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C3MSwitchcraftXLR Connectors 3 PIN MALE RECEPT
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3MSwitchcraft Inc.Description: CONN RCPT MALE XLR 3P SOLDER CUP
Features: Ground
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle, Male Pins
Color: Silver
Voltage Rating: 125VAC
Current Rating (Amps): 15A
Mounting Type: Panel Mount
Number of Positions: 3
Orientation: Keyed
Shell Size - Insert: XLR
Fastening Type: Latch Lock
Termination: Solder Cup
Mounting Feature: Flange
Contact Finish - Mating: Silver
Part Status: Active
Shell Material: Zinc
Shell Finish: Nickel
Primary Material: Metal
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.92 EUR
25+15.27 EUR
100+13.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3MSWITCHCRAFT/CONXALLDescription: SWITCHCRAFT/CONXALL - C3M - CONNECTOR, XLR, PLUG, 3 POSITION
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
Kontaktüberzug: Nickel Plated Contacts
rohsCompliant: YES
Ausführung: Plug
Anzahl der Kontakte: 3Kontakt(e)
euEccn: NLR
Steckverbindermaterial: Metal Body
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Steckverbindermontage: Panel Mount
Produktpalette: C Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M-000000000000-NAAdvanced EnergyDescription: CONFIG DC PWR MOD 3000W
Packaging: Bulk
Type: DC Output Module
Approval Agency: IEC
Part Status: Active
Power (Watts): 3000 W
Standard Number: 60601-1; 60601-1-2
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2208.66 EUR
5+2169.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M-000000000000-NBAdvanced EnergyDescription: CONFIG DC PWR MOD 3000W
Packaging: Bulk
Type: DC Output Module
Approval Agency: IEC
Part Status: Active
Power (Watts): 3000 W
Standard Number: 60601-1; 60601-1-2
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2208.66 EUR
5+2169.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0010090DWolfspeedC3M0010090D
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0010090KWolfspeedC3M0010090K
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0015065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0015065DWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+56.33 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0015065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+44.53 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0015065DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 120A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 55.8A, 15V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5011 pF @ 400 V
auf Bestellung 511 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+83.55 EUR
30+59.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0015065DWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 1195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+74.27 EUR
10+63.37 EUR
25+58.01 EUR
50+53.95 EUR
100+47.24 EUR
500+44.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0015065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+44.53 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0015065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0015065DWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 15mohm, 650V, TO-247-3, Industrial
auf Bestellung 684 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+82.74 EUR
10+75.86 EUR
30+61.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0015065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+56.33 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0015065KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 120A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 55.8A, 15V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5011 pF @ 400 V
auf Bestellung 719 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+66.83 EUR
30+59.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+53.53 EUR
10+51.11 EUR
25+45.44 EUR
50+43.26 EUR
100+41.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0015065KWolfspeed(CREE)C3M0015065K THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+39.34 EUR
10+37.56 EUR
25+34.57 EUR
50+32.91 EUR
100+31.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+53.53 EUR
10+51.11 EUR
25+45.44 EUR
50+43.26 EUR
100+41.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0015065KWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 15mohm, 650V, TO-247-4, Industrial, Gen 3
auf Bestellung 628 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+78.67 EUR
10+70.56 EUR
30+68.32 EUR
60+63.48 EUR
120+62.37 EUR
270+61.25 EUR
510+59.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0015065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+87.37 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+44.57 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0015065KWolfspeedC3M0015065K
auf Bestellung 343 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+48.57 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+48.57 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+39.34 EUR
10+37.56 EUR
25+34.57 EUR
50+32.91 EUR
100+31.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0015065K-MWolfspeed, Inc.Description: MVF 200MM QUALIFIED MATERIAL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 55.8A, 15V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5011 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0016120DWolfspeedSiC MOSFETs 1.2kV 15mOHMS G3 SiC MOSFET
auf Bestellung 685 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+126.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+83.06 EUR
10+79.46 EUR
25+75.96 EUR
50+72.56 EUR
100+69.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0016120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 115A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 15V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 23mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 1000 V
auf Bestellung 1085 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+123.08 EUR
30+118.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+83.06 EUR
10+79.46 EUR
25+75.96 EUR
50+72.56 EUR
100+69.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+102.45 EUR
Mindestbestellmenge: 450
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+102.45 EUR
Mindestbestellmenge: 450
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+103.04 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 20456 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+94.40 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0016120KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0016120K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 115 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1427 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 513 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+132.73 EUR
10+121.30 EUR
25+106.56 EUR
50+100.50 EUR
100+91.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0016120KWolfspeedSiC MOSFETs SiC MOSFET G3 1200V 16mOhms
auf Bestellung 630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+137.88 EUR
30+126.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0016120KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1.2KV 115A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 15V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 23mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 1000 V
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+145.97 EUR
30+118.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 513 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+132.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0016120KWolfspeed(CREE)C3M0016120K THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0016120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 125A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+69.80 EUR
10+66.78 EUR
25+63.78 EUR
50+60.84 EUR
100+57.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0016120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 125A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+69.80 EUR
10+66.78 EUR
25+63.78 EUR
50+60.84 EUR
100+57.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0016120K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 16mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
auf Bestellung 416 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+88.30 EUR
10+78.69 EUR
30+74.01 EUR
60+71.51 EUR
120+69.04 EUR
270+66.58 EUR
510+63.50 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0016120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 125A 4-Pin(4+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0021120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0021120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
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C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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C3M0021120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.8mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 469W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 17.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4818 pF @ 1000 V
auf Bestellung 2 Stücke:
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1+67.44 EUR
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C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
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4+41.85 EUR
10+37.96 EUR
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C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 48 Stücke:
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4+41.85 EUR
10+37.96 EUR
25+35.91 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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C3M0021120DWolfspeedSiC MOSFETs 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
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1+69.80 EUR
10+61.39 EUR
30+56.23 EUR
60+55.18 EUR
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C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 1545 Stücke:
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4+40.66 EUR
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C3M0021120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 114A 8-Pin(7+Tab) TO-263
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5+35.84 EUR
10+34.30 EUR
25+32.77 EUR
50+31.27 EUR
100+29.78 EUR
250+28.32 EUR
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C3M0021120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 114A 8-Pin(7+Tab) TO-263
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C3M0021120J2-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 21mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
auf Bestellung 502 Stücke:
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1+45.87 EUR
10+40.74 EUR
25+38.02 EUR
50+36.84 EUR
100+35.64 EUR
250+33.28 EUR
500+30.59 EUR
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C3M0021120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 114A 8-Pin(7+Tab) TO-263
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10+34.30 EUR
25+32.77 EUR
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C3M0021120KWolfspeedSiC MOSFETs 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
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1+65.65 EUR
10+62.48 EUR
30+55.09 EUR
60+53.96 EUR
120+51.55 EUR
270+51.53 EUR
510+51.04 EUR
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C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 240 Stücke:
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30+48.79 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+44.72 EUR
Mindestbestellmenge: 600
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C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+58.49 EUR
10+53.96 EUR
25+45.37 EUR
50+42.54 EUR
100+38.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+58.49 EUR
10+53.96 EUR
25+45.37 EUR
50+42.54 EUR
100+38.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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C3M0021120KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0021120K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+48.86 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 290 Stücke:
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C3M0021120KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 100A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.8mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 469W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 17.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4818 pF @ 1000 V
auf Bestellung 3160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+67.44 EUR
30+46.04 EUR
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C3M0021120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 104A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+36.24 EUR
10+34.67 EUR
25+33.14 EUR
50+31.61 EUR
100+30.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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C3M0021120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 104A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+36.24 EUR
10+34.67 EUR
25+33.14 EUR
50+31.61 EUR
100+30.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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C3M0021120K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 21mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
auf Bestellung 443 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+45.87 EUR
10+40.74 EUR
30+38.02 EUR
60+36.82 EUR
120+35.62 EUR
270+33.26 EUR
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C3M0021120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 104A 4-Pin(4+Tab) TO-247
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C3M0025065DWolfspeedSiC MOSFETs 650V MOSFET 25mOHMS SiC MOSFET
auf Bestellung 1539 Stücke:
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1+34.53 EUR
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C3M0025065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 383 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+26.40 EUR
10+24.57 EUR
25+22.00 EUR
50+20.59 EUR
100+19.46 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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C3M0025065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 383 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+26.40 EUR
10+24.57 EUR
25+22.00 EUR
50+20.59 EUR
100+19.46 EUR
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C3M0025065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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C3M0025065DWolfspeed, Inc.Description: GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 600 V
auf Bestellung 408 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+43.96 EUR
30+31.27 EUR
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C3M0025065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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C3M0025065J1WolfspeedSiC, MOSFET 25 mΩ, 650V TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+30.23 EUR
10+27.64 EUR
25+26.36 EUR
50+23.64 EUR
100+21.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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C3M0025065J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 80A 8-Pin(7+Tab) TO-263
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C3M0025065J1Wolfspeed, Inc.Description: 650V 25 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 271W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 400 V
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+52.69 EUR
50+33.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025065J1WolfspeedSiC, MOSFET 25 mΩ, 650V TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+24.75 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025065J1WolfspeedSiC, MOSFET 25 mΩ, 650V TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
auf Bestellung 905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+26.46 EUR
10+24.17 EUR
25+23.04 EUR
50+20.64 EUR
100+18.49 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025065J1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET 25 mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial
auf Bestellung 1156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+47.34 EUR
10+45.83 EUR
25+45.02 EUR
50+34.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025065J1WolfspeedSiC, MOSFET 25 mΩ, 650V TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
auf Bestellung 905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+26.46 EUR
10+24.17 EUR
25+23.04 EUR
50+20.64 EUR
100+18.49 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025065J1-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 80A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+31.34 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+29.18 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+27.47 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025065KWolfspeedC3M0025065K
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+31.34 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025065KWolfspeedSiC MOSFETs 650V MOSFET 25mOHMS SiC MOSFET
auf Bestellung 675 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+49.05 EUR
10+40.48 EUR
30+39.27 EUR
60+38.47 EUR
120+37.72 EUR
270+36.01 EUR
510+34.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+37.29 EUR
10+33.24 EUR
25+25.81 EUR
50+24.57 EUR
100+23.01 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+37.29 EUR
10+33.24 EUR
25+25.81 EUR
50+24.57 EUR
100+23.01 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+27.47 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025065KWolfspeed, Inc.Description: GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 600 V
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+43.82 EUR
30+31.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+29.18 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025065L-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 25mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial
auf Bestellung 925 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+52.40 EUR
10+46.55 EUR
25+43.44 EUR
50+42.08 EUR
100+40.73 EUR
250+38.00 EUR
500+34.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025065L-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 77A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
auf Bestellung 818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+46.75 EUR
10+39.76 EUR
25+35.42 EUR
50+33.67 EUR
100+30.26 EUR
250+27.12 EUR
500+22.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 25M, 650V, TOLL, T&
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): -8V, +19V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025065L-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 77A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
auf Bestellung 818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+46.75 EUR
10+39.76 EUR
25+35.42 EUR
50+33.67 EUR
100+30.26 EUR
250+27.12 EUR
500+22.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025065L-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 77A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 25M, 650V, TOLL, T&
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): -8V, +19V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 400 V
auf Bestellung 1728 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+52.99 EUR
10+38.76 EUR
25+35.05 EUR
100+34.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 80A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+26.48 EUR
10+25.33 EUR
25+24.20 EUR
50+23.10 EUR
100+22.00 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 80A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025075K1Wolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 750V 80A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 262W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): -8V, +19V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3055 pF @ 500 V
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.09 EUR
10+28.08 EUR
30+26.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 80A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+26.48 EUR
10+25.33 EUR
25+24.20 EUR
50+23.10 EUR
100+22.00 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025075K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 25mohm, 750V, TO-247-4 LP, Industrial
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.81 EUR
10+29.15 EUR
30+27.21 EUR
60+26.33 EUR
120+25.48 EUR
270+23.78 EUR
510+21.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 80A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0030090KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 73A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0030090KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 73A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 35A, 15V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 11mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 600 V
auf Bestellung 2404 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+79.27 EUR
30+55.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0030090KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 73A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+66.34 EUR
10+60.05 EUR
25+51.84 EUR
50+49.00 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0030090KWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 30mOhm
auf Bestellung 986 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+72.16 EUR
10+67.46 EUR
30+61.69 EUR
60+60.21 EUR
120+58.85 EUR
2520+58.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0030090KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 73A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+52.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0030090KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0030090K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 900 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 149W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0030090KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 73A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+69.40 EUR
10+59.22 EUR
25+54.23 EUR
50+50.44 EUR
100+45.73 EUR
500+43.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0030090KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 40A; 149W; TO247-4; 62ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 40A
Power dissipation: 149W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...15V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 62ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0030090K
Produktcode: 143865
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0030090KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 40A; 149W; TO247-4; 62ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 40A
Power dissipation: 149W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...15V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 62ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0030090KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 73A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+66.34 EUR
10+60.05 EUR
25+51.84 EUR
50+49.00 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0030090KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 73A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+55.82 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0030090KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 73A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+55.68 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 719 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+15.62 EUR
25+14.89 EUR
50+14.18 EUR
100+13.48 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+36.59 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 719 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+23.90 EUR
10+15.04 EUR
25+14.32 EUR
50+13.61 EUR
100+12.91 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 392 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+36.59 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 63A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 11.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3357 pF @ 1000 V
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+47.77 EUR
30+39.20 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120DWolfspeedSiC MOSFETs 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
auf Bestellung 519 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+47.31 EUR
30+40.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0032120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 1.2 kV, 0.032 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 337 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
auf Bestellung 734 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+38.48 EUR
10+35.57 EUR
25+33.55 EUR
50+31.11 EUR
100+28.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120J1Wolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+59.85 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120J1WolfspeedC3M0032120J1
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120J1Wolfspeed, Inc.Description: 1200V 32MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 41.4A, 15V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 11.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3424 pF @ 1000 V
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+57.41 EUR
50+37.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120J1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 32mohm, 1200V, TO-263-7 XL, Industrial
auf Bestellung 1230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+49.79 EUR
10+48.84 EUR
25+48.82 EUR
50+40.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
auf Bestellung 734 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+38.48 EUR
10+35.57 EUR
25+33.55 EUR
50+31.11 EUR
100+28.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120J1Wolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+42.33 EUR
10+37.02 EUR
25+34.87 EUR
50+32.85 EUR
100+28.36 EUR
500+26.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120J1-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120J1-TRWolfspeedC3M0032120J1-TR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 74A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+19.81 EUR
10+18.95 EUR
25+18.09 EUR
50+17.25 EUR
100+16.42 EUR
250+15.61 EUR
500+14.80 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 74A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+19.81 EUR
10+18.95 EUR
25+18.09 EUR
50+17.25 EUR
100+16.42 EUR
250+15.61 EUR
500+14.80 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 74A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120J2-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 32mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
auf Bestellung 684 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.70 EUR
10+29.71 EUR
25+28.90 EUR
50+27.28 EUR
100+25.68 EUR
250+24.89 EUR
500+23.27 EUR
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C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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C3M0032120KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0032120K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 1.2 kV, 0.032 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: To Be Advised
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C3M0032120KWolfspeedSiC MOSFETs 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
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C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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C3M0032120KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 63A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 11.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3357 pF @ 1000 V
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120+44.02 EUR
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C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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C3M0040120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 223A; 326W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Reverse recovery time: 75ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 48A
On-state resistance: 68mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 326W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 101nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 223A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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C3M0040120D
Produktcode: 198825
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C3M0040120DWolfspeedC3M0040120D
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C3M0040120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 223A; 326W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Reverse recovery time: 75ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 48A
On-state resistance: 68mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 326W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 101nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 223A
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C3M0040120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0040120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: To Be Advised
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C3M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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C3M0040120DWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-247-3, Industrial
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10+35.71 EUR
30+34.53 EUR
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120+33.05 EUR
270+31.54 EUR
510+30.25 EUR
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C3M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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5+28.80 EUR
10+25.95 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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C3M0040120DWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+45.48 EUR
30+29.43 EUR
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C3M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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C3M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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C3M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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C3M0040120D-MVFWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
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C3M0040120J1WolfspeedSiC, MOSFET, 40mΩ, 1200V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
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C3M0040120J1WolfspeedSiC, MOSFET, 40mΩ, 1200V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
Produkt ist nicht verfügbar
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C3M0040120J1WolfspeedC3M0040120J1
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C3M0040120J1Wolfspeed, Inc.Description: 1200V 40 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+45.48 EUR
50+28.13 EUR
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C3M0040120J1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL, Industrial
auf Bestellung 864 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+44.23 EUR
10+42.72 EUR
25+41.91 EUR
50+36.29 EUR
100+34.36 EUR
250+33.65 EUR
500+29.92 EUR
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C3M0040120J1WolfspeedSiC, MOSFET, 40mΩ, 1200V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+18.29 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0040120J1-TRWolfspeedC3M0040120J1-TR
Produkt ist nicht verfügbar
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C3M0040120J1-TRWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40 M SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+25.77 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0040120J1-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+44.21 EUR
10+39.28 EUR
25+36.64 EUR
50+35.50 EUR
100+34.36 EUR
250+32.07 EUR
500+29.50 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0040120J1-TRWolfspeedSiC, MOSFET, 40m, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial, Gen 3
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+36.76 EUR
10+32.16 EUR
25+29.32 EUR
50+25.48 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0040120J1-TRWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40 M SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
auf Bestellung 1382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+45.83 EUR
10+33.47 EUR
100+28.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0040120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+18.79 EUR
10+17.99 EUR
25+17.19 EUR
50+16.40 EUR
100+15.63 EUR
250+14.86 EUR
500+14.10 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0040120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0040120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+18.79 EUR
10+17.99 EUR
25+17.19 EUR
50+16.40 EUR
100+15.63 EUR
250+14.86 EUR
500+14.10 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0040120J2-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
auf Bestellung 562 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.59 EUR
10+21.65 EUR
25+21.07 EUR
50+19.91 EUR
100+18.73 EUR
250+18.15 EUR
500+16.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+26.09 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 152800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+34.12 EUR
10+30.05 EUR
25+26.89 EUR
50+25.37 EUR
100+20.29 EUR
1000+19.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 152800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+34.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+26.09 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 42750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+26.09 EUR
1800+24.99 EUR
4500+23.82 EUR
9000+22.68 EUR
18000+21.54 EUR
Mindestbestellmenge: 450
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C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+31.21 EUR
10+27.93 EUR
25+25.31 EUR
50+23.94 EUR
100+19.68 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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C3M0040120KWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
auf Bestellung 1791 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+45.48 EUR
30+29.43 EUR
120+28.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0040120KWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-247-4, Industrial
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+44.12 EUR
10+41.10 EUR
30+36.50 EUR
60+35.82 EUR
120+33.44 EUR
270+32.37 EUR
510+29.50 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 42750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+26.09 EUR
1800+24.99 EUR
4500+23.82 EUR
9000+22.68 EUR
18000+21.54 EUR
Mindestbestellmenge: 450
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+31.21 EUR
10+27.93 EUR
25+25.31 EUR
50+23.94 EUR
100+19.68 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0040120KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 223A; 326W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Reverse recovery time: 30ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 48A
On-state resistance: 68mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 326W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 99nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 223A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0040120KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 223A; 326W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Reverse recovery time: 30ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 48A
On-state resistance: 68mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 326W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 99nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 223A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 199626 Stücke:
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7+24.39 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0040120KWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 150 Stücke:
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30+39.90 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0040120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+19.02 EUR
10+18.20 EUR
25+17.39 EUR
50+16.60 EUR
100+15.81 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0040120K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
auf Bestellung 344 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.59 EUR
10+21.65 EUR
30+21.07 EUR
60+19.89 EUR
120+18.71 EUR
270+18.13 EUR
510+16.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0040120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 4-Pin(4+Tab) TO-247
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0040120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 450 Stücke:
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8+19.02 EUR
10+18.20 EUR
25+17.39 EUR
50+16.60 EUR
100+15.81 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045065DWolfspeed, Inc.Description: GEN 3 650V 45 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 600 V
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.88 EUR
30+21.15 EUR
120+19.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045065DWolfspeedSiC MOSFETs 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.25 EUR
10+29.11 EUR
30+20.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045065J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 8-Pin(7+Tab) TO-263
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045065J1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial
auf Bestellung 687 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.20 EUR
25+23.18 EUR
50+20.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045065J1WolfspeedSiC, MOSFET 45mΩ, 650V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045065J1Wolfspeed, Inc.Description: 650V 45 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
auf Bestellung 802 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.64 EUR
50+19.76 EUR
100+18.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045065J1WolfspeedSiC, MOSFET 45mΩ, 650V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+16.02 EUR
100+14.93 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045065J1-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET 45M, 650V TO-263-7XL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045065J1-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045065J1-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET 45M, 650V TO-263-7XL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
auf Bestellung 678 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.27 EUR
10+24.56 EUR
100+19.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045065J1-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, T&R, Industrial
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.46 EUR
10+24.48 EUR
100+20.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 6567 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+24.76 EUR
10+21.32 EUR
25+20.32 EUR
50+19.29 EUR
100+16.47 EUR
500+14.50 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045065KWolfspeed, Inc.Description: GEN 3 650V 49A SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045065KWolfspeedSiC MOSFETs 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET
auf Bestellung 428 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.60 EUR
10+31.45 EUR
30+21.49 EUR
120+20.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+16.63 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+16.48 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 6567 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+24.76 EUR
10+21.32 EUR
25+20.32 EUR
50+19.29 EUR
100+16.47 EUR
500+14.50 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045065LWolfspeedMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045065LWolfspeedC3M0045065L
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045065L-M-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 45M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045065L-M-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 45M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
auf Bestellung 613 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.69 EUR
10+21.86 EUR
100+16.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 45M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045065L-TRWolfspeedC3M0045065L-TR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045065L-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 45mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial
auf Bestellung 2065 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.48 EUR
10+21.79 EUR
100+17.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 45M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
auf Bestellung 1668 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.64 EUR
10+21.82 EUR
100+16.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 42A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 42A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+14.53 EUR
25+13.88 EUR
50+13.25 EUR
100+12.62 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045075K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 45mohm, 750V, TO-247-4 LP, Industrial
auf Bestellung 428 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.61 EUR
10+17.28 EUR
30+16.83 EUR
60+15.88 EUR
120+14.92 EUR
270+14.47 EUR
510+13.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 42A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+14.53 EUR
25+13.88 EUR
50+13.25 EUR
100+12.62 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045075K1Wolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 750V 42A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): -8V, +19V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1606 pF @ 500 V
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C3M0045075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 42A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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C3M0060065DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V
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C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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C3M0060065DWolfspeed(CREE)C3M0060065D THT N channel transistors
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C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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C3M0060065DWolfspeedC3M0060065D
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C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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C3M0060065DWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TO-247-3, Industrial
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C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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C3M0060065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
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13+11.62 EUR
50+8.92 EUR
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200+8.20 EUR
1000+7.14 EUR
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C3M0060065JWolfspeedC3M0060065J
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C3M0060065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
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50+3.49 EUR
100+3.33 EUR
250+3.17 EUR
500+3.01 EUR
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C3M0060065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
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50+3.62 EUR
100+3.45 EUR
250+3.29 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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C3M0060065JWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TO-263-7, Industrial
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C3M0060065JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 36A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V
auf Bestellung 3137 Stücke:
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1+23.18 EUR
50+15.85 EUR
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C3M0060065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
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C3M0060065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
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15+10.05 EUR
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C3M0060065JWolfspeed(CREE)C3M0060065J SMD N channel transistors
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C3M0060065J-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TO-263-7 T&R, Industrial, Gen 3
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C3M0060065J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 60M, 650V, TO-263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 60M, 650V, TO-263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.06 EUR
10+21.39 EUR
100+16.50 EUR
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C3M0060065J-TRWolfspeedC3M0060065J-TR
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C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+11.46 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 429 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+15.09 EUR
25+11.80 EUR
100+10.81 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+22.21 EUR
10+21.00 EUR
25+13.88 EUR
100+12.34 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+22.21 EUR
10+21.00 EUR
25+13.88 EUR
100+12.34 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 37A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.25 EUR
30+18.19 EUR
120+16.45 EUR
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C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A Automotive Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+10.06 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065KWolfspeed(CREE)C3M0060065K THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+10.06 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065KWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60 mohm, 650V, TO-247-4, Industrial
auf Bestellung 598 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.10 EUR
10+23.95 EUR
30+21.93 EUR
120+20.64 EUR
270+19.99 EUR
510+18.71 EUR
1020+17.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+10.98 EUR
50+10.38 EUR
100+9.29 EUR
200+8.72 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 429 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+15.09 EUR
25+11.80 EUR
100+10.81 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065LWolfspeedC3M0060065L
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065LWolfspeedMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065L-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065L-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 60M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 3.64mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 400 V
auf Bestellung 1710 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.14 EUR
10+18.44 EUR
100+14.10 EUR
500+13.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065L-TRWolfspeedC3M0060065L-TR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065L-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TOLL,T&R, Industrial
auf Bestellung 1422 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.63 EUR
10+19.96 EUR
25+19.64 EUR
50+19.06 EUR
100+17.25 EUR
250+16.95 EUR
500+15.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065L-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
auf Bestellung 677 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+19.81 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 60M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 3.64mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065UWolfspeedC3M0060065U
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060075K1Wolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 750V 35A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13.4A, 15V
Power Dissipation (Max): 126W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 3.67mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): -8V, +19V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1203 pF @ 500 V
auf Bestellung 379 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.71 EUR
10+13.51 EUR
30+11.62 EUR
120+9.88 EUR
270+9.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+7.64 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060075K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60mohm, 750V, TO-247-4 LP, Industrial
auf Bestellung 402 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.79 EUR
10+15.26 EUR
30+13.83 EUR
120+12.69 EUR
270+11.95 EUR
510+11.19 EUR
1020+10.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+7.64 EUR
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C3M0060075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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C3M0065065DWolfspeedC3M0065065D
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C3M0065090DWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
auf Bestellung 2613 Stücke:
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10+29.37 EUR
30+25.61 EUR
60+25.43 EUR
120+23.95 EUR
270+23.53 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Power dissipation: 125W
Gate charge: 30.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Reverse recovery time: 30ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 36A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.50 EUR
3+23.84 EUR
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C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Power dissipation: 125W
Gate charge: 30.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Reverse recovery time: 30ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 36A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+71.50 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+12.71 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 390 Stücke:
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C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+18.92 EUR
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C3M0065090D
Produktcode: 182273
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0065090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 1168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
auf Bestellung 2592 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.76 EUR
30+21.23 EUR
120+19.10 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+12.71 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090JCREEN-MOSFET 900V 35A C3M0065090J Cree/Wolfspeed TC3M0065090J
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+47.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 634 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+16.90 EUR
10+16.04 EUR
50+13.42 EUR
100+12.77 EUR
500+12.21 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090J
Produktcode: 148769
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0065090J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
auf Bestellung 2685 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.46 EUR
50+19.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090JWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
auf Bestellung 14985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.70 EUR
10+25.84 EUR
25+25.78 EUR
50+20.06 EUR
100+19.80 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
Power dissipation: 113W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.4nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 16ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 634 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+16.90 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
Power dissipation: 113W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.4nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 16ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+17.04 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090J-TRWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
auf Bestellung 2403 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.10 EUR
10+27.54 EUR
25+27.16 EUR
50+26.42 EUR
100+24.20 EUR
250+23.83 EUR
500+22.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+17.04 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
auf Bestellung 1903 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.36 EUR
10+23.45 EUR
100+19.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 693 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090J-TRWolfspeed(CREE)C3M0065090J-TR SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+19.51 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065100JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
auf Bestellung 1678 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.19 EUR
50+22.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+26.37 EUR
10+22.90 EUR
25+21.54 EUR
50+20.21 EUR
100+17.26 EUR
500+15.29 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065100JWolfspeed(CREE)C3M0065100J SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+26.37 EUR
10+22.90 EUR
25+21.54 EUR
50+20.21 EUR
100+17.26 EUR
500+15.29 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065100JWolfspeedSiC MOSFETs 1000V 65mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
auf Bestellung 756 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.76 EUR
10+27.39 EUR
25+26.63 EUR
50+23.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065100JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0065100J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1 kV, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.5W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 699 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065100J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 35A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
auf Bestellung 592 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+38.16 EUR
10+27.56 EUR
100+22.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065100J-TRWolfspeedMOSFET 1000V 65mOhm G3 SiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065100J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 35A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
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C3M0065100J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
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C3M0065100J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
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C3M0065100KWolfspeedSiC MOSFETs 1000V 65 mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
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C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
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C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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1000+15.98 EUR
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C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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C3M0065100KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0065100K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1 kV, 0.065 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.5W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (20-Jun-2016)
auf Bestellung 2379 Stücke:
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C3M0065100KMACOMMOSFET 1000V 65 mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
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1+34.90 EUR
10+30.99 EUR
30+28.92 EUR
60+28.02 EUR
120+27.12 EUR
270+25.31 EUR
510+23.27 EUR
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C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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5+30.61 EUR
10+26.79 EUR
25+23.14 EUR
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Mindestbestellmenge: 5
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C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 450 Stücke:
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8+20.85 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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10+26.52 EUR
30+22.87 EUR
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C3M0065100K
Produktcode: 126113
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065100KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 35A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
auf Bestellung 1863 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+38.98 EUR
30+24.82 EUR
120+22.95 EUR
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C3M0075120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 19.7A; Idm: 80A; 113.6W
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Power dissipation: 113.6W
Gate charge: 54nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 19.7A
On-state resistance: 0.105Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+22.31 EUR
5+14.87 EUR
6+14.06 EUR
120+14.04 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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C3M0075120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0075120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 588 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+23.80 EUR
8+17.82 EUR
10+16.34 EUR
50+13.46 EUR
100+12.51 EUR
200+10.32 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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C3M0075120DWolfspeedSiC MOSFETs 1.2kV 75mOHMS G3 SiC MOSFET
auf Bestellung 789 Stücke:
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1+32.19 EUR
10+28.37 EUR
30+27.60 EUR
60+26.07 EUR
120+24.53 EUR
270+23.76 EUR
510+22.23 EUR
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C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 4050 Stücke:
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450+9.00 EUR
Mindestbestellmenge: 450
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C3M0075120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 19.7A; Idm: 80A; 113.6W
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Power dissipation: 113.6W
Gate charge: 54nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 19.7A
On-state resistance: 0.105Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+22.31 EUR
5+14.87 EUR
6+14.06 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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C3M0075120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.59 EUR
30+19.89 EUR
120+17.95 EUR
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C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+13.95 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+26.76 EUR
7+21.10 EUR
10+19.36 EUR
50+16.63 EUR
100+14.83 EUR
200+13.72 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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C3M0075120DMACOMMOSFET 1.2kV 75mOHMS G3 SiC MOSFET
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.19 EUR
10+28.37 EUR
30+27.60 EUR
60+26.07 EUR
120+24.53 EUR
270+23.76 EUR
510+22.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+13.95 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 4050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+9.00 EUR
Mindestbestellmenge: 450
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C3M0075120D-AWolfspeed, Inc.Description: 75M 1200V 175C SIC FET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 1000 V
auf Bestellung 409 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.96 EUR
30+20.71 EUR
120+19.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120D-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+10.75 EUR
25+9.51 EUR
100+9.07 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120D-AWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-3, 175C capable, Industrial
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.08 EUR
10+29.09 EUR
30+26.05 EUR
60+25.27 EUR
120+23.74 EUR
270+23.37 EUR
510+21.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120D-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+12.11 EUR
50+11.63 EUR
100+11.14 EUR
200+9.55 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120D-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+10.75 EUR
25+9.51 EUR
100+9.07 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120D-AMACOMMOSFET SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-3, 175C capable, Industrial, Gen 3
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.19 EUR
10+28.37 EUR
30+27.60 EUR
60+26.07 EUR
120+24.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 113.6W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 18ns
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+21.15 EUR
5+16.09 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 1140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+25.13 EUR
8+20.24 EUR
10+18.53 EUR
50+10.51 EUR
100+10.06 EUR
200+9.62 EUR
1000+8.25 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120JMACOMMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7
auf Bestellung 3558 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.83 EUR
10+25.04 EUR
25+24.90 EUR
50+24.50 EUR
100+22.12 EUR
250+22.00 EUR
500+20.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+9.00 EUR
2000+8.60 EUR
3000+8.19 EUR
5000+7.80 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+9.00 EUR
2000+8.60 EUR
3000+8.19 EUR
5000+7.80 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120JWolfspeedC3M0075120J
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120JWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7
auf Bestellung 3363 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.76 EUR
10+23.74 EUR
50+21.00 EUR
100+20.31 EUR
500+19.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 113.6W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 18ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+21.15 EUR
5+16.09 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0075120J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
auf Bestellung 4494 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.84 EUR
50+17.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+17.71 EUR
100+16.29 EUR
250+15.53 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+17.71 EUR
100+16.29 EUR
250+15.53 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120J-TRWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.59 EUR
10+22.65 EUR
100+17.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120J1WolfspeedC3M0075120J1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120J2-TRWolfspeed, Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 30A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 1000 V
auf Bestellung 536 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.95 EUR
10+16.63 EUR
25+14.72 EUR
100+12.57 EUR
250+12.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+9.06 EUR
25+8.59 EUR
50+8.13 EUR
100+7.68 EUR
250+7.24 EUR
500+6.81 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120J2-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
auf Bestellung 777 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.79 EUR
10+18.30 EUR
25+17.83 EUR
50+16.84 EUR
100+15.84 EUR
250+15.35 EUR
500+14.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120J2-TRWolfspeed, Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 30A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+9.06 EUR
25+8.59 EUR
50+8.13 EUR
100+7.68 EUR
250+7.24 EUR
500+6.81 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+11.64 EUR
50+11.17 EUR
100+10.70 EUR
200+9.05 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+11.31 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 624 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+7.42 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 18ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+14.70 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+14.13 EUR
13+10.81 EUR
25+9.56 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0075120K - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 30.8A, 1.2kV, 0.075 Ohm, 15V, 2.5V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 4346 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+28.90 EUR
10+26.73 EUR
25+24.19 EUR
60+21.56 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120KWolfspeed1200V, 75 mOhm, G3 SiC MOSFET
auf Bestellung 4240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+7.42 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120KMACOMMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.86 EUR
10+28.95 EUR
60+25.04 EUR
270+22.25 EUR
510+21.47 EUR
1020+20.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+14.70 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 214200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+9.15 EUR
4500+8.73 EUR
9000+8.32 EUR
18000+7.92 EUR
45000+7.53 EUR
99000+7.14 EUR
Mindestbestellmenge: 450
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
auf Bestellung 954 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.20 EUR
30+21.67 EUR
120+19.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+11.31 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 18ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 214200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+9.15 EUR
4500+8.73 EUR
9000+8.32 EUR
18000+7.92 EUR
45000+7.53 EUR
99000+7.14 EUR
Mindestbestellmenge: 450
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+11.23 EUR
25+9.94 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120KWolfspeedSiC MOSFETs SIC MOSFET 1200V 75 mOhm
auf Bestellung 676 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.21 EUR
10+29.48 EUR
30+25.87 EUR
60+23.99 EUR
120+23.21 EUR
270+23.09 EUR
510+21.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120K-AWolfspeedC3M0075120K-A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120K-AWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial
auf Bestellung 809 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.21 EUR
10+30.08 EUR
30+26.08 EUR
60+26.07 EUR
120+24.53 EUR
270+24.11 EUR
510+22.70 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120K-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+13.80 EUR
25+11.31 EUR
100+10.57 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120K-AWolfspeed, Inc.Description: 75M 1200V 175C SIC FET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 1000 V
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.41 EUR
30+21.65 EUR
120+19.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120K-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120K-AMACOMMOSFET SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial, G3
auf Bestellung 880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.19 EUR
10+28.37 EUR
30+27.60 EUR
60+26.07 EUR
120+24.53 EUR
270+23.76 EUR
510+22.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120K-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+13.80 EUR
25+11.31 EUR
100+10.57 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120K-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 406 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+11.81 EUR
50+11.34 EUR
100+10.86 EUR
200+9.45 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247
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C3M0075120K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
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C3M0075120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247
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C3M0075120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247
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C3M0075120K1Wolfspeed, Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 32A TO247-4L
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 17.9A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 1000 V
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30+16.92 EUR
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C3M0120065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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29+5.22 EUR
30+4.82 EUR
31+4.45 EUR
50+4.26 EUR
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C3M0120065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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30+4.82 EUR
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C3M0120065DWolfspeed, Inc.Description: 650V 120M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
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C3M0120065D
Produktcode: 178862
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C3M0120065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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C3M0120065DWolfspeedC3M0120065D
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C3M0120065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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C3M0120065DWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TO-247-3, Industrial
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C3M0120065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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C3M0120065JWolfspeed, Inc.Description: 650V 120M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
auf Bestellung 1411 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.75 EUR
10+9.61 EUR
50+7.90 EUR
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C3M0120065JWolfspeedC3M0120065J
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C3M0120065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
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C3M0120065JWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TO-263-7, Industrial
auf Bestellung 2564 Stücke:
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C3M0120065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
auf Bestellung 201 Stücke:
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18+8.31 EUR
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25+7.26 EUR
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C3M0120065J-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TO-263-7 T&R, Industrial, Gen 3
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C3M0120065J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
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C3M0120065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+12.41 EUR
14+10.73 EUR
25+9.77 EUR
50+9.30 EUR
100+7.36 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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C3M0120065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+8.07 EUR
900+6.68 EUR
1800+6.31 EUR
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C3M0120065KWolfspeed, Inc.Description: 650V 120M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.34 EUR
10+12.13 EUR
25+10.79 EUR
100+9.29 EUR
250+8.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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C3M0120065KWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TO-247-4, Industrial
auf Bestellung 392 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.17 EUR
10+12.04 EUR
30+10.93 EUR
120+9.68 EUR
270+8.92 EUR
510+8.47 EUR
1020+8.36 EUR
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C3M0120065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247
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C3M0120065KWolfspeedC3M0120065K
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C3M0120065LWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A
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C3M0120065L-TRWolfspeedC3M0120065L-TR
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C3M0120065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 120M, 650V, TOLL, I
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120065L-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TOLL,T&R, Industrial
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.41 EUR
10+11.49 EUR
25+10.42 EUR
100+9.57 EUR
250+9.01 EUR
500+8.45 EUR
1000+7.60 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 120M, 650V, TOLL, I
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090D
Produktcode: 165992
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+9.55 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Power dissipation: 97W
Gate charge: 17.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Reverse recovery time: 24ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 23A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+14.09 EUR
7+10.62 EUR
30+10.44 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+6.24 EUR
25+5.78 EUR
50+5.51 EUR
100+4.97 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090DCREEN-MOSFET 900V 23A C3M0120090D Cree/Wolfspeed TC3M0120090D
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+25.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 600 V
auf Bestellung 419 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.71 EUR
30+14.45 EUR
120+13.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+6.24 EUR
25+5.78 EUR
50+5.51 EUR
100+4.97 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+14.45 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Power dissipation: 97W
Gate charge: 17.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Reverse recovery time: 24ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 23A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+14.09 EUR
7+10.62 EUR
30+10.44 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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C3M0120090DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0120090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 900 V, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 97W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 209 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090DWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 120mOhm
auf Bestellung 641 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.46 EUR
10+16.35 EUR
30+14.52 EUR
120+14.04 EUR
270+12.81 EUR
510+12.30 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
auf Bestellung 5823 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.40 EUR
50+12.48 EUR
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C3M0120090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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C3M0120090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
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C3M0120090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
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C3M0120090JWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 120 mOhm
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250+14.50 EUR
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C3M0120090JCREEN-MOSFET 900V 22A C3M0120090J-TR C3M0120090J Cree/Wolfspeed TC3M0120090J
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+26.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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C3M0120090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 802 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+10.66 EUR
15+9.94 EUR
25+9.48 EUR
50+7.67 EUR
100+7.33 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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C3M0120090J
Produktcode: 126112
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C3M0120090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 802 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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C3M0120090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 22A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17.3nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 24ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 22A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17.3nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 24ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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C3M0120090J-TRWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET/ Reel 900V, 120 mOhm
auf Bestellung 2936 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.52 EUR
10+12.80 EUR
25+12.78 EUR
50+12.76 EUR
100+12.65 EUR
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C3M0120090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
auf Bestellung 2756 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.85 EUR
10+14.46 EUR
100+11.67 EUR
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C3M0120090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
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C3M0120090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+11.67 EUR
Mindestbestellmenge: 800
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C3M0120090J-TRWolfspeedG3 SiC MOSFET 900V, 120 mOhm,
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C3M0120100JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 16ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120100JMACOMMOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
auf Bestellung 385 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.80 EUR
10+21.86 EUR
25+21.68 EUR
50+21.33 EUR
100+18.87 EUR
250+18.71 EUR
500+17.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
auf Bestellung 845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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C3M0120100JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 16ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120100JWolfspeedSiC MOSFETs 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
auf Bestellung 338 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.32 EUR
10+24.15 EUR
25+23.50 EUR
50+22.11 EUR
100+20.80 EUR
250+20.15 EUR
500+18.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120100JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
auf Bestellung 1015 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.08 EUR
50+17.71 EUR
100+16.52 EUR
500+16.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120100J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 120M, 1000V, TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120100J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 120M, 1000V, TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 600 V
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.11 EUR
10+20.50 EUR
25+18.26 EUR
100+16.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120100J-TRWolfspeedC3M0120100J-TR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120100K
Produktcode: 178240
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120100KMACOMMOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.72 EUR
10+21.07 EUR
30+20.56 EUR
60+18.30 EUR
120+17.62 EUR
270+16.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120100KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0120100K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1 kV, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (20-Jun-2016)
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120100KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 22A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
auf Bestellung 2524 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.87 EUR
30+15.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 22A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120100KWolfspeed(CREE)C3M0120100K THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120100KWolfspeedMOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.20 EUR
30+16.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+10.50 EUR
16+9.06 EUR
25+7.43 EUR
50+7.08 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120DWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-3, Industrial
auf Bestellung 1723 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.08 EUR
10+11.90 EUR
30+10.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 97W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 256mΩ
Drain current: 12A
Drain-source voltage: 1.2kV
Gate charge: 38nC
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 34A
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+12.17 EUR
11+6.65 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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C3M0160120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0160120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 97W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 35100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+8.32 EUR
4500+7.95 EUR
Mindestbestellmenge: 450
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
auf Bestellung 1897 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.99 EUR
30+9.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.01 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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C3M0160120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 97W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 256mΩ
Drain current: 12A
Drain-source voltage: 1.2kV
Gate charge: 38nC
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 34A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.17 EUR
11+6.65 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+10.50 EUR
16+9.06 EUR
25+7.43 EUR
50+7.08 EUR
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C3M0160120D
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C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
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C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
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C3M0160120JWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-263-7, Industrial
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C3M0160120JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
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C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
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C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
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C3M0160120JWolfspeed(CREE)C3M0160120J SMD N channel transistors
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C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
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C3M0160120J-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-263-7 T&R, Industrial, Gen 3
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C3M0160120J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 160M, 1200V, TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
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C3M0160120J-TRWolfspeedC3M0160120J-TR
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C3M0160120J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 160M, 1200V, TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
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C3M0160120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247
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12+12.44 EUR
25+11.89 EUR
50+11.36 EUR
100+10.83 EUR
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C3M0160120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247
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12+12.44 EUR
25+11.89 EUR
50+11.36 EUR
100+10.83 EUR
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C3M0160120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247
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C3M0160120K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
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1+18.57 EUR
10+15.91 EUR
30+14.45 EUR
120+13.25 EUR
270+12.48 EUR
510+11.69 EUR
1020+10.52 EUR
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C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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33+4.57 EUR
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C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 2704 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+4.57 EUR
Mindestbestellmenge: 33
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C3M0280090DWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 280mOhm
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1+12.28 EUR
10+10.51 EUR
30+9.52 EUR
120+8.76 EUR
270+8.25 EUR
510+7.73 EUR
1020+6.95 EUR
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C3M0280090D
Produktcode: 123313
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C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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C3M0280090DWolfspeed(CREE)C3M0280090D THT N channel transistors
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.21 EUR
13+5.55 EUR
14+5.23 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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C3M0280090DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 11.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
auf Bestellung 8306 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.54 EUR
30+6.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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C3M0280090DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0280090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11.5 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 1020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+4.57 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 2704 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+4.44 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH 900V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 731 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0280090JWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm
auf Bestellung 941 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.94 EUR
10+11.09 EUR
50+10.05 EUR
100+9.24 EUR
250+8.69 EUR
500+8.15 EUR
1000+7.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0280090J
Produktcode: 118894
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0280090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+9.08 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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C3M0280090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 20ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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C3M0280090JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
auf Bestellung 722 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.01 EUR
50+8.26 EUR
100+7.61 EUR
500+6.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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C3M0280090JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0280090J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0280090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0280090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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C3M0280090JMACOMMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm
auf Bestellung 941 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.94 EUR
10+11.09 EUR
50+10.05 EUR
100+9.24 EUR
250+8.69 EUR
500+8.15 EUR
1000+7.34 EUR
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C3M0280090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+9.08 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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C3M0280090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 20ns
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C3M0280090JCREEN-MOSFET 900V 11A C3M0280090J Cree/Wolfspeed TC3M0280090J
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+14.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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C3M0280090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
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C3M0280090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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C3M0280090J-TRWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET/ Reel 900V, 280 mOhm
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.10 EUR
10+7.81 EUR
25+7.80 EUR
100+7.00 EUR
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C3M0280090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 800
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C3M0280090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
auf Bestellung 7019 Stücke:
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2+15.40 EUR
10+10.55 EUR
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C3M0280090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 800
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C3M0280090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
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C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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C3M0350120DWolfspeed(CREE)C3M0350120D THT N channel transistors
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C3M0350120DMACOMMOSFET SiC, MOSFET, 350mohm,1200V, TO-247-3, Industrial, Gen 3
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510+6.86 EUR
1020+6.55 EUR
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C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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C3M0350120DWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 350mohm,1200V, TO-247-3, Industrial
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1+12.09 EUR
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120+6.55 EUR
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C3M0350120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 3.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 1000 V
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.52 EUR
30+6.66 EUR
120+6.41 EUR
510+5.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 957 Stücke:
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30+5.06 EUR
31+4.52 EUR
50+4.16 EUR
100+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
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50+7.62 EUR
100+6.70 EUR
250+6.39 EUR
500+5.32 EUR
1000+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 7.2A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 3.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 40.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 1000 V
auf Bestellung 956 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.52 EUR
50+7.40 EUR
100+6.81 EUR
500+5.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+7.62 EUR
100+6.70 EUR
250+6.39 EUR
500+5.32 EUR
1000+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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C3M0350120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120JWolfspeed(CREE)C3M0350120J SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 957 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.06 EUR
31+4.52 EUR
50+4.16 EUR
100+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120JWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 350mohm,1200V, TO-263-7, Industrial
auf Bestellung 456 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.45 EUR
10+10.38 EUR
50+7.16 EUR
100+6.65 EUR
500+6.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 350M,1200V, TO-263-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 3.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 40.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+6.82 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120J-TRWolfspeedMOSFET Gen 3 1200V 350 mO SiC MOSFET, Tape and Reel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 350M,1200V, TO-263-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 3.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 40.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 1000 V
auf Bestellung 797 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.27 EUR
10+9.76 EUR
100+7.20 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120J-TRWolfspeedC3M0350120J-TR
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M580000L002ABRACONAbracon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH