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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
NSB-5120Quest Technology International Inc.Description: CAT5E SURFACE MOUNT BOX RJ45 8P8
Packaging: Bulk
Connector Type: Jack
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Orientation: Straight
Number of Positions/Contacts: 8p8c (RJ45, Ethernet)
Termination: IDC, Color Coded Block
LED Color: Does Not Contain LED
Ratings: Cat5e
Tab Direction: Up
Part Status: Active
Number of Ports: 1
Number of Rows: 1
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+10.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NSB-5130Quest Technology International Inc.Description: CAT5E SURFACE MOUNT BOX RJ45 8P8
Packaging: Bulk
Connector Type: Jack
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Orientation: Straight
Number of Positions/Contacts: 8p8c (RJ45, Ethernet)
Termination: IDC, Color Coded Block
LED Color: Does Not Contain LED
Ratings: Cat5e
Tab Direction: Up
Contact Material: Phosphor Bronze
Part Status: Active
Number of Ports: 2
Number of Rows: 1
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+14.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NSB-5210Quest Technology International Inc.Description: UNLOADED KEYSTONE SURFACE MOUNT
auf Bestellung 2724 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSB-5220Quest Technology International Inc.Description: UNLOADED KEYSTONE SURFACE MOUNT
auf Bestellung 1903 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSB-5240Quest Technology International Inc.Description: UNLOADED KEYSTONE SURFACE MOUNT
Packaging: Bulk
Color: White
For Use With/Related Products: Keystone Jacks
Material: Acrylonitrile Butadiene Styrene (ABS)
Style: Surface Mount
Type: Mounting Box
Number of Ports: 4
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Port Direction: Straight
Part Status: Active
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
25+5.23 EUR
Mindestbestellmenge: 25
NSB-5260Quest Technology International Inc.Description: UNLOADED KEYSTONE SURFACE MOUNT
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSB1-D3FP4G-178
auf Bestellung 8400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSB1010XV5T5
auf Bestellung 168000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSB1010XV5T5onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 168000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7212+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 7212
NSB1011XV6T5Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
auf Bestellung 88000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSB1011XV6T5
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSB12ANT3G
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSB12ANT3GON SemiconductorDescription: TVS DIODE 12VWM 19.9VC SMB
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSB12ANT3GLittelfuseESD Suppressors / TVS Diodes SMB TVS 600W 12V
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NSB13211DW6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 230mW 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSB13211DW6T1GON SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.23W SC88
Produkt ist nicht verfügbar
NSB13211DW6T1G
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSB13211DW6T1GonsemiDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.23W SC88
auf Bestellung 383930 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
15000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 15000
NSB13ANT3G
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSB13ANT3GRochester Electronics, LLCDescription: TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSB16GLF2-513BOURNS
auf Bestellung 7800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSB16GLF2-513BOURNS0611PB
auf Bestellung 7800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSB1706DMW5T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
Produkt ist nicht verfügbar
NSB1706DMW5T1
auf Bestellung 1866 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSB1706DMW5T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
auf Bestellung 10035 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
33+0.81 EUR
47+ 0.56 EUR
100+ 0.27 EUR
500+ 0.23 EUR
1000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 33
NSB1706DMW5T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 44880 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
64+0.82 EUR
92+ 0.57 EUR
225+ 0.23 EUR
1000+ 0.16 EUR
3000+ 0.13 EUR
9000+ 0.11 EUR
45000+ 0.091 EUR
Mindestbestellmenge: 64
NSB1706DMW5T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 5-Pin SC-88A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSB1706DMW5T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
auf Bestellung 10035 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+ 0.13 EUR
9000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSB1706DMW5T1GON06+
auf Bestellung 1559 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSB1A-8/4REANXLR Connectors STAGE BX 8 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN
Produkt ist nicht verfügbar
NSB1A-8/4REANDescription: REAN - NSB1A-8/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP A, 8 I/P, 4 O/P
tariffCode: 85366990
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Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSB1B-8/0REANDescription: REAN - NSB1B-8/0 - STAGE- & PATCHBOX, TYP A, 8 I/P, 0 O/P
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Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSB1B-8/0REAN / NeutrikXLR Connectors STAGE BX 8 IN F/SND
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NSB1C-8/0REANDescription: REAN - NSB1C-8/0 - STAGE- & PATCHBOX, TYP C, 8 I/P, 0 O/P
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Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSB1C-8/0REAN / NeutrikXLR Connectors STAGE BX 8 IN F/SND
Produkt ist nicht verfügbar
NSB2A-12/4REANDescription: REAN - NSB2A-12/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP A, 12 I/P, 4 O/P
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Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSB2A-12/4REANXLR Connectors STAGE BX 12 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN
Produkt ist nicht verfügbar
NSB2A-20/4REANDescription: REAN - NSB2A-20/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP A, 20 I/P, 4 O/P
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Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSB2A-20/4REANXLR Connectors STAGE BX 20 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN
Produkt ist nicht verfügbar
NSB2B-12/4REANXLR Connectors STAGE BX 12 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN
Produkt ist nicht verfügbar
NSB2B-12/4REANDescription: REAN - NSB2B-12/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP B, 12 I/P, 4 O/P
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Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSB2B-16/0REANDescription: REAN - NSB2B-16/0 - STAGE- & PATCHBOX, TYP B, 16 I/P, 0 O/P
tariffCode: 85366990
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Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSB2B-16/0REAN / NeutrikXLR Connectors STAGE BOX 16 INCH FEMALE SEND
Produkt ist nicht verfügbar
NSB2C-12/4REANXLR Connectors STAGE BX 12 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN
Produkt ist nicht verfügbar
NSB2C-12/4REANDescription: REAN - NSB2C-12/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP C, 12 I/P, 4 O/P
tariffCode: 85366990
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Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSB3030Q0R9A3H5C-LUnspecifiedPRESIDIO COMPONENTS INC. PRESIDIO
Produkt ist nicht verfügbar
NSB3030Q1R0A3H5C-LUnspecifiedPRESIDIO COMPONENTS INC. PRESIDIO
Produkt ist nicht verfügbar
NSB3A-32/4REANDescription: REAN - NSB3A-32/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP A, 32 I/P, 4 O/P
tariffCode: 85366990
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Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSB3A-32/4REANXLR Connectors STAGE BX 32 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN
Produkt ist nicht verfügbar
NSB3B-20/4REANDescription: REAN - NSB3B-20/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP B, 20 I/P, 4 O/P
tariffCode: 85366990
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Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSB3B-20/4REANXLR Connectors STAGE BX 20 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN
Produkt ist nicht verfügbar
NSB3C-20/4REANXLR Connectors STAGE BX 20 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN
Produkt ist nicht verfügbar
NSB3C-20/4REANDescription: REAN - NSB3C-20/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP C, 20 I/P, 4 O/P
tariffCode: 85366990
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Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSB4904DW1T1GON Semiconductor
auf Bestellung 5974 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSB4904DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSB4904DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSB4904DW1T1GMOTSOT26/
auf Bestellung 981 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSB4904DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
auf Bestellung 756000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7493+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 7493
NSB4904DW1T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR
auf Bestellung 17693 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
59+0.89 EUR
86+ 0.61 EUR
135+ 0.39 EUR
1000+ 0.17 EUR
3000+ 0.12 EUR
9000+ 0.11 EUR
24000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 59
NSB4904DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
Produkt ist nicht verfügbar
NSB4904DW1T2GonsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5770+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5770
NSB4904DW1T2G
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSB4A-40/4REANDescription: REAN - NSB4A-40/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP A, 40 I/P, 4 O/P
tariffCode: 85369095
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Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSB4A-40/4REANXLR Connectors STAGE BOX 40 IN FEM 4 OUT MALE
Produkt ist nicht verfügbar
NSB4A-40/8REANPatch Panels STAGE BOX 40 IN FEM 8 OUT MALE
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+449.33 EUR
10+ 431.47 EUR
25+ 422.14 EUR
50+ 420.24 EUR
100+ 414.62 EUR
250+ 406.43 EUR
2500+ 406.41 EUR
NSB4A-40/8REANDescription: REAN - NSB4A-40/8 - STAGE- & PATCHBOX, TYP A, 40 I/P, 4 O/P
tariffCode: 85369095
productTraceability: No
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usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSB4A-40/8REAN / NeutrikXLR Connectors STAGE BOX 40 IN FEM 8 OUT MALE
Produkt ist nicht verfügbar
NSB503 STARTERInterlightDescription: Replacement for Lucas NSB503 Sta
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+625.48 EUR
NSB857J
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSB8AT-E3/45Vishay General SemiconductorRectifiers 50 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
Produkt ist nicht verfügbar
NSB8AT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
NSB8AT-E3/45VishayRectifier Diode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NSB8AT-E3/45VishayRectifier Diode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NSB8AT-E3/45
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSB8AT-E3/45VishayRectifier Diode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NSB8AT-E3/81VishayDiode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSB8AT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
NSB8AT-E3/81VishayDiode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSB8AT-E3/81VishayDiode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.53 EUR
1600+ 0.5 EUR
2400+ 0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 800
NSB8AT-E3/81Vishay General SemiconductorRectifiers 50 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
Produkt ist nicht verfügbar
NSB8AT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
NSB8AT-E3/81VishayDiode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.53 EUR
1600+ 0.5 EUR
2400+ 0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 800
NSB8AT/31Vishay SemiconductorsRectifiers RECOMMENDED ALT 625-NSB8AT-E3/81
Produkt ist nicht verfügbar
NSB8ATHE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
NSB8ATHE3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
NSB8ATHE3_A/IVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Produkt ist nicht verfügbar
NSB8ATHE3_A/IVishay SemiconductorsRectifiers 8A 50V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
Produkt ist nicht verfügbar
NSB8ATHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 50V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
Produkt ist nicht verfügbar
NSB8ATHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
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NSB8ATHE3_B/IVishay General SemiconductorRectifiers 50V 125A AEC-Q101
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NSB8ATHE3_B/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
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NSB8ATHE3_B/IVishayRectifier Diode 50V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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NSB8ATHE3_B/PVishay General SemiconductorRectifiers 50V 125A AEC-Q101
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NSB8ATHE3_B/PVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
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NSB8BT-E3/45VishayRectifier Diode 100V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
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NSB8BT-E3/45Vishay General SemiconductorRectifiers 100 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
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NSB8BT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
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NSB8BT-E3/45VishayRectifier Diode 100V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
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NSB8BT-E3/81VishayRectifier Diode 100V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
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NSB8BT-E3/81VishayRectifier Diode 100V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
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NSB8BT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
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NSB8BT-E3/81VishayRectifier Diode 100V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
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NSB8BT-E3/81Vishay General SemiconductorRectifiers 100 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
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NSB8BTHE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
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Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
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NSB8BTHE3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
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NSB8BTHE3/81VishayDiode 100V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
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NSB8BTHE3_A/IVishay SemiconductorsRectifiers 8A 100V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
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NSB8BTHE3_A/IVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
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NSB8BTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 100V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
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NSB8BTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
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NSB8BTHE3_B/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
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NSB8BTHE3_B/IVishay General SemiconductorRectifiers 100V 125A AEC-Q101
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NSB8BTHE3_B/PVishay General SemiconductorRectifiers 100V 125A AEC-Q101
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NSB8BTHE3_B/PVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
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NSB8DT-E3/45VishayRectifier Diode 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
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NSB8DT-E3/45VishayRectifier Diode 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
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NSB8DT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
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Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
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NSB8DT-E3/45VishayRectifier Diode 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
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NSB8DT-E3/45Vishay General SemiconductorRectifiers 200 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
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NSB8DT-E3/81VishayRectifier Diode 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
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NSB8DT-E3/81Vishay General SemiconductorRectifiers 200 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
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NSB8DT-E3/81VishayRectifier Diode 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
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NSB8DT-E3/81VishayRectifier Diode 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
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NSB8DT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
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NSB8DTHE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
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NSB8DTHE3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
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NSB8DTHE3_A/IVishay SemiconductorsRectifiers 8A 200V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
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NSB8DTHE3_A/IVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
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NSB8DTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
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NSB8DTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 200V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
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NSB8DTHE3_B/IVishay General SemiconductorRectifiers 200V 125A AEC-Q101
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NSB8DTHE3_B/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
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NSB8DTHE3_B/PVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
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NSB8DTHE3_B/PVishay General SemiconductorRectifiers 200V 125A AEC-Q101
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NSB8GT-E3/45VishayDiode 400V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
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NSB8GT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
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NSB8GT-E3/81VishayRectifier Diode 400V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
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NSB8GT-E3/81VishayRectifier Diode 400V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
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NSB8GTHE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
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NSB8GTHE3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
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NSB8GTHE3_A/IVishay SemiconductorsRectifiers 8A 400V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
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NSB8GTHE3_A/IVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
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NSB8GTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
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NSB8GTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 400V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
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NSB8GTHE3_B/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
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Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
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NSB8GTHE3_B/PVishay General SemiconductorRectifiers 400V 125A AEC-Q101
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NSB8JTVishay SemiconductorsRectifiers 8A,600V,GPP,PLASTIC RECT
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NSB8JT-E3
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSB8JT-E3/45VishayDiode 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
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NSB8JT-E3/81Vishay General SemiconductorRectifiers RECOMMENDED ALT 625-NSB8JT-E3
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25+ 2.11 EUR
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NSB8JT-E3/81VishayRectifier Diode 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
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NSB8JT-E3/81VishayRectifier Diode 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
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NSB8JT-E3/81
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NSB8JT-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
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Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
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NSB8JTHE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
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NSB8JTHE3/81VishayDiode 600V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
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NSB8JTHE3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
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Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
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NSB8JTHE3_A/IVishay SemiconductorsRectifiers 8A 600V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
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NSB8JTHE3_A/IVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
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NSB8JTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
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NSB8JTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 600V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
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NSB8JTHE3_B/IVishay General SemiconductorRectifiers 600V 125A AEC-Q101
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NSB8JTHE3_B/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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NSB8JTHE3_B/PVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
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Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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NSB8JTHE3_B/PVishay General SemiconductorRectifiers 600V 125A AEC-Q101
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NSB8JTHM3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
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NSB8KT-E3/45VishayRectifier Diode 800V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
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NSB8KT-E3/45VishayRectifier Diode 800V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
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NSB8KT-E3/45Vishay General SemiconductorRectifiers 800 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
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NSB8KT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
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Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
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NSB8KT-E3/45VishayRectifier Diode 800V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
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NSB8KT-E3/81Vishay General SemiconductorRectifiers 800 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
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26+ 2.02 EUR
100+ 1.57 EUR
500+ 1.36 EUR
800+ 1.06 EUR
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NSB8KT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
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Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
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Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
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NSB8KT-E3/81VishayDiode 800V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
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NSB8KT-E3/81VishayDiode 800V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
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NSB8KT-HE3/45VishayDiode 800V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
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NSB8KT-M3/IVishayVishay 8A,800V,GPP,PLASTIC RECT
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NSB8KT-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
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Qualification: AEC-Q101
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NSB8KTHE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
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NSB8KTHE3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
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Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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NSB8KTHE3/81VishayDiode 800V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
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NSB8KTHE3_A/IVishayRectifier Diode 800V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
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NSB8KTHE3_A/IVishay SemiconductorsRectifiers 8A 800V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
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NSB8KTHE3_A/IVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
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NSB8KTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
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NSB8KTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 800V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
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NSB8KTHE3_B/IVishay General SemiconductorRectifiers 800V 125A AEC-Q101
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NSB8KTHE3_B/IVishayRectifier Diode 800V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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NSB8KTHE3_B/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
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Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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NSB8KTHE3_B/PVishay General SemiconductorRectifiers 800V 125A AEC-Q101
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NSB8KTHE3_B/PVishayRectifier Diode 800V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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NSB8KTHE3_B/PVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
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Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NSB8KTHM3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
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Qualification: AEC-Q101
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NSB8KTHM3/IVishayVishay 8A,800V,GPP,PLASTIC RECT,TO263
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NSB8MTVishay SemiconductorsRectifiers 8A,1000V,GPP,PLASTIC RECT
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NSB8MT-E3/45VishayRectifier Diode 1KV 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
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NSB8MT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
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NSB8MT-E3/45Vishay General SemiconductorRectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
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NSB8MT-E3/45VishayRectifier Diode 1KV 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
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NSB8MT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
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NSB8MT-E3/81Vishay General SemiconductorRectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
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26+2.06 EUR
28+ 1.88 EUR
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NSB8MT-E3/81VishayRectifier Diode 1KV 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
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NSB8MT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10+2.7 EUR
11+ 2.42 EUR
100+ 1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 10
NSB8MT-E3/81VishayRectifier Diode 1KV 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
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NSB8MTHE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
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NSB8MTHE3/45VishayDiode 1KV 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NSB8MTHE3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
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NSB8MTHE3/81VishayDiode 1KV 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
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NSB8MTHE3_A/IVishay SemiconductorsRectifiers 8A 1000V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
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NSB8MTHE3_A/IVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Produkt ist nicht verfügbar
NSB8MTHE3_A/IVishayRectifier Diode 1KV 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB
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NSB8MTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
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NSB8MTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 1000V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
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NSB8MTHE3_B/IVishay General SemiconductorRectifiers 1000V 125A AEC-Q101
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NSB8MTHE3_B/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
NSB8MTHE3_B/PVishayRectifier Diode 1KV 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NSB8MTHE3_B/PVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
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7+3.82 EUR
10+ 3.41 EUR
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NSB8MTHE3_B/PVishay General SemiconductorRectifiers 8A 1000V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 4468 Stücke:
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16+3.46 EUR
17+ 3.12 EUR
100+ 2.41 EUR
500+ 2 EUR
1000+ 1.62 EUR
2000+ 1.57 EUR
5000+ 1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 16
NSB9435MOTOROLA00+ SOT-223
auf Bestellung 8999 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSB9435T1ON SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
auf Bestellung 61339 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSB9435T1ON
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSB9435T1ON07+;
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSB9435T1/9435RON
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSB9435T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 30V 3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSB9435T1GonsemiDigital Transistors SS SOT233 BR XSTR PNP
auf Bestellung 1753 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
32+1.64 EUR
38+ 1.39 EUR
100+ 1.04 EUR
500+ 0.82 EUR
1000+ 0.63 EUR
2000+ 0.53 EUR
10000+ 0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 32
NSB9435T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 30V 3MA SOT223
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NSB9435T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 30V 3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NSB9703DescoDescription: COMMON POINT GND CORD 10MM 10'
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NSBA113EDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
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NSBA113EDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 44000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
11539+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 11539
NSBA113EDXV6T1
auf Bestellung 44000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBA113EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
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NSBA113EDXV6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 RSTR XSTR TR
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NSBA113EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
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NSBA113EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
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NSBA113EF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP
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NSBA113EF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR (B
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NSBA114EDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
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NSBA114EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 338mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
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NSBA114EDP6T5GonsemiDigital Transistors SOT-963 DUAL PBRT
auf Bestellung 9949 Stücke:
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60+0.87 EUR
74+ 0.7 EUR
130+ 0.4 EUR
1000+ 0.25 EUR
8000+ 0.22 EUR
24000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 60
NSBA114EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 338mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
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Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
auf Bestellung 160000 Stücke:
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3275+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3275
NSBA114EDP6T5GON Semiconductor
auf Bestellung 15990 Stücke:
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NSBA114EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 338mW
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Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
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Resistor - Base (R1): 10kOhms
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Supplier Device Package: SOT-963
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NSBA114EDXV6T1
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBA114EDXV6T1onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4438+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4438
NSBA114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
26+1.01 EUR
37+ 0.7 EUR
100+ 0.36 EUR
500+ 0.29 EUR
1000+ 0.22 EUR
2000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 26
NSBA114EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual PNP
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53+0.99 EUR
69+ 0.75 EUR
122+ 0.43 EUR
1000+ 0.22 EUR
4000+ 0.19 EUR
8000+ 0.15 EUR
24000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 53
NSBA114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
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Resistor - Base (R1): 10kOhms
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Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4000+0.18 EUR
8000+ 0.17 EUR
12000+ 0.15 EUR
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NSBA114EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
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NSBA114EDXV6T1G
auf Bestellung 5000 Stücke:
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NSBA114EDXV6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP
auf Bestellung 40000 Stücke:
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NSBA114EDXV6T5
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBA114EDXV6T5onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
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Resistor - Base (R1): 10kOhms
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Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 8000 Stücke:
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6662+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6662
NSBA114EDXV6T5onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
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Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
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Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
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NSBA114EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
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Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 48000 Stücke:
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6662+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6662
NSBA114EDXV6T5G
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBA114EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
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Supplier Device Package: SOT-563
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NSBA114EF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 NBRT TRNSTR
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44+1.19 EUR
59+ 0.89 EUR
100+ 0.56 EUR
1000+ 0.29 EUR
2500+ 0.26 EUR
8000+ 0.22 EUR
24000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 44
NSBA114EF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123
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NSBA114EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
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NSBA114TDP6T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
auf Bestellung 5890 Stücke:
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NSBA114TDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PBRT
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57+0.93 EUR
69+ 0.76 EUR
101+ 0.52 EUR
500+ 0.39 EUR
1000+ 0.29 EUR
2500+ 0.25 EUR
8000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 57
NSBA114TDP6T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBA114TDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7212+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 7212
NSBA114TDXV6T1
auf Bestellung 10252 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBA114TDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
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NSBA114TDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
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NSBA114TDXV6T1G
auf Bestellung 10252 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBA114TDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP
auf Bestellung 3999 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
56+0.94 EUR
76+ 0.69 EUR
133+ 0.39 EUR
1000+ 0.2 EUR
4000+ 0.17 EUR
8000+ 0.14 EUR
24000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 56
NSBA114TDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
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NSBA114TDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBA114TDXV6T5onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
auf Bestellung 15999 Stücke:
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7212+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 7212
NSBA114TDXV6T5onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
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NSBA114TDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NSBA114TF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
auf Bestellung 320000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBA114TF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NSBA114TF3T5GRochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
auf Bestellung 624000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBA114TF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
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NSBA114YDP6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
auf Bestellung 136000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBA114YDP6T5GON Semiconductor
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBA114YDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-963 DUAL PBRT
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NSBA114YDXV6T1
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBA114YDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
auf Bestellung 144000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7212+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 7212
NSBA114YDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Produkt ist nicht verfügbar
NSBA114YDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4000+0.3 EUR
8000+ 0.28 EUR
12000+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
NSBA114YDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP
auf Bestellung 1422 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
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4000+ 0.26 EUR
8000+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 42
NSBA114YDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
20+1.33 EUR
26+ 1.01 EUR
100+ 0.63 EUR
500+ 0.43 EUR
1000+ 0.33 EUR
2000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 20
NSBA114YDXV6T1GON Semiconductor
auf Bestellung 7990 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBA114YF3onsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
NSBA114YF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123
auf Bestellung 312000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBA114YF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
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NSBA114YF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114YF3T5G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 0.21 Verhältnis
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP
Bauform - HF-Transistor: SOT-1123
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.21
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NSBA114YF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRNSTR
auf Bestellung 6099 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
57+0.92 EUR
84+ 0.62 EUR
132+ 0.4 EUR
1000+ 0.18 EUR
2500+ 0.15 EUR
8000+ 0.11 EUR
24000+ 0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 57
NSBA115EDXV6T1onsemiDescription: TRANS BRT DUAL PNP 50V SOT-563
auf Bestellung 15975 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBA115EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3571+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3571
NSBA115EDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
52+1.02 EUR
69+ 0.76 EUR
121+ 0.43 EUR
1000+ 0.22 EUR
4000+ 0.19 EUR
8000+ 0.15 EUR
24000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 52
NSBA115EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
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NSBA115TDP6T5GON SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
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NSBA115TDP6T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
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NSBA115TDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PBRT
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NSBA115TF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
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NSBA115TF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
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NSBA115TF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123
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NSBA123EDXV6T1ON SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
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NSBA123EDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP
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42+1.25 EUR
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NSBA123EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
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NSBA123EDXV6T1GonsemiDescription: NSBA123 - 50V DUAL PNP BIPOLAR D
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NSBA123EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
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NSBA123EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
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NSBA123EF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP
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NSBA123EF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR (BRT)
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NSBA123JDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PBRT
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NSBA123JDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
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NSBA123JDP6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
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NSBA123JDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
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NSBA123JDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
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6086+0.13 EUR
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NSBA123JDXV6onsemiDescription: DUAL PNP BIPOLAR DIGITAL TRANSIS
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NSBA123JDXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
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NSBA123JDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
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7212+0.1 EUR
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NSBA123JDXV6T1
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NSBA123JDXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
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NSBA123JDXV6T1G
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NSBA123JDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
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NSBA123JDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
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NSBA123JDXV6T5ONSMD
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NSBA123JDXV6T5ONSC70-6
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NSBA123JDXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
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NSBA123JDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
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NSBA123JDXV6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP
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NSBA123JF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
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NSBA123JF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
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NSBA123JF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
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NSBA123JF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123
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NSBA123TDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PBRT
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NSBA123TDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
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6086+0.13 EUR
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NSBA123TDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
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NSBA123TDP6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
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NSBA123TF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123
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NSBA123TF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
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NSBA123TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
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NSBA123TF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
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NSBA124EDP6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
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NSBA124EDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PBRT
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NSBA124EDXV6T1Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
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NSBA124EDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
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NSBA124EDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP
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NSBA124EDXV6T1GON Semiconductor
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NSBA124EDXV6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP
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NSBA124EDXV6T5Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
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NSBA124EDXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
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NSBA124EF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
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NSBA124EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
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NSBA124EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
auf Bestellung 293500 Stücke:
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3523+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3523
NSBA124EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
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NSBA124EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
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NSBA124XDXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
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NSBA124XDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 DUALL 22/47
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54+0.97 EUR
73+ 0.72 EUR
129+ 0.41 EUR
1000+ 0.21 EUR
4000+ 0.18 EUR
8000+ 0.14 EUR
24000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 54
NSBA124XDXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
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NSBA124XDXV6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 DUALL 22/47
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NSBA124XF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP
auf Bestellung 320000 Stücke:
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NSBA124XF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
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NSBA124XF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR (B
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NSBA143EDP6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PBRT
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NSBA143EDP6T5GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
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NSBA143EDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW Automotive 6-Pin SOT-963 T/R
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NSBA143EDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 44000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6662+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6662
NSBA143EDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
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NSBA143EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual PNP
auf Bestellung 7846 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
53+0.99 EUR
72+ 0.72 EUR
169+ 0.31 EUR
1000+ 0.19 EUR
8000+ 0.15 EUR
24000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 53
NSBA143EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
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Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
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Supplier Device Package: SOT-563
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NSBA143EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSBA143EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
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Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
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Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
NSBA143EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
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Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
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Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 45500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5362+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5362
NSBA143EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW Automotive 3-Pin SOT-1123 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSBA143EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
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NSBA143EF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
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NSBA143EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
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auf Bestellung 304000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7359+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 7359
NSBA143TDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA143TDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSBA143TDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
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Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
NSBA143TDXV6T1
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBA143TDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
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Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6662+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6662
NSBA143TDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
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Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
NSBA143TDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual PNP
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
50+1.04 EUR
69+ 0.75 EUR
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1000+ 0.22 EUR
4000+ 0.19 EUR
8000+ 0.15 EUR
24000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 50
NSBA143TDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
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Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
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NSBA143TDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
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Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5362+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5362
NSBA143TDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSBA143TDXV6T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
582+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 582
NSBA143TDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
NSBA143TDXV6T5onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6662+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6662
NSBA143TDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 104000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5413+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5413
NSBA143TDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSBA143TDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
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NSBA143TDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP
auf Bestellung 8000 Stücke:
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NSBA143TF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR (B
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Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NSBA143TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
30+0.88 EUR
43+ 0.62 EUR
100+ 0.3 EUR
500+ 0.25 EUR
1000+ 0.17 EUR
2000+ 0.15 EUR
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NSBA143TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
NSBA143TF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW Automotive 3-Pin SOT-1123 T/R
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NSBA143ZDP6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PBRT
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NSBA143ZDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
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NSBA143ZDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW Automotive 6-Pin SOT-963 T/R
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NSBA143ZDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
auf Bestellung 160000 Stücke:
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5900+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5900
NSBA143ZDXV6Rochester Electronics, LLCDescription: DUAL PNP BIPOLAR DIGITAL TRANSIS
auf Bestellung 4000 Stücke:
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NSBA143ZDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
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NSBA143ZDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 43990 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6662+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6662
NSBA143ZDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
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NSBA143ZDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSBA143ZDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 162500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3472+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3472
NSBA143ZDXV6T1GonsemiDigital Transistors Dual PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
auf Bestellung 3841 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
44+1.21 EUR
100+ 0.83 EUR
1000+ 0.3 EUR
8000+ 0.25 EUR
24000+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 44
NSBA143ZDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
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NSBA143ZDXV6T5GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
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NSBA143ZF3onsemionsemi SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
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NSBA143ZF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 624000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7359+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 7359
NSBA143ZF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
NSBA143ZF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW Automotive 3-Pin SOT-1123 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSBA143ZF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA143ZF3T5G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 0.1 Verhältnis
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP
Bauform - HF-Transistor: SOT-1123
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NSBA143ZF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
auf Bestellung 7876 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
57+0.92 EUR
84+ 0.62 EUR
132+ 0.4 EUR
1000+ 0.18 EUR
2500+ 0.15 EUR
8000+ 0.11 EUR
24000+ 0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 57
NSBA144EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
auf Bestellung 13720 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
25+1.04 EUR
33+ 0.8 EUR
100+ 0.48 EUR
500+ 0.45 EUR
1000+ 0.3 EUR
2000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 25
NSBA144EDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSBA144EDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW Automotive 6-Pin SOT-963 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSBA144EDP6T5GonsemiDigital Transistors SOT-963 DUAL PBRT
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
50+1.04 EUR
65+ 0.81 EUR
115+ 0.45 EUR
1000+ 0.28 EUR
8000+ 0.24 EUR
48000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 50
NSBA144EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
NSBA144EDXV6T1
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBA144EDXV6T1onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 357mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6662+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6662
NSBA144EDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP
Produkt ist nicht verfügbar
NSBA144EDXV6T1GFairchild SemiconductorDescription: NSBA144EDXV6 - DUAL PNP BIAS RES
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5362+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5362
NSBA144EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSBA144EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSBA144EDXV6T5onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6662+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6662
NSBA144EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP DL 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 357mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhm
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3602+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3602
NSBA144EDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSBA144EDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSBA144EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP DL 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 357mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhm
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NSBA144EDXV6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 RSTR XSTR TR
auf Bestellung 6964 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
43+1.22 EUR
57+ 0.93 EUR
100+ 0.58 EUR
500+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 43
NSBA144EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-1123 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSBA144EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW Automotive 3-Pin SOT-1123 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSBA144EF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRNSTR
auf Bestellung 7950 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NSBA144EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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3602+0.19 EUR
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NSBA144EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
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Supplier Device Package: SOT-1123
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Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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NSBA144TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
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Supplier Device Package: SOT-1123
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NSBA144TF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW Automotive 3-Pin SOT-1123 T/R
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NSBA144TF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR (BRT)
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NSBA144TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
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Supplier Device Package: SOT-1123
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Resistor - Base (R1): 47 kOhms
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NSBA144WDP6T5GonsemiDescription: DUAL PNP BIPOLAR DIGITAL TRANSIS
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
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Supplier Device Package: SOT-963
auf Bestellung 8000 Stücke:
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5900+0.12 EUR
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NSBA144WDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW Automotive 6-Pin SOT-963 T/R
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NSBA144WDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PBRT
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NSBA144WDP6T5GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
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Resistor - Base (R1): 47kOhms
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Supplier Device Package: SOT-963
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NSBA144WDXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Mounting Type: Surface Mount
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Supplier Device Package: SOT-563
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NSBA144WDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
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NSBA144WDXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
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Supplier Device Package: SOT-563
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NSBA144WDXV6T1GonsemiDigital Transistors 50V Dual PNP Bipolar Digital Transistor
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50+1.04 EUR
69+ 0.75 EUR
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4000+ 0.19 EUR
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NSBA144WF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
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Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
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5912+0.12 EUR
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NSBA144WF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW Automotive 3-Pin SOT-1123 T/R
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NSBA144WF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Transistor Type: PNP - Pre-Biased
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Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
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Resistor - Base (R1): 47 kOhms
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NSBA144WF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
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NSBC113EDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
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Supplier Device Package: SOT-563
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NSBC113EDXV6T1
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NSBC113EDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
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Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 36000 Stücke:
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6662+0.12 EUR
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NSBC113EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
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NSBC113EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 50V Dual NPN Bipolar Digital Transistor
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Mindestbestellmenge: 45
NSBC113EDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
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NSBC113EDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
auf Bestellung 108000 Stücke:
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NSBC113EDXV6T5onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
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NSBC113EF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL NPN
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NSBC113EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW Automotive 3-Pin SOT-1123 T/R
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NSBC113EF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN DIGITAL TRANSISTOR (B
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NSBC113EPDXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
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NSBC113EPDXV6T1GonsemiDigital Transistors 50V Dual Bipolar Digital Transistor
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53+0.99 EUR
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NSBC113EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
auf Bestellung 4000 Stücke:
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NSBC114BDXV6T1
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NSBC114EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
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NSBC114EDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
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NSBC114EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
auf Bestellung 72000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 8000
NSBC114EDP6T5GonsemiDigital Transistors SOT-963 DUAL NBRT
auf Bestellung 2339 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
77+0.68 EUR
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2500+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 77
NSBC114EDXV6ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114EDXV6 - TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
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NSBC114EDXV6onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Bulk
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6662+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6662
NSBC114EDXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
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NSBC114EDXV6T1ON07+;
auf Bestellung 123000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBC114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
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Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
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auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NSBC114EDXV6T1GON Semiconductor
auf Bestellung 7850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBC114EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
auf Bestellung 119550 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
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NSBC114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
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Supplier Device Package: SOT-563
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NSBC114EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
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NSBC114EDXV6T5Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
auf Bestellung 896000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBC114EDXV6T5GON Semiconductor
auf Bestellung 7988 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBC114EDXV6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN
auf Bestellung 13871 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
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NSBC114EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
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Supplier Device Package: SOT-563
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NSBC114EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
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Supplier Device Package: SOT-1123
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NSBC114EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
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NSBC114EF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 NBRT TRNSTR
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Lieferzeit 14-28 Tag (e)
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NSBC114EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
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Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
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Resistor - Base (R1): 10 kOhms
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NSBC114EPDP6T1GRochester Electronics, LLCDescription: COMPLEMENTARY BIPOLAR TRANSISTOR
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBC114EPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
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NSBC114EPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
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Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
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NSBC114EPDP6T5GonsemiDigital Transistors SOT-963 COMP NBRT
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Lieferzeit 14-28 Tag (e)
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NSBC114EPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
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Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC114EPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
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Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
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Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
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NSBC114EPDXV6T1
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NSBC114EPDXV6T1ON SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
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NSBC114EPDXV6T1GON Semiconductor
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NSBC114EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
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Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
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Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4000+0.18 EUR
8000+ 0.17 EUR
12000+ 0.15 EUR
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NSBC114EPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
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NSBC114EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
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Resistor - Base (R1): 10kOhms
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Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 13680 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NSBC114EPDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
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122+ 0.43 EUR
225+ 0.23 EUR
1000+ 0.18 EUR
4000+ 0.16 EUR
8000+ 0.14 EUR
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Mindestbestellmenge: 90
NSBC114EPDXV6T5onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
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4438+0.18 EUR
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NSBC114EPDXV6T5
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NSBC114EPDXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
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NSBC114EPDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
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NSBC114EPDXVT1GonsemiDescription: SS SOT563 DUAL RSTR XSTR
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
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Resistor - Base (R1): 10kOhms
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Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5323+0.15 EUR
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NSBC114EPDXVT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114EPDXVT1G - SS SOT563 DUAL RSTR XSTR
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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NSBC114TDP6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NBRT
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NSBC114TDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
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Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
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16000+ 0.14 EUR
24000+ 0.13 EUR
56000+ 0.12 EUR
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NSBC114TDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
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Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
auf Bestellung 56000 Stücke:
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NSBC114TDXV6onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Bulk
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NSBC114TDXV6ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114TDXV6 - NSBC114 - TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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NSBC114TDXV6T1ON SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
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NSBC114TDXV6T1
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NSBC114TDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
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NSBC114TDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
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NSBC114TDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
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NSBC114TDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
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NSBC114TDXV6T5onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
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NSBC114TDXV6T5onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
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NSBC114TDXV6T5
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NSBC114TDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 50 V Dual NPN BiPolar DRT
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NSBC114TDXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
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NSBC114TF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123
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NSBC114TF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
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NSBC114TF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
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NSBC114TPDXV6T1ON SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
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NSBC114TPDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
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NSBC114XDXV6T1ON
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NSBC114YDCV6T5
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NSBC114YDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
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Resistor - Base (R1): 10kOhms
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Supplier Device Package: SOT-963
auf Bestellung 5854 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NSBC114YDP6T5GonsemiDigital Transistors SOT-963 DUAL NBRT
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NSBC114YDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
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Supplier Device Package: SOT-963
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC114YDP6T5GON Semiconductor
auf Bestellung 7690 Stücke:
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NSBC114YDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
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NSBC114YDXV6T1Onsemi09+
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NSBC114YDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC114YDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
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4808+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4808
NSBC114YDXV6T1OnsemiSOT363
auf Bestellung 16000 Stücke:
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NSBC114YDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
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Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
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Resistor - Base (R1): 10kOhms
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Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
NSBC114YDXV6T1G
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBC114YDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
auf Bestellung 2095 Stücke:
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54+0.97 EUR
83+ 0.63 EUR
187+ 0.28 EUR
1000+ 0.18 EUR
8000+ 0.15 EUR
24000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 54
NSBC114YDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
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Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 7680 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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34+ 0.78 EUR
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2000+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 24
NSBC114YDXV6T5
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBC114YDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN
auf Bestellung 7990 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NSBC114YDXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC114YF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123
auf Bestellung 168000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBC114YF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123
auf Bestellung 175947 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBC114YF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC114YF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 NBRT TRNSTR
auf Bestellung 9485 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
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NSBC114YPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
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Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NSBC114YPDP6T5GonsemiDigital Transistors COMP NBRT/PBRT TR SOT-963
auf Bestellung 7600 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
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NSBC114YPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
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Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
auf Bestellung 15790 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 28
NSBC114YPDXV6T1ON SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
auf Bestellung 379710 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBC114YPDXV6T1
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBC114YPDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
auf Bestellung 16243 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
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191+ 0.27 EUR
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NSBC114YPDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114YPDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSBC114YPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
NSBC114YPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSBC114YPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 8941 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
28+0.96 EUR
39+ 0.67 EUR
100+ 0.34 EUR
500+ 0.28 EUR
1000+ 0.2 EUR
2000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 28
NSBC114YPDXV6T5onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
auf Bestellung 176000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4438+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4438
NSBC114YPDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114YPDXV6T5 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 176000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSBC114YPDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
auf Bestellung 7460 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NSBC114YPDXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBC115EDXV6T1onsemiDescription: TRANS BRT DUAL NPN 50V SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC115EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC115EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 196000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4000+0.18 EUR
8000+ 0.17 EUR
12000+ 0.15 EUR
100000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
NSBC115EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
auf Bestellung 2745 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
52+1.02 EUR
74+ 0.71 EUR
177+ 0.29 EUR
1000+ 0.18 EUR
8000+ 0.15 EUR
24000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 52
NSBC115EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
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Resistor - Base (R1): 100kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 196000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
27+0.99 EUR
38+ 0.7 EUR
100+ 0.35 EUR
500+ 0.29 EUR
1000+ 0.21 EUR
2000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 27
NSBC115EPDXV6T1GonsemiDescription: SS SOT563 RSTR XSTR TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 357mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
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Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
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Resistor - Base (R1): 100kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC115EPDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased RSTR XSTR
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC115TDP6T5GonsemiDigital Transistors DUAL NBRT
auf Bestellung 7984 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
45+1.16 EUR
60+ 0.87 EUR
100+ 0.54 EUR
1000+ 0.29 EUR
2500+ 0.23 EUR
8000+ 0.21 EUR
24000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 45
NSBC115TDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
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Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
auf Bestellung 292000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3549+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3549
NSBC115TDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC115TDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
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Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC115TF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
auf Bestellung 7999 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
57+0.92 EUR
84+ 0.62 EUR
132+ 0.4 EUR
1000+ 0.18 EUR
2500+ 0.15 EUR
8000+ 0.11 EUR
24000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 57
NSBC115TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC115TF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC115TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
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Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
auf Bestellung 144000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7359+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 7359
NSBC115TPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
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Resistor - Base (R1): 100kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC115TPDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-963 COMP BRT
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC115TPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC115TPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
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Resistor - Base (R1): 100kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
auf Bestellung 706141 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5900+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5900
NSBC123EDXV6T1ON SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBC123EDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
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NSBC123EDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN
auf Bestellung 7900 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
53+0.98 EUR
72+ 0.73 EUR
127+ 0.41 EUR
500+ 0.37 EUR
4000+ 0.31 EUR
8000+ 0.17 EUR
24000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 53
NSBC123EF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL NPN
auf Bestellung 320000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBC123EF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN DIGITAL TRANSISTOR (B
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC123EPDXV6T1ON SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBC123EPDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SSP SOT563 DUAL 2.2/2.2K
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
42+1.25 EUR
55+ 0.95 EUR
100+ 0.59 EUR
500+ 0.41 EUR
1000+ 0.31 EUR
4000+ 0.26 EUR
8000+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 42
NSBC123EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 180000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
642+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 642
NSBC123EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
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Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
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Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBC123JDP6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
auf Bestellung 288000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBC123JDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NBRT
auf Bestellung 4879 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
45+1.17 EUR
59+ 0.88 EUR
100+ 0.55 EUR
500+ 0.38 EUR
1000+ 0.29 EUR
2500+ 0.26 EUR
8000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 45
NSBC123JDXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC123JDXV6T1
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBC123JDXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC123JDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN
auf Bestellung 2904 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
45+1.17 EUR
59+ 0.89 EUR
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1000+ 0.27 EUR
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8000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 45
NSBC123JDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC123JDXV6T5ON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC123JDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NSBC123JF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
auf Bestellung 4789 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
45+1.17 EUR
59+ 0.89 EUR
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Mindestbestellmenge: 45
NSBC123JF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC123JF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
auf Bestellung 7990 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NSBC123JF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC123JPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
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Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
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Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
28+0.94 EUR
40+ 0.66 EUR
100+ 0.33 EUR
500+ 0.27 EUR
1000+ 0.2 EUR
2000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 28
NSBC123JPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
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Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
NSBC123JPDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased BRT COMPLEMENTARY
auf Bestellung 5895 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
57+0.92 EUR
81+ 0.65 EUR
195+ 0.27 EUR
1000+ 0.17 EUR
2500+ 0.16 EUR
8000+ 0.13 EUR
48000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 57
NSBC123JPDXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC123JPDXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC123JPDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC123JPDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSBC123JPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
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Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 75468 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 21
NSBC123JPDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
auf Bestellung 5576 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
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139+ 0.37 EUR
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Mindestbestellmenge: 60
NSBC123JPDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC123JPDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
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Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
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Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2428 Stücke:
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NSBC123JPDXV6T1G
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBC123JPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 72000 Stücke:
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4000+0.28 EUR
8000+ 0.26 EUR
12000+ 0.24 EUR
28000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
NSBC123JPDXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
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NSBC123JPDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
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NSBC123JPDXV6T5GON Semiconductor
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NSBC123TDP6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
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NSBC123TDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NBRT
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NSBC123TF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123
auf Bestellung 280000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBC123TF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
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NSBC123TPDP6T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBC123TPDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-963 COMP NBRT
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NSBC123TPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC124EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC124EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
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Resistor - Base (R1): 22kOhms
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Supplier Device Package: SOT-963
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5900+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5900
NSBC124EDP6T5GonsemiDigital Transistors DUAL NBRT
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NSBC124EDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
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NSBC124EDXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
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NSBC124EDXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC124EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
auf Bestellung 2719 Stücke:
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52+1.02 EUR
74+ 0.71 EUR
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1000+ 0.18 EUR
8000+ 0.15 EUR
24000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 52
NSBC124EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
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NSBC124EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
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Resistor - Base (R1): 22kOhms
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Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 3573 Stücke:
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26+1.01 EUR
37+ 0.7 EUR
100+ 0.36 EUR
500+ 0.29 EUR
1000+ 0.22 EUR
2000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 26
NSBC124EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
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Resistor - Base (R1): 22kOhms
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Supplier Device Package: SOT-563
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NSBC124EDXV6T5onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased
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Resistor - Base (R1): 22kOhms
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Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 24000 Stücke:
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4438+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4438
NSBC124EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
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Resistor - Base (R1): 22kOhms
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Supplier Device Package: SOT-563
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NSBC124EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
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Resistor - Base (R1): 22kOhms
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Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 56000 Stücke:
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5413+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5413
NSBC124EDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN
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NSBC124EDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
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NSBC124EF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
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60+0.87 EUR
78+ 0.67 EUR
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1000+ 0.23 EUR
8000+ 0.2 EUR
48000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 60
NSBC124EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC124EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
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Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
auf Bestellung 44316 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
31+0.86 EUR
39+ 0.67 EUR
100+ 0.4 EUR
500+ 0.37 EUR
1000+ 0.25 EUR
2000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 31
NSBC124EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
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NSBC124EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
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Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8000+0.22 EUR
16000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
NSBC124EPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
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Resistor - Base (R1): 22kOhms
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Supplier Device Package: SOT-963
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NSBC124EPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC124EPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
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Resistor - Base (R1): 22kOhms
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Supplier Device Package: SOT-963
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NSBC124EPDP6T5GonsemiDigital Transistors SOT-963 COMP NBRT
auf Bestellung 7783 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
57+0.92 EUR
72+ 0.73 EUR
112+ 0.47 EUR
1000+ 0.28 EUR
2500+ 0.26 EUR
8000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 57
NSBC124EPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
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NSBC124EPDX
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBC124EPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
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Resistor - Base (R1): 22kOhms
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Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC124EPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
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Resistor - Base (R1): 22kOhms
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Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 211695 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6662+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6662
NSBC124EPDXV6T1ON
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBC124EPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
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Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC124EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
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Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
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NSBC124EPDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
52+1.02 EUR
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177+ 0.29 EUR
1000+ 0.18 EUR
8000+ 0.15 EUR
24000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 52
NSBC124EPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC124EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
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Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
auf Bestellung 3566 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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37+ 0.7 EUR
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Mindestbestellmenge: 26
NSBC124EPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC124EPDXV6T5onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 256mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
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Resistor - Base (R1): 22kOhms
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Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 624000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4438+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4438
NSBC124EPDXV6T5
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBC124EPDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
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NSBC124EPDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC124EPDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
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Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC124EPDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC124EPDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
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Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 88000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5413+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5413
NSBC124EPDXVT5
auf Bestellung 13642 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBC124XDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
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Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC124XDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 91950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6662+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6662
NSBC124XDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 5136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
526+0.3 EUR
710+ 0.21 EUR
717+ 0.2 EUR
1246+ 0.11 EUR
1250+ 0.1 EUR
1252+ 0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 526
NSBC124XDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC124XDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC124XDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
auf Bestellung 5781 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
53+0.99 EUR
74+ 0.71 EUR
151+ 0.35 EUR
1000+ 0.22 EUR
4000+ 0.19 EUR
8000+ 0.15 EUR
24000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 53
NSBC124XDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC124XDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
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Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
24+1.09 EUR
34+ 0.77 EUR
100+ 0.39 EUR
500+ 0.34 EUR
1000+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 24
NSBC124XF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC124XF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC124XF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 312000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3297+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3297
NSBC124XF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC124XPDXV6T1onsemiDescription: TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
Packaging: Bulk
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6662+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6662
NSBC124XPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC124XPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
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NSBC124XPDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
auf Bestellung 3900 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
50+1.04 EUR
69+ 0.76 EUR
148+ 0.35 EUR
1000+ 0.22 EUR
4000+ 0.18 EUR
8000+ 0.15 EUR
24000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 50
NSBC124XPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
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NSBC124XPDXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
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NSBC143EDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NBRT
auf Bestellung 4255 Stücke:
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45+1.16 EUR
60+ 0.87 EUR
100+ 0.54 EUR
1000+ 0.29 EUR
2500+ 0.26 EUR
8000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 45
NSBC143EDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
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NSBC143EDP6T5GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC143EDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC143EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
auf Bestellung 29944 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
52+1.02 EUR
74+ 0.71 EUR
177+ 0.29 EUR
1000+ 0.18 EUR
8000+ 0.15 EUR
24000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 52
NSBC143EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
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Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 44000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4000+0.18 EUR
8000+ 0.17 EUR
12000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
NSBC143EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC143EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
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Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 47000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
26+1.01 EUR
37+ 0.7 EUR
100+ 0.36 EUR
500+ 0.29 EUR
1000+ 0.22 EUR
2000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 26
NSBC143EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC143EF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
auf Bestellung 903 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
62+0.85 EUR
76+ 0.69 EUR
112+ 0.47 EUR
1000+ 0.27 EUR
2500+ 0.22 EUR
8000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 62
NSBC143EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC143EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
auf Bestellung 317830 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3463+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3463
NSBC143EPDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-963 COMP NBRT
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC143EPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC143EPDP6T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC143EPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 631985 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6662+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6662
NSBC143EPDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143EPDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 631985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSBC143EPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
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Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
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Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC143EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
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Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
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Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC143EPDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
48+1.09 EUR
64+ 0.82 EUR
102+ 0.51 EUR
1000+ 0.26 EUR
4000+ 0.23 EUR
8000+ 0.21 EUR
24000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 48
NSBC143EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
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Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 208000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3771+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3771
NSBC143EPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC143TDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC143TDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 27986 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6662+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6662
NSBC143TDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5679+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5679
NSBC143TDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN
auf Bestellung 7859 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
56+0.94 EUR
73+ 0.71 EUR
130+ 0.4 EUR
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Mindestbestellmenge: 56
NSBC143TDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC143TDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
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Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC143TDXV6T5onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
auf Bestellung 400000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6662+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6662
NSBC143TDXV6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN
auf Bestellung 7819 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
56+0.94 EUR
68+ 0.77 EUR
100+ 0.53 EUR
500+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 56
NSBC143TDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
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Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 221000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3597+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3597
NSBC143TDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC143TDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
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Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC143TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
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Supplier Device Package: SOT-1123
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Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
auf Bestellung 296000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3527+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3527
NSBC143TF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
auf Bestellung 7799 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
45+1.16 EUR
59+ 0.88 EUR
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24000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 45
NSBC143TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
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Supplier Device Package: SOT-1123
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Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC143TF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC143TPDXVONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143TPDXV - TRANS PREBIAS NPN-PNP SOT563
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auf Bestellung 148000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSBC143TPDXVonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
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Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
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Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 148000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5323+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5323
NSBC143TPDXV6T1onsemiDescription: TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
Packaging: Bulk
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4438+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4438
NSBC143TPDXV6T1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBC143TPDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143TPDXV6T1 - EACH
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SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSBC143TPDXV6T1onsemiDescription: TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC143TPDXV6T1G
auf Bestellung 716 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBC143TPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
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auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NSBC143TPDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
auf Bestellung 6509 Stücke:
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54+0.97 EUR
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24000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 54
NSBC143TPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC143TPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
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Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
NSBC143TPDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143TPDXV6T5 - EACH
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auf Bestellung 104000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSBC143TPDXV6T5onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
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Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
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Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 104000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6662+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6662
NSBC143TPDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
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Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC143ZDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
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Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
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Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
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Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
auf Bestellung 9106 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
29+0.91 EUR
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Mindestbestellmenge: 29
NSBC143ZDP6T5GON Semiconductor
auf Bestellung 7300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBC143ZDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NBRT
auf Bestellung 2558 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
59+0.89 EUR
75+ 0.7 EUR
133+ 0.39 EUR
1000+ 0.24 EUR
8000+ 0.21 EUR
48000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 59
NSBC143ZDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC143ZDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
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Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
NSBC143ZDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
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Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC143ZDXV6T1
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBC143ZDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143ZDXV6T1 - EACH
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 9516 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSBC143ZDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
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Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
auf Bestellung 9999 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
26+1.01 EUR
37+ 0.7 EUR
100+ 0.36 EUR
500+ 0.29 EUR
1000+ 0.22 EUR
2000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 26
NSBC143ZDXV6T1GonsemiDigital Transistors SOT-563 DUAL 4.7/47 K OH
auf Bestellung 38900 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
54+0.97 EUR
74+ 0.71 EUR
177+ 0.29 EUR
1000+ 0.18 EUR
8000+ 0.15 EUR
24000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 54
NSBC143ZDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC143ZDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4000+0.18 EUR
8000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
NSBC143ZDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC143ZDXV6T5GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
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Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
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Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC143ZDXV6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-563 DUAL 4.7/47 K OH
auf Bestellung 7900 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
52+1.01 EUR
63+ 0.83 EUR
100+ 0.57 EUR
500+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 52
NSBC143ZF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 7900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
28+0.96 EUR
36+ 0.74 EUR
100+ 0.44 EUR
500+ 0.41 EUR
1000+ 0.28 EUR
2000+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 28
NSBC143ZF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC143ZF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC143ZF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
auf Bestellung 6037 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
57+0.92 EUR
69+ 0.76 EUR
102+ 0.51 EUR
1000+ 0.29 EUR
2500+ 0.27 EUR
8000+ 0.23 EUR
24000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 57
NSBC143ZF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC143ZPDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased BRT COMPLEMENTARY
auf Bestellung 6969 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
57+0.92 EUR
81+ 0.65 EUR
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2500+ 0.16 EUR
8000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 57
NSBC143ZPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC143ZPDP6T5GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
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Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC143ZPDP6T5GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
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Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC143ZPDXV6TonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5323+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5323
NSBC143ZPDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143ZPDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 92000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSBC143ZPDXV6T1onsemiDescription: TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
Packaging: Bulk
auf Bestellung 92000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4438+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4438
NSBC143ZPDXV6T1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBC143ZPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
auf Bestellung 44000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
30+0.88 EUR
39+ 0.68 EUR
100+ 0.41 EUR
500+ 0.38 EUR
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2000+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 30
NSBC143ZPDXV6T1GON Semiconductor
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBC143ZPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
auf Bestellung 44000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4000+0.24 EUR
8000+ 0.23 EUR
12000+ 0.21 EUR
28000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
NSBC143ZPDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-563 DUAL 4.7/47 K OH
auf Bestellung 3669 Stücke:
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52+1.02 EUR
74+ 0.71 EUR
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1000+ 0.18 EUR
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24000+ 0.14 EUR
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NSBC143ZPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC143ZPDXV6T5
auf Bestellung 7500 Stücke:
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NSBC143ZPDXV6T5onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
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Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 7950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7950+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 7950
NSBC143ZPDXV6T5onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
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Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
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Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC143ZPDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC143ZPDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
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Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
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Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 52000 Stücke:
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6662+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6662
NSBC144EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
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Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
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Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
auf Bestellung 38788 Stücke:
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29+0.91 EUR
41+ 0.64 EUR
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500+ 0.26 EUR
1000+ 0.19 EUR
2000+ 0.16 EUR
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NSBC144EDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-963 DUAL NBRT
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57+0.92 EUR
76+ 0.69 EUR
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2500+ 0.16 EUR
8000+ 0.13 EUR
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NSBC144EDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
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NSBC144EDP6T5GON Semiconductor
auf Bestellung 4100 Stücke:
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NSBC144EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
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Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
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Resistor - Base (R1): 47kOhms
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Supplier Device Package: SOT-963
auf Bestellung 32000 Stücke:
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8000+0.16 EUR
16000+ 0.14 EUR
24000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
NSBC144EDXV6T1
auf Bestellung 6905 Stücke:
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NSBC144EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
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NSBC144EDXV6T1GONSOT-363
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBC144EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
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Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
27+0.99 EUR
38+ 0.7 EUR
100+ 0.35 EUR
500+ 0.29 EUR
1000+ 0.21 EUR
2000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 27
NSBC144EDXV6T1GON09+
auf Bestellung 16018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBC144EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
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Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4000+0.18 EUR
8000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
NSBC144EDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN
auf Bestellung 15243 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
64+0.82 EUR
89+ 0.59 EUR
205+ 0.25 EUR
1000+ 0.17 EUR
4000+ 0.14 EUR
8000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 64
NSBC144EDXV6T5onsemiDescription: TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
Packaging: Bulk
auf Bestellung 7995 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7995+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 7995
NSBC144EDXV6T5G
auf Bestellung 6650 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBC144EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
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Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
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Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 50332 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3597+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3597
NSBC144EDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN
auf Bestellung 6540 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NSBC144EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
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Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC144EDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC144EF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRNSTR
auf Bestellung 4926 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
45+1.16 EUR
60+ 0.88 EUR
139+ 0.37 EUR
1000+ 0.26 EUR
2500+ 0.25 EUR
8000+ 0.21 EUR
48000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 45
NSBC144EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC144EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
23+1.14 EUR
32+ 0.81 EUR
100+ 0.41 EUR
500+ 0.36 EUR
1000+ 0.28 EUR
2000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 23
NSBC144EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
NSBC144EPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
auf Bestellung 872000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3549+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3549
NSBC144EPDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-963 COMP BRT
auf Bestellung 2649 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
45+1.16 EUR
60+ 0.87 EUR
100+ 0.54 EUR
1000+ 0.31 EUR
2500+ 0.26 EUR
8000+ 0.21 EUR
24000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 45
NSBC144EPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC144EPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC144EPDXV6T1onsemiDescription: TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC144EPDXV6T1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBC144EPDXV6T1G
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBC144EPDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC144EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 7990 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
27+0.99 EUR
38+ 0.7 EUR
100+ 0.35 EUR
500+ 0.29 EUR
1000+ 0.21 EUR
2000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 27
NSBC144EPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC144EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
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Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
NSBC144EPDXV6T5onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
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Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 256000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6662+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6662
NSBC144EPDXV6T5onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
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Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC144EPDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSBC144EPDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
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NSBC144EPDXV6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
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NSBC144TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
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NSBC144TF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
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NSBC144TF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
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NSBC144TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
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NSBC144WDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NBRT
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NSBC144WDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
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NSBC144WDP6T5GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.408W SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
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NSBC144WDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
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5679+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5679
NSBC144WDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
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NSBC144WDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
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NSBC144WDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
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NSBC144WF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
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NSBC144WF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
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NSBC144WF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
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NSBC144WF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
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NSBC144WPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
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NSBC144WPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
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5900+0.12 EUR
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NSBC144WPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
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NSBC144WPDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-963 COMP NBRT
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NSBMC096VF-25Texas InstrumentsDescription: IC CONTROLLER BURST MEM 132-PQFP
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NSBMC096VF-25
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NSBMC096VF-33NS9048 DIP;
auf Bestellung 2000 Stücke:
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NSBMC096VF-33CNS
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NSBMC096VF-33C??
auf Bestellung 3000 Stücke:
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NSBP-108+
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSBP-108+Mini-CircuitsSignal Conditioning Lumped LC Band Stop Filter, 89 - 105 MHz
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1+467.04 EUR
NSBV-M207-10ABB7630030260230
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NSBV-M253-11ABBSB 90 degree Curved Elbow, Metric, Metal, Swivel M25x1.5 Thread
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NSBV-M508-14ABB Power Electronics Inc.Description: PA NSBVM50814 SWVL FTNG 90D M50N
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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1+601.15 EUR
NSBV-P488-10ABB Power Electronics Inc.Description: ABB Power Electronics Inc. NSBV-
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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NSBVC096VF-25
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NSBW1-L9FP7DA-018
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