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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
C3MSWITCHCRAFT/CONXALLDescription: SWITCHCRAFT/CONXALL - C3M - CONNECTOR, XLR, PLUG, 3 POSITION
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
Kontaktüberzug: Nickel Plated Contacts
rohsCompliant: YES
Ausführung: Plug
Anzahl der Kontakte: 3Contacts
euEccn: NLR
Steckverbindermaterial: Metal Body
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Produktpalette: C Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
C3MSwitchcraft Inc.Description: CONN RCPT MALE XLR 3P SOLDER CUP
Packaging: Bulk
Features: Ground
Connector Type: Receptacle, Male Pins
Color: Silver
Voltage Rating: 125VAC
Current Rating (Amps): 15A
Mounting Type: Panel Mount
Number of Positions: 3
Orientation: Keyed
Shell Size - Insert: XLR
Fastening Type: Latch Lock
Termination: Solder Cup
Mounting Feature: Flange
Contact Finish - Mating: Silver
Part Status: Active
Shell Material: Zinc
Shell Finish: Nickel
Primary Material: Metal
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+26.47 EUR
25+ 22.56 EUR
100+ 20.45 EUR
C3MSwitchcraftXLR Connectors 3 PIN MALE RECEPT
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
C3M-000000000000-NAAdvanced EnergyDescription: CONFIG DC PWR MOD 3000W
Packaging: Bulk
Type: DC Output Module
Approval Agency: IEC
Part Status: Active
Power (Watts): 3000 W
Standard Number: 60601-1; 60601-1-2
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+3262.79 EUR
5+ 3204.53 EUR
C3M-000000000000-NBAdvanced EnergyDescription: CONFIG DC PWR MOD 3000W
Packaging: Bulk
Type: DC Output Module
Approval Agency: IEC
Part Status: Active
Power (Watts): 3000 W
Standard Number: 60601-1; 60601-1-2
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+3262.79 EUR
5+ 3204.53 EUR
C3M0010090DWolfspeedC3M0010090D
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0010090KWolfspeedC3M0010090K
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0015065DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 120A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 55.8A, 15V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5011 pF @ 400 V
auf Bestellung 912 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+122.23 EUR
30+ 102.43 EUR
120+ 95.6 EUR
C3M0015065DWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+59.53 EUR
Mindestbestellmenge: 30
C3M0015065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+78.49 EUR
10+ 66.97 EUR
25+ 61.31 EUR
50+ 57.01 EUR
100+ 49.93 EUR
500+ 47.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C3M0015065DWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 15mohm, 650V, TO-247-3, Industrial, Gen 3
auf Bestellung 359 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+116.48 EUR
10+ 103.4 EUR
30+ 100.91 EUR
60+ 91.7 EUR
120+ 91.62 EUR
270+ 91.34 EUR
510+ 91.29 EUR
C3M0015065DWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 1195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+78.49 EUR
10+ 66.97 EUR
25+ 61.31 EUR
50+ 57.01 EUR
100+ 49.93 EUR
500+ 47.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C3M0015065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
C3M0015065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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C3M0015065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+59.53 EUR
Mindestbestellmenge: 30
C3M0015065KWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 15mohm, 650V, TO-247-4, Industrial, Gen 3
auf Bestellung 628 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+116.22 EUR
10+ 104.23 EUR
30+ 100.93 EUR
60+ 93.78 EUR
120+ 92.14 EUR
270+ 90.48 EUR
510+ 88.53 EUR
C3M0015065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 57220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+51.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4
C3M0015065KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 96A; Idm: 418A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 96A
Pulsed drain current: 418A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0015065KWolfspeedC3M0015065K
auf Bestellung 343 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
C3M0015065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+51.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3334 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+54.36 EUR
10+ 49.24 EUR
25+ 47.34 EUR
50+ 44.82 EUR
100+ 40.36 EUR
500+ 38.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3
C3M0015065KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 96A; Idm: 418A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 96A
Pulsed drain current: 418A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0015065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+54.89 EUR
10+ 49.7 EUR
Mindestbestellmenge: 3
C3M0015065KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 120A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 55.8A, 15V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5011 pF @ 400 V
auf Bestellung 916 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+122.23 EUR
30+ 102.43 EUR
120+ 95.6 EUR
C3M0015065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 3334 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+54.36 EUR
10+ 49.24 EUR
25+ 47.34 EUR
50+ 44.82 EUR
100+ 40.36 EUR
500+ 38.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+54.89 EUR
10+ 49.7 EUR
Mindestbestellmenge: 3
C3M0015065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+92.34 EUR
Mindestbestellmenge: 30
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+47.1 EUR
Mindestbestellmenge: 30
C3M0015065K-MWolfspeed, Inc.Description: MVF 200MM QUALIFIED MATERIAL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 55.8A, 15V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5011 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+108.31 EUR
Mindestbestellmenge: 450
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+94.99 EUR
10+ 90.64 EUR
25+ 86.19 EUR
50+ 82.32 EUR
100+ 78.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C3M0016120DWolfspeedMOSFET 1.2kV 15mOHMS G3 SiC MOSFET
auf Bestellung 699 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+183.04 EUR
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+94.99 EUR
10+ 90.64 EUR
25+ 86.19 EUR
50+ 82.32 EUR
100+ 78.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C3M0016120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 115A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 15V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 23mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 1000 V
auf Bestellung 1559 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+174.75 EUR
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+108.31 EUR
Mindestbestellmenge: 30
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0016120KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 556W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 556W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 28.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 211nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0016120KWolfspeedMOSFET SiC MOSFET G3 1200V 16mOhms
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+220.38 EUR
10+ 201.19 EUR
30+ 191.93 EUR
60+ 187.69 EUR
120+ 183.04 EUR
C3M0016120KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1.2KV 115A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 15V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 23mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 1000 V
auf Bestellung 309 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+218.87 EUR
30+ 190.62 EUR
120+ 180.73 EUR
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+108.9 EUR
Mindestbestellmenge: 30
C3M0016120KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0016120K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 115 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
C3M0016120KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 556W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 556W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 28.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 211nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0021120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.8mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 469W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 17.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4818 pF @ 1000 V
auf Bestellung 1163 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+98.49 EUR
30+ 82.53 EUR
120+ 77.03 EUR
C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+44.23 EUR
10+ 40.12 EUR
25+ 37.95 EUR
Mindestbestellmenge: 4
C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+44.23 EUR
10+ 40.12 EUR
25+ 37.95 EUR
Mindestbestellmenge: 4
C3M0021120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0021120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 1545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+42.97 EUR
Mindestbestellmenge: 4
C3M0021120DWolfspeedMOSFET 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+99.16 EUR
10+ 88.35 EUR
30+ 83.1 EUR
60+ 80.31 EUR
120+ 77.56 EUR
270+ 74.78 EUR
510+ 71.32 EUR
C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0021120KWolfspeedMOSFET 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
auf Bestellung 2703 Stücke:
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1+99.16 EUR
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C3M0021120KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 100A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.8mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 469W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 17.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4818 pF @ 1000 V
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1+98.49 EUR
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C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
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C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
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C3M0025065DWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 450 Stücke:
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7+25.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7
C3M0025065DWolfspeedMOSFET 650V MOSFET 25mOHMS SiC MOSFET
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Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+76.34 EUR
10+ 67.86 EUR
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C3M0025065DWolfspeed, Inc.Description: GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0025065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0025065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0025065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+43.03 EUR
10+ 37.97 EUR
25+ 34.6 EUR
50+ 32.92 EUR
100+ 27.67 EUR
Mindestbestellmenge: 4
C3M0025065J1WolfspeedSiC, MOSFET 25 mΩ, 650V TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+43.47 EUR
10+ 37.33 EUR
25+ 35.59 EUR
50+ 29.45 EUR
100+ 27.17 EUR
500+ 23.85 EUR
Mindestbestellmenge: 4
C3M0025065J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 80A
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+27.6 EUR
Mindestbestellmenge: 6
C3M0025065J1WolfspeedSiC, MOSFET 25 mΩ, 650V TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
auf Bestellung 456 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+41.62 EUR
10+ 36.07 EUR
25+ 34.38 EUR
50+ 28.76 EUR
100+ 26.6 EUR
Mindestbestellmenge: 4
C3M0025065J1WolfspeedMOSFET SiC, MOSFET 25 mO, 650V TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
auf Bestellung 622 Stücke:
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1+74.8 EUR
10+ 66.51 EUR
25+ 62.01 EUR
50+ 60.09 EUR
100+ 58.16 EUR
250+ 54.29 EUR
500+ 49.92 EUR
C3M0025065J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 80A
auf Bestellung 456 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+41.62 EUR
10+ 36.07 EUR
25+ 34.38 EUR
50+ 28.76 EUR
100+ 26.6 EUR
Mindestbestellmenge: 4
C3M0025065J1Wolfspeed, Inc.Description: 650V 25 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 271W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 400 V
auf Bestellung 552 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+76.15 EUR
10+ 67.69 EUR
100+ 59.2 EUR
C3M0025065J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 80A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0025065J1-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 80A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0025065KWolfspeedC3M0025065K
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
C3M0025065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+29.03 EUR
Mindestbestellmenge: 30
C3M0025065KWolfspeedMOSFET 650V MOSFET 25mOHMS SiC MOSFET
auf Bestellung 964 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+74.8 EUR
10+ 66.51 EUR
30+ 62.01 EUR
60+ 60.09 EUR
120+ 58.16 EUR
270+ 54.29 EUR
510+ 49.92 EUR
C3M0025065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+29.05 EUR
Mindestbestellmenge: 30
C3M0025065KWolfspeed, Inc.Description: GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0025065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+29.05 EUR
Mindestbestellmenge: 30
C3M0025065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+29.03 EUR
Mindestbestellmenge: 30
C3M0025065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+33.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
C3M0025065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 4-Pin(4+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0025065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 25M, 650V, TOLL, T&
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): -8V, +19V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0025065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 25M, 650V, TOLL, T&
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): -8V, +19V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 400 V
auf Bestellung 1880 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+76.86 EUR
10+ 70.87 EUR
25+ 67.69 EUR
100+ 60.52 EUR
250+ 57.73 EUR
C3M0025065L-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 25mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial, Gen 3
auf Bestellung 1006 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+77.38 EUR
10+ 68.74 EUR
25+ 64.14 EUR
50+ 62.14 EUR
100+ 60.14 EUR
250+ 56.13 EUR
500+ 51.61 EUR
C3M0030090KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0030090K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 900 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 149W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
C3M0030090KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 73A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+69.89 EUR
Mindestbestellmenge: 30
C3M0030090K
Produktcode: 143865		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0030090KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 73A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 35A, 15V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 11mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 600 V
auf Bestellung 2190 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+114.58 EUR
30+ 96.02 EUR
120+ 89.62 EUR
C3M0030090KWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 30mOhm
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+115.39 EUR
10+ 102.8 EUR
30+ 96.69 EUR
60+ 93.44 EUR
120+ 90.25 EUR
270+ 87.02 EUR
510+ 82.99 EUR
C3M0030090KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 40A; 149W; TO247-4; 62ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 40A
Power dissipation: 149W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...15V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 62ns
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0030090KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 73A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+73.34 EUR
10+ 62.58 EUR
25+ 57.31 EUR
50+ 53.3 EUR
100+ 48.33 EUR
500+ 45.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3
C3M0030090KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 73A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
C3M0030090KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 40A; 149W; TO247-4; 62ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 40A
Power dissipation: 149W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...15V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 62ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0030090KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 73A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+73.34 EUR
10+ 62.58 EUR
25+ 57.31 EUR
50+ 53.3 EUR
100+ 48.33 EUR
500+ 45.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+35.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+45.09 EUR
10+ 39.58 EUR
25+ 37.11 EUR
50+ 34.99 EUR
100+ 30.57 EUR
500+ 29.04 EUR
Mindestbestellmenge: 4
C3M0032120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0032120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 1.2 kV, 0.032 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
auf Bestellung 911 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+35.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
C3M0032120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 63A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 11.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3357 pF @ 1000 V
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+86.92 EUR
30+ 72.05 EUR
120+ 67.54 EUR
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+45.09 EUR
10+ 39.58 EUR
25+ 37.11 EUR
50+ 34.99 EUR
100+ 30.57 EUR
500+ 29.04 EUR
Mindestbestellmenge: 4
C3M0032120DWolfspeedMOSFET 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
auf Bestellung 585 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+74.39 EUR
10+ 71.01 EUR
30+ 63.26 EUR
60+ 62.84 EUR
120+ 60.79 EUR
270+ 58.37 EUR
C3M0032120J1Wolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+44.73 EUR
10+ 39.13 EUR
25+ 36.85 EUR
50+ 34.72 EUR
100+ 29.97 EUR
500+ 27.89 EUR
Mindestbestellmenge: 4
C3M0032120J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+44.73 EUR
10+ 39.13 EUR
25+ 36.85 EUR
50+ 34.72 EUR
100+ 29.97 EUR
500+ 27.89 EUR
Mindestbestellmenge: 4
C3M0032120J1Wolfspeed, Inc.Description: 1200V 32MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 41.4A, 15V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 11.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3424 pF @ 1000 V
auf Bestellung 1525 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+86.92 EUR
50+ 72.05 EUR
100+ 67.54 EUR
C3M0032120J1Wolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+41.61 EUR
10+ 36.99 EUR
25+ 34.96 EUR
50+ 33.05 EUR
100+ 28.98 EUR
500+ 27.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4
C3M0032120J1WolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 32mO, 1200V, TO-263-7 XL, Industrial, Gen 3
auf Bestellung 1438 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+87.52 EUR
10+ 77.77 EUR
25+ 72.54 EUR
50+ 70.3 EUR
100+ 68.02 EUR
250+ 63.47 EUR
500+ 58.37 EUR
C3M0032120J1Wolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 10 Stücke:
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10+63.25 EUR
Mindestbestellmenge: 10
C3M0032120J1WolfspeedC3M0032120J1
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
C3M0032120J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+41.61 EUR
10+ 36.99 EUR
25+ 34.96 EUR
50+ 33.05 EUR
100+ 28.98 EUR
500+ 27.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4
C3M0032120J1-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
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C3M0032120J1-TRWolfspeedC3M0032120J1-TR
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C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 90 Stücke:
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30+40.7 EUR
Mindestbestellmenge: 30
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1030 Stücke:
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C3M0032120KWolfspeedMOSFET 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
auf Bestellung 814 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+87.52 EUR
10+ 77.77 EUR
30+ 72.54 EUR
60+ 70.3 EUR
120+ 68.02 EUR
270+ 63.47 EUR
510+ 58.37 EUR
C3M0032120KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0032120K - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 63 A, 1.2 kV, 0.032 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+40.7 EUR
Mindestbestellmenge: 30
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 71230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+35.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0032120KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 63A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 11.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3357 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0040120DWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+41.73 EUR
Mindestbestellmenge: 30
C3M0040120DWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+64.87 EUR
30+ 53.77 EUR
120+ 50.41 EUR
C3M0040120DWolfspeedC3M0040120D
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
C3M0040120D
Produktcode: 198825		Transistoren > MOSFET N-CH
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C3M0040120DWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-247-3, Industrial
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+65.31 EUR
10+ 58.03 EUR
30+ 54.13 EUR
60+ 52.44 EUR
120+ 50.75 EUR
270+ 47.37 EUR
510+ 43.58 EUR
C3M0040120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0040120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
C3M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0040120D-MVFWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0040120J1WolfspeedSiC, MOSFET, 40mΩ, 1200V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+19.33 EUR
Mindestbestellmenge: 50
C3M0040120J1WolfspeedSiC, MOSFET, 40mΩ, 1200V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0040120J1WolfspeedC3M0040120J1
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0040120J1WolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-263-7XL, Industrial
auf Bestellung 1918 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+65.31 EUR
10+ 58.03 EUR
25+ 54.13 EUR
50+ 52.44 EUR
100+ 50.75 EUR
250+ 47.37 EUR
500+ 43.58 EUR
C3M0040120J1WolfspeedSiC, MOSFET, 40mΩ, 1200V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0040120J1Wolfspeed, Inc.Description: 1200V 40 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
auf Bestellung 641 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+64.87 EUR
50+ 53.77 EUR
100+ 50.41 EUR
500+ 43.02 EUR
C3M0040120J1-TRWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40 M SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
800+44.09 EUR
Mindestbestellmenge: 800
C3M0040120J1-TRWolfspeedSiC, MOSFET, 40m, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial, Gen 3
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+38.85 EUR
10+ 33.99 EUR
25+ 30.98 EUR
50+ 26.93 EUR
Mindestbestellmenge: 5
C3M0040120J1-TRWolfspeedC3M0040120J1-TR
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0040120J1-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+65.31 EUR
10+ 58.03 EUR
25+ 54.13 EUR
50+ 52.44 EUR
100+ 50.75 EUR
250+ 47.37 EUR
500+ 43.58 EUR
C3M0040120J1-TRWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40 M SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
auf Bestellung 1520 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+66.48 EUR
10+ 59.08 EUR
100+ 51.67 EUR
C3M0040120KWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+42.17 EUR
Mindestbestellmenge: 30
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
C3M0040120KWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-247-4, Industrial
auf Bestellung 1254 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+65.31 EUR
10+ 58.03 EUR
30+ 54.13 EUR
60+ 52.44 EUR
120+ 50.75 EUR
270+ 47.37 EUR
510+ 43.58 EUR
C3M0040120KWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
auf Bestellung 1788 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+64.87 EUR
30+ 53.77 EUR
120+ 50.41 EUR
510+ 43.02 EUR
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+21.51 EUR
Mindestbestellmenge: 30
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0045065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0045065DWolfspeedMOSFET 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+47.55 EUR
10+ 41.91 EUR
30+ 40.77 EUR
60+ 38.51 EUR
120+ 36.24 EUR
270+ 35.1 EUR
510+ 32.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C3M0045065DWolfspeed, Inc.Description: GEN 3 650V 45 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 600 V
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+46.77 EUR
30+ 37.86 EUR
C3M0045065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0045065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0045065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+15.37 EUR
Mindestbestellmenge: 30
C3M0045065J1WolfspeedSiC, MOSFET 45mΩ, 650V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0045065J1MACOMMOSFET SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
auf Bestellung 1588 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+47.55 EUR
10+ 41.91 EUR
25+ 40.77 EUR
50+ 38.51 EUR
100+ 36.24 EUR
250+ 35.1 EUR
500+ 32.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C3M0045065J1WolfspeedSiC, MOSFET 45mΩ, 650V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+16.93 EUR
100+ 15.78 EUR
Mindestbestellmenge: 10
C3M0045065J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0045065J1WolfspeedMOSFET SiC, MOSFET 45mO, 650V TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
auf Bestellung 1588 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+47.55 EUR
10+ 41.91 EUR
25+ 40.77 EUR
50+ 38.51 EUR
100+ 36.24 EUR
250+ 35.1 EUR
500+ 32.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C3M0045065J1Wolfspeed, Inc.Description: 650V 45 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
auf Bestellung 1475 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+46.77 EUR
50+ 37.86 EUR
100+ 35.64 EUR
500+ 32.3 EUR
C3M0045065J1-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0045065J1-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET 45M, 650V TO-263-7XL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0045065J1-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET 45M, 650V TO-263-7XL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0045065J1-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, T&R, Industrial, Gen 3
auf Bestellung 1 Stücke:
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2+47.55 EUR
10+ 41.91 EUR
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100+ 36.24 EUR
250+ 35.1 EUR
500+ 32.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C3M0045065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
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9+17.58 EUR
Mindestbestellmenge: 9
C3M0045065KMACOMMOSFET 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET
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Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+46.07 EUR
10+ 40.66 EUR
30+ 39.91 EUR
60+ 35.49 EUR
120+ 34.16 EUR
270+ 33.54 EUR
1020+ 29.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C3M0045065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+17.42 EUR
Mindestbestellmenge: 30
C3M0045065KWolfspeed, Inc.Description: GEN 3 650V 49A SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 600 V
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+47.24 EUR
C3M0045065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+26.17 EUR
10+ 22.53 EUR
25+ 21.48 EUR
50+ 20.39 EUR
100+ 17.41 EUR
500+ 15.33 EUR
Mindestbestellmenge: 6
C3M0045065KWolfspeedMOSFET 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET
auf Bestellung 472 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+46.49 EUR
10+ 41.03 EUR
30+ 40.01 EUR
60+ 36.24 EUR
120+ 35.02 EUR
270+ 33.7 EUR
510+ 31.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C3M0045065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0045065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0045065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 6567 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+26.17 EUR
10+ 22.53 EUR
25+ 21.48 EUR
50+ 20.39 EUR
100+ 17.41 EUR
500+ 15.33 EUR
Mindestbestellmenge: 6
C3M0045065LWolfspeedC3M0045065L
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C3M0045065LWolfspeedMOSFET
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C3M0045065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 45M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0045065L-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 45mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial, Gen 3
auf Bestellung 2590 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+41.31 EUR
10+ 36.4 EUR
25+ 35.41 EUR
50+ 33.44 EUR
100+ 31.49 EUR
250+ 30.5 EUR
500+ 28.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C3M0045065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 45M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
auf Bestellung 1808 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+40.64 EUR
10+ 35.79 EUR
100+ 30.95 EUR
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C3M0045065L-TRWolfspeedC3M0045065L-TR
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C3M0060065DWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+14.35 EUR
12+ 13.24 EUR
25+ 12.62 EUR
50+ 12.01 EUR
100+ 11.09 EUR
Mindestbestellmenge: 11
C3M0060065DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 27A; Idm: 99A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 99A
Power dissipation: 150W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 11250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+16.13 EUR
900+ 14.28 EUR
4500+ 13.75 EUR
9000+ 13.22 EUR
Mindestbestellmenge: 450
C3M0060065DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V
auf Bestellung 741 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+39.42 EUR
30+ 31.89 EUR
120+ 30.02 EUR
510+ 27.2 EUR
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+13.9 EUR
Mindestbestellmenge: 30
C3M0060065DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 27A; Idm: 99A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 99A
Power dissipation: 150W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0060065DWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+12.16 EUR
Mindestbestellmenge: 30
C3M0060065DWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 1991 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+14.22 EUR
Mindestbestellmenge: 11
C3M0060065DWolfspeedC3M0060065D
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
C3M0060065DWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+13.9 EUR
Mindestbestellmenge: 30
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+14.35 EUR
12+ 13.24 EUR
25+ 12.62 EUR
50+ 12.01 EUR
100+ 11.09 EUR
Mindestbestellmenge: 11
C3M0060065DWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 11250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+15.94 EUR
2700+ 14.32 EUR
5400+ 13.02 EUR
8100+ 11.95 EUR
Mindestbestellmenge: 450
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+12.16 EUR
Mindestbestellmenge: 30
C3M0060065DWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TO-247-3, Industrial, Gen 3
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+40.04 EUR
10+ 35.28 EUR
30+ 34.32 EUR
60+ 32.4 EUR
120+ 30.5 EUR
270+ 29.54 EUR
510+ 27.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C3M0060065JWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+17.16 EUR
100+ 15.72 EUR
250+ 14.87 EUR
500+ 13.17 EUR
1000+ 11.66 EUR
Mindestbestellmenge: 50
C3M0060065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A Automotive 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0060065JWolfspeedC3M0060065J
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
C3M0060065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A Automotive 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+18.65 EUR
100+ 16.92 EUR
250+ 15.95 EUR
500+ 13.93 EUR
1000+ 12.17 EUR
Mindestbestellmenge: 50
C3M0060065JWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+18.65 EUR
100+ 16.92 EUR
250+ 15.95 EUR
500+ 13.93 EUR
1000+ 12.17 EUR
Mindestbestellmenge: 50
C3M0060065JWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 60mO, 650V, TO-263-7, Industrial, Gen 3
auf Bestellung 1539 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+40.04 EUR
10+ 35.31 EUR
25+ 34.35 EUR
50+ 28.63 EUR
100+ 26.39 EUR
250+ 26.21 EUR
500+ 24.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C3M0060065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A Automotive 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
auf Bestellung 2642 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+17.16 EUR
100+ 15.72 EUR
250+ 14.87 EUR
500+ 13.17 EUR
1000+ 11.66 EUR
Mindestbestellmenge: 50
C3M0060065JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 99A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 99A
Power dissipation: 136W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0060065JWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+14.22 EUR
Mindestbestellmenge: 11
C3M0060065JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 36A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V
auf Bestellung 3995 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+39.78 EUR
50+ 32.19 EUR
100+ 30.3 EUR
500+ 27.46 EUR
C3M0060065JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 99A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 99A
Power dissipation: 136W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0060065J-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TO-263-7 T&R, Industrial, Gen 3
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0060065J-TRWolfspeedC3M0060065J-TR
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 533 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+20.61 EUR
10+ 17.96 EUR
25+ 17.24 EUR
50+ 15.55 EUR
100+ 13.05 EUR
Mindestbestellmenge: 8
C3M0060065KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 27A; Idm: 99A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 99A
Power dissipation: 150W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A Automotive Tube
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0060065KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 37A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+39.42 EUR
30+ 31.89 EUR
C3M0060065KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 27A; Idm: 99A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 99A
Power dissipation: 150W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0060065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
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C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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C3M0060065KMACOMMOSFET SiC, MOSFET, 60 mohm, 650V, TO-247-4, Industrial, Gen 3
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C3M0060065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
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C3M0060065LWolfspeedMOSFET
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C3M0060065LWolfspeedC3M0060065L
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C3M0060065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 60M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 3.64mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 400 V
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C3M0060065L-TRWolfspeedC3M0060065L-TR
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0060065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 60M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 3.64mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 400 V
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1000+ 21.55 EUR
C3M0060065L-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TOLL,T&R, Industrial, Gen 3
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250+ 24.67 EUR
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C3M0065065DWolfspeedC3M0065065D
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C3M0065090DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30.4nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 30ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 36A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
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C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0065090DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
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C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
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C3M0065090D
Produktcode: 182273		Transistoren > MOSFET N-CH
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C3M0065090DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0065090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
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C3M0065090DWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
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270+ 33.88 EUR
510+ 32.14 EUR
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C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
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C3M0065090DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30.4nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 30ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 36A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+19.22 EUR
30+ 18.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4
C3M0065090JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0065090J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 1899 Stücke:
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C3M0065090JWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
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2+39.42 EUR
10+ 38.17 EUR
25+ 38.12 EUR
50+ 33.88 EUR
100+ 31.1 EUR
500+ 29.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C3M0065090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+25.42 EUR
10+ 22.56 EUR
25+ 21.51 EUR
50+ 20.27 EUR
100+ 16.99 EUR
Mindestbestellmenge: 7
C3M0065090JCREEN-MOSFET 900V 35A C3M0065090J Cree/Wolfspeed TC3M0065090J
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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1+47.64 EUR
C3M0065090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
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C3M0065090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 30.4nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+18.12 EUR
5+ 17.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4
C3M0065090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+27.02 EUR
100+ 25.79 EUR
250+ 24.58 EUR
500+ 23.39 EUR
1000+ 22.22 EUR
Mindestbestellmenge: 50
C3M0065090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 30.4nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.12 EUR
5+ 17.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4
C3M0065090JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
auf Bestellung 4282 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+47.37 EUR
50+ 38.34 EUR
100+ 36.08 EUR
500+ 32.7 EUR
C3M0065090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+25.42 EUR
10+ 22.56 EUR
25+ 21.51 EUR
50+ 20.27 EUR
100+ 16.99 EUR
Mindestbestellmenge: 7
C3M0065090J
Produktcode: 148769		Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0065090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
auf Bestellung 2211 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+47.37 EUR
10+ 41.72 EUR
100+ 36.08 EUR
C3M0065090J-TRWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 30.4nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0065090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0065090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
800+32.7 EUR
Mindestbestellmenge: 800
C3M0065090J-TRWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
auf Bestellung 2709 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+47.68 EUR
10+ 41.99 EUR
25+ 40.87 EUR
50+ 38.58 EUR
100+ 36.32 EUR
250+ 35.18 EUR
500+ 32.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C3M0065090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0065090J-TRWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 30.4nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0065090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2293 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
C3M0065100JWolfspeedMOSFET 1000V 65mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
auf Bestellung 876 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+40.27 EUR
10+ 40.22 EUR
50+ 36.17 EUR
100+ 34.94 EUR
250+ 34.92 EUR
500+ 34.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C3M0065100JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 35A; 113.5W; D2PAK-7; 14ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 35A
Power dissipation: 113.5W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 14ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0065100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+27.87 EUR
10+ 24.2 EUR
25+ 22.77 EUR
50+ 21.36 EUR
100+ 18.24 EUR
500+ 16.16 EUR
Mindestbestellmenge: 6
C3M0065100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0065100JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0065100J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1 kV, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.5W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
C3M0065100JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
auf Bestellung 2236 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+52.49 EUR
10+ 46.63 EUR
100+ 40.79 EUR
500+ 34.81 EUR
C3M0065100JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 35A; 113.5W; D2PAK-7; 14ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 35A
Power dissipation: 113.5W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 14ns
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0065100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1605 Stücke:
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6+27.87 EUR
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Mindestbestellmenge: 6
C3M0065100J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0065100J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
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C3M0065100J-TRCree/WolfspeedDescription: SICFET N-CH 1000V 35A TO263-7
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C3M0065100J-TRWolfspeedMOSFET 1000V 65mOhm G3 SiC MOSFET
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C3M0065100KMACOMMOSFET 1000V 65 mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
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2+51.56 EUR
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120+ 40.07 EUR
270+ 37.39 EUR
510+ 34.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C3M0065100KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 35A; 113.5W; TO247-4; 14ns
Reverse recovery time: 14ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 35A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113.5W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 35nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: THT
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0065100KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0065100K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1 kV, 0.065 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.5W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 2471 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
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C3M0065100KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 35A; 113.5W; TO247-4; 14ns
Reverse recovery time: 14ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 35A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113.5W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 35nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: THT
Case: TO247-4
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0065100KWolfspeedMOSFET 1000V 65 mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0065100K
Produktcode: 126113		Transistoren > MOSFET N-CH
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C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 2728 Stücke:
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C3M0065100KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 35A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
auf Bestellung 627 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+51.22 EUR
30+ 42.44 EUR
120+ 39.79 EUR
510+ 33.96 EUR
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
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8+22.03 EUR
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C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 120 Stücke:
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C3M0075120DMACOMMOSFET 1.2kV 75mOHMS G3 SiC MOSFET
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2+47.55 EUR
10+ 41.91 EUR
30+ 40.77 EUR
60+ 38.51 EUR
120+ 36.24 EUR
270+ 35.1 EUR
510+ 32.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 15 Stücke:
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9+18.47 EUR
10+ 16.78 EUR
Mindestbestellmenge: 9
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
C3M0075120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+47.24 EUR
30+ 38.25 EUR
120+ 36 EUR
510+ 32.63 EUR
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+21.04 EUR
Mindestbestellmenge: 30
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+18.47 EUR
10+ 16.78 EUR
Mindestbestellmenge: 9
C3M0075120DWolfspeedMOSFET 1.2kV 75mOHMS G3 SiC MOSFET
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+47.55 EUR
10+ 41.91 EUR
30+ 40.77 EUR
60+ 38.51 EUR
120+ 36.24 EUR
270+ 35.1 EUR
510+ 32.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 5400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+21.04 EUR
900+ 20.1 EUR
4500+ 19.15 EUR
Mindestbestellmenge: 450
C3M0075120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 19.7A; Idm: 80A; 113.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 19.7A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+23.71 EUR
5+ 15.09 EUR
Mindestbestellmenge: 4
C3M0075120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0075120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 5400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+19.73 EUR
1350+ 17.73 EUR
2700+ 16.13 EUR
4050+ 14.8 EUR
Mindestbestellmenge: 450
C3M0075120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 19.7A; Idm: 80A; 113.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 19.7A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+23.71 EUR
5+ 15.09 EUR
Mindestbestellmenge: 4
C3M0075120D-AWolfspeed, Inc.Description: 75M 1200V 175C SIC FET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 1000 V
auf Bestellung 411 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+47.24 EUR
30+ 38.25 EUR
120+ 36 EUR
C3M0075120D-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+17.12 EUR
Mindestbestellmenge: 10
C3M0075120D-AMACOMMOSFET SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-3, 175C capable, Industrial, Gen 3
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+47.55 EUR
10+ 41.91 EUR
30+ 40.77 EUR
60+ 38.51 EUR
120+ 36.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C3M0075120D-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+17.12 EUR
Mindestbestellmenge: 10
C3M0075120D-AWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-3, 175C capable, Industrial, Gen 3
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+47.55 EUR
10+ 44.72 EUR
30+ 37.99 EUR
120+ 36.24 EUR
270+ 35.1 EUR
510+ 32.84 EUR
1020+ 30.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0075120JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 113.6W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 18ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0075120JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0075120J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+18.3 EUR
2000+ 17.64 EUR
5000+ 16.98 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
C3M0075120JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 113.6W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 18ns
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0075120JMACOMMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7
auf Bestellung 3558 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+41.11 EUR
10+ 37 EUR
25+ 36.79 EUR
50+ 36.19 EUR
100+ 32.68 EUR
250+ 32.5 EUR
500+ 29.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+19.73 EUR
2000+ 17.73 EUR
4000+ 16.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
C3M0075120JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
auf Bestellung 5562 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+47.24 EUR
50+ 38.25 EUR
100+ 36 EUR
500+ 32.63 EUR
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+23.15 EUR
100+ 20.2 EUR
250+ 19.33 EUR
500+ 17.11 EUR
Mindestbestellmenge: 50
C3M0075120JWolfspeedC3M0075120J
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
C3M0075120JWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7
auf Bestellung 3363 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+35.1 EUR
10+ 35.07 EUR
50+ 31.02 EUR
100+ 30 EUR
500+ 29.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+23.15 EUR
100+ 20.2 EUR
250+ 19.33 EUR
500+ 17.11 EUR
Mindestbestellmenge: 50
C3M0075120J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0075120J-TRWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0075120J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0075120J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0075120J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0075120J1WolfspeedC3M0075120J1
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0075120KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 18ns
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C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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6+30.32 EUR
10+ 25.81 EUR
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100+ 17.77 EUR
Mindestbestellmenge: 6
C3M0075120KWolfspeed1200V, 75 mOhm, G3 SiC MOSFET
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C3M0075120KMACOMMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm
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2+48.54 EUR
10+ 42.77 EUR
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270+ 32.86 EUR
510+ 31.72 EUR
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C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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9+17.58 EUR
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C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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6+30.32 EUR
10+ 25.81 EUR
25+ 24.32 EUR
50+ 20.54 EUR
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Mindestbestellmenge: 6
C3M0075120KWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm
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2+47.55 EUR
10+ 41.91 EUR
30+ 40.77 EUR
60+ 38.51 EUR
120+ 36.24 EUR
270+ 35.1 EUR
510+ 32.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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6+30.14 EUR
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25+ 24.19 EUR
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100+ 17.69 EUR
500+ 15.91 EUR
Mindestbestellmenge: 6
C3M0075120KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
auf Bestellung 959 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+50.34 EUR
30+ 41.74 EUR
120+ 39.13 EUR
510+ 33.39 EUR
C3M0075120KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 18ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1664 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+30.14 EUR
10+ 25.67 EUR
25+ 24.19 EUR
50+ 20.45 EUR
100+ 17.69 EUR
500+ 15.91 EUR
Mindestbestellmenge: 6
C3M0075120KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0075120K - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 30.8A, 1.2kV, 0.075 Ohm, 15V, 2.5V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
auf Bestellung 3408 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
C3M0075120K-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+30.26 EUR
10+ 25.54 EUR
25+ 23.7 EUR
50+ 21.34 EUR
100+ 18.52 EUR
500+ 16.45 EUR
Mindestbestellmenge: 6
C3M0075120K-AWolfspeed, Inc.Description: 75M 1200V 175C SIC FET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 1000 V
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+48.44 EUR
10+ 42.67 EUR
C3M0075120K-AMACOMMOSFET SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial, G3
auf Bestellung 880 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+47.55 EUR
10+ 41.91 EUR
30+ 40.77 EUR
60+ 38.51 EUR
120+ 36.24 EUR
270+ 35.1 EUR
510+ 32.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C3M0075120K-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+30.26 EUR
10+ 25.54 EUR
25+ 23.7 EUR
50+ 21.34 EUR
100+ 18.52 EUR
500+ 16.45 EUR
Mindestbestellmenge: 6
C3M0075120K-AWolfspeedC3M0075120K-A
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C3M0075120K-AWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial
auf Bestellung 855 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+47.55 EUR
10+ 41.91 EUR
30+ 40.77 EUR
60+ 38.51 EUR
120+ 36.24 EUR
270+ 35.1 EUR
510+ 32.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C3M0120065DWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 120mO, 650V, TO-247-3, Industrial
auf Bestellung 1496 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+16.28 EUR
10+ 15.18 EUR
30+ 14.69 EUR
120+ 13.55 EUR
270+ 13.13 EUR
510+ 12.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4
C3M0120065D
Produktcode: 178862		IC > IC andere
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C3M0120065DWolfspeedC3M0120065D
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0120065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.02 EUR
19+ 8.24 EUR
25+ 7.7 EUR
50+ 7.37 EUR
100+ 6.4 EUR
Mindestbestellmenge: 18
C3M0120065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 417 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+8.47 EUR
20+ 7.76 EUR
25+ 7.27 EUR
50+ 6.96 EUR
100+ 6.07 EUR
Mindestbestellmenge: 19
C3M0120065DWolfspeed, Inc.Description: 650V 120M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
auf Bestellung 488 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+22.62 EUR
10+ 20.44 EUR
30+ 19.49 EUR
120+ 16.92 EUR
270+ 16.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C3M0120065JWolfspeedC3M0120065J
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0120065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0120065JWolfspeed, Inc.Description: 650V 120M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
auf Bestellung 1495 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+22.62 EUR
10+ 20.44 EUR
50+ 19.49 EUR
100+ 16.92 EUR
250+ 16.16 EUR
500+ 14.73 EUR
1000+ 12.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C3M0120065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
auf Bestellung 201 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+8.78 EUR
19+ 8.01 EUR
25+ 7.67 EUR
50+ 7.29 EUR
100+ 6.32 EUR
Mindestbestellmenge: 18
C3M0120065JWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 120mO, 650V, TO-263-7, Industrial
auf Bestellung 2661 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+18.28 EUR
10+ 17.26 EUR
50+ 16.8 EUR
100+ 15.65 EUR
250+ 15.29 EUR
500+ 14.33 EUR
1000+ 12.92 EUR
Mindestbestellmenge: 3
C3M0120065J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0120065J-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TO-263-7 T&R, Industrial, Gen 3
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0120065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+8.53 EUR
900+ 7.06 EUR
1800+ 6.66 EUR
Mindestbestellmenge: 450
C3M0120065KWolfspeed, Inc.Description: 650V 120M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
auf Bestellung 607 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+22.62 EUR
10+ 20.44 EUR
30+ 19.49 EUR
120+ 16.92 EUR
270+ 16.16 EUR
510+ 14.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C3M0120065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0120065KWolfspeedC3M0120065K
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0120065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+13.11 EUR
14+ 11.34 EUR
25+ 10.32 EUR
50+ 9.83 EUR
100+ 7.78 EUR
Mindestbestellmenge: 12
C3M0120065KWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 120mO, 650V, TO-247-4, Industrial
auf Bestellung 635 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+16.2 EUR
10+ 15.13 EUR
30+ 14.64 EUR
120+ 13.49 EUR
270+ 13.1 EUR
510+ 12.48 EUR
1020+ 12.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4
C3M0120065LWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0120065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 120M, 650V, TOLL, I
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0120065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 120M, 650V, TOLL, I
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0120065L-TRWolfspeedC3M0120065L-TR
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0120090DCREEN-MOSFET 900V 23A C3M0120090D Cree/Wolfspeed TC3M0120090D
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+25.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 14375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+14.62 EUR
12+ 13.06 EUR
25+ 12.37 EUR
50+ 11.79 EUR
100+ 9.88 EUR
500+ 7.84 EUR
Mindestbestellmenge: 11
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0120090DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 97W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17.3nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 24ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 23A
On-state resistance: 0.12Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.96 EUR
7+ 10.81 EUR
Mindestbestellmenge: 5
C3M0120090DWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 120mOhm
auf Bestellung 641 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+27.27 EUR
10+ 24.15 EUR
30+ 21.45 EUR
120+ 20.75 EUR
270+ 18.93 EUR
510+ 18.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C3M0120090DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0120090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 900 V, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 97W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
auf Bestellung 567 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
C3M0120090DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 97W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17.3nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 24ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 23A
On-state resistance: 0.12Ω
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+14.96 EUR
7+ 10.81 EUR
Mindestbestellmenge: 5
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0120090D
Produktcode: 165992		Transistoren > MOSFET N-CH
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C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+10.1 EUR
Mindestbestellmenge: 30
C3M0120090DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 600 V
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+29.43 EUR
30+ 23.83 EUR
C3M0120090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
C3M0120090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
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C3M0120090JWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 120 mOhm
auf Bestellung 1047 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+29.43 EUR
10+ 25.84 EUR
50+ 25.04 EUR
100+ 21.74 EUR
250+ 21.42 EUR
500+ 19.14 EUR
1000+ 18.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C3M0120090JCREEN-MOSFET 900V 22A C3M0120090J-TR C3M0120090J Cree/Wolfspeed TC3M0120090J
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+26.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C3M0120090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 17.3nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 24ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 22A
On-state resistance: 0.12Ω
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+15.72 EUR
6+ 11.93 EUR
7+ 11.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5
C3M0120090J
Produktcode: 126112		Transistoren > MOSFET N-CH
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C3M0120090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
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C3M0120090JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
auf Bestellung 6437 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+21.29 EUR
50+ 17.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C3M0120090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 17.3nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 24ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 22A
On-state resistance: 0.12Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.72 EUR
6+ 11.93 EUR
7+ 11.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5
C3M0120090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+10.26 EUR
Mindestbestellmenge: 50
C3M0120090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
800+17.86 EUR
Mindestbestellmenge: 800
C3M0120090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
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C3M0120090J-TRWolfspeedG3 SiC MOSFET 900V, 120 mOhm,
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C3M0120090J-TRWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET/ Reel 900V, 120 mOhm
auf Bestellung 2936 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+21.45 EUR
10+ 18.9 EUR
50+ 18.88 EUR
100+ 18.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3
C3M0120090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+21.29 EUR
10+ 18.76 EUR
100+ 17.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C3M0120100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
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C3M0120100JWolfspeedMOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+40.35 EUR
10+ 37.7 EUR
25+ 37.15 EUR
50+ 32.66 EUR
100+ 30.73 EUR
250+ 30.21 EUR
500+ 27.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C3M0120100JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+40.07 EUR
50+ 32.44 EUR
100+ 30.53 EUR
C3M0120100JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 21.5nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
On-state resistance: 0.12Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.07 EUR
6+ 12.26 EUR
7+ 11.58 EUR
Mindestbestellmenge: 5
C3M0120100JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 21.5nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
On-state resistance: 0.12Ω
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+15.07 EUR
6+ 12.26 EUR
7+ 11.58 EUR
Mindestbestellmenge: 5
C3M0120100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0120100JMACOMMOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
auf Bestellung 385 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+36.63 EUR
10+ 32.29 EUR
25+ 32.03 EUR
50+ 31.51 EUR
100+ 27.87 EUR
250+ 27.64 EUR
500+ 25.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C3M0120100J-TRWolfspeedC3M0120100J-TR
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C3M0120100KMACOMMOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+35.05 EUR
10+ 31.12 EUR
30+ 30.37 EUR
60+ 27.04 EUR
120+ 26.03 EUR
270+ 24.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C3M0120100KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0120100K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1 kV, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
auf Bestellung 459 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
C3M0120100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 22A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0120100KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 13.5A; 83W; TO247-4; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 21.5nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -4...15V
Mounting: THT
Case: TO247-4
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 13.5A
On-state resistance: 0.17Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0120100KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 13.5A; 83W; TO247-4; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 21.5nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -4...15V
Mounting: THT
Case: TO247-4
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 13.5A
On-state resistance: 0.17Ω
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0120100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0120100KWolfspeedMOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+28.37 EUR
30+ 24.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C3M0120100KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 22A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
auf Bestellung 2534 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+28.16 EUR
30+ 23.62 EUR
C3M0120100K
Produktcode: 178240		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0160120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 97W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 256mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0160120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 97W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 256mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.89 EUR
Mindestbestellmenge: 30
C3M0160120DWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.89 EUR
Mindestbestellmenge: 30
C3M0160120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
auf Bestellung 2175 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+26.68 EUR
30+ 21.29 EUR
120+ 19.04 EUR
510+ 16.8 EUR
1020+ 15.12 EUR
C3M0160120D
Produktcode: 167206		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0160120DWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+9.22 EUR
Mindestbestellmenge: 17
C3M0160120DWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-3, Industrial, Gen 3
auf Bestellung 2552 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+20.67 EUR
10+ 18.1 EUR
30+ 16.25 EUR
120+ 16.04 EUR
270+ 15 EUR
510+ 14.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3
C3M0160120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0160120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 97W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 35550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+9.57 EUR
900+ 8.57 EUR
4500+ 8.22 EUR
9000+ 7.83 EUR
Mindestbestellmenge: 450
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
C3M0160120DWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 35550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+9.64 EUR
8550+ 8.54 EUR
17100+ 7.69 EUR
25650+ 7.01 EUR
Mindestbestellmenge: 450
C3M0160120JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
auf Bestellung 3251 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+26.68 EUR
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C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
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C3M0160120JWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 160mO, 1200V, TO-263-7, Industrial, Gen 3
auf Bestellung 1478 Stücke:
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2+26.83 EUR
10+ 22.98 EUR
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100+ 19.16 EUR
250+ 18.04 EUR
500+ 16.9 EUR
1000+ 15.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
auf Bestellung 750 Stücke:
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50+13.29 EUR
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250+ 10.32 EUR
500+ 8.8 EUR
Mindestbestellmenge: 50
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
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C3M0160120JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 256mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0160120JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 256mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0160120JWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
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50+13.29 EUR
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250+ 10.32 EUR
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C3M0160120J-TRWolfspeedC3M0160120J-TR
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C3M0160120J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 160M, 1200V, TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0160120J-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-263-7 T&R, Industrial, Gen 3
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0280090D
Produktcode: 123313		Transistoren > MOSFET N-CH
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C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0280090DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 7.5A; 54W; TO247-3; 20ns
Mounting: THT
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 7.5A
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 54W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.5nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 20ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.71 EUR
13+ 5.93 EUR
14+ 5.18 EUR
30+ 4.99 EUR
Mindestbestellmenge: 11
C3M0280090DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 7.5A; 54W; TO247-3; 20ns
Mounting: THT
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 7.5A
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 54W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.5nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 20ns
auf Bestellung 38 Stücke:
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11+6.71 EUR
13+ 5.93 EUR
14+ 5.18 EUR
30+ 4.99 EUR
Mindestbestellmenge: 11
C3M0280090DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 11.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
auf Bestellung 4684 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+18.46 EUR
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500+ 11.63 EUR
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2000+ 9.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C3M0280090DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0280090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11.5 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
C3M0280090DWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280mOhm
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4+15.11 EUR
10+ 13.65 EUR
30+ 13.03 EUR
120+ 11.28 EUR
270+ 10.79 EUR
510+ 9.83 EUR
1020+ 8.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4
C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 5910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.02 EUR
24+ 6.36 EUR
25+ 6 EUR
50+ 5.73 EUR
100+ 4.89 EUR
500+ 3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 23
C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 4650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.24 EUR
3000+ 5.05 EUR
Mindestbestellmenge: 30
C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH 900V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 3561 Stücke:
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C3M0280090JWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm
auf Bestellung 941 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+19.11 EUR
10+ 16.38 EUR
50+ 14.85 EUR
100+ 13.65 EUR
250+ 12.84 EUR
500+ 12.04 EUR
1000+ 10.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3
C3M0280090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0280090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
auf Bestellung 2 Stücke:
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C3M0280090JCREEN-MOSFET 900V 11A C3M0280090J Cree/Wolfspeed TC3M0280090J
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+14.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C3M0280090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+8.96 EUR
100+ 7.19 EUR
250+ 6.78 EUR
500+ 5.7 EUR
Mindestbestellmenge: 50
C3M0280090JMACOMMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm
auf Bestellung 941 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+19.11 EUR
10+ 16.38 EUR
50+ 14.85 EUR
100+ 13.65 EUR
250+ 12.84 EUR
500+ 12.04 EUR
1000+ 10.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3
C3M0280090J
Produktcode: 118894		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0280090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 20ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.42 EUR
12+ 6.05 EUR
13+ 5.72 EUR
50+ 5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 10
C3M0280090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 20ns
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.42 EUR
12+ 6.05 EUR
13+ 5.72 EUR
Mindestbestellmenge: 10
C3M0280090JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
auf Bestellung 1311 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+19.47 EUR
10+ 16.68 EUR
100+ 13.9 EUR
500+ 12.27 EUR
1000+ 11.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C3M0280090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0280090JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0280090J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
auf Bestellung 174 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
C3M0280090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
auf Bestellung 2412 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+19.47 EUR
10+ 16.68 EUR
100+ 13.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C3M0280090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0280090J-TRWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET/ Reel 900V, 280 mOhm
auf Bestellung 317 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+15.94 EUR
10+ 13.65 EUR
25+ 12.38 EUR
100+ 11.39 EUR
250+ 10.71 EUR
500+ 10.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4
C3M0280090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
800+12.27 EUR
1600+ 11.04 EUR
Mindestbestellmenge: 800
C3M0280090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0350120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 5.5A; Idm: 20A; 50W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 525mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 20A
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0350120DMACOMMOSFET SiC, MOSFET, 350mohm,1200V, TO-247-3, Industrial, Gen 3
auf Bestellung 6110 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+17.89 EUR
10+ 15.34 EUR
30+ 12.77 EUR
270+ 11.26 EUR
510+ 10.14 EUR
1020+ 9.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3
C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+6.1 EUR
Mindestbestellmenge: 30
C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
C3M0350120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 3.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 1000 V
auf Bestellung 3244 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+17.76 EUR
30+ 14.19 EUR
120+ 12.7 EUR
510+ 11.2 EUR
1020+ 10.08 EUR
2010+ 9.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
C3M0350120DWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 350mO,1200V, TO-247-3, Industrial
auf Bestellung 6024 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+17.89 EUR
10+ 15.34 EUR
30+ 12.77 EUR
120+ 12.74 EUR
270+ 11.26 EUR
510+ 10.14 EUR
1020+ 9.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3
C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+6.1 EUR
Mindestbestellmenge: 30
C3M0350120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 5.5A; Idm: 20A; 50W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 525mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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C3M0350120JWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 350mO,1200V, TO-263-7, Industrial
auf Bestellung 601 Stücke:
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4+15.96 EUR
10+ 15.47 EUR
50+ 13.16 EUR
100+ 11.23 EUR
500+ 10.3 EUR
1000+ 9.67 EUR
Mindestbestellmenge: 4
C3M0350120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1 Stücke:
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C3M0350120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
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C3M0350120JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 7.2A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 3.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 40.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 1000 V
auf Bestellung 624 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+17.76 EUR
50+ 14.19 EUR
100+ 12.7 EUR
500+ 11.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C3M0350120JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 5A; Idm: 20A; 40.8W
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 5A
On-state resistance: 525mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 40.8W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 13nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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C3M0350120JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 5A; Idm: 20A; 40.8W
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 5A
On-state resistance: 525mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 40.8W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 13nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 20A
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C3M0350120J-TRWolfspeedMOSFET Gen 3 1200V 350 mO SiC MOSFET, Tape and Reel
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C3M0350120J-TRWolfspeedGen 3 1200V 350 m¿ SiC MOSFET, Tape and Reel
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C3M0350120J-TRWolfspeedC3M0350120J-TR
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C3M580000L002ABRACONAbracon
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