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Insulated Stud Cover - Negative - Black, Bulk

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ISC-10BK-S

INSULATED STUD COVER 8MM SLEEVE BLK

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ISC-10R

INSULATED STUD COVER POS RED

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ISC-1112

Media Converters Industrial 1 xRS-232 to 1 xRS-422/485 Serial Convertor

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

ISC-1112-I

Media Converters 1-port RS-232 to 1-port RS-422/485, 3KV isolation

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ISC-1112-I

ORing Networking

Description: INDUSTRIAL 1X RS232 TO 1XRS422/4

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ISC-1210

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ISC-1210 100uH 5%

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ISC-1210-68UH-5R98

2001 SMD

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ISC-1210U-I

Media Converters 1-port USB to 1-port RS-422/485, 2KV isolation

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ISC-1212-I

IEI

Media Converters Industrial RS422/485 repeater with 2k

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

1+	324.48 EUR

ISC-1310FB-MM-SC

Media Converters 1-port RS-232/422/485 to Fiber, MM 2km

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ISC-1310FB-SS-SC

Media Converters 1-port RS-232/422/485 to Fiber, SM 30km

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ISC-1310FR-MM-SC

Media Converters Industrial 1x RS-232/422/485 to Fiber (Multimode SC type) Convertor

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ISC-1310FR-MM-ST

Media Converters Industrial 1x RS-232/422/485 to Fiber (Multimode ST type) Convertor

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ISC-1310FR-SS-SC

Media Converters Industrial 1x RS-232/422/485 to Fiber (Single Mode SC type) Convertor

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ISC-1310FR-SS-ST

Media Converters Industrial 1x RS-232/422/485 to Fiber (Single Mode ST type) Convertor

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ISC-1310FW-SS-SC-L

Media Converters Industrial 1x RS-232/422/485 to WDM Fiber (Multimode SC type) Convertor

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ISC-1310FW-SS-SC-R

Media Converters Industrial 1x RS-232/422/485 to WDM Fiber (Single Mode SC type) Convertor

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ISC-1310U-I

Media Converters 1-port USB to 1-port RS-232/422/485, 2KV isolation

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ISC-1812

auf Bestellung 1700 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ISC-1812 100 10% ESE3

Vishay

Inductor RF Chip Shielded/Molded Wirewound 100uH 10% 796KHz 40Q-Factor Ferrite 0.147A 3.25Ohm DCR 1812 T/R

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ISC-1812 100 10% ESE3

Vishay

Inductor RF Chip Shielded/Molded Wirewound 100uH 10% 796KHz 40Q-Factor Ferrite 0.147A 3.25Ohm DCR 1812 T/R

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ISC-1812 82 5% TR-2000

auf Bestellung 72000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ISC-1812-07

auf Bestellung 4500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ISC-1812-07 1.5 5% R73

auf Bestellung 326000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ISC-1812-07 R73

auf Bestellung 121500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ISC-1812-071R5J

4532(1812)

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ISC-1812-071R5J

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ISC-1812-0747R0J

4532(1812)

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ISC-1812-0747R0J

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ISC-1812-151J

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ISC-1812-1R2

auf Bestellung 33195 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ISC-1812-1R5J

2005+

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ISC-1812-1R8

auf Bestellung 8280 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ISC-1812-1UH

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ISC-1812-2R7K

auf Bestellung 7000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ISC-1812-3R9

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ISC-1812-4.7UH

auf Bestellung 17600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ISC-1812-47UH

02+

auf Bestellung 1888 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ISC-1812-5R6

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ISC-1812-82-J

auf Bestellung 36000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ISC-1812-82-J

4532(1812)

auf Bestellung 72000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ISC-1812-R33

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ISC-1812-R82

auf Bestellung 9690 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ISC-181210UH 10%R13

auf Bestellung 2612 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ISC-181210UH10%R13

auf Bestellung 1306 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ISC-18121UH10%

00+

auf Bestellung 1010 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ISC-1812825%TR-2000

auf Bestellung 36000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ISC-2425-25+

Mini-Circuits

Function Generators & Synthesisers Signal Generator and Controller for 2.4-2.5 GHz ISM RF Energy

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

1+	4760.18 EUR

ISC-256

Mounting Fixings ISC-256 DBL ENDED NUT

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ISC-4110U

Media Converters Slim size 1 ports USB2.0 to 4 port RS-232 Serial Convertor

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ISC-440

Mounting Fixings ISC-440 DBL ENDED NUT

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

42+	1.25 EUR
44+	1.18 EUR
55+	0.95 EUR
100+	0.91 EUR
250+	0.83 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 42

ISC-6-2

INSULATED STUD COVER DUAL NEG BLK

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ISC-632

Mounting Fixings ISC-632 DBL ENDED NUT

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

27+	1.93 EUR
39+	1.37 EUR
100+	1.1 EUR
500+	1.03 EUR
1000+	0.88 EUR
10000+	0.84 EUR
25000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 27

ISC-8110U

Thales Visionix - a Division of Thales Defense & Security, Inc.

Media Converters Silm size 1 ports USB2.0 to 8 ports RS-232 Serial Convertor

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ISC-832

Mounting Fixings ISC-832 DBL ENDED NUT

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ISC-IC400-000E

Description: INERTIACUBE4 SENSOR 3-DOF
Packaging: Box
Package / Case: Module
Output Type: RS-232
Mounting Type: Chassis Mount
Sensor Type: Accelerometer, Gyroscope, Magnetometer, 9 Axis
Supplier Device Package: 3-DOF

auf Bestellung 27 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	1690 EUR

ISC-IC400-000K

Thales Visionix - a Division of Thales Defense & Security, Inc.

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ISC-IC400-000U

Thales Visionix - a Division of Thales Defense & Security, Inc.

auf Bestellung 23 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	1560.55 EUR

ISC-IC400-0USB

Thales Visionix - a Division of Thales Defense & Security, Inc.

Description: INERTIACUBE4 SENSOR 3-DOF
Packaging: Box
Package / Case: Module
Output Type: USB
Mounting Type: Chassis Mount
Sensor Type: Accelerometer, Gyroscope, Magnetometer, 9 Axis
Supplier Device Package: 3-DOF

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ISC-IDC-6

Description: OMEGA - ISC-IDC-6 - Signalwandler, Strom, Strom, Spannung, 2 Kanäle, 0.3 %, ± 0.3%, 24 VDC
Versorgungsspannung: 24
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
Signalaufbereitereingang: Strom
Signalaufbereitermontage: DIN-Schienenmontage
Anzahl der Ausgangskanäle: 2
Signalaufbereiterausgang: Strom, Spannung
Isolationseingang: Isoliert
Produktpalette: ISC Series
Genauigkeit %: 0.3
Ausgangsgenauigkeit: ± 0.3%
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

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ISC-M3

Mounting Fixings ISC-M3 DBL ENDED NUT

auf Bestellung 198 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

34+	1.55 EUR
48+	1.09 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.82 EUR
1000+	0.7 EUR
10000+	0.67 EUR
25000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 34

ISC-M4

Mounting Fixings ISC-M4 DBL ENDED NUT

auf Bestellung 380 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

26+	2.03 EUR
35+	1.51 EUR
100+	1.19 EUR
1000+	1.01 EUR
10000+	0.97 EUR
25000+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 26

ISC-M5

Mounting Fixings ISC-M5 DBL ENDED NUT

auf Bestellung 780 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

24+	2.2 EUR
32+	1.64 EUR
100+	1.29 EUR
1000+	1.1 EUR
10000+	1.06 EUR
25000+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 24

ISC-M6

Mounting Fixings ISC-M6 DBL ENDED NUT

auf Bestellung 728 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

18+	2.94 EUR
24+	2.19 EUR
100+	1.81 EUR
500+	1.53 EUR
2500+	1.52 EUR
5000+	1.47 EUR
10000+	1.41 EUR

Mindestbestellmenge: 18

ISC-P-6

Description: OMEGA - ISC-P-6 - Signalwandler, Strom, Spannung, Strom, Spannung, 2 Kanäle, 0.2 %, ± 0.2%, 24 VDC
Versorgungsspannung: 24
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
Signalaufbereitereingang: Strom, Spannung
Signalaufbereitermontage: DIN-Schienenmontage
Anzahl der Ausgangskanäle: 2
Signalaufbereiterausgang: Strom, Spannung
Isolationseingang: Isoliert
Produktpalette: ISC Series
Genauigkeit %: 0.2
Ausgangsgenauigkeit: ± 0.2%
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

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ISC-TJ-6

Description: OMEGA - ISC-TJ-6 - Signalwandler, Thermoelement, Strom, Spannung, 2 Kanäle, 0.3 %, ± 0.3%, 24 VDC
Versorgungsspannung: 24
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
Signalaufbereitereingang: Thermoelement
Signalaufbereitermontage: DIN-Schienenmontage
Anzahl der Ausgangskanäle: 2
Signalaufbereiterausgang: Strom, Spannung
Isolationseingang: Isoliert
Produktpalette: ISC Series
Genauigkeit %: 0.3
Ausgangsgenauigkeit: ± 0.3%
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

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ISC-VAC-6

Description: OMEGA - ISC-VAC-6 - Signalwandler, Spannung, Strom, Spannung, 2 Kanäle, 0.3 %, ± 0.3%, 24 VDC
Versorgungsspannung: 24
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
Signalaufbereitereingang: Spannung
Signalaufbereitermontage: DIN-Schienenmontage
Anzahl der Ausgangskanäle: 2
Signalaufbereiterausgang: Strom, Spannung
Isolationseingang: Isoliert
Produktpalette: ISC Series
Genauigkeit %: 0.3
Ausgangsgenauigkeit: ± 0.3%
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

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ISC-VDC-6

Description: OMEGA - ISC-VDC-6 - Signalwandler, Spannung, Strom, Spannung, 2 Kanäle, 0.3 %, ± 0.3%, 24 VDC
Versorgungsspannung: 24
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
Signalaufbereitereingang: Spannung
Signalaufbereitermontage: DIN-Schienenmontage
Anzahl der Ausgangskanäle: 2
Signalaufbereiterausgang: Strom, Spannung
Isolationseingang: Isoliert
Produktpalette: ISC Series
Genauigkeit %: 0.3
Ausgangsgenauigkeit: ± 0.3%
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

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ISC007N04NM6ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

auf Bestellung 3167 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	7.75 EUR
10+	6.5 EUR
25+	6.42 EUR
100+	5.28 EUR
250+	5.25 EUR
500+	4.68 EUR
1000+	3.77 EUR

Mindestbestellmenge: 7

ISC007N04NM6ATMA1

N-Channel MOSFET

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ISC007N04NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC007N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 381 A, 0.0006 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 381A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 4858 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC007N04NM6ATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 381A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.05mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V

auf Bestellung 4488 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	7.59 EUR
10+	6.38 EUR
100+	5.16 EUR
500+	4.59 EUR
1000+	3.93 EUR
2000+	3.7 EUR

Mindestbestellmenge: 4

ISC007N04NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC007N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 381 A, 0.0006 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 381A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 600µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 4858 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC007N04NM6ATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 381A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.05mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V

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ISC009N06LM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 41A/348A TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 348A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

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ISC009N06LM5ATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 12729 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	12.04 EUR
10+	10.84 EUR
25+	9.52 EUR
100+	8.87 EUR
250+	8.22 EUR
500+	7.57 EUR
1000+	6.27 EUR

Mindestbestellmenge: 5

ISC009N06LM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 41A/348A TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 348A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

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ISC009N06LM5ATMA1

SP005400730

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC010N04NM6ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

auf Bestellung 1329 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

10+	5.54 EUR
12+	4.6 EUR
100+	3.67 EUR
500+	3.12 EUR
1000+	2.6 EUR
2500+	2.46 EUR
5000+	2.37 EUR

Mindestbestellmenge: 10

ISC010N04NM6ATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 285A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 747µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

ISC010N04NM6ATMA1

N-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

ISC010N04NM6ATMA1

N-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

ISC010N04NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC010N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 285 A, 0.00082 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 285A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 820µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 7100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC010N04NM6ATMA1

N-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

ISC010N04NM6ATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 285A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 747µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 20 V

auf Bestellung 2863 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	5.56 EUR
10+	4.63 EUR
100+	3.69 EUR
500+	3.12 EUR
1000+	2.65 EUR
2000+	2.52 EUR

Mindestbestellmenge: 5

ISC010N04NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC010N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 285 A, 0.00082 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 285A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 7100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC010N06NM5

ISC010N06NM5

Produkt ist nicht verfügbar

ISC010N06NM5

Description: INFINEON - ISC010N06NM5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 A, 0.00087 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 870µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 4818 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC010N06NM5

auf Bestellung 4818 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC010N06NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 39A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ISC010N06NM5ATMA1

Description: OPTIMOS5 60 V POWER MOSFET IN SU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

auf Bestellung 3565 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	9.26 EUR
10+	7.79 EUR
100+	6.3 EUR
500+	5.6 EUR
1000+	4.8 EUR
2000+	4.52 EUR

Mindestbestellmenge: 3

ISC010N06NM5ATMA1

Description: OPTIMOS5 60 V POWER MOSFET IN SU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

ISC010N06NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 39A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ISC010N06NM5ATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 3804 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	9.36 EUR
10+	7.85 EUR
25+	7.44 EUR
100+	6.37 EUR
250+	6.01 EUR
500+	5.67 EUR
1000+	4.84 EUR

Mindestbestellmenge: 6

ISC011N03L5SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 9500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

74+	2.12 EUR
91+	1.66 EUR
94+	1.56 EUR
114+	1.22 EUR
250+	1.15 EUR
500+	0.96 EUR
1000+	0.69 EUR
3000+	0.67 EUR
6000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 74

ISC011N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	1.31 EUR
10000+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

ISC011N03L5SATMA1

Description: INFINEON - ISC011N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 4169 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC011N03L5SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 355000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

ISC011N03L5SATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

16+	3.33 EUR
20+	2.63 EUR
100+	2.11 EUR
500+	1.83 EUR
1000+	1.38 EUR
2500+	1.35 EUR
5000+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 16

ISC011N03L5SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ISC011N03L5SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC011N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V

auf Bestellung 14922 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.33 EUR
10+	2.73 EUR
100+	2.12 EUR
500+	1.8 EUR
1000+	1.47 EUR
2000+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 8

ISC011N03L5SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 4990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

72+	2.17 EUR
74+	2.06 EUR
100+	1.62 EUR
200+	1.46 EUR
500+	1.27 EUR
1000+	0.9 EUR
2000+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 72

ISC011N03L5SATMA1

Description: INFINEON - ISC011N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 96W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 900µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 4169 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC011N03L5SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 9500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

91+	1.72 EUR
94+	1.62 EUR
114+	1.27 EUR
250+	1.2 EUR
500+	1 EUR
1000+	0.72 EUR
3000+	0.67 EUR
6000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 91

ISC011N06LM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC011N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 288 A, 0.00085 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 288A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00085ohm

auf Bestellung 4826 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC011N06LM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ISC011N06LM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC011N06LM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 288A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 116µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-17
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

auf Bestellung 5063 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	8.94 EUR
10+	7.49 EUR
100+	6.06 EUR
500+	5.39 EUR
1000+	4.61 EUR
2000+	4.34 EUR

Mindestbestellmenge: 3

ISC011N06LM5ATMA1

auf Bestellung 4826 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC011N06LM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ISC011N06LM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 288A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 116µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-17
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	4.17 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

ISC011N06LM5ATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 1089 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	9 EUR
10+	7.57 EUR
25+	7.44 EUR
100+	6.11 EUR
250+	5.93 EUR
500+	5.54 EUR
1000+	4.65 EUR

Mindestbestellmenge: 6

ISC012N04LM6ATMA1

N Channel Power Mosfet

Produkt ist nicht verfügbar

ISC012N04LM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC012N04LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 238 A, 0.001 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 238A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 6603 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC012N04LM6ATMA1

N Channel Power Mosfet

Produkt ist nicht verfügbar

ISC012N04LM6ATMA1

Description: TRENCH <= 40V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 238A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V

auf Bestellung 11309 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	6.08 EUR
10+	5.05 EUR
100+	4.02 EUR
500+	3.4 EUR
1000+	2.89 EUR
2000+	2.74 EUR

Mindestbestellmenge: 5

ISC012N04LM6ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

auf Bestellung 2428 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

9+	6.11 EUR
11+	5.1 EUR
100+	4.06 EUR
250+	3.98 EUR
500+	3.43 EUR
1000+	2.78 EUR
5000+	2.68 EUR

Mindestbestellmenge: 9

ISC012N04LM6ATMA1

auf Bestellung 6603 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC012N04LM6ATMA1

N Channel Power Mosfet

Produkt ist nicht verfügbar

ISC012N04LM6ATMA1

Description: TRENCH <= 40V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 238A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	2.64 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

ISC012N04NM6ATMA1

Description: TRENCH <= 40V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 232A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 747µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	2.33 EUR
10000+	2.25 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

ISC012N04NM6ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 323-337 Tag (e)

10+	5.41 EUR
12+	4.5 EUR
100+	3.59 EUR
250+	3.43 EUR
500+	3.02 EUR
1000+	2.51 EUR
2500+	2.44 EUR

Mindestbestellmenge: 10

ISC012N04NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 4727 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

46+	3.41 EUR
52+	2.94 EUR
100+	2.59 EUR
200+	2.47 EUR
500+	2.1 EUR
1000+	1.85 EUR
2000+	1.61 EUR

Mindestbestellmenge: 46

ISC012N04NM6ATMA1

N-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

ISC012N04NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC012N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 232 A, 0.001 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 232A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 510 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC012N04NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 95000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	1.89 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

ISC012N04NM6ATMA1

Description: TRENCH <= 40V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 232A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 747µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V

auf Bestellung 13888 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	5.36 EUR
10+	4.46 EUR
100+	3.55 EUR
500+	3 EUR
1000+	2.55 EUR
2000+	2.42 EUR

Mindestbestellmenge: 5

ISC012N04NM6ATMA1

auf Bestellung 510 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC012N04NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ISC015N04NM5ATMA1

N-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

ISC015N04NM5ATMA1

Description: 40V 1.5M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 206A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	1.79 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

ISC015N04NM5ATMA1

ISC015N04NM5ATMA1

Produkt ist nicht verfügbar

ISC015N04NM5ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

auf Bestellung 8826 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

13+	4.13 EUR
16+	3.43 EUR
100+	2.73 EUR
250+	2.51 EUR
500+	2.3 EUR
1000+	1.97 EUR
2500+	1.87 EUR

Mindestbestellmenge: 13

ISC015N04NM5ATMA1

Description: 40V 1.5M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 206A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V

auf Bestellung 5519 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	4.13 EUR
10+	3.42 EUR
100+	2.72 EUR
500+	2.3 EUR
1000+	1.96 EUR
2000+	1.86 EUR

Mindestbestellmenge: 7

ISC015N04NM5ATMA1

N-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

ISC015N06NM5LF2ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 275A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.45V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

ISC015N06NM5LF2ATMA1

MOSFET

auf Bestellung 4930 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	8.48 EUR
10+	7.1 EUR
25+	6.73 EUR
100+	5.75 EUR
250+	5.43 EUR
500+	5.12 EUR
1000+	4.37 EUR

Mindestbestellmenge: 7

ISC015N06NM5LF2ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 275A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.45V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

ISC015N06NM5LFATMA1

Description: OPTIMOSTM5LINEARFET60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 275A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.45V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

ISC015N06NM5LFATMA1

Description: OPTIMOSTM5LINEARFET60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 275A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.45V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

ISC017N04NM5ATMA1

40V MOSFET Power-Transistor

Produkt ist nicht verfügbar

ISC017N04NM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 193A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 193A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	4.26 EUR
10+	3.54 EUR
100+	2.82 EUR
500+	2.39 EUR
1000+	2.03 EUR
2000+	1.92 EUR

Mindestbestellmenge: 7

ISC017N04NM5ATMA1

40V MOSFET Power-Transistor

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC017N04NM5ATMA1

40V MOSFET Power-Transistor

Produkt ist nicht verfügbar

ISC017N04NM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 193A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 193A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	1.85 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

ISC017N04NM5ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

auf Bestellung 4865 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

13+	4.19 EUR
16+	3.46 EUR
100+	2.78 EUR
250+	2.56 EUR
500+	2.32 EUR
1000+	1.89 EUR
2500+	1.88 EUR

Mindestbestellmenge: 13

ISC019N03L5SATMA1

Description: INFINEON - ISC019N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 5460 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC019N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	0.88 EUR
10000+	0.84 EUR
25000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

ISC019N03L5SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ISC019N03L5SATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

auf Bestellung 4953 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

22+	2.37 EUR
25+	2.12 EUR
100+	1.66 EUR
500+	1.37 EUR
1000+	1.01 EUR
5000+	0.96 EUR
10000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 22

ISC019N03L5SATMA1

auf Bestellung 5460 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC019N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

auf Bestellung 26049 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.21 EUR
15+	1.82 EUR
100+	1.41 EUR
500+	1.2 EUR
1000+	0.98 EUR
2000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 12

ISC019N03L5SATMA1

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ISC019N03L5SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ISC019N04NM5ATMA1

SP005352244

Produkt ist nicht verfügbar

ISC019N04NM5ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

auf Bestellung 4994 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.85 EUR
16+	3.43 EUR
100+	2.76 EUR
500+	2.27 EUR
1000+	1.88 EUR
2500+	1.75 EUR
5000+	1.68 EUR

Mindestbestellmenge: 14

ISC019N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC019N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 170 A, 0.0015 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 6474 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC019N04NM5ATMA1

Description: 40V 1.9M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	1.64 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

ISC019N04NM5ATMA1

SP005352244

Produkt ist nicht verfügbar

ISC019N04NM5ATMA1

SP005352244

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC019N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC019N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 170 A, 0.0015 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 6474 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC019N04NM5ATMA1

Description: 40V 1.9M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

auf Bestellung 12428 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.77 EUR
10+	3.14 EUR
100+	2.5 EUR
500+	2.11 EUR
1000+	1.79 EUR
2000+	1.7 EUR

Mindestbestellmenge: 7

ISC01P

NKK Switches

Description: DISPLAY OLED 52RGB X 36
Packaging: Box
Display Type: OLED - Passive Matrix
Backlight: Without Backlight
Interface: SPI
Viewing Area: 12.90mm W x 9.90mm H
Dot Pixels: 52 x 36
Graphics Color: Red, Green, Blue (RGB)
Part Status: Active

auf Bestellung 119 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	126.52 EUR
100+	98.69 EUR

ISC01P

NKK Switches

OLED Displays & Accessories OLED SmartDisplay 52 X 36 full color

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

1+	197.29 EUR
10+	169.47 EUR
100+	162.99 EUR

ISC01P-104G

NKK Switches

SWITCH

Produkt ist nicht verfügbar

ISC022N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC022N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 230 A, 0.0018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm

auf Bestellung 2890 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC022N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

ISC022N10NM6ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

auf Bestellung 5303 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	10.17 EUR
10+	8.66 EUR
100+	7.49 EUR
500+	6.76 EUR
1000+	5.46 EUR
5000+	5.43 EUR

Mindestbestellmenge: 6

ISC022N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC022N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 230 A, 0.0018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 254W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm

auf Bestellung 2890 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC022N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 50 V

auf Bestellung 4402 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	11.13 EUR
10+	9.34 EUR
100+	7.55 EUR
500+	6.71 EUR
1000+	5.75 EUR
2000+	5.41 EUR

Mindestbestellmenge: 3

ISC022N10NM6ATMA1

SP005339558

auf Bestellung 5010 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC025N08NM5LF2ATMA1

Description: OPTIMOSTM5LINEARFET80V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

ISC025N08NM5LF2ATMA1

ISC025N08NM5LF2ATMA1

Produkt ist nicht verfügbar

ISC025N08NM5LF2ATMA1

Description: OPTIMOSTM5LINEARFET80V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

ISC025N08NM5LF2ATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 4990 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	9.15 EUR
10+	7.7 EUR
25+	7.25 EUR
100+	6.21 EUR
250+	5.88 EUR
500+	5.54 EUR
1000+	4.73 EUR

Mindestbestellmenge: 6

ISC025N08NM5LFATMA1

Description: OPTIMOSTM5LINEARFET80V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

ISC025N08NM5LFATMA1

TRENCH 40<-<100V

Produkt ist nicht verfügbar

ISC025N08NM5LFATMA1

Description: OPTIMOSTM5LINEARFET80V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

ISC026N03L5SATMA1

Description: INFINEON - ISC026N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0022 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 4980 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC026N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

auf Bestellung 23898 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.29 EUR
14+	1.99 EUR
100+	1.38 EUR
500+	1.15 EUR
1000+	0.98 EUR
2000+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 12

ISC026N03L5SATMA1

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ISC026N03L5SATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

auf Bestellung 4841 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

24+	2.25 EUR
29+	1.84 EUR
100+	1.36 EUR
500+	1.13 EUR
1000+	0.86 EUR
5000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 24

ISC026N03L5SATMA1

auf Bestellung 4980 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC026N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	0.83 EUR
10000+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

ISC026N03L5SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ISC027N10NM6ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

auf Bestellung 8145 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	9.49 EUR
10+	7.96 EUR
25+	7.72 EUR
100+	6.42 EUR
250+	6.24 EUR
500+	5.72 EUR
1000+	4.63 EUR

Mindestbestellmenge: 6

ISC027N10NM6ATMA1

SP005339566

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC027N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC027N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0023 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 217W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm

auf Bestellung 4977 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC027N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 116µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V

auf Bestellung 6444 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	9.41 EUR
10+	7.9 EUR
100+	6.39 EUR
500+	5.68 EUR
1000+	4.87 EUR
2000+	4.58 EUR

Mindestbestellmenge: 3

ISC027N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC027N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0023 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm

auf Bestellung 4977 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC027N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 116µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	4.4 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

ISC028N04NM5ATMA1

Description: 40V 2.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

ISC028N04NM5ATMA1

Description: 40V 2.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V

auf Bestellung 4635 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.48 EUR
10+	2.85 EUR
100+	2.22 EUR
500+	1.88 EUR
1000+	1.53 EUR
2000+	1.44 EUR

Mindestbestellmenge: 8

ISC028N04NM5ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

auf Bestellung 4149 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.95 EUR
16+	3.46 EUR
100+	2.7 EUR
500+	2.27 EUR
1000+	1.76 EUR
2500+	1.67 EUR
5000+	1.59 EUR

Mindestbestellmenge: 14

ISC028N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC030N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 179A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 109µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ISC030N10NM6ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

auf Bestellung 8018 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	7.96 EUR
10+	6.68 EUR
25+	6.58 EUR
100+	5.41 EUR
250+	5.33 EUR
500+	4.81 EUR
1000+	3.9 EUR

Mindestbestellmenge: 7

ISC030N10NM6ATMA1

SP005427072

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC030N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC030N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 179 A, 0.0026 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 179A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 208W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 4569 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC030N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 179A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 109µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V

auf Bestellung 6861 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	7.9 EUR
10+	6.64 EUR
100+	5.37 EUR
500+	4.77 EUR
1000+	4.09 EUR
2000+	3.85 EUR

Mindestbestellmenge: 4

ISC030N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC030N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 179 A, 0.0026 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 179A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 4569 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC030N12NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 21A 8-Pin TSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ISC030N12NM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 194A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.04mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 141µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 60 V

Produkt ist nicht verfügbar

ISC030N12NM6ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

auf Bestellung 4147 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	12.9 EUR
10+	10.84 EUR
25+	10.22 EUR
100+	8.76 EUR
250+	8.27 EUR
500+	7.77 EUR
1000+	6.68 EUR

Mindestbestellmenge: 5

ISC030N12NM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 194A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.04mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 141µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 60 V

Produkt ist nicht verfügbar

ISC031N08NM6ATMA1

TRENCH 40<-<100V

Produkt ist nicht verfügbar

ISC0324D05

Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

1+	61.85 EUR
5+	59.98 EUR
10+	58.14 EUR
30+	55.67 EUR
100+	51.95 EUR

ISC0324D05

Description: DC DC CONVERTER +/-5V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 77%
Current - Output (Max): 300mA, 300mA
Voltage - Input (Min): 9V
Voltage - Output 1: 5V
Voltage - Output 2: -5V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 62368-1

auf Bestellung 172 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	61.85 EUR
5+	60 EUR
10+	58.15 EUR
25+	55.67 EUR
100+	51.96 EUR

ISC0324D05

Category: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 3W; Uin: 9÷36V; Uout: 5VDC; Uout2: -5VDC; Iout: 45mA
Power: 3W
Mounting: SMT
Manufacturer series: ISC03
Output current: 45mA
Operating temperature: -40...100°C
Efficiency: 77%
Input voltage: 9...36V
Output current 2: 45mA
Number of outputs: 2
Body dimensions: 24x18.1x8.25mm
Output voltage: 5V DC
Insulation voltage: 1.5kV DC
Type of converter: DC/DC
Output voltage 2: -5V DC
Switching frequency: 350kHz

Produkt ist nicht verfügbar

ISC0324D05

Produkt ist nicht verfügbar

ISC0324D12

Description: DC DC CONVERTER +/-12V 3W

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	66.07 EUR

ISC0324D12

Category: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 3W; Uin: 9÷36V; Uout: 12VDC; Uout2: -12VDC; SMD16
Power: 3W
Case: SMD16
Mounting: SMT
Manufacturer series: ISC03
Output current: 0.125A
Operating temperature: -40...100°C
Efficiency: 80%
Input voltage: 9...36V
Output current 2: 125mA
Number of outputs: 2
Body dimensions: 24x18.1x8.25mm
Output voltage: 12V DC
Insulation voltage: 1.5kV DC
Type of converter: DC/DC
Output voltage 2: -12V DC
Switching frequency: 350kHz

Produkt ist nicht verfügbar

ISC0324D12

Produkt ist nicht verfügbar

ISC0324D15

Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG

Produkt ist nicht verfügbar

ISC0324D15

Category: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 3W; Uin: 9÷36V; Uout: 15VDC; Uout2: -15VDC; SMD16
Power: 3W
Case: SMD16
Mounting: SMT
Manufacturer series: ISC03
Output current: 0.1A
Operating temperature: -40...100°C
Efficiency: 80%
Input voltage: 9...36V
Output current 2: 0.1A
Number of outputs: 2
Body dimensions: 24x18.1x8.25mm
Output voltage: 15V DC
Insulation voltage: 1.5kV DC
Type of converter: DC/DC
Output voltage 2: -15V DC
Switching frequency: 350kHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

ISC0324D15

Description: DC DC CONVERTER +/-15V 3W

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	64.17 EUR
5+	62.24 EUR

ISC0324D15

Produkt ist nicht verfügbar

ISC0324S05

Description: DC-DC 3W SDM 4:1 INPUT REG

auf Bestellung 11 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ISC0324S05

Category: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 3W; Uin: 9÷36V; Uout: 5VDC; Iout: 90mA; SMD; 350kHz
Type of converter: DC/DC
Power: 3W
Input voltage: 9...36V
Output voltage: 5V DC
Output current: 90mA
Case: SMD
Body dimensions: 24x18.1x8.25mm
Efficiency: 78%
Operating temperature: -40...100°C
Switching frequency: 350kHz
Insulation voltage: 1.5kV DC
Mounting: SMT
Manufacturer series: ISC03
Number of outputs: 1

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3+	25.87 EUR

Mindestbestellmenge: 3

ISC0324S05

Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

1+	57.98 EUR
5+	56.24 EUR
10+	54.5 EUR
30+	52.18 EUR
100+	48.7 EUR

ISC0324S05

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

3+	25.87 EUR

Mindestbestellmenge: 3

ISC0324S05-TR

Category: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 3W; Uin: 9÷36V; Uout: 5VDC; Iout: 600mA; SMD16; SMD
Type of converter: DC/DC
Power: 3W
Input voltage: 9...36V
Output voltage: 5V DC
Output current: 0.6A
Case: SMD16
Body dimensions: 24x18.1x8.25mm
Efficiency: 78%
Operating temperature: -40...100°C
Switching frequency: 350kHz
Insulation voltage: 1.5kV DC
Mounting: SMD
Manufacturer series: ISC03
Number of outputs: 1

Produkt ist nicht verfügbar

ISC0324S05-TR

Produkt ist nicht verfügbar

ISC0324S12

Description: DC DC CONVERTER 12V 3W

auf Bestellung 210 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ISC0324S12

Category: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 3W; Uin: 9÷36V; Uout: 12VDC; Iout: 250mA; SMD16
Type of converter: DC/DC
Power: 3W
Input voltage: 9...36V
Output voltage: 12V DC
Output current: 0.25A
Case: SMD16
Body dimensions: 24x18.1x8.25mm
Efficiency: 80%
Operating temperature: -40...100°C
Switching frequency: 350kHz
Insulation voltage: 1.5kV DC
Mounting: SMD
Manufacturer series: ISC03
Number of outputs: 1

Produkt ist nicht verfügbar

ISC0324S12

Description: DC DC CONVERTER 12V 3W

Produkt ist nicht verfügbar

ISC0324S12

Produkt ist nicht verfügbar

ISC0324S12-TR

Description: DC DC CONVERTER 12V 3W
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 250mA
Voltage - Input (Min): 9V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

Produkt ist nicht verfügbar

ISC0324S12-TR

Produkt ist nicht verfügbar

ISC0324S12-TR

Description: DC DC CONVERTER 12V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 250mA
Voltage - Input (Min): 9V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

Produkt ist nicht verfügbar

ISC0324S12-TR

Produkt ist nicht verfügbar

ISC0324S12-TR

Description: DC DC CONVERTER 12V 3W
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 250mA
Voltage - Input (Min): 9V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

auf Bestellung 185 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	58.11 EUR
5+	56.34 EUR
10+	54.61 EUR
25+	52.27 EUR
100+	48.8 EUR

ISC0324S15

Category: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 3W; Uin: 9÷36V; Uout: 15VDC; Iout: 200mA; SMD16
Type of converter: DC/DC
Power: 3W
Input voltage: 9...36V
Output voltage: 15V DC
Output current: 0.2A
Case: SMD16
Body dimensions: 24x18.1x8.25mm
Efficiency: 80%
Operating temperature: -40...100°C
Switching frequency: 350kHz
Insulation voltage: 1.5kV DC
Mounting: SMD
Manufacturer series: ISC03
Number of outputs: 1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

ISC0324S15

Description: DC DC CONVERTER 15V 3W

auf Bestellung 341 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ISC0324S15

Produkt ist nicht verfügbar

ISC0324S15

Description: DC DC CONVERTER 15V 3W

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ISC0324S15-TR

Description: DC DC CONVERTER 15V 3W

Produkt ist nicht verfügbar

ISC0324S15-TR

Description: DC DC CONVERTER 15V 3W

Produkt ist nicht verfügbar

ISC0324S15-TR

Produkt ist nicht verfügbar

ISC0324S15-TR

Description: DC DC CONVERTER 15V 3W

Produkt ist nicht verfügbar

ISC0324S15-TR

Produkt ist nicht verfügbar

ISC0324S24

Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG

auf Bestellung 71 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

1+	57.98 EUR
5+	56.24 EUR
10+	54.5 EUR
30+	52.18 EUR
100+	48.7 EUR

ISC0324S24

Category: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 3W; Uin: 9÷36V; Uout: 24VDC; Iout: 19mA; SMD; 350kHz
Type of converter: DC/DC
Power: 3W
Input voltage: 9...36V
Output voltage: 24V DC
Output current: 19mA
Case: SMD
Body dimensions: 24x18.1x8.25mm
Efficiency: 80%
Operating temperature: -40...100°C
Switching frequency: 350kHz
Insulation voltage: 1.5kV DC
Mounting: SMT
Manufacturer series: ISC03
Number of outputs: 1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

ISC0324S24

Description: DC DC CONVERTER 24V 3W
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 125mA
Voltage - Input (Min): 9V
Voltage - Output 1: 24V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 62368-1

auf Bestellung 128 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	58.01 EUR
5+	56.26 EUR
10+	54.54 EUR
25+	52.21 EUR
100+	48.73 EUR

ISC0324S24

Produkt ist nicht verfügbar

ISC0324S3V3

Description: XP POWER - ISC0324S3V3 - Isol. DC/DC-Wandler, Oberflächenmontage, ITE, 4:1, 3 W, 1 Ausgang, 3.3 V, 600 mA
tariffCode: 85044095
DC-Eingangsspannung, min.: 9V
Ausgangsstrom - Ausgang 2: -
rohsCompliant: YES
Höhe: 18.1mm
Nominelle DC-Eingangsspannung: 24V
Tiefe: 24mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
Breite: 8.25mm
usEccn: EAR99
DC/DC-Wandlerausgang: Fest
Isolationsspannung: 1.5kV
DC-Eingangsspannung, max.: 36V
DC/DC-Wandlermontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
DC/DC-Wandler: DIP
Ausgangsregelung: Geregelt
Produktpalette: ISC03 Series
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 3.3V
productTraceability: No
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 600mA
Eingangsverhältnis: 4:1
Anwendungen für das Netzteil: ITE
Ausgangsleistung, max.: 3W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 29 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC0324S3V3

Description: DC DC CONVERTER 3.3V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 75%
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 9V
Voltage - Output 1: 3.3V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 62368-1

auf Bestellung 2073 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	58.01 EUR
5+	56.26 EUR
10+	54.54 EUR
25+	52.21 EUR
100+	48.73 EUR
500+	43.52 EUR

ISC0324S3V3

Category: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 3W; Uin: 9÷36V; Uout: 3.3VDC; Iout: 600mA; SMD; SMT
Type of converter: DC/DC
Power: 3W
Input voltage: 9...36V
Output voltage: 3.3V DC
Output current: 0.6A
Case: SMD
Body dimensions: 24x18.1x8.25mm
Efficiency: 75%
Operating temperature: -40...100°C
Switching frequency: 350kHz
Insulation voltage: 1.5kV DC
Mounting: SMT
Manufacturer series: ISC03
Number of outputs: 1

Produkt ist nicht verfügbar

ISC0324S3V3

Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG

auf Bestellung 13 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

1+	57.98 EUR
5+	56.24 EUR
10+	54.5 EUR
30+	52.18 EUR
100+	48.7 EUR

ISC0324S3V3

Produkt ist nicht verfügbar

ISC032N12LM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 60 V

Produkt ist nicht verfügbar

ISC032N12LM6ATMA1

TRENCH >=100V

Produkt ist nicht verfügbar

ISC032N12LM6ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

auf Bestellung 2455 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	9.49 EUR
10+	7.98 EUR
25+	7.51 EUR
100+	6.45 EUR
250+	6.08 EUR
500+	5.72 EUR
1000+	4.91 EUR

Mindestbestellmenge: 6

ISC032N12LM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 60 V

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ISC0348D05

Description: DC DC CONVERTER +/-5V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Efficiency: 77%
Current - Output (Max): 300mA, 300mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 5V
Voltage - Output 2: -5V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 62368-1

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ISC0348D05

ISC0348D05 DC/DC Converters

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ISC0348D12

Category: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 3W; Uin: 18÷75V; Uout: 12VDC; Uout2: -12VDC; SMD16
Type of converter: DC/DC
Power: 3W
Input voltage: 18...75V
Output voltage: 12V DC
Output voltage 2: -12V DC
Output current: 125mA
Output current 2: 125mA
Case: SMD16
Body dimensions: 24x18.1x8.25mm
Efficiency: 80%
Operating temperature: -40...100°C
Switching frequency: 350kHz
Insulation voltage: 1.5kV DC
Mounting: SMD
Manufacturer series: ISC03
Number of outputs: 2

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ISC0348D12

Produkt ist nicht verfügbar

ISC0348D12

Description: DC DC CONVERTER +/-12V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 125mA, 125mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Voltage - Output 2: -12V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 62368-1

auf Bestellung 26 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	71.58 EUR
5+	69.45 EUR
10+	67.3 EUR
25+	64.44 EUR

ISC0348D15

Description: DC DC CONVERTER +/-15V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 100mA, 100mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 15V
Voltage - Output 2: -15V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 62368-1

auf Bestellung 27 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	61.39 EUR
5+	59.47 EUR
10+	57.56 EUR
25+	55 EUR

ISC0348D15

ISC0348D15 DC/DC Converters

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ISC0348S05

Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

1+	57.98 EUR
5+	56.24 EUR
10+	54.5 EUR
30+	52.18 EUR
100+	48.7 EUR

ISC0348S05

Description: DC DC CONVERTER 5V 3W

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ISC0348S05

Category: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 3W; Uin: 18÷75V; Uout: 5VDC; Iout: 600mA; SMD16
Mounting: SMD
Case: SMD16
Power: 3W
Manufacturer series: ISC03
Operating temperature: -40...100°C
Output voltage: 5V DC
Number of outputs: 1
Input voltage: 18...75V
Switching frequency: 350kHz
Output current: 0.6A
Type of converter: DC/DC
Body dimensions: 24x18.1x8.25mm
Efficiency: 78%
Insulation voltage: 1.5kV DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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ISC0348S05

Description: DC DC CONVERTER 5V 3W

auf Bestellung 161 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ISC0348S05

Produkt ist nicht verfügbar

ISC0348S05-TR

Description: DC DC CONVERTER 5V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 78%
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 5V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

Produkt ist nicht verfügbar

ISC0348S05-TR

Produkt ist nicht verfügbar

ISC0348S05-TR

Description: DC DC CONVERTER 5V 3W
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 78%
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 5V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

Produkt ist nicht verfügbar

ISC0348S05-TR

Produkt ist nicht verfügbar

ISC0348S12

Description: DC DC CONVERTER 12V 3W

auf Bestellung 220 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ISC0348S12

Description: DC DC CONVERTER 12V 3W

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ISC0348S12

Category: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 3W; Uin: 18÷75V; Uout: 12VDC; Iout: 250mA; SMD16
Type of converter: DC/DC
Power: 3W
Input voltage: 18...75V
Output voltage: 12V DC
Output current: 250mA
Case: SMD16
Body dimensions: 24x18.1x8.25mm
Efficiency: 80%
Operating temperature: -40...100°C
Switching frequency: 350kHz
Insulation voltage: 1.5kV DC
Mounting: SMD
Manufacturer series: ISC03
Number of outputs: 1

Produkt ist nicht verfügbar

ISC0348S12

Produkt ist nicht verfügbar

ISC0348S12-TR

Produkt ist nicht verfügbar

ISC0348S12-TR

Description: DC DC CONVERTER 12V 3W
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 250mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

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ISC0348S12-TR

Produkt ist nicht verfügbar

ISC0348S12-TR

Description: DC DC CONVERTER 12V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 250mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	66.59 EUR

ISC0348S12-TR

Description: DC DC CONVERTER 12V 3W
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 250mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	59.57 EUR

ISC0348S15

Description: DC DC CONVERTER 15V 3W

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ISC0348S15

ISC0348S15 DC/DC Converters

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ISC0348S15

Description: DC DC CONVERTER 15V 3W

auf Bestellung 95 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ISC0348S15-TR

Description: DC DC CONVERTER 15V 3W
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 200mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 15V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

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ISC0348S15-TR

ISC0348S15-TR DC/DC Converters

Produkt ist nicht verfügbar

ISC0348S15-TR

Description: DC DC CONVERTER 15V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 200mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 15V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

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ISC0348S24

Description: DC DC CONVERTER 24V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 125mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 24V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 62368-1

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ISC0348S24

ISC0348S24 DC/DC Converters

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ISC0348S3V3

Category: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 3W; Uin: 18÷75V; Uout: 3.3VDC; Iout: 600mA; SMD16
Case: SMD16
Mounting: SMD
Insulation voltage: 1.5kV DC
Power: 3W
Output voltage: 3.3V DC
Number of outputs: 1
Input voltage: 18...75V
Manufacturer series: ISC03
Switching frequency: 350kHz
Output current: 0.6A
Type of converter: DC/DC
Body dimensions: 24x18.1x8.25mm
Operating temperature: -40...100°C
Efficiency: 75%

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ISC0348S3V3

Description: DC DC CONVERTER 3.3V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Efficiency: 75%
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 3.3V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 62368-1

auf Bestellung 13 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	66.59 EUR
5+	64.6 EUR
10+	62.61 EUR

ISC0348S3V3

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ISC035N10NM5LF2ATMA1

Description: ISC035N10NM5LF2ATMA1 MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V

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ISC035N10NM5LF2ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

auf Bestellung 4545 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	9.75 EUR
10+	8.19 EUR
25+	7.75 EUR
100+	6.63 EUR
250+	6.27 EUR
500+	5.88 EUR
1000+	5.02 EUR

Mindestbestellmenge: 6

ISC035N10NM5LF2ATMA1

ISC035N10NM5LF2ATMA1

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ISC035N10NM5LF2ATMA1

Description: ISC035N10NM5LF2ATMA1 MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V

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ISC035N10NM5LFATMA1

Description: OPTIMOSTM5LINEARFET100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V

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ISC035N10NM5LFATMA1

MOSFET

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 210-224 Tag (e)

6+	9.75 EUR
10+	8.19 EUR
25+	7.75 EUR
100+	6.63 EUR
250+	6.27 EUR
500+	5.88 EUR
1000+	5.02 EUR

Mindestbestellmenge: 6

ISC035N10NM5LFATMA1

Description: OPTIMOSTM5LINEARFET100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

ISC036N04NM5ATMA1

Description: 40V 3.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

ISC036N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC036N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 0.0027 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 63W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2694 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC036N04NM5ATMA1

N Channel Power Mosfet

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC036N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC036N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 0.0027 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2694 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC036N04NM5ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

19+	2.86 EUR
23+	2.33 EUR
100+	1.81 EUR
500+	1.54 EUR
1000+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 19

ISC036N04NM5ATMA1

Description: 40V 3.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V

auf Bestellung 4523 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

9+	2.91 EUR
11+	2.37 EUR
100+	1.84 EUR
500+	1.56 EUR
1000+	1.27 EUR
2000+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 9

ISC037N03L5ISATMA1

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ISC037N03L5ISATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC037N03L5ISATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

auf Bestellung 18934 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

15+	1.77 EUR
17+	1.55 EUR
100+	1.19 EUR
500+	0.94 EUR
1000+	0.75 EUR
2000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 15

ISC037N03L5ISATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

auf Bestellung 13167 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

44+	1.21 EUR
49+	1.08 EUR
100+	0.85 EUR
500+	0.72 EUR
1000+	0.59 EUR
2500+	0.57 EUR
5000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 44

ISC037N03L5ISATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	0.63 EUR
10000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

ISC037N03L5ISATMA1

Description: INFINEON - ISC037N03L5ISATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0031 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 37W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 3759 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC037N03L5ISATMA1

Description: INFINEON - ISC037N03L5ISATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0031 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 3759 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC037N12NM6ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

auf Bestellung 4907 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	10.89 EUR
10+	9.15 EUR
25+	8.66 EUR
100+	7.44 EUR
250+	7.02 EUR
500+	6.6 EUR
1000+	5.67 EUR

Mindestbestellmenge: 5

ISC037N12NM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.2A (Ta), 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 111µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 60 V

auf Bestellung 5461 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	10.82 EUR
10+	9.09 EUR
100+	7.35 EUR
500+	6.54 EUR
1000+	5.6 EUR
2000+	5.27 EUR

Mindestbestellmenge: 3

ISC037N12NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 19.2A 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ISC037N12NM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.2A (Ta), 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 111µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 60 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	5.05 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

ISC037N13NM6ATMA1

TRENCH >=100V

Produkt ist nicht verfügbar

ISC037N13NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)

Produkt ist nicht verfügbar

ISC037N13NM6ATMA1

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

ISC037N13NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

ISC045N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

ISC045N03L5SATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

auf Bestellung 5107 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

38+	1.4 EUR
47+	1.12 EUR
100+	0.83 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.47 EUR
5000+	0.45 EUR
10000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 38

ISC045N03L5SATMA1

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ISC045N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V

auf Bestellung 11108 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

19+	1.4 EUR
22+	1.19 EUR
100+	0.83 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.53 EUR
2000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 19

ISC045N03L5SATMA1

RZ03-1C4-D024

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC046N04NM5

Infineon

Produkt ist nicht verfügbar

ISC046N04NM5ATMA1

Description: 40V 4.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	1.17 EUR
10000+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

ISC046N04NM5ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

auf Bestellung 17101 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

18+	2.96 EUR
22+	2.44 EUR
100+	1.89 EUR
500+	1.61 EUR
1000+	1.23 EUR
5000+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 18

ISC046N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC046N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ISC046N04NM5ATMA1

Description: 40V 4.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V

auf Bestellung 14945 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

9+	2.96 EUR
11+	2.42 EUR
100+	1.88 EUR
500+	1.6 EUR
1000+	1.3 EUR
2000+	1.22 EUR

Mindestbestellmenge: 9

ISC046N13NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)

Produkt ist nicht verfügbar

ISC046N13NM6ATMA1

TRENCH >=100V

Produkt ist nicht verfügbar

ISC046N13NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

ISC046N13NM6ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

auf Bestellung 4955 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	10.19 EUR
10+	8.53 EUR
25+	8.09 EUR
100+	6.92 EUR
250+	6.53 EUR
500+	6.14 EUR
1000+	5.25 EUR

Mindestbestellmenge: 6

ISC056N08NM6ATMA1

N-channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

ISC058N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC058N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 63 A, 0.0045 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm

auf Bestellung 4864 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC058N04NM5ATMA1

Description: 40V 5.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 20 V

auf Bestellung 27802 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10+	2.81 EUR
12+	2.29 EUR
100+	1.78 EUR
500+	1.51 EUR
1000+	1.23 EUR
2000+	1.16 EUR

Mindestbestellmenge: 10

ISC058N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ISC058N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC058N04NM5ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

auf Bestellung 8126 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

17+	3.09 EUR
19+	2.78 EUR
100+	2.16 EUR
500+	1.79 EUR
1000+	1.32 EUR
5000+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 17

ISC058N04NM5ATMA1

Description: 40V 5.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 20 V

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	1.1 EUR
10000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

ISC058N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC058N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 63 A, 0.0045 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 4866 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC0602NLSATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 9212 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

15+	3.64 EUR
18+	3.02 EUR
100+	2.4 EUR
250+	2.22 EUR
500+	2.02 EUR
1000+	1.73 EUR
2500+	1.64 EUR

Mindestbestellmenge: 15

ISC0602NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0602NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 66 A, 0.0071 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2917 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC0602NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 14A/66A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 40 V

auf Bestellung 11577 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.61 EUR
10+	3 EUR
100+	2.39 EUR
500+	2.02 EUR
1000+	1.72 EUR
2000+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 8

ISC0602NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 14A/66A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 40 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	1.57 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

ISC0602NLSATMA1

Power-Transistor 80V

Produkt ist nicht verfügbar

ISC0602NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0602NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 66 A, 0.0071 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2917 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC0603NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 12.3A/56A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.3A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 40 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	1.7 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

ISC0603NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 12.3A/56A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.3A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 40 V

auf Bestellung 6987 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	4.21 EUR
10+	3.76 EUR
100+	2.94 EUR
500+	2.42 EUR
1000+	1.91 EUR
2000+	1.79 EUR

Mindestbestellmenge: 7

ISC0603NLSATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 3351 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

11+	4.78 EUR
13+	4.32 EUR
100+	3.38 EUR
500+	2.78 EUR

Mindestbestellmenge: 11

ISC0604NLSATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

ISC0604NLSATMA1

MOSFET

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ISC0605NLSATMA1

TRENCH 40<-<100V

Produkt ist nicht verfügbar

ISC060N10NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ISC060N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC060N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 0.0051 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0051ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 3794 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC060N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V

auf Bestellung 20248 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	5.88 EUR
10+	4.88 EUR
100+	3.88 EUR
500+	3.28 EUR
1000+	2.79 EUR
2000+	2.65 EUR

Mindestbestellmenge: 5

ISC060N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC060N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 0.0051 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 3794 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC060N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	2.55 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

ISC060N10NM6ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

auf Bestellung 21585 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

9+	5.93 EUR
11+	4.94 EUR
100+	3.93 EUR
250+	3.87 EUR
500+	3.3 EUR
1000+	2.68 EUR
5000+	2.58 EUR

Mindestbestellmenge: 9

ISC0702NLSATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 6756 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.98 EUR
15+	3.48 EUR
100+	2.86 EUR
500+	2.35 EUR
1000+	1.91 EUR
2500+	1.81 EUR
5000+	1.74 EUR

Mindestbestellmenge: 14

ISC0702NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 23A/135A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 38µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

auf Bestellung 9635 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.67 EUR
10+	3.04 EUR
100+	2.42 EUR
500+	2.05 EUR
1000+	1.74 EUR
2000+	1.65 EUR

Mindestbestellmenge: 8

ISC0702NLSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ISC0702NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 23A/135A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 38µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	1.59 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

ISC0703NLSATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 4880 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

21+	2.54 EUR
23+	2.26 EUR
100+	1.77 EUR
500+	1.46 EUR
1000+	1.08 EUR
5000+	1.02 EUR
10000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 21

ISC0703NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 13A/57A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V

auf Bestellung 16822 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.39 EUR
14+	1.96 EUR
100+	1.52 EUR
500+	1.29 EUR
1000+	1.05 EUR
2000+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 11

ISC0703NLSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 13A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ISC0703NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 13A/57A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	0.94 EUR
10000+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

ISC073N12LM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 60 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	3.03 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

ISC073N12LM6ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

auf Bestellung 5891 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.55 EUR
10+	5.51 EUR
25+	5.2 EUR
100+	4.45 EUR
250+	4.21 EUR
500+	3.98 EUR
1000+	3.38 EUR

Mindestbestellmenge: 8

ISC073N12LM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ISC073N12LM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 60 V

auf Bestellung 9066 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	6.47 EUR
10+	5.45 EUR
100+	4.41 EUR
500+	3.92 EUR
1000+	3.36 EUR
2000+	3.16 EUR

Mindestbestellmenge: 5

ISC078N12NM6ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

auf Bestellung 2480 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

10+	5.54 EUR
12+	4.6 EUR
100+	3.64 EUR
250+	3.38 EUR
500+	3.07 EUR
1000+	2.6 EUR
2500+	2.49 EUR

Mindestbestellmenge: 10

ISC0802NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 22A/150A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 92µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5190 pF @ 50 V

auf Bestellung 227 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	6.99 EUR
10+	5.8 EUR
100+	4.61 EUR

Mindestbestellmenge: 4

ISC0802NLSATMA1

SP005430372

Produkt ist nicht verfügbar

ISC0802NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 22A/150A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 92µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5190 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

ISC0802NLSATMA1

ISC0802NLSATMA1

Produkt ist nicht verfügbar

ISC0802NLSATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

auf Bestellung 1034 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	7.05 EUR
10+	5.85 EUR
100+	4.65 EUR
250+	4.55 EUR
500+	3.95 EUR
1000+	3.2 EUR
5000+	3.07 EUR

Mindestbestellmenge: 8

ISC0803NLSATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8

Produkt ist nicht verfügbar

ISC0803NLSATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

auf Bestellung 906 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.8 EUR
16+	3.43 EUR
100+	2.68 EUR
500+	2.2 EUR

Mindestbestellmenge: 14

ISC0803NLSATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8

Produkt ist nicht verfügbar

ISC0803NLSATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8.8A 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ISC0804NLSATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

auf Bestellung 4998 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

12+	4.65 EUR
13+	4.19 EUR
100+	3.35 EUR
500+	2.76 EUR

Mindestbestellmenge: 12

ISC0804NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0804NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0103 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0103ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 4980 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC0804NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 12A/59A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V

auf Bestellung 8951 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.72 EUR
10+	3.09 EUR
100+	2.46 EUR
500+	2.08 EUR
1000+	1.76 EUR
2000+	1.68 EUR

Mindestbestellmenge: 7

ISC0804NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0804NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0103 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 4980 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC0804NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 12A/59A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	1.61 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

ISC0805NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 13A/71A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-46
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	1.96 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

ISC0805NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0805NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 71 A, 0.0072 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 74W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm

auf Bestellung 3535 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC0805NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 13A/71A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-46
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V

auf Bestellung 7569 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	4.52 EUR
10+	3.75 EUR
100+	2.99 EUR
500+	2.53 EUR
1000+	2.14 EUR
2000+	2.04 EUR

Mindestbestellmenge: 6

ISC0805NLSATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

auf Bestellung 774 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

12+	4.6 EUR
14+	3.82 EUR
100+	3.04 EUR
500+	2.59 EUR
1000+	2.18 EUR
2500+	2.07 EUR
5000+	2 EUR

Mindestbestellmenge: 12

ISC0805NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0805NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 71 A, 0.0072 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm

auf Bestellung 3535 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC0806NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 16A/97A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 61µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

ISC0806NLSATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

auf Bestellung 13 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.94 EUR
10+	6.11 EUR
100+	4.91 EUR
500+	4.13 EUR
1000+	3.35 EUR
2500+	3.25 EUR
5000+	3.2 EUR

Mindestbestellmenge: 8

ISC0806NLSATMA1

N Channel Power Mosfet

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC0806NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 16A/97A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 61µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 50 V

auf Bestellung 4880 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	6.03 EUR
10+	5.03 EUR
100+	4 EUR
500+	3.38 EUR
1000+	2.87 EUR
2000+	2.73 EUR

Mindestbestellmenge: 5

ISC080N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC080N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0071 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 7171 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC080N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.05mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V

auf Bestellung 5995 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	4.11 EUR
10+	3.41 EUR
100+	2.71 EUR
500+	2.3 EUR
1000+	1.95 EUR
2000+	1.85 EUR

Mindestbestellmenge: 7

ISC080N10NM6ATMA1

SP005409473

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC080N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.05mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

ISC080N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC080N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0071 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 7171 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ISC080N10NM6ATMA1