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SOT-23

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RJK005N03

10+ROHS SMT3

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RJK005N03FRAT146

Description: 2.5V DRIVE NCH MOSFET (AEC-Q101

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RJK005N03FRAT146

ROHM Semiconductor

MOSFETs Nch 30V Vds 0.5A 0.65Rds(on) 2Qg

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RJK005N03FRAT146

Description: 2.5V DRIVE NCH MOSFET (AEC-Q101

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RJK005N03FRAT146

Description: ROHM - RJK005N03FRAT146 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.4 ohm, SMD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

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RJK005N03FRAT146

ROHM SEMICONDUCTOR

RJK005N03FRAT146 SMD N channel transistors

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RJK005N03FRAT146

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RJK005N03T146

Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V

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43+	0.41 EUR
100+	0.28 EUR
500+	0.21 EUR
1000+	0.19 EUR

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RJK005N03T146

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RJK005N03T146

Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V

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3000+	0.17 EUR
6000+	0.15 EUR
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RJK005N03T146

ROHM Semiconductor

MOSFETs N-CH 30V 500MA

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RJK0202DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 20V 16A 8SOP

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RJK0204

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RJK0204DPA

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RJK0204DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 25V 50A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 10 V

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296+	1.80 EUR

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RJK0204DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 25V 50A WPAK

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RJK0204DPA-00-J53

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RJK0206

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RJK0206DPA

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RJK0206DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 25V 70A WPAK

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RJK0208

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RJK0208DPA

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RJK0208DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 25V 65A WPAK

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RJK0208DPA-00-J5A

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RJK0210

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RJK0210DPA

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RJK0210DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 25V 40A WPAK

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RJK0211

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RJK0211DPA

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RJK0211DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
Supplier Device Package: WPAK(3)
Part Status: Active

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439+	1.20 EUR

Mindestbestellmenge: 439

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RJK0212DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: WPAK(3)

auf Bestellung 27000 Stücke:

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524+	1.00 EUR

Mindestbestellmenge: 524

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RJK0214DPA-00#J53

Description: MOSFET 2N-CH 25V 15A/45A WPAK

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RJK0214DPA-00-J53

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RJK0215DPA-00#J53

Description: MOSFET 2N-CH 25V 15A/40A WPAK

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RJK0216DPA-00#J53

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 10W, 20W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A, 32A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active

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255+	1.94 EUR

Mindestbestellmenge: 255

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RJK0222DNS-00#J5

Description: MOSFET 2N-CH 25V 14A/16A 8DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 8W, 10W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A, 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active

auf Bestellung 340000 Stücke:

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263+	1.91 EUR

Mindestbestellmenge: 263

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RJK0223DNS-00#J5

Description: MOSFET 2N-CH 25V 14A/16A HWSON

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RJK0225DNS-00#J5

Description: MOSFET N-CH 25V 30A 8-HVSON

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RJK0225DNS-00#J5

Description: MOSFET N-CH 25V 30A 8-HVSON

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RJK0225DNS-00#J5

Description: MOSFET N-CH 25V 30A 8-HVSON

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RJK0226DNS-00#J5

Description: MOSFET N-CH 25V 40A 8-HVSON

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RJK0226DNS-00#J5

Description: MOSFET N-CH 25V 40A 8-HVSON

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RJK0226DNS-00#J5

Description: MOSFET N-CH 25V 40A 8-HVSON

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RJK0226DNS-WS#J5

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 2600 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0230DPA-00#J5A

Description: MOSFET 2N-CH 25V 20A/50A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15W, 35W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 50A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 8-WPAK-D
Part Status: Active

auf Bestellung 213000 Stücke:

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160+	3.13 EUR

Mindestbestellmenge: 160

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RJK0230DPA-WS#J5A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 2920 Stücke:

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181+	2.77 EUR

Mindestbestellmenge: 181

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0236DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 25V 50A 8DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6130 pF @ 10 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

332+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 332

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RJK0301DPB

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RJK0301DPB

auf Bestellung 5750 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0301DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V

auf Bestellung 19786 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

148+	3.42 EUR

Mindestbestellmenge: 148

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RJK0301DPB-00#J0

16-bit Microcontrollers - MCU

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RJK0301DPB-00#JO

auf Bestellung 9765 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0301DPB-00-J0

LFPAK 5/ SILICON N CHANNEL POWER MOS FET POWER SWITCHING RJK0301
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

auf Bestellung 2 Stücke:

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RJK0301DPB-02#J0

California Eastern Laboratories

Description: MOSFET N-CH 30V 60A 5LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V

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RJK0301DPB-02#J0

POWER TRANSISTOR LV MOS, 30V, LFPAK

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RJK0301DPB-02#J0

MOSFET POWER TRANSISTOR LV MOS, 30V, LFPAK

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RJK0301DPB-02#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 60A 5LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V

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RJK0301DPB-E-L

auf Bestellung 50 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0301DPB-OO-J0

auf Bestellung 25200 Stücke:

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RJK0301DPB-WS#J0

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RJK0301DPB-WS#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 60A 5LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V

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RJK0301DPC

auf Bestellung 8622 Stücke:

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RJK0302DPB

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RJK0302DPB-00#J0

16-bit Microcontrollers - MCU

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RJK0302DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 50A 5-LFPAK

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RJK0302DPB-00#J0

Trans MOSFET N-CH Si 30V 50A 5-Pin(4+Tab) LFPAK

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RJK0302DPB-00-J0

auf Bestellung 2215 Stücke:

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RJK0302DPB-00-J0
Produktcode: 142717

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Transistoren > MOSFET N-CH

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RJK0303DPB

09+

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RJK0303DPB

06+NOP

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RJK0303DPB

06+

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RJK0303DPB

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RJK0303DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 40A 5-LFPAK

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RJK0303DPB-00#J0

auf Bestellung 18425 Stücke:

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RJK0303DPB-00#J0

16-bit Microcontrollers - MCU

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RJK0303DPB-00#J0

Trans MOSFET N-CH Si 30V 40A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

auf Bestellung 790 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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RJK0303DPB-00-J0

auf Bestellung 1647 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK0303DPB-00-JO

auf Bestellung 185 Stücke:

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RJK0303DPB-02#J0

Description: MOSFET N-CH LFPAK

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RJK0303DPB-WS#J0

Description: MOSFET N-CH LFPAK

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RJK0303DPC-00-J0

auf Bestellung 1439 Stücke:

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RJK0304DPB

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RJK0304DPB-00#J0

16-bit Microcontrollers - MCU

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RJK0304DPB-00#J0

Trans MOSFET N-CH Si 30V 35A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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RJK0304DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 35A 5-LFPAK

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RJK0304DPB-00-J0

auf Bestellung 1152 Stücke:

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RJK0304DPB-00-JO

auf Bestellung 4981 Stücke:

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RJK0304DPC

auf Bestellung 5372 Stücke:

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RJK0304DPC-00-J0

auf Bestellung 3788 Stücke:

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RJK0305DPB

auf Bestellung 2000 Stücke:

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RJK0305DPB

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RJK0305DPB-00

auf Bestellung 273 Stücke:

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RJK0305DPB-00#J0

16-bit Microcontrollers - MCU

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RJK0305DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 5-LFPAK

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RJK0305DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK

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RJK0305DPB-00#J0

LFPAK 5/ SILICON N CHANNEL POWER MOS FET POWER SWITCHING RJK0305
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

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RJK0305DPB-00#J0

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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RJK0305DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK

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RJK0305DPB-00#JO

auf Bestellung 4952 Stücke:

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RJK0305DPB-00-J0

08+ TO252-4

auf Bestellung 2500 Stücke:

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RJK0305DPB-00-JO

auf Bestellung 2600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK0305DPB-02#J0

California Eastern Laboratories

Description: MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V

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RJK0305DPB-02#J0

POWER MOSFET

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RJK0305DPB-02#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V

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RJK0305DPB-02#J0

MOSFET Power MOSFET

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RJK0305DPB-WS#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 5LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V

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RJK0305DPB-WS#J0

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RJK0305DPB-WS#J0

WORKING SAMPLES

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RJK0305DPC

auf Bestellung 20569 Stücke:

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RJK0305DPC-00-JO

auf Bestellung 3281 Stücke:

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RJK0305PB-00-JO

auf Bestellung 2207 Stücke:

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RJK0316DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 30A WPAK

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RJK0316DPA-WS#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK

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RJK0316DSP

06+NOP

auf Bestellung 554 Stücke:

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RJK0316DSP

06+

auf Bestellung 554 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK0316DSP

09+

auf Bestellung 587 Stücke:

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RJK0316DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP

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RJK0316DSP-00-J0

auf Bestellung 1032 Stücke:

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RJK0317DSP-00-J0

auf Bestellung 1243 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK0318JPB-01-JO

auf Bestellung 2474 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK0319JPB-01-JO

auf Bestellung 2328 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK0320DQM

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK0320DQM-00#H1

Description: MOSFET N-CH

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RJK0328DPB

MOSFETs

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RJK0328DPB

auf Bestellung 10479 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK0328DPB-00#J0

Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

auf Bestellung 11590 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

226+	2.46 EUR
500+	2.28 EUR
1000+	2.08 EUR

Mindestbestellmenge: 226

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RJK0328DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package: LFPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6380 pF @ 10 V

auf Bestellung 11589 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

204+	2.48 EUR

Mindestbestellmenge: 204

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RJK0328DPB-00-J0

auf Bestellung 2765 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK0328DPB-01

auf Bestellung 1300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK0328DPB-01#J0

sc100-5/POWER MOSFETS FOR GENERALSWITCHING RJK0328
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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RJK0328DPB-01#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6380 pF @ 10 V

auf Bestellung 3398 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.53 EUR
10+	3.81 EUR
100+	2.77 EUR
500+	2.32 EUR
1000+	2.24 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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RJK0328DPB-01#J0

MOSFETs PowerMOSFET

auf Bestellung 3056 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.49 EUR
10+	4.19 EUR
25+	4.05 EUR
100+	3.08 EUR
500+	2.52 EUR
1000+	2.34 EUR
2500+	2.32 EUR

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RJK0328DPB-01#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6380 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK03290PB

auf Bestellung 2039 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK0329DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0329DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0329DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK0329DPB-00-J0

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK0329DPB-01#J0

MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0329DPB-01#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330 pF @ 10 V

auf Bestellung 19257 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

285+	1.75 EUR

Mindestbestellmenge: 285

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RJK0330DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0330DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0330DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0330DPB-00#J0

Tianma Microelectronics

Old Part RJK0330DPB-00#J0^NEC

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RJK0330DPB-00#JO

auf Bestellung 600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0330DPB-01#J0

Description: RENESAS - RJK0330DPB-01#J0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 45 A, 0.0027 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 2995 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0330DPB-01#J0

MOSFET JET Series MOSFET 30V LFPAK PbFr HF

auf Bestellung 2128 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.15 EUR
10+	3.45 EUR
100+	2.75 EUR
250+	2.53 EUR
500+	2.31 EUR
1000+	1.99 EUR
2500+	1.92 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0330DPB-01#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0330DPB-01#J0

SILICON N CHANNEL POWER MOSFET POWER SWITCHING RJK0330DPB
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0330DPB-01#J0

auf Bestellung 2995 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0330DPB-01#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0330DPB-W1#J0

Description: IGBT

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0330DPB-WS#J0

Description: IGBT

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0330DPB-WS#J0

WORKING SAMPLES

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0331DPB

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0331DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0331DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0331DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0331DPB-00-J0

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0331DPB-01#J0

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0332DPB

auf Bestellung 915 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0332DPB-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0332DPB-00#J0

Tianma Microelectronics

Old Part RJK0332DPB-00#J0^NEC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0332DPB-01#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 10 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.50 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0332DPB-01#J0

Description: RENESAS - RJK0332DPB-01#J0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0047 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 2173 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0332DPB-01#J0

MOSFET JET Series MOSFET 30V LFPAK Pb-F HF

auf Bestellung 2966 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.04 EUR
10+	2.53 EUR
100+	2.01 EUR
250+	1.87 EUR
500+	1.69 EUR
1000+	1.44 EUR
2500+	1.37 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0332DPB-01#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 10 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

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2500+	1.26 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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RJK0332DPB-01#J0

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RJK0346

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RJK0346DPA

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RJK0346DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK (3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK0346DPA-00-J0

WPAK 08+

auf Bestellung 100 Stücke:

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RJK0346DPA-00-JO

auf Bestellung 1118 Stücke:

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RJK0346DPA-01#J0B

Description: MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 10 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.75 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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RJK0346DPA-01#J0B

Description: MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 10 V

auf Bestellung 4900 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.82 EUR
10+	3.54 EUR
100+	2.47 EUR
500+	2.01 EUR
1000+	1.87 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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RJK0346DPA-01#J0B

MOSFET JET MOSFET 30V WPAK Pb/Halogen Free

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1+	4.45 EUR
10+	4.00 EUR
100+	3.22 EUR
500+	2.64 EUR
1000+	2.18 EUR
2500+	2.02 EUR
5000+	1.95 EUR

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RJK0346DPA-WS#J0

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 1899 Stücke:

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111+	4.49 EUR

Mindestbestellmenge: 111

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RJK0346DPA00J0

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RJK0348DPA

auf Bestellung 15000 Stücke:

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RJK0348DPA-00#J0

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 10 V

auf Bestellung 635000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

156+	3.38 EUR

Mindestbestellmenge: 156

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RJK0348DPA-00-J0

auf Bestellung 189 Stücke:

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RJK0348DPA-01#J0

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 165000 Stücke:

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235+	2.12 EUR

Mindestbestellmenge: 235

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RJK0348DPA-01#J0B

Description: MOSFET N-CH 30V 50A 2WPACK

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RJK0348DPA-01#J0B

Description: MOSFET N-CH 30V 50A 2WPACK

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK0348DPA-01#J0B

Description: MOSFET N-CH 30V 50A 2WPACK

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RJK0348DPA00J0

auf Bestellung 9000 Stücke:

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RJK0348DSP

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK0348DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 22A 8SOP

auf Bestellung 2500 Stücke:

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RJK0348DSPOOJO

auf Bestellung 15000 Stücke:

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RJK0349DPA

auf Bestellung 9000 Stücke:

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RJK0349DPA

07+NOP

auf Bestellung 28 Stücke:

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RJK0349DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK

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RJK0349DPA-00#J0

auf Bestellung 500 Stücke:

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RJK0349DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK

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RJK0349DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK

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RJK0349DPA-00-J0

auf Bestellung 4700 Stücke:

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RJK0349DPA-01#J0B

Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 10 V

auf Bestellung 112500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

361+	1.36 EUR

Mindestbestellmenge: 361

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RJK0349DPA-WS#J0

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 1180 Stücke:

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391+	1.28 EUR

Mindestbestellmenge: 391

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RJK0349DPA00J0

auf Bestellung 12000 Stücke:

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RJK0349DSP

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK0349DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 10 V

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RJK0349DSP-00#J0

MOSFET Nchannel Low Voltage MOSFET

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RJK0349DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 10 V

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RJK0349DSP-01#J0

MOSFET Nchannel Low Voltage MOSFET, HF version

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RJK0349DSP-01#J0

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.26 EUR
10+	2.74 EUR
100+	1.87 EUR
500+	1.50 EUR
1000+	1.38 EUR

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RJK0349DSP-01#J0

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.22 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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RJK0349DSP-WS#J0

Description: IGBT
Packaging: Tray

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RJK0349DSP00J0

auf Bestellung 18000 Stücke:

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RJK0350DPA

auf Bestellung 3000 Stücke:

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RJK0351DPA

WPAK

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK0351DPA

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK0351DPA

06+NOP

auf Bestellung 313 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK0351DPA

SOP-8

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK0351DPA

06+

auf Bestellung 313 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK0351DPA

Array

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RJK0351DPA

09+

auf Bestellung 356 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK0351DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 10 V

auf Bestellung 182230 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

325+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 325

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RJK0351DPA-00-J0

auf Bestellung 1400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK0351DPA-01

auf Bestellung 43 Stücke:

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RJK0351DPA-01#J0

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

325+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 325

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RJK0351DPA-01#J0

auf Bestellung 37525 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK0351DPA-01#J0B

Description: MOSFET N-CH 30V 40A 2WPACK

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RJK0351DPA-01#J0B

Description: MOSFET N-CH 30V 40A 2WPACK

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RJK0351DPA-01#J0B

Description: MOSFET N-CH 30V 40A 2WPACK

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RJK0351DPA-02#J0

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 50000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

325+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 325

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RJK0351DPA-02-J0

auf Bestellung 1951 Stücke:

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RJK0351DPA-03#J0B

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

268+	1.82 EUR

Mindestbestellmenge: 268

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RJK0351DPA-WS#J0

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 410 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

410+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 410

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RJK0351DPA00J0

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK0351DPA3

auf Bestellung 4594 Stücke:

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RJK0351DSP

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK0351DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 20A SOP-8

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RJK0351DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 20A SOP-8

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RJK0351DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 20A SOP-8

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RJK0351DSP00J0

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK0352DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP

auf Bestellung 182500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0352DSP-WS#J0

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 1850 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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RJK0353DPA

08+

auf Bestellung 30000 Stücke:

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RJK0353DPA

SOP-8

auf Bestellung 10000 Stücke:

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RJK0353DPA

auf Bestellung 15000 Stücke:

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RJK0353DPA

08+

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RJK0353DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 35A WPAK

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RJK0353DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 35A WPAK

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RJK0353DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 35A WPAK

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RJK0353DPA-00-J0

auf Bestellung 177 Stücke:

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RJK0353DPA-01#J0

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 40000 Stücke:

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259+	1.91 EUR

Mindestbestellmenge: 259

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RJK0353DPA-01#J0B

MOSFET JET Series MOSFET, 30V, WPAK, Pb Fr, HF

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RJK0353DPA-01#J0B

Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 10 V

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.27 EUR
5000+	1.22 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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RJK0353DPA-WS#J0

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 2830 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

352+	1.40 EUR

Mindestbestellmenge: 352

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RJK0353DPA-WS#J0B

Description: MOSFET N-CH 30V 35A WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 10 V

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RJK0353DPA00J0

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK0353DSP

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK0353DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK0353DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP

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RJK0353DSP-00#J0

SOPN-CHANNEL, SINGLE, SOP, 30V, ID(DC)18A, @VG RJK0353
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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RJK0353DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP

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RJK0353DSP-00#J0
Produktcode: 104693

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Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541290010

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RJK0353DSP-WS#J0

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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607+	0.81 EUR

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RJK0354DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP

auf Bestellung 388 Stücke:

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RJK0354DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP

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RJK0354DSP-00#J0

MOSFET SPEED SERIES MOSFET 30V SO-8 PB FREE

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2+	2.48 EUR
10+	2.24 EUR
100+	1.74 EUR
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RJK0354DSP-00-J0

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RJK0355-DPA-00

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RJK0355-DPA-00(Diode)
Produktcode: 45764

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RJK0355DPA

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RJK0355DPA

SOP-8

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RJK0355DPA Mikroschaltung
Produktcode: 60040

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RJK0355DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 30A WPAK

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RJK0355DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 30A WPAK

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RJK0355DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 30A WPAK

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RJK0355DPA-00-J0

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RJK0355DPA-01#J0B

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

325+	1.50 EUR

Mindestbestellmenge: 325

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RJK0355DPA-WS#J0

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

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Lieferzeit 10-14 Tag (e)

325+	1.50 EUR

Mindestbestellmenge: 325

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RJK0355DPA00J0

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RJK0355DSP

auf Bestellung 15000 Stücke:

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RJK0355DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.86 EUR
5000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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RJK0355DSP-00#J0

MOSFETs SPEED SERIES MOSFET 30V SO-8 PB FREE

auf Bestellung 2420 Stücke:

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2+	2.09 EUR
10+	1.72 EUR
100+	1.34 EUR
500+	1.13 EUR
1000+	0.92 EUR
2500+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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RJK0355DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.08 EUR
11+	1.71 EUR
100+	1.33 EUR
500+	1.12 EUR
1000+	0.92 EUR

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RJK0355DSP-01#J0

MOSFET Speed Series MOSFET, 30V, SO-8, HF

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RJK0355DSP-01#J0

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RJK0355DSP-WS#J0

Description: IGBT

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RJK0355DSP00J0

auf Bestellung 18000 Stücke:

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RJK0356DPA-01-JO

RENESAS QFN 11+

auf Bestellung 900 Stücke:

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RJK0358DPA

SOP-8

auf Bestellung 10000 Stücke:

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RJK0358DPA

auf Bestellung 9000 Stücke:

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RJK0358DPA

WPAK

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK0358DPA

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RJK0358DPA-00#J0

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

313+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 313

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RJK0358DPA-01#J0

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

307+	1.58 EUR

Mindestbestellmenge: 307

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RJK0358DPA-01#J0B

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

307+	1.58 EUR

Mindestbestellmenge: 307

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RJK0358DPA-WS#J0

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 2260 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

307+	1.58 EUR

Mindestbestellmenge: 307

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RJK0358DPA00J0

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK0358DSP

auf Bestellung 15000 Stücke:

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RJK0358DSP-00

auf Bestellung 586 Stücke:

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RJK0358DSP-00#J0

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 785000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

416+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 416

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RJK0358DSP-01#J0

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 225000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

508+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 508

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0358DSP-WS#J0

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 1520 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

492+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 492

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RJK0358DSP00J0

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK0362DSP

09+ SOP

auf Bestellung 1710 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK0362DSP-WS#J0

Description: POWER TRANSISTOR, MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 1830 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

625+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 625

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RJK0364

auf Bestellung 1537 Stücke:

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RJK0364DPA

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK0364DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK (3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V

auf Bestellung 1290 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

464+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 464

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RJK0364DPA-00#J0

Trans MOSFET N-CH Si 30V 35A 8-Pin WPAK T/R

auf Bestellung 2 Stücke:

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RJK0364DPA-00-J0

10+ WPAK

auf Bestellung 10000 Stücke:

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RJK0364DPA-02#J0B

Description: MOSFET N-CH 30V 35A WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK0364DPA00J0

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK0365DPA

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0365DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 30A WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0365DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 30A WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0365DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 30A WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0365DPA-02#J0B

Description: MOSFET N-CH 30V 30A WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK0365DPA00J0

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK0366DPA

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0366DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK (3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V

auf Bestellung 19800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

325+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 325

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0366DPA-02#J0B

Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

325+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 325

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0366DPA-WS#J0

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 1008 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

325+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 325

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RJK0366DPA00J0

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK0366DSP

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0366DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 5.5A, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V

auf Bestellung 22500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

601+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 601

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RJK0366DSP00J0

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK0368DPA

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0368DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 10 V

auf Bestellung 61026 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

625+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 625

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RJK0368DPA-WS#J0

Description: POWER TRANSISTOR, MOSFET

auf Bestellung 2085 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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RJK0368DPA00J0

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK0369DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0369DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0369DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0371DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SOP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0371DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SOP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0371DSP-00#J0

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SOP

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK0374DSP-01#J0

auf Bestellung 50000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK0374DSP-01#J0

Description: POWER TRANSISTOR, MOSFET

auf Bestellung 265000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0375DSP-01#J0

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0379DPA-00#J53

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

221+	2.26 EUR

Mindestbestellmenge: 221

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0379DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 10 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

204+	2.60 EUR

Mindestbestellmenge: 204

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RJK0379DPA-WS#J53

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 2700 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

221+	2.26 EUR

Mindestbestellmenge: 221

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RJK0380DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK0380DPA-02#J0

Description: POWER TRANSISTOR, MOSFET

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

259+	1.92 EUR

Mindestbestellmenge: 259

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RJK0380DPA-02-J0

auf Bestellung 2003 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK0380DPA-HF-HS

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0381DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 10 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

319+	1.65 EUR

Mindestbestellmenge: 319

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RJK0383DPA

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK0383DPA-09#J53

Description: POWER TRANSISTOR, MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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RJK0384DPA

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0384DPA-00#J53

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

133+	3.76 EUR

Mindestbestellmenge: 133

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RJK0389DPA

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0389DPA-00#J53

Description: MOSFET 2N-CH 30V 15A/20A WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK0389DPA-00#J53

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RJK0389DPA-02

auf Bestellung 1632 Stücke:

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RJK0389DPA-WS#J53

Description: POWER TRANSISTOR, MOSFET

auf Bestellung 2191 Stücke:

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RJK0390DPA

auf Bestellung 798200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0390DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 10 V

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

204+	2.44 EUR

Mindestbestellmenge: 204

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RJK0390DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 10 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

204+	2.44 EUR

Mindestbestellmenge: 204

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RJK0390DPA-02#J5A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 339000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

204+	2.44 EUR

Mindestbestellmenge: 204

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RJK0390DPA-WS#J53

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 5858 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

204+	2.44 EUR

Mindestbestellmenge: 204

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RJK0391DPA

auf Bestellung 798200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK0391DPA-00#J53

SOP8

auf Bestellung 2767 Stücke:

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RJK0391DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 50A W-PAK

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK0391DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 50A W-PAK

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK0391DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 50A W-PAK

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK0391DPA-00#J5A

Description: RENESAS - RJK0391DPA-00#J5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0022 ohm, WPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: WPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 2850 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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RJK0391DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WPAK (3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 10 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.36 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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RJK0391DPA-00#J5A

auf Bestellung 2870 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0391DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WPAK (3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 10 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.75 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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RJK0391DPA-00#J5A

MOSFET BEAM Series FET, 30V, WPAK, Pb Free, HF

auf Bestellung 4968 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.27 EUR
10+	2.43 EUR
100+	2.13 EUR
250+	1.81 EUR
500+	1.65 EUR
1000+	1.55 EUR
3000+	1.43 EUR

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RJK0391DPA-00-J53

DIP8

auf Bestellung 2695 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK0391DPA-WS#J53

Description: POWER TRANSISTOR, MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 3940 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

204+	2.44 EUR

Mindestbestellmenge: 204

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RJK0391DPA-WS#J5A

Description: MOSFET N-CH WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK0392DPA

QFN

auf Bestellung 294 Stücke:

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RJK0392DPA

08+ QFN-8

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0392DPA

QFN-8 08+

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0392DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 45A W-PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0392DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 45A W-PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0392DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 45A W-PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0392DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 45A 2WPACK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0392DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 45A 2WPACK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0392DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 45A 2WPACK

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK0392DPA-00-J53

QFN8

auf Bestellung 1350 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK0392DPA-WS#J53

Description: POWER TRANSISTOR, MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 2150 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

217+	2.27 EUR

Mindestbestellmenge: 217

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0393DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 10 V

auf Bestellung 38400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

233+	2.13 EUR

Mindestbestellmenge: 233

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0393DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8WPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0393DPA-00#J5A

MOSFET BEAM Series FET, 30V, WPAK, Pb Free, HF

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0393DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0393DPA-0G#J7A

Description: POWER TRANSISTOR, MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

233+	2.13 EUR

Mindestbestellmenge: 233

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0393DPA-HF-HS

auf Bestellung 3548 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0393DPA-WS#J5A

Description: IGBT

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0394DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 35A W-PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0394DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 35A W-PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0394DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 35A W-PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0394DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 10 V

auf Bestellung 102000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

325+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 325

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0394DPA-02#J53

Description: POWER TRANSISTOR, MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 36000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

325+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 325

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0394DPA-WS#J53

Description: POWER TRANSISTOR, MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 1055 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

325+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 325

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0395DPA

auf Bestellung 798200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0395DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

541+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 541

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0395DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

541+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 541

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0395DPA-WS#J53

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 2690 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

541+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 541

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0396DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 10 V

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

406+	1.22 EUR

Mindestbestellmenge: 406

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0396DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 30A WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0397DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 10 V

auf Bestellung 188485 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

541+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 541

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0397DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 30A WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0397DPA-02#J53

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0397DPA-02#J53

Description: POWER TRANSISTOR, MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

541+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 541

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0397DPA-0G#J7A

Description: POWER TRANSISTOR, MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 4993700 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

541+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 541

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK03A4DPA-00#J53

Description: POWER TRANSISTOR, MOSFET

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK03A4DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 42A WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK03B7DPA

auf Bestellung 798200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK03B7DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

541+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 541

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK03B7DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V

auf Bestellung 197615 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

541+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 541

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK03B7DPA-WS#J53

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 2890 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

541+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 541

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK03B8DPA

auf Bestellung 798200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK03B8DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 10 V

auf Bestellung 114786 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

541+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 541

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK03B8DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 2WPACK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK03B8DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 2WPACK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK03B8DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 2WPACK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK03B8DPA-WS#J53

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 2475 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

541+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 541

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK03B9DNS-00#J5

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

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RJK03B9DPA

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RJK03B9DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 10 V

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RJK03B9DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 10 V

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RJK03B9DPA-00-J53

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RJK03B9DPA-0T#J53

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
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RJK03B9DPA-HF-HS

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RJK03B9DPA-OO#J53

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RJK03B9DPA-WS#J53

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
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RJK03C0DPA-00#J53

Description: MOSFET N-CH 30V 70A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 10 V

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RJK03C0DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 70A WPAK

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RJK03C0DPA-WS#J53

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

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RJK03C0DPA-WS#J5A

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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RJK03C1

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RJK03C1DPB

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RJK03C1DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK

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RJK03C1DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK

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RJK03C1DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK

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RJK03C1DPB-WS#J5

Description: MOSFET N-CH LFPAK

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RJK03C2DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK

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RJK03C5DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 50A WPAK

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RJK03C9DNS-00#J5

Description: POWER MOSFET

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RJK03D0DNS-00#J5

Description: POWER MOSFET

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RJK03D2DPA-00#J53

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

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RJK03D3DPA-00#J53

Description: N CHANNEL 30V, 40A, POWER SWITCH
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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RJK03D3DPA-00-J5A

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RJK03E0DNS
Produktcode: 123691

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RJK03E0DNS-00#J5

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 10 V

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319+	1.58 EUR

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RJK03E0DNS-00#J5

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin HWSON T/R

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352+	1.58 EUR
500+	1.45 EUR
1000+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 352

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RJK03E0DNS-00#J5

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin HWSON T/R

auf Bestellung 90000 Stücke:

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352+	1.58 EUR
500+	1.45 EUR
1000+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 352

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RJK03E0DNS-00-J5

QFN

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RJK03E0DNS-02#J5

RJK03E0DNS-02#J5

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625+	0.89 EUR
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RJK03E0DNS-02#J5

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
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541+	0.93 EUR

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RJK03E0DNS-WS#J5

RJK03E0DNS-WS#J5

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625+	0.89 EUR
1000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 625

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RJK03E0DNS-WS#J5

Description: N CHANNEL 30V, 30A, POWER SWITCH
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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541+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 541

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RJK03E1DNS-00#J5

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RJK03E1DNS-00#J5

Trans MOSFET N-CH Si 30V 25A 8-Pin HWSON T/R

auf Bestellung 79482 Stücke:

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304+	1.82 EUR
500+	1.68 EUR
1000+	1.53 EUR

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RJK03E1DNS-00#J5

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 10 V

auf Bestellung 79482 Stücke:

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275+	1.84 EUR

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RJK03E2DNS-00#J5

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8-HWSON

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RJK03E2DNS-00#J5

Trans MOSFET N-CH Si 30V 16A 8-Pin HWSON EP T/R

auf Bestellung 370000 Stücke:

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352+	1.58 EUR
500+	1.45 EUR
1000+	1.32 EUR

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RJK03E2DNS-00#J5

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8-HWSON

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RJK03E2DNS-00#J5

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8-HWSON

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RJK03E3DNS-00#J5

Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8HWSON

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RJK03E3DNS-WS#J5

RJK03E3DNS-WS#J5

auf Bestellung 4450 Stücke:

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625+	0.89 EUR
1000+	0.81 EUR

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RJK03E3DNS-WS#J5

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 4450 Stücke:

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541+	0.93 EUR

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RJK03E4DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK

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RJK03E5DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 40A WPAK

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RJK03E6DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 35A WPAK

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RJK03E7DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK03E8DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 40A WPAK

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RJK03E9DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 35A WPAK

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RJK03F0DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 30A WPAK

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RJK03H0DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET

auf Bestellung 21000 Stücke:

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RJK03H1

auf Bestellung 4322 Stücke:

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RJK03H1DPA

auf Bestellung 2344 Stücke:

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RJK03H1DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK

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RJK03J1DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 918000 Stücke:

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419+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 419

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RJK03J3DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET

auf Bestellung 27000 Stücke:

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RJK03J4DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET

auf Bestellung 12000 Stücke:

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RJK03J5DNS-00#J5

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET

auf Bestellung 140000 Stücke:

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800+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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RJK03J5DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET

auf Bestellung 363000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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RJK03J6DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET

auf Bestellung 42000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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RJK03J7DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

838+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 838

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RJK03J9DNS-00#J5

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1099+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 1099

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RJK03K0DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 39000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

383+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 383

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RJK03K1DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

451+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 451

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RJK03K2DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 51000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

476+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 476

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RJK03K3DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

586+	0.90 EUR

Mindestbestellmenge: 586

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RJK03K5DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET

auf Bestellung 240000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

409+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 409

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RJK03K6DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET

auf Bestellung 90000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

489+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 489

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RJK03K7DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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RJK03L3DNS-WS#J5

Description: N CHANNEL POWER MOS FET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 4950 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

219+	2.26 EUR

Mindestbestellmenge: 219

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RJK03M0DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 65A WPAK

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RJK03M1

auf Bestellung 3789 Stücke:

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RJK03M1DPA

auf Bestellung 4784 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK03M1DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4720 pF @ 10 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.96 EUR
10+	3.29 EUR
100+	2.62 EUR
500+	2.21 EUR
1000+	1.88 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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RJK03M1DPA-00#J5A

MOSFETs BEAM2 Series FET 30V WPAK 2.5mOhm

auf Bestellung 4904 Stücke:

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1+	2.85 EUR
10+	2.24 EUR
100+	1.87 EUR
500+	1.69 EUR
1000+	1.61 EUR

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RJK03M1DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4720 pF @ 10 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.81 EUR
6000+	1.74 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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RJK03M2DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 10 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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RJK03M2DPA-00#J5A

MOSFET POWER TRANSISTOR BEAM2 MOSFET 30V WPAK

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RJK03M2DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8WPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 10 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.03 EUR
10+	2.61 EUR
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500+	1.44 EUR
1000+	1.32 EUR

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RJK03M3DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3010 pF @ 10 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.10 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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RJK03M3DPA-00#J5A

MOSFET BEAM2 Series FET, 30V, WPAK, 2.0mOhm

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK03M3DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8WPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3010 pF @ 10 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.87 EUR
10+	2.49 EUR
100+	1.70 EUR
500+	1.36 EUR
1000+	1.26 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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RJK03M3DPA-00-J5A

QFN

auf Bestellung 135 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK03M4DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8WPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 10 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.03 EUR
10+	2.58 EUR
100+	1.76 EUR
500+	1.41 EUR
1000+	1.30 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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RJK03M4DPA-00#J5A

MOSFET BEAM2 Series FET, 30V, WPAK, 2.0mOhm

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK03M4DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 10 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

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3000+	1.15 EUR
6000+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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RJK03M5DNS-00#J5

MOSFET BEAM2 Series FET, 30V, HWSON3030-8

auf Bestellung 4176 Stücke:

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2+	1.92 EUR
10+	1.58 EUR
100+	1.23 EUR
500+	1.04 EUR
1000+	0.85 EUR
2500+	0.80 EUR
5000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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RJK03M5DNS-00#J5

Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8HWSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

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RJK03M5DNS-00#J5

Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8HWSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V

auf Bestellung 9786 Stücke:

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7+	2.89 EUR
10+	1.83 EUR
100+	1.23 EUR
500+	0.97 EUR
1000+	0.89 EUR
2000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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RJK03M5DPA-00#J5A

MOSFET BEAM2 Series FET, 30V, WPAK, 7.2mOhm

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK03M5DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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RJK03M6DNS-00#J5

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8HWSON

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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RJK03M6DNS-WS#J5

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 3610 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK03M6DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 30A WPAK

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RJK03M6DPA-WS#J5A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 1740 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

879+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 879

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RJK03M7DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 10 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

649+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 649

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RJK03M8DNS-00#J5

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8HWSON

auf Bestellung 315000 Stücke:

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RJK03M8DNS-WS#J5

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 4880 Stücke:

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568+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 568

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK03M9DNS-00#J5

Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8HWSON

auf Bestellung 2570000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK03M9DNS-WS#J5

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 3572 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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RJK03N0DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK

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RJK03N1

auf Bestellung 4322 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK03N1DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK03N2DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 40A WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK03N3DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 35A WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK03N4DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK03N4DPA-02#J5A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 432000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK03N5DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK03N6DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 10 V

auf Bestellung 2092071 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

396+	1.34 EUR

Mindestbestellmenge: 396

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RJK03N7DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 35A WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK03N8DNS-00#J5

Description: MOSFET N-CH 30V 30A HWSON

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK03P1DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 960000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK03P3DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 816000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

332+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 332

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK03P5DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 468000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK03P6DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 27000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK03P6DPA-WS#J5A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 2750 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK03P7DPA-00#J5A

Description: POWER, N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 10W, 20W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A, 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Supplier Device Package: 8-WPAK

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

204+	2.60 EUR

Mindestbestellmenge: 204

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK03P7DPA-WS#J5A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 2950 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK03P8DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 792000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

221+	2.26 EUR

Mindestbestellmenge: 221

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK03P9DPA-00#J5A

Description: POWER, N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15W, 35W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 50A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Supplier Device Package: 8-WPAK

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

204+	2.60 EUR

Mindestbestellmenge: 204

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK03P9DPA-WS#J5A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 2900 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK03R1DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL MOSFET

auf Bestellung 1023000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK03R4DPA-00#J5A

Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A/50A WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK03T2DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

248+	2.15 EUR

Mindestbestellmenge: 248

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0451DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 35A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 10 V

auf Bestellung 1754 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.29 EUR
10+	2.77 EUR
100+	1.90 EUR
500+	1.52 EUR
1000+	1.40 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0451DPB-00#J5

MOSFET JET Series MOSFET, 40V, LFPAK, Pb-F, HF

auf Bestellung 1308 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.85 EUR
10+	2.38 EUR
100+	1.88 EUR
250+	1.74 EUR
500+	1.59 EUR
1000+	1.36 EUR
2500+	1.29 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0451DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 35A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0452DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 10 V

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.19 EUR
10+	3.38 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0452DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0452DPB-00#J5

MOSFETs NOT AVALIBLE THROUGH MOUSER

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0452DPB-00-J5

RJK0452DPB-00-J5 RJK0452
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0453DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 55A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0453DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 55A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0453DPB-00#J5

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0453DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 55A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0454DPB-00#J5

MOSFET JET Series MOSFET, 40V, LFPAK, Pb-F, HF

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0454DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V

auf Bestellung 1200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.72 EUR
10+	3.72 EUR
100+	2.59 EUR
500+	2.10 EUR
1000+	1.95 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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RJK0454DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0455DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.80 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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RJK0455DPB-00#J5

LFPAK/Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching RJK0455
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK0455DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V

auf Bestellung 7490 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.28 EUR
10+	3.56 EUR
100+	2.83 EUR
500+	2.40 EUR
1000+	2.03 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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RJK0455DPB-00#J5

MOSFET JET Series MOSFET, 40V, LFPAK, Pb-F, HF

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK0456DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 10 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	2.08 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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RJK0456DPB-00#J5

MOSFET JET Series MOSFET, 40V, LFPAK, Pb-F, HF

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.68 EUR
10+	3.89 EUR
100+	3.12 EUR
250+	2.87 EUR
500+	2.60 EUR
1000+	2.22 EUR
2500+	2.09 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0456DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 10 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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RJK0456DPB-00#J5

LFPAKN-CHANNEL, SINGLE, LFPAK, 40V, ID(DC)50A, RJK0456
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

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RJK0601DPN-E0#T2

Description: RJK0601DPN - N-CHANNEL MOSFET 60
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220ABS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 10 V

auf Bestellung 1640 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

85+	5.70 EUR

Mindestbestellmenge: 85

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RJK0601DPN-E0#T2

MOSFET Power MOSFET

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RJK0602DPN-E0#T2

MOSFET Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK0602DPN-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0603DPN-A0#T2

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220ABA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220ABA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0603DPN-E0#T2

MOSFET Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0603DPN-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK0629DPE-00#J3

MOSFET MOSFET, 60V, LDPAK(S)-1, Pb Free

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0629DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 60V 85A LDPAK

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rjk0633

auf Bestellung 62 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK0651DPB-00#J5

Trans MOSFET N-CH Si 60V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

auf Bestellung 260 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

61+	2.43 EUR
100+	2.24 EUR
250+	2.07 EUR

Mindestbestellmenge: 61

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RJK0651DPB-00#J5

LFPAK/Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching RJK0651
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

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RJK0651DPB-00#J5

MOSFETs JET Series MOSFET 60V LFPAK Pb-F HF

auf Bestellung 218295 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.64 EUR
10+	1.97 EUR
100+	1.57 EUR
500+	1.40 EUR
1000+	1.30 EUR
2500+	1.29 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0651DPB-00#J5

Description: RENESAS - RJK0651DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.011 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 2473 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0651DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 60V 25A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 10 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.17 EUR
5000+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0651DPB-00#J5

Trans MOSFET N-CH Si 60V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0651DPB-00#J5

auf Bestellung 2473 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0651DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 60V 25A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 10 V

auf Bestellung 17095 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.53 EUR
10+	1.91 EUR
100+	1.51 EUR
500+	1.41 EUR
1000+	1.30 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0651DPB-WS#J5

RJK0651DPB-WS#J5

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0651DPB-WS#J5

RJK0651DPB-WS#J5

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0652DPB

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0652DPB-00#J0

auf Bestellung 1511 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0652DPB-00#J5

Description: RENESAS - RJK0652DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.007 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1880 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0652DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0652DPB-00#J5

MOSFET JET Series MOSFET, 60V, LFPAK, Pb-F, HF

auf Bestellung 3826 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.10 EUR
10+	3.40 EUR
100+	2.71 EUR
250+	2.50 EUR
500+	2.27 EUR
1000+	1.95 EUR
2500+	1.83 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0652DPB-00#J5

Description: RENESAS - RJK0652DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.007 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1880 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0653DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 60V 45A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0653DPB-00#J5

MOSFET JET Series MOSFET, 60V, LFPAK, Pb-F, HF

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0653DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 60V 45A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0653DPB-00-J0

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0654DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 60V LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0654DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 60V LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0654DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 60V LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0654DPB-00#J5

MOSFET Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0655DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0655DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0655DPB-00#J5

MOSFET Power MOSFET

auf Bestellung 11411 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.38 EUR
10+	3.64 EUR
100+	2.92 EUR
250+	2.69 EUR
500+	2.45 EUR
1000+	2.08 EUR
2500+	1.99 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0655DPB-00#J5

Description: RENESAS - RJK0655DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0053 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 28 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0655DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0655DPB-00#J5

Description: RENESAS - RJK0655DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0053 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 28 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0656DPB-00#J5

MOSFETs Power MOSFET

auf Bestellung 14285 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.75 EUR
10+	2.55 EUR
100+	2.36 EUR
250+	2.29 EUR
500+	2.22 EUR
1000+	2.15 EUR
2500+	2.09 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0656DPB-00#J5

Description: RENESAS - RJK0656DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0045 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 790 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0656DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 60V 40A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 10 V

auf Bestellung 3986 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.22 EUR
10+	2.70 EUR
100+	2.37 EUR
500+	2.22 EUR
1000+	2.06 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0656DPB-00#J5

Description: RENESAS - RJK0656DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0045 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 790 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0656DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 60V 40A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 10 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.95 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0657DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 60V 20A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

387+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 387

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0658DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 60V 25A 8WPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0658DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 60V 25A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK0658DPA-00#J5A

MOSFET POWER MOSFET 60V 25A WPAK

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RJK0659DPA-00#J5A

MOSFET POWER MOSFET 60V 30A WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0659DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 60V 30A 8WPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.56 EUR
10+	3.63 EUR
100+	2.53 EUR
500+	2.06 EUR
1000+	1.91 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0659DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 60V 30A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.77 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0660DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 60V 40A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0660DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 60V 40A 8WPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0660DPA-00#J5A

MOSFET Power MOSFET

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0701DPN-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 10 V

auf Bestellung 12407 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

78+	6.41 EUR

Mindestbestellmenge: 78

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0701DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FP
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 10 V

auf Bestellung 347 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

78+	6.41 EUR

Mindestbestellmenge: 78

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0702DPN-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 10 V

auf Bestellung 14917 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

114+	4.32 EUR

Mindestbestellmenge: 114

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0702DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FP
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 10 V

auf Bestellung 1650 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

114+	4.27 EUR

Mindestbestellmenge: 114

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0703DPN-A0#T2

MOSFET POWER TRS1 LV-MOS TO220ABS MOS TRENCH D1

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0703DPN-A0#T2

Description: MOSFET N-CH 75V 70A TO220ABA

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0703DPN-E0#T2

MOSFET Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0703DPN-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 75V 70A TO220

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0703DPP-A0#T2

MOSFETs POWER TRS1 LV-MOS TO220FP

auf Bestellung 838 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.14 EUR
10+	4.33 EUR
25+	4.17 EUR
100+	3.59 EUR
250+	3.38 EUR
500+	3.17 EUR
1000+	2.66 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0703DPP-A0#T2

Description: MOSFET N-CH 75V 70A TO220FPA

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0703DPP-E0#T2

MOSFET Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0703DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 75V 70A TO220

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0822SPN
Produktcode: 67008

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8542 39 90 00

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0822SPN

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0851DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 80V 20A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0851DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 80V 20A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0851DPB-00#J5

MOSFET JET Series MOSFET, 80V, LFPAK, Pb-F, HF

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0851DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 80V 20A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0852DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 10 V

auf Bestellung 3316 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.44 EUR
10+	3.54 EUR
100+	2.47 EUR
500+	2.00 EUR
1000+	1.86 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0852DPB-00#J5

MOSFETs MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0852DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 10 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.73 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0852DPB-00-J5

auf Bestellung 3879 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0853DPB-00#J5

MOSFETs JET Series MOSFET, 80V, LFPAK, Pb-F, HF

auf Bestellung 9389 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.89 EUR
10+	3.71 EUR
25+	3.61 EUR
100+	2.90 EUR
250+	2.83 EUR
500+	2.39 EUR
1000+	2.22 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0853DPB-00#J5

Description: RENESAS - RJK0853DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.008 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 2448 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0853DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 80V 40A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6170 pF @ 10 V

auf Bestellung 4480 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.02 EUR
10+	3.80 EUR
100+	2.92 EUR
500+	2.39 EUR
1000+	2.22 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0853DPB-00#J5

auf Bestellung 2448 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0853DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 80V 40A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6170 pF @ 10 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	2.11 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0854DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 80V LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0854DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 80V LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0854DPB-00#J5

MOSFET JET Series MOSFET, 80V, LFPAK, Pb-F, HF

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0854DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 80V LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0855DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK

auf Bestellung 1818 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0855DPB-00#J5

Description: RENESAS - RJK0855DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0082 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 42 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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RJK0855DPB-00#J5

MOSFETs Power MOSFET

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.03 EUR
10+	2.90 EUR
100+	2.83 EUR
250+	2.69 EUR
500+	2.59 EUR
1000+	2.38 EUR
2500+	1.88 EUR

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RJK0855DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK

auf Bestellung 1818 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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RJK0855DPB-00#J5

auf Bestellung 42 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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RJK0855DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK0856DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 80V 35A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK0856DPB-00#J5

MOSFET Power MOSFET

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RJK1001DPN-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 10 V

auf Bestellung 3363 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

78+	6.41 EUR

Mindestbestellmenge: 78

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RJK1001DPP-A0#T2

MOSFET POWER TRS1 LV-MOS TO220FP MOS TRENCH D12

auf Bestellung 395 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.84 EUR
25+	8.59 EUR
100+	7.37 EUR
500+	6.39 EUR
1000+	5.16 EUR

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RJK1001DPP-A0#T2

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220FPA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220ABA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK1001DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK1002DPN-A0#T2

Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO220ABA

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK1002DPN-E0#T2

MOSFET Power MOSFET

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RJK1002DPN-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO220

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK1002DPP-A0#T2

Description: MOSFET N-CH TO220

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK1002DPP-A0#T2

MOSFETs POWER TRS1 LV-MOS TO220FP MOS TRENCH D12

auf Bestellung 593 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.18 EUR
10+	6.49 EUR
25+	5.49 EUR
100+	4.88 EUR
500+	4.10 EUR
1000+	3.41 EUR

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RJK1002DPP-E0#T2

MOSFET Power MOSFET

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RJK1002DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO220

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK1003DPN-A0#T2

Description: MOSFET N-CH TO220

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK1003DPN-A0#T2

MOSFET POWER TRANSISTOR 100V POWER MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK1003DPN-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO220

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK1003DPN-E0#T2

MOSFET Power MOSFET

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RJK1003DPP-A0#T2

MOSFETs POWER TRS1 LV-MOS TO220FP MOS TRENCH D12

auf Bestellung 840 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.19 EUR
10+	4.59 EUR
25+	3.89 EUR
100+	3.61 EUR
250+	3.41 EUR
500+	3.04 EUR
1000+	2.53 EUR

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RJK1003DPP-A0#T2

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO220FPA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220ABA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK1003DPP-E0#T2

Description: RJK1003DPP - N-CHANNEL MOSFET 10
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 10 V

auf Bestellung 3408 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

125+	3.86 EUR

Mindestbestellmenge: 125

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RJK1003DPP-E0#T2

MOSFET Power MOSFET

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RJK1008DPN-00#02

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RJK1008DPP

auf Bestellung 85 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK1008DPP-E0#T2

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RJK1021DPE-00#J3

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RJK1028DNS-00#J5

MOSFET MOSFET, 30V, 3x3 pkg

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.62 EUR
10+	1.34 EUR
100+	1.04 EUR
500+	0.88 EUR
1000+	0.72 EUR
2500+	0.68 EUR
5000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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RJK1028DNS-00#J5

Description: ABU / MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK1028DNS-00#J5

Description: ABU / MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 10 V

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RJK1035

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK1051DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK1051DPB-00#J5

MOSFET JET Series MOSFET, 100V, LFPAK, Pb-F, HF

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK1051DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK1052DPB-00#J5

MOSFET JET Series MOSFET, 100V, LFPAK, Pb-F, HF

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK1052DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 100V 20A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4160 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK1052DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 100V 20A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4160 pF @ 10 V

auf Bestellung 4073 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.12 EUR
10+	3.42 EUR
100+	2.73 EUR
500+	2.31 EUR
1000+	1.96 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK1053DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK1053DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK1053DPB-00#J5

MOSFETs PowerMOSFET

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.45 EUR
10+	3.75 EUR
25+	3.54 EUR
100+	3.03 EUR
250+	2.87 EUR
500+	2.69 EUR
1000+	2.31 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK1053DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK1054DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 100V 20A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.86 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK1054DPB-00#J5

MOSFET JET Series MOSFET, 100V, LFPAK, Pb-F, H

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK1054DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 100V 20A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK1054DPB-WS#J5

Description: IGBT
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK1055DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V

auf Bestellung 7335 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.05 EUR
10+	3.96 EUR
100+	2.77 EUR
500+	2.26 EUR
1000+	2.09 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK1055DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK1055DPB-00#J5

MOSFETs Power MOSFET

auf Bestellung 1597 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.66 EUR
10+	3.87 EUR
100+	3.08 EUR
250+	2.96 EUR
500+	2.59 EUR
1000+	2.22 EUR
2500+	2.04 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK1055DPB-WS#J5

Description: IGBT
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK1056DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 10 V

auf Bestellung 4755 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.18 EUR
10+	4.04 EUR
100+	2.82 EUR
500+	2.31 EUR
1000+	2.14 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK1056DPB-00#J5

MOSFETs Power MOSFET

auf Bestellung 931 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.66 EUR
10+	3.87 EUR
100+	3.10 EUR
250+	2.85 EUR
500+	2.59 EUR
1000+	2.22 EUR
2500+	2.09 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK1056DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 10 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	2.03 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK1056DPB-WS#J5

Trans MOSFET N-CH 100V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK tray

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK1211DNS-00#J5

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk

auf Bestellung 1670000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

173+	2.91 EUR

Mindestbestellmenge: 173

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK1211DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 120V 5A WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK1212DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 120V 3A WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK1525DPP-MG#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 1582 Stücke:

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41+	13.18 EUR

Mindestbestellmenge: 41

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RJK1525DPS

auf Bestellung 38000 Stücke:

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RJK1525DPS-00#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 1467 Stücke:

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285+	1.85 EUR

Mindestbestellmenge: 285

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RJK1526

auf Bestellung 18 Stücke:

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RJK1529DPK

auf Bestellung 38000 Stücke:

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RJK1535DPE-LE

TO263/2.5

auf Bestellung 865 Stücke:

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RJK1535DPE-LE

Description: 40A, 150V, 0.052OHM, N-CHANNEL M
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-83
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LDPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 25 V

auf Bestellung 7899 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

94+	5.29 EUR

Mindestbestellmenge: 94

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RJK1536DPE-00#J3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 89960 Stücke:

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40+	12.52 EUR

Mindestbestellmenge: 40

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RJK1555DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 150V 25A 8WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK1555DPA-00#J0

MOSFET JET Series MOSFET, 150V, WPAK, Pb-F, HF

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK1555DPA-WS#J0

Description: MOSFET N-CH 150V 25A 8WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK1557DPA

auf Bestellung 798200 Stücke:

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RJK1557DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 150V 25A 8WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK1557DPA-00#J0

MOSFET JET Series MOSFET, 150V, WPAK, Pb Free

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK1557DPA-00#J0

auf Bestellung 2355 Stücke:

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RJK1560DPP-M0#T2

Description: MOSFET N-CH 150V 20A TO220FL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 4V
Power Dissipation (Max): 28.5W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FL
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6720 pF @ 25 V

auf Bestellung 1547 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

132+	3.67 EUR

Mindestbestellmenge: 132

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RJK1562DJE-00#Z0

Description: MOSFET N-CH 150V 1A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92MOD
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V

auf Bestellung 102357 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

332+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 332

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RJK1575DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 150V 25A WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	2.47 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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RJK1575DPA-00#J5A

MOSFETs POWER TRANSISTOR HV-MOS/IGBT 150V 25A

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK1575DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 150V 25A WPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

auf Bestellung 4528 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.08 EUR
10+	4.67 EUR
100+	3.30 EUR
500+	2.71 EUR
1000+	2.53 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK1576DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 150V 25A WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	2.47 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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RJK1576DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 150V 25A WPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V

auf Bestellung 5988 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.08 EUR
10+	4.67 EUR
100+	3.30 EUR
500+	2.71 EUR
1000+	2.53 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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RJK1576DPA-00#J5A

MOSFET POWER MOSFET 150V 25A 58MOHM WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK2006DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 200V 40A 4LDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-83
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: LDPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK2009

RENEAS

auf Bestellung 510 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK2009DPM

06+ SOT565

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK2009DPM-00#T0

Description: MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3PFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK2009DPM-00#T0

MOSFET MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK2009DPM-01SE

auf Bestellung 5846 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK2017

RENEAS

TO220/3

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK2017DPE-00#J3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 23000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

125+	3.95 EUR

Mindestbestellmenge: 125

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK2017DPE-WS#J3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 680 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

125+	3.95 EUR

Mindestbestellmenge: 125

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK2017DPP-00#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 629 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK2017DPP-90#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 1367 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

132+	3.76 EUR

Mindestbestellmenge: 132

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK2017DPP-90#T2F

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 72100 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

132+	3.76 EUR

Mindestbestellmenge: 132

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK2017DPP-B1#T2F

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

132+	3.76 EUR

Mindestbestellmenge: 132

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK2017DPP-M0#T2

MOSFET 200V, 36mOhm, TO-220FN

auf Bestellung 486 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.00 EUR
10+	5.88 EUR
100+	4.77 EUR
500+	4.24 EUR
1000+	3.34 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK2017DPP-M0#T2

Description: ABU / MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK2055DPA

auf Bestellung 798200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK2055DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 200V 20A 8WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK2055DPA-00#J0

MOSFET JET Series MOSFET, 200V, WPAK, Pb Free

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK2055DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 200V 20A 8WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK2055DPA-00-J0

09+ QFN

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK2055DPA-WS#J0

Description: MOSFET N-CH 200V 20A 8WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK2057DPA

auf Bestellung 798200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK2057DPA-00#J0

MOSFET JET Series MOSFET, 200V, WPAK, Pb Free

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK2057DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 200V 20A 8WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK2057DPA-WS#J0

Description: MOSFET N-CH 200V 20A 8WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK2075DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CHANNEL 200V 20A WPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Ta)
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK2075DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CHANNEL 200V 20A WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Ta)
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK2075DPA-00#J5A

MOSFETs MOSFET

auf Bestellung 2990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.58 EUR
10+	3.85 EUR
25+	3.63 EUR
100+	3.12 EUR
250+	2.94 EUR
500+	2.76 EUR
1000+	2.38 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK2076DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 200V 20A WPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.02 EUR
10+	4.50 EUR
100+	3.20 EUR
500+	2.65 EUR
1000+	2.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK2076DPA-00#J5A

MOSFETs POWER TRANSISTOR SINGLE POWER MOSFET

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.44 EUR
10+	4.56 EUR
25+	4.31 EUR
100+	3.70 EUR
250+	3.48 EUR
500+	3.29 EUR
1000+	2.82 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK2076DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 200V 20A WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	2.41 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK2506

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK2508DPK

auf Bestellung 38000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK2508DPK-00#T0

Description: MOSFET N-CH 250V 50A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK2508DPK-00#T0

MOSFET MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK2511DPK-00#T0

Description: MOSFET N-CH 250V 65A TO3P

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK2511DPK-00#T0

MOSFET MOSFET - Lead Free

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK2555DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 250V 17A TO3P

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK2557DPA-00#J0

Description: MOSFET N-CH 250V 17A TO3P

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK2557DPK-E

auf Bestellung 335 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK2916

auf Bestellung 70 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK3008DPK

auf Bestellung 38000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK4002DJE-00#Z0

MOSFET MOSFET

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK4002DJE-00#Z0

Description: MOSFET N-CH 400V 3A TO92MOD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.54W (Tc)
Supplier Device Package: TO-92MOD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V

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RJK4002DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 400V 3A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.97 EUR
6000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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RJK4002DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 400V 3A MP3A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.48 EUR
10+	2.22 EUR
100+	1.50 EUR
500+	1.20 EUR
1000+	1.10 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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RJK4002DPD-00#J2

MOSFET MOSFET

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RJK4002DPP-M0#T2

Description: MOSFET N-CH 400V 3A TO220FL

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RJK4002DPP-M0#T2

MOSFET MOSFET

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RJK4006DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 400V 8A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V

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RJK4006DPD-00#J2

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

125+	4.22 EUR

Mindestbestellmenge: 125

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RJK4006DPD-WS#J2

Description: MOSFET N-CH 400V 8A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MP-3A
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V

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RJK4006DPP-G1#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 8032 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

189+	2.80 EUR

Mindestbestellmenge: 189

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RJK4006DPP-M0#T2

MOSFET MOSFET

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RJK4006DPP-M0#T2

Description: MOSFET N-CH 400V 8A TO220FL

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RJK4007DPP-00#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 393 Stücke:

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226+	2.19 EUR

Mindestbestellmenge: 226

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RJK4007DPP-G2#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 456 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

192+	2.59 EUR

Mindestbestellmenge: 192

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RJK4007DPP-L1#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 4643 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

109+	4.55 EUR

Mindestbestellmenge: 109

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RJK4007DPP-M0#T2

Description: MOSFET N-CH 400V 7.6A TO220FL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V

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RJK4007DPP-M0#T2

MOSFET MOSFET

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RJK4012

auf Bestellung 250 Stücke:

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RJK4012DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 400V 15A LDPAK

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RJK4013

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK4013DPE-00#J3

MOSFET MOSFET

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RJK4013DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 400V 17A 4LDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-83
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: LDPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V

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RJK4015DPK-00#T0

Description: MOSFET N-CH 400V 30A TO3P

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RJK4018DPK-00#T0

MOSFET MOSFET

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RJK4018DPK-00#T0

Description: MOSFET N-CH 400V 43A TO3P

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RJK4034DJE-00#Z0

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RJK4502DJE-00#Z0

Description: MOSFET N-CH 450V 2.8A TO92

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RJK4512DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 450V 14A 4LDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-83
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: LDPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK4512DPP-00#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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RJK4512DPP-E0#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 3936 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

73+	6.87 EUR

Mindestbestellmenge: 73

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RJK4512DPP-K0#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 730 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

110+	4.52 EUR

Mindestbestellmenge: 110

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RJK4513

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK4513DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 450V 16A LDPAK

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RJK4514

auf Bestellung 700 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK4514DPE

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK4514DPK

auf Bestellung 38000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK4514DPK-00#T0

MOSFET MOSFET

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RJK4514DPK-00#T0

Description: MOSFET N-CH 450V 22A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK4515DPK

auf Bestellung 38000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK4515DPK-00#T0

Description: MOSFET N-CH 450V 27A TO3P

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK4518DPK-00#T0

Description: MOSFET N-CH 450V 39A TO3P

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RJK4518DPK-00#T0

MOSFET MOSFET - Lead Free

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RJK4532DPD-00#J2

MOSFET MOSFET - Lead Free

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK4532DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 450V 4A MP3A

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK4532DPD-E0#J2

Description: MOSFET N-CH MP3A

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RJK5002DJE-00#Z0

Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO92

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK5002DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A MP3A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK5002DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK5002DPD-00#J2

MOSFET Power MOSFET

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK5003

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK5003DP

auf Bestellung 230 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK5003DPD-

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK5003DPD-00-J2

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK5003DPD-01-J2

auf Bestellung 1100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK5006DPD

auf Bestellung 82 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK5006DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 500V 6A SC63

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK5006DPD-WS#J2

Description: MOSFET N-CH 500V 6A MP3A

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK5009DPP-00#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 7936 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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RJK5010DPF

auf Bestellung 38000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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rjk5010dpk

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK5012

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK5012DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 500V 12A 4LDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-83
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: LDPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK5012DPE-WS#J3

Description: MOSFET N-CH LDPAK

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RJK5012DPP

auf Bestellung 38000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK5012DPP-00#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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RJK5012DPP-E0#T2

MOSFET Power MOSFET

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK5012DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK5012DPP-K0#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK5012DPP-M0#T2

Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK5012DPP-MG#T2

Description: RJK5012DPP - N CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

auf Bestellung 478 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

130+	3.75 EUR

Mindestbestellmenge: 130

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RJK5013DPE-00#J3

MOSFET MOSFET - 500V, 14A, LDPAK(S)-(1)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK5013DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 500V 14A 4LDPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK5013DPE-00-J3

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK5013DPK

auf Bestellung 18854 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK5013DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO220FP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK5013DPP-E0#T2

MOSFET Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK5014DPK-00#T0

onsemi

Description: MOSFET N-CH 500V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK5014DPP-00#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 5623 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

124+	4.26 EUR

Mindestbestellmenge: 124

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RJK5014DPP-E0#T2

MOSFET MOSFET - 500V, 19A, TO-220FP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK5014DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 500V 19A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

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RJK5014DPP-E0#T2

Description: RJK5014DPP-E0#T2 - SILICON N CHA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

auf Bestellung 12236 Stücke:

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56+	8.81 EUR

Mindestbestellmenge: 56

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RJK5015DPK-00

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RJK5015DPK-00#T0

Description: MOSFET N-CHANNEL 500V 25A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Ta)
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V

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RJK5015DPK-00#T0

TO3P/NCH, VDSS 500V, ID(DC)25A,RDS(ON)MAX 0.24OHM RJK5015
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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RJK5015DPK-00#T0

MOSFET Power MOSFET

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RJK5015DPM-00#T1

MOSFET Power MOSFET

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RJK5015DPM-00#T1

Description: MOSFET N-CH 500V 25A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3PFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V

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RJK5015DPM-00#T1 RJK5015DPM-00#T1 RJK5015DPM-00#T1 RJK5015DPM-00#T1
Produktcode: 168956

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Transistoren > MOSFET N-CH

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RJK5018DPK-00#T0

Description: MOSFET N-CH 500V 35A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V

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RJK5018DPK-00#T0

MOSFET Power MOSFET

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RJK5020

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RJK5020DPK-00#T0

Description: MOSFET N-CH 500V 40A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 25 V

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RJK5020DPK-00#T0

MOSFET Power MOSFET

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RJK5020DPK01-E

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RJK5020DPK01-E

RJK5020DPK01-E

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45+	12.38 EUR
100+	11.46 EUR

Mindestbestellmenge: 45

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RJK5020DPK01-E

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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45+	10.93 EUR

Mindestbestellmenge: 45

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RJK5026DPP-00#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

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RJK5026DPP-E0#T2

MOSFET MOSFET

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RJK5026DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO220FP

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RJK5026DPP-M0#T2

Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO220FL

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RJK5026DPP-M0#T2

MOSFET MOSFET

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RJK5026DPP-V0#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

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RJK5030DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 500V 5A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 41.7W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V

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RJK5030DPD-01#J2

Description: MOSFET N-CH 500V 5A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MP-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V

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RJK5030DPD-02#J2

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RJK5030DPD-03#J2

Description: RJK5030DPD - N CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MP-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

303+	1.60 EUR

Mindestbestellmenge: 303

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RJK5030DPP-M0#T2

Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220FL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 28.5W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V

auf Bestellung 1471 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.71 EUR
25+	2.19 EUR
100+	1.80 EUR
500+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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RJK5030DPP-M0#T2

MOSFETs MOSFET

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.82 EUR
10+	2.27 EUR
100+	1.85 EUR
500+	1.75 EUR

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RJK5031DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 500V 3A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40.3W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK5031DPD-01#J2

Description: MOSFET N-CH 500V 3A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MP-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK5032DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 500V 3A MP3A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK5032DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 500V 3A TO220

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK5033DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 500V 6A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK5033DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 500V 6A MP3A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.95 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK5033DPD-00#J2

MOSFETs POWER TRANSISTOR N-CH MOSFET 500V 6A

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK5033DPD-01#J2

Description: MOSFET N-CH GENERAL PURPOSE

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RJK5033DPP-M0#T2

MOSFETs MOSFET

auf Bestellung 146 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.61 EUR
10+	4.40 EUR
25+	3.64 EUR
100+	3.13 EUR
250+	3.08 EUR
500+	2.76 EUR
1000+	2.24 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK5033DPP-M0#T2

Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO220FL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.4W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V

auf Bestellung 2090 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.56 EUR
25+	3.61 EUR
100+	3.10 EUR
500+	2.75 EUR
1000+	2.36 EUR
2000+	2.22 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK5034DPP-A0#T2

Description: MOSFET N-CH 500V 10A TO220FP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK5034DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 500V 1.2A TO220

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK5034DPP-E0#T2

MOSFET MOSFET

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK5035DPP-A0#T2

Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Ta)
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V

auf Bestellung 2015 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.49 EUR
25+	3.10 EUR
100+	2.53 EUR
500+	2.18 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK5035DPP-A0#T2

MOSFETs POWER TRS1 HV-MOS TO220FP MOS AP5H POWER

auf Bestellung 930 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.54 EUR
10+	4.08 EUR
25+	3.19 EUR
100+	2.59 EUR
250+	2.57 EUR
500+	2.34 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK5035DPP-E0#T2

Description: RJK5035DPP-E0 - Nch Single Power
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 25 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK5035DPP-E0#T2

MOSFET MOSFET

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK5035DPP-E0#T2

Infineon Technologies

Description: RJK5035DPPNSINGPOWMOSF501850MOTO
Packaging: Tube

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RJK6002

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK6002DJE-00#Z0

Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO92

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RJK6002DPD

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK6002DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 600V 2A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK6002DPD-00#J2

MOSFET GENERIC Transistor

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK6002DPD-00-J2

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK6002DPD-WS#J2

Description: MOSFET N-CH 600V 2A MP3A

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK6002DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 600V 2A LDPAK

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK6002DPH-E0#T2

MOSFET Power MOSFET , 600V 2A , LDPAK-S

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK6002DPH-E0#T2

Description: RJK6002DPH - N CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V

auf Bestellung 3467 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

347+	1.47 EUR

Mindestbestellmenge: 347

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK6006DPD-00#J2

MOSFET Power MOSFET

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK6006DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 600V 5A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 77.6W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V

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RJK6006DPP-A0#T2

MOSFETs POWER TRS1 HV-MOS TO220FP MOS AP5H POWER

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RJK6006DPP-A0#T2

Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Ta)
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

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RJK6006DPP-E0#T2

MOSFET MOSFET, 600V, TO-220FP, Pb Free

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RJK6006DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO220

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RJK6009DPP-00#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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RJK6011DJE-00#Z0

Description: MOSFET N-CH 600V 100MA TO92MOD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V

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RJK6011DJE-00#Z0

MOSFET MOSFET

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RJK6011DP3-A0#J2

Description: RJK6011DP3-A0#J2 - SILICON NCH S
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V

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278+	1.82 EUR

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RJK6012

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RJK6012DPE

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RJK6012DPE-00#J3

MOSFET MOSFET, 600V/10A, LDPAK(S)-(1), Pb Free

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RJK6012DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 600V 10A 4LDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-83
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: LDPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

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RJK6012DPE-00-J3

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RJK6012DPP

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RJK6012DPP-00#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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105+	4.86 EUR

Mindestbestellmenge: 105

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RJK6012DPP-A0#T2

Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.37Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.5W (Ta)
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 25 V

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RJK6012DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

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RJK6012DPP-E0#T2

TO-220FPNCH, TO-220FP, 600V, ID(DC)10A, 0.92OHM
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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RJK6012DPP-E0#T2

Description: RJK6012DPP - N CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

auf Bestellung 3960 Stücke:

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104+	4.88 EUR

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RJK6012DPP-K0#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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105+	4.86 EUR

Mindestbestellmenge: 105

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RJK6013

auf Bestellung 10000 Stücke:

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RJK6013DPE

auf Bestellung 10000 Stücke:

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RJK6013DPE-00#J3

MOSFET Power TRS, 600V/11A, LDPAK(S)-(1)

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RJK6013DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 600V 11A 4LDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-83
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: LDPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V

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RJK6013DPE-00-J3

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK6013DPE-WS#J3

Description: MOSFET N-CH 600V 11A 4LDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-83
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LDPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V

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RJK6013DPP

auf Bestellung 8200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK6013DPP-00#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 25639 Stücke:

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59+	8.65 EUR

Mindestbestellmenge: 59

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RJK6013DPP-E0#T2

Description: RJK6013DPP-E0#T2 - SILICON N CHA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V

auf Bestellung 1877 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

62+	8.22 EUR

Mindestbestellmenge: 62

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RJK6013DPP-E0#T2

MOSFET MOSFET

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RJK6013DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V

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RJK6014DPK

auf Bestellung 8200 Stücke:

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RJK6014DPK-00#T0

MOSFET Power MOSFET

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RJK6014DPK-00#T0

Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 575mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

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RJK6014DPP

auf Bestellung 8200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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RJK6014DPP-00#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 420 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

70+	7.35 EUR

Mindestbestellmenge: 70

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RJK6014DPP-E0#T2

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 575mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

auf Bestellung 5107 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

55+	9.35 EUR

Mindestbestellmenge: 55

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RJK6014DPP-E0#T2

MOSFET Power TRS, 600V/16A, TO-220FN

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RJK6015DPK

auf Bestellung 8200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK6015DPK-00#T0

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V

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RJK6015DPK-00#T0

MOSFET MOSFET

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RJK6015DPM-00#T1

MOSFET Power MOSFET

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RJK6015DPM-00#T1

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3PFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V

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RJK6018DPK

auf Bestellung 8200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK6018DPK-00#T0

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK6018DPK-00#T0

Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK6018DPK-00#T0

MOSFET PWR MOS TRS TO3P

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK6018DPM-00#T1

Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3PFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK6018DPM-00#T1

MOSFET Power MOSFET

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RJK6020DPK

auf Bestellung 8200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK6020DPK-00#T0

Description: MOSFET N-CH 600V 32A TO3P

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RJK6020DPK-00#T0

MOSFET PMOSFET

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RJK6022DJE-00#Z0

Description: MOSFET N-CH 600V 0.2A TO92

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RJK6024DP3-A0#J2

MOSFET MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK6024DPD-00#J2

MOSFET MOSFET, 600V

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK6024DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 600V 400MA MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 27.2W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.5 pF @ 25 V

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RJK6024DPD-00#J2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 27.2W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.5 pF @ 25 V

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RJK6024DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 600V 0.4A LDPAK

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RJK6024DPH-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 600V 0.4A LDPAK

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RJK6024DPH-E0#T2

MOSFET Power MOSFET , 600V, IPAK

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RJK6025DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 600V 1A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 29.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: MP-3A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.5 pF @ 25 V

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RJK6025DPD-00#J2

MOSFET MOSFET, 600V

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RJK6025DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 600V 1A MP3A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 29.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: MP-3A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.5 pF @ 25 V

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RJK6025DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 600V 0.8A LDPAK

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RJK6026DPE

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RJK6026DPE-00#J3

MOSFET MOSFET, 600V, LDPAK(S)-(1), Pb Free

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RJK6026DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 600V 5A 4LDPAK
Packaging: Tube
Package / Case: SC-83
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Supplier Device Package: LDPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V

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RJK6026DPP

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RJK6026DPP-00#T2

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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RJK6026DPP-90#T2F

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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313+	1.62 EUR

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RJK6026DPP-B1#T2F

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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RJK6026DPP-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 28.5W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V

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RJK6029DJA-00#Z0

Description: MOSFET N-CH TO92

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RJK6032DPD-00#J2

MOSFET MOSFET

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RJK6032DPD-00#J2

Description: MOSFET N-CH 600V 3A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40.3W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285 pF @ 25 V

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RJK6032DPH-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 600V 3A TO251

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RJK6032DPH-E0#T2