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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
CSD-819CNMB Technologies CorporationDescription: DIGITAL INDICATOR (PEAK HOLDER)
Packaging: Box
Display Type: LED - Red Characters
Output Type: BCD Output
Mounting Type: Panel Mount
Type: Ammeter, Voltmeter
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 100 ~ 240VAC
Measuring Range: Multiple
Ingress Protection: IP65
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 96.00mm x 96.00mm
Number of Characters Per Row: 3
Measuring Type: Current, Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD-NM-914-NMTE Connectivity / Linx TechnologiesRF Cable Assemblies Cable Assembly Coaxial N-Type Male to N-Type Male RG-58 36.00" (914.40mm)
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD-NM-914-NMLinx TechnologiesRF Cable Assemblies Cable Assembly Coaxial N-Type Male to N-Type Male RG-58 36.00" (914.40mm)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.93 EUR
10+24.99 EUR
25+23.53 EUR
100+23.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD-NM-914-NMTE ConnectivityRF Cable Assemblies Cable Assembly Coaxial N-Type Male to N-Type Male RG-58 36.00" (914.40mm)
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.86 EUR
10+25.84 EUR
20+24.32 EUR
100+24.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD-NM-914-NMTE Connectivity LinxDescription: COAX CBL N-TYPE TO N-TYPE 36"
Packaging: Bulk
Color: Black
Length: 36.00" (914.40mm)
Style: N-Type to N-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Cable Type: RG-58
1st Connector: N-Type Plug
2nd Connector: N-Type Plug
Part Status: Active
Frequency - Max: 5.8 GHz
1st Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
2nd Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
1st Contact Gender: Male
2nd Contact Gender: Male
Cable Impedance: 50 Ohms
Overall Impedance: 50 Ohms
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD-SMAM-610-NMTE Connectivity / Linx TechnologiesRF Cable Assemblies RF Cable Assemblies Cable Assembly Coaxial SMA to N-Type RG-58 24.00" (609.6mm)
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD-SMAM-610-NMTE Connectivity LinxDescription: COAX CBL SMA TO N-TYPE 24"
Packaging: Bulk
Color: Black
Length: 24.00" (609.60mm)
Style: SMA to N-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Cable Type: RG-58
1st Connector: SMA Plug
2nd Connector: N-Type Plug
Part Status: Active
Frequency - Max: 5.8 GHz
1st Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
2nd Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
1st Contact Gender: Male
2nd Contact Gender: Male
Cable Impedance: 50 Ohms
Overall Impedance: 50 Ohms
auf Bestellung 385 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.50 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD.M26.GLL.C72AZLEMOStandard Circular Connector
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD01060AWolfspeedDiode Schottky SiC 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD01060AWolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
auf Bestellung 8416 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.71 EUR
50+2.18 EUR
100+1.79 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.29 EUR
2000+1.22 EUR
5000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD01060AWolfspeedDiode Schottky SiC 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 9650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9650+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 9650
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD01060AWolfspeedDiode Schottky SiC 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 9108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+1.39 EUR
116+1.23 EUR
117+1.17 EUR
119+1.12 EUR
132+0.96 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD01060AWolfspeed(CREE)CSD01060A THT Schottky diodes
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.81 EUR
76+0.95 EUR
80+0.90 EUR
2000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD01060AWolfspeedRectifier Diode Schottky SiC 600V 4A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 9108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.28 EUR
117+1.22 EUR
119+1.16 EUR
132+1.00 EUR
500+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 116
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD01060AWolfspeedRectifier Diode Schottky SiC 600V 4A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD01060AWolfspeedSiC Schottky Diodes 1A 600V SIC SCHOTTKY DIODE
auf Bestellung 8741 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.76 EUR
10+1.51 EUR
100+1.29 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.00 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD01060A
Produktcode: 57916
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD01060AWolfspeedRectifier Diode Schottky SiC 600V 4A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 9650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
144+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 144
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD01060AWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - CSD01060A - SiC-Schottky-Diode, Z-Rec 600V, Einfach, 600 V, 2 A, 3.3 nC, TO-220
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 3.3
Diodenmontage: Durchsteckmontage
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: Z-Rec 600V
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD01060ACree, IncДіод Шоттки TO-220-2 U=600V I=4A(T=25C) Vf=1,6V; Silicon Carbide
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+3.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD01060EWolfspeed(CREE)CSD01060E SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD01060EWolfspeedRectifier Diode Schottky SiC 600V 4A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD01060EWolfspeedSchottky Diodes & Rectifiers 1A 600V SIC SCHOTTKY DIODE
auf Bestellung 11511 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.22 EUR
10+2.04 EUR
75+1.61 EUR
525+1.43 EUR
1050+1.23 EUR
2550+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD01060EWolfspeedDiode Schottky SiC 600V 4A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD01060EWolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO252-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.59 EUR
75+1.23 EUR
150+1.21 EUR
525+1.17 EUR
1050+1.10 EUR
2025+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD01060EWolfspeedRectifier Diode Schottky SiC 600V 4A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube
auf Bestellung 4275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
161+0.92 EUR
3000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 161
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD01060EWolfspeedDiode Schottky SiC 600V 4A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube
auf Bestellung 4275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
161+0.92 EUR
3000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 161
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD01060E-TRWolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.03 EUR
5000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD01060E-TRWolfspeedDiode Schottky SiC 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD01060E-TRWolfspeedDiode Schottky SiC 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.98 EUR
5000+0.90 EUR
10000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD01060E-TRWolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
auf Bestellung 11296 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.59 EUR
10+2.30 EUR
100+1.56 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD01060E-TRWolfspeedDiode Schottky SiC 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD01060E-TRWolfspeedRectifier Diode Schottky SiC 600V 4A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD01060E-TRWolfspeedSchottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1A, 600V
auf Bestellung 5544 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.73 EUR
10+2.27 EUR
100+1.81 EUR
500+1.53 EUR
1000+1.30 EUR
2500+1.23 EUR
5000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD01060E-TRWolfspeedRectifier Diode Schottky SiC 600V 4A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.24 EUR
5000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD02060ACree/WolfspeedDescription: DIODE SCHOTTKY 600V 3.5A TO220-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD02060GCree/WolfspeedDescription: DIODE SCHOTTKY 600V 3.5A TO263-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD04060ACree/WolfspeedDescription: DIODE SCHOTTKY 600V 7A TO220-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD04060ACree, Inc.Schottky Diodes & Rectifiers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD04060ECree, Inc.Schottky Diodes & Rectifiers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD04060ECree/WolfspeedDescription: DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD06060AWolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD06060AWolfspeedSchottky Diodes & Rectifiers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD06060GWolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO263-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD06060GWolfspeedSchottky Diodes & Rectifiers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD08060ACree/WolfspeedDescription: DIODE SCHOTTKY 600V 12.5A TO220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD0910B-100MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 18.7mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 5.6A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 5 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD0910B-100MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Tolerance: ±20%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 18.7mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 5.6A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 5 A
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.79 EUR
10+4.85 EUR
25+4.42 EUR
50+3.79 EUR
100+3.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD0910B-150MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 39.2mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 4.6A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 15 µH
Current Rating (Amps): 3.5 A
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.63 EUR
10+3.88 EUR
25+3.54 EUR
50+3.03 EUR
100+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD0910B-150MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 39.2mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 4.6A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 15 µH
Current Rating (Amps): 3.5 A
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+2.70 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD0910B-220MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Tolerance: ±20%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 51.6mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 3.2A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 2.5 A
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.63 EUR
10+3.88 EUR
25+3.54 EUR
50+3.03 EUR
100+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD0910B-220MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 51.6mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 3.2A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 2.5 A
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+2.70 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD0910B-3R3MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Tolerance: ±20%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 11.5mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 10.5A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 3.3 µH
Current Rating (Amps): 6 A
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.63 EUR
10+3.88 EUR
25+3.54 EUR
50+3.03 EUR
100+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD0910B-3R3MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 11.5mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 10.5A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 3.3 µH
Current Rating (Amps): 6 A
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+2.70 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD0910B-6R8MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 18.7mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 8.7A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Inductance: 6.8 µH
Current Rating (Amps): 5 A
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+2.70 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD0910B-6R8MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 18.7mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 8.7A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Inductance: 6.8 µH
Current Rating (Amps): 5 A
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.63 EUR
10+3.88 EUR
25+3.54 EUR
50+3.03 EUR
100+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD10Apex Tool GroupRibbon Cables / IDC Cables IDC Socket Cable Assemblies, 2.00mm Pitch
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD100-427-2BXVishay / Thin FilmThin Film Resistors - Through Hole CSD CUSTOM
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 333-337 Tag (e)
1+43.91 EUR
10+24.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD1000B-MFantom DrivesDescription: SSD 1TB USB BLACK MAC
Packaging: Retail Package
Size / Dimension: 116.84mm x 81.28mm x 15.24mm
Memory Size: 1TB
Type: USB
Speed - Read: 560MB/s
Speed - Write: 530MB/s
Part Status: Active
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+261.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD1000B-WFantom DrivesDescription: SSD 1TB USB BLACK WINDOWS
Packaging: Retail Package
Size / Dimension: 116.84mm x 81.28mm x 15.24mm
Memory Size: 1TB
Type: USB
Speed - Read: 560MB/s
Speed - Write: 530MB/s
Part Status: Active
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+261.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD10030ACree IncDescription: DIODE SCHOTTKY 300V 10A TO220-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD10060AWolfspeedSiC Schottky Diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD10060AWolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 600V 16.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16.5A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD10060ACREE LED (See account 19947)Rectifier Diode Schottky 600V 16.5A 2-Pin(2+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD10060GWolfspeedSchottky Diodes & Rectifiers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD10060GWolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 600V 16.5A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16.5A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD1006ACTripp LiteDescription: BATT CHARGING STATION 15A
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 13.54" L x 16.54" W x 8.94" H (343.92mm x 420.12mm x 227.08mm)
Mounting Type: Custom
Voltage - Input: 120VAC
Type: Charging Station
Termination Style: NEMA 5-15R
Battery Chemistry: Mobile Devices
Charge Current - Max: 15A
Part Status: Active
Number of Cells: 10
auf Bestellung 915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+414.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD1006USBTripp LiteBattery Chargers CSD1006USB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD1013B-100MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.512" L x 0.413" W (13.00mm x 10.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 18mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 7.1A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.413" (10.50mm)
Part Status: Active
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 4.2 A
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.35 EUR
10+4.47 EUR
25+4.08 EUR
50+3.50 EUR
100+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD1013B-100MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.512" L x 0.413" W (13.00mm x 10.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 18mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 7.1A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.413" (10.50mm)
Part Status: Active
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 4.2 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD1013B-220MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.512" L x 0.413" W (13.00mm x 10.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 38mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 4.3A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.413" (10.50mm)
Part Status: Active
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 3 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD1013B-220MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Tolerance: ±20%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.512" L x 0.413" W (13.00mm x 10.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 38mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 4.3A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.413" (10.50mm)
Part Status: Active
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 3 A
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.35 EUR
10+4.47 EUR
25+4.08 EUR
50+3.50 EUR
100+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD104-162UFVishayCERAMIC SANDWICH, DUAL-IN-LINE, RESISTOR NETWORK (CUSTOM)
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+9.43 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD104-162UFVishayCERAMIC SANDWICH, DUAL-IN-LINE, RESISTOR NETWORK (CUSTOM)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD104-162UFVishayCERAMIC SANDWICH, DUAL-IN-LINE, RESISTOR NETWORK (CUSTOM)
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+9.43 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD108Power IntegrationsDescription: MODULE GATE DVR P&P SCALE 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD12106NVENT HOFFMANDescription: NVENT HOFFMAN - CSD12106 - ENCLOSURE, IP66, STEEL, GREY
tariffCode: 73102990
rohsCompliant: YES
Gehäusefarbe: Gray
Außenhöhe - imperial: 12"
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IP-Schutzart: IP66
NEMA-Bewertung: NEMA 4, 12, 13
Außentiefe - metrisch: 152mm
usEccn: EAR99
Außenhöhe - metrisch: 304.8mm
Außentiefe - imperial: 6"
euEccn: NLR
Außenbreite - metrisch: 254mm
Produktpalette: CONCEPT Series
productTraceability: No
Gehäusetyp: Electrical / Industrial
Außenbreite - Zoll: 10"
Gehäusematerial: Steel
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD12108WHoffman Enclosures, Inc.Description: CONCEPT 1DOOR WINDOW ANSI61
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD12108WLGHoffman Enclosures, Inc.Description: CONCEPT 1DOOR WINDOW RAL7035
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD12126Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 12.01"L X 12.01"W
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+666.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD12126SSHoffman Enclosures, Inc.Description: BOX S STEEL NAT 12.01"LX12.01"W
Features: Sealing Gasket, Stainless Steel Hinge, Wall Mount
Packaging: Bulk
Color: Natural
Size / Dimension: 12.008" L x 12.008" W (305.00mm x 305.00mm)
Material: Metal, Stainless Steel
Thickness: 16 Gauge
Height: 5.984" (152.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 3R,4,4X,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 144in² (929cm²)
Part Status: Active
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1917.92 EUR
5+1883.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD12128WLGHoffman Enclosures, Inc.Description: CONCEPT 1DOOR WINDOW RAL7035
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD130699 DIP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD1306EУЎ¶И06+ SOT-23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13201W10Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 462 pF @ 6 V
auf Bestellung 32858 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.79 EUR
31+0.58 EUR
100+0.37 EUR
500+0.30 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13201W10Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 462 pF @ 6 V
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
9000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13201W10Texas InstrumentsMOSFETs N-CH NexFET Pwr MOSFET
auf Bestellung 6839 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.77 EUR
10+0.52 EUR
100+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.19 EUR
9000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13201W10Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13202Q2TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13202Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 22 A, 0.0075 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13202Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 22A 6-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 2718 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
468+0.32 EUR
491+0.29 EUR
494+0.28 EUR
548+0.24 EUR
558+0.23 EUR
620+0.20 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 468
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13202Q2Texas InstrumentsMOSFETs N-CH Power MOSFET 12V 9.3mohm
auf Bestellung 4333 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.84 EUR
10+0.63 EUR
100+0.36 EUR
1000+0.32 EUR
3000+0.27 EUR
9000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13202Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 22A 6-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13202Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 22A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 6 V
auf Bestellung 5212 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.37 EUR
21+0.85 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13202Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 22A 6-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13202Q2TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13202Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 22 A, 0.0075 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: WSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13202Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 22A 6-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13202Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 22A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 6 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13202Q2TTexas InstrumentsDescription: PROTOTYPE
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 6 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13302WTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
auf Bestellung 2670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
220+0.67 EUR
270+0.53 EUR
272+0.51 EUR
396+0.33 EUR
401+0.32 EUR
555+0.22 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 220
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13302WTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13302WTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13302WTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 862 pF @ 6 V
auf Bestellung 4504 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.74 EUR
38+0.47 EUR
100+0.31 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13302WTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13302WTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 862 pF @ 6 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13302WTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
auf Bestellung 2670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
272+0.54 EUR
396+0.36 EUR
401+0.34 EUR
555+0.24 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 272
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13302WTexas InstrumentsMOSFET 12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single WLP 1 mm x 1 mm, 17.1 mOhm 4-DSBGA
auf Bestellung 8520 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.67 EUR
10+0.54 EUR
100+0.32 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.19 EUR
9000+0.17 EUR
24000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13302WTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13302WTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13302WTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 862 pF @ 6 V
auf Bestellung 1237 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.53 EUR
12+1.59 EUR
100+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13302WTTexas InstrumentsMOSFET 12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single WLP 1 mm x 1 mm, 17.1 mOhm 4-DSBGA -55 to 150
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13302WTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13302WTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 1.6A; Idm: 29A; 1.8W; DSBGA4
On-state resistance: 25.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Case: DSBGA4
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 29A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 1.6A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13302WTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 1.6A; Idm: 29A; 1.8W; DSBGA4
On-state resistance: 25.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Case: DSBGA4
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 29A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 1.6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13302WTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 862 pF @ 6 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+0.92 EUR
500+0.83 EUR
750+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13303W1015Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13303W1015Texas InstrumentsMOSFETs N-CH NexFET Pwr MOSFET
auf Bestellung 1987 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.93 EUR
10+0.72 EUR
100+0.50 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13303W1015Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13303W1015Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
auf Bestellung 143944 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1639+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1639
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13303W1015Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13303W1015Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
auf Bestellung 2265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1167+0.13 EUR
1376+0.10 EUR
1389+0.10 EUR
1931+0.07 EUR
1950+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 1167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13303W1015Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
auf Bestellung 2987 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.00 EUR
26+0.70 EUR
100+0.48 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13303W1015Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13306WTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 6 V
auf Bestellung 2865 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.00 EUR
24+0.74 EUR
100+0.52 EUR
500+0.41 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13306WTexas InstrumentsMOSFETs 12-V, N channel NexFET power MOSFET, single WLP 1 mm x 1.5 mm, 10.2 mOhm 6-DSBGA
auf Bestellung 2808 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.83 EUR
10+0.71 EUR
100+0.49 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.32 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13306WTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 6 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13306WTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13306WTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13306WTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 6 V
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+0.90 EUR
500+0.82 EUR
750+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13306WTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13306WTTexas InstrumentsMOSFETs 12V N-Channel NexFET Power MOSFET
auf Bestellung 822 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.28 EUR
10+1.08 EUR
100+0.89 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.75 EUR
2500+0.69 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13306WTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.5A; Idm: 44A; 1.9W; DSBGA6
On-state resistance: 15.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Case: DSBGA6
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 44A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 3.5A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13306WTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13306WTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.5A; Idm: 44A; 1.9W; DSBGA6
On-state resistance: 15.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Case: DSBGA6
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 44A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 3.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13306WTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13306WTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
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CSD13306WTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 6 V
auf Bestellung 1155 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.16 EUR
12+1.48 EUR
100+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13306WTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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CSD13380F3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD13380F3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13380F3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 1479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
260+0.57 EUR
348+0.41 EUR
363+0.38 EUR
516+0.26 EUR
574+0.22 EUR
678+0.18 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 260
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13380F3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.11 EUR
6000+0.10 EUR
9000+0.08 EUR
15000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13380F3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 1479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
516+0.29 EUR
574+0.25 EUR
678+0.20 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 516
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13380F3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13380F3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V
auf Bestellung 23101 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.56 EUR
50+0.35 EUR
100+0.21 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13380F3Texas InstrumentsMOSFETs 12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 0.7 mm, 76 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
auf Bestellung 11202 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.67 EUR
10+0.48 EUR
100+0.20 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.12 EUR
9000+0.10 EUR
24000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13380F3TEXAS INSTRUMENTSCategory: Transistors - Unclassified
Description: CSD13380F3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13380F3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V
auf Bestellung 27806 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.00 EUR
20+0.90 EUR
100+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13380F3TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.6A; Idm: 13.5A; 1.4W
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 13.5A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 3.6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
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CSD13380F3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+0.57 EUR
500+0.51 EUR
1250+0.50 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13380F3TTexas InstrumentsMOSFETs 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD13380F3
auf Bestellung 62931 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+0.99 EUR
10+0.88 EUR
100+0.56 EUR
500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+1.44 EUR
118+1.21 EUR
119+1.16 EUR
156+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13380F3TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.6A; Idm: 13.5A; 1.4W
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 13.5A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 3.6A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
118+1.26 EUR
119+1.20 EUR
156+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 118
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
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CSD13381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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CSD13381F4Texas InstrumentsMOSFETs 12V N-CH Pwr MOSFET
auf Bestellung 79507 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.49 EUR
10+0.34 EUR
100+0.14 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.08 EUR
9000+0.08 EUR
45000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13381F4TEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13381F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 6 V
auf Bestellung 425500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.58 EUR
49+0.36 EUR
100+0.19 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 2958000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.09 EUR
9000+0.08 EUR
24000+0.07 EUR
45000+0.06 EUR
99000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13381F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 6 V
auf Bestellung 425500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.09 EUR
6000+0.08 EUR
9000+0.08 EUR
15000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
355+0.42 EUR
459+0.31 EUR
462+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 355
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+0.60 EUR
500+0.53 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13381F4TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13381F4T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 2.1 A, 0.14 ohm, LGA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 2.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Bauform - Transistor: LGA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 850
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13381F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 6 V
auf Bestellung 2084 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.72 EUR
16+1.16 EUR
100+0.80 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
283+0.52 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 283
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CSD13381F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 2.1A; Idm: 7A; 500mW; PICOSTAR3
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 7A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 2.1A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD13381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13381F4TTexas InstrumentsMOSFETs 12V N-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD13381F4
auf Bestellung 5313 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.54 EUR
100+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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CSD13381F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 2.1A; Idm: 7A; 500mW; PICOSTAR3
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 7A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 2.1A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13381F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 6 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+0.70 EUR
500+0.64 EUR
750+0.61 EUR
1250+0.57 EUR
1750+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13381F4TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13381F4T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 2.1 A, 0.14 ohm, LGA, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 500
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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CSD13381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 82 Stücke:
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CSD13381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
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CSD13383F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 6 V
auf Bestellung 996000 Stücke:
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3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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CSD13383F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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CSD13383F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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CSD13383F4Texas InstrumentsMOSFETs CSD13383F4 12-V Ncha MOSFET 3-PICOSTAR A 595-CSD13383F4T
auf Bestellung 45843 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.67 EUR
10+0.42 EUR
100+0.19 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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CSD13383F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 1948 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
206+0.72 EUR
279+0.51 EUR
282+0.49 EUR
502+0.26 EUR
507+0.25 EUR
657+0.19 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 206
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CSD13383F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD13383F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 6 V
auf Bestellung 997498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
27+0.67 EUR
43+0.42 EUR
100+0.19 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 27
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CSD13383F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 1948 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
282+0.52 EUR
502+0.28 EUR
507+0.27 EUR
657+0.20 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 282
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CSD13383F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD13383F4TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13383F4T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 2.9 A, 0.037 ohm, PICOSTAR, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 2.9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: PICOSTAR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD13383F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13383F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 6 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+0.78 EUR
500+0.68 EUR
750+0.65 EUR
1250+0.63 EUR
1750+0.62 EUR
2500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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CSD13383F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
183+0.81 EUR
192+0.74 EUR
194+0.71 EUR
218+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 183
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13383F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 2.9A; Idm: 18.5A; 500mW
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 18.5A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 2.9A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13383F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 2.9A; Idm: 18.5A; 500mW
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 18.5A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 2.9A
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD13383F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD13383F4TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13383F4T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 2.9 A, 0.037 ohm, PICOSTAR, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 2.9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: PICOSTAR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD13383F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
192+0.77 EUR
194+0.74 EUR
218+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 192
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13383F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 6 V
auf Bestellung 4252 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.85 EUR
15+1.25 EUR
100+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13383F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13383F4TTexas InstrumentsMOSFET 12V N-Channel FemtoFET MOSFET
auf Bestellung 986 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.26 EUR
10+1.03 EUR
100+0.82 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.62 EUR
2500+0.59 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13385F5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 674 pF @ 6 V
auf Bestellung 26335 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.79 EUR
32+0.56 EUR
100+0.34 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13385F5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 2008 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
374+0.40 EUR
598+0.24 EUR
604+0.23 EUR
610+0.22 EUR
1017+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 374
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13385F5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 2008 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
297+0.50 EUR
370+0.39 EUR
374+0.37 EUR
598+0.22 EUR
604+0.21 EUR
610+0.20 EUR
1017+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 297
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13385F5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 114000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
30000+0.12 EUR
45000+0.11 EUR
75000+0.10 EUR
99000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13385F5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 674 pF @ 6 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
9000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13385F5Texas InstrumentsMOSFET 12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.8 mm x 1.5 mm, 19 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
auf Bestellung 12665 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.65 EUR
10+0.51 EUR
100+0.30 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13385F5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13385F5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 114000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13385F5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13385F5TEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 7.1A; Idm: 41A; 1.4W; PICOSTAR3
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 41A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 7.1A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13385F5TEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 7.1A; Idm: 41A; 1.4W; PICOSTAR3
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 41A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 7.1A
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD13385F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13385F5TTexas InstrumentsMOSFETs 12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.8 mm x 1.5 mm, 19 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
auf Bestellung 3396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.52 EUR
10+1.25 EUR
100+0.97 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.67 EUR
2500+0.63 EUR
5000+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13385F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13385F5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 674 pF @ 6 V
auf Bestellung 35565 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.09 EUR
20+0.89 EUR
100+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13385F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13385F5TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 7.1A; Idm: 41A; 1.4W; PICOSTAR3
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 41A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 7.1A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13385F5TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 7.1A; Idm: 41A; 1.4W; PICOSTAR3
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 41A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 7.1A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13385F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13385F5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 674 pF @ 6 V
auf Bestellung 35500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+0.68 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13385F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD15380F3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.35V @ 2.5µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.281 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5 pF @ 10 V
auf Bestellung 46447 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
39+0.46 EUR
65+0.27 EUR
122+0.15 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD15380F3Texas InstrumentsMOSFETs 20-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 0.7 mm, 1460 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
auf Bestellung 10675 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.40 EUR
12+0.25 EUR
100+0.12 EUR
3000+0.09 EUR
9000+0.08 EUR
24000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD15380F3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.35V @ 2.5µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.281 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5 pF @ 10 V
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.09 EUR
6000+0.08 EUR
9000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD15380F3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD15380F3TTEXAS INSTRUMENTSCSD15380F3T SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD15380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD15380F3TTexas InstrumentsMOSFET 20-V N-Ch FemtoFET
auf Bestellung 1178 Stücke:
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3+1.39 EUR
10+1.23 EUR
100+0.86 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.64 EUR
2500+0.57 EUR
5000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD15380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 214 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
208+0.71 EUR
210+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 208
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD15380F3TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD15380F3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.99 ohm, LGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: LGA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FemtoFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.99ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.99ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD15380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD15380F3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.35V @ 2.5µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.281 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5 pF @ 10 V
auf Bestellung 2519 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.95 EUR
15+1.22 EUR
100+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD15380F3TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD15380F3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.99 ohm, LGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: LGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FemtoFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.99ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD15380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 214 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+0.75 EUR
208+0.69 EUR
210+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 198
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD15380F3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.35V @ 2.5µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.281 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5 pF @ 10 V
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+0.69 EUR
500+0.62 EUR
750+0.61 EUR
1250+0.60 EUR
1750+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD15571Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 20V 22A 6SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-SON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD15571Q2
Produktcode: 130599
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD15571Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 20V 22A 6-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD15571Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 20V 22A 6SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-SON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419 pF @ 10 V
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+0.93 EUR
26+0.70 EUR
100+0.47 EUR
500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD15571Q2Texas InstrumentsMOSFETs 20V N-Channel NexFET Pwr MOSFET
auf Bestellung 6341 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.72 EUR
10+0.61 EUR
100+0.33 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.22 EUR
9000+0.21 EUR
24000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16126Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 15.98"L X 12.01"W
Packaging: Bulk
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Color: Gray
Size / Dimension: 15.984" L x 12.008" W (406.00mm x 305.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 18 Gauge
Height: 5.984" (152.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 192in² (1239cm²)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+676.44 EUR
5+632.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16128PentairGray Steel Wall Mount Enclosure
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+875.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16128Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 15.98"L X 12.01"W
Packaging: Bulk
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Color: Gray
Size / Dimension: 15.984" L x 12.008" W (406.00mm x 305.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 18 Gauge
Height: 7.992" (203.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 192in² (1239cm²)
Part Status: Active
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+705.83 EUR
5+663.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16128LGPentairLight Gray 16-Gauge Steel Wall Mount Single Door Enclosure
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+797.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD1614C&K1CSB20007ABQ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD161610Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 15.98"L X 15.98"W
Packaging: Bulk
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Color: Gray
Size / Dimension: 15.984" L x 15.984" W (406.00mm x 406.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 18 Gauge
Height: 10.000" (254.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 255in² (1645cm²)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+771.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD161610LGHoffman Enclosures, Inc.Description: WALL-MOUNT TYPE 4 12 ENCLOSURE
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD161610SSHoffman Enclosures, Inc.Description: WALL MOUNT TYPE 4X ENCLOSURE
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16166Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 15.98"L X 15.98"W
Packaging: Bulk
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Color: Gray
Size / Dimension: 15.984" L x 15.984" W (406.00mm x 406.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 18 Gauge
Height: 5.984" (152.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 255in² (1645cm²)
Part Status: Active
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+694.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16166PentairSteel Wall Mount Enclosure
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+896.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16166LGHoffman Enclosures, Inc.Description: ENCLOSURE 16.00X16.00X6.00
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16166LGEMCHoffman Enclosures, Inc.Description: EMC ENCL. 16.00X16.00X6.00
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16166SSHoffman Enclosures, Inc.Description: BOX S STL NAT 15.98"L X 15.98"W
Packaging: Bulk
Features: Sealing Gasket, Stainless Steel Hinge, Wall Mount
Color: Natural
Size / Dimension: 15.984" L x 15.984" W (406.00mm x 406.00mm)
Material: Metal, Stainless Steel
Thickness: 16 Gauge
Height: 5.984" (152.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 3R,4,4X,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 255in² (1645cm²)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16166SS6Hoffman Enclosures, Inc.Description: STAINLESS ENCL. 16.00X16.00X6.
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16168NVENT HOFFMANDescription: NVENT HOFFMAN - CSD16168 - ENCLOSURE, WALL MOUNT, CONCEPT, STEEL, GRAY
Gehäusefarbe: Grey
Außenhöhe - imperial: 16
IP-Schutzart: IP66
NEMA-Bewertung: NEMA 4, 12, 13
Außentiefe - metrisch: 203
Außenhöhe - metrisch: 406
Außentiefe - imperial: 8
Außenbreite - metrisch: 406
Produktpalette: Concept Series
Gehäusetyp: Electrical / Industrial
Außenbreite - Zoll: 16
Gehäusematerial: Steel
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16168Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 15.98"L X 15.98"W
Packaging: Bulk
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Color: Gray
Size / Dimension: 15.984" L x 15.984" W (406.00mm x 406.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 18 Gauge
Height: 7.992" (203.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 255in² (1645cm²)
Part Status: Active
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+755.88 EUR
5+716.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16168LGHoffman Enclosures, Inc.Description: ENCLOSURE 16.00X16.00X8.00
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16168SSHoffman Enclosures, Inc.Description: BOX S STL NAT 15.98"L X 15.98"W
Packaging: Bulk
Features: Sealing Gasket, Stainless Steel Hinge, Wall Mount
Color: Natural
Size / Dimension: 15.984" L x 15.984" W (406.00mm x 406.00mm)
Material: Metal, Stainless Steel
Thickness: 16 Gauge
Height: 7.992" (203.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 3R,4,4X,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 255in² (1645cm²)
Part Status: Active
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2363.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16168SSSTHoffman Enclosures, Inc.Description: 304SS TYPE 4X WALLMT SLOPE TOP
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16168STHoffman Enclosures, Inc.Description: CONCEPT SLOPE TOP ENC
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD162010PentairGray Steel Wall Mount Enclosure
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+1035.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16206LGHoffman Enclosures, Inc.Description: ENCLOSURE 16.00X20.00X6.00
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16206LGEMCHoffman Enclosures, Inc.Description: EMC ENCL. 16.00X20.00X6.00
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16208Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 20"L X 15.98"W
Packaging: Bulk
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Color: Gray
Size / Dimension: 20.000" L x 15.984" W (508.00mm x 406.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 18 Gauge
Height: 7.992" (203.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 320in² (2065cm²)
Part Status: Active
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+757.47 EUR
5+725.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16301Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 5A 6SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-SON
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.27 EUR
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CSD16301Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 8.2A 6-Pin WSON EP T/R
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CSD16301Q2TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16301Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 5 A, 0.019 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2920 Stücke:
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CSD16301Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 8.2A 6-Pin WSON EP T/R
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CSD16301Q2Texas InstrumentsMOSFET N-Channel NexFET Power MOSFET
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1000+0.30 EUR
3000+0.26 EUR
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Mindestbestellmenge: 4
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CSD16301Q2TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16301Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 5 A, 0.019 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2920 Stücke:
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CSD16301Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 5A 6SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-SON
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 17459 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+0.90 EUR
30+0.59 EUR
100+0.48 EUR
500+0.37 EUR
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CSD16301Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 5A 6-Pin SON T/R
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CSD16301Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 8.2A 6-Pin WSON EP T/R
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CSD16301Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 8.2A 6-Pin WSON EP T/R
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3000+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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CSD16321Q5Texas InstrumentsMOSFETs N-Channel NexFET Power MOSFET
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10+2.01 EUR
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500+1.40 EUR
1000+1.22 EUR
2500+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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CSD16321Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD16321Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
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2500+1.13 EUR
5000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD16321Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD16321Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16321Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0019 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 881 Stücke:
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CSD16321Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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96+1.55 EUR
105+1.37 EUR
106+1.31 EUR
118+1.12 EUR
250+1.07 EUR
500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 96
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CSD16321Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD16321Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16321Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0019 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 881 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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CSD16321Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 20906 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.52 EUR
10+2.35 EUR
100+1.70 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.25 EUR
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CSD16321Q5
Produktcode: 94698
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16321Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16321Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16321Q5CTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16321Q5CTexas InstrumentsMOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16321Q5CTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16321Q5TTexas InstrumentsCSD16321Q5T
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16321Q5TTexas InstrumentsDescription: 25-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.20 EUR
10+2.36 EUR
25+2.15 EUR
100+1.91 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16321Q5TTexas InstrumentsMOSFET 25-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 2.6 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150
auf Bestellung 707 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.40 EUR
10+2.83 EUR
100+2.34 EUR
250+1.97 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.61 EUR
2500+1.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16321Q5TTexas Instruments25-V, N Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16321Q5TTexas InstrumentsDescription: 25-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+1.80 EUR
500+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16321Q5TTexas Instruments25-V, N Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16322Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16322Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/97A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1365 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 5877 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.11 EUR
12+1.53 EUR
100+1.21 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16322Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16322Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16322Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 97 A, 0.0039 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1931 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16322Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16322Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16322Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/97A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1365 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.79 EUR
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16322Q5Texas InstrumentsMOSFETs N-Channel NexFET Pwr MOSFETs
auf Bestellung 1991 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.08 EUR
10+1.36 EUR
100+1.02 EUR
500+0.90 EUR
1000+0.83 EUR
2500+0.79 EUR
5000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16322Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16322Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 97 A, 0.0039 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1931 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16322Q5CTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD16322Q5CTexas InstrumentsMOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET
auf Bestellung 11629 Stücke:
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CSD16322Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/97A 8SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SON
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1365 pF @ 12.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD16322Q5CTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD16322Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/97A 8SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SON
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1365 pF @ 12.5 V
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CSD16323Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 17500 Stücke:
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2500+0.63 EUR
10000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD16323Q3Texas InstrumentsMOSFETs N-Ch NexFET Pwr MOSFET
auf Bestellung 27921 Stücke:
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2+1.83 EUR
10+1.50 EUR
100+1.05 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.76 EUR
2500+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16323Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.76 EUR
5000+0.71 EUR
7500+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD16323Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16323Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0044 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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CSD16323Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.62 EUR
111+1.29 EUR
112+1.23 EUR
145+0.91 EUR
250+0.84 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.50 EUR
Mindestbestellmenge: 92
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CSD16323Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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CSD16323Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD16323Q3Texas InstrumentsN-Channel 25 V 21A (Ta), 60A (Tc) 3W (Ta) Surface Mount 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+9.15 EUR
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CSD16323Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 8439 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.18 EUR
12+1.52 EUR
100+1.18 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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CSD16323Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16323Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0044 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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CSD16323Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD16323Q3CTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin SON EP T/R
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CSD16323Q3CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SON-EP (3x3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16323Q3CTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin SON EP T/R
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CSD16323Q3CTexas InstrumentsMOSFET Dual Cool NCh NexFET Power MOSFET
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16323Q3CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SON-EP (3x3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16323Q3TTexas InstrumentsDescription: PROTOTYPE
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 74W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16325Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.33 EUR
5000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16325Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin SON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD16325Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin SON EP T/R
auf Bestellung 2499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+2.65 EUR
66+2.09 EUR
100+1.61 EUR
250+1.16 EUR
500+1.10 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16325Q5Texas InstrumentsMOSFETs N-Channel NexFET Power MOSFET
auf Bestellung 4806 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.47 EUR
10+2.46 EUR
100+1.75 EUR
250+1.63 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.36 EUR
2500+1.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16325Q5Texas InstrumentsDescription: CSD16325Q5 25V, N CH NEXFET MOSF
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 5572 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
268+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 268
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16325Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin SON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16325Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 10344 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.29 EUR
10+1.82 EUR
100+1.57 EUR
500+1.53 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16325Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin SON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16325Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16325Q5CTexas InstrumentsMOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16325Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16327Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 2294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+0.83 EUR
193+0.74 EUR
194+0.71 EUR
217+0.61 EUR
250+0.58 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 178
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16327Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16327Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16327Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16327Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0034 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1048 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16327Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 2294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+0.77 EUR
194+0.74 EUR
217+0.63 EUR
250+0.60 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.50 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16327Q3Texas InstrumentsMOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFET
auf Bestellung 14002 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.29 EUR
10+1.11 EUR
100+0.91 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.72 EUR
2500+0.69 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16327Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16327Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 12522 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.55 EUR
16+1.14 EUR
100+0.92 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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CSD16327Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD16327Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16327Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0034 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1048 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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CSD16327Q3TTexas InstrumentsMOSFETs 25-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 4.8 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150
auf Bestellung 3303 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.59 EUR
10+1.30 EUR
100+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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CSD16327Q3TTEXAS INSTRUMENTSCSD16327Q3T SMD N channel transistors
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CSD16327Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 8V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 4750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+0.89 EUR
750+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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CSD16327Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD16327Q3T
Produktcode: 153742
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CSD16327Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD16327Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 8V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 4980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.65 EUR
13+1.36 EUR
100+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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CSD16340Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V
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CSD16340Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 2008 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
177+0.84 EUR
196+0.73 EUR
198+0.70 EUR
224+0.59 EUR
250+0.56 EUR
500+0.53 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 177
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CSD16340Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD16340Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V
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CSD16340Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 2008 Stücke:
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196+0.76 EUR
198+0.72 EUR
224+0.62 EUR
250+0.59 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 196
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CSD16340Q3Texas InstrumentsMOSFETs N Channel NexFET Pow er MOSFET A 595-CSD16340Q3T
auf Bestellung 4941 Stücke:
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1+2.82 EUR
10+1.80 EUR
100+1.19 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.86 EUR
2500+0.77 EUR
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CSD16340Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD16340Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD16340Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+0.78 EUR
500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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CSD16340Q3TTexas InstrumentsMOSFETs 25V -55 to 150 A 595-CSD16340Q3
auf Bestellung 739 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.03 EUR
10+2.01 EUR
100+1.14 EUR
500+1.00 EUR
1000+0.93 EUR
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CSD16340Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.12 EUR
10+2.06 EUR
100+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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CSD16340Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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CSD16340Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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CSD16340Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16340Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16340Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+0.78 EUR
500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16342Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 1437 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
221+0.67 EUR
222+0.64 EUR
238+0.58 EUR
250+0.55 EUR
500+0.53 EUR
1000+0.50 EUR
Mindestbestellmenge: 221
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16342Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16342Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 1437 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
209+0.71 EUR
221+0.65 EUR
222+0.62 EUR
238+0.56 EUR
250+0.53 EUR
500+0.50 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16342Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 4307 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.74 EUR
25+0.72 EUR
100+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16342Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16342Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.62 EUR
5000+0.58 EUR
10000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16342Q5ATexas InstrumentsMOSFETs N-Channel NexFET Power MOSFET
auf Bestellung 5478 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.16 EUR
10+0.94 EUR
100+0.73 EUR
500+0.69 EUR
2500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16342Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16342Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD163CEVM-591Texas InstrumentsDescription: EVAL BOARD FOR TPS40304
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 1.2V
Voltage - Input: 8V ~ 14V
Current - Output: 25A
Frequency - Switching: 600kHz
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPS40304
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Active
Contents: Board(s)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+99.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD163CEVM-591Texas InstrumentsTPS40304 DC to DC Controller 1.17VDC to 1.23VDC Output Evaluation Board
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD163CEVM-591Texas InstrumentsPower Management IC Development Tools CSD163CEVM-591
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+106.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD163CEVM-591Texas InstrumentsTPS40304 DC to DC Controller 1.17VDC to 1.23VDC Output Evaluation Board
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16401Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 687 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+2.39 EUR
68+2.02 EUR
100+1.74 EUR
250+1.63 EUR
500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16401Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16401Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0013 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16401Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 38A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16401Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16401Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16401Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16401Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16401Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0013 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16401Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 38A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 5410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.00 EUR
10+3.33 EUR
100+2.65 EUR
500+2.24 EUR
1000+1.90 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16401Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16401Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 687 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+2.39 EUR
68+2.02 EUR
100+1.74 EUR
250+1.63 EUR
500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16401Q5Texas InstrumentsMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.36 EUR
10+2.90 EUR
100+2.45 EUR
250+2.41 EUR
500+2.04 EUR
1000+1.88 EUR
2500+1.80 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16401Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16401Q5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 532 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.80 EUR
10+4.04 EUR
100+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16401Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16401Q5TTexas InstrumentsMOSFETs 25-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 2.3 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150
auf Bestellung 1580 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.79 EUR
10+4.03 EUR
25+3.80 EUR
100+3.26 EUR
250+2.75 EUR
500+2.55 EUR
1000+2.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16401Q5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+3.09 EUR
500+2.91 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16401Q5TTEXAS INSTRUMENTSCSD16401Q5T SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16401Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16401Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16403Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 28A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16403Q5ATexas InstrumentsMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
auf Bestellung 2391 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.46 EUR
10+2.02 EUR
100+1.63 EUR
250+1.50 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.17 EUR
2500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16403Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16403Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16403Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 28A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 14639 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.78 EUR
12+1.47 EUR
100+1.17 EUR
500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16403Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16403Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16404Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16404Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16404Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/81A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 12.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16404Q5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16404Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 81 A, 0.0041 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16404Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16404Q5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16404Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 81 A, 0.0041 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16404Q5ATexas InstrumentsMOSFETs N-Ch NexFET Power MOSFETs
auf Bestellung 7816 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.67 EUR
10+1.36 EUR
100+1.06 EUR
500+0.90 EUR
1000+0.73 EUR
2500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16404Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/81A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 4538 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.06 EUR
13+1.39 EUR
100+0.97 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16406Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 1432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+1.44 EUR
122+1.17 EUR
124+1.12 EUR
152+0.87 EUR
250+0.81 EUR
500+0.66 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16406Q3Texas InstrumentsMOSFETs N-Ch NexFET Power MOSFETs
auf Bestellung 2986 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.24 EUR
10+1.51 EUR
100+1.06 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.79 EUR
2500+0.74 EUR
5000+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16406Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16406Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 19A/60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16406Q3Texas InstrumentsN-MOSFET 25V 60A 2.7W 5.3mΩ CSD16406Q3 Texas Instruments TCSD16406q3
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16406Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16406Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0042 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 416 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16406Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16406Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16406Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16406Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16406Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0042 ohm, SON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 60
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
Verlustleistung: 2.7
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 416 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16406Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 1432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+1.21 EUR
124+1.16 EUR
152+0.90 EUR
250+0.84 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16406Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 19A/60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 4900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.71 EUR
15+1.22 EUR
100+0.95 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16406Q3 MOSFET N-CH - Texas Instruments
Produktcode: 108023
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Transistoren > MOSFET N-CH
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CSD16407Q5TI
auf Bestellung 2235 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16407Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin SON EP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16407Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 4537 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+2.97 EUR
10+2.36 EUR
100+1.68 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16407Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin SON EP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16407Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin SON EP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16407Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16407Q5TI0950+ QFN
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16407Q5Texas InstrumentsMOSFETs N-Ch NexFET Power MO SFETs
auf Bestellung 4498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.90 EUR
10+2.31 EUR
100+1.64 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.25 EUR
2500+1.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16407Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16407Q5CTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD16407Q5CTexas InstrumentsMOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET
auf Bestellung 6325 Stücke:
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CSD16407Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16407Q5CTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16408Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin SON T/R
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CSD16408Q5Texas InstrumentsMOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16408Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 29715 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
476+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 476
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16408Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin SON T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16408Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16408Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin SON T/R
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CSD16408Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16408Q5CTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin SON EP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16408Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.69 EUR
10+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16408Q5CTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin SON EP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16408Q5CTexas InstrumentsMOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET
auf Bestellung 3038 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16408Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16408Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
452+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 452
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16409Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 15A/60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 5456 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.57 EUR
14+1.34 EUR
100+0.95 EUR
500+0.80 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16409Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16409Q3Texas InstrumentsMOSFETs N-Ch NexFET Power MOSFETs
auf Bestellung 3867 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.49 EUR
10+1.27 EUR
100+0.90 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.67 EUR
2500+0.60 EUR
5000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16409Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 15A/60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16409Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16409Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16409Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16410Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 16A/59A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 4922 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.70 EUR
26+0.69 EUR
100+0.61 EUR
500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16410Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16410Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16410Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 16A/59A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16410Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+0.62 EUR
253+0.56 EUR
255+0.54 EUR
292+0.45 EUR
295+0.43 EUR
500+0.40 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16410Q5ATexas InstrumentsMOSFETs N-Ch NexFET Power MOSFETs
auf Bestellung 2431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.00 EUR
10+0.89 EUR
100+0.69 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
2500+0.50 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16410Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16411Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16411Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 1203 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
214+0.69 EUR
225+0.63 EUR
226+0.61 EUR
254+0.52 EUR
255+0.50 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 214
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16411Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16411Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 14A/56A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 19333 Stücke:
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13+1.36 EUR
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CSD16411Q3Texas InstrumentsMOSFETs N-Ch NexFET Power MOSFETs
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10+1.01 EUR
100+0.72 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.56 EUR
2500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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CSD16411Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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255+0.52 EUR
500+0.45 EUR
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CSD16411Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD16411Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD16411Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 14A/56A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 17500 Stücke:
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2500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD16411Q3/2801Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON
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CSD16411Q3TTexas InstrumentsCSD16411Q3T
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CSD16412Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD16412Q5ATexas InstrumentsMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
auf Bestellung 3845 Stücke:
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2+1.51 EUR
10+1.32 EUR
100+0.93 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.64 EUR
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CSD16412Q5ATI/BB09+
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CSD16412Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 14A/52A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 3396 Stücke:
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8+2.25 EUR
13+1.42 EUR
100+0.94 EUR
500+0.73 EUR
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CSD16412Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD16412Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD16412Q5A
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Transistoren > MOSFET N-CH
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CSD16412Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD16412Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 14A/52A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 12.5 V
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CSD16413Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16413Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD16413Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 24A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16413Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD16413Q5ATexas InstrumentsMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
auf Bestellung 3659 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.22 EUR
10+1.81 EUR
100+1.41 EUR
500+1.19 EUR
1000+0.97 EUR
2500+0.93 EUR
5000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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CSD16413Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 24A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 4988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.06 EUR
10+1.96 EUR
100+1.32 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16413Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16413Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16414Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 34A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 12.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16414Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 34A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16414Q5Texas InstrumentsMOSFETs N-Ch NexFET Power MOSFETs
auf Bestellung 1102 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.87 EUR
10+2.24 EUR
100+1.80 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.45 EUR
2500+1.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16414Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 34A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+1.67 EUR
97+1.42 EUR
105+1.26 EUR
250+1.20 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 89
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16414Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 34A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16414Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 34A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 2602 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.27 EUR
10+2.72 EUR
100+2.16 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16414Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 34A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+1.67 EUR
97+1.42 EUR
105+1.26 EUR
250+1.20 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 89
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16414Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 34A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16415Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16415Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16415Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16415Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 990 µohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5
Verlustleistung: 3.2
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 990
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16415Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16415Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16415Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16415Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 1575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.05 EUR
10+3.29 EUR
100+2.28 EUR
500+1.85 EUR
1000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16415Q5Texas InstrumentsMOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFET
auf Bestellung 2161 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.48 EUR
10+3.03 EUR
100+2.50 EUR
250+2.48 EUR
500+2.16 EUR
1000+1.87 EUR
2500+1.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16415Q5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.42 EUR
10+4.22 EUR
100+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16415Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16415Q5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16415Q5TTexas InstrumentsMOSFET 25-V, N channel NexFET power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 1.8 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.58 EUR
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CSD16415Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD16415Q5TTEXAS INSTRUMENTSCSD16415Q5T SMD N channel transistors
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CSD16556Q5BTexas InstrumentsMOSFETs 25V NexFET N Ch Pwr MosFET
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CSD16556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD16556Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.07mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 191W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 15 V
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CSD16556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD16556Q5BTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16556Q5B - MOSFET, N CHANNEL, 25V, 100A, 0.0009OHM,
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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CSD16556Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.07mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 191W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 15 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2500+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD16556Q5BTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16556Q5B - MOSFET, N CHANNEL, 25V, 100A, 0.0009OHM,
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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CSD16556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD1656C&KCSD1656
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CSD16570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD16570Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 12 V
auf Bestellung 2748 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.33 EUR
10+2.97 EUR
100+2.16 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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CSD16570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD16570Q5BTexas InstrumentsMOSFETs 25-V N-channel NexFET Pwr MOSFET
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100+1.94 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.48 EUR
2500+1.44 EUR
5000+1.42 EUR
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CSD16570Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 12 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD16570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD16570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD16570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+1.85 EUR
82+1.75 EUR
83+1.66 EUR
100+1.56 EUR
250+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 80
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CSD16570Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 195W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
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CSD16570Q5BT
Produktcode: 196756
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CSD16570Q5BTTexas InstrumentsMOSFETs 25V NCH NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD16570Q5B
auf Bestellung 12046 Stücke:
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1+3.89 EUR
10+2.87 EUR
100+2.32 EUR
250+2.04 EUR
500+2.02 EUR
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CSD16570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 280 Stücke:
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80+1.85 EUR
82+1.75 EUR
83+1.66 EUR
100+1.56 EUR
250+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 80
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CSD16570Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 195W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16570Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 12 V
auf Bestellung 18296 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.00 EUR
10+3.92 EUR
100+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD16570Q5BTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16570Q5BT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 490 µohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 195
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5
Verlustleistung: 195
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 490
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 85
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16570Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 12 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+2.22 EUR
500+2.06 EUR
750+1.98 EUR
1250+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16570Q5BT .TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16570Q5BT . - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 490 µohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 195
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5
Verlustleistung: 195
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 490
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 85
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17301Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17301Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 15 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17301Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17301Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17301Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 2292 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+1.46 EUR
109+1.31 EUR
110+1.25 EUR
123+1.08 EUR
250+1.02 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 102
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17301Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 15 V
auf Bestellung 12993 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.20 EUR
10+2.19 EUR
100+1.66 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17301Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V N Channel NexFET Pwr MOSFET
auf Bestellung 1888 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.56 EUR
10+1.34 EUR
100+1.19 EUR
250+1.17 EUR
500+1.09 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17301Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 2292 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+1.46 EUR
109+1.31 EUR
110+1.25 EUR
123+1.08 EUR
250+1.02 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 102
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17302Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 2382 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
208+0.71 EUR
210+0.68 EUR
227+0.61 EUR
250+0.58 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 208
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17302Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17302Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 2382 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
195+0.76 EUR
208+0.69 EUR
210+0.65 EUR
227+0.58 EUR
250+0.55 EUR
500+0.50 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 195
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17302Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/87A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 14A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.66 EUR
5000+0.63 EUR
12500+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD17302Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
auf Bestellung 4042 Stücke:
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3+1.11 EUR
10+0.96 EUR
100+0.81 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
2500+0.65 EUR
5000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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CSD17302Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17302Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD17302Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/87A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 14A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
auf Bestellung 19870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.58 EUR
14+1.31 EUR
100+1.02 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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CSD17303Q5Texas InstrumentsMOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
auf Bestellung 5622 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.66 EUR
10+2.22 EUR
100+1.76 EUR
250+1.75 EUR
500+1.50 EUR
1000+1.25 EUR
2500+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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CSD17303Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17303Q5 - MOSFET TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD17303Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 15 V
auf Bestellung 5169 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.73 EUR
10+2.27 EUR
100+1.80 EUR
500+1.53 EUR
1000+1.30 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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CSD17303Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD17303Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON T/R
auf Bestellung 2418 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.43 EUR
71+1.94 EUR
100+1.51 EUR
250+1.44 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 61
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CSD17303Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 15 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD17303Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON T/R
auf Bestellung 2418 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.43 EUR
71+1.94 EUR
100+1.51 EUR
250+1.44 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 61
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CSD17303Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17303Q5 - MOSFET TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
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CSD17303Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON T/R
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CSD17303Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON T/R
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CSD17304Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.50 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD17304Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.51 EUR
5000+0.46 EUR
10000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17304Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/56A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955 pF @ 15 V
auf Bestellung 5238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.18 EUR
13+1.38 EUR
100+0.91 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17304Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD17304Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD17304Q3Texas InstrumentsMOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
auf Bestellung 13749 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.37 EUR
10+1.13 EUR
100+0.88 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.61 EUR
2500+0.57 EUR
5000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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CSD17304Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/56A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.58 EUR
5000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17304Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD17305Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD17305Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
auf Bestellung 2504 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.45 EUR
10+2.01 EUR
100+1.56 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.08 EUR
2500+1.00 EUR
5000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17305Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17305Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 29A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17305Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 29A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17305Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17306Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 22A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 15 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17306Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17306Q5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17306Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0029 ohm, SON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.2
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.1
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17306Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17306Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17306Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 22A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 15 V
auf Bestellung 3601 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+2.96 EUR
10+1.89 EUR
100+1.27 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17306Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17306Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
auf Bestellung 2615 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.15 EUR
10+1.92 EUR
100+1.49 EUR
500+1.23 EUR
1000+0.97 EUR
2500+0.85 EUR
10000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17306Q5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17306Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0029 ohm, SON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1
Verlustleistung: 3.2
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029
Rds(on)-Prüfspannung: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17307Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17307Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17307Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/73A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17307Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17307Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET
auf Bestellung 3867 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.21 EUR
10+0.96 EUR
100+0.67 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.52 EUR
2500+0.47 EUR
5000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17307Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/73A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
auf Bestellung 165896 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
823+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 823
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17307Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
231+0.64 EUR
247+0.58 EUR
248+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 231
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17307Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/73A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
auf Bestellung 4315 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.36 EUR
17+1.08 EUR
100+0.80 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17307Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17308Q3Texas InstrumentsMOSFET 30V NCh NexFET Pwr MOSFET
auf Bestellung 6854 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.51 EUR
10+1.30 EUR
100+0.90 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.64 EUR
2500+0.57 EUR
5000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17308Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 47 A, 0.0094 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0094ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1216 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17308Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.54 EUR
5000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17308Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17308Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 47 A, 0.0094 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1216 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17308Q3Texas InstrumentsTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 10V; 16,5mOhm; 44A; 28W; -55°C ~ 150°C; CSD17308Q3T CSD17308Q3 TCSD17308q3
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17308Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
auf Bestellung 8626 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.71 EUR
16+1.14 EUR
100+0.79 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17308Q3TEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 167A
Power dissipation: 2.7W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3.3x3.3mm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17308Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17308Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17308Q3TEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 167A
Power dissipation: 2.7W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3.3x3.3mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17308Q3 .TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3 . - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 47 A, 0.0094 ohm, SON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 47
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3
Verlustleistung: 2.7
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0094
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17308Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17308Q3TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 167A
Power dissipation: 2.7W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3.3x3.3mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17308Q3TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 0.0082 ohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 44
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 28
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3
Verlustleistung: 28
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082
Rds(on)-Prüfspannung: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17308Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+0.82 EUR
500+0.70 EUR
750+0.67 EUR
1250+0.66 EUR
1750+0.65 EUR
2500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17308Q3TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 167A
Power dissipation: 2.7W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3.3x3.3mm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17308Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+0.73 EUR
500+0.60 EUR
750+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
1250+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17308Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17308Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17308Q3TTexas InstrumentsMOSFETs 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 11.8 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150
auf Bestellung 885 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.57 EUR
10+1.30 EUR
100+1.04 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.73 EUR
2500+0.68 EUR
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17308Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17308Q3TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 0.0082 ohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 44
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 28
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3
Verlustleistung: 28
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082
Rds(on)-Prüfspannung: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17308Q3T
Produktcode: 133334
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17308Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
auf Bestellung 2699 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.92 EUR
14+1.29 EUR
100+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17308Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17309Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17309Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0042 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2779 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17309Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 18A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 15 V
auf Bestellung 4520 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.31 EUR
12+1.57 EUR
100+1.13 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17309Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 213 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+1.10 EUR
159+0.90 EUR
160+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 135
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17309Q3Texas InstrumentsMOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
auf Bestellung 4933 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.56 EUR
10+1.35 EUR
100+1.07 EUR
500+0.91 EUR
1000+0.78 EUR
2500+0.74 EUR
5000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17309Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.62 EUR
5000+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17309Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17309Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0042 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2779 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17309Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 18A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 15 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD17309Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD17309Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 213 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
159+0.93 EUR
160+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 159
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CSD17309Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD17309Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD17310Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17310Q5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17310Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0039 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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CSD17310Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 15 V
auf Bestellung 10434 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+0.90 EUR
100+0.80 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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CSD17310Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17310Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.51 EUR
5000+0.49 EUR
10000+0.46 EUR
12500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD17310Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17310Q5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17310Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0039 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17310Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 15 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.62 EUR
5000+0.59 EUR
7500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17310Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 2221 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+1.33 EUR
138+1.03 EUR
140+0.99 EUR
182+0.73 EUR
250+0.69 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 111
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17310Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET
auf Bestellung 6513 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.24 EUR
10+0.93 EUR
100+0.74 EUR
500+0.66 EUR
1000+0.64 EUR
2500+0.61 EUR
5000+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17310Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 15 V
auf Bestellung 210429 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
620+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 620
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17310Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 2221 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
138+1.07 EUR
140+1.02 EUR
182+0.76 EUR
250+0.72 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 138
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17311Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V
auf Bestellung 2405 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.66 EUR
10+2.65 EUR
100+1.97 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17311Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.10 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17311Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17311Q5Texas InstrumentsMOSFETs 30V N-Channel NexFET Power MOSFET
auf Bestellung 2137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.64 EUR
10+2.48 EUR
100+1.78 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17311Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17311Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17311Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V
auf Bestellung 7687 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
265+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 265
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17311Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON EP T/R
auf Bestellung 7495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
276+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 276
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17311Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17311Q5TEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17312Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17312Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 38A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 35A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5240 pF @ 15 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17312Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 2255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+1.54 EUR
98+1.46 EUR
100+1.39 EUR
101+1.31 EUR
250+1.24 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.10 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17312Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17312Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17312Q5Texas InstrumentsN-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 100 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 5240 @ 15; Qg, нКл = 36 @ 4.5 В; Rds = 1.5 мОм @ 35 А, 8 В; Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,2; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SON-8
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+4.09 EUR
10+3.53 EUR
100+3.10 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17312Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 38A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 35A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5240 pF @ 15 V
auf Bestellung 6432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.50 EUR
10+2.00 EUR
100+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17312Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17312Q5Texas InstrumentsMOSFETs 30V N-Channel NexFET Power MOSFET
auf Bestellung 2152 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.61 EUR
10+2.66 EUR
100+1.99 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17313Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17313Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17313Q2Texas InstrumentsTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 10V; 42mOhm; 19A; 17W; -55°C ~ 150°C; CSD17313Q2T CSD17313Q2 TCSD17313q2
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17313Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17313Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+0.83 EUR
196+0.73 EUR
250+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 178
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17313Q2TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.024 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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CSD17313Q2
Produktcode: 126922
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CSD17313Q2Texas InstrumentsMOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET
auf Bestellung 26692 Stücke:
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4+0.90 EUR
10+0.62 EUR
100+0.42 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.30 EUR
3000+0.24 EUR
9000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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CSD17313Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 1370 Stücke:
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227+0.65 EUR
261+0.55 EUR
264+0.52 EUR
345+0.38 EUR
349+0.36 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 227
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CSD17313Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
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CSD17313Q2TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.024 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3 Stücke:
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CSD17313Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
auf Bestellung 4891 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.06 EUR
25+0.72 EUR
100+0.50 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 17
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CSD17313Q2Q1Texas InstrumentsMOSFET Auto 30-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET
auf Bestellung 2969 Stücke:
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3+1.32 EUR
10+1.17 EUR
100+0.90 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.57 EUR
3000+0.51 EUR
9000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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CSD17313Q2Q1Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
auf Bestellung 2788 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.43 EUR
19+0.97 EUR
100+0.67 EUR
500+0.53 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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CSD17313Q2Q1Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive 6-Pin WSON EP T/R
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CSD17313Q2Q1Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive 6-Pin WSON EP T/R
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CSD17313Q2Q1Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
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CSD17313Q2Q1Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive 6-Pin WSON EP T/R
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CSD17313Q2Q1Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive 6-Pin WSON EP T/R
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CSD17313Q2Q1Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive 6-Pin WSON EP T/R
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CSD17313Q2Q1TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive 6-Pin WSON EP T/R
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CSD17313Q2Q1TTexas InstrumentsMOSFET Automotive 30-V N channel NexFET power MOSFET 6-WSON 0 to 0
auf Bestellung 1000 Stücke:
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2+2.57 EUR
10+2.29 EUR
100+1.78 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.17 EUR
2500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17313Q2Q1TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
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CSD17313Q2Q1TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive 6-Pin WSON EP T/R
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CSD17313Q2Q1TTEXAS INSTRUMENTSCSD17313Q2Q1T SMD N channel transistors
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CSD17313Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
154+0.96 EUR
155+0.92 EUR
178+0.78 EUR
250+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 154
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CSD17313Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 4250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+1.03 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.67 EUR
2500+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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CSD17313Q2TTexas InstrumentsMOSFETs 30V, N-Channel NexFET Power Mosfet
auf Bestellung 3814 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.72 EUR
10+1.24 EUR
100+0.75 EUR
500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17313Q2TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
auf Bestellung 23750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+0.75 EUR
500+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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CSD17313Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
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CSD17313Q2TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 17W; WSON6; 2x2mm
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
On-state resistance: 26mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 17W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 2x2mm
Gate charge: 2.1nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Mounting: SMD
Case: WSON6
auf Bestellung 1709 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+2.00 EUR
67+1.07 EUR
87+0.83 EUR
91+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17313Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 4250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+1.03 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.67 EUR
2500+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17313Q2TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 17W; WSON6; 2x2mm
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
On-state resistance: 26mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 17W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 2x2mm
Gate charge: 2.1nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Mounting: SMD
Case: WSON6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1709 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+2.00 EUR
67+1.07 EUR
87+0.83 EUR
91+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 36
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CSD17313Q2TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19 A, 0.024 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17313Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17313Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17313Q2TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
auf Bestellung 23770 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.25 EUR
12+1.51 EUR
100+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17313Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
141+1.05 EUR
154+0.93 EUR
155+0.89 EUR
178+0.75 EUR
250+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 141
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17313Q2TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19 A, 0.024 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 17W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17W
Bauform - Transistor: WSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17318Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17318Q2Texas InstrumentsN-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 25 А; Ptot, Вт = 16; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 879 @ 15; Qg, нКл = 6 @ 4,5 В; Rds = 15,1 мОм @ 8 A, 8 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА; WDFN-6 (Exp. Pad)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+1.21 EUR
10+0.86 EUR
100+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17318Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 25A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V
auf Bestellung 9069 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.06 EUR
28+0.65 EUR
100+0.41 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17318Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17318Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17318Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 25A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.22 EUR
6000+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17318Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17318Q2Texas InstrumentsMOSFETs 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 2 mm x 2 mm, 16.9 mOhm 6-WSON -55 to 150
auf Bestellung 6413 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.77 EUR
10+0.51 EUR
100+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.18 EUR
9000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17318Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17318Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17318Q2TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V
auf Bestellung 2670 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.76 EUR
11+1.75 EUR
100+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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CSD17318Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
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CSD17318Q2TTexas InstrumentsMOSFETs 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 2 mm x 2 mm, 16.9 mOhm 6-WSON -55 to 150
auf Bestellung 4576 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.46 EUR
10+1.03 EUR
100+0.76 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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CSD17318Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
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500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
1250+0.52 EUR
2500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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CSD17318Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 250 Stücke:
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250+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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CSD17318Q2TTEXAS INSTRUMENTSCSD17318Q2T SMD N channel transistors
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CSD17318Q2TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+0.91 EUR
500+0.84 EUR
750+0.80 EUR
1250+0.75 EUR
1750+0.72 EUR
2500+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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CSD17318Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
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CSD17318Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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CSD17322Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 30V,NCh Nex FET Pwr MOSFET
auf Bestellung 1867 Stücke:
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2+1.60 EUR
10+1.33 EUR
100+1.03 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.71 EUR
2500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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CSD17322Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD17322Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD17322Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 87A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 14A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 695 pF @ 15 V
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.72 EUR
5000+0.69 EUR
12500+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD17322Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R
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CSD17322Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 87A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 14A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 695 pF @ 15 V
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17327Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSON-FET EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17327Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSON-FET EP T/R
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CSD17327Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 65A 8SON
auf Bestellung 24835000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17327Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 65A 8SON
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17327Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSON-FET EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17327Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 65A 8SON
auf Bestellung 24835000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17327Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V,NCh Nex FET Pwr MOSFET
auf Bestellung 1568 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.59 EUR
10+1.30 EUR
100+1.02 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.70 EUR
2500+0.65 EUR
5000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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CSD17381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17381F4Texas InstrumentsMOSFETs N-CH NexFET Pwr MOSFET
auf Bestellung 25578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.49 EUR
10+0.33 EUR
100+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.12 EUR
9000+0.10 EUR
24000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17381F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8A
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
auf Bestellung 46158 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.63 EUR
43+0.42 EUR
100+0.20 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17381F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8A
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
9000+0.11 EUR
30000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17381F4RTexas InstrumentsDescription: PROTOTYPE
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17381F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 12A; 500mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.1A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 0.5W
Case: PICOSTAR3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
251+0.59 EUR
500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 251
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17381F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
auf Bestellung 33269 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.65 EUR
14+1.27 EUR
100+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17381F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 12A; 500mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.1A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 0.5W
Case: PICOSTAR3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17381F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+0.84 EUR
500+0.69 EUR
750+0.62 EUR
1250+0.55 EUR
1750+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17381F4TTexas InstrumentsMOSFETs 30V,N-Ch FemtoFET MOSFET
auf Bestellung 6017 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.39 EUR
10+1.15 EUR
100+0.89 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.62 EUR
2500+0.58 EUR
5000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17382F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 15 V
auf Bestellung 3775 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
36+0.49 EUR
53+0.33 EUR
100+0.22 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17382F4Texas InstrumentsMOSFET 30-V, N channel NexFET power MOSFET, single LGA 1 mm x 0.6mm, 67 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
auf Bestellung 7693 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.70 EUR
10+0.51 EUR
100+0.23 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.15 EUR
9000+0.13 EUR
24000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17382F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17382F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17382F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 15 V
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+0.86 EUR
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CSD17382F4TTexas InstrumentsMOSFET 30-V, N channel NexFET power MOSFET, single LGA 1 mm x 0.6mm, 67 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
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CSD17382F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
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CSD17382F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
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CSD17382F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
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CSD17382F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 15 V
auf Bestellung 14010 Stücke:
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100+0.87 EUR
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CSD17382F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
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CSD17382F4TTEXAS INSTRUMENTSCSD17382F4T SMD N channel transistors
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CSD17382F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
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CSD17483F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
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CSD17483F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
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1565+0.08 EUR
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CSD17483F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 15 V
auf Bestellung 87000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.10 EUR
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21000+0.09 EUR
30000+0.09 EUR
75000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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CSD17483F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
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24000+0.07 EUR
45000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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CSD17483F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
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CSD17483F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 1865 Stücke:
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471+0.30 EUR
474+0.29 EUR
920+0.14 EUR
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1565+0.07 EUR
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CSD17483F4Texas InstrumentsMOSFETs 30V N-CH Pwr MOSFET
auf Bestellung 47247 Stücke:
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7+0.43 EUR
10+0.30 EUR
100+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.11 EUR
9000+0.09 EUR
24000+0.09 EUR
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CSD17483F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 126000 Stücke:
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3000+0.09 EUR
9000+0.07 EUR
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45000+0.06 EUR
99000+0.05 EUR
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CSD17483F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 15 V
auf Bestellung 93661 Stücke:
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42+0.42 EUR
61+0.29 EUR
100+0.20 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
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CSD17483F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
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CSD17483F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 15 V
auf Bestellung 5419 Stücke:
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11+1.65 EUR
16+1.11 EUR
100+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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CSD17483F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 32 Stücke:
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CSD17483F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 750 Stücke:
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256+0.58 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 256
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CSD17483F4TTexas InstrumentsMOSFETs 30V,N-Ch FemtoFET MOSFET
auf Bestellung 2219 Stücke:
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2+1.74 EUR
10+1.17 EUR
100+0.81 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.63 EUR
2500+0.56 EUR
5000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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CSD17483F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 15 V
auf Bestellung 5250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+0.67 EUR
500+0.62 EUR
750+0.59 EUR
1250+0.55 EUR
1750+0.53 EUR
2500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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CSD17483F4TTEXAS INSTRUMENTSCSD17483F4T SMD N channel transistors
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CSD17483F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
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CSD17483F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17483F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17483F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
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CSD17484F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17484F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 121mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.04 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
auf Bestellung 75870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.63 EUR
44+0.41 EUR
100+0.40 EUR
500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17484F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17484F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 1649 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
327+0.45 EUR
424+0.34 EUR
428+0.32 EUR
796+0.17 EUR
804+0.16 EUR
811+0.15 EUR
1352+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 327
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17484F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 121mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.04 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
9000+0.11 EUR
30000+0.10 EUR
75000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17484F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.11 EUR
9000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17484F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17484F4Texas InstrumentsMOSFET 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 1 mm x 0.6mm, 128 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
auf Bestellung 5792 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.64 EUR
10+0.46 EUR
100+0.23 EUR
1000+0.16 EUR
3000+0.14 EUR
9000+0.12 EUR
24000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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CSD17484F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD17484F4TTEXAS INSTRUMENTSCSD17484F4T SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD17484F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
284+0.52 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 284
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CSD17484F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 121mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.04 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
auf Bestellung 25333 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.43 EUR
16+1.15 EUR
100+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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CSD17484F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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CSD17484F4TTexas InstrumentsMOSFET 30V N-Ch FemtoFET MOSFET
auf Bestellung 4543 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.06 EUR
10+0.80 EUR
100+0.68 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
2500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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CSD17484F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
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CSD17484F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 121mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.04 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
auf Bestellung 24500 Stücke:
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250+0.89 EUR
500+0.76 EUR
1250+0.62 EUR
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12500+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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CSD17501Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 30V,NCh NexFET Pwr MOSFET
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CSD17501Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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CSD17501Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17501Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17501Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 15 V
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6+3.15 EUR
10+2.61 EUR
100+2.08 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.49 EUR
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CSD17501Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
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100+1.49 EUR
106+1.35 EUR
107+1.29 EUR
114+1.17 EUR
250+1.09 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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CSD17501Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
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106+1.35 EUR
107+1.29 EUR
114+1.17 EUR
250+1.09 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.95 EUR
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CSD17501Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 15 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD17505Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17505Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
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2500+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD17505Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 15 V
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CSD17505Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17505Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17505Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 30V NCh NexFET Power MOSFET A 595-CSD17581Q5A
auf Bestellung 2316 Stücke:
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2+2.68 EUR
10+2.22 EUR
100+1.63 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.24 EUR
2500+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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CSD17505Q5ATEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD17505Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 15 V
auf Bestellung 1596 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.73 EUR
10+2.28 EUR
100+1.67 EUR
500+1.41 EUR
1000+1.30 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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CSD17505Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD17505Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17506Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD17506Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 30V,NCh NexFET Pwr MOSFET
auf Bestellung 3312 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.78 EUR
10+1.54 EUR
100+1.33 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.10 EUR
2500+1.04 EUR
5000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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CSD17506Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.93 EUR
5000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD17506Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD17506Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 2352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+1.87 EUR
80+1.78 EUR
104+1.33 EUR
250+1.27 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 79
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CSD17506Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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CSD17506Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD17506Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 2352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+1.00 EUR
155+0.92 EUR
156+0.88 EUR
157+0.85 EUR
250+0.81 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17506Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin VSONP EP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17506Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 15 V
auf Bestellung 1860 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+2.94 EUR
11+1.75 EUR
100+1.29 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17507Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 1283 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
146+1.02 EUR
147+0.97 EUR
196+0.70 EUR
250+0.67 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 146
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17507Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/65A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 15 V
auf Bestellung 5181 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.18 EUR
13+1.37 EUR
100+0.91 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17507Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17507Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 1283 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.15 EUR
149+0.96 EUR
150+0.92 EUR
206+0.64 EUR
250+0.61 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17507Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17507Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/65A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 15 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17507Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.48 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17507Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 30V NChannel Hi Side NexFET Pwr MOSFET
auf Bestellung 6498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.31 EUR
10+0.96 EUR
100+0.66 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.54 EUR
2500+0.50 EUR
5000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17507Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17507Q5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17507Q5ATTexas InstrumentsMOSFET 30-V, N channel NexFET power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 10.8 mOhm 8-VSONP -55 to 150
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17507Q5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17510Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 30V NChannel Lo Side NexFET Pwr MOSFET
auf Bestellung 1730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.92 EUR
10+1.55 EUR
100+1.08 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.81 EUR
2500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17510Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17510Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17510Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V
auf Bestellung 7313 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.29 EUR
12+1.55 EUR
100+1.08 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17510Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17510Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17510Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.73 EUR
5000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17510Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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CSD17522Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17522Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R
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CSD17522Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R
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CSD17522Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 87A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 695 pF @ 15 V
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CSD17522Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 30V NCh Nex FET Pwr MOSFET A 595-CSD17578Q5A
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CSD17522Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R
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CSD17522Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 87A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 695 pF @ 15 V
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CSD17522Q5A /Texas Instruments
Produktcode: 108620
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Texas InstrumentsTransistoren > MOSFET N-CH
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CSD17527Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 65A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 506 pF @ 15 V
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CSD17527Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17527Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 30V NCh Nex FET Pwr MOSFET A 595-CSD17579Q5A
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CSD17527Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17527Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 65A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 506 pF @ 15 V
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CSD17527Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17527Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17551Q3ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
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CSD17551Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 48A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17551Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 48A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
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CSD17551Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 48A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
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CSD17551Q3ATexas Instruments Incorporated (TI)MOSFET N-CH 30V 12A 8SON
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CSD17551Q3ATexas InstrumentsMOSFETs 30V N-Chnl MOSFET
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Mindestbestellmenge: 2
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CSD17551Q3ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V
auf Bestellung 4388 Stücke:
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CSD17551Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 48A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17551Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 48A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD17551Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13.5A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17551Q5ATexas InstrumentsMOSFETs N-Channel NexFET Power MOSFET
auf Bestellung 4104 Stücke:
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500+0.73 EUR
1000+0.66 EUR
2500+0.59 EUR
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Mindestbestellmenge: 2
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CSD17551Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 48A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 15 V
auf Bestellung 6454 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.53 EUR
14+1.27 EUR
100+0.93 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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CSD17552Q3ATexas InstrumentsMOSFETs 30V N-Channel MOSFET A 595-CSD17577Q3A
auf Bestellung 16322 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.56 EUR
10+1.27 EUR
100+0.92 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.68 EUR
2500+0.62 EUR
5000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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CSD17552Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 74A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17552Q3ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/60A 8SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.63 EUR
5000+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD17552Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 74A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17552Q3ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/60A 8SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V
auf Bestellung 8730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.60 EUR
14+1.30 EUR
100+0.94 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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CSD17552Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 74A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17552Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 74A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17552Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 74A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD17552Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 88A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17552Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 88A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17552Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V
auf Bestellung 4925 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.71 EUR
13+1.39 EUR
100+1.02 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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CSD17552Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 88A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17552Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 30-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET
auf Bestellung 2387 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.64 EUR
10+1.33 EUR
100+0.98 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.72 EUR
2500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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CSD17552Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V
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CSD17553Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 23.5A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3252 pF @ 15 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD17553Q5ATexas InstrumentsMOSFETs NCh NexFET Pwr MOSFET
auf Bestellung 4140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.70 EUR
10+1.39 EUR
100+1.08 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.91 EUR
2500+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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CSD17553Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 23.5A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3252 pF @ 15 V
auf Bestellung 5121 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.48 EUR
10+2.22 EUR
100+1.51 EUR
500+1.20 EUR
1000+1.10 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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CSD17553Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 23.5A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17555Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD17555Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17555Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V
auf Bestellung 139741 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
403+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 403
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CSD17555Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17555Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17555Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V N-ch NexFET Pwr MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17555Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17556Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 34A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 191W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.65V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17556Q5BTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17556Q5B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0012 ohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.1
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17556Q5BTexas InstrumentsMOSFET 30V N-Ch NexFET Power MOSFETs
auf Bestellung 2192 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.87 EUR
10+3.41 EUR
100+2.75 EUR
250+2.69 EUR
500+2.25 EUR
1000+1.90 EUR
2500+1.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17556Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 34A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 191W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.65V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 15 V
auf Bestellung 745 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.96 EUR
10+3.29 EUR
100+2.62 EUR
500+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17556Q5BTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17556Q5B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0012 ohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.1
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.54 EUR
5000+1.43 EUR
10000+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17556Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 191W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.65V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 15 V
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+3.16 EUR
500+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17556Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 191W
Case: VSON-CLIP8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 191W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17556Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 191W
Case: VSON-CLIP8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 191W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17556Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17556Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 191W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.65V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 15 V
auf Bestellung 942 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.89 EUR
10+4.07 EUR
100+3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17556Q5BTTexas InstrumentsMOSFET 30V N-Ch NexFET Pwr MOSFET
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.86 EUR
10+4.05 EUR
100+3.22 EUR
250+2.94 EUR
500+2.69 EUR
1000+2.31 EUR
2500+2.20 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17559Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17559Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17559Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17559Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17559Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 15 V
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
189+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 189
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17559Q5Texas InstrumentsMOSFETs 30V N Ch NexFET Pwr MOSFET
auf Bestellung 728 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.95 EUR
10+3.40 EUR
100+2.46 EUR
500+2.06 EUR
1000+1.95 EUR
2500+1.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17559Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17559Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 15 V
auf Bestellung 2476 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.09 EUR
10+3.55 EUR
100+2.49 EUR
500+2.10 EUR
1000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17559Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17559Q5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 15 V
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17559Q5TTexas InstrumentsMOSFETs 30V N-Ch NexFET Pwr MOSFET
auf Bestellung 322 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.95 EUR
10+4.45 EUR
25+4.44 EUR
100+3.22 EUR
250+2.87 EUR
500+2.52 EUR
1000+2.50 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17559Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17559Q5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 15 V
auf Bestellung 482 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.71 EUR
10+4.41 EUR
100+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17559Q5TTEXAS INSTRUMENTSCSD17559Q5T SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17559Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+2.22 EUR
73+1.89 EUR
100+1.59 EUR
250+1.50 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 67
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CSD17570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+2.22 EUR
73+1.89 EUR
100+1.59 EUR
250+1.50 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 67
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CSD17570Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 15 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD17570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD17570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD17570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.43 EUR
5000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD17570Q5BTexas InstrumentsMOSFETs 30V N-Ch Pwr MOSFET
auf Bestellung 4999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.78 EUR
10+2.41 EUR
100+2.01 EUR
250+1.99 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.57 EUR
2500+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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CSD17570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD17570Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 15 V
auf Bestellung 3065 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.24 EUR
10+2.90 EUR
100+2.12 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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CSD17570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+1.80 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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CSD17570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD17570Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 15 V
auf Bestellung 1048 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.47 EUR
10+3.84 EUR
100+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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CSD17570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD17570Q5BTTexas InstrumentsMOSFET 30V N-Ch Pwr MOSFET
auf Bestellung 6707 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.59 EUR
10+3.84 EUR
100+3.04 EUR
250+2.36 EUR
500+2.18 EUR
1000+2.01 EUR
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CSD17570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD17570Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCSD17570Q5BT SMD N channel transistors
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CSD17570Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 15 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+2.33 EUR
500+2.02 EUR
750+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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CSD17570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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CSD17570Q5BT /Texas Instruments
Produktcode: 109943
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Transistoren > MOSFET N-CH
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CSD17571Q2TEXAS INSTRUMENTSCSD17571Q2 SMD N channel transistors
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CSD17571Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 22A 6-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17571Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 22A 6SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-SON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 468 pF @ 15 V
auf Bestellung 21341 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.79 EUR
27+0.68 EUR
100+0.47 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 23
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CSD17571Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 22A 6-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17571Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 22A 6-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17571Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 22A 6SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-SON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 468 pF @ 15 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.27 EUR
6000+0.25 EUR
9000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17571Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 22A 6-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17571Q2Texas InstrumentsMOSFETs 30V N-CH Pwr MOSFETs
auf Bestellung 7632 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.77 EUR
10+0.57 EUR
100+0.39 EUR
500+0.30 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.23 EUR
9000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17571Q2 (Texas Instruments)
Produktcode: 199547
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17573Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 2405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+2.12 EUR
80+1.79 EUR
81+1.71 EUR
100+1.36 EUR
250+1.22 EUR
500+1.03 EUR
1000+0.80 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17573Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17573Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.04 EUR
5000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17573Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17573Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 15 V
auf Bestellung 3510 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.31 EUR
10+2.31 EUR
100+1.60 EUR
500+1.28 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17573Q5BTexas InstrumentsMOSFET 30V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
auf Bestellung 4037 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.46 EUR
10+2.04 EUR
100+1.61 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.15 EUR
2500+1.05 EUR
5000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17573Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17573Q5BTexas InstrumentsMOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+21.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17573Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17573Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 15 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17573Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 2405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+2.12 EUR
80+1.79 EUR
81+1.71 EUR
100+1.36 EUR
250+1.22 EUR
500+1.03 EUR
1000+0.80 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17573Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 15 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17573Q5BTTexas InstrumentsMOSFET 30V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
auf Bestellung 889 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.33 EUR
10+2.76 EUR
100+2.22 EUR
250+2.04 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.58 EUR
2500+1.50 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17573Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+1.40 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17573Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCSD17573Q5BT SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17573Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17573Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 15 V
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.66 EUR
10+2.50 EUR
100+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17573Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+1.69 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.26 EUR
1250+1.18 EUR
2500+1.08 EUR
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