Produkte > NVM

Wählen Sie Seite:   1 2 3 4 5 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 25  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NVM100015TDK-LambdaDescription: AC/DC CONVERTER 12V 180W
Packaging: Bulk
Power (Watts): 180W
Features: Adjustable Output, Remote On/Off, Remote Sense
Size / Dimension: 5.00" L x 3.00" W x 1.02" H (127.0mm x 76.0mm x 26.0mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
Type: Open Frame
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Medical
Approval Agency: CE
Efficiency: 90%
Voltage - Output 1: 12V
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4.5 kV
Current - Output 1: 15 A
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+376.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVM100015TDK-LambdaModular Power Supplies – Assembled 180W 12V 15A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVM100026TDK-LambdaModular Power Supplies – Assembled 180W 24V 7.5A
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+381.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVM100026TDK-LambdaAC/DC Power Supply 180W 20-Pin
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVM100026TDK-LambdaDescription: AC/DC CONVERTER 24V 180W
Voltage - Output 1: 24V
Efficiency: 90%
Approval Agency: CE
Applications: Medical
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (With Derating)
Type: Open Frame
Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
Mounting Type: Chassis Mount
Size / Dimension: 5.00" L x 3.00" W x 1.02" H (127.0mm x 76.0mm x 26.0mm)
Features: Adjustable Output, Remote On/Off, Remote Sense
Power (Watts): 180W
Packaging: Bulk
Current - Output 1: 7.5 A
Voltage - Isolation: 4.5 kV
Number of Outputs: 1
Part Status: Active
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+383.61 EUR
10+360.7 EUR
25+339.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVM3060N/A
auf Bestellung 1878 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVM3060-12
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMarkingKEC
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMD3P03R2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMD3P03R2GonsemiMOSFET PFET SO8 30V 3A 85 MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMD4N03R2GonsemiMOSFETs Dual N-Channel Power MOSFET 30V, 4A, 60mohm NTMD4N03 Automotive version
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.87 EUR
10+2.01 EUR
100+1.43 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.08 EUR
2500+0.96 EUR
5000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMD4N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.57 EUR
10+2.12 EUR
100+1.65 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMD4N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMD6N03R2ON SemiconductorMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMD6N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMD6N03R2GON SemiconductorMOSFET NFET 30V 6A 0.032R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMD6N03R2GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMD6N03R2G - NVMD6N03R2G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1188+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1188 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMD6N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.29W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 4915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
987+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 987 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMD6N04onsemionsemi NFET SO8 40V 4.6A 0.034R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMD6N04R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMD6N04R2GonsemiMOSFET NFET SO8 40V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMD6N04R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMD6P02R2GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
auf Bestellung 9368 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
473+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 473 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMD6P02R2GonsemiMOSFET PFET SO8 20V 7.8A 33MOHM
auf Bestellung 1212 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMD6P02R2GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMe IP OptionDesign Gateway
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVME SSD 256GB TRANSCEND TS256GMTE452TADLINK TechnologySolid State Drives - SSD M.2 2242, NVMe PCIe Gen 3x2 B+M Key256GB, Transcend TS256GMTE452TSupply voltage/Tolerance:3.3V+/-5% Operating Temperature: 0- 70CSequential : Read Up to 1700 MB/s, Write Up to 1250 MB/sForm Factor: 22mm x 42mm x 3.58mm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMe SSD 256GB, Transcend TS256GMTE452TADLINK Technology M.2 2242, NVMe PCIe Gen 3x2 B+M Key256GB, Transcend TS256GMTE452TSupply voltage/Tolerance:3.3V+/-5% Operating Temperature: 0- 70CSequential : Read Up to 1700 MB/s, Write Up to 1250 MB/sForm Factor: 22mm x 42mm x 3.58mm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVME-1TMNT ResearchSolid State Drives - SSD SSD Transcend 110S M.2 PCIe NVMe solid state drive, PCIe Gen3 x4 speeds, 3D NAND flash. Use as a boot drive or for additional storage: 1 TB. Compatible with MNT Reform. Product Number: TS1TMTE220S.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVME-256GMNT ResearchSolid State Drives - SSD SSD Transcend 110S M.2 PCIe NVMe solid state drive, PCIe Gen3 x4 speeds, 3D NAND flash. Use as a boot drive or for additional storage: 256 GB. Compatible with MNT Reform. Product Number: TS1TMTE220S.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVME-31USBAMicro Connectors, Inc.Description: M.2 NVME SSD USB 3.2 GEN 2X1 ADP
Packaging: Box
Interface: PCI Express
Part Status: Active
Number of Ports: 1
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+77.47 EUR
10+73.28 EUR
50+69.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVME-512GMNT ResearchSolid State Drives - SSD SSD Transcend 110S M.2 PCIe NVMe solid state drive, PCIe Gen3 x4 speeds, 3D NAND flash. Use as a boot drive or for additional storage: 512 GB. Compatible with MNT Reform. Product Number: TS1TMTE220S.
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+268.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVME-M.2-1TBSMART Embedded Computing1TB NVME M.2 MEDIA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVME-S32USBAMicro Connectors, Inc.Description: M.2 NVMe/SATA SSD - USB 3.2 Adp
Packaging: Bulk
Interface: SATA
Convert From (Adapter End): M.2 NVMe, SATA SSD
Convert To (Adapter End): USB - A 3.2 Male
Type: M.2 NVMe, SATA SSD to USB
Part Status: Active
auf Bestellung 751 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+73.28 EUR
5+69.62 EUR
10+66.12 EUR
25+62.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD010N10MCLT1GonsemiMOSFETs PTNG 100V LL SO8FL DUAL
auf Bestellung 737 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.46 EUR
10+3.53 EUR
100+2.45 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD016N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 9A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 32A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1063 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.07 EUR
10+3.95 EUR
100+2.74 EUR
500+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD016N06CT1GON Semiconductor
auf Bestellung 1480 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD016N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 9A 8DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 32A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD016N06CT1GonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
auf Bestellung 1038 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.74 EUR
10+3.75 EUR
100+2.59 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD020N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.59 EUR
3000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD020N06CT1GON Semiconductor
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD020N06CT1GonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD020N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.02 EUR
10+3.25 EUR
100+2.24 EUR
500+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD020N10MCLT1GonsemiMOSFETs PTNG 100V LL SO8FL DUAL
auf Bestellung 1367 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.88 EUR
10+3.17 EUR
100+2.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD020N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL DUAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 54W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 789pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 48A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.39 EUR
3000+1.3 EUR
4500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD020N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL DUAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 54W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 789pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 48A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.49 EUR
10+2.88 EUR
100+1.98 EUR
500+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD024N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2906 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.84 EUR
10+3.78 EUR
100+2.61 EUR
500+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD024N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD024N06CT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 24A; Idm: 85A; 14W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 14W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD024N06CT1GonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
auf Bestellung 25406 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.71 EUR
10+3.71 EUR
100+2.57 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD024N06CT1GON Semiconductor
auf Bestellung 1440 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD027N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD027N10MCLT1G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.026 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 28A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.026ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.49 EUR
133+1.62 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD027N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 7.4A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2777 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.92 EUR
10+2.5 EUR
100+1.69 EUR
500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD027N10MCLT1GonsemiMOSFETs Dual N-Channel Power MOSFET 100 V, 28 A, 26 mohm
auf Bestellung 944 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.89 EUR
10+2.23 EUR
100+1.56 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.23 EUR
1500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD027N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 7.4A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD027N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD027N10MCLT1G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.026 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 28A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.026ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+3.47 EUR
94+2.49 EUR
133+1.62 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD030N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 19A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 13490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.76 EUR
10+3.07 EUR
100+2.11 EUR
500+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD030N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 19A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.49 EUR
3000+1.39 EUR
4500+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD030N06CT1GonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
auf Bestellung 1461 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.76 EUR
10+3.06 EUR
100+2.12 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD040N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL DUAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 36W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD040N10MCLT1GonsemiMOSFETs PTNG 100V LL SO8FL DUAL
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 360-364 Tag (e)
1+4.32 EUR
10+2.73 EUR
100+1.83 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.34 EUR
1500+1.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD040N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL DUAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 36W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.72 EUR
10+2.38 EUR
100+1.61 EUR
500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5483NLT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 24A 36mOhm Dual N-CH
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5483NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5483NLT1GON Semiconductor
auf Bestellung 10280 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5483NLT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 24A 36mOhm Dual N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5483NLT3GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5483NLWFT1GON Semiconductor
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5483NLWFT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 24A 36mOhm Dual N-CH
auf Bestellung 1483 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5483NLWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5483NLWFT3GonsemiDescription: DUAL N-CHANNEL 60V, 24A, 36MOHM
auf Bestellung 4700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 270 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5483NLWFT3GON Semiconductor
auf Bestellung 4980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5483NLWFT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 24A 36mOhm Dual N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5485NLonsemiMOSFET NFET DFN8 60V 20A 60MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5485NLT1GonsemiMOSFET Pwr MOSFET 60V 20A 44mOhm Dual N-CH
auf Bestellung 1392 Stücke:
Lieferzeit 482-486 Tag (e)
1+4.61 EUR
10+4.13 EUR
100+3.33 EUR
500+2.75 EUR
1000+2.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5485NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5485NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5485NLT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2.9W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5485NLT3GON Semiconductor
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5485NLT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 20A 44mOhm Dual N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5485NLWFT1GonsemiMOSFET Pwr MOSFET 60V 20A 44mOhm Dual N-CH
auf Bestellung 1497 Stücke:
Lieferzeit 496-500 Tag (e)
1+4.84 EUR
10+4.36 EUR
100+3.5 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5485NLWFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5485NLWFT1G - MOSFET, AEC-Q101, DUAL N-CH, 60V, DFN
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5485NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2.9W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
287+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 287 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5485NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2.9W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5485NLWFT1GOn SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 20A 44mOhm Dual N-CH Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5485NLWFT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 20A 44mOhm Dual N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5485NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2.9W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5489NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8DFN
auf Bestellung 1364 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5489NLT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 12A 65mOhm Dual N-CH
auf Bestellung 1121 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5489NLT1GON Semiconductor
auf Bestellung 1421 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5489NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8DFN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5489NLT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 12A 65mOhm Dual N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5489NLT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 425 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5489NLT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5489NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 786 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5489NLWFT1GonsemiMOSFET Pwr MOSFET 60V 12A 65mOhm Dual N-CH
auf Bestellung 1209 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5489NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5489NLWFT3GON Semiconductor
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5489NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5489NLWFT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 12A 65mOhm Dual N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   1 2 3 4 5 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 25  [ Nächste Seite >> ]