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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
TT400N26KOF TT400N26KOF INFINEON TECHNOLOGIES TT400N26KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 2.6kV; 400A; BG-PB60-1; screw
Type of module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 2.6kV
Load current: 400A
Case: BG-PB60-1
Max. forward voltage: 1.88V
Max. forward impulse current: 13kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR6302LE6327XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Unclassified
Description: BAR6302LE6327XTMA1
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 15000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR6305WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR6306WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR6402ELE6327XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BAR64-02EL-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f023e4d38fa Category: Unclassified
Description: BAR6402ELE6327XTMA1
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 15000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR6404WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BAR64-04W-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0263783902 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR6405E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BAR64-05-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f026ce63904 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR6406E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BAR64-06-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0300ea3908 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRS2101STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2101pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567624e2279d Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4768PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4768-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c959b2021 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 66A; Idm: 370A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247AC
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 66A
On-state resistance: 17.5mΩ
Power dissipation: 520W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 180nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 370A
Mounting: THT
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+4.62 EUR
23+3.19 EUR
24+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4768PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4768-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c959b2021 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+3.50 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGA420H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bga420.pdf?folderId=db3a30431441fb5d0114b654e6581730&fileId=db3a304314dca3890115418cec781637 Category: SMD operational amplifiers
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ICE3AR10080JZXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ICE3AR10080JZ-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a3043324cae8c01326fade0414605 Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC
Type of integrated circuit: PMIC
auf Bestellung 4420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY8C6144LQI-S4F82 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-PSoC_6_MCU_CY8C61X4-DataSheet-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017ddd0276175906 Category: Integrated circuits - Unclassified
Description: CY8C6144LQI-S4F82
auf Bestellung 1560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
260+6.74 EUR
Mindestbestellmenge: 260
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS10828-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3077PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP3077-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535628cd701fee Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ITS4200SMEOHUMA1 ITS4200SMEOHUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ITS4200SMEOHUMA1.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 700mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4
Case: SOT223-4
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: Industrial PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Supply voltage: 11...45V DC
On-state resistance: 0.15Ω
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 0.7A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ITS4200SMENHUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ITS4200SMEN.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 700mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4
Case: SOT223-4
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: Industrial PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Supply voltage: 5...34V DC
On-state resistance: 0.16Ω
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 0.7A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ITS4200SSJDXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ITS4200SSJD.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: Industrial PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Supply voltage: 6...52V DC
On-state resistance: 0.15Ω
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 1.2A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ITS42008SBDAUMA1 ITS42008SBDAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ITS42008-SB-D.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 700mA; Ch: 8; N-Channel; SMD; PG-DSO-36
Case: PG-DSO-36
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 3.3W
Technology: Industrial PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Turn-off time: 0.1ms
Supply voltage: 11...45V DC
On-state resistance: 0.2Ω
Turn-on time: 150µs
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 0.7A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 8
Kind of output: N-Channel
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF150P221AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF150P221-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166acab699365cd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 186A; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 186A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLD1314ELXUMA1 TLD1314ELXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLD1314EL.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; high-side,LED driver; Litix™; PG-SSOP-14-EP; 120mA
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; LED driver
Technology: Litix™
Case: PG-SSOP-14-EP
Output current: 0.12A
Number of channels: 3
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 5.5...40V DC
Protection: overheating OTP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N06NSATMA1 BSZ100N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ100N06NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 36W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2183STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2183.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c9490e16d1 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRS2113STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2110.pdf?fileId=5546d462533600a40153567660ff27b0 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD15P10PGBTMA1 SPD15P10PGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD15P10PGBTMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
Power dissipation: 128W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP15R12W1T4_B3 FP15R12W1T4_B3 INFINEON TECHNOLOGIES FP15R12W1T4B3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Case: AG-EASY1B-1
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Power dissipation: 130W
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPIM™ 1B
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+44.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPC60SR045CPX2SA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Transistors - Unclassified
Description: IPC60SR045CPX2SA1
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+12.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB160N04S4H1ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB160N04S4_H1-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c39839f5d47&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PVT212SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pvt212.pdf?fileId=5546d462533600a4015356841646295d Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state
Type of relay: solid state
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+9.74 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6376TRPBF IRLHS6376TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlhs6376pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; 1.5W; PQFN2X2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1.5W
Case: PQFN2X2
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 1517 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+0.80 EUR
128+0.56 EUR
168+0.43 EUR
260+0.28 EUR
275+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR11682STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir11682spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c47188165a Category: Integrated circuits - Unclassified
Description: IR11682STRPBF
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA80R1K0CEXKSA2 IPA80R1K0CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPA80R1K0CE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 18A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+2.50 EUR
40+1.82 EUR
53+1.37 EUR
55+1.30 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY62167GN30-45BVXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62167GN30_MOBL_16_MBIT_(1M_X_16_2M_X_8)_STATIC_RAM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee9fe9b72e1&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 45ns; VFBGA48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 45ns
Kind of package: reel; tape
Kind of interface: parallel
Memory: 16Mb SRAM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Case: VFBGA48
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY91F467BAPMC-GS-UJE2 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
auf Bestellung 545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+178.72 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY91F467DAPFVS-GS-UJE2 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Unclassified
Description: CY91F467DAPFVS-GS-UJE2
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+100.64 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0901NSIATMA1 BSC0901NSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC0901NSI-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Mounting: SMD
On-state resistance: 2mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0901NSATMA1 BSZ0901NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ0901NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 40A
Mounting: SMD
On-state resistance: 2mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0901NSIATMA1 BSZ0901NSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ0901NSI-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 40A
Mounting: SMD
On-state resistance: 2.1mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0901NSATMA1 BSC0901NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC0901NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.9mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF150P220AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF150P220-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166aca241ac65c9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 316A; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 316A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7490TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7490pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ffaf0b1c38 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.4A; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.4A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ097N04LSGATMA1 BSZ097N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ097N04LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 9.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
auf Bestellung 4920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+1.22 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2156STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2156.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8eb7116b8 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS215PH6327-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Case: PG-SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P2
auf Bestellung 2038 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
173+0.41 EUR
242+0.30 EUR
348+0.21 EUR
432+0.17 EUR
511+0.14 EUR
715+0.10 EUR
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Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2128STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2127.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c868861696 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2500+1.74 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7493pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 9.2A; 2.5W; SO8
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 9.2A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS2242TRPBF IRLHS2242TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlhs2242pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.2A; 2.1W; PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Case: PQFN3.3X3.3
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7.2A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+0.67 EUR
167+0.43 EUR
230+0.31 EUR
332+0.22 EUR
350+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.5A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TD140N16SOFHPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES TD140N16SOF.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 140A; BG-PB34SB-1; Ufmax: 1.41V
Type of module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 140A
Case: BG-PB34SB-1
Max. forward voltage: 1.41V
Max. forward impulse current: 4.7kA
Gate current: 150mA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 220A
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI4212H-117PXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irfi4212h-117p.pdf?fileId=5546d462533600a401535623fc841f7a Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.8A; Idm: 44A; 7W; TO220-5
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.8A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 7W
Case: TO220-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET
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BCX5316H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcx51_bcx52_bcx53.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589c08423034d&location=.en.product.findProductTypeByName.html_dgdl_bcx51_bcx52_bcx53.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
auf Bestellung 7000 Stücke:
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1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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BCX5516H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcx54_bcx55_bcx56.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589d20fda0368 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP051N15N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP051N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a0437e3754cb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 115A; Idm: 480A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 115A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R060P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPW60R060P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625acbae4c015acce82ba2022c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+4.93 EUR
120+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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IPP120N20NFDAKSA1 IPP120N20NFDAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP120N20NFD-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 84A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 84A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ FD
auf Bestellung 28 Stücke:
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10+7.55 EUR
15+4.92 EUR
16+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7546TRPBF IRFR7546TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFR7546TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 71A; 99W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 71A
Power dissipation: 99W
Case: DPAK
On-state resistance: 7.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 1737 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+1.26 EUR
83+0.87 EUR
149+0.48 EUR
158+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3709ZTRPBF IRFR3709ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFR3709ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 86A; 79W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 86A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 79W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3709ZTRRPBF IRFR3709ZTRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr3709zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 86A; 79W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 86A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 79W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCX71HE6327 BCX71HE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCX71.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.33W
Polarisation: bipolar
Case: SOT23
auf Bestellung 6515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
380+0.19 EUR
1010+0.07 EUR
1115+0.06 EUR
1455+0.05 EUR
1540+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 380
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TT400N26KOF TT400N26KOF.pdf
TT400N26KOF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 2.6kV; 400A; BG-PB60-1; screw
Type of module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 2.6kV
Load current: 400A
Case: BG-PB60-1
Max. forward voltage: 1.88V
Max. forward impulse current: 13kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR6302LE6327XTMA1 INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Unclassified
Description: BAR6302LE6327XTMA1
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
15000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 15000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR6305WH6327XTSA1 INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR6306WH6327XTSA1 INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR6402ELE6327XTMA1 Infineon-BAR64-02EL-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f023e4d38fa
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Unclassified
Description: BAR6402ELE6327XTMA1
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
15000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 15000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR6404WH6327XTSA1 Infineon-BAR64-04W-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0263783902
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR6405E6327HTSA1 Infineon-BAR64-05-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f026ce63904
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR6406E6327HTSA1 Infineon-BAR64-06-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0300ea3908
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRS2101STRPBF irs2101pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567624e2279d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4768PBFXKMA1 Infineon-IRFP4768-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c959b2021
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 66A; Idm: 370A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247AC
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 66A
On-state resistance: 17.5mΩ
Power dissipation: 520W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 180nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 370A
Mounting: THT
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.62 EUR
23+3.19 EUR
24+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4768PBFXKMA1 Infineon-IRFP4768-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c959b2021
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
25+3.50 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGA420H6327XTSA1 bga420.pdf?folderId=db3a30431441fb5d0114b654e6581730&fileId=db3a304314dca3890115418cec781637
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD operational amplifiers
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ICE3AR10080JZXKLA1 Infineon-ICE3AR10080JZ-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a3043324cae8c01326fade0414605
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC
Type of integrated circuit: PMIC
auf Bestellung 4420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY8C6144LQI-S4F82 Infineon-PSoC_6_MCU_CY8C61X4-DataSheet-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017ddd0276175906
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Integrated circuits - Unclassified
Description: CY8C6144LQI-S4F82
auf Bestellung 1560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
260+6.74 EUR
Mindestbestellmenge: 260
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRLPBF IRSDS10828-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3077PBFXKMA1 Infineon-IRFP3077-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535628cd701fee
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ITS4200SMEOHUMA1 ITS4200SMEOHUMA1.pdf
ITS4200SMEOHUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 700mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4
Case: SOT223-4
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: Industrial PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Supply voltage: 11...45V DC
On-state resistance: 0.15Ω
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 0.7A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ITS4200SMENHUMA1 ITS4200SMEN.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 700mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4
Case: SOT223-4
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: Industrial PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Supply voltage: 5...34V DC
On-state resistance: 0.16Ω
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 0.7A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ITS4200SSJDXUMA1 ITS4200SSJD.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: Industrial PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Supply voltage: 6...52V DC
On-state resistance: 0.15Ω
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 1.2A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ITS42008SBDAUMA1 ITS42008-SB-D.pdf
ITS42008SBDAUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 700mA; Ch: 8; N-Channel; SMD; PG-DSO-36
Case: PG-DSO-36
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 3.3W
Technology: Industrial PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Turn-off time: 0.1ms
Supply voltage: 11...45V DC
On-state resistance: 0.2Ω
Turn-on time: 150µs
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 0.7A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 8
Kind of output: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF150P221AKMA1 Infineon-IRF150P221-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166acab699365cd
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 186A; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 186A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLD1314ELXUMA1 TLD1314EL.pdf
TLD1314ELXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; high-side,LED driver; Litix™; PG-SSOP-14-EP; 120mA
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; LED driver
Technology: Litix™
Case: PG-SSOP-14-EP
Output current: 0.12A
Number of channels: 3
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 5.5...40V DC
Protection: overheating OTP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N06NSATMA1 BSZ100N06NS-DTE.pdf
BSZ100N06NSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 36W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2183STRPBF ir2183.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c9490e16d1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRS2113STRPBF irs2110.pdf?fileId=5546d462533600a40153567660ff27b0
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD15P10PGBTMA1 SPD15P10PGBTMA1-DTE.pdf
SPD15P10PGBTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
Power dissipation: 128W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP15R12W1T4_B3 FP15R12W1T4B3.pdf
FP15R12W1T4_B3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Case: AG-EASY1B-1
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Power dissipation: 130W
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPIM™ 1B
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2+44.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPC60SR045CPX2SA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Transistors - Unclassified
Description: IPC60SR045CPX2SA1
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+12.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB160N04S4H1ATMA1 Infineon-IPB160N04S4_H1-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c39839f5d47&ack=t
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PVT212SPBF pvt212.pdf?fileId=5546d462533600a4015356841646295d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state
Type of relay: solid state
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+9.74 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS6376TRPBF irlhs6376pbf.pdf
IRLHS6376TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; 1.5W; PQFN2X2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1.5W
Case: PQFN2X2
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 1517 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
90+0.80 EUR
128+0.56 EUR
168+0.43 EUR
260+0.28 EUR
275+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR11682STRPBF ir11682spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c47188165a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Integrated circuits - Unclassified
Description: IR11682STRPBF
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA80R1K0CEXKSA2 IPA80R1K0CE.pdf
IPA80R1K0CEXKSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 18A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.50 EUR
40+1.82 EUR
53+1.37 EUR
55+1.30 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY62167GN30-45BVXIT Infineon-CY62167GN30_MOBL_16_MBIT_(1M_X_16_2M_X_8)_STATIC_RAM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee9fe9b72e1&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 45ns; VFBGA48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 45ns
Kind of package: reel; tape
Kind of interface: parallel
Memory: 16Mb SRAM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Case: VFBGA48
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY91F467BAPMC-GS-UJE2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
auf Bestellung 545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
60+178.72 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY91F467DAPFVS-GS-UJE2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Unclassified
Description: CY91F467DAPFVS-GS-UJE2
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
24+100.64 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0901NSIATMA1 BSC0901NSI-DTE.pdf
BSC0901NSIATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Mounting: SMD
On-state resistance: 2mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0901NSATMA1 BSZ0901NS-DTE.pdf
BSZ0901NSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 40A
Mounting: SMD
On-state resistance: 2mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0901NSIATMA1 BSZ0901NSI-DTE.pdf
BSZ0901NSIATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 40A
Mounting: SMD
On-state resistance: 2.1mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0901NSATMA1 BSC0901NS-DTE.pdf
BSC0901NSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.9mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF150P220AKMA1 Infineon-IRF150P220-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166aca241ac65c9
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 316A; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 316A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7490TRPBF irf7490pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ffaf0b1c38
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.4A; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.4A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ097N04LSGATMA1 BSZ097N04LSG-DTE.pdf
BSZ097N04LSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 9.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
auf Bestellung 4920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.22 EUR
89+0.81 EUR
106+0.68 EUR
146+0.49 EUR
154+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2156STRPBF ir2156.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8eb7116b8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327-DTE.pdf
BSS215PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Case: PG-SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P2
auf Bestellung 2038 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
242+0.30 EUR
348+0.21 EUR
432+0.17 EUR
511+0.14 EUR
715+0.10 EUR
758+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2128STRPBF ir2127.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c868861696
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7493TRPBF description irf7493pbf.pdf
IRF7493TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 9.2A; 2.5W; SO8
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 9.2A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLHS2242TRPBF irlhs2242pbf.pdf
IRLHS2242TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.2A; 2.1W; PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Case: PQFN3.3X3.3
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7.2A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
167+0.43 EUR
230+0.31 EUR
332+0.22 EUR
350+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7313TRPBFXTMA1 irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.5A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TD140N16SOFHPSA1 TD140N16SOF.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 140A; BG-PB34SB-1; Ufmax: 1.41V
Type of module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 140A
Case: BG-PB34SB-1
Max. forward voltage: 1.41V
Max. forward impulse current: 4.7kA
Gate current: 150mA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 220A
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI4212H-117PXKMA1 irfi4212h-117p.pdf?fileId=5546d462533600a401535623fc841f7a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.8A; Idm: 44A; 7W; TO220-5
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.8A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 7W
Case: TO220-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCX5316H6327XTSA1 bcx51_bcx52_bcx53.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589c08423034d&location=.en.product.findProductTypeByName.html_dgdl_bcx51_bcx52_bcx53.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCX5516H6327XTSA1 bcx54_bcx55_bcx56.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589d20fda0368
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP051N15N5AKSA1 Infineon-IPP051N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a0437e3754cb
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 115A; Idm: 480A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 115A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R060P7XKSA1 Infineon-IPW60R060P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625acbae4c015acce82ba2022c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30+4.93 EUR
120+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP120N20NFDAKSA1 IPP120N20NFD-DTE.pdf
IPP120N20NFDAKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 84A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 84A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ FD
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.55 EUR
15+4.92 EUR
16+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7546TRPBF IRFR7546TRPBF.pdf
IRFR7546TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 71A; 99W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 71A
Power dissipation: 99W
Case: DPAK
On-state resistance: 7.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 1737 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
57+1.26 EUR
83+0.87 EUR
149+0.48 EUR
158+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3709ZTRPBF IRFR3709ZTRPBF.pdf
IRFR3709ZTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 86A; 79W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 86A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 79W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
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IRFR3709ZTRRPBF irfr3709zpbf.pdf
IRFR3709ZTRRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 86A; 79W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 86A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 79W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
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BCX71HE6327 BCX71.pdf
BCX71HE6327
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.33W
Polarisation: bipolar
Case: SOT23
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