Produkte > FDB

GBIC EVALUATION BOARD FDB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FDB-1012

Description: BOARD EVAL GBIC TXRX

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FDB-1017

EVALUATION BOARD FOR 2X5 PIN SFF FOOTPRINT PACKAGE FDB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FDB-1017

FTRJ-8519-1-2.5/FTRJ-1319-1-2.5 Fiber Optic Transceiver Evaluation Board

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FDB-1017

Description: BOARD EVAL 2X5 SFF TXRX
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optic Transceiver, SFF
Type: Telecom
Utilized IC / Part: SFF Modules
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No

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FDB-1018

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FDB-1019

Description: BOARD EVAL 2X10 SFF TXRX
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optic Transceiver, SFF
Type: Telecom
Utilized IC / Part: SFF Modules
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No

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FDB-1019

EVALUATION BOARD FOR 2X10 PIN SFF FOOTPRINT PACKAGE FDB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FDB-1019

Evaluation Board for 2X10 Pin

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FDB-1019

Fibre Optic Development Tools Evaluation board for 2x10 pin SFF footpr

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FDB-1022

XFP Evaluation Board FDB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FDB-1022

XFP Fiber Optic Transceiver Evaluation Board

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FDB-1022

Fibre Optic Development Tools XFP evaluation board

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

1+	1571.7 EUR

FDB-1022

Description: EVAL BOARD XFP
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optic Transceiver, XFP
Type: Telecom
Utilized IC / Part: XFP Modules
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No

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FDB-1022

Fibre Optic Development Tools XFP evaluation board

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

1+	1571.7 EUR

FDB-1027

Description: EVAL BOARD SFP/SFP+
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optic Transceiver, SFP/SFP+
Type: Telecom
Utilized IC / Part: SFP/SFP+ Modules
Supplied Contents: Board(s), Cable(s)
Primary Attributes: SFP/SFP+ TXRX of 125Mb/s to 14.025Gb/s
Embedded: No
Part Status: Obsolete

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FDB-1027

Evaluation board for pluggable SFP/SFP+ footprint package FDB-1027
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FDB-1027

FTLF8528P2BCV Fiber Optic Transceiver Development Kit

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FDB-1032-SFP+

Description: EVALUATION BOARD FOR PLUGGABLE S
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optic Transceiver, SFP/SFP+
Type: Telecom
Utilized IC / Part: SFP+ Modules
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	2837.8 EUR

FDB-1032-SFP+

EVALUATION BOARD FOR PLUGGABLE

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FDB-1032-SFP+

Fibre Optic Development Tools Evaluation board for pluggable SFP/SFP+

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

1+	2954.8 EUR

FDB-1032-SFP+

Evaluation Board For Pluggable

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FDB-1032-SFP+

Fibre Optic Development Tools Evaluation board for pluggable SFP/SFP+

auf Bestellung 38 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

1+	2954.8 EUR

FDB-1033

Laserwire Evaluation Board, 1 - 10.5 Gbps, Laserwire Jack, SMA connectors EVALBOARD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FDB-1033

Description: BOARD LASERWIRE 1-10.5GBPS SMA

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FDB-1034

FDB-1034
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FDB-1038-10BK

40G/100G CFP Breakout Board

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FDB-1038-10BK

Description: BOARD BREAKOUT 40G/100G CFP
Packaging: Bulk
Supplied Contents: Board(s)

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FDB-1038-10BK

Fibre Optic Development Tools 40G/100G CFP Brk/out Board (no cables)

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FDB-1038-10BK

40G/100G CFP Breakout Board

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FDB-1038-10BK

Fibre Optic Development Tools 40G/100G CFP Brk/out Board (no cables)

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FDB-1040-EL

Fibre Optic Development Tools 40G/100G CFP Electrical Loop Back Board w/USB Interface (without cables)

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FDB-1040-EL

Fibre Optic Development Tools 40G/100G CFP Electrical Loop Back Board w/USB Interface (without cables)

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FDB-1040-EL

40G/100G CFP Electrical Loop B

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FDB-1040-EL

Description: BACK BD 40G/100G CFP ELEC LOOP
Packaging: Bulk

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FDB-1040-EL

Fiber Optic Development Tools 40G/100G CFP Electrical Loop Back Board w/USB Interface (without cables)

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FDB-1042

Description: EVAL BOARD QSFP
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optic Transceiver, QSFP
Type: Telecom
Utilized IC / Part: QSFP Modules
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Obsolete

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FDB-1042

Quadwire/QSFP Breakout Evaluation Board, 1 - 10.5 Gbps, QSFP cage, SMP conn FDB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FDB-1043

Description: EVAL BOARD C.WIRE SMP
Packaging: Box
Function: Fiber Optic Transceiver, CXP
Type: Telecom
Utilized IC / Part: CXP Modules
Supplied Contents: Board(s)

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FDB-1043

C.wire/CXP Breakout Evaluation Board, 1 - 12.5 Gbps, CXP cage, SMP connecto EVALBOARD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FDB-1043

CXP Fiber Optic Transceiver Evaluation Board

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FDB-1043

Fibre Optic Development Tools Breakout Eval Brd C.wr/CXP 1-12.5Gbps

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FDB-1043

Fibre Optic Development Tools Breakout Eval Brd C.wr/CXP 1-12.5Gbps

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FDB-1044

Description: EVAL BRD T-XFP
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optics
Type: Interface
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active

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FDB-1044

XFP Evaluation Board for T-XFP

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FDB-1044

Fiber Optic Development Tools XFP evaluation board tion board for T-XF

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

18+	2.92 EUR

Mindestbestellmenge: 18

FDB-1045

Fibre Optic Development Tools Eval Brd 12X10Gbps Optical Engine

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FDB-1045

Description: BOARD EVAL 12X10GBPS OPT ENGINE
Packaging: Bulk
Supplied Contents: Board(s)

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FDB-1045

Evaluation Board for 12X10 GBP

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FDB-1045

Fibre Optic Development Tools Eval Brd 12X10Gbps Optical Engine

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FDB-1047-CL

Fibre Optic Development Tools Endurance Evaluation Board, Fixture & Clamp for Module (No soldering)

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FDB-1047-CL

Fibre Optic Development Tools Endurance Evaluation Board, Fixture & Clamp for Module (No soldering)

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FDB-1047-CL

Description: BOARD EVAL ENDURANCE NO SOLDER
Packaging: Bulk
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Discontinued at Digi-Key

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FDB-1047-S

Description: BOARD EVAL ENDURANCE SOLDER
Packaging: Bulk
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active

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FDB-1048

WAVELENGTH TUNING BOX FOR T-XF

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FDB-1048

Description: WAVELENGTH TUNING BOX
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optic Transceiver, SFP+/XFP
Type: Telecom
Utilized IC / Part: SFP+/XFP Modules
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Tunable
Part Status: Active

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FDB-1048

Fiber Optic Development Tools Wavelength Tuning Bo x for T-XFP & T-SFP+

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FDB-1050

Fibre Optic Development Tools Evaluation board for 12X25 Gbps Optical Engine LPFN (4 cables incl.) Finisar pin-out

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FDB-1051

Fibre Optic Development Tools Quadwire/QSFP Breakout Evaluation Board, 1 - 28 Gbps, QSFP cage, SMP connectors

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

1+	4286.85 EUR

FDB-1051

Quadwire/QSFP Breakout Evaluation

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FDB-1051

Fibre Optic Development Tools Quadwire/QSFP Breakout Evaluation Board, 1 - 28 Gbps, QSFP cage, SMP connectors

auf Bestellung 18 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

1+	4286.85 EUR

FDB-1051

Description: EVAL BOARD FOR QSFP
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optic Transceiver, QSFP
Type: Telecom
Utilized IC / Part: QSFP Modules
Supplied Contents: Board(s)

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FDB-1052

Evaluation Board for Tunable S

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FDB-1052

Fibre Optic Development Tools Evaluation board for rd for Tunable SFP+.

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FDB-1052

Description: EVAL BRD TUNABLE SFP+.
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optics
Type: Interface
Supplied Contents: Board(s)

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FDB-1052

Evaluation Board for Tunable S

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FDB-1052

Fibre Optic Development Tools Evaluation board for rd for Tunable SFP+.

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FDB-1053-10BK-EL

Fiber Optic Development Tools 100G CFP2 Breakout & Loopback Board (without cables)

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FDB-1053-10BK-EL

100G CFP2 Breakout/Loopback

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FDB-1053-10BK-EL

Description: 100G CFP2 BREAKOUT/LOOPBACK BRD
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optics
Type: Interface
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active

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FDB-1054-4BK

Fibre Optic Development Tools 100G CFP4 Breakout Board (without cables)

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FDB-1054-4BK

100G CFP4 Breakout Board

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FDB-1054-4BK

Description: 100G CFP4 BREAKOUT BRD W/O CBL
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optics
Type: Interface
Supplied Contents: Board(s)

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FDB-1054-4BK

Fibre Optic Development Tools 100G CFP4 Breakout Board (without cables)

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FDB-1057

Fibre Optic Development Tools Evaluation board for 12X25 Gbps Optical Engine LPTE (4 cables incl.) TE-MBOM pin-out

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FDB-1057

Evaluation board for 12X25 Gbps Optical Engine LPTE (4 cables incl.)TE-MBOM pin-out

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FDB-1061-EL-BT

Fiber Optic Development Tools QSFP-DD Evaluation Kit: Breakout + loopback + BERT

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FDB-1062-ITTRA-RF-MMPX

Fiber Optic Development Tools ITTRA evaluation board with RF break-out

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FDB-1067-CFP2-DCO

Fiber Optic Development Tools 200G/400G CFP2-DCO evaluation board (line side testing only)

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FDB-1068-QSFP-DD-DCO

Fiber Optic Development Tools 400G QSFP-DD-DCO evaluation board (line side testing only)

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FDB-2 24-M

Category: Surge Arresters
Description: Surge arrestor; Type 2+3; Poles: 2; 22VAC; M20x1.5; -20÷70°C; 32VDC
Mounting: M20x1.5
Operating temperature: -20...70°C
IP rating: IP65; IP67
Leads: leads 250mm
Kind of surge arrester: Type 2+3
Conform to the norm: ATEX Ex
Type of protection: surge arrestor
Number of poles: 2
Max. operating voltage: 22V AC; 32V DC

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FDB-2 24-M

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FDB-2 24-N

Category: Surge Arresters
Description: Surge arrestor; Type 2+3; Poles: 2; 22VAC; 1/2" NPT; -20÷70°C
IP rating: IP65; IP67
Operating temperature: -20...70°C
Conform to the norm: ATEX Ex
Mounting: 1/2" NPT
Type of protection: surge arrestor
Number of poles: 2
Max. operating voltage: 22V AC; 32V DC
Leads: leads 250mm
Kind of surge arrester: Type 2+3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FDB-2 24-N

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FDB-25P(05)

Description: CONN D-SUB PLUG PNL MNT
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Features: Feed Through, Grounding Indents
Connector Type: Plug, Male Pins
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 1A
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 25
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (Unthreaded)
Termination: IDC, Ribbon Cable
Connector Style: D-Sub
Contact Finish Thickness: 8.00µin (0.203µm)
Shell Material, Finish: Steel, Nickel Plated
Shell Size, Connector Layout: 3 (DB, B)
Primary Material: Metal

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	59.93 EUR

FDB-25P(05)

D-Sub Standard Connectors

auf Bestellung 28 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

1+	60.97 EUR
10+	54.5 EUR
50+	50.91 EUR
100+	50.02 EUR
250+	48.62 EUR
500+	47.94 EUR
1000+	47.42 EUR

FDB-25P(51)

D-Sub Standard Connectors

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FDB-25P0L2TI2/1-LF

Filter D Straight Solder PCB

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FDB-25PBL2TI2/1-LF

Filter D Connector 25way Plug

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FDB-25PBL2TI2/1-LF

Description: CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONS - FDB-25PBL2TI2/1-LF - D-Sub-Steckverbinder, Gefiltert, Stecker, Cinch - FD, 25 Kontakt(e), DB, Lötanschluss
tariffCode: 85369010
rohsCompliant: YES
Kontaktüberzug: Kontakte beschichtet mit Gold über Nickel
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktmaterial: Kupferlegierung
Ausführung: Stecker
Steckverbindermontage: Durchsteckmontage
usEccn: EAR99
D-Sub-Steckverbinder: Gefiltert
Anzahl der Kontakte: 25
euEccn: NLR
D-Sub-Gehäusegröße: DB
Produktpalette: Cinch - FD
productTraceability: No
Kontaktanschluss: Lötanschluss
Steckverbindermaterial: Stahlgehäuse
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 29 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB-25PF(05)

D-Sub Standard Connectors

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FDB-25PF(05)

Description: CONN D-SUB PLUG PNL MNT
Features: Feed Through, Grounding Indents
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug, Male Pins
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 1A
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 25
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (Unthreaded)
Termination: IDC, Ribbon Cable
Connector Style: D-Sub
Shell Material, Finish: Steel, Nickel Plated
Shell Size, Connector Layout: 3 (DB, B)
Primary Material: Metal

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	64.61 EUR
10+	56.57 EUR

FDB-25PTI2/1-LF

Conn Filtered D-Sub PIN 25 POS Solder RA Thru-Hole 25 Terminal 1 Port

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FDB-25PTI2/1-LF

Description: CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONS - FDB-25PTI2/1-LF - D-Sub-Steckverbinder, Gefiltert, Stecker, Cinch - FD, 25 Kontakt(e), DB, IDC / IDT
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kontakte: 25Contacts
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 17 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB-25S(05)

HIROSE

Category: Other Hirose Connectors
Description: FDB-25S(05)

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FDB-25S(05)

Description: CONN D-SUB RCPT PNL MNT
Packaging: Bulk
Features: Feed Through
Connector Type: Receptacle, Female Sockets
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 1A
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 25
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (Unthreaded)
Termination: IDC, Ribbon Cable
Connector Style: D-Sub
Shell Material, Finish: Steel, Nickel Plated
Shell Size, Connector Layout: 3 (DB, B)
Part Status: Active
Primary Material: Metal

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	71.42 EUR
10+	62.54 EUR

FDB-25S(05)

HIROSE

Category: Other Hirose Connectors
Description: FDB-25S(05)
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

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FDB-25S(05)

D-Sub Standard Connectors

auf Bestellung 354 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

1+	66.38 EUR
10+	51.38 EUR
30+	51.35 EUR
50+	51.32 EUR
100+	51.3 EUR
250+	51.27 EUR
500+	47.74 EUR

FDB-25S0L2T2/1-LF

25 way Filter D Connector Socket

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FDB-25SBL2T2/1-LF

Description: CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONS - FDB-25SBL2T2/1-LF - D-Sub-Steckverbinder, Gefiltert, Buchse, Cinch - FD, 25 Kontakt(e), DB, Lötanschluss
tariffCode: 85369010
rohsCompliant: YES
Kontaktüberzug: Kontakte beschichtet mit Gold über Nickel
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktmaterial: Kupferlegierung
Ausführung: Buchse
Steckverbindermontage: Durchsteckmontage
usEccn: EAR99
D-Sub-Steckverbinder: Gefiltert
Anzahl der Kontakte: 25Kontakt(e)
euEccn: NLR
D-Sub-Gehäusegröße: DB
Produktpalette: Cinch - FD
productTraceability: No
Kontaktanschluss: Lötanschluss
Steckverbindermaterial: Stahlgehäuse
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 460 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB-25SBL2T2/1-LF

Filter D Connector 25way Socket RS0049000000L1K

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FDB-25ST2/1-LF

Conn Filtered D-Sub SKT 25 POS Solder RA Thru-Hole 25 Terminal 1 Port

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FDB-25ST2/1-LF

Description: CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONS - FDB-25ST2/1-LF - D-Sub-Steckverbinder, Gefiltert, Buchse, Cinch - FD, 25 Kontakt(e), DB, Lötanschluss
tariffCode: 85369010
rohsCompliant: YES
Kontaktüberzug: Kontakte beschichtet mit Gold über Nickel
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktmaterial: Kupferlegierung
Ausführung: Buchse
Steckverbindermontage: Durchsteckmontage
usEccn: EAR99
D-Sub-Steckverbinder: Gefiltert
Anzahl der Kontakte: 25
euEccn: NLR
D-Sub-Gehäusegröße: DB
Produktpalette: Cinch - FD
productTraceability: No
Kontaktanschluss: Lötanschluss
Steckverbindermaterial: Stahlgehäuse
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 95 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB-3

Plato

Chemicals CAP 10/PACK

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FDB-3 24-M

Category: Surge Arresters
Description: Surge arrestor; Type 2+3; Poles: 3; 22VAC; M20x1.5; -20÷70°C; 32VDC
Mounting: M20x1.5
IP rating: IP65; IP67
Operating temperature: -20...70°C
Max. operating voltage: 22V AC; 32V DC
Leads: leads 250mm
Kind of surge arrester: Type 2+3
Conform to the norm: ATEX Ex
Type of protection: surge arrestor
Number of poles: 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FDB-3 24-M

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FDB-3 24-N

Category: Surge Arresters
Description: Surge arrestor; Type 2+3; Poles: 3; 22VAC; 1/2" NPT; -20÷70°C
IP rating: IP65; IP67
Operating temperature: -20...70°C
Conform to the norm: ATEX Ex
Kind of surge arrester: Type 2+3
Type of protection: surge arrestor
Number of poles: 3
Mounting: 1/2" NPT
Max. operating voltage: 22V AC; 32V DC
Leads: leads 250mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FDB-3 24-N

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FDB-4

Plato

Chemicals YELLOWCAP 10/PACK

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FDB-GP

Description: CONN GUIDE PLATE

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FDB-P

Description: CONN PRESSURE BLOOK FOR PLUG

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FDB-P

Bench Top Tools BLOOK FOR PLUG CONN PRESSURE

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FDB-S

Description: CONN PRESSURE BLOOK FOR SKT

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FDB0105N407L

Trans MOSFET N-CH 40V 460A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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FDB0105N407L

Description: ONSEMI - FDB0105N407L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 460 A, 600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 300
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

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FDB0105N407L

Description: MOSFET N-CH 40V 460A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 291 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23100 pF @ 20 V

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FDB0105N407L

MOSFET 40V N-Channel Power Trench MOSFET

auf Bestellung 1582 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	11.26 EUR
10+	10.27 EUR
25+	10.11 EUR
100+	9.13 EUR
250+	8.94 EUR
500+	7.85 EUR

Mindestbestellmenge: 5

FDB0105N407L
Produktcode: 155287

Transistoren > MOSFET N-CH

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FDB0105N407L

Description: ONSEMI - FDB0105N407L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 460 A, 600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 460
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 600
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

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FDB0105N407L

Trans MOSFET N-CH 40V 460A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB0105N407L

Description: MOSFET N-CH 40V 460A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 291 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23100 pF @ 20 V

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FDB0105N407L

Trans MOSFET N-CH 40V 460A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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FDB0105N407L

auf Bestellung 790 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB0105N407L

Trans MOSFET N-CH 40V 460A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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FDB0165N807L

Trans MOSFET N-CH 80V 310A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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FDB0165N807L

Description: MOSFET N-CH 80V 310A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 304 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23660 pF @ 40 V

auf Bestellung 2488 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	19.03 EUR
10+	16.33 EUR
100+	13.6 EUR

Mindestbestellmenge: 2

FDB0165N807L

Description: MOSFET N-CH 80V 310A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 304 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23660 pF @ 40 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

800+	12 EUR

Mindestbestellmenge: 800

FDB0165N807L

MOSFET 150V 7L JEDEC GREEN EMC

auf Bestellung 3014 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

3+	19.37 EUR
10+	16.59 EUR
25+	15.03 EUR
100+	13.83 EUR
250+	13 EUR
500+	12.22 EUR
800+	10.97 EUR

Mindestbestellmenge: 3

FDB016N04AL7

auf Bestellung 740 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB016N04AL7

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 769 Stücke:

Lieferzeit 234-248 Tag (e)

5+	11.96 EUR
100+	10.76 EUR
500+	9.46 EUR

Mindestbestellmenge: 5

FDB016N04AL7

Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 25 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	9.8 EUR
10+	8.25 EUR
100+	6.67 EUR

Mindestbestellmenge: 3

FDB016N04AL7

Trans MOSFET N-CH Si 40V 306A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB016N04AL7

Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 25 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

800+	5.93 EUR

Mindestbestellmenge: 800

FDB0170N607L

Trans MOSFET N-CH 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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FDB0170N607L

MOSFET 60V TO263 7L JEDEC GREEN EMC

auf Bestellung 13599 Stücke:

Lieferzeit 451-465 Tag (e)

6+	10.24 EUR
10+	9.2 EUR
100+	7.57 EUR
500+	6.99 EUR
800+	6.42 EUR

Mindestbestellmenge: 6

FDB0170N607L

Description: MOSFET N-CH 60V 300A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19250 pF @ 30 V

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FDB0170N607L

Trans MOSFET N-CH 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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FDB0170N607L

Description: MOSFET N-CH 60V 300A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19250 pF @ 30 V

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FDB0190N807L

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 190A; Idm: 1440A; 250W; D2PAK-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 190A
Pulsed drain current: 1.44kA
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 249nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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FDB0190N807L

Trans MOSFET N-CH 80V 270A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB0190N807L

Trans MOSFET N-CH 80V 270A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

28+	5.61 EUR
31+	4.79 EUR
100+	4 EUR
250+	3.78 EUR
500+	3.49 EUR

Mindestbestellmenge: 28

FDB0190N807L

Description: MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19110 pF @ 40 V

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FDB0190N807L

Trans MOSFET N-CH 80V 270A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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FDB0190N807L

Description: ONSEMI - FDB0190N807L - MOSFET, N-CH, 80V, 270A, 175DEG C, 250W
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 270
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 250
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: Power Trench Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013
SVHC: Lead

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FDB0190N807L

MOSFET 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC

auf Bestellung 6400 Stücke:

Lieferzeit 676-690 Tag (e)

4+	13.75 EUR
10+	11.91 EUR
25+	11.57 EUR
100+	9.7 EUR
250+	9.41 EUR
500+	7.12 EUR

Mindestbestellmenge: 4

FDB0190N807L

Produkt ist nicht verfügbar

FDB0190N807L

Description: MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19110 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB024N04AL7

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB024N04AL7

MOSFET 40V 2.4MOHM D2PAK-7L PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 816 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	14.3 EUR
10+	12.87 EUR
25+	12.17 EUR
100+	10.56 EUR

Mindestbestellmenge: 4

FDB024N04AL7

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V

auf Bestellung 33049 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

105+	6.89 EUR

Mindestbestellmenge: 105

FDB024N04AL7

Trans MOSFET N-CH 40V 219A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB024N06

Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 607 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	7.95 EUR
24+	6.4 EUR
26+	5.76 EUR
100+	4.85 EUR
250+	4.41 EUR
500+	3.22 EUR

Mindestbestellmenge: 20

FDB024N06

Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB024N06

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14885 pF @ 25 V

auf Bestellung 125 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	12.4 EUR
10+	10.42 EUR
100+	8.43 EUR

Mindestbestellmenge: 3

FDB024N06

Description: ONSEMI - FDB024N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0018 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 395
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 395
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018
SVHC: Lead (27-Jun-2018)

Produkt ist nicht verfügbar

FDB024N06

Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 607 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	7.95 EUR
24+	6.4 EUR
26+	5.76 EUR
100+	4.71 EUR
250+	4.36 EUR
500+	3.22 EUR

Mindestbestellmenge: 20

FDB024N06

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 190A; Idm: 1060A; 395W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 190A
Pulsed drain current: 1060A
Power dissipation: 395W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 226nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

FDB024N06

Produkt ist nicht verfügbar

FDB024N06

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14885 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB024N06

Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB024N06

Produkt ist nicht verfügbar

FDB024N06

MOSFET 60V N-Channel PowerTrench

auf Bestellung 1786 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	12.48 EUR
10+	10.48 EUR
25+	9.88 EUR
100+	8.48 EUR
250+	8.01 EUR
500+	7.51 EUR
800+	6.68 EUR

Mindestbestellmenge: 5

FDB024N08BL7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 162A; Idm: 916A; 246W; D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 246W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 178nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 916A
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 162A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

FDB024N08BL7

Produkt ist nicht verfügbar

FDB024N08BL7

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13530 pF @ 40 V

auf Bestellung 89995 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	11 EUR
10+	9.23 EUR
100+	7.47 EUR

Mindestbestellmenge: 3

FDB024N08BL7

Description: ONSEMI - FDB024N08BL7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 246
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0017
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

FDB024N08BL7

MOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 9464 Stücke:

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5+	11.08 EUR
10+	9.31 EUR
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250+	7.1 EUR
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800+	5.38 EUR

Mindestbestellmenge: 5

FDB024N08BL7

Trans MOSFET N-CH Si 80V 229A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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FDB024N08BL7

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13530 pF @ 40 V

auf Bestellung 89600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

800+	6.64 EUR
1600+	5.68 EUR
2400+	5.35 EUR

Mindestbestellmenge: 800

FDB0250N807L

Description: MOSFET N-CH 80V 240A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15400 pF @ 40 V

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FDB0250N807L

MOSFET 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC

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FDB0250N807L

Trans MOSFET N-CH 80V 240A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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FDB0250N807L

Description: MOSFET N-CH 80V 240A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15400 pF @ 40 V

auf Bestellung 760 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	14.77 EUR
10+	13.26 EUR
100+	10.86 EUR

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FDB0250N807L

auf Bestellung 760 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB0260N1007L

Trans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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FDB0260N1007L

Description: ONSEMI - FDB0260N1007L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm

auf Bestellung 520 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB0260N1007L

Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8545 pF @ 50 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

800+	14.69 EUR

Mindestbestellmenge: 800

FDB0260N1007L

auf Bestellung 520 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB0260N1007L

MOSFET 100V TO263 7L JEDEC GREEN EMC

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FDB0260N1007L

Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8545 pF @ 50 V

auf Bestellung 1306 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	23.32 EUR
10+	19.98 EUR
100+	16.65 EUR

Mindestbestellmenge: 2

FDB029N06

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9815 pF @ 25 V

auf Bestellung 7200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	16.51 EUR
10+	14.92 EUR
100+	12.35 EUR

Mindestbestellmenge: 2

FDB029N06

MOSFET NCH 60V 2.9Mohm

auf Bestellung 802 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	13.47 EUR
10+	12.53 EUR
25+	12.09 EUR
100+	10.87 EUR
250+	10.76 EUR
500+	10.01 EUR
800+	8.79 EUR

Mindestbestellmenge: 4

FDB029N06

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9815 pF @ 25 V

auf Bestellung 7200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

800+	10.75 EUR
1600+	9.37 EUR
2400+	9.02 EUR

Mindestbestellmenge: 800

FDB029N06

Trans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB029N06

Trans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB0300N1007L

Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8295 pF @ 50 V

auf Bestellung 1898 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	15.16 EUR
10+	13.62 EUR
100+	11.16 EUR

Mindestbestellmenge: 2

FDB0300N1007L

Trans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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FDB0300N1007L

Trans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 680 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	9.67 EUR
19+	8.23 EUR
25+	7.55 EUR
100+	6.26 EUR
250+	4.58 EUR
500+	4.35 EUR

Mindestbestellmenge: 17

FDB0300N1007L

Description: ONSEMI - FDB0300N1007L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 200
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.7
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

FDB0300N1007L

Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8295 pF @ 50 V

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

800+	9.5 EUR
1600+	8.01 EUR

Mindestbestellmenge: 800

FDB0300N1007L

Trans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB0300N1007L

MOSFET 100V TO263 7L JEDEC GREEN EMC

auf Bestellung 618 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	11.39 EUR
10+	10.04 EUR
25+	10.01 EUR
100+	7.31 EUR
250+	7.23 EUR

Mindestbestellmenge: 5

FDB031N08

Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB031N08

Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15160 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB031N08

Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB031N08

Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB031N08

MOSFET 75V N-Channel PowerTrench

auf Bestellung 710 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	15.6 EUR
10+	13.08 EUR
25+	12.61 EUR
100+	10.58 EUR
250+	9.98 EUR
500+	9.41 EUR
800+	8.06 EUR

Mindestbestellmenge: 4

FDB031N08

Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15160 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB031N08

Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB035AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 22A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

800+	7.92 EUR

Mindestbestellmenge: 800

FDB035AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB035AN06A0

MOSFET N-Channel PowerTrench

auf Bestellung 887 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	13.21 EUR
10+	11.08 EUR
25+	10.74 EUR
100+	8.97 EUR
250+	8.71 EUR
500+	8.42 EUR
800+	7.07 EUR

Mindestbestellmenge: 4

FDB035AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 190 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	8.74 EUR
21+	7.47 EUR
25+	7.12 EUR
100+	5.58 EUR

Mindestbestellmenge: 18

FDB035AN06A0

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 124nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 7.1mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 327 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

12+	6.44 EUR
15+	4.79 EUR
100+	4.76 EUR

Mindestbestellmenge: 12

FDB035AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 22A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V

auf Bestellung 1802 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	13.1 EUR
10+	11.01 EUR
100+	8.91 EUR

Mindestbestellmenge: 2

FDB035AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 190 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	8.74 EUR
21+	7.47 EUR
25+	7.12 EUR
100+	5.58 EUR

Mindestbestellmenge: 18

FDB035AN06A0

auf Bestellung 327 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	6.44 EUR
15+	4.79 EUR
100+	4.76 EUR

Mindestbestellmenge: 12

FDB035AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB035AN06A0-F085

Description: MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V

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FDB035AN06A0-F085

Trans MOSFET N-CH 60V 22A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB035AN06A0-F085

MOSFET N-Chan PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 790 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDB035AN06A0-F085

Description: MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB035AN06A0_F085

Description: MOSFET N-CH 60V 22A TO-263AB

auf Bestellung 61429600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB035AN06A0_F085

Description: MOSFET N-CH 60V 22A TO-263AB

auf Bestellung 29600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB035AN06A0_F085

Description: MOSFET N-CH 60V 22A TO-263AB

auf Bestellung 614 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB035AN06A0_Q

MOSFET N-Channel PowerTrench

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FDB035AN06AD

auf Bestellung 9600 Stücke:

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FDB035AN06AO

TO-263

auf Bestellung 10000 Stücke:

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FDB035N

06+ SIP

auf Bestellung 50 Stücke:

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FDB035N10A

Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB035N10A

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V

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FDB035N10A

Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB035N10A

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 856A; 333W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 333W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 116nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 856A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 3.5mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FDB035N10A

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FDB035N10A

Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB035N10A

Description: ONSEMI - FDB035N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 214 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 692 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB035N10A

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB035N10A

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V

auf Bestellung 703 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	15.96 EUR
10+	13.4 EUR
100+	10.84 EUR

Mindestbestellmenge: 2

FDB035N10A

MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 797 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	16.07 EUR
10+	13.49 EUR
25+	12.71 EUR
100+	10.89 EUR
250+	10.3 EUR
500+	9.7 EUR
800+	8.58 EUR

Mindestbestellmenge: 4

FDB035N10A

Description: ONSEMI - FDB035N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 214 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 214
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 333
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 692 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB039N06

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8235 pF @ 25 V

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FDB039N06

Trans MOSFET N-CH 60V 174A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB045AN08

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB045AN08

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB045AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	3.61 EUR
1600+	3.08 EUR

Mindestbestellmenge: 800

FDB045AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB045AN08A0

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 90A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 90A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 138nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

FDB045AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB045AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 35200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	4.39 EUR

Mindestbestellmenge: 800

FDB045AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB045AN08A0

MOSFET N-Channel UltraFET

auf Bestellung 8108 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	8.79 EUR
10+	7.38 EUR
25+	7.23 EUR
100+	5.98 EUR
250+	5.95 EUR
800+	4.68 EUR

Mindestbestellmenge: 6

FDB045AN08A0

Description: MOSFET N-CH 75V 19A/90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V

auf Bestellung 563 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	8.71 EUR
10+	7.31 EUR
100+	5.91 EUR

Mindestbestellmenge: 3

FDB045AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB045AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	3.41 EUR
1600+	2.91 EUR

Mindestbestellmenge: 800

FDB045AN08A0

Description: MOSFET N-CH 75V 19A/90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB045AN08A0

Produkt ist nicht verfügbar

FDB045AN08A0-F085

MOSFET 75V N-CHAN PwrTrench

Produkt ist nicht verfügbar

FDB045AN08A0-F085

Description: MOSFET N-CH 75V 19A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

FDB045AN08A0-F085

Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB045AN08A0-F085

Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB045AN08A0-F085

Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB045AN08A0-F085

Description: MOSFET N-CH 75V 19A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

FDB045AN08A0-F085C

Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK-3 (TO-263-3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB045AN08A0-SN00237

Trans MOSFET N-CH 75V 19A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB045AN08A0_F085

Description: MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

FDB045AN08A0_F085

Description: MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK

auf Bestellung 568 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB045AN08A0_F085

Description: MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK

auf Bestellung 568 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB047N10

Description: ONSEMI - FDB047N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 375
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

FDB047N10

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	3.45 EUR
1600+	3.06 EUR

Mindestbestellmenge: 800

FDB047N10

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 790 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	5.99 EUR
31+	4.92 EUR
33+	4.47 EUR
100+	3.62 EUR
250+	3.42 EUR
500+	2.93 EUR

Mindestbestellmenge: 27

FDB047N10

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 164A; Idm: 656A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 164A
Pulsed drain current: 656A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

FDB047N10

Description: ONSEMI - FDB047N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 375
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

FDB047N10

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB047N10

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	3.53 EUR

Mindestbestellmenge: 800

FDB047N10

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB047N10

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	3.44 EUR
1600+	3.05 EUR

Mindestbestellmenge: 800

FDB047N10

Produkt ist nicht verfügbar

FDB047N10

MOSFET 100V N-Channel PowerTrench

auf Bestellung 11380 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	9.39 EUR
10+	8.01 EUR
25+	7.41 EUR
100+	6.4 EUR
250+	6.34 EUR
500+	5.51 EUR
800+	5.04 EUR

Mindestbestellmenge: 6

FDB047N10

TO263 10+

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB047N10

Description: ONSEMI - FDB047N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

FDB047N10

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB047N10

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	3.53 EUR

Mindestbestellmenge: 800

FDB047N10

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 790 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	5.99 EUR
31+	4.92 EUR
33+	4.47 EUR
100+	3.62 EUR
250+	3.42 EUR
500+	2.93 EUR

Mindestbestellmenge: 27

FDB050AN06A0

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB050AN06A0

MOSFET 60V N-Ch PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 566 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

9+	6.06 EUR
11+	5.04 EUR
100+	4 EUR
250+	3.69 EUR
500+	3.35 EUR
800+	2.94 EUR

Mindestbestellmenge: 9

FDB050AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB050AN06A0

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB050AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V

auf Bestellung 114 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	6.86 EUR
10+	6.17 EUR
100+	4.96 EUR

Mindestbestellmenge: 4

FDB050AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB050AN06A0

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB050AN06A0

Description: ONSEMI - FDB050AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 245
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

auf Bestellung 339 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB050AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB050AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB060AN08A0

Description: MOSFET N-CH 75V 16A/80A D2PAK

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

800+	6.73 EUR
1600+	5.68 EUR

Mindestbestellmenge: 800

FDB060AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB060AN08A0

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB060AN08A0

Description: ONSEMI - FDB060AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0048 ohm, TO-263 (D2PAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 80
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 255
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 255
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0048
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 758 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB060AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 390 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

26+	6.09 EUR
29+	5.25 EUR
30+	4.92 EUR
100+	3.84 EUR
250+	3.63 EUR

Mindestbestellmenge: 26

FDB060AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB060AN08A0

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB060AN08A0

Description: MOSFET N-CH 75V 16A/80A D2PAK

auf Bestellung 2950 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	10.76 EUR
10+	9.65 EUR
100+	7.91 EUR

Mindestbestellmenge: 3

FDB060AN08A0

MOSFET Discrete Auto N-Ch PowerTrench

auf Bestellung 1163 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.73 EUR
10+	6.03 EUR
25+	5.95 EUR
100+	5.3 EUR
250+	5.25 EUR
500+	5.12 EUR
800+	4.37 EUR

Mindestbestellmenge: 8

FDB060AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 390 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

26+	6.09 EUR
29+	5.25 EUR
30+	4.92 EUR
100+	3.84 EUR
250+	3.63 EUR

Mindestbestellmenge: 26

FDB0630N1507L

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB0630N1507L

Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9895 pF @ 75 V

auf Bestellung 78400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

800+	9.77 EUR
1600+	8.79 EUR
2400+	8.24 EUR

Mindestbestellmenge: 800

FDB0630N1507L

MOSFET 150V 7L JEDEC GREEN EMC

auf Bestellung 3620 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	15.73 EUR
10+	13.52 EUR
25+	12.27 EUR
100+	11.26 EUR
250+	10.58 EUR
500+	9.78 EUR
800+	8.68 EUR

Mindestbestellmenge: 4

FDB0630N1507L

Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9895 pF @ 75 V

auf Bestellung 79324 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	15.5 EUR
10+	13.28 EUR
100+	11.07 EUR

Mindestbestellmenge: 2

FDB0690N1507L

MOSFET 150V TO263 7L JEDEC GREEN EMC

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FDB069AN04C0-BINZ

auf Bestellung 1688 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB070AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 15A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

auf Bestellung 7986 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	7.83 EUR
10+	6.56 EUR
100+	5.31 EUR

Mindestbestellmenge: 4

FDB070AN06A0

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 175W; D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 175W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 66nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: D2PAK

auf Bestellung 18 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	3.98 EUR

Mindestbestellmenge: 18

FDB070AN06A0

auf Bestellung 18 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

18+	3.98 EUR
800+	2.6 EUR

Mindestbestellmenge: 18

FDB070AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 15A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

auf Bestellung 7200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

800+	4.72 EUR
1600+	4.04 EUR
2400+	3.81 EUR
5600+	3.65 EUR

Mindestbestellmenge: 800

FDB070AN06A0

MOSFET N-Channel PT 6V 8A 7mOhm

auf Bestellung 1657 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	7.8 EUR
10+	6.55 EUR
25+	6.45 EUR
100+	5.28 EUR
250+	5.17 EUR
500+	4.5 EUR
800+	3.9 EUR

Mindestbestellmenge: 7

FDB070AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB070AN06A0-F085

MOSFET N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET

auf Bestellung 695 Stücke:

Lieferzeit 781-795 Tag (e)

7+	8.45 EUR
10+	7.62 EUR
100+	6.24 EUR
500+	5.3 EUR

Mindestbestellmenge: 7

FDB070AN06A0-F085

Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB070AN06A0_F085

Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO-263AB

auf Bestellung 65024800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB070AN06A0_F085

Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO-263AB

auf Bestellung 24800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB070AN06A0_F085

Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO-263AB

auf Bestellung 650 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB075N15A

Description: MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V

auf Bestellung 6896 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	12.84 EUR
10+	10.77 EUR
100+	8.72 EUR

Mindestbestellmenge: 3

FDB075N15A

Description: ONSEMI - FDB075N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 0.00625 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00625ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB075N15A

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB075N15A

Description: MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V

auf Bestellung 6400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

800+	7.75 EUR
1600+	6.63 EUR
2400+	6.25 EUR

Mindestbestellmenge: 800

FDB075N15A

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 47 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	5.85 EUR
29+	5.24 EUR

Mindestbestellmenge: 27

FDB075N15A

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB075N15A

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB075N15A

MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 588 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	12.92 EUR
10+	10.84 EUR
25+	10.22 EUR
100+	8.79 EUR
250+	8.27 EUR
500+	7.77 EUR
800+	6.92 EUR

Mindestbestellmenge: 5

FDB075N15A

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 47 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	5.87 EUR
29+	5.26 EUR

Mindestbestellmenge: 27

FDB075N15A

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB075N15A-F085

Trans MOSFET N-CH 150V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB075N15A-F085

Trans MOSFET N-CH 150V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB075N15A-F085

Description: MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5595 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	9.98 EUR

Mindestbestellmenge: 3

FDB075N15A-F085

MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET 150V, 110A, 5.5mohm

auf Bestellung 1474 Stücke:

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5+	10.76 EUR
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FDB075N15A-F085

Description: MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5595 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101

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FDB075N15A-F085

Description: ONSEMI - FDB075N15A-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 110 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 110
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 333
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 333
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: FDB PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

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FDB075N15A-F085

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 333W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 110A
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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FDB075N15A-F085

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FDB075N15A-F085C

Description: MODULE
Packaging: Bulk

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FDB075N15A_SN00284

Description: MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V

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FDB075N15A_TAPE

Micross Components

FDB075N15A_TAPE

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FDB082N15A

Description: MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 117A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V

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FDB082N15A

Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB082N15A

Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB082N15A

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; Idm: 468A; 294W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 294W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
On-state resistance: 8.2mΩ
Polarisation: unipolar
Gate charge: 84nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 468A

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FDB082N15A

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FDB082N15A

Description: MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 117A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V

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FDB082N15A

Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB082N15A

Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB082N15A

MOSFET 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET

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250+	10.22 EUR
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FDB088N08

FDB088N08 SMD N channel transistors

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FDB088N08

Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK

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FDB088N08

Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK

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FDB088N08

MOSFET NCH 75V 8.8Mohm

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100+	4.47 EUR
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500+	3.74 EUR
800+	3.22 EUR
2400+	3.04 EUR

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FDB088N08

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB088N08

Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK

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FDB10AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB10AN06A0

TO-263

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FDB10AN06A0

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB10AN06A0

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB10AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO-263AB

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FDB10AN06AO

03+ TO

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FDB10N20L

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB10N20L

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB110N15A

Description: MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 92A, 10V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4510 pF @ 75 V

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3+	12.4 EUR
10+	10.43 EUR
100+	8.43 EUR

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FDB110N15A

MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET

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6+	9.57 EUR
10+	8.71 EUR
25+	8.68 EUR
100+	7.67 EUR
250+	7.49 EUR
500+	7.12 EUR
800+	6.19 EUR

Mindestbestellmenge: 6

FDB110N15A

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 65A; Idm: 369A; 234W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 369A
Power dissipation: 234W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FDB110N15A

Description: MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 92A, 10V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4510 pF @ 75 V

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

800+	7.5 EUR
1600+	6.42 EUR

Mindestbestellmenge: 800

FDB110N15A

Trans MOSFET N-CH 150V 92A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB110N15A

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FDB120N10

Description: MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 74A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5605 pF @ 25 V

auf Bestellung 453 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	7.28 EUR
10+	6.1 EUR
100+	4.94 EUR

Mindestbestellmenge: 4

FDB120N10

Trans MOSFET N-CH 100V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB120N10

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 52A; Idm: 296A; 170W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 52A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 170W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 86nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 296A

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FDB120N10

Description: MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 74A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5605 pF @ 25 V

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FDB120N10

MOSFET 100V N-Chan 12Mohm PowerTrench

auf Bestellung 4193 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	7.33 EUR
10+	6.16 EUR
25+	6.14 EUR
100+	4.99 EUR
500+	4.97 EUR
800+	3.56 EUR

Mindestbestellmenge: 8

FDB120N10

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FDB12N50FTM

Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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FDB12N50FTM-WS

Trans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB12N50FTM-WS

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 165W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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FDB12N50FTM-WS

Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395 pF @ 25 V

auf Bestellung 39 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	4.52 EUR
10+	3.74 EUR

Mindestbestellmenge: 6

FDB12N50FTM-WS

MOSFET 500V 11.5A 0.7Ohm N-Channel

auf Bestellung 210 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

11+	5.1 EUR
12+	4.6 EUR
25+	4.45 EUR
100+	3.72 EUR

Mindestbestellmenge: 11

FDB12N50FTM-WS

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FDB12N50FTM-WS

Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395 pF @ 25 V

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FDB12N50TM

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 165W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FDB12N50TM

Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V

auf Bestellung 1 Stücke:

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FDB12N50TM

Trans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB12N50TM

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 165W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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FDB12N50TM

Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V

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FDB12N50TM

MOSFET 500V N-CH MOSFET

auf Bestellung 767 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

10+	5.38 EUR
12+	4.47 EUR
100+	3.56 EUR
250+	3.28 EUR
500+	3.12 EUR
800+	2.56 EUR
2400+	2.42 EUR

Mindestbestellmenge: 10

FDB12N50UTM

Description: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 2040 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

333+	2.16 EUR

Mindestbestellmenge: 333

FDB12N50UTM-WS

Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB12N50UTM_WS

Description: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB12N50UTM_WS

Description: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB13AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 29 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB13AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 29 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB13AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V

auf Bestellung 266 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	5.04 EUR
10+	4.19 EUR
100+	3.33 EUR

Mindestbestellmenge: 6

FDB13AN06A0

Transistor N-MOSFET; 60V; 10V; 13,5mOhm; 62A; 115W; -55°C ~ 175°C; FDB13AN06A0 TFDB13AN06A0
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	5.7 EUR

Mindestbestellmenge: 10

FDB13AN06A0

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 62A; 115W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 62A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

FDB13AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB13AN06A0

MOSFET N-Channel PowerTrench

auf Bestellung 6267 Stücke:

Lieferzeit 182-196 Tag (e)

11+	5.07 EUR
13+	4.24 EUR
100+	3.35 EUR
500+	3.22 EUR
800+	2.44 EUR

Mindestbestellmenge: 11

FDB13AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB13AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB13AN06A0

Produkt ist nicht verfügbar

FDB13AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB13AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB14AN06LA

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB14AN06LA

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB14AN06LA0

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB14AN06LA0

MOSFET 60V N-Ch PowerTrench MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

FDB14AN06LA0

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB14AN06LA0

Description: MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO263AB

Produkt ist nicht verfügbar

FDB14AN06LA0-F085

Description: MOSFET N-CH 60V 67A TO263AB

Produkt ist nicht verfügbar

FDB14AN06LA0-F085

Description: ONSEMI - FDB14AN06LA0-F085 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

FDB14AN06LA0-F085

Trans MOSFET N-CH 60V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB14AN06LA0-F085

Description: MOSFET N-CH 60V 67A TO263AB

Produkt ist nicht verfügbar

FDB14AN06LA0-F085

MOSFET 60V N-CHAN PwrTrench

auf Bestellung 1182 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDB14AN06LA0-F085

Trans MOSFET N-CH 60V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB14N30

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB14N30

onsemi UF 300V 290MOHM D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

FDB14N30

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB14N30TM

Trans MOSFET N-CH 300V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB14N30TM

Trans MOSFET N-CH 300V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 804 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

73+	2.17 EUR
80+	1.89 EUR
81+	1.81 EUR
100+	1.42 EUR
250+	1.34 EUR
500+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 73

FDB14N30TM

Description: MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB14N30TM

Description: ONSEMI - FDB14N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 14 A, 0.24 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 140
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

auf Bestellung 6551 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB14N30TM

Trans MOSFET N-CH 300V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB14N30TM

Trans MOSFET N-CH 300V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 804 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

80+	1.96 EUR
81+	1.88 EUR
100+	1.47 EUR
250+	1.4 EUR
500+	1.16 EUR

Mindestbestellmenge: 80

FDB14N30TM

Description: MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB14N30TM

Description: ONSEMI - FDB14N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 14 A, 0.24 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

auf Bestellung 6551 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB14N30TM

MOSFET 300V N-Ch MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

FDB150N10

Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V

auf Bestellung 588 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	9.2 EUR
10+	7.71 EUR
100+	6.24 EUR

Mindestbestellmenge: 3

FDB150N10

MOSFET 100V N-Channel PowerTrench

Produkt ist nicht verfügbar

FDB150N10

Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB150N10

Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB15N50

Description: MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB15N50

MOSFET 15A 500V 0.38 Ohm N-Ch SMPS Pwr

Produkt ist nicht verfügbar

FDB15N50

Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB15N50

Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB15N50

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

FDB15N50

Description: MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB15N50

Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB15N50

Produkt ist nicht verfügbar

FDB15N50
Produktcode: 46102

Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2

Produkt ist nicht verfügbar

FDB15N50_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB16AN08A0

Description: ONSEMI - FDB16AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 58 A, 0.016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 58
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

FDB16AN08A0

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB16AN08A0

Description: MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	6.76 EUR
10+	5.61 EUR
100+	4.47 EUR

Mindestbestellmenge: 4

FDB16AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB16AN08A0

Description: ONSEMI - FDB16AN08A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 72 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB16AN08A0

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB16AN08A0

MOSFET Discrete Auto N-Ch UltraFET Trench

auf Bestellung 2377 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.63 EUR
10+	5.56 EUR
100+	4.47 EUR
250+	4.45 EUR
500+	4.42 EUR
800+	3.22 EUR
2400+	3.02 EUR

Mindestbestellmenge: 8

FDB16AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB16AN08A0

Description: MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

800+	3.78 EUR
1600+	3.21 EUR
2400+	3.05 EUR

Mindestbestellmenge: 800

FDB1D7N10CL7

Description: MOSFET N-CH 100V 268A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 268A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB1D7N10CL7

Trans MOSFET N-CH 100V 268A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB1D7N10CL7

auf Bestellung 737 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB1D7N10CL7

MOSFET MOSFET 100V 268A 1.7 mOhm

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 620-634 Tag (e)

3+	17.42 EUR
10+	14.92 EUR
100+	12.43 EUR
500+	10.97 EUR

Mindestbestellmenge: 3

FDB1D7N10CL7

Trans MOSFET N-CH 100V 268A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB1D7N10CL7

Description: MOSFET N-CH 100V 268A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 268A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB1D7N10CL7

Trans MOSFET N-CH 100V 268A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB20AN06A0

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB20AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 9A/45A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V

auf Bestellung 5810 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

545+	1.43 EUR

Mindestbestellmenge: 545

FDB20AN06A0

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB20AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 9A/45A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB20AN06A0

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB20AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB20N50F

Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB20N50F

Description: ONSEMI - FDB20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 250
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 966 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB20N50F

Description: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V

auf Bestellung 5600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

800+	4.8 EUR
1600+	4.11 EUR
2400+	3.87 EUR
5600+	3.71 EUR

Mindestbestellmenge: 800

FDB20N50F

Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB20N50F

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FDB20N50F

Produkt ist nicht verfügbar

FDB20N50F

Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB20N50F

Description: ONSEMI - FDB20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 250
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

auf Bestellung 966 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB20N50F

MOSFET N-Channel UniFET^TM FRFET MOSFET 500V,

auf Bestellung 1572 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	8.01 EUR
10+	6.73 EUR
100+	5.43 EUR
500+	5.38 EUR
800+	4.29 EUR

Mindestbestellmenge: 7

FDB20N50F

Description: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V

auf Bestellung 6234 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	7.96 EUR
10+	6.68 EUR
100+	5.4 EUR

Mindestbestellmenge: 4

FDB24AN06LA0

Description: MOSFET N-CH 60V 7.8A/40A TO263AB

Produkt ist nicht verfügbar

FDB24AN06LA0

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB24AN06LA0

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB24AN06LA0

MOSFET 60V N-Channel PowerTrench

Produkt ist nicht verfügbar

FDB24AN06LA0

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO-263AB

Produkt ist nicht verfügbar

FDB24AN06LA0

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB2532

MOSFET 150V N-Channel QFET Trench

auf Bestellung 1425 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	10.22 EUR
10+	8.61 EUR
100+	6.97 EUR
500+	6.76 EUR
800+	5.46 EUR

Mindestbestellmenge: 6

FDB2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 738 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

36+	4.41 EUR
40+	3.84 EUR
42+	3.46 EUR
100+	3.01 EUR
250+	2.75 EUR
500+	2.48 EUR

Mindestbestellmenge: 36

FDB2532

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 406 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	4.88 EUR
21+	3.45 EUR
22+	3.26 EUR

Mindestbestellmenge: 15

FDB2532

Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V

auf Bestellung 206 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	10.17 EUR
10+	8.53 EUR
100+	6.9 EUR

Mindestbestellmenge: 3

FDB2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 738 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

36+	4.41 EUR
40+	3.84 EUR
42+	3.46 EUR
100+	3.01 EUR
250+	2.75 EUR
500+	2.48 EUR

Mindestbestellmenge: 36

FDB2532
Produktcode: 61087

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

FDB2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	4.04 EUR

Mindestbestellmenge: 800

FDB2532

Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB2532

auf Bestellung 406 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

15+	4.88 EUR
21+	3.45 EUR
22+	3.26 EUR
800+	3.25 EUR

Mindestbestellmenge: 15

FDB2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB2532-F085

Description: MOSFET N-CH 150V 79A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

FDB2532-F085

MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

FDB2532-F085

Trans MOSFET N-CH 150V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB2532-F085

Trans MOSFET N-CH 150V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB2532-F085

Description: MOSFET N-CH 150V 79A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

FDB2532_SB82254

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

FDB2552

Description: MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB2552

Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB2552

Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 676 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

37+	4.29 EUR
41+	3.7 EUR
42+	3.5 EUR
100+	2.75 EUR
250+	2.62 EUR
500+	1.89 EUR

Mindestbestellmenge: 37

FDB2552

Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 676 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

37+	4.29 EUR
41+	3.7 EUR
42+	3.5 EUR
100+	2.75 EUR
250+	2.62 EUR
500+	1.89 EUR

Mindestbestellmenge: 37

FDB2552

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 26A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

FDB2552

Description: MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB2552

MOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench

auf Bestellung 3735 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

10+	5.56 EUR
12+	4.42 EUR
100+	3.67 EUR
800+	2.63 EUR
2400+	2.6 EUR

Mindestbestellmenge: 10

FDB2552

Produkt ist nicht verfügbar

FDB2552

Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB2552-F085

MOSFET N-Chan PowerTrench M OSFET

auf Bestellung 301 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDB2552-F085

Trans MOSFET N-CH 150V 5A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB2570

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

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FDB2570

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

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FDB2570

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

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FDB2572

MOSFET N-Channel UltraFET

auf Bestellung 489 Stücke:

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11+	5.02 EUR
13+	4.16 EUR
100+	3.3 EUR
250+	3.04 EUR
500+	2.76 EUR
800+	2.41 EUR

Mindestbestellmenge: 11

FDB2572

Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 48 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB2572

Description: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V

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FDB2572

Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 48 Stücke:

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FDB2572

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 29A; 135W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 29A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 146mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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FDB2572

Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB2572

Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB2572

Description: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V

auf Bestellung 275 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	4.99 EUR
10+	4.14 EUR
100+	3.29 EUR

Mindestbestellmenge: 6

FDB2572

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FDB2572_Q

MOSFET

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FDB2614

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 62A; 260W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 99nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 260W
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 62A
On-state resistance: 27mΩ

Produkt ist nicht verfügbar

FDB2614

Description: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V

auf Bestellung 24 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	10.87 EUR
10+	9.14 EUR

Mindestbestellmenge: 3

FDB2614

Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB2614

MOSFET 200V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 3544 Stücke:

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5+	10.95 EUR
10+	9.2 EUR
100+	7.44 EUR
800+	5.85 EUR

Mindestbestellmenge: 5

FDB2614

Description: ONSEMI - FDB2614 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.0229 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 62
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 260
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0229
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 2040 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB2614

Description: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V

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FDB2614

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FDB2670

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB2670

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB2670

Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 100 V

auf Bestellung 3668 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

182+	3.96 EUR

Mindestbestellmenge: 182

FDB2670

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube

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FDB2670

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB2710

Description: MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V

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FDB2710

Trans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB2710

Trans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB2710

Description: ONSEMI - FDB2710 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 50 A, 0.0363 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 260
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0363
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 713 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB2710

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 260W; D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 260W
Gate charge: 101nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
On-state resistance: 36.3mΩ

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FDB2710

MOSFET 250V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 5600 Stücke:

Lieferzeit 511-525 Tag (e)

5+	11.65 EUR
10+	9.8 EUR
25+	9.62 EUR
100+	7.93 EUR
500+	7.88 EUR
800+	6.24 EUR

Mindestbestellmenge: 5

FDB2710

Description: MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V

auf Bestellung 371 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	11.41 EUR
10+	9.59 EUR
100+	7.76 EUR

Mindestbestellmenge: 3

FDB2710

Produkt ist nicht verfügbar

FDB2710

Trans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB2710

Description: ONSEMI - FDB2710 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 50 A, 0.0363 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 50
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 260
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0363
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0363
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 713 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB28N30TM

Description: MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V

auf Bestellung 3295 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	4.99 EUR
10+	4.15 EUR
100+	3.3 EUR

Mindestbestellmenge: 6

FDB28N30TM

Transistor N-Channel MOSFET; 300V; 10V; 129mOhm; 28A; 250W; -55°C~150°C; FDB28N30TM TFDB28n30tm
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	4.72 EUR

Mindestbestellmenge: 10

FDB28N30TM

Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB28N30TM

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 28A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 28A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.129Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

FDB28N30TM

Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB28N30TM

MOSFET 300V N-Channel

auf Bestellung 20718 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

11+	5.07 EUR
13+	4.24 EUR
100+	3.38 EUR
250+	3.3 EUR
500+	2.99 EUR
800+	2.44 EUR

Mindestbestellmenge: 11

FDB28N30TM

Description: MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V

auf Bestellung 3200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

800+	2.8 EUR
1600+	2.37 EUR
2400+	2.25 EUR

Mindestbestellmenge: 800

FDB28N30TM

Produkt ist nicht verfügbar

FDB28N30TM

Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB28N30TM

Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB28N30TM

Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB28N30TM транзистор
Produktcode: 193843

Transistoren > MOSFET N-CH

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FDB32N12

auf Bestellung 50000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB33N25

MOSFET UF 250V 94MOHM D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

FDB33N25

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB33N25

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB33N25TM

Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB33N25TM

N-MOSFET 33A 250V 235W 0.094Ω FDB33N25TM TFDB33N25TM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 85 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	3.06 EUR

Mindestbestellmenge: 10

FDB33N25TM

Description: MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB33N25TM

Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB33N25TM

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 33A; 235W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 33A
Power dissipation: 235W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 659 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

32+	2.3 EUR
36+	2.03 EUR
41+	1.74 EUR
44+	1.66 EUR
800+	1.59 EUR

Mindestbestellmenge: 32

FDB33N25TM

Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB33N25TM

MOSFET 250V N-Ch MOSFET

auf Bestellung 5879 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

10+	5.49 EUR
13+	4.26 EUR
100+	3.64 EUR
250+	3.56 EUR
800+	2.68 EUR

Mindestbestellmenge: 10

FDB33N25TM

Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 6400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	1.68 EUR
2400+	1.61 EUR

Mindestbestellmenge: 800

FDB33N25TM

Description: MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB33N25TM

auf Bestellung 659 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

32+	2.3 EUR
36+	2.03 EUR
41+	1.74 EUR
44+	1.66 EUR

Mindestbestellmenge: 32

FDB3502

Description: ONSEMI - FDB3502 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 18155 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB3502

MOSFET 75V N-Channel PowerTrench

auf Bestellung 2278 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

17+	3.12 EUR
19+	2.81 EUR
100+	2.51 EUR
250+	2.3 EUR
500+	2.28 EUR
800+	1.87 EUR
2400+	1.82 EUR

Mindestbestellmenge: 17

FDB3502

Trans MOSFET N-CH Si 75V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 234 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB3502

Description: MOSFET N-CH 75V 6A/14A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815 pF @ 40 V

auf Bestellung 619 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	4 EUR
10+	3.34 EUR
100+	2.65 EUR

Mindestbestellmenge: 7

FDB3502

auf Bestellung 790 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB3502

Trans MOSFET N-CH Si 75V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB3502

Description: MOSFET N-CH 75V 6A/14A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB3632

Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB3632

Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB3632

Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB3632

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

FDB3632

Produkt ist nicht verfügbar

FDB3632

Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB3632

Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB3632

MOSFET N-Channel PowerTrench

auf Bestellung 20487 Stücke:

Lieferzeit 946-960 Tag (e)

8+	7.33 EUR
10+	6.16 EUR
25+	6.01 EUR
100+	4.99 EUR
800+	3.93 EUR

Mindestbestellmenge: 8

FDB3632-F085

Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

FDB3632-F085

MOSFET 100V N-Channel Power Trench MOSFET

auf Bestellung 889 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDB3632-F085

Trans MOSFET N-CH 100V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB3632-F085

Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

FDB3632-F101

Trans MOSFET N-CH 100V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB3632-SN00239

Trans MOSFET N-CH 100V 12A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB3632.

Description: ONSEMI - FDB3632. - MOSFET, FULL REEL
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 80
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 310
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 310
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: Lead

Produkt ist nicht verfügbar

FDB3632_F085

Trans MOSFET N-CH 100V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB3632_Q

MOSFET N-Channel PowerTrench

Produkt ist nicht verfügbar

FDB3632_SB82115

Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB3652

Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB3652

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 61A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 61A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 786 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	2.42 EUR
34+	2.14 EUR
41+	1.74 EUR
44+	1.66 EUR

Mindestbestellmenge: 30

FDB3652

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB3652

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB3652

Description: ONSEMI - FDB3652 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1590 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB3652

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB3652

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB3652

MOSFET N-Channel PowerTrench

Produkt ist nicht verfügbar

FDB3652

Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB3652
Produktcode: 155755

VBSemi

Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 100 V
Idd,A: 61 A
Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2880/41
JHGF: SMD

auf Bestellung 20 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB3652

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB3652

auf Bestellung 786 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

30+	2.42 EUR
34+	2.14 EUR
41+	1.74 EUR
44+	1.66 EUR

Mindestbestellmenge: 30

FDB3652

auf Bestellung 1590 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB3652-F085

Trans MOSFET N-CH 100V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB3652-F085

MOSFET N-Ch PowerTrench Trench Mos.

Produkt ist nicht verfügbar

FDB3652-F085

Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

FDB3652-F085

Description: ONSEMI - FDB3652-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.6 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 3307 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB3652-F085

Trans MOSFET N-CH 100V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB3652-F085

Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

FDB3652SB82059

Description: ONSEMI - FDB3652SB82059 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB3652SB82059

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

116+	6.24 EUR

Mindestbestellmenge: 116

FDB3652_Q

MOSFET N-Channel PowerTrench

Produkt ist nicht verfügbar

FDB3672

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB3672

MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

FDB3672

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB3672

Description: MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263

Produkt ist nicht verfügbar

FDB3672

Description: MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263

Produkt ist nicht verfügbar

FDB3672-F085

Description: MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB3672-F085

Description: ONSEMI - FDB3672-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.024 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 44
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

FDB3672-F085

Description: MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V

auf Bestellung 777 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	6.63 EUR
10+	5.96 EUR
100+	4.79 EUR

Mindestbestellmenge: 4

FDB3672-F085

MOSFET 100V 44A N-Channel PowerTrench

auf Bestellung 1157 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

9+	6.45 EUR
10+	5.82 EUR
25+	5.51 EUR
100+	4.68 EUR
500+	3.87 EUR

Mindestbestellmenge: 9

FDB3672_F085

Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK

auf Bestellung 3200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB3672_F085

Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK

auf Bestellung 1021 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB3672_F085

Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK

auf Bestellung 10213200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB3672_F085/BKN

Description: FDB3672_F085/BKN

Produkt ist nicht verfügbar

FDB3682

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB3682

Description: MOSFET N-CH 100V 6A/32A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V

auf Bestellung 862 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	5.49 EUR
10+	4.54 EUR
100+	3.62 EUR

Mindestbestellmenge: 5

FDB3682

MOSFET 100V N-Channel Pwr Trench

auf Bestellung 7224 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

10+	5.51 EUR
12+	4.6 EUR
100+	3.64 EUR
500+	3.61 EUR
800+	2.6 EUR
2400+	2.47 EUR
4800+	2.4 EUR

Mindestbestellmenge: 10

FDB3682

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB3682

Description: MOSFET N-CH 100V 6A/32A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

800+	3.06 EUR

Mindestbestellmenge: 800

FDB3682

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB3860

Description: MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

FDB3860

Description: MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

FDB3860

Description: MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

FDB38N30U

MOSFET N-Channel UniFET^TM Ultra FRFET^TM MOSFET 300V, 38A, 120mO

auf Bestellung 4937 Stücke:

Lieferzeit 679-693 Tag (e)

7+	7.64 EUR
10+	6.42 EUR
25+	6.32 EUR
100+	5.2 EUR
800+	4.08 EUR

Mindestbestellmenge: 7

FDB38N30U

Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB38N30U

Description: MOSFET N CH 300V 38A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 25 V

auf Bestellung 1195 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	7.59 EUR
10+	6.38 EUR
100+	5.16 EUR

Mindestbestellmenge: 4

FDB38N30U

Description: MOSFET N CH 300V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 25 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

800+	4.59 EUR

Mindestbestellmenge: 800

FDB390N15A

Description: MOSFET N-CH 150V 27A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 75 V

auf Bestellung 4243 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	4.91 EUR
10+	4.08 EUR
100+	3.25 EUR

Mindestbestellmenge: 6

FDB390N15A

MOSFET 150V NCHAN PwrTrench

auf Bestellung 1898 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

13+	4 EUR
15+	3.61 EUR
100+	3.15 EUR
500+	3.02 EUR
800+	2.27 EUR
2400+	2.26 EUR
4800+	2.19 EUR

Mindestbestellmenge: 13

FDB390N15A

Description: MOSFET N-CH 150V 27A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 75 V

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

800+	2.75 EUR
1600+	2.33 EUR
2400+	2.22 EUR

Mindestbestellmenge: 800

FDB3P50

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB3P50

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB4020P

Description: MOSFET P-CH 20V 16A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 37.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 10 V

auf Bestellung 6321 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

370+	1.94 EUR

Mindestbestellmenge: 370

FDB4020P

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB4020P

MOSFET P-Ch Spec Enhance MODE FIELD EFFECT

Produkt ist nicht verfügbar

FDB4020P

Description: ONSEMI - FDB4020P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 6321 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB4020P

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB4020P

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB4030L

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB4030L

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 15 V

auf Bestellung 13600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

360+	1.99 EUR

Mindestbestellmenge: 360

FDB4030L

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB42AN15A0

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB42AN15A0

Description: MOSFET N-CH 150V 5A/35A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB42AN15A0

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB42AN15A0

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB42AN15A0

Trans MOSFET N-CH 150V 5A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB42AN15A0-F085

Trans MOSFET N-CH 150V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB42AN15A0-F085

Trans MOSFET N-CH 150V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB42AN15A0-F085

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB42AN15A0-F085

MOSFET TO263_03, SINGLE, N-CH, 150V, 42MOHM ULTRAFET TRENCH MOSFET

auf Bestellung 278 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDB44N25

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB44N25

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB44N25TM

Description: MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V

auf Bestellung 296 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	6.19 EUR
10+	5.14 EUR
100+	4.09 EUR

Mindestbestellmenge: 5

FDB44N25TM

Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 785 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB44N25TM

Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB44N25TM

Description: MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB44N25TM

Description: ONSEMI - FDB44N25TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 44 A, 0.058 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 307W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1275 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB44N25TM

MOSFET 250V N-Ch MOSFET

auf Bestellung 9598 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

9+	6.24 EUR
10+	5.2 EUR
100+	4.13 EUR
500+	4.11 EUR
800+	2.94 EUR

Mindestbestellmenge: 9

FDB44N25TM

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 307W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 61nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 26.4A
On-state resistance: 69mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 478 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

27+	2.67 EUR
31+	2.36 EUR
34+	2.14 EUR
36+	2.03 EUR
100+	1.99 EUR

Mindestbestellmenge: 27

FDB44N25TM

auf Bestellung 478 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	2.67 EUR
31+	2.36 EUR
34+	2.14 EUR
36+	2.03 EUR
100+	1.99 EUR

Mindestbestellmenge: 27

FDB44N25TM

Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB44N25TM

auf Bestellung 1275 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB52N20

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB52N20

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB52N20TM

Description: ONSEMI - FDB52N20TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 357
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.041
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

auf Bestellung 140 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB52N20TM

MOSFET 200V N-Ch MOSFET

auf Bestellung 18308 Stücke:

Lieferzeit 506-520 Tag (e)

9+	6.06 EUR
11+	5.04 EUR
100+	4.03 EUR
800+	2.94 EUR

Mindestbestellmenge: 9

FDB52N20TM

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 52A; 357W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 52A
Power dissipation: 357W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 135 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	2.75 EUR
30+	2.45 EUR
36+	2 EUR
38+	1.9 EUR

Mindestbestellmenge: 27

FDB52N20TM

Description: MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V

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FDB52N20TM

auf Bestellung 135 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

27+	2.75 EUR
30+	2.45 EUR
36+	2 EUR
38+	1.9 EUR

Mindestbestellmenge: 27

FDB52N20TM

Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB52N20TM

Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB52N20TM

Description: MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V

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FDB52N20TM

Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB52N20TM

Description: ONSEMI - FDB52N20TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 357
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

auf Bestellung 140 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB52N20TM

Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK FDB52N20TM TFDB52n20tm
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

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Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	3.25 EUR

Mindestbestellmenge: 10

FDB52N20TM

Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB5645

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB5645

Description: ONSEMI - FDB5645 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 8432 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB5645

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB5645

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB5645

Description: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 30 V

auf Bestellung 8432 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

79+	9.05 EUR

Mindestbestellmenge: 79

FDB5680

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB5680

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 7838 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

188+	4.34 EUR

Mindestbestellmenge: 188

FDB5680

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB5685

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB5685

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB5690

Description: MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB

Produkt ist nicht verfügbar

FDB5690

Description: MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB

Produkt ist nicht verfügbar

FDB5690

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB5690

Description: MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB

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FDB5690

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB5800

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB5800

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB5800
Produktcode: 176853

Transistoren > MOSFET N-CH

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FDB5800

Description: MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6625 pF @ 15 V

auf Bestellung 1268 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	6.92 EUR
10+	5.82 EUR
100+	4.71 EUR

Mindestbestellmenge: 4

FDB5800

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 242W; D2PAK
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 12.6mΩ
Gate charge: 135nC
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 242W
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET

auf Bestellung 725 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

21+	3.52 EUR
23+	3.13 EUR
28+	2.57 EUR
30+	2.43 EUR

Mindestbestellmenge: 21

FDB5800

MOSFET 60V N-Ch Logic PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 5894 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	7.41 EUR
10+	6.68 EUR
25+	6.55 EUR
100+	5.49 EUR
500+	4.58 EUR
800+	3.9 EUR

Mindestbestellmenge: 8

FDB5800

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB5800

Description: MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6625 pF @ 15 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

800+	4.19 EUR

Mindestbestellmenge: 800

FDB5800

auf Bestellung 725 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

21+	3.52 EUR
23+	3.13 EUR
28+	2.57 EUR
30+	2.43 EUR

Mindestbestellmenge: 21

FDB5800

On Semiconductor

MOSFET N-Channel 60V 14A (Ta), 80A (Tc) 242W (Tc) Surface Mount D2PAK

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB5800

Description: ONSEMI - FDB5800 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0046 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 242
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 1248 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB5800_F085

Description: MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK

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FDB6021P

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB6021P

Rochester Electronics, LLC

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB6021P

Description: P-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 21255 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

385+	1.87 EUR

Mindestbestellmenge: 385

FDB6021P

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB6030

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB6030

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB6030BL

Rochester Electronics, LLC

Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO-263AB

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FDB6030BL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 82680 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB6030BL

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB6030L

0006+

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB6030L

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB6030L

Description: MOSFET N-CH 30V 48A TO263AB

auf Bestellung 22487 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

614+	1.29 EUR

Mindestbestellmenge: 614

FDB6030L

Trans MOSFET N-CH 30V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB6030L

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB6035A

auf Bestellung 2800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB6035AL

Trans MOSFET N-CH 30V 48A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R

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FDB6035AL

TO263

auf Bestellung 3040 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB6035AL

MOSFET N-Channel PowerTrench

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FDB6035AL

TO252

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB6035AL

Description: ONSEMI - FDB6035AL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 238055 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB6035AL

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB6035AL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V

auf Bestellung 172289 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

207+	3.51 EUR

Mindestbestellmenge: 207

FDB6035AL

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB6035AL_Q

MOSFET

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FDB6035L

Description: ONSEMI - FDB6035L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB6035L

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB6035L

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

89+	8.37 EUR

Mindestbestellmenge: 89

FDB6035L

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB6035L

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB603AL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V

auf Bestellung 39200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

247+	3.17 EUR

Mindestbestellmenge: 247

FDB603AL

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB603AL

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB603AL

0006+

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB603AL

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB6530A

TO252

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB6644

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB6644

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB6644

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB6644S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB6670

03+

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB6670AL

Fairchild

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB6670AL

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB6670AL

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V

auf Bestellung 91766 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

278+	2.59 EUR

Mindestbestellmenge: 278

FDB6670AL

09+

auf Bestellung 2159 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB6670AL

MOSFET N-Channel PowerTrench

Produkt ist nicht verfügbar

FDB6670AL

04+

auf Bestellung 380 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB6670AL

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB6670AL

Description: ONSEMI - FDB6670AL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 92166 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB6670AL

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB6670AL

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB6670AL

TO263

auf Bestellung 10135 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB6670AL
Produktcode: 150683

Transistoren > MOSFET N-CH

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FDB6670AL-NL

0651+ TO-263

auf Bestellung 1120 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB6670AL-NL

INTEL

09+

auf Bestellung 500 Stücke:

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FDB6670AS

Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB6670AS

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB6670AS

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB6670AS

Description: MOSFET N-CH 30V 62A TO263AB

auf Bestellung 5998 Stücke:

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FDB6670ASNL

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB6670ASNL

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB6670S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB6670S

09+

auf Bestellung 288 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB6670S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm@ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2639 pF @ 15 V

auf Bestellung 19090 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

112+	6.62 EUR

Mindestbestellmenge: 112

FDB6670S

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB6670S

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB6676

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5324 pF @ 15 V

auf Bestellung 25443 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

386+	1.85 EUR

Mindestbestellmenge: 386

FDB6676

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB6676

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB6676

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB6676S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB6676S

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB6676S

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB66870AL

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB66870AL

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB6690S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB6690S

Description: MOSFET N-CH 30V 42A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1238 pF @ 15 V

auf Bestellung 1224 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

398+	1.8 EUR

Mindestbestellmenge: 398

FDB6690S

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB6690S

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB66N15

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB66N15

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB66N15TM

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB7020BL

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB7020BL

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB7030BL

09+

auf Bestellung 5424 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB7030BL

TO252

auf Bestellung 117 Stücke:

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FDB7030BL

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

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FDB7030BL

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB7030BL

Description: ONSEMI - FDB7030BL - 30V N-CH. FET, 9 MO, TO263, T
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 69317 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB7030BL

Description: 60A, 30V, 0.009OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V

auf Bestellung 70285 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

704+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 704

FDB7030BL

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB7030BL

02+

auf Bestellung 556 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB7030BL

Fairchild

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB7030BL

Trans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB7030BL

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB7030BL-ON

Description: MOSFET N-CH 30V 60A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

FDB7030BL.

Description: ONSEMI - FDB7030BL. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0068 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 60
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068
Qualifikation: -
SVHC: Lead (27-Jun-2018)

Produkt ist nicht verfügbar

FDB7030BL.

Description: ONSEMI - FDB7030BL. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0068 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 60
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0068
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068
SVHC: Lead (27-Jun-2018)

Produkt ist nicht verfügbar

FDB7030BLS

Description: ONSEMI - FDB7030BLS - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99

auf Bestellung 34400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB7030BLS

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V

auf Bestellung 34400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

161+	4.61 EUR

Mindestbestellmenge: 161

FDB7030BLS

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB7030BLS

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

Produkt ist nicht verfügbar

FDB7030BL_NL

MOSFET 30V N-CH. FET, 9 MO, TO263, T

Produkt ist nicht verfügbar

FDB7030BL_Q

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

Produkt ist nicht verfügbar

FDB7030L

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB7030L

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB7030L

09+

auf Bestellung 1691 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB7030L

TO263/2.5

auf Bestellung 134 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB7030L

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V

auf Bestellung 64336 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

52+	13.74 EUR

Mindestbestellmenge: 52

FDB7030L

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB7030L

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

Produkt ist nicht verfügbar

FDB7030L

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB7030L

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB7030L

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB7030L_L86Z

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

FDB7030L_L86Z

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB7030L_Q

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

Produkt ist nicht verfügbar

FDB7042L

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB7042L

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 120405 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

545+	1.45 EUR

Mindestbestellmenge: 545

FDB7042L

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB7042L

Fairchild

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB7042L

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB7045

04+

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB7045L

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 122774 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

81+	9.35 EUR

Mindestbestellmenge: 81

FDB7045L

09+

auf Bestellung 3538 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB7045L

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

Produkt ist nicht verfügbar

FDB7045L

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB7045L

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB7045L

Description: ONSEMI - FDB7045L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 119819 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB7045L

auf Bestellung 3325 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB7045L

auf Bestellung 1478 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB7045L

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB7045L_Q

MOSFET

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FDB7051L

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB8030L

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB8030L

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB8030L

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

Produkt ist nicht verfügbar

FDB8030L

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB8030L

Description: 80A, 30V, 0.0035OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB8030L

09+

auf Bestellung 818 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB8030L

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB8030L_NL

MOSFET 30V, TO263, NCH

Produkt ist nicht verfügbar

FDB8030L_T

onsemi

Produkt ist nicht verfügbar

FDB8132

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

FDB8132_F085

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

FDB8132_F085

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

FDB8132_F085

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

FDB8160

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11825 pF @ 15 V

auf Bestellung 17624 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

193+	3.8 EUR

Mindestbestellmenge: 193

FDB8160-F085

Description: 80A, 30V, 0.0018OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11825 pF @ 15 V

auf Bestellung 9581 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

233+	3.15 EUR

Mindestbestellmenge: 233

FDB8441

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

FDB8441

Trans MOSFET N-CH Si 40V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB8441

Description: MOSFET N-CH 40V 28A/120A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB8441

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 28A; 300W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
On-state resistance: 2.5mΩ
Kind of package: reel; tape
Technology: UniFET™
Power dissipation: 300W
Gate charge: 280nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 28A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB8441

Trans MOSFET N-CH Si 40V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 37 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB8441

Description: MOSFET N-CH 40V 28A/120A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB8441

Trans MOSFET N-CH Si 40V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB8441

Trans MOSFET N-CH Si 40V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB8441

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB8441-F085

Description: MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V

auf Bestellung 8800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB8441-F085

Description: MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V

auf Bestellung 8800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

313+	4.16 EUR

Mindestbestellmenge: 313

FDB8441-F085

Produkt ist nicht verfügbar

FDB8441-F085

Description: MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V

auf Bestellung 4400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

212+	3.69 EUR

Mindestbestellmenge: 212

FDB8441-F085

MOSFET 40V N-Ch PowerTrench

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDB8442

Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

FDB8442

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB8442

Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

FDB8442

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB8442

Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

FDB8442-F085

Description: ONSEMI - FDB8442-F085 - FDB8442-F085, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 351 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB8442-F085

MOSFET 40V NCHAN PwrTrench

auf Bestellung 2380 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDB8442-F085-FS

Description: 28A, 40V, 0.0029OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12200 pF @ 25 V

auf Bestellung 351 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

202+	3.63 EUR

Mindestbestellmenge: 202

FDB8442_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 28A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

FDB8442_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 28A D2PAK

auf Bestellung 825 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB8442_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 28A D2PAK

auf Bestellung 825 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB8443

Description: MOSFET N-CH 40V 25A/120A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9310 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB8443

Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB8443

Description: MOSFET N-CH 40V 25A/120A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9310 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB8443

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	10.63 EUR
10+	9.57 EUR
25+	9.05 EUR
100+	7.85 EUR

Mindestbestellmenge: 5

FDB8443-F085

Trans MOSFET N-CH 40V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB8443-F085

MOSFET 40V N-CHAN PwrTrench

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDB8443_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 25A TO-263AB

Produkt ist nicht verfügbar

FDB8443_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 25A TO-263AB

auf Bestellung 575 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB8443_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 25A TO-263AB

auf Bestellung 575 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB8444

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB8444

Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8035 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB8444

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 380 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

10+	5.41 EUR
12+	4.5 EUR
100+	3.59 EUR
250+	3.3 EUR
500+	2.94 EUR
800+	2.56 EUR
2400+	2.44 EUR

Mindestbestellmenge: 10

FDB8444

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8035 pF @ 25 V

auf Bestellung 167648 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

264+	2.71 EUR

Mindestbestellmenge: 264

FDB8444

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB8444

Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8035 pF @ 25 V

auf Bestellung 271 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	5.3 EUR
10+	4.41 EUR
100+	3.51 EUR

Mindestbestellmenge: 5

FDB8444

Trans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB8444-F085

Trans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB8444-F085

Trans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB8444-F085

MOSFET 40V N-Ch PowerTrench

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDB8444-F085

Description: ONSEMI - FDB8444-F085 - FDB8444-F085, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 12800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB8444-F085

Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8035 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

FDB8444TS

Description: MOSFET N-CH 40V 20A/70A TO263-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-6, D2PAK (5 Leads + Tab), TO-263BA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 338 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB8444TS

Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 6-Pin(5+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB8444_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

FDB8444_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK

auf Bestellung 778 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB8444_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK

auf Bestellung 778 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB8445

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB8445

Bipolar Transistors - Pre-Biased DISCRETES

Produkt ist nicht verfügbar

FDB8445

Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK

auf Bestellung 209 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	7.59 EUR
10+	6.82 EUR
100+	5.59 EUR

Mindestbestellmenge: 4

FDB8445

FAIRCHIL

auf Bestellung 2800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB8445

Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

FDB8445

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB8445-F085

MOSFET 40V N-Ch PowerTrench

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDB8445_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

FDB8445_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB8445_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB8447L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB8447L

Description: MOSFET N-CH 40V 15A/50A TO263AB

auf Bestellung 1462 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	5.95 EUR
10+	5.35 EUR
100+	4.3 EUR

Mindestbestellmenge: 5

FDB8447L

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 60W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
On-state resistance: 12.4mΩ
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FDB8447L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

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FDB8447L

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

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10+	5.69 EUR
11+	5.17 EUR
25+	5.04 EUR
100+	4.42 EUR

Mindestbestellmenge: 10

FDB8447L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB8447L

Description: MOSFET N-CH 40V 15A/50A TO263AB

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800+	3.89 EUR

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FDB8447L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB8447L

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FDB8453LZ

Description: MOSFET N-CH 40V 16.1A/50A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 20 V

auf Bestellung 1734 Stücke:

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417+	1.72 EUR

Mindestbestellmenge: 417

FDB86102LZ

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FDB86102LZ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB86102LZ

MOSFET 100V NCHAN PwrTrench

auf Bestellung 39 Stücke:

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11+	4.89 EUR
12+	4.39 EUR
100+	3.54 EUR
800+	2.39 EUR

Mindestbestellmenge: 11

FDB86102LZ

Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB86102LZ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB86102LZ

Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB86102LZ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 50A; 3.1W; D2PAK
Technology: UniFET™
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 3.1W
On-state resistance: 42mΩ
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21nC
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

FDB86102LZ

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FDB86135

Trans MOSFET N-CH Si 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB86135

auf Bestellung 640 Stücke:

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FDB86135

Trans MOSFET N-CH Si 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 638 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

21+	7.73 EUR
24+	6.52 EUR
25+	6.2 EUR
100+	5.63 EUR
250+	5.37 EUR
500+	4.01 EUR

Mindestbestellmenge: 21

FDB86135

Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V

auf Bestellung 3189 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	15.42 EUR
10+	12.95 EUR
100+	10.48 EUR

Mindestbestellmenge: 2

FDB86135

Description: ONSEMI - FDB86135 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 227
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 227
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

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FDB86135

Trans MOSFET N-CH Si 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB86135

MOSFET PWM PFC COMBO

auf Bestellung 19575 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	12.27 EUR
10+	10.82 EUR
25+	10.76 EUR
100+	9.62 EUR
250+	9.57 EUR
500+	8.92 EUR
800+	7.9 EUR

Mindestbestellmenge: 5

FDB86135

Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

800+	9.31 EUR
1600+	7.97 EUR
2400+	7.51 EUR

Mindestbestellmenge: 800

FDB86135

Trans MOSFET N-CH Si 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 638 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

21+	7.73 EUR
24+	6.52 EUR
25+	6.2 EUR
100+	5.63 EUR
250+	5.37 EUR
500+	4.01 EUR

Mindestbestellmenge: 21

FDB86360-F085

Description: ONSEMI - FDB86360-F085 - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 110
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 333
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

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FDB86360-F085

MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET

auf Bestellung 7882 Stücke:

Lieferzeit 411-425 Tag (e)

4+	15.13 EUR
10+	13.6 EUR
25+	12.84 EUR
100+	11.15 EUR
500+	9.49 EUR
800+	7.98 EUR
2400+	7.54 EUR

Mindestbestellmenge: 4

FDB86360-F085

Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB86360-F085

Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 253 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14600 pF @ 25 V

auf Bestellung 1969 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	13.62 EUR
10+	11.44 EUR
100+	9.25 EUR

Mindestbestellmenge: 2

FDB86360-F085

Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB86360-F085

Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 253 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14600 pF @ 25 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

800+	8.23 EUR

Mindestbestellmenge: 800

FDB86360_SN00307

Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

FDB86363-F085

Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB86363-F085

Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	3.85 EUR

Mindestbestellmenge: 800

FDB86363-F085

Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V

auf Bestellung 22 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	12.9 EUR
10+	11.58 EUR

Mindestbestellmenge: 3

FDB86363-F085

Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB86363-F085

Description: ONSEMI - FDB86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 110
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Power Trench FDD
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 3293 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDB86363-F085

Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	3.85 EUR

Mindestbestellmenge: 800

FDB86363-F085

Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDB86363-F085

MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET

auf Bestellung 1540 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	12.09 EUR
10+	10.89 EUR
100+	8.92 EUR
500+	7.59 EUR
800+	6.4 EUR
2400+	6.08 EUR
4800+	5.9 EUR

Mindestbestellmenge: 5

FDB86363_F085

Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO263

auf Bestellung 725 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB86363_F085

Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO263

auf Bestellung 725 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB86363_F085

Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO263

Produkt ist nicht verfügbar

FDB86366-F085

Description: ONSEMI - FDB86366-F085 - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 110
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 176
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

FDB86366-F085

Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6280 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 282 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	6.5 EUR
10+	5.47 EUR
100+	4.43 EUR

Mindestbestellmenge: 4

FDB86366-F085

Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB86366-F085

MOSFET 80V 110A N-Chnl PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 2300 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.63 EUR
10+	5.75 EUR
25+	5.59 EUR
100+	4.68 EUR
250+	4.55 EUR
500+	4.08 EUR
800+	3.41 EUR

Mindestbestellmenge: 8

FDB86366-F085

Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6280 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

FDB86366-F085

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB86366-F085

Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDB86366-F085

Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB86563-F085

Trans MOSFET N-CH 60V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB86563-F085

Description: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, 60
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 30 V

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FDB86563-F085

MOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET, 60V, 110A, 1.8mohm

auf Bestellung 2141 Stücke:

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6+	9.65 EUR
10+	8.68 EUR
100+	7.12 EUR
500+	5.93 EUR
800+	4.99 EUR
2400+	4.91 EUR
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FDB86563-F085

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FDB86563-F085

Description: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 30 V

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FDB86563-F085

Trans MOSFET N-CH 60V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB86563-F085

Description: ONSEMI - FDB86563-F085 - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 110
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 333
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

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FDB86563-F085

Description: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 30 V

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FDB86566-F085

Trans MOSFET N-CH 60V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB86566-F085

Description: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6655 pF @ 30 V

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FDB86566-F085

Description: ONSEMI - FDB86566-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0022 ohm, TO-263 (D2PAK)
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 110
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 176
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2
Verlustleistung: 176
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

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FDB86566-F085

Description: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6655 pF @ 30 V

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FDB86566-F085

Trans MOSFET N-CH 60V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB86566-F085

MOSFET 60V N-channel LL PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 413-427 Tag (e)

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10+	6.68 EUR
25+	6.32 EUR
100+	5.38 EUR
500+	4.42 EUR
800+	3.64 EUR
2400+	3.3 EUR

Mindestbestellmenge: 8

FDB86566-F085

Description: ONSEMI - FDB86566-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0022 ohm, TO-263 (D2PAK)
Verlustleistung: 176
Transistormontage: Oberflächenmontage
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

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FDB86569-F085

Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB86569-F085

Description: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB86569-F085

MOSFET 60V SG N-channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 490 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDB86569-F085

Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB86569-F085

Description: ONSEMI - FDB86569-F085 - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 94
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

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FDB86569-F085

Description: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK

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FDB8832

Description: MOSFET N-CH 30V 34A/80A TO263AB

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDB8832