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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
C3MSwitchcraft Inc.Description: CONN RCPT MALE XLR 3P SOLDER CUP
Features: Ground
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle, Male Pins
Color: Silver
Voltage Rating: 125VAC
Current Rating (Amps): 15A
Mounting Type: Panel Mount
Number of Positions: 3
Orientation: Keyed
Shell Size - Insert: XLR
Fastening Type: Latch Lock
Termination: Solder Cup
Mounting Feature: Flange
Contact Finish - Mating: Silver
Part Status: Active
Shell Material: Zinc
Shell Finish: Nickel
Primary Material: Metal
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.92 EUR
25+15.27 EUR
100+13.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3MSWITCHCRAFT/CONXALLDescription: SWITCHCRAFT/CONXALL - C3M - CONNECTOR, XLR, PLUG, 3 POSITION
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
Kontaktüberzug: Nickel Plated Contacts
rohsCompliant: YES
Ausführung: Plug
Anzahl der Kontakte: 3Kontakt(e)
euEccn: NLR
Steckverbindermaterial: Metal Body
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Steckverbindermontage: Panel Mount
Produktpalette: C Series
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3MSwitchcraftXLR Connectors 3 PIN MALE RECEPT
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M-000000000000-NAAdvanced EnergyDescription: CONFIG DC PWR MOD 3000W
Packaging: Bulk
Type: DC Output Module
Approval Agency: IEC
Part Status: Active
Power (Watts): 3000 W
Standard Number: 60601-1; 60601-1-2
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2208.66 EUR
5+2169.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M-000000000000-NBAdvanced EnergyDescription: CONFIG DC PWR MOD 3000W
Packaging: Bulk
Type: DC Output Module
Approval Agency: IEC
Part Status: Active
Power (Watts): 3000 W
Standard Number: 60601-1; 60601-1-2
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2208.66 EUR
5+2169.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0015065DWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 15mohm, 650V, TO-247-3, Industrial
auf Bestellung 614 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+78.64 EUR
10+55.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0015065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+43.01 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0015065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0015065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+54.41 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0015065DWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+54.41 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0015065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+43.01 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0015065DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 120A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 55.8A, 15V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5011 pF @ 400 V
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+78.97 EUR
30+53.72 EUR
120+53.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0015065DWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 1195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+71.74 EUR
10+61.21 EUR
25+56.04 EUR
50+52.11 EUR
100+45.63 EUR
500+43.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+46.91 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+46.91 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+38 EUR
10+36.28 EUR
25+33.39 EUR
50+31.79 EUR
100+30.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+51.71 EUR
10+49.37 EUR
25+43.89 EUR
50+41.78 EUR
100+39.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0015065KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 120A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 55.8A, 15V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5011 pF @ 400 V
auf Bestellung 331 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+78.97 EUR
30+53.72 EUR
120+53.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+38 EUR
10+36.28 EUR
25+33.39 EUR
50+31.79 EUR
100+30.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0015065KWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 15mohm, 650V, TO-247-4, Industrial
auf Bestellung 462 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+83.49 EUR
10+68.68 EUR
120+60.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+51.71 EUR
10+49.37 EUR
25+43.89 EUR
50+41.78 EUR
100+39.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0015065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+84.39 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+43.05 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0015065K-MWolfspeed, Inc.Description: MVF 200MM QUALIFIED MATERIAL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 55.8A, 15V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5011 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 387 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+66.12 EUR
5+62.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0016120DWolfspeedSiC MOSFETs 1.2kV 15mOHMS G3 SiC MOSFET
auf Bestellung 588 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+57.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+48.13 EUR
10+45.88 EUR
25+43.67 EUR
100+41.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+49.91 EUR
10+47.64 EUR
25+45.42 EUR
100+43.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0016120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 115A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 15V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 23mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 1000 V
auf Bestellung 702 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+81.36 EUR
30+55.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0016120KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0016120K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 115 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+99.53 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 20456 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+91.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0016120KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1.2KV 115A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 15V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 23mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 1000 V
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+81.36 EUR
30+55.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 513 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+128.21 EUR
10+117.17 EUR
25+102.92 EUR
50+97.08 EUR
100+88.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 513 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+128.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0016120KWolfspeedSiC MOSFETs SiC MOSFET G3 1200V 16mOhms
auf Bestellung 630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+137.88 EUR
30+126.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0016120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 125A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+67.42 EUR
10+64.5 EUR
25+61.61 EUR
50+58.76 EUR
100+55.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0016120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 125A 4-Pin(4+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0016120K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 16m ohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+75.1 EUR
10+67.85 EUR
120+63.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0016120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 125A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+67.42 EUR
10+64.5 EUR
25+61.61 EUR
50+58.76 EUR
100+55.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0016120K1Wolfspeed, Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 125A TO247-4L
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 80.28A, 15V
Power Dissipation (Max): 483W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22.08mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6922 pF @ 1000 V
auf Bestellung 353 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+81.36 EUR
30+55.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0021120DWolfspeedSiC MOSFETs 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
auf Bestellung 1613 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.23 EUR
10+23.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+40.43 EUR
10+36.67 EUR
25+34.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0021120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.8mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 469W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 17.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4818 pF @ 1000 V
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+43.03 EUR
30+27.76 EUR
120+25.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+40.43 EUR
10+36.67 EUR
25+34.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0021120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0021120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 1545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+39.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0021120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 114A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+34.61 EUR
10+33.13 EUR
25+31.65 EUR
50+30.2 EUR
100+28.76 EUR
250+27.35 EUR
500+25.95 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0021120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 114A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0021120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 114A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+34.61 EUR
10+33.13 EUR
25+31.65 EUR
50+30.2 EUR
100+28.76 EUR
250+27.35 EUR
500+25.95 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0021120J2-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 21mO, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.88 EUR
10+22.33 EUR
100+19.31 EUR
500+15.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0021120KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 100A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.8mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 469W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 17.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4818 pF @ 1000 V
auf Bestellung 2725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+44.26 EUR
30+33.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+43.2 EUR
Mindestbestellmenge: 600
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0021120KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0021120K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0021120KWolfspeedSiC MOSFETs 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+49.77 EUR
10+35.22 EUR
120+33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+56.49 EUR
10+52.12 EUR
25+43.82 EUR
50+41.09 EUR
100+36.95 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+56.49 EUR
10+52.12 EUR
25+43.82 EUR
50+41.09 EUR
100+36.95 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+47.2 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+47.12 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0021120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 104A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+35 EUR
10+33.49 EUR
25+32.01 EUR
50+30.54 EUR
100+29.08 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0021120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 104A 4-Pin(4+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0021120K1Wolfspeed, Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 104A TO247-4L
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 62.1A, 15V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 17.1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 1000 V
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+43.03 EUR
30+27.76 EUR
120+25.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0021120K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 21mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.43 EUR
10+34.62 EUR
120+30.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0021120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 104A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+35 EUR
10+33.49 EUR
25+32.01 EUR
50+30.54 EUR
100+29.08 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+16.08 EUR
10+15.51 EUR
25+14.8 EUR
100+14.13 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025065DWolfspeed, Inc.Description: GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 600 V
auf Bestellung 408 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+43.96 EUR
30+31.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+16.08 EUR
10+15.51 EUR
25+14.8 EUR
100+14.13 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025065DWolfspeedSiC MOSFETs 650V MOSFET 25mOHMS SiC MOSFET
auf Bestellung 1258 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.08 EUR
10+17.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+23.71 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025065J1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET 25 mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial
auf Bestellung 1125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+44.72 EUR
10+32.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025065J1WolfspeedSiC, MOSFET 25 mΩ, 650V TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025065J1WolfspeedSiC, MOSFET 25 mΩ, 650V TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+25.45 EUR
10+24.12 EUR
25+19.81 EUR
100+18.95 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025065J1WolfspeedSiC, MOSFET 25 mΩ, 650V TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+23.22 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025065J1Wolfspeed, Inc.Description: 650V 25 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 271W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 400 V
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.26 EUR
50+18.59 EUR
100+17.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025065J1-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET 25 M, 650V TO-263-7X
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 271W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 400 V
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.26 EUR
10+22.37 EUR
100+20.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025065J1-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 80A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025065J1-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET 25 M, 650V TO-263-7X
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 271W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025065J1-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET 25 mohm, 650V TO-263-7XL, T&R, Industrial
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+20.28 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+21.15 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025065KWolfspeedSiC MOSFETs 650V MOSFET 25mOHMS SiC MOSFET
auf Bestellung 481 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+38.33 EUR
10+32.86 EUR
120+32.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+22.01 EUR
10+21.02 EUR
25+19.88 EUR
100+18.95 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025065KWolfspeed, Inc.Description: GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 600 V
auf Bestellung 886 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.68 EUR
30+19.89 EUR
120+17.31 EUR
510+17.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+22.01 EUR
10+21.02 EUR
25+19.88 EUR
100+18.95 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025065L-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 77A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 25M, 650V, TOLL, T&
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): -8V, +19V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025065L-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 77A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
auf Bestellung 803 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+30.02 EUR
10+27.13 EUR
25+25.83 EUR
100+23.63 EUR
250+22.61 EUR
500+20.16 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025065L-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 77A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
auf Bestellung 803 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+30.02 EUR
10+27.13 EUR
25+25.83 EUR
100+23.63 EUR
250+22.61 EUR
500+20.16 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 25M, 650V, TOLL, T&
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): -8V, +19V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 400 V
auf Bestellung 1375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.68 EUR
10+22.67 EUR
100+20.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025065L-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 25mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial
auf Bestellung 852 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.76 EUR
10+30.32 EUR
1000+24.36 EUR
2000+20.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 80A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025075K1Wolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 750V 80A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 262W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): -8V, +19V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3055 pF @ 500 V
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.09 EUR
10+28.08 EUR
30+26.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0025075K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 25mohm, 750V, TO-247-4 LP, Industrial
auf Bestellung 366 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.93 EUR
10+23.3 EUR
120+20.64 EUR
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C3M0025075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 80A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+25.58 EUR
10+24.47 EUR
25+23.38 EUR
50+22.31 EUR
100+21.25 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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C3M0025075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 80A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+25.58 EUR
10+24.47 EUR
25+23.38 EUR
50+22.31 EUR
100+21.25 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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C3M0030090K
Produktcode: 143865
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0030090KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 73A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 35A, 15V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 11mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 600 V
auf Bestellung 2404 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+79.27 EUR
30+55.72 EUR
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C3M0030090KWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 30mOhm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0030090KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 73A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0030090KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0030090K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 900 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 149W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 719 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+15.09 EUR
25+14.39 EUR
50+13.69 EUR
100+13.02 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+35.34 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0032120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 1.2 kV, 0.032 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 719 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+23.09 EUR
10+14.53 EUR
25+13.83 EUR
50+13.15 EUR
100+12.47 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 63A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 11.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3357 pF @ 1000 V
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.76 EUR
30+21.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120DWolfspeedSiC MOSFETs 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
auf Bestellung 519 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+47.31 EUR
30+40.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 392 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+35.34 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
auf Bestellung 734 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+37.17 EUR
10+34.36 EUR
25+32.41 EUR
50+30.05 EUR
100+27.54 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120J1Wolfspeed, Inc.Description: 1200V 32MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 41.4A, 15V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 11.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3424 pF @ 1000 V
auf Bestellung 346 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.76 EUR
50+20.21 EUR
100+18.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120J1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 32mohm, 1200V, TO-263-7 XL, Industrial
auf Bestellung 961 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+53.73 EUR
10+50.71 EUR
50+40.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120J1Wolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+57.81 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
auf Bestellung 734 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+37.17 EUR
10+34.36 EUR
25+32.41 EUR
50+30.05 EUR
100+27.54 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120J1Wolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+40.88 EUR
10+35.76 EUR
25+33.68 EUR
50+31.73 EUR
100+27.39 EUR
500+25.49 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120J1-TRWolfspeedSiC MOSFETs 1200V, 32 mOhm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120J1-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 74A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+19.14 EUR
10+18.3 EUR
25+17.48 EUR
50+16.66 EUR
100+15.86 EUR
250+15.07 EUR
500+14.29 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120J2-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 32mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
auf Bestellung 671 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.43 EUR
10+30.34 EUR
100+26.24 EUR
250+25.43 EUR
500+25.41 EUR
800+25.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 74A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+19.14 EUR
10+18.3 EUR
25+17.48 EUR
50+16.66 EUR
100+15.86 EUR
250+15.07 EUR
500+14.29 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 74A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0032120K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 1.2 kV, 0.032 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 551 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120KWolfspeedSiC MOSFETs 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
auf Bestellung 835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.21 EUR
10+27.47 EUR
120+23.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 71230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+32.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+49.61 EUR
10+43.79 EUR
25+38.76 EUR
50+36.44 EUR
100+31.9 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+49.61 EUR
10+43.79 EUR
25+38.76 EUR
50+36.44 EUR
100+31.9 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+37.2 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 103530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+35.34 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 63A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 11.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3357 pF @ 1000 V
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+57.41 EUR
30+46.63 EUR
120+44.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+37.2 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+37.2 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0032120K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 32m ohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
auf Bestellung 431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.21 EUR
10+27.47 EUR
120+23.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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C3M0040120DWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-247-3, Industrial
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1+43.37 EUR
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30+34.53 EUR
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270+31.54 EUR
510+30.25 EUR
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C3M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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C3M0040120DWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.94 EUR
30+16.01 EUR
120+13.84 EUR
510+13.17 EUR
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C3M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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C3M0040120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0040120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 15 Stücke:
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C3M0040120D
Produktcode: 198825
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C3M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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C3M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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30+24.35 EUR
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C3M0040120D-MVFWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
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C3M0040120J1WolfspeedSiC, MOSFET, 40mΩ, 1200V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
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Mindestbestellmenge: 50
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C3M0040120J1WolfspeedSiC, MOSFET, 40mΩ, 1200V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
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C3M0040120J1Wolfspeed, Inc.Description: 1200V 40 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
auf Bestellung 251 Stücke:
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1+46.27 EUR
50+27.48 EUR
100+26.97 EUR
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C3M0040120J1WolfspeedSiC, MOSFET, 40mΩ, 1200V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
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C3M0040120J1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL, Industrial
auf Bestellung 853 Stücke:
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1+44.42 EUR
10+27.47 EUR
100+27.28 EUR
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C3M0040120J1-TRWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40 M SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
auf Bestellung 800 Stücke:
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800+25.77 EUR
Mindestbestellmenge: 800
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C3M0040120J1-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial
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1+44.21 EUR
10+39.28 EUR
25+36.64 EUR
50+35.5 EUR
100+34.36 EUR
250+32.07 EUR
500+29.5 EUR
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C3M0040120J1-TRWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40 M SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
auf Bestellung 1382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+45.83 EUR
10+33.47 EUR
100+28.34 EUR
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C3M0040120J1-TRWolfspeedSiC, MOSFET, 40m, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial, Gen 3
auf Bestellung 50 Stücke:
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5+35.51 EUR
10+31.06 EUR
25+28.32 EUR
50+24.61 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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C3M0040120J2-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
auf Bestellung 552 Stücke:
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1+24.59 EUR
10+21.65 EUR
100+18.73 EUR
250+18.15 EUR
800+18.13 EUR
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C3M0040120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 8-Pin(7+Tab) TO-263
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8+18.15 EUR
10+17.37 EUR
25+16.61 EUR
50+15.85 EUR
100+15.1 EUR
250+14.35 EUR
500+13.62 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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C3M0040120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 800 Stücke:
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8+18.15 EUR
10+17.37 EUR
25+16.61 EUR
50+15.85 EUR
100+15.1 EUR
250+14.35 EUR
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Mindestbestellmenge: 8
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C3M0040120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 8-Pin(7+Tab) TO-263
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C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 390 Stücke:
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30+25.2 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 152800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+32.96 EUR
10+29.03 EUR
25+25.98 EUR
50+24.51 EUR
100+19.6 EUR
1000+18.62 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 152800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+32.96 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0040120KWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
auf Bestellung 1791 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+45.48 EUR
30+29.43 EUR
120+28.13 EUR
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C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+25.2 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 42750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+25.2 EUR
1800+24.14 EUR
4500+23.01 EUR
9000+21.9 EUR
18000+20.81 EUR
Mindestbestellmenge: 450
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C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+30.15 EUR
10+26.98 EUR
25+24.45 EUR
50+23.13 EUR
100+19.01 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0040120KWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-247-4, Industrial
auf Bestellung 1013 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.59 EUR
10+25.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 42750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+25.2 EUR
1800+24.14 EUR
4500+23.01 EUR
9000+21.9 EUR
18000+20.81 EUR
Mindestbestellmenge: 450
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+30.15 EUR
10+26.98 EUR
25+24.45 EUR
50+23.13 EUR
100+19.01 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 199626 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+23.56 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0040120KWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+38.54 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0040120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+18.37 EUR
10+17.58 EUR
25+16.8 EUR
50+16.03 EUR
100+15.27 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0040120K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.34 EUR
10+19.61 EUR
120+16.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0040120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 4-Pin(4+Tab) TO-247
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0040120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+18.37 EUR
10+17.58 EUR
25+16.8 EUR
50+16.03 EUR
100+15.27 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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C3M0045065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045065DWolfspeedSiC MOSFETs 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET
auf Bestellung 1063 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.13 EUR
10+12.76 EUR
120+10.95 EUR
510+10.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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C3M0045065DWolfspeed, Inc.Description: GEN 3 650V 45 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 600 V
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.88 EUR
30+21.15 EUR
120+19.46 EUR
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C3M0045065J1WolfspeedSiC, MOSFET 45mΩ, 650V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+15.48 EUR
100+14.42 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045065J1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial
auf Bestellung 635 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.13 EUR
10+12.02 EUR
100+11.16 EUR
500+10.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045065J1Wolfspeed, Inc.Description: 650V 45 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.16 EUR
50+12.08 EUR
100+11.2 EUR
500+10.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045065J1WolfspeedSiC, MOSFET 45mΩ, 650V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
Produkt ist nicht verfügbar
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C3M0045065J1-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET 45M, 650V TO-263-7XL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045065J1-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET 45M, 650V TO-263-7XL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
auf Bestellung 678 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.27 EUR
10+24.56 EUR
100+19.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045065J1-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, T&R, Industrial
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.95 EUR
10+24.48 EUR
100+20.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+9.13 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045065KWolfspeed, Inc.Description: GEN 3 650V 49A SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045065KWolfspeedSiC MOSFETs 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET
auf Bestellung 2652 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.13 EUR
10+12.76 EUR
120+10.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+9.13 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045065LWolfspeedMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045065L-M-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 45M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
auf Bestellung 613 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.69 EUR
10+21.86 EUR
100+16.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045065L-M-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 45M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 45M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+10.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 45M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
auf Bestellung 2496 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.01 EUR
10+14.69 EUR
100+12.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045065L-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 45mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial
auf Bestellung 1806 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.14 EUR
10+10.42 EUR
100+8.52 EUR
1000+7.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 42A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045075K1Wolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 750V 42A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): -8V, +19V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1606 pF @ 500 V
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.16 EUR
30+12.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045075K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 45mohm, 750V, TO-247-4 LP, Industrial
auf Bestellung 423 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.02 EUR
10+13.82 EUR
120+12.23 EUR
510+11.7 EUR
1020+10.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 42A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+14.03 EUR
25+13.41 EUR
50+12.79 EUR
100+12.19 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 42A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+14.03 EUR
25+13.41 EUR
50+12.79 EUR
100+12.19 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 4950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+7.65 EUR
4500+7.36 EUR
Mindestbestellmenge: 450
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 911 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+9.71 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+12.24 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 543 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+11.4 EUR
16+8.94 EUR
50+8.54 EUR
100+7.68 EUR
200+7.11 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+12.24 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 4950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+7.65 EUR
4500+7.36 EUR
Mindestbestellmenge: 450
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065DWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TO-247-3, Industrial
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+9.71 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 36A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V
auf Bestellung 2638 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.24 EUR
50+7.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065JWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TO-263-7, Industrial
auf Bestellung 1168 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.83 EUR
10+10 EUR
100+9.24 EUR
500+8.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
auf Bestellung 3990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+12.07 EUR
13+11.22 EUR
50+8.62 EUR
100+8.27 EUR
200+7.92 EUR
1000+6.9 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
auf Bestellung 542 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.37 EUR
100+3.21 EUR
250+3.06 EUR
500+2.91 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.49 EUR
100+3.34 EUR
250+3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 60M, 650V, TO-263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065J-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60m ohm, 650V, TO-263-7 T&R, Industrial
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 60M, 650V, TO-263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V
auf Bestellung 635 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.76 EUR
10+11.6 EUR
100+9.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 37A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V
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C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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C3M0060065KWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60 mohm, 650V, TO-247-4, Industrial
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10+10.65 EUR
120+9.06 EUR
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C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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25+9.16 EUR
100+7.64 EUR
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C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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C3M0060065LWolfspeedMOSFET
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C3M0060065L-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
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C3M0060065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 60M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 3.64mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 400 V
auf Bestellung 1156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.76 EUR
10+11.6 EUR
100+9.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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C3M0060065L-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
auf Bestellung 677 Stücke:
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8+19.14 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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C3M0060065L-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 60M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 3.64mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065L-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TOLL,T&R, Industrial
auf Bestellung 1193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.41 EUR
10+12.36 EUR
100+9.91 EUR
500+9.89 EUR
1000+8.66 EUR
2000+8.41 EUR
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C3M0060065UWolfspeedC3M0060065U
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C3M0060075K1Wolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 750V 35A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13.4A, 15V
Power Dissipation (Max): 126W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 3.67mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): -8V, +19V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1203 pF @ 500 V
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.76 EUR
30+10.01 EUR
120+8.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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C3M0060075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+7.38 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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C3M0060075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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C3M0060075K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60mohm, 750V, TO-247-4 LP, Industrial
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.16 EUR
10+10.54 EUR
120+9.06 EUR
510+8.41 EUR
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C3M0060075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+7.38 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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C3M0065090DWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
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C3M0065090DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0065090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 512 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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C3M0065090D
Produktcode: 182273
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns
Technology: C3M™; SiC
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Reverse recovery time: 30ns
Gate charge: 30.4nC
On-state resistance: 78mΩ
Power dissipation: 125W
Drain current: 36A
Drain-source voltage: 900V
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+19.89 EUR
5+17.25 EUR
10+15.3 EUR
30+12.96 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+13.91 EUR
12+11.84 EUR
50+11.38 EUR
100+10.65 EUR
200+10.18 EUR
1800+9.74 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
auf Bestellung 692 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.82 EUR
30+19.98 EUR
120+17.4 EUR
510+17.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+25.08 EUR
10+22.44 EUR
25+15.47 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+25.08 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 584 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+16.33 EUR
10+15.5 EUR
25+12.96 EUR
100+12.34 EUR
500+11.79 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
auf Bestellung 2488 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.63 EUR
50+19.47 EUR
100+18.2 EUR
500+17.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 584 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+16.33 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090JCREEN-MOSFET 900V 35A C3M0065090J Cree/Wolfspeed TC3M0065090J
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+48.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090JWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
auf Bestellung 14985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.7 EUR
10+25.84 EUR
25+25.78 EUR
50+20.06 EUR
100+19.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0065090J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+23.7 EUR
8+17.9 EUR
10+14.32 EUR
50+11.96 EUR
100+11.13 EUR
200+9.99 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090J
Produktcode: 148769
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
Power dissipation: 113W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.4nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 16ns
Technology: C3M™; SiC
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+16.83 EUR
10+15.99 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+22.85 EUR
8+19 EUR
10+16.84 EUR
50+15.94 EUR
100+12.36 EUR
200+11.65 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090J-TRWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
auf Bestellung 2403 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.1 EUR
10+27.54 EUR
25+27.16 EUR
50+26.42 EUR
100+24.2 EUR
250+23.83 EUR
500+22.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+17.01 EUR
10+14.31 EUR
25+13.7 EUR
100+12.02 EUR
250+11.47 EUR
500+10.92 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
auf Bestellung 638 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.63 EUR
10+23.41 EUR
100+21.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090J-TRWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Technology: C3M™; SiC
Case: D2PAK-7
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Reverse recovery time: 16ns
Gate charge: 30.4nC
On-state resistance: 78mΩ
Power dissipation: 113W
Drain current: 35A
Drain-source voltage: 900V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+17.01 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065100JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
auf Bestellung 1678 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.19 EUR
50+22.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1605 Stücke:
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6+25.47 EUR
10+22.12 EUR
25+20.81 EUR
50+19.52 EUR
100+16.67 EUR
500+14.77 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065100JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0065100J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1 kV, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.5W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 684 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+25.47 EUR
10+22.12 EUR
25+20.81 EUR
50+19.52 EUR
100+16.67 EUR
500+14.77 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065100JWolfspeedSiC MOSFETs 1000V 65mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
auf Bestellung 756 Stücke:
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25+26.63 EUR
50+23.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065100J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 35A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
auf Bestellung 592 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+38.16 EUR
10+27.56 EUR
100+22.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065100J-TRWolfspeedMOSFET 1000V 65mOhm G3 SiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065100J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 35A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065100J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065100KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0065100K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1 kV, 0.065 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.5W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (20-Jun-2016)
auf Bestellung 2289 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065100KMACOMMOSFET 1000V 65 mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
auf Bestellung 3289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.9 EUR
10+30.99 EUR
30+28.92 EUR
60+28.02 EUR
120+27.12 EUR
270+25.31 EUR
510+23.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 4218 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+35.83 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+29.65 EUR
10+25.93 EUR
25+22.4 EUR
50+19.55 EUR
100+16.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+29.65 EUR
10+25.93 EUR
25+22.4 EUR
50+19.55 EUR
100+16.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065100K
Produktcode: 126113
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1801 Stücke:
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5+29.57 EUR
10+25.87 EUR
25+22.35 EUR
50+19.51 EUR
100+16.27 EUR
1000+15.44 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1801 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+29.57 EUR
10+25.87 EUR
25+22.35 EUR
50+19.51 EUR
100+16.27 EUR
1000+15.44 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065100KWolfspeedSiC MOSFETs 1000V 65 mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
auf Bestellung 2106 Stücke:
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1+33.63 EUR
10+28.49 EUR
30+23.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 4218 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+29.57 EUR
10+25.87 EUR
25+22.35 EUR
50+19.51 EUR
100+16.27 EUR
1000+15.44 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+20.13 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065100KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 35A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
auf Bestellung 1863 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+38.98 EUR
30+24.82 EUR
120+22.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+29.33 EUR
10+25.61 EUR
30+22.09 EUR
60+19.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 4050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+8.7 EUR
Mindestbestellmenge: 450
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120DMACOMMOSFET 1.2kV 75mOHMS G3 SiC MOSFET
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.19 EUR
10+28.37 EUR
30+27.6 EUR
60+26.07 EUR
120+24.53 EUR
270+23.76 EUR
510+22.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 588 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+22.99 EUR
8+17.21 EUR
10+15.78 EUR
50+13 EUR
100+12.08 EUR
200+9.97 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.57 EUR
30+11.79 EUR
120+10.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 4050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+8.7 EUR
Mindestbestellmenge: 450
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0075120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+13.48 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120DWolfspeedSiC MOSFETs 1.2kV 75mOHMS G3 SiC MOSFET
auf Bestellung 789 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.19 EUR
10+28.37 EUR
30+27.6 EUR
60+26.07 EUR
120+24.53 EUR
270+23.76 EUR
510+22.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+25.85 EUR
7+20.38 EUR
10+18.7 EUR
50+16.06 EUR
100+14.32 EUR
200+13.25 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+13.48 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120D-AWolfspeed, Inc.Description: 75M 1200V 175C SIC FET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 1000 V
auf Bestellung 409 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.96 EUR
30+20.71 EUR
120+19.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120D-AWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-3, 175C capable, Industrial
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.08 EUR
10+29.09 EUR
30+26.05 EUR
60+25.27 EUR
120+23.74 EUR
270+23.37 EUR
510+21.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120D-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+10.38 EUR
25+9.19 EUR
100+8.76 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120D-AMACOMMOSFET SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-3, 175C capable, Industrial, Gen 3
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.19 EUR
10+28.37 EUR
30+27.6 EUR
60+26.07 EUR
120+24.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120D-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+10.38 EUR
25+9.19 EUR
100+8.76 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120D-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+11.7 EUR
50+11.23 EUR
100+10.76 EUR
200+9.22 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+17.1 EUR
100+15.73 EUR
250+15 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0075120J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 317 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120JWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7
auf Bestellung 3363 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.76 EUR
10+23.74 EUR
50+21 EUR
100+20.31 EUR
500+19.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 1140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+24.28 EUR
8+19.55 EUR
10+17.9 EUR
50+10.15 EUR
100+9.72 EUR
200+9.29 EUR
1000+7.97 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 1 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+8.7 EUR
2000+8.3 EUR
3000+7.91 EUR
5000+7.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
auf Bestellung 3568 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.57 EUR
50+11.09 EUR
100+10.27 EUR
500+9.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120JMACOMMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7
auf Bestellung 3558 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.83 EUR
10+25.04 EUR
25+24.9 EUR
50+24.5 EUR
100+22.12 EUR
250+22 EUR
500+20.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+8.7 EUR
2000+8.3 EUR
3000+7.91 EUR
5000+7.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+17.1 EUR
100+15.73 EUR
250+15 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.57 EUR
10+13.63 EUR
100+11.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120J-TRWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+8.75 EUR
25+8.3 EUR
50+7.85 EUR
100+7.42 EUR
250+6.99 EUR
500+6.57 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120J2-TRWolfspeed, Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 30A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120J2-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
auf Bestellung 762 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.87 EUR
10+18.3 EUR
100+15.84 EUR
250+15.35 EUR
800+15.33 EUR
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C3M0075120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+8.75 EUR
25+8.3 EUR
50+7.85 EUR
100+7.42 EUR
250+6.99 EUR
500+6.57 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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C3M0075120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120J2-TRWolfspeed, Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 30A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 1000 V
auf Bestellung 536 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.95 EUR
10+16.63 EUR
25+14.72 EUR
100+12.57 EUR
250+12.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120KMACOMMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.86 EUR
10+28.95 EUR
60+25.04 EUR
270+22.25 EUR
510+21.47 EUR
1020+20.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+11.24 EUR
50+10.79 EUR
100+10.33 EUR
200+8.74 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+10.92 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 624 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+7.17 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+14.2 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+13.65 EUR
13+10.44 EUR
25+9.23 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+27.92 EUR
10+25.82 EUR
25+23.36 EUR
60+20.83 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+7.17 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
auf Bestellung 547 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.84 EUR
30+12.62 EUR
120+10.81 EUR
510+9.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120KWolfspeedSiC MOSFETs SIC MOSFET 1200V 75 mOhm
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.44 EUR
10+9.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+14.2 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 214200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+8.83 EUR
4500+8.43 EUR
9000+8.04 EUR
18000+7.65 EUR
45000+7.27 EUR
99000+6.9 EUR
Mindestbestellmenge: 450
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+10.92 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0075120K - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 30.8A, 1.2kV, 0.075 Ohm, 15V, 2.5V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 4246 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 214200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+8.83 EUR
4500+8.43 EUR
9000+8.04 EUR
18000+7.65 EUR
45000+7.27 EUR
99000+6.9 EUR
Mindestbestellmenge: 450
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+10.84 EUR
25+9.6 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120K-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 406 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+11.4 EUR
50+10.95 EUR
100+10.49 EUR
200+9.13 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120K-AWolfspeed, Inc.Description: 75M 1200V 175C SIC FET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 1000 V
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.41 EUR
30+21.65 EUR
120+19.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120K-AMACOMMOSFET SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial, G3
auf Bestellung 880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.19 EUR
10+28.37 EUR
30+27.6 EUR
60+26.07 EUR
120+24.53 EUR
270+23.76 EUR
510+22.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120K-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+13.33 EUR
25+10.93 EUR
100+10.21 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120K-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120K-AWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial
auf Bestellung 738 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.08 EUR
10+6.97 EUR
120+6.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120K-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+13.33 EUR
25+10.93 EUR
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C3M0075120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247
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C3M0075120K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
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C3M0075120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247
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C3M0075120K1Wolfspeed, Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 32A TO247-4L
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 17.9A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 1000 V
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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C3M0075120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247
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C3M0120065D
Produktcode: 178862
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C3M0120065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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C3M0120065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 552 Stücke:
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C3M0120065DWolfspeed, Inc.Description: 650V 120M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+11.15 EUR
30+10.22 EUR
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270+9.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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C3M0120065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 552 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+5.04 EUR
30+4.66 EUR
31+4.3 EUR
50+4.12 EUR
100+3.6 EUR
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C3M0120065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 339 Stücke:
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14+10.84 EUR
15+9.33 EUR
25+8.1 EUR
50+7.72 EUR
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C3M0120065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 654 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+6.78 EUR
Mindestbestellmenge: 22
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C3M0120065DWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TO-247-3, Industrial
auf Bestellung 1475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+11.58 EUR
30+10.31 EUR
120+9.56 EUR
270+9.31 EUR
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C3M0120065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
auf Bestellung 201 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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19+7.32 EUR
25+7.01 EUR
50+6.66 EUR
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C3M0120065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
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C3M0120065JWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TO-263-7, Industrial
auf Bestellung 2564 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120065JWolfspeed, Inc.Description: 650V 120M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
auf Bestellung 1344 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.34 EUR
10+11.15 EUR
50+9.87 EUR
100+9.47 EUR
250+9.06 EUR
500+8.8 EUR
1000+8.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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C3M0120065J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 120M, 650V, TO-263-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
auf Bestellung 1570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.76 EUR
10+11.55 EUR
100+9.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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C3M0120065J-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TO-263-7 T&R, Industrial, Gen 3
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C3M0120065J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 120M, 650V, TO-263-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+7.45 EUR
Mindestbestellmenge: 800
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C3M0120065J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+11.99 EUR
14+10.37 EUR
25+9.43 EUR
50+8.98 EUR
100+7.11 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+7.8 EUR
900+6.46 EUR
1800+6.09 EUR
Mindestbestellmenge: 450
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120065KWolfspeed, Inc.Description: 650V 120M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.34 EUR
10+11.15 EUR
30+10.22 EUR
120+9.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120065KWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TO-247-4, Industrial
auf Bestellung 392 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.17 EUR
10+12.04 EUR
30+10.93 EUR
120+9.68 EUR
270+8.92 EUR
510+8.47 EUR
1020+8.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 120M, 650V, TOLL, I
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120065L-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TOLL,T&R, Industrial
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.41 EUR
10+11.49 EUR
25+10.42 EUR
100+9.57 EUR
250+9.01 EUR
500+8.45 EUR
1000+7.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 120M, 650V, TOLL, I
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.07 EUR
10+10.33 EUR
100+7.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+9.23 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090DCREEN-MOSFET 900V 23A C3M0120090D Cree/Wolfspeed TC3M0120090D
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+26.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0120090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 900 V, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 97W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+6.03 EUR
25+5.59 EUR
50+5.32 EUR
100+4.8 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 600 V
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.39 EUR
30+13.65 EUR
120+11.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+6.03 EUR
25+5.59 EUR
50+5.32 EUR
100+4.8 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090D
Produktcode: 165992
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Transistoren > MOSFET N-CH
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C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+13.95 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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C3M0120090DWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 120mOhm
auf Bestellung 641 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.46 EUR
10+16.35 EUR
30+14.52 EUR
120+14.04 EUR
270+12.81 EUR
510+12.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
auf Bestellung 4242 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.9 EUR
50+13.18 EUR
100+12.25 EUR
500+11.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 22A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17.3nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 24ns
Technology: C3M™; SiC
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+15.16 EUR
6+13.23 EUR
10+11.83 EUR
50+11.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+9.38 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090J
Produktcode: 126112
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Transistoren > MOSFET N-CH
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C3M0120090JWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 120 mOhm
auf Bestellung 1047 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.92 EUR
10+17.49 EUR
50+16.95 EUR
100+14.71 EUR
250+14.5 EUR
500+12.95 EUR
1000+12.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 802 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+10.3 EUR
15+9.6 EUR
25+9.16 EUR
50+7.41 EUR
100+7.08 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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C3M0120090JCREEN-MOSFET 900V 22A C3M0120090J-TR C3M0120090J Cree/Wolfspeed TC3M0120090J
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+26.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 802 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+10.3 EUR
15+9.6 EUR
25+9.16 EUR
50+7.41 EUR
100+7.08 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090J-TRWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET/ Reel 900V, 120 mOhm
auf Bestellung 2936 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.52 EUR
10+12.8 EUR
25+12.78 EUR
50+12.76 EUR
100+12.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
auf Bestellung 2756 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.85 EUR
10+14.46 EUR
100+11.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+11.67 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120100JWolfspeedSiC MOSFETs 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
auf Bestellung 338 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.32 EUR
10+24.15 EUR
25+23.5 EUR
50+22.11 EUR
100+20.8 EUR
250+20.15 EUR
500+18.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120100JMACOMMOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
auf Bestellung 385 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.8 EUR
10+21.86 EUR
25+21.68 EUR
50+21.33 EUR
100+18.87 EUR
250+18.71 EUR
500+17.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120100JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
auf Bestellung 1015 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.08 EUR
50+17.71 EUR
100+16.52 EUR
500+16.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
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C3M0120100J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 120M, 1000V, TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 600 V
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.11 EUR
10+20.5 EUR
25+18.26 EUR
100+16.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120100J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 120M, 1000V, TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120100KWolfspeedMOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.2 EUR
30+16.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120100KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 22A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
auf Bestellung 2524 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.87 EUR
30+15.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120100K
Produktcode: 178240
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120100KMACOMMOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.72 EUR
10+21.07 EUR
30+20.56 EUR
60+18.3 EUR
120+17.62 EUR
270+16.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120100KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0120100K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1 kV, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (20-Jun-2016)
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120DWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-3, Industrial
auf Bestellung 1328 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.17 EUR
10+8.06 EUR
120+6.79 EUR
510+5.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120DWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 35550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+8.81 EUR
8550+7.8 EUR
17100+7.03 EUR
25650+6.41 EUR
Mindestbestellmenge: 450
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+10.14 EUR
16+8.75 EUR
25+7.18 EUR
50+6.84 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
auf Bestellung 1440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.05 EUR
30+6.37 EUR
120+5.34 EUR
510+4.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 35100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+8.04 EUR
4500+7.68 EUR
Mindestbestellmenge: 450
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+7.73 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120D
Produktcode: 167206
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+10.14 EUR
16+8.75 EUR
25+7.18 EUR
50+6.84 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120DWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.13 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0160120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 97W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120DWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+8.43 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+13.56 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 35100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+7.58 EUR
1800+7.23 EUR
4500+6.97 EUR
9000+6.7 EUR
18000+6.43 EUR
Mindestbestellmenge: 450
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+8.91 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+12.14 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+12.14 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+8.91 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120JWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-263-7, Industrial
auf Bestellung 1090 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.75 EUR
10+7.52 EUR
100+6.92 EUR
500+5.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120JWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+12.15 EUR
100+9.82 EUR
250+9.43 EUR
500+8.04 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
auf Bestellung 1930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.8 EUR
50+7.55 EUR
100+6.95 EUR
500+5.89 EUR
1000+5.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 160M, 1200V, TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.47 EUR
10+13.52 EUR
100+10.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120J-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-263-7 T&R, Industrial, Gen 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 160M, 1200V, TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+12.01 EUR
25+11.49 EUR
50+10.97 EUR
100+10.46 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+12.01 EUR
25+11.49 EUR
50+10.97 EUR
100+10.46 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 160m ohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.71 EUR
10+14.41 EUR
120+12 EUR
510+10.68 EUR
1020+9.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0280090DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0280090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11.5 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0280090DWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 280mOhm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0280090DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 11.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
auf Bestellung 8306 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.54 EUR
30+6.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0280090D
Produktcode: 123313
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0280090JMACOMMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm
auf Bestellung 941 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.94 EUR
10+11.09 EUR
50+10.05 EUR
100+9.24 EUR
250+8.69 EUR
500+8.15 EUR
1000+7.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0280090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0280090JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
auf Bestellung 722 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.01 EUR
50+8.26 EUR
100+7.61 EUR
500+6.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0280090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+8.77 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0280090JCREEN-MOSFET 900V 11A C3M0280090J Cree/Wolfspeed TC3M0280090J
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+14.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0280090J
Produktcode: 118894
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0280090JWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm
auf Bestellung 941 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.94 EUR
10+11.09 EUR
50+10.05 EUR
100+9.24 EUR
250+8.69 EUR
500+8.15 EUR
1000+7.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0280090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 20ns
Technology: C3M™; SiC
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+23.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0280090JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0280090J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0280090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0280090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+8.77 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0280090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0280090J-TRWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET/ Reel 900V, 280 mOhm
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.1 EUR
10+7.81 EUR
25+7.8 EUR
100+7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0280090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
auf Bestellung 7019 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.4 EUR
10+10.55 EUR
100+7.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0280090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0280090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+6.9 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 3.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 1000 V
auf Bestellung 1090 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.3 EUR
30+6.49 EUR
120+5.44 EUR
510+4.66 EUR
1020+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120DWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 350mohm,1200V, TO-247-3, Industrial
auf Bestellung 5883 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.09 EUR
10+10.4 EUR
30+7.6 EUR
120+6.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.57 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120DMACOMMOSFET SiC, MOSFET, 350mohm,1200V, TO-247-3, Industrial, Gen 3
auf Bestellung 6110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.11 EUR
10+10.38 EUR
30+8.64 EUR
270+7.62 EUR
510+6.86 EUR
1020+6.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.57 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120JWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 350mohm,1200V, TO-263-7, Industrial
auf Bestellung 456 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.45 EUR
10+10.38 EUR
50+7.16 EUR
100+6.65 EUR
500+6.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 957 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+4.89 EUR
31+4.36 EUR
50+4.02 EUR
100+3.44 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 957 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+4.89 EUR
31+4.36 EUR
50+4.02 EUR
100+3.44 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 7.2A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 3.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 40.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 1000 V
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.3 EUR
50+6.06 EUR
100+5.55 EUR
500+4.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
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50+7.36 EUR
100+6.47 EUR
250+6.17 EUR
500+5.14 EUR
1000+4.49 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
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C3M0350120J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
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C3M0350120J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 350M,1200V, TO-263-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 3.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 40.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
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C3M0350120J-TRWolfspeedMOSFET Gen 3 1200V 350 mO SiC MOSFET, Tape and Reel
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
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800+6.59 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 350M,1200V, TO-263-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 3.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 40.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 1000 V
auf Bestellung 797 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.27 EUR
10+9.76 EUR
100+7.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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C3M0900170DWolfspeed SiC, MOSFET, 900m ohm, 1700V, TO-247-3, Industrial
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0900170DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 4.4A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 1.99A, 15V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 550µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +20V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 202 pF @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0900170J-TRWolfspeed SiC, MOSFET, 900mohm, 1700V, TO-263-7 T&R, Industrial
auf Bestellung 57 Stücke:
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1+8.98 EUR
10+5.95 EUR
100+5.05 EUR
500+4.49 EUR
800+3.84 EUR
2400+3.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0900170MWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0900170MWolfspeed SiC, MOSFET, 900m ohm, 1700V, TO-247-3PF, Industrial
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.9 EUR
10+6.25 EUR
30+4.42 EUR
120+3.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0900170MWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0900170MWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 900M, 1700V, TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 1.99A, 15V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 550µA
Supplier Device Package: TO-3PF-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +20V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 202 pF @ 1.2 kV
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.45 EUR
30+5.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M3000000000000NBAdvanced Energy / ExcelsysModular Power Supplies 3000W Fan cooled Standard CoolPac, Screw terminal, Normal leakage, 6 slots, 5V Aux , must be used with CoolX Mod
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M580000L002ABRACONAbracon
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