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Description: BOARD EVAL GBIC TXRX

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FDB-1012

GBIC EVALUATION BOARD FDB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FDB-1017

Description: BOARD EVAL 2X5 SFF TXRX
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optic Transceiver, SFF
Type: Telecom
Utilized IC / Part: SFF Modules
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Contents: Board(s)

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FDB-1017

EVALUATION BOARD FOR 2X5 PIN SFF FOOTPRINT PACKAGE FDB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FDB-1017

FTRJ-8519-1-2.5/FTRJ-1319-1-2.5 Fiber Optic Transceiver Evaluation Board

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FDB-1018

Description: EVAL BOARD SFP/SFP+
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optic Transceiver, SFP/SFP+
Type: Telecom
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: SFP/SFP+ Modules
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No

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FDB-1019

EVALUATION BOARD FOR 2X10 PIN SFF FOOTPRINT PACKAGE FDB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FDB-1019

Fibre Optic Development Tools Evaluation board for 2x10 pin SFF footpr

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FDB-1019

Evaluation Board for 2X10 Pin

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FDB-1019

Description: BOARD EVAL 2X10 SFF TXRX
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optic Transceiver, SFF
Type: Telecom
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: SFF Modules
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No

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FDB-1022

Description: EVAL BOARD XFP
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optic Transceiver, XFP
Type: Telecom
Utilized IC / Part: XFP Modules
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No

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FDB-1022

Fibre Optic Development Tools XFP evaluation board

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	1063.92 EUR

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FDB-1022

XFP Evaluation Board FDB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FDB-1022

Fibre Optic Development Tools XFP evaluation board

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	1063.92 EUR

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FDB-1022

XFP Fiber Optic Transceiver Evaluation Board

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FDB-1027

Evaluation board for pluggable SFP/SFP+ footprint package FDB-1027
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FDB-1027

FTLF8528P2BCV Fiber Optic Transceiver Development Kit

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FDB-1027

Description: EVAL BOARD SFP/SFP+
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optic Transceiver, SFP/SFP+
Type: Telecom
Utilized IC / Part: SFP/SFP+ Modules
Supplied Contents: Board(s), Cable(s)
Primary Attributes: SFP/SFP+ TXRX of 125Mb/s to 14.025Gb/s
Embedded: No
Part Status: Obsolete

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FDB-1032-SFP+

EVALUATION BOARD FOR PLUGGABLE

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FDB-1032-SFP+

Description: EVAL BOARD FOR SFP+ MODULES
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optic Transceiver, SFP/SFP+
Type: Telecom
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: SFP+ Modules
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4322.52 EUR

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FDB-1032-SFP+

Fibre Optic Development Tools Evaluation board for pluggable SFP/SFP+

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2000.17 EUR

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FDB-1032-SFP+

Fibre Optic Development Tools Evaluation board for pluggable SFP/SFP+

auf Bestellung 38 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2000.17 EUR

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FDB-1032-SFP+

Evaluation Board For Pluggable

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FDB-1033

Description: BOARD LASERWIRE 1-10.5GBPS SMA

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FDB-1033

Laserwire Evaluation Board, 1 - 10.5 Gbps, Laserwire Jack, SMA connectors EVALBOARD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FDB-1034

FDB-1034
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FDB-1038-10BK

Fibre Optic Development Tools 40G/100G CFP Brk/out Board (no cables)

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FDB-1038-10BK

40G/100G CFP Breakout Board

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FDB-1038-10BK

Description: BOARD BREAKOUT 40G/100G CFP
Packaging: Bulk
Supplied Contents: Board(s)
Contents: Board(s)

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FDB-1038-10BK

40G/100G CFP Breakout Board

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FDB-1040-EL

40G/100G CFP Electrical Loop B

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FDB-1040-EL

Description: BACK BD 40G/100G CFP ELEC LOOP
Packaging: Bulk

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FDB-1040-EL

Fibre Optic Development Tools 40G/100G CFP Electrical Loop Back Board w/USB Interface (without cables)

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FDB-1040-EL

Fiber Optic Development Tools 40G/100G CFP Electrical Loop Back Board w/USB Interface (without cables)

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FDB-1040-EL

Fibre Optic Development Tools 40G/100G CFP Electrical Loop Back Board w/USB Interface (without cables)

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FDB-1042

Quadwire/QSFP Breakout Evaluation Board, 1 - 10.5 Gbps, QSFP cage, SMP conn FDB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FDB-1042

Description: EVAL BOARD QSFP
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optic Transceiver, QSFP
Type: Telecom
Utilized IC / Part: QSFP Modules
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Obsolete

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FDB-1043

Fibre Optic Development Tools Breakout Eval Brd C.wr/CXP 1-12.5Gbps

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FDB-1043

Description: EVAL BOARD C.WIRE SMP
Packaging: Box
Function: Fiber Optic Transceiver, CXP
Type: Telecom
Utilized IC / Part: CXP Modules
Supplied Contents: Board(s)

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FDB-1043

Fibre Optic Development Tools Breakout Eval Brd C.wr/CXP 1-12.5Gbps

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FDB-1043

C.wire/CXP Breakout Evaluation Board, 1 - 12.5 Gbps, CXP cage, SMP connecto EVALBOARD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FDB-1043

CXP Fiber Optic Transceiver Evaluation Board

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FDB-1044

Description: EVAL BRD T-XFP
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optics
Type: Interface
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active

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FDB-1044

XFP Evaluation Board for T-XFP

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FDB-1044

Fiber Optic Development Tools XFP evaluation board tion board for T-XF

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.98 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDB-1045

Fibre Optic Development Tools Eval Brd 12X10Gbps Optical Engine

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FDB-1045

Evaluation Board for 12X10 GBP

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FDB-1045

Description: BOARD EVAL 12X10GBPS OPT ENGINE
Packaging: Bulk
Supplied Contents: Board(s)
Contents: Board(s)

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FDB-1045

Evaluation Board for 12X10 GBP

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FDB-1047-CL

Description: BOARD EVAL ENDURANCE NO SOLDER
Packaging: Bulk
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Discontinued at Digi-Key

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FDB-1047-CL

Endurance Evaluation Board, Fixture & Clamp for Module (No soldering)

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FDB-1047-CL

Fibre Optic Development Tools Endurance Evaluation Board, Fixture & Clamp for Module (No soldering)

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FDB-1047-S

Fibre Optic Development Tools Endurance Evaluation Board (Module solders down to board)

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FDB-1047-S

Description: BOARD EVAL ENDURANCE SOLDER
Packaging: Bulk
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active

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FDB-1048

Fiber Optic Development Tools Wavelength Tuning Bo x for T-XFP & T-SFP+

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FDB-1048

WAVELENGTH TUNING BOX FOR T-XF

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FDB-1048

Description: WAVELENGTH TUNING BOX
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optic Transceiver, SFP+/XFP
Type: Telecom
Utilized IC / Part: SFP+/XFP Modules
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Tunable
Part Status: Active

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FDB-1050

Fibre Optic Development Tools Evaluation board for 12X25 Gbps Optical Engine LPFN (4 cables incl.) Finisar pin-out

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FDB-1051

Fibre Optic Development Tools Quadwire/QSFP Breakout Evaluation Board, 1 - 28 Gbps, QSFP cage, SMP connectors

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2901.87 EUR

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FDB-1051

Quadwire/QSFP Breakout Evaluation

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FDB-1051

Fibre Optic Development Tools Quadwire/QSFP Breakout Evaluation Board, 1 - 28 Gbps, QSFP cage, SMP connectors

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2934.36 EUR

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FDB-1051

Description: EVAL BOARD FOR QSFP
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optic Transceiver, QSFP
Type: Telecom
Utilized IC / Part: QSFP Modules
Supplied Contents: Board(s)

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FDB-1052

Evaluation Board for Tunable S

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FDB-1052

Evaluation Board for Tunable S

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FDB-1052

Fibre Optic Development Tools Evaluation board for rd for Tunable SFP+.

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FDB-1052

Description: EVAL BRD TUNABLE SFP+.
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optics
Type: Interface
Supplied Contents: Board(s)

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FDB-1052

Fibre Optic Development Tools Evaluation board for rd for Tunable SFP+.

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FDB-1053-10BK-EL

Description: 100G CFP2 BREAKOUT/LOOPBACK BRD
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optics
Type: Interface
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active

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FDB-1053-10BK-EL

Fiber Optic Development Tools 100G CFP2 Breakout & Loopback Board (without cables)

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FDB-1053-10BK-EL

100G CFP2 Breakout/Loopback

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FDB-1054-4BK

Fibre Optic Development Tools 100G CFP4 Breakout Board (without cables)

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FDB-1054-4BK

100G CFP4 Breakout Board

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FDB-1054-4BK

Description: 100G CFP4 BREAKOUT BRD W/O CBL
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optics
Type: Interface
Supplied Contents: Board(s)

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FDB-1054-4BK

Fibre Optic Development Tools 100G CFP4 Breakout Board (without cables)

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FDB-1057

Evaluation board for 12X25 Gbps Optical Engine LPTE (4 cables incl.)TE-MBOM pin-out

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FDB-1057

Fibre Optic Development Tools Evaluation board for 12X25 Gbps Optical Engine LPTE (4 cables incl.) TE-MBOM pin-out

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FDB-1061-EL-BT

Fiber Optic Development Tools QSFP-DD Evaluation Kit: Breakout + loopback + BERT

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FDB-1062-ITTRA-RF-MMPX

Fiber Optic Development Tools ITTRA evaluation board with RF break-out

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FDB-1067-CFP2-DCO

Fiber Optic Development Tools 200G/400G CFP2-DCO evaluation board (line side testing only)

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FDB-1068-QSFP-DD-DCO

Fiber Optic Development Tools 400G QSFP-DD-DCO evaluation board (line side testing only)

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FDB-2 24-M

Category: Surge Arresters
Description: Surge arrester; Type 2+3; Poles: 2; 22VAC; M20x1.5; -20÷70°C; 32VDC
IP rating: IP65; IP67
Leads: leads 250mm
Max. operating voltage: 22V AC; 32V DC
Operating temperature: -20...70°C
Type of protection: surge arrester
Number of poles: 2
Mounting: M20x1.5
Conform to the norm: ATEX Ex
Kind of surge arrester: Type 2+3

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FDB-2 24-M

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FDB-2 24-N

OBO-5098390 Surge Arresters

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FDB-25P(05)

D-Sub Standard Connectors

auf Bestellung 51 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	41.27 EUR
10+	36.13 EUR
20+	34.58 EUR
50+	33.48 EUR
100+	32.35 EUR
200+	31.57 EUR

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FDB-25P(05)

Description: CONN D-SUB PLUG PNL MNT
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Features: Feed Through, Grounding Indents
Connector Type: Plug, Male Pins
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 1A
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 25
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (Unthreaded)
Termination: IDC, Ribbon Cable
Connector Style: D-Sub
Contact Finish Thickness: 8.00µin (0.203µm)
Shell Material, Finish: Steel, Nickel Plated
Shell Size, Connector Layout: 3 (DB, B)
Primary Material: Metal

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	43.00 EUR

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FDB-25P(51)

D-Sub Standard Connectors

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FDB-25P0L2TI2/1-LF

Filter D Straight Solder PCB

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FDB-25PBL2TI2/1-LF

Description: CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONS - FDB-25PBL2TI2/1-LF - D-Sub-Steckverbinder, Gefiltert, Stecker, Cinch - FD, 25 Kontakt(e), DB, Lötanschluss
tariffCode: 85369010
rohsCompliant: YES
Kontaktüberzug: Kontakte beschichtet mit Gold über Nickel
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktmaterial: Kupferlegierung
Ausführung: Stecker
Steckverbindermontage: Durchsteckmontage
usEccn: EAR99
D-Sub-Steckverbinder: Gefiltert
Anzahl der Kontakte: 25Kontakt(e)
euEccn: NLR
D-Sub-Gehäusegröße: DB
Produktpalette: Cinch - FD
productTraceability: No
Kontaktanschluss: Lötanschluss
Steckverbindermaterial: Stahlgehäuse

auf Bestellung 29 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB-25PBL2TI2/1-LF

Filter D Connector 25way Plug

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FDB-25PF(05)

D-Sub Standard Connectors

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FDB-25PF(05)

Description: CONN D-SUB PLUG PNL MNT
Features: Feed Through, Grounding Indents
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug, Male Pins
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 1A
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 25
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (Unthreaded)
Termination: IDC, Ribbon Cable
Connector Style: D-Sub
Shell Material, Finish: Steel, Nickel Plated
Shell Size, Connector Layout: 3 (DB, B)
Primary Material: Metal

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	45.60 EUR
10+	37.17 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB-25PTI2/1-LF

Description: CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONS - FDB-25PTI2/1-LF - D-Sub-Steckverbinder, Gefiltert, Stecker, Cinch - FD, 25 Kontakt(e), DB, IDC / IDT
tariffCode: 85366990
rohsCompliant: YES
Kontaktüberzug: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktmaterial: -
Ausführung: Stecker
Steckverbindermontage: Kabelmontage, Panelmontage
usEccn: EAR99
D-Sub-Steckverbinder: Gefiltert
Anzahl der Kontakte: 25Kontakt(e)
euEccn: NLR
D-Sub-Gehäusegröße: DB
Produktpalette: Cinch - FD
productTraceability: No
Kontaktanschluss: IDC / IDT
Steckverbindermaterial: Metallgehäuse
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB-25PTI2/1-LF

Conn Filtered D-Sub PIN 25 POS Solder RA Thru-Hole 25 Terminal 1 Port

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FDB-25S(05)

D-Sub Standard Connectors

auf Bestellung 336 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	44.93 EUR
10+	35.78 EUR
20+	33.02 EUR
50+	32.98 EUR
100+	32.95 EUR
200+	32.93 EUR
500+	32.31 EUR

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FDB-25S(05)

HIROSE

Category: Other Hirose Connectors
Description: connector FDB-25S(05)
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

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FDB-25S(05)

Description: CONN D-SUB RCPT PNL MNT
Packaging: Bulk
Features: Feed Through
Connector Type: Receptacle, Female Sockets
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 1A
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 25
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (Unthreaded)
Termination: IDC, Ribbon Cable
Connector Style: D-Sub
Shell Material, Finish: Steel, Nickel Plated
Shell Size, Connector Layout: 3 (DB, B)
Part Status: Active
Primary Material: Metal

auf Bestellung 13 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	46.48 EUR
10+	37.88 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB-25S(05)

HIROSE

Category: Other Hirose Connectors
Description: connector FDB-25S(05)

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FDB-25S0L2T2/1-LF

25 way Filter D Connector Socket

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FDB-25SBL2T2/1-LF

Filter D Connector 25way Socket RS0049000000L1K

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FDB-25SBL2T2/1-LF

Description: CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONS - FDB-25SBL2T2/1-LF - D-Sub-Steckverbinder, Gefiltert, Buchse, Cinch - FD, 25 Kontakt(e), DB, Lötanschluss
tariffCode: 85369010
rohsCompliant: YES
Kontaktüberzug: Kontakte beschichtet mit Gold über Nickel
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktmaterial: Kupferlegierung
Ausführung: Buchse
Steckverbindermontage: Durchsteckmontage
usEccn: EAR99
D-Sub-Steckverbinder: Gefiltert
Anzahl der Kontakte: 25Kontakt(e)
euEccn: NLR
D-Sub-Gehäusegröße: DB
Produktpalette: Cinch - FD
productTraceability: No
Kontaktanschluss: Lötanschluss
Steckverbindermaterial: Stahlgehäuse
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 287 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB-25ST2/1-LF

Conn Filtered D-Sub SKT 25 POS Solder RA Thru-Hole 25 Terminal 1 Port

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB-25ST2/1-LF

Description: CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONS - FDB-25ST2/1-LF - D-Sub-Steckverbinder, Gefiltert, Buchse, Cinch - FD, 25 Kontakt(e), DB, Lötanschluss
tariffCode: 85366930
rohsCompliant: YES
Kontaktüberzug: Kontakte beschichtet mit Gold über Nickel
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktmaterial: Kupferlegierung
Ausführung: Buchse
Steckverbindermontage: Durchsteckmontage
usEccn: EAR99
D-Sub-Steckverbinder: Gefiltert
Anzahl der Kontakte: 25Kontakt(e)
euEccn: NLR
D-Sub-Gehäusegröße: DB
Produktpalette: Cinch - FD
productTraceability: No
Kontaktanschluss: Lötanschluss
Steckverbindermaterial: Stahlgehäuse
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB-3

Plato

Chemicals CAP 10/PACK

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB-3 24-M

OBO-5098382 Surge Arresters

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FDB-3 24-N

OBO-5098392 Surge Arresters

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FDB-4

Plato

Chemicals YELLOWCAP 10/PACK

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FDB-GP

Description: CONN GUIDE PLATE

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FDB-P

Description: CONN PRESSURE BLOOK FOR PLUG

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FDB-P

Bench Top Tools BLOOK FOR PLUG CONN PRESSURE

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FDB-S

Description: CONN PRESSURE BLOOK FOR SKT

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FDB0105N407L

Description: ONSEMI - FDB0105N407L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 460 A, 600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 300
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

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FDB0105N407L
Produktcode: 155287

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FDB0105N407L

auf Bestellung 790 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB0105N407L

Trans MOSFET N-CH 40V 460A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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FDB0105N407L

Description: ONSEMI - FDB0105N407L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 460 A, 600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 460
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 600
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

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FDB0105N407L

MOSFET 40V N-Channel Power Trench MOSFET

auf Bestellung 1555 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.62 EUR
10+	6.95 EUR
25+	6.85 EUR
100+	6.18 EUR
250+	6.05 EUR
500+	5.32 EUR

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FDB0105N407L

Description: MOSFET N-CH 40V 460A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 291 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23100 pF @ 20 V

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FDB0105N407L

Trans MOSFET N-CH 40V 460A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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FDB0105N407L

Trans MOSFET N-CH 40V 460A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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FDB0105N407L

Description: MOSFET N-CH 40V 460A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 291 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23100 pF @ 20 V

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FDB0165N807L

MOSFETs 150V 7L JEDEC GREEN EMC

auf Bestellung 1848 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	13.31 EUR
10+	10.54 EUR
25+	9.50 EUR
100+	8.41 EUR
250+	7.90 EUR
500+	7.53 EUR
800+	7.25 EUR

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FDB0165N807L

Description: MOSFET N-CH 80V 310A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 304 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23660 pF @ 40 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	7.05 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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FDB0165N807L

Trans MOSFET N-CH 80V 310A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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FDB0165N807L

Description: MOSFET N-CH 80V 310A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 304 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23660 pF @ 40 V

auf Bestellung 2052 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	13.62 EUR
10+	10.36 EUR
100+	8.27 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDB0165N807L

FDB0165N807L SMD N channel transistors

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FDB016N04AL7

Trans MOSFET N-CH Si 40V 306A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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FDB016N04AL7

Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 25 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	3.25 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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FDB016N04AL7

auf Bestellung 740 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB016N04AL7

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 769 Stücke:

Lieferzeit 230-234 Tag (e)

1+	8.10 EUR
100+	7.29 EUR
500+	6.41 EUR

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FDB016N04AL7

Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 25 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.76 EUR
10+	5.83 EUR
100+	4.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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FDB0170N607L

FDB0170N607L SMD N channel transistors

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FDB0170N607L

Description: MOSFET N-CH 60V 300A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19250 pF @ 30 V

auf Bestellung 55921 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.34 EUR
10+	5.56 EUR
100+	3.97 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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FDB0170N607L

MOSFETs 60V TO263 7L JEDEC GREEN EMC

auf Bestellung 13487 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.47 EUR
10+	5.68 EUR
25+	5.67 EUR
100+	4.10 EUR
800+	4.07 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB0170N607L

Description: MOSFET N-CH 60V 300A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19250 pF @ 30 V

auf Bestellung 55200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	3.87 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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FDB0170N607L

Trans MOSFET N-CH 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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FDB0170N607L

Trans MOSFET N-CH 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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FDB0190N807L

Trans MOSFET N-CH 80V 270A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB0190N807L

Description: MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19110 pF @ 40 V

auf Bestellung 423 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	8.99 EUR
10+	6.62 EUR
100+	5.07 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB0190N807L

Trans MOSFET N-CH 80V 270A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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FDB0190N807L

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 190A; Idm: 1440A; 250W; D2PAK-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 249nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.44kA
Case: D2PAK-6
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 190A
On-state resistance: 4.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB0190N807L

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB0190N807L

Description: ONSEMI - FDB0190N807L - MOSFET, N-CH, 80V, 270A, 175DEG C, 250W
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 270
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 250
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: Power Trench Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013
SVHC: Lead

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB0190N807L

Description: MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19110 pF @ 40 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB0190N807L

MOSFETs 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC

auf Bestellung 6369 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.84 EUR
10+	6.53 EUR
25+	6.41 EUR
100+	5.02 EUR
250+	4.93 EUR
500+	4.82 EUR
800+	4.63 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB0190N807L

Trans MOSFET N-CH 80V 270A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

28+	5.31 EUR
31+	4.54 EUR
100+	3.79 EUR
250+	3.57 EUR
500+	3.30 EUR

Mindestbestellmenge: 28

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB024N04AL7

MOSFET 40V 2.4MOHM D2PAK-7L PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 816 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.68 EUR
10+	8.71 EUR
25+	8.24 EUR
100+	7.15 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB024N04AL7

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB024N04AL7

Trans MOSFET N-CH 40V 219A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB024N04AL7

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V

auf Bestellung 29849 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

105+	4.82 EUR

Mindestbestellmenge: 105

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB024N06

Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB024N06

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 190A; Idm: 1060A; 395W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 190A
Power dissipation: 395W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 226nC
Pulsed drain current: 1060A

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB024N06

MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench

auf Bestellung 1361 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.57 EUR
10+	6.64 EUR
25+	6.09 EUR
100+	5.10 EUR
500+	5.02 EUR
800+	4.52 EUR

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FDB024N06

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14885 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB024N06

Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 67 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

41+	3.66 EUR

Mindestbestellmenge: 41

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB024N06

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB024N06

Description: ONSEMI - FDB024N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0018 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 395
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 395
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018
SVHC: Lead (27-Jun-2018)

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FDB024N06

Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB024N06

Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 67 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

21+	7.09 EUR
27+	5.29 EUR
28+	5.04 EUR
50+	3.27 EUR

Mindestbestellmenge: 21

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FDB024N06

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14885 pF @ 25 V

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FDB024N06

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FDB024N08BL7

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13530 pF @ 40 V

auf Bestellung 95200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	3.46 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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FDB024N08BL7

Description: ONSEMI - FDB024N08BL7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 246
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0017
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

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FDB024N08BL7

Trans MOSFET N-CH Si 80V 229A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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FDB024N08BL7

MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 6211 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.32 EUR
10+	5.70 EUR
100+	4.17 EUR
800+	3.71 EUR

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FDB024N08BL7

FDB024N08BL7 SMD N channel transistors

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FDB024N08BL7

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13530 pF @ 40 V

auf Bestellung 95552 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	8.87 EUR
10+	5.93 EUR
100+	4.25 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDB0250N807L

Description: ONSEMI - FDB0250N807L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 122 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB0250N807L

Description: MOSFET N-CH 80V 240A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15400 pF @ 40 V

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.59 EUR
10+	6.02 EUR
100+	4.50 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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FDB0250N807L

Trans MOSFET N-CH 80V 240A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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FDB0250N807L

MOSFET 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC

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FDB0250N807L

auf Bestellung 760 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB0250N807L

Description: MOSFET N-CH 80V 240A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15400 pF @ 40 V

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FDB0250N807L

auf Bestellung 122 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB0250N807L

FDB0250N807L SMD N channel transistors

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FDB0260N1007L

Description: ONSEMI - FDB0260N1007L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1251 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB0260N1007L

Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8545 pF @ 50 V

auf Bestellung 1879 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	16.10 EUR
10+	11.13 EUR
100+	8.32 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDB0260N1007L

Trans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 478 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	7.76 EUR
25+	7.35 EUR
100+	6.95 EUR
250+	6.56 EUR

Mindestbestellmenge: 19

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FDB0260N1007L

FDB0260N1007L SMD N channel transistors

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FDB0260N1007L

Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8545 pF @ 50 V

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	7.81 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB0260N1007L

Trans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 478 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	7.76 EUR
25+	7.35 EUR
100+	6.95 EUR
250+	6.56 EUR

Mindestbestellmenge: 19

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB0260N1007L

auf Bestellung 495 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB0260N1007L

Trans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB0260N1007L

MOSFETs 100V TO263 7L JEDEC GREEN EMC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB0260N1007L

Trans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB029N06

Trans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB029N06

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9815 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB029N06

MOSFET NCH 60V 2.9Mohm

auf Bestellung 802 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.12 EUR
10+	8.48 EUR
25+	8.18 EUR
100+	7.36 EUR
250+	7.29 EUR
500+	6.78 EUR
800+	5.95 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB029N06

Trans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB029N06

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9815 pF @ 25 V

auf Bestellung 16133 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

77+	6.07 EUR

Mindestbestellmenge: 77

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB029N06

auf Bestellung 5208 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

77+	6.07 EUR

Mindestbestellmenge: 77

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB029N06

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9815 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB0300N1007L

MOSFETs 100V TO263 7L JEDEC GREEN EMC

auf Bestellung 617 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.25 EUR
10+	5.58 EUR
25+	5.54 EUR
100+	4.98 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB0300N1007L

Trans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 680 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	9.15 EUR
19+	7.79 EUR
25+	7.14 EUR
100+	5.92 EUR
250+	4.34 EUR
500+	4.11 EUR

Mindestbestellmenge: 17

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB0300N1007L

Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8295 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB0300N1007L

FDB0300N1007L SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB0300N1007L

Description: ONSEMI - FDB0300N1007L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 200
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.7
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB0300N1007L

Trans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB0300N1007L

Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8295 pF @ 50 V

auf Bestellung 794 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.43 EUR
10+	5.72 EUR
100+	4.93 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB0300N1007L

Trans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB031N08

Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB031N08

Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB031N08

Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15160 pF @ 25 V

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FDB031N08

Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB031N08

MOSFETs 75V N-Channel PowerTrench

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FDB031N08

Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB031N08

Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15160 pF @ 25 V

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FDB035AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 190 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	8.27 EUR
21+	7.07 EUR
25+	6.74 EUR
100+	5.28 EUR

Mindestbestellmenge: 18

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FDB035AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 22A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V

auf Bestellung 1246 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.71 EUR
10+	6.49 EUR
100+	4.90 EUR

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FDB035AN06A0

MOSFETs N-Channel PowerTrench

auf Bestellung 2804 Stücke:

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10+	6.55 EUR
100+	4.96 EUR
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FDB035AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 190 Stücke:

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18+	8.27 EUR
21+	7.07 EUR
25+	6.74 EUR
100+	5.28 EUR

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FDB035AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 22A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	4.14 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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FDB035AN06A0

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; D2PAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 7.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 124nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: D2PAK

auf Bestellung 186 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	6.48 EUR
14+	5.12 EUR
15+	4.83 EUR
50+	4.82 EUR
100+	4.65 EUR

Mindestbestellmenge: 12

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FDB035AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB035AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB035AN06A0

auf Bestellung 186 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

12+	6.48 EUR
14+	5.12 EUR
15+	4.83 EUR
50+	4.82 EUR
100+	4.65 EUR

Mindestbestellmenge: 12

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FDB035AN06A0-F085

Description: MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V

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FDB035AN06A0-F085

Trans MOSFET N-CH 60V 22A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB035AN06A0-F085

Description: MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V

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FDB035AN06A0-F085

MOSFET N-Chan PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 790 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDB035AN06A0_F085

Description: MOSFET N-CH 60V 22A TO-263AB

auf Bestellung 614 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB035AN06A0_F085

Description: MOSFET N-CH 60V 22A TO-263AB

auf Bestellung 61429600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB035AN06A0_F085

Description: MOSFET N-CH 60V 22A TO-263AB

auf Bestellung 29600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDB035AN06A0_Q

MOSFET N-Channel PowerTrench

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FDB035AN06AD

auf Bestellung 9600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB035AN06AO

TO-263

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB035N

06+ SIP

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB035N10A

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB035N10A

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 856A; 333W; D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 3.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 333W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 116nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 856A
Mounting: SMD
Case: D2PAK

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FDB035N10A

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V

auf Bestellung 1549 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.48 EUR
10+	7.85 EUR
100+	5.78 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDB035N10A

Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB035N10A

Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 267 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	10.00 EUR
22+	6.59 EUR
27+	5.23 EUR
100+	4.66 EUR
250+	4.22 EUR

Mindestbestellmenge: 15

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FDB035N10A

Description: ONSEMI - FDB035N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 214 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 54 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB035N10A

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	5.04 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB035N10A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB035N10A

Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 267 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	10.00 EUR
22+	6.59 EUR
27+	5.23 EUR
100+	4.66 EUR
250+	4.22 EUR

Mindestbestellmenge: 15

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB035N10A

Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB035N10A

auf Bestellung 54 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB035N10A

MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 28609 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.49 EUR
10+	7.87 EUR
25+	7.66 EUR
100+	5.97 EUR
800+	5.40 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB039N06

Trans MOSFET N-CH 60V 174A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB039N06

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8235 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB045AN08

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB045AN08

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB045AN08A0

Description: MOSFET N-CH 75V 19A/90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V

auf Bestellung 870 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.16 EUR
10+	4.87 EUR
100+	3.49 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB045AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	2.54 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB045AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB045AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	2.54 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB045AN08A0

Description: MOSFET N-CH 75V 19A/90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	3.09 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB045AN08A0

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 90A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 90A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 138nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 22 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

18+	4.16 EUR
20+	3.68 EUR
22+	3.25 EUR

Mindestbestellmenge: 18

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB045AN08A0

MOSFETs N-Channel UltraFET

auf Bestellung 3245 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.30 EUR
10+	4.36 EUR
100+	3.20 EUR
800+	3.17 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB045AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB045AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB045AN08A0

auf Bestellung 22 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	4.16 EUR
20+	3.68 EUR
22+	3.25 EUR

Mindestbestellmenge: 18

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB045AN08A0-F085

Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

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137+	4.05 EUR

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FDB045AN08A0-F085

MOSFET 75V N-CHAN PwrTrench

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FDB045AN08A0-F085

Description: MOSFET N-CH 75V 19A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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FDB045AN08A0-F085

Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB045AN08A0-F085

Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

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FDB045AN08A0-F085

Description: MOSFET N-CH 75V 19A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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FDB045AN08A0-F085

Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

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137+	4.05 EUR
500+	3.74 EUR

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FDB045AN08A0-F085

Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB045AN08A0-F085C

Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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FDB045AN08A0-SN00237

Trans MOSFET N-CH 75V 19A T/R

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FDB045AN08A0_F085

Description: MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK

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FDB045AN08A0_F085

Description: MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK

auf Bestellung 568 Stücke:

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FDB045AN08A0_F085

Description: MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK

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FDB045AN08A0_Q

MOSFET N-Channel UltraFET

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FDB047N10

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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800+	2.85 EUR

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FDB047N10

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB047N10

TO263 10+

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FDB047N10

Description: ONSEMI - FDB047N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 375
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

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FDB047N10

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V

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800+	3.14 EUR

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FDB047N10

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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800+	2.86 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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FDB047N10

Description: ONSEMI - FDB047N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 375
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

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FDB047N10

MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench

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1+	7.08 EUR
10+	4.93 EUR
25+	4.91 EUR
100+	3.68 EUR
800+	3.22 EUR

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FDB047N10

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 790 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

26+	5.78 EUR
31+	4.67 EUR
32+	4.39 EUR
100+	3.42 EUR
250+	3.18 EUR
500+	2.37 EUR

Mindestbestellmenge: 26

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FDB047N10

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	2.84 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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FDB047N10

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 790 Stücke:

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26+	5.78 EUR
31+	4.67 EUR
32+	4.39 EUR
100+	3.42 EUR
250+	3.18 EUR
500+	2.37 EUR

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FDB047N10

FDB047N10 SMD N channel transistors

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FDB047N10

Description: ONSEMI - FDB047N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

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FDB047N10

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V

auf Bestellung 4211 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.29 EUR
10+	5.51 EUR
100+	3.93 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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FDB047N10

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 5600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	2.86 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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FDB050AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V

auf Bestellung 114 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.65 EUR
10+	4.18 EUR
100+	3.36 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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FDB050AN06A0

FDB050AN06A0 SMD N channel transistors

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FDB050AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB050AN06A0

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB050AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB050AN06A0

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB050AN06A0

Description: ONSEMI - FDB050AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

auf Bestellung 816 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB050AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB050AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB050AN06A0

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB050AN06A0

auf Bestellung 816 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB050AN06A0

MOSFETs 60V N-Ch PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 2161 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.12 EUR
10+	3.43 EUR
100+	2.73 EUR
250+	2.69 EUR
500+	2.60 EUR
800+	1.99 EUR

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FDB060AN08A0

Description: ONSEMI - FDB060AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 736 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB060AN08A0

Description: MOSFET N-CH 75V 16A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 25 V

auf Bestellung 2841 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.69 EUR
10+	5.10 EUR
100+	3.62 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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FDB060AN08A0

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB060AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB060AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 390 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

26+	5.76 EUR
29+	4.97 EUR
30+	4.65 EUR
100+	3.63 EUR
250+	3.44 EUR

Mindestbestellmenge: 26

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FDB060AN08A0

MOSFETs Discrete Auto N-Ch PowerTrench

auf Bestellung 838 Stücke:

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1+	5.03 EUR
10+	3.98 EUR
25+	3.85 EUR
100+	3.27 EUR
250+	2.90 EUR

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FDB060AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB060AN08A0

Description: MOSFET N-CH 75V 16A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 25 V

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	2.85 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB060AN08A0

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

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FDB060AN08A0

auf Bestellung 736 Stücke:

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FDB060AN08A0

FDB060AN08A0 SMD N channel transistors

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FDB060AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 390 Stücke:

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26+	5.76 EUR
29+	4.97 EUR
30+	4.65 EUR
100+	3.63 EUR
250+	3.44 EUR

Mindestbestellmenge: 26

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FDB0630N1507L

MOSFETs 150V 7L JEDEC GREEN EMC

auf Bestellung 3556 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.88 EUR
10+	7.81 EUR
100+	5.91 EUR
250+	5.90 EUR
800+	5.88 EUR

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FDB0630N1507L

Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9895 pF @ 75 V

auf Bestellung 1008 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	12.88 EUR
10+	8.76 EUR
100+	6.42 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDB0630N1507L

FDB0630N1507L SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB0630N1507L

Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9895 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB0630N1507L

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB0690N1507L

FDB0690N1507L SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB0690N1507L

Trans MOSFET N-CH 150V 115A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB0690N1507L

Description: MOSFET N-CH 150V 3.8A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8775 pF @ 75 V

auf Bestellung 781 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.82 EUR
10+	7.28 EUR
100+	5.28 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDB0690N1507L

MOSFETs 150V TO263 7L JEDEC GREEN EMC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB0690N1507L

Description: MOSFET N-CH 150V 3.8A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8775 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB069AN04C0-BINZ

auf Bestellung 1688 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB070AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB070AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 15A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

auf Bestellung 7200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	2.60 EUR
1600+	2.56 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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FDB070AN06A0

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 175W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 175W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 66nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

1+	71.50 EUR
5+	14.30 EUR
6+	11.91 EUR
17+	4.20 EUR
800+	2.60 EUR

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FDB070AN06A0

MOSFETs N-Channel PT 6V 8A 7mOhm

auf Bestellung 19842 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.88 EUR
10+	3.64 EUR
25+	3.63 EUR
100+	2.99 EUR
250+	2.96 EUR
500+	2.90 EUR
800+	2.66 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB070AN06A0

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	71.50 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB070AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 15A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

auf Bestellung 7886 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.13 EUR
10+	4.70 EUR
100+	3.32 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB070AN06A0-F085

Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB070AN06A0-F085

MOSFET N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET

auf Bestellung 695 Stücke:

Lieferzeit 777-781 Tag (e)

1+	5.72 EUR
10+	5.16 EUR
100+	4.22 EUR
500+	3.59 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB070AN06A0_F085

Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO-263AB

auf Bestellung 24800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB070AN06A0_F085

Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO-263AB

auf Bestellung 650 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB070AN06A0_F085

Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO-263AB

auf Bestellung 65024800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB075N15A

Description: MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	4.70 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB075N15A

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB075N15A

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB075N15A

Description: ONSEMI - FDB075N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 0.00625 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00625ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 1208 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB075N15A

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 47 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	5.56 EUR
29+	4.98 EUR

Mindestbestellmenge: 27

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB075N15A

MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 701 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.27 EUR
10+	6.09 EUR
25+	5.60 EUR
100+	4.79 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB075N15A

Description: MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V

auf Bestellung 4050 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.47 EUR
10+	6.23 EUR
100+	4.90 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB075N15A

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB075N15A

FDB075N15A SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB075N15A

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 550 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB075N15A

auf Bestellung 2008 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB075N15A

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 47 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	5.53 EUR
29+	4.96 EUR

Mindestbestellmenge: 27

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB075N15A-F085

MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET 150V, 110A, 5.5mohm

auf Bestellung 1474 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.29 EUR
10+	6.55 EUR
100+	5.39 EUR
500+	4.56 EUR
800+	4.15 EUR
2400+	4.00 EUR
4800+	3.96 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB075N15A-F085

Description: MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5595 pF @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB075N15A-F085

FDB075N15A-F085 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB075N15A-F085

Trans MOSFET N-CH 150V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB075N15A-F085

Description: ONSEMI - FDB075N15A-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 110 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 110
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 333
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 333
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: FDB PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 780 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB075N15A-F085

Trans MOSFET N-CH 150V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB075N15A-F085

Description: MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5595 pF @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB075N15A-F085C

Description: MODULE
Packaging: Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB075N15A_SN00284

Description: MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB075N15A_TAPE

Micross Components

FDB075N15A_TAPE

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB082N15A

FDB082N15A SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB082N15A

Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB082N15A

Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB082N15A

Description: MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 117A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V

auf Bestellung 1432 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	8.92 EUR
10+	7.41 EUR
100+	5.78 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB082N15A

Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB082N15A

MOSFETs 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET

auf Bestellung 2087 Stücke:

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1+	8.18 EUR
10+	7.55 EUR
25+	7.53 EUR
100+	6.90 EUR
500+	6.48 EUR
800+	5.51 EUR
2400+	5.47 EUR

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FDB082N15A

Description: MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 117A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	5.39 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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FDB082N15A

Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB088N08

MOSFETs NCH 75V 8.8Mohm

auf Bestellung 368 Stücke:

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1+	5.58 EUR
10+	3.78 EUR
100+	2.64 EUR
800+	2.01 EUR

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FDB088N08

Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6595 pF @ 25 V

auf Bestellung 320 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.56 EUR
10+	3.79 EUR
100+	3.01 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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FDB088N08

FDB088N08 SMD N channel transistors

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FDB088N08

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB088N08

Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6595 pF @ 25 V

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FDB10AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 12A/75A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V

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FDB10AN06A0

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB10AN06A0

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB10AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB10AN06A0

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB10AN06AO

03+ TO

auf Bestellung 2410 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB10N20L

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB10N20L

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB110N15A

Trans MOSFET N-CH 150V 92A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB110N15A

Description: ONSEMI - FDB110N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 92 A, 0.00925 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00925ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 700 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB110N15A

Description: MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 92A, 10V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4510 pF @ 75 V

auf Bestellung 3238 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.52 EUR
10+	7.16 EUR
100+	5.79 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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FDB110N15A

Description: MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 92A, 10V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4510 pF @ 75 V

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	5.15 EUR
1600+	4.41 EUR
2400+	4.15 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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FDB110N15A

auf Bestellung 700 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB110N15A

FDB110N15A SMD N channel transistors

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FDB110N15A

MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 12011 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.99 EUR
10+	5.35 EUR
25+	5.32 EUR
100+	4.49 EUR
250+	4.47 EUR
500+	4.44 EUR
800+	4.21 EUR

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FDB120N10

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 52A; Idm: 296A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FDB120N10

Description: MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 74A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5605 pF @ 25 V

auf Bestellung 428 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.02 EUR
10+	3.82 EUR
100+	2.80 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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FDB120N10

MOSFETs 100V N-Chan 12Mohm PowerTrench

auf Bestellung 4047 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.07 EUR
10+	3.85 EUR
100+	2.83 EUR
800+	2.45 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB120N10

Trans MOSFET N-CH 100V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB120N10

Description: MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 74A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5605 pF @ 25 V

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FDB120N10

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FDB12N50FTM

Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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FDB12N50FTM-WS

MOSFET 500V 11.5A 0.7Ohm N-Channel

auf Bestellung 210 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.45 EUR
10+	3.12 EUR
25+	3.01 EUR
100+	2.52 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB12N50FTM-WS

Trans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB12N50FTM-WS

Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB12N50FTM-WS

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 165W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 46A
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
On-state resistance: 0.7Ω

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB12N50FTM-WS

Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395 pF @ 25 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB12N50FTM-WS

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB12N50TM

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 165W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: DMOS; UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 46A
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
On-state resistance: 0.65Ω

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB12N50TM

Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.66 EUR
10+	3.15 EUR
100+	2.29 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB12N50TM

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 165W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: DMOS; UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 46A
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
On-state resistance: 0.65Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FDB12N50TM

MOSFETs 500V N-CH MOSFET

auf Bestellung 594 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.70 EUR
10+	3.31 EUR
100+	2.41 EUR
250+	2.29 EUR
800+	1.63 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB12N50TM

Trans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB12N50TM

Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	1.57 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB12N50UTM

Description: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 2040 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

273+	1.79 EUR

Mindestbestellmenge: 273

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB12N50UTM

Description: ONSEMI - FDB12N50UTM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB12N50UTM-WS

Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB12N50UTM_WS

Description: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395 pF @ 25 V

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FDB12N50UTM_WS

Description: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395 pF @ 25 V

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FDB13AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB13AN06A0

FDB13AN06A0 SMD N channel transistors

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FDB13AN06A0

MOSFETs N-Channel PowerTrench

auf Bestellung 6109 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.59 EUR
10+	2.60 EUR
100+	2.09 EUR
500+	2.08 EUR
800+	1.65 EUR

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FDB13AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB13AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V

auf Bestellung 9015 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.08 EUR
10+	2.30 EUR
100+	1.87 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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FDB13AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 29 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB13AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 29 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB13AN06A0

Transistor N-MOSFET; 60V; 10V; 13,5mOhm; 62A; 115W; -55°C ~ 175°C; FDB13AN06A0 TFDB13AN06A0
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 194 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	5.69 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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FDB13AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V

auf Bestellung 8800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	1.51 EUR
2400+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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FDB13AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB13AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 5600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB14AN06LA

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB14AN06LA

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB14AN06LA0

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB14AN06LA0

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB14AN06LA0

MOSFET 60V N-Ch PowerTrench MOSFET

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FDB14AN06LA0

Description: MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO263AB

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FDB14AN06LA0-F085

Description: MOSFET N-CH 60V 67A TO263AB

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FDB14AN06LA0-F085

Trans MOSFET N-CH 60V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB14AN06LA0-F085

MOSFET 60V N-CHAN PwrTrench

auf Bestellung 1182 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDB14AN06LA0-F085

Trans MOSFET N-CH 60V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB14AN06LA0-F085

Description: MOSFET N-CH 60V 67A TO263AB

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FDB14AN06LA0-F085

Description: ONSEMI - FDB14AN06LA0-F085 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

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FDB14N30

onsemi UF 300V 290MOHM D2PAK

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FDB14N30

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB14N30

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB14N30TM

Trans MOSFET N-CH 300V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 804 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

80+	1.86 EUR
81+	1.78 EUR
100+	1.39 EUR
250+	1.32 EUR
500+	1.10 EUR

Mindestbestellmenge: 80

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FDB14N30TM

Description: ONSEMI - FDB14N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 14 A, 0.24 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 140
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

auf Bestellung 6551 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB14N30TM

Trans MOSFET N-CH 300V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB14N30TM

Description: MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB14N30TM

Trans MOSFET N-CH 300V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 804 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

73+	2.05 EUR
80+	1.79 EUR
81+	1.71 EUR
100+	1.34 EUR
250+	1.27 EUR
500+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 73

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB14N30TM

Description: ONSEMI - FDB14N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 14 A, 0.24 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

auf Bestellung 6551 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB14N30TM

MOSFETs 300V N-Ch MOSFET

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FDB14N30TM

Description: MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB14N30TM

Trans MOSFET N-CH 300V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB150N10

MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench

auf Bestellung 633 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.59 EUR
10+	5.10 EUR
100+	3.68 EUR
500+	3.20 EUR
800+	3.12 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB150N10

Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V

auf Bestellung 6781 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.29 EUR
10+	5.13 EUR
100+	3.65 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB150N10

Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB150N10

FDB150N10 SMD N channel transistors

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB150N10

Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V

auf Bestellung 6400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	2.90 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB15N50

Description: MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	2.75 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB15N50

Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB15N50

Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB15N50

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 766 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	3.63 EUR
23+	3.20 EUR
24+	3.02 EUR
250+	2.93 EUR
500+	2.92 EUR

Mindestbestellmenge: 20

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB15N50

Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB15N50
Produktcode: 46102

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB15N50

Description: MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

auf Bestellung 1761 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.44 EUR
10+	4.72 EUR
100+	3.44 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB15N50

auf Bestellung 766 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	3.63 EUR
23+	3.20 EUR
24+	3.02 EUR
250+	2.93 EUR
500+	2.92 EUR

Mindestbestellmenge: 20

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB15N50

MOSFETs 15A 500V 0.38 Ohm N-Ch SMPS Pwr

auf Bestellung 13406 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.18 EUR
10+	4.89 EUR
25+	4.86 EUR
100+	3.56 EUR
250+	3.54 EUR
500+	3.34 EUR
800+	3.10 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB15N50_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB16AN08A0

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB16AN08A0

FDB16AN08A0 SMD N channel transistors

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FDB16AN08A0

MOSFETs Discrete Auto N-Ch UltraFET Trench

auf Bestellung 3079 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.12 EUR
10+	3.78 EUR
100+	2.66 EUR
800+	2.01 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB16AN08A0

Description: MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V

auf Bestellung 1530 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.58 EUR
10+	3.65 EUR
100+	2.55 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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FDB16AN08A0

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB16AN08A0

Description: ONSEMI - FDB16AN08A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 72 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB16AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB16AN08A0

Description: MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	1.97 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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FDB16AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB1D7N10CL7

MOSFETs MOSFET 100V 268A 1.7 mOhm

auf Bestellung 1561 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.76 EUR
10+	10.08 EUR
25+	9.13 EUR
100+	8.40 EUR
250+	7.90 EUR
500+	7.41 EUR
800+	6.67 EUR

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FDB1D7N10CL7

Trans MOSFET N-CH 100V 268A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB1D7N10CL7

Description: MOSFET N-CH 100V 268A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 268A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 50 V

auf Bestellung 3200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	5.91 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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FDB1D7N10CL7

Trans MOSFET N-CH 100V 268A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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FDB1D7N10CL7

FDB1D7N10CL7 SMD N channel transistors

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FDB1D7N10CL7

Trans MOSFET N-CH 100V 268A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB1D7N10CL7

Description: MOSFET N-CH 100V 268A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 268A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 50 V

auf Bestellung 3634 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	13.18 EUR
10+	9.00 EUR
100+	6.63 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDB1D7N10CL7

auf Bestellung 737 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB20AN06A0

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB20AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB20AN06A0

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB20AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 9A/45A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V

auf Bestellung 5810 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

503+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 503

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FDB20AN06A0

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB20N50F

Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB20N50F

Description: ONSEMI - FDB20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 687 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB20N50F

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB20N50F

Description: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V

auf Bestellung 3270 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.86 EUR
10+	4.37 EUR
100+	3.09 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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FDB20N50F

MOSFETs N-Channel UniFET^TM FRFET MOSFET 500V,

auf Bestellung 11119 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.15 EUR
10+	4.72 EUR
100+	3.34 EUR
800+	2.69 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB20N50F

Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB20N50F

Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB20N50F

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB20N50F

auf Bestellung 687 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB20N50F

Description: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	2.42 EUR
1600+	2.39 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB24AN06LA0

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB24AN06LA0

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO-263AB

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB24AN06LA0

MOSFET 60V N-Channel PowerTrench

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FDB24AN06LA0

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB24AN06LA0

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB24AN06LA0

Description: MOSFET N-CH 60V 7.8A/40A TO263AB

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 738 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

32+	4.70 EUR
40+	3.43 EUR
100+	2.62 EUR
250+	2.49 EUR
500+	2.14 EUR

Mindestbestellmenge: 32

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2532

Description: ONSEMI - FDB2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 896 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 52800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	2.28 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2532

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; D2PAK
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 82nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 38 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

15+	4.88 EUR
21+	3.46 EUR
22+	3.27 EUR
800+	3.25 EUR

Mindestbestellmenge: 15

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2532

Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	3.06 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2532
Produktcode: 61087

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 3200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	2.34 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 52800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	2.28 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2532

auf Bestellung 888 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 3200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	3.47 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	4.31 EUR
300+	4.06 EUR
800+	3.44 EUR

Mindestbestellmenge: 100

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2532

MOSFETs 150V N-Channel QFET Trench

auf Bestellung 1178 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.69 EUR
10+	5.30 EUR
100+	3.85 EUR
250+	3.80 EUR
500+	3.78 EUR
800+	3.43 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 738 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

32+	4.70 EUR
40+	3.43 EUR
100+	2.62 EUR
250+	2.49 EUR
500+	2.14 EUR

Mindestbestellmenge: 32

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2532

Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V

auf Bestellung 2461 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.53 EUR
10+	4.69 EUR
100+	3.52 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2532

auf Bestellung 38 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	4.88 EUR
21+	3.46 EUR
22+	3.27 EUR

Mindestbestellmenge: 15

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2532-F085

Description: MOSFET N-CH 150V 79A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2532-F085

MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2532-F085

Description: MOSFET N-CH 150V 79A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2532-F085

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 284 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

124+	4.47 EUR

Mindestbestellmenge: 124

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FDB2532-F085

Trans MOSFET N-CH 150V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB2532-F085

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 192 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

124+	4.47 EUR

Mindestbestellmenge: 124

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FDB2532_SB82254

MOSFET

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FDB2532_SN00096

MOSFETs

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FDB2532_SN00238

MOSFETs

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FDB2552

Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 676 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

37+	4.06 EUR
41+	3.50 EUR
42+	3.31 EUR
100+	2.60 EUR
250+	2.47 EUR
500+	1.79 EUR

Mindestbestellmenge: 37

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FDB2552

Description: MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V

auf Bestellung 3756 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.73 EUR
10+	2.15 EUR
100+	1.80 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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FDB2552

Description: ONSEMI - FDB2552 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37 A, 0.032 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 304 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB2552

Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 676 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

37+	4.06 EUR
41+	3.50 EUR
42+	3.31 EUR
100+	2.60 EUR
250+	2.47 EUR
500+	1.79 EUR

Mindestbestellmenge: 37

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FDB2552

Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB2552

Description: MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V

auf Bestellung 3200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	1.50 EUR
1600+	1.47 EUR
2400+	1.46 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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FDB2552

auf Bestellung 304 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB2552

Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB2552

MOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench

auf Bestellung 3735 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.77 EUR
10+	2.99 EUR
100+	2.48 EUR
800+	1.78 EUR
2400+	1.76 EUR

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FDB2552

FDB2552 SMD N channel transistors

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FDB2552-F085

Trans MOSFET N-CH 150V 5A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB2552-F085

MOSFET N-Chan PowerTrench M OSFET

auf Bestellung 301 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDB2570

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB2570

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB2570

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB2572

Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 48 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB2572

FDB2572 SMD N channel transistors

auf Bestellung 772 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

34+	2.16 EUR
43+	1.67 EUR
46+	1.57 EUR
800+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 34

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FDB2572

Description: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V

auf Bestellung 989 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.04 EUR
10+	2.24 EUR
100+	1.81 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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FDB2572

Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB2572

Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB2572

Description: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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FDB2572

Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 48 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB2572

MOSFETs N-Channel UltraFET

auf Bestellung 1014 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.52 EUR
10+	2.08 EUR
100+	1.76 EUR
800+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDB2572_Q

MOSFET

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FDB2614

Description: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	3.44 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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FDB2614

MOSFETs 200V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 2673 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.06 EUR
10+	5.67 EUR
100+	4.21 EUR
500+	4.19 EUR
800+	3.68 EUR

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FDB2614

Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2614

Description: ONSEMI - FDB2614 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.0229 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0229ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1210 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB2614

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 62A; 260W; D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 62A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 260W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 99nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB2614

Description: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V

auf Bestellung 1108 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.06 EUR
10+	5.68 EUR
100+	4.20 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2614

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FDB2614

auf Bestellung 1210 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2670

Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 100 V

auf Bestellung 3668 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

192+	2.55 EUR

Mindestbestellmenge: 192

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2670

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2670

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB2670

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB2670

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB2710

Description: ONSEMI - FDB2710 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 50 A, 0.0363 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0363ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 887 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2710

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 260W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 260W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 36.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 101nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 796 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

18+	4.08 EUR
19+	3.80 EUR
24+	3.70 EUR

Mindestbestellmenge: 18

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FDB2710

auf Bestellung 796 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	4.08 EUR
19+	3.80 EUR
24+	3.70 EUR

Mindestbestellmenge: 18

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FDB2710

Trans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2710

Description: MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V

auf Bestellung 420 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.24 EUR
10+	6.26 EUR
100+	4.57 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2710

Trans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB2710

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB2710

Trans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB2710

MOSFETs 250V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 3203 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.22 EUR
10+	6.18 EUR
25+	5.97 EUR
100+	4.45 EUR
250+	4.36 EUR
500+	4.33 EUR
800+	4.22 EUR

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FDB2710

Description: MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB28N30TM

Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 5600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB28N30TM

Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB28N30TM

Description: ONSEMI - FDB28N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 28 A, 0.108 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 788 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB28N30TM

Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 498 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

49+	3.05 EUR
67+	2.13 EUR
68+	2.03 EUR
100+	1.48 EUR
250+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 49

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FDB28N30TM

Transistor N-Channel MOSFET; 300V; 10V; 129mOhm; 28A; 250W; -55°C~150°C; FDB28N30TM TFDB28n30tm
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	3.88 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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FDB28N30TM

MOSFETs 300V N-Channel

auf Bestellung 18747 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.52 EUR
10+	2.52 EUR
100+	1.88 EUR
500+	1.80 EUR
800+	1.53 EUR

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FDB28N30TM

Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 498 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

49+	3.05 EUR
67+	2.13 EUR
68+	2.03 EUR
100+	1.48 EUR
250+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 49

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FDB28N30TM

Description: MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V

auf Bestellung 2536 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.59 EUR
10+	2.58 EUR
100+	1.93 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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FDB28N30TM

Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB28N30TM

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 28A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 28A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.129Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 580 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

28+	2.59 EUR
38+	1.89 EUR
43+	1.67 EUR
46+	1.57 EUR
200+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 28

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FDB28N30TM

auf Bestellung 580 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

28+	2.59 EUR
38+	1.89 EUR
43+	1.67 EUR
46+	1.57 EUR
200+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 28

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FDB28N30TM

Description: ONSEMI - FDB28N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 28 A, 0.108 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1794 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB28N30TM

Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB28N30TM

Description: MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	1.51 EUR
1600+	1.49 EUR
2400+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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FDB28N30TM транзистор
Produktcode: 193843

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Transistoren > MOSFET N-CH

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FDB3060VS05

Bussmann / Eaton

FDB 3P 60A TRIP 600V 50C 48-127 SHUNT

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FDB32N12

auf Bestellung 50000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB33N25

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB33N25

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB33N25

MOSFET UF 250V 94MOHM D2PAK

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FDB33N25TM

Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 44000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	1.66 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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FDB33N25TM

MOSFETs 250V N-Ch MOSFET

auf Bestellung 15789 Stücke:

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1+	4.65 EUR
10+	3.06 EUR
100+	2.15 EUR
800+	1.80 EUR

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FDB33N25TM

Description: MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V

auf Bestellung 4800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	1.56 EUR
1600+	1.53 EUR
2400+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB33N25TM

Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

310+	1.79 EUR
500+	1.65 EUR
1000+	1.50 EUR

Mindestbestellmenge: 310

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FDB33N25TM

N-MOSFET 33A 250V 235W 0.094Ω FDB33N25TM TFDB33N25TM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 45 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	2.81 EUR

Mindestbestellmenge: 20

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FDB33N25TM

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 33A; 235W; D2PAK
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 33A
On-state resistance: 94mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 235W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 48nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Case: D2PAK

auf Bestellung 666 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

32+	2.30 EUR
36+	2.03 EUR
40+	1.79 EUR
43+	1.69 EUR
100+	1.67 EUR

Mindestbestellmenge: 32

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB33N25TM

Description: ONSEMI - FDB33N25TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.077 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 235W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2682 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB33N25TM

Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	1.77 EUR
1600+	1.70 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB33N25TM

Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB33N25TM

Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 31200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB33N25TM

Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 44000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	1.64 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB33N25TM

auf Bestellung 666 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

32+	2.30 EUR
36+	2.03 EUR
40+	1.79 EUR
43+	1.69 EUR
100+	1.67 EUR
800+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 32

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB33N25TM

Description: MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V

auf Bestellung 5290 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.63 EUR
10+	3.10 EUR
100+	2.09 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB33N25TM

Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 199 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

37+	4.02 EUR
56+	2.58 EUR
57+	2.44 EUR
100+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 37

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB33N25TM

Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 199 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

37+	4.02 EUR
56+	2.58 EUR
57+	2.44 EUR
100+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 37

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3502

Trans MOSFET N-CH Si 75V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 234 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3502

Description: MOSFET N-CH 75V 6A/14A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3502

FDB3502 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3502

Trans MOSFET N-CH Si 75V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3502

MOSFETs 75V N-Channel PowerTrench

auf Bestellung 252 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.71 EUR
10+	2.46 EUR
100+	1.72 EUR
800+	1.22 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3502

auf Bestellung 790 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3502

Description: MOSFET N-CH 75V 6A/14A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815 pF @ 40 V

auf Bestellung 519 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.71 EUR
10+	2.38 EUR
100+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3502

Description: ONSEMI - FDB3502 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3632

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3632

Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V

auf Bestellung 5137 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.02 EUR
10+	4.27 EUR
100+	3.01 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3632

Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3632

Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 3200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3632

MOSFET N-Channel PowerTrench

auf Bestellung 16440 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.96 EUR
10+	4.17 EUR
25+	4.01 EUR
100+	3.38 EUR
800+	2.66 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3632

Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 737 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

28+	5.37 EUR

Mindestbestellmenge: 28

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3632

Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V

auf Bestellung 4800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	2.35 EUR
1600+	2.31 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3632

Description: ONSEMI - FDB3632 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0075 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1194 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB3632

Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 737 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

28+	5.37 EUR
39+	3.67 EUR
42+	3.33 EUR
100+	2.45 EUR

Mindestbestellmenge: 28

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FDB3632

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FDB3632-F085

Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1763 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

145+	3.83 EUR
500+	3.53 EUR
1000+	3.21 EUR

Mindestbestellmenge: 145

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FDB3632-F085

Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB3632-F085

Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 390 Stücke:

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145+	3.83 EUR

Mindestbestellmenge: 145

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FDB3632-F085

Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB3632-F085

Trans MOSFET N-CH 100V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB3632-F085

MOSFET 100V N-Channel Power Trench MOSFET

auf Bestellung 889 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDB3632-F101

Trans MOSFET N-CH 100V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R

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FDB3632-SN00239

Trans MOSFET N-CH 100V 12A T/R

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FDB3632.

Description: ONSEMI - FDB3632. - MOSFET, FULL REEL
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 80
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 310
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 310
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: Lead

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FDB3632_F085

Trans MOSFET N-CH 100V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB3632_Q

MOSFET N-Channel PowerTrench

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FDB3632_SB82115

Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V

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FDB3652

MOSFET N-Channel PowerTrench

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FDB3652

Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V

auf Bestellung 543 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.63 EUR
10+	2.99 EUR
100+	2.07 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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FDB3652

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB3652

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB3652
Produktcode: 155755

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VBSemi

Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 100 V
Idd,A: 61 A
Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2880/41
JHGF: SMD

auf Bestellung 18 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3652

Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3652

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 61A; 150W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 53nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 61A
On-state resistance: 43mΩ

auf Bestellung 408 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

32+	2.30 EUR
36+	2.03 EUR
41+	1.74 EUR
44+	1.66 EUR

Mindestbestellmenge: 32

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3652

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 3200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3652

auf Bestellung 408 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

32+	2.30 EUR
36+	2.03 EUR
41+	1.74 EUR
44+	1.66 EUR
800+	1.59 EUR

Mindestbestellmenge: 32

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3652

Description: ONSEMI - FDB3652 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1610 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3652

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB3652

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3652-F085

Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3652-F085

Description: ONSEMI - FDB3652-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.6 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 3307 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3652-F085

Trans MOSFET N-CH 100V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3652-F085

MOSFET N-Ch PowerTrench Trench Mos.

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3652-F085

Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3652-F085

Trans MOSFET N-CH 100V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3652SB82059

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

123+	3.98 EUR

Mindestbestellmenge: 123

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3652SB82059

Description: ONSEMI - FDB3652SB82059 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3652_Q

MOSFET N-Channel PowerTrench

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3672

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3672

Description: MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

165+	2.95 EUR

Mindestbestellmenge: 165

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3672

MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3672

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3672-F085

Description: MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3672-F085

MOSFET 100V 44A N-Channel PowerTrench

auf Bestellung 1157 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.36 EUR
10+	3.94 EUR
25+	3.73 EUR
100+	3.17 EUR
500+	2.62 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3672-F085

Description: ONSEMI - FDB3672-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.024 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 44
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3672-F085

Description: MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 301 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.24 EUR
10+	3.42 EUR
100+	2.38 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3672_F085

Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK

auf Bestellung 3200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3672_F085

Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK

auf Bestellung 1021 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3672_F085

Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK

auf Bestellung 10213200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3672_F085/BKN

Description: FDB3672_F085/BKN

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3682

MOSFET 100V N-Channel Pwr Trench

auf Bestellung 7224 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.73 EUR
10+	3.12 EUR
100+	2.46 EUR
500+	2.45 EUR
800+	1.76 EUR
2400+	1.67 EUR
4800+	1.63 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3682

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3682

Description: ONSEMI - FDB3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.032 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1583 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3682

Description: MOSFET N-CH 100V 6A/32A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V

auf Bestellung 948 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.21 EUR
10+	3.13 EUR
100+	2.19 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3682

FDB3682 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3682

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3682

Description: MOSFET N-CH 100V 6A/32A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	1.59 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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FDB3682

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB3682

Description: ONSEMI - FDB3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.032 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 95W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1587 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB3860

Description: MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3860

Description: MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3860

Description: MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB38N30U

Description: MOSFET N CH 300V 38A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 25 V

auf Bestellung 17168 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.34 EUR
10+	4.42 EUR
100+	3.12 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB38N30U

Description: ONSEMI - FDB38N30U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET Ultra FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 470 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB38N30U

Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB38N30U

Description: MOSFET N CH 300V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 25 V

auf Bestellung 16800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	2.61 EUR
1600+	2.60 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB38N30U

MOSFETs N-Channel UniFET^TM Ultra FRFET^TM MOSFET 300V, 38A, 120mohm

auf Bestellung 2395 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.30 EUR
10+	4.26 EUR
100+	3.06 EUR
800+	2.83 EUR

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FDB38N30U

FDB38N30U SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB38N30U

auf Bestellung 470 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB390N15A

Trans MOSFET N-CH Si 150V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB390N15A

MOSFETs 150V NCHAN PwrTrench

auf Bestellung 839 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.59 EUR
10+	2.97 EUR
25+	2.64 EUR
100+	2.04 EUR
250+	1.92 EUR
500+	1.65 EUR
800+	1.63 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB390N15A

Description: MOSFET N-CH 150V 27A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 75 V

auf Bestellung 1186 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.65 EUR
10+	3.04 EUR
100+	2.10 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB390N15A

FDB390N15A SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB390N15A

Description: MOSFET N-CH 150V 27A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 75 V

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3P50

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB3P50

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB4020P

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB4020P

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB4020P

Description: ONSEMI - FDB4020P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 6321 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB4020P

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB4020P

MOSFET P-Ch Spec Enhance MODE FIELD EFFECT

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB4020P

Description: MOSFET P-CH 20V 16A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 37.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 10 V

auf Bestellung 5926 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

370+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 370

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB4030L

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 15 V

auf Bestellung 13600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

360+	1.40 EUR

Mindestbestellmenge: 360

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB4030L

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB4030L

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB42AN15A0

Description: MOSFET N-CH 150V 5A/35A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB42AN15A0

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB42AN15A0

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB42AN15A0

MOSFETs Discrete Auto N-Ch PowerTrench

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB42AN15A0

Trans MOSFET N-CH 150V 5A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB42AN15A0

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB42AN15A0-F085

MOSFET TO263_03, SINGLE, N-CH, 150V, 42MOHM ULTRAFET TRENCH MOSFET

auf Bestellung 278 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB42AN15A0-F085

Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB42AN15A0-F085

Trans MOSFET N-CH 150V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB42AN15A0-F085

Description: MOSFET N-CH 150V 35A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB42AN15A0_SN00093

MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB44N25

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB44N25

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB44N25TM

Description: ONSEMI - FDB44N25TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 44 A, 0.058 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 307W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 721 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB44N25TM

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK
Gate charge: 61nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 26.4A
On-state resistance: 69mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 307W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB44N25TM

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB44N25TM

MOSFETs 250V N-Ch MOSFET

auf Bestellung 6580 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.35 EUR
10+	3.52 EUR
100+	2.48 EUR
800+	2.08 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB44N25TM

Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB44N25TM

Description: MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V

auf Bestellung 9600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	1.85 EUR
1600+	1.77 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB44N25TM

auf Bestellung 721 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB44N25TM

Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB44N25TM

Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB44N25TM

Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 785 Stücke:

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785+	3.09 EUR

Mindestbestellmenge: 785

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FDB44N25TM

Description: MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V

auf Bestellung 9772 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.30 EUR
10+	3.48 EUR
100+	2.42 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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FDB52N20

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB52N20

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB52N20TM

Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB52N20TM

Description: MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V

auf Bestellung 9764 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.47 EUR
10+	3.41 EUR
100+	2.37 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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FDB52N20TM

Description: ONSEMI - FDB52N20TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 357
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.041
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

auf Bestellung 140 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB52N20TM

Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB52N20TM

Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK FDB52N20TM TFDB52n20tm
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 102 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	2.92 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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FDB52N20TM

Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB52N20TM

Description: MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V

auf Bestellung 9600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	1.74 EUR
1600+	1.71 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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FDB52N20TM

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 52A; 357W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 52A
Power dissipation: 357W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC

auf Bestellung 558 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

28+	2.60 EUR
31+	2.32 EUR
36+	2.02 EUR
38+	1.92 EUR

Mindestbestellmenge: 28

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FDB52N20TM

Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB52N20TM

MOSFETs 200V N-Ch MOSFET

auf Bestellung 15772 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.78 EUR
10+	2.76 EUR
100+	2.15 EUR
800+	2.02 EUR

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FDB52N20TM

Description: ONSEMI - FDB52N20TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 357
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

auf Bestellung 140 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB52N20TM

auf Bestellung 558 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

28+	2.60 EUR
31+	2.32 EUR
36+	2.02 EUR
38+	1.92 EUR
800+	1.84 EUR

Mindestbestellmenge: 28

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FDB5645

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB5645

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB5645

Description: ONSEMI - FDB5645 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 8432 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB5645

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB5645

Description: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 30 V

auf Bestellung 8432 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

79+	6.19 EUR

Mindestbestellmenge: 79

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FDB5680

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 7838 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

188+	2.93 EUR

Mindestbestellmenge: 188

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FDB5680

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB5680

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB5685

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB5685

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB5690

Description: ONSEMI - FDB5690 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 21703 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB5690

Description: MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB5690

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB5690

Description: MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB5690

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB5690

Description: MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB

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FDB5800

On Semiconductor

MOSFET N-Channel 60V 14A (Ta), 80A (Tc) 242W (Tc) Surface Mount D2PAK

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB5800
Produktcode: 176853

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FDB5800

Description: MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6625 pF @ 15 V

auf Bestellung 1848 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	5.97 EUR
10+	4.16 EUR
100+	2.93 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB5800

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB5800

MOSFET 60V N-Ch Logic PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 5894 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.02 EUR
10+	4.52 EUR
25+	4.44 EUR
100+	3.71 EUR
500+	3.10 EUR
800+	2.64 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB5800

FDB5800 SMD N channel transistors

auf Bestellung 704 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	3.66 EUR
27+	2.67 EUR
29+	2.52 EUR

Mindestbestellmenge: 20

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB5800

Description: ONSEMI - FDB5800 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0046 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 242
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 1248 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB5800

Description: MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6625 pF @ 15 V

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	2.25 EUR
1600+	2.22 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB5800

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB5800

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB5800_F085

Description: MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB6021P

Rochester Electronics, LLC

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB6021P

Description: P-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 21255 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

385+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 385

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB6021P

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB6021P

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB6030

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB6030

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB6030BL

Rochester Electronics, LLC

Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO-263AB

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB6030BL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 82680 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB6030BL

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB6030L

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB6030L

Description: MOSFET N-CH 30V 48A TO263AB

auf Bestellung 22487 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

614+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 614

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB6030L

Trans MOSFET N-CH 30V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB6030L

0006+

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB6030L

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB6035A

auf Bestellung 2800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB6035AL

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB6035AL

Description: ONSEMI - FDB6035AL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 172284 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB6035AL

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB6035AL

TO263

auf Bestellung 3040 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB6035AL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V

auf Bestellung 172289 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

207+	2.37 EUR

Mindestbestellmenge: 207

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB6035AL

Trans MOSFET N-CH 30V 48A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB6035AL

MOSFET N-Channel PowerTrench

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB6035AL

TO252

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB6035AL_Q

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB6035L

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB6035L

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V

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89+	5.66 EUR

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FDB6035L

to-263/d2-pak

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FDB6035L

Description: ONSEMI - FDB6035L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

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FDB6035L

TO-263

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FDB603AL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V

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247+	2.15 EUR

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FDB603AL

0006+

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FDB603AL

TO-263

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FDB603AL

07+ TO-263

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FDB603AL

to-263/d2-pak

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FDB6530A

TO252

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FDB6644

07+ TO-263

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FDB6644

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

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FDB6644

TO-263

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FDB6644S

TO-263

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FDB6670

03+

auf Bestellung 24000 Stücke:

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FDB6670AL

09+

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FDB6670AL

04+

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FDB6670AL

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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307+	1.81 EUR
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FDB6670AL

MOSFETs N-Channel PowerTrench

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FDB6670AL

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V

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278+	1.82 EUR

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FDB6670AL

07+ TO-263

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FDB6670AL

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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307+	1.81 EUR
500+	1.67 EUR

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FDB6670AL

TO263

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FDB6670AL

Description: ONSEMI - FDB6670AL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

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FDB6670AL

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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307+	1.81 EUR
500+	1.67 EUR
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FDB6670AL

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB6670AL

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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307+	1.81 EUR
500+	1.67 EUR
1000+	1.52 EUR

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FDB6670AL

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V

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FDB6670AL

Fairchild

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FDB6670AL
Produktcode: 150683

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FDB6670AL

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB6670AL

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

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FDB6670AL

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 647 Stücke:

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307+	1.81 EUR
500+	1.67 EUR

Mindestbestellmenge: 307

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FDB6670AL-NL

INTEL

09+

auf Bestellung 500 Stücke:

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FDB6670AL-NL

0651+ TO-263

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FDB6670AS

Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB6670AS

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

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FDB6670AS

Description: MOSFET N-CH 30V 62A TO263AB

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FDB6670AS

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

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FDB6670ASNL

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB6670ASNL

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

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FDB6670S

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

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FDB6670S

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB6670S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm@ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2639 pF @ 15 V

auf Bestellung 19090 Stücke:

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112+	4.40 EUR

Mindestbestellmenge: 112

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FDB6670S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

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FDB6670S

09+

auf Bestellung 288 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB6676

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5324 pF @ 15 V

auf Bestellung 25443 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

386+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 386

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FDB6676

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

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FDB6676

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB6676

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB6676S

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB6676S

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB6676S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB66870AL

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB66870AL

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB6690S

Description: MOSFET N-CH 30V 42A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1238 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB6690S

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB6690S

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB6690S

Description: MOSFET N-CH 30V 42A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1238 pF @ 15 V

auf Bestellung 1224 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

398+	1.26 EUR

Mindestbestellmenge: 398

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FDB6690S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB66N15

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB66N15

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB66N15TM

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7020BL

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7020BL

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7030BL

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB7030BL

Trans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 726 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

554+	1.00 EUR

Mindestbestellmenge: 554

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7030BL

Description: ONSEMI - FDB7030BL - 30V N-CH. FET, 9 MO, TO263, T
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 208 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB7030BL

Trans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 47893 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

554+	1.00 EUR

Mindestbestellmenge: 554

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FDB7030BL

02+

auf Bestellung 556 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7030BL

Trans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 2937 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

554+	1.00 EUR

Mindestbestellmenge: 554

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FDB7030BL

Fairchild

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7030BL

Description: MOSFET N-CH 30V 60A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB7030BL

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB7030BL

Trans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 5305 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

554+	1.00 EUR

Mindestbestellmenge: 554

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FDB7030BL

09+

auf Bestellung 5424 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7030BL

Trans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1281 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

554+	1.00 EUR

Mindestbestellmenge: 554

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FDB7030BL

TO252

auf Bestellung 117 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB7030BL

Trans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB7030BL

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB7030BL

Description: 60A, 30V, 0.009OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V

auf Bestellung 64359 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

533+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 533

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FDB7030BL

Trans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 5046 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

554+	1.00 EUR

Mindestbestellmenge: 554

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FDB7030BL

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB7030BL

Description: MOSFET N-CH 30V 60A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB7030BL-ON

Description: MOSFET N-CH 30V 60A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB7030BL.

Description: ONSEMI - FDB7030BL. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0068 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 60
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068
Qualifikation: -
SVHC: Lead (27-Jun-2018)

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB7030BL.

Description: ONSEMI - FDB7030BL. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0068 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 60
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0068
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068
SVHC: Lead (27-Jun-2018)

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB7030BLS

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V

auf Bestellung 34400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

171+	2.86 EUR

Mindestbestellmenge: 171

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FDB7030BLS

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB7030BLS

FDB7030BLS

auf Bestellung 24800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

178+	3.12 EUR

Mindestbestellmenge: 178

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FDB7030BLS

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

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FDB7030BLS

FDB7030BLS

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

178+	3.12 EUR

Mindestbestellmenge: 178

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FDB7030BLS

FDB7030BLS

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

178+	3.12 EUR

Mindestbestellmenge: 178

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FDB7030BLS

Description: ONSEMI - FDB7030BLS - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 34400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB7030BL_NL

MOSFET 30V N-CH. FET, 9 MO, TO263, T

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FDB7030BL_Q

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

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FDB7030L

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB7030L

FDB7030L

auf Bestellung 19775 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

58+	9.70 EUR

Mindestbestellmenge: 58

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FDB7030L

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

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FDB7030L

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB7030L

FDB7030L

auf Bestellung 1804 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

58+	9.70 EUR

Mindestbestellmenge: 58

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FDB7030L

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB7030L

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB7030L

FDB7030L

auf Bestellung 10177 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

58+	9.70 EUR

Mindestbestellmenge: 58

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FDB7030L

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB7030L

FDB7030L

auf Bestellung 27200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

58+	9.70 EUR

Mindestbestellmenge: 58

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FDB7030L

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB7030L

09+

auf Bestellung 1691 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB7030L

FDB7030L

auf Bestellung 5380 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

58+	9.70 EUR

Mindestbestellmenge: 58

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FDB7030L

TO263/2.5

auf Bestellung 134 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB7030L

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V

auf Bestellung 64336 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

55+	8.86 EUR

Mindestbestellmenge: 55

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FDB7030L_L86Z

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB7030L_L86Z

MOSFET

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FDB7030L_Q

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

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FDB7042L

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 120405 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

545+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 545

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FDB7042L

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB7042L

Fairchild

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB7042L

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7042L

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7045

04+

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7045L

to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7045L

auf Bestellung 3325 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7045L

auf Bestellung 1478 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7045L

Description: ONSEMI - FDB7045L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 119044 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7045L

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7045L

09+

auf Bestellung 3538 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7045L

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 122774 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

81+	6.33 EUR

Mindestbestellmenge: 81

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7045L

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7045L

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7045L_Q

MOSFET

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB7051L

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8030L

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8030L

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8030L

09+

auf Bestellung 818 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8030L

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8030L

Description: 80A, 30V, 0.0035OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8030L

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8030L

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8030L_NL

MOSFET 30V, TO263, NCH

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8030L_T

onsemi

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8132

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8132_F085

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8132_F085

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8132_F085

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8160

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11825 pF @ 15 V

auf Bestellung 17624 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

177+	2.86 EUR

Mindestbestellmenge: 177

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8160-F085

Description: 80A, 30V, 0.0018OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11825 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 8800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

216+	2.34 EUR

Mindestbestellmenge: 216

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8441

Description: MOSFET N-CH 40V 28A/120A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8441

Trans MOSFET N-CH Si 40V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8441

Description: MOSFET N-CH 40V 28A/120A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8441

Trans MOSFET N-CH Si 40V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 37 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8441

Trans MOSFET N-CH Si 40V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8441

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8441

Trans MOSFET N-CH Si 40V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8441-F085

Description: ONSEMI - FDB8441-F085 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 3836 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8441-F085

Description: MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3836 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

211+	2.34 EUR

Mindestbestellmenge: 211

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FDB8441-F085

MOSFET 40V N-Ch PowerTrench

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDB8441-F085

Description: MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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FDB8442

Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

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FDB8442

Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

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FDB8442

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB8442

Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

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FDB8442

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB8442-F085

MOSFET 40V NCHAN PwrTrench

auf Bestellung 2380 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDB8442-F085

Description: ONSEMI - FDB8442-F085 - FDB8442-F085, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 351 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDB8442-F085-FS

Description: 28A, 40V, 0.0029OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12200 pF @ 25 V

auf Bestellung 351 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

202+	2.46 EUR

Mindestbestellmenge: 202

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FDB8442_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 28A D2PAK

auf Bestellung 825 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDB8442_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 28A D2PAK

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FDB8442_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 28A D2PAK

auf Bestellung 825 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDB8443

Description: MOSFET N-CH 40V 25A/120A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9310 pF @ 25 V

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FDB8443

Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB8443

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.20 EUR
10+	6.48 EUR
25+	6.12 EUR
100+	5.32 EUR

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FDB8443

Description: MOSFET N-CH 40V 25A/120A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9310 pF @ 25 V

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FDB8443-F085

Trans MOSFET N-CH 40V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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FDB8443-F085

MOSFET 40V N-CHAN PwrTrench

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDB8443_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 25A TO-263AB

auf Bestellung 575 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDB8443_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 25A TO-263AB

auf Bestellung 575 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDB8443_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 25A TO-263AB

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FDB8444

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB8444

Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8035 pF @ 25 V

auf Bestellung 271 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.59 EUR
10+	2.99 EUR
100+	2.38 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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FDB8444

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDB8444

Trans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB8444

Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8035 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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FDB8444

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 380 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.66 EUR
10+	3.04 EUR
100+	2.43 EUR
250+	2.24 EUR
500+	1.99 EUR
800+	1.74 EUR
2400+	1.65 EUR

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FDB8444

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8035 pF @ 25 V

auf Bestellung 167648 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

264+	1.84 EUR

Mindestbestellmenge: 264

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FDB8444-F085

Trans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8444-F085

Description: ONSEMI - FDB8444-F085 - FDB8444-F085, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 12800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8444-F085

Trans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8444-F085

MOSFET 40V N-Ch PowerTrench

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8444-F085

Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8035 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8444TS

Description: MOSFET N-CH 40V 20A/70A TO263-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-6, D2PAK (5 Leads + Tab), TO-263BA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 338 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8444TS

Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 6-Pin(5+Tab) D2PAK T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8444_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK

auf Bestellung 778 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8444_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8444_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK

auf Bestellung 778 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8445

Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK

auf Bestellung 209 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.14 EUR
10+	4.62 EUR
100+	3.79 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8445

Bipolar Transistors - Pre-Biased DISCRETES

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8445

FAIRCHIL

auf Bestellung 2800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8445

Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8445

to-263/d2-pak

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8445

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8445-F085

MOSFET 40V N-Ch PowerTrench

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8445_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8445_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8445_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8447L

Description: MOSFET N-CH 40V 15A/50A TO263AB

auf Bestellung 1462 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.03 EUR
10+	3.62 EUR
100+	2.91 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8447L

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 60W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8447L

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 3303 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.85 EUR
10+	3.50 EUR
25+	3.41 EUR
100+	2.99 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8447L

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8447L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8447L

Description: MOSFET N-CH 40V 15A/50A TO263AB

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	2.63 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8447L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8447L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8447L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDB8453LZ