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Description: BOARD EVAL GBIC TXRX

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FDB-1012

GBIC EVALUATION BOARD FDB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FDB-1017

Description: BOARD EVAL 2X5 SFF TXRX
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optic Transceiver, SFF
Type: Telecom
Utilized IC / Part: SFF Modules
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Contents: Board(s)

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FDB-1017

FTRJ-8519-1-2.5/FTRJ-1319-1-2.5 Fiber Optic Transceiver Evaluation Board

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FDB-1017

EVALUATION BOARD FOR 2X5 PIN SFF FOOTPRINT PACKAGE FDB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FDB-1018

Description: EVAL BOARD SFP/SFP+
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optic Transceiver, SFP/SFP+
Type: Telecom
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: SFP/SFP+ Modules
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No

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FDB-1019

EVALUATION BOARD FOR 2X10 PIN SFF FOOTPRINT PACKAGE FDB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FDB-1019

Fibre Optic Development Tools Evaluation board for 2x10 pin SFF footpr

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FDB-1019

Description: BOARD EVAL 2X10 SFF TXRX
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optic Transceiver, SFF
Type: Telecom
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: SFF Modules
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No

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FDB-1019

Evaluation Board for 2X10 Pin

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FDB-1022

Description: EVAL BOARD XFP
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optic Transceiver, XFP
Type: Telecom
Utilized IC / Part: XFP Modules
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No

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FDB-1022

Fibre Optic Development Tools XFP evaluation board

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	1063.92 EUR

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FDB-1022

XFP Fiber Optic Transceiver Evaluation Board

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FDB-1022

XFP Evaluation Board FDB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FDB-1022

Fibre Optic Development Tools XFP evaluation board

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	1063.92 EUR

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FDB-1027

FTLF8528P2BCV Fiber Optic Transceiver Development Kit

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FDB-1027

Evaluation board for pluggable SFP/SFP+ footprint package FDB-1027
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FDB-1027

Description: EVAL BOARD SFP/SFP+
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optic Transceiver, SFP/SFP+
Type: Telecom
Utilized IC / Part: SFP/SFP+ Modules
Supplied Contents: Board(s), Cable(s)
Primary Attributes: SFP/SFP+ TXRX of 125Mb/s to 14.025Gb/s
Embedded: No
Part Status: Obsolete

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FDB-1032-SFP+

Description: EVAL BOARD FOR SFP+ MODULES
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optic Transceiver, SFP/SFP+
Type: Telecom
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: SFP+ Modules
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4322.52 EUR

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FDB-1032-SFP+

EVALUATION BOARD FOR PLUGGABLE

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FDB-1032-SFP+

Fibre Optic Development Tools Evaluation board for pluggable SFP/SFP+

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2000.17 EUR

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FDB-1032-SFP+

Evaluation Board For Pluggable

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FDB-1032-SFP+

Fibre Optic Development Tools Evaluation board for pluggable SFP/SFP+

auf Bestellung 38 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2000.17 EUR

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FDB-1033

Description: BOARD LASERWIRE 1-10.5GBPS SMA

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FDB-1033

Laserwire Evaluation Board, 1 - 10.5 Gbps, Laserwire Jack, SMA connectors EVALBOARD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FDB-1034

FDB-1034
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FDB-1038-10BK

40G/100G CFP Breakout Board

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FDB-1038-10BK

Fibre Optic Development Tools 40G/100G CFP Brk/out Board (no cables)

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FDB-1038-10BK

40G/100G CFP Breakout Board

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FDB-1038-10BK

Description: BOARD BREAKOUT 40G/100G CFP
Packaging: Bulk
Supplied Contents: Board(s)
Contents: Board(s)

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FDB-1040-EL

Fibre Optic Development Tools 40G/100G CFP Electrical Loop Back Board w/USB Interface (without cables)

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FDB-1040-EL

Fiber Optic Development Tools 40G/100G CFP Electrical Loop Back Board w/USB Interface (without cables)

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FDB-1040-EL

Fibre Optic Development Tools 40G/100G CFP Electrical Loop Back Board w/USB Interface (without cables)

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FDB-1040-EL

40G/100G CFP Electrical Loop B

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FDB-1040-EL

Description: BACK BD 40G/100G CFP ELEC LOOP
Packaging: Bulk

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FDB-1042

Quadwire/QSFP Breakout Evaluation Board, 1 - 10.5 Gbps, QSFP cage, SMP conn FDB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FDB-1042

Description: EVAL BOARD QSFP
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optic Transceiver, QSFP
Type: Telecom
Utilized IC / Part: QSFP Modules
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Obsolete

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FDB-1043

Fibre Optic Development Tools Breakout Eval Brd C.wr/CXP 1-12.5Gbps

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FDB-1043

Description: EVAL BOARD C.WIRE SMP
Packaging: Box
Function: Fiber Optic Transceiver, CXP
Type: Telecom
Utilized IC / Part: CXP Modules
Supplied Contents: Board(s)

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FDB-1043

Fibre Optic Development Tools Breakout Eval Brd C.wr/CXP 1-12.5Gbps

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FDB-1043

CXP Fiber Optic Transceiver Evaluation Board

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FDB-1043

C.wire/CXP Breakout Evaluation Board, 1 - 12.5 Gbps, CXP cage, SMP connecto EVALBOARD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FDB-1044

XFP Evaluation Board for T-XFP

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FDB-1044

Fiber Optic Development Tools XFP evaluation board tion board for T-XF

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.98 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDB-1044

Description: EVAL BRD T-XFP
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optics
Type: Interface
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active

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FDB-1045

Fibre Optic Development Tools Eval Brd 12X10Gbps Optical Engine

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FDB-1045

Description: BOARD EVAL 12X10GBPS OPT ENGINE
Packaging: Bulk
Supplied Contents: Board(s)
Contents: Board(s)

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FDB-1045

Evaluation Board for 12X10 GBP

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FDB-1045

Evaluation Board for 12X10 GBP

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FDB-1047-CL

Endurance Evaluation Board, Fixture & Clamp for Module (No soldering)

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FDB-1047-CL

Fibre Optic Development Tools Endurance Evaluation Board, Fixture & Clamp for Module (No soldering)

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FDB-1047-CL

Description: BOARD EVAL ENDURANCE NO SOLDER
Packaging: Bulk
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Discontinued at Digi-Key

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FDB-1047-S

Fibre Optic Development Tools Endurance Evaluation Board (Module solders down to board)

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FDB-1047-S

Description: BOARD EVAL ENDURANCE SOLDER
Packaging: Bulk
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active

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FDB-1048

Fiber Optic Development Tools Wavelength Tuning Bo x for T-XFP & T-SFP+

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FDB-1048

Description: WAVELENGTH TUNING BOX
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optic Transceiver, SFP+/XFP
Type: Telecom
Utilized IC / Part: SFP+/XFP Modules
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Tunable
Part Status: Active

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FDB-1048

WAVELENGTH TUNING BOX FOR T-XF

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FDB-1050

Fibre Optic Development Tools Evaluation board for 12X25 Gbps Optical Engine LPFN (4 cables incl.) Finisar pin-out

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FDB-1051

Fibre Optic Development Tools Quadwire/QSFP Breakout Evaluation Board, 1 - 28 Gbps, QSFP cage, SMP connectors

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2901.87 EUR

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FDB-1051

Quadwire/QSFP Breakout Evaluation

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FDB-1051

Description: EVAL BOARD FOR QSFP
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optic Transceiver, QSFP
Type: Telecom
Utilized IC / Part: QSFP Modules
Supplied Contents: Board(s)

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FDB-1051

Fibre Optic Development Tools Quadwire/QSFP Breakout Evaluation Board, 1 - 28 Gbps, QSFP cage, SMP connectors

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2934.36 EUR

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FDB-1052

Fibre Optic Development Tools Evaluation board for rd for Tunable SFP+.

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FDB-1052

Evaluation Board for Tunable S

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FDB-1052

Evaluation Board for Tunable S

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FDB-1052

Description: EVAL BRD TUNABLE SFP+.
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optics
Type: Interface
Supplied Contents: Board(s)

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FDB-1052

Fibre Optic Development Tools Evaluation board for rd for Tunable SFP+.

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FDB-1053-10BK-EL

Fiber Optic Development Tools 100G CFP2 Breakout & Loopback Board (without cables)

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FDB-1053-10BK-EL

100G CFP2 Breakout/Loopback

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FDB-1053-10BK-EL

Description: 100G CFP2 BREAKOUT/LOOPBACK BRD
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optics
Type: Interface
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active

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FDB-1054-4BK

Fibre Optic Development Tools 100G CFP4 Breakout Board (without cables)

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FDB-1054-4BK

100G CFP4 Breakout Board

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FDB-1054-4BK

Description: 100G CFP4 BREAKOUT BRD W/O CBL
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optics
Type: Interface
Supplied Contents: Board(s)

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FDB-1054-4BK

Fibre Optic Development Tools 100G CFP4 Breakout Board (without cables)

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FDB-1057

Fibre Optic Development Tools Evaluation board for 12X25 Gbps Optical Engine LPTE (4 cables incl.) TE-MBOM pin-out

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FDB-1057

Evaluation board for 12X25 Gbps Optical Engine LPTE (4 cables incl.)TE-MBOM pin-out

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FDB-1061-EL-BT

Fiber Optic Development Tools QSFP-DD Evaluation Kit: Breakout + loopback + BERT

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FDB-1062-ITTRA-RF-MMPX

Fiber Optic Development Tools ITTRA evaluation board with RF break-out

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FDB-1067-CFP2-DCO

Fiber Optic Development Tools 200G/400G CFP2-DCO evaluation board (line side testing only)

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FDB-1068-QSFP-DD-DCO

Fiber Optic Development Tools 400G QSFP-DD-DCO evaluation board (line side testing only)

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FDB-2 24-M

OBO-5098380 Surge Arresters

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FDB-2 24-N

OBO-5098390 Surge Arresters

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FDB-25P(05)

Description: CONN D-SUB PLUG PNL MNT
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Features: Feed Through, Grounding Indents
Connector Type: Plug, Male Pins
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 1A
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 25
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (Unthreaded)
Termination: IDC, Ribbon Cable
Connector Style: D-Sub
Contact Finish Thickness: 8.00µin (0.203µm)
Shell Material, Finish: Steel, Nickel Plated
Shell Size, Connector Layout: 3 (DB, B)
Primary Material: Metal

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	43 EUR

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FDB-25P(05)

D-Sub Standard Connectors

auf Bestellung 51 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	41.27 EUR
10+	36.13 EUR
20+	34.58 EUR
50+	33.48 EUR
100+	32.35 EUR
200+	31.57 EUR

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FDB-25P(51)

D-Sub Standard Connectors

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FDB-25P0L2TI2/1-LF

Filter D Straight Solder PCB

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FDB-25PBL2TI2/1-LF

Filter D Connector 25way Plug

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FDB-25PBL2TI2/1-LF

Description: CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONS - FDB-25PBL2TI2/1-LF - D-Sub-Steckverbinder, Gefiltert, Stecker, Cinch - FD, 25 Kontakt(e), DB, Lötanschluss
tariffCode: 85369010
rohsCompliant: YES
Kontaktüberzug: Kontakte beschichtet mit Gold über Nickel
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktmaterial: Kupferlegierung
Ausführung: Stecker
Steckverbindermontage: Durchsteckmontage
usEccn: EAR99
D-Sub-Steckverbinder: Gefiltert
Anzahl der Kontakte: 25Kontakt(e)
euEccn: NLR
D-Sub-Gehäusegröße: DB
Produktpalette: Cinch - FD
productTraceability: No
Kontaktanschluss: Lötanschluss
Steckverbindermaterial: Stahlgehäuse
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 22 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB-25PF(05)

D-Sub Standard Connectors

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FDB-25PF(05)

Description: CONN D-SUB PLUG PNL MNT
Features: Feed Through, Grounding Indents
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug, Male Pins
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 1A
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 25
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (Unthreaded)
Termination: IDC, Ribbon Cable
Connector Style: D-Sub
Shell Material, Finish: Steel, Nickel Plated
Shell Size, Connector Layout: 3 (DB, B)
Primary Material: Metal

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	45.6 EUR
10+	37.17 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB-25PTI2/1-LF

Description: CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONS - FDB-25PTI2/1-LF - D-Sub-Steckverbinder, Gefiltert, Stecker, Cinch - FD, 25 Kontakt(e), DB, IDC / IDT
tariffCode: 85366990
rohsCompliant: YES
Kontaktüberzug: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktmaterial: -
Ausführung: Stecker
Steckverbindermontage: Kabelmontage, Panelmontage
usEccn: EAR99
D-Sub-Steckverbinder: Gefiltert
Anzahl der Kontakte: 25Kontakt(e)
euEccn: NLR
D-Sub-Gehäusegröße: DB
Produktpalette: Cinch - FD
productTraceability: No
Kontaktanschluss: IDC / IDT
Steckverbindermaterial: Metallgehäuse
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 92 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB-25PTI2/1-LF

Conn Filtered D-Sub PIN 25 POS Solder RA Thru-Hole 25 Terminal 1 Port

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FDB-25S(05)

D-Sub Standard Connectors

auf Bestellung 313 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	41.48 EUR
10+	31.35 EUR
20+	30.29 EUR
50+	30.22 EUR
100+	28.92 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB-25S(05)

Description: CONN D-SUB RCPT PNL MNT
Packaging: Bulk
Features: Feed Through
Connector Type: Receptacle, Female Sockets
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 1A
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 25
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (Unthreaded)
Termination: IDC, Ribbon Cable
Connector Style: D-Sub
Shell Material, Finish: Steel, Nickel Plated
Shell Size, Connector Layout: 3 (DB, B)
Part Status: Active
Primary Material: Metal

auf Bestellung 13 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	46.48 EUR
10+	37.88 EUR

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FDB-25S(05)

HIROSE

Category: Other Hirose Connectors
Description: connector FDB-25S(05)
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

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FDB-25S(05)

HIROSE

Category: Other Hirose Connectors
Description: connector FDB-25S(05)

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FDB-25S0L2T2/1-LF

25 way Filter D Connector Socket

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FDB-25SBL2T2/1-LF

Description: CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONS - FDB-25SBL2T2/1-LF - D-Sub-Steckverbinder, Gefiltert, Buchse, Cinch - FD, 25 Kontakt(e), DB, Lötanschluss
tariffCode: 85369010
rohsCompliant: YES
Kontaktüberzug: Kontakte beschichtet mit Gold über Nickel
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktmaterial: Kupferlegierung
Ausführung: Buchse
Steckverbindermontage: Durchsteckmontage
usEccn: EAR99
D-Sub-Steckverbinder: Gefiltert
Anzahl der Kontakte: 25Kontakt(e)
euEccn: NLR
D-Sub-Gehäusegröße: DB
Produktpalette: Cinch - FD
productTraceability: No
Kontaktanschluss: Lötanschluss
Steckverbindermaterial: Stahlgehäuse
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 287 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB-25SBL2T2/1-LF

Filter D Connector 25way Socket RS0049000000L1K

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FDB-25ST2/1-LF

Conn Filtered D-Sub SKT 25 POS Solder RA Thru-Hole 25 Terminal 1 Port

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB-25ST2/1-LF

Description: CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONS - FDB-25ST2/1-LF - D-Sub-Steckverbinder, Gefiltert, Buchse, Cinch - FD, 25 Kontakt(e), DB, Lötanschluss
tariffCode: 85366930
rohsCompliant: YES
Kontaktüberzug: Kontakte beschichtet mit Gold über Nickel
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktmaterial: Kupferlegierung
Ausführung: Buchse
Steckverbindermontage: Durchsteckmontage
usEccn: EAR99
D-Sub-Steckverbinder: Gefiltert
Anzahl der Kontakte: 25Kontakt(e)
euEccn: NLR
D-Sub-Gehäusegröße: DB
Produktpalette: Cinch - FD
productTraceability: No
Kontaktanschluss: Lötanschluss
Steckverbindermaterial: Stahlgehäuse
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB-3

Plato

Chemicals CAP 10/PACK

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FDB-3 24-M

OBO-5098382 Surge Arresters

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB-3 24-N

OBO-5098392 Surge Arresters

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FDB-4

Plato

Chemicals YELLOWCAP 10/PACK

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB-GP

Description: CONN GUIDE PLATE

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FDB-P

Description: CONN PRESSURE BLOOK FOR PLUG

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FDB-P

Bench Top Tools BLOOK FOR PLUG CONN PRESSURE

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FDB-S

Description: CONN PRESSURE BLOOK FOR SKT

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FDB0105N407L

Trans MOSFET N-CH 40V 460A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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FDB0105N407L

Description: ONSEMI - FDB0105N407L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 460 A, 600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 460
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 600
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

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FDB0105N407L

auf Bestellung 790 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB0105N407L

Description: MOSFET N-CH 40V 460A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 291 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23100 pF @ 20 V

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FDB0105N407L

Trans MOSFET N-CH 40V 460A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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FDB0105N407L

MOSFET 40V N-Channel Power Trench MOSFET

auf Bestellung 1555 Stücke:

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1+	7.62 EUR
10+	6.95 EUR
25+	6.85 EUR
100+	6.18 EUR
250+	6.05 EUR
500+	5.32 EUR

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FDB0105N407L

Trans MOSFET N-CH 40V 460A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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FDB0105N407L

Description: MOSFET N-CH 40V 460A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 291 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23100 pF @ 20 V

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FDB0105N407L

Description: ONSEMI - FDB0105N407L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 460 A, 600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 300
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

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FDB0105N407L
Produktcode: 155287

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FDB0105N407L

Trans MOSFET N-CH 40V 460A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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FDB0165N807L

MOSFETs 150V 7L JEDEC GREEN EMC

auf Bestellung 1848 Stücke:

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1+	13.31 EUR
10+	10.54 EUR
25+	9.5 EUR
100+	8.41 EUR
250+	7.9 EUR
500+	7.53 EUR
800+	7.25 EUR

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FDB0165N807L

Trans MOSFET N-CH 80V 310A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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FDB0165N807L

Description: MOSFET N-CH 80V 310A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 304 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23660 pF @ 40 V

auf Bestellung 2052 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	13.62 EUR
10+	10.36 EUR
100+	8.27 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDB0165N807L

FDB0165N807L SMD N channel transistors

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FDB0165N807L

Description: MOSFET N-CH 80V 310A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 304 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23660 pF @ 40 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	7.05 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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FDB016N04AL7

Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 25 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	3.25 EUR

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FDB016N04AL7

auf Bestellung 740 Stücke:

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FDB016N04AL7

Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 25 V

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3+	8.76 EUR
10+	5.83 EUR
100+	4.16 EUR

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FDB016N04AL7

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 769 Stücke:

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1+	8.1 EUR
100+	7.29 EUR
500+	6.41 EUR

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FDB016N04AL7

Trans MOSFET N-CH Si 40V 306A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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FDB0170N607L

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300A; Idm: 1620A; 250W; D2PAK-7
Gate charge: 173nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1620A
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
On-state resistance: 1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke

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FDB0170N607L

Trans MOSFET N-CH 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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FDB0170N607L

Description: MOSFET N-CH 60V 300A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19250 pF @ 30 V

auf Bestellung 55200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	3.68 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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FDB0170N607L

MOSFETs 60V TO263 7L JEDEC GREEN EMC

auf Bestellung 11123 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.32 EUR
10+	5.56 EUR
100+	4 EUR
500+	3.89 EUR
800+	3.56 EUR

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FDB0170N607L

Trans MOSFET N-CH 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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FDB0170N607L

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FDB0170N607L

Description: MOSFET N-CH 60V 300A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19250 pF @ 30 V

auf Bestellung 55821 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.1 EUR
10+	5.4 EUR
100+	3.87 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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FDB0190N807L

Description: MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19110 pF @ 40 V

auf Bestellung 423 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	8.99 EUR
10+	6.62 EUR
100+	5.07 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDB0190N807L

Trans MOSFET N-CH 80V 270A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

28+	5.19 EUR
31+	4.43 EUR
100+	3.7 EUR
250+	3.49 EUR
500+	3.23 EUR

Mindestbestellmenge: 28

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB0190N807L

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 190A; Idm: 1440A; 250W; D2PAK-6
Mounting: SMD
Gate charge: 249nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.44kA
Case: D2PAK-6
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 190A
On-state resistance: 4.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	5.99 EUR
14+	5.15 EUR
15+	4.79 EUR
25+	4.75 EUR

Mindestbestellmenge: 12

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB0190N807L

Description: ONSEMI - FDB0190N807L - MOSFET, N-CH, 80V, 270A, 175DEG C, 250W
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 270
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 250
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: Power Trench Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013
SVHC: Lead

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB0190N807L

Description: MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19110 pF @ 40 V

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FDB0190N807L

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

12+	5.99 EUR
14+	5.15 EUR
15+	4.79 EUR
25+	4.75 EUR

Mindestbestellmenge: 12

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB0190N807L

Trans MOSFET N-CH 80V 270A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB0190N807L

MOSFETs 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC

auf Bestellung 6067 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.29 EUR
10+	5.67 EUR
100+	4.93 EUR
500+	4.19 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB0190N807L

Trans MOSFET N-CH 80V 270A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB024N04AL7

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V

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FDB024N04AL7

MOSFET 40V 2.4MOHM D2PAK-7L PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 816 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.68 EUR
10+	8.71 EUR
25+	8.24 EUR
100+	7.15 EUR

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FDB024N04AL7

Trans MOSFET N-CH 40V 219A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB024N04AL7

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V

auf Bestellung 29849 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

105+	4.82 EUR

Mindestbestellmenge: 105

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FDB024N06

MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench

auf Bestellung 1361 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.57 EUR
10+	6.64 EUR
25+	6.09 EUR
100+	5.1 EUR
500+	5.02 EUR
800+	4.52 EUR

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FDB024N06

Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB024N06

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 190A; Idm: 1060A; 395W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 190A
Pulsed drain current: 1060A
Power dissipation: 395W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 226nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB024N06

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14885 pF @ 25 V

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FDB024N06

Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 67 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

41+	3.58 EUR

Mindestbestellmenge: 41

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB024N06

Description: ONSEMI - FDB024N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0018 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 395
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 395
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018
SVHC: Lead (27-Jun-2018)

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FDB024N06

Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB024N06

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14885 pF @ 25 V

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FDB024N06

Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 67 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

21+	6.93 EUR
27+	5.17 EUR
28+	4.93 EUR
50+	3.19 EUR

Mindestbestellmenge: 21

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FDB024N06

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FDB024N06

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FDB024N08BL7

Description: ONSEMI - FDB024N08BL7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 246
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0017
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

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FDB024N08BL7

Trans MOSFET N-CH Si 80V 229A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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FDB024N08BL7

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13530 pF @ 40 V

auf Bestellung 95552 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	8.87 EUR
10+	5.93 EUR
100+	4.25 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDB024N08BL7

MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 6211 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.32 EUR
10+	5.7 EUR
100+	4.17 EUR
800+	3.71 EUR

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FDB024N08BL7

FDB024N08BL7 SMD N channel transistors

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FDB024N08BL7

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13530 pF @ 40 V

auf Bestellung 95200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	3.46 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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FDB0250N807L

Description: MOSFET N-CH 80V 240A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15400 pF @ 40 V

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FDB0250N807L

MOSFET 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC

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FDB0250N807L

Description: ONSEMI - FDB0250N807L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 107 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB0250N807L

auf Bestellung 760 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB0250N807L

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 240A; Idm: 1110A; 214W; D2PAK-7
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 143nC
On-state resistance: 2.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 214W
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 1110A

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FDB0250N807L

Description: MOSFET N-CH 80V 240A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15400 pF @ 40 V

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.59 EUR
10+	6.02 EUR
100+	4.5 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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FDB0250N807L

auf Bestellung 107 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB0250N807L

Trans MOSFET N-CH 80V 240A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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FDB0250N807L

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FDB0260N1007L

Trans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 478 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	7.58 EUR
25+	7.18 EUR
100+	6.79 EUR
250+	6.41 EUR

Mindestbestellmenge: 19

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FDB0260N1007L

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 1100A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 1100A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape

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FDB0260N1007L

Trans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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FDB0260N1007L

Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8545 pF @ 50 V

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	7.78 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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FDB0260N1007L

Trans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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FDB0260N1007L

Description: ONSEMI - FDB0260N1007L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1251 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB0260N1007L

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB0260N1007L

Trans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 478 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	7.58 EUR
25+	7.18 EUR
100+	6.79 EUR
250+	6.41 EUR

Mindestbestellmenge: 19

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB0260N1007L

MOSFETs 100V TO263 7L JEDEC GREEN EMC

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB0260N1007L

Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8545 pF @ 50 V

auf Bestellung 1879 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	16.54 EUR
10+	11.43 EUR
100+	9.52 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB0260N1007L

auf Bestellung 1251 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB029N06

Trans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB029N06

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9815 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB029N06

MOSFET NCH 60V 2.9Mohm

auf Bestellung 802 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.12 EUR
10+	8.48 EUR
25+	8.18 EUR
100+	7.36 EUR
250+	7.29 EUR
500+	6.78 EUR
800+	5.95 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB029N06

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9815 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB029N06

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9815 pF @ 25 V

auf Bestellung 16133 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

77+	6.07 EUR

Mindestbestellmenge: 77

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB029N06

Trans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB0300N1007L

Trans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB0300N1007L

MOSFETs 100V TO263 7L JEDEC GREEN EMC

auf Bestellung 617 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.25 EUR
10+	5.58 EUR
25+	5.54 EUR
100+	4.98 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB0300N1007L

Description: ONSEMI - FDB0300N1007L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 200
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.7
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB0300N1007L

FDB0300N1007L SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB0300N1007L

Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8295 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB0300N1007L

Trans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 680 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	8.94 EUR
19+	7.61 EUR
25+	6.98 EUR
100+	5.78 EUR
250+	4.24 EUR
500+	4.02 EUR

Mindestbestellmenge: 17

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB0300N1007L

Trans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB0300N1007L

Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8295 pF @ 50 V

auf Bestellung 794 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.43 EUR
10+	5.72 EUR
100+	4.93 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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FDB031N08

Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15160 pF @ 25 V

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FDB031N08

Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB031N08

Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB031N08

Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15160 pF @ 25 V

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FDB031N08

Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB031N08

MOSFETs 75V N-Channel PowerTrench

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FDB031N08

Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB035AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB035AN06A0

MOSFETs N-Channel PowerTrench

auf Bestellung 1377 Stücke:

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1+	7.73 EUR
10+	6.21 EUR
100+	4.73 EUR
500+	4.58 EUR
800+	4.42 EUR

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FDB035AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 22A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V

auf Bestellung 1848 Stücke:

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3+	8.4 EUR
10+	6.25 EUR
100+	4.83 EUR

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FDB035AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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18+	8.08 EUR
21+	6.91 EUR
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FDB035AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB035AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 22A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V

auf Bestellung 1600 Stücke:

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800+	3.95 EUR

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FDB035AN06A0

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; D2PAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 124nC
On-state resistance: 7.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK

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13+	5.86 EUR
14+	5.15 EUR
15+	4.86 EUR
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FDB035AN06A0

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13+	5.86 EUR
14+	5.15 EUR
15+	4.86 EUR
16+	4.66 EUR

Mindestbestellmenge: 13

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FDB035AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 190 Stücke:

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18+	8.08 EUR
21+	6.91 EUR
25+	6.59 EUR
100+	5.16 EUR

Mindestbestellmenge: 18

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FDB035AN06A0-F085

Trans MOSFET N-CH 60V 22A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB035AN06A0-F085

Description: MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V

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FDB035AN06A0-F085

MOSFET N-Chan PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 790 Stücke:

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FDB035AN06A0-F085

Description: MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V

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FDB035AN06A0_F085

Description: MOSFET N-CH 60V 22A TO-263AB

auf Bestellung 29600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB035AN06A0_F085

Description: MOSFET N-CH 60V 22A TO-263AB

auf Bestellung 614 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB035AN06A0_F085

Description: MOSFET N-CH 60V 22A TO-263AB

auf Bestellung 61429600 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB035AN06A0_Q

MOSFET N-Channel PowerTrench

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FDB035AN06AD

auf Bestellung 9600 Stücke:

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FDB035AN06AO

TO-263

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB035N

06+ SIP

auf Bestellung 50 Stücke:

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FDB035N10A

MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 27822 Stücke:

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1+	8.92 EUR
10+	6.23 EUR
100+	4.95 EUR
500+	4.47 EUR
800+	3.41 EUR

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FDB035N10A

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB035N10A

Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	3.03 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB035N10A

Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 267 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

21+	6.93 EUR
26+	5.2 EUR
100+	4.65 EUR
250+	4.13 EUR

Mindestbestellmenge: 21

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB035N10A

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 856A; 333W; D2PAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 116nC
On-state resistance: 3.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 333W
Pulsed drain current: 856A
Case: D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB035N10A

Description: ONSEMI - FDB035N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 214 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 492 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB035N10A

Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	4.3 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB035N10A

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V

auf Bestellung 967 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.44 EUR
10+	7.14 EUR
100+	5.41 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB035N10A

Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	3.03 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB035N10A

Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB035N10A

Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB035N10A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB035N10A

auf Bestellung 492 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB035N10A

Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 267 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

21+	6.93 EUR
26+	5.2 EUR
100+	4.65 EUR
250+	4.13 EUR

Mindestbestellmenge: 21

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB035N10A

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	4.59 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB035N10A

Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 510 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

24+	6.17 EUR
50+	5.25 EUR
100+	4.95 EUR
200+	4.41 EUR
500+	4.21 EUR

Mindestbestellmenge: 24

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB039N06

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8235 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB039N06

Trans MOSFET N-CH 60V 174A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB039N06

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8235 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB045AN08

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB045AN08

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB045AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 281600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	4.15 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB045AN08A0

Description: MOSFET N-CH 75V 19A/90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	3.09 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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FDB045AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB045AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB045AN08A0

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 90A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 90A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 138nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FDB045AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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800+	4.15 EUR

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FDB045AN08A0

MOSFETs N-Channel UltraFET

auf Bestellung 1182 Stücke:

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1+	5.61 EUR
10+	4.22 EUR
100+	3.34 EUR
500+	2.94 EUR

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FDB045AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	2.78 EUR

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FDB045AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	2.42 EUR

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FDB045AN08A0

Description: MOSFET N-CH 75V 19A/90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V

auf Bestellung 870 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.16 EUR
10+	4.87 EUR
100+	3.49 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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FDB045AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB045AN08A0

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FDB045AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	2.76 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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FDB045AN08A0-F085

Description: MOSFET N-CH 75V 19A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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FDB045AN08A0-F085

Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB045AN08A0-F085

MOSFET 75V N-CHAN PwrTrench

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FDB045AN08A0-F085

Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 680 Stücke:

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143+	3.79 EUR
500+	3.47 EUR

Mindestbestellmenge: 143

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FDB045AN08A0-F085

Description: MOSFET N-CH 75V 19A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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FDB045AN08A0-F085

Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 146 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

143+	3.79 EUR

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FDB045AN08A0-F085

Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB045AN08A0-F085

Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 800 Stücke:

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143+	3.79 EUR
500+	3.47 EUR

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FDB045AN08A0-F085C

Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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FDB045AN08A0-SN00237

Trans MOSFET N-CH 75V 19A T/R

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FDB045AN08A0_F085

Description: MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK

auf Bestellung 568 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDB045AN08A0_F085

Description: MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK

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FDB045AN08A0_F085

Description: MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK

auf Bestellung 568 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDB045AN08A0_Q

MOSFET N-Channel UltraFET

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FDB047N10

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	2.77 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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FDB047N10

TO263 10+

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB047N10

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 790 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

26+	5.65 EUR
31+	4.56 EUR
32+	4.29 EUR
100+	3.35 EUR
250+	3.11 EUR
500+	2.32 EUR

Mindestbestellmenge: 26

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FDB047N10

Description: ONSEMI - FDB047N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 375
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB047N10

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 5600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	2.8 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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FDB047N10

MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench

auf Bestellung 8196 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.26 EUR
10+	3.54 EUR
100+	3.13 EUR
500+	3.03 EUR
800+	2.76 EUR

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FDB047N10

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	2.78 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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FDB047N10

Description: ONSEMI - FDB047N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

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FDB047N10

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V

auf Bestellung 1990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.46 EUR
10+	4.36 EUR
100+	3.6 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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FDB047N10

FDB047N10 SMD N channel transistors

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FDB047N10

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 5600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	2.8 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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FDB047N10

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB047N10

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 790 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

26+	5.65 EUR
31+	4.56 EUR
32+	4.29 EUR
100+	3.35 EUR
250+	3.11 EUR
500+	2.32 EUR

Mindestbestellmenge: 26

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB047N10

Description: ONSEMI - FDB047N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 375
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB047N10

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	2.93 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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FDB050AN06A0

MOSFETs 60V N-Ch PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 3100 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.03 EUR
10+	3.29 EUR
100+	2.29 EUR
500+	2.01 EUR
800+	1.83 EUR

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FDB050AN06A0

FDB050AN06A0 SMD N channel transistors

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB050AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB050AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB050AN06A0

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB050AN06A0

Description: ONSEMI - FDB050AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 343 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB050AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB050AN06A0

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB050AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB050AN06A0

auf Bestellung 343 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB050AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V

auf Bestellung 114 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.65 EUR
10+	4.18 EUR
100+	3.36 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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FDB050AN06A0

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB060AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB060AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB060AN08A0

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB060AN08A0

Description: MOSFET N-CH 75V 16A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 25 V

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	2.85 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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FDB060AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 390 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

26+	5.63 EUR
29+	4.85 EUR
30+	4.55 EUR
100+	3.55 EUR
250+	3.36 EUR

Mindestbestellmenge: 26

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FDB060AN08A0

Description: ONSEMI - FDB060AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 722 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB060AN08A0

MOSFETs Discrete Auto N-Ch PowerTrench

auf Bestellung 668 Stücke:

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1+	3.84 EUR
10+	3.33 EUR
100+	2.92 EUR
500+	2.68 EUR

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FDB060AN08A0

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB060AN08A0

FDB060AN08A0 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB060AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 390 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

26+	5.63 EUR
29+	4.85 EUR
30+	4.55 EUR
100+	3.55 EUR
250+	3.36 EUR

Mindestbestellmenge: 26

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FDB060AN08A0

auf Bestellung 722 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB060AN08A0

Description: MOSFET N-CH 75V 16A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 25 V

auf Bestellung 2841 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.69 EUR
10+	5.1 EUR
100+	3.62 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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FDB0630N1507L

Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9895 pF @ 75 V

auf Bestellung 1008 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	12.88 EUR
10+	8.76 EUR
100+	6.42 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDB0630N1507L

MOSFETs 150V 7L JEDEC GREEN EMC

auf Bestellung 3556 Stücke:

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1+	10.88 EUR
10+	7.81 EUR
100+	5.91 EUR
250+	5.9 EUR
800+	5.88 EUR

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FDB0630N1507L

FDB0630N1507L SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB0630N1507L

Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9895 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB0630N1507L

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB0690N1507L

FDB0690N1507L SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB0690N1507L

Trans MOSFET N-CH 150V 115A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB0690N1507L

Description: MOSFET N-CH 150V 3.8A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8775 pF @ 75 V

auf Bestellung 781 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.82 EUR
10+	7.28 EUR
100+	5.28 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDB0690N1507L

Description: MOSFET N-CH 150V 3.8A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8775 pF @ 75 V

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FDB0690N1507L

MOSFETs 150V TO263 7L JEDEC GREEN EMC

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FDB069AN04C0-BINZ

auf Bestellung 1688 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB070AN06A0

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 175W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 15mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 80A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 175W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB070AN06A0

MOSFETs N-Channel PT 6V 8A 7mOhm

auf Bestellung 18851 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.04 EUR
10+	2.96 EUR
100+	2.71 EUR
500+	2.52 EUR

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FDB070AN06A0

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB070AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 15A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

auf Bestellung 7886 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.13 EUR
10+	4.7 EUR
100+	3.32 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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FDB070AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB070AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 15A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

auf Bestellung 7200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	2.6 EUR
1600+	2.56 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB070AN06A0-F085

Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB070AN06A0-F085

MOSFET N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET

auf Bestellung 695 Stücke:

Lieferzeit 777-781 Tag (e)

1+	5.72 EUR
10+	5.16 EUR
100+	4.22 EUR
500+	3.59 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB070AN06A0_F085

Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO-263AB

auf Bestellung 24800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB070AN06A0_F085

Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO-263AB

auf Bestellung 650 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB070AN06A0_F085

Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO-263AB

auf Bestellung 65024800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB075N15A

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB075N15A

Description: ONSEMI - FDB075N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 0.00625 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00625ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 1208 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB075N15A

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB075N15A

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 47 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	5.41 EUR
29+	4.85 EUR

Mindestbestellmenge: 27

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB075N15A

Description: MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V

auf Bestellung 4050 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.47 EUR
10+	6.23 EUR
100+	4.9 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB075N15A

MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 2447 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.13 EUR
10+	6.64 EUR
100+	4.89 EUR
250+	4.84 EUR
800+	4.35 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB075N15A

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 550 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB075N15A

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB075N15A

auf Bestellung 2008 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB075N15A

FDB075N15A SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB075N15A

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 47 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	5.43 EUR
29+	4.87 EUR

Mindestbestellmenge: 27

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB075N15A

Description: MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	4.7 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB075N15A-F085

Trans MOSFET N-CH 150V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB075N15A-F085

Description: MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5595 pF @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB075N15A-F085

MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET 150V, 110A, 5.5mohm

auf Bestellung 1474 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.29 EUR
10+	6.55 EUR
100+	5.39 EUR
500+	4.56 EUR
800+	4.15 EUR
2400+	4 EUR
4800+	3.96 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB075N15A-F085

Trans MOSFET N-CH 150V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB075N15A-F085

Description: ONSEMI - FDB075N15A-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 110 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 110
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 333
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 333
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: FDB PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 780 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB075N15A-F085

FDB075N15A-F085 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB075N15A-F085

Description: MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5595 pF @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB075N15A-F085C

Description: MODULE
Packaging: Bulk

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FDB075N15A_SN00284

Description: MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V

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FDB075N15A_TAPE

Micross Components

FDB075N15A_TAPE

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FDB082N15A

FDB082N15A SMD N channel transistors

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FDB082N15A

Description: MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 117A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V

auf Bestellung 1432 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	8.92 EUR
10+	7.41 EUR
100+	5.78 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDB082N15A

Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB082N15A

Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB082N15A

Description: MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 117A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	5.39 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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FDB082N15A

Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB082N15A

MOSFETs 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET

auf Bestellung 609 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.68 EUR
10+	7.87 EUR
100+	6.16 EUR
250+	6.14 EUR
500+	6.04 EUR
800+	5.86 EUR
2400+	5.6 EUR

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FDB082N15A

Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB088N08

Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6595 pF @ 25 V

auf Bestellung 320 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.56 EUR
10+	3.79 EUR
100+	3.01 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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FDB088N08

MOSFETs NCH 75V 8.8Mohm

auf Bestellung 368 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.58 EUR
10+	3.78 EUR
100+	2.64 EUR
800+	2.01 EUR

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FDB088N08

FDB088N08 SMD N channel transistors

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FDB088N08

Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6595 pF @ 25 V

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FDB088N08

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB10AN06A0

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB10AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB10AN06A0

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB10AN06A0

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB10AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 12A/75A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V

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FDB10AN06AO

03+ TO

auf Bestellung 2410 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB10N20L

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB10N20L

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB110N15A

Description: MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 92A, 10V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4510 pF @ 75 V

auf Bestellung 3238 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.52 EUR
10+	7.16 EUR
100+	5.79 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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FDB110N15A

Description: MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 92A, 10V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4510 pF @ 75 V

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	5.15 EUR
1600+	4.41 EUR
2400+	4.15 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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FDB110N15A

Description: ONSEMI - FDB110N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 92 A, 0.00925 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00925ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 700 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB110N15A

FDB110N15A SMD N channel transistors

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB110N15A

auf Bestellung 700 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB110N15A

Trans MOSFET N-CH 150V 92A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB110N15A

MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 9708 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.81 EUR
10+	5.37 EUR
25+	5.35 EUR
100+	4.31 EUR
250+	4.29 EUR
500+	4.28 EUR
800+	4.21 EUR

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FDB120N10

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 52A; Idm: 296A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB120N10

Description: MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 74A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5605 pF @ 25 V

auf Bestellung 428 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.02 EUR
10+	3.82 EUR
100+	2.8 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB120N10

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB120N10

Trans MOSFET N-CH 100V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB120N10

MOSFETs 100V N-Chan 12Mohm PowerTrench

auf Bestellung 4047 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.19 EUR
10+	3.87 EUR
100+	2.85 EUR
500+	2.75 EUR
800+	2.34 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB120N10

Description: MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 74A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5605 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB12N50FTM

Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB12N50FTM-WS

Trans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB12N50FTM-WS

MOSFET 500V 11.5A 0.7Ohm N-Channel

auf Bestellung 210 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.45 EUR
10+	3.12 EUR
25+	3.01 EUR
100+	2.52 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB12N50FTM-WS

Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB12N50FTM-WS

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 165W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB12N50FTM-WS

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB12N50FTM-WS

Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395 pF @ 25 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB12N50TM

Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.66 EUR
10+	3.15 EUR
100+	2.29 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB12N50TM

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 165W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 0.65Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS; UniFET™
Drain current: 6.9A
Pulsed drain current: 46A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB12N50TM

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB12N50TM

Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	1.57 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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FDB12N50TM

Trans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB12N50TM

MOSFETs 500V N-CH MOSFET

auf Bestellung 1172 Stücke:

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1+	3.98 EUR
10+	2.97 EUR
100+	2.11 EUR
500+	1.92 EUR
800+	1.64 EUR

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FDB12N50UTM

Description: ONSEMI - FDB12N50UTM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB12N50UTM

Description: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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273+	1.79 EUR

Mindestbestellmenge: 273

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FDB12N50UTM-WS

Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB12N50UTM_WS

Description: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB12N50UTM_WS

Description: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395 pF @ 25 V

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FDB13AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V

auf Bestellung 832 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.41 EUR
10+	1.96 EUR
100+	1.7 EUR

Mindestbestellmenge: 8

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FDB13AN06A0

FDB13AN06A0 SMD N channel transistors

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FDB13AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 29 Stücke:

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FDB13AN06A0

MOSFETs N-Channel PowerTrench

auf Bestellung 6109 Stücke:

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1+	3.59 EUR
10+	2.6 EUR
100+	2.09 EUR
500+	2.08 EUR
800+	1.65 EUR

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FDB13AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB13AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V

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FDB13AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB13AN06A0

Transistor N-MOSFET; 60V; 10V; 13,5mOhm; 62A; 115W; -55°C ~ 175°C; FDB13AN06A0 TFDB13AN06A0
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 194 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	5.71 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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FDB13AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB13AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 5600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB13AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 29 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB14AN06LA

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB14AN06LA

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB14AN06LA0

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB14AN06LA0

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB14AN06LA0

Description: MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO263AB

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FDB14AN06LA0

MOSFET 60V N-Ch PowerTrench MOSFET

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FDB14AN06LA0-F085

Description: MOSFET N-CH 60V 67A TO263AB

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB14AN06LA0-F085

Trans MOSFET N-CH 60V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB14AN06LA0-F085

MOSFET 60V N-CHAN PwrTrench

auf Bestellung 1182 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDB14AN06LA0-F085

Description: ONSEMI - FDB14AN06LA0-F085 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

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FDB14AN06LA0-F085

Trans MOSFET N-CH 60V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB14AN06LA0-F085

Description: MOSFET N-CH 60V 67A TO263AB

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FDB14N30

onsemi UF 300V 290MOHM D2PAK

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FDB14N30

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB14N30

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB14N30TM

Trans MOSFET N-CH 300V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB14N30TM

Description: MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB14N30TM

Description: ONSEMI - FDB14N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 14 A, 0.24 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

auf Bestellung 6551 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB14N30TM

Trans MOSFET N-CH 300V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB14N30TM

Description: MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB14N30TM

Trans MOSFET N-CH 300V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 804 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

80+	1.82 EUR
81+	1.74 EUR
100+	1.36 EUR
250+	1.29 EUR
500+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 80

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB14N30TM

MOSFETs 300V N-Ch MOSFET

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB14N30TM

Description: ONSEMI - FDB14N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 14 A, 0.24 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 140
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

auf Bestellung 6551 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB14N30TM

Trans MOSFET N-CH 300V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 804 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

73+	2 EUR
80+	1.75 EUR
81+	1.67 EUR
100+	1.31 EUR
250+	1.24 EUR
500+	1.03 EUR

Mindestbestellmenge: 73

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB150N10

Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V

auf Bestellung 6781 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.29 EUR
10+	5.13 EUR
100+	3.65 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB150N10

MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench

auf Bestellung 513 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.05 EUR
10+	4.21 EUR
100+	3.52 EUR
500+	3.08 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB150N10

Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB150N10

Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V

auf Bestellung 6400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	2.9 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB150N10

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; Idm: 228A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 228A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB150N10

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB15N50

Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB15N50

Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB15N50

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 766 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	4.7 EUR
23+	3.2 EUR
24+	3.03 EUR
100+	2.92 EUR

Mindestbestellmenge: 16

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB15N50

Description: MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

auf Bestellung 1539 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.28 EUR
10+	4.61 EUR
100+	3.36 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB15N50
Produktcode: 46102

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FDB15N50

auf Bestellung 766 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

16+	4.7 EUR
23+	3.2 EUR
24+	3.03 EUR
100+	2.92 EUR

Mindestbestellmenge: 16

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FDB15N50

Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB15N50

Description: MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	2.73 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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FDB15N50

MOSFETs 15A 500V 0.38 Ohm N-Ch SMPS Pwr

auf Bestellung 11913 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.54 EUR
10+	4.22 EUR
100+	3.19 EUR
500+	2.9 EUR
800+	2.8 EUR

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FDB15N50_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB16AN08A0

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB16AN08A0

Description: MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V

auf Bestellung 1530 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.58 EUR
10+	3.65 EUR
100+	2.55 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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FDB16AN08A0

FDB16AN08A0 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB16AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB16AN08A0

Description: ONSEMI - FDB16AN08A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 72 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB16AN08A0

MOSFETs Discrete Auto N-Ch UltraFET Trench

auf Bestellung 3200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.47 EUR
10+	3.59 EUR
100+	2.52 EUR
500+	1.94 EUR
800+	1.87 EUR

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FDB16AN08A0

Description: MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	1.97 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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FDB16AN08A0

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB16AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB1D7N10CL7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 268A; Idm: 1390A; 250W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 268A
On-state resistance: 1.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 116nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1390A
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7

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FDB1D7N10CL7

MOSFETs MOSFET 100V 268A 1.7 mOhm

auf Bestellung 1561 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.76 EUR
10+	10.08 EUR
25+	9.13 EUR
100+	8.4 EUR
250+	7.9 EUR
500+	7.41 EUR
800+	6.67 EUR

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FDB1D7N10CL7

Description: MOSFET N-CH 100V 268A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 268A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 50 V

auf Bestellung 3634 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	13.18 EUR
10+	9 EUR
100+	6.63 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDB1D7N10CL7

Trans MOSFET N-CH 100V 268A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB1D7N10CL7

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB1D7N10CL7

Trans MOSFET N-CH 100V 268A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB1D7N10CL7

Description: MOSFET N-CH 100V 268A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 268A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 50 V

auf Bestellung 3200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	5.91 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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FDB1D7N10CL7

auf Bestellung 737 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB1D7N10CL7

Trans MOSFET N-CH 100V 268A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB2060

Circuit Breakers FDB CB 2P 60A/250VDC MAX 10K/600VAC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2060L

Circuit Breakers FDB 2P 60A TRIP, 600V CLASS, LINE & LOAD

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2070

Circuit Breakers FDB CB 2P 70A/250VDC MAX 10K/600VAC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2070L

Circuit Breakers FDB 2P 70A TRIP, 600V CLASS, LINE & LOAD

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2070S22

Circuit Breakers FDB 2P 70A W/ST 48-127VAC OR 48-60VDC RH

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2080

TYPE FDB BREAKER 2 POLE 80 AMP

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2080L

FDB 2P 80A CKBR W/LINE & LOAD TERMINALS

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB2080N06

FDB 3P 80 A W/LST1RPK Low Energy ST

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FDB20AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 9A/45A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5810 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

412+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 412

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FDB20AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB20AN06A0

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB20AN06A0

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB20AN06A0

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB20N50F

Description: ONSEMI - FDB20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 379 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB20N50F

Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB20N50F

Description: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V

auf Bestellung 8031 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.77 EUR
10+	4.33 EUR
100+	3.07 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB20N50F

Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 330 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

194+	2.8 EUR

Mindestbestellmenge: 194

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB20N50F

MOSFETs N-Channel UniFET^TM FRFET MOSFET 500V,

auf Bestellung 5996 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.81 EUR
10+	4.36 EUR
100+	3.12 EUR
500+	2.92 EUR
800+	2.68 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB20N50F

auf Bestellung 379 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB20N50F

Description: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V

auf Bestellung 7200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	2.34 EUR
1600+	2.3 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB20N50F

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB20N50F

Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB20N50F

Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB20N50F

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB24AN06LA0

MOSFET 60V N-Channel PowerTrench

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FDB24AN06LA0

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB24AN06LA0

Description: MOSFET N-CH 60V 7.8A/40A TO263AB

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB24AN06LA0

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB24AN06LA0

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB24AN06LA0

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO-263AB

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2532

Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	3.06 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 738 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

32+	4.59 EUR
40+	3.36 EUR
100+	2.56 EUR
250+	2.43 EUR
500+	2.09 EUR

Mindestbestellmenge: 32

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2532
Produktcode: 61087

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2532

FDB2532 SMD N channel transistors

auf Bestellung 223 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

14+	5.13 EUR
21+	3.49 EUR
22+	3.3 EUR

Mindestbestellmenge: 14

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2532

Description: ONSEMI - FDB2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 888 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 52800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	2.23 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 3200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	2.29 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 52800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	2.23 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2532

Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V

auf Bestellung 2461 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.09 EUR
10+	4.5 EUR
100+	3.74 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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FDB2532

MOSFETs 150V N-Channel QFET Trench

auf Bestellung 1029 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.6 EUR
10+	4.26 EUR
100+	3.73 EUR
800+	3.41 EUR

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FDB2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 3200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	3.39 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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FDB2532

auf Bestellung 896 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	4.21 EUR
300+	3.97 EUR
800+	3.37 EUR

Mindestbestellmenge: 100

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FDB2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 738 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

32+	4.59 EUR
40+	3.36 EUR
100+	2.56 EUR
250+	2.43 EUR
500+	2.09 EUR

Mindestbestellmenge: 32

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FDB2532-F085

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 192 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

124+	4.37 EUR

Mindestbestellmenge: 124

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FDB2532-F085

Description: MOSFET N-CH 150V 79A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2532-F085

MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB2532-F085

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 284 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

124+	4.37 EUR

Mindestbestellmenge: 124

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2532-F085

Description: MOSFET N-CH 150V 79A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2532-F085

Trans MOSFET N-CH 150V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2532_SB82254

MOSFET

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2532_SN00096

MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2532_SN00238

MOSFETs

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FDB2552

Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 676 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

37+	3.97 EUR
41+	3.42 EUR
42+	3.23 EUR
100+	2.54 EUR
250+	2.42 EUR
500+	1.75 EUR

Mindestbestellmenge: 37

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FDB2552

Description: ONSEMI - FDB2552 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37 A, 0.032 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 304 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2552

Description: MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	1.5 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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FDB2552

Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 676 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

37+	3.97 EUR
41+	3.42 EUR
42+	3.23 EUR
100+	2.54 EUR
250+	2.42 EUR
500+	1.75 EUR

Mindestbestellmenge: 37

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2552

Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB2552

MOSFETs 150V N-Ch UltraFET Trench

auf Bestellung 2520 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.94 EUR
10+	2.32 EUR
100+	1.95 EUR
500+	1.64 EUR

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FDB2552

FDB2552 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB2552

Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB2552

auf Bestellung 304 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2552

Description: MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V

auf Bestellung 1356 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.45 EUR
10+	2.02 EUR
100+	1.78 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2552-F085

Trans MOSFET N-CH 150V 5A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB2552-F085

MOSFET N-Chan PowerTrench M OSFET

auf Bestellung 301 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2570

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2570

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2570

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2572

Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 48 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2572

FDB2572 SMD N channel transistors

auf Bestellung 772 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

34+	2.16 EUR
43+	1.67 EUR
46+	1.57 EUR
800+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 34

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2572

Description: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V

auf Bestellung 989 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.04 EUR
10+	2.24 EUR
100+	1.81 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2572

Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 48 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2572

Description: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2572

Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2572

Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2572

MOSFETs N-Channel UltraFET

auf Bestellung 1014 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.52 EUR
10+	2.08 EUR
100+	1.76 EUR
800+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2572_Q

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2614

Description: ONSEMI - FDB2614 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.0229 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0229ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1210 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2614

Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2614

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 62A; 260W; D2PAK
Mounting: SMD
Drain current: 62A
Drain-source voltage: 200V
Power dissipation: 260W
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 99nC
On-state resistance: 27mΩ
Gate-source voltage: ±30V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2614

Description: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V

auf Bestellung 1074 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.6 EUR
10+	5.46 EUR
100+	4.03 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2614

auf Bestellung 1210 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2614

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2614

Description: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	3.2 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2614

MOSFETs 200V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 2441 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.6 EUR
10+	5.44 EUR
100+	4.05 EUR
500+	3.84 EUR
800+	3.66 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2670

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2670

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2670

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2670

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2670

Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 100 V

auf Bestellung 3668 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

192+	2.37 EUR

Mindestbestellmenge: 192

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2710

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 260W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 260W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 36.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 101nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 789 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

13+	5.56 EUR
18+	3.99 EUR
19+	3.78 EUR
100+	3.68 EUR

Mindestbestellmenge: 13

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2710

Description: MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V

auf Bestellung 420 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.24 EUR
10+	6.26 EUR
100+	4.57 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDB2710

Description: ONSEMI - FDB2710 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 50 A, 0.0363 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0363ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB2710

Trans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB2710

Trans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB2710

Description: MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB2710

MOSFETs 250V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 3203 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.22 EUR
10+	6.18 EUR
25+	5.97 EUR
100+	4.45 EUR
250+	4.36 EUR
500+	4.33 EUR
800+	4.22 EUR

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FDB2710

auf Bestellung 887 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB2710

Trans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB2710

auf Bestellung 789 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	5.56 EUR
18+	3.99 EUR
19+	3.78 EUR
100+	3.68 EUR

Mindestbestellmenge: 13

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FDB28N30TM

MOSFETs 300V N-Channel

auf Bestellung 18747 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.52 EUR
10+	2.52 EUR
100+	1.88 EUR
500+	1.8 EUR
800+	1.53 EUR

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FDB28N30TM

Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB28N30TM

Transistor N-Channel MOSFET; 300V; 10V; 129mOhm; 28A; 250W; -55°C~150°C; FDB28N30TM TFDB28n30tm
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	3.9 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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FDB28N30TM

Description: MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V

auf Bestellung 2536 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.59 EUR
10+	2.58 EUR
100+	1.93 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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FDB28N30TM

Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 498 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

49+	2.98 EUR
67+	2.08 EUR
68+	1.99 EUR
100+	1.45 EUR
250+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 49

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FDB28N30TM

Description: ONSEMI - FDB28N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 28 A, 0.108 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1794 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB28N30TM

Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 498 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

49+	2.98 EUR
67+	2.08 EUR
68+	1.99 EUR
100+	1.45 EUR
250+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 49

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FDB28N30TM

FDB28N30TM SMD N channel transistors

auf Bestellung 603 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

27+	2.73 EUR
44+	1.63 EUR
47+	1.54 EUR
800+	1.5 EUR

Mindestbestellmenge: 27

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FDB28N30TM

Description: MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	1.51 EUR
1600+	1.49 EUR
2400+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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FDB28N30TM

Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB28N30TM

Description: ONSEMI - FDB28N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 28 A, 0.108 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 788 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB28N30TM

Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB28N30TM

Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 5600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB28N30TM транзистор
Produktcode: 193843

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3010D11

Circuit Breakers FDB 3P 10A W/ LINE & LOAD END CAP KITSS

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3060VS05

Bussmann / Eaton

FDB 3P 60A TRIP 600V 50C 48-127 SHUNT

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FDB32N12

auf Bestellung 50000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB33N25

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB33N25

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB33N25

MOSFET UF 250V 94MOHM D2PAK

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FDB33N25TM

Description: ONSEMI - FDB33N25TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.077 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 235W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2682 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB33N25TM

Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 44000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	1.62 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB33N25TM

N-MOSFET 33A 250V 235W 0.094Ω FDB33N25TM TFDB33N25TM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 45 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	2.82 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB33N25TM

Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

310+	1.75 EUR
500+	1.61 EUR
1000+	1.47 EUR

Mindestbestellmenge: 310

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB33N25TM

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 33A; 235W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 33A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 235W
Drain-source voltage: 250V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Gate charge: 48nC
On-state resistance: 94mΩ

auf Bestellung 640 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

25+	2.95 EUR
29+	2.52 EUR
41+	1.76 EUR
44+	1.66 EUR
100+	1.59 EUR

Mindestbestellmenge: 25

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB33N25TM

Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	1.73 EUR
1600+	1.66 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB33N25TM

Description: MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V

auf Bestellung 15813 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.94 EUR
10+	2.9 EUR
100+	2.01 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB33N25TM

MOSFETs 250V N-Ch MOSFET

auf Bestellung 11561 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.92 EUR
10+	2.87 EUR
100+	1.95 EUR
500+	1.78 EUR
800+	1.62 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB33N25TM

Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB33N25TM

Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 31200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB33N25TM

auf Bestellung 640 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

25+	2.95 EUR
29+	2.52 EUR
41+	1.76 EUR
44+	1.66 EUR
100+	1.59 EUR

Mindestbestellmenge: 25

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB33N25TM

Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 44000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	1.6 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB33N25TM

Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 199 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

37+	3.93 EUR
56+	2.52 EUR
57+	2.38 EUR
100+	1.35 EUR

Mindestbestellmenge: 37

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB33N25TM

Description: MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V

auf Bestellung 15200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	1.56 EUR
1600+	1.39 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB33N25TM

Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 199 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

37+	3.93 EUR
56+	2.52 EUR
57+	2.38 EUR
100+	1.35 EUR

Mindestbestellmenge: 37

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3502

Trans MOSFET N-CH Si 75V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 234 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3502

Description: MOSFET N-CH 75V 6A/14A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3502

MOSFETs 75V N-Channel PowerTrench

auf Bestellung 252 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.71 EUR
10+	2.46 EUR
100+	1.72 EUR
800+	1.22 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3502

FDB3502 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3502

Trans MOSFET N-CH Si 75V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3502

Description: MOSFET N-CH 75V 6A/14A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815 pF @ 40 V

auf Bestellung 519 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.71 EUR
10+	2.38 EUR
100+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3502

Description: ONSEMI - FDB3502 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3502

auf Bestellung 790 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3632

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3632

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FDB3632

Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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800+	2.83 EUR

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FDB3632

Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB3632

Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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800+	2.14 EUR

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FDB3632

Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB3632

Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V

auf Bestellung 6400 Stücke:

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800+	2.18 EUR
1600+	2.14 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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FDB3632

Description: ONSEMI - FDB3632 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.009 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

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FDB3632

Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 727 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

29+	5.08 EUR
39+	3.59 EUR
42+	3.21 EUR
100+	2.38 EUR
250+	2.26 EUR
500+	1.8 EUR

Mindestbestellmenge: 29

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FDB3632

Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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800+	2.17 EUR

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FDB3632

MOSFETs N-Channel PowerTrench

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1+	5.67 EUR
10+	4.17 EUR
25+	3.89 EUR
100+	3.03 EUR
500+	2.78 EUR
800+	2.34 EUR

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FDB3632

Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 727 Stücke:

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29+	5.08 EUR
39+	3.59 EUR
42+	3.21 EUR
100+	2.38 EUR
250+	2.26 EUR
500+	1.8 EUR

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FDB3632

Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V

auf Bestellung 7195 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.53 EUR
10+	4.06 EUR
100+	2.89 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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FDB3632-F085

Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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FDB3632-F085

MOSFET 100V N-Channel Power Trench MOSFET

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FDB3632-F085

Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

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145+	3.74 EUR

Mindestbestellmenge: 145

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FDB3632-F085

Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB3632-F085

Trans MOSFET N-CH 100V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB3632-F085

Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1763 Stücke:

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145+	3.74 EUR
500+	3.45 EUR
1000+	3.14 EUR

Mindestbestellmenge: 145

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FDB3632-F101

Trans MOSFET N-CH 100V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R

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FDB3632-SN00239

Trans MOSFET N-CH 100V 12A T/R

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FDB3632.

Description: ONSEMI - FDB3632. - MOSFET, FULL REEL
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 80
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 310
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 310
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: Lead

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FDB3632_F085

Trans MOSFET N-CH 100V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB3632_Q

MOSFET N-Channel PowerTrench

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FDB3632_SB82115

Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V

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FDB3652

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB3652

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB3652
Produktcode: 155755

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VBSemi

Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 61 A
Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2880/41
JHGF: SMD

auf Bestellung 18 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB3652

Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V

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FDB3652

MOSFET N-Channel PowerTrench

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FDB3652

Description: ONSEMI - FDB3652 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 440 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB3652

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 3200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB3652

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB3652

FDB3652 SMD N channel transistors

auf Bestellung 480 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

30+	2.42 EUR
41+	1.74 EUR
44+	1.66 EUR

Mindestbestellmenge: 30

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FDB3652

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3652

Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V

auf Bestellung 543 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.63 EUR
10+	2.99 EUR
100+	2.07 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3652-F085

Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3652-F085

MOSFET N-Ch PowerTrench Trench Mos.

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FDB3652-F085

Description: ONSEMI - FDB3652-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.6 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 3307 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB3652-F085

Trans MOSFET N-CH 100V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3652-F085

Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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FDB3652-F085

Trans MOSFET N-CH 100V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB3652SB82059

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

123+	3.71 EUR

Mindestbestellmenge: 123

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FDB3652SB82059

Description: ONSEMI - FDB3652SB82059 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB3652_Q

MOSFET N-Channel PowerTrench

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FDB3672

Description: MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

165+	2.71 EUR

Mindestbestellmenge: 165

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FDB3672

MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

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FDB3672

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3672

Description: MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V

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FDB3672

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3672-F085

Description: MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 299 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.8 EUR
10+	3.14 EUR
100+	2.18 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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FDB3672-F085

Description: ONSEMI - FDB3672-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.024 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 44
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB3672-F085

Description: MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB3672-F085

MOSFET 100V 44A N-Channel PowerTrench

auf Bestellung 1157 Stücke:

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1+	4.36 EUR
10+	3.94 EUR
25+	3.73 EUR
100+	3.17 EUR
500+	2.62 EUR

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FDB3672_F085

Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK

auf Bestellung 10213200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDB3672_F085

Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK

auf Bestellung 3200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDB3672_F085

Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK

auf Bestellung 1021 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDB3672_F085/BKN

Description: FDB3672_F085/BKN

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FDB3682

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

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FDB3682

FDB3682 SMD N channel transistors

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FDB3682

MOSFET 100V N-Channel Pwr Trench

auf Bestellung 7224 Stücke:

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1+	3.73 EUR
10+	3.12 EUR
100+	2.46 EUR
500+	2.45 EUR
800+	1.76 EUR
2400+	1.67 EUR
4800+	1.63 EUR

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FDB3682

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB3682

Description: ONSEMI - FDB3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.032 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 95W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1587 Stücke:

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FDB3682

Description: MOSFET N-CH 100V 6A/32A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V

auf Bestellung 948 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.21 EUR
10+	3.13 EUR
100+	2.19 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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FDB3682

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3682

Description: ONSEMI - FDB3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.032 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1583 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3682

Description: MOSFET N-CH 100V 6A/32A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	1.59 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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FDB3860

Description: MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3860

Description: MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3860

Description: MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB38N30U

MOSFETs UF 300V 120MOHM U DPAK

auf Bestellung 3260 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.65 EUR
10+	4.21 EUR
100+	3.15 EUR
500+	2.46 EUR
800+	2.43 EUR

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FDB38N30U

Description: ONSEMI - FDB38N30U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET Ultra FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 307 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB38N30U

Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB38N30U

Description: MOSFET N CH 300V 38A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 25 V

auf Bestellung 17168 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.34 EUR
10+	4.42 EUR
100+	3.12 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB38N30U

auf Bestellung 307 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB38N30U

FDB38N30U SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB38N30U

Description: MOSFET N CH 300V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 25 V

auf Bestellung 16800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	2.61 EUR
1600+	2.6 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB390N15A

Description: MOSFET N-CH 150V 27A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 75 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB390N15A

FDB390N15A SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB390N15A

MOSFETs 150V NCHAN PwrTrench

auf Bestellung 1533 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.66 EUR
10+	3.06 EUR
100+	2.13 EUR
800+	1.51 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB390N15A

Description: MOSFET N-CH 150V 27A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 75 V

auf Bestellung 1186 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.65 EUR
10+	3.04 EUR
100+	2.1 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB390N15A

Trans MOSFET N-CH Si 150V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3P50

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3P50

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB4020P

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB4020P

MOSFET P-Ch Spec Enhance MODE FIELD EFFECT

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB4020P

Description: ONSEMI - FDB4020P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 6321 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB4020P

Description: MOSFET P-CH 20V 16A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 37.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 10 V

auf Bestellung 5926 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

370+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 370

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB4020P

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB4020P

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB4030L

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB4030L

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 15 V

auf Bestellung 13600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

360+	1.4 EUR

Mindestbestellmenge: 360

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB4030L

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB42AN15A0

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB42AN15A0

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB42AN15A0

Description: MOSFET N-CH 150V 5A/35A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB42AN15A0

Trans MOSFET N-CH 150V 5A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB42AN15A0

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB42AN15A0

MOSFETs Discrete Auto N-Ch PowerTrench

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB42AN15A0-F085

Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB42AN15A0-F085

Trans MOSFET N-CH 150V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB42AN15A0-F085

Description: MOSFET N-CH 150V 35A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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FDB42AN15A0-F085

MOSFET TO263_03, SINGLE, N-CH, 150V, 42MOHM ULTRAFET TRENCH MOSFET

auf Bestellung 278 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDB42AN15A0_SN00093

MOSFETs

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FDB44N25

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB44N25

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB44N25TM

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 69mΩ
Drain current: 26.4A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 307W
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 760 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

23+	3.23 EUR
24+	3 EUR
37+	1.97 EUR
39+	1.86 EUR
100+	1.8 EUR
250+	1.79 EUR

Mindestbestellmenge: 23

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FDB44N25TM

Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB44N25TM

Description: MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V

auf Bestellung 8943 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.35 EUR
10+	3.29 EUR
100+	2.29 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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FDB44N25TM

MOSFETs 250V N-Ch MOSFET

auf Bestellung 4674 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.49 EUR
10+	3.33 EUR
100+	2.32 EUR
500+	2.09 EUR
800+	1.88 EUR

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FDB44N25TM

Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB44N25TM

auf Bestellung 760 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

23+	3.23 EUR
24+	3 EUR
37+	1.97 EUR
39+	1.86 EUR
100+	1.8 EUR
250+	1.79 EUR

Mindestbestellmenge: 23

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FDB44N25TM

Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 785 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB44N25TM

Description: MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V

auf Bestellung 8800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	1.81 EUR
1600+	1.61 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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FDB44N25TM

Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 785 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

785+	3.02 EUR

Mindestbestellmenge: 785

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FDB44N25TM

Description: ONSEMI - FDB44N25TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 44 A, 0.069 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 307W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB52N20

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB52N20

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB52N20TM

Description: ONSEMI - FDB52N20TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 357
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

auf Bestellung 140 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB52N20TM

MOSFETs 200V N-Ch MOSFET

auf Bestellung 15772 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.78 EUR
10+	2.76 EUR
100+	2.15 EUR
800+	2.02 EUR

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FDB52N20TM

Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB52N20TM

Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB52N20TM

Description: ONSEMI - FDB52N20TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 357
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.041
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

auf Bestellung 140 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB52N20TM

Description: MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V

auf Bestellung 635 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.78 EUR
10+	3.01 EUR
100+	2.21 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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FDB52N20TM

Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK FDB52N20TM TFDB52n20tm
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 102 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	4.76 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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FDB52N20TM

Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB52N20TM

Description: MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB52N20TM

FDB52N20TM SMD N channel transistors

auf Bestellung 657 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

27+	2.75 EUR
36+	2 EUR
38+	1.89 EUR

Mindestbestellmenge: 27

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FDB52N20TM

Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB5645

Description: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 30 V

auf Bestellung 8432 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

79+	6.19 EUR

Mindestbestellmenge: 79

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FDB5645

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB5645

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB5645

Description: ONSEMI - FDB5645 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 8432 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB5645

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB5680

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB5680

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 7838 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

188+	2.93 EUR

Mindestbestellmenge: 188

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB5680

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB5685

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB5685

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB5690

Description: ONSEMI - FDB5690 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 21703 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB5690

Description: MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB5690

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB5690

Description: MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB5690

Description: MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB5690

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB5800

Description: MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6625 pF @ 15 V

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	2.25 EUR
1600+	2.22 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB5800

On Semiconductor

MOSFET N-Channel 60V 14A (Ta), 80A (Tc) 242W (Tc) Surface Mount D2PAK

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB5800

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB5800

FDB5800 SMD N channel transistors

auf Bestellung 704 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	3.66 EUR
27+	2.67 EUR
29+	2.52 EUR

Mindestbestellmenge: 20

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB5800

Description: MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6625 pF @ 15 V

auf Bestellung 1848 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	5.97 EUR
10+	4.16 EUR
100+	2.93 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB5800

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB5800

MOSFET 60V N-Ch Logic PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 5894 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.02 EUR
10+	4.52 EUR
25+	4.44 EUR
100+	3.71 EUR
500+	3.1 EUR
800+	2.64 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB5800

Description: ONSEMI - FDB5800 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0046 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB5800
Produktcode: 176853

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB5800

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB5800_F085

Description: MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB6021P

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB6021P

Rochester Electronics, LLC

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB6021P

Description: P-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 21255 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

385+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 385

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB6021P

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB6030

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB6030

Rochester Electronics, LLC

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB6030BL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 82680 Stücke:

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FDB6030BL

Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO-263AB

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FDB6030BL

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB6030L

Trans MOSFET N-CH 30V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB6030L

TO-263

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FDB6030L

Description: MOSFET N-CH 30V 48A TO263AB

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614+	0.87 EUR

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FDB6030L

0006+

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FDB6030L

to-263/d2-pak

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FDB6035A

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FDB6035AL

to-263/d2-pak

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FDB6035AL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V

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207+	2.37 EUR

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FDB6035AL

MOSFET N-Channel PowerTrench

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FDB6035AL

Description: ONSEMI - FDB6035AL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 172284 Stücke:

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FDB6035AL

TO-263

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FDB6035AL

Trans MOSFET N-CH 30V 48A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R

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FDB6035AL

TO263

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FDB6035AL

TO252

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FDB6035AL_Q

MOSFET

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FDB6035L

Description: ONSEMI - FDB6035L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 800 Stücke:

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FDB6035L

07+ TO-263

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FDB6035L

to-263/d2-pak

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FDB6035L

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V

auf Bestellung 800 Stücke:

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89+	5.66 EUR

Mindestbestellmenge: 89

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FDB6035L

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

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FDB603AL

0006+

auf Bestellung 800 Stücke:

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FDB603AL

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB603AL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V

auf Bestellung 39200 Stücke:

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247+	2.15 EUR

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FDB603AL

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

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FDB603AL

to-263/d2-pak

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FDB6530A

TO252

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FDB6644

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

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FDB6644

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

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FDB6644

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

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FDB6644S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

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FDB6670

03+

auf Bestellung 24000 Stücke:

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FDB6670AL

09+

auf Bestellung 2159 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB6670AL

04+

auf Bestellung 380 Stücke:

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FDB6670AL

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 899 Stücke:

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237+	2.29 EUR
500+	1.99 EUR

Mindestbestellmenge: 237

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FDB6670AL

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB6670AL

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

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FDB6670AL

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 7859 Stücke:

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237+	2.29 EUR
500+	1.99 EUR
1000+	1.76 EUR

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FDB6670AL

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 22416 Stücke:

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237+	2.29 EUR
500+	1.99 EUR
1000+	1.76 EUR
10000+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 237

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FDB6670AL

TO263

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FDB6670AL
Produktcode: 150683

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FDB6670AL

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1869 Stücke:

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237+	2.29 EUR
500+	1.99 EUR
1000+	1.76 EUR

Mindestbestellmenge: 237

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FDB6670AL

MOSFETs N-Channel PowerTrench

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FDB6670AL

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V

auf Bestellung 52339 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

278+	1.82 EUR

Mindestbestellmenge: 278

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FDB6670AL

Description: ONSEMI - FDB6670AL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB6670AL

Fairchild

auf Bestellung 2400 Stücke:

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FDB6670AL

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 647 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

237+	2.29 EUR
500+	1.99 EUR

Mindestbestellmenge: 237

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FDB6670AL

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB6670AL

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 19148 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

237+	2.29 EUR
500+	1.99 EUR
1000+	1.76 EUR
10000+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 237

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FDB6670AL

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 928 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

237+	2.29 EUR
500+	1.99 EUR

Mindestbestellmenge: 237

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FDB6670AL

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V

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FDB6670AL-NL

INTEL

09+

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB6670AL-NL

0651+ TO-263

auf Bestellung 1120 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB6670AS

FDB6670AS

auf Bestellung 816 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

181+	3 EUR
500+	2.75 EUR

Mindestbestellmenge: 181

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FDB6670AS

Description: MOSFET N-CH 30V 62A TO263AB

auf Bestellung 5998 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDB6670AS

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB6670AS

FDB6670AS

auf Bestellung 3893 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

181+	3 EUR
500+	2.75 EUR
1000+	2.5 EUR

Mindestbestellmenge: 181

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FDB6670AS

FDB6670AS

auf Bestellung 625 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

181+	3 EUR
500+	2.75 EUR

Mindestbestellmenge: 181

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FDB6670AS

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB6670AS

Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB6670ASNL

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB6670ASNL

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB6670S

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB6670S

FDB6670S

auf Bestellung 16740 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

130+	4.19 EUR
500+	3.83 EUR
1000+	3.47 EUR
10000+	3.14 EUR

Mindestbestellmenge: 130

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FDB6670S

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB6670S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm@ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2639 pF @ 15 V

auf Bestellung 19090 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

112+	4.4 EUR

Mindestbestellmenge: 112

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FDB6670S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB6670S

FDB6670S

auf Bestellung 2350 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

130+	4.19 EUR
500+	3.83 EUR
1000+	3.47 EUR

Mindestbestellmenge: 130

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FDB6670S

09+

auf Bestellung 288 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB6676

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB6676

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5324 pF @ 15 V

auf Bestellung 25443 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

386+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 386

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FDB6676

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB6676

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB6676S

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB6676S

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB6676S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB66870AL

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB66870AL

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB6690S

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB6690S

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

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FDB6690S

Description: MOSFET N-CH 30V 42A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1238 pF @ 15 V

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FDB6690S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB6690S

Description: MOSFET N-CH 30V 42A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1238 pF @ 15 V

auf Bestellung 1224 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

326+	1.39 EUR

Mindestbestellmenge: 326

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FDB66N15

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB66N15

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB66N15TM

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB7020BL

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7020BL

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB7030BL

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB7030BL

02+

auf Bestellung 556 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB7030BL

Trans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1281 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

444+	0.98 EUR
500+	0.85 EUR
1000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 444

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FDB7030BL

Description: 60A, 30V, 0.009OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V

auf Bestellung 64359 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

533+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 533

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FDB7030BL

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

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FDB7030BL

Description: ONSEMI - FDB7030BL - 30V N-CH. FET, 9 MO, TO263, T
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 208 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB7030BL

Trans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 5046 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

444+	0.98 EUR
500+	0.85 EUR
1000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 444

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FDB7030BL

Fairchild

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB7030BL

Description: MOSFET N-CH 30V 60A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB7030BL

Trans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 726 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

444+	0.98 EUR
500+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 444

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FDB7030BL

Trans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB7030BL

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB7030BL

Trans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 47093 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

444+	0.98 EUR
500+	0.85 EUR
1000+	0.75 EUR
10000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 444

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FDB7030BL

09+

auf Bestellung 5424 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB7030BL

TO252

auf Bestellung 117 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB7030BL

Trans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1937 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

444+	0.98 EUR
500+	0.85 EUR
1000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 444

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7030BL

Description: MOSFET N-CH 30V 60A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB7030BL

Trans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 5305 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

444+	0.98 EUR
500+	0.85 EUR
1000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 444

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FDB7030BL

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB7030BL-ON

Description: MOSFET N-CH 30V 60A D2PAK

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FDB7030BL.

Description: ONSEMI - FDB7030BL. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0068 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 60
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068
Qualifikation: -
SVHC: Lead (27-Jun-2018)

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB7030BL.

Description: ONSEMI - FDB7030BL. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0068 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 60
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0068
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068
SVHC: Lead (27-Jun-2018)

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB7030BLS

FDB7030BLS

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

150+	2.91 EUR
500+	2.65 EUR
1000+	2.41 EUR

Mindestbestellmenge: 150

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FDB7030BLS

FDB7030BLS

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

150+	2.91 EUR
500+	2.65 EUR
1000+	2.41 EUR

Mindestbestellmenge: 150

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FDB7030BLS

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB7030BLS

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V

auf Bestellung 34400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

171+	2.66 EUR

Mindestbestellmenge: 171

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FDB7030BLS

FDB7030BLS

auf Bestellung 24800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

150+	2.91 EUR
500+	2.65 EUR
1000+	2.41 EUR
10000+	2.18 EUR

Mindestbestellmenge: 150

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FDB7030BLS

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7030BLS

Description: ONSEMI - FDB7030BLS - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 34400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB7030BL_NL

MOSFET 30V N-CH. FET, 9 MO, TO263, T

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB7030BL_Q

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB7030L

FDB7030L

auf Bestellung 27200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

58+	9.48 EUR

Mindestbestellmenge: 58

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FDB7030L

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7030L

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7030L

FDB7030L

auf Bestellung 5380 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

58+	9.48 EUR

Mindestbestellmenge: 58

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7030L

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7030L

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V

auf Bestellung 64336 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

55+	8.86 EUR

Mindestbestellmenge: 55

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FDB7030L

FDB7030L

auf Bestellung 19775 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

58+	9.48 EUR

Mindestbestellmenge: 58

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7030L

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7030L

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB7030L

FDB7030L

auf Bestellung 1804 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

58+	9.48 EUR

Mindestbestellmenge: 58

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7030L

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7030L

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7030L

09+

auf Bestellung 1691 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7030L

FDB7030L

auf Bestellung 10177 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

58+	9.48 EUR

Mindestbestellmenge: 58

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7030L

TO263/2.5

auf Bestellung 134 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7030L_L86Z

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7030L_L86Z

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7030L_Q

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7042L

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7042L

Fairchild

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7042L

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 120405 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

545+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 545

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7042L

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7042L

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7045

04+

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7045L

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 122774 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

81+	6.33 EUR

Mindestbestellmenge: 81

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7045L

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7045L

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7045L

auf Bestellung 3325 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7045L

auf Bestellung 1478 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7045L

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7045L

Description: ONSEMI - FDB7045L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 119044 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7045L

09+

auf Bestellung 3538 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7045L

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7045L_Q

MOSFET

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FDB7051L

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8030L

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8030L

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8030L

09+

auf Bestellung 818 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8030L

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8030L

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8030L

Description: 80A, 30V, 0.0035OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB8030L

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB8030L_NL

MOSFET 30V, TO263, NCH

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FDB8030L_T

onsemi

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FDB8132

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB8132_F085

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8132_F085

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8132_F085

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8160

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11825 pF @ 15 V

auf Bestellung 17624 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

177+	2.86 EUR

Mindestbestellmenge: 177

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FDB8160-F085

Description: 80A, 30V, 0.0018OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11825 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 8800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

216+	2.34 EUR

Mindestbestellmenge: 216

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FDB8441

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

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FDB8441

Trans MOSFET N-CH Si 40V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB8441

Description: MOSFET N-CH 40V 28A/120A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8441

Trans MOSFET N-CH Si 40V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8441

Trans MOSFET N-CH Si 40V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8441

Description: MOSFET N-CH 40V 28A/120A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB8441

Trans MOSFET N-CH Si 40V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 37 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB8441-F085

Description: MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB8441-F085

Description: ONSEMI - FDB8441-F085 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 3836 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8441-F085

Description: MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3836 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

211+	2.34 EUR

Mindestbestellmenge: 211

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FDB8441-F085

MOSFET 40V N-Ch PowerTrench

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8442

Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8442

Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8442

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8442

Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB8442

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8442-F085

MOSFET 40V NCHAN PwrTrench

auf Bestellung 2380 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8442-F085

Description: ONSEMI - FDB8442-F085 - FDB8442-F085, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 351 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8442-F085-FS

Description: 28A, 40V, 0.0029OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12200 pF @ 25 V

auf Bestellung 351 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

202+	2.46 EUR

Mindestbestellmenge: 202

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8442_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 28A D2PAK

auf Bestellung 825 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8442_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 28A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8442_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 28A D2PAK

auf Bestellung 825 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8443

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.2 EUR
10+	6.48 EUR
25+	6.12 EUR
100+	5.32 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8443

Description: MOSFET N-CH 40V 25A/120A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9310 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8443

Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8443

Description: MOSFET N-CH 40V 25A/120A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9310 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8443-F085

MOSFET 40V N-CHAN PwrTrench

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8443-F085

Trans MOSFET N-CH 40V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8443_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 25A TO-263AB

auf Bestellung 575 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8443_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 25A TO-263AB

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8443_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 25A TO-263AB

auf Bestellung 575 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8444

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8444

Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8035 pF @ 25 V

auf Bestellung 271 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.59 EUR
10+	2.99 EUR
100+	2.38 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8444

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 380 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.66 EUR
10+	3.04 EUR
100+	2.43 EUR
250+	2.24 EUR
500+	1.99 EUR
800+	1.74 EUR
2400+	1.65 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8444

Trans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8444

Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8035 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8444

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8444

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8035 pF @ 25 V

auf Bestellung 167648 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

264+	1.84 EUR

Mindestbestellmenge: 264

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FDB8444-F085

Trans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8444-F085

Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8035 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8444-F085

Description: ONSEMI - FDB8444-F085 - FDB8444-F085, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 12800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8444-F085