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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
FGW.LM.368.XLCT
Produktcode: 196533
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Steckverbinder, Reihenklemmen > Rundsteckverbinder (Strom, mic)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH051-020.OMEGADescription: OMEGA - FGH051-020. - HEATING TAPE, 105W, 120VAC, 1/2" X 2
tariffCode: 0
productTraceability: No
Stromverbrauch: 105W
rohsCompliant: YES
Drahtverbindung Oberflächenheizung: 2-Prong Molded Separable Plug
euEccn: NLR
Oberflächenheizung: Standard Insulated Heating Tape
Versorgungsspannung: 120VAC
hazardous: false
Wattdichte: 8.6W/in²
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
Betriebstemperatur, min.: -
Betriebstemperatur, max.: 482°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: OMEGALUX FGH Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH0H104ZFKEMETHigh Energy Storage Electric Double Layer- Supercaps
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH0H104ZFKEMETDescription: CAP 100MF -20% +80% 5.5V T/H
Tolerance: -20%, +80%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial, Can
Size / Dimension: 0.433" Dia (11.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C
Lead Spacing: 0.200" (5.08mm)
Termination: PC Pins
ESR (Equivalent Series Resistance): 100Ohm @ 1kHz
Lifetime @ Temp.: 1000 Hrs @ 70°C
Height - Seated (Max): 0.217" (5.50mm)
Part Status: Active
Capacitance: 100 mF
Voltage - Rated: 5.5 V
auf Bestellung 2058 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.28 EUR
10+3.79 EUR
50+3.11 EUR
100+2.88 EUR
500+2.46 EUR
2000+2.20 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH0H104ZFKEMETSupercapacitors / Ultracapacitors 5.5V 0.1F -20/+80% LS=5.08mm
auf Bestellung 4616 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.54 EUR
10+3.66 EUR
50+2.89 EUR
100+2.66 EUR
500+2.24 EUR
1000+2.18 EUR
2000+1.90 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH0H104ZFKEMETDescription: KEMET - FGH0H104ZF - Superkondensator, EDLC, 0.1 F, 5.5 V, Radial bedrahtet, -20%, +80%, 5.08 mm, 1000 Stunden bei 70°C
tariffCode: 85322900
Produkthöhe: 5.5mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Becher
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 5.08mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: -20%, +80%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 1000 Stunden bei 70°C
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 100ohm
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 0.1F
Spannung (DC): 5.5V
Produktpalette: FG Series
productTraceability: No
Produktdurchmesser: 11mm
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3783 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH0H105ZFKEMETCategory: Supercapacitors
Description: Supercapacitor; THT; 1F; 5.5VDC; -20÷80%; Body dim: Ø21.5x9.5mm
Terminal pitch: 7.62mm
Operating temperature: -25...70°C
Tolerance: -20...80%
Body dimensions: Ø21.5x9.5mm
Type of capacitor: supercapacitor
Capacitance: 1F
Operating voltage: 5.5V DC
ESR value: 35Ω
Spatial orientation: horizontal
Trade name: EDLC
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.38 EUR
19+3.86 EUR
20+3.65 EUR
90+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH0H105ZFKEMETDescription: CAP 1F -20% +80% 5.5V T/H
Packaging: Bulk
Tolerance: -20%, +80%
Package / Case: Radial, Can
Size / Dimension: 0.846" Dia (21.50mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C
Lead Spacing: 0.300" (7.62mm)
Termination: PC Pins
ESR (Equivalent Series Resistance): 35Ohm @ 1kHz
Height - Seated (Max): 0.374" (9.50mm)
Part Status: Active
Capacitance: 1 F
Voltage - Rated: 5.5 V
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.14 EUR
10+8.23 EUR
90+6.51 EUR
180+6.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH0H105ZFKemetCap Supercap 1F 5.5V -20% to 80% (21.5 X 9.5mm) Radial Aluminum Cylindrical Can 7.62mm 35 Ohm 70°C Bulk
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+9.31 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH0H105ZFKEMETSupercapacitors / Ultracapacitors 5.5V 1F -20/+80% LS=7.62mm
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.20 EUR
10+8.29 EUR
50+7.81 EUR
90+6.16 EUR
270+5.83 EUR
540+5.32 EUR
1080+5.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH0H105ZFKEMETDescription: KEMET - FGH0H105ZF - Superkondensator, EDLC, 1 F, 5.5 V, Radial bedrahtet, -20%, +80%, 7.62 mm, 1000 Stunden bei 70°C
tariffCode: 85322900
Produkthöhe: 9.5mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Becher
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 7.62mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: -20%, +80%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 1000 Stunden bei 70°C
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 35ohm
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 1F
Spannung (DC): 5.5V
Produktpalette: FG Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 21.5mm
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH0H105ZFTOKINCap Supercap 1F 5.5V -20% to 80% (21.5 X 9.5mm) Radial Cylindrical 7.62mm 35 Ohm 70°C
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+10.24 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH0H105ZFKEMETCategory: Supercapacitors
Description: Supercapacitor; THT; 1F; 5.5VDC; -20÷80%; Body dim: Ø21.5x9.5mm
Terminal pitch: 7.62mm
Operating temperature: -25...70°C
Tolerance: -20...80%
Body dimensions: Ø21.5x9.5mm
Type of capacitor: supercapacitor
Capacitance: 1F
Operating voltage: 5.5V DC
ESR value: 35Ω
Spatial orientation: horizontal
Trade name: EDLC
Mounting: THT
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.38 EUR
19+3.86 EUR
20+3.65 EUR
90+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH0H105ZFKEMETCap Supercap 1F 5.5V -20% to 80% (21.5 X 9.5mm) Radial Aluminum Cylindrical Can 7.62mm 35 Ohm 70C Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH0H224ZFKEMETDescription: KEMET - FGH0H224ZF - Superkondensator, EDLC, 0.22 F, 5.5 V, Radial bedrahtet, -20%, +80%, 5.08 mm, 1000 Stunden bei 70°C
tariffCode: 85322900
Produkthöhe: 7mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Becher
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 5.08mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: -20%, +80%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 1000 Stunden bei 70°C
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 100ohm
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 0.22F
Spannung (DC): 5.5V
Produktpalette: FG Series
productTraceability: No
Produktdurchmesser: 11mm
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH0H224ZFKEMETHighly Reliable Against Liquid Leakage Supercapacitors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH0H224ZFKEMETDescription: CAP 220MF -20% +80% 5.5V T/H
Tolerance: -20%, +80%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial, Can
Size / Dimension: 0.433" Dia (11.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C
Lead Spacing: 0.200" (5.08mm)
Termination: PC Pins
ESR (Equivalent Series Resistance): 100Ohm @ 1kHz
Height - Seated (Max): 0.217" (5.50mm)
Part Status: Active
Capacitance: 220 mF
Voltage - Rated: 5.5 V
auf Bestellung 1265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.46 EUR
10+3.92 EUR
50+3.23 EUR
100+2.99 EUR
500+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH0H224ZFKemetCap Supercap 0.22F 5.5V -20% to 80% ( 11 X 7mm ) Radial Aluminum Cylindrical Can 5.08mm 100 Ohm 70°C Box
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH0H224ZFKEMETSupercapacitors / Ultracapacitors 5.5V 0.22F -20/+80% LS=5.08mm
auf Bestellung 3058 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.95 EUR
10+3.92 EUR
50+3.13 EUR
100+2.85 EUR
500+2.43 EUR
1000+2.20 EUR
1600+2.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH0H474ZFKEMETHighly Reliable Against Liquid Leakage Supercapacitors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH0H474ZFKEMETDescription: CAP 470MF -20% +80% 5.5V T/H
Packaging: Bulk
Tolerance: -20%, +80%
Package / Case: Radial, Can
Size / Dimension: 0.650" Dia (16.50mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C
Lead Spacing: 0.200" (5.08mm)
Termination: PC Pins
ESR (Equivalent Series Resistance): 65Ohm @ 1kHz
Height - Seated (Max): 0.315" (8.00mm)
Part Status: Active
Capacitance: 470 mF
Voltage - Rated: 5.5 V
auf Bestellung 749 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.12 EUR
10+6.18 EUR
50+4.99 EUR
100+4.61 EUR
600+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH0H474ZFKEMETSupercapacitors / Ultracapacitors 5.5V 0.47F -20/+80% LS=5.08mm
auf Bestellung 531 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.69 EUR
10+6.11 EUR
50+4.95 EUR
100+4.56 EUR
250+4.52 EUR
600+4.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH0H474ZFKEMETDescription: KEMET - FGH0H474ZF - Superkondensator, EDLC, 0.47 F, 5.5 V, Radial bedrahtet, -20%, +80%, 5.08 mm, 1000 Stunden bei 70°C
tariffCode: 85322900
Produkthöhe: 8.5mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Becher
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 5.08mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: -20%, +80%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 1000 Stunden bei 70°C
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 65ohm
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 0.47F
Spannung (DC): 5.5V
Produktpalette: FG Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 16.5mm
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH0V474ZFKEMETSupercapacitors / Ultracapacitors 3.5V 0.47F -20/80% LS=5.08mm
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.39 EUR
10+3.57 EUR
50+3.10 EUR
100+2.83 EUR
500+2.53 EUR
800+2.52 EUR
2400+2.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH0V474ZFKEMETCategory: Supercapacitors
Description: Supercapacitor; THT; 0.47F; 3.5VDC; -20÷80%; Body dim: Ø13x7.5mm
Type of capacitor: supercapacitor
Mounting: THT
Capacitance: 0.47F
Operating voltage: 3.5V DC
Body dimensions: Ø13x7.5mm
Tolerance: -20...80%
Operating temperature: -25...70°C
ESR value: 25Ω
Spatial orientation: horizontal
Trade name: EDLC
Terminal pitch: 5.08mm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH0V474ZFKEMETDescription: KEMET - FGH0V474ZF - Superkondensator, EDLC, 0.47 F, 3.5 V, Radial bedrahtet, -20%, +80%, 5.08 mm, 1000 Stunden bei 70°C
tariffCode: 85322900
Produkthöhe: 7.5mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Becher
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 5.08mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: -20%, +80%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 0
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 25ohm
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 0.47F
Spannung (DC): 3.5V
Produktpalette: FG Supercapacitors Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 13mm
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 767 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH0V474ZFKemetCap Supercap 0.47F 3.5V -20% to 80% (13 X 7.5mm) Radial Aluminum Cylindrical Can 5.08mm 25 Ohm 70°C Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH0V474ZFKEMETCategory: Supercapacitors
Description: Supercapacitor; THT; 0.47F; 3.5VDC; -20÷80%; Body dim: Ø13x7.5mm
Type of capacitor: supercapacitor
Mounting: THT
Capacitance: 0.47F
Operating voltage: 3.5V DC
Body dimensions: Ø13x7.5mm
Tolerance: -20...80%
Operating temperature: -25...70°C
ESR value: 25Ω
Spatial orientation: horizontal
Trade name: EDLC
Terminal pitch: 5.08mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH0V474ZFKEMETCap Supercap 0.47F 3.5V -20% to 80% (13 X 7.5mm) Radial Aluminum Cylindrical Can 5.08mm 25 Ohm 70C Bulk
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH0V474ZFKEMETDescription: CAP 470MF -20% +80% 3.5V T/H
Packaging: Bulk
Tolerance: -20%, +80%
Package / Case: Radial, Can
Size / Dimension: 0.512" Dia (13.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C
Lead Spacing: 0.200" (5.08mm)
Termination: PC Pins
ESR (Equivalent Series Resistance): 25Ohm @ 1kHz
Height - Seated (Max): 0.295" (7.50mm)
Capacitance: 470 mF
Voltage - Rated: 3.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH0V474ZFKEMETDescription: KEMET - FGH0V474ZF - Superkondensator, 0.47 F, 3.5 V, Radial bedrahtet, -20%, +80%, 5.08 mm
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 7.5mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Becher
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 5.08mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: -20%, +80%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: -
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 25ohm
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 0.47F
Spannung (DC): 3.5V
Produktpalette: FG Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 13mm
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH100MAAM2Quectel Wireless SoultionsFGH100MAAM2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH100MAAM2QuectelDescription: Linear IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH100MAAM2QuectelWiFi Development Tools - 802.11 FGH100M Development Board (for debugging)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+83.27 EUR
10+77.63 EUR
25+65.47 EUR
250+62.29 EUR
500+62.23 EUR
750+62.22 EUR
1000+62.20 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH100MAAMDQuectelDescription: Linear IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH100MAAMDQuectelWiFi Modules - 802.11 Wi-Fi HaLow, IEEE 802.11ah, 850-950 MHz, 13 dBm (Morse Micro MM6108)
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+43.77 EUR
10+34.43 EUR
25+31.70 EUR
50+29.96 EUR
100+29.78 EUR
250+25.29 EUR
1000+24.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH100MAAMDQuectel Wireless SoultionsWiFi Hallo IEEE 802.11ah module, 850-950MHz, LGA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH100MABMDQuectelDescription: WI-FI HALOW, IEEE 802.11AH, 8509
Packaging: Cut Tape (CT)
Utilized IC / Part: MM6108
Package / Case: 40-LGA Module
Sensitivity: -108dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 850MHz ~ 950MHz
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Power - Output: 21dBm
Data Rate: 32.5Mbps
Protocol: 802.11ah
Antenna Type: Antenna Not Included
Modulation: 16QAM, 64QAM, BPSK, OFDM, QPSK
RF Family/Standard: WiFi
Serial Interfaces: SDIO, SPI
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+37.47 EUR
10+32.68 EUR
25+31.02 EUR
100+28.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH100MABMDQuectel Wireless SoultionsWiFi Hallo IEEE 802.11ah module, 850-950MHz, LGA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH100MABMDQuectelDescription: WI-FI HALOW, IEEE 802.11AH, 8509
Packaging: Tape & Reel (TR)
Utilized IC / Part: MM6108
Package / Case: 40-LGA Module
Sensitivity: -108dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 850MHz ~ 950MHz
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Power - Output: 21dBm
Data Rate: 32.5Mbps
Protocol: 802.11ah
Antenna Type: Antenna Not Included
Modulation: 16QAM, 64QAM, BPSK, OFDM, QPSK
RF Family/Standard: WiFi
Serial Interfaces: SDIO, SPI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH100MABMDQuectelWiFi Modules - 802.11 Wi-Fi HaLow, IEEE 802.11ah, 850-950 MHz, 21 dBm (Morse Micro MM6108), US version only
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+45.11 EUR
10+35.59 EUR
25+32.81 EUR
50+31.61 EUR
100+29.44 EUR
250+27.65 EUR
500+26.56 EUR
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FGH102-080LSEOMEGADescription: OMEGA - FGH102-080LSE - HEIZBAND, 420W, 8.6W/IN2, 240V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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FGH12040WD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH12040WD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH12040WD-F155ON Semiconductor
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FGH12040WD-F155ON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT
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FGH12040WD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 358 Stücke:
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33+4.59 EUR
Mindestbestellmenge: 33
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FGH12040WD-F155
Produktcode: 167483
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FGH12040WD-F155ON SemiconductorDescription: IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247-3
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FGH15T120SMDonsemiIGBT Transistors FS2TIGBT TO247 15A 1200V
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FGH15T120SMD-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH15T120SMD-F155 - IGBT, 30 A, 1.8 V, 333 W, 1.2 kV, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1337 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FGH15T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 7389 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+5.12 EUR
31+4.65 EUR
33+4.16 EUR
50+3.82 EUR
100+3.45 EUR
1000+3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 29
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FGH15T120SMD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/490ns
Switching Energy: 1.15mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 34Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 333 W
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FGH15T120SMD-F155onsemi / FairchildIGBT Transistors 1200V, 15A, Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 797-801 Tag (e)
1+10.54 EUR
10+9.49 EUR
100+7.85 EUR
250+7.76 EUR
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FGH15T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 7389 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FGH15T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 7389 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+5.10 EUR
31+4.64 EUR
34+4.15 EUR
50+3.81 EUR
100+3.43 EUR
1000+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 29
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FGH20N60SFDonsemionsemi FSPIGBT TO247 20A 600V
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FGH20N60SFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH20N60SFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH20N60SFDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FGH20N60SFDTU - IGBT, Universal, 40 A, 2.2 V, 165 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
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FGH20N60SFDTUON-SemicoductorSingle IGBT Transistors 600V 20A Field Stop ;   FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 TFGH20N60sfdtu
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+9.83 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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FGH20N60SFDTUonsemi / FairchildIGBTs 600V 20A Field Stop
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FGH20N60SFDTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/90ns
Switching Energy: 370µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 65 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 165 W
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FGH20N60SFDTU
Produktcode: 191499
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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FGH20N60SFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 56
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FGH20N60SFDTU-F085ON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors N-Ch 20A 600V FS IGBT
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FGH20N60SFDTU-F085onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/90ns
Switching Energy: 430µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 66 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 165 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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FGH20N60SFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH20N60UFDonsemiIGBT Transistors FSPIGBT TO247 20A 600V
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FGH20N60UFDTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/87ns
Switching Energy: 380µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 63 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 165 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH20N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FGH20N60UFDTUON Semiconductor
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH20N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH20N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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FGH20N60UFDTUON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 600V 20A Field Stop
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FGH20N6S2Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL IGBT
auf Bestellung 2521 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FGH20N6S2DONSEMIDescription: ONSEMI - FGH20N6S2D - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 9624 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FGH20N6S2DFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 7.7ns/87ns
Switching Energy: 25µJ (on), 58µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 125 W
auf Bestellung 9624 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
365+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 365
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FGH25N120FTDSON Semiconductor
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FGH25N120FTDSON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 313000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH25N120FTDSON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 313000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH25N120FTDSONSEMIDescription: ONSEMI - FGH25N120FTDS - IGBT, 1200V, 25A, FIELD STOP TRENCH
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH25N120FTDSonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 535 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/151ns
Switching Energy: 1.42mJ (on), 1.16mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 169 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 313 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH25N120FTDS; Field Stop Trench IGBT; 25A 1200V 313W; Корпус: TO-247; Fairchild
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FGH25N120FTDS_Tonsemi / FairchildIGBT Transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH25T120SMDonsemiIGBT Transistors FS2TIGBT TO247 25A 1200V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH25T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH25T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH25T120SMD-F155onsemi / FairchildIGBT Transistors 1200V, 25A Field Stop Trench IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH25T120SMD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/490ns
Switching Energy: 1.74mJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 428 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH25T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH30N120FTDTUonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 730 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Gate Charge: 208 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 339 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH30N120FTDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 339000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AB Rail
Produkt ist nicht verfügbar
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FGH30N60LSDTUonsemi / FairchildIGBT Transistors PDD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH30N60LSDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 480000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH30N60LSDTUON Semiconductor
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH30N60LSDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 480000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH30N60LSDTUonsemiDescription: IGBT 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/250ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 21mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 480 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH30N60LSDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 480mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH30N6S2Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/40ns
Switching Energy: 55µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 108 A
Power - Max: 167 W
auf Bestellung 7945 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
293+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 293
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FGH30N6S2onsemi / FairchildIGBT Transistors Sgl N-Ch 600V SMPS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH30N6S2DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 45A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH30N6S2DonsemiDescription: IGBT 600V 45A 167W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 46 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/40ns
Switching Energy: 55µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 108 A
Power - Max: 167 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH30S130PON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1300V 60A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+8.19 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH30S130Ponsemi / FairchildIGBTs 1300V 30A FS SA Trench IGBT
auf Bestellung 527 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.32 EUR
10+9.05 EUR
25+8.34 EUR
100+6.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH30S130PON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1300V 60A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 213 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH30S130PONSEMIDescription: ONSEMI - FGH30S130P - IGBT, 60 A, 1.75 V, 500 W, 1.3 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.3kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH30S130PonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1300V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1300 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 500 W
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH30S130PON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1300V 60A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+8.24 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH30S130P
Produktcode: 104327
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FairchildTransistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Vces: 1300 V
Vce: 1,75 V
Ic 25: 60 A
Ic 100: 30 A
Pd 25: 500 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 39/620
ZCODE: 8541290010
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH30S150PONSEMIDescription: ONSEMI - FGH30S150P - IGBT, 30 A, 1.85 V, 500 W, 1.5 kV, TO-247, 3 Pin(s)
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH30S150PonsemiDescription: IGBT 1500V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/492ns
Switching Energy: 1.16mJ (on), 900µJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 369 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 500 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH30S150PON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1500V 60A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+5.97 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH30S150Ponsemi / FairchildIGBT Transistors SA2TIGBT TO247 30A 1500V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH30S150PON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1500V 60A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH30T65UPDT-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+8.18 EUR
21+7.08 EUR
25+6.44 EUR
50+5.87 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH30T65UPDT-F155onsemi / FairchildIGBT Transistors FS1TIGBT TO247 30A 650V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH30T65UPDT-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH30T65UPDT-F155onsemiDescription: IGBT 650V 60A 250W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/139ns
Switching Energy: 760µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 250 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH30T65UPDT-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+8.18 EUR
21+7.08 EUR
25+6.44 EUR
50+5.87 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH30T65UPDT_F155Fairchild SemiconductorDescription: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/139ns
Switching Energy: 760µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 250 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N120
Produktcode: 179924
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N120ANonsemiIGBT Transistors NPTPIGBT TO247 40A 1200V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N120ANTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 64A 417000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N120ANTU
Produktcode: 165183
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N120ANTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 64A 417W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+7.82 EUR
100+7.23 EUR
500+6.68 EUR
1000+6.06 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N120ANTUonsemi / FairchildIGBT Transistors 1200V NPT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N120ANTUonsemiDescription: IGBT NPT 1200V 64A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/110ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 417 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SFonsemiIGBTs FSPIGBT TO247 40A 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SFDFAIRCHIL..QFN16
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SFD
Produktcode: 201597
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ChinaTransistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
auf Bestellung 41 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SFDonsemiIGBTs FSPIGBT TO247 40A 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SFDFAIRCHIL
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SFDFairchaildIGBT транзистор - [TO-247-3]; Uкэ.макс 600 V, 40 A Field Stop
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+19.80 EUR
10+17.82 EUR
100+16.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SFD (FGH40N60SFDTU)
Produktcode: 79400
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FAIRTransistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
auf Bestellung 58 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 200 Stück:
200 Stück - erwartet 03.05.2025
1+2.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SFDTUON-SemicoductorIGBT 600V 80A 290W   FGH40N60SFDTU TFGH40N60sfdtu
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+11.37 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+8.75 EUR
31+4.67 EUR
120+4.08 EUR
270+3.52 EUR
510+3.23 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SFDTUonsemi / FairchildIGBTs 600V 40A Field Stop
auf Bestellung 1378 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.73 EUR
10+9.70 EUR
30+5.42 EUR
120+4.88 EUR
270+4.66 EUR
510+4.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SFDTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns
Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
auf Bestellung 17728 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.35 EUR
30+5.90 EUR
120+4.92 EUR
510+4.20 EUR
1020+4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SFDTUONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.41 EUR
12+6.36 EUR
17+4.42 EUR
18+4.18 EUR
150+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.27 EUR
120+3.78 EUR
270+3.50 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+8.81 EUR
31+4.71 EUR
120+4.11 EUR
270+3.54 EUR
510+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SFDTU
Produktcode: 49007
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IRTransistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 2,3
Ic 25: 80
Ic 100: 40
Pd 25: 290
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 25/115
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SFDTUONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.41 EUR
12+6.36 EUR
17+4.42 EUR
18+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SFDTU-F085onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/138ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 380µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 121 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SFTUFairchild SemiconductorDescription: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
auf Bestellung 13230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
128+3.82 EUR
Mindestbestellmenge: 128
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SFTUFAIRCHILDTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
auf Bestellung 419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 133
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SFTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns
Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SFTUONSEMIDescription: ONSEMI - FGH40N60SFTU - IGBT, Universal, 80 A, 2.3 V, 290 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 13230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FGH40N60SFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+1.79 EUR
87+1.65 EUR
90+1.54 EUR
100+1.44 EUR
250+1.36 EUR
450+1.29 EUR
900+1.23 EUR
2700+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 83
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FGH40N60SFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH40N60SFTUFAIRCHILDTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 133
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FGH40N60SFTUonsemi / FairchildIGBTs N-CH / 40A 600V FS Planar
auf Bestellung 534 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.25 EUR
10+5.19 EUR
25+4.51 EUR
100+4.19 EUR
250+3.77 EUR
450+3.56 EUR
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FGH40N60SMDONSEMIDescription: ONSEMI - FGH40N60SMD - IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1066 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FGH40N60SMDOn Semiconductor/FairchildIGBT 600V 80A 349W TO-247
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FGH40N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SMD
Produktcode: 63296
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FAIRTransistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 2,1
Ic 25: 80
Ic 100: 40
Pd 25: 349
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 01.12.1992
auf Bestellung 82 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2.80 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SMDonsemi / FairchildIGBTs 600V, 40A Field Stop IGBT
auf Bestellung 14316 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.45 EUR
10+8.20 EUR
30+4.40 EUR
120+4.24 EUR
510+3.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SMDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 174W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 180nC
Mounting: THT
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.95 EUR
12+6.15 EUR
14+5.33 EUR
15+5.03 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SMDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 174W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 180nC
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.95 EUR
12+6.15 EUR
14+5.33 EUR
15+5.03 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SMDonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns
Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SMDON-SemicoductorIGBT 600V 80A 349W   FGH40N60SMD TFGH40N60smd
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+13.83 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SMD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SMD-F085onsemi / FairchildIGBTs 600V/40A FS Planar IGBT Gen 2
auf Bestellung 1541 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.11 EUR
25+6.83 EUR
100+6.00 EUR
250+5.91 EUR
450+5.72 EUR
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FGH40N60SMD-F085ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SMD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 210
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SMD-F085onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/110ns
Switching Energy: 920µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.58 EUR
30+7.28 EUR
120+6.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SMD-F085ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SMD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SMD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SMD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+5.18 EUR
Mindestbestellmenge: 210
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SMDFonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SMDFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+8.65 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SMDFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SMDFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+8.28 EUR
21+6.89 EUR
30+5.63 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SMDFonsemi / FairchildIGBTs 600V/40A Field Stop IGBT ver. 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SMDFONSEMIDescription: ONSEMI - FGH40N60SMDF - IGBT, Universal, 80 A, 1.9 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 3099 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SMDF-F085ON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 600V, 40A FIELD STOP IGBT
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SMDF-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SMDF-F085onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/110ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 122 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SMDF-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60UFonsemiIGBTs FSPIGBT TO247 40A 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60UFDonsemiIGBTs FSPIGBT TO247 40A 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+5.22 EUR
30+4.83 EUR
37+3.72 EUR
120+3.20 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60UFDTUonsemi / FairchildIGBTs 600V 40A Field Stop
auf Bestellung 486 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.20 EUR
10+8.41 EUR
30+5.12 EUR
120+4.38 EUR
510+3.80 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60UFDTU
Produktcode: 61781
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FAIRTransistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,8
Ic 25: 80
Ic 100: 40
Pd 25: 290
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 24/112
Produkt ist nicht verfügbar
1+3.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60UFDTUONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 311 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+7.09 EUR
17+4.26 EUR
18+4.03 EUR
120+4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60UFDTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/112ns
Switching Energy: 1.19mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
auf Bestellung 964 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.24 EUR
30+5.22 EUR
120+4.33 EUR
510+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+5.19 EUR
30+4.80 EUR
38+3.69 EUR
120+3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60UFDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FGH40N60UFDTU - IGBT, Universal, 80 A, 1.8 V, 290 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 303 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+4.71 EUR
120+3.79 EUR
270+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60UFDTUON-SemicoductorIGBT 600V 80A 290W   FGH40N60UFDTU TFGH40N60ufdtu
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+12.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60UFDTUONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 311 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+7.09 EUR
17+4.26 EUR
18+4.03 EUR
120+4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+4.71 EUR
120+3.79 EUR
270+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 32
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FGH40N60UFDTU_SN00006onsemi / FairchildIGBTs
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FGH40N60UFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH40N60UFTUON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 600V 40A Field Stop
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FGH40N60UFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH40N60UFTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/112ns
Switching Energy: 1.19mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
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FGH40N60UFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH40N60UFTU_SN00007onsemi / FairchildIGBTs
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FGH40N65UFDonsemiIGBT Transistors FSPIGBT TO247 40A 650V
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FGH40N65UFDTUonsemi / FairchildIGBTs N-ch / 40A 650V
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FGH40N65UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH40N65UFDTUON-SemicoductorIGBT 650V 80A 290W   FGH40N65UFDTU TFGH40N65ufdtu
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FGH40N65UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH40N65UFDTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/112ns
Switching Energy: 1.19mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
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FGH40N65UFDTU
Produktcode: 160734
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FGH40N65UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH40N65UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH40N65UFDTU-F085onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/126ns
Switching Energy: 1.28mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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FGH40N65UFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 290000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH40N65UFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 290000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH40N65UFDTU-F085ON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors N-ch / 40A 650V IGBT
auf Bestellung 141 Stücke:
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FGH40N65UFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 290000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH40N6S2onsemiDescription: IGBT 600V 75A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 8ns/35ns
Switching Energy: 115µJ (on), 195µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 35 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 290 W
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FGH40N6S2DonsemiDescription: IGBT 600V 75A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 8ns/35ns
Switching Energy: 115µJ (on), 195µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 35 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 290 W
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FGH40N6S2Donsemi / FairchildMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers Comp 600V N-Ch
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FGH40T100SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1000V 80A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH40T100SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1000V 80A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH40T100SMDonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1000V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 78 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/285ns
Switching Energy: 2.35mJ (on), 1.15mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 265 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 333 W
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FGH40T100SMDonsemi / FairchildIGBTs 1000V 40A Field Stop Trench IGBT
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FGH40T100SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1000V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH40T100SMD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1000V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 78 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/285ns
Switching Energy: 2.35mJ (on), 1.15mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 398 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 333 W
auf Bestellung 446 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.39 EUR
10+9.10 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FGH40T100SMD-F155onsemi / FairchildIGBT Transistors FS1TIGBT TO247 40A 1000V
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.40 EUR
10+10.31 EUR
100+8.52 EUR
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FGH40T100SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1000V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH40T120SMDonsemi / FairchildIGBTs 1200V 40A FS2 Trench IGBT
auf Bestellung 1429 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.79 EUR
10+16.77 EUR
30+10.00 EUR
120+8.57 EUR
270+7.99 EUR
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FGH40T120SMDON-SemicoductorSingle IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ;   FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smd
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+25.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FGH40T120SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3982 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+9.58 EUR
30+6.95 EUR
120+6.06 EUR
270+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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FGH40T120SMD
Produktcode: 104369
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
ZCODE: 8541290010
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FGH40T120SMDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+12.46 EUR
9+8.37 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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FGH40T120SMDON-SemicoductorSingle IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ;   FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smd
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+25.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T120SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T120SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3982 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+9.64 EUR
30+7.00 EUR
120+6.10 EUR
270+5.55 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T120SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3778 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FGH40T120SMDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.46 EUR
9+8.37 EUR
30+8.05 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T120SMDonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 555 W
auf Bestellung 984 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.44 EUR
30+9.14 EUR
120+7.75 EUR
510+7.10 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FGH40T120SMD-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH40T120SMD-F155 - IGBT, 80 A, 1.8 V, 555 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 555W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FGH40T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+7.67 EUR
Mindestbestellmenge: 450
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+7.76 EUR
Mindestbestellmenge: 450
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FGH40T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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FGH40T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FGH40T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH40T120SMD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 555 W
auf Bestellung 2245 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.45 EUR
30+9.14 EUR
120+7.75 EUR
510+7.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FGH40T120SMD-F155onsemi / FairchildIGBTs 1200V, 40A Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 552 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.65 EUR
30+9.56 EUR
120+8.38 EUR
1020+7.99 EUR
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FGH40T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+7.72 EUR
Mindestbestellmenge: 450
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FGH40T120SMD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+21.86 EUR
5+14.36 EUR
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FGH40T120SMD-F155
Produktcode: 154761
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FGH40T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH40T120SMD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+21.86 EUR
5+14.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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FGH40T120SMDL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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FGH40T120SMDL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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FGH40T120SMDL4onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/464ns
Switching Energy: 2.24mJ (on), 1.02mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 555 W
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FGH40T120SMDL4ON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors FS2 TIGBT excellent swtching performance
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FGH40T120SMDL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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FGH40T120SMDL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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FGH40T120SMDL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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FGH40T120SQDNL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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FGH40T120SQDNL4ON Semiconductor
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FGH40T120SQDNL4ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 221nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
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FGH40T120SQDNL4ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH40T120SQDNL4 - IGBT, 160 A, 1.78 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.78V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 454W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 160A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FGH40T120SQDNL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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FGH40T120SQDNL4onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 160A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 166 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/220ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 221 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 454 W
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.49 EUR
30+9.16 EUR
120+7.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FGH40T120SQDNL4onsemiIGBTs IGBT 1200V 40A UFS
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.14 EUR
10+8.17 EUR
30+8.01 EUR
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FGH40T120SQDNL4ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 221nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FGH40T65SHFairchild SemiconductorDescription: IGBT 80A, 650V, N CHANNEL, TO 24
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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FGH40T65SHonsemiON Semiconductor FS3TIGBT TO247 40A 650V
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FGH40T65SH-F155onsemi / FairchildIGBT Transistors 650V FS Gen3 Trench IGBT
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FGH40T65SH-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+3.90 EUR
500+3.60 EUR
Mindestbestellmenge: 143
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FGH40T65SH-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19.2ns/65.6ns
Switching Energy: 1.01mJ (on), 297µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 72.2 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 268 W
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FGH40T65SHDFairchild SemiconductorDescription: IGBT 80A, 650V, N CHANNEL, TO 24
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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FGH40T65SHDonsemiIGBTs FS3TIGBT TO247 40A 650V
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FGH40T65SHD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH40T65SHD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 134W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 72.2nC
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FGH40T65SHD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19.2ns/65.6ns
Switching Energy: 1.01mJ (on), 297µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 72.2 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 268 W
auf Bestellung 1976 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.88 EUR
10+5.23 EUR
450+3.11 EUR
900+2.90 EUR
1350+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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FGH40T65SHD-F155onsemi / FairchildIGBTs IGBT, 650 V, 40 A Field Stop Trench
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.57 EUR
10+5.37 EUR
30+5.33 EUR
270+3.19 EUR
510+3.06 EUR
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FGH40T65SHD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH40T65SHD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH40T65SHD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 134W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 72.2nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T65SHD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 8900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+3.40 EUR
500+3.14 EUR
1000+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 164
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FGH40T65SHD-F155-01ON SemiconductorFGH40T65SHD-F155-01
auf Bestellung 618 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+3.38 EUR
500+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 164
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FGH40T65SHDF-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 134W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T65SHDF-F155
Produktcode: 190128
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T65SHDF-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 134W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
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FGH40T65SHDF-F155onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 101 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.81V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns
Switching Energy: 1.22mJ (on), 440µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 268 W
auf Bestellung 402 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.85 EUR
30+4.37 EUR
120+3.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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FGH40T65SHDF-F155onsemi / FairchildIGBTs 650V FS Gen3 Trench IGBT
auf Bestellung 721 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.64 EUR
10+6.58 EUR
30+4.03 EUR
120+3.38 EUR
270+3.29 EUR
510+3.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T65SHDF-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T65SHDF-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T65SH_F155Aptina ImagingTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+1.94 EUR
100+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T65SPDonsemiIGBT Transistors FS3TIGBT TO247 40A 650V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T65SPD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T65SPD-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH40T65SPD-F085 - IGBT, 80 A, 267 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 267W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FGH40T65SPD-F085onsemiDescription: IGBT NPT 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/35ns
Switching Energy: 1.16mJ (on), 270µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 36 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 267 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T65SPD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T65SPD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T65SPD-F085ON Semiconductor
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T65SPD-F085onsemi / FairchildIGBT Transistors 650V 40A Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 648 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.94 EUR
10+7.15 EUR
25+6.76 EUR
100+5.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T65SPD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T65SPD-F155onsemi / FairchildIGBT Transistors FS3TIGBT TO247 40A 650V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T65SPD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+4.14 EUR
Mindestbestellmenge: 134
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T65SPD-F155TE ConnectivityTE Connectivity
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FGH40T65SPD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 761 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+4.14 EUR
500+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 134
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T65SPD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/37ns
Switching Energy: 1.16mJ (on), 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 35 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 267 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T65SQDonsemionsemi 650V 40A FS4 TRENCH IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T65SQD-F155ON Semiconductor
auf Bestellung 322 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T65SQD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 119W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T65SQD-F155onsemiIGBTs 650V 40A FS4 TRENCH IGBT
auf Bestellung 436 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.67 EUR
10+6.09 EUR
30+4.24 EUR
120+3.57 EUR
270+3.41 EUR
510+3.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T65SQD-F155ON SemiconductorIGBT, Field Stop, Trench 650 V, 40 A
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+1.82 EUR
86+1.67 EUR
89+1.55 EUR
90+1.48 EUR
100+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T65SQD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16.4ns/86.4ns
Switching Energy: 138µJ (on), 52µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 238 W
auf Bestellung 3392 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.22 EUR
30+4.60 EUR
120+3.80 EUR
510+3.22 EUR
1020+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW 3-
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T65SQD-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH40T65SQD-F155 - FIELD STOP TRENCH IGBT, 650V-80A, TO-247
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 337 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T65SQD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 119W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T65SQD_F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16.4ns/86.4ns
Switching Energy: 138µJ (on), 52µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 238 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T65UPDonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/144ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 580µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 177 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 268 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T65UPDON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 650 V 80 A 268 W
auf Bestellung 4529 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T65UQDF-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 89 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.67V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/271ns
Switching Energy: 989µJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 306 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 231 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T65UQDF-F155ON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 650V FS4 Trench IGBT
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T65UQDF-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 231000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T65UQDF-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 231000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T70SHD-F155ON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 650V FS Gen3 Trench IGBT
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T70SHD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 700V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T70SHD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 700V 80A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T70SHD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 700V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T70SHD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 700V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/66ns
Switching Energy: 1.15mJ (on), 271µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 69 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 268 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH4L40T120LQDON SemiconductorFGH4L40T120LQD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH4L40T120LQDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 306W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 383 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+6.50 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH4L40T120LQDONSEMIDescription: ONSEMI - FGH4L40T120LQD - IGBT, 80 A, 1.55 V, 306 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH4L40T120LQDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 153W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 227nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH4L40T120LQDonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/218ns
Switching Energy: 1.04mJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 227 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 306 W
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.81 EUR
10+9.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH4L40T120LQDonsemiIGBTs IGBT, 1200V, 40A, Ultra Field Stop, Fast-switching Co-packed Diode.
auf Bestellung 549 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.34 EUR
10+8.71 EUR
30+8.69 EUR
120+8.55 EUR
270+7.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH4L40T120LQDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 153W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 227nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH4L40T120LQDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 306W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 383 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+6.50 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH4L50T65MQDC50ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH4L50T65MQDC50 - IGBT, 100 A, 1.45 V, 246 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 246W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Field Stop IV Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 778 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH4L50T65MQDC50onsemiDescription: IGBT FS 650V 100A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/181ns
Switching Energy: 240µJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 102 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 246 W
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.84 EUR
10+11.50 EUR
25+10.10 EUR
100+8.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH4L50T65MQDC50ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 246W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH4L50T65MQDC50onsemiIGBTs 650V Field stop 4th generation mid speed IGBT with co-pack SiC diode
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.92 EUR
10+10.91 EUR
30+9.20 EUR
270+8.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH4L50T65MQDC50ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 246W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH4L50T65SQDONSEMIDescription: ONSEMI - FGH4L50T65SQD - IGBT, 80 A, 1.6 V, 268 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 417 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH4L50T65SQDonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22.4ns/162ns
Switching Energy: 660µJ (on), 440µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 92 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.78 EUR
10+5.11 EUR
30+4.30 EUR
120+3.70 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH4L50T65SQDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+5.49 EUR
Mindestbestellmenge: 450
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH4L50T65SQDonsemiIGBTs IGBT - 650 V 50 A FS4 high speed IGBT with copack diode 650 V 50 A FS4 high speed IGBT with copack diode
auf Bestellung 409 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.01 EUR
10+5.28 EUR
30+4.44 EUR
120+3.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH4L75T65MQDC50onsemiDescription: IGBT FS 650V 110A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/187ns
Switching Energy: 720µJ (on), 960µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 146 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 385 W
auf Bestellung 438 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.60 EUR
30+10.52 EUR
120+8.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH4L75T65MQDC50onsemiIGBTs 650V Field stop 4th generation mid speed IGBT with co-pack SiC diode
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.22 EUR
10+10.42 EUR
30+9.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50N3ONSEMIFGH50N3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50N3onsemi / FairchildIGBT Transistors 300V PT N-Channel
auf Bestellung 1726 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.42 EUR
10+14.85 EUR
100+11.97 EUR
250+10.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50N3ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 300V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50N3ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 300V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50N3onsemiDescription: IGBT PT 300V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/135ns
Switching Energy: 130µJ (on), 92µJ (off)
Test Condition: 180V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50N3ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 300V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50N6S2onsemiDescription: IGBT 600V 75A 463W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns
Switching Energy: 260µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50N6S2Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns
Switching Energy: 260µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W
auf Bestellung 1416 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
54+9.04 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50N6S2DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50N6S2DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50N6S2DFairchild SemiconductorDescription: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns
Switching Energy: 260µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W
auf Bestellung 2375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
29+17.82 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50N6S2DFSCTO-247 08+
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FGH50N6S2Donsemi / FairchildIGBT Transistors Comp 600V N-Ch
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FGH50N6S2D_NLON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Stealth™ Diode
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FGH50T65SQDonsemiON Semiconductor FS4TIGBT TO247 50A 650V
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FGH50T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50T65SQD-F155onsemi / FairchildIGBTs 650V FS4 Trench IGBT
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.59 EUR
10+7.53 EUR
30+4.59 EUR
120+3.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50T65SQD-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH50T65SQD-F155 - IGBT, 650 V, 50A FIELD STOP 4 TRENCH
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50T65SQD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/105ns
Switching Energy: 180µJ (on), 45µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 99 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
auf Bestellung 484 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+8.84 EUR
30+4.97 EUR
120+4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50T65SQD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 134W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 99nC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+7.05 EUR
12+6.35 EUR
15+4.86 EUR
16+4.59 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50T65SQD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 134W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 99nC
Mounting: THT
Case: TO247-3
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+7.05 EUR
12+6.35 EUR
15+4.86 EUR
16+4.59 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50T65UPDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 170W
Gate charge: 230nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 150A
Type of transistor: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 340W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 340000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50T65UPDonsemi / FairchildIGBTs 650 V 100 A 240 W
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.23 EUR
10+10.63 EUR
30+6.86 EUR
120+5.97 EUR
510+5.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50T65UPDonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/160ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 340 W
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.37 EUR
30+7.16 EUR
120+6.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FGH50T65UPDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 170W
Gate charge: 230nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 150A
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH60N60SFDTU
Produktcode: 71883
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FAIR/ONTransistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,5 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 378 W
auf Bestellung 40 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 5 Stück:
1+2.70 EUR
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FGH60N60SFDTUonsemi / FairchildIGBTs N-Ch/ 60A 600V FS
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FGH60N60SFDTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/134ns
Switching Energy: 1.79mJ (on), 670µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 198 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 378 W
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FGH60N60SFDTUFGH60N60SFDTU Транзисторы IGB-transistors
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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FGH60N60SFDTU
Produktcode: 204981
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КитайTransistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,5 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 378 W
auf Bestellung 28 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+5.67 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SFDTU-F085onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/134ns
Switching Energy: 1.97mJ (on), 570µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 188 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 378 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SFTUfairchild2011+
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SFTUFAIRCHILDTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AB Rail
auf Bestellung 668 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+6.23 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SFTUFAIRCHILDTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AB Rail
auf Bestellung 8409 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+6.23 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 6350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+6.23 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SFTUFAIRCHILDTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AB Rail
auf Bestellung 6600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+6.23 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SFTUFairchild SemiconductorDescription: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/134ns
Switching Energy: 1.79mJ (on), 670µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 198 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 378 W
auf Bestellung 9688 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
86+5.42 EUR
Mindestbestellmenge: 86
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SFTUFAIRCHILDTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AB Rail
auf Bestellung 6600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+6.23 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3338 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+6.23 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SFTUONSEMIDescription: ONSEMI - FGH60N60SFTU - IGBT,N CH,600V,120A,TO247
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 37111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SFTUFAIRCHILDTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AB Rail
auf Bestellung 4600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+6.23 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SFTUFAIRCHILDTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AB Rail
auf Bestellung 13200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+6.23 EUR
Mindestbestellmenge: 90
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FGH60N60SFTUON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors N-CH / 600V 60A/ FS
auf Bestellung 341 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FGH60N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+6.46 EUR
60+6.06 EUR
120+5.60 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SMDonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns
Switching Energy: 1.26mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 189 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 600 W
auf Bestellung 1236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.16 EUR
30+6.42 EUR
120+5.38 EUR
510+4.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FGH60N60SMDON-SemicoductorIGBT 600V 120A 600   FGH60N60SMD TFGH60N60smd
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+12.36 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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FGH60N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+10.11 EUR
16+9.02 EUR
40+4.89 EUR
80+4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SMD
Produktcode: 60291
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FAIRTransistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,9
Ic 25: 120
Ic 100: 60
Pd 25: 300
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 18/115
verfügbar 49 Stück:
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FGH60N60SMDONSEMIDescription: ONSEMI - FGH60N60SMD - IGBT, Universal, 120 A, 1.9 V, 600 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 120A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FGH60N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH60N60SMDonsemi / FairchildIGBTs 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
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10+11.26 EUR
30+6.27 EUR
120+5.72 EUR
510+5.19 EUR
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FGH60N60SMDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FGH60N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH60N60SMDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 600V
Produkt ist nicht verfügbar
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FGH60N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 4 Stücke:
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FGH60N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH60N60SMD-F085ON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 600V/60A Field Stop IGBT Gen 2
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FGH60N60SMD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FGH60N60SMD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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FGH60N60SMD-F085onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/116ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 390µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 280 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 600 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
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FGH60N60UFDonsemiIGBTs FSPIGBT TO247 60A 600V
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FGH60N60UFDTUonsemi / FairchildIGBT Transistors N-Ch/ 60A 600V FS
auf Bestellung 32 Stücke:
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10+12.00 EUR
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270+9.64 EUR
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FGH60N60UFDTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/130ns
Switching Energy: 1.81mJ (on), 810µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 188 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 298 W
Produkt ist nicht verfügbar
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FGH60N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH60N60UFDTUfairchild2011+
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FGH60N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FGH60N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH60N60UFDTU-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH60N60UFDTU-F085 - IGBT, 600V, 60A, 1.8V, TO-247 FIELD STOP
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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FGH60N60UFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH60N60UFDTU-F085ON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors N-Ch/ 60A 600V FS IGBT
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FGH60N60UFDTU-F085onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/138ns
Switching Energy: 2.47mJ (on), 810µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 192 nC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 298 W
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
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FGH60N60UFDTU_F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH60N60UFDTU_F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH60N6S2onsemiDescription: IGBT 600V 75A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/70ns
Switching Energy: 400µJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 390V, 40A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 320 A
Power - Max: 625 W
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FGH60T65
Produktcode: 130492
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FGH60T65SHDonsemiIGBTs FS3TIGBT TO247 60A 650V
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FGH60T65SHD-F155onsemi / FairchildIGBTs IGBT, 650 V, 60 A Field Stop Trench
auf Bestellung 680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.20 EUR
10+9.13 EUR
30+5.70 EUR
120+4.65 EUR
270+4.63 EUR
510+4.07 EUR
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FGH60T65SHD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34.6 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/87ns
Switching Energy: 1.69mJ (on), 630µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 102 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 349 W
auf Bestellung 612 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.31 EUR
30+5.29 EUR
120+4.40 EUR
510+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FGH60T65SHD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60T65SHD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60T65SHD-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH60T65SHD-F155 - IGBT, 650 V, 60 A FIELD STOP TRENCH
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
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FGH60T65SHD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60T65SHD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60T65SQD-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH60T65SQD-F155 - IGBT, 120 A, 1.6 V, 333 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 120A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 456 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60T65SQD-F155
Produktcode: 166613
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 13150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+4.90 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60T65SQD-F155onsemiIGBTs 650V 60A FS4 TRENCH
auf Bestellung 634 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.79 EUR
10+9.54 EUR
30+5.47 EUR
120+4.82 EUR
270+4.70 EUR
510+4.42 EUR
1020+4.40 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60T65SQD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34.6 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20.8ns/102ns
Switching Energy: 227µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 79 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 333 W
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.86 EUR
30+5.61 EUR
120+4.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FGH60T65SQD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 167W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60T65SQD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 167W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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FGH75N60SFTUonsemi / FairchildIGBT Transistors N-CH/75A 600V FS Planar
Produkt ist nicht verfügbar
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FGH75N60SFTUFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/138ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 452 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75N60UFonsemionsemi FSPIGBT TO247 75A 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75N60UFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 150A 452000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75N60UFTUonsemi / FairchildIGBT Transistors N-CH / 600V 75A FS Planar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75N60UFTUON Semiconductor
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75N60UFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 150A 452000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75N60UFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 150A 452000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75N60UFTUonsemiDescription: IGBT 600V 150A 452W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/128ns
Switching Energy: 3.05mJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 452 W
Produkt ist nicht verfügbar
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FGH75T65SHDonsemiIGBTs FS3TIGBT TO247 75A 650V
Produkt ist nicht verfügbar
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FGH75T65SHD-F155
Produktcode: 172511
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FGH75T65SHD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FGH75T65SHD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
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FGH75T65SHD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH75T65SHD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43.4 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/80ns
Switching Energy: 2.4mJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 123 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 455 W
auf Bestellung 2497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.06 EUR
30+6.96 EUR
120+5.84 EUR
510+5.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FGH75T65SHD-F155onsemi / FairchildIGBTs IGBT, 650 V, 75 A Field Stop Trench
auf Bestellung 1534 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.30 EUR
30+6.49 EUR
120+5.77 EUR
270+5.67 EUR
510+5.40 EUR
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FGH75T65SHD-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH75T65SHD-F155 - IGBT, 650 V, 75 A FIELD STOP TRENCH
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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FGH75T65SHD-F155-01ON SemiconductorFGH75T65SHD-F155-01
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+6.14 EUR
100+5.68 EUR
Mindestbestellmenge: 91
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FGH75T65SHD-F155-01ON SemiconductorFGH75T65SHD-F155-01
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+6.14 EUR
100+5.68 EUR
Mindestbestellmenge: 91
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FGH75T65SHDTonsemiIGBTs FS3TIGBT TO247 75A 650V
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FGH75T65SHDT-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
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FGH75T65SHDT-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH75T65SHDT-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/86ns
Switching Energy: 3mJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 123 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 455 W
auf Bestellung 543 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.53 EUR
30+6.63 EUR
120+5.55 EUR
510+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FGH75T65SHDT-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH75T65SHDT-F155 - IGBT, 150 A, 1.6 V, 455 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 455W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FGH75T65SHDT-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH75T65SHDT-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FGH75T65SHDT-F155onsemi / FairchildIGBTs 650V FS3 Trench IGBT
auf Bestellung 571 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.35 EUR
10+10.98 EUR
30+6.60 EUR
120+5.84 EUR
510+5.09 EUR
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FGH75T65SHDT-F155-01ON SemiconductorFGH75T65SHDT-F155-01
auf Bestellung 717 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+5.90 EUR
100+5.45 EUR
500+5.03 EUR
Mindestbestellmenge: 95
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FGH75T65SHDTL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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FGH75T65SHDTL4ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FGH75T65SHDTL4onsemi / FairchildIGBTs FS3 TIGBT Excellent switching performan
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.58 EUR
10+10.08 EUR
30+6.46 EUR
120+5.53 EUR
270+5.51 EUR
510+5.39 EUR
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FGH75T65SHDTL4ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
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FGH75T65SHDTL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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FGH75T65SHDTL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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FGH75T65SHDTL4onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 150A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/189ns
Switching Energy: 1.06mJ (on), 1.56mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 126 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 455 W
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.02 EUR
30+6.93 EUR
120+5.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FGH75T65SHDTL4ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH75T65SHDTL4 - IGBT, FS-Trench, 150 A, 1.6 V, 455 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 455W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FGH75T65SHDTLN4onsemiIGBT Transistors FS3 T TO247 75A 65
auf Bestellung 309 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.66 EUR
10+9.01 EUR
100+8.89 EUR
250+8.36 EUR
450+6.85 EUR
900+6.72 EUR
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FGH75T65SHDTLN4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+8.35 EUR
100+7.72 EUR
Mindestbestellmenge: 67
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FGH75T65SHDTLN4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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FGH75T65SHDTLN4onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/189ns
Switching Energy: 1.06mJ (on), 1.56mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 126 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 455 W
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FGH75T65SHDTLN4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FGH75T65SHDTLN4ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH75T65SHDTLN4 - IGBT, 650V, 150A, 175DEG C, 455W, TO-247
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FGH75T65SHDTLN4TE ConnectivityTE Connectivity
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FGH75T65SHDTLN4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FGH75T65SHDTLN4onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/189ns
Switching Energy: 1.06mJ (on), 1.56mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 126 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 455 W
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
37+7.35 EUR
Mindestbestellmenge: 37
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FGH75T65SHDT_F155
Produktcode: 171976
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FGH75T65SHD_F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 82340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+6.25 EUR
100+5.77 EUR
500+5.34 EUR
1000+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 89
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FGH75T65SHD_F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+6.25 EUR
100+5.77 EUR
500+5.34 EUR
1000+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 89
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FGH75T65SHD_F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+6.63 EUR
120+6.33 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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FGH75T65SHD_F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+6.63 EUR
Mindestbestellmenge: 450
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FGH75T65SHD_F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+6.73 EUR
60+6.32 EUR
120+5.84 EUR
270+5.53 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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FGH75T65SHD_F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 13950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+6.25 EUR
100+5.77 EUR
500+5.34 EUR
1000+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 89
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FGH75T65SHD_F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH75T65SHD_F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+6.63 EUR
120+6.33 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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FGH75T65SHD_F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH75T65SQDonsemiIGBTs FS4TIGBT TO247 75A 650V
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FGH75T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH75T65SQD-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH75T65SQD-F155 - IGBT, N-Kanal, 150 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1004 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FGH75T65SQD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
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FGH75T65SQD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Switching Energy: 760µJ (on), 180µJ (off)
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.46 EUR
30+6.59 EUR
120+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FGH75T65SQD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FGH75T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH75T65SQD-F155onsemi / FairchildIGBTs 650V FS4 Trench IGBT
auf Bestellung 2566 Stücke:
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30+6.42 EUR
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FGH75T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH75T65SQD-F155ON Semiconductor
auf Bestellung 310 Stücke:
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FGH75T65SQD-F155-01ON SemiconductorFGH75T65SQD-F155-01
auf Bestellung 30600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+6.01 EUR
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1000+4.65 EUR
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FGH75T65SQDNL4onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 200A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 134 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/208ns
Switching Energy: 1.25mJ (on), 1.26mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 152 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 375 W
auf Bestellung 347 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.44 EUR
30+10.67 EUR
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FGH75T65SQDNL4ON Semiconductor
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FGH75T65SQDNL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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FGH75T65SQDNL4onsemiIGBTs 650V/75 FAST IGBT
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10+14.08 EUR
30+9.93 EUR
120+8.87 EUR
270+8.25 EUR
510+8.18 EUR
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FGH75T65SQDNL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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FGH75T65SQDNL4ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FGH75T65SQDNL4ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH75T65SQDNL4 - IGBT, 200 A, 1.43 V, 375 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.43V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 200A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FGH75T65SQDNL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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FGH75T65SQDNL4ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
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FGH75T65SQDNL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+9.44 EUR
100+8.73 EUR
500+8.05 EUR
Mindestbestellmenge: 59
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FGH75T65SQDTonsemiIGBTs 650V 75A FS4 TRENCH IGBT
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FGH75T65SQDT-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH75T65SQDT-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+5.93 EUR
100+5.49 EUR
500+5.06 EUR
1000+4.60 EUR
Mindestbestellmenge: 94
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FGH75T65SQDT-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FGH75T65SQDT-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH75T65SQDT-F155 - IGBT, FS-Trench, 150 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FGH75T65SQDT-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
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FGH75T65SQDT-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH75T65SQDT-F155onsemiIGBTs 650V 40A FS4 TRENCH IGBT
auf Bestellung 1098 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.10 EUR
30+6.04 EUR
120+5.30 EUR
270+5.12 EUR
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FGH75T65SQDT-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/120ns
Switching Energy: 300µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 18.8A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.60 EUR
30+6.67 EUR
120+5.59 EUR
510+4.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FGH75T65SQDT-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 4950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 450
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FGH75T65SQDTL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+4.73 EUR
Mindestbestellmenge: 450
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FGH75T65SQDTL4onsemi / FairchildIGBTs 650V FS4 Trench IGBT
auf Bestellung 433 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.84 EUR
30+5.74 EUR
120+5.54 EUR
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FGH75T65SQDTL4onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/276ns
Switching Energy: 307µJ (on), 266µJ (off)
Test Condition: 400V, 18.8A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
auf Bestellung 734 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.27 EUR
30+7.10 EUR
120+5.96 EUR
510+5.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65SQDTL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 343 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+6.41 EUR
100+5.93 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65SQDTL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65SQDTL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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FGH75T65SQDTL4ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH75T65SQDTL4 - IGBT, 650 V, 75 A FIELD STOP TRENCH
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65SQDTL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+6.41 EUR
100+5.93 EUR
500+5.47 EUR
1000+4.97 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65SQDT_F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/120ns
Switching Energy: 300µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 18.8A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65UPDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 450
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65UPDonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/166ns
Switching Energy: 2.85mJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 385 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 375 W
auf Bestellung 1131 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.51 EUR
30+7.24 EUR
120+6.09 EUR
510+5.30 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+4.72 EUR
Mindestbestellmenge: 450
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FGH75T65UPDON-SemicoductorTrans IGBT ; 650V; 20V; 150A; 225A; 375W; 4,0~7,5V; 578nC; -55°C~175°C; Replacement: FGH75T65UPD-F085; FGH75T65UPD-F155; FGH75T65UPD TO247AB TFGH75T65upd
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+16.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65UPDonsemi / FairchildIGBTs 650V 150A 187W
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.25 EUR
10+11.74 EUR
30+7.46 EUR
120+6.25 EUR
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FGH75T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+4.74 EUR
Mindestbestellmenge: 450
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FGH75T65UPDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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FGH75T65UPD-F085onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/166ns
Switching Energy: 2.85mJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 578 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 375 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.30 EUR
30+9.64 EUR
120+8.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65UPD-F085ON Semiconductor
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FGH75T65UPD-F085onsemi / FairchildIGBTs 650V/75A FS TRENCH IGBT
auf Bestellung 871 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.54 EUR
10+12.74 EUR
25+9.06 EUR
100+8.03 EUR
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FGH75T65UPD-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH75T65UPD-F085 - IGBT, 150 A, 1.69 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.69V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FGH75T65UPD-F085ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
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FGH75T65UPD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75T65UPD-F085ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FGH75T65UPD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH75T65UPD-F155onsemi / FairchildIGBTs 650V,75A Field Stop Trench IGBT
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FGH75T65UPD-F155ON SemiconductorField Stop Trench IGBT Chip Transistor
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FGH75T65UPD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/216ns
Switching Energy: 3.68mJ (on), 1.6mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 375 W
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FGH80N60FDonsemiIGBTs FSPIGBT TO247 80A 600V
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FGH80N60FD2TUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH80N60FD2TUonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V 80A Field Stop
auf Bestellung 869 Stücke:
Lieferzeit 490-494 Tag (e)
1+8.64 EUR
10+7.78 EUR
120+6.37 EUR
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FGH80N60FD2TUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 61 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/126ns
Switching Energy: 1mJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 290 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH80N60FD2TUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 450
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FGH80N60FD2TU(Transistor)
Produktcode: 61002
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH80N60FDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FGH80N60FDTU - IGBT, Universal, 80 A, 1.8 V, 290 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8
DC-Kollektorstrom: 80
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 290
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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FGH80N60FDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH80N60FDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH80N60FDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH80N60FDTUonsemi / FairchildIGBTs 600V Field Stop
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FGH80N60FDTU
Produktcode: 155558
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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FGH80N60FDTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/126ns
Switching Energy: 1mJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 290 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH80N60FDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGHL40S65UQON Semiconductor
auf Bestellung 400 Stücke:
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FGHL40S65UQON SemiconductorIGBT Transistors IGBT, 650 V, 40 A
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40S65UQON SemiconductorDescription: IGBT 650V 40A
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40S65UQON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 231000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T120RWDonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 248 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40.3A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/184ns
Switching Energy: 2.9mJ (on), 2.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 174 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 600 W
auf Bestellung 7912 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.85 EUR
30+7.48 EUR
120+6.31 EUR
510+5.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T120RWDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T120RWDON Semiconductor1200V/40A FS7 IGBT SCR TO247
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T120RWDONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL40T120RWD - IGBT, 80 A, 1.49 V, 600 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.49V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench Field Stop VII Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T120RWDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T120RWDonsemiIGBTs 1200V, 40A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT in TO247-3L Packaging 1200V 40A FS7 Low Vcesat IGBT Discrete
auf Bestellung 347 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.56 EUR
10+9.91 EUR
30+8.99 EUR
120+8.25 EUR
270+7.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T120SWDON SemiconductorIGBT- Power, Co-PAK N-Channel, Field Stop VII
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T120SWDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 118nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T120SWDonsemiIGBTs 1200V, 40A Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT in TO247-3L Packaging 1200V 40A Fast Switching IGBT
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.31 EUR
10+6.81 EUR
30+5.72 EUR
120+4.73 EUR
270+4.29 EUR
510+4.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T120SWDonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 1200V 70A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 185 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/118ns
Switching Energy: 2.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 118 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 469 W
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.40 EUR
30+5.34 EUR
120+4.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T120SWDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 118nC
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T65LQDTonsemiIGBTs IGBT - 650 V 40 A FS4 low Vce(sat) IGBT with full rated copack diode
auf Bestellung 412 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.14 EUR
30+3.66 EUR
120+3.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T65LQDTonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 84 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/364ns
Switching Energy: 620µJ (on), 1.03mJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 414 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 273 W
auf Bestellung 1798 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.04 EUR
30+3.96 EUR
120+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T65MQDON Semiconductor650 V, 40 A Field Stop Trench IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T65MQDON Semiconductor
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T65MQDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 119W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T65MQDON Semiconductor650 V, 40 A Field Stop Trench IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T65MQDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 119W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T65MQDonsemiIGBTs 650 V 40 A FS4
auf Bestellung 525 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.66 EUR
10+5.76 EUR
30+5.40 EUR
120+4.58 EUR
270+3.43 EUR
510+3.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T65MQDonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/109ns
Switching Energy: 860µJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 86 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 238 W
auf Bestellung 621 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.40 EUR
10+5.58 EUR
450+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T65MQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 238000mW Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T65MQDTONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 119W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T65MQDTONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL40T65MQDT - IGBT, 60 A, 1.45 V, 238 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6632 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T65MQDTonsemiIGBTs IGBT - 650 V 40 A FS4 medium switching speed IGBT with full rated copack diode
auf Bestellung 441 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.50 EUR
10+8.03 EUR
30+4.84 EUR
120+4.01 EUR
270+4.00 EUR
510+3.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T65MQDTonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 86 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/75ns
Switching Energy: 880µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 238 W
auf Bestellung 8086 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.96 EUR
30+4.70 EUR
120+3.90 EUR
510+3.30 EUR
1020+3.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL40T65MQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 238000mW Tube
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FGHL40T65MQDTONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 119W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65LQDTonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/408ns
Switching Energy: 510µJ (on), 880µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 509 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 341 W
Produkt ist nicht verfügbar
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FGHL50T65LQDTONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 170W
Gate charge: 509nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
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FGHL50T65LQDTON SemiconductorField Stop Trench IGBT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65LQDTONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 170W
Gate charge: 509nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FGHL50T65LQDTonsemiIGBTs IGBT - 650 V 50 A FS4 low Vce(sat) IGBT with full rated copack diode
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 66-70 Tag (e)
1+6.92 EUR
10+6.76 EUR
30+4.17 EUR
120+4.14 EUR
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FGHL50T65LQDTL4onsemiIGBTs IGBT - 650 V 50 A FS4 low Vce(sat) IGBT with full rated copack diode
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 80-84 Tag (e)
1+9.29 EUR
10+7.23 EUR
30+6.44 EUR
120+5.63 EUR
270+5.16 EUR
510+4.88 EUR
1020+4.56 EUR
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FGHL50T65LQDTL4onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/424ns
Switching Energy: 410µJ (on), 860µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 509 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 341 W
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FGHL50T65MQDonsemiIGBTs 650 V 50 A FS4
auf Bestellung 429 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.78 EUR
10+6.02 EUR
30+5.98 EUR
120+5.83 EUR
270+3.96 EUR
510+3.82 EUR
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FGHL50T65MQDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 134W
Gate charge: 94nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65MQDonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 32 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/120ns
Switching Energy: 1.05mJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.31 EUR
10+6.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FGHL50T65MQDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 82750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+4.23 EUR
500+3.92 EUR
1000+3.55 EUR
Mindestbestellmenge: 132
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FGHL50T65MQDON Semiconductor650 V, 50 A Field Stop Trench IGBT
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FGHL50T65MQDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 134W
Gate charge: 94nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FGHL50T65MQDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGHL50T65MQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW Tube
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FGHL50T65MQDTONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 134W
Gate charge: 99nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FGHL50T65MQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGHL50T65MQDTonsemiIGBTs IGBT - 650 V 50 A FS4 medium switching speed IGBT with full rated copack diode
auf Bestellung 2206 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.79 EUR
10+9.54 EUR
30+5.60 EUR
120+4.66 EUR
270+4.65 EUR
510+4.17 EUR
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FGHL50T65MQDTONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 134W
Gate charge: 99nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65MQDTonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 79 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/90ns
Switching Energy: 1.19mJ (on), 630µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 99 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
auf Bestellung 349470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.59 EUR
30+5.45 EUR
120+4.54 EUR
510+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65MQDTONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL50T65MQDT - IGBT, 80 A, 1.45 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65MQDTL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.05 EUR
34+4.30 EUR
35+3.95 EUR
50+3.68 EUR
100+3.50 EUR
250+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65MQDTL4onsemiIGBTs IGBT - 650 V 50 A FS4 medium switching speed IGBT with full rated copack diode
auf Bestellung 355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.21 EUR
10+7.11 EUR
120+5.98 EUR
510+4.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65MQDTL4onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 79 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/336ns
Switching Energy: 1mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 99 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
auf Bestellung 4330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+8.87 EUR
10+6.78 EUR
450+4.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65MQDTL4ONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL50T65MQDTL4 - IGBT, 80 A, 1.45 V, 268 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65MQDTL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.05 EUR
34+4.30 EUR
35+3.95 EUR
50+3.68 EUR
100+3.50 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65SQONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL50T65SQ - IGBT, 100 A, 1.6 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65SQON SemiconductorIGBT Chip for PFC Applications
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65SQON SemiconductorIGBT Chip for PFC Applications
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65SQON SemiconductorIGBT Chip for PFC Applications
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65SQON SemiconductorIGBT Chip for PFC Applications
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65SQonsemiIGBTs FS4TIGBT 50A 650V
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.55 EUR
10+7.52 EUR
30+4.42 EUR
120+3.64 EUR
270+3.52 EUR
510+3.10 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65SQonsemiDescription: IGBT 650V 100A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/93ns
Switching Energy: 410µJ (on), 88µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 99 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
auf Bestellung 871 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.25 EUR
30+4.29 EUR
120+3.54 EUR
510+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65SQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65SQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65SQDTONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 134W
Gate charge: 99.7nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65SQDTonsemiIGBTs IGBT, 650 V, 50 A Field Stop Trench
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.96 EUR
30+6.21 EUR
120+5.28 EUR
270+5.19 EUR
510+4.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65SQDTonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22.8ns/70ns
Switching Energy: 223µJ (on), 91.13µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 99.7 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
auf Bestellung 466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.38 EUR
30+5.92 EUR
120+4.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65SQDTONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 134W
Gate charge: 99.7nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL50T65SQDTONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL50T65SQDT - IGBT, 100 A, 1.47 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 268
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.47
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL60T120RWDonsemiIGBTs 1200V/60A FS7 IGBT SCR TO247
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.82 EUR
10+12.71 EUR
30+11.53 EUR
120+10.58 EUR
270+9.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL60T120RWDonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 1200V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 257 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 51ns/250ns
Switching Energy: 4.5mJ (on), 3.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 60A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 256 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 833 W
auf Bestellung 362 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.33 EUR
30+11.43 EUR
120+10.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL60T120RWDONSEMIFGHL60T120RWD THT IGBT transistors
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FGHL60T120RWDONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL60T120RWD - IGBT, 120 A, 1.48 V, 833 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.48V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 833W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench Field Stop VII Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 120A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FGHL60T120RWDON SemiconductorTrans IGBTChip N-CH 1200V 120A 833W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGHL75T65LQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 469000mW Tube
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FGHL75T65LQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 469000mW Tube
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FGHL75T65LQDTonsemiIGBTs IGBT - 650 V 75 A FS4 low Vce(sat) IGBT with full rated copack diode
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.48 EUR
10+9.28 EUR
30+9.26 EUR
120+8.87 EUR
270+6.35 EUR
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FGHL75T65LQDTonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 152 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/568ns
Switching Energy: 1.88mJ (on), 2.38mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 793 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 469 W
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.04 EUR
10+9.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FGHL75T65LQDTONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 793nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FGHL75T65LQDTONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL75T65LQDT - IGBT, 80 A, 1.15 V, 469 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.15V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FGHL75T65LQDTONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 793nC
Kind of package: tube
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FGHL75T65LQDTL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 469000mW Tube
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FGHL75T65LQDTL4onsemiIGBTs IGBT - 650 V 75 A FS4 low Vce(sat) IGBT with full rated copack diode
auf Bestellung 340 Stücke:
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1+13.55 EUR
10+11.37 EUR
30+8.52 EUR
120+7.06 EUR
510+6.79 EUR
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FGHL75T65LQDTL4onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 87 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/548ns
Switching Energy: 1.01mJ (on), 2.53mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 779 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 469 W
auf Bestellung 247 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.32 EUR
30+8.14 EUR
120+6.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FGHL75T65LQDTL4ONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL75T65LQDTL4 - IGBT, 80 A, 1.15 V, 469 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.15V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FGHL75T65MQDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FGHL75T65MQDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
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FGHL75T65MQDonsemiIGBTs 650 V 75 A FS4
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.28 EUR
10+7.85 EUR
30+7.80 EUR
120+7.59 EUR
270+5.28 EUR
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FGHL75T65MQDonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/176ns
Switching Energy: 1.94mJ (on), 1.55mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 145 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
auf Bestellung 18390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.84 EUR
10+8.02 EUR
450+4.97 EUR
900+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FGHL75T65MQDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375000mW Tube
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FGHL75T65MQDTONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FGHL75T65MQDTONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL75T65MQDT - IGBT, 80 A, 1.45 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FGHL75T65MQDTONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL75T65MQDTonsemiIGBTs IGBT - 650 V 75 A FS4 medium switching speed IGBT with full rated copack diode
auf Bestellung 789 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.84 EUR
10+8.03 EUR
120+7.36 EUR
270+5.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL75T65MQDTonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 107 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/118ns
Switching Energy: 2.35mJ (on), 1.25mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
auf Bestellung 671 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.23 EUR
10+7.80 EUR
450+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL75T65MQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375000mW Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL75T65MQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375000mW Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL75T65MQDTL4onsemiIGBTs IGBT - 650 V 75 A FS4 medium switching speed IGBT with full rated copack diode
auf Bestellung 436 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.15 EUR
10+8.36 EUR
30+6.53 EUR
120+5.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL75T65MQDTL4onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 107 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/181ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.77 EUR
30+7.08 EUR
120+5.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL75T65MQDTL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL75T65MQDTL4ONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL75T65MQDTL4 - IGBT, 80 A, 1.45 V, 375 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 447 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHOV225Z-L5(T3-270)NEC
auf Bestellung 5719 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH