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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
CSD-819CNMB Technologies CorporationDescription: DIGITAL INDICATOR (PEAK HOLDER)
Packaging: Box
Display Type: LED - Red Characters
Output Type: BCD Output
Mounting Type: Panel Mount
Type: Ammeter, Voltmeter
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 100 ~ 240VAC
Measuring Range: Multiple
Ingress Protection: IP65
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 96.00mm x 96.00mm
Number of Characters Per Row: 3
Measuring Type: Current, Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD-NM-914-NMLinx TechnologiesRF Cable Assemblies Cable Assembly Coaxial N-Type Male to N-Type Male RG-58 36.00" (914.40mm)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.93 EUR
10+24.99 EUR
25+23.53 EUR
100+23.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD-NM-914-NMTE Connectivity / Linx TechnologiesRF Cable Assemblies Cable Assembly Coaxial N-Type Male to N-Type Male RG-58 36.00" (914.40mm)
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD-NM-914-NMTE Connectivity LinxDescription: COAX CBL N-TYPE TO N-TYPE 36"
Packaging: Bulk
Color: Black
Length: 36.00" (914.40mm)
Style: N-Type to N-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Cable Type: RG-58
1st Connector: N-Type Plug
2nd Connector: N-Type Plug
Part Status: Active
Frequency - Max: 5.8 GHz
1st Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
2nd Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
1st Contact Gender: Male
2nd Contact Gender: Male
Cable Impedance: 50 Ohms
Overall Impedance: 50 Ohms
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD-NM-914-NMTE ConnectivityRF Cable Assemblies Cable Assembly Coaxial N-Type Male to N-Type Male RG-58 36.00" (914.40mm)
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.86 EUR
10+25.84 EUR
20+24.32 EUR
100+24.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD-SMAM-610-NMTE ConnectivityCategory: Coaxial Assemblies
Description: Cable; 610mm; SMA plug; shielded; black; straight; -40÷85°C; 5.8GHz
Frequency: 5.8GHz
Impedance: 50Ω
Cable length: 0.61m
Connector variant: straight
Kind of cable: RG58
Shield structure: shielded
Insulation colour: black
Cable/adapter structure: SMA plug
Type of connection cable: coaxial antenna
Operating temperature: -40...85°C
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+37.88 EUR
15+33.52 EUR
30+32.92 EUR
60+32.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD-SMAM-610-NMTE Connectivity LinxDescription: COAX CBL SMA TO N-TYPE 24"
Packaging: Bulk
Color: Black
Length: 24.00" (609.60mm)
Style: SMA to N-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Cable Type: RG-58
1st Connector: SMA Plug
2nd Connector: N-Type Plug
Part Status: Active
Frequency - Max: 5.8 GHz
1st Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
2nd Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
1st Contact Gender: Male
2nd Contact Gender: Male
Cable Impedance: 50 Ohms
Overall Impedance: 50 Ohms
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD-SMAM-610-NMTE Connectivity / Linx TechnologiesRF Cable Assemblies RF Cable Assemblies Cable Assembly Coaxial SMA to N-Type RG-58 24.00" (609.6mm)
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+38.46 EUR
10+34.5 EUR
20+32.93 EUR
50+31.93 EUR
100+30.76 EUR
500+29.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD.M26.GLL.C72AZLEMOStandard Circular Connector
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD01060AWolfspeedSiC Schottky Diodes 1A 600V SIC SCHOTTKY DIODE
auf Bestellung 8047 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.34 EUR
10+1.71 EUR
100+1.53 EUR
500+0.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD01060A
Produktcode: 57916
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD01060AWolfspeedDiode Schottky SiC 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
226+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 226
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD01060AWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - CSD01060A - SiC-Schottky-Diode, Z-Rec 600V, Einfach, 600 V, 2 A, 3.3 nC, TO-220
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 3.3
Diodenmontage: Durchsteckmontage
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: Z-Rec 600V
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD01060AWolfspeedDiode Schottky SiC 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD01060ACREETO-220-2 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD01060AWolfspeedDiode Schottky SiC 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+1.47 EUR
110+1.28 EUR
500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD01060AWolfspeed(CREE)Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 1A; TO220-2; 21.4W
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Semiconductor structure: single diode
Load current: 1A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Power dissipation: 21.4W
Case: TO220-2
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+2.52 EUR
48+1.5 EUR
56+1.29 EUR
61+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD01060AWolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
auf Bestellung 8416 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.71 EUR
50+2.18 EUR
100+1.79 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.29 EUR
2000+1.22 EUR
5000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD01060AWolfspeedDiode Schottky SiC 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD01060AWolfspeedDiode Schottky SiC 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
207+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 207
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD01060ECREEDPAK=TO-252-2 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD01060EWolfspeedDiode Schottky SiC 600V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube
auf Bestellung 1060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD01060EWolfspeed(CREE)Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 600V; 1A; 21.4W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.8V
Power dissipation: 21.4W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD01060EWolfspeedDiode Schottky SiC 600V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
195+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 195
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD01060EWolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO252-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD01060EWolfspeedSiC Schottky Diodes 1A 600V SIC SCHOTTKY DIODE
auf Bestellung 7139 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.52 EUR
10+2.15 EUR
75+1.16 EUR
525+1.06 EUR
1050+0.97 EUR
10050+0.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD01060EWolfspeedDiode Schottky SiC 600V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+3.18 EUR
145+0.96 EUR
200+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD01060E-TRWolfspeedSiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 1A, 600V
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.56 EUR
10+2.29 EUR
100+1.51 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.13 EUR
2500+1.02 EUR
5000+0.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD01060E-TRWolfspeedDiode Schottky SiC 600V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD01060E-TRWolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
auf Bestellung 11296 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.59 EUR
10+2.3 EUR
100+1.56 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD01060E-TRWolfspeedDiode Schottky SiC 600V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD01060E-TRWolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.03 EUR
5000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD02060AWolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 600V 3.5A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3.5A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD02060GWolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 600V 3.5A TO263-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3.5A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD04060AWolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 600V 7A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 220pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 7A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD04060ACree, Inc.Schottky Diodes & Rectifiers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD04060ECree, Inc.Schottky Diodes & Rectifiers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD04060ECree/WolfspeedDescription: DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD06060AWolfspeedSchottky Diodes & Rectifiers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD06060AWolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD06060GWolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO263-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD06060GWolfspeedSchottky Diodes & Rectifiers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD08060ACree/WolfspeedDescription: DIODE SCHOTTKY 600V 12.5A TO220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD0910B-100MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 18.7mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 5.6A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 5 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD0910B-100MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Tolerance: ±20%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 18.7mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 5.6A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 5 A
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.79 EUR
10+4.85 EUR
25+4.42 EUR
50+3.79 EUR
100+3.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD0910B-150MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Tolerance: ±20%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 39.2mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 4.6A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 15 µH
Current Rating (Amps): 3.5 A
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.63 EUR
10+3.88 EUR
25+3.54 EUR
50+3.03 EUR
100+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD0910B-150MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 39.2mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 4.6A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 15 µH
Current Rating (Amps): 3.5 A
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD0910B-220MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Tolerance: ±20%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 51.6mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 3.2A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 2.5 A
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.63 EUR
10+3.88 EUR
25+3.54 EUR
50+3.03 EUR
100+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD0910B-220MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 51.6mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 3.2A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 2.5 A
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD0910B-3R3MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Tolerance: ±20%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 11.5mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 10.5A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 3.3 µH
Current Rating (Amps): 6 A
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.63 EUR
10+3.88 EUR
25+3.54 EUR
50+3.03 EUR
100+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD0910B-3R3MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 11.5mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 10.5A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 3.3 µH
Current Rating (Amps): 6 A
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD0910B-6R8MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 18.7mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 8.7A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Inductance: 6.8 µH
Current Rating (Amps): 5 A
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD0910B-6R8MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Tolerance: ±20%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 18.7mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 8.7A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Inductance: 6.8 µH
Current Rating (Amps): 5 A
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.63 EUR
10+3.88 EUR
25+3.54 EUR
50+3.03 EUR
100+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD09B0010 SD-CardCviLuxSD Memory Card Connector Група товару: Конектори для пам'яті, зчитувачі карт Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD10Apex Tool GroupRibbon Cables / IDC Cables IDC Socket Cable Assemblies, 2.00mm Pitch
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD100-427-2BXVishay / Thin FilmThin Film Resistors - Through Hole
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+167.39 EUR
10+139.08 EUR
25+138.51 EUR
50+128.37 EUR
100+126.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD1000B-MFantom DrivesDescription: SSD 1TB USB BLACK MAC
Packaging: Retail Package
Size / Dimension: 116.84mm x 81.28mm x 15.24mm
Memory Size: 1TB
Type: USB
Speed - Read: 560MB/s
Speed - Write: 530MB/s
Part Status: Active
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+261.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD1000B-WFantom DrivesDescription: SSD 1TB USB BLACK WINDOWS
Packaging: Retail Package
Size / Dimension: 116.84mm x 81.28mm x 15.24mm
Memory Size: 1TB
Type: USB
Speed - Read: 560MB/s
Speed - Write: 530MB/s
Part Status: Active
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+261.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD10030ACree IncDescription: DIODE SCHOTTKY 300V 10A TO220-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD10060AWolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 600V 16.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16.5A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD10060ACREESiC ZeroRecovey 10A, 600V, TO-220-2 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD10060AWolfspeedSiC Schottky Diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD10060GWolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 600V 16.5A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16.5A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD10060GWolfspeedSchottky Diodes & Rectifiers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD1006ACTripp LiteDescription: BATT CHARGING STATION 15A
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 13.54" L x 16.54" W x 8.94" H (343.92mm x 420.12mm x 227.08mm)
Mounting Type: Custom
Voltage - Input: 120VAC
Type: Charging Station
Termination Style: NEMA 5-15R
Battery Chemistry: Mobile Devices
Charge Current - Max: 15A
Part Status: Active
Number of Cells: 10
auf Bestellung 915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+414.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD1006ACTripp LiteBattery Chargers CSD1006AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD1006USBTripp LiteBattery Chargers CSD1006USB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD1013B-100MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Tolerance: ±20%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.512" L x 0.413" W (13.00mm x 10.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 18mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 7.1A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.413" (10.50mm)
Part Status: Active
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 4.2 A
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.35 EUR
10+4.47 EUR
25+4.08 EUR
50+3.5 EUR
100+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD1013B-100MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.512" L x 0.413" W (13.00mm x 10.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 18mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 7.1A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.413" (10.50mm)
Part Status: Active
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 4.2 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD1013B-220MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.512" L x 0.413" W (13.00mm x 10.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 38mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 4.3A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.413" (10.50mm)
Part Status: Active
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 3 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD1013B-220MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Tolerance: ±20%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.512" L x 0.413" W (13.00mm x 10.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 38mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 4.3A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.413" (10.50mm)
Part Status: Active
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 3 A
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.35 EUR
10+4.47 EUR
25+4.08 EUR
50+3.5 EUR
100+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD104-162UFVishayCERAMIC SANDWICH, DUAL-IN-LINE, RESISTOR NETWORK (CUSTOM)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD104-162UFVishayCERAMIC SANDWICH, DUAL-IN-LINE, RESISTOR NETWORK (CUSTOM)
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+9.22 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD104-162UFVishayCERAMIC SANDWICH, DUAL-IN-LINE, RESISTOR NETWORK (CUSTOM)
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+9.22 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD108Power IntegrationsDescription: MODULE GATE DVR P&P SCALE 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD12106NVENT HOFFMANDescription: NVENT HOFFMAN - CSD12106 - ENCLOSURE, IP66, STEEL, GREY
tariffCode: 73102990
rohsCompliant: YES
Gehäusefarbe: Gray
Außenhöhe - imperial: 12"
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IP-Schutzart: IP66
NEMA-Bewertung: NEMA 4, 12, 13
Außentiefe - metrisch: 152mm
usEccn: EAR99
Außenhöhe - metrisch: 304.8mm
Außentiefe - imperial: 6"
euEccn: NLR
Außenbreite - metrisch: 254mm
Produktpalette: CONCEPT Series
productTraceability: No
Gehäusetyp: Electrical / Industrial
Außenbreite - Zoll: 10"
Gehäusematerial: Steel
directShipCharge: 25
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD12108WHoffman Enclosures, Inc.Description: CONCEPT 1DOOR WINDOW ANSI61
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD12108WLGHoffman Enclosures, Inc.Description: CONCEPT 1DOOR WINDOW RAL7035
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD12126Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 12.01"L X 12.01"W
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 12.008" L x 12.008" W (305.00mm x 305.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 18 Gauge
Height: 5.984" (152.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 144in² (929cm²)
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+582.17 EUR
5+529.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD12126SSHoffman Enclosures, Inc.Description: BOX S STEEL NAT 12.01"LX12.01"W
Features: Sealing Gasket, Stainless Steel Hinge, Wall Mount
Packaging: Bulk
Color: Natural
Size / Dimension: 12.008" L x 12.008" W (305.00mm x 305.00mm)
Material: Metal, Stainless Steel
Thickness: 16 Gauge
Height: 5.984" (152.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 3R,4,4X,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 144in² (929cm²)
Part Status: Active
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1917.92 EUR
5+1883.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD12128WLGHoffman Enclosures, Inc.Description: CONCEPT 1DOOR WINDOW RAL7035
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD130699 DIP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD1306EУЎ¶И06+ SOT-23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13201W10Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 462 pF @ 6 V
auf Bestellung 27776 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+0.84 EUR
34+0.53 EUR
100+0.34 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13201W10Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 462 pF @ 6 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
9000+0.17 EUR
15000+0.16 EUR
21000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13201W10Texas InstrumentsMOSFETs N-CH NexFET Pwr MOSF ET
auf Bestellung 7815 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.85 EUR
10+0.52 EUR
100+0.34 EUR
500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13201W10TEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 12V; 1.6A; 1.2W; ESD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 2.9nC
Power dissipation: 1.2W
Drain current: 1.6A
Gate-source voltage: 8V
Drain-source voltage: 12V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13202Q2TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13202Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 22 A, 0.0075 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: WSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13202Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 22A 6-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13202Q2Texas InstrumentsMOSFETs N-CH Power MOSFET 12 V 9.3mohm
auf Bestellung 38960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.04 EUR
10+0.65 EUR
100+0.44 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13202Q2TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13202Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 22 A, 0.0075 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13202Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 22A 6-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13202Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 22A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 6 V
auf Bestellung 5251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1 EUR
29+0.61 EUR
100+0.39 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13202Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 22A 6-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 2718 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
468+0.31 EUR
491+0.28 EUR
494+0.27 EUR
548+0.24 EUR
558+0.22 EUR
620+0.19 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 468
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13202Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 22A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 6 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13202Q2G4Texas InstrumentsMOSFETs 12-V N channel NexF ET power MOSFET sin
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13202Q2TTexas InstrumentsDescription: PROTOTYPE
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 6 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13302WTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13302WTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 862 pF @ 6 V
auf Bestellung 5816 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+0.84 EUR
34+0.52 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13302WTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
auf Bestellung 2670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
272+0.53 EUR
396+0.35 EUR
401+0.33 EUR
555+0.23 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 272
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13302WTexas InstrumentsMOSFETs 12-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD13302WT
auf Bestellung 5340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.08 EUR
10+0.66 EUR
100+0.42 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.28 EUR
3000+0.2 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13302WTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
auf Bestellung 2670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
220+0.66 EUR
270+0.52 EUR
272+0.49 EUR
396+0.33 EUR
401+0.31 EUR
555+0.21 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 220
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13302WTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 862 pF @ 6 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13302WTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13302WTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13302WTTexas InstrumentsMOSFETs 12-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD13302W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13302WTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 862 pF @ 6 V
auf Bestellung 1237 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.53 EUR
12+1.59 EUR
100+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13302WTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 1.6A; Idm: 29A; 1.8W; DSBGA4
Polarisation: unipolar
Case: DSBGA4
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
On-state resistance: 25.8mΩ
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 1.6A
Pulsed drain current: 29A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 12V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13302WTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13302WTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 862 pF @ 6 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+0.92 EUR
500+0.83 EUR
750+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13303W1015Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13303W1015Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
auf Bestellung 2265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1167+0.12 EUR
1376+0.1 EUR
1389+0.097 EUR
1931+0.067 EUR
1950+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 1167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13303W1015Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
auf Bestellung 143944 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1359+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1359
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13303W1015Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13303W1015Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
auf Bestellung 2460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.11 EUR
26+0.69 EUR
100+0.44 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13303W1015Texas InstrumentsMOSFETs N-CH NexFET Pwr MOSF ET
auf Bestellung 1984 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.18 EUR
10+0.74 EUR
100+0.47 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.28 EUR
6000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13303W1015Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13306WTexas InstrumentsMOSFETs 12-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD13306WT
auf Bestellung 962 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.14 EUR
10+0.7 EUR
100+0.46 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.25 EUR
6000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13306WTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 6 V
auf Bestellung 2631 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.21 EUR
24+0.75 EUR
100+0.48 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13306WTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 6 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13306WTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13306WTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 6 V
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+0.92 EUR
500+0.83 EUR
750+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13306WTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.5A; Idm: 44A; 1.9W; DSBGA6
Polarisation: unipolar
Case: DSBGA6
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
On-state resistance: 15.5mΩ
Power dissipation: 1.9W
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 44A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 12V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13306WTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13306WTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13306WTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13306WTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 6 V
auf Bestellung 1126 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.5 EUR
12+1.58 EUR
100+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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CSD13306WTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
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CSD13306WTTexas InstrumentsMOSFETs 12V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD13306W
auf Bestellung 492 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.53 EUR
10+1.59 EUR
100+0.92 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
2500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13380F3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 1479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
516+0.28 EUR
574+0.24 EUR
678+0.2 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 516
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13380F3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13380F3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (0.69x0.60)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V
auf Bestellung 87000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.11 EUR
6000+0.1 EUR
9000+0.097 EUR
15000+0.091 EUR
21000+0.087 EUR
30000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13380F3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 132000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.1 EUR
6000+0.082 EUR
9000+0.075 EUR
15000+0.069 EUR
21000+0.061 EUR
30000+0.057 EUR
75000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13380F3Texas InstrumentsMOSFETs 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13380F3T
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.51 EUR
10+0.31 EUR
100+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13380F3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13380F3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13380F3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (0.69x0.60)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V
auf Bestellung 87483 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
33+0.55 EUR
54+0.33 EUR
100+0.21 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13380F3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V
auf Bestellung 21216 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.01 EUR
14+1.27 EUR
100+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13380F3TTexas InstrumentsMOSFETs 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13380F3
auf Bestellung 46503 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.16 EUR
10+1.36 EUR
100+0.78 EUR
500+0.66 EUR
1000+0.59 EUR
2500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13380F3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+0.73 EUR
500+0.66 EUR
750+0.62 EUR
1250+0.58 EUR
1750+0.56 EUR
2500+0.53 EUR
6250+0.48 EUR
12500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13380F3TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.6A; Idm: 13.5A; 1.4W
Polarisation: unipolar
Case: PICOSTAR3
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
On-state resistance: 135mΩ
Power dissipation: 1.4W
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 13.5A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 12V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+1.41 EUR
118+1.19 EUR
119+1.13 EUR
156+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
118+1.23 EUR
119+1.17 EUR
156+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 118
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13381F4Texas InstrumentsMOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
355+0.41 EUR
459+0.3 EUR
462+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 355
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13381F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (1x0.60)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 6 V
auf Bestellung 316278 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.58 EUR
50+0.36 EUR
100+0.22 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13381F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (1x0.60)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 6 V
auf Bestellung 315000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
15000+0.099 EUR
21000+0.095 EUR
30000+0.091 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13381F4Texas InstrumentsMOSFETs 12V N-CH Pwr MOSFET A 595-CSD13381F4T A A 595-CSD13381F4T
auf Bestellung 81769 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.59 EUR
10+0.36 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 2958000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.091 EUR
9000+0.073 EUR
24000+0.068 EUR
45000+0.056 EUR
99000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
355+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 355
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13381F4TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13381F4T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 2.1 A, 0.14 ohm, LGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: LGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13381F4TTexas InstrumentsMOSFETs 12V N-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD13381 A 595-CSD13381F4
auf Bestellung 5181 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.18 EUR
10+1.37 EUR
100+0.78 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.6 EUR
2500+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13381F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 2.1A; Idm: 7A; 500mW; PICOSTAR3
Polarisation: unipolar
Case: PICOSTAR3
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 2.1A
Pulsed drain current: 7A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 12V
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+1.37 EUR
64+1.12 EUR
78+0.93 EUR
106+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13381F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 6 V
auf Bestellung 1884 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.04 EUR
14+1.28 EUR
100+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13381F4TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13381F4T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 2.1 A, 0.14 ohm, LGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: LGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13381F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 6 V
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+0.73 EUR
500+0.66 EUR
750+0.63 EUR
1250+0.59 EUR
1750+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13383F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 6 V
auf Bestellung 978000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.16 EUR
6000+0.15 EUR
9000+0.14 EUR
15000+0.13 EUR
30000+0.12 EUR
75000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13383F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13383F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13383F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 1948 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
206+0.7 EUR
279+0.5 EUR
282+0.48 EUR
502+0.26 EUR
507+0.24 EUR
657+0.18 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 206
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13383F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 6 V
auf Bestellung 980187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.74 EUR
39+0.46 EUR
100+0.29 EUR
500+0.22 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13383F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 1948 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
282+0.51 EUR
502+0.28 EUR
507+0.26 EUR
657+0.2 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 282
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13383F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13383F4Texas InstrumentsMOSFETs CSD13383F4 12-V Ncha MOSFET 3-PICOSTAR A A 595-CSD13383F4T
auf Bestellung 24242 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.79 EUR
10+0.49 EUR
100+0.31 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13383F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 6 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+0.78 EUR
500+0.7 EUR
750+0.66 EUR
1250+0.62 EUR
1750+0.59 EUR
2500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13383F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
183+0.79 EUR
192+0.73 EUR
194+0.69 EUR
218+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 183
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13383F4TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13383F4T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 2.9 A, 0.037 ohm, PICOSTAR, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 2.9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: PICOSTAR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13383F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13383F4TTexas InstrumentsMOSFETs 12V N-Channel FemtoF ET MOSFET A 595-CSD A 595-CSD13383F4
auf Bestellung 511 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.15 EUR
10+1.35 EUR
100+0.77 EUR
500+0.66 EUR
1000+0.59 EUR
2500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13383F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
192+0.75 EUR
194+0.72 EUR
218+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 192
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13383F4TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13383F4T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 2.9 A, 0.037 ohm, PICOSTAR, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 2.9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: PICOSTAR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13383F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 6 V
auf Bestellung 4147 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.13 EUR
14+1.35 EUR
100+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13383F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13383F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 2.9A; Idm: 18.5A; 500mW
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PICOSTAR3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 2.9A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 12V
Pulsed drain current: 18.5A
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13385F5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 2008 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
374+0.39 EUR
598+0.23 EUR
604+0.22 EUR
610+0.21 EUR
1017+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 374
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13385F5Texas InstrumentsMOSFETs 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13385F5T
auf Bestellung 7002 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+0.95 EUR
10+0.59 EUR
100+0.37 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.21 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13385F5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 2008 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
297+0.49 EUR
370+0.38 EUR
374+0.36 EUR
598+0.22 EUR
604+0.21 EUR
610+0.19 EUR
1017+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 297
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13385F5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 674 pF @ 6 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.2 EUR
6000+0.18 EUR
9000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13385F5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 114000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
9000+0.12 EUR
45000+0.11 EUR
75000+0.1 EUR
99000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13385F5TEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 7.1A; Idm: 41A; 1.4W; PICOSTAR3
Polarisation: unipolar
Case: PICOSTAR3
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 1.4W
Drain current: 7.1A
Pulsed drain current: 41A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 12V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13385F5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13385F5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13385F5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 674 pF @ 6 V
auf Bestellung 16101 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+0.86 EUR
33+0.54 EUR
100+0.34 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13385F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13385F5TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 7.1A; Idm: 41A; 1.4W; PICOSTAR3
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 1.4W
Drain current: 7.1A
Pulsed drain current: 41A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 12V
Kind of package: reel; tape
Case: PICOSTAR3
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13385F5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 674 pF @ 6 V
auf Bestellung 21340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.27 EUR
13+1.43 EUR
100+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13385F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13385F5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 674 pF @ 6 V
auf Bestellung 21250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+0.82 EUR
500+0.75 EUR
750+0.71 EUR
1250+0.66 EUR
1750+0.63 EUR
2500+0.61 EUR
6250+0.55 EUR
12500+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13385F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13385F5TTexas InstrumentsMOSFETs 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13385F5
auf Bestellung 1698 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.27 EUR
10+1.43 EUR
100+0.83 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.63 EUR
2500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD13385F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD15380F3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD15380F3Texas InstrumentsMOSFETs 20-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD15380F3T
auf Bestellung 11726 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.48 EUR
10+0.29 EUR
100+0.18 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD15380F3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.35V @ 2.5µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (0.69x0.60)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.281 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5 pF @ 10 V
auf Bestellung 77866 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
35+0.51 EUR
57+0.31 EUR
100+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD15380F3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.081 EUR
6000+0.075 EUR
9000+0.062 EUR
15000+0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD15380F3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R
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CSD15380F3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
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3000+0.081 EUR
6000+0.075 EUR
9000+0.062 EUR
15000+0.059 EUR
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CSD15380F3TEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 20V; 500mA; 500mW; PICOSTAR3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PICOSTAR3
Mounting: SMD
Gate charge: 281pC
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: 10V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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Mindestbestellmenge: 3000
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CSD15380F3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.35V @ 2.5µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (0.69x0.60)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.281 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5 pF @ 10 V
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.11 EUR
6000+0.096 EUR
9000+0.09 EUR
15000+0.084 EUR
21000+0.081 EUR
30000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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CSD15380F3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R
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CSD15380F3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R
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6000+0.075 EUR
9000+0.062 EUR
15000+0.059 EUR
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CSD15380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R
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CSD15380F3TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 900mA; Idm: 1.6A; 1.4W
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PICOSTAR3
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.9A
Power dissipation: 1.4W
Pulsed drain current: 1.6A
On-state resistance: 4Ω
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD15380F3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.35V @ 2.5µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.281 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5 pF @ 10 V
auf Bestellung 3696 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.85 EUR
19+0.96 EUR
100+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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CSD15380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 214 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+0.73 EUR
208+0.67 EUR
210+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 198
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CSD15380F3TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD15380F3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.99 ohm, LGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: LGA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FemtoFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.99ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.99ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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CSD15380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R
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CSD15380F3TTexas InstrumentsMOSFETs 20-V N-Ch FemtoFET A 595-CSD15380F3 A 59 A 595-CSD15380F3
auf Bestellung 1121 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.02 EUR
10+1.27 EUR
100+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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CSD15380F3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.35V @ 2.5µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.281 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5 pF @ 10 V
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+0.66 EUR
500+0.57 EUR
750+0.54 EUR
1250+0.52 EUR
2500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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CSD15380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 214 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
208+0.7 EUR
210+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 208
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CSD15380F3TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD15380F3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.99 ohm, LGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: LGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FemtoFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.99ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 4 Stücke:
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CSD15571Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 20V 22A 6-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD15571Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 20V 22A 6SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-SON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD15571Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 20V 22A 6-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.26 EUR
6000+0.22 EUR
9000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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CSD15571Q2Texas InstrumentsMOSFETs 20V N-Channel NexFET Pwr MOSFET
auf Bestellung 6341 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.72 EUR
10+0.61 EUR
100+0.33 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.22 EUR
9000+0.21 EUR
24000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD15571Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 20V 22A 6-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD15571Q2
Produktcode: 130599
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD15571Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 20V 22A 6SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-SON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419 pF @ 10 V
auf Bestellung 1439 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+0.93 EUR
31+0.58 EUR
100+0.37 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD15571Q2TEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
auf Bestellung 984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
385+0.19 EUR
432+0.17 EUR
463+0.15 EUR
542+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 385
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD15571Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 20V 22A 6-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16126Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 15.98"L X 12.01"W
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 15.984" L x 12.008" W (406.00mm x 305.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 18 Gauge
Height: 5.984" (152.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 192in² (1239cm²)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+621.24 EUR
5+580.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16128PentairGray Steel Wall Mount Enclosure
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+855.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16128Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 15.98"L X 12.01"W
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 15.984" L x 12.008" W (406.00mm x 305.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 18 Gauge
Height: 7.992" (203.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 192in² (1239cm²)
Part Status: Active
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+648.24 EUR
5+609.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16128LGPentairLight Gray 16-Gauge Steel Wall Mount Single Door Enclosure
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+778.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD161610Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 15.98"L X 15.98"W
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 15.984" L x 15.984" W (406.00mm x 406.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 18 Gauge
Height: 10.000" (254.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 255in² (1645cm²)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+771.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD161610LGHoffman Enclosures, Inc.Description: WALL-MOUNT TYPE 4 12 ENCLOSURE
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD161610SSHoffman Enclosures, Inc.Description: WALL MOUNT TYPE 4X ENCLOSURE
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16166Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 15.98"L X 15.98"W
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 15.984" L x 15.984" W (406.00mm x 406.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 18 Gauge
Height: 5.984" (152.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 255in² (1645cm²)
Part Status: Active
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+662.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16166PentairSteel Wall Mount Enclosure
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+876.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16166LGHoffman Enclosures, Inc.Description: ENCLOSURE 16.00X16.00X6.00
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16166LGEMCHoffman Enclosures, Inc.Description: EMC ENCL. 16.00X16.00X6.00
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16166SSHoffman Enclosures, Inc.Description: BOX S STL NAT 15.98"L X 15.98"W
Features: Sealing Gasket, Stainless Steel Hinge, Wall Mount
Packaging: Bulk
Color: Natural
Size / Dimension: 15.984" L x 15.984" W (406.00mm x 406.00mm)
Material: Metal, Stainless Steel
Thickness: 16 Gauge
Height: 5.984" (152.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 3R,4,4X,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 255in² (1645cm²)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16166SS6Hoffman Enclosures, Inc.Description: STAINLESS ENCL. 16.00X16.00X6.
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16168NVENT HOFFMANDescription: NVENT HOFFMAN - CSD16168 - ENCLOSURE, WALL MOUNT, CONCEPT, STEEL, GRAY
Gehäusefarbe: Grey
Außenhöhe - imperial: 16
IP-Schutzart: IP66
NEMA-Bewertung: NEMA 4, 12, 13
Außentiefe - metrisch: 203
Außenhöhe - metrisch: 406
Außentiefe - imperial: 8
Außenbreite - metrisch: 406
Produktpalette: Concept Series
Gehäusetyp: Electrical / Industrial
Außenbreite - Zoll: 16
Gehäusematerial: Steel
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16168Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 15.98"L X 15.98"W
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 15.984" L x 15.984" W (406.00mm x 406.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 18 Gauge
Height: 7.992" (203.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 255in² (1645cm²)
Part Status: Active
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+765.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16168LGHoffman Enclosures, Inc.Description: ENCLOSURE 16.00X16.00X8.00
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16168SSHoffman Enclosures, Inc.Description: BOX S STL NAT 15.98"L X 15.98"W
Features: Sealing Gasket, Stainless Steel Hinge, Wall Mount
Packaging: Bulk
Color: Natural
Size / Dimension: 15.984" L x 15.984" W (406.00mm x 406.00mm)
Material: Metal, Stainless Steel
Thickness: 16 Gauge
Height: 7.992" (203.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 3R,4,4X,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 255in² (1645cm²)
Part Status: Active
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2363.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16168SSSTHoffman Enclosures, Inc.Description: 304SS TYPE 4X WALLMT SLOPE TOP
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16168STHoffman Enclosures, Inc.Description: CONCEPT SLOPE TOP ENC
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD162010PentairGray Steel Wall Mount Enclosure
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+1011.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16206LGHoffman Enclosures, Inc.Description: ENCLOSURE 16.00X20.00X6.00
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16206LGEMCHoffman Enclosures, Inc.Description: EMC ENCL. 16.00X20.00X6.00
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16208Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 20"L X 15.98"W
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 20.000" L x 15.984" W (508.00mm x 406.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 18 Gauge
Height: 7.992" (203.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 320in² (2065cm²)
Part Status: Active
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+740.15 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16301Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 5A 6SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-SON
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.26 EUR
6000+0.24 EUR
9000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16301Q2Texas InstrumentsMOSFETs N-Channel NexFET Pow er MOSFET
auf Bestellung 47320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.73 EUR
10+0.47 EUR
100+0.45 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.26 EUR
6000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16301Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 8.2A 6-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 25 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16301Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 8.2A 6-Pin WSON EP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16301Q2TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16301Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 5 A, 0.024 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16301Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 5A 6SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-SON
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 47596 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.2 EUR
24+0.74 EUR
100+0.48 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16301Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 8.2A 6-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD16301Q2Texas InstrumentsN-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 340 @ 12,5, Qg, нКл = 2,8 @ 4,5 В, Rds = 24 мОм @ 4 А, 8 В, Ugs(th) = 1,55 @ 250 мкА, Р, Вт = 2,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: 6-SON Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16301Q2TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16301Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 5 A, 0.024 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16301Q2G4Texas InstrumentsMOSFETs 25-V, N channel NexFET power MOSFET, single SON 2 mm x 2 mm, 29 mOhm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16321Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16321Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.12 EUR
5000+1.05 EUR
7500+1.01 EUR
12500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16321Q5Texas InstrumentsMOSFETs N-Channel NexFET Power MOSFET
auf Bestellung 4877 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.39 EUR
10+2.01 EUR
100+1.63 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.22 EUR
2500+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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CSD16321Q5
Produktcode: 94698
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CSD16321Q5Texas InstrumentsMOSFET N-CH 25V 100A 8-SON Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16321Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD16321Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16321Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 2400 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16321Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 14171 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.1 EUR
10+2.64 EUR
100+1.81 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16321Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 1922 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+1.52 EUR
105+1.33 EUR
106+1.28 EUR
118+1.1 EUR
250+1.04 EUR
500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 96
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16321Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16321Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 2400 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16321Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16321Q5CTexas InstrumentsMOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16321Q5CTexas InstrumentsMOSFET N-CH 25V 100A 8SON Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16321Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16321Q5TTexas InstrumentsDescription: 25-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.1 EUR
10+2.29 EUR
25+2.08 EUR
100+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16321Q5TTexas Instruments25-V, N Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16321Q5TTexas InstrumentsMOSFET 25-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 2.6 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150
auf Bestellung 707 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.4 EUR
10+2.83 EUR
100+2.34 EUR
250+1.97 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.61 EUR
2500+1.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16321Q5TTexas InstrumentsDescription: 25-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16321Q5TTexas Instruments25-V, N Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16322Q5Texas InstrumentsMOSFETs N-Channel NexFET Pwr MOSFETs
auf Bestellung 2837 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.85 EUR
10+1.81 EUR
100+1.21 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.87 EUR
2500+0.78 EUR
5000+0.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16322Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16322Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16322Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 97 A, 3900 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1882 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16322Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/97A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1365 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 4452 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.01 EUR
10+1.92 EUR
100+1.29 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16322Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16322Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16322Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 97 A, 3900 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1882 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16322Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/97A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1365 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
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CSD16322Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD16322Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/97A 8SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SON
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1365 pF @ 12.5 V
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CSD16322Q5CTexas InstrumentsMOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET
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CSD16322Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/97A 8SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SON
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1365 pF @ 12.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16323Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD16323Q3Texas InstrumentsMOSFETs N-Ch NexFET Pwr MOSFET
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2+1.83 EUR
10+1.5 EUR
100+1.05 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.76 EUR
2500+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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CSD16323Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD16323Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16323Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0044 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 52 Stücke:
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CSD16323Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 17500 Stücke:
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2500+0.61 EUR
10000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD16323Q3Texas InstrumentsMOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
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CSD16323Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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92+1.59 EUR
111+1.26 EUR
112+1.2 EUR
145+0.89 EUR
250+0.82 EUR
500+0.66 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 92
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16323Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 418 Stücke:
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7+2.73 EUR
11+1.73 EUR
100+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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CSD16323Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD16323Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16323Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0044 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16323Q3CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SON-EP (3x3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16323Q3CTexas InstrumentsMOSFET Dual Cool NCh NexFET Power MOSFET
auf Bestellung 2050 Stücke:
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CSD16323Q3CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SON-EP (3x3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16323Q3TTexas InstrumentsDescription: PROTOTYPE
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16325Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16325Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin SON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16325Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin SON EP T/R
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
118+1.23 EUR
123+1.05 EUR
250+1.01 EUR
500+0.97 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 118
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16325Q5Texas InstrumentsMOSFETs N-Channel NexFET Pow er MOSFET
auf Bestellung 4447 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.12 EUR
10+2.66 EUR
100+1.88 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.36 EUR
2500+1.27 EUR
5000+1.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16325Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin SON EP T/R
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
118+1.23 EUR
123+1.05 EUR
250+1.01 EUR
500+0.97 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 118
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16325Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 7698 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.63 EUR
10+3.01 EUR
100+2.07 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16325Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin SON EP T/R
auf Bestellung 5572 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
242+2.24 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 242
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16325Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin SON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16325Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 12.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16325Q5CTexas InstrumentsMOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16327Q3Texas InstrumentsMOSFET N-CH 25V 60A 8VSON Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16327Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16327Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 3400 µohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16327Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16327Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 3480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.82 EUR
10+1.78 EUR
100+1.2 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16327Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16327Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 3400 µohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16327Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 2294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+0.82 EUR
193+0.72 EUR
194+0.69 EUR
217+0.59 EUR
250+0.57 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 178
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16327Q3Texas InstrumentsMOSFETs N-Channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD16327Q3T
auf Bestellung 8474 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.6 EUR
10+1.65 EUR
100+1.1 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.77 EUR
2500+0.72 EUR
5000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16327Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16327Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD16327Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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193+0.75 EUR
194+0.72 EUR
217+0.62 EUR
250+0.59 EUR
500+0.53 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 193
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CSD16327Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 8V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
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250+1.25 EUR
500+1.14 EUR
750+1.08 EUR
1250+1.02 EUR
1750+0.98 EUR
2500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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CSD16327Q3TTexas InstrumentsMOSFETs 25-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD16327Q3
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1+3.13 EUR
10+2.01 EUR
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1000+0.92 EUR
2500+0.89 EUR
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CSD16327Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD16327Q3TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 60A; Idm: 240A; 74W; VSON-CLIP8
Mounting: SMD
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -8...10V
On-state resistance: 6.5mΩ
Power dissipation: 74W
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 240A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Case: VSON-CLIP8
Kind of channel: enhancement
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CSD16327Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD16327Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 8V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
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6+3.31 EUR
10+2.12 EUR
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CSD16327Q3T
Produktcode: 153742
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Transistoren > MOSFET N-CH
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CSD16327Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD16340Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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198+0.71 EUR
224+0.6 EUR
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500+0.54 EUR
1000+0.51 EUR
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CSD16340Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD16340Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD16340Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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196+0.71 EUR
198+0.68 EUR
224+0.58 EUR
250+0.55 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
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CSD16340Q3Texas InstrumentsMOSFETs N Channel NexFET Pow er MOSFET A 595-CSD A 595-CSD16340Q3T
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2+2.53 EUR
10+1.62 EUR
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500+0.85 EUR
1000+0.77 EUR
2500+0.71 EUR
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CSD16340Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 4250 Stücke:
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11+1.7 EUR
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500+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
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CSD16340Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD16340Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 161 Stücke:
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6+3.15 EUR
10+2.01 EUR
100+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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CSD16340Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 250 Stücke:
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CSD16340Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD16340Q3TTexas InstrumentsMOSFETs 25V -55 to 150 A 595 -CSD16340Q3 A 595-C A 595-CSD16340Q3
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CSD16340Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16340Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 750 Stücke:
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250+0.76 EUR
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16340Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+0.76 EUR
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16342Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16342Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 3261 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.82 EUR
10+1.78 EUR
100+1.19 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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CSD16342Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.6 EUR
5000+0.57 EUR
10000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16342Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16342Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16342Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 1437 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
221+0.66 EUR
222+0.63 EUR
238+0.56 EUR
250+0.54 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 221
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16342Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 1437 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
209+0.69 EUR
221+0.63 EUR
222+0.61 EUR
238+0.54 EUR
250+0.52 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16342Q5ATexas InstrumentsMOSFETs N-Channel NexFET Pow er MOSFET
auf Bestellung 4540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.69 EUR
10+1.71 EUR
100+1.14 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.81 EUR
2500+0.72 EUR
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD163CEVM-591Texas InstrumentsPower Management IC Development Tools CSD163CEVM-591
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+96.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD163CEVM-591Texas InstrumentsDescription: EVAL BOARD FOR TPS40304
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 1.2V
Voltage - Input: 8V ~ 14V
Current - Output: 25A
Frequency - Switching: 600kHz
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPS40304
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Active
Contents: Board(s)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+89.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD163CEVM-591Texas InstrumentsTPS40304 DC to DC Controller 1.17VDC to 1.23VDC Output Evaluation Board
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16401Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 38A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16401Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16401Q5Texas InstrumentsMOSFETs N-Ch NexFET Power MO SFETs A 595-CSD1640 A 595-CSD16401Q5T
auf Bestellung 2074 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.35 EUR
10+3.06 EUR
100+2.2 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.9 EUR
2500+1.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16401Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16401Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16401Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0013 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16401Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 38A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 3499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.35 EUR
10+3.49 EUR
100+2.43 EUR
500+1.97 EUR
1000+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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CSD16401Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 687 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+2.34 EUR
68+1.97 EUR
100+1.7 EUR
250+1.6 EUR
500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 62
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CSD16401Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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62+2.34 EUR
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Mindestbestellmenge: 62
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CSD16401Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16401Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0013 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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CSD16401Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD16401Q5TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 240A; 156W
Mounting: SMD
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -12...16V
On-state resistance: 2.3mΩ
Power dissipation: 156W
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 240A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Case: VSON-CLIP8
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16401Q5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 740 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.72 EUR
10+4.43 EUR
100+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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CSD16401Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD16401Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD16401Q5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+2.78 EUR
500+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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CSD16401Q5TTexas InstrumentsMOSFETs 25-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD16401Q5
auf Bestellung 507 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.35 EUR
10+4.19 EUR
100+2.53 EUR
500+2.32 EUR
1000+2.29 EUR
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CSD16401Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD16403Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD16403Q5ATexas InstrumentsMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
auf Bestellung 2391 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.46 EUR
10+2.02 EUR
100+1.63 EUR
250+1.5 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.17 EUR
2500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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CSD16403Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD16403Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 28A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 13132 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.92 EUR
10+2.52 EUR
100+1.72 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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CSD16403Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16403Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 28A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.15 EUR
5000+1.08 EUR
7500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16403Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16404Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16404Q5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16404Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 81 A, 4100 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1416 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16404Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16404Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/81A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 2518 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.73 EUR
11+1.73 EUR
100+1.16 EUR
500+0.91 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16404Q5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16404Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 81 A, 4100 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1416 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16404Q5ATexas InstrumentsMOSFETs N-Ch NexFET Power MO SFETs
auf Bestellung 2645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.78 EUR
10+1.39 EUR
100+1.05 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.75 EUR
2500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16404Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/81A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 12.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16406Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16406Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0042 ohm, SON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 60
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
Verlustleistung: 2.7
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 416 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16406Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 1432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+1.19 EUR
124+1.13 EUR
152+0.88 EUR
250+0.82 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16406Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 19A/60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.67 EUR
5000+0.63 EUR
7500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16406Q3Texas InstrumentsN-MOSFET 25V 60A 2.7W 5.3mΩ CSD16406Q3 Texas Instruments TCSD16406q3
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16406Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 1432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+1.4 EUR
122+1.14 EUR
124+1.09 EUR
152+0.85 EUR
250+0.79 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16406Q3Texas InstrumentsMOSFETs N-Ch NexFET Power MOSFETs
auf Bestellung 2986 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.24 EUR
10+1.51 EUR
100+1.06 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.79 EUR
2500+0.74 EUR
5000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16406Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16406Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16406Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0042 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 416 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16406Q3Texas InstrumentsMOSFET N-CH 25V 60A SON-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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CSD16406Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16406Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 19A/60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 12467 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.46 EUR
12+1.56 EUR
100+1.05 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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CSD16406Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD16406Q3 MOSFET N-CH - Texas Instruments
Produktcode: 108023
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Transistoren > MOSFET N-CH
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CSD16407Q5Texas InstrumentsMOSFETs N-Ch NexFET Power MO SFETs
auf Bestellung 2883 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.77 EUR
10+2.43 EUR
100+1.66 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.28 EUR
2500+1.23 EUR
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CSD16407Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin SON EP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16407Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16407Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin SON EP T/R
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CSD16407Q5TI0950+ QFN
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16407Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 2866 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.98 EUR
10+2.56 EUR
100+1.75 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16407Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16407Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16407Q5CTexas InstrumentsMOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET
auf Bestellung 6325 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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CSD16408Q5Texas InstrumentsMOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16408Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16408Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin SON T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16408Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16408Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin SON T/R
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CSD16408Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 29715 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
476+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 476
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CSD16408Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.69 EUR
10+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16408Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16408Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
452+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 452
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16408Q5CTexas InstrumentsMOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET
auf Bestellung 3038 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16409Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16409Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16409Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 15A/60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16409Q3Texas InstrumentsMOSFETs N-Ch NexFET Power MO SFETs
auf Bestellung 3850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.52 EUR
10+1.59 EUR
100+1.06 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.76 EUR
2500+0.7 EUR
5000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16409Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16409Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 15A/60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 4292 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.55 EUR
11+1.62 EUR
100+1.08 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16410Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16410Q5ATexas InstrumentsMOSFETs N-Ch NexFET Power MO SFETs
auf Bestellung 2340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.97 EUR
10+1.23 EUR
100+0.82 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
2500+0.52 EUR
5000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16410Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 16A/59A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 4839 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.09 EUR
14+1.32 EUR
100+0.87 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16410Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16410Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 16A/59A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16410Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+0.61 EUR
253+0.55 EUR
255+0.53 EUR
292+0.44 EUR
295+0.42 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16411Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.48 EUR
5000+0.44 EUR
10000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16411Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 1203 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
214+0.68 EUR
225+0.62 EUR
226+0.59 EUR
254+0.51 EUR
255+0.49 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 214
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16411Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 14A/56A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 5041 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.29 EUR
13+1.44 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16411Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16411Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 1203 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
225+0.64 EUR
226+0.62 EUR
254+0.53 EUR
255+0.51 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 225
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16411Q3Texas InstrumentsMOSFETs N-Ch NexFET Power MO SFETs
auf Bestellung 3012 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.52 EUR
10+1.57 EUR
100+1.02 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.73 EUR
2500+0.62 EUR
5000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16411Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 14A/56A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.61 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD16411Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD16411Q3/2801Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON
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CSD16412Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 14A/52A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 1075 Stücke:
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8+2.31 EUR
13+1.45 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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CSD16412Q5ATexas InstrumentsMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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CSD16412Q5A
Produktcode: 144313
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Transistoren > MOSFET N-CH
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CSD16412Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD16412Q5ATexas InstrumentsMOSFETs N-Ch NexFET Power MO SFETs
auf Bestellung 2894 Stücke:
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2+2.02 EUR
10+1.28 EUR
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500+0.66 EUR
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2500+0.54 EUR
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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CSD16412Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 14A/52A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 12.5 V
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CSD16412Q5ATI/BB09+
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CSD16412Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
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2500+0.45 EUR
5000+0.43 EUR
10000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD16412Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD16413Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD16413Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 24A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.88 EUR
5000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD16413Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD16413Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD16413Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 24A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 5830 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.12 EUR
10+1.99 EUR
100+1.34 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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CSD16413Q5ATexas InstrumentsN-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 24, Ciss, пФ @ Uds, В = 1780, Qg, нКл = 11,7, Rds = 3,9 мОм, Ugs(th) = 1,9, Р, Вт = 3,1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: 8-VSONP(5x6)mm Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 4 Stücke:
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CSD16413Q5ATexas InstrumentsMOSFETs N-Ch NexFET Power MO SFETs
auf Bestellung 3383 Stücke:
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1+3.15 EUR
10+2.01 EUR
100+1.35 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.98 EUR
2500+0.89 EUR
5000+0.88 EUR
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CSD16413Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD16414Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 34A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD16414Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 34A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 2582 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.29 EUR
10+2.76 EUR
100+1.92 EUR
500+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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CSD16414Q5Texas InstrumentsMOSFETs N-Ch NexFET Power MO SFETs
auf Bestellung 876 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.58 EUR
10+2.96 EUR
100+2.11 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.64 EUR
2500+1.54 EUR
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CSD16414Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 34A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+1.63 EUR
97+1.39 EUR
105+1.23 EUR
250+1.17 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 89
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CSD16414Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 34A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+1.63 EUR
97+1.39 EUR
105+1.23 EUR
250+1.17 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 89
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CSD16414Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 34A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 12.5 V
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CSD16414Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 34A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16415Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16415Q5Texas InstrumentsMOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFET
auf Bestellung 2161 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.48 EUR
10+3.03 EUR
100+2.5 EUR
250+2.48 EUR
500+2.16 EUR
1000+1.87 EUR
2500+1.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16415Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD16415Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16415Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 990 µohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5
Verlustleistung: 3.2
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 990
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16415Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16415Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 4749 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.14 EUR
10+3.34 EUR
100+2.32 EUR
500+1.88 EUR
1000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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CSD16415Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16415Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16415Q5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+2.68 EUR
500+2.47 EUR
750+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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CSD16415Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD16415Q5TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 200A; 156W
Mounting: SMD
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -12...16V
On-state resistance: 1.8mΩ
Power dissipation: 156W
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 200A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Case: VSON-CLIP8
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD16415Q5TTexas InstrumentsMOSFET 25-V, N channel NexFET power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 1.8 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.58 EUR
10+3.85 EUR
25+3.63 EUR
100+3.26 EUR
250+2.75 EUR
1000+2.36 EUR
2500+2.22 EUR
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CSD16415Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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CSD16415Q5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.51 EUR
10+4.28 EUR
100+3.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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CSD16415Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD16556Q5BTexas InstrumentsMOSFETs 25V NexFET N Ch Pwr MosFET
auf Bestellung 3229 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.17 EUR
10+3.36 EUR
100+2.46 EUR
500+2.11 EUR
2500+1.78 EUR
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CSD16556Q5BTexas InstrumentsN-Channel 25V 100A (Tc) 3.2W (Ta), 191W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6) Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
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CSD16556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD16556Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.07mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 191W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 15 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 2500
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CSD16556Q5BTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16556Q5B - MOSFET, N CHANNEL, 25V, 100A, 0.0009OHM,
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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CSD16556Q5BTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16556Q5B - MOSFET, N CHANNEL, 25V, 100A, 0.0009OHM,
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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CSD16556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD16556Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.07mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 191W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 15 V
auf Bestellung 4406 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.23 EUR
10+3.41 EUR
100+2.37 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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CSD16570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD16570Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 12 V
auf Bestellung 2623 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.45 EUR
10+2.88 EUR
100+1.98 EUR
500+1.6 EUR
1000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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CSD16570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD16570Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 12 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD16570Q5BTexas InstrumentsMOSFETs 25-V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-CSD16570Q5BT
auf Bestellung 3196 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.82 EUR
10+2.71 EUR
100+1.95 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.54 EUR
2500+1.29 EUR
5000+1.28 EUR
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CSD16570Q5BG4Texas InstrumentsMOSFETs 25-V, N channel NexFET power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 0.82 mOhm
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CSD16570Q5BTTexas InstrumentsMOSFETs 25V NCH NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1657 A 595-CSD16570Q5B
auf Bestellung 10627 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.61 EUR
10+3.68 EUR
100+2.11 EUR
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CSD16570Q5BTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16570Q5BT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 490 µohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 195
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5
Verlustleistung: 195
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 490
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 85
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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CSD16570Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Mounting: SMD
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 95nC
On-state resistance: 0.68mΩ
Dimensions: 5x6mm
Power dissipation: 195W
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Case: VSON-CLIP8
Kind of channel: enhancement
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CSD16570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD16570Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 12 V
auf Bestellung 1635 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+5.93 EUR
10+3.88 EUR
100+2.72 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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CSD16570Q5BT
Produktcode: 196756
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Transistoren > MOSFET N-CH
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CSD16570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD16570Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 12 V
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+2.41 EUR
500+2.22 EUR
750+2.12 EUR
1250+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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CSD16570Q5BT .TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16570Q5BT . - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 490 µohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 195
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5
Verlustleistung: 195
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 490
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 85
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD17301Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17301Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17301Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 15 V
auf Bestellung 12928 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.54 EUR
10+2.27 EUR
100+1.55 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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CSD17301Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 30V N Channel NexFET Pwr MOSFET
auf Bestellung 2257 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.48 EUR
10+2.22 EUR
100+1.51 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.11 EUR
2500+1.09 EUR
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CSD17301Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 1987 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
312+0.46 EUR
317+0.44 EUR
322+0.42 EUR
327+0.4 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 312
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17301Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 1987 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+3.32 EUR
69+2.04 EUR
101+1.34 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17301Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 15 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD17302Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+0.58 EUR
254+0.55 EUR
258+0.52 EUR
262+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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CSD17302Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/87A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 14A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD17302Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET
auf Bestellung 1870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.69 EUR
10+1.71 EUR
100+1.14 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
2500+0.74 EUR
5000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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CSD17302Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
246+0.59 EUR
250+0.56 EUR
254+0.53 EUR
258+0.5 EUR
262+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 246
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CSD17302Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17302Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/87A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 14A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
auf Bestellung 19244 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.38 EUR
12+1.51 EUR
100+0.99 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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CSD17302Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17303Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
314+1.73 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 314
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CSD17303Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD17303Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17303Q5 - MOSFET TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
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CSD17303Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 15 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD17303Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 145 Stücke:
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75+1.95 EUR
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CSD17303Q5Texas InstrumentsГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
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CSD17303Q5Texas InstrumentsDescription: CSD17303Q5 30V, N CHANNEL NEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 15 V
auf Bestellung 1490 Stücke:
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auf Bestellung 1088 Stücke:
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314+1.73 EUR
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CSD17303Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 145 Stücke:
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91+1.48 EUR
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CSD17303Q5Texas InstrumentsMOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET
auf Bestellung 3381 Stücke:
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10+2.43 EUR
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500+1.32 EUR
1000+1.27 EUR
2500+1.22 EUR
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CSD17303Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17303Q5 - MOSFET TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
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CSD17303Q5Texas InstrumentsN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3420 @ 15, Qg, нКл = 23 @ 4,5 В, Rds = 2,4 мОм, Ugs(th) = 1,6 В, Р, Вт = 3,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: VSON-CLIP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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CSD17303Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 15 V
auf Bestellung 4770 Stücke:
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5+3.7 EUR
10+2.38 EUR
100+1.63 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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CSD17303Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 889 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
314+1.73 EUR
500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 314
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CSD17304Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/56A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955 pF @ 15 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD17304Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD17304Q3Texas InstrumentsMOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET
auf Bestellung 7502 Stücke:
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2+2.04 EUR
10+1.31 EUR
100+0.93 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.67 EUR
2500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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CSD17304Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD17304Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/56A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955 pF @ 15 V
auf Bestellung 2698 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.08 EUR
14+1.3 EUR
100+0.86 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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CSD17304Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.56 EUR
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD17304Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD17305Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17305Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 29A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD17305Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD17305Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17305Q5ATEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 3.1W; VSONP8
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: VSONP8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.8mΩ
Power dissipation: 3.1W
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 30V
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CSD17305Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 29A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
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CSD17305Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET
auf Bestellung 3298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.08 EUR
10+2.64 EUR
100+2.16 EUR
500+1.85 EUR
1000+1.54 EUR
2500+0.97 EUR
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CSD17306Q5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17306Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0029 ohm, SON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1
Verlustleistung: 3.2
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029
Rds(on)-Prüfspannung: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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CSD17306Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 22A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 15 V
auf Bestellung 3588 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+2.97 EUR
10+1.89 EUR
100+1.24 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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CSD17306Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17306Q5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17306Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0029 ohm, SON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.2
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.1
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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CSD17306Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 22A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17306Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD17306Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET
auf Bestellung 2524 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.85 EUR
10+1.81 EUR
100+1.22 EUR
500+0.97 EUR
1000+0.89 EUR
2500+0.83 EUR
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CSD17306Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17307Q5ATexas InstrumentsMOSFET N-CH 30V 14A/73A 8VSON Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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CSD17307Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 165396 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
949+0.57 EUR
1029+0.51 EUR
10000+0.44 EUR
100000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 949
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CSD17307Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET
auf Bestellung 1925 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.81 EUR
10+1.14 EUR
100+0.75 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.53 EUR
2500+0.47 EUR
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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CSD17307Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/73A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
auf Bestellung 2052 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.81 EUR
16+1.14 EUR
100+0.75 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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CSD17307Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD17307Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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CSD17307Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/73A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD17307Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.46 EUR
5000+0.4 EUR
7500+0.38 EUR
10000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD17307Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17307Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/73A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
auf Bestellung 165896 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
683+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 683
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17307Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17308Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
auf Bestellung 10509 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.15 EUR
14+1.35 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17308Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 47 A, 0.0094 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0094ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17308Q3Texas InstrumentsГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
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CSD17308Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD17308Q3TEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm
Gate-source voltage: ±10V
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: VSON-CLIP8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 3.9nC
On-state resistance: 12.5mΩ
Dimensions: 3.3x3.3mm
Power dissipation: 2.7W
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 167A
Drain-source voltage: 30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17308Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
auf Bestellung 9700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.57 EUR
5000+0.52 EUR
7500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17308Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 47 A, 0.0094 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17308Q3Texas InstrumentsN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 14 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 700 @ 15, Qg, нКл = 5,1 @ 4,5 В, Rds = 10,3 мОм @ 10 A, 8 В, Ugs(th) = 1,8 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,7, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 44 A,... Група товару: Транзистори Корпус: TD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 804 Stücke:
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CSD17308Q3Texas InstrumentsMOSFETs 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD17308Q3T
auf Bestellung 15171 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.02 EUR
10+1.28 EUR
100+0.85 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.6 EUR
2500+0.51 EUR
5000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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CSD17308Q3Texas InstrumentsTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 10V; 16,5mOhm; 44A; 28W; -55°C ~ 150°C; CSD17308Q3T CSD17308Q3 TCSD17308q3
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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CSD17308Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD17308Q3 .TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3 . - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 47 A, 0.0094 ohm, SON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 47
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3
Verlustleistung: 2.7
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0094
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17308Q3TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: VSON-CLIP8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 3.9nC
Dimensions: 3.3x3.3mm
On-state resistance: 9.4mΩ
Power dissipation: 2.7W
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 167A
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+1.7 EUR
76+0.95 EUR
95+0.76 EUR
104+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 43
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CSD17308Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD17308Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
auf Bestellung 2692 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.57 EUR
11+1.63 EUR
100+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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CSD17308Q3T
Produktcode: 133334
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Transistoren > MOSFET N-CH
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CSD17308Q3TTexas InstrumentsMOSFETs 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 11.8 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150
auf Bestellung 885 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.57 EUR
10+1.3 EUR
100+1.04 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.73 EUR
2500+0.68 EUR
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17308Q3TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 0.0082 ohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 44
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 28
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3
Verlustleistung: 28
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082
Rds(on)-Prüfspannung: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17308Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17308Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+0.95 EUR
500+0.86 EUR
750+0.82 EUR
1250+0.77 EUR
1750+0.74 EUR
2500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17308Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17308Q3TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 0.0082 ohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 44
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 28
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3
Verlustleistung: 28
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082
Rds(on)-Prüfspannung: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17309Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 2413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+1.47 EUR
100+1.4 EUR
141+0.95 EUR
250+0.92 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17309Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17309Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 4200 µohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17309Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17309Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 18A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 15 V
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.85 EUR
10+1.81 EUR
100+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17309Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 2413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.15 EUR
99+1.42 EUR
100+1.35 EUR
141+0.92 EUR
250+0.88 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17309Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17309Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 4200 µohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17309Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17309Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 18A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17309Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17309Q3Texas InstrumentsMOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET
auf Bestellung 4844 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.52 EUR
10+1.61 EUR
100+1.07 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.77 EUR
2500+0.69 EUR
5000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17310Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 15 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.63 EUR
5000+0.57 EUR
7500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17310Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 210329 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
714+0.76 EUR
1000+0.67 EUR
10000+0.58 EUR
100000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 714
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17310Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 15 V
auf Bestellung 210329 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
447+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 447
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17310Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 1621 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
667+0.22 EUR
678+0.21 EUR
688+0.2 EUR
700+0.18 EUR
711+0.17 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 667
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17310Q5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17310Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0039 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17310Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17310Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET
auf Bestellung 3019 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.31 EUR
10+1.45 EUR
100+0.96 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
2500+0.62 EUR
5000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17310Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17310Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 15 V
auf Bestellung 8258 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.31 EUR
13+1.45 EUR
100+0.96 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17310Q5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17310Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 3900 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17310Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.5 EUR
5000+0.48 EUR
10000+0.45 EUR
12500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17310Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 1621 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.19 EUR
107+1.31 EUR
161+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17311Q5Texas InstrumentsMOSFETs 30V N-Channel NexFET Power MOSFET
auf Bestellung 1653 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.56 EUR
10+2.94 EUR
100+2.11 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.64 EUR
2500+1.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17311Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17311Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V
auf Bestellung 2910 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.1 EUR
10+2.65 EUR
100+1.82 EUR
500+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17311Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 7495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
276+1.97 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 276
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17311Q5TEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 3.2W; VSON-CLIP8
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: VSON-CLIP8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.3mΩ
Power dissipation: 3.2W
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17311Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17311Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17311Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17311Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V
auf Bestellung 7687 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
192+2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 192
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17312Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 1810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+4.61 EUR
49+2.89 EUR
100+1.92 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17312Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 38A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 35A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5240 pF @ 15 V
auf Bestellung 6002 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.52 EUR
10+2.93 EUR
100+2.13 EUR
500+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17312Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17312Q5Texas InstrumentsN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5240 @ 15, Qg, нКл = 36 @ 4.5 В, Rds = 1.5 мОм @ 35 А, 8 В, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SON-8 Од. вим:
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 84 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17312Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 1810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
227+0.64 EUR
231+0.61 EUR
233+0.55 EUR
250+0.53 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 227
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17312Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 38A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 35A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5240 pF @ 15 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17312Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17312Q5Texas InstrumentsMOSFETs 30V N-Channel NexFET Power MOSFET
auf Bestellung 1955 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.79 EUR
10+3.1 EUR
100+1.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17312Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17312Q5Texas InstrumentsMOSFET N-CH 30V 100A 8SON Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17313Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+0.87 EUR
247+0.56 EUR
275+0.49 EUR
368+0.35 EUR
372+0.33 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17313Q2Texas InstrumentsTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 10V; 42mOhm; 19A; 17W; -55°C ~ 150°C; CSD17313Q2T CSD17313Q2 TCSD17313q2
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17313Q2TEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17313Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17313Q2Texas InstrumentsMOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD17313Q2T
auf Bestellung 16255 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.14 EUR
10+0.7 EUR
100+0.45 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.27 EUR
6000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17313Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
auf Bestellung 18464 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.11 EUR
26+0.69 EUR
100+0.44 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17313Q2TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.03 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 528 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17313Q2Texas InstrumentsMOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17313Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17313Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.26 EUR
6000+0.24 EUR
9000+0.23 EUR
15000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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CSD17313Q2
Produktcode: 126922
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CSD17313Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
275+0.53 EUR
368+0.38 EUR
372+0.36 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 275
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CSD17313Q2TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.03 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 528 Stücke:
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CSD17313Q2G4Texas InstrumentsMOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET sin
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CSD17313Q2Q1Wurth Elektronik
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CSD17313Q2Q1Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 1998000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2348+0.23 EUR
10000+0.2 EUR
100000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2348
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CSD17313Q2Q1Texas InstrumentsMOSFETs Auto 30-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET
auf Bestellung 2159 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.74 EUR
10+1.09 EUR
100+0.72 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.5 EUR
3000+0.42 EUR
6000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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CSD17313Q2Q1Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
auf Bestellung 2623 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.78 EUR
16+1.11 EUR
100+0.73 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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CSD17313Q2Q1Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
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CSD17313Q2Q1TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive 6-Pin WSON EP T/R
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CSD17313Q2Q1TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
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CSD17313Q2Q1TTexas InstrumentsMOSFETs Automotive 30-V N channel NexFET power MOSFET 6-WSON 0 to 0
auf Bestellung 820 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.94 EUR
10+1.88 EUR
100+1.26 EUR
500+1.06 EUR
2500+0.99 EUR
5000+0.89 EUR
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CSD17313Q2Q1TTexas InstrumentsMOSFET N-CH 30V 5A 6WSON Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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CSD17313Q2Q1TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; Idm: 57A; 17W; WSON6
Gate-source voltage: -8...10V
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: WSON6
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Application: automotive industry
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 17W
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 57A
Drain-source voltage: 30V
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CSD17313Q2TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19 A, 0.024 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 17W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17W
Bauform - Transistor: WSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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CSD17313Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+0.68 EUR
500+0.65 EUR
750+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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CSD17313Q2TTexas InstrumentsMOSFETs 30V N-Channel NexFE T Power Mosfet A 595 A 595-CSD17313Q2
auf Bestellung 4798 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.83 EUR
10+1.8 EUR
100+1.05 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.81 EUR
2500+0.78 EUR
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CSD17313Q2TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
auf Bestellung 6392 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.6 EUR
11+1.65 EUR
100+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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CSD17313Q2TTexas InstrumentsN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 340 @ 15, Qg, нКл = 2,7 @ 4,5 В, Rds = 30 мОм @ 4 A, 8 В, Ugs(th) = 1,8 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,4, 17, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: WDFN-6 (Exp. Pa
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
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CSD17313Q2TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 17W; WSON6; 2x2mm
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: WSON6
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.1nC
Dimensions: 2x2mm
On-state resistance: 26mΩ
Power dissipation: 17W
Drain current: 5A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 1615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+1.3 EUR
68+1.06 EUR
82+0.87 EUR
100+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 55
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CSD17313Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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CSD17313Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17313Q2TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19 A, 0.024 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17313Q2TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
auf Bestellung 6250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+0.96 EUR
500+0.87 EUR
750+0.83 EUR
1250+0.78 EUR
1750+0.74 EUR
2500+0.72 EUR
6250+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17313Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+0.68 EUR
500+0.65 EUR
750+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17318Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17318Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17318Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 25A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V
auf Bestellung 12435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.83 EUR
31+0.59 EUR
100+0.38 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17318Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17318Q2Texas InstrumentsMOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17318Q2T
auf Bestellung 5801 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.94 EUR
10+0.58 EUR
100+0.37 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.21 EUR
6000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17318Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 25A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.21 EUR
6000+0.2 EUR
9000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17318Q2Texas InstrumentsN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 25 А, Ptot, Вт = 16, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 879 @ 15, Qg, нКл = 6 @ 4,5 В, Rds = 15,1 мОм @ 8 A, 8 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: WDFN-6 (Exp. Pad
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
verfügbar 5 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17318Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17318Q2TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+0.91 EUR
500+0.84 EUR
750+0.8 EUR
1250+0.75 EUR
1750+0.72 EUR
2500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17318Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17318Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17318Q2TTexas InstrumentsMOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17318Q2
auf Bestellung 2932 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.68 EUR
10+1.69 EUR
100+0.98 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.79 EUR
2500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17318Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17318Q2TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V
auf Bestellung 2670 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.76 EUR
11+1.75 EUR
100+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17318Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
254+0.57 EUR
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CSD17318Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
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CSD17318Q2TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21.5A; Idm: 68A; 16W; WSON6
Gate-source voltage: ±10V
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: WSON6
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Application: automotive industry
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 16W
Drain current: 21.5A
Pulsed drain current: 68A
Drain-source voltage: 30V
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD17322Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 30V NCh Nex FET Pwr MOSFET
auf Bestellung 6093 Stücke:
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2+2.6 EUR
10+1.65 EUR
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500+0.87 EUR
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2500+0.74 EUR
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CSD17322Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 87A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 14A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 695 pF @ 15 V
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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CSD17322Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R
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CSD17322Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 87A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 14A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 695 pF @ 15 V
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.72 EUR
5000+0.69 EUR
12500+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD17322Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R
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CSD17327Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 65A 8SON
auf Bestellung 24835000 Stücke:
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CSD17327Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSON-FET EP T/R
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CSD17327Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 65A 8SON
auf Bestellung 24835000 Stücke:
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CSD17327Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSON-FET EP T/R
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CSD17327Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 65A 8SON
auf Bestellung 5000 Stücke:
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CSD17327Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 30V NCh Nex FET Pwr MOSFET
auf Bestellung 1363 Stücke:
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2+2.5 EUR
10+1.57 EUR
100+1.05 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.74 EUR
2500+0.7 EUR
5000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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CSD17381F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8A
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
9000+0.11 EUR
21000+0.1 EUR
30000+0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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CSD17381F4Texas InstrumentsMOSFETs N-CH NexFET Pwr MOSF ET A 595-CSD17381F4 A 595-CSD17381F4T
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.61 EUR
10+0.37 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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CSD17381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD17381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 174 Stücke:
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CSD17381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
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CSD17381F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8A
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
auf Bestellung 30875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.6 EUR
47+0.37 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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CSD17381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 174 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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CSD17381F4RTexas InstrumentsDescription: PROTOTYPE
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17381F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+0.75 EUR
500+0.57 EUR
750+0.54 EUR
1250+0.51 EUR
1750+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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CSD17381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD17381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+0.65 EUR
500+0.53 EUR
1000+0.47 EUR
2500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17381F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 12A; 500mW
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PICOSTAR3
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.25Ω
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 3.1A
Pulsed drain current: 12A
Drain-source voltage: 30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17381F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
auf Bestellung 33215 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.53 EUR
17+1.07 EUR
100+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17381F4TTexas InstrumentsMOSFETs 30V N-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD17381 A 595-CSD17381F4
auf Bestellung 3094 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.11 EUR
10+1.33 EUR
100+0.77 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.59 EUR
2500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
251+0.58 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 251
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17382F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 15 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17382F4Texas InstrumentsMOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD17382F4T
auf Bestellung 6076 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.64 EUR
10+0.39 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.16 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17382F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17382F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 15 V
auf Bestellung 7016 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.63 EUR
46+0.39 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17382F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17382F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 15 V
auf Bestellung 14010 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.36 EUR
16+1.12 EUR
100+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17382F4TTexas InstrumentsMOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD17382F4
auf Bestellung 1504 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.11 EUR
10+1.34 EUR
100+0.77 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.59 EUR
2500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17382F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17382F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; Idm: 14.8A; 500mW
Gate-source voltage: ±10V
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PICOSTAR3
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.18Ω
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 2.3A
Pulsed drain current: 14.8A
Drain-source voltage: 30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17382F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
320+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 320
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17382F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 15 V
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+0.86 EUR
500+0.74 EUR
1250+0.6 EUR
2500+0.56 EUR
6250+0.54 EUR
12500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17382F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
320+0.45 EUR
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CSD17382F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
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CSD17382F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
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CSD17483F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
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CSD17483F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
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CSD17483F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 15 V
auf Bestellung 94131 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.56 EUR
50+0.35 EUR
100+0.22 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 32
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CSD17483F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 1865 Stücke:
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375+0.39 EUR
471+0.3 EUR
474+0.28 EUR
920+0.14 EUR
928+0.13 EUR
1565+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 375
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CSD17483F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 126000 Stücke:
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3000+0.091 EUR
9000+0.07 EUR
24000+0.064 EUR
45000+0.058 EUR
99000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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CSD17483F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 15 V
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
15000+0.098 EUR
21000+0.094 EUR
30000+0.09 EUR
75000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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CSD17483F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
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CSD17483F4Texas InstrumentsMOSFETs 30V N-CH Pwr MOSFET A 595-CSD17483F4T A A 595-CSD17483F4T
auf Bestellung 2381 Stücke:
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5+0.58 EUR
10+0.36 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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CSD17483F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 1865 Stücke:
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920+0.16 EUR
928+0.15 EUR
939+0.14 EUR
1565+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 920
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CSD17483F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
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CSD17483F4TTexas InstrumentsMOSFETs 30V N-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD17483 A 595-CSD17483F4
auf Bestellung 1806 Stücke:
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2+2.24 EUR
10+1.42 EUR
100+0.81 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.62 EUR
2500+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17483F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (1x0.60)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 15 V
auf Bestellung 10794 Stücke:
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8+2.22 EUR
13+1.4 EUR
100+0.93 EUR
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CSD17483F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 32 Stücke:
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CSD17483F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
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CSD17483F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.5A; Idm: 5A; 500mW; PICOSTAR3
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PICOSTAR3
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.55Ω
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 5A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD17483F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (1x0.60)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 15 V
auf Bestellung 10750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+0.8 EUR
500+0.72 EUR
750+0.68 EUR
1250+0.64 EUR
1750+0.61 EUR
2500+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17483F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17483F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
256+0.56 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 256
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CSD17484F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17484F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.11 EUR
9000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17484F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 121mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (1x.60)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.04 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
auf Bestellung 7830 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
27+0.67 EUR
43+0.42 EUR
100+0.26 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17484F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
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CSD17484F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
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CSD17484F4Texas InstrumentsMOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17484F4T
auf Bestellung 85012 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.64 EUR
10+0.39 EUR
100+0.25 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17484F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 121mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (1x.60)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.04 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.15 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17484F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17484F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 121mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.04 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
auf Bestellung 18910 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+0.58 EUR
500+0.52 EUR
750+0.51 EUR
1250+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17484F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+0.81 EUR
500+0.7 EUR
750+0.64 EUR
1250+0.58 EUR
1750+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17484F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3A; Idm: 18A; 500mW; PICOSTAR3
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PICOSTAR3
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.27Ω
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 18A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17484F4TTexas InstrumentsMOSFETs 30V N-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD17484 A 595-CSD17484F4
auf Bestellung 3325 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.27 EUR
10+1.43 EUR
100+0.82 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.63 EUR
2500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17484F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17484F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17484F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 121mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.04 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
auf Bestellung 19080 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.41 EUR
15+1.25 EUR
100+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17484F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17501Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1758 A 595-CSD17581Q5A
auf Bestellung 3067 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.1 EUR
10+2.66 EUR
100+1.83 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.41 EUR
2500+1.24 EUR
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CSD17501Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17501Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17501Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 15 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD17501Q5A
Produktcode: 107837
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Transistoren > MOSFET N-CH
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CSD17501Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17501Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 295 Stücke:
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70+2.09 EUR
84+1.66 EUR
85+1.59 EUR
102+1.28 EUR
250+1.01 EUR
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CSD17501Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+2.09 EUR
84+1.66 EUR
85+1.59 EUR
102+1.28 EUR
250+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 70
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CSD17501Q5ATEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 3.2W; VSONP8
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: VSONP8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.9mΩ
Power dissipation: 3.2W
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD17501Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 15 V
auf Bestellung 6410 Stücke:
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4+4.44 EUR
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CSD17505Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
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Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 15 V
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CSD17505Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V,NCh NexFET Power MOSFET Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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CSD17505Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
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Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 15 V
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CSD17505Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 30V NCh NexFET Power MOSFET A 595-CSD175 A 595-CSD17581Q5A
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CSD17506Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17506Q5ATexas InstrumentsN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 100 А, Ptot, Вт = 3,2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1650 @ 15, Qg, нКл = 11 @ 4,5 В, Rds = 4 мОм @ 20 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,8 В @ 250 мкA,... Група товару: Транзистори Корпус: SON-8 Од. вим
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CSD17506Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17506Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
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Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
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auf Bestellung 1860 Stücke:
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6+2.94 EUR
11+1.75 EUR
100+1.29 EUR
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auf Bestellung 5000 Stücke:
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79+1.83 EUR
80+1.74 EUR
104+1.3 EUR
250+1.24 EUR
500+1 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 79
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CSD17506Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
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Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
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auf Bestellung 2352 Stücke:
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148+0.98 EUR
155+0.9 EUR
156+0.86 EUR
157+0.83 EUR
250+0.79 EUR
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1000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 148
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CSD17507Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
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auf Bestellung 1283 Stücke:
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146+0.99 EUR
147+0.95 EUR
196+0.69 EUR
250+0.65 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 146
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CSD17507Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/65A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 11A, 10V
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Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 15 V
auf Bestellung 3271 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+1.97 EUR
15+1.24 EUR
100+0.82 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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CSD17507Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17507Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.47 EUR
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Mindestbestellmenge: 2500
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CSD17507Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 30V NChannel Hi Side NexFET Pwr MOSFET A A 595-CSD17579Q5A
auf Bestellung 2978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.97 EUR
10+1.23 EUR
100+0.81 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
2500+0.52 EUR
5000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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CSD17507Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/65A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
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Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
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auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD17507Q5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17507Q5ATTexas InstrumentsMOSFET 30-V, N channel NexFET power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 10.8 mOhm 8-VSONP -55 to 150
auf Bestellung 44 Stücke:
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CSD17507Q5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17510Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
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Part Status: Active
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Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
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auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD17510Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17510Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17510Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD17510Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
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Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
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auf Bestellung 2622 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.6 EUR
11+1.65 EUR
100+1.11 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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CSD17510Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17510Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17510Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 30V NChannel Lo Side NexFET Pwr MOSFET A A 595-CSD17577Q5A
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.66 EUR
10+1.69 EUR
100+1.13 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.82 EUR
2500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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CSD17522Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD17522Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 87A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
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Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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CSD17522Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R
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CSD17522Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 30V NCh Nex FET Pwr MOSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17578Q5A
auf Bestellung 3879 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.87 EUR
10+1.83 EUR
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5000+0.77 EUR
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CSD17522Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R
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CSD17522Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 87A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
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Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
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auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.79 EUR
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CSD17522Q5A /Texas Instruments
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CSD17527Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 65A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
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Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 506 pF @ 15 V
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CSD17527Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R
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100+1.02 EUR
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CSD17527Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17527Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 65A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 506 pF @ 15 V
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CSD17527Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17527Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17551Q3ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V
auf Bestellung 353 Stücke:
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11+1.71 EUR
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100+0.7 EUR
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CSD17551Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 48A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17551Q3ATEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
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CSD17551Q3ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V
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CSD17551Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 48A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17551Q3ATexas InstrumentsMOSFETs 30V N-Chnl MOSFET A 595-CSD17578Q3A A 595-CSD17578Q3A
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1000+0.52 EUR
2500+0.44 EUR
5000+0.39 EUR
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CSD17551Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 48A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 27500 Stücke:
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2500+0.47 EUR
5000+0.4 EUR
10000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD17551Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13.5A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17551Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13.5A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17551Q5ATexas InstrumentsMOSFETs N-Channel NexFET Pow er MOSFET A 595-CSD A 595-CSD17578Q5A
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5000+0.57 EUR
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CSD17551Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 48A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.61 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD17551Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13.5A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.62 EUR
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CSD17551Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13.5A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17551Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 48A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 15 V
auf Bestellung 6454 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.53 EUR
14+1.27 EUR
100+0.93 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.7 EUR
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CSD17552Q3ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/60A 8SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V
auf Bestellung 8730 Stücke:
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11+1.6 EUR
14+1.3 EUR
100+0.94 EUR
500+0.79 EUR
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CSD17552Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 74A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17552Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 74A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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5000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD17552Q3ATexas InstrumentsMOSFET N-CH 30V 15A/60A 8SON Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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CSD17552Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 74A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17552Q3ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/60A 8SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.63 EUR
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD17552Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 74A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD17552Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 74A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17552Q3ATexas InstrumentsMOSFETs 30V N-Channel MOSFET A 595-CSD17577Q3A A A 595-CSD17577Q3A
auf Bestellung 16182 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.59 EUR
10+1.64 EUR
100+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.78 EUR
2500+0.7 EUR
5000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17552Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17552Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 88A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17552Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 30-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD175 A 595-CSD17578Q5A
auf Bestellung 1875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.71 EUR
10+1.72 EUR
100+1.15 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.83 EUR
2500+0.76 EUR
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17552Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V
auf Bestellung 2496 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.57 EUR
14+1.28 EUR
100+0.94 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17552Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 88A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17553Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 23.5A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3252 pF @ 15 V
auf Bestellung 2611 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.31 EUR
11+1.75 EUR
100+1.37 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17553Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 23.5A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17553Q5ATexas InstrumentsMOSFETs NCh NexFET Pwr MOSFE T A 595-CSD17581Q5A A 595-CSD17581Q5A
auf Bestellung 903 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.03 EUR
10+1.94 EUR
100+1.32 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.96 EUR
2500+0.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17553Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 23.5A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3252 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17553Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 23.5A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17555Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17555Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17555Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 129398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
343+1.58 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.22 EUR
10000+1.05 EUR
100000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 343
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17555Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
343+1.58 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.22 EUR
10000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 343
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CSD17555Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17555Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V N-ch NexFET Pwr MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17555Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V
auf Bestellung 139741 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
403+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 403
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17555Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17555Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 343 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
343+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 343
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD17556Q5BTexas InstrumentsMOSFETs 30V N-Ch NexFET Powe r MOSFETs A 595-CSD A 595-CSD17556Q5BT
auf Bestellung 521 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.03 EUR
10+3.27 EUR
100+2.27 EUR
500+1.85 EUR
1000+1.78 EUR
2500+1.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17556Q5BTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17556Q5B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0012 ohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.1
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17556Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 34A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 191W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.65V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 15 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17556Q5BTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17556Q5B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0012 ohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.1
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17556Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 34A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 191W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.65V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 15 V
auf Bestellung 4135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4 EUR
10+2.98 EUR
100+2.09 EUR
500+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17556Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 191W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Case: VSON-CLIP8
On-state resistance: 1.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Power dissipation: 191W
Pulsed drain current: 400A
Drain-source voltage: 30V
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17556Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 191W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.65V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 15 V
auf Bestellung 942 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.89 EUR
10+4.07 EUR
100+3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17556Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 191W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.65V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 15 V
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+3.16 EUR
500+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17556Q5BTTexas InstrumentsMOSFETs 30V N-Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD1755 A 595-CSD17556Q5B
auf Bestellung 351 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.11 EUR
10+4 EUR
100+2.48 EUR
500+2.18 EUR
1000+2.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17559Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17559Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
195+2.78 EUR
500+2.42 EUR
1000+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 195
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17559Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 15 V
auf Bestellung 2375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.61 EUR
10+3.66 EUR
100+2.55 EUR
500+2.08 EUR
1000+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17559Q5Texas InstrumentsMOSFETs 30V N Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD1755 A 595-CSD17559Q5T
auf Bestellung 2390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.3 EUR
10+3.47 EUR
100+2.43 EUR
500+2.11 EUR
1000+2.01 EUR
2500+1.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17559Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.7 EUR
5000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17559Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17559Q5TEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 3.2W; VSON-CLIP8
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: VSON-CLIP8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 51nC
On-state resistance: 1.15mΩ
Power dissipation: 3.2W
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17559Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17559Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17559Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.68 EUR
5000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17559Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 15 V
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
156+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 156
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17559Q5TTexas InstrumentsMOSFETs 30V N-Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD1755 A 595-CSD17559Q5
auf Bestellung 241 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.2 EUR
10+4.75 EUR
100+2.92 EUR
500+2.9 EUR
1000+2.85 EUR
2500+2.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17559Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17559Q5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 15 V
auf Bestellung 482 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.7 EUR
10+4.25 EUR
100+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17559Q5TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 96W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: VSON-CLIP8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Application: automotive industry
On-state resistance: 1.5mΩ
Power dissipation: 96W
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Drain-source voltage: 30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17559Q5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 15 V
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17559Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+2.17 EUR
73+1.85 EUR
100+1.55 EUR
250+1.47 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+2.17 EUR
73+1.85 EUR
100+1.55 EUR
250+1.47 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17570Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 15 V
auf Bestellung 1593 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.73 EUR
10+3.06 EUR
100+2.11 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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CSD17570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD17570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.4 EUR
5000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD17570Q5BTexas InstrumentsMOSFETs 30V N-Ch Pwr MOSFET A 595-CSD17570Q5BT A A 595-CSD17570Q5BT
auf Bestellung 718 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.35 EUR
10+2.82 EUR
100+1.99 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.51 EUR
2500+1.43 EUR
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CSD17570Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD17570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD17570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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CSD17570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD17570Q5BTTexas InstrumentsMOSFET 30V N-Ch Pwr MOSFET
auf Bestellung 6707 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.59 EUR
10+3.84 EUR
100+3.04 EUR
250+2.36 EUR
500+2.18 EUR
1000+2.01 EUR
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CSD17570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD17570Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 15 V
auf Bestellung 812 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.86 EUR
10+3.83 EUR
100+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17570Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; VSON-CLIP8; 5x6mm
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: VSON-CLIP8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 93nC
On-state resistance: 0.74mΩ
Dimensions: 5x6mm
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17570Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 15 V
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+2.37 EUR
500+2.18 EUR
750+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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CSD17570Q5BT /Texas Instruments
Produktcode: 109943
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17571Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 7.6A 6SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-SON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 468 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17571Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 22A 6-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17571Q2TEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.6A; 2.5W; WSON6
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: WSON6
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.4nC
On-state resistance: 24mΩ
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 7.6A
Drain-source voltage: 30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17571Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 22A 6-Pin WSON EP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17571Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 7.6A 6SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-SON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 468 pF @ 15 V
auf Bestellung 3462 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+0.86 EUR
27+0.67 EUR
100+0.45 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17571Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 22A 6-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17571Q2Texas InstrumentsMOSFETs 30V N-CH Pwr MOSFETs
auf Bestellung 7632 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.77 EUR
10+0.57 EUR
100+0.39 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.23 EUR
9000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17571Q2Texas InstrumentsMOSFET N-CH 30V 7.6A 6SON Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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CSD17571Q2 (Texas Instruments)
Produktcode: 199547
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17573Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 1655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.25 EUR
128+1.05 EUR
143+0.9 EUR
250+0.86 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 116
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17573Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 1655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.09 EUR
143+0.94 EUR
250+0.9 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 128
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17573Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 15 V
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.02 EUR
5000+0.95 EUR
7500+0.92 EUR
12500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17573Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17573Q5BTexas InstrumentsMOSFETs 30V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD17573Q5BT
auf Bestellung 1455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.54 EUR
10+2.27 EUR
100+1.54 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.13 EUR
2500+1.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17573Q5BTexas InstrumentsMOSFET N-CH Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17573Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17573Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17573Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 15 V
auf Bestellung 13504 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.54 EUR
10+2.27 EUR
100+1.54 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17573Q5BG4Texas InstrumentsMOSFETs 30-V, N channel NexFET power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 1.45 mOhm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17573Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 15 V
auf Bestellung 1344 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.31 EUR
10+2.8 EUR
100+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17573Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: VSON-CLIP8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 49nC
On-state resistance: 1.19Ω
Dimensions: 5x6mm
Power dissipation: 195W
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17573Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17573Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 15 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+1.7 EUR
500+1.55 EUR
750+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17573Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+1.32 EUR
500+1.22 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17573Q5BTTexas InstrumentsMOSFETs 30V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD17573Q5B
auf Bestellung 619 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.29 EUR
10+2.78 EUR
100+1.48 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.35 EUR
2500+1.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17573Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17575Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+1.85 EUR
115+1.22 EUR
116+1.16 EUR
169+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17575Q3Texas InstrumentsMOSFETs 30V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-CSD17575Q3T
auf Bestellung 35802 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.32 EUR
10+1.46 EUR
100+0.97 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.71 EUR
2500+0.6 EUR
5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17575Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 108W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD17575Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD17575Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.55 EUR
5000+0.52 EUR
10000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD17575Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 108W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17575Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD17575Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+1.26 EUR
116+1.2 EUR
169+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 115
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17575Q3TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17575Q3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0019 ohm, VSON, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 108
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17575Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17575Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD17575Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 108W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 15 V
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.2 EUR
10+2.05 EUR
100+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17575Q3TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17575Q3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0019 ohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 108
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17575Q3TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 108W; VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: VSON-CLIP8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
On-state resistance: 2.6mΩ
Dimensions: 3.3x3.3mm
Power dissipation: 108W
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 30V
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+1.66 EUR
56+1.29 EUR
64+1.13 EUR
100+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17575Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17575Q3TTexas InstrumentsMOSFETs 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD17575Q3
auf Bestellung 4538 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.95 EUR
10+1.51 EUR
25+1.5 EUR
100+0.93 EUR
250+0.88 EUR
500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17575Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 108W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17575Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17576Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4430 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17576Q5BTexas InstrumentsMOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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CSD17576Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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CSD17576Q5BTexas InstrumentsMOSFETs 30V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-CSD17576Q5BT
auf Bestellung 2146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.76 EUR
10+1.76 EUR
100+1.17 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.84 EUR
2500+0.76 EUR
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17576Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17576Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4430 pF @ 15 V
auf Bestellung 3755 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.8 EUR
10+1.78 EUR
100+1.19 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17576Q5BTexas InstrumentsTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 2,9mOhm; 184A; 125W; -55°C ~ 150°C; CSD17576Q5BT CSD17576Q5B TCSD17576q5b
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17576Q5BTTexas InstrumentsMOSFETs 30V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.97 EUR
10+2.02 EUR
100+1.19 EUR
500+1.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17576Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4430 pF @ 15 V
auf Bestellung 10250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+1.67 EUR
500+1.43 EUR
1250+1.17 EUR
2500+1.1 EUR
6250+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17576Q5BTTexas InstrumentsMOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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CSD17576Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17576Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: VSON-CLIP8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 2.4mΩ
Dimensions: 5x6mm
Power dissipation: 125W
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17576Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17576Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4430 pF @ 15 V
auf Bestellung 10477 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.66 EUR
10+2.17 EUR
100+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17576Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17577Q3ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V
auf Bestellung 10021 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.48 EUR
20+0.91 EUR
100+0.59 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17577Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17577Q3ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.37 EUR
5000+0.33 EUR
7500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17577Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD17577Q3ATexas InstrumentsMOSFETs 30V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD17577Q3AT
auf Bestellung 15889 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.59 EUR
10+0.98 EUR
100+0.64 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.43 EUR
2500+0.39 EUR
5000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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CSD17577Q3A
Produktcode: 178585
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Transistoren > MOSFET N-CH
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CSD17577Q3ATexas InstrumentsMOSFET N-CH 30V 35A VSON-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
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CSD17577Q3ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V
auf Bestellung 1910 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.41 EUR
10+1.86 EUR
100+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17577Q3ATTexas InstrumentsMOSFETs 30V NCH NexFET MOSFE T A 595-CSD17577Q3A A 595-CSD17577Q3A
auf Bestellung 866 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.99 EUR
10+1.92 EUR
100+1.13 EUR
500+0.97 EUR
1000+0.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17577Q3ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17577Q3ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17577Q3ATTexas InstrumentsMOSFET N-CH 30V 35A VSON-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+5.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17577Q3ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+1.12 EUR
500+0.94 EUR
750+0.92 EUR
1250+0.89 EUR
1750+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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CSD17577Q3ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17577Q3ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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CSD17577Q3ATTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 53W; VSONP8; 3.3x3.3mm
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: VSONP8
Gate charge: 12nC
Dimensions: 3.3x3.3mm
On-state resistance: 5.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Power dissipation: 53W
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+1.64 EUR
55+1.32 EUR
63+1.14 EUR
100+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 44
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CSD17577Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17577Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V
auf Bestellung 9902 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.78 EUR
16+1.11 EUR
100+0.73 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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CSD17577Q5ATEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 53W; VSONP8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: VSONP8
Gate charge: 27nC
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Power dissipation: 53W
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CSD17577Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17577Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.46 EUR
5000+0.42 EUR
7500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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CSD17577Q5ATexas InstrumentsMOSFETs 30V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD17577Q5AT
auf Bestellung 2248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.68 EUR
10+1.05 EUR
100+0.69 EUR
500+0.53 EUR
1000+0.48 EUR
2500+0.43 EUR
5000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17577Q5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R
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CSD17577Q5ATTexas InstrumentsMOSFETs 30V NCH NexFET A 595 -CSD17577Q5A A 595- A 595-CSD17577Q5A
auf Bestellung 5369 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.1 EUR
10+1.99 EUR
100+1.07 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17577Q5ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V
auf Bestellung 2759 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.76 EUR
10+1.87 EUR
100+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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CSD17577Q5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17577Q5ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+1.17 EUR
500+1.07 EUR
750+1.03 EUR
1250+0.97 EUR
1750+0.94 EUR
2500+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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CSD17578Q3ATexas InstrumentsMOSFETs CSD17578Q3A 30 V 8-V SONP A 595-CSD17578 A 595-CSD17578Q3AT
auf Bestellung 5623 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.39 EUR
10+0.86 EUR
100+0.57 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.39 EUR
2500+0.34 EUR
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17578Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH