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Name: SIA461DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 3178381-3
Price: 17.67 EUR
Availability: InStock

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Preis

SIA461DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 17.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V

auf Bestellung 33614 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

19+	0.93 EUR
30+	0.60 EUR
100+	0.40 EUR
500+	0.31 EUR
1000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 19

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SIRA06DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V

auf Bestellung 677 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.01 EUR
12+	1.49 EUR
100+	1.19 EUR
500+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 9

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SI8416DB-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 8V 16A MICRO

Produkt ist nicht verfügbar

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SIRA12DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8

auf Bestellung 523 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS476DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V

auf Bestellung 9483 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.20 EUR
12+	1.54 EUR
100+	1.15 EUR
500+	0.93 EUR
1000+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 8

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SI8416DB-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 8V 16A MICRO

Produkt ist nicht verfügbar

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SI4190ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI5429DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PWR PK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIA418DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIJ482DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR788DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIRA02DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIRA10DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS468DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 40 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA10DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4190ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 50 V

auf Bestellung 1826 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.40 EUR
10+	2.43 EUR
100+	1.87 EUR
500+	1.54 EUR
1000+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI5429DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PWR PK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIA418DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

auf Bestellung 5871 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIJ482DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

auf Bestellung 2004 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR788DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIRA02DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 15 V

auf Bestellung 6428 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.04 EUR
11+	1.65 EUR
100+	1.43 EUR
500+	1.38 EUR
1000+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIRA10DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V

auf Bestellung 4291 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.48 EUR
15+	1.18 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.84 EUR
1000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 12

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS468DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 40 V

auf Bestellung 4695 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.13 EUR
10+	1.99 EUR
100+	1.34 EUR
500+	1.06 EUR
1000+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA10DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V

auf Bestellung 5263 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.83 EUR
11+	1.64 EUR
100+	1.28 EUR
500+	1.05 EUR
1000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI5429DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PWR PK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIA418DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

auf Bestellung 5871 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ710DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 20V 16A 6PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 35A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™

auf Bestellung 19342 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.34 EUR
10+	1.93 EUR
100+	1.50 EUR
500+	1.27 EUR
1000+	1.03 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ710DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 20V 16A 6PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 35A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.97 EUR
6000+	0.93 EUR
9000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4628DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 38A 8SOIC

auf Bestellung 63 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4210DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIE726DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIE876DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4628DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 38A 8SOIC

auf Bestellung 63 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4825DDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 14.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 15 V

auf Bestellung 22837 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.81 EUR
15+	1.23 EUR
100+	0.93 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR424DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V

auf Bestellung 1572 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.92 EUR
14+	1.30 EUR
100+	0.98 EUR
500+	0.80 EUR
1000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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SIR494DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 12V 60A PPAK SO-8

auf Bestellung 11 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.95 EUR
11+	1.69 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SiS438DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 10 V

auf Bestellung 34068 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.51 EUR
17+	1.04 EUR
100+	0.75 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 12

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUP90N06-5M0P-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB
Packaging: Strip
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI3433CDV-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V

auf Bestellung 11581 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

19+	0.95 EUR
27+	0.67 EUR
100+	0.48 EUR
500+	0.38 EUR
1000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 19

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7904BDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual

auf Bestellung 5805 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.06 EUR
11+	1.68 EUR
100+	1.31 EUR
500+	1.11 EUR
1000+	0.90 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIA913ADJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

auf Bestellung 17014 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.09 EUR
25+	0.73 EUR
100+	0.50 EUR
500+	0.39 EUR
1000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 17

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS430DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 12.5 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4168DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 15 V

auf Bestellung 26145 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.16 EUR
12+	1.49 EUR
100+	1.12 EUR
500+	0.97 EUR
1000+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIA850DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR484DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 20A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4210DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIE726DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK

auf Bestellung 98 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR410DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V

auf Bestellung 4330 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.69 EUR
11+	1.70 EUR
100+	1.14 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR460DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V

auf Bestellung 135 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.08 EUR
10+	1.85 EUR
100+	1.45 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUD17N25-165-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 250V 17A TO252

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4100DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V

auf Bestellung 3625 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.25 EUR
12+	1.58 EUR
100+	1.10 EUR
500+	1.00 EUR
1000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4172DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

auf Bestellung 165 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIA811ADJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.8A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 10 V

auf Bestellung 2751 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.37 EUR
21+	0.85 EUR
100+	0.55 EUR
500+	0.42 EUR
1000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 13

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIE876DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK

auf Bestellung 23 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4840BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 19A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V

auf Bestellung 7181 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.59 EUR
10+	2.02 EUR
100+	1.48 EUR
500+	1.18 EUR
1000+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

2N7002K-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V

auf Bestellung 426864 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

42+	0.42 EUR
72+	0.24 EUR
123+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 42

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DG419BDQ-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: IC SWITCH SPDT X 1 25OHM 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 25Ohm
Supplier Device Package: 8-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: 38pC
Crosstalk: -88dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 89ns, 80ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1

auf Bestellung 5657 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.00 EUR
10+	3.74 EUR
25+	3.43 EUR
100+	3.08 EUR
250+	2.92 EUR
500+	2.82 EUR
1000+	2.74 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DG419DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: IC SWITCH SPDT X 1 35OHM 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±15V
Charge Injection: 60pC
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 175ns, 145ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 8pF, 8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1

auf Bestellung 6950 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.43 EUR
10+	2.54 EUR
25+	2.31 EUR
100+	2.07 EUR
250+	1.95 EUR
500+	1.88 EUR
1000+	1.82 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DG419LDQ-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: IC SWITCH SPDT X 1 20OHM 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 20Ohm
Supplier Device Package: 8-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 6V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -71dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 43ns, 31ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DG442DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC

auf Bestellung 2304 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIA461DJ-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 17.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V

auf Bestellung 33614 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
19+	0.93 EUR
30+	0.60 EUR
100+	0.40 EUR
500+	0.31 EUR
1000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 19

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIRA06DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V

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SI8416DB-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 16A MICRO

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SIRA12DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8

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SIS476DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V

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8+	2.20 EUR
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100+	1.15 EUR
500+	0.93 EUR
1000+	0.85 EUR

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SI8416DB-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 16A MICRO

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SI4190ADY-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 50 V

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SI5429DU-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PWR PK

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SIA418DJ-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

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SIJ482DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

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SIR788DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

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SIRA02DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 15 V

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3000+	1.17 EUR

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SIRA10DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

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Anzahl	Preis
3000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SIS468DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 40 V

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3000+	0.85 EUR

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SISA10DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V

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3000+	0.78 EUR

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SI4190ADY-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 50 V

auf Bestellung 1826 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
6+	3.40 EUR
10+	2.43 EUR
100+	1.87 EUR
500+	1.54 EUR
1000+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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SI5429DU-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PWR PK

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SIA418DJ-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

auf Bestellung 5871 Stücke:

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SIJ482DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

auf Bestellung 2004 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR788DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIRA02DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 15 V

auf Bestellung 6428 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
9+	2.04 EUR
11+	1.65 EUR
100+	1.43 EUR
500+	1.38 EUR
1000+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 9

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SIRA10DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V

auf Bestellung 4291 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
12+	1.48 EUR
15+	1.18 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.84 EUR
1000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 12

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS468DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 40 V

auf Bestellung 4695 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
6+	3.13 EUR
10+	1.99 EUR
100+	1.34 EUR
500+	1.06 EUR
1000+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA10DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V

auf Bestellung 5263 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
10+	1.83 EUR
11+	1.64 EUR
100+	1.28 EUR
500+	1.05 EUR
1000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI5429DU-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PWR PK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIA418DJ-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

auf Bestellung 5871 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ710DT-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 16A 6PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 35A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™

auf Bestellung 19342 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
8+	2.34 EUR
10+	1.93 EUR
100+	1.50 EUR
500+	1.27 EUR
1000+	1.03 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIZ710DT-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 16A 6PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 35A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
3000+	0.97 EUR
6000+	0.93 EUR
9000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4628DY-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 38A 8SOIC

auf Bestellung 63 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4210DY-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIE726DF-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIE876DF-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK

Produkt ist nicht verfügbar

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SI4628DY-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 38A 8SOIC

auf Bestellung 63 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4825DDY-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 14.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 15 V

auf Bestellung 22837 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
10+	1.81 EUR
15+	1.23 EUR
100+	0.93 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR424DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V

auf Bestellung 1572 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
10+	1.92 EUR
14+	1.30 EUR
100+	0.98 EUR
500+	0.80 EUR
1000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR494DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 60A PPAK SO-8

auf Bestellung 11 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
10+	1.95 EUR
11+	1.69 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SiS438DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 10 V

auf Bestellung 34068 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
12+	1.51 EUR
17+	1.04 EUR
100+	0.75 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 12

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUP90N06-5M0P-E3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB
Packaging: Strip
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI3433CDV-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V

auf Bestellung 11581 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
19+	0.95 EUR
27+	0.67 EUR
100+	0.48 EUR
500+	0.38 EUR
1000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 19

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7904BDN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual

auf Bestellung 5805 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
9+	2.06 EUR
11+	1.68 EUR
100+	1.31 EUR
500+	1.11 EUR
1000+	0.90 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIA913ADJ-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

auf Bestellung 17014 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
17+	1.09 EUR
25+	0.73 EUR
100+	0.50 EUR
500+	0.39 EUR
1000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 17

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS430DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 12.5 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4168DY-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 15 V

auf Bestellung 26145 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
9+	2.16 EUR
12+	1.49 EUR
100+	1.12 EUR
500+	0.97 EUR
1000+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIA850DJ-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR484DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 20A PPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4210DY-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIE726DF-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK

auf Bestellung 98 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR410DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V

auf Bestellung 4330 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
7+	2.69 EUR
11+	1.70 EUR
100+	1.14 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR460DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V

auf Bestellung 135 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
9+	2.08 EUR
10+	1.85 EUR
100+	1.45 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SUD17N25-165-E3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 17A TO252

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4100DY-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V

auf Bestellung 3625 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
8+	2.25 EUR
12+	1.58 EUR
100+	1.10 EUR
500+	1.00 EUR
1000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4172DY-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

auf Bestellung 165 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIA811ADJ-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.8A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 10 V

auf Bestellung 2751 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
13+	1.37 EUR
21+	0.85 EUR
100+	0.55 EUR
500+	0.42 EUR
1000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 13

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIE876DF-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK

auf Bestellung 23 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI4840BDY-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 19A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V

auf Bestellung 7181 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
7+	2.59 EUR
10+	2.02 EUR
100+	1.48 EUR
500+	1.18 EUR
1000+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

2N7002K-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V

auf Bestellung 426864 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
42+	0.42 EUR
72+	0.24 EUR
123+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 42

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DG419BDQ-T1-E3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 25OHM 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 25Ohm
Supplier Device Package: 8-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: 38pC
Crosstalk: -88dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 89ns, 80ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1

auf Bestellung 5657 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
4+	5.00 EUR
10+	3.74 EUR
25+	3.43 EUR
100+	3.08 EUR
250+	2.92 EUR
500+	2.82 EUR
1000+	2.74 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DG419DY-T1-E3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 35OHM 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±15V
Charge Injection: 60pC
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 175ns, 145ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 8pF, 8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1

auf Bestellung 6950 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
6+	3.43 EUR
10+	2.54 EUR
25+	2.31 EUR
100+	2.07 EUR
250+	1.95 EUR
500+	1.88 EUR
1000+	1.82 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DG419LDQ-T1-E3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 20OHM 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 20Ohm
Supplier Device Package: 8-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 6V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -71dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 43ns, 31ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DG442DY-T1-E3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC

auf Bestellung 2304 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

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