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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
HGT1E50N60E2HBHarris CorporationDescription: INSULATGABIPOLTRANSISTO50600V
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1N30N60A4DFairchild SemiconductorDescription: IGBT MOD 600V 96A 255W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 255 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
auf Bestellung 902 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+41.17 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1N40N60A4DonsemiDescription: IGBT MOD 600V 110A 298W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 298 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S10N120BNSON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S10N120BNSonsemiDescription: IGBT NPT 1200V 35A TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns
Switching Energy: 320µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S10N120BNSonsemi / FairchildIGBT Transistors 35A 1200V NPT N-Ch
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S10N120BNS
Produktcode: 104642
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Zolltarifnummer: 8541 29 00 10
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S10N120BNSTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S10N120BNSTonsemiDescription: IGBT NPT 1200V 35A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns
Switching Energy: 320µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S10N120BNSTonsemi / FairchildIGBTs N-Channel IGBT NPT Series 1200V
auf Bestellung 19460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.38 EUR
10+6.24 EUR
100+4.46 EUR
800+4.44 EUR
4800+4.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S10N120BNST
Produktcode: 213265
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S10N120BNSTONSEMIDescription: ONSEMI - HGT1S10N120BNST - IGBT, 35 A, 2.45 V, 298 W, 1.2 kV, TO-263AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.45V
Verlustleistung Pd: 298W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 35A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 517 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.29 EUR
20+12.09 EUR
100+10.95 EUR
500+10.71 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S10N120BNSTonsemiDescription: IGBT NPT 1200V 35A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns
Switching Energy: 320µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W
auf Bestellung 121 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.26 EUR
10+6.15 EUR
100+4.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S10N120BNSTONSEMIDescription: ONSEMI - HGT1S10N120BNST - IGBT, 35 A, 2.45 V, 298 W, 1.2 kV, TO-263AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Dauerkollektorstrom: 35A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 517 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.29 EUR
20+12.09 EUR
100+10.95 EUR
500+10.71 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S11N120CNSonsemi / FairchildIGBT Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S11N120CNS
Produktcode: 45305
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S12N60A4DSFairchild SemiconductorDescription: IGBT 600V 54A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263AB
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns
Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 167 W
auf Bestellung 2395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
74+7.41 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S12N60A4DS
Produktcode: 50012
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S12N60A4DSON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S12N60A4DSonsemiDescription: IGBT 600V 54A TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns
Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 167 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S12N60A4DSONS/FAIТранзистори
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+15.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S12N60A4S9AonsemiDescription: IGBT 600V 54A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns
Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 167 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S12N60A4S9AFAIRCHILD07+ TO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S12N60B3Harris CorporationDescription: IGBT 600V 27A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns
Switching Energy: 304µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 104 W
auf Bestellung 917 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
150+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S12N60B3DHarris CorporationDescription: IGBT 600V 27A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns
Switching Energy: 304µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 104 W
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
150+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S12N60B3DSHarris CorporationDescription: IGBT 600V 27A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263AB
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns
Switching Energy: 304µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 104 W
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
188+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 188 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S12N60B3SHarris CorporationDescription: IGBT 600V 27A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns
Switching Energy: 304µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 104 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S12N60C3Harris CorporationDescription: IGBT 600V 24A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W
auf Bestellung 899 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
171+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 171 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S12N60C3DHarris CorporationDescription: IGBT 600V 24A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W
auf Bestellung 2637 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
154+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 154 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S12N60C3DSONSEMIDescription: ONSEMI - HGT1S12N60C3DS - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
173+5.32 EUR
Mindestbestellmenge: 173 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S12N60C3DSonsemi / FairchildIGBT Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S12N60C3DSFairchild SemiconductorDescription: IGBT 600V 24A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 32 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 71 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W
auf Bestellung 565 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
126+4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S12N60C3RHarris CorporationDescription: IGBT 600V 24A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/120ns
Switching Energy: 400µJ (on), 340µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 71 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 104 W
auf Bestellung 1962 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
157+3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 157 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S12N60C3Sonsemi / FairchildIGBT Modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S12N60C3S9AR4501Harris CorporationDescription: 27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
168+3.28 EUR
Mindestbestellmenge: 168 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S14N36G3VLSFAIRCHILD07+ TO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S14N36G3VLSonsemiDescription: IGBT 390V 18A TO-263
Power - Max: 100 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Gate Charge: 24 nC
Test Condition: 300V, 7A, 25Ohm, 5V
Td (on/off) @ 25°C: -/7µs
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 5V, 14A
Input Type: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S14N36G3VLSonsemi / FairchildMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers Coil Dr 14A 360V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S14N36G3VLTFairchild SemiconductorDescription: IGBT 390V 18A TO-262
Td (on/off) @ 25°C: -/7µs
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 5V, 14A
Input Type: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
Power - Max: 100 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 24 nC
Test Condition: 300V, 7A, 25Ohm, 5V
auf Bestellung 11627 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
181+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 181 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S14N36G3VLTFAIRCHILDHGT1S14N36G3VLT
auf Bestellung 6860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+3.11 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S14N36G3VLT_NLFairchild SemiconductorDescription: IGBT, 18A, N-CHANNEL
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 5V, 14A
Input Type: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Bulk
Power - Max: 100 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Part Status: Active
Gate Charge: 24 nC
Test Condition: 300V, 7A, 28Ohm, 5V
Td (on/off) @ 25°C: -/7µs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S14N37G3VLSFairchild SemiconductorDescription: IGBT 380V 25A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 380 V
Power - Max: 136 W
auf Bestellung 4635 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
126+4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S14N37G3VLSFAIRCHILD07+ TO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S14N41G3VLSFairchild SemiconductorDescription: IGBT, 25A, 445V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 26 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 445 V
Power - Max: 136 W
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
163+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 163 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S14N41G3VLTFairchild SemiconductorDescription: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
157+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 157 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S14N41G3VLTONSEMIDescription: ONSEMI - HGT1S14N41G3VLT - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+5.09 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S15N120C3Harris CorporationDescription: IGBT 1200V 35A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
auf Bestellung 3604 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
66+8.37 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S15N120C3SHarris CorporationDescription: IGBT 1200V 35A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
auf Bestellung 695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
66+8.37 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S20N35F3VLR4505Harris CorporationDescription: 40A, 350V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
150+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S20N35G3VLSFAIRCHILD07+ TO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S20N35G3VLSonsemiDescription: IGBT 380V 20A 150W TO263AB
Power - Max: 150 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 375 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 28.7 nC
Test Condition: 300V, 10A, 25Ohm, 5V
Td (on/off) @ 25°C: -/15µs
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 5V, 20A
Input Type: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S20N36G3VLON SemiconductorDescription: IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S20N36G3VLFAIRCHILDHGT1S20N36G3VL
auf Bestellung 58000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
172+3.81 EUR
500+3.56 EUR
1000+3.27 EUR
10000+3.01 EUR
Mindestbestellmenge: 172 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S20N36G3VLSFairchild SemiconductorDescription: IGBT, 37.7A, 355V, N-CHANNEL
auf Bestellung 48197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
161+3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 161 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S20N36G3VLSFAIRCHILDHGT1S20N36G3VLS
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
172+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 172 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S20N36G3VLSFAIRCHILDHGT1S20N36G3VLS
auf Bestellung 10326 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
172+3.81 EUR
500+3.56 EUR
1000+3.27 EUR
10000+3.01 EUR
Mindestbestellmenge: 172 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S20N36G3VLSONSEMIDescription: ONSEMI - HGT1S20N36G3VLS - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 48196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+5.38 EUR
Mindestbestellmenge: 179 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S20N36G3VLSFAIRCHILDHGT1S20N36G3VLS
auf Bestellung 6436 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
172+3.81 EUR
500+3.56 EUR
1000+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 172 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S20N36G3VLSFAIRCHILDHGT1S20N36G3VLS
auf Bestellung 28918 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
172+3.81 EUR
500+3.56 EUR
1000+3.27 EUR
10000+3.01 EUR
Mindestbestellmenge: 172 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S20N36G3VLSFAIRCHILDHGT1S20N36G3VLS
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
172+3.81 EUR
500+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 172 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S20N36G3VLSFAIRCHILD07+ TO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S20N60A4Sonsemi / Fairchildonsemi
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S20N60A4S9AonsemiDescription: IGBT 600V 70A TO-263
Power - Max: 290 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 142 nC
Test Condition: 390V, 20A, 3Ohm, 15V
Switching Energy: 105µJ (on), 150µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/73ns
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S20N60A4S9Aonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V SMPS SERIES NCH IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S20N60B3SHarris CorporationDescription: IGBT 600V 40A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
auf Bestellung 635 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
88+6.3 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S20N60C3RHarris CorporationDescription: IGBT 600V 40A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 116 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 164 W
auf Bestellung 505 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
136+4.06 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S20N60C3Sonsemi / FairchildIGBT Transistors PTPIGBT TO263 45A 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S20N60C3SFAIRCHILD07+ TO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S20N60C3S9AFairchild
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S20N60C3S9AonsemiDescription: IGBT 600V 45A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/151ns
Switching Energy: 295µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 91 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 164 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S20N60C3S9AON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 45A 164000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S20N60C3S9AON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 45a 600V N-Ch IGBT UFS Series
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S2N120CNFairchild SemiconductorDescription: IGBT NPT 1200V 13A TO-262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2.6A
Supplier Device Package: TO-262
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/205ns
Switching Energy: 96µJ (on), 355µJ (off)
Test Condition: 960V, 2.6A, 51Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 13 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 104 W
auf Bestellung 87688 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
130+4.08 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S3N60A4DSonsemi / FairchildIGBT Transistors TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S3N60A4DS9Aonsemi / FairchildMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers 600V N-Channel IGBT SMPS Series
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S3N60A4DS9AonsemiDescription: IGBT 600V 17A TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/73ns
Switching Energy: 37µJ (on), 25µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 70 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S3N60A4DS9AFairchild SemiconductorDescription: IGBT 600V 17A TO-263
Power - Max: 70 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Gate Charge: 21 nC
Test Condition: 390V, 3A, 50Ohm, 15V
Switching Energy: 37µJ (on), 25µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/73ns
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
auf Bestellung 4713 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
146+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 146 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S3N60A4DS9A_NLonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V, SMPS, SERIES NCH IGBT W/ ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S3N60A4Sonsemi / FairchildIGBT Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S3N60A4S9Aonsemi / FairchildIGBT Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S3N60B3DSHarris CorporationDescription: 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Power - Max: 33.3 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Part Status: Active
Gate Charge: 18 nC
Test Condition: 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V
Switching Energy: 66µJ (on), 88µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns
Supplier Device Package: TO-263AB
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 3.5A
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S3N60B3SHarris CorporationDescription: 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Power - Max: 33.3 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Part Status: Active
Gate Charge: 21 nC
Switching Energy: 66µJ (on), 88µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns
Supplier Device Package: TO-263AB
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 3.5A
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Test Condition: 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
533+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 533 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S3N60C3DHarris CorporationDescription: IGBT 600V 6A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Gate Charge: 13.8 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 33 W
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
226+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 226 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S3N60C3DSHarris CorporationDescription: IGBT 600V 6A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
auf Bestellung 585 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
222+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 222 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S7N60A40SFSC2002 TO-263
auf Bestellung 20740 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S7N60A4DSonsemiDescription: IGBT 600V 34A TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/100ns
Switching Energy: 55µJ (on), 60µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 125 W
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HGT1S7N60A4DS
Produktcode: 34779
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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HGT1S7N60A4DSFAIRCHILD07+ TO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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HGT1S7N60A4DSonsemi / FairchildMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers 600V N-Ch IGBT SMPS Series HF
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HGT1S7N60A4DS9Aonsemi / FairchildIGBT Transistors
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HGT1S7N60A4DS9AFairchild SemiconductorDescription: IGBT, 34A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-263AB
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/100ns
Switching Energy: 120µJ (on), 60µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 60 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 125 W
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HGT1S7N60A4DS9A_SB82213onsemi / Fairchildonsemi
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HGT1S7N60A4Sonsemi / FairchildIGBT Transistors
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HGT1S7N60A4SFAIRCHILD07+ TO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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HGT1S7N60A4S9Aonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V N-Channel IGBT SMPS Series
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HGT1S7N60B3Harris CorporationDescription: IGBT 600V 14A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
209+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
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HGT1S7N60B3DHarris CorporationDescription: IGBT 600V 14A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
175+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 175 Stücke
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HGT1S7N60B3DSonsemi / FairchildIGBT Transistors
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HGT1S7N60B3DSHarris CorporationDescription: 14 A, 600 V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-263AB
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
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HGT1S7N60B3DS9Aonsemi / FairchildIGBT Transistors 14A 600V UFS N-Ch
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