Produkte > HGT

Description: INSULATGABIPOLTRANSISTO50600V
Packaging: Bulk

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HGT1N30N60A4D

Description: IGBT, 96A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 255 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA

auf Bestellung 977 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

16+	47.42 EUR

Mindestbestellmenge: 16

HGT1N40N60A4D

Description: IGBT MOD 600V 110A 298W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 298 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA

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HGT1S10N120BNS

Description: IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns
Switching Energy: 320µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W

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HGT1S10N120BNS

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

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HGT1S10N120BNST
Produktcode: 104642

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
ZCODE: 8541290010

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HGT1S10N120BNS

IGBT Transistors 35A 1200V NPT N-Ch

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HGT1S10N120BNS

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

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HGT1S10N120BNST

Description: IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns
Switching Energy: 320µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W

auf Bestellung 690 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	9.85 EUR
10+	8.28 EUR
100+	6.69 EUR

Mindestbestellmenge: 3

HGT1S10N120BNST

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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HGT1S10N120BNST

IGBT Transistors N-Channel IGBT NPT Series 1200V

auf Bestellung 56000 Stücke:

Lieferzeit 745-759 Tag (e)

6+	10.01 EUR
10+	8.4 EUR
25+	7.93 EUR
100+	6.79 EUR
250+	6.4 EUR
500+	6.08 EUR
800+	5.17 EUR

Mindestbestellmenge: 6

HGT1S10N120BNST

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 17A; 298W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 17A
Power dissipation: 298W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: reel; tape

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HGT1S10N120BNST

Description: IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns
Switching Energy: 320µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W

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HGT1S10N120BNST

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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HGT1S11N120CNS

IGBT Transistors

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HGT1S11N120CNS
Produktcode: 45305

Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2

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HGT1S12N60A4DS

Description: IGBT 600V 54A 167W D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns
Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 167 W

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HGT1S12N60A4DS

Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

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HGT1S12N60A4DS

Description: IGBT, 54A, 600V, N-CHANNEL, TO-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263AB
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns
Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 167 W

auf Bestellung 2433 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

81+	8.91 EUR

Mindestbestellmenge: 81

HGT1S12N60A4DS

On Semiconductor/Fairchild

Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

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HGT1S12N60A4DS
Produktcode: 50012

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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HGT1S12N60A4DS

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HGT1S12N60A4S9A

Description: IGBT 600V 54A 167W TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns
Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 167 W

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HGT1S12N60A4S9A

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGT1S12N60A4S9A

Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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HGT1S12N60A4S9A

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGT1S12N60B3

Description: 27A, 600V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns
Switching Energy: 304µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 104 W

auf Bestellung 917 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

221+	3.27 EUR

Mindestbestellmenge: 221

HGT1S12N60B3D

Description: 27A, 600V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns
Switching Energy: 304µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 104 W

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

221+	3.27 EUR

Mindestbestellmenge: 221

HGT1S12N60B3DS

Description: IGBT 600V 27A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263AB
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns
Switching Energy: 304µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 104 W

auf Bestellung 1100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

214+	3.36 EUR

Mindestbestellmenge: 214

HGT1S12N60B3S

Description: IGBT 600V 27A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns
Switching Energy: 304µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 104 W

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

214+	3.36 EUR

Mindestbestellmenge: 214

HGT1S12N60C3

Description: 27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W

auf Bestellung 899 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

195+	3.7 EUR

Mindestbestellmenge: 195

HGT1S12N60C3D

Description: 24A, 600V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W

auf Bestellung 2637 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

226+	3.19 EUR

Mindestbestellmenge: 226

HGT1S12N60C3DS

Description: IGBT, 24A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 32 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 71 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W

auf Bestellung 565 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

143+	5.04 EUR

Mindestbestellmenge: 143

HGT1S12N60C3DS

IGBT Transistors

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HGT1S12N60C3DS

Description: ONSEMI - HGT1S12N60C3DS - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 565 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HGT1S12N60C3R

Description: IGBT 600V 24A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/120ns
Switching Energy: 400µJ (on), 340µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 71 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 104 W

auf Bestellung 1962 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

229+	3.15 EUR

Mindestbestellmenge: 229

HGT1S12N60C3S

IGBT Modules

Produkt ist nicht verfügbar

HGT1S12N60C3S9AR4501

Description: 27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

190+	3.79 EUR

Mindestbestellmenge: 190

HGT1S14N36G3VLS

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGT1S14N36G3VLS

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGT1S14N36G3VLS

Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers Coil Dr 14A 360V

Produkt ist nicht verfügbar

HGT1S14N36G3VLS

Description: IGBT 390V 18A 100W TO263AB

Produkt ist nicht verfügbar

HGT1S14N36G3VLT

Trans IGBT Chip N-CH 330V 18A 100000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

HGT1S14N36G3VLT

Description: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 5V, 14A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Td (on/off) @ 25°C: -/7µs
Test Condition: 300V, 7A, 25Ohm, 5V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V
Power - Max: 100 W

auf Bestellung 21679 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

181+	3.99 EUR

Mindestbestellmenge: 181

HGT1S14N36G3VLT_NL

Description: IGBT, 18A, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 5V, 14A
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Td (on/off) @ 25°C: -/7µs
Test Condition: 300V, 7A, 28Ohm, 5V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V
Power - Max: 100 W

Produkt ist nicht verfügbar

HGT1S14N37G3VLS

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGT1S14N37G3VLS

Description: IGBT, 25A, 380V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 380 V
Power - Max: 136 W

auf Bestellung 8483 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

143+	5.04 EUR

Mindestbestellmenge: 143

HGT1S14N37G3VLS

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGT1S14N41G3VLS

Description: IGBT, 25A, 445V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 26 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 445 V
Power - Max: 136 W

auf Bestellung 2480 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

163+	4.78 EUR

Mindestbestellmenge: 163

HGT1S14N41G3VLT

Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

157+	4.71 EUR

Mindestbestellmenge: 157

HGT1S15N120C3

Description: 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W

auf Bestellung 4004 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

75+	9.65 EUR

Mindestbestellmenge: 75

HGT1S15N120C3S

Description: 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W

auf Bestellung 695 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

75+	9.65 EUR

Mindestbestellmenge: 75

HGT1S20N35F3VLR4505

Description: 40A, 350V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

171+	4.23 EUR

Mindestbestellmenge: 171

HGT1S20N35G3VLS

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGT1S20N35G3VLS

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGT1S20N35G3VLS

Description: IGBT 380V 20A 150W TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 5V, 20A
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Td (on/off) @ 25°C: -/15µs
Test Condition: 300V, 10A, 25Ohm, 5V
Gate Charge: 28.7 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 375 V
Power - Max: 150 W

Produkt ist nicht verfügbar

HGT1S20N35G3VLS

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGT1S20N36G3VL

Description: IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA

Produkt ist nicht verfügbar

HGT1S20N36G3VLS

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGT1S20N36G3VLS

Description: IGBT, 37.7A, 355V, N-CHANNEL

auf Bestellung 48197 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

161+	4.69 EUR

Mindestbestellmenge: 161

HGT1S20N36G3VLS

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGT1S20N60A4S

onsemi

Produkt ist nicht verfügbar

HGT1S20N60A4S9A

IGBT Transistors 600V SMPS SERIES NCH IGBT

Produkt ist nicht verfügbar

HGT1S20N60A4S9A

Description: IGBT 600V 70A 290W TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/73ns
Switching Energy: 105µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 142 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 290 W

Produkt ist nicht verfügbar

HGT1S20N60A4S9A

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

HGT1S20N60B3S

Description: 40A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V

auf Bestellung 635 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

100+	7.25 EUR

Mindestbestellmenge: 100

HGT1S20N60C3R

Description: 40A, 600V, RUGGED N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 116 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 164 W

auf Bestellung 580 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

155+	4.66 EUR

Mindestbestellmenge: 155

HGT1S20N60C3S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGT1S20N60C3S

IGBT Transistors PTPIGBT TO263 45A 600V

Produkt ist nicht verfügbar

HGT1S20N60C3S

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGT1S20N60C3S9A

Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 164000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

HGT1S20N60C3S9A

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGT1S20N60C3S9A

ON Semiconductor / Fairchild

Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 164000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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HGT1S20N60C3S9A

IGBT Transistors 45a 600V N-Ch IGBT UFS Series

Produkt ist nicht verfügbar

HGT1S20N60C3S9A

Description: IGBT 600V 45A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/151ns
Switching Energy: 295µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 91 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 164 W

Produkt ist nicht verfügbar

HGT1S2N120CN

Description: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2.6A
Supplier Device Package: TO-262
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/205ns
Switching Energy: 96µJ (on), 355µJ (off)
Test Condition: 960V, 2.6A, 51Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 13 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 104 W

auf Bestellung 99688 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

148+	4.87 EUR

Mindestbestellmenge: 148

HGT1S3N60A4DS

IGBT Transistors TO-263

Produkt ist nicht verfügbar

HGT1S3N60A4DS9A

Description: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/73ns
Switching Energy: 37µJ (on), 25µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 70 W

auf Bestellung 4713 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

167+	4.28 EUR

Mindestbestellmenge: 167

HGT1S3N60A4DS9A

Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers 600V N-Channel IGBT SMPS Series

Produkt ist nicht verfügbar

HGT1S3N60A4DS9A_NL

IGBT Transistors 600V, SMPS, SERIES NCH IGBT W/ ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE

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HGT1S3N60A4S

IGBT Transistors

Produkt ist nicht verfügbar

HGT1S3N60A4S9A

IGBT Transistors

Produkt ist nicht verfügbar

HGT1S3N60B3DS

Description: 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 3.5A
Supplier Device Package: TO-263AB
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns
Switching Energy: 66µJ (on), 88µJ (off)
Test Condition: 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 18 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 33.3 W

Produkt ist nicht verfügbar

HGT1S3N60B3S

Description: 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 3.5A
Supplier Device Package: TO-263AB
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns
Switching Energy: 66µJ (on), 88µJ (off)
Test Condition: 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 33.3 W

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

533+	1.46 EUR

Mindestbestellmenge: 533

HGT1S3N60C3D

Description: 6A, 600V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Gate Charge: 13.8 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 33 W

auf Bestellung 365 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

365+	2.34 EUR

Mindestbestellmenge: 365

HGT1S3N60C3DS

Description: 6A, 600V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V

auf Bestellung 585 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

325+	2.39 EUR

Mindestbestellmenge: 325

HGT1S7N60A40S

2002 TO-263

auf Bestellung 20740 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGT1S7N60A4DS

Description: IGBT 600V 34A 125W TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/100ns
Switching Energy: 55µJ (on), 60µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 125 W

Produkt ist nicht verfügbar

HGT1S7N60A4DS

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGT1S7N60A4DS
Produktcode: 34779

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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HGT1S7N60A4DS

Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers 600V N-Ch IGBT SMPS Series HF

Produkt ist nicht verfügbar

HGT1S7N60A4DS

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGT1S7N60A4DS9A

IGBT Transistors

Produkt ist nicht verfügbar

HGT1S7N60A4DS9A

Description: IGBT, 34A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-263AB
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/100ns
Switching Energy: 120µJ (on), 60µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 60 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 125 W

Produkt ist nicht verfügbar

HGT1S7N60A4DS9A_SB82213

onsemi

Produkt ist nicht verfügbar

HGT1S7N60A4S

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGT1S7N60A4S

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGT1S7N60A4S

IGBT Transistors

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HGT1S7N60A4S9A

IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT SMPS Series

Produkt ist nicht verfügbar

HGT1S7N60B3

Description: 14A, 600V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

400+	2.35 EUR

Mindestbestellmenge: 400

HGT1S7N60B3D

Description: IGBT 600V 14A TO262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

256+	2.83 EUR

Mindestbestellmenge: 256

HGT1S7N60B3DS

Description: 14 A, 600 V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-263AB
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W

Produkt ist nicht verfügbar

HGT1S7N60B3DS

IGBT Transistors

Produkt ist nicht verfügbar

HGT1S7N60B3DS9A

IGBT Transistors 14A 600V UFS N-Ch

Produkt ist nicht verfügbar

HGT1S7N60B3S

IGBT Transistors

Produkt ist nicht verfügbar

HGT1S7N60B3S9A

IGBT Transistors

Produkt ist nicht verfügbar

HGT1S7N60C3D

IGBT Transistors Optocoupler Phototransistor

Produkt ist nicht verfügbar

HGT1S7N60C3D

Description: IGBT, 14A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W

auf Bestellung 3882 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

307+	2.35 EUR

Mindestbestellmenge: 307

HGT1S7N60C3DS

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGT1S7N60C3DS

Description: 14A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT W/
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-263AB
Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W

auf Bestellung 8600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

243+	2.95 EUR

Mindestbestellmenge: 243

HGT1S7N60C3DS

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGT1S7N60C3DS

IGBT Transistors 7A 600V TF=275NS

Produkt ist nicht verfügbar

HGT1S7N60C3DS

Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 60000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail

Produkt ist nicht verfügbar

HGT1S7N60C3DS9A

auf Bestellung 25600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

133+	5.39 EUR

Mindestbestellmenge: 133

HGT1S7N60C3DS9A

IGBT Transistors 14a 600V N-Ch IGBT UFS Series

Produkt ist nicht verfügbar

HGT1S7N60C3DS9A

Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 60000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

HGT1S7N60C3DS9A

auf Bestellung 1900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGT1S7N60C3DS9A_NL

IGBT Transistors

Produkt ist nicht verfügbar

HGT4E20N60A4DS

IGBT Transistors TO-268

Produkt ist nicht verfügbar

HGT4E30N60B3S

Description: IGBT 60A, 600V, N CHANNEL, TO 26
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

63+	11.52 EUR

Mindestbestellmenge: 63

HGT4E30N60C3S

Description: IGBT 60A, 600V, N CHANNEL, TO 26
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 750 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

59+	12.34 EUR

Mindestbestellmenge: 59

HGTA32N60E2

Description: 32A, 600V N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-218-5
Gate Charge: 265 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 208 W

auf Bestellung 215 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

27+	27.56 EUR

Mindestbestellmenge: 27

HGTB12N60D1C

Description: 12A, 600V N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 75 W

auf Bestellung 598 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

77+	9.41 EUR

Mindestbestellmenge: 77

HGTD10N40F1

Description: IGBT 400V 12A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 5A
Supplier Device Package: IPAK
Gate Charge: 13.4 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 75 W

auf Bestellung 417 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

417+	2.18 EUR

Mindestbestellmenge: 417

HGTD10N40F1S

Description: 10A, 400V N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 5A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Gate Charge: 13.4 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 75 W

auf Bestellung 1045 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

329+	2.18 EUR

Mindestbestellmenge: 329

HGTD10N50F1

Description: IGBT 500V 12A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 5A
Supplier Device Package: IPAK
Gate Charge: 13.4 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 75 W

auf Bestellung 2649 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

166+	4.35 EUR

Mindestbestellmenge: 166

HGTD10N50F1S

Description: 10A, 500V N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 5A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Gate Charge: 13.4 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 75 W

auf Bestellung 495 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

329+	2.18 EUR

Mindestbestellmenge: 329

HGTD1N120BNS

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGTD1N120BNS

07+ TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGTD1N120BNS9A

Description: IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 1A
Supplier Device Package: TO-252AA
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/67ns
Switching Energy: 70µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 960V, 1A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 14 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 6 A
Power - Max: 60 W

auf Bestellung 2111 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.69 EUR
10+	3.02 EUR
100+	2.35 EUR
500+	1.99 EUR
1000+	1.62 EUR

Mindestbestellmenge: 8

HGTD1N120BNS9A

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 2.7A; 60W; DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Pulsed collector current: 6A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 2.7A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 60W

Produkt ist nicht verfügbar

HGTD1N120BNS9A

IGBT Transistors 5.3a 1200v N-Ch IGBT NPT Series

auf Bestellung 14594 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

17+	3.12 EUR
20+	2.68 EUR
100+	2.22 EUR
500+	1.99 EUR
1000+	1.66 EUR
2500+	1.59 EUR
5000+	1.55 EUR

Mindestbestellmenge: 17

HGTD1N120BNS9A

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

62+	2.57 EUR
67+	2.28 EUR
68+	2.16 EUR
100+	1.69 EUR
250+	1.58 EUR
500+	1.24 EUR
1000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 62

HGTD1N120BNS9A

Description: ONSEMI - HGTD1N120BNS9A - IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5
Verlustleistung Pd: 60
Bauform - Transistor: TO-252AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 5.3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

auf Bestellung 14740 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HGTD1N120BNS9A

Description: IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 1A
Supplier Device Package: TO-252AA
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/67ns
Switching Energy: 70µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 960V, 1A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 14 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 6 A
Power - Max: 60 W

Produkt ist nicht verfügbar

HGTD1N120BNS9A

Produkt ist nicht verfügbar

HGTD1N120BNS9A

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

HGTD1N120BNS9A

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

67+	2.36 EUR
68+	2.25 EUR
100+	1.76 EUR
250+	1.65 EUR
500+	1.3 EUR
1000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 67

HGTD1N120BNS9A

Description: ONSEMI - HGTD1N120BNS9A - IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
DC-Kollektorstrom: 5.3
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-252AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 60
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

auf Bestellung 14740 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HGTD1N120BNS9A

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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HGTD3N60A4S
Produktcode: 83202

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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HGTD3N60A4S

07+ TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGTD3N60A4S

Description: IGBT, 17A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/73ns
Test Condition: 390V, 3A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 70 W

auf Bestellung 2010 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

606+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 606

HGTD3N60A4S

Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers

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HGTD3N60A4S

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGTD3N60B3

Description: IGBT 600V 7A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 3.5A
Supplier Device Package: IPAK
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns
Switching Energy: 66µJ (on), 88µJ (off)
Test Condition: 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 33.3 W

auf Bestellung 4349 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

592+	1.22 EUR

Mindestbestellmenge: 592

HGTD3N60B3S

Description: 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 3.5A
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns
Switching Energy: 66µJ (on), 88µJ (off)
Test Condition: 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 33.3 W

auf Bestellung 944 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

579+	1.28 EUR

Mindestbestellmenge: 579

HGTD3N60B3S9A

Description: 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 3.5A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns
Switching Energy: 66µJ (on), 88µJ (off)
Test Condition: 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 33.3 W

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

579+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 579

HGTD3N60C3

Description: IGBT 600V 6A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 10 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: IPAK
Gate Charge: 13.8 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 33 W

auf Bestellung 4718 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

592+	1.22 EUR

Mindestbestellmenge: 592

HGTD3N60C3S

Description: 6A, 600V, UFS SERIES N-CHANNEL I
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Gate Charge: 13.8 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 33 W

Produkt ist nicht verfügbar

HGTD3N60C3S9A

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGTD3N60C3S9A

Description: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Switching Energy: 85µJ (on), 245µJ (off)
Test Condition: 480V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 10.8 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 33 W

auf Bestellung 8284 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

701+	1.03 EUR

Mindestbestellmenge: 701

HGTD3N60C3S9A

07+ TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGTD6N40E1S

Description: 6A, 400V N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 3A
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Gate Charge: 6.9 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 60 W

Produkt ist nicht verfügbar

HGTD7N60A4S

IGBT Transistors TO-252

Produkt ist nicht verfügbar

HGTD7N60B3

Description: IGBT 600V 14A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: IPAK
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W

auf Bestellung 900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

410+	1.75 EUR

Mindestbestellmenge: 410

HGTD7N60B3S

Description: 14A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-252AA
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 72µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W

auf Bestellung 703 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

398+	1.8 EUR

Mindestbestellmenge: 398

HGTD7N60C3

Description: 14A, 600V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: I-PAK
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W

Produkt ist nicht verfügbar

HGTD7N60C3S

Description: 600 V, 14 A, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-252AA
Gate Charge: 23 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W

Produkt ist nicht verfügbar

HGTD7N60C3S

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGTD7N60C3S
Produktcode: 131786

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

Produkt ist nicht verfügbar

HGTD7N60C3S

07+ TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGTD7N60C3S

IGBT Transistors PTPIGBT TO252 7A 600V

Produkt ist nicht verfügbar

HGTD7N60C3S9A

Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off)
Gate Charge: 23 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W

auf Bestellung 249 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

249+	2.9 EUR

Mindestbestellmenge: 249

HGTD7N60C3S9A

Description: IGBT 600V 14A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-252AA
Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off)
Gate Charge: 23 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W

auf Bestellung 2006 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	4.37 EUR
10+	3.63 EUR
100+	2.89 EUR
500+	2.45 EUR
1000+	2.08 EUR

Mindestbestellmenge: 6

HGTD7N60C3S9A

Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 60000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

HGTD7N60C3S9A

IGBT Transistors 14a 600V N-Ch IGBT UFS Series

Produkt ist nicht verfügbar

HGTD7N60C3S9A

Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 60000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

HGTD7N60C3S9A

Description: IGBT 600V 14A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-252AA
Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off)
Gate Charge: 23 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W

Produkt ist nicht verfügbar

HGTD7N60C3S9A_NL

IGBT Transistors

Produkt ist nicht verfügbar

HGTD8P50G1

Description: 8A, 500V P-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: I-PAK
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 66 W

auf Bestellung 23728 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

212+	3.69 EUR

Mindestbestellmenge: 212

HGTD8P50G1S

Description: 8A, 500V P-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-252AA
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 66 W

auf Bestellung 6865 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

381+	1.95 EUR

Mindestbestellmenge: 381

HGTD8P50GIS

Description: 8A, 500V P-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG10N120BN

IGBT Transistors

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG10N120BND

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG10N120BND

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG10N120BND
Produktcode: 91807

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG10N120BND

IGBT Transistors 35A 1200V N-Ch

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG10N120BND

Description: IGBT NPT 1200V 35A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns
Switching Energy: 850µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG10N120BND_Q

IGBT Transistors 35A 1200V N-Ch

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG11N120CN

IGBT Transistors 43A 1200V N-Ch

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG11N120CN

Description: IGBT 1200V 43A 298W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 11A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/180ns
Switching Energy: 400µJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 960V, 11A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 43 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG11N120CN

Description: ONSEMI - HGTG11N120CN - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 971 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HGTG11N120CN

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG11N120CN

Description: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 11A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/180ns
Switching Energy: 400µJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 960V, 11A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 43 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W

auf Bestellung 971 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

137+	5.28 EUR

Mindestbestellmenge: 137

HGTG11N120CND

IGBT Transistors 43A 1200V NCh w/Anti Parallel Hyprfst Dd

auf Bestellung 2200 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	10.09 EUR
10+	10.01 EUR
25+	8.55 EUR
100+	7.9 EUR
250+	7.77 EUR
450+	6.53 EUR
900+	6.42 EUR

Mindestbestellmenge: 6

HGTG11N120CND

Description: IGBT NPT 1200V 43A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 11A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/180ns
Switching Energy: 950µJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 960V, 11A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 43 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W

auf Bestellung 242 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	13.16 EUR
30+	10.43 EUR
120+	8.94 EUR

Mindestbestellmenge: 2

HGTG11N120CND

Description: ONSEMI - HGTG11N120CND - IGBT, 43 A, 2.4 V, 298 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 43A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1646 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HGTG11N120CND

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG11N120CND

43A; 1200V; 298W; IGBT w/ Diode HGTG11N120CND THGTG11n120cnd
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

5+	11.37 EUR

Mindestbestellmenge: 5

HGTG11N120CND

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG11N120CND

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 22A; 298W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 22A
Power dissipation: 298W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

auf Bestellung 38 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	7.06 EUR
12+	6.35 EUR
16+	4.48 EUR

Mindestbestellmenge: 11

HGTG11N120CND
Produktcode: 63369

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 1200
Vce: 2,1
Ic 25: 43
Ic 100: 22
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 23/180

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG11N120CND

43A; 1200V; 298W; IGBT w/ Diode HGTG11N120CND THGTG11n120cnd
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

5+	11.37 EUR

Mindestbestellmenge: 5

HGTG12N60A4

auf Bestellung 9826 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGTG12N60A4

Description: IGBT 600V 54A 167W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns
Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 167 W

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG12N60A4

Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG12N60A4D

54A; 600V; 167W; IGBT w/ Diode HGTG12N60A4D THGTG12n60a4d
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	15.9 EUR

Mindestbestellmenge: 2

HGTG12N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 419 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

24+	6.8 EUR
29+	5.44 EUR
30+	5.02 EUR
50+	4.38 EUR
100+	3.77 EUR

Mindestbestellmenge: 24

HGTG12N60A4D

Description: IGBT 600V 54A 167W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns
Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 167 W

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG12N60A4D
Produktcode: 31158

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,7 V
Ic 25: 54 A
Ic 100: 23 A
Pd 25: 167 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 17/96

auf Bestellung 7 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGTG12N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG12N60A4D

54A; 600V; 167W; IGBT w/ Diode HGTG12N60A4D THGTG12n60a4d
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	15.9 EUR

Mindestbestellmenge: 2

HGTG12N60A4D

IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT SMPS Series

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG12N60B3

Trans IGBT Chip N-CH 600V 27A 104000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG12N60B3

Description: IGBT 600V 27A 104W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns
Switching Energy: 150µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 51 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 104 W

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG12N60B3D

Description: HGTG12N27600UN-CHANNIGWIANTI-PAR
Packaging: Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG12N60C3D

Description: UFS SERIES N-CH IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247
Switching Energy: 380µJ (on), 900µJ (off)
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

64+	11.4 EUR

Mindestbestellmenge: 64

HGTG12N60C3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG12N60C3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 424 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

24+	6.62 EUR
25+	6.13 EUR
26+	5.75 EUR
50+	5.29 EUR
100+	5.05 EUR

Mindestbestellmenge: 24

HGTG12N60C3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG12N60C3D

Description: IGBT 600V 24A 104W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
Switching Energy: 380µJ (on), 900µJ (off)
Gate Charge: 48 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG12N60C3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HGTG12N60C3D TO-247
Produktcode: 109889

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG12N60C3DR

Description: UFS SERIES N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/120ns
Switching Energy: 400µJ (on), 340µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 71 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 104 W

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG12N60D1D

Description: UFS SERIES N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 75 W

auf Bestellung 606 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

44+	16.45 EUR

Mindestbestellmenge: 44

HGTG12N60DID

Description: 24A, 600V, RUGGED, UFS SERIES N
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 15378 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

88+	8.19 EUR

Mindestbestellmenge: 88

HGTG15N1203D

Description: 35A, 1200V, UFS SERIES N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG15N120C3

Description: 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W

auf Bestellung 1034 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

70+	10.37 EUR

Mindestbestellmenge: 70

HGTG18N120BN

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 390000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG18N120BN

IGBT Transistors 54A 1200V N-Ch

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG18N120BN

Description: IGBT 1200V 54A 390W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 18A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns
Switching Energy: 800µJ (on), 1.8mJ (off)
Test Condition: 960V, 18A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 165 A
Power - Max: 390 W

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG18N120BN

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 390000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG18N120BND

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 390000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG18N120BND

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 390000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG18N120BND

Description: ONSEMI - HGTG18N120BND - IGBT, 54 A, 2.7 V, 390 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 54A
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HGTG18N120BND

IGBT Transistors 54A 1200V N-Ch w/Ant Parallel Hyprfst Dde

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG18N120BND

Description: IGBT 1200V 54A 390W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 18A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns
Switching Energy: 1.9mJ (on), 1.8mJ (off)
Test Condition: 960V, 18A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 390 W

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG18N120BND_NL

IGBT Transistors 1200V,54A,NPT SERIES NCH IGBT W/ ANTI-PARALLEL HYPERFAST

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HGTG18N120BN_NL

IGBT Transistors PWR IGBT 36A 1200V N-CHANNEL NPT TO-247

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HGTG201N100E2

Description: HGTG201N100E2
Packaging: Bulk

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HGTG20N100D2

Description: 34A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.1V @ 10V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 163 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 150 W

auf Bestellung 539 Stücke:

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33+	22.28 EUR

Mindestbestellmenge: 33

HGTG20N120C3D

Description: 45A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/110ns
Switching Energy: 2.25mJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 960V, 20A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 186 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 208 W

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HGTG20N120CN

IGBT Transistors

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HGTG20N120CND

IGBT Transistors

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HGTG20N50C1D

Description: 26A, 500V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 26 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 75 W

auf Bestellung 3119 Stücke:

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40+	18.39 EUR

Mindestbestellmenge: 40

HGTG20N60A4

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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HGTG20N60A4

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 20 Stücke:

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HGTG20N60A4
Produktcode: 32885

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,8
Ic 25: 70
Ic 100: 40
Pd 25: 290
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73

auf Bestellung 6 Stück:

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HGTG20N60A4

IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT SMPS Series

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HGTG20N60A4

Fairchaild

IGBT транзистор - SMPS IGBT - TO-247; 600 V; 40A

auf Bestellung 7 Stücke:

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1+	16.73 EUR
10+	15.06 EUR

HGTG20N60A4

Description: IGBT 600V 70A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/73ns
Switching Energy: 105µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 142 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 290 W

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HGTG20N60A4D
Produktcode: 29312

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,8
Ic 25: 70
Ic 100: 40
Pd 25: 290
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73

verfügbar 14 Stück:

5 Stück - stock Köln
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1+	3.99 EUR

HGTG20N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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HGTG20N60A4D

IGBT Transistors 600V

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HGTG20N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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HGTG20N60A4D

Description: IGBT 600V 70A 290W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/73ns
Switching Energy: 105µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 142 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 290 W

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HGTG20N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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HGTG20N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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HGTG20N60A4D_NL

IGBT Transistors 600V, SMPS SERIES NCH IGBT W/ ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE

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HGTG20N60A4_NL

IGBT Transistors PWR IGBT 45A / 600V SMPS N-CH TO-247

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HGTG20N60B3

auf Bestellung 3150 Stücke:

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HGTG20N60B3

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

36+	4.42 EUR

Mindestbestellmenge: 36

HGTG20N60B3

Description: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Switching Energy: 475µJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 165 W

auf Bestellung 2220 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

84+	8.62 EUR

Mindestbestellmenge: 84

HGTG20N60B3

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

36+	4.42 EUR

Mindestbestellmenge: 36

HGTG20N60B3

IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT UFS Series

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HGTG20N60B3

N/A

09+

auf Bestellung 4518 Stücke:

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HGTG20N60B3

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 140 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

31+	5.12 EUR

Mindestbestellmenge: 31

HGTG20N60B3

Description: IGBT 600V 40A 165W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Switching Energy: 475µJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 165 W

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HGTG20N60B3
Produktcode: 63371

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 2,1
Ic 25: 40
Ic 100: 20
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 25/220

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HGTG20N60B3

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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HGTG20N60B3-FS

Description: IGBT, 40A, 600V, N-CHANNEL, TO-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 165 W

auf Bestellung 55284 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

84+	8.62 EUR

Mindestbestellmenge: 84

HGTG20N60B3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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HGTG20N60B3D
Produktcode: 28558

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 165 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 25/220

erwartet 50 Stück:

50 Stück - erwartet

HGTG20N60B3D

Description: ONSEMI - HGTG20N60B3D - IGBT, 40 A, 1.8 V, 165 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A

auf Bestellung 947 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HGTG20N60B3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 225 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	10.12 EUR
18+	8.75 EUR
100+	6.8 EUR

Mindestbestellmenge: 16

HGTG20N60B3D

TE Connectivity

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HGTG20N60B3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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HGTG20N60B3D

40A; 600V; 165W; IGBT w/ Diode HGTG20N60B3D THGTG20n60b3d
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 10 Stücke:

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5+	15.8 EUR

Mindestbestellmenge: 5

HGTG20N60B3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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HGTG20N60B3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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HGTG20N60B3D

IGBT Transistors 600V IGBT UFS N-Channel

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HGTG20N60B3D

Description: IGBT 600V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Switching Energy: 475µJ (on), 1.05mJ (off)
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 165 W

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HGTG20N60B3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 225 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	10.12 EUR
18+	8.75 EUR
100+	6.8 EUR

Mindestbestellmenge: 16

HGTG20N60B3D_Q

IGBT Transistors 600V IGBT UFS N-Channel

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HGTG20N60B3_NL

Description: IGBT, 40A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 165 W

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HGTG20N60B3_Q

IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT UFS Series

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HGTG20N60C3

IGBT Transistors

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HGTG20N60C3

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGTG20N60C3D

Description: IGBT 600V 45A 164W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/151ns
Switching Energy: 500µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 91 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 164 W

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HGTG20N60C3D

Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers UFS 20A 600V N-Ch

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HGTG20N60C3D

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGTG20N60C3D_NL

IGBT Transistors 600V, 45A, NCH IGBT W/ ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE

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HGTG20N60C3R

Description: 40A, 600V, RUGGED N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 116 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 164 W

auf Bestellung 4923 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

123+	5.88 EUR

Mindestbestellmenge: 123

HGTG24N60D1

Description: UFS SERIES N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 125 W

auf Bestellung 25168 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

34+	21.44 EUR

Mindestbestellmenge: 34

HGTG24N60D1

HARRIS

9718

auf Bestellung 47 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGTG24N60D1D

Description: UFS SERIES N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 125 W

auf Bestellung 9092 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

29+	24.97 EUR

Mindestbestellmenge: 29

HGTG24N60DID

Description: 40A, 600V, RUGGED UFS SERIES N-C
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

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HGTG27N120BN

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 72A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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HGTG27N120BN

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 72A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HGTG27N120BN

IGBT Transistors 72A 1200V NPT Series N-Ch IGBT

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HGTG27N120BN

Description: ONSEMI - HGTG27N120BN - IGBT, 72 A, 2.7 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
DC-Kollektorstrom: 72
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (27-Jun-2018)

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HGTG27N120BN

FAIRCHIL

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGTG27N120BN

Description: IGBT NPT 1200V 72A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 27A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/195ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 2.3mJ (off)
Test Condition: 960V, 27A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 270 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 72 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 216 A
Power - Max: 500 W

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG27N60C3DR

Description: UFS SERIES N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 27A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 212 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 108 A
Power - Max: 208 W

auf Bestellung 68 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

47+	15.51 EUR

Mindestbestellmenge: 47

HGTG27N60C3R

Description: 54A, 600V, RUGGED N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 27A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 212 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 108 A
Power - Max: 208 W

auf Bestellung 297 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

96+	7.54 EUR

Mindestbestellmenge: 96

HGTG2ON60C3DR

Description: 40A, 600V, RUGGED UFS SERIES N C
Packaging: Bulk

auf Bestellung 302 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

94+	7.71 EUR

Mindestbestellmenge: 94

HGTG30N120CN

IGBT Transistors

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HGTG30N120CN

auf Bestellung 110 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGTG30N60A4

IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT SMPS Series

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HGTG30N60A4

Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG30N60A4

Description: IGBT 600V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Switching Energy: 280µJ (on), 240µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG30N60A4

Description: ONSEMI - HGTG30N60A4 - IGBT, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.6
Verlustleistung Pd: 463
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 75
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG30N60A4

Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG30N60A4
Produktcode: 42509

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,8
Ic 25: 75
Ic 100: 60
Pd 25: 463
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 25/150

auf Bestellung 9 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	3.4 EUR

HGTG30N60A4D

Description: ONSEMI - HGTG30N60A4D - IGBT, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.6
Verlustleistung Pd: 463
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 75
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG30N60A4D

Fairchaild

IGBT транзистор - [TO-247-3]; 600 V; 75 A Low Conduction Loss

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	38.37 EUR
10+	33.84 EUR

HGTG30N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 463W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG30N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG30N60A4D
Produktcode: 31842

Intersil

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,8
Ic 25: 75
Ic 100: 60
Pd 25: 463
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 24/180

auf Bestellung 1 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	4 EUR

HGTG30N60A4D

IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT SMPS Series

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG30N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 463W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG30N60A4D

Description: IGBT 600V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Switching Energy: 280µJ (on), 240µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG30N60B3

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 208000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG30N60B3

IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT UFS Series

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG30N60B3

FSC 06+ TO-3P

auf Bestellung 1200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGTG30N60B3

Description: 600 V, NPT IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/137ns
Switching Energy: 500µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 208 W

auf Bestellung 16153 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

95+	7.59 EUR

Mindestbestellmenge: 95

HGTG30N60B3

Description: ONSEMI - HGTG30N60B3 - IGBT, 60 A, 1.45 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

auf Bestellung 16153 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HGTG30N60B3

auf Bestellung 50000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGTG30N60B3

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 80 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

51+	3.14 EUR
53+	2.91 EUR

Mindestbestellmenge: 51

HGTG30N60B3D
Produktcode: 95788

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG30N60B3D

Description: IGBT 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/137ns
Switching Energy: 550µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 208 W

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG30N60B3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 208000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 19 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HGTG30N60B3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 208000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG30N60B3D

IGBT Transistors 600V IGBT UFS N-Channel

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HGTG30N60B3D

60A; 600V; 208W; IGBT w/ Diode HGTG30N60B3D THGTG30n60b3d
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

5+	15.42 EUR

Mindestbestellmenge: 5

HGTG30N60B3D..

Description: ONSEMI - HGTG30N60B3D.. - IGBT, 60 A, 1.9 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.9
DC-Kollektorstrom: 60
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 208
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG30N60B3D_NL

IGBT Transistors 600V,60A,UFS SERIES NCH IGBT W/ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG30N60B3D_Q

IGBT Transistors 600V IGBT UFS N-Channel

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG30N60B3_NL

Description: IGBT, 60A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/137ns
Switching Energy: 550µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 480V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 208 W

auf Bestellung 51 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

51+	14.5 EUR

Mindestbestellmenge: 51

HGTG30N60C3

Description: 63A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: SUPER-247 (TO-274AA)
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/320ns
Switching Energy: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A
Power - Max: 208 W

auf Bestellung 1321 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

124+	5.81 EUR

Mindestbestellmenge: 124

HGTG30N60C3

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGTG30N60C3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 171 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	9.24 EUR
44+	8.71 EUR

Mindestbestellmenge: 18

HGTG30N60C3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG30N60C3D

Description: IGBT 600V 63A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Switching Energy: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off)
Gate Charge: 162 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A
Power - Max: 208 W

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG30N60C3D

IGBT Transistors 63a 600V NCh IGBT Hyperfast anti-para

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG30N60C3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 171 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	9.99 EUR
44+	8.71 EUR

Mindestbestellmenge: 16

HGTG30N60C3D

Description: ONSEMI - HGTG30N60C3D - IGBT, 63 A, 1.8 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8
DC-Kollektorstrom: 63
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 208
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG30N60C3D

Description: IGBT 600V 63A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Switching Energy: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off)
Gate Charge: 162 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A
Power - Max: 208 W

auf Bestellung 7133 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

44+	16.71 EUR

Mindestbestellmenge: 44

HGTG30N60C3D_NL

Description: IGBT, 63A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 250 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A
Power - Max: 208 W

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG30N60C3D_NL

IGBT Transistors 600V,63A,UFS,SERIES NCH IGBT W/ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG32N60E2

Description: 50A, 600V N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 265 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 208 W

auf Bestellung 2969 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

38+	19.09 EUR

Mindestbestellmenge: 38

HGTG34N100E2

Description: 55A, 1000V N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 34A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 240 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 208 W

auf Bestellung 1350 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

37+	19.59 EUR

Mindestbestellmenge: 37

HGTG40N60A4

Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 625000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 HGTG40N60A4 THGTG40n60a4
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke

auf Bestellung 19 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	27.73 EUR

Mindestbestellmenge: 2

HGTG40N60A4

Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 625W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 103 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	10.17 EUR
18+	8.58 EUR

Mindestbestellmenge: 16

HGTG40N60A4

Description: IGBT 600V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/145ns
Switching Energy: 400µJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 390V, 40A, 2.2Ohm, 15V
Gate Charge: 350 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 625 W

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG40N60A4
Produktcode: 47773

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG40N60A4

Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 625000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG40N60A4

Description: IGBT 600V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/145ns
Switching Energy: 400µJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 390V, 40A, 2.2Ohm, 15V
Gate Charge: 350 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 625 W

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG40N60A4

IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT SMPS Series

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG40N60B3

Description: IGBT 600V 70A 290W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/170ns
Switching Energy: 1.05mJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 480V, 40A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 330 A
Power - Max: 290 W

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG40N60B3

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

7+	24.07 EUR
10+	21.37 EUR
25+	20.33 EUR
100+	16.77 EUR

Mindestbestellmenge: 7

HGTG40N60B3
Produktcode: 148092

Verschiedene Bauteile > Other components 3

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG40N60B3

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG40N60B3

IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT UFS Series

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG40N60B3

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 413 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	15.22 EUR

Mindestbestellmenge: 11

HGTG40N60B3

Description: ONSEMI - HGTG40N60B3 - IGBT, 70 A, 2 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2
DC-Kollektorstrom: 70
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 290
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG40N60B3

FAIRCHIL

05+ BGA

auf Bestellung 80 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGTG40N60B3

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 413 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	15.22 EUR

Mindestbestellmenge: 11

HGTG40N60B3-FS

Description: 70A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG40N60C3

Description: 75A, 600V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/185ns
Switching Energy: 850mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 480V, 40A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 395 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 291 W

auf Bestellung 89 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

50+	14.57 EUR

Mindestbestellmenge: 50

HGTG40N60C3R

Description: 75A, 600V N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 330 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 291 W

auf Bestellung 45 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

45+	20.12 EUR

Mindestbestellmenge: 45

HGTG5N120BND

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 21A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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HGTG5N120BND

IGBT Transistors 21a 1200V IGBT NPT Series N-Ch

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HGTG5N120BND

Description: ONSEMI - HGTG5N120BND - IGBT, 21 A, 2.7 V, 167 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
DC-Kollektorstrom: 21
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 167
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG5N120BND

Description: IGBT NPT 1200V 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/160ns
Switching Energy: 450µJ (on), 390µJ (off)
Test Condition: 960V, 5A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 167 W

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG5N120BND

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 21A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG5N120BND

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 21A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 450 Stücke:

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450+	3.5 EUR

Mindestbestellmenge: 450

HGTG5N120BND
Produktcode: 58070

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG7N60A4

Description: IGBT 600V 34A 125W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/100ns
Switching Energy: 55µJ (on), 60µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 125 W

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG7N60A4

IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT SMPS Series

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG7N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG7N60A4D

IGBT Transistors 600V N-Ch IGBT SMPS Series HF

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG7N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HGTG7N60A4D

03+

auf Bestellung 50000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGTG7N60A4D

Description: IGBT 600V 34A 125W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/100ns
Switching Energy: 55µJ (on), 60µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 125 W

Produkt ist nicht verfügbar

HGTG7N60A4D_Q

Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers 600V N-Ch IGBT SMPS Series HF

Produkt ist nicht verfügbar

HGTH12N40C1D

Description: 12A, 400V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A
Power - Max: 75 W

Produkt ist nicht verfügbar

HGTH12N40CID

Description: 12A, 400V, N CHANNEL IGBT WITH A
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 1000 Stücke:

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121+	5.98 EUR

Mindestbestellmenge: 121

HGTH12N40E1D

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HGTH12N50C1

Description: 12A, 500V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A
Power - Max: 75 W

Produkt ist nicht verfügbar

HGTH12N50C1D

Description: 12A, 500V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A
Power - Max: 75 W

auf Bestellung 483 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

121+	5.98 EUR

Mindestbestellmenge: 121

HGTH12N50CID

Description: 12A, 500V, N CHANNEL IGBT WITH A
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 1374 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

121+	5.98 EUR

Mindestbestellmenge: 121

HGTH20N40C1

Description: 20A, 400V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 100 W

Produkt ist nicht verfügbar

HGTH20N40C1D

Produkt ist nicht verfügbar

HGTH20N50C1

Description: 20A, 500V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 100 W

auf Bestellung 4984 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

45+	16.35 EUR

Mindestbestellmenge: 45

HGTH20N50E1

auf Bestellung 329 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

89+	8.16 EUR

Mindestbestellmenge: 89

HGTH20N50E1D

auf Bestellung 235 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

89+	8.16 EUR

Mindestbestellmenge: 89

HGTH20N50EID

Description: 20A, 500V, N CHANNEL IGBT WITH A
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 1433 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

89+	8.16 EUR

Mindestbestellmenge: 89

HGTIS20N60C3RS

Description: HGTIS20N60C3RS
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP10N120BN

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP10N120BN

IGBT Transistors 35A 1200V N-Ch

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP10N120BN
Produktcode: 121310

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP10N120BN

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP10N120BN

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP10N120BN

Description: IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns
Switching Energy: 320µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP10N120BN

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP10N40C1

Description: IGBT 400V 10A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A
Supplier Device Package: TO-220-3
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A
Power - Max: 60 W

auf Bestellung 1977 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

256+	2.83 EUR

Mindestbestellmenge: 256

HGTP10N40C1D

Description: 17.5A, 400V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A
Supplier Device Package: TO-220
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 17.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 75 W

auf Bestellung 206 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

107+	6.79 EUR

Mindestbestellmenge: 107

HGTP10N40E1

Description: 10A, 400V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A
Supplier Device Package: TO-220-3
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A
Power - Max: 60 W

auf Bestellung 267 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

267+	2.83 EUR

Mindestbestellmenge: 267

HGTP10N40E1D

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP10N40EID

Description: 17.5A, 400V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 225 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

225+	3.79 EUR

Mindestbestellmenge: 225

HGTP10N40F1D

Description: 12A, 400V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 5A
Supplier Device Package: TO-220
Gate Charge: 13.4 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

auf Bestellung 806 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

314+	2.3 EUR

Mindestbestellmenge: 314

HGTP10N50C1

INTERSIL

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGTP10N50E1

Description: 10A, 500V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A
Supplier Device Package: TO-220-3
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A
Power - Max: 60 W

auf Bestellung 15216 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

143+	5.07 EUR

Mindestbestellmenge: 143

HGTP10N50E1D

Description: 17.5A, 500V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A
Supplier Device Package: TO-220
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 17.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 75 W

auf Bestellung 3712 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

96+	7.54 EUR

Mindestbestellmenge: 96

HGTP12N6001

Description: HGTP12N6001
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 568 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

134+	5.4 EUR

Mindestbestellmenge: 134

HGTP12N60A4

IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT SMPS Series

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP12N60A4

Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP12N60A4

Description: UFS SERIES N-CH IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns
Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 167 W

auf Bestellung 900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

417+	1.73 EUR

Mindestbestellmenge: 417

HGTP12N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP12N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP12N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP12N60A4D

Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns
Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 167 W

auf Bestellung 76616 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

165+	4.37 EUR

Mindestbestellmenge: 165

HGTP12N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 689 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

98+	1.62 EUR
99+	1.55 EUR
100+	1.48 EUR
101+	1.41 EUR
102+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 98

HGTP12N60C3

Description: IGBT 600V 24A 104W TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
Switching Energy: 380µJ (on), 900µJ (off)
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP12N60C3
Produktcode: 99779

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP12N60C3

Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP12N60C3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 75 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

71+	2.24 EUR

Mindestbestellmenge: 71

HGTP12N60C3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 149 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

61+	2.61 EUR

Mindestbestellmenge: 61

HGTP12N60C3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 149 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

73+	2.17 EUR

Mindestbestellmenge: 73

HGTP12N60C3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP12N60C3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 31 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HGTP12N60C3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 31 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HGTP12N60C3D

IGBT Transistors HGTP12N60C3D

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP12N60C3D

Description: IGBT 600V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220-3
Switching Energy: 380µJ (on), 900µJ (off)
Gate Charge: 48 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP12N60C3D
Produktcode: 122684

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,65 V
Ic 25: 24 A
Ic 100: 12 А
Pd 25: 104 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 28/270

auf Bestellung 13 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGTP12N60C3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 75 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

58+	2.63 EUR
60+	2.36 EUR

Mindestbestellmenge: 58

HGTP12N60C3R

Description: IGBT 600V 24A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/120ns
Switching Energy: 400µJ (on), 340µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 71 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 104 W

auf Bestellung 2724 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

239+	3.03 EUR

Mindestbestellmenge: 239

HGTP14N0FVLR4600

Description: HGTP14N0FVLR4600
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP14N36G3VL

Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers 14a 380V Logic Level

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP14N36G3VL

Description: Insulated Gate Bipolar Transisto
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 5V, 14A
Supplier Device Package: TO-220AB
IGBT Type: Trench
Gate Charge: 24 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V
Power - Max: 100 W

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP14N40F3VL

TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGTP14N40F3VL

07+ TO-263

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGTP14N44G3VL

Description: IGBT, 27A, 490V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4.5V, 8A
Supplier Device Package: TO-220AB
Td (on/off) @ 25°C: -/18µs
Test Condition: 300V, 7.5A, 1kOhm, 5V
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 490 V
Power - Max: 231 W

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP15N40C1

Description: 15A, 400V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-220
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 75 W

auf Bestellung 368 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

96+	7.75 EUR

Mindestbestellmenge: 96

HGTP15N40E1

auf Bestellung 488 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

181+	4.09 EUR

Mindestbestellmenge: 181

HGTP15N50C1

Description: 15A, 500V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-220
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 75 W

auf Bestellung 8373 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

84+	8.67 EUR

Mindestbestellmenge: 84

HGTP15N50E1

auf Bestellung 1985 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

181+	3.95 EUR

Mindestbestellmenge: 181

HGTP1N120BND

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGTP20N35F3ULR3935

Description: 20A, 350V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

156+	4.56 EUR

Mindestbestellmenge: 156

HGTP20N35F3VL

Description: 20A, 350V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 1350 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

156+	4.56 EUR

Mindestbestellmenge: 156

HGTP20N35G3VL

Description: IGBT, 20A, 320V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 5V, 20A
Supplier Device Package: TO-220AB
Gate Charge: 28.7 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 380 V
Power - Max: 150 W

auf Bestellung 326 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

202+	3.54 EUR

Mindestbestellmenge: 202

HGTP20N60A4
Produktcode: 61820

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73

auf Bestellung 53 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGTP20N60A4

70A; 600V; 290W; IGBT HGTP20N60A4 THGTP20n60a4
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

5+	6.74 EUR

Mindestbestellmenge: 5

HGTP20N60A4

Description: IGBT 600V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/73ns
Switching Energy: 105µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 142 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 290 W

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP20N60A4

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 253 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

67+	2.36 EUR
70+	2.2 EUR
71+	2.07 EUR
72+	1.96 EUR
100+	1.83 EUR

Mindestbestellmenge: 67

HGTP20N60A4

IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT SMPS Series

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP20N60A4

70A; 600V; 290W; IGBT HGTP20N60A4 THGTP20n60a4
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

5+	6.74 EUR

Mindestbestellmenge: 5

HGTP20N60A4

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP20N60A4_NL

IGBT Transistors PWR IGBT 45A,600V SMPS N-CH TO-22-A

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP20N60B3

IGBT Transistors TO-220

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP20N60C3

IGBT Transistors

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP20N60C3R

Description: 40A, 600V, RUGGED N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 24 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/151ns
Switching Energy: 500µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 122 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 164 W

auf Bestellung 79 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

79+	11.79 EUR

Mindestbestellmenge: 79

HGTP2N120CN

Description: IGBT 1200V 13A 104W TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2.6A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/205ns
Switching Energy: 96µJ (on), 355µJ (off)
Test Condition: 960V, 2.6A, 51Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 13 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 104 W

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP30N60C3D

TO-220

auf Bestellung 1962 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGTP3N60A4

fairchild

2011+

auf Bestellung 17 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGTP3N60A4

IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT NPT Series

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP3N60A4

Description: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/73ns
Switching Energy: 37µJ (on), 25µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 70 W

auf Bestellung 107038 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

216+	3.3 EUR

Mindestbestellmenge: 216

HGTP3N60A4
Produktcode: 104967

Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541290010

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP3N60A4D

Description: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/73ns
Switching Energy: 37µJ (on), 25µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 70 W

auf Bestellung 25328 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

226+	3.16 EUR

Mindestbestellmenge: 226

HGTP3N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 17A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP3N60A4D
Produktcode: 104968

Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541290010

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP3N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 17A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP3N60A4D

IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT SMPS Series

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP3N60A4D_NL

IGBT Transistors PWR IGBT 7A,600V,SMPS SERIES N-CH W/DIODE TO-220AB

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP3N60A4_NL

IGBT Transistors PWR IGBT 7A,600V,SMPS SERIES N-CH W/DIODE TO-220AB

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP3N60B3

Description: 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 3.5A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns
Switching Energy: 66µJ (on), 88µJ (off)
Test Condition: 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 33.3 W

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

579+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 579

HGTP3N60B3R4724

Description: 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

579+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 579

HGTP3N60C3

Description: 6A, 600V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-220AB
Gate Charge: 17.3 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 33 W

auf Bestellung 5993 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

579+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 579

HGTP5N120BND

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 21A 167mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP5N120BND

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 21A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP5N120BND

fairchild

2011+

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGTP5N120BND

Description: IGBT NPT 1200V 21A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/160ns
Switching Energy: 450µJ (on), 390µJ (off)
Test Condition: 960V, 5A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 167 W

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP5N120BND

IGBT Transistors 21a 1200V IGBT NPT Series N-Ch

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP5N120BND

FAIRCHIL..

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGTP5N120CN

Description: IGBT, 25A, 1200V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 5.5A
Supplier Device Package: TO-220AB
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/180ns
Switching Energy: 400µJ (on), 640µJ (off)
Test Condition: 960V, 5.5A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 167 W

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP6N40E1D

Description: 7.5A, 400V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 3A
Supplier Device Package: TO-220
Gate Charge: 6.9 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A
Power - Max: 75 W

auf Bestellung 1131 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

423+	1.7 EUR

Mindestbestellmenge: 423

HGTP6N40EID

Description: 7.5A, 400V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

423+	1.7 EUR

Mindestbestellmenge: 423

HGTP7N60A4

IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT SMPS Series

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP7N60A4

Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP7N60A4

Description: ONSEMI - HGTP7N60A4 - IGBT, 34 A, 2.7 V, 125 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
DC-Kollektorstrom: 34
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 125
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

HGTP7N60A4

Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP7N60A4

fairchild

2011+

auf Bestellung 13 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

HGTP7N60A4

Description: IGBT 600V 34A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/100ns
Switching Energy: 55µJ (on), 60µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 125 W

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP7N60A4-F102

600V, SMPS IGBT

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP7N60A4-F102

Description: ONSEMI - HGTP7N60A4-F102 - IGBT, 600V, SMPS
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP7N60A4-F102

600V, SMPS IGBT

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP7N60A4-F102

Description: IGBT 600V 34A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/100ns
Switching Energy: 55µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 60 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 125 W

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP7N60A4-F102

Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers N-Ch / 7A 600V SMPS 1 IGBT

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP7N60A4D
Produktcode: 103567

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
ZCODE: 8541290010

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP7N60A4D

Description: IGBT 600V 34A 125W TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/100ns
Switching Energy: 55µJ (on), 60µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 125 W

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP7N60A4D

Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers 600V N-Ch IGBT SMPS Series HF

Produkt ist nicht verfügbar

HGTP7N60A4_NL

Description: IGBT, 34A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/100ns
Switching Energy: 55µJ (on), 60µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 125 W

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511+	1.43 EUR

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HGTP7N60A4_NL

IGBT Transistors PWR IGBT 12A,600V,SMPS SEREIES N-CH TO-220ABO-220AB

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HGTP7N60B3D

Description: IGBT 600V 14A 60W TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W

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HGTP7N60B3D

Description: IGBT, 14A, 600V, N-CHANNEL, TO-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220AB
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W

auf Bestellung 16763 Stücke:

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278+	2.59 EUR

Mindestbestellmenge: 278

HGTP7N60B3D

IGBT Transistors PWR IGBT 14A 600V N-CHANNEL

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HGTP7N60B3D

Description: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W

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278+	2.59 EUR

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HGTP7N60C3

IGBT Transistors

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HGTP7N60C3

Description: 14A, 600V, UFS SERIES N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220AB
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W

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450+	1.83 EUR

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HGTP7N60C3D

06+ SMD

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HGTP7N60C3D

Description: IGBT 600V 14A 60W TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220-3
Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W

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HGTP7N60C3D

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HGTP7N60C3D
Produktcode: 49546

Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2

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HGTP7N60C3D

IGBT Transistors 14a 600V N-Ch IGBT UFS Series

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HGTP7N60C3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

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HGTP7N60C3D_NL

IGBT Transistors 600V,14A,UFS SERIES NCH IGBT W/ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE

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HGTQSS-18U-12

OMEGA

Description: OMEGA - HGTQSS-18U-12 - Thermoelement, T, 0 °C, 315 °C, Edelstahl
Tastkopf-/Messfühlerlänge, imperial: 12
Tastkopf-/Messfühlerlänge, metrisch: 304.8
Sensorgehäusematerial: Edelstahl
Anschlusslänge - metrisch: -
Anschlusslänge - imperial: -
Tastkopf-/Messfühlerdurchmesser, imperial: 0.125
Erfassungstemperatur, min.: 0
Tastkopf-/Messfühlerdurchmesser, metrisch: 3.18
Erfassungstemperatur, max.: 315
Produktpalette: -
Thermoelement: T
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

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HGTQSS-18U-6

OMEGA

Description: OMEGA - HGTQSS-18U-6 - Thermoelement, T, 0 °C, 315 °C, Edelstahl
Tastkopf-/Messfühlerlänge, imperial: 6
Tastkopf-/Messfühlerlänge, metrisch: 152.4
Sensorgehäusematerial: Edelstahl
Anschlusslänge - metrisch: -
Anschlusslänge - imperial: -
Tastkopf-/Messfühlerdurchmesser, imperial: 0.125
Erfassungstemperatur, min.: 0
Tastkopf-/Messfühlerdurchmesser, metrisch: 3.18
Erfassungstemperatur, max.: 315
Produktpalette: -
Thermoelement: T
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

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HGTR-000.5RR

Description: HOSA - HGTR-000.5RR - 6 INCH PRO GUITAR PATCH CABLE 20AWG REAN RA TO SAME
Kabellänge - Imperial: 6
Mantelfarbe: Black
Steckverbinder A: 1/4" Mono Phone Plug
Kabellänge - Metrisch: 152.4
Steckverbinder B: 1/4" Mono Phone Plug
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)

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HGTR-001RR

Description: HOSA - HGTR-001RR - 12 INCH PRO GUITAR PATCH CABLE20AWG REAN RA TO SAME
Kabellänge - Imperial: 12
Mantelfarbe: Black
Steckverbinder A: 1/4" Mono Phone Plug
Kabellänge - Metrisch: 305
Steckverbinder B: 1/4" Mono Phone Plug
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)

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HGTR-010

Description: HOSA - HGTR-010 - 10FT PRO GUITAR CABLE 20AWG REAN STRAIGHT TO SAME
Kabellänge - Imperial: 10
Mantelfarbe: Black
Steckverbinder A: 1/4" Mono Phone Plug
Kabellänge - Metrisch: 3.05
Steckverbinder B: 1/4" Mono Phone Plug
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)

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HGTR-015

Description: HOSA - HGTR-015 - 15FT PRO GUITAR CABLE 20AWG REAN STRAIGHT TO SAME
Kabellänge - Imperial: 15
Mantelfarbe: Black
Steckverbinder A: 1/4" Mono Phone Plug
Kabellänge - Metrisch: 4.57
Steckverbinder B: 1/4" Mono Phone Plug
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)

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HGTR-015R