Produkte > HGT

Description: INSULATGABIPOLTRANSISTO50600V
Packaging: Bulk

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HGT1N30N60A4D

Description: IGBT, 96A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 255 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA

auf Bestellung 927 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	27.99 EUR

Mindestbestellmenge: 17

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1N30N60A4D

Description: IGBT MOD 600V 96A 255W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 255 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1N40N60A4D

Description: IGBT MOD 600V 110A 298W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 298 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA

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HGT1S10N120BNS

Description: IGBT NPT 1200V 35A TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns
Switching Energy: 320µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W

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HGT1S10N120BNS

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

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HGT1S10N120BNS

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

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HGT1S10N120BNS

IGBT Transistors 35A 1200V NPT N-Ch

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HGT1S10N120BNST
Produktcode: 104642

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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
ZCODE: 8541290010

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HGT1S10N120BNST

Description: IGBT NPT 1200V 35A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns
Switching Energy: 320µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W

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HGT1S10N120BNST

Description: ONSEMI - HGT1S10N120BNST - IGBT, 35 A, 2.45 V, 298 W, 1.2 kV, TO-263AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.45V
Verlustleistung Pd: 298W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 35A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 517 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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HGT1S10N120BNST

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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HGT1S10N120BNST
Produktcode: 213265

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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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HGT1S10N120BNST

Description: IGBT NPT 1200V 35A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns
Switching Energy: 320µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W

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HGT1S10N120BNST

Description: ONSEMI - HGT1S10N120BNST - IGBT, 35 A, 2.45 V, 298 W, 1.2 kV, TO-263AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Dauerkollektorstrom: 35A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 517 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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HGT1S10N120BNST

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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HGT1S10N120BNST

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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HGT1S10N120BNST

IGBTs N-Channel IGBT NPT Series 1200V

auf Bestellung 19460 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.88 EUR
10+	5.24 EUR
100+	3.75 EUR
800+	3.73 EUR
4800+	3.52 EUR

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HGT1S11N120CNS
Produktcode: 45305

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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2

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HGT1S11N120CNS

On Semiconductor/Fairchild

IGBT Transistors

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HGT1S12N60A4DS

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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HGT1S12N60A4DS

Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

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HGT1S12N60A4DS

Description: IGBT 600V 54A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263AB
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns
Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 167 W

auf Bestellung 2395 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

86+	5.25 EUR

Mindestbestellmenge: 86

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HGT1S12N60A4DS
Produktcode: 50012

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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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HGT1S12N60A4DS

Description: IGBT 600V 54A TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns
Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 167 W

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HGT1S12N60A4DS

Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

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HGT1S12N60A4S9A

Description: IGBT 600V 54A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns
Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 167 W

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S12N60A4S9A

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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HGT1S12N60A4S9A

Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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HGT1S12N60A4S9A

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S12N60B3

Description: IGBT 600V 27A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns
Switching Energy: 304µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 104 W

auf Bestellung 917 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

181+	2.49 EUR

Mindestbestellmenge: 181

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S12N60B3D

Description: IGBT 600V 27A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns
Switching Energy: 304µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 104 W

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

181+	2.49 EUR

Mindestbestellmenge: 181

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S12N60B3DS

Description: IGBT 600V 27A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263AB
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns
Switching Energy: 304µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 104 W

auf Bestellung 1100 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

226+	2 EUR

Mindestbestellmenge: 226

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S12N60B3S

Description: IGBT 600V 27A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns
Switching Energy: 304µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 104 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S12N60C3

Description: IGBT 600V 24A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W

auf Bestellung 899 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

207+	2.19 EUR

Mindestbestellmenge: 207

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S12N60C3D

Description: IGBT 600V 24A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W

auf Bestellung 2637 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

185+	2.43 EUR

Mindestbestellmenge: 185

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S12N60C3DS

IGBT Transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S12N60C3DS

Description: IGBT 600V 24A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 32 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 71 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W

auf Bestellung 565 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

152+	2.97 EUR

Mindestbestellmenge: 152

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S12N60C3DS

Description: ONSEMI - HGT1S12N60C3DS - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 565 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S12N60C3R

Description: IGBT 600V 24A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/120ns
Switching Energy: 400µJ (on), 340µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 71 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 104 W

auf Bestellung 1962 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

189+	2.39 EUR

Mindestbestellmenge: 189

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S12N60C3S

IGBT Modules

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S12N60C3S9AR4501

Description: 27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

202+	2.24 EUR

Mindestbestellmenge: 202

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S14N36G3VLS

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S14N36G3VLS

Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers Coil Dr 14A 360V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S14N36G3VLS

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S14N36G3VLS

Description: IGBT 390V 18A TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 5V, 14A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: -/7µs
Test Condition: 300V, 7A, 25Ohm, 5V
Gate Charge: 24 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V
Power - Max: 100 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S14N36G3VLT

HGT1S14N36G3VLT

auf Bestellung 6860 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

210+	2.55 EUR
500+	2.34 EUR
1000+	2.12 EUR

Mindestbestellmenge: 210

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S14N36G3VLT

Trans IGBT Chip N-CH 330V 18A 100000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S14N36G3VLT

Description: IGBT 390V 18A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 5V, 14A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Td (on/off) @ 25°C: -/7µs
Test Condition: 300V, 7A, 25Ohm, 5V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V
Power - Max: 100 W

auf Bestellung 11627 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

181+	2.8 EUR

Mindestbestellmenge: 181

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S14N36G3VLT_NL

Description: IGBT, 18A, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 5V, 14A
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Td (on/off) @ 25°C: -/7µs
Test Condition: 300V, 7A, 28Ohm, 5V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V
Power - Max: 100 W

Produkt ist nicht verfügbar

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HGT1S14N37G3VLS

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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HGT1S14N37G3VLS

Description: IGBT 380V 25A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 380 V
Power - Max: 136 W

auf Bestellung 4635 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

152+	2.97 EUR

Mindestbestellmenge: 152

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HGT1S14N37G3VLS

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S14N41G3VLS

Description: IGBT, 25A, 445V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 26 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 445 V
Power - Max: 136 W

auf Bestellung 2480 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

163+	3.24 EUR

Mindestbestellmenge: 163

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HGT1S14N41G3VLT

Description: ONSEMI - HGT1S14N41G3VLT - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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HGT1S14N41G3VLT

Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

157+	3.19 EUR

Mindestbestellmenge: 157

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HGT1S15N120C3

Description: IGBT 1200V 35A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W

auf Bestellung 3604 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

80+	5.7 EUR

Mindestbestellmenge: 80

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HGT1S15N120C3S

Description: IGBT 1200V 35A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W

auf Bestellung 695 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

80+	5.7 EUR

Mindestbestellmenge: 80

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HGT1S20N35F3VLR4505

Description: 40A, 350V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

171+	2.95 EUR

Mindestbestellmenge: 171

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HGT1S20N35G3VLS

Description: IGBT 380V 20A 150W TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 5V, 20A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: -/15µs
Test Condition: 300V, 10A, 25Ohm, 5V
Gate Charge: 28.7 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 375 V
Power - Max: 150 W

Produkt ist nicht verfügbar

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HGT1S20N35G3VLS

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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HGT1S20N35G3VLS

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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HGT1S20N35G3VLS

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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HGT1S20N36G3VL

HGT1S20N36G3VL

auf Bestellung 58000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

172+	3.12 EUR
500+	2.86 EUR
1000+	2.59 EUR
10000+	2.34 EUR

Mindestbestellmenge: 172

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HGT1S20N36G3VL

Description: IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA

Produkt ist nicht verfügbar

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HGT1S20N36G3VLS

Description: ONSEMI - HGT1S20N36G3VLS - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 48196 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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HGT1S20N36G3VLS

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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HGT1S20N36G3VLS

HGT1S20N36G3VLS

auf Bestellung 6436 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

172+	3.12 EUR
500+	2.86 EUR
1000+	2.59 EUR

Mindestbestellmenge: 172

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S20N36G3VLS

HGT1S20N36G3VLS

auf Bestellung 28918 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

172+	3.12 EUR
500+	2.86 EUR
1000+	2.59 EUR
10000+	2.34 EUR

Mindestbestellmenge: 172

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S20N36G3VLS

Description: IGBT, 37.7A, 355V, N-CHANNEL

auf Bestellung 48197 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

161+	3.17 EUR

Mindestbestellmenge: 161

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S20N36G3VLS

HGT1S20N36G3VLS

auf Bestellung 600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

172+	3.12 EUR
500+	2.86 EUR

Mindestbestellmenge: 172

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HGT1S20N36G3VLS

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S20N36G3VLS

HGT1S20N36G3VLS

auf Bestellung 283 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

172+	3.12 EUR

Mindestbestellmenge: 172

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S20N36G3VLS

HGT1S20N36G3VLS

auf Bestellung 10326 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

172+	3.12 EUR
500+	2.86 EUR
1000+	2.59 EUR
10000+	2.34 EUR

Mindestbestellmenge: 172

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HGT1S20N60A4S

onsemi

Produkt ist nicht verfügbar

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HGT1S20N60A4S9A

Description: IGBT 600V 70A TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/73ns
Switching Energy: 105µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 142 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 290 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S20N60A4S9A

