Produkte > HGT
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||
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| HGT1E50N60E2HB | Harris Corporation | Description: INSULATGABIPOLTRANSISTO50600V Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1N30N60A4D | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT, 96A, 600V, N-CHANNEL Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 96 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 255 W Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA | auf Bestellung 935 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGT1N40N60A4D | onsemi | Description: IGBT MOD 600V 110A 298W SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 110 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 298 W Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S10N120BNS | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S10N120BNS | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S10N120BNST Produktcode: 104642
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| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule ZCODE: 8541290010 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| HGT1S10N120BNS | onsemi | Description: IGBT NPT 1200V 35A TO-263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns Switching Energy: 320µJ (on), 800µJ (off) Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 35 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 298 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S10N120BNS | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors 35A 1200V NPT N-Ch | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S10N120BNST | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S10N120BNST | ONSEMI | Description: ONSEMI - HGT1S10N120BNST - IGBT, 35 A, 2.45 V, 298 W, 1.2 kV, TO-263AB, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 298W Bauform - Transistor: TO-263AB Dauerkollektorstrom: 35A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 572 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S10N120BNST | onsemi | Description: IGBT NPT 1200V 35A TO-263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns Switching Energy: 320µJ (on), 800µJ (off) Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 35 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 298 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S10N120BNST | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S10N120BNST | onsemi / Fairchild | IGBTs N-Channel IGBT NPT Series 1200V | auf Bestellung 48587 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGT1S10N120BNST | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S10N120BNST | ONSEMI | Description: ONSEMI - HGT1S10N120BNST - IGBT, 35 A, 2.45 V, 298 W, 1.2 kV, TO-263AB, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.45V Verlustleistung Pd: 298W euEccn: NLR Verlustleistung: 298W Bauform - Transistor: TO-263AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 35A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 35A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 692 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S10N120BNST | Aptina Imaging | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 12800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGT1S10N120BNST | onsemi | Description: IGBT NPT 1200V 35A TO-263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns Switching Energy: 320µJ (on), 800µJ (off) Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 35 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 298 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S11N120CNS Produktcode: 45305
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| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| HGT1S11N120CNS | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S12N60A4DS | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S12N60A4DS | On Semiconductor/Fairchild | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| HGT1S12N60A4DS | onsemi | Description: IGBT 600V 54A TO-263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off) Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 78 nC Current - Collector (Ic) (Max): 54 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A Power - Max: 167 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S12N60A4DS Produktcode: 50012
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| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| HGT1S12N60A4DS | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S12N60A4DS | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT 600V 54A TO-263AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-263AB Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off) Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Current - Collector (Ic) (Max): 54 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A Power - Max: 167 W | auf Bestellung 2395 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGT1S12N60A4S9A | FAIRCHILD | TO-263 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S12N60A4S9A | onsemi | Description: IGBT 600V 54A TO-263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off) Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 78 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 54 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A Power - Max: 167 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S12N60A4S9A | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S12N60A4S9A | FAIRCHILD | 07+ TO-263 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S12N60B3 | Harris Corporation | Description: IGBT 600V 27A TO-262 Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns Switching Energy: 304µJ (on), 250µJ (off) Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V Gate Charge: 68 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 27 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A Power - Max: 104 W | auf Bestellung 917 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGT1S12N60B3D | Harris Corporation | Description: IGBT 600V 27A I2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A Supplier Device Package: I2PAK (TO-262) Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns Switching Energy: 304µJ (on), 250µJ (off) Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V Gate Charge: 78 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 27 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A Power - Max: 104 W | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGT1S12N60B3DS | Harris Corporation | Description: IGBT 600V 27A TO-263AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-263AB Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns Switching Energy: 304µJ (on), 250µJ (off) Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V Gate Charge: 78 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 27 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A Power - Max: 104 W | auf Bestellung 1100 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGT1S12N60B3S | Harris Corporation | Description: IGBT 600V 27A TO263 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns Switching Energy: 304µJ (on), 250µJ (off) Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V Gate Charge: 68 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 27 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A Power - Max: 104 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S12N60C3 | Harris Corporation | Description: IGBT 600V 24A TO-262 Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Gate Charge: 62 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 24 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A Power - Max: 104 W | auf Bestellung 899 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGT1S12N60C3D | Harris Corporation | Description: IGBT 600V 24A TO-262 Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 40 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Gate Charge: 62 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 24 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A Power - Max: 104 W | auf Bestellung 2637 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGT1S12N60C3DS | ONSEMI | Description: ONSEMI - HGT1S12N60C3DS - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 565 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S12N60C3DS | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S12N60C3DS | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT 600V 24A TO-263AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 32 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-263AB Gate Charge: 71 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 24 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A Power - Max: 104 W | auf Bestellung 565 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGT1S12N60C3R | Harris Corporation | Description: IGBT 600V 24A I2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 12A Supplier Device Package: I2PAK (TO-262) Td (on/off) @ 25°C: 37ns/120ns Switching Energy: 400µJ (on), 340µJ (off) Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V Gate Charge: 71 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 24 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A Power - Max: 104 W | auf Bestellung 1962 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGT1S12N60C3S | onsemi / Fairchild | IGBT Modules | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S12N60C3S9AR4501 | Harris Corporation | Description: 27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGT1S14N36G3VLS | FAIRCHILD | 07+ TO-263 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S14N36G3VLS | onsemi | Description: IGBT 390V 18A TO-263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 5V, 14A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Td (on/off) @ 25°C: -/7µs Test Condition: 300V, 7A, 25Ohm, 5V Gate Charge: 24 nC Current - Collector (Ic) (Max): 18 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V Power - Max: 100 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S14N36G3VLS | FAIRCHILD | TO-263 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S14N36G3VLS | onsemi / Fairchild | Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers Coil Dr 14A 360V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S14N36G3VLT | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT 390V 18A TO-262 Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 5V, 14A Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Td (on/off) @ 25°C: -/7µs Test Condition: 300V, 7A, 25Ohm, 5V Gate Charge: 24 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 18 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V Power - Max: 100 W | auf Bestellung 11627 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGT1S14N36G3VLT | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 330V 18A 100000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S14N36G3VLT | FAIRCHILD | HGT1S14N36G3VLT | auf Bestellung 6860 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGT1S14N36G3VLT_NL | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT, 18A, N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 5V, 14A Supplier Device Package: I2PAK (TO-262) Td (on/off) @ 25°C: -/7µs Test Condition: 300V, 7A, 28Ohm, 5V Gate Charge: 24 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 18 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V Power - Max: 100 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S14N37G3VLS | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT 380V 25A TO-263AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Supplier Device Package: TO-263AB Gate Charge: 27 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 380 V Power - Max: 136 W | auf Bestellung 4635 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGT1S14N37G3VLS | FAIRCHILD | 07+ TO-263 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S14N37G3VLS | FAIRCHILD | TO-263 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S14N41G3VLS | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT, 25A, 445V, N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Supplier Device Package: TO-263AB Gate Charge: 26 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 445 V Power - Max: 136 W | auf Bestellung 2480 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGT1S14N41G3VLT | Fairchild Semiconductor | Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Packaging: Bulk | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGT1S14N41G3VLT | ONSEMI | Description: ONSEMI - HGT1S14N41G3VLT - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S15N120C3 | Harris Corporation | Description: IGBT 1200V 35A TO-262 Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Gate Charge: 100 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 35 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 164 W | auf Bestellung 4004 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGT1S15N120C3S | Harris Corporation | Description: IGBT 1200V 35A TO-263AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-263AB Gate Charge: 100 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 35 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 164 W | auf Bestellung 695 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGT1S20N35F3VLR4505 | Harris Corporation | Description: 40A, 350V, UFS N-CHANNEL IGBT Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGT1S20N35G3VLS | FAIRCHILD | TO-263 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S20N35G3VLS | FAIRCHILD | 07+ TO-263 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S20N35G3VLS | FSC | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| HGT1S20N35G3VLS | onsemi | Description: IGBT 380V 20A 150W TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 5V, 20A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Td (on/off) @ 25°C: -/15µs Test Condition: 300V, 10A, 25Ohm, 5V Gate Charge: 28.7 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 375 V Power - Max: 150 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S20N36G3VL | FAIRCHILD | HGT1S20N36G3VL | auf Bestellung 58000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGT1S20N36G3VL | ON Semiconductor | Description: IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S20N36G3VLS | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT, 37.7A, 355V, N-CHANNEL | auf Bestellung 48197 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGT1S20N36G3VLS | FAIRCHILD | HGT1S20N36G3VLS | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGT1S20N36G3VLS | FAIRCHILD | 07+ TO-263 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S20N36G3VLS | FAIRCHILD | HGT1S20N36G3VLS | auf Bestellung 283 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGT1S20N36G3VLS | ONSEMI | Description: ONSEMI - HGT1S20N36G3VLS - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 48196 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S20N36G3VLS | FAIRCHILD | HGT1S20N36G3VLS | auf Bestellung 10326 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGT1S20N36G3VLS | FAIRCHILD | HGT1S20N36G3VLS | auf Bestellung 6436 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGT1S20N36G3VLS | FAIRCHILD | TO-263 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S20N36G3VLS | FAIRCHILD | HGT1S20N36G3VLS | auf Bestellung 28918 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGT1S20N60A4S | onsemi / Fairchild | onsemi | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S20N60A4S9A | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S20N60A4S9A | onsemi | Description: IGBT 600V 70A TO-263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Td (on/off) @ 25°C: 15ns/73ns Switching Energy: 105µJ (on), 150µJ (off) Test Condition: 390V, 20A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 142 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 70 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A Power - Max: 290 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S20N60A4S9A | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors 600V SMPS SERIES NCH IGBT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S20N60B3S | Harris Corporation | Description: IGBT 600V 40A TO-263AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Input Type: Standard Supplier Device Package: TO-263AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V | auf Bestellung 635 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGT1S20N60C3R | Harris Corporation | Description: IGBT 600V 40A TO-262 Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Gate Charge: 116 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 164 W | auf Bestellung 505 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGT1S20N60C3S | FAIRCHILD | TO-263 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S20N60C3S | FAIRCHILD | 07+ TO-263 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S20N60C3S | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors PTPIGBT TO263 45A 600V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S20N60C3S9A | ON Semiconductor / Fairchild | IGBT Transistors 45a 600V N-Ch IGBT UFS Series | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S20N60C3S9A | onsemi | Description: IGBT 600V 45A TO-263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Td (on/off) @ 25°C: 28ns/151ns Switching Energy: 295µJ (on), 500µJ (off) Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 91 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 45 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 164 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S20N60C3S9A | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 164000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S20N60C3S9A | Fairchild | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| HGT1S20N60C3S9A | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 164000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S2N120CN | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT NPT 1200V 13A TO-262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2.6A Supplier Device Package: TO-262 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 25ns/205ns Switching Energy: 96µJ (on), 355µJ (off) Test Condition: 960V, 2.6A, 51Ohm, 15V Gate Charge: 30 nC Current - Collector (Ic) (Max): 13 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A Power - Max: 104 W | auf Bestellung 70800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGT1S3N60A4DS | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors TO-263 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S3N60A4DS9A | onsemi | Description: IGBT 600V 17A TO-263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 29 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Td (on/off) @ 25°C: 6ns/73ns Switching Energy: 37µJ (on), 25µJ (off) Test Condition: 390V, 3A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 21 nC Current - Collector (Ic) (Max): 17 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 70 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S3N60A4DS9A | onsemi / Fairchild | Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers 600V N-Channel IGBT SMPS Series | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S3N60A4DS9A | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT 600V 17A TO-263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 29 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Td (on/off) @ 25°C: 6ns/73ns Switching Energy: 37µJ (on), 25µJ (off) Test Condition: 390V, 3A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 21 nC Current - Collector (Ic) (Max): 17 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 70 W | auf Bestellung 4713 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGT1S3N60A4DS9A_NL | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors 600V, SMPS, SERIES NCH IGBT W/ ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S3N60A4S | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S3N60A4S9A | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S3N60B3DS | Harris Corporation | Description: 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 28 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 3.5A Supplier Device Package: TO-263AB Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns Switching Energy: 66µJ (on), 88µJ (off) Test Condition: 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V Gate Charge: 18 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A Power - Max: 33.3 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S3N60B3S | Harris Corporation | Description: 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 16 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 3.5A Supplier Device Package: TO-263AB Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns Switching Energy: 66µJ (on), 88µJ (off) Test Condition: 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V Gate Charge: 21 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A Power - Max: 33.3 W | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGT1S3N60C3D | Harris Corporation | Description: 6A, 600V, N-CHANNEL IGBT Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A Supplier Device Package: I2PAK (TO-262) Gate Charge: 13.8 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A Power - Max: 33 W | auf Bestellung 365 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGT1S3N60C3DS | Harris Corporation | Description: 6A, 600V, N-CHANNEL IGBT Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Input Type: Standard Supplier Device Package: TO-263AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V | auf Bestellung 585 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGT1S7N60A40S | FSC | 2002 TO-263 | auf Bestellung 20740 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S7N60A4DS | onsemi | Description: IGBT 600V 34A TO-263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 34 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Td (on/off) @ 25°C: 11ns/100ns Switching Energy: 55µJ (on), 60µJ (off) Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V Gate Charge: 37 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 34 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A Power - Max: 125 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S7N60A4DS Produktcode: 34779
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| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| HGT1S7N60A4DS | FAIRCHILD | TO-263 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S7N60A4DS | onsemi / Fairchild | Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers 600V N-Ch IGBT SMPS Series HF | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S7N60A4DS | FAIRCHILD | 07+ TO-263 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S7N60A4DS9A | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S7N60A4DS9A | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT, 34A, 600V, N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 34 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A Supplier Device Package: TO-263AB Td (on/off) @ 25°C: 11ns/100ns Switching Energy: 120µJ (on), 60µJ (off) Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V Gate Charge: 60 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 34 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A Power - Max: 125 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S7N60A4DS9A_SB82213 | onsemi / Fairchild | onsemi | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S7N60A4S | FAIRCHILD | 07+ TO-263 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S7N60A4S | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S7N60A4S | FAIRCHILD | TO-263 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S7N60A4S9A | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT SMPS Series | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S7N60B3 | Harris Corporation | Description: IGBT 600V 14A TO-262 Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off) Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 30 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A Power - Max: 60 W | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGT1S7N60B3D | Harris Corporation | Description: IGBT 600V 14A TO-262 Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 21 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off) Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 30 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A Power - Max: 60 W | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGT1S7N60B3DS | Harris Corporation | Description: 14 A, 600 V, UFS N-CHANNEL IGBT Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A Supplier Device Package: TO-263AB Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off) Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 30 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A Power - Max: 60 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S7N60B3DS | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S7N60B3DS9A | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors 14A 600V UFS N-Ch | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S7N60B3S | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S7N60B3S9A | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S7N60C3D | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors Optocoupler Phototransistor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S7N60C3D | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT 600V 14A TO-262 Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Gate Charge: 38 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A Power - Max: 60 W | auf Bestellung 3882 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGT1S7N60C3DS | FAIRCHILD | 07+ TO-263 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S7N60C3DS | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 60000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S7N60C3DS | onsemi | Description: IGBT 600V 14A TO-263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off) Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 23 nC Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A Power - Max: 60 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S7N60C3DS | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors 7A 600V TF=275NS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S7N60C3DS | Harris Corporation | Description: IGBT 600V 14A TO-263AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A Supplier Device Package: TO-263AB Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off) Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 23 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A Power - Max: 60 W | auf Bestellung 8600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGT1S7N60C3DS | FAIRCHILD | TO-263 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S7N60C3DS9A | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors 14a 600V N-Ch IGBT UFS Series | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S7N60C3DS9A | FAIRCHILD | auf Bestellung 1900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| HGT1S7N60C3DS9A | onsemi | Description: IGBT 600V 14A TO-263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off) Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 23 nC Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A Power - Max: 60 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S7N60C3DS9A | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 60000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT1S7N60C3DS9A | Harris Corporation | Description: IGBT 600V 14A TO-263AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A Supplier Device Package: TO-263AB Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off) Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 23 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A Power - Max: 60 W | auf Bestellung 25600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGT1S7N60C3DS9A_NL | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT4E20N60A4DS | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors TO-268 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGT4E30N60B3S | Harris Corporation | Description: IGBT 60A, 600V, N CHANNEL, TO 26 Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGT4E30N60C3S | Harris Corporation | Description: IGBT 60A, 600V, N CHANNEL, TO 26 Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTA32N60E2 | Harris Corporation | Description: IGBT 600V 50A TO-218-5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-218-5 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 32A Supplier Device Package: TO-218-5 Gate Charge: 265 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 208 W | auf Bestellung 193 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTB12N60D1C | Harris Corporation | Description: IGBT 600V 12A TO-220-5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-5 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-220-5 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 75 W | auf Bestellung 498 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTD10N40F1 | Harris Corporation | Description: IGBT 400V 12A IPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 5A Supplier Device Package: IPAK Gate Charge: 13.4 nC Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 75 W | auf Bestellung 417 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTD10N40F1S | Harris Corporation | Description: 10A, 400V N-CHANNEL IGBT Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 5A Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Gate Charge: 13.4 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 75 W | auf Bestellung 1045 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTD10N50F1 | Harris Corporation | Description: IGBT 500V 12A IPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 5A Supplier Device Package: IPAK Gate Charge: 13.4 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V Power - Max: 75 W | auf Bestellung 2649 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTD10N50F1S | Harris Corporation | Description: IGBT 500V 12A TO-252 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 5A Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Gate Charge: 13.4 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V Power - Max: 75 W | auf Bestellung 495 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTD1N120BNS | FAIRCHILD | 07+ TO-252 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTD1N120BNS | FAIRCHILD | TO-252 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTD1N120BNS9A | onsemi / Fairchild | IGBTs 5.3a 1200v N-Ch IGBT NPT Series | auf Bestellung 56905 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTD1N120BNS9A | ONSEMI | Description: ONSEMI - HGTD1N120BNS9A - IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5V Verlustleistung Pd: 60W euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 5.3A Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 5.3A SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 13940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTD1N120BNS9A | ONSEMI | HGTD1N120BNS9A SMD IGBT transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTD1N120BNS9A | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTD1N120BNS9A | onsemi | Description: IGBT NPT 1200V 5.3A TO-252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 1A Supplier Device Package: TO-252AA IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 15ns/67ns Switching Energy: 70µJ (on), 90µJ (off) Test Condition: 960V, 1A, 82Ohm, 15V Gate Charge: 14 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5.3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 6 A Power - Max: 60 W | auf Bestellung 2499 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTD1N120BNS9A | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTD1N120BNS9A | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTD1N120BNS9A | ONSEMI | Description: ONSEMI - HGTD1N120BNS9A - IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252AA Dauerkollektorstrom: 5.3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 10218 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTD1N120BNS9A | onsemi | Description: IGBT NPT 1200V 5.3A TO-252AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 1A Supplier Device Package: TO-252AA IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 15ns/67ns Switching Energy: 70µJ (on), 90µJ (off) Test Condition: 960V, 1A, 82Ohm, 15V Gate Charge: 14 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5.3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 6 A Power - Max: 60 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTD1N120BNS9A | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTD3N60A4S | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT 600V 17A TO-252 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Td (on/off) @ 25°C: 6ns/73ns Test Condition: 390V, 3A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 32 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 17 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 70 W | auf Bestellung 2005 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTD3N60A4S | FAIRCHILD | TO-252 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTD3N60A4S | onsemi / Fairchild | Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTD3N60A4S | FAIRCHILD | 07+ TO-252 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTD3N60A4S Produktcode: 83202
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| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| HGTD3N60B3 | Harris Corporation | Description: IGBT 600V 7A IPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 16 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 3.5A Supplier Device Package: IPAK Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns Switching Energy: 66µJ (on), 88µJ (off) Test Condition: 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V Gate Charge: 21 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A Power - Max: 33.3 W | auf Bestellung 4349 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTD3N60B3S | Harris Corporation | Description: 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 16 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 3.5A Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns Switching Energy: 66µJ (on), 88µJ (off) Test Condition: 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V Gate Charge: 21 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A Power - Max: 33.3 W | auf Bestellung 944 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTD3N60B3S9A | Harris Corporation | Description: IGBT 600V 7A TO-252 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 16 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 3.5A Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns Switching Energy: 66µJ (on), 88µJ (off) Test Condition: 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V Gate Charge: 21 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A Power - Max: 33.3 W | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTD3N60C3 | Harris Corporation | Description: IGBT 600V 6A IPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 10 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A Supplier Device Package: IPAK Gate Charge: 13.8 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A Power - Max: 33 W | auf Bestellung 4718 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTD3N60C3S | Harris Corporation | Description: 6A, 600V, UFS SERIES N-CHANNEL I Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak) Gate Charge: 13.8 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A Power - Max: 33 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTD3N60C3S9A | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT 600V 6A TO-252 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Switching Energy: 85µJ (on), 245µJ (off) Test Condition: 480V, 3A, 82Ohm, 15V Gate Charge: 10.8 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A Power - Max: 33 W | auf Bestellung 8284 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTD3N60C3S9A | FAIRCHILD | TO-252 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTD3N60C3S9A | FAIRCHILD | 07+ TO-252 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTD6N40E1S | Harris Corporation | Description: 6A, 400V N-CHANNEL IGBT Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 3A Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK) Gate Charge: 6.9 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 60 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTD7N60A4S | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors TO-252 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTD7N60B3 | Harris Corporation | Description: IGBT 600V 14A IPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A Supplier Device Package: IPAK Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off) Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 30 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A Power - Max: 60 W | auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTD7N60B3S | Harris Corporation | Description: IGBT 600V 14A TO-252AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A Supplier Device Package: TO-252AA Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns Switching Energy: 72µJ (on), 120µJ (off) Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 37 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A Power - Max: 60 W | auf Bestellung 703 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTD7N60C3 | Harris Corporation | Description: 14A, 600V, N-CHANNEL IGBT Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A Supplier Device Package: I-PAK Gate Charge: 30 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A Power - Max: 60 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTD7N60C3S | FAIRCHILD | 07+ TO-252 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTD7N60C3S Produktcode: 131786
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| HGTD7N60C3S | Harris Corporation | Description: 600 V, 14 A, N-CHANNEL IGBT Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A Supplier Device Package: TO-252AA Gate Charge: 23 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A Power - Max: 60 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTD7N60C3S | FAIRCHILD | TO-252 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTD7N60C3S | onsemi / Fairchild | IGBTs PTPIGBT TO252 7A 600V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTD7N60C3S9A | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 60000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTD7N60C3S9A | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 5939 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTD7N60C3S9A | onsemi | Description: IGBT 600V 14A TO-252AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A Supplier Device Package: TO-252AA Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off) Gate Charge: 23 nC Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A Power - Max: 60 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTD7N60C3S9A | FAIRCHILD | Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 60000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 249 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTD7N60C3S9A | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT 600V 14A TO-252 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off) Gate Charge: 23 nC Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A Power - Max: 60 W | auf Bestellung 249 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTD7N60C3S9A | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors 14a 600V N-Ch IGBT UFS Series | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTD7N60C3S9A | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 493 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTD7N60C3S9A | onsemi | Description: IGBT 600V 14A TO-252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A Supplier Device Package: TO-252AA Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off) Gate Charge: 23 nC Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A Power - Max: 60 W | auf Bestellung 1979 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTD7N60C3S9A_NL | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTD8P50G1 | Harris Corporation | Description: 8A, 500V P-CHANNEL IGBT Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 8A Supplier Device Package: I-PAK Gate Charge: 30 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 66 W | auf Bestellung 23728 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTD8P50G1S | Harris Corporation | Description: 8A, 500V P-CHANNEL IGBT Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A Supplier Device Package: TO-252AA Gate Charge: 30 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 66 W | auf Bestellung 6865 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTD8P50GIS | Harris Corporation | Description: 8A, 500V P-CHANNEL IGBT Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG10N120BN | onsemi / Fairchild | IGBTs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG10N120BND | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG10N120BND Produktcode: 91807
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| HGTG10N120BND | onsemi / Fairchild | IGBTs 35A 1200V N-Ch | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG10N120BND | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 19800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG10N120BND | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 345 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG10N120BND | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 665 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG10N120BND | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 391 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG10N120BND | onsemi | Description: IGBT NPT 1200V 35A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 70 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns Switching Energy: 850µJ (on), 800µJ (off) Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 35 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 298 W | auf Bestellung 10549 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTG10N120BND | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 391 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG10N120BND_Q | onsemi / Fairchild | IGBTs 35A 1200V N-Ch | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG11N120CN | FAIRCHILD | HGTG11N120CN | auf Bestellung 228 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG11N120CN | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG11N120CN | ONSEMI | Description: ONSEMI - HGTG11N120CN - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG11N120CN | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT NPT 1200V 43A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 11A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 23ns/180ns Switching Energy: 400µJ (on), 1.3mJ (off) Test Condition: 960V, 11A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 43 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 298 W | auf Bestellung 971 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTG11N120CN | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors 43A 1200V N-Ch | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG11N120CN | FAIRCHILD | HGTG11N120CN | auf Bestellung 243 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG11N120CN | FAIRCHILD | HGTG11N120CN | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG11N120CN | onsemi | Description: IGBT NPT 1200V 43A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 11A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 23ns/180ns Switching Energy: 400µJ (on), 1.3mJ (off) Test Condition: 960V, 11A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Current - Collector (Ic) (Max): 43 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 298 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG11N120CND | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG11N120CND | ON-Semicoductor | Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 43A; 80A; 298W; 6,0~6,8V; 150nC; -55°C~150°C; HGTG11N120CND THGTG11n120cnd Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| HGTG11N120CND | onsemi | Description: IGBT NPT 1200V 43A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 70 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 11A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 23ns/180ns Switching Energy: 950µJ (on), 1.3mJ (off) Test Condition: 960V, 11A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 43 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 298 W | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG11N120CND | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 213 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG11N120CND Produktcode: 63369
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Lieblingsprodukt
| FAIR | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule Gehäuse: TO-247 Vces: 1200 Vce: 2,1 Ic 25: 43 Ic 100: 22 td(on)/td(off) 100-150 Grad: 23/180 | Produkt ist nicht verfügbar |
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| HGTG11N120CND | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG11N120CND | ONSEMI | Description: ONSEMI - HGTG11N120CND - IGBT, 43 A, 2.4 V, 298 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 298W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 43A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG11N120CND | onsemi / Fairchild | IGBTs 43A 1200V NCh w/Anti Parallel Hyprfst Dd | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG12N60A4 | onsemi | Description: IGBT 600V 54A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off) Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 78 nC Current - Collector (Ic) (Max): 54 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A Power - Max: 167 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG12N60A4 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG12N60A4 | auf Bestellung 9826 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| HGTG12N60A4D | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG12N60A4D Produktcode: 31158
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Lieblingsprodukt
| Fairchild | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule Gehäuse: TO-247 Vces: 600 V Vce: 2,7 V Ic 25: 54 A Ic 100: 23 A Pd 25: 167 W td(on)/td(off) 100-150 Grad: 17/96 | auf Bestellung 4 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 20 Stück: 20 Stück - erwartet 31.08.2025 | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG12N60A4D | ONSEMI | Description: ONSEMI - HGTG12N60A4D - IGBT, 54 A, 2.7 V, 167 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 54A SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG12N60A4D | onsemi / Fairchild | IGBTs 600V N-Channel IGBT SMPS Series | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG12N60A4D | onsemi | Description: IGBT 600V 54A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off) Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 78 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 54 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A Power - Max: 167 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG12N60A4D | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 419 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG12N60A4D_NL | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors 600V, SMPS SERIES NCH IGBT W/ ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG12N60B3 | onsemi | Description: IGBT 600V 27A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns Switching Energy: 150µJ (on), 250µJ (off) Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V Gate Charge: 51 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 27 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A Power - Max: 104 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG12N60B3 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 27A 104000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG12N60B3D | Harris Corporation | Description: HGTG12N27600UN-CHANNIGWIANTI-PAR Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG12N60C3D | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG12N60C3D | TE Connectivity | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG12N60C3D | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG12N60C3D | Harris Corporation | Description: IGBT 600V 24A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247 Switching Energy: 380µJ (on), 900µJ (off) Gate Charge: 48 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 24 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A Power - Max: 104 W | auf Bestellung 236 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTG12N60C3D | onsemi / Fairchild | IGBTs 24a 600V IGBT UFS N-Channel | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG12N60C3D | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG12N60C3D | HARRIS | HGTG12N60C3D | auf Bestellung 236 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG12N60C3D TO-247 Produktcode: 109889
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| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| HGTG12N60C3DR | Harris Corporation | Description: UFS SERIES N-CHANNEL IGBT Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-247 Td (on/off) @ 25°C: 37ns/120ns Switching Energy: 400µJ (on), 340µJ (off) Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V Gate Charge: 71 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 24 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A Power - Max: 104 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG12N60D1D | HARRIS | HGTG12N60D1D | auf Bestellung 234 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG12N60D1D | HARRIS | HGTG12N60D1D | auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG12N60D1D | Harris Corporation | Description: IGBT 600V 21A TO-247 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-247 Gate Charge: 70 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 21 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A Power - Max: 75 W | auf Bestellung 606 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTG12N60D1D | HARRIS | HGTG12N60D1D | auf Bestellung 260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG12N60DID | Harris Corporation | Description: 24A, 600V, RUGGED, UFS SERIES N Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 15378 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTG12N60DID | HARRIS | HGTG12N60DID | auf Bestellung 15378 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG15N1203D | Harris Corporation | Description: 35A, 1200V, UFS SERIES N-CHANNEL Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG15N120C3 | Harris Corporation | Description: IGBT 1200V 35A TO-247 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247 Gate Charge: 100 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 35 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 164 W | auf Bestellung 517 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTG15N120C3 | HARRIS | HGTG15N120C3 | auf Bestellung 517 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG18N120BN | onsemi | Description: IGBT NPT 1200V 54A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 18A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns Switching Energy: 800µJ (on), 1.8mJ (off) Test Condition: 960V, 18A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 165 nC Current - Collector (Ic) (Max): 54 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 165 A Power - Max: 390 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG18N120BN | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 390000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG18N120BN | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 390000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG18N120BN | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors 54A 1200V N-Ch | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG18N120BND | ONSEMI | Description: ONSEMI - HGTG18N120BND - IGBT, 54 A, 2.7 V, 390 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 390W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 54A SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG18N120BND | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 390000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG18N120BND | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors 54A 1200V N-Ch w/Ant Parallel Hyprfst Dde | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG18N120BND | onsemi | Description: IGBT NPT 1200V 54A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 18A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns Switching Energy: 1.9mJ (on), 1.8mJ (off) Test Condition: 960V, 18A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 165 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 54 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 390 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG18N120BND | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 390000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG18N120BND_NL | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors 1200V,54A,NPT SERIES NCH IGBT W/ ANTI-PARALLEL HYPERFAST | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG18N120BN_NL | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors PWR IGBT 36A 1200V N-CHANNEL NPT TO-247 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG201N100E2 | Harris Corporation | Description: HGTG201N100E2 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG20N100D2 | HARRIS | HGTG20N100D2 | auf Bestellung 493 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG20N100D2 | Harris Corporation | Description: IGBT 1000V 34A TO-247 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.1V @ 10V, 20A Supplier Device Package: TO-247 Gate Charge: 163 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 34 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 150 W | auf Bestellung 505 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTG20N120C3D | Harris Corporation | Description: 45A, 1200V, N-CHANNEL IGBT Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 70 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247 Td (on/off) @ 25°C: 39ns/110ns Switching Energy: 2.25mJ (on), 1.2mJ (off) Test Condition: 960V, 20A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 186 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 45 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 208 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG20N120CN | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG20N120CND | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG20N50C1D | HARRIS | HGTG20N50C1D | auf Bestellung 405 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG20N50C1D | HARRIS | HGTG20N50C1D | auf Bestellung 2360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG20N50C1D | HARRIS | HGTG20N50C1D | auf Bestellung 208 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG20N50C1D | Harris Corporation | Description: IGBT 500V 26A TO-247 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A Supplier Device Package: TO-247 Gate Charge: 33 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 26 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A Power - Max: 75 W | auf Bestellung 2973 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTG20N60A4 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG20N60A4 | onsemi / Fairchild | IGBTs 600V N-Channel IGBT SMPS Series | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG20N60A4 Produktcode: 32885
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| FAIR | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule Gehäuse: TO-247 Vces: 600 Vce: 1,8 Ic 25: 70 Ic 100: 40 Pd 25: 290 td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73 | auf Bestellung 1 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| HGTG20N60A4 | Fairchaild | IGBT транзистор - SMPS IGBT - TO-247; 600 V; 40A | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG20N60A4 | onsemi | Description: IGBT 600V 70A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: 15ns/73ns Switching Energy: 105µJ (on), 150µJ (off) Test Condition: 390V, 20A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 142 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 70 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A Power - Max: 290 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG20N60A4 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG20N60A4D | onsemi / Fairchild | IGBTs 600V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG20N60A4D Produktcode: 29312
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| FAIR | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule Gehäuse: TO-247 Vces: 600 Vce: 1,8 Ic 25: 70 Ic 100: 40 Pd 25: 290 td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73 | verfügbar 6 Stück: 5 Stück - stock Köln1 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen |
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| HGTG20N60A4D | onsemi | Description: IGBT 600V 70A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: 15ns/73ns Switching Energy: 105µJ (on), 150µJ (off) Test Condition: 390V, 20A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 142 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 70 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A Power - Max: 290 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG20N60A4D | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG20N60A4D | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG20N60A4D | ONSEMI | Description: ONSEMI - HGTG20N60A4D - IGBT, 70 A, 2.7 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 productTraceability: No Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 290W Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Kontinuierlicher Kollektorstrom: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V Betriebstemperatur, max.: 150°C usEccn: EAR99 Produktpalette: - | auf Bestellung 1617 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG20N60A4D Produktcode: 206983
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| Alfa@Omega | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule Gehäuse: PG-TO247-3 Vces: 600 V Vce: 1,8 V Ic 25: 70 A Ic 100: 40 A Pd 25: 290 W td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73 | auf Bestellung 20 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG20N60A4D | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG20N60A4D | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG20N60A4D_NL | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors 600V, SMPS SERIES NCH IGBT W/ ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG20N60A4_NL | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors PWR IGBT 45A / 600V SMPS N-CH TO-247 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG20N60B3 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG20N60B3 | N/A | 09+ | auf Bestellung 4518 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG20N60B3 Produktcode: 63371
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| FAIR | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule Gehäuse: TO-247 Vces: 600 Vce: 2,1 Ic 25: 40 Ic 100: 20 td(on)/td(off) 100-150 Grad: 25/220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG20N60B3 | Harris Corporation | Description: IGBT 600V 40A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247 Switching Energy: 475µJ (on), 1.05mJ (off) Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 80 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 165 W | auf Bestellung 2057 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTG20N60B3 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG20N60B3 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG20N60B3 | ON Semiconductor | auf Bestellung 3150 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| HGTG20N60B3 | onsemi | Description: IGBT 600V 40A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247-3 Switching Energy: 475µJ (on), 1.05mJ (off) Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 80 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 165 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG20N60B3 | onsemi / Fairchild | IGBTs 600V N-Channel IGBT UFS Series | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG20N60B3 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG20N60B3-FS | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT 600V 40A TO-247 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247 Gate Charge: 135 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 165 W | auf Bestellung 42154 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTG20N60B3D | TE Connectivity | TE Connectivity | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG20N60B3D | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG20N60B3D | ONSEMI | Description: ONSEMI - HGTG20N60B3D - IGBT, 40 A, 1.8 V, 165 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 165W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A | auf Bestellung 947 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG20N60B3D | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors 600V IGBT UFS N-Channel | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG20N60B3D | onsemi | Description: IGBT 600V 40A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 55 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247-3 Switching Energy: 475µJ (on), 1.05mJ (off) Gate Charge: 80 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 165 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG20N60B3D | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG20N60B3D | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG20N60B3D Produktcode: 28558
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| Fairchild | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule Gehäuse: TO-247 Vces: 600 V Vce: 1,8 V Ic 25: 40 A Ic 100: 20 A Pd 25: 165 W td(on)/td(off) 100-150 Grad: 25/220 | auf Bestellung 25 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG20N60B3D | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG20N60B3D_Q | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors 600V IGBT UFS N-Channel | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG20N60B3_NL | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT, 40A, 600V, N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247 Gate Charge: 135 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 165 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG20N60B3_Q | onsemi / Fairchild | IGBTs 600V N-Channel IGBT UFS Series | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG20N60C3 | FAIRCHILD | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| HGTG20N60C3 | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG20N60C3D | onsemi / Fairchild | Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers UFS 20A 600V N-Ch | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG20N60C3D | onsemi | Description: IGBT 600V 45A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 55 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: 28ns/151ns Switching Energy: 500µJ (on), 500µJ (off) Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 91 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 45 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 164 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG20N60C3D | FAIRCHILD | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| HGTG20N60C3D_NL | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors 600V, 45A, NCH IGBT W/ ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG20N60C3R | HARRIS | HGTG20N60C3R | auf Bestellung 189 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG20N60C3R | Harris Corporation | Description: IGBT 600V 40A TO-247 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247 Gate Charge: 116 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 164 W | auf Bestellung 4575 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTG20N60C3R | HARRIS | HGTG20N60C3R | auf Bestellung 2150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG20N60C3R | HARRIS | HGTG20N60C3R | auf Bestellung 2158 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG24N60D1 | HARRIS | HGTG24N60D1 | auf Bestellung 8662 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG24N60D1 | HARRIS | HGTG24N60D1 | auf Bestellung 794 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG24N60D1 | HARRIS | 9718 | auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG24N60D1 | HARRIS | HGTG24N60D1 | auf Bestellung 15542 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG24N60D1 | Harris Corporation | Description: IGBT 600V 40A TO-247 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 24A Supplier Device Package: TO-247 Gate Charge: 155 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A Power - Max: 125 W | auf Bestellung 24999 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTG24N60D1D | HARRIS | HGTG24N60D1D | auf Bestellung 8180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG24N60D1D | Harris Corporation | Description: IGBT 600V 40A TO-247 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 24A Supplier Device Package: TO-247 Gate Charge: 155 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A Power - Max: 125 W | auf Bestellung 9092 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTG24N60D1D | HARRIS | HGTG24N60D1D | auf Bestellung 912 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG24N60DID | Harris Corporation | Description: 40A, 600V, RUGGED UFS SERIES N-C Packaging: Bulk Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG27N120BN | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 72A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG27N120BN | FAIRCHIL | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| HGTG27N120BN | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors 72A 1200V NPT Series N-Ch IGBT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG27N120BN | onsemi | Description: IGBT NPT 1200V 72A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 27A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 24ns/195ns Switching Energy: 2.2mJ (on), 2.3mJ (off) Test Condition: 960V, 27A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 270 nC Current - Collector (Ic) (Max): 72 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 216 A Power - Max: 500 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG27N120BN | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 72A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG27N120BN | ONSEMI | Description: ONSEMI - HGTG27N120BN - IGBT, 72 A, 2.7 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7 DC-Kollektorstrom: 72 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Verlustleistung Pd: 500 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: Lead (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG27N60C3DR | Harris Corporation | Description: IGBT 600V 54A TO-247 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 27A Supplier Device Package: TO-247 Gate Charge: 212 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 54 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 108 A Power - Max: 208 W | auf Bestellung 68 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTG27N60C3DR | HARRIS | HGTG27N60C3DR | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG27N60C3R | HARRIS | HGTG27N60C3R | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG27N60C3R | HARRIS | HGTG27N60C3R | auf Bestellung 147 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG27N60C3R | Harris Corporation | Description: IGBT 600V 54A TO-247 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 27A Supplier Device Package: TO-247 Gate Charge: 212 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 54 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 108 A Power - Max: 208 W | auf Bestellung 297 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTG2ON60C3DR | HARRIS | HGTG2ON60C3DR | auf Bestellung 302 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG2ON60C3DR | Harris Corporation | Description: 40A, 600V, RUGGED UFS SERIES N C Packaging: Bulk | auf Bestellung 302 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTG30N120CN | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG30N120CN | FSC | auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| HGTG30N60A4 | onsemi | Description: IGBT 600V 75A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns Switching Energy: 280µJ (on), 240µJ (off) Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 225 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A Power - Max: 463 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG30N60A4 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG30N60A4 | ONSEMI | Description: ONSEMI - HGTG30N60A4 - IGBT, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) MSL: - Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.6 Verlustleistung Pd: 463 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: 75 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG30N60A4 Produktcode: 42509
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Lieblingsprodukt
| FAIR | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule Gehäuse: TO-247 Vces: 600 Vce: 1,8 Ic 25: 75 Ic 100: 60 Pd 25: 463 td(on)/td(off) 100-150 Grad: 25/150 | auf Bestellung 1 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| HGTG30N60A4 | onsemi / Fairchild | IGBTs 600V N-Channel IGBT SMPS Series | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG30N60A4 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG30N60A4D | ONSEMI | Description: ONSEMI - HGTG30N60A4D - IGBT, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.6V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 463W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A SVHC: Lead (23-Jan-2024) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG30N60A4D Produktcode: 31842
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Lieblingsprodukt
| Intersil | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule Gehäuse: TO-247 Vces: 600 Vce: 1,8 Ic 25: 75 Ic 100: 60 Pd 25: 463 td(on)/td(off) 100-150 Grad: 24/180 | auf Bestellung 18 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| HGTG30N60A4D | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 463W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG30N60A4D | Fairchaild | IGBT транзистор - [TO-247-3]; 600 V; 75 A Low Conduction Loss | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG30N60A4D | onsemi / Fairchild | IGBTs 600V N-Channel IGBT SMPS Series | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG30N60A4D | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 463W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG30N60A4D | onsemi | Description: IGBT 600V 75A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 55 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns Switching Energy: 280µJ (on), 240µJ (off) Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 225 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A Power - Max: 463 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG30N60A4D | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG30N60B3 | Harris Corporation | Description: IGBT 600V 60A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247 Td (on/off) @ 25°C: 36ns/137ns Switching Energy: 500µJ (on), 680µJ (off) Test Condition: 480V, 30A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 170 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A Power - Max: 208 W | auf Bestellung 16153 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTG30N60B3 | HARRIS | HGTG30N60B3 | auf Bestellung 732 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG30N60B3 | FSC 06+ TO-3P | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| HGTG30N60B3 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 208000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG30N60B3 | ONSEMI | Description: ONSEMI - HGTG30N60B3 - IGBT, 60 A, 1.45 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | auf Bestellung 16153 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG30N60B3 | HARRIS | HGTG30N60B3 | auf Bestellung 15421 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG30N60B3 | auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| HGTG30N60B3 | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT UFS Series | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG30N60B3D | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 208000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG30N60B3D | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors 600V IGBT UFS N-Channel | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG30N60B3D Produktcode: 95788
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| HGTG30N60B3D | onsemi | Description: IGBT 600V 60A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 55 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: 36ns/137ns Switching Energy: 550µJ (on), 680µJ (off) Test Condition: 480V, 30A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 170 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A Power - Max: 208 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG30N60B3D | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 208000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG30N60B3D.. | ONSEMI | Description: ONSEMI - HGTG30N60B3D.. - IGBT, 60 A, 1.9 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.9 DC-Kollektorstrom: 60 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Verlustleistung Pd: 208 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG30N60B3D_NL | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors 600V,60A,UFS SERIES NCH IGBT W/ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG30N60B3D_Q | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors 600V IGBT UFS N-Channel | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG30N60B3_NL | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT NPT 600V 60A TO-247 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 36ns/137ns Switching Energy: 550µJ (on), 680µJ (off) Test Condition: 480V, 60A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 250 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A Power - Max: 208 W | auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTG30N60B3_NL | FAIRCHILD | HGTG30N60B3_NL | auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG30N60C3 | Harris Corporation | Description: IGBT 600V 63A SUPER-247 Packaging: Bulk Package / Case: TO-274AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A Supplier Device Package: SUPER-247 (TO-274AA) Td (on/off) @ 25°C: 40ns/320ns Switching Energy: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off) Test Condition: 480V, 30A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 250 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 63 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A Power - Max: 208 W | auf Bestellung 1321 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTG30N60C3 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| HGTG30N60C3 | HARRIS | HGTG30N60C3 | auf Bestellung 1321 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG30N60C3D | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 77 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG30N60C3D | onsemi | Description: IGBT 600V 63A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247-3 Switching Energy: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off) Gate Charge: 162 nC Current - Collector (Ic) (Max): 63 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A Power - Max: 208 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG30N60C3D | FAIRCHILD | Trans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail | auf Bestellung 6950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG30N60C3D | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors 63a 600V NCh IGBT Hyperfast anti-para | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG30N60C3D | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 77 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG30N60C3D | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT 600V 63A TO-247 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247 Switching Energy: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off) Gate Charge: 162 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 63 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A Power - Max: 208 W | auf Bestellung 7113 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTG30N60C3D | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG30N60C3D | FAIRCHILD | Trans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail | auf Bestellung 71 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG30N60C3D | ONSEMI | Description: ONSEMI - HGTG30N60C3D - IGBT, 63 A, 1.8 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8 DC-Kollektorstrom: 63 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Verlustleistung Pd: 208 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG30N60C3D | FAIRCHILD | Trans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail | auf Bestellung 72 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG30N60C3D_NL | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT, 63A, 600V, N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247 Gate Charge: 250 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 63 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A Power - Max: 208 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG30N60C3D_NL | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors 600V,63A,UFS,SERIES NCH IGBT W/ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG32N60E2 | HARRIS | HGTG32N60E2 | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG32N60E2 | Harris Corporation | Description: IGBT 600V 50A TO-247 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 32A Supplier Device Package: TO-247 Gate Charge: 265 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 208 W | auf Bestellung 2969 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTG32N60E2 | HARRIS | HGTG32N60E2 | auf Bestellung 1181 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG32N60E2 | HARRIS | HGTG32N60E2 | auf Bestellung 1098 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG32N60E2 | HARRIS | HGTG32N60E2 | auf Bestellung 390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG34N100E2 | Harris Corporation | Description: IGBT 1000V 55A TO-247 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 34A Supplier Device Package: TO-247 Gate Charge: 240 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 55 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 208 W | auf Bestellung 1350 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTG34N100E2 | HARRIS | HGTG34N100E2 | auf Bestellung 1350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG40N60A4 Produktcode: 47773
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| HGTG40N60A4 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 625000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG40N60A4 | onsemi / Fairchild | IGBTs 600V N-Channel IGBT SMPS Series | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG40N60A4 | onsemi | Description: IGBT 600V 75A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: 25ns/145ns Switching Energy: 400µJ (on), 370µJ (off) Test Condition: 390V, 40A, 2.2Ohm, 15V Gate Charge: 350 nC Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 625 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG40N60A4 | ON-Semicoductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 625000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 HGTG40N60A4 THGTG40n60a4 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke | auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| HGTG40N60A4 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 625W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 103 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG40N60B3 | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT UFS Series | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG40N60B3 | onsemi | Description: IGBT 600V 70A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: 47ns/170ns Switching Energy: 1.05mJ (on), 800µJ (off) Test Condition: 480V, 40A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 250 nC Current - Collector (Ic) (Max): 70 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 330 A Power - Max: 290 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG40N60B3 | FAIRCHIL | 05+ BGA | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG40N60B3 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 413 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG40N60B3 | ONSEMI | Description: ONSEMI - HGTG40N60B3 - IGBT, 70 A, 2 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2 DC-Kollektorstrom: 70 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Verlustleistung Pd: 290 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG40N60B3 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG40N60B3 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 413 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG40N60B3 Produktcode: 148092
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Lieblingsprodukt
| Verschiedene Bauteile > Other components 3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| HGTG40N60B3 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG40N60B3-FS | Fairchild Semiconductor | Description: 70A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG40N60C3 | FAIRCHILD | HGTG40N60C3 | auf Bestellung 89 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG40N60C3 | Harris Corporation | Description: IGBT 600V 75A TO-247 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247 Td (on/off) @ 25°C: 47ns/185ns Switching Energy: 850mJ (on), 1mJ (off) Test Condition: 480V, 40A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 395 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 291 W | auf Bestellung 89 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTG40N60C3R | HARRIS | HGTG40N60C3R | auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG40N60C3R | Harris Corporation | Description: IGBT 600V 75A TO-247 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247 Gate Charge: 330 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 291 W | auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTG5N120BND | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 21A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 412 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG5N120BND | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 21A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG5N120BND Produktcode: 58070
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| HGTG5N120BND | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 21A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG5N120BND | onsemi | Description: IGBT NPT 1200V 21A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 65 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 5A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 22ns/160ns Switching Energy: 450µJ (on), 390µJ (off) Test Condition: 960V, 5A, 25Ohm, 15V Gate Charge: 53 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 21 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 167 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG5N120BND | onsemi / Fairchild | IGBTs 21a 1200V IGBT NPT Series N-Ch | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG5N120BND | ONSEMI | Description: ONSEMI - HGTG5N120BND - IGBT, 21 A, 2.7 V, 167 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7 DC-Kollektorstrom: 21 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Verlustleistung Pd: 167 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG7N60A4 | onsemi | Description: IGBT 600V 34A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: 11ns/100ns Switching Energy: 55µJ (on), 60µJ (off) Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V Gate Charge: 37 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 34 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A Power - Max: 125 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG7N60A4 | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT SMPS Series | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG7N60A4D | Harris Corporation | Description: IGBT 600V 34A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 34 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A Supplier Device Package: TO-247 Td (on/off) @ 25°C: 11ns/100ns Switching Energy: 55µJ (on), 60µJ (off) Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V Gate Charge: 37 nC Current - Collector (Ic) (Max): 34 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A Power - Max: 125 W | auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTG7N60A4D | onsemi | Description: IGBT 600V 34A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 34 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: 11ns/100ns Switching Energy: 55µJ (on), 60µJ (off) Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V Gate Charge: 37 nC Current - Collector (Ic) (Max): 34 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A Power - Max: 125 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG7N60A4D | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG7N60A4D | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG7N60A4D | FAIRCHILD | 03+ | auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG7N60A4D | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors 600V N-Ch IGBT SMPS Series HF | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTG7N60A4D_Q | onsemi / Fairchild | Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers 600V N-Ch IGBT SMPS Series HF | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTH12N40C1D | Harris Corporation | Description: 12A, 400V, N-CHANNEL IGBT Packaging: Bulk Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A Supplier Device Package: TO-218 Isolated Gate Charge: 19 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A Power - Max: 75 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTH12N40CID | Harris Corporation | Description: 12A, 400V, N CHANNEL IGBT WITH A Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTH12N40E1D | Harris Corporation | Description: 12A, 400V, N-CHANNEL IGBT Packaging: Bulk Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A Supplier Device Package: TO-218 Isolated Gate Charge: 19 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A Power - Max: 75 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTH12N50C1 | Harris Corporation | Description: 12A, 500V, N-CHANNEL IGBT Packaging: Bulk Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A Supplier Device Package: TO-218 Isolated Gate Charge: 19 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A Power - Max: 75 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTH12N50C1D | Harris Corporation | Description: IGBT 500V 12A TO-218 ISOLATED Packaging: Bulk Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A Supplier Device Package: TO-218 Isolated Gate Charge: 19 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A Power - Max: 75 W | auf Bestellung 483 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTH12N50CID | Harris Corporation | Description: 12A, 500V, N CHANNEL IGBT WITH A Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 1374 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTH20N40C1 | Harris Corporation | Description: 20A, 400V, N-CHANNEL IGBT Packaging: Bulk Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A Supplier Device Package: TO-218 Isolated Gate Charge: 33 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A Power - Max: 100 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTH20N40C1D | Harris Corporation | Description: 20A, 400V, N-CHANNEL IGBT Packaging: Bulk Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A Supplier Device Package: TO-218 Isolated Gate Charge: 33 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A Power - Max: 100 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTH20N50C1 | Harris Corporation | Description: IGBT 500V 20A TO-218 ISOLATED Packaging: Bulk Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A Supplier Device Package: TO-218 Isolated Gate Charge: 33 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A Power - Max: 100 W | auf Bestellung 4984 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTH20N50E1 | Harris Corporation | Description: IGBT 500V 20A TO-218 ISOLATED Packaging: Bulk Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A Supplier Device Package: TO-218 Isolated Gate Charge: 33 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A Power - Max: 100 W | auf Bestellung 287 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTH20N50E1D | Harris Corporation | Description: IGBT 500V 20A TO-218 ISOLATED Packaging: Bulk Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A Supplier Device Package: TO-218 Isolated Gate Charge: 33 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A Power - Max: 100 W | auf Bestellung 146 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTH20N50EID | Harris Corporation | Description: 20A, 500V, N CHANNEL IGBT WITH A Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 1433 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTIS20N60C3RS | Harris Corporation | Description: HGTIS20N60C3RS Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP10N120BN | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP10N120BN Produktcode: 121310
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| HGTP10N120BN | onsemi / Fairchild | IGBTs 35A 1200V N-Ch | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP10N120BN | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP10N120BN | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP10N120BN | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP10N120BN | onsemi | Description: IGBT NPT 1200V 35A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-220-3 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns Switching Energy: 320µJ (on), 800µJ (off) Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 35 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 298 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP10N40C1 | Harris Corporation | Description: IGBT 400V 10A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A Supplier Device Package: TO-220-3 Gate Charge: 19 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A Power - Max: 60 W | auf Bestellung 1977 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTP10N40C1D | Harris Corporation | Description: 17.5A, 400V, N-CHANNEL IGBT Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A Supplier Device Package: TO-220 Gate Charge: 19 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 17.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 75 W | auf Bestellung 206 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTP10N40E1 | Harris Corporation | Description: 10A, 400V, N-CHANNEL IGBT Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A Supplier Device Package: TO-220-3 Gate Charge: 19 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A Power - Max: 60 W | auf Bestellung 267 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTP10N40E1D | Harris Corporation | Description: 17.5A, 400V, N-CHANNEL IGBT Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A Supplier Device Package: TO-220 Gate Charge: 19 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 17.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 75 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP10N40EID | Harris Corporation | Description: 17.5A, 400V, N-CHANNEL IGBT Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 225 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTP10N40F1D | Harris Corporation | Description: 12A, 400V, N-CHANNEL IGBT Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 5A Supplier Device Package: TO-220 Gate Charge: 13.4 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A Power - Max: 75 W | auf Bestellung 806 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTP10N50C1 | INTERSIL | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| HGTP10N50E1 | Harris Corporation | Description: IGBT 500V 10A TO-220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A Supplier Device Package: TO-220-3 Gate Charge: 19 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A Power - Max: 60 W | auf Bestellung 14643 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTP10N50E1D | Harris Corporation | Description: IGBT 500V 17.5A TO-220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A Supplier Device Package: TO-220 Gate Charge: 19 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 17.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V Power - Max: 75 W | auf Bestellung 3712 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTP12N6001 | Harris Corporation | Description: HGTP12N6001 Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 568 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTP12N60A4 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP12N60A4 | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT 600V 54A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-220-3 Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off) Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 78 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 54 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A Power - Max: 167 W | auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTP12N60A4 | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT SMPS Series | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP12N60A4D | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP12N60A4D | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 689 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTP12N60A4D | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT 600V 54A TO-220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-220-3 Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off) Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 78 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 54 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A Power - Max: 167 W | auf Bestellung 76446 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTP12N60A4D | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP12N60A4D | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP12N60C3 | onsemi / Fairchild | IGBTs 24a 600V N-Ch IGBT UFS Series | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP12N60C3 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP12N60C3 Produktcode: 99779
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| HGTP12N60C3 | onsemi | Description: IGBT 600V 24A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-220-3 Switching Energy: 380µJ (on), 900µJ (off) Gate Charge: 48 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 24 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A Power - Max: 104 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP12N60C3D Produktcode: 122684
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Lieblingsprodukt
| Fairchild | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule Gehäuse: TO-220 Vces: 600 V Vce: 1,65 V Ic 25: 24 A Ic 100: 12 А Pd 25: 104 W td(on)/td(off) 100-150 Grad: 28/270 | auf Bestellung 14 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP12N60C3D | onsemi | Description: IGBT 600V 24A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 40 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-220-3 Switching Energy: 380µJ (on), 900µJ (off) Gate Charge: 48 nC Current - Collector (Ic) (Max): 24 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A Power - Max: 104 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP12N60C3D | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP12N60C3D | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors HGTP12N60C3D | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP12N60C3D | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP12N60C3R | HARRIS | HGTP12N60C3R | auf Bestellung 2724 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTP12N60C3R | Harris Corporation | Description: IGBT 600V 24A TO-220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-220-3 Td (on/off) @ 25°C: 37ns/120ns Switching Energy: 400µJ (on), 340µJ (off) Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V Gate Charge: 71 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 24 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A Power - Max: 104 W | auf Bestellung 2724 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTP14N0FVLR4600 | Harris Corporation | Description: HGTP14N0FVLR4600 Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP14N36G3VL | Fairchild Semiconductor | Description: Insulated Gate Bipolar Transisto Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 5V, 14A Supplier Device Package: TO-220AB IGBT Type: Trench Gate Charge: 24 nC Current - Collector (Ic) (Max): 18 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V Power - Max: 100 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP14N36G3VL | onsemi / Fairchild | Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers 14a 380V Logic Level | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP14N40F3VL | FAIRCHILD | 07+ TO-263 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP14N40F3VL | FAIRCHILD | TO-263 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP14N44G3VL | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT, 27A, 490V, N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4.5V, 8A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: -/18µs Test Condition: 300V, 7.5A, 1kOhm, 5V Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 27 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 490 V Power - Max: 231 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP15N40C1 | Harris Corporation | Description: IGBT 400V 15A TO-220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A Supplier Device Package: TO-220 Gate Charge: 33 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A Power - Max: 75 W | auf Bestellung 368 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTP15N40E1 | Harris Corporation | Description: IGBT 400V 15A TO-220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A Supplier Device Package: TO-220 Gate Charge: 33 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A Power - Max: 75 W | auf Bestellung 488 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTP15N50C1 | Harris Corporation | Description: IGBT 500V 15A TO-220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A Supplier Device Package: TO-220 Gate Charge: 33 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A Power - Max: 75 W | auf Bestellung 8333 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTP15N50E1 | Harris Corporation | Description: IGBT 500V 15A TO-220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A Supplier Device Package: TO-220 Gate Charge: 33 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A Power - Max: 75 W | auf Bestellung 1985 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTP1N120BND | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| HGTP20N35F3ULR3935 | Harris Corporation | Description: 20A, 350V, N-CHANNEL IGBT Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTP20N35F3VL | Harris Corporation | Description: 20A, 350V, N-CHANNEL IGBT Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 1350 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTP20N35G3VL | ONSEMI | Description: ONSEMI - HGTP20N35G3VL - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 326 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP20N35G3VL | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT, 20A, 320V, N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 5V, 20A Supplier Device Package: TO-220AB Gate Charge: 28.7 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 380 V Power - Max: 150 W | auf Bestellung 326 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTP20N60A4 | onsemi / Fairchild | IGBTs 600V N-Channel IGBT SMPS Series | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP20N60A4 | onsemi | Description: IGBT 600V 70A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-220-3 Td (on/off) @ 25°C: 15ns/73ns Switching Energy: 105µJ (on), 150µJ (off) Test Condition: 390V, 20A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 142 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 70 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A Power - Max: 290 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP20N60A4 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP20N60A4 | Fairchild | Transistor IGBT ; 600V; 20V; 70A; 280A; 290W; 4,5V~7,0V; 210nC; -55°C~150°C; HGTP20N60A4 THGTP20n60a4 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| HGTP20N60A4 Produktcode: 61820
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Lieblingsprodukt
| Fairchild | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule Gehäuse: TO-220 Vces: 600 V Vce: 1,8 V Ic 25: 70 A Ic 100: 40 A Pd 25: 290 W td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73 | auf Bestellung 95 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP20N60A4 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTP20N60A4_NL | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors PWR IGBT 45A,600V SMPS N-CH TO-22-A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP20N60B3 | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP20N60C3 | onsemi / Fairchild | IGBTs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP20N60C3R | Harris Corporation | Description: IGBT 600V 45A TO-220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 24 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-220 Td (on/off) @ 25°C: 28ns/151ns Switching Energy: 500µJ (on), 500µJ (off) Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 122 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 45 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 164 W | auf Bestellung 79 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTP2N120CN | onsemi | Description: IGBT 1200V 13A 104W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2.6A Supplier Device Package: TO-220-3 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 25ns/205ns Switching Energy: 96µJ (on), 355µJ (off) Test Condition: 960V, 2.6A, 51Ohm, 15V Gate Charge: 30 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 13 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A Power - Max: 104 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP30N60C3D | FAIRCHILD | TO-220 | auf Bestellung 1962 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP3N60A4 | fairchild | 2011+ | auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP3N60A4 | FAIRCHILD | Trans IGBT Chip N-CH 600V 17A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | auf Bestellung 104431 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTP3N60A4 | Harris Corporation | Description: IGBT 600V 17A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A Supplier Device Package: TO-220-3 Td (on/off) @ 25°C: 6ns/73ns Switching Energy: 37µJ (on), 25µJ (off) Test Condition: 390V, 3A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 21 nC Current - Collector (Ic) (Max): 17 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 70 W | auf Bestellung 106637 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTP3N60A4 | FAIRCHILD | Trans IGBT Chip N-CH 600V 17A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | auf Bestellung 1208 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTP3N60A4 Produktcode: 104967
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| HGTP3N60A4 | onsemi / Fairchild | IGBTs 600V N-Channel IGBT NPT Series | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP3N60A4 | HARRIS | HGTP3N60A4 | auf Bestellung 638 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTP3N60A4 | FAIRCHILD | Trans IGBT Chip N-CH 600V 17A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | auf Bestellung 1019 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTP3N60A4 | onsemi | Description: IGBT 600V 17A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A Supplier Device Package: TO-220-3 Td (on/off) @ 25°C: 6ns/73ns Switching Energy: 37µJ (on), 25µJ (off) Test Condition: 390V, 3A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 21 nC Current - Collector (Ic) (Max): 17 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 70 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP3N60A4D Produktcode: 104968
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| Transistoren > MOSFET N-CH ZCODE: 8541290010 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| HGTP3N60A4D | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT SMPS Series | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP3N60A4D | onsemi | Description: IGBT 600V 17A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 29 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A Supplier Device Package: TO-220-3 Td (on/off) @ 25°C: 6ns/73ns Switching Energy: 37µJ (on), 25µJ (off) Test Condition: 390V, 3A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 21 nC Current - Collector (Ic) (Max): 17 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 70 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP3N60A4D | FAIRCHILD | HGTP3N60A4D | auf Bestellung 2360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTP3N60A4D | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 17A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP3N60A4D | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT 600V 17A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 29 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A Supplier Device Package: TO-220-3 Td (on/off) @ 25°C: 6ns/73ns Switching Energy: 37µJ (on), 25µJ (off) Test Condition: 390V, 3A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 21 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 17 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 70 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP3N60A4D | FAIRCHILD | HGTP3N60A4D | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTP3N60A4D | FAIRCHILD | HGTP3N60A4D | auf Bestellung 21768 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTP3N60A4D | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 17A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP3N60A4D_NL | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors PWR IGBT 7A,600V,SMPS SERIES N-CH W/DIODE TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP3N60A4_NL | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors PWR IGBT 7A,600V,SMPS SERIES N-CH W/DIODE TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP3N60B3 | Harris Corporation | Description: IGBT 600V 7A TO-220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 16 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 3.5A Supplier Device Package: TO-220 Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns Switching Energy: 66µJ (on), 88µJ (off) Test Condition: 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V Gate Charge: 21 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A Power - Max: 33.3 W | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTP3N60B3R4724 | Harris Corporation | Description: 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTP3N60C3 | Harris Corporation | Description: IGBT 600V 6A TO-220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A Supplier Device Package: TO-220AB Gate Charge: 17.3 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A Power - Max: 33 W | auf Bestellung 5993 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTP5N120BND | fairchild | 2011+ | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP5N120BND | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 21A 167mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP5N120BND | onsemi | Description: IGBT NPT 1200V 21A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 65 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 5A Supplier Device Package: TO-220-3 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 22ns/160ns Switching Energy: 450µJ (on), 390µJ (off) Test Condition: 960V, 5A, 25Ohm, 15V Gate Charge: 53 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 21 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 167 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP5N120BND | FAIRCHIL.. | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| HGTP5N120BND | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 21A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP5N120BND | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors 21a 1200V IGBT NPT Series N-Ch | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP5N120CN | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT, 25A, 1200V, N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 5.5A Supplier Device Package: TO-220AB IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 22ns/180ns Switching Energy: 400µJ (on), 640µJ (off) Test Condition: 960V, 5.5A, 25Ohm, 15V Gate Charge: 75 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 167 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP6N40E1D | Harris Corporation | Description: 7.5A, 400V, N-CHANNEL IGBT Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 3A Supplier Device Package: TO-220 Gate Charge: 6.9 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A Power - Max: 75 W | auf Bestellung 1131 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTP6N40EID | Harris Corporation | Description: 7.5A, 400V, N-CHANNEL IGBT Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTP7N60A4 | ONSEMI | Description: ONSEMI - HGTP7N60A4 - IGBT, 34 A, 2.7 V, 125 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7 DC-Kollektorstrom: 34 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-220AB Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Verlustleistung Pd: 125 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP7N60A4 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP7N60A4 | onsemi / Fairchild | IGBTs 600V N-Channel IGBT SMPS Series | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP7N60A4 | fairchild | 2011+ | auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP7N60A4 | onsemi | Description: IGBT 600V 34A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A Supplier Device Package: TO-220-3 Td (on/off) @ 25°C: 11ns/100ns Switching Energy: 55µJ (on), 60µJ (off) Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V Gate Charge: 37 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 34 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A Power - Max: 125 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP7N60A4 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP7N60A4-F102 | onsemi / Fairchild | Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers N-Ch / 7A 600V SMPS 1 IGBT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP7N60A4-F102 | onsemi | Description: IGBT 600V 34A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A Supplier Device Package: TO-220-3 Td (on/off) @ 25°C: 11ns/100ns Switching Energy: 55µJ (on), 150µJ (off) Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V Gate Charge: 60 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 34 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A Power - Max: 125 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP7N60A4-F102 | ON Semiconductor | 600V, SMPS IGBT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP7N60A4-F102 | ONSEMI | Description: ONSEMI - HGTP7N60A4-F102 - IGBT, 600V, SMPS SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP7N60A4-F102 | ON Semiconductor | 600V, SMPS IGBT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP7N60A4D | onsemi | Description: IGBT 600V 34A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 34 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A Supplier Device Package: TO-220-3 Td (on/off) @ 25°C: 11ns/100ns Switching Energy: 55µJ (on), 60µJ (off) Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V Gate Charge: 37 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 34 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A Power - Max: 125 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP7N60A4D | onsemi / Fairchild | Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers 600V N-Ch IGBT SMPS Series HF | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP7N60A4D Produktcode: 103567
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| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule ZCODE: 8541290010 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| HGTP7N60A4_NL | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors PWR IGBT 12A,600V,SMPS SEREIES N-CH TO-220ABO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP7N60A4_NL | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT 600V 34A TO-220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A Supplier Device Package: TO-220-3 Td (on/off) @ 25°C: 11ns/100ns Switching Energy: 55µJ (on), 60µJ (off) Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V Gate Charge: 37 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 34 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A Power - Max: 125 W | auf Bestellung 111 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTP7N60B3D | Harris Corporation | Description: IGBT 600V 14A TO-220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off) Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 37 nC Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A Power - Max: 60 W | auf Bestellung 16763 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTP7N60B3D | onsemi | Description: IGBT 600V 14A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A Supplier Device Package: TO-220-3 Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off) Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 23 nC Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A Power - Max: 60 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP7N60B3D | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors PWR IGBT 14A 600V N-CHANNEL | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP7N60B3D | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT 600V 14A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A Supplier Device Package: TO-220-3 Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off) Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 23 nC Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A Power - Max: 60 W | auf Bestellung 2247 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTP7N60C3 | Harris Corporation | Description: IGBT 600V 14A TO-220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A Supplier Device Package: TO-220AB Gate Charge: 30 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A Power - Max: 60 W | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HGTP7N60C3 | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP7N60C3D Produktcode: 49546
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| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| HGTP7N60C3D | FAIRCHILD | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| HGTP7N60C3D | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP7N60C3D | onsemi | Description: IGBT 600V 14A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A Supplier Device Package: TO-220-3 Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off) Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 23 nC Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A Power - Max: 60 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP7N60C3D | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors 14a 600V N-Ch IGBT UFS Series | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP7N60C3D | FSC | 06+ SMD | auf Bestellung 62 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTP7N60C3D_NL | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors 600V,14A,UFS SERIES NCH IGBT W/ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTQSS-18U-12 | OMEGA | Description: OMEGA - HGTQSS-18U-12 - Thermoelement, T, 0 °C, 315 °C, Edelstahl Tastkopf-/Messfühlerlänge, imperial: 12 Tastkopf-/Messfühlerlänge, metrisch: 304.8 Sensorgehäusematerial: Edelstahl Anschlusslänge - metrisch: - Anschlusslänge - imperial: - Tastkopf-/Messfühlerdurchmesser, imperial: 0.125 Erfassungstemperatur, min.: 0 Tastkopf-/Messfühlerdurchmesser, metrisch: 3.18 Erfassungstemperatur, max.: 315 Produktpalette: - Thermoelement: T SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTQSS-18U-6 | Omega | Description: LOW NOISE THERMOCOUPLE PROBE, HI Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTQSS-18U-6 | OMEGA | Description: OMEGA - HGTQSS-18U-6 - Thermoelement, T, 0 °C, 315 °C, Edelstahl Tastkopf-/Messfühlerlänge, imperial: 6 Tastkopf-/Messfühlerlänge, metrisch: 152.4 Sensorgehäusematerial: Edelstahl Anschlusslänge - metrisch: - Anschlusslänge - imperial: - Tastkopf-/Messfühlerdurchmesser, imperial: 0.125 Erfassungstemperatur, min.: 0 Tastkopf-/Messfühlerdurchmesser, metrisch: 3.18 Erfassungstemperatur, max.: 315 Produktpalette: - Thermoelement: T SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTR-000.5RR | HOSA | Description: HOSA - HGTR-000.5RR - 6 INCH PRO GUITAR PATCH CABLE 20AWG REAN RA TO SAME Kabellänge - Imperial: 6 Mantelfarbe: Black Steckverbinder A: 1/4" Mono Phone Plug Kabellänge - Metrisch: 152.4 Steckverbinder B: 1/4" Mono Phone Plug Produktpalette: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTR-001RR | HOSA | Description: HOSA - HGTR-001RR - 12 INCH PRO GUITAR PATCH CABLE20AWG REAN RA TO SAME Kabellänge - Imperial: 12 Mantelfarbe: Black Steckverbinder A: 1/4" Mono Phone Plug Kabellänge - Metrisch: 305 Steckverbinder B: 1/4" Mono Phone Plug Produktpalette: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTR-010 | HOSA | Description: HOSA - HGTR-010 - 10FT PRO GUITAR CABLE 20AWG REAN STRAIGHT TO SAME Kabellänge - Imperial: 10 Mantelfarbe: Black Steckverbinder A: 1/4" Mono Phone Plug Kabellänge - Metrisch: 3.05 Steckverbinder B: 1/4" Mono Phone Plug Produktpalette: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTR-015 | HOSA | Description: HOSA - HGTR-015 - 15FT PRO GUITAR CABLE 20AWG REAN STRAIGHT TO SAME Kabellänge - Imperial: 15 Mantelfarbe: Black Steckverbinder A: 1/4" Mono Phone Plug Kabellänge - Metrisch: 4.57 Steckverbinder B: 1/4" Mono Phone Plug Produktpalette: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| HGTR-015R | HOSA | Description: HOSA - HGTR-015R - Connector Type A:1/4" Mono Phone Plug Kabellänge - Imperial: 15 Mantelfarbe: Black Steckverbinder A: 1/4" Mono Phone Plug Kabellänge - Metrisch: 4.57 Steckverbinder B: 1/4" Mono Phone Plug Steckverbinder auf Steckverbinder: 6.35mm (1/4") Mono Jack Plug to 6.35mm (1/4") Mono Jack Plug Produktpalette: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |