.59 EUR
100+	1.24 EUR
500+	0.98 EUR
1000+	0.85 EUR
3000+	0.80 EUR
6000+	0.78 EUR

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SIZ250DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin PowerPAIR EP

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SIZ250DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 14A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 38A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 30V, 790pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 10A, 10V, 12.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)
Part Status: Active

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7+	2.83 EUR
10+	1.80 EUR
100+	1.21 EUR
500+	0.96 EUR
1000+	0.87 EUR

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SIZ254DT-T1-GE3

MOSFETs PWRPR N CHAN 70V

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2+	2.36 EUR
10+	1.58 EUR
100+	1.11 EUR
500+	0.96 EUR
1000+	0.86 EUR
3000+	0.76 EUR

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SIZ254DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 70V 11.7A 8PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 70V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 32.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795pF @ 35V, 765pF @ 35V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)
Part Status: Active

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6+	2.96 EUR
10+	1.87 EUR
100+	1.25 EUR
500+	0.99 EUR
1000+	0.91 EUR

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SIZ254DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ254DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 70 V, 32.5 A, 32.5 A, 0.0129 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 70V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0129ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 70V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0129ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 20396 Stücke:

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SIZ254DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 70V 11.7A 8PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 70V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 32.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795pF @ 35V, 765pF @ 35V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)
Part Status: Active

auf Bestellung 3000 Stücke:

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3000+	0.80 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SIZ256DT-T1-GE3

SIZ256DT-T1-GE3 SMD N channel transistors

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SIZ256DT-T1-GE3

Description: DUAL N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET

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SIZ256DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 70V 11.5A 8-Pin PowerPAIR EP

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SIZ256DT-T1-GE3
Produktcode: 185540

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SIZ256DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ256DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 70 V, 31.8 A, 31.8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 31.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 70V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 31.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 70V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 5860 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIZ256DT-T1-GE3

Description: DUAL N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET

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SIZ256DT-T1-GE3

MOSFETs PWRPR N CHAN 70V

auf Bestellung 2184 Stücke:

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2+	2.20 EUR
10+	1.42 EUR
100+	1.07 EUR
500+	0.90 EUR
1000+	0.80 EUR

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SIZ256DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 70V 11.5A 8-Pin PowerPAIR EP

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SIZ256DT-T1-GE3

auf Bestellung 5860 Stücke:

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SIZ260DT-T1-GE3

MOSFETs DUAL N-CHANNEL 80-V PowerPAIR 3 x 3S

auf Bestellung 7205 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.55 EUR
10+	1.71 EUR
100+	1.24 EUR
500+	0.98 EUR
1000+	0.87 EUR
3000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SIZ260DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ260DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 24.7 A, 24.7 A, 0.0204 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 24.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0204ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0204ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 20408 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIZ260DT-T1-GE3

SIZ260DT-T1-GE3 Multi channel transistors

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SIZ260DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 80V 8.9A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 24.7A (Tc), 8.9A (Ta), 24.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 10A, 10V, 24.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.79 EUR
6000+	0.74 EUR
9000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SIZ260DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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SIZ270DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ270DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 19.5 A, 19.5 A, 0.0302 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 19.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0302ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0302ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 13791 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ270DT-T1-GE3

SIZ270DT-T1-GE3 SMD N channel transistors

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ270DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 100V 7.1A 8PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta), 19.5A (Tc), 6.9A (Ta), 19.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 50V, 845pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.7mOhm @ 7A, 10V, 39.4mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.91 EUR
6000+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SIZ270DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ270DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19.5 A, 0.0302 ohm, PowerPAIR 3 x 3S, Oberflächenmontage
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

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SIZ270DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 100V 7.1A 8PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta), 19.5A (Tc), 6.9A (Ta), 19.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 50V, 845pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.7mOhm @ 7A, 10V, 39.4mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)

auf Bestellung 11593 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.20 EUR
10+	1.80 EUR
100+	1.40 EUR
500+	1.19 EUR
1000+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 8

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SIZ270DT-T1-GE3

MOSFET Dual N-Ch 100V(D-S)

auf Bestellung 11077 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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10+	1.58 EUR
100+	1.29 EUR
500+	1.14 EUR
1000+	0.97 EUR
3000+	0.93 EUR

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SIZ300DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W, 31W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair®
Part Status: Active

auf Bestellung 13 Stücke:

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9+	1.97 EUR
10+	1.77 EUR

Mindestbestellmenge: 9

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SIZ300DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 9.8A/14.9A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

auf Bestellung 2 Stücke:

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SIZ300DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 9.8A/14.9A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

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SIZ300DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W, 31W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair®
Part Status: Active

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SIZ300DT-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SIZ342DT-T1-GE3

auf Bestellung 2995 Stücke:

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10+	1.08 EUR
100+	0.74 EUR
500+	0.69 EUR

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SIZ300DT-T1-GE3
Produktcode: 106566

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Transistoren > MOSFET N-CH

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SIZ300DT-T1-GE3

SIZ300DT-T1-GE3 SMD N channel transistors

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SIZ300DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 9.8A/14.9A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

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SIZ320DT-T1-GE3

MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 3 x 3

auf Bestellung 3904 Stücke:

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2+	1.57 EUR
10+	1.40 EUR
100+	1.07 EUR
500+	0.85 EUR
1000+	0.68 EUR
3000+	0.61 EUR

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SIZ320DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ320DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.00353 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00353ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 6050 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIZ320DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W, 31W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 12.5V, 1370pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 8A, 10V, 4.24mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V, 11.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 2900 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.60 EUR
13+	1.38 EUR
100+	0.96 EUR
500+	0.80 EUR
1000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 11

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SIZ320DT-T1-GE3

SIZ320DT-T1-GE3 SMD N channel transistors

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SIZ320DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W, 31W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 12.5V, 1370pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 8A, 10V, 4.24mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V, 11.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

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SIZ320DT-T1-GE3

auf Bestellung 6050 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIZ320DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 17.2A/24.8A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

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SIZ322DT-T1-GE3

SIZ322DT-T1-GE3 SMD N channel transistors

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SIZ322DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 30A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

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SIZ322DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 30A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.46 EUR

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SIZ322DT-T1-GE3
Produktcode: 175930

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Transistoren > MOSFET N-CH

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SIZ322DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ322DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 30 A, 30 A, 0.00529 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00529ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00529ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 5518 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIZ322DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 25V 30A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

auf Bestellung 9950 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.43 EUR
15+	1.23 EUR
100+	0.85 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 13

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ322DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 30A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ322DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 30A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIZ322DT-T1-GE3

MOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 3 x 3

auf Bestellung 61170 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.44 EUR
10+	1.25 EUR
100+	0.86 EUR
500+	0.72 EUR
1000+	0.62 EUR
3000+	0.55 EUR
6000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ322DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 30A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ322DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 25V 30A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.54 EUR
6000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ322DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 30A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 6000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ322DT-T1-GE3

auf Bestellung 5518 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ328DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 25V 11.1A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 10V, 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V, 10mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V, 11.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ328DT-T1-GE3

MOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 3 x 3

auf Bestellung 4490 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.80 EUR
10+	1.25 EUR
100+	0.80 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.63 EUR
3000+	0.59 EUR
6000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ328DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 25V 11.1A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 10V, 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V, 10mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V, 11.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

auf Bestellung 2850 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.65 EUR
16+	1.11 EUR
100+	0.77 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ340ADT

Trans MOSFET N-CH 30V 15.7A/25.4A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ340ADT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.7A/25.4A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ340ADT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.7A/25.4A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ340ADT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ340ADT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 69.7 A, 69.7 A, 0.00357 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 69.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 69.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00357ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
euEccn: NLR
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00357ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 11672 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ340ADT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc), 4.2W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 33.4A (Tc), 25.4A (Ta), 69.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V, 1290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 10A, 10V, 4.29mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V, 27.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ340ADT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ340ADT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 69.7 A, 69.7 A, 0.00357 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69.7A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 69.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 69.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00357ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00357ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 11672 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ340ADT-T1-GE3

SIZ340ADT-T1-GE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ340ADT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.7A/25.4A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ340ADT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc), 4.2W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 33.4A (Tc), 25.4A (Ta), 69.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V, 1290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 10A, 10V, 4.29mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V, 27.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

auf Bestellung 16381 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.74 EUR
13+	1.43 EUR
100+	1.11 EUR
500+	0.94 EUR
1000+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ340ADT-T1-GE3

MOSFETs DUAL N-CHANNEL 30-V

auf Bestellung 10323 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.72 EUR
10+	1.42 EUR
100+	1.11 EUR
500+	0.94 EUR
1000+	0.76 EUR
3000+	0.72 EUR
6000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ340BDT-T1-GE3

SIZ340BDT-T1-GE3 SMD N channel transistors

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SIZ340BDT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16.9A/25.3A T/R

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SIZ340BDT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ340BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 69.3 A, 69.3 A, 0.00359 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 69.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 69.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00359ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00359ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 8113 Stücke:

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SIZ340BDT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16.9A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc), 4.2W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 36A (Tc), 25.3A (Ta), 69.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 15V, 1065pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.56mOhm @ 10A, 10V, 4.31mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 10V, 23.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

auf Bestellung 7010 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.47 EUR
6000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SIZ340BDT-T1-GE3

MOSFETs PWRPR N CHAN 30V

auf Bestellung 12217 Stücke:

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2+	1.71 EUR
10+	1.16 EUR
100+	0.76 EUR
500+	0.60 EUR
1000+	0.53 EUR
3000+	0.46 EUR
6000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SIZ340BDT-T1-GE3

auf Bestellung 8113 Stücke:

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SIZ340BDT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16.9A/25.3A T/R

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SIZ340BDT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16.9A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc), 4.2W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 36A (Tc), 25.3A (Ta), 69.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 15V, 1065pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.56mOhm @ 10A, 10V, 4.31mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 10V, 23.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

auf Bestellung 7463 Stücke:

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10+	1.88 EUR
15+	1.18 EUR
100+	0.77 EUR
500+	0.60 EUR
1000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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SIZ340DT HS

MOSFETs

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SIZ340DT LS

MOSFETs

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SIZ340DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30A/40A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

auf Bestellung 5400 Stücke:

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131+	1.13 EUR
164+	0.87 EUR
165+	0.83 EUR
209+	0.63 EUR
250+	0.60 EUR
500+	0.50 EUR
1000+	0.45 EUR
3000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 131

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SIZ340DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A/40A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W, 31W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 6695 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.18 EUR
13+	1.42 EUR
100+	0.97 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 9

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SIZ340DT-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3

auf Bestellung 5794 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.13 EUR
10+	1.39 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.69 EUR
3000+	0.60 EUR
6000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SIZ340DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30A/40A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

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SIZ340DT-T1-GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30/40A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30/40A
Pulsed drain current: 100...150A
Power dissipation: 16.7/31W
On-state resistance: 13.7/7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19/35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

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SIZ340DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ340DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.0042 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 6257 Stücke:

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SIZ340DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A/40A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W, 31W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SIZ340DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30A/40A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

auf Bestellung 5400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

164+	0.90 EUR
165+	0.87 EUR
209+	0.66 EUR
250+	0.62 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.47 EUR
3000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 164

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SIZ340DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A/22.6A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

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SIZ340DT-T1-GE3

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SIZ340DT-T1-GE3

auf Bestellung 6257 Stücke:

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SIZ342ADT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ342ADT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 33.4 A, 33.4 A, 0.0078 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 33.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 33.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0078ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET GEN IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0078ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 3808 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ342ADT-T1-GE3

N Channel MOSFET

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SIZ342ADT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 33.4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 6313 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	1.97 EUR
15+	1.24 EUR
100+	0.82 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 9

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SIZ342ADT-T1-GE3

SIZ342ADT-T1-GE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ342ADT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 33.4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.50 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SIZ342ADT-T1-GE3

MOSFET Dual N-Channel 30V

auf Bestellung 5351 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.06 EUR
10+	0.96 EUR
100+	0.71 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.55 EUR
3000+	0.50 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ342BDT-T1-GE3

MOSFET

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SIZ342BDT-T1-GE3

MOSFETs

auf Bestellung 2885 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.27 EUR
10+	1.12 EUR
100+	0.77 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.55 EUR
3000+	0.49 EUR
6000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ342DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.43 EUR
6000+	0.40 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ342DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 6000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ342DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.43 EUR
6000+	0.40 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ342DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ342DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.0084 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0084ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0084ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 5499 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ342DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ342DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 3.6W, 4.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

auf Bestellung 12104 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.87 EUR
15+	1.25 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.70 EUR
1000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ342DT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3

auf Bestellung 2550 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.46 EUR
10+	1.19 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.64 EUR
3000+	0.60 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ342DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ342DT-T1-GE3

auf Bestellung 5499 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ342DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ342DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ342DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 3.6W, 4.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.57 EUR
6000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SIZ342DT-T1-GE3

SIZ342DT-T1-GE3 Multi channel transistors

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SIZ346DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16W, 16.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V, 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 10A, 10V, 11.5mOhm @ 14.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

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SIZ346DT-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.42 EUR
10+	1.03 EUR
100+	0.70 EUR
500+	0.59 EUR
1000+	0.50 EUR
3000+	0.45 EUR
6000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ346DT-T1-GE3

Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs

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SIZ346DT-T1-GE3

SIZ346DT-T1-GE3 Multi channel transistors

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SIZ346DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16W, 16.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V, 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 10A, 10V, 11.5mOhm @ 14.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 2755 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.87 EUR
16+	1.16 EUR
100+	0.76 EUR
500+	0.59 EUR
1000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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SIZ348DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

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SIZ348DT-T1-GE3

SIZ348DT-T1-GE3 SMD N channel transistors

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SIZ348DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 18A/30A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.12mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.73 EUR
6000+	0.70 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SIZ348DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

auf Bestellung 1895 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

218+	0.68 EUR
220+	0.65 EUR
222+	0.62 EUR
250+	0.59 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 218

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SIZ348DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

auf Bestellung 1895 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

88+	1.69 EUR
98+	1.46 EUR
99+	1.39 EUR
127+	1.04 EUR
250+	0.99 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 88

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SIZ348DT-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3

auf Bestellung 4248 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.07 EUR
10+	1.06 EUR
100+	0.93 EUR
500+	0.82 EUR
1000+	0.78 EUR
3000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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SIZ348DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

78+	1.90 EUR
79+	1.82 EUR
100+	1.38 EUR
200+	1.26 EUR
500+	1.03 EUR
1000+	0.78 EUR
2000+	0.70 EUR
6000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 78

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SIZ348DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 18A/30A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.12mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.78 EUR
13+	1.45 EUR
100+	1.13 EUR
500+	0.96 EUR
1000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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SIZ348DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

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SIZ350DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.75mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 7529 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.76 EUR
13+	1.43 EUR
100+	1.12 EUR
500+	0.95 EUR
1000+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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SIZ350DT-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 16V Vgs PowerPAIR 3 x 3

auf Bestellung 5830 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.78 EUR
10+	1.35 EUR
100+	1.03 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.76 EUR
3000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SIZ350DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.75mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SIZ350DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ350DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.00563 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00563ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00563ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 7345 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIZ350DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

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SIZ350DT-T1-GE3

SIZ350DT-T1-GE3 SMD N channel transistors

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SIZ350DT-T1-GE3

auf Bestellung 7345 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIZ700DT-T1-GE3

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIZ700DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8

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SIZ700DT-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SIZ710DT-T1-GE3

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SIZ702DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR

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SIZ702DT-T1-GE3

MOSFET 30 Volts 16 Amps 27 Watts

auf Bestellung 1480 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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SIZ702DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR

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SIZ704DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A 6PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W, 30W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™

auf Bestellung 6067 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.60 EUR
11+	1.66 EUR
100+	1.11 EUR
500+	0.87 EUR
1000+	0.80 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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SIZ704DT-T1-GE3

MOSFET 30V 12/16A 20/30W 24/13.5mohm @ 10V

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SIZ704DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 9.4A/14A 6-Pin PowerPAIR T/R

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SIZ704DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A 6PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W, 30W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.70 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SIZ704DT-T1-GE3

SIZ704DT-T1-GE3 SMD N channel transistors

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SIZ704DT-T1-GE3

QFN

auf Bestellung 90 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIZ710DT-T1-GE3

SIZ710DT-T1-GE3 SMD N channel transistors

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SIZ710DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 16A 6PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 35A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.97 EUR
6000+	0.93 EUR
9000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ710DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 16A 6PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 35A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™

auf Bestellung 19342 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.34 EUR
10+	1.93 EUR
100+	1.50 EUR
500+	1.27 EUR
1000+	1.03 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ710DT-T1-GE3

MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 3.7

auf Bestellung 3609 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.90 EUR
10+	1.60 EUR
100+	1.31 EUR
500+	1.15 EUR
1000+	0.99 EUR
3000+	0.95 EUR
6000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ710DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 16A/30A 6-Pin PowerPAIR T/R

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SIZ720DT-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

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SIZ720DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 16A 6POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 16.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™

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SIZ728DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 25V 16A 6-POWERPAIR

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SIZ728DT-T1-GE3

MOSFET 25V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 3.7

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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SIZ730DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR

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SIZ730DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16A/35A 6-Pin PowerPAIR T/R

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SIZ730DT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 3.7

auf Bestellung 5506 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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SIZ730DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR

auf Bestellung 314 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.43 EUR
15+	1.18 EUR
100+	1.03 EUR

Mindestbestellmenge: 13

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SIZ790DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12.9A/23.4A 6-Pin PowerPAIR T/R

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SIZ790DT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 3.7

auf Bestellung 1782 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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SIZ790DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR

Produkt ist nicht verfügbar

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SIZ790DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR

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SIZ900DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR

auf Bestellung 2900 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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SIZ900DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR

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SIZ900DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR

auf Bestellung 2900 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ900DT-T1-GE3

MOSFET 30V 24/28A 48/100W 7.2/3.9mOhms @ 10V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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SIZ902DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 14.3A/16A 8-Pin PowerPAIR T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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SIZ902DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W, 66W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)

auf Bestellung 1972 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.29 EUR
10+	2.11 EUR
100+	1.43 EUR
500+	1.13 EUR
1000+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ902DT-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

auf Bestellung 2534 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.39 EUR
10+	1.85 EUR
100+	1.31 EUR
500+	1.07 EUR
6000+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ902DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 14.3A/16A 8-Pin PowerPAIR T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ902DT-T1-GE3

SIZ902DT-T1-GE3 SMD N channel transistors

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SIZ902DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 14.3A/16A 8-Pin PowerPAIR T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ902DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W, 66W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)

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SIZ904DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 9.5A/14.5A 8-Pin PowerPAIR T/R

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SIZ904DT-T1-GE3

SIZ904DT-T1-GE3 SMD N channel transistors

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SIZ904DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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SIZ904DT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

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SIZ904DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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SIZ910DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W, 100W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)

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SIZ910DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W, 100W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)

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SIZ910DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 22A/32A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

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SIZ914DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR

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SIZ914DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH Si 30V 16A/40A 8-Pin PowerPAIR EP

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SIZ914DT-T1-GE3

MOSFET 30V 16/40A 23/100W TrenchFET

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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SIZ914DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR

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SIZ916DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16A/40A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

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SIZ916DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 22.7W, 100W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1208pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)

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SIZ918DT-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

auf Bestellung 1700 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.69 EUR
10+	2.25 EUR
100+	1.80 EUR
250+	1.76 EUR
500+	1.50 EUR
1000+	1.28 EUR
3000+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SIZ918DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W, 100W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

auf Bestellung 20297 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.14 EUR
10+	2.66 EUR
100+	1.82 EUR
500+	1.46 EUR
1000+	1.34 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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SIZ918DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W, 100W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SIZ918DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 14.3A/26A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIZ918DT-T1-GE3

SIZ918DT-T1-GE3 SMD N channel transistors

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SIZ920DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 22A/32A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

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SIZ920DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 39W, 100W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 18.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)

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SIZ920DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 39W, 100W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 18.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)

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SIZ920DT-T1-GE3
Produktcode: 118521

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Transistoren > MOSFET N-CH

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SIZ926DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 22A/37A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

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SIZ926DT-T1-GE3

SIZ926DT-T1-GE3 SMD N channel transistors

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SIZ926DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 40W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 41nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.08 EUR
10+	1.96 EUR
100+	1.32 EUR
500+	1.04 EUR
1000+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ926DT-T1-GE3

MOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 6 x 5

auf Bestellung 5746 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.45 EUR
10+	1.65 EUR
100+	1.16 EUR
500+	1.04 EUR
1000+	0.89 EUR
3000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ926DT-T1-GE3

Dual N-Channel 25 V (D-S) MOSFETs

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ926DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 40W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 41nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ980BDT-T1-GE3

SIZ980BDT-T1-GE3 Multi channel transistors

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ980BDT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 23.7A 8PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 20W (Tc), 5W (Ta), 66W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 54.3A (Ta), 197A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V, 3655pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.39mOhm @ 15A, 10V, 1.06mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 79nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ980BDT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ980BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 197 A, 197 A, 817 µohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 197A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 197A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 197A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 817µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 66W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 817µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 66W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 11794 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ980BDT-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) PowerPAIR 6 x 5

auf Bestellung 14982 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.87 EUR
10+	1.95 EUR
100+	1.54 EUR
500+	1.27 EUR
1000+	1.11 EUR
9000+	1.10 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ980BDT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 23.7A/54.3A 8-Pin PowerPAIR EP

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SIZ980BDT-T1-GE3
Produktcode: 173623

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ980BDT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 23.7A 8PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 20W (Tc), 5W (Ta), 66W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 54.3A (Ta), 197A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V, 3655pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.39mOhm @ 15A, 10V, 1.06mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 79nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

auf Bestellung 13593 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.80 EUR
10+	1.89 EUR
100+	1.34 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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SIZ980BDT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ980BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 197 A, 197 A, 817 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 197A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 197A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 817µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 66W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 817µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 66W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 11794 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIZ980BDT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 23.7A/54.3A 8-Pin PowerPAIR EP

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SIZ980DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ980DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 60 A, 0.0011 ohm, PowerPAIR, Oberflächenmontage
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

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SIZ980DT-T1-GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20/60A
Pulsed drain current: 90...130A
Power dissipation: 20/66W
On-state resistance: 10/2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18/77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ980DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W, 66W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V, 4600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 1.6mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ980DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ980DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 60 A, 0.0011 ohm, PowerPAIR, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 66
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal + Schottky
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

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SIZ980DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

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SIZ980DT-T1-GE3

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SIZ980DT-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

auf Bestellung 3009 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.19 EUR
10+	2.22 EUR
100+	1.58 EUR
500+	1.26 EUR
1000+	1.15 EUR
3000+	1.06 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ980DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W, 66W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V, 4600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 1.6mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

auf Bestellung 7147 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.52 EUR
10+	2.25 EUR
100+	1.53 EUR
500+	1.22 EUR
1000+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ980DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ988DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 40W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V, 2425pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V, 4.1mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V, 23.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair®
Part Status: Active

auf Bestellung 10248 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.25 EUR
10+	2.02 EUR
100+	1.57 EUR
500+	1.30 EUR
1000+	1.03 EUR

Mindestbestellmenge: 8

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SIZ988DT-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

auf Bestellung 4167 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.01 EUR
10+	1.65 EUR
100+	1.28 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	0.89 EUR
3000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ988DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 40W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V, 2425pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V, 4.1mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V, 23.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair®
Part Status: Active

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SIZ998BDT

Produkt ist nicht verfügbar

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SIZ998BDT

Trans MOSFET N-CH 30V 23.7A/36.2A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

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SIZ998BDT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ998BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 94.6 A, 94.6 A, 0.0018 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 94.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 94.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0018ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0018ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 32.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 2904 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIZ998BDT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 23.7A 8PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 20W (Tc), 4.8W (Ta), 32.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 36.2A (Ta), 94.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V, 2130pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.39mOhm @ 15A, 10V, 2.4mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 46.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

auf Bestellung 17917 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.50 EUR
15+	1.24 EUR
100+	0.96 EUR
500+	0.81 EUR
1000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 12

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SIZ998BDT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 23.7A/36.2A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

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SIZ998BDT-T1-GE3

auf Bestellung 2904 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIZ998BDT-T1-GE3

MOSFET Dual N-Ch 30V(S1-S2)

auf Bestellung 2779 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.05 EUR
10+	0.85 EUR
100+	0.66 EUR
500+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ998BDT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 23.7A 8PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 20W (Tc), 4.8W (Ta), 32.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 36.2A (Ta), 94.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V, 2130pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.39mOhm @ 15A, 10V, 2.4mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 46.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.62 EUR
6000+	0.59 EUR
9000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SIZ998BDT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 23.7A/36.2A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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SIZ998BDT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 23.7A/36.2A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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SIZ998DT-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

auf Bestellung 2572 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.19 EUR
10+	2.18 EUR
100+	1.51 EUR
500+	1.20 EUR
1000+	1.09 EUR
3000+	1.02 EUR
6000+	1.00 EUR

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SIZ998DT-T1-GE3

SIZ998DT-T1-GE3 Multi channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

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SIZ998DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ998DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 0.0022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 32.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 11518 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ998DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 32.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ998DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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SIZ998DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ998DT-T1-GE3

auf Bestellung 11518 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ998DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 32.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

auf Bestellung 3770 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.50 EUR
10+	2.24 EUR
100+	1.51 EUR
500+	1.20 EUR
1000+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZA20

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZA60

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZAL20

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZAL20/L291

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZAS4

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZB

SHINDENGEN

auf Bestellung 2200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZB20

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZB20/Z27N

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZB40

auf Bestellung 8500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZB4072

auf Bestellung 344 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZB60

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZB60-7072

auf Bestellung 2774 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZE 5 COAX PC TERM BKW

ITT

SIZE 5 COAX PC TERM BKW

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	743.90 EUR
2+	711.20 EUR
3+	659.28 EUR
5+	613.98 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF300DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZF300DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 141 A, 141 A, 0.0016 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 141A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 141A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0016ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 74W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0016ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 74W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF300DT-T1-GE3

SIZF300DT-T1-GE3 Multi channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF300DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.84mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 62nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

auf Bestellung 2840 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.95 EUR
12+	1.60 EUR
100+	1.24 EUR
500+	1.05 EUR
1000+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF300DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 23A/34A 6-Pin PowerPAIR T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF300DT-T1-GE3

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF300DT-T1-GE3

Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 75A; 4,5mOhm; 20V; 75W; -55°C ~ 150°C; SIZF300DT-T1-GE3 SIZF300DT TSIZF300dt
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	2.13 EUR

Mindestbestellmenge: 20

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF300DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.84mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 62nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF300DT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds; 16/-12V Vgs PowerPAIR F 3.3x3.3

auf Bestellung 970 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.11 EUR
10+	1.90 EUR
100+	1.48 EUR
500+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF360DT-T1-GE3

Description: MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3X3FDC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 52W (Tc), 4.3W (Ta), 78W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 83A (Tc), 34A (Ta), 143A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 62nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF360DT-T1-GE3

MOSFET 30-V W/SCHOTTKY PowerPAIR 3 x 3FDC

auf Bestellung 5936 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.89 EUR
10+	2.43 EUR
100+	2.11 EUR
250+	2.06 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF360DT-T1-GE3

N Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF360DT-T1-GE3

Description: MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3X3FDC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 52W (Tc), 4.3W (Ta), 78W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 83A (Tc), 34A (Ta), 143A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 62nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™
Part Status: Active

auf Bestellung 6 Stücke:

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SIZF4800LDT-T1-GE3

MOSFETs PWRPR N CHAN 80V

auf Bestellung 5547 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.96 EUR
10+	2.22 EUR
100+	1.58 EUR
500+	1.29 EUR
1000+	1.20 EUR
3000+	1.13 EUR

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SIZF4800LDT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 56.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS

auf Bestellung 5803 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	2.97 EUR
10+	2.03 EUR
100+	1.44 EUR
500+	1.18 EUR
1000+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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SIZF4800LDT-T1-GE3

Dual N-Channel 80 V (D-S) MOSFET PowerPAIR FS 3 x 3, 19 m @ 10V, 23.8 m @ 4.5V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF4800LDT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 56.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SIZF5300DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 35A PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 56.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 125A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS
Part Status: Active

auf Bestellung 5314 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.27 EUR
10+	2.72 EUR
100+	2.16 EUR
500+	1.83 EUR
1000+	1.55 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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SIZF5300DT-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 30 V MOSFET PWRPAK

auf Bestellung 9836 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.26 EUR
10+	2.71 EUR
100+	2.16 EUR
250+	2.15 EUR
3000+	1.81 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF5300DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 35A PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 56.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 125A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS
Part Status: Active

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SIZF5302DT-T1-RE3

MOSFETs PWRPR N CHAN 30V

auf Bestellung 10326 Stücke:

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1+	3.22 EUR
10+	2.25 EUR
100+	1.60 EUR
500+	1.31 EUR
1000+	1.22 EUR
3000+	1.20 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF5302DT-T1-RE3

Description: VISHAY - SIZF5302DT-T1-RE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 100 A, 100 A, 0.0027 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0027ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0027ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 13960 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIZF5302DT-T1-RE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 28.1A PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 48.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Ta), 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS
Part Status: Active

auf Bestellung 3803 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.19 EUR
10+	2.70 EUR
100+	1.84 EUR
500+	1.48 EUR
1000+	1.36 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF5302DT-T1-RE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 28.1A PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 48.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Ta), 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF5302DT-T1-RE3

auf Bestellung 13960 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF5302DT-T1-RE3-X

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SIZF640DT-T1-GE3

MOSFET

auf Bestellung 12050 Stücke:

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SIZF906ADT-T1-GE3

SIZF906ADT-T1-GE3 Multi channel transistors

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SIZF906ADT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 27A/52A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

auf Bestellung 5805 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

152+	0.97 EUR
155+	0.92 EUR
157+	0.88 EUR
250+	0.83 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.74 EUR
3000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 152

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF906ADT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V, 200nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF906ADT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 27A/52A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

auf Bestellung 5805 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

150+	0.99 EUR
152+	0.94 EUR
155+	0.89 EUR
157+	0.84 EUR
250+	0.80 EUR
500+	0.75 EUR
1000+	0.71 EUR
3000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 150

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF906ADT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 27A/52A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF906ADT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F

auf Bestellung 5804 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.53 EUR
10+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF906ADT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V, 200nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF906BDT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 36A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 105A (Tc), 63A (Ta), 257A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630pF @ 15V, 5550pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 15A, 10V, 0.68mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V, 165nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF906BDT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZF906BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 257 A, 257 A, 0.00045 ohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 257A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 257A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 257A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 450µohm
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung, p-Kanal: 83W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 450µohm
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 83W
Betriebswiderstand, Rds(on): 450µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF906BDT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 36A/63A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

auf Bestellung 2010 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

146+	1.02 EUR
149+	0.96 EUR
150+	0.88 EUR
156+	0.81 EUR
250+	0.78 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 146

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF906BDT-T1-GE3

MOSFETs PWRPR N CHAN 30V

auf Bestellung 23581 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.75 EUR
10+	2.24 EUR
100+	1.71 EUR
250+	1.61 EUR
500+	1.45 EUR
1000+	1.42 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF906BDT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 36A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 105A (Tc), 63A (Ta), 257A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630pF @ 15V, 5550pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 15A, 10V, 0.68mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V, 165nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)

auf Bestellung 22279 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.52 EUR
10+	2.91 EUR
100+	2.00 EUR
500+	1.61 EUR
1000+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF906BDT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 36A/63A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

auf Bestellung 2010 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

149+	0.99 EUR
150+	0.92 EUR
156+	0.85 EUR
250+	0.81 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 149

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF906DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 27A/52A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF906DT-T1-GE3
Produktcode: 186042

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SiZF906DT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR F 6 x 5

auf Bestellung 8964 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.62 EUR
10+	2.16 EUR
100+	1.69 EUR
500+	1.42 EUR
1000+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SiZF906DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 60A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W (Tc), 83W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.07 EUR
6000+	1.02 EUR
9000+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF906DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 27A/52A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SiZF906DT-T1-GE3

SIZF906DT-T1-GE3 Multi channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SiZF906DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 60A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W (Tc), 83W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

auf Bestellung 16133 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.59 EUR
10+	2.11 EUR
100+	1.64 EUR
500+	1.39 EUR
1000+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF914DT-T1-GE3

Dual N-Channel 25 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

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SIZF914DT-T1-GE3

SIZF914DT-T1-GE3 Multi channel transistors

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SIZF914DT-T1-GE3

Description: DUAL N-CH 25-V (D-S) MOSFET W/SC

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SIZF914DT-T1-GE3

MOSFETs 25V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F

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SIZF916DT-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH DUAL 30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 10V, 1.25mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 95nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

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SIZF916DT-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F

auf Bestellung 2920 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.57 EUR
10+	1.80 EUR
100+	1.51 EUR
500+	1.33 EUR
1000+	1.13 EUR
3000+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SIZF916DT-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH DUAL 30V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 10V, 1.25mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 95nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

auf Bestellung 922 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.89 EUR
10+	2.58 EUR
100+	2.01 EUR
500+	1.66 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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SIZF916DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 23A/45A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

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SIZF916DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZF916DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 60 A, 900 µohm, PowerPAIR, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV, SkyFET
Wandlerpolarität: n-Kanal + Schottky
Betriebswiderstand, Rds(on): 900
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

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SIZF916DT-T1-GE3

SIZF916DT-T1-GE3 Multi channel transistors

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SIZF918DT-T1-GE3

Description: MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAIR 6

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SIZF918DT-T1-GE3

Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

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SIZF918DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZF918DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 60 A, 0.0012 ohm, PowerPAIR, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV, SkyFET
Wandlerpolarität: n-Kanal + Schottky
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.2
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 5957 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIZF918DT-T1-GE3

SIZF918DT-T1-GE3 Multi channel transistors

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SIZF918DT-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F

auf Bestellung 6053 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.50 EUR
10+	1.92 EUR
100+	1.35 EUR
500+	1.10 EUR
1000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SIZF920DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 28A/49A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

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SIZF920DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 28A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.07mOhm @ 10A, 10V, 1.05mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V, 125nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

auf Bestellung 2211 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.44 EUR
10+	2.86 EUR
100+	1.96 EUR
500+	1.58 EUR
1000+	1.45 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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SIZF920DT-T1-GE3

MOSFETs Dual 30V Vds PowerPAIR 6x5F

auf Bestellung 11012 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.46 EUR
10+	2.15 EUR
100+	1.80 EUR
250+	1.74 EUR
500+	1.58 EUR
1000+	1.42 EUR
3000+	1.35 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SIZF920DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 28A/49A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

auf Bestellung 11890 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

74+	2.01 EUR
82+	1.75 EUR
84+	1.64 EUR
100+	1.36 EUR
250+	1.29 EUR
500+	1.13 EUR
1000+	0.95 EUR
3000+	0.92 EUR
6000+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 74

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SIZF920DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 28A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.07mOhm @ 10A, 10V, 1.05mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V, 125nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

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SIZF920DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 28A/49A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF928DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 33A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 88A (Tc), 61A (Ta), 248A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.45mOhm @ 10A, 10V, 0.75mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SIZF928DT-T1-GE3

MOSFETs PWRPR N CHAN 30V

auf Bestellung 2890 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.19 EUR
10+	2.18 EUR
100+	1.74 EUR
250+	1.72 EUR
500+	1.37 EUR
1000+	1.27 EUR
3000+	1.16 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF928DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZF928DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 248 A, 248 A, 0.00053 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 248A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00053ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 74W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00053ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 74W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 11994 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIZF928DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 33A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 88A (Tc), 61A (Ta), 248A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.45mOhm @ 10A, 10V, 0.75mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

auf Bestellung 6064 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.87 EUR
10+	2.46 EUR
100+	1.69 EUR
500+	1.35 EUR
1000+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZF928DT-T1-GE3