IGBT Transistors 600V SMPS SERIES NCH IGBT

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S20N60A4S9A

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S20N60B3S

Description: IGBT 600V 40A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V

auf Bestellung 635 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

106+	4.25 EUR

Mindestbestellmenge: 106

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S20N60C3R

Description: IGBT 600V 40A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 116 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 164 W

auf Bestellung 505 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

163+	2.76 EUR

Mindestbestellmenge: 163

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S20N60C3S

IGBT Transistors PTPIGBT TO263 45A 600V

Produkt ist nicht verfügbar

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HGT1S20N60C3S

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S20N60C3S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S20N60C3S9A

Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 164000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S20N60C3S9A

Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 164000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S20N60C3S9A

ON Semiconductor / Fairchild

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S20N60C3S9A

IGBT Transistors 45a 600V N-Ch IGBT UFS Series

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S20N60C3S9A

Description: IGBT 600V 45A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/151ns
Switching Energy: 295µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 91 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 164 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S2N120CN

Description: IGBT NPT 1200V 13A TO-262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2.6A
Supplier Device Package: TO-262
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/205ns
Switching Energy: 96µJ (on), 355µJ (off)
Test Condition: 960V, 2.6A, 51Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 13 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 104 W

auf Bestellung 70800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

148+	3.42 EUR

Mindestbestellmenge: 148

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S3N60A4DS

IGBT Transistors TO-263

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S3N60A4DS9A

Description: IGBT 600V 17A TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/73ns
Switching Energy: 37µJ (on), 25µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 70 W

auf Bestellung 4713 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

167+	3.04 EUR

Mindestbestellmenge: 167

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S3N60A4DS9A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S3N60A4DS9A

Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers 600V N-Channel IGBT SMPS Series

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S3N60A4DS9A_NL

IGBT Transistors 600V, SMPS, SERIES NCH IGBT W/ ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S3N60A4S

IGBT Transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S3N60A4S9A

IGBT Transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S3N60B3DS

Description: 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 3.5A
Supplier Device Package: TO-263AB
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns
Switching Energy: 66µJ (on), 88µJ (off)
Test Condition: 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 18 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 33.3 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S3N60B3S

Description: 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 3.5A
Supplier Device Package: TO-263AB
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns
Switching Energy: 66µJ (on), 88µJ (off)
Test Condition: 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 33.3 W

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

533+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 533

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S3N60C3D

Description: 6A, 600V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Gate Charge: 13.8 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 33 W

auf Bestellung 365 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

365+	1.58 EUR

Mindestbestellmenge: 365

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S3N60C3DS

Description: 6A, 600V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V

auf Bestellung 585 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

325+	1.62 EUR

Mindestbestellmenge: 325

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S7N60A40S

2002 TO-263

auf Bestellung 20740 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S7N60A4DS

Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers 600V N-Ch IGBT SMPS Series HF

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HGT1S7N60A4DS
Produktcode: 34779

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HGT1S7N60A4DS

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S7N60A4DS

Description: IGBT 600V 34A TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/100ns
Switching Energy: 55µJ (on), 60µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 125 W

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HGT1S7N60A4DS

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

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HGT1S7N60A4DS9A

Description: IGBT, 34A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-263AB
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/100ns
Switching Energy: 120µJ (on), 60µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 60 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 125 W

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HGT1S7N60A4DS9A

IGBT Transistors

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HGT1S7N60A4DS9A_SB82213

onsemi

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HGT1S7N60A4S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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HGT1S7N60A4S

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

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HGT1S7N60A4S

IGBT Transistors

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HGT1S7N60A4S9A

IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT SMPS Series

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HGT1S7N60B3

Description: IGBT 600V 14A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

251+	1.8 EUR

Mindestbestellmenge: 251

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HGT1S7N60B3D

Description: IGBT 600V 14A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

211+	2.13 EUR

Mindestbestellmenge: 211

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HGT1S7N60B3DS

IGBT Transistors

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HGT1S7N60B3DS

Description: 14 A, 600 V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-263AB
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W

Produkt ist nicht verfügbar

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HGT1S7N60B3DS9A

IGBT Transistors 14A 600V UFS N-Ch

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HGT1S7N60B3S

IGBT Transistors

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HGT1S7N60B3S9A

IGBT Transistors

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HGT1S7N60C3D

IGBT Transistors Optocoupler Phototransistor

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HGT1S7N60C3D

Description: IGBT 600V 14A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W

auf Bestellung 3882 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

251+	1.86 EUR

Mindestbestellmenge: 251

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HGT1S7N60C3DS

IGBT Transistors 7A 600V TF=275NS

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HGT1S7N60C3DS

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT1S7N60C3DS

Description: IGBT 600V 14A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-263AB
Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W

auf Bestellung 8600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

199+	2.34 EUR

Mindestbestellmenge: 199

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HGT1S7N60C3DS

Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 60000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail

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HGT1S7N60C3DS

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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HGT1S7N60C3DS

Description: IGBT 600V 14A TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W

Produkt ist nicht verfügbar

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HGT1S7N60C3DS9A

auf Bestellung 1900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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HGT1S7N60C3DS9A

auf Bestellung 25600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

141+	3.31 EUR

Mindestbestellmenge: 141

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HGT1S7N60C3DS9A

IGBT Transistors 14a 600V N-Ch IGBT UFS Series

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HGT1S7N60C3DS9A

Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 60000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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HGT1S7N60C3DS9A

Description: IGBT 600V 14A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W

Produkt ist nicht verfügbar

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HGT1S7N60C3DS9A_NL

IGBT Transistors

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HGT4E20N60A4DS

IGBT Transistors TO-268

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HGT4E30N60B3S

Description: IGBT 60A, 600V, N CHANNEL, TO 26
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

67+	6.8 EUR

Mindestbestellmenge: 67

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGT4E30N60C3S

Description: IGBT 60A, 600V, N CHANNEL, TO 26
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 750 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

62+	7.29 EUR

Mindestbestellmenge: 62

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTA32N60E2

Description: IGBT 600V 50A TO-218-5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-218-5
Gate Charge: 265 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 208 W

auf Bestellung 193 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

27+	18.64 EUR

Mindestbestellmenge: 27

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTB12N60D1C

Description: IGBT 600V 12A TO-220-5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 75 W

auf Bestellung 498 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

82+	5.55 EUR

Mindestbestellmenge: 82

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTD10N40F1

Description: IGBT 400V 12A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 5A
Supplier Device Package: IPAK
Gate Charge: 13.4 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 75 W

auf Bestellung 417 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

417+	1.53 EUR

Mindestbestellmenge: 417

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTD10N40F1S

Description: 10A, 400V N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 5A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Gate Charge: 13.4 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 75 W

auf Bestellung 1045 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

329+	1.53 EUR

Mindestbestellmenge: 329

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTD10N50F1

Description: IGBT 500V 12A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 5A
Supplier Device Package: IPAK
Gate Charge: 13.4 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 75 W

auf Bestellung 2649 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

175+	2.66 EUR

Mindestbestellmenge: 175

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTD10N50F1S

Description: IGBT 500V 12A TO-252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 5A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Gate Charge: 13.4 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 75 W

auf Bestellung 495 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

270+	1.72 EUR

Mindestbestellmenge: 270

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTD1N120BNS

IGBTs NPTPIGBT TO252 5.3A 1200V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTD1N120BNS

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTD1N120BNS

07+ TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTD1N120BNS9A

IGBTs 5.3a 1200v N-Ch IGBT NPT Series

auf Bestellung 51851 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.15 EUR
10+	1.62 EUR
100+	1.33 EUR
500+	1.13 EUR
1000+	1.06 EUR
2500+	0.94 EUR
5000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTD1N120BNS9A

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 2.7A; 60W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 2.7A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 6A
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTD1N120BNS9A

Description: IGBT NPT 1200V 5.3A TO-252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 1A
Supplier Device Package: TO-252AA
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/67ns
Switching Energy: 70µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 960V, 1A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 14 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 6 A
Power - Max: 60 W

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.93 EUR
5000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTD1N120BNS9A

Description: ONSEMI - HGTD1N120BNS9A - IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Dauerkollektorstrom: 5.3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 10153 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTD1N120BNS9A

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.56 EUR
5000+	1.35 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTD1N120BNS9A

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTD1N120BNS9A

Description: ONSEMI - HGTD1N120BNS9A - IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5V
Verlustleistung Pd: 60W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 5.3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 5.3A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 10153 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTD1N120BNS9A

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTD1N120BNS9A

Description: IGBT NPT 1200V 5.3A TO-252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 1A
Supplier Device Package: TO-252AA
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/67ns
Switching Energy: 70µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 960V, 1A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 14 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 6 A
Power - Max: 60 W

auf Bestellung 24263 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.24 EUR
10+	2.08 EUR
100+	1.41 EUR
500+	1.12 EUR
1000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTD1N120BNS9A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTD3N60A4S

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTD3N60A4S

Description: IGBT 600V 17A TO-252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/73ns
Test Condition: 390V, 3A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 70 W

auf Bestellung 2005 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

497+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 497

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTD3N60A4S

Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTD3N60A4S

07+ TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTD3N60A4S
Produktcode: 83202

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTD3N60B3

Description: IGBT 600V 7A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 3.5A
Supplier Device Package: IPAK
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns
Switching Energy: 66µJ (on), 88µJ (off)
Test Condition: 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 33.3 W

auf Bestellung 4349 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

486+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 486

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTD3N60B3S

Description: 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 3.5A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns
Switching Energy: 66µJ (on), 88µJ (off)
Test Condition: 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 33.3 W

auf Bestellung 944 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

579+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 579

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTD3N60B3S9A

Description: IGBT 600V 7A TO-252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 3.5A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns
Switching Energy: 66µJ (on), 88µJ (off)
Test Condition: 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 33.3 W

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

579+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 579

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTD3N60C3

Description: IGBT 600V 6A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 10 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: IPAK
Gate Charge: 13.8 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 33 W

auf Bestellung 4718 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

486+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 486

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTD3N60C3S

Description: 6A, 600V, UFS SERIES N-CHANNEL I
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Gate Charge: 13.8 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 33 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTD3N60C3S9A

Description: IGBT 600V 6A TO-252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Switching Energy: 85µJ (on), 245µJ (off)
Test Condition: 480V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 10.8 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 33 W

auf Bestellung 8284 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

575+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 575

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTD3N60C3S9A

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTD3N60C3S9A

07+ TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTD6N40E1S

Description: 6A, 400V N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 3A
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Gate Charge: 6.9 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 60 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTD7N60A4S

IGBT Transistors TO-252

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTD7N60B3

Description: IGBT 600V 14A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: IPAK
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W

auf Bestellung 900 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

336+	1.34 EUR

Mindestbestellmenge: 336

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTD7N60B3S

Description: IGBT 600V 14A TO-252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-252AA
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 72µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W

auf Bestellung 703 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

326+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 326

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTD7N60C3

Description: 14A, 600V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: I-PAK
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTD7N60C3S

Description: 600 V, 14 A, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-252AA
Gate Charge: 23 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTD7N60C3S

07+ TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTD7N60C3S
Produktcode: 131786

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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTD7N60C3S

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTD7N60C3S

IGBTs PTPIGBT TO252 7A 600V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTD7N60C3S9A

Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 60000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 249 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

210+	2.55 EUR

Mindestbestellmenge: 210

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTD7N60C3S9A

Description: IGBT 600V 14A TO-252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-252AA
Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off)
Gate Charge: 23 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W

auf Bestellung 1979 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.1 EUR
10+	2.64 EUR
100+	1.81 EUR
500+	1.46 EUR
1000+	1.34 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTD7N60C3S9A

IGBT Transistors 14a 600V N-Ch IGBT UFS Series

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTD7N60C3S9A

Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 493 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

210+	2.55 EUR

Mindestbestellmenge: 210

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTD7N60C3S9A

Description: IGBT 600V 14A TO-252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-252AA
Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off)
Gate Charge: 23 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTD7N60C3S9A

Description: IGBT 600V 14A TO-252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off)
Gate Charge: 23 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W

auf Bestellung 249 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

249+	2.31 EUR

Mindestbestellmenge: 249

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTD7N60C3S9A

Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5939 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

210+	2.55 EUR
500+	2.22 EUR
1000+	1.97 EUR

Mindestbestellmenge: 210

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTD7N60C3S9A

Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 60000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTD7N60C3S9A_NL

IGBT Transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTD8P50G1

Description: 8A, 500V P-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: I-PAK
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 66 W

auf Bestellung 23728 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

212+	2.5 EUR

Mindestbestellmenge: 212

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTD8P50G1S

Description: 8A, 500V P-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-252AA
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 66 W

auf Bestellung 6865 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

381+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 381

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTD8P50GIS

Description: 8A, 500V P-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG10N120BN

IGBTs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG10N120BND
Produktcode: 91807

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG10N120BND

Description: IGBT NPT 1200V 35A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns
Switching Energy: 850µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W

auf Bestellung 10549 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.6 EUR
30+	4.25 EUR
120+	3.51 EUR
510+	2.97 EUR
1020+	2.79 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG10N120BND

IGBTs 35A 1200V N-Ch

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG10N120BND

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 590 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

156+	3.45 EUR
500+	3.15 EUR

Mindestbestellmenge: 156

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG10N120BND

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 665 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG10N120BND

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 345 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

156+	3.45 EUR

Mindestbestellmenge: 156

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG10N120BND

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 19800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

156+	3.45 EUR
500+	3.15 EUR
1000+	2.87 EUR
10000+	2.58 EUR

Mindestbestellmenge: 156

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG10N120BND_Q

IGBTs 35A 1200V N-Ch

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG11N120CN

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail

auf Bestellung 243 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

158+	3.41 EUR

Mindestbestellmenge: 158

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG11N120CN

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG11N120CN

Description: IGBT NPT 1200V 43A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 11A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/180ns
Switching Energy: 400µJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 960V, 11A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 43 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG11N120CN

IGBT Transistors 43A 1200V N-Ch

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG11N120CN

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

158+	3.41 EUR
500+	3.12 EUR

Mindestbestellmenge: 158

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG11N120CN

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail

auf Bestellung 228 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

158+	3.41 EUR

Mindestbestellmenge: 158

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG11N120CN

Description: IGBT NPT 1200V 43A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 11A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/180ns
Switching Energy: 400µJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 960V, 11A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 43 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W

auf Bestellung 971 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

144+	3.16 EUR

Mindestbestellmenge: 144

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG11N120CN

Description: ONSEMI - HGTG11N120CN - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 23 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG11N120CND

IGBTs 43A 1200V NCh w/Anti Parallel Hyprfst Dd

auf Bestellung 898 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.45 EUR
10+	7.66 EUR
100+	6.2 EUR
450+	5.49 EUR
900+	4.88 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG11N120CND

ON-Semicoductor

Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 43A; 80A; 298W; 6,0~6,8V; 150nC; -55°C~150°C; HGTG11N120CND THGTG11n120cnd
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

5+	11.14 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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HGTG11N120CND

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 213 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

118+	4.57 EUR

Mindestbestellmenge: 118

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HGTG11N120CND

Description: ONSEMI - HGTG11N120CND - IGBT, 43 A, 2.4 V, 298 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 43A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1274 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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HGTG11N120CND
Produktcode: 63369

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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 1200
Vce: 2,1
Ic 25: 43
Ic 100: 22
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 23/180

Produkt ist nicht verfügbar

1+	3.72 EUR

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HGTG11N120CND

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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HGTG11N120CND

ON-Semicoductor

Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 43A; 80A; 298W; 6,0~6,8V; 150nC; -55°C~150°C; HGTG11N120CND THGTG11n120cnd
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

5+	11.14 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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HGTG11N120CND

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6+	26 EUR
26+	8.94 EUR
50+	5.74 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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HGTG11N120CND

Description: IGBT NPT 1200V 43A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 11A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/180ns
Switching Energy: 950µJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 960V, 11A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 43 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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HGTG12N60A4

Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail

Produkt ist nicht verfügbar

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HGTG12N60A4

auf Bestellung 9826 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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HGTG12N60A4

Description: IGBT 600V 54A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns
Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 167 W

Produkt ist nicht verfügbar

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HGTG12N60A4D

Description: ONSEMI - HGTG12N60A4D - IGBT, 54 A, 2.7 V, 167 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 54A
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

auf Bestellung 19 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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HGTG12N60A4D

Description: IGBT 600V 54A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns
Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 167 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG12N60A4D
Produktcode: 31158

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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,7 V
Ic 25: 54 A
Ic 100: 23 A
Pd 25: 167 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 17/96

auf Bestellung 22 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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HGTG12N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 419 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

24+	6.15 EUR
29+	4.92 EUR
30+	4.54 EUR
50+	3.96 EUR
100+	3.41 EUR

Mindestbestellmenge: 24

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HGTG12N60A4D

IGBTs 600V N-Channel IGBT SMPS Series

Produkt ist nicht verfügbar

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HGTG12N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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HGTG12N60A4D_NL

IGBT Transistors 600V, SMPS SERIES NCH IGBT W/ ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE

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HGTG12N60B3

Trans IGBT Chip N-CH 600V 27A 104000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail

Produkt ist nicht verfügbar

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HGTG12N60B3

Description: IGBT 600V 27A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns
Switching Energy: 150µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 51 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 104 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG12N60B3D

Description: HGTG12N27600UN-CHANNIGWIANTI-PAR
Packaging: Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

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HGTG12N60C3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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HGTG12N60C3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG12N60C3D

TE Connectivity

Array

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HGTG12N60C3D

HGTG12N60C3D

auf Bestellung 236 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

70+	7.71 EUR
100+	7.06 EUR

Mindestbestellmenge: 70

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HGTG12N60C3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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HGTG12N60C3D

IGBTs 24a 600V IGBT UFS N-Channel

Produkt ist nicht verfügbar

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HGTG12N60C3D

Description: IGBT 600V 24A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247
Switching Energy: 380µJ (on), 900µJ (off)
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W

auf Bestellung 236 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

67+	6.74 EUR

Mindestbestellmenge: 67

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HGTG12N60C3D TO-247
Produktcode: 109889

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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG12N60C3DR

Description: UFS SERIES N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/120ns
Switching Energy: 400µJ (on), 340µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 71 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 104 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG12N60D1D

Description: IGBT 600V 21A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 75 W

auf Bestellung 606 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

47+	9.71 EUR

Mindestbestellmenge: 47

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG12N60D1D

HGTG12N60D1D

auf Bestellung 90 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

49+	11.1 EUR

Mindestbestellmenge: 49

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG12N60D1D

HGTG12N60D1D

auf Bestellung 260 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

49+	11.1 EUR
100+	10.17 EUR

Mindestbestellmenge: 49

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG12N60D1D

HGTG12N60D1D

auf Bestellung 234 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

49+	11.1 EUR
100+	10.17 EUR

Mindestbestellmenge: 49

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HGTG12N60DID

HGTG12N60DID

auf Bestellung 15378 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

97+	5.53 EUR
102+	5.08 EUR
500+	4.62 EUR
1000+	4.21 EUR
10000+	3.79 EUR

Mindestbestellmenge: 97

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG12N60DID

Description: 24A, 600V, RUGGED, UFS SERIES N
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 15378 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

94+	4.83 EUR

Mindestbestellmenge: 94

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG15N1203D

Description: 35A, 1200V, UFS SERIES N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG15N120C3

HGTG15N120C3

auf Bestellung 517 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

77+	7 EUR
100+	6.4 EUR
500+	5.85 EUR

Mindestbestellmenge: 77

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG15N120C3

Description: IGBT 1200V 35A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W

auf Bestellung 517 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

74+	6.12 EUR

Mindestbestellmenge: 74

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG18N120BN

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 390000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG18N120BN

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 390000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG18N120BN

Description: IGBT NPT 1200V 54A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 18A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns
Switching Energy: 800µJ (on), 1.8mJ (off)
Test Condition: 960V, 18A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 165 A
Power - Max: 390 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG18N120BN

IGBT Transistors 54A 1200V N-Ch

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG18N120BND

Description: IGBT NPT 1200V 54A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 18A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns
Switching Energy: 1.9mJ (on), 1.8mJ (off)
Test Condition: 960V, 18A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 390 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG18N120BND

IGBT Transistors 54A 1200V N-Ch w/Ant Parallel Hyprfst Dde

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG18N120BND

Description: ONSEMI - HGTG18N120BND - IGBT, 54 A, 2.7 V, 390 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 54A
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG18N120BND

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 390000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG18N120BND

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 390000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG18N120BND_NL

IGBT Transistors 1200V,54A,NPT SERIES NCH IGBT W/ ANTI-PARALLEL HYPERFAST

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG18N120BN_NL

IGBT Transistors PWR IGBT 36A 1200V N-CHANNEL NPT TO-247

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HGTG201N100E2

Description: HGTG201N100E2
Packaging: Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG20N100D2

Description: IGBT 1000V 34A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.1V @ 10V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 163 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 150 W

auf Bestellung 505 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

35+	13.26 EUR

Mindestbestellmenge: 35

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG20N100D2

HGTG20N100D2

auf Bestellung 493 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

36+	15.05 EUR
100+	13.79 EUR

Mindestbestellmenge: 36

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG20N120C3D

Description: 45A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/110ns
Switching Energy: 2.25mJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 960V, 20A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 186 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 208 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG20N120CN

IGBT Transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG20N120CND

IGBT Transistors

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG20N50C1D

HGTG20N50C1D

auf Bestellung 405 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

44+	12.42 EUR
100+	11.38 EUR

Mindestbestellmenge: 44

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG20N50C1D

HGTG20N50C1D

auf Bestellung 2360 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

44+	12.42 EUR
100+	11.38 EUR
500+	10.38 EUR
1000+	9.44 EUR

Mindestbestellmenge: 44

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG20N50C1D

Description: IGBT 500V 26A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 26 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 75 W

auf Bestellung 2973 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

42+	10.86 EUR

Mindestbestellmenge: 42

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HGTG20N50C1D

HGTG20N50C1D

auf Bestellung 208 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

44+	12.42 EUR
100+	11.38 EUR

Mindestbestellmenge: 44

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HGTG20N60A4

Description: IGBT 600V 70A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/73ns
Switching Energy: 105µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 142 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 290 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG20N60A4
Produktcode: 32885

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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,8
Ic 25: 70
Ic 100: 40
Pd 25: 290
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73

auf Bestellung 1 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	3.36 EUR
10+	2.8 EUR

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HGTG20N60A4

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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HGTG20N60A4

IGBTs 600V N-Channel IGBT SMPS Series

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HGTG20N60A4

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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HGTG20N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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HGTG20N60A4D

IGBTs 600V

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HGTG20N60A4D

Description: ONSEMI - HGTG20N60A4D - IGBT, 70 A, 2.7 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 290W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -

auf Bestellung 1617 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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HGTG20N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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HGTG20N60A4D
Produktcode: 206983

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Alfa@Omega

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: PG-TO247-3
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73

auf Bestellung 10 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

erwartet 10 Stück:

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HGTG20N60A4D

Description: IGBT 600V 70A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/73ns
Switching Energy: 105µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 142 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 290 W

Produkt ist nicht verfügbar

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HGTG20N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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HGTG20N60A4D
Produktcode: 29312

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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,8
Ic 25: 70
Ic 100: 40
Pd 25: 290
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73

verfügbar 6 Stück:

5 Stück - stock Köln
1 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen

1+	3.99 EUR

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HGTG20N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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HGTG20N60A4D_NL

IGBT Transistors 600V, SMPS SERIES NCH IGBT W/ ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE

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HGTG20N60A4_NL

IGBT Transistors PWR IGBT 45A / 600V SMPS N-CH TO-247

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HGTG20N60B3

N/A

09+

auf Bestellung 4518 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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HGTG20N60B3
Produktcode: 63371

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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 2,1
Ic 25: 40
Ic 100: 20
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 25/220

Produkt ist nicht verfügbar

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HGTG20N60B3

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 140 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

31+	4.63 EUR

Mindestbestellmenge: 31

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HGTG20N60B3

Description: IGBT 600V 40A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Switching Energy: 475µJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 165 W

Produkt ist nicht verfügbar

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HGTG20N60B3

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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HGTG20N60B3

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

36+	4 EUR

Mindestbestellmenge: 36

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HGTG20N60B3

auf Bestellung 3150 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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HGTG20N60B3

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

36+	4 EUR

Mindestbestellmenge: 36

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HGTG20N60B3

Description: IGBT 600V 40A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Switching Energy: 475µJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 165 W

auf Bestellung 2057 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

89+	5.11 EUR

Mindestbestellmenge: 89

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HGTG20N60B3

IGBTs 600V N-Channel IGBT UFS Series

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HGTG20N60B3-FS

Description: IGBT 600V 40A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 165 W

auf Bestellung 42154 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

89+	5.11 EUR

Mindestbestellmenge: 89

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HGTG20N60B3D

Description: IGBT 600V 40A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Switching Energy: 475µJ (on), 1.05mJ (off)
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 165 W

Produkt ist nicht verfügbar

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HGTG20N60B3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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HGTG20N60B3D

TE Connectivity

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HGTG20N60B3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 26 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

23+	6.26 EUR
25+	5.7 EUR
26+	5.26 EUR

Mindestbestellmenge: 23

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HGTG20N60B3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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HGTG20N60B3D

IGBTs 600V IGBT UFS N-Channel

Produkt ist nicht verfügbar

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HGTG20N60B3D
Produktcode: 28558

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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 165 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 25/220

auf Bestellung 25 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG20N60B3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 380 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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HGTG20N60B3D

Description: ONSEMI - HGTG20N60B3D - IGBT, 40 A, 1.8 V, 165 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A

auf Bestellung 947 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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HGTG20N60B3D_Q

IGBT Transistors 600V IGBT UFS N-Channel

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HGTG20N60B3_NL

Description: IGBT, 40A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 165 W

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG20N60B3_Q

IGBTs 600V N-Channel IGBT UFS Series

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HGTG20N60C3

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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HGTG20N60C3

IGBT Transistors

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HGTG20N60C3D

Description: IGBT 600V 45A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/151ns
Switching Energy: 500µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 91 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 164 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG20N60C3D

Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers UFS 20A 600V N-Ch

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG20N60C3D

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG20N60C3D_NL

IGBT Transistors 600V, 45A, NCH IGBT W/ ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE

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HGTG20N60C3R

HGTG20N60C3R

auf Bestellung 2150 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

142+	3.78 EUR
500+	3.46 EUR
1000+	3.15 EUR

Mindestbestellmenge: 142

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG20N60C3R

HGTG20N60C3R

auf Bestellung 2158 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

142+	3.78 EUR
500+	3.46 EUR
1000+	3.15 EUR

Mindestbestellmenge: 142

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG20N60C3R

Description: IGBT 600V 40A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 116 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 164 W

auf Bestellung 4575 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

130+	3.48 EUR

Mindestbestellmenge: 130

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG20N60C3R

HGTG20N60C3R

auf Bestellung 189 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

142+	3.78 EUR

Mindestbestellmenge: 142

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG24N60D1

HGTG24N60D1

auf Bestellung 15542 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

37+	14.49 EUR
100+	13.27 EUR
500+	12.12 EUR
1000+	11 EUR
10000+	9.94 EUR

Mindestbestellmenge: 37

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG24N60D1

9718

auf Bestellung 47 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG24N60D1

Description: IGBT 600V 40A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 125 W

auf Bestellung 24999 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

36+	12.76 EUR

Mindestbestellmenge: 36

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG24N60D1

HGTG24N60D1

auf Bestellung 8662 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

37+	14.49 EUR
100+	13.27 EUR
500+	12.12 EUR
1000+	11 EUR

Mindestbestellmenge: 37

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG24N60D1

HGTG24N60D1

auf Bestellung 794 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

37+	14.49 EUR
100+	13.27 EUR
500+	12.12 EUR

Mindestbestellmenge: 37

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG24N60D1D

HGTG24N60D1D

auf Bestellung 8180 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

32+	16.87 EUR
100+	15.46 EUR
500+	14.11 EUR
1000+	12.8 EUR

Mindestbestellmenge: 32

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG24N60D1D

HGTG24N60D1D

auf Bestellung 912 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

32+	16.87 EUR
100+	15.46 EUR
500+	14.11 EUR

Mindestbestellmenge: 32

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG24N60D1D

Description: IGBT 600V 40A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 125 W

auf Bestellung 9092 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

31+	14.87 EUR

Mindestbestellmenge: 31

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG24N60DID

Description: 40A, 600V, RUGGED UFS SERIES N-C
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG27N120BN

Description: IGBT NPT 1200V 72A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 27A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/195ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 2.3mJ (off)
Test Condition: 960V, 27A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 270 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 72 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 216 A
Power - Max: 500 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG27N120BN

Description: ONSEMI - HGTG27N120BN - IGBT, 72 A, 2.7 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
DC-Kollektorstrom: 72
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (27-Jun-2018)

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HGTG27N120BN

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 72A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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HGTG27N120BN

IGBT Transistors 72A 1200V NPT Series N-Ch IGBT

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HGTG27N120BN

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 72A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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HGTG27N120BN

FAIRCHIL

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HGTG27N60C3DR

HGTG27N60C3DR

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52+	10.48 EUR

Mindestbestellmenge: 52

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HGTG27N60C3DR

Description: IGBT 600V 54A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 27A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 212 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 108 A
Power - Max: 208 W

auf Bestellung 68 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

50+	9.23 EUR

Mindestbestellmenge: 50

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HGTG27N60C3R

auf Bestellung 297 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

101+	4.49 EUR

Mindestbestellmenge: 101

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HGTG27N60C3R

HGTG27N60C3R

auf Bestellung 147 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

111+	4.86 EUR

Mindestbestellmenge: 111

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HGTG27N60C3R

HGTG27N60C3R

auf Bestellung 150 Stücke:

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111+	4.86 EUR

Mindestbestellmenge: 111

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HGTG2ON60C3DR

HGTG2ON60C3DR

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109+	4.93 EUR

Mindestbestellmenge: 109

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HGTG2ON60C3DR

Description: 40A, 600V, RUGGED UFS SERIES N C
Packaging: Bulk

auf Bestellung 302 Stücke:

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100+	4.58 EUR

Mindestbestellmenge: 100

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HGTG30N120CN

IGBT Transistors

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HGTG30N120CN

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HGTG30N60A4

Description: ONSEMI - HGTG30N60A4 - IGBT, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.6
Verlustleistung Pd: 463
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 75
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

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HGTG30N60A4

Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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HGTG30N60A4
Produktcode: 42509

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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,8
Ic 25: 75
Ic 100: 60
Pd 25: 463
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 25/150

auf Bestellung 1 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	3.4 EUR
10+	3.2 EUR

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HGTG30N60A4

Description: IGBT 600V 75A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Switching Energy: 280µJ (on), 240µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W

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HGTG30N60A4

Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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HGTG30N60A4

IGBTs 600V N-Channel IGBT SMPS Series

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HGTG30N60A4D

Description: IGBT 600V 75A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Switching Energy: 280µJ (on), 240µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W

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HGTG30N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 463W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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HGTG30N60A4D

IGBTs 600V N-Channel IGBT SMPS Series

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HGTG30N60A4D

Description: ONSEMI - HGTG30N60A4D - IGBT, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 463W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

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HGTG30N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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HGTG30N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 463W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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HGTG30N60A4D
Produktcode: 31842

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Intersil

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,8
Ic 25: 75
Ic 100: 60
Pd 25: 463
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 24/180

auf Bestellung 8 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

erwartet 10 Stück:

1+	4 EUR
10+	3.6 EUR

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HGTG30N60B3

IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT UFS Series

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HGTG30N60B3

HGTG30N60B3

auf Bestellung 732 Stücke:

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110+	4.87 EUR
500+	4.44 EUR

Mindestbestellmenge: 110

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HGTG30N60B3

auf Bestellung 50000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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HGTG30N60B3

Description: ONSEMI - HGTG30N60B3 - IGBT, 60 A, 1.45 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

auf Bestellung 16153 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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HGTG30N60B3

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 208000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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HGTG30N60B3

HGTG30N60B3

auf Bestellung 15421 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

110+	4.87 EUR
500+	4.44 EUR
1000+	4.04 EUR
10000+	3.67 EUR

Mindestbestellmenge: 110

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HGTG30N60B3

Description: IGBT 600V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/137ns
Switching Energy: 500µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 208 W

auf Bestellung 16153 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

101+	4.47 EUR

Mindestbestellmenge: 101

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HGTG30N60B3

FSC 06+ TO-3P

auf Bestellung 1200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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HGTG30N60B3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 208000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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HGTG30N60B3D

Description: IGBT 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/137ns
Switching Energy: 550µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 208 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG30N60B3D
Produktcode: 95788

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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG30N60B3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 208000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 19 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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HGTG30N60B3D

IGBTs 600V IGBT UFS N-Channel

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HGTG30N60B3D..

Description: ONSEMI - HGTG30N60B3D.. - IGBT, 60 A, 1.9 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.9
DC-Kollektorstrom: 60
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 208
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG30N60B3D_NL

IGBT Transistors 600V,60A,UFS SERIES NCH IGBT W/ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE

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HGTG30N60B3D_Q

IGBT Transistors 600V IGBT UFS N-Channel

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HGTG30N60B3_NL

HGTG30N60B3_NL

auf Bestellung 51 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

44+	9.8 EUR

Mindestbestellmenge: 44

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HGTG30N60B3_NL

Description: IGBT NPT 600V 60A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/137ns
Switching Energy: 550µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 480V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 208 W

auf Bestellung 51 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

51+	8.82 EUR

Mindestbestellmenge: 51

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HGTG30N60C3

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG30N60C3

Description: IGBT 600V 63A SUPER-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: SUPER-247 (TO-274AA)
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/320ns
Switching Energy: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A
Power - Max: 208 W

auf Bestellung 1321 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

131+	3.45 EUR

Mindestbestellmenge: 131

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG30N60C3

HGTG30N60C3

auf Bestellung 1321 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

143+	3.75 EUR
500+	3.43 EUR
1000+	3.12 EUR

Mindestbestellmenge: 143

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG30N60C3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 5250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

48+	11.26 EUR
100+	10.31 EUR
500+	9.41 EUR
1000+	8.54 EUR

Mindestbestellmenge: 48

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG30N60C3D

Description: IGBT 600V 63A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Switching Energy: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off)
Gate Charge: 162 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A
Power - Max: 208 W

auf Bestellung 5413 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

46+	9.84 EUR

Mindestbestellmenge: 46

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HGTG30N60C3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 77 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

22+	6.72 EUR

Mindestbestellmenge: 22

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG30N60C3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 71 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

48+	11.26 EUR

Mindestbestellmenge: 48

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HGTG30N60C3D

IGBT Transistors 63a 600V NCh IGBT Hyperfast anti-para

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG30N60C3D

Description: ONSEMI - HGTG30N60C3D - IGBT, 63 A, 1.8 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8
DC-Kollektorstrom: 63
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 208
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

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HGTG30N60C3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 72 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

48+	11.26 EUR

Mindestbestellmenge: 48

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HGTG30N60C3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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HGTG30N60C3D

Description: IGBT 600V 63A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Switching Energy: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off)
Gate Charge: 162 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A
Power - Max: 208 W

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HGTG30N60C3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 77 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

22+	6.72 EUR

Mindestbestellmenge: 22

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HGTG30N60C3D_NL

IGBT Transistors 600V,63A,UFS,SERIES NCH IGBT W/ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE

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HGTG30N60C3D_NL

Description: IGBT, 63A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 250 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A
Power - Max: 208 W

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HGTG32N60E2

HGTG32N60E2

auf Bestellung 1181 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

42+	12.89 EUR
100+	11.81 EUR
500+	10.77 EUR
1000+	9.79 EUR

Mindestbestellmenge: 42

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG32N60E2

HGTG32N60E2

auf Bestellung 1098 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

42+	12.89 EUR
100+	11.81 EUR
500+	10.77 EUR
1000+	9.79 EUR

Mindestbestellmenge: 42

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG32N60E2

HGTG32N60E2

auf Bestellung 390 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

42+	12.89 EUR
100+	11.81 EUR

Mindestbestellmenge: 42

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG32N60E2

Description: IGBT 600V 50A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 265 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 208 W

auf Bestellung 2969 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

40+	11.36 EUR

Mindestbestellmenge: 40

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HGTG32N60E2

HGTG32N60E2

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

42+	12.89 EUR
100+	11.81 EUR

Mindestbestellmenge: 42

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HGTG34N100E2

Description: IGBT 1000V 55A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 34A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 240 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 208 W

auf Bestellung 1350 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

39+	11.69 EUR

Mindestbestellmenge: 39

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HGTG34N100E2

HGTG34N100E2

auf Bestellung 1350 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

41+	13.26 EUR
100+	12.15 EUR
500+	11.09 EUR
1000+	10.07 EUR

Mindestbestellmenge: 41

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HGTG40N60A4

Description: IGBT 600V 75A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/145ns
Switching Energy: 400µJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 390V, 40A, 2.2Ohm, 15V
Gate Charge: 350 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 625 W

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HGTG40N60A4
Produktcode: 47773

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HGTG40N60A4

Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 625000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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HGTG40N60A4

Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 625W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 103 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	9.2 EUR
18+	7.76 EUR

Mindestbestellmenge: 16

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HGTG40N60A4

IGBTs 600V N-Channel IGBT SMPS Series

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HGTG40N60A4

ON-Semicoductor

Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 625000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 HGTG40N60A4 THGTG40n60a4
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke

auf Bestellung 17 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	27.16 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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HGTG40N60B3

Description: ONSEMI - HGTG40N60B3 - IGBT, 70 A, 2 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2
DC-Kollektorstrom: 70
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 290
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

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HGTG40N60B3

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

7+	21.77 EUR
10+	19.33 EUR
25+	18.39 EUR
100+	15.17 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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HGTG40N60B3

IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT UFS Series

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HGTG40N60B3

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 413 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	13.76 EUR

Mindestbestellmenge: 11

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HGTG40N60B3

FAIRCHIL

05+ BGA

auf Bestellung 80 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG40N60B3

Description: IGBT 600V 70A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/170ns
Switching Energy: 1.05mJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 480V, 40A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 330 A
Power - Max: 290 W

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG40N60B3
Produktcode: 148092

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HGTG40N60B3

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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HGTG40N60B3

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 413 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	13.76 EUR

Mindestbestellmenge: 11

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HGTG40N60B3-FS

Description: 70A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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HGTG40N60C3

HGTG40N60C3

auf Bestellung 89 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

55+	9.84 EUR

Mindestbestellmenge: 55

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG40N60C3

Description: IGBT 600V 75A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/185ns
Switching Energy: 850mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 480V, 40A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 395 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 291 W

auf Bestellung 89 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

53+	8.53 EUR

Mindestbestellmenge: 53

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HGTG40N60C3R

HGTG40N60C3R

auf Bestellung 45 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

40+	13.58 EUR

Mindestbestellmenge: 40

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG40N60C3R

Description: IGBT 600V 75A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 330 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 291 W

auf Bestellung 45 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

38+	11.78 EUR

Mindestbestellmenge: 38

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HGTG5N120BND

Description: IGBT NPT 1200V 21A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/160ns
Switching Energy: 450µJ (on), 390µJ (off)
Test Condition: 960V, 5A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 167 W

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HGTG5N120BND
Produktcode: 58070

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HGTG5N120BND

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 21A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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HGTG5N120BND

Description: ONSEMI - HGTG5N120BND - IGBT, 21 A, 2.7 V, 167 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
DC-Kollektorstrom: 21
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 167
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

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HGTG5N120BND

IGBTs 21a 1200V IGBT NPT Series N-Ch

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG5N120BND

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 21A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 412 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

202+	2.66 EUR

Mindestbestellmenge: 202

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HGTG5N120BND

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 21A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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HGTG7N60A4

IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT SMPS Series

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HGTG7N60A4

Description: IGBT 600V 34A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/100ns
Switching Energy: 55µJ (on), 60µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 125 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG7N60A4D

03+

auf Bestellung 50000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG7N60A4D

Description: IGBT 600V 34A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/100ns
Switching Energy: 55µJ (on), 60µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 125 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG7N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG7N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG7N60A4D

Description: IGBT 600V 34A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/100ns
Switching Energy: 55µJ (on), 60µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 125 W

auf Bestellung 82 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

82+	5.49 EUR

Mindestbestellmenge: 82

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG7N60A4D

IGBT Transistors 600V N-Ch IGBT SMPS Series HF

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTG7N60A4D_Q

Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers 600V N-Ch IGBT SMPS Series HF

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTH12N40C1D

Description: 12A, 400V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A
Power - Max: 75 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTH12N40CID

Description: 12A, 400V, N CHANNEL IGBT WITH A
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

128+	3.5 EUR

Mindestbestellmenge: 128

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTH12N40E1D

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTH12N50C1

Description: 12A, 500V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A
Power - Max: 75 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTH12N50C1D

Description: IGBT 500V 12A TO-218 ISOLATED
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A
Power - Max: 75 W

auf Bestellung 483 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

128+	3.82 EUR

Mindestbestellmenge: 128

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTH12N50CID

Description: 12A, 500V, N CHANNEL IGBT WITH A
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 1374 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

128+	3.82 EUR

Mindestbestellmenge: 128

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTH20N40C1

Description: 20A, 400V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 100 W

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTH20N40C1D

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTH20N50C1

Description: IGBT 500V 20A TO-218 ISOLATED
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 100 W

auf Bestellung 4984 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

47+	9.68 EUR

Mindestbestellmenge: 47

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTH20N50E1

auf Bestellung 287 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

94+	4.83 EUR

Mindestbestellmenge: 94

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTH20N50E1D

auf Bestellung 146 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

94+	4.83 EUR

Mindestbestellmenge: 94

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTH20N50EID

Description: 20A, 500V, N CHANNEL IGBT WITH A
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 1433 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

94+	4.83 EUR

Mindestbestellmenge: 94

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTIS20N60C3RS

Description: HGTIS20N60C3RS
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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HGTP10N120BN

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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HGTP10N120BN

Description: IGBT NPT 1200V 35A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns
Switching Energy: 320µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP10N120BN

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP10N120BN

IGBTs 35A 1200V N-Ch

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP10N120BN

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP10N120BN

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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HGTP10N120BN
Produktcode: 121310

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HGTP10N40C1

HGTP10N40C1

auf Bestellung 370 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

219+	2.45 EUR

Mindestbestellmenge: 219

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HGTP10N40C1

HGTP10N40C1

auf Bestellung 1007 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

219+	2.45 EUR
500+	2.13 EUR
1000+	1.89 EUR

Mindestbestellmenge: 219

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP10N40C1

Description: IGBT 400V 10A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A
Supplier Device Package: TO-220-3
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A
Power - Max: 60 W

auf Bestellung 1977 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

256+	1.98 EUR

Mindestbestellmenge: 256

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP10N40C1

HGTP10N40C1

auf Bestellung 462 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

219+	2.45 EUR

Mindestbestellmenge: 219

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP10N40C1D

Description: 17.5A, 400V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A
Supplier Device Package: TO-220
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 17.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 75 W

auf Bestellung 206 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

107+	4.74 EUR

Mindestbestellmenge: 107

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP10N40C1D

HGTP10N40C1D

auf Bestellung 206 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

123+	4.36 EUR

Mindestbestellmenge: 123

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP10N40E1

Description: 10A, 400V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A
Supplier Device Package: TO-220-3
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A
Power - Max: 60 W

auf Bestellung 267 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

267+	1.98 EUR

Mindestbestellmenge: 267

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP10N40E1D

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP10N40EID

Description: 17.5A, 400V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 225 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

225+	2.65 EUR

Mindestbestellmenge: 225

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP10N40F1D

HGTP10N40F1D

auf Bestellung 806 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

268+	2 EUR
500+	1.74 EUR

Mindestbestellmenge: 268

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP10N40F1D

Description: 12A, 400V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 5A
Supplier Device Package: TO-220
Gate Charge: 13.4 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

auf Bestellung 806 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

314+	1.61 EUR

Mindestbestellmenge: 314

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP10N50C1

INTERSIL

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP10N50E1

HGTP10N50E1

auf Bestellung 7100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

165+	3.25 EUR
500+	2.98 EUR
1000+	2.7 EUR

Mindestbestellmenge: 165

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP10N50E1

Description: IGBT 500V 10A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A
Supplier Device Package: TO-220-3
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A
Power - Max: 60 W

auf Bestellung 14643 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

151+	3.09 EUR

Mindestbestellmenge: 151

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP10N50E1

HGTP10N50E1

auf Bestellung 316 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

165+	3.25 EUR

Mindestbestellmenge: 165

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP10N50E1

HGTP10N50E1

auf Bestellung 7227 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

165+	3.25 EUR
500+	2.98 EUR
1000+	2.7 EUR

Mindestbestellmenge: 165

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP10N50E1D

HGTP10N50E1D

auf Bestellung 444 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

111+	4.86 EUR

Mindestbestellmenge: 111

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP10N50E1D

HGTP10N50E1D

auf Bestellung 3196 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

111+	4.86 EUR
500+	4.42 EUR
1000+	4.03 EUR

Mindestbestellmenge: 111

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP10N50E1D

Description: IGBT 500V 17.5A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A
Supplier Device Package: TO-220
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 17.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 75 W

auf Bestellung 3712 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

101+	4.6 EUR

Mindestbestellmenge: 101

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP12N6001

Description: HGTP12N6001
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 568 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

143+	3.26 EUR

Mindestbestellmenge: 143

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP12N60A4

Description: IGBT 600V 54A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns
Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 167 W

auf Bestellung 900 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

342+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 342

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP12N60A4

HGTP12N60A4

auf Bestellung 900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

355+	1.51 EUR
500+	1.31 EUR

Mindestbestellmenge: 355

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP12N60A4

IGBTs 600V N-Channel IGBT SMPS Series

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP12N60A4

Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP12N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 11800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

192+	2.8 EUR
500+	2.56 EUR
1000+	2.32 EUR
10000+	2.1 EUR

Mindestbestellmenge: 192

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP12N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP12N60A4D

Description: IGBT 600V 54A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns
Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 167 W

auf Bestellung 76296 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

175+	2.58 EUR

Mindestbestellmenge: 175

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP12N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 64486 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

192+	2.8 EUR
500+	2.56 EUR
1000+	2.32 EUR
10000+	2.1 EUR

Mindestbestellmenge: 192

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP12N60C3

Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP12N60C3

Description: IGBT 600V 24A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
Switching Energy: 380µJ (on), 900µJ (off)
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP12N60C3

IGBTs 24a 600V N-Ch IGBT UFS Series

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP12N60C3
Produktcode: 99779

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP12N60C3D
Produktcode: 122684

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,65 V
Ic 25: 24 A
Ic 100: 12 А
Pd 25: 104 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 28/270

auf Bestellung 14 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP12N60C3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP12N60C3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP12N60C3D

Description: IGBT 600V 24A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220-3
Switching Energy: 380µJ (on), 900µJ (off)
Gate Charge: 48 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP12N60C3D

IGBT Transistors HGTP12N60C3D

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP12N60C3R

HGTP12N60C3R

auf Bestellung 2724 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

203+	2.64 EUR
500+	2.29 EUR
1000+	2.04 EUR

Mindestbestellmenge: 203

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP12N60C3R

Description: IGBT 600V 24A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/120ns
Switching Energy: 400µJ (on), 340µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 71 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 104 W

auf Bestellung 2724 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

195+	2.31 EUR

Mindestbestellmenge: 195

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP14N0FVLR4600

Description: HGTP14N0FVLR4600
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP14N36G3VL

Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers 14a 380V Logic Level

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP14N36G3VL

Description: Insulated Gate Bipolar Transisto
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 5V, 14A
Supplier Device Package: TO-220AB
IGBT Type: Trench
Gate Charge: 24 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V
Power - Max: 100 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP14N40F3VL

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP14N40F3VL

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP14N44G3VL

Description: IGBT, 27A, 490V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4.5V, 8A
Supplier Device Package: TO-220AB
Td (on/off) @ 25°C: -/18µs
Test Condition: 300V, 7.5A, 1kOhm, 5V
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 490 V
Power - Max: 231 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP15N40C1

HGTP15N40C1

auf Bestellung 354 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

111+	4.86 EUR

Mindestbestellmenge: 111

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP15N40C1

Description: IGBT 400V 15A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-220
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 75 W

auf Bestellung 368 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

101+	4.58 EUR

Mindestbestellmenge: 101

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP15N40E1

HGTP15N40E1

auf Bestellung 393 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

210+	2.55 EUR

Mindestbestellmenge: 210

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP15N40E1

auf Bestellung 488 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

192+	2.42 EUR

Mindestbestellmenge: 192

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP15N50C1

Description: IGBT 500V 15A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-220
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 75 W

auf Bestellung 8333 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

88+	5.16 EUR

Mindestbestellmenge: 88

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP15N50C1

HGTP15N50C1

auf Bestellung 1670 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

92+	5.85 EUR
100+	5.37 EUR
500+	4.89 EUR
1000+	4.45 EUR

Mindestbestellmenge: 92

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP15N50C1

HGTP15N50C1

auf Bestellung 6263 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

92+	5.85 EUR
100+	5.37 EUR
500+	4.89 EUR
1000+	4.45 EUR

Mindestbestellmenge: 92

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP15N50C1

HGTP15N50C1

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

92+	5.85 EUR
100+	5.37 EUR

Mindestbestellmenge: 92

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP15N50E1

HGTP15N50E1

auf Bestellung 933 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

210+	2.55 EUR
500+	2.34 EUR

Mindestbestellmenge: 210

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP15N50E1

HGTP15N50E1

auf Bestellung 463 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

210+	2.55 EUR

Mindestbestellmenge: 210

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP15N50E1

auf Bestellung 1985 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

181+	2.8 EUR

Mindestbestellmenge: 181

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP15N50E1

HGTP15N50E1

auf Bestellung 589 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

210+	2.55 EUR
500+	2.34 EUR

Mindestbestellmenge: 210

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP1N120BND

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP20N35F3ULR3935

Description: 20A, 350V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

156+	3.22 EUR

Mindestbestellmenge: 156

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP20N35F3ULR3935

HGTP20N35F3ULR3935

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

181+	2.96 EUR
500+	2.72 EUR

Mindestbestellmenge: 181

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP20N35F3VL

Description: 20A, 350V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 1350 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

156+	3.22 EUR

Mindestbestellmenge: 156

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP20N35F3VL

HGTP20N35F3VL

auf Bestellung 1350 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

181+	2.96 EUR
500+	2.72 EUR
1000+	2.47 EUR

Mindestbestellmenge: 181

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP20N35G3VL

Description: ONSEMI - HGTP20N35G3VL - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 326 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP20N35G3VL

Description: IGBT, 20A, 320V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 5V, 20A
Supplier Device Package: TO-220AB
Gate Charge: 28.7 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 380 V
Power - Max: 150 W

auf Bestellung 326 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

202+	2.5 EUR

Mindestbestellmenge: 202

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HGTP20N35G3VL

HGTP20N35G3VL

auf Bestellung 326 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

235+	2.28 EUR

Mindestbestellmenge: 235

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HGTP20N60A4

Transistor IGBT ; 600V; 20V; 70A; 280A; 290W; 4,5V~7,0V; 210nC; -55°C~150°C; HGTP20N60A4 THGTP20n60a4
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 47 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

5+	7.36 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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HGTP20N60A4

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

166+	3.23 EUR
500+	2.94 EUR

Mindestbestellmenge: 166

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HGTP20N60A4

IGBTs 600V N-Channel IGBT SMPS Series

Produkt ist nicht verfügbar

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HGTP20N60A4

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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HGTP20N60A4
Produktcode: 61820

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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73

auf Bestellung 70 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

erwartet 20 Stück:

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP20N60A4

Description: IGBT 600V 70A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/73ns
Switching Energy: 105µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 142 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 290 W

Produkt ist nicht verfügbar

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HGTP20N60A4_NL

IGBT Transistors PWR IGBT 45A,600V SMPS N-CH TO-22-A

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HGTP20N60B3

IGBT Transistors TO-220

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HGTP20N60C3

IGBTs

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HGTP20N60C3R

Description: IGBT 600V 45A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 24 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/151ns
Switching Energy: 500µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 122 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 164 W

auf Bestellung 79 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

65+	6.96 EUR

Mindestbestellmenge: 65

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HGTP20N60C3R

HGTP20N60C3R

auf Bestellung 79 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

68+	7.96 EUR

Mindestbestellmenge: 68

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HGTP2N120CN

Description: IGBT 1200V 13A 104W TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2.6A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/205ns
Switching Energy: 96µJ (on), 355µJ (off)
Test Condition: 960V, 2.6A, 51Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 13 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 104 W

Produkt ist nicht verfügbar

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HGTP30N60C3D

TO-220

auf Bestellung 1962 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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HGTP3N60A4

Trans IGBT Chip N-CH 600V 17A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1208 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

248+	2.16 EUR
500+	1.96 EUR
1000+	1.79 EUR

Mindestbestellmenge: 248

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HGTP3N60A4
Produktcode: 104967

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ZCODE: 8541290010

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HGTP3N60A4

fairchild

2011+

auf Bestellung 17 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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HGTP3N60A4

HGTP3N60A4

auf Bestellung 638 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

248+	2.16 EUR
500+	1.96 EUR

Mindestbestellmenge: 248

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP3N60A4

Description: IGBT 600V 17A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/73ns
Switching Energy: 37µJ (on), 25µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 70 W

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HGTP3N60A4

Trans IGBT Chip N-CH 600V 17A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1019 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

248+	2.16 EUR
500+	1.96 EUR
1000+	1.79 EUR

Mindestbestellmenge: 248

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HGTP3N60A4

IGBTs 600V N-Channel IGBT NPT Series

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HGTP3N60A4

auf Bestellung 106637 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

216+	2.33 EUR

Mindestbestellmenge: 216

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HGTP3N60A4

Trans IGBT Chip N-CH 600V 17A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 104431 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

248+	2.16 EUR
500+	1.96 EUR
1000+	1.79 EUR
10000+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 248

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HGTP3N60A4D

IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT SMPS Series

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HGTP3N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 17A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

auf Bestellung 1200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

193+	2.78 EUR
500+	2.41 EUR
1000+	2.14 EUR

Mindestbestellmenge: 193

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP3N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 17A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

auf Bestellung 21768 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

193+	2.78 EUR
500+	2.41 EUR
1000+	2.14 EUR
10000+	1.83 EUR

Mindestbestellmenge: 193

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP3N60A4D

Description: IGBT 600V 17A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/73ns
Switching Energy: 37µJ (on), 25µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 70 W

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP3N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 17A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

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HGTP3N60A4D
Produktcode: 104968

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Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541290010

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HGTP3N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 17A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

auf Bestellung 2360 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

193+	2.78 EUR
500+	2.41 EUR
1000+	2.14 EUR

Mindestbestellmenge: 193

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP3N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 17A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP3N60A4D

Description: IGBT 600V 17A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/73ns
Switching Energy: 37µJ (on), 25µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 70 W

Produkt ist nicht verfügbar

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HGTP3N60A4D_NL

IGBT Transistors PWR IGBT 7A,600V,SMPS SERIES N-CH W/DIODE TO-220AB

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HGTP3N60A4_NL

IGBT Transistors PWR IGBT 7A,600V,SMPS SERIES N-CH W/DIODE TO-220AB

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HGTP3N60B3

HGTP3N60B3

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

494+	1.08 EUR
549+	0.94 EUR
1000+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 494

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP3N60B3

Description: IGBT 600V 7A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 3.5A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns
Switching Energy: 66µJ (on), 88µJ (off)
Test Condition: 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 33.3 W

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

579+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 579

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP3N60B3R4724

HGTP3N60B3R4724

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

494+	1.08 EUR
549+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 494

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP3N60B3R4724

Description: 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

579+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 579

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP3N60C3

HGTP3N60C3

auf Bestellung 5993 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

494+	1.08 EUR
549+	0.94 EUR
1000+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 494

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP3N60C3

Description: IGBT 600V 6A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-220AB
Gate Charge: 17.3 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 33 W

auf Bestellung 5993 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

579+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 579

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP5N120BND

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 21A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

181+	2.96 EUR
500+	2.72 EUR
1000+	2.47 EUR

Mindestbestellmenge: 181

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP5N120BND

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 21A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 29600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

181+	2.96 EUR
500+	2.72 EUR
1000+	2.47 EUR
10000+	2.23 EUR

Mindestbestellmenge: 181

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP5N120BND

fairchild

2011+

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP5N120BND

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 21A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP5N120BND

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 21A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 750 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

181+	2.96 EUR
500+	2.72 EUR

Mindestbestellmenge: 181

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP5N120BND

FAIRCHIL..

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP5N120BND

IGBT Transistors 21a 1200V IGBT NPT Series N-Ch

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP5N120BND

Description: IGBT NPT 1200V 21A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/160ns
Switching Energy: 450µJ (on), 390µJ (off)
Test Condition: 960V, 5A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 167 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP5N120CN

Description: IGBT, 25A, 1200V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 5.5A
Supplier Device Package: TO-220AB
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/180ns
Switching Energy: 400µJ (on), 640µJ (off)
Test Condition: 960V, 5.5A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 167 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP6N40E1D

Description: 7.5A, 400V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 3A
Supplier Device Package: TO-220
Gate Charge: 6.9 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A
Power - Max: 75 W

auf Bestellung 1131 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

423+	1.16 EUR

Mindestbestellmenge: 423

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP6N40E1D

HGTP6N40E1D

auf Bestellung 1131 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

361+	1.49 EUR
500+	1.29 EUR
1000+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 361

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP6N40EID

HGTP6N40EID

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

361+	1.49 EUR
500+	1.29 EUR

Mindestbestellmenge: 361

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP6N40EID

Description: 7.5A, 400V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

423+	1.16 EUR

Mindestbestellmenge: 423

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP7N60A4

fairchild

2011+

auf Bestellung 13 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP7N60A4

Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP7N60A4

Description: IGBT 600V 34A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/100ns
Switching Energy: 55µJ (on), 60µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 125 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP7N60A4

IGBTs 600V N-Channel IGBT SMPS Series

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP7N60A4

Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 125W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

205+	2.62 EUR
500+	2.27 EUR

Mindestbestellmenge: 205

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP7N60A4

Description: ONSEMI - HGTP7N60A4 - IGBT, 34 A, 2.7 V, 125 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
DC-Kollektorstrom: 34
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 125
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

auf Bestellung 6 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HGTP7N60A4-F102

Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers N-Ch / 7A 600V SMPS 1 IGBT

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HGTP7N60A4-F102

600V, SMPS IGBT

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HGTP7N60A4-F102

Description: ONSEMI - HGTP7N60A4-F102 - IGBT, 600V, SMPS
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

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HGTP7N60A4-F102

600V, SMPS IGBT

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HGTP7N60A4-F102

Description: IGBT 600V 34A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/100ns
Switching Energy: 55µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 60 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 125 W

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HGTP7N60A4D

Description: IGBT 600V 34A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/100ns
Switching Energy: 55µJ (on), 60µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 125 W

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HGTP7N60A4D
Produktcode: 103567

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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
ZCODE: 8541290010

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HGTP7N60A4D

Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers 600V N-Ch IGBT SMPS Series HF

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HGTP7N60A4_NL

Description: IGBT 600V 34A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/100ns
Switching Energy: 55µJ (on), 60µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 125 W

auf Bestellung 111 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

111+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 111

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HGTP7N60A4_NL

IGBT Transistors PWR IGBT 12A,600V,SMPS SEREIES N-CH TO-220ABO-220AB

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HGTP7N60B3D

HGTP7N60B3D

auf Bestellung 350 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

237+	2.27 EUR

Mindestbestellmenge: 237

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HGTP7N60B3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 60W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

auf Bestellung 2247 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

237+	2.27 EUR
500+	1.96 EUR
1000+	1.74 EUR

Mindestbestellmenge: 237

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HGTP7N60B3D

Description: IGBT 600V 14A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W

auf Bestellung 2247 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

228+	1.98 EUR

Mindestbestellmenge: 228

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HGTP7N60B3D

HGTP7N60B3D

auf Bestellung 16393 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

237+	2.27 EUR
500+	1.96 EUR
1000+	1.74 EUR
10000+	1.5 EUR

Mindestbestellmenge: 237

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HGTP7N60B3D

Description: IGBT 600V 14A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220AB
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W

auf Bestellung 16743 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

228+	1.98 EUR

Mindestbestellmenge: 228

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HGTP7N60B3D

IGBT Transistors PWR IGBT 14A 600V N-CHANNEL

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HGTP7N60B3D

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HGTP7N60C3

IGBT Transistors

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HGTP7N60C3

Description: IGBT 600V 14A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220AB
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W

auf Bestellung 450 Stücke:

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322+	1.44 EUR

Mindestbestellmenge: 322

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HGTP7N60C3D

IGBT Transistors 14a 600V N-Ch IGBT UFS Series

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HGTP7N60C3D
Produktcode: 49546

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HGTP7N60C3D

Description: IGBT 600V 14A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220-3
Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W

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HGTP7N60C3D

06+ SMD

auf Bestellung 62 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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HGTP7N60C3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

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HGTP7N60C3D

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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HGTP7N60C3D_NL

IGBT Transistors 600V,14A,UFS SERIES NCH IGBT W/ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE

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HGTQSS-18U-12

OMEGA

Description: OMEGA - HGTQSS-18U-12 - Thermoelement, T, 0 °C, 315 °C, Edelstahl
Tastkopf-/Messfühlerlänge, imperial: 12
Tastkopf-/Messfühlerlänge, metrisch: 304.8
Sensorgehäusematerial: Edelstahl
Anschlusslänge - metrisch: -
Anschlusslänge - imperial: -
Tastkopf-/Messfühlerdurchmesser, imperial: 0.125
Erfassungstemperatur, min.: 0
Tastkopf-/Messfühlerdurchmesser, metrisch: 3.18
Erfassungstemperatur, max.: 315
Produktpalette: -
Thermoelement: T
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

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HGTQSS-18U-6

OMEGA

Description: OMEGA - HGTQSS-18U-6 - Thermoelement, T, 0 °C, 315 °C, Edelstahl
Tastkopf-/Messfühlerlänge, imperial: 6
Tastkopf-/Messfühlerlänge, metrisch: 152.4
Sensorgehäusematerial: Edelstahl
Anschlusslänge - metrisch: -
Anschlusslänge - imperial: -
Tastkopf-/Messfühlerdurchmesser, imperial: 0.125
Erfassungstemperatur, min.: 0
Tastkopf-/Messfühlerdurchmesser, metrisch: 3.18
Erfassungstemperatur, max.: 315
Produktpalette: -
Thermoelement: T
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

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HGTQSS-18U-6

Omega

Description: LOW NOISE THERMOCOUPLE PROBE, HI
Packaging: Bulk

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HGTR-000.5RR

Description: HOSA - HGTR-000.5RR - 6 INCH PRO GUITAR PATCH CABLE 20AWG REAN RA TO SAME
Kabellänge - Imperial: 6
Mantelfarbe: Black
Steckverbinder A: 1/4" Mono Phone Plug
Kabellänge - Metrisch: 152.4
Steckverbinder B: 1/4" Mono Phone Plug
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)

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HGTR-001RR

Description: HOSA - HGTR-001RR - 12 INCH PRO GUITAR PATCH CABLE20AWG REAN RA TO SAME
Kabellänge - Imperial: 12
Mantelfarbe: Black
Steckverbinder A: 1/4" Mono Phone Plug
Kabellänge - Metrisch: 305
Steckverbinder B: 1/4" Mono Phone Plug
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)

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HGTR-010

Description: HOSA - HGTR-010 - 10FT PRO GUITAR CABLE 20AWG REAN STRAIGHT TO SAME
Kabellänge - Imperial: 10
Mantelfarbe: Black
Steckverbinder A: 1/4" Mono Phone Plug
Kabellänge - Metrisch: 3.05
Steckverbinder B: 1/4" Mono Phone Plug
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)

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HGTR-015

Description: HOSA - HGTR-015 - 15FT PRO GUITAR CABLE 20AWG REAN STRAIGHT TO SAME
Kabellänge - Imperial: 15
Mantelfarbe: Black
Steckverbinder A: 1/4" Mono Phone Plug
Kabellänge - Metrisch: 4.57
Steckverbinder B: 1/4" Mono Phone Plug
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)

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HGTR-015R