Produkte > MJE

BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
MJE10006G
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MJE101
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MJE102
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MJE103
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MJE104
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MJE105
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MJE105MotorolaDescription: TRANSISTOR
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MJE1090
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MJE1091
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MJE1092
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MJE1093
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MJE1100
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MJE1123
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MJE122
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MJE12955
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MJE13001 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 25853
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SavanticTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
Uceo,V: 400
Ucbo,V: 500
Ic,A: 0,5
ZCODE: THT
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MJE13001-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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MJE13001-APMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 400V 0.2A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 20mA, 20V
Frequency - Transition: 8MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1 W
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MJE13001-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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MJE13001-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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MJE13001S6D
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MJE13001S8D
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MJE13002
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MJE13002 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 2694
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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MJE13002-126
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MJE13002-92
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MJE13002-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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MJE13002-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 400V 1A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 40mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 9 @ 200mA, 10V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.25 W
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MJE13002-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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MJE13002-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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MJE13002A
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MJE13002B-APMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 400V 0.8A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 40mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 9 @ 200mA, 10V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 900 mW
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MJE13002B-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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MJE13002B-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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MJE13002B-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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MJE13003OTOMOTransistor NPN; 30; 2W; 400V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13003G; MJE13003A-BP; KSE13003AS; ST13003; MJE13003L-B-T60-K; MJE13003 OTOMO TMJE13003 OTO
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
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100+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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MJE13003STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN 400 Volt
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MJE13003onsemiDescription: TRANS NPN 400V 1.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.4 W
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MJE13003Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co.,LTD.Транзистор биполярный, NPN, 400В, 1,5А, 40Вт, TO-126
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MJE13003JSMicro SemiconductorTransistor NPN; 30; 30W; 400V; 2,3A; 5MHz, -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13003G; MJE13003A-BP; KSE13003AS; ST13003; MJE13003L-B-T60-K; MJE13003 JSMICRO TMJE13003 JSM
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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MJE13003onsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 400V
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MJE13003ON0419
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MJE13003Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
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MJE13003JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNPN 1,5A 400V 40W 5MHz MJE13003 TMJE13003
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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MJE13003 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 18858
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
Uceo,V: 400
Ucbo,V: 700
Ic,A: 1,5
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1+0.57 EUR
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MJE13003(ST13003)
auf Bestellung 12000 Stücke:
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MJE13003-1
auf Bestellung 5500 Stücke:
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MJE13003-12
auf Bestellung 1000 Stücke:
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MJE13003-126
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE13003-2FSC
auf Bestellung 126000 Stücke:
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MJE13003-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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MJE13003-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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MJE13003-BPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 400V 1.5A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bulk
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MJE13003-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 400V 1.5A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.5 W
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MJE13003-BP TO-220
Produktcode: 115272
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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MJE13003-C
auf Bestellung 10000 Stücke:
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MJE13003-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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MJE1300320-25AB
auf Bestellung 30200 Stücke:
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MJE13003A-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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MJE13003A-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 400V 1.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.25 W
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MJE13003A-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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MJE13003A-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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MJE13003B-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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MJE13003B-APMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 400V 1.5A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE13003B-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE13003B-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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MJE13003D-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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MJE13003D-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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MJE13003D-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 400V 1.5A TO-251
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.25 W
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE13003D-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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MJE13003GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 1.5A 1400mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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MJE13003GonsemiDescription: TRANS NPN 400V 1.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.4 W
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE13003GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 400V
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MJE13003G
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE13003G (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 34621
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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MJE13003H22005
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE13003H22005
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE13003LUTCNPN 1,5A 400V 40W 5MHz MJE13003L-C UTC TMJE13003 utc
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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MJE13003L-CUTCNPN 1,5A 400V 40W 5MHz MJE13003L-C UTC TMJE13003 utc
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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MJE13003T
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE13003T2
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE13003TO-126
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE13004onsemiBipolar Transistors - BJT
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MJE13004HARRISMJE13004
auf Bestellung 6318 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
561+0.97 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 561
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MJE13004Harris CorporationDescription: TRANS NPN 300V 4A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 6320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
486+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 486
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MJE13004 LEDFREEDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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MJE13004 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Fast SW
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE13004G
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE13005MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - MJE13005 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 11150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJE13005Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE13005
Produktcode: 15180
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220AB
Uceo,V: 400
Ucbo,V: 700
Ic,A: 4
ZCODE: THT
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1+0.42 EUR
10+0.29 EUR
100+0.22 EUR
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MJE13005ON SEMICONDUCTORnpn 400/700V 3A 60W TO-220
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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MJE13005MulticompTrans GP BJT NPN 400V 4A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2 EUR
100+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 73
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MJE13005OTOMOTransistor NPN; 30; 2W; 400V; 4A; 5MHz, -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13005G; MJE13005-BP; ST13005; PHE13005,127; TS13005CZ; MJE13005L-B-TA3-T; MJE13005 OTOMO TMJE13005 OTO
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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MJE13005onsemiDescription: TRANS NPN 400V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE13005STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
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MJE13005JSMicro SemiconductorTransistor NPN; 30; 65W; 400V; 4A; 5MHz, -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13005G; MJE13005-BP; ST13005; PHE13005,127; TS13005CZ; MJE13005L-B-TA3-T; MJE13005 JSMICRO TMJE13005 JSM
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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MJE13005onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 400V 75W NPN
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MJE13005 LEDFREEROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
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MJE13005 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 400V 4A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.41 EUR
50+3.28 EUR
100+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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MJE13005 PBFREECentral SemiconductorMJE13005-CEN NPN THT transistors
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MJE13005 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Fast SW
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.3 EUR
10+3.22 EUR
100+2.92 EUR
500+2.85 EUR
1000+2.62 EUR
2500+2.53 EUR
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MJE13005 SL PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 400V 4A TO-220-3
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
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MJE13005 SL PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 400Vceo 700Vcev 9.0Vebo 4.0A 75W
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.41 EUR
10+3.87 EUR
100+3.29 EUR
500+2.97 EUR
1000+2.76 EUR
2500+2.59 EUR
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MJE13005 SL TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 400Vceo 700Vcev 9.0Vebo 4.0A 2.0W
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MJE13005 TIN/LEADCentral SemiconductorNPN Silicon Power Transistor
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MJE13005 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 400Vceo 700Vcev 9.0Vebo 4.0A 2.0W
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MJE13005(ST13005)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE13005-1
auf Bestellung 5750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE13005-2
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE13005-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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MJE13005-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 400V 4A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 500mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.5 W
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MJE13005A
auf Bestellung 78500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE13005B
auf Bestellung 9800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE13005F-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 420V 4A ITO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: ITO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 420 V
Power - Max: 2 W
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MJE13005F1
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE13005F2
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE13005GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 400V 75W NPN
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MJE13005GonsemiDescription: TRANS NPN 400V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
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MJE13005GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 4A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE13006NTE Electronics, IncDescription: TRANS NPN 300V 8A TO220
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 80 W
auf Bestellung 529 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.82 EUR
10+2.68 EUR
20+2.53 EUR
50+2.39 EUR
100+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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MJE13006
auf Bestellung 9800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE13006G
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE13007STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT IGBT & Power Bipolar
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MJE13007LGENPN 8A 400V 80W 4MHz MJE13007 LGE TMJE13007 lge
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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MJE13007Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13007JSMicro SemiconductorTransistor NPN; 40; 80W; 400V; 8A; 4MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13007G; MJE13007-BP; ST13007; PHE13007,127; FJP13007TU; MJE13007 JSMICRO TMJE13007 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13007onsemiDescription: TRANS NPN 400V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13007NTE Electronics, Inc.Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+3.85 EUR
100+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 38
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MJE13007onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W NPN
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MJE13007On SemiconductorNPN, Uкэ=400V, Iк=8A (16 имп.), h21=5...40, 4МГц (тип. 14МГц), 80Вт, TO-220AB
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJE13007 (MJE13007G) (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 38055
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ONTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
fT: 14 MHz
Uceo,V: 400
Ucbo,V: 700
Ic,A: 8
h21: 40
ZCODE: THT
verfügbar 10 Stück:
1+1.5 EUR
10+0.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13007 SLCentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 400V 8A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13007(PHE13007)
auf Bestellung 220000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13007-1
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13007-2
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13007-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13007-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT Regulator
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13007-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 400V 8A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13007-BPDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13007-H4
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE13007Aonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
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MJE13007A
Produktcode: 123836
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13007ASTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13007F
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13007F-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13007F-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13007F-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 400V 8A ITO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: ITO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13007F-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13007F2
auf Bestellung 5750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13007F2 Transistor
Produktcode: 58559
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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MJE13007GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 883 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+1.97 EUR
62+1.16 EUR
81+0.89 EUR
87+0.83 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13007GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+1.2 EUR
134+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13007GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13007GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+1.2 EUR
134+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13007GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 883 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.97 EUR
62+1.16 EUR
81+0.89 EUR
87+0.83 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13007GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+1.79 EUR
136+1.03 EUR
147+0.92 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.63 EUR
2500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13007GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W NPN
auf Bestellung 2684 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.85 EUR
10+1.28 EUR
100+1.16 EUR
500+0.91 EUR
1000+0.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13007GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 698 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 64
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MJE13007GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE13007G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 14MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4534 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13007GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+1.07 EUR
146+0.96 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.66 EUR
2500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 135
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13007GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 698 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.27 EUR
126+1.11 EUR
138+0.97 EUR
500+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13007GonsemiDescription: TRANS NPN 400V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
auf Bestellung 4345 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.85 EUR
50+1.36 EUR
100+1.22 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
2000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13007GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.73 EUR
250+1.33 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13007R
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13008G
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13009STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT TO-220 NPN FASTSW PW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13009JSMSEMITransistor NPN; 40; 100W; 400V; 12A; 4MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13009G; ST13009; PHE13009,127; TS13009CZ; FJP13009TU; MJE13009 JSMICRO TMJE13009 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13009onsemiBipolar Transistors - BJT 12A 400V 100W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13009onsemiDescription: TRANS NPN 400V 12A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13009Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13009OTOMOTransistor NPN; 35; 120W; 400V; 12A; 4MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13009G; ST13009; PHE13009,127; TS13009CZ; FJP13009TU; MJE13009 OTOMO TMJE13009 OTO
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13009 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 30312
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FairchildTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
fT: 4 MHz
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 700 V
Ic,A: 12 A
h21: 40
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13009-1
auf Bestellung 4580 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13009-2
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13009; біполярний; NPN; 400V; 12A; 110W; Корпус: TO-220AB; NXP (шт)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13009A
auf Bestellung 539 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13009AR
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13009F
auf Bestellung 814 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13009F (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 104845
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FairchildTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220ISO
fT: 4 MHz
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 700 V
Ic,A: 12 A
ZCODE: THT
auf Bestellung 46 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 10 Stück:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13009GonsemiDescription: TRANS NPN 400V 12A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13009GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13009GonsemiBipolar Transistors - BJT 12A 400V 100W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13009G
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13009G (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 1141
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13009H3
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13009H3(25-32)
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13009L
auf Bestellung 5750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE1302
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13070Harris CorporationDescription: TRANS NPN 6V 5A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 3A, 5V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6 V
Power - Max: 80 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13070
auf Bestellung 7253 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13071Harris CorporationDescription: TRANS NPN 450V 5A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 3A, 5V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 80 W
auf Bestellung 967 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
268+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 268
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13071HARRISMJE13071
auf Bestellung 967 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+1.95 EUR
500+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE13071
auf Bestellung 7253 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE1307DOTOMOTransistor NPN; 40; 2W; 400V; 8A; 4MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13007G; MJE13007-BP; ST13007; PHE13007,127; FJP13007TU; MJE13007 OTOMO TMJE13007 OTO
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE1320
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15003ON/MOT
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15004ON/MOT
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15028
auf Bestellung 7253 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15028onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15028onsemiDescription: TRANS NPN 120V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 50 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15028Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15028 (транзистор биполярный NPN)
Produktcode: 126210
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15028GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+1.09 EUR
142+0.98 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 134
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15028GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE15028G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 120 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 826 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15028GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15028GonsemiDescription: TRANS NPN 120V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 50 W
auf Bestellung 2207 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.31 EUR
50+1.6 EUR
100+1.43 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.04 EUR
2000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15028GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+1.08 EUR
143+0.98 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 134
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15028GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W NPN
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.92 EUR
10+1.49 EUR
100+1.3 EUR
500+0.97 EUR
1100+0.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15028GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15029onsemiDescription: TRANS PNP 120V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 50 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15029onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15029MulticompTrans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.24 EUR
100+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15029MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - MJE15029 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar PNP Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15029
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15029 (транзисторы биполярные PNP)
Produktcode: 126212
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15029GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15029GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE15029G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 120 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 563 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15029GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.22 EUR
250+2.08 EUR
500+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15029GONSEMIMJE15029G PNP THT transistors
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.49 EUR
44+1.63 EUR
47+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15029GonsemiDescription: TRANS PNP 120V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 50 W
auf Bestellung 6667 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.54 EUR
50+2.25 EUR
100+2.03 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.51 EUR
2000+1.4 EUR
5000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15029GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W PNP
auf Bestellung 2747 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.24 EUR
10+2.11 EUR
100+1.76 EUR
500+1.45 EUR
700+1.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15029GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15029GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE15030MulticompTrans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+1.73 EUR
100+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 94
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MJE15030CDILNPN 8A 150V 50W 30MHz MJE15030 TMJE15030
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15030onsemiDescription: TRANS NPN 150V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 50 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15030onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W NPN
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MJE15030
Produktcode: 196969
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ONTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
fT: 30 MHz
Uceo,V: 150 V
Ucbo,V: 150 V
Ic,A: 8 А
h21: 30
ZCODE: THT
auf Bestellung 74 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15030ONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15030MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - MJE15030 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2603 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15030 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 36906
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IscsemiTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
fT: 30 MHz
Uceo,V: 150 V
Ucbo,V: 150 V
Ic,A: 8 А
h21: 30
ZCODE: THT
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15030GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+1.79 EUR
59+1.23 EUR
61+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15030GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+1.43 EUR
250+1.3 EUR
500+1.13 EUR
1000+0.99 EUR
2500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 102
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15030G
Produktcode: 154352
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15030GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1194 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+1.94 EUR
128+1.09 EUR
129+1.04 EUR
134+0.97 EUR
500+0.77 EUR
700+0.72 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15030GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1762 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15030GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE15030G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4482 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15030GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15030G
Produktcode: 180441
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15030GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.79 EUR
59+1.23 EUR
61+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15030GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.13 EUR
130+1.08 EUR
135+1 EUR
500+0.8 EUR
700+0.75 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15030GonsemiDescription: TRANS NPN 150V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 50 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15030GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W NPN
auf Bestellung 6836 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.94 EUR
10+1.31 EUR
100+1.11 EUR
500+1.07 EUR
700+0.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15030MJE15031
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15031MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - MJE15031 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6708 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15031onsemiDescription: TRANS PNP 150V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 50 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15031CDILTranzystor PNP; 40; 2W; 150V; 8A; 30MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE 15031 G; MJE15031G; MJE15031 TMJE15031
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15031onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15031CDILTranzystor PNP; 40; 2W; 150V; 8A; 30MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE 15031 G; MJE15031G; MJE15031 TMJE15031
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15031 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 120Vcbo 120Vceo 5.0Vebo 8.0A 2.0W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15031GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.4 EUR
120+1.17 EUR
250+1.04 EUR
500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 104
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15031GonsemiDescription: TRANS PNP 150V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 50 W
auf Bestellung 898 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.29 EUR
50+1.6 EUR
100+1.43 EUR
500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15031GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB
Polarisation: bipolar
Case: TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: PNP
Kind of package: tube
Power dissipation: 50W
Collector current: 8A
Collector-emitter voltage: 150V
Frequency: 70MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 722 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
41+1.74 EUR
50+1.43 EUR
57+1.27 EUR
60+1.2 EUR
62+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15031GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6211 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15031GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+2.6 EUR
77+1.82 EUR
101+1.34 EUR
119+1.09 EUR
250+0.98 EUR
500+0.73 EUR
700+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15031GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.04 EUR
250+1.18 EUR
500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15031G
Produktcode: 180445
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15031GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.4 EUR
120+1.17 EUR
250+1.04 EUR
500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 104
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15031GON-SemicoductorBipolar Transistor PNP 150V 8A 50W MJE15031G TO220 ONS TMJE15031 ons
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15031GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W PNP
auf Bestellung 12083 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.04 EUR
10+1.76 EUR
100+1.35 EUR
500+1.09 EUR
700+0.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15031GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE15031G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3351 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15031GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+1.88 EUR
101+1.38 EUR
119+1.13 EUR
250+1.02 EUR
500+0.76 EUR
700+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15031GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB
Polarisation: bipolar
Case: TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: PNP
Kind of package: tube
Power dissipation: 50W
Collector current: 8A
Collector-emitter voltage: 150V
Frequency: 70MHz
auf Bestellung 722 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+1.74 EUR
50+1.43 EUR
57+1.27 EUR
60+1.2 EUR
62+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15031G
Produktcode: 45656
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15032onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15032onsemiDescription: TRANS NPN 250V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15032ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15032Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15032 MJE15033ONTO220 10+
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15032CEVVODescription: TRANS NPN 250V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.68 EUR
10+2.36 EUR
100+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15032GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15032GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15032GDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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MJE15032GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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110+1.32 EUR
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Mindestbestellmenge: 110
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MJE15032GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE15032GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE15032G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 250 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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MJE15032GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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5250+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 104
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MJE15032GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Collector-emitter voltage: 250V
Frequency: 30MHz
Polarisation: bipolar
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+2.23 EUR
41+1.76 EUR
66+1.09 EUR
70+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 33
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MJE15032GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W NPN
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1+3.19 EUR
10+1.42 EUR
100+1.21 EUR
500+1.05 EUR
700+0.97 EUR
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MJE15032GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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59+2.47 EUR
108+1.3 EUR
115+1.17 EUR
250+1.07 EUR
500+0.83 EUR
700+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 59
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MJE15032GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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50+2.93 EUR
59+2.36 EUR
108+1.25 EUR
116+1.12 EUR
250+1.02 EUR
500+0.79 EUR
700+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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MJE15032GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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177+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 177
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MJE15032GonsemiDescription: TRANS NPN 250V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
auf Bestellung 861 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.17 EUR
50+1.54 EUR
100+1.38 EUR
500+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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MJE15032GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Collector-emitter voltage: 250V
Frequency: 30MHz
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.23 EUR
41+1.76 EUR
66+1.09 EUR
70+1.03 EUR
100+1 EUR
250+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 33
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MJE15032G (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 28060
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ONTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
fT: 30 MHz
Uceo,V: 250
Ucbo,V: 250
Ic,A: 8
h21: 70
ZCODE: THT
auf Bestellung 92 Stück:
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erwartet 10 Stück:
1+0.88 EUR
10+0.8 EUR
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MJE15032GMJE15033G
auf Bestellung 2000 Stücke:
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MJE15032MJE15033
auf Bestellung 10000 Stücke:
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MJE15033onsemiDescription: TRANS PNP 250V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
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MJE15033onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W PNP
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MJE15033ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE15033CEVVODescription: TRANS PNP 250V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.68 EUR
10+2.36 EUR
100+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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MJE15033GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Current gain: 50
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
auf Bestellung 619 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+2.33 EUR
50+1.43 EUR
51+1.42 EUR
54+1.33 EUR
55+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 31
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MJE15033GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 31115 Stücke:
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110+1.31 EUR
122+1.15 EUR
500+0.85 EUR
700+0.77 EUR
2800+0.68 EUR
5600+0.65 EUR
10500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 110
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MJE15033GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
119+1.22 EUR
126+1.11 EUR
500+0.9 EUR
700+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 119
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MJE15033GON-SemicoductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB MJE15033G ONS TMJE15033 ons
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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MJE15033GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W PNP
auf Bestellung 2790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.15 EUR
10+1.39 EUR
100+1.22 EUR
500+1.02 EUR
700+0.97 EUR
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MJE15033GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 208950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
177+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 177
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MJE15033GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6223 Stücke:
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MJE15033GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 31550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+1.31 EUR
122+1.15 EUR
500+0.85 EUR
700+0.77 EUR
2800+0.68 EUR
5600+0.65 EUR
10500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 110
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15033GonsemiDescription: TRANS PNP 250V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
auf Bestellung 195485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.4 EUR
50+1.64 EUR
100+1.47 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.08 EUR
2000+1 EUR
5000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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MJE15033GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Current gain: 50
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 619 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.33 EUR
50+1.43 EUR
51+1.42 EUR
54+1.33 EUR
55+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 31
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MJE15033G
Produktcode: 27993
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ONTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220
fT: 30 MHz
U, V: 250
U, V: 250
I, А: 8
h21,max: 70
auf Bestellung 30 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.98 EUR
10+0.84 EUR
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MJE15033GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+1.47 EUR
138+1.01 EUR
146+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15033GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+1.36 EUR
250+1.2 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15033GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE15033G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 250 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 878 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15033GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 178
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15034ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15034onsemiDescription: TRANS NPN 350V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE15034
auf Bestellung 1179 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15034onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE15034(Transistor)
Produktcode: 67257
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15034GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.41 EUR
105+1.34 EUR
126+1.07 EUR
200+1.01 EUR
400+0.92 EUR
800+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15034GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE15034GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 4A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.32 EUR
40+1.83 EUR
45+1.6 EUR
75+0.96 EUR
79+0.92 EUR
250+0.9 EUR
500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15034GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W NPN
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.66 EUR
10+1.31 EUR
100+1.17 EUR
500+1.02 EUR
800+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15034GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 944 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
173+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15034GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE15034G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 350 V, 4 A, 50 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15034GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 4A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+2.32 EUR
40+1.83 EUR
45+1.6 EUR
75+0.96 EUR
79+0.92 EUR
250+0.9 EUR
500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15034GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 814 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15034GonsemiDescription: TRANS NPN 350V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W
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6+3.19 EUR
50+1.54 EUR
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MJE15034GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE15034G(Transistor)
Produktcode: 61129
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MJE15034MJE15035
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MJE15035onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W PNP
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MJE15035ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE15035onsemiDescription: TRANS PNP 350V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15035(Transistor)
Produktcode: 67258
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ONTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220
fT: 30 MHz
U, V: 350 V
U, V: 350 V
I, А: 4 A
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MJE15035
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15035GonsemiDescription: TRANS PNP 350V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 1784 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.29 EUR
50+1.6 EUR
100+1.43 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15035GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+1.24 EUR
118+1.19 EUR
123+1.09 EUR
250+1.03 EUR
500+0.89 EUR
800+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15035GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE15035G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 4 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15035GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 50W
Collector current: 4A
Collector-emitter voltage: 350V
Frequency: 30MHz
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+2.16 EUR
44+1.64 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15035GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 50W
Collector current: 4A
Collector-emitter voltage: 350V
Frequency: 30MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.16 EUR
44+1.64 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15035GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE15035GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1318 Stücke:
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116+1.25 EUR
117+1.19 EUR
120+1.13 EUR
126+1.03 EUR
250+0.97 EUR
500+0.84 EUR
800+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 116
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MJE15035GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W PNP
auf Bestellung 1653 Stücke:
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1+3.08 EUR
10+1.57 EUR
100+1.34 EUR
500+1.08 EUR
800+0.99 EUR
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MJE15035GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 100 Stücke:
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MJE15035GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 112 Stücke:
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MJE15035GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1599 Stücke:
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MJE15035GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.04 EUR
250+1.77 EUR
500+1.28 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 71
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MJE15035G(Transistor)
Produktcode: 61130
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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MJE16002HARRISMJE16002
auf Bestellung 9182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
197+2.2 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 197
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE16002Harris CorporationDescription: TRANS NPN 6V 5A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 80 W
auf Bestellung 9182 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
290+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 290
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE16002
auf Bestellung 7253 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE16004onsemiDescription: MAX II POWER TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 103800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
533+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 533
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE16004ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE16004 - 5-A SWITCH MAX II POWER TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 103800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE16004ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 5A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 103800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
364+1.19 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.92 EUR
10000+0.79 EUR
100000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 364
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE170onsemiBipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W PNP
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MJE170ON09+
auf Bestellung 20148 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE170onsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 12.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE170GON Semiconductor
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE170GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE170GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE170GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE170G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 446 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE170GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 10573 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.65 EUR
16+1.11 EUR
100+0.76 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.56 EUR
2000+0.52 EUR
5000+0.47 EUR
10000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE170GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 6890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
868+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 868
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE170GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE170GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE170GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE170G
Produktcode: 161611
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE170GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 3A; 12.5W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 3A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO225
Current gain: 50...250
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 50MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE170GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
868+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 868
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE170GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W PNP
auf Bestellung 701 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.99 EUR
10+1.25 EUR
100+0.82 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.51 EUR
3000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE170S
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE170STUonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE170STUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE170STUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
auf Bestellung 2740 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE171onsemiBipolar Transistors - BJT 3A 60V 12.5W PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE171Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE171
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE171onsemiDescription: TRANS PNP 60V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 12.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE171GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.69 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE171GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 5490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.43 EUR
12+1.53 EUR
100+1.02 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.72 EUR
2000+0.66 EUR
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE171GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+1.62 EUR
129+1.09 EUR
183+0.73 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE171GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.13 EUR
183+0.76 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE171GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 60V 12.5W PNP
auf Bestellung 1525 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.2 EUR
10+1.41 EUR
100+0.95 EUR
500+0.72 EUR
1000+0.63 EUR
3000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE171GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE171GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE171GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE171G - Bipolarer HF-Transistor, PNP, -60 V, 50 MHz, 1.5 W, -3 A, TO-225
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: -3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: -60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJE171STUonsemiDescription: TRANS PNP 60V 3A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE172onsemiBipolar Transistors - BJT 3A 80V 12.5W PNP
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MJE172STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 80V 3A 12500mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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MJE172STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 80V 3A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-32-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 12.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE172STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Power Sw
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MJE172onsemiDescription: TRANS PNP 80V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE172/80Vdc3A/TO-220ON09+
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE172GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 693 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
188+0.77 EUR
224+0.62 EUR
279+0.48 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 188
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MJE172GDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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MJE172GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
2500+0.42 EUR
5000+0.39 EUR
7500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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MJE172G
Produktcode: 86262
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MJE172GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 3A; 12.5W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 3A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO225
Current gain: 50...250
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 50MHz
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+1.32 EUR
86+0.84 EUR
159+0.45 EUR
168+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 55
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MJE172GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1503 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+1.55 EUR
144+0.97 EUR
222+0.61 EUR
500+0.41 EUR
1000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 94
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MJE172GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 3A; 12.5W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 3A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO225
Current gain: 50...250
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 50MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.32 EUR
86+0.84 EUR
159+0.45 EUR
168+0.43 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 55
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MJE172GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 80V 12.5W PNP
auf Bestellung 2337 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.74 EUR
10+1.07 EUR
100+0.72 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.45 EUR
3000+0.42 EUR
6000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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MJE172GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE172G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 3 A, 1.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 784 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJE172GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 953 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.88 EUR
15+1.18 EUR
100+0.78 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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MJE172GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 693 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
188+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 188
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MJE172GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1503 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
144+1 EUR
222+0.63 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 144
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MJE172GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJE172MJE182
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE172STUONSEMIDescription: ONSEMI - MJE172STU - TRANSISTOR, BIPOLAR, PNP, -80V, TO126-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJE172STUonsemiDescription: TRANS PNP 80V 3A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE172STUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJE172STUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
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MJE172STU
auf Bestellung 19200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE172STUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
auf Bestellung 4338 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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MJE180ON0305
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE180onsemiBipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W NPN
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MJE180NTE Electronics, IncDescription: TRANS NPN 40V 3A TO225AA
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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MJE180MICROSS/On SemiconductorDescription: DIE TRANS NPN 40V SMALL SIGNAL
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MJE180 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Power
auf Bestellung 707 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.4 EUR
10+2.2 EUR
100+1.95 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.69 EUR
2500+1.64 EUR
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MJE180 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 40V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 971 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.91 EUR
50+2.43 EUR
100+2.19 EUR
500+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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MJE180 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE180 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 60Vcbo 40Vceo 7.0Vebo 3.0A 1.5W
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MJE18002onsemiDescription: TRANS NPN 450V 2A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 50 W
auf Bestellung 4437 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
841+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 841
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MJE18002ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2214 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
971+0.56 EUR
1053+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 971
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18002onsemiDescription: TRANS NPN 450V 2A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 50 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18002ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
971+0.56 EUR
1053+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 971
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18002ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE18002 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJE18002
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE18002onsemiBipolar Transistors - BJT 2A 450V 40W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE18002D2NXPDescription: NXP - MJE18002D2 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 13900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJE18002D2MotorolaDescription: TRANS NPN 450V 2A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 400mA, 1V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 50 W
auf Bestellung 13900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
533+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 533
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18002D2MotorolaMJE18002D2
auf Bestellung 13900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
616+0.88 EUR
1000+0.78 EUR
10000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 616
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MJE18002GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18002GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 19860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
437+1.24 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.96 EUR
10000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 437
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18002GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 2A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 50 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18002GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
437+1.24 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 437
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18002GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 42976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
437+1.24 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.96 EUR
10000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 437
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18002GonsemiBipolar Transistors - BJT 2A 450V 40W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE18002GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE18002G - MJE18002G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 65841 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18002GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 2A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 50 W
auf Bestellung 65841 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
420+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 420
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MJE18002GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 805 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
437+1.24 EUR
500+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 437
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MJE18004onsemiBipolar Transistors - BJT 5A 1000V 75W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE18004onsemiDescription: TRANS NPN 450V 5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 500mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 300mA, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18004D2onsemiDescription: TRANS NPN 450V 5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18004D2GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 75 W
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE18004GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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168+0.86 EUR
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MJE18004GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 5A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 500mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 300mA, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 743 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.27 EUR
50+1.59 EUR
100+1.42 EUR
500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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MJE18004GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE18004GON-SemicoductorNPN 5A 1000V 75W MJE18004G TMJE18004
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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MJE18004GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE18004G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 450 V, 5 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 32hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 13MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJE18004GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
168+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 168
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MJE18004GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJE18004GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE18004GonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 1000V 75W NPN
auf Bestellung 893 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.89 EUR
10+1.56 EUR
100+1.39 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.99 EUR
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MJE18004GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
232+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 232
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MJE18006onsemiBipolar Transistors - BJT 6A 450V 100W NPN
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MJE18006
Produktcode: 77960
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ONTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220AB
Uceo,V: 450
Ic,A: 6
ZCODE: THT
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1+0.57 EUR
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MJE18006onsemiDescription: TRANS NPN 450V 6A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 3A, 1V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 100 W
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE18006Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE18006
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE18006GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE18006G - MJE18006G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 12824 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJE18006GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 6A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 3A, 1V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 100 W
auf Bestellung 12824 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
310+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 310
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MJE18006GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 6A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE18006GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 6A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+2.06 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 264
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18006GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 6A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 3A, 1V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 100 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18006GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 450V
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE18006G
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE18006GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 6A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3442 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+2.06 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 264
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MJE18006GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 6A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+2.06 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 264
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18008onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 450V 125W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE18008
Produktcode: 77961
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ONTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
fT: 13 MHz
Uceo,V: 450
Ic,A: 8
ZCODE: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.6 EUR
10+0.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18008onsemiDescription: TRANS NPN 450V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 900mA, 4.5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 125 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18008Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.01 EUR
250+2.71 EUR
500+2.1 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+2.37 EUR
81+1.72 EUR
100+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18008GON-SemicoductorNPN 8A 450V MJE18008G MJE18008 TO220AB TMJE18008
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.93 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+2.16 EUR
100+1.97 EUR
250+1.85 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18008GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 900mA, 4.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 125 W
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.88 EUR
50+2.43 EUR
100+2.19 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.65 EUR
2000+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18008GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 450V 125W NPN
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.68 EUR
10+2.2 EUR
100+1.9 EUR
500+1.74 EUR
800+1.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+2.17 EUR
100+1.97 EUR
250+1.85 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18008GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE18008G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 8 A, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 13MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 483 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJE1800B
auf Bestellung 502 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE180GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 3A; 12.5W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 3A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO225
Current gain: 50...250
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 50MHz
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE180G
Produktcode: 161612
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE180GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE180G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE180GOn SemiconductorNPN, Uce=40V, Ic=3A, hFE=50...250, -60...+150, TO-225AA (TO-126-3)
auf Bestellung 3550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE180GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
165+0.88 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 165
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE180GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE180GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE180GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.64 EUR
11+1.67 EUR
100+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE180GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W NPN
auf Bestellung 532 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.22 EUR
10+1.37 EUR
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500+0.8 EUR
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MJE180PWDonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W
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MJE180PWDonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products
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MJE180STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube
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MJE180STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
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MJE180STUonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.9 EUR
60+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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MJE180STUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
auf Bestellung 121 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.08 EUR
10+0.72 EUR
100+0.65 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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MJE180STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 2930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1123+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1123
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MJE180STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 2463 Stücke:
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209+0.69 EUR
239+0.58 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.39 EUR
1920+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 209
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MJE180STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 1920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1123+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1123
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MJE180STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 3840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1123+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1123
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MJE180STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 2463 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+1.4 EUR
128+1.09 EUR
209+0.64 EUR
239+0.54 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
1920+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 103
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MJE180STUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 40V 3A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 3840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1092+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1092
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MJE180STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 3840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1123+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1123
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MJE180STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 5159 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1123+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1123
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MJE180STUONSEMIDescription: ONSEMI - MJE180STU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 21565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJE180STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 11280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1123+0.48 EUR
10000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1123
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MJE181onsemiDescription: TRANS NPN 60V 3A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 12.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE181Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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MJE181onsemiBipolar Transistors - BJT 3A 60V 12.5W NPN
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MJE181
auf Bestellung 1865 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE181GAptina ImagingTrans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJE181GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE181GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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MJE181GONSEMIMJE181G NPN THT transistors
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MJE181GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE181GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.83 EUR
16+1.15 EUR
100+0.75 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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MJE181GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 60V 12.5W NPN
auf Bestellung 1881 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.64 EUR
10+1.06 EUR
100+0.73 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.47 EUR
3000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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MJE181GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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MJE181STUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 3A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 3934 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1360+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1360
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MJE181STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE181STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE181STUonsemiDescription: TRANS NPN 60V 3A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 1877 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.64 EUR
18+1.01 EUR
100+0.66 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE181STUONSEMIDescription: ONSEMI - MJE181STU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJE181STUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE181STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE181STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE182ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE182 - MJE182, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7552 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJE182STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Power Sw
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE182MOT
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE182onsemiDescription: TRANS NPN 80V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 12.5 W
auf Bestellung 7552 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
950+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 950
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE182STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 3A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 12.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE182onsemiBipolar Transistors - BJT 3A 80V 12.5W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE182ON09+
auf Bestellung 20148 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE182STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 3A 12500mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18204ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 600V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 17309 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
484+1.12 EUR
537+0.97 EUR
1000+0.86 EUR
10000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 484
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18204ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE18204 - TRANSISTOR, NPN TO-220
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18204onsemiDescription: TRANS NPN 600V 5A TO-220FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.25V @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 18 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 35 W
auf Bestellung 40346 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
465+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 465
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18206ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 600V 8A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 11725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1140+0.48 EUR
10000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 1140
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18206ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE18206 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE18206onsemiDescription: TRANS NPN 600V 8A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 18 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 100 W
auf Bestellung 11725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
910+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 910
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MJE182GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 80V 12.5W NPN
auf Bestellung 2205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.81 EUR
10+1.14 EUR
100+0.75 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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MJE182GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.51 EUR
1000+0.47 EUR
2500+0.44 EUR
5000+0.41 EUR
7500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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MJE182GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 3A; 12.5W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 3A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO225
Current gain: 50...250
Mounting: THT
Frequency: 50MHz
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE182GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE182GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 3A; 12.5W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 3A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO225
Current gain: 50...250
Mounting: THT
Frequency: 50MHz
Kind of package: bulk
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE182G
Produktcode: 62118
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MJE182GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 3676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+1.57 EUR
133+1.05 EUR
142+0.95 EUR
208+0.62 EUR
250+0.53 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 93
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE182GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE182G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3 A, 1.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 12362 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJE182GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 3676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+1.09 EUR
142+0.99 EUR
208+0.65 EUR
250+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 133
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MJE182GON-SemicoductorNPN 3A 80V 12.5W 50MHz MJE182 TO126 TMJE182
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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MJE182GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 11535 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.01 EUR
14+1.27 EUR
100+0.83 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.59 EUR
2000+0.54 EUR
5000+0.48 EUR
10000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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MJE182STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
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MJE182STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJE182STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 2237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1521+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1521
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MJE182STUonsemiDescription: TRANS NPN 80V 3A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE182STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 10557 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1521+0.36 EUR
10000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1521
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MJE182STUONSEMIDescription: ONSEMI - MJE182STU - TRANSISTOR, NPN, 80V, 50MHZ, TO-126
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJE182STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJE182STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 326780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1521+0.36 EUR
10000+0.31 EUR
100000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 1521
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MJE182STUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 3A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 329042 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1214+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 1214
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MJE182STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 28720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1521+0.36 EUR
10000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1521
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MJE182STUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
auf Bestellung 6816 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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MJE182STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 36881 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1521+0.36 EUR
10000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1521
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MJE20
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE200
auf Bestellung 554 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE200onsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 15W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE200Rochester Electronics, LLCDescription: TRANS NPN 40V 5A TO225AA
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MJE200-T
auf Bestellung 1905 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE200GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE200G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 5 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJE200GonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 15W NPN
auf Bestellung 2118 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.72 EUR
10+1.24 EUR
100+0.86 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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MJE200GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.54 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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MJE200GON08+ DIP-8
auf Bestellung 734 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE200GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 5136 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.09 EUR
14+1.32 EUR
100+0.87 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.62 EUR
2000+0.57 EUR
5000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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MJE200GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE200GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE200NLIGHTNING08+ TO126
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE200STUFAIRCHILDTrans GP BJT NPN 25V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail
auf Bestellung 43413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2037+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2037
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MJE200STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE200STUFAIRCHILDTrans GP BJT NPN 25V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail
auf Bestellung 21120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2037+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2037
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MJE200STU
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE200STUonsemiDescription: TRANS NPN 25V 5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 15 W
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE200STUONSEMIDescription: ONSEMI - MJE200STU - MJE200STU, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 64533 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJE200STUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
auf Bestellung 3723 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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MJE200STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 96092 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2037+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2037
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE200STUonsemiDescription: TRANS NPN 25V 5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 99932 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1665+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 1665
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MJE200TS
auf Bestellung 1920 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE200TSTUonsemiDescription: TRANS NPN 25V 5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 15 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE200TSTUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE210Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE210STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Audio Amplifier
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE210onsemiDescription: TRANS PNP 40V 5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE210STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 25V 5A 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE210ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE210ON05+06+
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE210STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 25V 5A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE210onsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 15W PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE210-STU
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE210GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE210G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 5 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1836 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE210GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 143096 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
904+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 904
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE210GonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 15W PNP
auf Bestellung 467 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.64 EUR
10+1.28 EUR
100+0.85 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE210GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE210GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE210GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE210NLIGHTNINGTO126 08+
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE210STUonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 15 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE210STUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
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MJE210STUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin TO-126 Tube
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MJE210STU
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MJE210STUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
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MJE210STUONSEMIDescription: ONSEMI - MJE210STU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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MJE210STU-FSFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 25V 5A SOT223
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 15 W
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MJE210TonsemiDescription: TRANS PNP 40V 5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W
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MJE210TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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MJE210TGONSEMIDescription: ONSEMI - MJE210TG - MJE210TG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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MJE210TGonsemiDescription: TRANS PNP 40V 5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 10150 Stücke:
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1158+0.44 EUR
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MJE210TGonsemiDescription: TRANS PNP 40V 5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W
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MJE2360T
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MJE243onsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A TO225AA
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MJE243
Produktcode: 41963
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MJE243Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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MJE243ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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MJE243onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W NPN
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MJE243ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE243 - TRANS NPN 100V 4A TO225AA
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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MJE243GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 15W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 15W
Case: TO225
Current gain: 40...180
Mounting: THT
Frequency: 40MHz
Kind of package: bulk
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+1.12 EUR
89+0.81 EUR
102+0.71 EUR
150+0.48 EUR
152+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 65
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MJE243GON-SemicoductorNPN 4A 100V 15W MJE243G TMJE243
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Mindestbestellmenge: 100
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MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 4549 Stücke:
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101+1.44 EUR
164+0.85 EUR
165+0.81 EUR
218+0.59 EUR
250+0.57 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 101
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MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 4549 Stücke:
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166+0.87 EUR
167+0.84 EUR
221+0.61 EUR
250+0.59 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 166
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MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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MJE243GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE243G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 100 V, 4 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 633 Stücke:
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MJE243GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 15W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 15W
Case: TO225
Current gain: 40...180
Mounting: THT
Frequency: 40MHz
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.12 EUR
89+0.81 EUR
102+0.71 EUR
150+0.48 EUR
152+0.47 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 65
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MJE243GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 796 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.88 EUR
15+1.18 EUR
100+0.78 EUR
500+0.6 EUR
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MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.76 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
336+0.43 EUR
372+0.37 EUR
376+0.36 EUR
404+0.31 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 336
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MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
175+0.83 EUR
230+0.61 EUR
250+0.59 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 175
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MJE243GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W NPN
auf Bestellung 1695 Stücke:
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2+1.66 EUR
10+1.07 EUR
100+0.72 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.5 EUR
5000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+1.34 EUR
173+0.81 EUR
175+0.77 EUR
230+0.56 EUR
250+0.54 EUR
500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 108
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MJE243MJE253
auf Bestellung 10000 Stücke:
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MJE253Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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MJE253ONSEMI
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE253onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W PNP
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MJE253
Produktcode: 41964
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MJE253GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 4A; 15W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 15W
Case: TO225
Current gain: 40...180
Mounting: THT
Frequency: 40MHz
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 409 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
73+0.99 EUR
105+0.68 EUR
146+0.49 EUR
154+0.46 EUR
250+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 73
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MJE253GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE253GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE253G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 100 V, 4 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1277 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJE253GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 10100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.88 EUR
15+1.18 EUR
100+0.78 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.55 EUR
2000+0.5 EUR
5000+0.45 EUR
10000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE253GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE253GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE253GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W PNP
auf Bestellung 9447 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.81 EUR
10+1.09 EUR
100+0.74 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
5000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE253GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 4A; 15W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 15W
Case: TO225
Current gain: 40...180
Mounting: THT
Frequency: 40MHz
Kind of package: bulk
auf Bestellung 409 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+0.99 EUR
105+0.68 EUR
146+0.49 EUR
154+0.46 EUR
250+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE253GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.46 EUR
1000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE253GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJE270onsemiBipolar Transistors - BJT 2A 100V Bipolar
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE270
auf Bestellung 2664 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE270onsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE270Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE270GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE270GONSEMIMJE270G NPN THT Darlington transistors
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
77+0.93 EUR
129+0.56 EUR
5000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE270GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1472 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+0.69 EUR
273+0.51 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 210
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE270GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 982 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.08 EUR
14+1.31 EUR
100+0.86 EUR
500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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MJE270GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1472 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
144+1 EUR
210+0.66 EUR
273+0.49 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 144
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MJE270GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
auf Bestellung 2580 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.59 EUR
10+0.88 EUR
100+0.63 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.46 EUR
2500+0.45 EUR
5000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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MJE270GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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MJE270GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE270GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE270G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 100 V, 2 A, 15 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 500hFE
Transistormontage: Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 6MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 100V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 15W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE270TGonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A TO-126
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 791 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.09 EUR
50+0.98 EUR
100+0.87 EUR
500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE270TGonsemiDarlington Transistors 2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Junction Power Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE270TGON Semiconductor2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Junction Power Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE271onsemiBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE271onsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE271Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE271
auf Bestellung 14408 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE271GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE271GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE271GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE271G - MJE271G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 9677 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJE271GON Semiconductor
auf Bestellung 7478 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE271GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 9677 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
701+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 701
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MJE271GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP
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MJE2801T PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT LEADED POWER TRANSIS GEN PUR T0-220
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.12 EUR
10+5.51 EUR
25+5.21 EUR
100+4.52 EUR
500+3.84 EUR
1000+3.17 EUR
2500+3.04 EUR
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MJE2801T TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 10A 75W 60Vcbo 60Vceo 3.0A
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MJE2801T TIN/LEADCentral SemiconductorPower Transistors
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MJE2955
Produktcode: 24030
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ONTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220
fT: 2 MHz
U, V: 60
U, V: 70
I, А: 10
h21,max: 100
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1+0.4 EUR
10+0.36 EUR
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MJE2955MOT
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE2955FSC09+ TSSOP
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955-BPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 60V 10A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955/3055ST08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE2955ET4
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TSTMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 1263 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.69 EUR
50+1.28 EUR
100+1.15 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955T
Produktcode: 57977
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FairchildTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220
fT: 2 MHz
U, V: 60
U, V: 70
I, А: 10
verfügbar 31 Stück:
23 Stück - stock Köln
8 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.34 EUR
10+0.29 EUR
100+0.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9418 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+1.96 EUR
97+1.44 EUR
131+1.02 EUR
150+0.87 EUR
250+0.81 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.44 EUR
2000+0.42 EUR
5000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TSTMicroelectronicsCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 70V; 10A; 90W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 70V
Collector current: 10A
Power dissipation: 90W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.56 EUR
76+0.95 EUR
89+0.81 EUR
135+0.53 EUR
143+0.5 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TSTMicroelectronicsCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 70V; 10A; 90W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 70V
Collector current: 10A
Power dissipation: 90W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+1.56 EUR
76+0.95 EUR
89+0.81 EUR
135+0.53 EUR
143+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9418 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+1.5 EUR
130+1.07 EUR
148+0.91 EUR
250+0.86 EUR
500+0.66 EUR
1000+0.46 EUR
2000+0.42 EUR
5000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 8402 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+1.96 EUR
98+1.43 EUR
133+1.02 EUR
151+0.86 EUR
250+0.81 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.52 EUR
2000+0.49 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch
auf Bestellung 1905 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.39 EUR
10+1.2 EUR
100+1.06 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.77 EUR
2000+0.73 EUR
5000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 8402 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+1.48 EUR
133+1.05 EUR
151+0.89 EUR
250+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.55 EUR
2000+0.49 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 98
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TSTPNP 10A 60V 75W MJE2955T TMJE2955t
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJE2955T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
255+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 255
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.6 EUR
111+1.26 EUR
200+1.21 EUR
400+1.04 EUR
800+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TGonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W PNP
auf Bestellung 2218 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.92 EUR
10+1.14 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.7 EUR
2900+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TGON Semiconductor
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TGONSEMIDescription: ONSEMI - MJE2955TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 753 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+1.44 EUR
149+0.94 EUR
162+0.83 EUR
250+0.8 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 101
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TGonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 1815 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.73 EUR
50+1.29 EUR
100+1.15 EUR
500+0.91 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
142+1.02 EUR
153+0.91 EUR
187+0.72 EUR
197+0.66 EUR
250+0.63 EUR
500+0.53 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 142
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
246+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 246
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE2955TGONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 10A; 125W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Current gain: 20...100
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 2MHz
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MJE2955TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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85+1.71 EUR
101+1.39 EUR
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MJE2955TMJE3055T
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MJE2955TTUonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
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MJE2955TTUDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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MJE2955TTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 600mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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MJE2955TTUFairchildPNP 60V 10A 0.6W 2MHz MJE2955TTU Fairchild TMJE2955t FAI
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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50+1.21 EUR
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MJE2955TTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 600mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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MJE2955TTUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Silicon
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MJE2955TTU-ONonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 600 mW
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MJE2955TTU_Qonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
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MJE3055STM
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MJE3055-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
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MJE3055/2955T
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MJE3055TSTNPN 10A 60V 75W MJE3055T TMJE3055t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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MJE3055TSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE3055TSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJE3055T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5042 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJE3055TSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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127+1.14 EUR
145+0.96 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.51 EUR
2500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 127
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MJE3055TonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W NPN
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MJE3055TJSMicro SemiconductorTransistor NPN; 70; 75W; 60V; 10A; 2MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE3055TG; MJE3055TTU; MJE3055T JSMICRO TMJE3055t JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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MJE3055TSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 18058 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.57 EUR
10000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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MJE3055TSTMicroelectronicsCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 70V; 10A; 90W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 70V
Collector current: 10A
Power dissipation: 90W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.49 EUR
57+1.27 EUR
70+1.03 EUR
147+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 49
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MJE3055TSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.24 EUR
128+1.09 EUR
146+0.92 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.48 EUR
2500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 65
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MJE3055TSTMicroelectronicsCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 70V; 10A; 90W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 70V
Collector current: 10A
Power dissipation: 90W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+1.49 EUR
57+1.27 EUR
70+1.03 EUR
147+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 49
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MJE3055TonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
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MJE3055T
Produktcode: 190953
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JSMICROTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220AB
fT: 2 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 70 V
Ic,A: 10 A
h21: 100
ZCODE: THT
auf Bestellung 105 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE3055TSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
auf Bestellung 446 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.52 EUR
10+1.2 EUR
100+1.07 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.77 EUR
2000+0.71 EUR
5000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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MJE3055TSTNPN 10A 60V 75W MJE3055T TMJE3055t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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MJE3055TMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - MJE3055T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJE3055TSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.59 EUR
10000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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MJE3055TSTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
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MJE3055T (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 26410
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STTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220AB
fT: 2 MHz
Uceo,V: 60
Ucbo,V: 70
Ic,A: 10
h21: 100
ZCODE: THT
verfügbar 13 Stück:
1+0.34 EUR
10+0.29 EUR
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MJE3055TGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+0.82 EUR
202+0.69 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 178
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MJE3055TGONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 125W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Current gain: 20...100
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 2MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TGonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 22584 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.2 EUR
50+1.03 EUR
100+0.92 EUR
500+0.72 EUR
1000+0.65 EUR
2000+0.6 EUR
5000+0.54 EUR
10000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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MJE3055TGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1070 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
252+0.57 EUR
272+0.51 EUR
274+0.49 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 252
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MJE3055TGONSEMIDescription: ONSEMI - MJE3055TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2364 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJE3055TGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJE3055TGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE3055TGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE3055TGonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W NPN
auf Bestellung 2679 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.71 EUR
10+0.91 EUR
100+0.78 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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MJE3055TGON Semiconductor
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE3055TGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+0.81 EUR
500+0.72 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 178
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MJE3055TL
auf Bestellung 1898 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TTUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 600mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE3055TTUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Sil Transistor
auf Bestellung 2024 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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MJE3055TTUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 600mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3055TTUonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE340STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
auf Bestellung 4790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.61 EUR
10+0.74 EUR
100+0.66 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
2000+0.42 EUR
4000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE340STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 29380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
184+0.79 EUR
271+0.52 EUR
304+0.44 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.3 EUR
2500+0.27 EUR
10000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 184
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MJE340STMicroelectronicsТранзистор NPN; Uceo, В = 300; Ic = 500 мА; hFE = 240 @ Ic = 50 mA, Vce = 10 V; Icutoff-max = 100 мкА; Р, Вт = 20 Вт; Тексп, °C = -65...+150; Тип монт. = вивідний; TO-126-3
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJE340ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE340STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.33 EUR
10000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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MJE340CDILNPN 500mA 300V 21W MJE340 CDIL TMJE340
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE340STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 26178 Stücke:
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2000+0.33 EUR
10000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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MJE340STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 300V 0.5A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20.8 W
auf Bestellung 3584 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.58 EUR
50+0.73 EUR
100+0.65 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
2000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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MJE340STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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MJE340STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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MJE340MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - MJE340 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Single Transistor, NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 313 Stücke:
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MJE340onsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W NPN
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MJE340STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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269+0.54 EUR
302+0.46 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.32 EUR
2500+0.29 EUR
10000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 269
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MJE340STMicroelectronicsCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 20.8W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20.8W
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1229 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
70+1.03 EUR
91+0.79 EUR
108+0.66 EUR
210+0.34 EUR
222+0.32 EUR
4000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 70
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MJE340ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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MJE340STMicroelectronicsCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 20.8W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20.8W
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 1229 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+1.03 EUR
91+0.79 EUR
108+0.66 EUR
210+0.34 EUR
222+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 70
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MJE340
Produktcode: 174065
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ONTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-225
Uceo,V: 300 V
Ucbo,V: 300 V
Ic,A: 0,5 A
ZCODE: THT
auf Bestellung 28 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE340STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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MJE340STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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MJE340STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJE340 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 20.8 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20.8W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2719 Stücke:
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MJE340Good-Ark SemiconductorDescription: TRANS NPN 260V 0.5A TO-126
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 1666 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.04 EUR
14+1.29 EUR
100+0.85 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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MJE340 (Hottech)
Produktcode: 189369
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HottechTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
Uceo,V: 300 V
Ucbo,V: 300 V
Ic,A: 0,5 A
ZCODE: THT
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MJE340 (транзистор биполярный NPN)
Produktcode: 128645
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CDILTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-225
Uceo,V: 300 V
Ucbo,V: 300 V
Ic,A: 0,5 A
ZCODE: THT
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MJE340 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 29960
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ONTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
Uceo,V: 300
Ucbo,V: 300
Ic,A: 0,5
ZCODE: THT
verfügbar 5 Stück:
1+0.28 EUR
10+0.26 EUR
100+0.25 EUR
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MJE340 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT . .
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MJE340 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 300Vcbo 300Vceo 3.0Vebo 500mA 20.8W
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MJE340/350
auf Bestellung 90000 Stücke:
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MJE340F
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 266243 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
256+0.57 EUR
298+0.47 EUR
349+0.39 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 256
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MJE340GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO225
Kind of package: bulk
Case: TO225
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Current gain: 30...240
Collector-emitter voltage: 300V
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1187 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
79+0.92 EUR
118+0.61 EUR
213+0.34 EUR
226+0.32 EUR
1000+0.31 EUR
2500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 79
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MJE340GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE340G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 18113 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJE340G
Produktcode: 112487
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STMTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-225
Uceo,V: 300 V
Ic,A: 0,5 A
ZCODE: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 9400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
546+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 546
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MJE340GON-SemicoductorNPN 500mA 300V 20W MJE340G ONS TMJE340 ONS
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 78989 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJE340GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO225
Kind of package: bulk
Case: TO225
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Current gain: 30...240
Collector-emitter voltage: 300V
Polarisation: bipolar
auf Bestellung 1187 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+0.92 EUR
118+0.61 EUR
213+0.34 EUR
226+0.32 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.59 EUR
1000+0.49 EUR
2500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE340GonsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W NPN
auf Bestellung 19743 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.21 EUR
10+0.79 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 9400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
298+0.49 EUR
347+0.4 EUR
407+0.33 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
2500+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 298
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE340GonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 8723 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.46 EUR
20+0.92 EUR
100+0.6 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
2000+0.38 EUR
5000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 266243 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
298+0.49 EUR
349+0.4 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 298
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE340GJSMicro SemiconductorTransistor NPN; 240; 20W; 300V; 500mA; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE340; MJE340STU; KSE340; KSE340STU; MJE340G JSMICRO TMJE340 JSM
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
256+0.57 EUR
298+0.47 EUR
349+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 256
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE340G/MJE350GONTO-225 10+
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE340MJE350FSCST
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE340STUDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE340STUonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE340STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE340STUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE340STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE3439
auf Bestellung 1705 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3439ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE3439 - TRANS NPN 350V 0.3A TO225AA
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3439onsemiDescription: TRANS PWR NPN .3A 350V TO225AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2219+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2219
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3439GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.3A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3439GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.3A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3439GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.3A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 337 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
189+0.77 EUR
211+0.66 EUR
278+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 189
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3439GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 0.3A 350V 15W NPN
auf Bestellung 1634 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3439GonsemiDescription: TRANS NPN 350V 0.3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 15 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3439GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.3A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3439GON Semiconductor
auf Bestellung 213 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE3439GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.3A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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MJE344STTO-126
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MJE344ON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 0.5A 200V 20W NPN
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MJE344STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
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MJE344ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 200V 500MA TO225AA
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MJE3440Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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MJE3440STTO-126
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MJE3440STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Fast Switching
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MJE344GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 0.5A 200V 20W NPN
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MJE344GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 200V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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199+0.73 EUR
225+0.62 EUR
277+0.48 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.3 EUR
2500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 199
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MJE344GON
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MJE344GonsemiDescription: TRANS NPN 200V 0.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 20 W
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MJE344GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 200V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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MJE344GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 200V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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MJE344GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 200V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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173+0.84 EUR
200+0.7 EUR
254+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 173
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MJE344GON Semiconductor
auf Bestellung 175 Stücke:
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MJE350STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 300V 0.5A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20.8 W
auf Bestellung 3538 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.67 EUR
50+0.77 EUR
100+0.69 EUR
500+0.53 EUR
1000+0.48 EUR
2000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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MJE350STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 9091 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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MJE350STMicroelectronics NVPNP, Uкэ=300V, Iк=0.5A, h21=30...240, 20.8Вт, SOT-32 (компл. MJE340)
auf Bestellung 2669 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJE350STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 39641 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJE350STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJE350 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 20.8 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20.8W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1011 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJE350STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 51080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
336+0.43 EUR
363+0.38 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.27 EUR
2500+0.21 EUR
10000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 336
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MJE350STPNP 500mA 300V 20W MJE350 TMJE350
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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MJE350STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Medium Power
auf Bestellung 4076 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.68 EUR
10+0.77 EUR
100+0.69 EUR
500+0.53 EUR
1000+0.48 EUR
2000+0.43 EUR
4000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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MJE350STMicroelectronicsCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; SOT32
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1087 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
80+0.9 EUR
103+0.69 EUR
114+0.63 EUR
143+0.5 EUR
236+0.3 EUR
250+0.29 EUR
10000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 80
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MJE350Good-Ark SemiconductorDescription: TRANS PNP 260V 0.5A TO-126
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 1799 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.08 EUR
14+1.31 EUR
100+0.87 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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MJE350STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 51091 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
275+0.53 EUR
336+0.42 EUR
363+0.37 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.26 EUR
2500+0.2 EUR
10000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 275
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MJE350STPNP 500mA 300V 20W MJE350 TMJE350
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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MJE350onsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W PNP
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MJE350
Produktcode: 34450
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FairchildTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
U, V: 300 V
U, V: 300 V
I, А: 0,5 A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350STMicroelectronicsCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; SOT32
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 1087 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+0.9 EUR
103+0.69 EUR
114+0.63 EUR
143+0.5 EUR
236+0.3 EUR
250+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 80
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MJE350 = KSE350STU
Produktcode: 30696
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-127
U, V: 300
U, V: 300
I, А: 0.5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 10711 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+1.57 EUR
134+1.05 EUR
207+0.65 EUR
250+0.62 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.41 EUR
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 93
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MJE350GJSMicro SemiconductorTransistor PNP; 240; 20W; 300V; 500mA; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE350; MJE350STU; KSE350; KSE350STU; MJE350G JSMICRO TMJE350 JSM
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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MJE350GonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 8442 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.06 EUR
14+1.3 EUR
100+0.86 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.56 EUR
5000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 10697 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+1.09 EUR
207+0.67 EUR
250+0.64 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.43 EUR
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 134
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MJE350GON-SemicoductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 MJE350G ONS TMJE350g ONS
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 13160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1019 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+1.52 EUR
137+1.02 EUR
213+0.63 EUR
250+0.6 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 95
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MJE350GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO225
Current gain: 30...240
Mounting: THT
Kind of package: bulk
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+1.1 EUR
84+0.86 EUR
168+0.43 EUR
178+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO225
Current gain: 30...240
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.1 EUR
84+0.86 EUR
168+0.43 EUR
178+0.4 EUR
5000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.63 EUR
1000+0.58 EUR
2500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350GON-SemicoductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 MJE350G ONS TMJE350g ONS
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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MJE350GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE350G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2632 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1019 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
137+1.06 EUR
213+0.66 EUR
250+0.63 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 137
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350GON SemiconductorТранзистор PNP; Ptot, Вт = 20; Uceo, В = 300; Ic = 500 мА; Тип монт. = вивідний; hFE = 30 (при 50 мА, 10 В); Тексп, °С = -65...+150; TO-225AA
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350GonsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W PNP
auf Bestellung 15621 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.54 EUR
10+1.03 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350G
Produktcode: 112488
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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MJE350MJE340
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350STUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350STUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350STUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
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MJE350STUonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
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MJE350STU-FSFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 300V 0.5A SOT223
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
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MJE350 /MJE340ON09+
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE371onsemiDescription: TRANS PNP 40V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 1V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W
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MJE371ON09+
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MJE371ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE371 - TRANS PNP 40V 4A TO225AA
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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MJE371 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP GP
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MJE371(Transistor)
Produktcode: 92550
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MJE371GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 4A 4000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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MJE371G
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MJE371GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 4A 4000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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MJE371GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 4A 4000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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MJE371GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 1V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 581 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.65 EUR
13+1.36 EUR
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MJE371GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 4A 4000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1129 Stücke:
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101+1.44 EUR
123+1.13 EUR
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500+0.68 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 101
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MJE371GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 4A 4000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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MJE3O55T
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MJE4343onsemiDescription: TRANS NPN 160V 16A SOT-93
Packaging: Tube
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 750µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V
Frequency - Transition: 1MHz
Supplier Device Package: SOT-93
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 125 W
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MJE4343
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MJE4343Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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MJE4343onsemiBipolar Transistors - BJT 16A 160V 125W NPN
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MJE4343GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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MJE4343GonsemiBipolar Transistors - BJT 16A 160V 125W NPN
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MJE4343GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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MJE4343GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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MJE4343GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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MJE4343GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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MJE4343GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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130+4.17 EUR
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MJE4343GonsemiDescription: TRANS NPN 160V 16A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 750µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V
Frequency - Transition: 1MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 125 W
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MJE4353ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE4353 - TRANSISTOR, PNP TO-218
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 95 Stücke:
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MJE4353Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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MJE4353onsemiDescription: TRANS PNP 160V 16A SOT-93
Packaging: Tube
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 750µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V
Frequency - Transition: 1MHz
Supplier Device Package: SOT-93
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 125 W
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MJE4353onsemiBipolar Transistors - BJT 16A 160V 125W PNP
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MJE4353GonsemiDescription: TRANS PNP 160V 16A SOT-93
Packaging: Tube
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 750µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V
Frequency - Transition: 1MHz
Supplier Device Package: SOT-93
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 125 W
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MJE4353G
Produktcode: 106227
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ONTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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MJE4353GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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MJE4353GonsemiBipolar Transistors - BJT 16A 160V 125W PNP
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MJE5050
auf Bestellung 24 Stücke:
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MJE520
auf Bestellung 1402 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE520Central Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 30V 3A TO-126
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MJE520 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 30V 3A TO-126
Packaging: Tube
Part Status: Last Time Buy
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MJE520 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126
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MJE520 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 30Vcbo 30Vceo 4.0Vebo 3.0A 25W
auf Bestellung 2811 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.58 EUR
10+1.42 EUR
25+1.35 EUR
100+1.11 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.72 EUR
2000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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MJE520 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 30Vcbo 30Vceo 4.0Vebo 3.0A 25W
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MJE521ON
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE521STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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MJE521STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 40V 4A SOT32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 1V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE521 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126
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MJE521 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 40Vcbo 40Vceo 4.0Vebo 4.0A 40W
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MJE521 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 40Vcbo 40Vceo 4.0Vebo 4.0A 40W
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MJE521(Transistor)
Produktcode: 92551
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
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MJE521GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 1V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W
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MJE521GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE521G - MJE521G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJE5730onsemiDescription: TRANS PNP 300V 1A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 40 W
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MJE5730
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE5730onsemiBipolar Transistors - BJT 1A 300V 40W PNP
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MJE5730GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 1A; 40W; TO220AB
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Type of transistor: PNP
Kind of package: tube
Collector current: 1A
Current gain: 30...150
Power dissipation: 40W
Collector-emitter voltage: 300V
Frequency: 10MHz
Case: TO220AB
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MJE5730GON05+06+
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE5730GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE5730G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 1 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 877 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJE5730GonsemiBipolar Transistors - BJT 1A 300V 40W PNP
auf Bestellung 4868 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.46 EUR
10+1.35 EUR
100+1.17 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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MJE5730GonsemiDescription: TRANS PNP 300V 1A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 1426 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.57 EUR
50+1.35 EUR
100+1.22 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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MJE5730GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE5730G
Produktcode: 171586
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5730GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE5731onsemiBipolar Transistors - BJT 1A 350V 40W PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5731onsemiDescription: TRANS PNP 350V 1A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 40 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5731Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5731
auf Bestellung 1556 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5731AON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 1A 375V 40W PNP
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MJE5731A
Produktcode: 151453
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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MJE5731AonsemiDescription: TRANS PNP 375V 1A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 375 V
Power - Max: 40 W
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE5731AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.31 EUR
107+1.3 EUR
200+1.25 EUR
400+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 63
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MJE5731AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+1.14 EUR
148+0.95 EUR
250+0.85 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 127
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MJE5731AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE5731AGonsemiDescription: TRANS PNP 375V 1A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 375 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.9 EUR
50+1.39 EUR
100+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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MJE5731AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE5731AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE5731AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+1.14 EUR
147+0.95 EUR
250+0.85 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 127
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MJE5731AGONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 375V; 1A; 40W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 375V
Collector current: 1A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Current gain: 30...150
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 10MHz
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MJE5731AGonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 1A 375V
auf Bestellung 7070 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.71 EUR
10+1.28 EUR
100+1 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.79 EUR
5000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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MJE5731AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE5731AGONSEMIDescription: ONSEMI - MJE5731AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 375 V, 1 A, 2 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 375V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1477 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJE5731GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
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MJE5731GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+0.81 EUR
184+0.76 EUR
500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 178
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5731GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 1A; 40W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 1A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Current gain: 30...150
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 10MHz
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE5731GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
158+0.92 EUR
500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 158
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MJE5731GonsemiBipolar Transistors - BJT 1A 350V 40W PNP
auf Bestellung 1630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.27 EUR
10+1.19 EUR
100+0.97 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.77 EUR
5000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5731GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE5731G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 1 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5731GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.58 EUR
112+1.29 EUR
200+1.19 EUR
400+1.07 EUR
800+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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MJE5731GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 86 Stücke:
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MJE5731GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5731GonsemiDescription: TRANS PNP 350V 1A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 249 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.01 EUR
50+1.44 EUR
100+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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MJE5740onsemiDarlington Transistors 8A 300V Bipolar
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MJE5740
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE5740GonsemiDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5740GonsemiDarlington Transistors 8A 300V Bipolar Power NPN
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE5741
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5742onsemiDescription: TRANS NPN DARL 400V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 400mA, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5742onsemiDarlington Transistors 8A 400V Bipolar
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MJE5742
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE5742GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE5742G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 400 V, 100 W, 8 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5742GONSEMIMJE5742G NPN THT Darlington transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.17 EUR
51+1.42 EUR
54+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5742GON SemiconductorTrans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+1.53 EUR
104+1.34 EUR
250+1.2 EUR
500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5742GON SemiconductorTrans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+1.53 EUR
104+1.34 EUR
250+1.2 EUR
500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5742GON SemiconductorTrans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5742GON SemiconductorTrans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5742GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 400V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 400mA, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 2170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.14 EUR
50+2.03 EUR
100+1.82 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.35 EUR
2000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5742GonsemiDarlington Transistors 8A 400V Bipolar Power NPN
auf Bestellung 8146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.73 EUR
10+1.65 EUR
100+1.41 EUR
500+1.22 EUR
700+1.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5742GON-SemicoductorNPN 8A 400V Darlington MJE5742G TMJE5742g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.42 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5742GON SemiconductorTrans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.57 EUR
250+1.39 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5850onsemiDescription: TRANS PNP 300V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 80 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5850onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 300V 80W PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5850ON04+
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5850ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE5850 - MJE5850, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5850GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5850GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5850GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5850GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5850GonsemiDescription: TRANS PNP 300V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 80 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5850GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 300V 80W PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5851onsemiDescription: TRANS PNP 350V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 80 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH