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SOT-23

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RJK005N03

10+ROHS SMT3

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RJK005N03FRAT146

ROHM Semiconductor

MOSFET Nch 30V Vds 0.5A 0.65Rds(on) 2Qg

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57+	0.92 EUR
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3000+	0.2 EUR
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RJK005N03FRAT146

Description: 2.5V DRIVE NCH MOSFET (AEC-Q101

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RJK005N03FRAT146

Description: ROHM - RJK005N03FRAT146 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.4 ohm, SMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

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RJK005N03FRAT146

Description: 2.5V DRIVE NCH MOSFET (AEC-Q101

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RJK005N03FRAT146

ROHM SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 500mA; Idm: 2A; 200mW; SMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SMT3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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RJK005N03FRAT146

Description: ROHM - RJK005N03FRAT146 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.4 ohm, SMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

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RJK005N03FRAT146

ROHM SEMICONDUCTOR

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RJK005N03T146

Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V

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26+	1.01 EUR
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1000+	0.32 EUR

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RJK005N03T146

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RJK005N03T146

ROHM Semiconductor

MOSFET N-CH 30V 500MA

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3000+	0.23 EUR
9000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 59

RJK005N03T146

Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V

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3000+	0.29 EUR
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RJK0202DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 20V 16A 8SOP

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RJK0204

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RJK0204DPA

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RJK0204DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 25V 50A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 10 V

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296+	2.65 EUR

Mindestbestellmenge: 296

RJK0204DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 25V 50A WPAK

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RJK0204DPA-00-J53

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RJK0206

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RJK0206DPA

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RJK0206DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 25V 70A WPAK

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RJK0208

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RJK0208DPA

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RJK0208DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 25V 65A WPAK

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RJK0208DPA-00-J5A

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RJK0210

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RJK0210DPA

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RJK0210DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 25V 40A WPAK

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RJK0211

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RJK0211DPA

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RJK0211DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
Supplier Device Package: WPAK(3)
Part Status: Active

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439+	1.77 EUR

Mindestbestellmenge: 439

RJK0212DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: WPAK(3)

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524+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 524

RJK0214DPA-00#J53

Description: MOSFET 2N-CH 25V 15A/45A WPAK

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RJK0214DPA-00-J53

auf Bestellung 1135 Stücke:

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RJK0215DPA-00#J53

Description: MOSFET 2N-CH 25V 15A/40A WPAK

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RJK0216DPA-00#J53

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 10W, 20W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A, 32A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active

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255+	2.87 EUR

Mindestbestellmenge: 255

RJK0222DNS-00#J5

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 8W, 10W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A, 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active

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284+	2.58 EUR

Mindestbestellmenge: 284

RJK0223DNS-00#J5

Description: MOSFET 2N-CH 25V 14A/16A HWSON

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RJK0225DNS-00#J5

Description: MOSFET N-CH 25V 30A 8-HVSON

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0225DNS-00#J5

Description: MOSFET N-CH 25V 30A 8-HVSON

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0225DNS-00#J5

Description: MOSFET N-CH 25V 30A 8-HVSON

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0226DNS-00#J5

Description: MOSFET N-CH 25V 40A 8-HVSON

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0226DNS-00#J5

Description: MOSFET N-CH 25V 40A 8-HVSON

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0226DNS-00#J5

Description: MOSFET N-CH 25V 40A 8-HVSON

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0226DNS-WS#J5

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

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RJK0230DPA-00#J5A

Description: MOSFET 2N-CH 25V 20A/50A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15W, 35W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 50A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 8-WPAK-D
Part Status: Active

auf Bestellung 213000 Stücke:

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160+	4.63 EUR

Mindestbestellmenge: 160

RJK0230DPA-WS#J5A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 2920 Stücke:

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181+	4.09 EUR

Mindestbestellmenge: 181

RJK0236DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 25V 50A 8DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6130 pF @ 10 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

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332+	2.18 EUR

Mindestbestellmenge: 332

RJK0301DPB

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RJK0301DPB

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RJK0301DPB-00#J0

16-bit Microcontrollers - MCU

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RJK0301DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V

auf Bestellung 29286 Stücke:

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148+	5.02 EUR

Mindestbestellmenge: 148

RJK0301DPB-00#JO

auf Bestellung 9765 Stücke:

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RJK0301DPB-00-J0

LFPAK 5/ SILICON N CHANNEL POWER MOS FET POWER SWITCHING RJK0301
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

auf Bestellung 2 Stücke:

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RJK0301DPB-02#J0

California Eastern Laboratories

Description: MOSFET N-CH 30V 60A 5LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V

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RJK0301DPB-02#J0

POWER TRANSISTOR LV MOS, 30V, LFPAK

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RJK0301DPB-02#J0

MOSFET POWER TRANSISTOR LV MOS, 30V, LFPAK

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RJK0301DPB-02#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 60A 5LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V

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RJK0301DPB-E-L

auf Bestellung 50 Stücke:

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RJK0301DPB-OO-J0

auf Bestellung 25200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0301DPB-WS#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 60A 5LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V

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RJK0301DPB-WS#J0

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RJK0301DPC

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RJK0302DPB

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RJK0302DPB-00#J0

16-bit Microcontrollers - MCU

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RJK0302DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 50A 5-LFPAK

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RJK0302DPB-00#J0

Trans MOSFET N-CH Si 30V 50A 5-Pin(4+Tab) LFPAK

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RJK0302DPB-00-J0

auf Bestellung 2215 Stücke:

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RJK0302DPB-00-J0
Produktcode: 142717

Transistoren > MOSFET N-CH

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RJK0303DPB

06+

auf Bestellung 205 Stücke:

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RJK0303DPB

09+

auf Bestellung 238 Stücke:

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RJK0303DPB

06+NOP

auf Bestellung 205 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0303DPB

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RJK0303DPB-00#J0

16-bit Microcontrollers - MCU

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RJK0303DPB-00#J0

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RJK0303DPB-00#J0

Trans MOSFET N-CH Si 30V 40A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

auf Bestellung 790 Stücke:

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RJK0303DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 40A 5-LFPAK

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RJK0303DPB-00-J0

auf Bestellung 1647 Stücke:

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RJK0303DPB-00-JO

auf Bestellung 185 Stücke:

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RJK0303DPB-02#J0

Description: MOSFET N-CH LFPAK

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RJK0303DPB-WS#J0

Description: MOSFET N-CH LFPAK

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RJK0303DPC-00-J0

auf Bestellung 1439 Stücke:

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RJK0304DPB

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RJK0304DPB-00#J0

Trans MOSFET N-CH Si 30V 35A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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RJK0304DPB-00#J0

16-bit Microcontrollers - MCU

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RJK0304DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 35A 5-LFPAK

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RJK0304DPB-00-J0

auf Bestellung 1152 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0304DPB-00-JO

auf Bestellung 4981 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0304DPC

auf Bestellung 5372 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0304DPC-00-J0

auf Bestellung 3788 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0305DPB

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RJK0305DPB

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0305DPB-00

auf Bestellung 273 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0305DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 5-LFPAK

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RJK0305DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK

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RJK0305DPB-00#J0

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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RJK0305DPB-00#J0

16-bit Microcontrollers - MCU

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RJK0305DPB-00#J0

LFPAK 5/ SILICON N CHANNEL POWER MOS FET POWER SWITCHING RJK0305
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

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RJK0305DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK

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RJK0305DPB-00#JO

auf Bestellung 4952 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0305DPB-00-J0

08+ TO252-4

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0305DPB-00-JO

auf Bestellung 2600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0305DPB-02#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V

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RJK0305DPB-02#J0

California Eastern Laboratories

MOSFET Power MOSFET

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RJK0305DPB-02#J0

POWER MOSFET

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RJK0305DPB-02#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V

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RJK0305DPB-WS#J0

WORKING SAMPLES

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RJK0305DPB-WS#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 5LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V

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RJK0305DPB-WS#J0

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RJK0305DPC

auf Bestellung 20569 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0305DPC-00-JO

auf Bestellung 3281 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0305PB-00-JO

auf Bestellung 2207 Stücke:

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RJK0316DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 30A WPAK

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RJK0316DPA-WS#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK

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RJK0316DSP

09+

auf Bestellung 587 Stücke:

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RJK0316DSP

06+NOP

auf Bestellung 554 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0316DSP

06+

auf Bestellung 554 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0316DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP

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RJK0316DSP-00-J0

auf Bestellung 1032 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0317DSP-00-J0

auf Bestellung 1243 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0318JPB-01-JO

auf Bestellung 2474 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0319JPB-01-JO

auf Bestellung 2328 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0320DQM

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0320DQM-00#H1

Description: MOSFET N-CH

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RJK0328DPB

auf Bestellung 10479 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0328DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package: LFPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6380 pF @ 10 V

auf Bestellung 11590 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

204+	3.64 EUR

Mindestbestellmenge: 204

RJK0328DPB-00-J0

auf Bestellung 2765 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0328DPB-01

auf Bestellung 1300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0328DPB-01#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6380 pF @ 10 V

auf Bestellung 1572 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	7.05 EUR
10+	5.91 EUR
100+	4.78 EUR
500+	4.25 EUR
1000+	3.64 EUR

Mindestbestellmenge: 4

RJK0328DPB-01#J0

sc100-5/POWER MOSFETS FOR GENERALSWITCHING RJK0328
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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RJK0328DPB-01#J0

MOSFET PowerMOSFET

auf Bestellung 940 Stücke:

Lieferzeit 291-305 Tag (e)

7+	7.72 EUR
10+	6.94 EUR
100+	5.69 EUR
500+	4.84 EUR

Mindestbestellmenge: 7

RJK0328DPB-01#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6380 pF @ 10 V

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RJK03290PB

auf Bestellung 2039 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0329DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK

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RJK0329DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK

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RJK0329DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK

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RJK0329DPB-00-J0

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0329DPB-01#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330 pF @ 10 V

auf Bestellung 19257 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

285+	2.58 EUR

Mindestbestellmenge: 285

RJK0329DPB-01#J0

MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK

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RJK0330DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK

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RJK0330DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK

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RJK0330DPB-00#J0

Tianma Microelectronics

Old Part RJK0330DPB-00#J0^NEC

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RJK0330DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK

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RJK0330DPB-00#JO

auf Bestellung 600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0330DPB-01#J0

MOSFET JET Series MOSFET 30V LFPAK PbFr HF

auf Bestellung 2128 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

9+	6.14 EUR
11+	5.1 EUR
100+	4.06 EUR
250+	3.74 EUR
500+	3.41 EUR
1000+	2.94 EUR
2500+	2.83 EUR

Mindestbestellmenge: 9

RJK0330DPB-01#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 10 V

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RJK0330DPB-01#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 10 V

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RJK0330DPB-01#J0

SILICON N CHANNEL POWER MOSFET POWER SWITCHING RJK0330DPB
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

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RJK0330DPB-W1#J0

Description: IGBT

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RJK0330DPB-WS#J0

WORKING SAMPLES

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RJK0330DPB-WS#J0

Description: IGBT

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RJK0331DPB

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RJK0331DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK

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RJK0331DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0331DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK

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RJK0331DPB-00-J0

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0331DPB-01#J0

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 10 V

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RJK0332DPB

auf Bestellung 915 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0332DPB-00#J0

Tianma Microelectronics

Old Part RJK0332DPB-00#J0^NEC

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RJK0332DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK

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RJK0332DPB-01#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0332DPB-01#J0

MOSFET JET Series MOSFET 30V LFPAK Pb-F HF

auf Bestellung 2083 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

12+	4.5 EUR
14+	3.74 EUR
100+	2.96 EUR
250+	2.76 EUR
500+	2.49 EUR
1000+	2.13 EUR
2500+	2.03 EUR

Mindestbestellmenge: 12

RJK0332DPB-01#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0332DPB-01#J0

Description: RENESAS - RJK0332DPB-01#J0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0047 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RJK0346

auf Bestellung 2070 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0346DPA

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0346DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK (3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 10 V

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RJK0346DPA-00-J0

WPAK 08+

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0346DPA-00-JO

auf Bestellung 1118 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0346DPA-01#J0B

Description: MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 10 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	3.22 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

RJK0346DPA-01#J0B

MOSFET JET MOSFET 30V WPAK Pb/Halogen Free

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 140-154 Tag (e)

8+	6.58 EUR
10+	5.9 EUR
100+	4.76 EUR
500+	3.9 EUR
1000+	3.22 EUR
2500+	2.99 EUR
5000+	2.89 EUR

Mindestbestellmenge: 8

RJK0346DPA-WS#J0

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 1899 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

111+	6.64 EUR

Mindestbestellmenge: 111

RJK0346DPA00J0

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0348DPA

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0348DPA-00#J0

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 10 V

auf Bestellung 635000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

156+	4.99 EUR

Mindestbestellmenge: 156

RJK0348DPA-00-J0

auf Bestellung 189 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0348DPA-01#J0

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 165000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

235+	3.14 EUR

Mindestbestellmenge: 235

RJK0348DPA-01#J0B

Description: MOSFET N-CH 30V 50A 2WPACK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0348DPA-01#J0B

Description: MOSFET N-CH 30V 50A 2WPACK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0348DPA-01#J0B

Description: MOSFET N-CH 30V 50A 2WPACK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0348DPA00J0

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0348DSP

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0348DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 22A 8SOP

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0348DSPOOJO

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0349DPA

07+NOP

auf Bestellung 28 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0349DPA

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0349DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0349DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0349DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0349DPA-00#J0

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0349DPA-00-J0

auf Bestellung 4700 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0349DPA-01#J0B

Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 10 V

auf Bestellung 112500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

361+	1.99 EUR

Mindestbestellmenge: 361

RJK0349DPA-WS#J0

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 1180 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

391+	1.89 EUR

Mindestbestellmenge: 391

RJK0349DPA00J0

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0349DSP

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0349DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0349DSP-00#J0

MOSFET Nchannel Low Voltage MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0349DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0349DSP-01#J0

MOSFET Nchannel Low Voltage MOSFET, HF version

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0349DSP-01#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 10 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	1.68 EUR
5000+	1.62 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

RJK0349DSP-WS#J0

Description: IGBT
Packaging: Tray

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RJK0349DSP00J0

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RJK0350DPA

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RJK0351DPA

09+

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RJK0351DPA

WPAK

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RJK0351DPA

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0351DPA

06+NOP

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RJK0351DPA

SOP-8

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0351DPA

06+

auf Bestellung 313 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0351DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 10 V

auf Bestellung 182230 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

325+	2.39 EUR

Mindestbestellmenge: 325

RJK0351DPA-00-J0

auf Bestellung 1400 Stücke:

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RJK0351DPA-01

auf Bestellung 43 Stücke:

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RJK0351DPA-01#J0

auf Bestellung 37525 Stücke:

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RJK0351DPA-01#J0B

Description: MOSFET N-CH 30V 40A 2WPACK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0351DPA-01#J0B

Description: MOSFET N-CH 30V 40A 2WPACK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0351DPA-01#J0B

Description: MOSFET N-CH 30V 40A 2WPACK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0351DPA-02#J0

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 50000 Stücke:

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352+	2.08 EUR

Mindestbestellmenge: 352

RJK0351DPA-02-J0

auf Bestellung 1951 Stücke:

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RJK0351DPA-03#J0B

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 7500 Stücke:

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325+	2.21 EUR

Mindestbestellmenge: 325

RJK0351DPA-WS#J0

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 410 Stücke:

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410+	2.08 EUR

Mindestbestellmenge: 410

RJK0351DPA00J0

auf Bestellung 15000 Stücke:

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RJK0351DPA3

auf Bestellung 4594 Stücke:

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RJK0351DSP

auf Bestellung 9000 Stücke:

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RJK0351DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 20A SOP-8

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0351DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 20A SOP-8

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0351DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 20A SOP-8

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0351DSP00J0

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0352DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP

auf Bestellung 182500 Stücke:

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RJK0352DSP-WS#J0

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 1850 Stücke:

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RJK0353DPA

08+

auf Bestellung 30000 Stücke:

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RJK0353DPA

SOP-8

auf Bestellung 10000 Stücke:

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RJK0353DPA

auf Bestellung 15000 Stücke:

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RJK0353DPA

08+

auf Bestellung 36 Stücke:

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RJK0353DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 35A WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0353DPA-00#J0
Produktcode: 104733

IC > IC andere
8542399000
8542 39 90 00

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0353DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 35A WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0353DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 35A WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0353DPA-00-J0

auf Bestellung 177 Stücke:

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RJK0353DPA-01#J0

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 40000 Stücke:

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259+	2.82 EUR

Mindestbestellmenge: 259

RJK0353DPA-01#J0B

MOSFET JET Series MOSFET, 30V, WPAK, Pb Fr, HF

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RJK0353DPA-01#J0B

Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 10 V

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	1.87 EUR
5000+	1.8 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

RJK0353DPA-WS#J0

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 2830 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

352+	2.07 EUR

Mindestbestellmenge: 352

RJK0353DPA-WS#J0B

Description: MOSFET N-CH 30V 35A WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0353DPA00J0

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0353DSP

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0353DSP-00#J0
Produktcode: 104693

Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541290010

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0353DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0353DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0353DSP-00#J0

SOPN-CHANNEL, SINGLE, SOP, 30V, ID(DC)18A, @VG RJK0353
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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RJK0353DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0353DSP-WS#J0

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 1685 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

607+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 607

RJK0354DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0354DSP-00#J0

MOSFET SPEED SERIES MOSFET 30V SO-8 PB FREE

auf Bestellung 3901 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

15+	3.67 EUR
16+	3.3 EUR
100+	2.57 EUR
500+	2.12 EUR
1000+	1.68 EUR
2500+	1.4 EUR

Mindestbestellmenge: 15

RJK0354DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP

auf Bestellung 388 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0354DSP-00-J0

auf Bestellung 21 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0355-DPA-00

auf Bestellung 27400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0355-DPA-00(Diode)
Produktcode: 45764

Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0355DPA

SOP-8

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0355DPA

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0355DPA Mikroschaltung
Produktcode: 60040

Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0355DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 30A WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0355DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 30A WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0355DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 30A WPAK

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RJK0355DPA-00-J0

auf Bestellung 10127 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0355DPA-01#J0B

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

325+	2.21 EUR

Mindestbestellmenge: 325

RJK0355DPA-WS#J0

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 3405 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

325+	2.21 EUR

Mindestbestellmenge: 325

RJK0355DPA00J0

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0355DSP

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0355DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	1.27 EUR
5000+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

RJK0355DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

9+	3.07 EUR
11+	2.52 EUR
100+	1.96 EUR
500+	1.66 EUR
1000+	1.35 EUR

Mindestbestellmenge: 9

RJK0355DSP-00#J0

MOSFET SPEED SERIES MOSFET 30V SO-8 PB FREE

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

17+	3.09 EUR
21+	2.54 EUR
100+	1.97 EUR
500+	1.67 EUR
1000+	1.36 EUR
2500+	1.28 EUR
5000+	1.22 EUR

Mindestbestellmenge: 17

RJK0355DSP-01#J0

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0355DSP-01#J0

MOSFET Speed Series MOSFET, 30V, SO-8, HF

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RJK0355DSP-WS#J0

Description: IGBT

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RJK0355DSP00J0

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0356DPA-01-JO

RENESAS QFN 11+

auf Bestellung 900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0358DPA

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0358DPA

SOP-8

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0358DPA

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0358DPA

WPAK

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0358DPA-00#J0

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

313+	2.28 EUR

Mindestbestellmenge: 313

RJK0358DPA-01#J0

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

307+	2.33 EUR

Mindestbestellmenge: 307

RJK0358DPA-01#J0B

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

307+	2.33 EUR

Mindestbestellmenge: 307

RJK0358DPA-WS#J0

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 2260 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

307+	2.33 EUR

Mindestbestellmenge: 307

RJK0358DPA00J0

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0358DSP

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0358DSP-00

auf Bestellung 586 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0358DSP-00#J0

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 785000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

508+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 508

RJK0358DSP-01#J0

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 225000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

508+	1.4 EUR

Mindestbestellmenge: 508

RJK0358DSP-WS#J0

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 1520 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

492+	1.45 EUR

Mindestbestellmenge: 492

RJK0358DSP00J0

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0362DSP

09+ SOP

auf Bestellung 1710 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0362DSP-WS#J0

Description: POWER TRANSISTOR, MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 1830 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

625+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 625

RJK0364

auf Bestellung 1537 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0364DPA

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0364DPA-00#J0

Trans MOSFET N-CH Si 30V 35A 8-Pin WPAK T/R

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RJK0364DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK (3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V

auf Bestellung 1290 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

464+	1.69 EUR

Mindestbestellmenge: 464

RJK0364DPA-00-J0

10+ WPAK

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0364DPA-02#J0B

Description: MOSFET N-CH 30V 35A WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0364DPA00J0

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0365DPA

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0365DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 30A WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0365DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 30A WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0365DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 30A WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0365DPA-02#J0B

Description: MOSFET N-CH 30V 30A WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0365DPA00J0

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0366DPA

auf Bestellung 12000 Stücke:

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RJK0366DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK (3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V

auf Bestellung 19800 Stücke:

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325+	2.39 EUR

Mindestbestellmenge: 325

RJK0366DPA-02#J0B

Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

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325+	2.39 EUR

Mindestbestellmenge: 325

RJK0366DPA-WS#J0

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

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RJK0366DPA00J0

auf Bestellung 9000 Stücke:

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RJK0366DSP

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RJK0366DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP

auf Bestellung 22500 Stücke:

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RJK0366DSP00J0

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RJK0368DPA

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RJK0368DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 10 V

auf Bestellung 61026 Stücke:

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625+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 625

RJK0368DPA-WS#J0

Description: POWER TRANSISTOR, MOSFET

auf Bestellung 2085 Stücke:

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RJK0368DPA00J0

auf Bestellung 15000 Stücke:

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RJK0369DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOP

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0369DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOP

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0369DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOP

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0371DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SOP

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0371DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SOP

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0371DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SOP

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0374DSP-01#J0

Description: POWER TRANSISTOR, MOSFET

auf Bestellung 265000 Stücke:

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RJK0374DSP-01#J0

auf Bestellung 50000 Stücke:

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RJK0375DSP-01#J0

auf Bestellung 2500 Stücke:

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RJK0379DPA-00#J53

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 9000 Stücke:

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221+	3.33 EUR

Mindestbestellmenge: 221

RJK0379DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 10 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

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204+	3.85 EUR

Mindestbestellmenge: 204

RJK0379DPA-WS#J53

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 2700 Stücke:

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221+	3.33 EUR

Mindestbestellmenge: 221

RJK0380DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK

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RJK0380DPA-02#J0

Description: POWER TRANSISTOR, MOSFET

auf Bestellung 15000 Stücke:

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259+	2.84 EUR

Mindestbestellmenge: 259

RJK0380DPA-02-J0

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RJK0380DPA-HF-HS

auf Bestellung 6000 Stücke:

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RJK0381DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 10 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

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319+	2.44 EUR

Mindestbestellmenge: 319

RJK0383DPA

auf Bestellung 30 Stücke:

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RJK0383DPA-09#J53

Description: POWER TRANSISTOR, MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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RJK0384DPA

auf Bestellung 50 Stücke:

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RJK0384DPA-00#J53

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

auf Bestellung 24000 Stücke:

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133+	5.56 EUR

Mindestbestellmenge: 133

RJK0389DPA

auf Bestellung 150 Stücke:

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RJK0389DPA-00#J53

Description: MOSFET 2N-CH 30V 15A/20A WPAK

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RJK0389DPA-00#J53

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RJK0389DPA-02

auf Bestellung 1632 Stücke:

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RJK0389DPA-WS#J53

Description: POWER TRANSISTOR, MOSFET

auf Bestellung 2191 Stücke:

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RJK0390DPA

auf Bestellung 798200 Stücke:

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RJK0390DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 10 V

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

204+	3.85 EUR

Mindestbestellmenge: 204

RJK0390DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 10 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

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204+	3.85 EUR

Mindestbestellmenge: 204

RJK0390DPA-02#J5A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 351000 Stücke:

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221+	3.33 EUR

Mindestbestellmenge: 221

RJK0391DPA

auf Bestellung 798200 Stücke:

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RJK0391DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 50A W-PAK

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RJK0391DPA-00#J53

SOP8

auf Bestellung 2767 Stücke:

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RJK0391DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 50A W-PAK

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RJK0391DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 50A W-PAK

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RJK0391DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WPAK (3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 10 V

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RJK0391DPA-00#J5A

Description: RENESAS - RJK0391DPA-00#J5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0022 ohm, WPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: WPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm

auf Bestellung 2870 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RJK0391DPA-00#J5A

MOSFET BEAM Series FET, 30V, WPAK, Pb Free, HF

auf Bestellung 4970 Stücke:

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11+	4.84 EUR
14+	3.85 EUR
100+	3.2 EUR
250+	2.86 EUR
500+	2.6 EUR
1000+	2.29 EUR
3000+	2.11 EUR

Mindestbestellmenge: 11

RJK0391DPA-00#J5A

auf Bestellung 2870 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RJK0391DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WPAK (3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 10 V

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RJK0391DPA-00-J53

DIP8

auf Bestellung 2695 Stücke:

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RJK0391DPA-WS#J53

Description: POWER TRANSISTOR, MOSFET

auf Bestellung 3940 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

221+	3.33 EUR

Mindestbestellmenge: 221

RJK0391DPA-WS#J5A

Description: MOSFET N-CH WPAK

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RJK0392DPA

QFN

auf Bestellung 294 Stücke:

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RJK0392DPA

08+ QFN-8

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0392DPA

QFN-8 08+

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0392DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 45A W-PAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0392DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 45A W-PAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0392DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 45A W-PAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0392DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 45A 2WPACK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0392DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 45A 2WPACK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0392DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 45A 2WPACK

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RJK0392DPA-00-J53

QFN8

auf Bestellung 1350 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0393DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 10 V

auf Bestellung 29700 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

232+	3.35 EUR

Mindestbestellmenge: 232

RJK0393DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 40A 2WPACK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0393DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0393DPA-00#J5A

MOSFET BEAM Series FET, 30V, WPAK, Pb Free, HF

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RJK0393DPA-0G#J7A

Description: POWER TRANSISTOR, MOSFET

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0393DPA-HF-HS

auf Bestellung 3548 Stücke:

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RJK0393DPA-WS#J5A

Description: IGBT

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RJK0394DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 35A W-PAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0394DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 35A W-PAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0394DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 35A W-PAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0394DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 10 V

auf Bestellung 96000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

325+	2.39 EUR

Mindestbestellmenge: 325

RJK0394DPA-02#J53

Description: POWER TRANSISTOR, MOSFET

auf Bestellung 36000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0395DPA

auf Bestellung 798200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0395DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

541+	1.43 EUR

Mindestbestellmenge: 541

RJK0395DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

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541+	1.43 EUR

Mindestbestellmenge: 541

RJK0395DPA-WS#J53

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 2690 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

586+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 586

RJK0396DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 10 V

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

406+	1.92 EUR

Mindestbestellmenge: 406

RJK0396DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 30A WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0397DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 10 V

auf Bestellung 188485 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

541+	1.31 EUR

Mindestbestellmenge: 541

RJK0397DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 30A WPAK

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RJK0397DPA-02#J53

Description: POWER TRANSISTOR, MOSFET

auf Bestellung 6000 Stücke:

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586+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 586

RJK0397DPA-02#J53

auf Bestellung 300 Stücke:

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RJK0397DPA-0G#J7A

Description: POWER TRANSISTOR, MOSFET

auf Bestellung 5048700 Stücke:

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586+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 586

RJK03A4DPA-00#J53

Description: POWER TRANSISTOR, MOSFET

auf Bestellung 9000 Stücke:

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RJK03A4DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 42A WPAK

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RJK03B7DPA

auf Bestellung 798200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK03B7DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V

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541+	1.43 EUR

Mindestbestellmenge: 541

RJK03B7DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V

auf Bestellung 197615 Stücke:

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541+	1.43 EUR

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RJK03B7DPA-WS#J53

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

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Mindestbestellmenge: 541

RJK03B8DPA

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RJK03B8DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 10 V

auf Bestellung 114786 Stücke:

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RJK03B8DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 2WPACK

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RJK03B8DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 2WPACK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK03B8DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 2WPACK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK03B8DPA-WS#J53

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

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541+	1.43 EUR

Mindestbestellmenge: 541

RJK03B9DNS-00#J5

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

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625+	1.25 EUR

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RJK03B9DPA

auf Bestellung 798200 Stücke:

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RJK03B9DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 10 V

auf Bestellung 21000 Stücke:

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541+	1.43 EUR

Mindestbestellmenge: 541

RJK03B9DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 10 V

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RJK03B9DPA-00-J53

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RJK03B9DPA-0T#J53

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

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541+	1.43 EUR

Mindestbestellmenge: 541

RJK03B9DPA-HF-HS

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RJK03B9DPA-OO#J53

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RJK03B9DPA-OO-J53

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RJK03B9DPA-WS#J53

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 2465 Stücke:

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541+	1.43 EUR

Mindestbestellmenge: 541

RJK03C0DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 70A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 10 V

auf Bestellung 463509 Stücke:

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163+	4.81 EUR

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RJK03C0DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 70A WPAK

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RJK03C0DPA-WS#J53

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 907 Stücke:

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176+	4.19 EUR

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RJK03C0DPA-WS#J5A

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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176+	4.45 EUR

Mindestbestellmenge: 176

RJK03C1

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RJK03C1DPB

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RJK03C1DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK

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RJK03C1DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK

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RJK03C1DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK

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RJK03C1DPB-WS#J5

Description: MOSFET N-CH LFPAK

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RJK03C2DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK

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RJK03C5DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 50A WPAK

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RJK03C9DNS-00#J5

Description: POWER MOSFET

auf Bestellung 50000 Stücke:

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RJK03D0DNS-00#J5

Description: POWER MOSFET

auf Bestellung 55000 Stücke:

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926+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 926

RJK03D2DPA-00#J53

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 1578000 Stücke:

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352+	2.08 EUR

Mindestbestellmenge: 352

RJK03D3DPA-00#J53

Description: N CHANNEL 30V, 40A, POWER SWITCH
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 300000 Stücke:

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352+	2.21 EUR

Mindestbestellmenge: 352

RJK03D3DPA-00-J5A

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RJK03E0DNS
Produktcode: 123691

Transistoren > MOSFET N-CH

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RJK03E0DNS-00#J5

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 10 V

auf Bestellung 140000 Stücke:

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345+	2.26 EUR

Mindestbestellmenge: 345

RJK03E0DNS-00-J5

QFN

auf Bestellung 4483 Stücke:

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RJK03E0DNS-02#J5

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 490000 Stücke:

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586+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 586

RJK03E0DNS-WS#J5

Description: N CHANNEL 30V, 30A, POWER SWITCH
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 4870 Stücke:

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586+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 586

RJK03E1DNS-00#J5

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 10 V

auf Bestellung 79482 Stücke:

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275+	2.59 EUR

Mindestbestellmenge: 275

RJK03E1DNS-00#J5

Produkt ist nicht verfügbar

RJK03E2DNS-00#J5

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8-HWSON

Produkt ist nicht verfügbar

RJK03E2DNS-00#J5

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8-HWSON

Produkt ist nicht verfügbar

RJK03E2DNS-00#J5

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8-HWSON

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RJK03E3DNS-00#J5

Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8HWSON

auf Bestellung 4660 Stücke:

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RJK03E3DNS-WS#J5

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

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RJK03E4DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK03E5DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 40A WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK03E6DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 35A WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK03E7DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK

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RJK03E8DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 40A WPAK

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RJK03E9DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 35A WPAK

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RJK03F0DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 30A WPAK

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RJK03H0DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK03H1

auf Bestellung 4322 Stücke:

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RJK03H1DPA

auf Bestellung 2344 Stücke:

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RJK03H1DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK

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RJK03J1DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 918000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

419+	1.87 EUR

Mindestbestellmenge: 419

RJK03J3DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET

auf Bestellung 27000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK03J4DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK03J5DNS-00#J5

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET

auf Bestellung 140000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

800+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 800

RJK03J5DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET

auf Bestellung 363000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK03J6DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET

auf Bestellung 42000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK03J7DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

838+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 838

RJK03J9DNS-00#J5

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1099+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 1099

RJK03K0DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 39000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

383+	2.03 EUR

Mindestbestellmenge: 383

RJK03K1DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

451+	1.64 EUR

Mindestbestellmenge: 451

RJK03K2DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 51000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

476+	1.64 EUR

Mindestbestellmenge: 476

RJK03K3DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

586+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 586

RJK03K5DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET

auf Bestellung 240000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

409+	1.79 EUR

Mindestbestellmenge: 409

RJK03K6DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET

auf Bestellung 90000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

489+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 489

RJK03K7DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK03L3DNS-WS#J5

Description: N CHANNEL POWER MOS FET

auf Bestellung 4950 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

238+	3.09 EUR

Mindestbestellmenge: 238

RJK03M0DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 65A WPAK

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RJK03M1

auf Bestellung 3789 Stücke:

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RJK03M1DPA

auf Bestellung 4784 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK03M1DPA-00#J5A

MOSFET BEAM2 Series FET 30V WPAK 2.5mOhm

auf Bestellung 4941 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

10+	5.43 EUR
12+	4.52 EUR
100+	3.61 EUR
250+	3.46 EUR
500+	3.04 EUR
1000+	2.59 EUR
3000+	2.44 EUR

Mindestbestellmenge: 10

RJK03M1DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4720 pF @ 10 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	2.68 EUR
6000+	2.58 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

RJK03M1DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4720 pF @ 10 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	5.85 EUR
10+	4.86 EUR
100+	3.87 EUR
500+	3.27 EUR
1000+	2.78 EUR

Mindestbestellmenge: 5

RJK03M2DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 10 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	2.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

RJK03M2DPA-00#J5A

MOSFET POWER TRANSISTOR BEAM2 MOSFET 30V WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK03M3DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3010 pF @ 10 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	2.02 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

RJK03M3DPA-00#J5A

MOSFET BEAM2 Series FET, 30V, WPAK, 2.0mOhm

Produkt ist nicht verfügbar

RJK03M3DPA-00-J5A

QFN

auf Bestellung 135 Stücke:

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RJK03M4DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 10 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.9 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

RJK03M4DPA-00#J5A

MOSFET BEAM2 Series FET, 30V, WPAK, 2.0mOhm

Produkt ist nicht verfügbar

RJK03M5DNS-00#J5

Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8HWSON

auf Bestellung 5000 Stücke:

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RJK03M5DNS-00#J5

MOSFET BEAM2 Series FET, 30V, HWSON3030-8

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19+	2.83 EUR
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1000+	1.25 EUR
2500+	1.18 EUR
5000+	1.12 EUR

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RJK03M5DNS-00#J5

Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8HWSON

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5000+	1.41 EUR

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RJK03M5DPA-00#J5A

MOSFET BEAM2 Series FET, 30V, WPAK, 7.2mOhm

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RJK03M5DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V

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3000+	1.75 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

RJK03M6DNS-00#J5

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8HWSON

auf Bestellung 25000 Stücke:

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RJK03M6DNS-WS#J5

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

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RJK03M6DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 30A WPAK

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RJK03M6DPA-WS#J5A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 1740 Stücke:

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879+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 879

RJK03M7DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 10 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

649+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 649

RJK03M8DNS-00#J5

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8HWSON

auf Bestellung 315000 Stücke:

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RJK03M8DNS-WS#J5

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

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568+	1.3 EUR

Mindestbestellmenge: 568

RJK03M9DNS-00#J5

Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8HWSON

auf Bestellung 2570000 Stücke:

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RJK03M9DNS-WS#J5

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 3572 Stücke:

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800+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 800

RJK03N0DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK03N1

auf Bestellung 4322 Stücke:

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RJK03N1DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK03N2DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 40A WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK03N3DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 35A WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK03N4DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK03N4DPA-02#J5A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 432000 Stücke:

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RJK03N5DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK03N6DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 10 V

auf Bestellung 2092071 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

396+	1.98 EUR

Mindestbestellmenge: 396

RJK03N7DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 35A WPAK

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RJK03N8DNS-00#J5

Description: MOSFET N-CH 30V 30A HWSON

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RJK03P1DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 960000 Stücke:

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RJK03P3DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 816000 Stücke:

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332+	2.19 EUR

Mindestbestellmenge: 332

RJK03P5DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 468000 Stücke:

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RJK03P6DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 27000 Stücke:

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RJK03P6DPA-WS#J5A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 2750 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK03P7DPA-00#J5A

Description: POWER, N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 10W, 20W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A, 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Supplier Device Package: 8-WPAK

auf Bestellung 24000 Stücke:

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204+	3.85 EUR

Mindestbestellmenge: 204

RJK03P7DPA-WS#J5A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 2950 Stücke:

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RJK03P8DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 792000 Stücke:

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221+	3.33 EUR

Mindestbestellmenge: 221

RJK03P9DPA-00#J5A

Description: POWER, N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15W, 35W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 50A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Supplier Device Package: 8-WPAK

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

204+	3.85 EUR

Mindestbestellmenge: 204

RJK03P9DPA-WS#J5A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 2900 Stücke:

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RJK03R1DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL MOSFET

auf Bestellung 1023000 Stücke:

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RJK03R4DPA-00#J5A

Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A/50A WPAK

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RJK03T2DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 12000 Stücke:

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248+	3.18 EUR

Mindestbestellmenge: 248

RJK0451DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 35A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 10 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	1.9 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

RJK0451DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 35A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 10 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0451DPB-00#J5

MOSFET JET Series MOSFET, 40V, LFPAK, Pb-F, HF

auf Bestellung 2488 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

13+	4.21 EUR
15+	3.51 EUR
100+	2.78 EUR
250+	2.56 EUR
500+	2.35 EUR
1000+	2.01 EUR
2500+	1.91 EUR

Mindestbestellmenge: 13

RJK0452DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0452DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0452DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0452DPB-00-J5

RJK0452DPB-00-J5 RJK0452
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0453DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 55A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0453DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 55A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0453DPB-00#J5

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0453DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 55A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0454DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK

auf Bestellung 915 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.85 EUR

Mindestbestellmenge: 7

RJK0454DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0454DPB-00#J5

MOSFET JET Series MOSFET, 40V, LFPAK, Pb-F, HF

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0455DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0455DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0455DPB-00#J5

MOSFET JET Series MOSFET, 40V, LFPAK, Pb-F, HF

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0455DPB-00#J5

LFPAK/Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching RJK0455
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0455DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0456DPB-00#J5

MOSFET JET Series MOSFET, 40V, LFPAK, Pb-F, HF

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0456DPB-00#J5

LFPAKN-CHANNEL, SINGLE, LFPAK, 40V, ID(DC)50A, RJK0456
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0456DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 10 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0456DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 10 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	3.07 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

RJK0601DPN-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO220

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0601DPN-E0#T2

MOSFET Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0602DPN-E0#T2

MOSFET Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0602DPN-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0603DPN-A0#T2

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220ABA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220ABA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0603DPN-E0#T2

MOSFET Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0603DPN-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220

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RJK0629DPE-00#J3

MOSFET MOSFET, 60V, LDPAK(S)-1, Pb Free

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0629DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 60V 85A LDPAK

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rjk0633

auf Bestellung 62 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0651DPB-00#J5

MOSFET JET Series MOSFET 60V LFPAK Pb-F HF

auf Bestellung 246808 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

13+	4.29 EUR
16+	3.35 EUR
100+	2.83 EUR
250+	2.78 EUR
500+	2.37 EUR
1000+	2.03 EUR
2500+	1.93 EUR

Mindestbestellmenge: 13

RJK0651DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 60V 25A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 10 V

auf Bestellung 21490 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	1.92 EUR
5000+	1.84 EUR
12500+	1.78 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

RJK0651DPB-00#J5

LFPAK/Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching RJK0651
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

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RJK0651DPB-00#J5

Description: RENESAS - RJK0651DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.011 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm

auf Bestellung 253 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RJK0651DPB-00#J5

Trans MOSFET N-CH Si 60V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RJK0651DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 60V 25A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 10 V

auf Bestellung 22094 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	4.24 EUR
10+	3.53 EUR
100+	2.81 EUR
500+	2.38 EUR

Mindestbestellmenge: 7

RJK0651DPB-00#J5

auf Bestellung 253 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RJK0651DPB-WS#J5

RJK0651DPB-WS#J5

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RJK0651DPB-WS#J5

RJK0651DPB-WS#J5

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RJK0652DPB

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0652DPB-00#J0

auf Bestellung 1511 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0652DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0652DPB-00#J5

MOSFET JET Series MOSFET, 60V, LFPAK, Pb-F, HF

auf Bestellung 3826 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

9+	6.06 EUR
11+	5.02 EUR
100+	4 EUR
250+	3.69 EUR
500+	3.35 EUR
1000+	2.89 EUR
2500+	2.7 EUR

Mindestbestellmenge: 9

RJK0653DPB-00#J5

MOSFET JET Series MOSFET, 60V, LFPAK, Pb-F, HF

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0653DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 60V 45A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0653DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 60V 45A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0653DPB-00-J0

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0654DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 60V LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0654DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 60V LFPAK

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RJK0654DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 60V LFPAK

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RJK0654DPB-00#J5

MOSFET Power MOSFET

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RJK0655DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK

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RJK0655DPB-00#J5

MOSFET Power MOSFET

auf Bestellung 11411 Stücke:

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9+	6.47 EUR
10+	5.38 EUR
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250+	3.98 EUR
500+	3.61 EUR
1000+	3.07 EUR
2500+	2.94 EUR

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RJK0655DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK

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RJK0655DPB-00#J5

Description: RENESAS - RJK0655DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0053 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 128 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RJK0655DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK

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RJK0655DPB-00#J5

Description: RENESAS - RJK0655DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0053 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 128 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RJK0656DPB-00#J5

MOSFET Power MOSFET

auf Bestellung 14831 Stücke:

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8+	6.89 EUR
10+	5.72 EUR
100+	4.58 EUR
250+	4.21 EUR
500+	3.82 EUR
1000+	3.28 EUR
2500+	3.09 EUR

Mindestbestellmenge: 8

RJK0656DPB-00#J5

Description: RENESAS - RJK0656DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0045 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1999 Stücke:

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RJK0656DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 60V 40A LFPAK

auf Bestellung 2500 Stücke:

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RJK0656DPB-00#J5

Description: RENESAS - RJK0656DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0045 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1999 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RJK0657DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 60V 20A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

387+	2.03 EUR

Mindestbestellmenge: 387

RJK0658DPA-00#J5A

MOSFET POWER MOSFET 60V 25A WPAK

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RJK0658DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 60V 25A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 10 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	2.6 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

RJK0659DPA-00#J5A

MOSFET POWER MOSFET 60V 30A WPAK

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RJK0659DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 60V 30A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	2.8 EUR
6000+	2.69 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

RJK0660DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 60V 40A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 10 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	3.71 EUR
6000+	3.56 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

RJK0660DPA-00#J5A

MOSFET Power MOSFET

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RJK0701DPN-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 10 V

auf Bestellung 12407 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

78+	9.47 EUR

Mindestbestellmenge: 78

RJK0701DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FP
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 10 V

auf Bestellung 347 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

78+	9.47 EUR

Mindestbestellmenge: 78

RJK0702DPN-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 10 V

auf Bestellung 14917 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

114+	6.34 EUR

Mindestbestellmenge: 114

RJK0702DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO220FP

auf Bestellung 1650 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0703DPN-A0#T2

Description: MOSFET N-CH 75V 70A TO220ABA

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RJK0703DPN-A0#T2

MOSFET POWER TRS1 LV-MOS TO220ABS MOS TRENCH D1

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RJK0703DPN-E0#T2

MOSFET Power MOSFET

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RJK0703DPN-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 75V 70A TO220

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RJK0703DPP-A0#T2

Description: MOSFET N-CH 75V 70A TO220FPA

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RJK0703DPP-A0#T2

MOSFET POWER TRS1 LV-MOS TO220FP

auf Bestellung 875 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	7.59 EUR
10+	6.4 EUR
25+	6.03 EUR
100+	5.15 EUR
250+	4.86 EUR
500+	4.6 EUR
1000+	3.93 EUR

Mindestbestellmenge: 7

RJK0703DPP-E0#T2

MOSFET Power MOSFET

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RJK0703DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 75V 70A TO220

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RJK0822SPN
Produktcode: 67008

IC > IC andere
8542 39 90 00

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RJK0822SPN

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0851DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 80V 20A LFPAK

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RJK0851DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 80V 20A LFPAK

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RJK0851DPB-00#J5

MOSFET JET Series MOSFET, 80V, LFPAK, Pb-F, HF

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RJK0851DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 80V 20A LFPAK

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RJK0852DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 10 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	2.75 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

RJK0852DPB-00#J5

MOSFET MOSFET

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RJK0852DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 10 V

auf Bestellung 5353 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	6.11 EUR
10+	5.06 EUR
100+	4.03 EUR
500+	3.41 EUR
1000+	2.89 EUR

Mindestbestellmenge: 5

RJK0852DPB-00-J5

auf Bestellung 3879 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0853DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 80V 40A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6170 pF @ 10 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	3.11 EUR
5000+	2.99 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

RJK0853DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 80V 40A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6170 pF @ 10 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0853DPB-00#J5

MOSFET JET Series MOSFET, 80V, LFPAK, Pb-F, HF

auf Bestellung 9904 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.53 EUR
10+	5.49 EUR
25+	5.17 EUR
100+	4.45 EUR
250+	4.21 EUR
500+	3.95 EUR
1000+	3.38 EUR

Mindestbestellmenge: 8

RJK0854DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 80V LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0854DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 80V LFPAK

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RJK0854DPB-00#J5

MOSFET JET Series MOSFET, 80V, LFPAK, Pb-F, HF

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0854DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 80V LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK0855DPB-00#J5

MOSFET Power MOSFET

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

9+	6.4 EUR
11+	4.89 EUR
100+	4.16 EUR
250+	3.64 EUR
500+	3.3 EUR
1000+	3.04 EUR
2500+	2.78 EUR

Mindestbestellmenge: 9

RJK0855DPB-00#J5

Description: RENESAS - RJK0855DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0082 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm

auf Bestellung 378 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RJK0855DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK

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RJK0855DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK

auf Bestellung 1818 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0855DPB-00#J5

auf Bestellung 378 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RJK0855DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK

auf Bestellung 1818 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK0856DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 80V 35A LFPAK

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RJK0856DPB-00#J5

MOSFET Power MOSFET

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RJK1001DPN-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 10 V

auf Bestellung 3363 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

78+	9.47 EUR

Mindestbestellmenge: 78

RJK1001DPP-A0#T2

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220FPA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220ABA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 10 V

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RJK1001DPP-A0#T2

MOSFET POWER TRS1 LV-MOS TO220FP MOS TRENCH D12

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RJK1001DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

RJK1002DPN-A0#T2

Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO220ABA

Produkt ist nicht verfügbar

RJK1002DPN-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO220

Produkt ist nicht verfügbar

RJK1002DPN-E0#T2

MOSFET Power MOSFET

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RJK1002DPP-A0#T2

MOSFET POWER TRS1 LV-MOS TO220FP MOS TRENCH D12

auf Bestellung 625 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	10.61 EUR
10+	8.92 EUR
100+	7.2 EUR
500+	6.4 EUR
1000+	5.04 EUR

Mindestbestellmenge: 5

RJK1002DPP-A0#T2

Description: MOSFET N-CH TO220

Produkt ist nicht verfügbar

RJK1002DPP-E0#T2

MOSFET Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

RJK1002DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO220

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RJK1003DPN-A0#T2

MOSFET POWER TRANSISTOR 100V POWER MOSFET

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RJK1003DPN-A0#T2

Description: MOSFET N-CH TO220

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RJK1003DPN-E0#T2

MOSFET Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

RJK1003DPN-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO220

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RJK1003DPP-A0#T2

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO220FPA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220ABA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

RJK1003DPP-A0#T2

MOSFET POWER TRS1 LV-MOS TO220FP MOS TRENCH D12

Produkt ist nicht verfügbar

RJK1003DPP-E0#T2

MOSFET Power MOSFET

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RJK1003DPP-E0#T2

Description: RJK1003DPP - N-CHANNEL MOSFET 10
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 10 V

auf Bestellung 3408 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

125+	5.7 EUR

Mindestbestellmenge: 125

RJK1008DPN-00#02

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RJK1008DPP

auf Bestellung 85 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK1008DPP-E0#T2

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RJK1021DPE-00#J3

Produkt ist nicht verfügbar

RJK1028DNS-00#J5

Description: ABU / MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

RJK1028DNS-00#J5

Description: ABU / MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 10 V

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RJK1028DNS-00#J5

MOSFET MOSFET, 30V, 3x3 pkg

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

22+	2.39 EUR
27+	1.98 EUR
100+	1.54 EUR
500+	1.3 EUR
1000+	1.06 EUR
2500+	1 EUR
5000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 22

RJK1035

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK1051DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK

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RJK1051DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK

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RJK1051DPB-00#J5

MOSFET JET Series MOSFET, 100V, LFPAK, Pb-F, HF

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RJK1052DPB-00#J5

MOSFET JET Series MOSFET, 100V, LFPAK, Pb-F, HF

Produkt ist nicht verfügbar

RJK1052DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 100V 20A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK1052DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 100V 20A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK1052DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 100V 20A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK1053DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK1053DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK

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RJK1053DPB-00#J5

MOSFET PowerMOSFET

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.58 EUR
10+	5.54 EUR
25+	5.23 EUR
100+	4.47 EUR
250+	4.24 EUR
500+	3.98 EUR
1000+	3.41 EUR

Mindestbestellmenge: 8

RJK1053DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK

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RJK1054DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 100V 20A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	2.74 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

RJK1054DPB-00#J5

MOSFET JET Series MOSFET, 100V, LFPAK, Pb-F, H

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RJK1054DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 100V 20A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK1054DPB-WS#J5

Description: IGBT
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete

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RJK1055DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V

auf Bestellung 6859 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	6.63 EUR
10+	5.5 EUR
100+	4.38 EUR
500+	3.71 EUR
1000+	3.15 EUR

Mindestbestellmenge: 4

RJK1055DPB-00#J5

MOSFET Power MOSFET

auf Bestellung 4305 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.73 EUR
10+	5.59 EUR
100+	4.45 EUR
250+	4.11 EUR
500+	3.72 EUR
1000+	3.2 EUR
2500+	3.02 EUR

Mindestbestellmenge: 8

RJK1055DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	2.99 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

RJK1055DPB-WS#J5

Description: IGBT
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete

Produkt ist nicht verfügbar

RJK1056DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK1056DPB-00#J5

MOSFET Power MOSFET

auf Bestellung 2406 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.89 EUR
10+	5.72 EUR
100+	4.58 EUR
250+	4.21 EUR
500+	3.82 EUR
1000+	3.28 EUR
2500+	3.09 EUR

Mindestbestellmenge: 8

RJK1056DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	3.4 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

RJK1211DNS-00#J5

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk

auf Bestellung 1865000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

173+	4.28 EUR

Mindestbestellmenge: 173

RJK1211DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 120V 5A WPAK

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RJK1212DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 120V 3A WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK1525DPP-MG#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 1582 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

41+	19.47 EUR

Mindestbestellmenge: 41

RJK1525DPS

auf Bestellung 38000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK1525DPS-00#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 1467 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

285+	2.73 EUR

Mindestbestellmenge: 285

RJK1526

auf Bestellung 18 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK1529DPK

auf Bestellung 38000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK1535DPE-LE

TO263/2.5

auf Bestellung 865 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK1535DPE-LE

Description: 40A, 150V, 0.052OHM, N-CHANNEL M
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-83
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LDPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 25 V

auf Bestellung 7899 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

94+	7.9 EUR

Mindestbestellmenge: 94

RJK1536DPE-00#J3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 88000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

40+	18.7 EUR

Mindestbestellmenge: 40

RJK1555DPA-00#J0

MOSFET JET Series MOSFET, 150V, WPAK, Pb-F, HF

Produkt ist nicht verfügbar

RJK1555DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 150V 25A 8WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK1555DPA-WS#J0

Description: MOSFET N-CH 150V 25A 8WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK1557DPA

auf Bestellung 798200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK1557DPA-00#J0

auf Bestellung 2355 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK1557DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 150V 25A 8WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK1557DPA-00#J0

MOSFET JET Series MOSFET, 150V, WPAK, Pb Free

Produkt ist nicht verfügbar

RJK1560DPP-M0#T2

Description: MOSFET N-CH 150V 20A TO220FL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 4V
Power Dissipation (Max): 28.5W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FL
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6720 pF @ 25 V

auf Bestellung 1547 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

132+	5.43 EUR

Mindestbestellmenge: 132

RJK1562DJE-00#Z0

Description: POWER, N-CHANNEL MOSFET

auf Bestellung 102357 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

359+	2.04 EUR

Mindestbestellmenge: 359

RJK1575DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 150V 25A WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	3.81 EUR
6000+	3.66 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

RJK1575DPA-00#J5A

MOSFET POWER TRANSISTOR HV-MOS/IGBT 150V 25A

Produkt ist nicht verfügbar

RJK1576DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 150V 25A WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	3.81 EUR
6000+	3.66 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

RJK1576DPA-00#J5A

MOSFET POWER MOSFET 150V 25A 58MOHM WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK2006DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 200V 40A 4LDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-83
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: LDPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

RJK2009

RENEAS

auf Bestellung 510 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK2009DPM

06+ SOT565

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK2009DPM-00#T0

MOSFET MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

RJK2009DPM-00#T0

Description: MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3PFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

RJK2009DPM-01SE

auf Bestellung 5846 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK2017

RENEAS

TO220/3

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK2017DPE-00#J3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 23000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

136+	5.38 EUR

Mindestbestellmenge: 136

RJK2017DPE-WS#J3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 680 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

136+	5.4 EUR

Mindestbestellmenge: 136

RJK2017DPP-00#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 629 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK2017DPP-90#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 1367 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

132+	5.47 EUR

Mindestbestellmenge: 132

RJK2017DPP-90#T2F

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 72100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

132+	5.47 EUR

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RJK2017DPP-B1#T2F

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 8000 Stücke:

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143+	5.09 EUR

Mindestbestellmenge: 143

RJK2017DPP-M0#T2

MOSFET 200V, 36mOhm, TO-220FN

Produkt ist nicht verfügbar

RJK2017DPP-M0#T2

Description: ABU / MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

RJK2055DPA

auf Bestellung 798200 Stücke:

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RJK2055DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 200V 20A 8WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK2055DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 200V 20A 8WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK2055DPA-00#J0

MOSFET JET Series MOSFET, 200V, WPAK, Pb Free

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RJK2055DPA-00-J0

09+ QFN

auf Bestellung 5000 Stücke:

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RJK2055DPA-WS#J0

Description: MOSFET N-CH 200V 20A 8WPAK

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RJK2057DPA

auf Bestellung 798200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK2057DPA-00#J0

MOSFET JET Series MOSFET, 200V, WPAK, Pb Free

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RJK2057DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 200V 20A 8WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK2057DPA-WS#J0

Description: MOSFET N-CH 200V 20A 8WPAK

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RJK2075DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CHANNEL 200V 20A WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Ta)
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	3.27 EUR
6000+	3.13 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

RJK2075DPA-00#J5A

MOSFET MOSFET

auf Bestellung 3000 Stücke:

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8+	6.76 EUR
10+	5.69 EUR
25+	5.36 EUR
100+	4.6 EUR
250+	4.34 EUR
500+	4.08 EUR
1000+	3.51 EUR

Mindestbestellmenge: 8

RJK2076DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 200V 20A WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

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3000+	3.89 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

RJK2076DPA-00#J5A

MOSFET POWER TRANSISTOR SINGLE POWER MOSFET

auf Bestellung 3000 Stücke:

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7+	8.06 EUR
10+	6.76 EUR
25+	6.4 EUR
100+	5.49 EUR
250+	5.17 EUR
500+	4.89 EUR
1000+	4.19 EUR

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RJK2506

auf Bestellung 50 Stücke:

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RJK2508DPK

auf Bestellung 38000 Stücke:

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RJK2508DPK-00#T0

Description: MOSFET N-CH 250V 50A TO3P

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RJK2508DPK-00#T0

MOSFET MOSFET

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RJK2511DPK-00#T0

Description: MOSFET N-CH 250V 65A TO3P

Produkt ist nicht verfügbar

RJK2511DPK-00#T0

MOSFET MOSFET - Lead Free

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RJK2555DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 250V 17A TO3P

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RJK2557DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 250V 17A TO3P

Produkt ist nicht verfügbar

RJK2557DPK-E

auf Bestellung 335 Stücke:

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RJK2916

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RJK3008DPK

auf Bestellung 38000 Stücke:

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RJK4002DJE-00#Z0

Description: MOSFET N-CH 400V 3A TO92MOD

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RJK4002DJE-00#Z0

MOSFET MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

RJK4002DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 400V 3A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

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3000+	1.44 EUR
6000+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

RJK4002DPD-00#J2

MOSFET MOSFET

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RJK4002DPP-M0#T2

Description: MOSFET N-CH 400V 3A TO220FL

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RJK4002DPP-M0#T2

MOSFET MOSFET

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RJK4006DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 400V 8A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

RJK4006DPD-00#J2

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

125+	6.24 EUR

Mindestbestellmenge: 125

RJK4006DPD-WS#J2

Description: MOSFET N-CH 400V 8A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MP-3A
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

RJK4006DPP-G1#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 8032 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

189+	4.13 EUR

Mindestbestellmenge: 189

RJK4006DPP-M0#T2

Description: MOSFET N-CH 400V 8A TO220FL

Produkt ist nicht verfügbar

RJK4006DPP-M0#T2

MOSFET MOSFET

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RJK4007DPP-00#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 393 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

245+	3.24 EUR

Mindestbestellmenge: 245

RJK4007DPP-G2#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 456 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

208+	3.82 EUR

Mindestbestellmenge: 208

RJK4007DPP-L1#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 4643 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

118+	6.72 EUR

Mindestbestellmenge: 118

RJK4007DPP-M0#T2

MOSFET MOSFET

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RJK4007DPP-M0#T2

Description: MOSFET N-CH 400V 7.6A TO220FL

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RJK4012

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK4012DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 400V 15A LDPAK

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RJK4013

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK4013DPE-00#J3

MOSFET MOSFET

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RJK4013DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 400V 17A 4LDPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK4015DPK-00#T0

Description: MOSFET N-CH 400V 30A TO3P

Produkt ist nicht verfügbar

RJK4018DPK-00#T0

Description: MOSFET N-CH 400V 43A TO3P

Produkt ist nicht verfügbar

RJK4018DPK-00#T0

MOSFET MOSFET

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RJK4034DJE-00#Z0

Produkt ist nicht verfügbar

RJK4502DJE-00#Z0

Description: MOSFET N-CH 450V 2.8A TO92

Produkt ist nicht verfügbar

RJK4512DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 450V 14A 4LDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-83
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: LDPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

RJK4512DPP-00#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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RJK4512DPP-E0#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 3936 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

73+	10.14 EUR

Mindestbestellmenge: 73

RJK4512DPP-K0#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 730 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

110+	6.68 EUR

Mindestbestellmenge: 110

RJK4513

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK4513DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 450V 16A LDPAK

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RJK4514

auf Bestellung 700 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK4514DPE

auf Bestellung 1000 Stücke:

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RJK4514DPK

auf Bestellung 38000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK4514DPK-00#T0

Description: MOSFET N-CH 450V 22A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

RJK4514DPK-00#T0

MOSFET MOSFET

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RJK4515DPK

auf Bestellung 38000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK4515DPK-00#T0

Description: MOSFET N-CH 450V 27A TO3P

Produkt ist nicht verfügbar

RJK4518DPK-00#T0

Description: MOSFET N-CH 450V 39A TO3P

Produkt ist nicht verfügbar

RJK4518DPK-00#T0

MOSFET MOSFET - Lead Free

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RJK4532DPD-00#J2

MOSFET MOSFET - Lead Free

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RJK4532DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 450V 4A MP3A

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RJK4532DPD-E0#J2

Description: MOSFET N-CH MP3A

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RJK5002DJE-00#Z0

Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO92

Produkt ist nicht verfügbar

RJK5002DPD-00#J2

MOSFET Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

RJK5002DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.31 EUR
6000+	1.24 EUR
9000+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

RJK5003

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK5003DP

auf Bestellung 230 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK5003DPD-

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK5003DPD-00-J2

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK5003DPD-01-J2

auf Bestellung 1100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK5006DPD

auf Bestellung 82 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK5006DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 500V 6A SC63

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RJK5006DPD-WS#J2

Description: MOSFET N-CH 500V 6A MP3A

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RJK5009DPP-00#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 7936 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK5010DPF

auf Bestellung 38000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

rjk5010dpk

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK5012

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK5012DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 500V 12A 4LDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-83
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: LDPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

RJK5012DPE-WS#J3

Description: MOSFET N-CH LDPAK

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RJK5012DPP

auf Bestellung 38000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK5012DPP-00#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

RJK5012DPP-E0#T2

MOSFET Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

RJK5012DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

RJK5012DPP-K0#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

RJK5012DPP-M0#T2

Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220

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RJK5012DPP-MG#T2

Description: RJK5012DPP - N CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

auf Bestellung 478 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

141+	5.54 EUR

Mindestbestellmenge: 141

RJK5013DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 500V 14A 4LDPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK5013DPE-00#J3

MOSFET MOSFET - 500V, 14A, LDPAK(S)-(1)

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RJK5013DPE-00-J3

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK5013DPK

auf Bestellung 18854 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK5013DPP-E0#T2

MOSFET Power MOSFET

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RJK5013DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO220FP

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RJK5014DPK-00#T0

onsemi

Description: MOSFET N-CH 500V

Produkt ist nicht verfügbar

RJK5014DPP-00#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 5623 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

124+	6.29 EUR

Mindestbestellmenge: 124

RJK5014DPP-E0#T2

MOSFET MOSFET - 500V, 19A, TO-220FP

Produkt ist nicht verfügbar

RJK5014DPP-E0#T2

Description: RJK5014DPP-E0#T2 - SILICON N CHA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

auf Bestellung 12236 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

56+	13.01 EUR

Mindestbestellmenge: 56

RJK5014DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 500V 19A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

RJK5015DPK-00

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK5015DPK-00#T0

TO3P/NCH, VDSS 500V, ID(DC)25A,RDS(ON)MAX 0.24OHM RJK5015
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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RJK5015DPK-00#T0

MOSFET Power MOSFET

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RJK5015DPK-00#T0

Description: MOSFET N-CHANNEL 500V 25A TO3P

Produkt ist nicht verfügbar

RJK5015DPM-00#T1

MOSFET Power MOSFET

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RJK5015DPM-00#T1

Description: MOSFET N-CH 500V 25A TO3PFM

Produkt ist nicht verfügbar

RJK5015DPM-00#T1 RJK5015DPM-00#T1 RJK5015DPM-00#T1 RJK5015DPM-00#T1
Produktcode: 168956

Transistoren > MOSFET N-CH

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RJK5018DPK-00#T0

Description: MOSFET N-CH 500V 35A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

RJK5018DPK-00#T0

MOSFET Power MOSFET

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RJK5020

auf Bestellung 247 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK5020DPK-00#T0

MOSFET Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

RJK5020DPK-00#T0

Description: MOSFET N-CH 500V 40A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 25 V

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RJK5020DPK01-E

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 451 Stücke:

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43+	17.07 EUR

Mindestbestellmenge: 43

RJK5020DPK01-E

auf Bestellung 720 Stücke:

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RJK5026DPP-00#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 2724 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK5026DPP-E0#T2

MOSFET MOSFET

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RJK5026DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO220FP

Produkt ist nicht verfügbar

RJK5026DPP-M0#T2

MOSFET MOSFET

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RJK5026DPP-M0#T2

Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO220FL

Produkt ist nicht verfügbar

RJK5026DPP-V0#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

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RJK5030DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 500V 5A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 41.7W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

RJK5030DPD-01#J2

Description: MOSFET N-CH 500V 5A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MP-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V

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RJK5030DPD-02#J2

Produkt ist nicht verfügbar

RJK5030DPD-03#J2

Description: RJK5030DPD - N CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MP-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

303+	2.38 EUR

Mindestbestellmenge: 303

RJK5030DPP-M0#T2

MOSFET MOSFET

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

9+	5.93 EUR
11+	4.76 EUR
100+	3.93 EUR
250+	3.82 EUR
500+	3.28 EUR
1000+	2.65 EUR
5000+	2.59 EUR

Mindestbestellmenge: 9

RJK5030DPP-M0#T2

Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220FL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 28.5W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V

auf Bestellung 1479 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	5.88 EUR
25+	4.73 EUR
100+	3.89 EUR
500+	3.29 EUR
1000+	2.79 EUR

Mindestbestellmenge: 5

RJK5031DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 500V 3A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40.3W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

RJK5031DPD-01#J2

Description: MOSFET N-CH 500V 3A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MP-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V

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RJK5032DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 500V 3A MP3A

Produkt ist nicht verfügbar

RJK5032DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 500V 3A TO220

Produkt ist nicht verfügbar

RJK5033DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 500V 6A MP3A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK5033DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 500V 6A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	2.4 EUR
6000+	2.31 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

RJK5033DPD-00#J2

MOSFET POWER TRANSISTOR N-CH MOSFET 500V 6A

Produkt ist nicht verfügbar

RJK5033DPD-01#J2

Description: MOSFET N-CH GENERAL PURPOSE

Produkt ist nicht verfügbar

RJK5033DPP-M0#T2

Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO220FL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.4W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V

auf Bestellung 2093 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	6.76 EUR
25+	5.36 EUR
100+	4.59 EUR
500+	4.08 EUR
1000+	3.49 EUR
2000+	3.29 EUR

Mindestbestellmenge: 4

RJK5033DPP-M0#T2

MOSFET MOSFET

auf Bestellung 148 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.81 EUR
10+	6.5 EUR
25+	5.38 EUR
100+	4.63 EUR
250+	4.55 EUR
500+	4.08 EUR
1000+	3.3 EUR

Mindestbestellmenge: 8

RJK5034DPP-A0#T2

Description: MOSFET N-CH 500V 10A TO220FP

Produkt ist nicht verfügbar

RJK5034DPP-E0#T2

MOSFET MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

RJK5034DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 500V 1.2A TO220

Produkt ist nicht verfügbar

RJK5035DPP-A0#T2

Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Ta)
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V

auf Bestellung 2025 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	6.92 EUR
25+	5.47 EUR
100+	4.69 EUR
500+	4.17 EUR
1000+	3.57 EUR
2000+	3.36 EUR

Mindestbestellmenge: 4

RJK5035DPP-A0#T2

MOSFET POWER TRS1 HV-MOS TO220FP MOS AP5H POWER

auf Bestellung 930 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.97 EUR
10+	5.85 EUR
25+	5.67 EUR
100+	4.71 EUR
250+	4.58 EUR
500+	4.19 EUR
1000+	3.38 EUR

Mindestbestellmenge: 8

RJK5035DPP-E0#T2

MOSFET MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

RJK5035DPP-E0#T2

Infineon Technologies

Description: RJK5035DPPNSINGPOWMOSF501850MOTO
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

RJK5035DPP-E0#T2

Description: RJK5035DPP-E0 - Nch Single Power
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

RJK6002

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK6002DJE-00#Z0

Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO92

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RJK6002DPD

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK6002DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 600V 2A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

RJK6002DPD-00#J2

MOSFET GENERIC Transistor

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RJK6002DPD-00-J2

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK6002DPD-WS#J2

Description: MOSFET N-CH 600V 2A MP3A

Produkt ist nicht verfügbar

RJK6002DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 600V 2A LDPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK6002DPH-E0#T2

Description: RJK6002DPH - N CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V

auf Bestellung 3467 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

347+	2.09 EUR

Mindestbestellmenge: 347

RJK6002DPH-E0#T2

MOSFET Power MOSFET , 600V 2A , LDPAK-S

Produkt ist nicht verfügbar

RJK6006DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 600V 5A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 77.6W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

RJK6006DPD-00#J2

MOSFET Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

RJK6006DPP-A0#T2

Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Ta)
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

auf Bestellung 1716 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	8.32 EUR
25+	6.6 EUR
100+	5.66 EUR
500+	5.03 EUR
1000+	4.31 EUR

Mindestbestellmenge: 4

RJK6006DPP-A0#T2

MOSFET POWER TRS1 HV-MOS TO220FP MOS AP5H POWER

auf Bestellung 775 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	8.4 EUR
10+	7.07 EUR
25+	6.81 EUR
100+	5.69 EUR
250+	5.51 EUR
500+	5.04 EUR
1000+	4.08 EUR

Mindestbestellmenge: 7

RJK6006DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO220

Produkt ist nicht verfügbar

RJK6006DPP-E0#T2

MOSFET MOSFET, 600V, TO-220FP, Pb Free

Produkt ist nicht verfügbar

RJK6009DPP-00#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

RJK6011DJE-00#Z0

Description: MOSFET N-CH 600V 100MA TO92MOD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

RJK6011DJE-00#Z0

MOSFET MOSFET

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RJK6011DP3-A0#J2

Description: RJK6011DP3-A0#J2 - SILICON NCH S
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V

auf Bestellung 45000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

278+	2.59 EUR

Mindestbestellmenge: 278

RJK6012

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RJK6012DPE

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RJK6012DPE-00#J3

MOSFET MOSFET, 600V/10A, LDPAK(S)-(1), Pb Free

Produkt ist nicht verfügbar

RJK6012DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 600V 10A 4LDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-83
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: LDPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

RJK6012DPE-00-J3

auf Bestellung 10000 Stücke:

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RJK6012DPP

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RJK6012DPP-00#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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105+	6.91 EUR

Mindestbestellmenge: 105

RJK6012DPP-A0#T2

Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.37Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.5W (Ta)
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

RJK6012DPP-E0#T2

Description: RJK6012DPP - N CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

auf Bestellung 3960 Stücke:

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104+	6.94 EUR

Mindestbestellmenge: 104

RJK6012DPP-E0#T2

TO-220FPNCH, TO-220FP, 600V, ID(DC)10A, 0.92OHM
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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RJK6012DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

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RJK6012DPP-K0#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 293 Stücke:

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105+	6.91 EUR

Mindestbestellmenge: 105

RJK6013

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RJK6013DPE

auf Bestellung 10000 Stücke:

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RJK6013DPE-00#J3

MOSFET Power TRS, 600V/11A, LDPAK(S)-(1)

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RJK6013DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 600V 11A 4LDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-83
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: LDPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V

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RJK6013DPE-00-J3

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK6013DPE-WS#J3

Description: MOSFET N-CH 600V 11A 4LDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-83
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LDPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V

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RJK6013DPP

auf Bestellung 8200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK6013DPP-00#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 36564 Stücke:

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59+	12.29 EUR

Mindestbestellmenge: 59

RJK6013DPP-E0#T2

MOSFET MOSFET

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RJK6013DPP-E0#T2

Description: RJK6013DPP-E0#T2 - SILICON N CHA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V

auf Bestellung 1877 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

62+	11.69 EUR

Mindestbestellmenge: 62

RJK6014DPK

auf Bestellung 8200 Stücke:

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RJK6014DPK-00#T0

MOSFET Power MOSFET

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RJK6014DPK-00#T0

Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 575mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

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RJK6014DPP

auf Bestellung 8200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK6014DPP-00#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 420 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

70+	10.44 EUR

Mindestbestellmenge: 70

RJK6014DPP-E0#T2

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 575mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

auf Bestellung 5107 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

55+	13.3 EUR

Mindestbestellmenge: 55

RJK6014DPP-E0#T2

MOSFET Power TRS, 600V/16A, TO-220FN

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RJK6015DPK

auf Bestellung 8200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK6015DPK-00#T0

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V

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RJK6015DPK-00#T0

MOSFET MOSFET

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RJK6015DPM-00#T1

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3PFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V

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RJK6015DPM-00#T1

MOSFET Power MOSFET

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RJK6018DPK

auf Bestellung 8200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK6018DPK-00#T0

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RJK6018DPK-00#T0

Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

RJK6018DPK-00#T0

MOSFET PWR MOS TRS TO3P

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RJK6018DPM-00#T1

MOSFET Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

RJK6018DPM-00#T1

Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3PFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

RJK6020DPK

auf Bestellung 8200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK6020DPK-00#T0

Description: MOSFET N-CH 600V 32A TO3P

Produkt ist nicht verfügbar

RJK6020DPK-00#T0

MOSFET PMOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

RJK6022DJE-00#Z0

Description: MOSFET N-CH 600V 0.2A TO92

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RJK6024DP3-A0#J2

MOSFET MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

RJK6024DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 600V 400MA MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 27.2W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.5 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

RJK6024DPD-00#J2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 27.2W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.5 pF @ 25 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

214+	3.36 EUR

Mindestbestellmenge: 214

RJK6024DPD-00#J2

MOSFET MOSFET, 600V

Produkt ist nicht verfügbar

RJK6024DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 600V 0.4A LDPAK

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RJK6024DPH-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 600V 0.4A LDPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK6024DPH-E0#T2

MOSFET Power MOSFET , 600V, IPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK6025DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 600V 1A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 29.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: MP-3A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.5 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

RJK6025DPD-00#J2

MOSFET MOSFET, 600V

Produkt ist nicht verfügbar

RJK6025DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 600V 1A MP3A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 29.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: MP-3A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.5 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

RJK6025DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 600V 0.8A LDPAK

Produkt ist nicht verfügbar

RJK6026DPE

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK6026DPE-00#J3

MOSFET MOSFET, 600V, LDPAK(S)-(1), Pb Free

Produkt ist nicht verfügbar

RJK6026DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 600V 5A 4LDPAK
Packaging: Tube
Package / Case: SC-83
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Supplier Device Package: LDPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

RJK6026DPP

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RJK6026DPP-00#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 25529 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

313+	2.3 EUR

Mindestbestellmenge: 313

RJK6026DPP-90#T2F

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 38500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

313+	2.3 EUR

Mindestbestellmenge: 313

RJK6026DPP-B1#T2F

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 7000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

313+	2.3 EUR

Mindestbestellmenge: 313

RJK6026DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 28.5W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V

auf Bestellung 40100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

194+	3.72 EUR

Mindestbestellmenge: 194

RJK6029DJA-00#Z0

Description: MOSFET N-CH TO92

Produkt ist nicht verfügbar

RJK6032DPD-00#J2

MOSFET MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

RJK6032DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 600V 3A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40.3W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285 pF @ 25 V

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RJK6032DPH-E0#T2

MOSFET MOSFET

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RJK6032DPH-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 600V 3A TO251

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RJK6034DPH-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 600V TO252

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RJK6034DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 600V TO220

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RJK6035DPP-A0#T2

MOSFET POWER TRS1 HV-MOS/IGBT

auf Bestellung 1025 Stücke:

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8+	7.1 EUR
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1000+	3.2 EUR
5000+	3.09 EUR

Mindestbestellmenge: 8

RJK6035DPP-A0#T2

Description: MOSFET N-CH 500V 1.2A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V

auf Bestellung 2775 Stücke:

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100+	4.66 EUR
500+	3.94 EUR
1000+	3.35 EUR
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Mindestbestellmenge: 4

RJK6035DPP-E0#T2

MOSFET MOSFET, 600V

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RJK6035DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220

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RJK6035DPP-E0#T2

TO-220FPNCH, TO-220FP, 600V, ID(DC)6A, 1.4OHM
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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RJK6036DP3-A0#J2

Trans MOSFET N-CH 600V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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RJK6036DP3-A0#J2

MOSFET MOSFET

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RJK60S1DPD-00#J2

TO252/VDSS 600V, ID(DC)8A, 1.05OHM, SJ MOS FET RJK60S1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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RJK60S1DPP-E0#T2

TO-220FPNCH, TO-220FP, 600V, ID(DC)8A, 1.05OHM,
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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RJK60S2DPP-E0#T2

TO-220FPNCH, TO-220FP, 600V, ID(DC)10A, 0.67OHM
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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RJK60S3DPD-00#J2

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) MP-3A T/R

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RJK60S3DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 600V 12A MP-3A

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RJK60S3DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 600V 12A MP-3A

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RJK60S3DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 600V 12A MP-3A

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RJK60S3DPE-00#J3

4-LDPAK/MOSFET N-CH 600V 12A RJK60S3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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RJK60S3DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 600V 12A LDPAK

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RJK60S3DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 600V 12A LDPAK

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RJK60S3DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 600V 12A LDPAK

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RJK60S3DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.7W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V

auf Bestellung 129813 Stücke:

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82+	8.88 EUR

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RJK60S3DPP-E0#T2

TO-220FL/MOSFET N-CH 600V 12A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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RJK60S4DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 600V 16A LDPAK

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RJK60S4DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 600V 16A LDPAK

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RJK60S4DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 600V 16A LDPAK

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RJK60S4DPE-WS#J3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 320 Stücke:

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61+	11.81 EUR

Mindestbestellmenge: 61

RJK60S4DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.9W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 988 pF @ 25 V

auf Bestellung 114548 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

65+	11.09 EUR

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RJK60S5DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 600V 20A 4LDPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-83
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 178mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: LDPAK
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V

auf Bestellung 40000 Stücke:

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19+	38.49 EUR

Mindestbestellmenge: 19

RJK60S5DPK-M0#T0

Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PSG
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 178mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package: TO-3PSG
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V

auf Bestellung 69537 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

19+	38.49 EUR

Mindestbestellmenge: 19

RJK60S5DPN-00#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 138686 Stücke:

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19+	38.49 EUR

Mindestbestellmenge: 19

RJK60S5DPN-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220AB

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RJK60S5DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 178mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 33.7W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V

auf Bestellung 452 Stücke:

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19+	38.49 EUR

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RJK60S5DPQ-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO-247

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RJK60S7DPK-M0#T0

Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PSG
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 227.2W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3PSG
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V

auf Bestellung 55 Stücke:

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2+	19.27 EUR
10+	16.37 EUR

Mindestbestellmenge: 2

RJK60S7DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V

auf Bestellung 27 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	17.78 EUR
10+	15.11 EUR

Mindestbestellmenge: 2

RJK60S7DPQ-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO-247

Produkt ist nicht verfügbar

RJK60S8DPK-M0#T0