Produkte > CSD
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CSD-819C | NMB Technologies Corporation | Description: DIGITAL INDICATOR (PEAK HOLDER) Packaging: Box Display Type: LED - Red Characters Output Type: BCD Output Mounting Type: Panel Mount Type: Ammeter, Voltmeter Termination Style: Connector Voltage - Supply: 100 ~ 240VAC Measuring Range: Multiple Ingress Protection: IP65 Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 96.00mm x 96.00mm Number of Characters Per Row: 3 Measuring Type: Current, Voltage | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD-NM-914-NM | Linx Technologies | RF Cable Assemblies Cable Assembly Coaxial N-Type Male to N-Type Male RG-58 36.00" (914.40mm) | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD-NM-914-NM | TE Connectivity Linx | Description: COAX CBL N-TYPE TO N-TYPE 36" Packaging: Bulk Color: Black Length: 36.00" (914.40mm) Style: N-Type to N-Type Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Cable Type: RG-58 1st Connector: N-Type Plug 2nd Connector: N-Type Plug Part Status: Active Frequency - Max: 5.8 GHz 1st Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line) 2nd Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line) 1st Contact Gender: Male 2nd Contact Gender: Male Cable Impedance: 50 Ohms Overall Impedance: 50 Ohms | auf Bestellung 177 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD-NM-914-NM | TE Connectivity | RF Cable Assemblies Cable Assembly Coaxial N-Type Male to N-Type Male RG-58 36.00" (914.40mm) | auf Bestellung 137 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD-NM-914-NM | TE Connectivity / Linx Technologies | RF Cable Assemblies Cable Assembly Coaxial N-Type Male to N-Type Male RG-58 36.00" (914.40mm) | auf Bestellung 69 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD-SMAM-610-NM | TE Connectivity Linx | Description: COAX CBL SMA TO N-TYPE 24" Packaging: Bulk Color: Black Length: 24.00" (609.60mm) Style: SMA to N-Type Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Cable Type: RG-58 1st Connector: SMA Plug 2nd Connector: N-Type Plug Part Status: Active Frequency - Max: 5.8 GHz 1st Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line) 2nd Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line) 1st Contact Gender: Male 2nd Contact Gender: Male Cable Impedance: 50 Ohms Overall Impedance: 50 Ohms | auf Bestellung 318 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD-SMAM-610-NM | TE Connectivity / Linx Technologies | RF Cable Assemblies RF Cable Assemblies Cable Assembly Coaxial SMA to N-Type RG-58 24.00" (609.6mm) | auf Bestellung 347 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD.M26.GLL.C72AZ | LEMO | Standard Circular Connector | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD01060A | Wolfspeed(CREE) | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 1A; TO220-2; 21.4W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC; Z-Rec® Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Power dissipation: 21.4W | auf Bestellung 78 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD01060A | Wolfspeed | Diode Schottky SiC 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1984 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD01060A Produktcode: 57916
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| CSD01060A | Wolfspeed | SiC Schottky Diodes 1A 600V SIC SCHOTTKY DIODE | auf Bestellung 8061 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD01060A | Wolfspeed | Diode Schottky SiC 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD01060A | Wolfspeed | Diode Schottky SiC 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD01060A | Wolfspeed(CREE) | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 1A; TO220-2; 21.4W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC; Z-Rec® Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Power dissipation: 21.4W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 78 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD01060A | Wolfspeed, Inc. | Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V | auf Bestellung 8416 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD01060A | Wolfspeed | Diode Schottky SiC 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD01060A | WOLFSPEED | Description: WOLFSPEED - CSD01060A - SiC-Schottky-Diode, Z-Rec 600V, Einfach, 600 V, 2 A, 3.3 nC, TO-220 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 3.3 Diodenmontage: Durchsteckmontage Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600 Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: Z-Rec 600V Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: To Be Advised | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD01060A | Wolfspeed | Rectifier Diode Schottky SiC 600V 4A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD01060A | Wolfspeed | Diode Schottky SiC 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD01060E | Wolfspeed(CREE) | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 600V; 1A; 21.4W Type of diode: Schottky rectifying Case: TO252-2 Technology: SiC; Z-Rec® Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Power dissipation: 21.4W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD01060E | Wolfspeed, Inc. | Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO252-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V | auf Bestellung 1982 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD01060E | Wolfspeed | Diode Schottky SiC 600V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube | auf Bestellung 1060 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD01060E | Wolfspeed | Diode Schottky SiC 600V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube | auf Bestellung 1050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD01060E | Wolfspeed | Rectifier Diode Schottky SiC 600V 4A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD01060E | Wolfspeed(CREE) | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 600V; 1A; 21.4W Type of diode: Schottky rectifying Case: TO252-2 Technology: SiC; Z-Rec® Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Power dissipation: 21.4W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD01060E | Wolfspeed | SiC Schottky Diodes 1A 600V SIC SCHOTTKY DIODE | auf Bestellung 7249 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD01060E | Wolfspeed | Diode Schottky SiC 600V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube | auf Bestellung 217 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD01060E-TR | Wolfspeed | Diode Schottky SiC 600V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD01060E-TR | Wolfspeed | Rectifier Diode Schottky SiC 600V 4A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD01060E-TR | Wolfspeed, Inc. | Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO252-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V | auf Bestellung 11296 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD01060E-TR | Wolfspeed | SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 1A, 600V | auf Bestellung 3448 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD01060E-TR | Wolfspeed | Diode Schottky SiC 600V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD01060E-TR | Wolfspeed, Inc. | Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO252-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD02060A | Wolfspeed, Inc. | Description: DIODE SIL CARB 600V 3.5A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3.5A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD02060G | Wolfspeed, Inc. | Description: DIODE SIL CARB 600V 3.5A TO263-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3.5A Supplier Device Package: TO-263-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD04060A | Cree, Inc. | Schottky Diodes & Rectifiers | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD04060A | Wolfspeed, Inc. | Description: DIODE SIL CARB 600V 7A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 220pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 7A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD04060E | Cree, Inc. | Schottky Diodes & Rectifiers | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD04060E | Cree/Wolfspeed | Description: DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD06060A | Wolfspeed | Schottky Diodes & Rectifiers | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD06060A | Wolfspeed, Inc. | Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD06060G | Wolfspeed, Inc. | Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO263-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-263-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD06060G | Wolfspeed | Schottky Diodes & Rectifiers | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD08060A | Cree/Wolfspeed | Description: DIODE SCHOTTKY 600V 12.5A TO220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD0910B-100M | CODACA | Description: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS Tolerance: ±20% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Nonstandard Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 18.7mOhm Max Ratings: AEC-Q200 Current - Saturation (Isat): 5.6A Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 1 kHz Supplier Device Package: 4-SMD Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm) Part Status: Active Inductance: 10 µH Current Rating (Amps): 5 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD0910B-100M | CODACA | Description: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS Tolerance: ±20% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Nonstandard Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 18.7mOhm Max Ratings: AEC-Q200 Current - Saturation (Isat): 5.6A Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 1 kHz Supplier Device Package: 4-SMD Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm) Part Status: Active Inductance: 10 µH Current Rating (Amps): 5 A | auf Bestellung 237 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD0910B-150M | CODACA | Description: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS Tolerance: ±20% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Nonstandard Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 39.2mOhm Max Ratings: AEC-Q200 Current - Saturation (Isat): 4.6A Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 1 kHz Supplier Device Package: 4-SMD Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm) Part Status: Active Inductance: 15 µH Current Rating (Amps): 3.5 A | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD0910B-150M | CODACA | Description: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS Tolerance: ±20% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Nonstandard Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 39.2mOhm Max Ratings: AEC-Q200 Current - Saturation (Isat): 4.6A Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 1 kHz Supplier Device Package: 4-SMD Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm) Part Status: Active Inductance: 15 µH Current Rating (Amps): 3.5 A | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD0910B-220M | CODACA | Description: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS Tolerance: ±20% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Nonstandard Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 51.6mOhm Max Ratings: AEC-Q200 Current - Saturation (Isat): 3.2A Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 1 kHz Supplier Device Package: 4-SMD Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm) Part Status: Active Inductance: 22 µH Current Rating (Amps): 2.5 A | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD0910B-220M | CODACA | Description: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS Tolerance: ±20% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Nonstandard Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 51.6mOhm Max Ratings: AEC-Q200 Current - Saturation (Isat): 3.2A Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 1 kHz Supplier Device Package: 4-SMD Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm) Part Status: Active Inductance: 22 µH Current Rating (Amps): 2.5 A | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD0910B-3R3M | CODACA | Description: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS Tolerance: ±20% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Nonstandard Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 11.5mOhm Max Ratings: AEC-Q200 Current - Saturation (Isat): 10.5A Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 100 kHz Supplier Device Package: 4-SMD Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm) Part Status: Active Inductance: 3.3 µH Current Rating (Amps): 6 A | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD0910B-3R3M | CODACA | Description: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS Tolerance: ±20% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Nonstandard Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 11.5mOhm Max Ratings: AEC-Q200 Current - Saturation (Isat): 10.5A Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 100 kHz Supplier Device Package: 4-SMD Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm) Part Status: Active Inductance: 3.3 µH Current Rating (Amps): 6 A | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD0910B-6R8M | CODACA | Description: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Package / Case: Nonstandard Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 18.7mOhm Max Ratings: AEC-Q200 Current - Saturation (Isat): 8.7A Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 100 kHz Supplier Device Package: 4-SMD Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm) Inductance: 6.8 µH Current Rating (Amps): 5 A | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD0910B-6R8M | CODACA | Description: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Package / Case: Nonstandard Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 18.7mOhm Max Ratings: AEC-Q200 Current - Saturation (Isat): 8.7A Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 100 kHz Supplier Device Package: 4-SMD Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm) Inductance: 6.8 µH Current Rating (Amps): 5 A | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD10 | Apex Tool Group | Ribbon Cables / IDC Cables IDC Socket Cable Assemblies, 2.00mm Pitch | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD100-427-2BX | Vishay / Thin Film | Thin Film Resistors - Through Hole CSD CUSTOM | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD1000B-M | Fantom Drives | Description: SSD 1TB USB BLACK MAC Packaging: Retail Package Size / Dimension: 116.84mm x 81.28mm x 15.24mm Memory Size: 1TB Type: USB Speed - Read: 560MB/s Speed - Write: 530MB/s Part Status: Active | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD1000B-W | Fantom Drives | Description: SSD 1TB USB BLACK WINDOWS Packaging: Retail Package Size / Dimension: 116.84mm x 81.28mm x 15.24mm Memory Size: 1TB Type: USB Speed - Read: 560MB/s Speed - Write: 530MB/s Part Status: Active | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD10030A | Cree Inc | Description: DIODE SCHOTTKY 300V 10A TO220-2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD10060A | Wolfspeed, Inc. | Description: DIODE SIL CARB 600V 16.5A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16.5A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD10060A | Wolfspeed | SiC Schottky Diodes | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD10060A | CREE LED (See account 19947) | Rectifier Diode Schottky 600V 16.5A 2-Pin(2+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD10060G | Wolfspeed | Schottky Diodes & Rectifiers | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD10060G | Wolfspeed, Inc. | Description: DIODE SIL CARB 600V 16.5A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16.5A Supplier Device Package: TO-263-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD1006AC | Tripp Lite | Description: BATT CHARGING STATION 15A Packaging: Bulk Size / Dimension: 13.54" L x 16.54" W x 8.94" H (343.92mm x 420.12mm x 227.08mm) Mounting Type: Custom Voltage - Input: 120VAC Type: Charging Station Termination Style: NEMA 5-15R Battery Chemistry: Mobile Devices Charge Current - Max: 15A Part Status: Active Number of Cells: 10 | auf Bestellung 915 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD1006AC | Tripp Lite | Battery Chargers CSD1006AC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD1006USB | Tripp Lite | Battery Chargers CSD1006USB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD1013B-100M | CODACA | Description: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS Tolerance: ±20% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Nonstandard Size / Dimension: 0.512" L x 0.413" W (13.00mm x 10.50mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 18mOhm Max Current - Saturation (Isat): 7.1A Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 1 kHz Supplier Device Package: 4-SMD Height - Seated (Max): 0.413" (10.50mm) Part Status: Active Inductance: 10 µH Current Rating (Amps): 4.2 A | auf Bestellung 290 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD1013B-100M | CODACA | Description: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS Tolerance: ±20% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Nonstandard Size / Dimension: 0.512" L x 0.413" W (13.00mm x 10.50mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 18mOhm Max Current - Saturation (Isat): 7.1A Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 1 kHz Supplier Device Package: 4-SMD Height - Seated (Max): 0.413" (10.50mm) Part Status: Active Inductance: 10 µH Current Rating (Amps): 4.2 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD1013B-220M | CODACA | Description: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS Tolerance: ±20% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Nonstandard Size / Dimension: 0.512" L x 0.413" W (13.00mm x 10.50mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 38mOhm Max Current - Saturation (Isat): 4.3A Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 1 kHz Supplier Device Package: 4-SMD Height - Seated (Max): 0.413" (10.50mm) Part Status: Active Inductance: 22 µH Current Rating (Amps): 3 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD1013B-220M | CODACA | Description: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS Tolerance: ±20% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Nonstandard Size / Dimension: 0.512" L x 0.413" W (13.00mm x 10.50mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 38mOhm Max Current - Saturation (Isat): 4.3A Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 1 kHz Supplier Device Package: 4-SMD Height - Seated (Max): 0.413" (10.50mm) Part Status: Active Inductance: 22 µH Current Rating (Amps): 3 A | auf Bestellung 268 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD104-162UF | Vishay | CERAMIC SANDWICH, DUAL-IN-LINE, RESISTOR NETWORK (CUSTOM) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD104-162UF | Vishay | CERAMIC SANDWICH, DUAL-IN-LINE, RESISTOR NETWORK (CUSTOM) | auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD104-162UF | Vishay | CERAMIC SANDWICH, DUAL-IN-LINE, RESISTOR NETWORK (CUSTOM) | auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD108 | Power Integrations | Description: MODULE GATE DVR P&P SCALE 1 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD12106 | NVENT HOFFMAN | Description: NVENT HOFFMAN - CSD12106 - ENCLOSURE, IP66, STEEL, GREY tariffCode: 73102990 rohsCompliant: YES Gehäusefarbe: Gray Außenhöhe - imperial: 12" hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IP-Schutzart: IP66 NEMA-Bewertung: NEMA 4, 12, 13 Außentiefe - metrisch: 152mm usEccn: EAR99 Außenhöhe - metrisch: 304.8mm Außentiefe - imperial: 6" euEccn: NLR Außenbreite - metrisch: 254mm Produktpalette: CONCEPT Series productTraceability: No Gehäusetyp: Electrical / Industrial Außenbreite - Zoll: 10" Gehäusematerial: Steel directShipCharge: 25 | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD12108W | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: CONCEPT 1DOOR WINDOW ANSI61 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD12108WLG | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: CONCEPT 1DOOR WINDOW RAL7035 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD12126 | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: BOX STEEL GRAY 12.01"L X 12.01"W | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD12126SS | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: BOX S STEEL NAT 12.01"LX12.01"W Features: Sealing Gasket, Stainless Steel Hinge, Wall Mount Packaging: Bulk Color: Natural Size / Dimension: 12.008" L x 12.008" W (305.00mm x 305.00mm) Material: Metal, Stainless Steel Thickness: 16 Gauge Height: 5.984" (152.00mm) Design: Hinged Door, Lid Ratings: IP66, NEMA 3R,4,4X,12,13, UL-508A Container Type: Box Area (L x W): 144in² (929cm²) Part Status: Active | auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD12128WLG | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: CONCEPT 1DOOR WINDOW RAL7035 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD1306 | 99 DIP | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| CSD1306E | УЎ¶И | 06+ SOT-23 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13201W10 | Texas Instruments | MOSFETs N-CH NexFET Pwr MOSF ET | auf Bestellung 3352 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13201W10 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13201W10 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 462 pF @ 6 V | auf Bestellung 12575 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13201W10 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 462 pF @ 6 V | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13202Q2 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 22A 6WSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 6 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13202Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 22A 6-Pin WSON EP T/R | auf Bestellung 2718 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13202Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 22A 6-Pin WSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13202Q2 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13202Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 22 A, 0.0075 ohm, WSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: WSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13202Q2 | Texas Instruments | MOSFETs N-CH Power MOSFET 12 V 9.3mohm | auf Bestellung 5977 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13202Q2 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 22A 6WSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 6 V | auf Bestellung 4473 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13202Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 22A 6-Pin WSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13202Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 22A 6-Pin WSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13202Q2 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13202Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 22 A, 0.0075 ohm, WSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: WSON Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13202Q2T | Texas Instruments | Description: PROTOTYPE Packaging: Bulk Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 6 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13302W | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13302W | Texas Instruments | MOSFETs 12-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD13302WT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13302W | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 862 pF @ 6 V | auf Bestellung 7640 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13302W | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13302W | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13302W | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R | auf Bestellung 2670 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13302W | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 862 pF @ 6 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13302W | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R | auf Bestellung 2670 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13302WT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 862 pF @ 6 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13302WT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13302WT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13302WT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 1.6A; Idm: 29A; 1.8W; DSBGA4 Mounting: SMD On-state resistance: 25.8mΩ Power dissipation: 1.8W Drain current: 1.6A Pulsed drain current: 29A Gate-source voltage: ±10V Drain-source voltage: 12V Case: DSBGA4 Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13302WT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 862 pF @ 6 V | auf Bestellung 1237 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13302WT | Texas Instruments | MOSFET 12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single WLP 1 mm x 1 mm, 17.1 mOhm 4-DSBGA -55 to 150 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13302WT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13302WT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 1.6A; Idm: 29A; 1.8W; DSBGA4 Mounting: SMD On-state resistance: 25.8mΩ Power dissipation: 1.8W Drain current: 1.6A Pulsed drain current: 29A Gate-source voltage: ±10V Drain-source voltage: 12V Case: DSBGA4 Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13303W1015 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13303W1015 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13303W1015 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA Packaging: Bulk Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V | auf Bestellung 143944 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13303W1015 | Texas Instruments | MOSFETs N-CH NexFET Pwr MOSF ET | auf Bestellung 1987 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13303W1015 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R | auf Bestellung 2265 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13303W1015 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13303W1015 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13303W1015 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V | auf Bestellung 2987 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13306W | Texas Instruments | MOSFETs 12-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD13306WT | auf Bestellung 2563 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13306W | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13306W | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 6 V | auf Bestellung 2865 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13306W | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 6 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13306WT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 6 V | auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13306WT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R | auf Bestellung 205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13306WT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13306WT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13306WT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.5A; Idm: 44A; 1.9W; DSBGA6 Mounting: SMD On-state resistance: 15.5mΩ Power dissipation: 1.9W Drain current: 3.5A Pulsed drain current: 44A Gate-source voltage: ±10V Drain-source voltage: 12V Case: DSBGA6 Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13306WT | Texas Instruments | MOSFETs 12V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595-CSD13306W | auf Bestellung 492 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13306WT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 6 V | auf Bestellung 1155 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13306WT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R | auf Bestellung 205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13306WT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13306WT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.5A; Idm: 44A; 1.9W; DSBGA6 Mounting: SMD On-state resistance: 15.5mΩ Power dissipation: 1.9W Drain current: 3.5A Pulsed drain current: 44A Gate-source voltage: ±10V Drain-source voltage: 12V Case: DSBGA6 Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13306WT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13380F3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 1479 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13380F3 | Texas Instruments | MOSFETs 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD13380F3T | auf Bestellung 387 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13380F3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13380F3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13380F3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13380F3 | TEXAS INSTRUMENTS | Category: Transistors - Unclassified Description: CSD13380F3 | auf Bestellung 132000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13380F3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13380F3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 1479 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13380F3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V | auf Bestellung 4442 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13380F3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13380F3T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.6A; Idm: 13.5A; 1.4W Mounting: SMD On-state resistance: 135mΩ Power dissipation: 1.4W Drain current: 3.6A Pulsed drain current: 13.5A Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 12V Case: PICOSTAR3 Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13380F3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13380F3T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V | auf Bestellung 27806 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13380F3T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.6A; Idm: 13.5A; 1.4W Mounting: SMD On-state resistance: 135mΩ Power dissipation: 1.4W Drain current: 3.6A Pulsed drain current: 13.5A Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 12V Case: PICOSTAR3 Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13380F3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 217 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13380F3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 217 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13380F3T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V | auf Bestellung 27500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13380F3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13380F3T | Texas Instruments | MOSFETs 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD13380F3 | auf Bestellung 60286 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13381F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13381F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 2958000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13381F4 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 6 V | auf Bestellung 429223 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13381F4 | Texas Instruments | MOSFETs 12V N-CH Pwr MOSFET A 595-CSD13381F4T | auf Bestellung 45785 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13381F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13381F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13381F4 | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 12V; 2.1A; 500mW; PICOSTAR3; SMT Case: PICOSTAR3 Mounting: SMD Electrical mounting: SMT On-state resistance: 0.18Ω Power dissipation: 0.5W Drain current: 2.1A Gate-source voltage: 8V Drain-source voltage: 12V Kind of channel: enhancement Technology: MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13381F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 629 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13381F4 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 6 V | auf Bestellung 429000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13381F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13381F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 629 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13381F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13381F4T | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13381F4T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 2.1 A, 0.14 ohm, LGA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: LGA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13381F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13381F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13381F4T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 2.1A; Idm: 7A; 500mW; PICOSTAR3 Mounting: SMD On-state resistance: 0.4Ω Power dissipation: 0.5W Drain current: 2.1A Pulsed drain current: 7A Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 12V Case: PICOSTAR3 Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape | auf Bestellung 238 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13381F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13381F4T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 6 V | auf Bestellung 2084 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13381F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13381F4T | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13381F4T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 2.1 A, 0.14 ohm, LGA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: LGA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13381F4T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 2.1A; Idm: 7A; 500mW; PICOSTAR3 Mounting: SMD On-state resistance: 0.4Ω Power dissipation: 0.5W Drain current: 2.1A Pulsed drain current: 7A Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 12V Case: PICOSTAR3 Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 238 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13381F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13381F4T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 6 V | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13381F4T | Texas Instruments | MOSFETs 12V N-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD13381F4 | auf Bestellung 5181 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13383F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13383F4 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 6 V | auf Bestellung 996000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13383F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 1948 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13383F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 1948 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13383F4 | Texas Instruments | MOSFETs CSD13383F4 12-V Ncha MOSFET 3-PICOSTAR A 595-CSD13383F4T | auf Bestellung 45546 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13383F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13383F4 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 6 V | auf Bestellung 996321 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13383F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13383F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13383F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 248 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13383F4T | Texas Instruments | MOSFETs 12V N-Channel FemtoF ET MOSFET A 595-CSD13383F4 | auf Bestellung 794 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13383F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13383F4T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 6 V | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13383F4T | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13383F4T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 2.9 A, 0.037 ohm, PICOSTAR, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12 Dauer-Drainstrom Id: 2.9 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 500 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 Verlustleistung: 500 Bauform - Transistor: PICOSTAR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13383F4T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 2.9A; Idm: 18.5A; 500mW Mounting: SMD On-state resistance: 65mΩ Power dissipation: 0.5W Drain current: 2.9A Pulsed drain current: 18.5A Gate-source voltage: ±10V Drain-source voltage: 12V Case: PICOSTAR3 Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13383F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 248 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13383F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13383F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13383F4T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 2.9A; Idm: 18.5A; 500mW Mounting: SMD On-state resistance: 65mΩ Power dissipation: 0.5W Drain current: 2.9A Pulsed drain current: 18.5A Gate-source voltage: ±10V Drain-source voltage: 12V Case: PICOSTAR3 Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13383F4T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 6 V | auf Bestellung 4252 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13383F4T | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13383F4T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 2.9 A, 0.037 ohm, PICOSTAR, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12 Dauer-Drainstrom Id: 2.9 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 500 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 Verlustleistung: 500 Bauform - Transistor: PICOSTAR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13385F5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 114000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13385F5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 900mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 674 pF @ 6 V | auf Bestellung 25860 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13385F5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 114000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13385F5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13385F5 | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 7.1A; Idm: 41A; 1.4W; PICOSTAR3 Mounting: SMD On-state resistance: 50mΩ Power dissipation: 1.4W Drain current: 7.1A Pulsed drain current: 41A Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 12V Case: PICOSTAR3 Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13385F5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 900mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 674 pF @ 6 V | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13385F5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13385F5 | Texas Instruments | MOSFETs 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD13385F5T | auf Bestellung 8131 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13385F5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 2008 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13385F5 | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 7.1A; Idm: 41A; 1.4W; PICOSTAR3 Mounting: SMD On-state resistance: 50mΩ Power dissipation: 1.4W Drain current: 7.1A Pulsed drain current: 41A Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 12V Case: PICOSTAR3 Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13385F5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 2008 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13385F5T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 7.1A; Idm: 41A; 1.4W; PICOSTAR3 Mounting: SMD On-state resistance: 50mΩ Power dissipation: 1.4W Drain current: 7.1A Pulsed drain current: 41A Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 12V Case: PICOSTAR3 Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13385F5T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 900mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 674 pF @ 6 V | auf Bestellung 26509 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13385F5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13385F5T | Texas Instruments | MOSFETs 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD13385F5 | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13385F5T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 7.1A; Idm: 41A; 1.4W; PICOSTAR3 Mounting: SMD On-state resistance: 50mΩ Power dissipation: 1.4W Drain current: 7.1A Pulsed drain current: 41A Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 12V Case: PICOSTAR3 Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13385F5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13385F5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13385F5T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 900mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 674 pF @ 6 V | auf Bestellung 26250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD13385F5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD13385F5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD15380F3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD15380F3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.35V @ 2.5µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 8V Vgs (Max): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.281 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5 pF @ 10 V | auf Bestellung 60877 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD15380F3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.35V @ 2.5µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 8V Vgs (Max): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.281 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5 pF @ 10 V | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD15380F3 | Texas Instruments | MOSFETs 20-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD15380F3T | auf Bestellung 6804 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD15380F3T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.35V @ 2.5µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.281 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD15380F3T | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD15380F3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.99 ohm, LGA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: LGA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: FemtoFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.99ohm Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.99ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD15380F3T | TEXAS INSTRUMENTS | CSD15380F3T SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD15380F3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 214 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD15380F3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD15380F3T | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD15380F3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.99 ohm, LGA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: LGA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: FemtoFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.99ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD15380F3T | Texas Instruments | MOSFETs 20-V N-Ch FemtoFET A 595-CSD15380F3 | auf Bestellung 562 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD15380F3T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.35V @ 2.5µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.281 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5 pF @ 10 V | auf Bestellung 308 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD15380F3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 214 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD15380F3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD15571Q2 | Texas Instruments | MOSFETs 20V N-Channel NexFET Pwr MOSFET | auf Bestellung 6341 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD15571Q2 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 20V 22A 6SON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 6-SON (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD15571Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 20V 22A 6-Pin WSON EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD15571Q2 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 20V 22A 6SON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 6-SON (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419 pF @ 10 V | auf Bestellung 988 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD15571Q2 Produktcode: 130599
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| CSD16126 | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: BOX STEEL GRAY 15.98"L X 12.01"W Packaging: Bulk Features: Sealing Gasket, Wall Mount Color: Gray Size / Dimension: 15.984" L x 12.008" W (406.00mm x 305.00mm) Material: Metal, Steel Thickness: 18 Gauge Height: 5.984" (152.00mm) Design: Hinged Door, Lid Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A Container Type: Box Area (L x W): 192in² (1239cm²) | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16128 | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: BOX STEEL GRAY 15.98"L X 12.01"W Packaging: Bulk Features: Sealing Gasket, Wall Mount Color: Gray Size / Dimension: 15.984" L x 12.008" W (406.00mm x 305.00mm) Material: Metal, Steel Thickness: 18 Gauge Height: 7.992" (203.00mm) Design: Hinged Door, Lid Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A Container Type: Box Area (L x W): 192in² (1239cm²) Part Status: Active | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16128 | Pentair | Gray Steel Wall Mount Enclosure | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16128LG | Pentair | Light Gray 16-Gauge Steel Wall Mount Single Door Enclosure | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD1614 | C&K | 1CSB20007ABQ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD161610 | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: BOX STEEL GRAY 15.98"L X 15.98"W Packaging: Bulk Features: Sealing Gasket, Wall Mount Color: Gray Size / Dimension: 15.984" L x 15.984" W (406.00mm x 406.00mm) Material: Metal, Steel Thickness: 18 Gauge Height: 10.000" (254.00mm) Design: Hinged Door, Lid Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A Container Type: Box Area (L x W): 255in² (1645cm²) | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD161610LG | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: WALL-MOUNT TYPE 4 12 ENCLOSURE Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD161610SS | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: WALL MOUNT TYPE 4X ENCLOSURE Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16166 | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: BOX STEEL GRAY 15.98"L X 15.98"W Packaging: Bulk Features: Sealing Gasket, Wall Mount Color: Gray Size / Dimension: 15.984" L x 15.984" W (406.00mm x 406.00mm) Material: Metal, Steel Thickness: 18 Gauge Height: 5.984" (152.00mm) Design: Hinged Door, Lid Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A Container Type: Box Area (L x W): 255in² (1645cm²) Part Status: Active | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16166 | Pentair | Steel Wall Mount Enclosure | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16166LG | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: ENCLOSURE 16.00X16.00X6.00 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16166LGEMC | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: EMC ENCL. 16.00X16.00X6.00 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16166SS | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: BOX S STL NAT 15.98"L X 15.98"W Packaging: Bulk Features: Sealing Gasket, Stainless Steel Hinge, Wall Mount Color: Natural Size / Dimension: 15.984" L x 15.984" W (406.00mm x 406.00mm) Material: Metal, Stainless Steel Thickness: 16 Gauge Height: 5.984" (152.00mm) Design: Hinged Door, Lid Ratings: IP66, NEMA 3R,4,4X,12,13, UL-508A Container Type: Box Area (L x W): 255in² (1645cm²) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16166SS6 | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: STAINLESS ENCL. 16.00X16.00X6. Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16168 | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: BOX STEEL GRAY 15.98"L X 15.98"W Packaging: Bulk Features: Sealing Gasket, Wall Mount Color: Gray Size / Dimension: 15.984" L x 15.984" W (406.00mm x 406.00mm) Material: Metal, Steel Thickness: 18 Gauge Height: 7.992" (203.00mm) Design: Hinged Door, Lid Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A Container Type: Box Area (L x W): 255in² (1645cm²) Part Status: Active | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16168 | NVENT HOFFMAN | Description: NVENT HOFFMAN - CSD16168 - ENCLOSURE, WALL MOUNT, CONCEPT, STEEL, GRAY Gehäusefarbe: Grey Außenhöhe - imperial: 16 IP-Schutzart: IP66 NEMA-Bewertung: NEMA 4, 12, 13 Außentiefe - metrisch: 203 Außenhöhe - metrisch: 406 Außentiefe - imperial: 8 Außenbreite - metrisch: 406 Produktpalette: Concept Series Gehäusetyp: Electrical / Industrial Außenbreite - Zoll: 16 Gehäusematerial: Steel SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16168LG | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: ENCLOSURE 16.00X16.00X8.00 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16168SS | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: BOX S STL NAT 15.98"L X 15.98"W Packaging: Bulk Features: Sealing Gasket, Stainless Steel Hinge, Wall Mount Color: Natural Size / Dimension: 15.984" L x 15.984" W (406.00mm x 406.00mm) Material: Metal, Stainless Steel Thickness: 16 Gauge Height: 7.992" (203.00mm) Design: Hinged Door, Lid Ratings: IP66, NEMA 3R,4,4X,12,13, UL-508A Container Type: Box Area (L x W): 255in² (1645cm²) Part Status: Active | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16168SSST | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: 304SS TYPE 4X WALLMT SLOPE TOP Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16168ST | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: CONCEPT SLOPE TOP ENC Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD162010 | Pentair | Gray Steel Wall Mount Enclosure | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16206LG | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: ENCLOSURE 16.00X20.00X6.00 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16206LGEMC | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: EMC ENCL. 16.00X20.00X6.00 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16208 | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: BOX STEEL GRAY 20"L X 15.98"W Packaging: Bulk Features: Sealing Gasket, Wall Mount Color: Gray Size / Dimension: 20.000" L x 15.984" W (508.00mm x 406.00mm) Material: Metal, Steel Thickness: 18 Gauge Height: 7.992" (203.00mm) Design: Hinged Door, Lid Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A Container Type: Box Area (L x W): 320in² (2065cm²) Part Status: Active | auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16301Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 8.2A 6-Pin WSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16301Q2 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 5A 6SON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4A, 8V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA Supplier Device Package: 6-SON Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 22200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16301Q2 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16301Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 5 A, 0.024 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.3W Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 1760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16301Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 8.2A 6-Pin WSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16301Q2 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 5A 6SON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4A, 8V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA Supplier Device Package: 6-SON Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 24795 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16301Q2 | Texas Instruments | MOSFETs N-Channel NexFET Pow er MOSFET | auf Bestellung 47320 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16301Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 8.2A 6-Pin WSON EP T/R | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16301Q2 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16301Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 5 A, 0.024 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.3W Bauform - Transistor: SON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 1760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16301Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 5A 6-Pin SON T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16301Q2G4 | Texas Instruments | MOSFETs 25-V, N channel NexFET power MOSFET, single SON 2 mm x 2 mm, 29 mOhm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16321Q5 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16321Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0024 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 551 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16321Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16321Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 17500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16321Q5 Produktcode: 94698
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| CSD16321Q5 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16321Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0024 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 551 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16321Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16321Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 1922 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16321Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16321Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 18283 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16321Q5 | Texas Instruments | MOSFETs N-Channel NexFET Power MOSFET | auf Bestellung 4877 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16321Q5C | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16321Q5C | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16321Q5C | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16321Q5C | Texas Instruments | MOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16321Q5C | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16321Q5T | Texas Instruments | 25-V, N Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16321Q5T | Texas Instruments | MOSFET 25-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 2.6 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150 | auf Bestellung 707 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16321Q5T | Texas Instruments | Description: 25-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 530 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16321Q5T | Texas Instruments | CSD16321Q5T | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16321Q5T | Texas Instruments | 25-V, N Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16321Q5T | Texas Instruments | Description: 25-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16322Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16322Q5 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16322Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 97 A, 0.0039 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 97A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 1882 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16322Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 21A/97A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 8V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1365 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 8221 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16322Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16322Q5 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16322Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 97 A, 0.0039 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 97A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 1882 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16322Q5 | Texas Instruments | MOSFETs N-Channel NexFET Pwr MOSFETs | auf Bestellung 3461 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16322Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16322Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 21A/97A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 8V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1365 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16322Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16322Q5C | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 21A/97A 8SON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 8V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SON Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1365 pF @ 12.5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16322Q5C | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16322Q5C | Texas Instruments | MOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET | auf Bestellung 11629 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16322Q5C | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16322Q5C | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 21A/97A 8SON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 8V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SON Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1365 pF @ 12.5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16323Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16323Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 17500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16323Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16323Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16323Q3 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16323Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0044 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16323Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16323Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16323Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 6605 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16323Q3 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16323Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0044 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16323Q3 | Texas Instruments | MOSFETs N-Ch NexFET Pwr MOSFET | auf Bestellung 27921 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16323Q3C | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8SON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SON-EP (3x3) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16323Q3C | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin SON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16323Q3C | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8SON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SON-EP (3x3) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16323Q3C | Texas Instruments | MOSFET Dual Cool NCh NexFET Power MOSFET | auf Bestellung 2050 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16323Q3C | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin SON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16323Q3T | Texas Instruments | Description: PROTOTYPE Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16325Q5 | Texas Instruments | MOSFETs N-Channel NexFET Pow er MOSFET | auf Bestellung 4451 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16325Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16325Q5 | Texas Instruments | Description: CSD16325Q5 25V, N CH NEXFET MOSF Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 5572 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16325Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin SON EP T/R | auf Bestellung 2499 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16325Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin SON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16325Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 10344 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16325Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin SON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16325Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin SON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16325Q5C | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16325Q5C | Texas Instruments | MOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET | auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16325Q5C | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16327Q3 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16327Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0034 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 331 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16327Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16327Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16327Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 2294 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16327Q3 | Texas Instruments | MOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFET | auf Bestellung 14002 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16327Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16327Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 2294 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16327Q3 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16327Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0034 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 331 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16327Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 12522 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16327Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16327Q3T Produktcode: 153742
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| CSD16327Q3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16327Q3T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 8V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 4750 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16327Q3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16327Q3T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 60A; Idm: 240A; 74W; VSON-CLIP8 Case: VSON-CLIP8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -8...10V On-state resistance: 6.5mΩ Power dissipation: 74W Drain-source voltage: 25V Drain current: 60A Pulsed drain current: 240A Application: automotive industry Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16327Q3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16327Q3T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 60A; Idm: 240A; 74W; VSON-CLIP8 Case: VSON-CLIP8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -8...10V On-state resistance: 6.5mΩ Power dissipation: 74W Drain-source voltage: 25V Drain current: 60A Pulsed drain current: 240A Application: automotive industry Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16327Q3T | Texas Instruments | MOSFETs 25-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD16327Q3 | auf Bestellung 3091 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16327Q3T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 8V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 4980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16327Q3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16340Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 12147 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16340Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16340Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 2008 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16340Q3 | Texas Instruments | MOSFETs N Channel NexFET Pow er MOSFET A 595-CSD16340Q3T | auf Bestellung 4137 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16340Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16340Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16340Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 2008 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16340Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16340Q3T | Texas Instruments | MOSFETs 25V -55 to 150 A 595-CSD16340Q3 | auf Bestellung 1250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16340Q3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16340Q3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16340Q3T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 3004 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16340Q3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16340Q3T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16340Q3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16340Q3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16342Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16342Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 1437 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16342Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 1437 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16342Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16342Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 3897 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16342Q5A | Texas Instruments | MOSFETs N-Channel NexFET Pow er MOSFET | auf Bestellung 5061 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16342Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16342Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16342Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD163CEVM-591 | Texas Instruments | TPS40304 DC to DC Controller 1.17VDC to 1.23VDC Output Evaluation Board | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD163CEVM-591 | Texas Instruments | Description: EVAL BOARD FOR TPS40304 Packaging: Bulk Voltage - Output: 1.2V Voltage - Input: 8V ~ 14V Current - Output: 25A Frequency - Switching: 600kHz Regulator Topology: Buck Board Type: Fully Populated Utilized IC / Part: TPS40304 Supplied Contents: Board(s) Main Purpose: DC/DC, Step Down Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output Part Status: Active Contents: Board(s) | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD163CEVM-591 | Texas Instruments | Power Management IC Development Tools CSD163CEVM-591 | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD163CEVM-591 | Texas Instruments | TPS40304 DC to DC Controller 1.17VDC to 1.23VDC Output Evaluation Board | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16401Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 687 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16401Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 687 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16401Q5 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16401Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0013 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16401Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 38A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16401Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16401Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16401Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16401Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 38A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 5410 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16401Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16401Q5 | Texas Instruments | MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs | auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16401Q5 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16401Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0013 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 3.1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: SON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16401Q5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16401Q5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16401Q5T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 240A; 156W Case: VSON-CLIP8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -12...16V On-state resistance: 2.3mΩ Power dissipation: 156W Drain-source voltage: 25V Drain current: 100A Pulsed drain current: 240A Application: automotive industry Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16401Q5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16401Q5T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 240A; 156W Case: VSON-CLIP8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -12...16V On-state resistance: 2.3mΩ Power dissipation: 156W Drain-source voltage: 25V Drain current: 100A Pulsed drain current: 240A Application: automotive industry Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16401Q5T | Texas Instruments | MOSFETs 25-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD16401Q5 | auf Bestellung 520 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16401Q5T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 532 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16401Q5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16401Q5T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16403Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs | auf Bestellung 2391 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16403Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 28A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16403Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 28A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16403Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 28A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 14639 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16403Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 28A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16403Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 28A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16403Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 28A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16404Q5A | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16404Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 81 A, 0.0041 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 81A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 1720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16404Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16404Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 21A/81A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 81A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 12.5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16404Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16404Q5A | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16404Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 81 A, 0.0041 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 81A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 1720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16404Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16404Q5A | Texas Instruments | MOSFETs N-Ch NexFET Power MO SFETs | auf Bestellung 2645 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16404Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 21A/81A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 81A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 4538 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16406Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 19A/60A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 4786 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16406Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16406Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 1432 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16406Q3 | Texas Instruments | MOSFETs N-Ch NexFET Power MOSFETs | auf Bestellung 2986 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16406Q3 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16406Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0042 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.7 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7 Bauform - Transistor: SON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 416 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16406Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 1432 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16406Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 19A/60A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16406Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16406Q3 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16406Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0042 ohm, SON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25 Dauer-Drainstrom Id: 60 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.7 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7 Verlustleistung: 2.7 Bauform - Transistor: SON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | auf Bestellung 416 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16406Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16406Q3 | Texas Instruments | N-MOSFET 25V 60A 2.7W 5.3mΩ CSD16406Q3 Texas Instruments TCSD16406q3 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16406Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16406Q3 MOSFET N-CH - Texas Instruments Produktcode: 108023
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| CSD16407Q5 | TI | 0950+ QFN | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16407Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 4537 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16407Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin SON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16407Q5 | TI | auf Bestellung 2235 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| CSD16407Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16407Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin SON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16407Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin SON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16407Q5 | Texas Instruments | MOSFETs N-Ch NexFET Power MO SFETs | auf Bestellung 3526 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16407Q5C | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16407Q5C | Texas Instruments | MOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET | auf Bestellung 6325 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16407Q5C | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16407Q5C | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16407Q5C | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16408Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 113A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16408Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 113A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 29715 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16408Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin SON T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16408Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin SON T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16408Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 113A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16408Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin SON T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16408Q5 | Texas Instruments | MOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16408Q5C | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin SON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16408Q5C | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 113A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16408Q5C | Texas Instruments | MOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET | auf Bestellung 3038 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16408Q5C | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin SON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16408Q5C | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 113A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16408Q5C | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 113A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16409Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16409Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 15A/60A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 5456 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16409Q3 | Texas Instruments | MOSFETs N-Ch NexFET Power MO SFETs | auf Bestellung 3850 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16409Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16409Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16409Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 15A/60A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16409Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16410Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16410Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 16A/59A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 4922 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16410Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16410Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 16A/59A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16410Q5A | Texas Instruments | MOSFETs N-Ch NexFET Power MO SFETs | auf Bestellung 2350 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16410Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16410Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 1350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16411Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16411Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 1203 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16411Q3 | Texas Instruments | MOSFETs N-Ch NexFET Power MOSFETs | auf Bestellung 5751 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16411Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16411Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16411Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 14A/56A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 17122 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16411Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 1203 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16411Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16411Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 14A/56A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16411Q3/2801 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16411Q3T | Texas Instruments | CSD16411Q3T | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16412Q5A Produktcode: 144313
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| CSD16412Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 14A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16412Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 14A/52A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 1915 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16412Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 14A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16412Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 14A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16412Q5A | TI/BB | 09+ | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16412Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 14A/52A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 12.5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16412Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 14A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16412Q5A | Texas Instruments | MOSFETs N-Ch NexFET Power MO SFETs | auf Bestellung 2946 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16413Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16413Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16413Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16413Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16413Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 24A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16413Q5A | Texas Instruments | MOSFETs N-Ch NexFET Power MO SFETs | auf Bestellung 3489 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16413Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16413Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 24A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 4988 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16414Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 34A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 12.5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16414Q5 | Texas Instruments | MOSFETs N-Ch NexFET Power MO SFETs | auf Bestellung 1012 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16414Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 34A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16414Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 34A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16414Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 34A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 2602 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16414Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 34A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16414Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 34A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16414Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 34A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16415Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16415Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16415Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16415Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16415Q5 | Texas Instruments | MOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFET | auf Bestellung 2161 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16415Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16415Q5 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16415Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 990 µohm, VSON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25 Dauer-Drainstrom Id: 100 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 3.2 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5 Verlustleistung: 3.2 Bauform - Transistor: VSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 990 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16415Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 1575 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16415Q5T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16415Q5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16415Q5T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 200A; 156W Case: VSON-CLIP8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -12...16V On-state resistance: 1.8mΩ Power dissipation: 156W Drain-source voltage: 25V Drain current: 100A Pulsed drain current: 200A Application: automotive industry Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16415Q5T | Texas Instruments | MOSFET 25-V, N channel NexFET power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 1.8 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150 | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16415Q5T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16415Q5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16415Q5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16415Q5T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 200A; 156W Case: VSON-CLIP8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -12...16V On-state resistance: 1.8mΩ Power dissipation: 156W Drain-source voltage: 25V Drain current: 100A Pulsed drain current: 200A Application: automotive industry Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16415Q5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16415Q5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16556Q5B | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16556Q5B - MOSFET, N CHANNEL, 25V, 100A, 0.0009OHM, MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16556Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.07mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 191W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 15 V | auf Bestellung 5015 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16556Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16556Q5B | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16556Q5B - MOSFET, N CHANNEL, 25V, 100A, 0.0009OHM, MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16556Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16556Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.07mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 191W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 15 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16556Q5B | Texas Instruments | MOSFETs 25V NexFET N Ch Pwr MosFET | auf Bestellung 4017 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16556Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD1656 | C&K | CSD1656 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16570Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16570Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 12 V | auf Bestellung 2748 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16570Q5B | Texas Instruments | MOSFETs 25-V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-CSD16570Q5BT | auf Bestellung 3056 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16570Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16570Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16570Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 12 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16570Q5BT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 12 V | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16570Q5BT | Texas Instruments | MOSFETs 25V NCH NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD16570Q5B | auf Bestellung 10925 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16570Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16570Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16570Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 100A Power dissipation: 195W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.68mΩ Mounting: SMD Gate charge: 95nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Dimensions: 5x6mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16570Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16570Q5BT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 490 µohm, VSON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25 Dauer-Drainstrom Id: 100 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 195 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5 Verlustleistung: 195 Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 490 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 85 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16570Q5BT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 12 V | auf Bestellung 18296 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD16570Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16570Q5BT Produktcode: 196756
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| CSD16570Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16570Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 100A Power dissipation: 195W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.68mΩ Mounting: SMD Gate charge: 95nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Dimensions: 5x6mm Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD16570Q5BT . | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16570Q5BT . - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 490 µohm, VSON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25 Dauer-Drainstrom Id: 100 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 195 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5 Verlustleistung: 195 Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 490 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 85 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17301Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17301Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 8V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 15 V | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17301Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 1987 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17301Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 1987 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17301Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17301Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 30V N Channel NexFET Pwr MOSFET | auf Bestellung 3055 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17301Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 8V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 15 V | auf Bestellung 12993 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17301Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17302Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 16A/87A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 14A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V | auf Bestellung 19466 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17302Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17302Q5A | Texas Instruments | MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET | auf Bestellung 4042 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17302Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 16A/87A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 14A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V | auf Bestellung 17500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17302Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17302Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17302Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17302Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17303Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 32A T/R | auf Bestellung 1181 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17303Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17303Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 32A T/R | auf Bestellung 1088 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17303Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 15 V | auf Bestellung 5169 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17303Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 32A T/R | auf Bestellung 1181 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17303Q5 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17303Q5 - MOSFET TRANSISTOR MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17303Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 32A T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17303Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 32A T/R | auf Bestellung 889 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17303Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 15 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17303Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 32A T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17303Q5 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17303Q5 - MOSFET TRANSISTOR MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17303Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 32A T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17303Q5 | Texas Instruments | MOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET | auf Bestellung 4194 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17304Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17304Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17304Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 15A/56A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17A, 8V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955 pF @ 15 V | auf Bestellung 1889 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17304Q3 | Texas Instruments | MOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET | auf Bestellung 7502 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17304Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17304Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17304Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 15A/56A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17A, 8V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17304Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17305Q5A | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 30V; 60A; 3.1W; VSONP8; SMT Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Drain-source voltage: 30V Drain current: 60A Power dissipation: 3.1W Case: VSONP8 Gate-source voltage: 10V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Electrical mounting: SMT | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17305Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET | auf Bestellung 811 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17305Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17305Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17305Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 29A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 8V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17305Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17305Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17305Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 29A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 8V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17306Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17306Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 22A, 8V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17306Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17306Q5A | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17306Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0029 ohm, SON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 100 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 3.2 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1 Verlustleistung: 3.2 Bauform - Transistor: SON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029 Rds(on)-Prüfspannung: 8 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17306Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET | auf Bestellung 2710 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17306Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17306Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 22A, 8V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 15 V | auf Bestellung 3628 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17306Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17306Q5A | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17306Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0029 ohm, SON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 100 Rds(on)-Messspannung Vgs: 8 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 3.2 Bauform - Transistor: SON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.1 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17307Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17307Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET | auf Bestellung 2519 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17307Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17307Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17307Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 14A/73A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17307Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17307Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17307Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 14A/73A 8VSON Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V | auf Bestellung 165896 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17307Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 165896 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17307Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17307Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 14A/73A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V | auf Bestellung 3320 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17308Q3 | Texas Instruments | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 10V; 16,5mOhm; 44A; 28W; -55°C ~ 150°C; CSD17308Q3T CSD17308Q3 TCSD17308q3 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17308Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17308Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17308Q3 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 47 A, 0.0094 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 148 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17308Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17308Q3 | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 50A Pulsed drain current: 167A Power dissipation: 2.7W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 12.5mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 3.9nC Dimensions: 3.3x3.3mm Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 980 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17308Q3 | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 50A Pulsed drain current: 167A Power dissipation: 2.7W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 12.5mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 3.9nC Dimensions: 3.3x3.3mm | auf Bestellung 980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17308Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V | auf Bestellung 10510 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17308Q3 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 47 A, 0.0094 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: SON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0094ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 148 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17308Q3 | Texas Instruments | MOSFETs 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD17308Q3T | auf Bestellung 15171 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17308Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17308Q3 . | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3 . - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 47 A, 0.0094 ohm, SON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 47 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.7 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3 Verlustleistung: 2.7 Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0094 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17308Q3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17308Q3T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 50A Pulsed drain current: 167A Power dissipation: 2.7W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 9.4mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 3.9nC Dimensions: 3.3x3.3mm | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17308Q3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17308Q3T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17308Q3T Produktcode: 133334
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| CSD17308Q3T | Texas Instruments | MOSFETs 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 11.8 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150 | auf Bestellung 885 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17308Q3T | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 0.0082 ohm, VSON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 44 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 28 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3 Verlustleistung: 28 Bauform - Transistor: VSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082 Rds(on)-Prüfspannung: 8 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17308Q3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17308Q3T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 50A Pulsed drain current: 167A Power dissipation: 2.7W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 9.4mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 3.9nC Dimensions: 3.3x3.3mm Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17308Q3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17308Q3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17308Q3T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V | auf Bestellung 192 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17308Q3T | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 0.0082 ohm, VSON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 44 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 28 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3 Verlustleistung: 28 Bauform - Transistor: VSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082 Rds(on)-Prüfspannung: 8 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17309Q3 | Texas Instruments | MOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET | auf Bestellung 1362 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17309Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17309Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 18A, 8V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 15 V | auf Bestellung 148 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17309Q3 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17309Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0042 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: VSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 2486 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17309Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 2413 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17309Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17309Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17309Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 18A, 8V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17309Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 2413 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17309Q3 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17309Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0042 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 2486 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17309Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17310Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17310Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 1871 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17310Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 8V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 15 V | auf Bestellung 8837 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17310Q5A | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17310Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0039 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 143 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17310Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 210429 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17310Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 1871 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17310Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17310Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET | auf Bestellung 4259 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17310Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 8V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 15 V | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17310Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17310Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17310Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 8V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 15 V | auf Bestellung 210429 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17310Q5A | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17310Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0039 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 143 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17311Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V | auf Bestellung 3471 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17311Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17311Q5 | Texas Instruments | MOSFETs 30V N-Channel NexFET Power MOSFET | auf Bestellung 1748 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17311Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON EP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17311Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17311Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17311Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V | auf Bestellung 7687 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17311Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 7495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17311Q5 | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 30V; 100A; 3.2W; VSON-CLIP8; SMT Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Power dissipation: 3.2W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: 10V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Electrical mounting: SMT | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17311Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17312Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17312Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17312Q5 | Texas Instruments | N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 100 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 5240 @ 15; Qg, нКл = 36 @ 4.5 В; Rds = 1.5 мОм @ 35 А, 8 В; Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,2; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SON-8 | auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17312Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 38A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 35A, 8V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5240 pF @ 15 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17312Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 1910 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17312Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17312Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 1910 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17312Q5 | Texas Instruments | MOSFETs 30V N-Channel NexFET Power MOSFET | auf Bestellung 865 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17312Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 38A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 35A, 8V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5240 pF @ 15 V | auf Bestellung 6112 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17312Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17313Q2 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V | auf Bestellung 8198 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17313Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R | auf Bestellung 310 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17313Q2 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.03 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.3W Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 663 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17313Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17313Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R | auf Bestellung 310 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17313Q2 | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17313Q2 | Texas Instruments | MOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET A 595-CSD17313Q2T | auf Bestellung 13554 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17313Q2 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17313Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17313Q2 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.03 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.3W Bauform - Transistor: SON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 663 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17313Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17313Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17313Q2 | Texas Instruments | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 10V; 42mOhm; 19A; 17W; -55°C ~ 150°C; CSD17313Q2T CSD17313Q2 TCSD17313q2 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17313Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17313Q2 Produktcode: 126922
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Verschiedene Bauteile > Other components 3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| CSD17313Q2G4 | Texas Instruments | MOSFETs 30-V, N channel NexFET power MOSFET, single SON 2 mm x 2 mm, 32 mOhm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17313Q2Q1 | Wurth Elektronik | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| CSD17313Q2Q1 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive 6-Pin WSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17313Q2Q1 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V | auf Bestellung 2623 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17313Q2Q1 | Texas Instruments | MOSFETs Auto 30-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET | auf Bestellung 2159 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17313Q2Q1 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17313Q2Q1 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive 6-Pin WSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17313Q2Q1 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin WSON EP T/R | auf Bestellung 1998000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17313Q2Q1T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive 6-Pin WSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17313Q2Q1T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; Idm: 57A; 17W; WSON6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A Pulsed drain current: 57A Power dissipation: 17W Case: WSON6 Gate-source voltage: -8...10V On-state resistance: 42mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17313Q2Q1T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive 6-Pin WSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17313Q2Q1T | Texas Instruments | MOSFETs Automotive 30-V N channel NexFET power MOSFET 6-WSON 0 to 0 | auf Bestellung 820 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17313Q2Q1T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 17W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17313Q2Q1T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; Idm: 57A; 17W; WSON6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A Pulsed drain current: 57A Power dissipation: 17W Case: WSON6 Gate-source voltage: -8...10V On-state resistance: 42mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17313Q2T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17313Q2T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 17W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V | auf Bestellung 22423 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17313Q2T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 17W; WSON6; 2x2mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A Power dissipation: 17W Case: WSON6 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 26mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 2.1nC Dimensions: 2x2mm Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 1634 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17313Q2T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17313Q2T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R | auf Bestellung 3500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17313Q2T | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19 A, 0.024 ohm, WSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 17W Bauform - Transistor: WSON Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17313Q2T | Texas Instruments | MOSFETs 30V N-Channel NexFE T Power Mosfet A 595-CSD17313Q2 | auf Bestellung 4858 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17313Q2T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 17W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V | auf Bestellung 22250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17313Q2T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 17W; WSON6; 2x2mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A Power dissipation: 17W Case: WSON6 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 26mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 2.1nC Dimensions: 2x2mm | auf Bestellung 1634 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17313Q2T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17313Q2T | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19 A, 0.024 ohm, WSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 17W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 17W Bauform - Transistor: WSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17313Q2T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R | auf Bestellung 3500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17318Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17318Q2 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 25A 6WSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V Power Dissipation (Max): 16W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V | auf Bestellung 12435 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17318Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17318Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17318Q2 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 25A 6WSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V Power Dissipation (Max): 16W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17318Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17318Q2 | Texas Instruments | N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 25 А; Ptot, Вт = 16; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 879 @ 15; Qg, нКл = 6 @ 4,5 В; Rds = 15,1 мОм @ 8 A, 8 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА; WDFN-6 (Exp. Pad) | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17318Q2 | Texas Instruments | MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD17318Q2T | auf Bestellung 4917 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17318Q2T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17318Q2T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21.5A; Idm: 68A; 16W; WSON6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 21.5A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 16W Case: WSON6 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17318Q2T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17318Q2T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17318Q2T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17318Q2T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21.5A; Idm: 68A; 16W; WSON6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 21.5A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 16W Case: WSON6 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17318Q2T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V Power Dissipation (Max): 16W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V | auf Bestellung 2670 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17318Q2T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17318Q2T | Texas Instruments | MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD17318Q2 | auf Bestellung 3470 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17318Q2T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17318Q2T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V Power Dissipation (Max): 16W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17318Q2T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17322Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 30V NCh Nex FET Pwr MOSFET | auf Bestellung 3613 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17322Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17322Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 87A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 14A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 8V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 695 pF @ 15 V | auf Bestellung 22500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17322Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17322Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17322Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 87A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 14A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 8V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 695 pF @ 15 V | auf Bestellung 22500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17327Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 65A 8SON | auf Bestellung 24835000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17327Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 65A 8SON | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17327Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSON-FET EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17327Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSON-FET EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17327Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 65A 8SON | auf Bestellung 24835000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17327Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 30V NCh Nex FET Pwr MOSFET | auf Bestellung 1363 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17327Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSON-FET EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17381F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17381F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 575 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17381F4 | Texas Instruments | MOSFETs N-CH NexFET Pwr MOSF ET A 595-CSD17381F4T | auf Bestellung 20586 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17381F4 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8A Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V | auf Bestellung 38061 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17381F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17381F4 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8A Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17381F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 575 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17381F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17381F4R | Texas Instruments | Description: PROTOTYPE Packaging: Bulk Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Vgs (Max): 12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17381F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17381F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17381F4T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V | auf Bestellung 33215 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17381F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17381F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17381F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17381F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17381F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17381F4T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17381F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17381F4T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 12A; 500mW Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.1A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 0.5W Case: PICOSTAR3 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17381F4T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 12A; 500mW Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.1A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 0.5W Case: PICOSTAR3 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17381F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17381F4T | Texas Instruments | MOSFETs 30V N-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD17381F4 | auf Bestellung 3047 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17382F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17382F4 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Vgs (Max): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 15 V | auf Bestellung 3926 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17382F4 | Texas Instruments | MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD17382F4T | auf Bestellung 4260 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17382F4 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Vgs (Max): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 15 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17382F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17382F4T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Vgs (Max): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 15 V | auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17382F4T | Texas Instruments | MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD17382F4 | auf Bestellung 3944 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17382F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17382F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17382F4T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; Idm: 14.8A; 500mW Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.3A Pulsed drain current: 14.8A Power dissipation: 0.5W Case: PICOSTAR3 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17382F4T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; Idm: 14.8A; 500mW Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.3A Pulsed drain current: 14.8A Power dissipation: 0.5W Case: PICOSTAR3 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17382F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17382F4T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Vgs (Max): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 15 V | auf Bestellung 14010 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17382F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17382F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17483F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17483F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 1865 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17483F4 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 15 V | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17483F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 51000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17483F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 51000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17483F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17483F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 1865 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17483F4 | Texas Instruments | MOSFETs 30V N-CH Pwr MOSFET A 595-CSD17483F4T | auf Bestellung 34393 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17483F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 126000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17483F4 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 15 V | auf Bestellung 27863 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17483F4T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.5A; Idm: 5A; 500mW; PICOSTAR3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.5A Pulsed drain current: 5A Power dissipation: 0.5W Case: PICOSTAR3 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17483F4T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 15 V | auf Bestellung 5385 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17483F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17483F4T | Texas Instruments | MOSFETs 30V N-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD17483F4 | auf Bestellung 1359 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17483F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17483F4T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 15 V | auf Bestellung 5250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17483F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17483F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17483F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17483F4T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.5A; Idm: 5A; 500mW; PICOSTAR3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.5A Pulsed drain current: 5A Power dissipation: 0.5W Case: PICOSTAR3 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17483F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17484F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17484F4 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 121mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Vgs (Max): 12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.04 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V | auf Bestellung 1614 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17484F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17484F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 74 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17484F4 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 121mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Vgs (Max): 12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.04 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17484F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17484F4 | Texas Instruments | MOSFET 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 1 mm x 0.6mm, 128 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150 | auf Bestellung 5792 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17484F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17484F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17484F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 1250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17484F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17484F4T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 121mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Vgs (Max): 12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.04 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V | auf Bestellung 19080 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17484F4T | Texas Instruments | MOSFETs 30V N-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD17484F4 | auf Bestellung 7863 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17484F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17484F4T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3A; Idm: 18A; 500mW; PICOSTAR3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 0.5W Case: PICOSTAR3 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17484F4T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3A; Idm: 18A; 500mW; PICOSTAR3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 0.5W Case: PICOSTAR3 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17484F4T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 121mOhm @ 500mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Vgs (Max): 12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.04 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V | auf Bestellung 18910 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17484F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17501Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 15 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17501Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17501Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD17581Q5A | auf Bestellung 1485 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17501Q5A | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 30V; 100A; 3.2W; VSONP8; SMT Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Power dissipation: 3.2W Case: VSONP8 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 2.9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Electrical mounting: SMT | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17501Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17501Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 1115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17501Q5A Produktcode: 107837
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| CSD17501Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 15 V | auf Bestellung 6410 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17501Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 1115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17501Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17501Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17505Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17505Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17505Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17505Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17505Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17505Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17505Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 30V NCh NexFET Power MOSFET A 595-CSD17581Q5A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17505Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 15 V | auf Bestellung 1596 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17505Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17506Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 15 V | auf Bestellung 1860 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17506Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17506Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17506Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD17577Q5A | auf Bestellung 1774 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17506Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17506Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 2352 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17506Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17506Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 2352 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17506Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17506Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17507Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 13A/65A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 15 V | auf Bestellung 4493 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17507Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17507Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17507Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17507Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17507Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 13A/65A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 15 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17507Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17507Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 30V NChannel Hi Side NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD17579Q5A | auf Bestellung 3162 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17507Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 1283 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17507Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17507Q5AT | Texas Instruments | MOSFET 30-V, N channel NexFET power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 10.8 mOhm 8-VSONP -55 to 150 | auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17507Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17510Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 30V NChannel Lo Side NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD17577Q5A | auf Bestellung 4636 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17510Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17510Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17510Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17510Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 20A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V | auf Bestellung 4744 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17510Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17510Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 22500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17510Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 20A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17510Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17522Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17522Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17522Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 87A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 695 pF @ 15 V | auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17522Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 30V NCh Nex FET Pwr MOSFET A 595-CSD17578Q5A | auf Bestellung 4559 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17522Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17522Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17522Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 87A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 695 pF @ 15 V | auf Bestellung 12782 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17522Q5A /Texas Instruments Produktcode: 108620
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Texas Instruments | Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17527Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17527Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 65A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 506 pF @ 15 V | auf Bestellung 10797 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17527Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 30V NCh Nex FET Pwr MOSFET A 595-CSD17579Q5A | auf Bestellung 3331 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17527Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17527Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17527Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17527Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 65A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 506 pF @ 15 V | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17551Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 48A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17551Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 48A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17551Q3A | Texas Instruments Incorporated (TI) | MOSFET N-CH 30V 12A 8SON | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17551Q3A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17551Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 48A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17551Q3A | Texas Instruments | MOSFETs 30V N-Chnl MOSFET A 595-CSD17578Q3A | auf Bestellung 89 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17551Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 48A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17551Q3A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V | auf Bestellung 4217 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17551Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 48A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 15 V | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17551Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 13.5A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17551Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 13.5A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17551Q5A | Texas Instruments | MOSFETs N-Channel NexFET Pow er MOSFET A 595-CSD17578Q5A | auf Bestellung 1162 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17551Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 48A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 15 V | auf Bestellung 6454 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17551Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 13.5A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17551Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 13.5A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17551Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 13.5A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17552Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 74A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17552Q3A | Texas Instruments | MOSFETs 30V N-Channel MOSFET A 595-CSD17577Q3A | auf Bestellung 16222 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17552Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 74A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17552Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 74A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17552Q3A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 15A/60A 8SON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17552Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 74A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17552Q3A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 15A/60A 8SON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V | auf Bestellung 8730 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17552Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 74A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17552Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 88A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17552Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 88A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17552Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 17A/60A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V | auf Bestellung 2496 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17552Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 30-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD17578Q5A | auf Bestellung 1885 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17552Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 88A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17552Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 17A/60A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17553Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 23.5A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3252 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17553Q5A | Texas Instruments | MOSFETs NCh NexFET Pwr MOSFE T A 595-CSD17581Q5A | auf Bestellung 898 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17553Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 23.5A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17553Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 23.5A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3252 pF @ 15 V | auf Bestellung 2611 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17555Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17555Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17555Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17555Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 343 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17555Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V | auf Bestellung 139741 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17555Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17555Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 129398 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17555Q5A | Texas Instruments | MOSFET 30V N-ch NexFET Pwr MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17555Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17555Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17556Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 34A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 191W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.65V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 15 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17556Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17556Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17556Q5B | Texas Instruments | MOSFETs 30V N-Ch NexFET Powe r MOSFETs A 595-CSD17556Q5BT | auf Bestellung 2854 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17556Q5B | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17556Q5B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0012 ohm, VSON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 100 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 3.1 Bauform - Transistor: VSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.4 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17556Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17556Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17556Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 34A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 191W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.65V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 15 V | auf Bestellung 4135 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17556Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17556Q5B | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17556Q5B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0012 ohm, VSON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 100 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 3.1 Bauform - Transistor: VSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.4 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17556Q5BT | Texas Instruments | MOSFETs 30V N-Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD17556Q5B | auf Bestellung 351 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17556Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17556Q5BT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 191W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.65V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 15 V | auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17556Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 191W Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 191W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17556Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 191W Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 191W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17556Q5BT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 191W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.65V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 15 V | auf Bestellung 942 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17559Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 15 V | auf Bestellung 2348 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17559Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17559Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17559Q5 | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 30V; 100A; 3.2W; VSON-CLIP8; SMT Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Power dissipation: 3.2W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 1.15mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Electrical mounting: SMT Gate charge: 51nC | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17559Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17559Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17559Q5 | Texas Instruments | MOSFETs 30V N Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD17559Q5T | auf Bestellung 2820 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17559Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8VSON Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 15 V | auf Bestellung 1100 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17559Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 1100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17559Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17559Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17559Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17559Q5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17559Q5T | Texas Instruments | MOSFETs 30V N-Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD17559Q5 | auf Bestellung 241 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17559Q5T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 15 V | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17559Q5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17559Q5T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 96W Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 96W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17559Q5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17559Q5T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 15 V | auf Bestellung 482 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17559Q5T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 96W Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 96W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17570Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 15 V | auf Bestellung 2266 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17570Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 90000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17570Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17570Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17570Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 2200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17570Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 2200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17570Q5B | Texas Instruments | MOSFETs 30V N-Ch Pwr MOSFET A 595-CSD17570Q5BT | auf Bestellung 2762 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17570Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17570Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CSD17570Q5BT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 15 V | auf Bestellung 1002 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17570Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17570Q5BT | Texas Instruments | MOSFET 30V N-Ch Pwr MOSFET | auf Bestellung 6707 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17570Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| CSD17570Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; VSON-CLIP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.74mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 93nC Dimensions: 5x6mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |