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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
NTM-120BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTM-120BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.120in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
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NTM-120Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.120" 3/5MM 2L
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NTM-130BivarPanel Mount LED Holder
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NTM-130Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.130" 3/5MM 2L
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NTM-130BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTM-140Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.140" 3/5MM 2L
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NTM-140BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
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NTM-140BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.140in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
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NTM-150BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.150in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
auf Bestellung 102 Stücke:
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100+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 100
NTM-150Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.150" 3/5MM 2L
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NTM-150BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 2000 Stücke:
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NTM-150BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.150in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
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NTM-160Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.160" 3/5MM 2L
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.160" (4.06mm)
LED: T1, T1 3/4
Part Status: Active
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NTM-160BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 457 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
54+0.97 EUR
82+ 0.64 EUR
123+ 0.42 EUR
1000+ 0.32 EUR
2500+ 0.29 EUR
10000+ 0.25 EUR
25000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 54
NTM-160BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.160in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
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NTM-170BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 2000 Stücke:
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NTM-170BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.170in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
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NTM-170Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.170" 3/5MM 2L
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.170" (4.32mm)
LED: T1, T1 3/4
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NTM-180Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.180" 3/5MM 2L
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NTM-180BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 2506 Stücke:
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NTM-180BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.180in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
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NTM-190Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.190" 3/5MM 2L
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NTM-190BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTM-190BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.190in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
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NTM-200Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.200" 3/5MM 2L
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NTM-200BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
36+1.48 EUR
50+ 1.06 EUR
160+ 0.32 EUR
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Mindestbestellmenge: 36
NTM-210Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.210" 3/5MM 2L
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NTM-210BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTM-220BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTM-220Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.220" 3/5MM 2L
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NTM-230Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.230" 3/5MM 2L
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NTM-230BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 480 Stücke:
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NTM-240BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.240in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
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NTM-240Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.240" 3/5MM 2L
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NTM-240BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
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NTM-250Bivar Inc.Description: LED MOUNT .250"
Packaging: Bulk
Color: Natural
Material: Nylon
Length: 0.290" (7.37mm)
LED: T1, T1 3/4
Part Status: Active
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NTM-250BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 1780 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTM-260Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.260" 3/5MM 2L
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NTM-260BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 1072 Stücke:
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54+0.97 EUR
82+ 0.64 EUR
123+ 0.42 EUR
1000+ 0.37 EUR
10000+ 0.33 EUR
25000+ 0.3 EUR
50000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 54
NTM-270Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.270" 3/5MM 2L
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NTM-270BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTM-280Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.280" 3/5MM 2L
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NTM-280BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 2132 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTM-290Bivar Inc.Description: LED MOUNT .290"
Packaging: Bulk
Color: Natural
Material: Nylon
Length: 0.290" (7.37mm)
LED: T1, T1 3/4
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NTM-290BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTM-300Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.300" 3/5MM 2L
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NTM-300BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 900 Stücke:
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NTM-310Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.310" 3/5MM 2L
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NTM-310BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTM-320Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.320" 3/5MM 2L
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NTM-320BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 1255 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
50+1.04 EUR
75+ 0.7 EUR
113+ 0.46 EUR
500+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 50
NTM-330Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.330" 3/5MM 2L
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NTM-330BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTM-340Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.340" 3/5MM 2L
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NTM-340BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTM-350Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.350" 3/5MM 2L
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NTM-350BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTM-360Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.360" 3/5MM 2L
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NTM-360BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm LED Black
auf Bestellung 2154 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
54+0.97 EUR
82+ 0.64 EUR
112+ 0.47 EUR
1000+ 0.41 EUR
2500+ 0.33 EUR
10000+ 0.28 EUR
25000+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 54
NTM-370Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.370" 3/5MM 2L
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NTM-370BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
36+1.48 EUR
50+ 1.06 EUR
160+ 0.32 EUR
1000+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 36
NTM-380BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
35+1.51 EUR
49+ 1.08 EUR
157+ 0.33 EUR
1000+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 35
NTM-380Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.380" 3/5MM 2L
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NTM-390BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.390in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
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NTM-390BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTM-390Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.390" 3/5MM 2L
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NTM-400BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
53+0.99 EUR
81+ 0.65 EUR
116+ 0.45 EUR
1000+ 0.29 EUR
2500+ 0.25 EUR
10000+ 0.22 EUR
25000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 53
NTM-400Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.400" 3/5MM 2L
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.400" (10.16mm)
LED: T1, T1 3/4
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
22+1.22 EUR
33+ 0.81 EUR
100+ 0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 22
NTM-410BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
35+1.51 EUR
49+ 1.08 EUR
157+ 0.33 EUR
1000+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 35
NTM-410Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.410" 3/5MM 2L
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NTM-420BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.420in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
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NTM-420BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
52+1 EUR
78+ 0.67 EUR
117+ 0.44 EUR
500+ 0.35 EUR
1000+ 0.33 EUR
2500+ 0.27 EUR
5000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 52
NTM-420Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.420" 3/5MM 2L
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NTM-430BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
53+0.99 EUR
81+ 0.65 EUR
121+ 0.43 EUR
1000+ 0.34 EUR
2500+ 0.3 EUR
10000+ 0.26 EUR
25000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 53
NTM-430Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.430" 3/5MM 2L
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NTM-440BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.440in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
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NTM-440BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTM-440Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.440" 3/5MM 2L
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NTM-450BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTM-450Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.450" 3/5MM 2L
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NTM-460Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.460" 3/5MM 2L
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NTM-460BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTM-480BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.480in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
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NTM-480BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
49+1.07 EUR
74+ 0.71 EUR
110+ 0.47 EUR
500+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 49
NTM-480Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.480" 3/5MM 2L
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NTM-490BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTM-490Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.490" 3/5MM 2L
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NTM-500BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTM-500Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.500" 3/5MM 2L
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NTM-520BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTM-520Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.520" 3/5MM 2L
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NTM-520BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.520in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
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NTM-530Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.530" 3/5MM 2L
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NTM-530BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTM-550BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 802 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
48+1.09 EUR
74+ 0.71 EUR
110+ 0.47 EUR
1000+ 0.31 EUR
2500+ 0.28 EUR
10000+ 0.24 EUR
25000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 48
NTM-550Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.550" 3/5MM 2L
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.550" (13.97mm)
LED: T1, T1 3/4
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NTM-570BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
33+1.58 EUR
47+ 1.12 EUR
150+ 0.35 EUR
1000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 33
NTM-570Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.570" 3/5MM 2L
Produkt ist nicht verfügbar
NTM-600BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
Produkt ist nicht verfügbar
NTM-600Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.600" 3/5MM 2L
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.600" (15.24mm)
LED: T1, T1 3/4
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NTM-620BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTM-620Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.620" 3/5MM 2L
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NTM-650Bivar Inc.Description: LED MOUNT .650"
Packaging: Bulk
Color: Natural
Material: Nylon
Length: 0.650" (16.51mm)
LED: T1, T1 3/4
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
19+1.4 EUR
28+ 0.94 EUR
100+ 0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 19
NTM-650BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
54+0.97 EUR
88+ 0.6 EUR
112+ 0.47 EUR
1000+ 0.4 EUR
2500+ 0.37 EUR
10000+ 0.31 EUR
25000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 54
NTM-670BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 1270 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
54+0.97 EUR
88+ 0.6 EUR
112+ 0.47 EUR
1000+ 0.46 EUR
2500+ 0.28 EUR
10000+ 0.24 EUR
25000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 54
NTM-670Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.670" 3/5MM 2L
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.670" (17.02mm)
LED: T1, T1 3/4
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NTM-700BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTM-700Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.700" 3/5MM 2L
Produkt ist nicht verfügbar
NTM-700BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.700in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
Produkt ist nicht verfügbar
NTM-720BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTM-720Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.720" 3/5MM 2L
Produkt ist nicht verfügbar
NTM-750BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 884 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
50+1.04 EUR
82+ 0.64 EUR
106+ 0.49 EUR
1000+ 0.37 EUR
2500+ 0.34 EUR
10000+ 0.29 EUR
25000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 50
NTM-750Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.750" 3/5MM 2L
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.750" (19.05mm)
LED: T1, T1 3/4
Produkt ist nicht verfügbar
NTM-770Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.770" 3/5MM 2L
Produkt ist nicht verfügbar
NTM-770BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 1347 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTM-800BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
Produkt ist nicht verfügbar
NTM-800Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.800" 3/5MM 2L
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.800" (20.32mm)
LED: T1, T1 3/4
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
NTM-800BIVARCategory: Spacers for LED
Description: Spacer sleeve; LED; Øout: 5.1mm; ØLED: 3mm,5mm; L: 20.3mm; natural
Type of LED accessories: spacer sleeve
Application: LED
Outside diameter: 5.1mm
LED diameter: 3mm; 5mm
Spacer length: 20.3mm
Colour: natural
Flammability rating: UL94V-2
Body material: polyamide 6.6
Mounting holes pitch: 2.5mm
Kind of bulb: T1; T1 3/4
Produkt ist nicht verfügbar
NTM-820BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTM-820Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.820" 3/5MM 2L
Produkt ist nicht verfügbar
NTM-850BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTM-850Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.850" 3/5MM 2L
Produkt ist nicht verfügbar
NTM-870BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
Produkt ist nicht verfügbar
NTM-870Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.870" 3/5MM 2L
Produkt ist nicht verfügbar
NTM-900Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.900" 3/5MM 2L
Produkt ist nicht verfügbar
NTM-900BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
28+1.92 EUR
38+ 1.37 EUR
123+ 0.42 EUR
1000+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 28
NTM1NeutrikPower Transformers TRANSFRMER MIC INPUT PCB VERT 1:1 RATIO
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NTM105K100FNIC ComponentsCap Film 1uF 100V PET 10%( 10 X 19mm) Axial 85°C
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NTM105K250FNIC ComponentsCap Film 1uF 250V PET 10% (11.5 X 27mm) Axial 85°C
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+1.03 EUR
1200+ 0.9 EUR
2400+ 0.81 EUR
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NTM10N02ZMOT09+ SO-8
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NTM10N02ZMOT
auf Bestellung 587 Stücke:
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NTM11210-SC900
auf Bestellung 4000 Stücke:
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NTM1210-SC900TOKO0402X2
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NTM156K100D18R0FNIC ComponentsCap Film 15uF 100V PET 10% (22 X 47mm) Axial 85°C
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NTM156K100D18R0FNIC ComponentsCap Film 15uF 100V PET 10% (22 X 47mm) Axial 85°C
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NTM156K100FNIC ComponentsCap Film 15uF 100V PET 10% (22 X 47mm) Axial 85°C
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 67
NTM156K100FNIC ComponentsCap Film 15uF 100V PET 10% (22 X 47mm) Axial 85°C
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 70
NTM1603HDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm HE Red
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
33+1.6 EUR
50+ 1.06 EUR
100+ 0.7 EUR
1000+ 0.67 EUR
2500+ 0.66 EUR
10000+ 0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 33
NTM1603HDBIVARCategory: Spacers for LED
Description: Spacer sleeve; 3mm; natural
Colour: natural
LED diameter: 3mm
Type of LED accessories: spacer sleeve
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NTM1603HDBivar Inc.Description: LED ASSY VERT
Packaging: Tray
Current: 30mA
Color: Red
Voltage Rating: 2V
Mounting Type: Through Hole
Millicandela Rating: 30mcd
Configuration: Single
Viewing Angle: 45°
Lens Type: Diffused
Wavelength - Peak: 635nm
Part Status: Active
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 3mm, T-1
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NTM1603HDBivarVertical LED Assembly,2 Lead Single Color, Green, Diffused Lens, Black PVC Alloy
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NTM1N05EMOT
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTM1N05EMOT09+ SO-8
auf Bestellung 1299 Stücke:
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NTM2003GDBivar IncDescription: LED ASSY VERT 3MM GRN 565NM
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NTM2003GDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm Green
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NTM2073D
auf Bestellung 26000 Stücke:
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NTM2222AHITACHI01+ SOT-23
auf Bestellung 3999 Stücke:
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NTM2222A-T1B
auf Bestellung 1703 Stücke:
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NTM2222AT1
auf Bestellung 6000 Stücke:
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NTM2369NEC
auf Bestellung 1600 Stücke:
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NTM2369-T1B
auf Bestellung 9000 Stücke:
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NTM2369-T2B
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTM2369-TBTOSHIBA02+ SOT-23
auf Bestellung 3999 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTM2603GDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm Green
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NTM2603HDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm HE Red
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NTM2907NEC
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTM2907A
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTM2907A-T1B
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTM2907A/Y15
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTM3003GDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm Green
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NTM3003HDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm HE Red
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NTM3003YDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm Yellow
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NTM3003YDBivar IncDescription: LED ASSY VERT 3MM YLW 585NM
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NTM3414AM
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTM3703GDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm Green
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NTM3703GDBivar IncDescription: LED ASSY VERT
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NTM3703YDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm Yellow
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NTM3703YDBivar IncDescription: LED ASSY VERT
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NTM3904
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTM3904/B25
auf Bestellung 3000 Stücke:
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NTM3906
auf Bestellung 15000 Stücke:
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NTM3906-T1BNECSOT23/SOT323
auf Bestellung 5952 Stücke:
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NTM3906/Y25
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTM4NeutrikPower Transformers TRANSFRMER MIC INPUT PCB VERT 1:4 RATIO
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTM4NeutrikAudio Transformer 1:4 PC Pin Thru-Hole
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NTM4403GDBivar IncDescription: LED ASSY VERT 3MM GRN 565NM
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NTM4403GDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm Green
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NTM4403YDBivar IncDescription: LED ASSY VERT 3MM YLW 585NM
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NTM4403YDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm Yellow
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NTM4558DJRC
auf Bestellung 925 Stücke:
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NTM4816NR2G
auf Bestellung 6880 Stücke:
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NTM5203GDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm Green
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NTM5203GDBivar IncDescription: LED ASSY VERT 3MM GRN 565NM
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NTM5203HDBivar IncDescription: LED ASSY VERT 3MM HER 635NM
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NTM5203HDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm HE Red
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NTM5203YDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm Yellow
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NTM5203YDBivar IncDescription: LED ASSY VERT 3MM YLW 585NM
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NTM78L09UAT2
auf Bestellung 3000 Stücke:
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NTM8050(M)-T1BNEC05+ SOT-23
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NTM8050(M)-T1B-MFNEC
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTM88H055T1NXP SemiconductorsTire Pressure Monitoring Sensors
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NTM88H055T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 1913 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+21.71 EUR
5+ 19.17 EUR
10+ 16.93 EUR
25+ 13.73 EUR
50+ 12.14 EUR
100+ 11.82 EUR
500+ 9.9 EUR
1000+ 9.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTM88H055T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
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NTM88H055T1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensors TPMS 4X4 900kPa X axis
auf Bestellung 1984 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTM88H065T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 1847 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+21.71 EUR
5+ 19.17 EUR
10+ 16.93 EUR
25+ 13.73 EUR
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500+ 9.9 EUR
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Mindestbestellmenge: 2
NTM88H065T1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensors NTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
auf Bestellung 1939 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+22.8 EUR
5+ 20.1 EUR
10+ 17.76 EUR
25+ 14.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NTM88H065T1NXP SemiconductorsTire Pressure Monitoring Sensors
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NTM88H065T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
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NTM88H075T1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensors NTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
auf Bestellung 1988 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTM88H075T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
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NTM88H075T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
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NTM88H077T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
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NTM88H125T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
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NTM88H125T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
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NTM88H135ST1NXP SemiconductorsTPMS 4X4 900kPa XZ axis
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NTM88H135T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3951 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+18.15 EUR
10+ 13.61 EUR
25+ 12.1 EUR
50+ 11.49 EUR
100+ 11.19 EUR
500+ 9.38 EUR
1000+ 8.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTM88H135T1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensors NTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
auf Bestellung 1905 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+23.14 EUR
5+ 20.44 EUR
10+ 12.97 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NTM88H135T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+8.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
NTM88H145T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+8.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
NTM88H145T1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensors NTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
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NTM88H145T1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensor 90kPa to 930kPa 24-Pin HQFN EP
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NTM88H155T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
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NTM88H155T1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensor 90kPa to 930kPa 24-Pin HQFN EP
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NTM88H155T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
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NTM88H155T1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensors NTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
auf Bestellung 1943 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+23.14 EUR
5+ 20.41 EUR
10+ 18.02 EUR
25+ 14.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NTM88J125T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
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NTM88J125T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
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NTM88J127T1NXP SemiconductorsNTM88J127T1
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NTM88J135ST1NXP SemiconductorsNTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
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NTM88J135T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
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NTM88J145ST1NXP SemiconductorsNTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
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NTM88J145T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
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NTM88J145T1NXP SemiconductorsNTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
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NTM88J155T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
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NTMC083NP10M5LonsemiMOSFET MV5_100V_N_P_IN DUALS AND SINGLE
auf Bestellung 65287 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
23+2.32 EUR
27+ 1.94 EUR
100+ 1.34 EUR
500+ 1.26 EUR
1000+ 0.99 EUR
2500+ 0.94 EUR
5000+ 0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 23
NTMC1300RMOT01+
auf Bestellung 2167 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMC1300R2onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.2A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A, 1.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1110+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 1110
NTMC1300R2
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMC1300R2onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A, 1.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
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NTMD2C02R2ON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
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NTMD2C02R2onsemiMOSFET 20V 5.2A
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NTMD2C02R2ON05+
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD2C02R2ONSO-8
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD2C02R2ON07+ SO-8
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD2C02R2GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
auf Bestellung 16455 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
802+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 802
NTMD2C02R2GON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
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NTMD2C02R2GonsemiMOSFET 20V 5.2A Complementary
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD2C02R2SGonsemiMOSFET COMP20V 2A .043R TR
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD2C02R2SGonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1603+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1603
NTMD2C02R2SGON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD2N05ZMOT09+ SO-8
auf Bestellung 2318 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD2N05ZMOT
auf Bestellung 1318 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD2P01ON07+ SO-8
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD2P01ONSO-8
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD2P01R2ON05+
auf Bestellung 607 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD2P01R2ON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD2P01R2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD2P02MOT95+ SOP
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD2P10MOT95+ SOP
auf Bestellung 941 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD3N03MOT
auf Bestellung 754 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD3N03MOT95+ SOP
auf Bestellung 1295 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD3N03MOT09+ SO-8
auf Bestellung 1754 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD3N08LONSO-8
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD3N08LON07+ SO-8
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD3N08LR2onsemiDescription: MOSFET PWR N-CHAN DUAL 80V 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 114190 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1374+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1374
NTMD3N08LR2onsemiMOSFET 80V 2.3A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD3N08LR2GonsemiMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD3P03ON07+ SO-8
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD3P03ONSO-8
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD3P03R2
auf Bestellung 280000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD3P03R2GonsemiMOSFET 30V 3.05A P-Channel
auf Bestellung 7430 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
30+1.77 EUR
34+ 1.57 EUR
100+ 1.38 EUR
500+ 1.31 EUR
1000+ 1.2 EUR
2500+ 1.13 EUR
5000+ 1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 30
NTMD3P03R2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD3P03R2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.05A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD3P03R2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD3P03R2GONSOP8 07+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD4184PFG
auf Bestellung 7717 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD4184PFR2G
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD4184PFR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMD4184PFR2G - Leistungs-MOSFET, FETKY, p-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMD4184PFR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMD4184PFR2G - Leistungs-MOSFET, FETKY, p-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMD4184PFR2GonsemiMOSFET PFET FTKY S08 30V TR 3.8A
auf Bestellung 22502 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTMD4184PFR2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD4184PFR2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.3A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD4820Nonsemionsemi NFET SO8 30V 8A 0.020R TR
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD4820NR2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC
auf Bestellung 20895 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD4820NR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.4A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD4820NR2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD4820NR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.4A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD4820NR2G
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD4820NR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMD4820NR2G - NFET SO8 30V 8A 0.020R TR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 60481 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMD4820NR2GonsemiMOSFET NFET SO8 30V 8A TR 0.020R
auf Bestellung 1530 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
24+2.25 EUR
28+ 1.86 EUR
100+ 1.44 EUR
500+ 1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 24
NTMD4840Nonsemionsemi NFET SO8 30V 7.5A 0.034R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD4840NR2GonsemiMOSFET NFET SO8 30V 7.5A 0.034R
auf Bestellung 1396 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
31+1.73 EUR
34+ 1.54 EUR
100+ 1.18 EUR
500+ 0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 31
NTMD4840NR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD4840NR2GON08+ SOP-8
auf Bestellung 1678 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD4840NR2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 680mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD4840NR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMD4840NR2G - MOSFET, DUAL N CH, 30V, 5.5A, SOIC-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 234602 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMD4840NR2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 680mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD4840NR2GON Semiconductor
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD4840NR2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 680mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 307102 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1156+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1156
NTMD4884NFR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 15 V
auf Bestellung 43322 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1268+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1268
NTMD4884NFR2G
auf Bestellung 1260 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD4884NFR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 15 V
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NTMD4N01MOT
auf Bestellung 2948 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD4N01MOT09+ SO-8
auf Bestellung 3948 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD4N03onsemionsemi NFET SO8 30V 4A 60MOHM
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NTMD4N03DR2
auf Bestellung 1456 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD4N03R2ONSO-8
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD4N03R2ON07+ SO-8
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD4N03R2ONSOP-8
auf Bestellung 3012 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD4N03R2ON05+
auf Bestellung 4252 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD4N03R2GON06+ SOIC
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD4N03R2GonsemiMOSFET 30V 4A N-Channel
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 564-578 Tag (e)
25+2.13 EUR
28+ 1.91 EUR
100+ 1.86 EUR
500+ 1.32 EUR
1000+ 1.05 EUR
2500+ 0.89 EUR
5000+ 0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 25
NTMD4N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 31763 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
15+1.82 EUR
17+ 1.56 EUR
100+ 1.08 EUR
500+ 0.9 EUR
1000+ 0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 15
NTMD4N03R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 4A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD4N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+0.68 EUR
5000+ 0.65 EUR
12500+ 0.6 EUR
25000+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
NTMD4N03R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMD4N03R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 4A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD5836NLR2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD5836NLR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 9A/5.7A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD5836NLR2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD5836NLR2GonsemiMOSFET NFET SO8-D 40V 10 25mOHM
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD5836NLR2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD5838NLR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 7.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
141+1.12 EUR
158+ 0.96 EUR
159+ 0.91 EUR
161+ 0.87 EUR
204+ 0.66 EUR
250+ 0.62 EUR
500+ 0.48 EUR
1000+ 0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 141
NTMD5838NLR2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD5838NLR2GonsemiMOSFET NFETDPAK40V100A3.7M OHM
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD5838NLR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMD5838NLR2G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 7.4 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.4
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: NSOIC
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 20085 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMD5838NLR2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD5838NLR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 7.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
158+0.99 EUR
159+ 0.95 EUR
161+ 0.91 EUR
204+ 0.68 EUR
250+ 0.65 EUR
500+ 0.5 EUR
1000+ 0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 158
NTMD5838NLR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 7.4A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD5838NLR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMD5838NLR2G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 7.4 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Anzahl der Pins: 8
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.4
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: NSOIC
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02
Dauer-Drainstrom Id: 7.4
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0162
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 2.1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 20085 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMD6601NR2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
auf Bestellung 60595 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD6601NR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 2.2A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD6601NR2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD6N02MOT09+ SO-8
auf Bestellung 3811 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD6N02ONSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD6N02MOT
auf Bestellung 2811 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD6N02ON07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD6N02D2
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD6N02R2ON SemiconductorMOSFET 20V 6A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD6N02R2ON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD6N02R2Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 21500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD6N02R2MOTSOP-8
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD6N02R2GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD6N02R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 730mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.92A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+0.78 EUR
5000+ 0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
NTMD6N02R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMD6N02R2GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD6N02R2GonsemiMOSFET NFET 20V 0.035R TR
auf Bestellung 5956 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
23+2.34 EUR
26+ 2.06 EUR
100+ 1.58 EUR
500+ 1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 23
NTMD6N02R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 730mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.92A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 9768 Stücke:
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13+2.03 EUR
15+ 1.77 EUR
100+ 1.22 EUR
500+ 1.02 EUR
1000+ 0.87 EUR
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NTMD6N02R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
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NTMD6N03MOT95+ SOP
auf Bestellung 2930 Stücke:
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NTMD6N03onsemionsemi NFET SO8 30V 6A 32MOHM
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NTMD6N03MOT09+ SO-8
auf Bestellung 1668 Stücke:
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NTMD6N03MOT
auf Bestellung 668 Stücke:
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NTMD6N0382
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NTMD6N03R2onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 53550 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1401+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1401
NTMD6N03R2ON04+
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD6N03R2onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
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NTMD6N03R2onsemiMOSFET 30V 6A N-Channel
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NTMD6N03R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R
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NTMD6N03R2GON Semiconductor
auf Bestellung 52570 Stücke:
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NTMD6N03R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R
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NTMD6N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
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NTMD6N03R2G
Produktcode: 94669		Transistoren > MOSFET N-CH
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NTMD6N03R2GonsemiMOSFET NFET 30V SPCL TR
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NTMD6N03R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2521 Stücke:
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138+1.14 EUR
139+ 1.09 EUR
141+ 1.04 EUR
162+ 0.86 EUR
250+ 0.8 EUR
500+ 0.66 EUR
1000+ 0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 138
NTMD6N03R2GON09+
auf Bestellung 7518 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD6N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
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NTMD6N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
798+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 798
NTMD6N03R2GON
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD6N03R2GOSonsemiMOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Arrays - MOSFET PWR N-CH DL 6A 30V 8SOIC
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NTMD6N04R2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMD6N04R2G - NTMD6N04R2G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMD6N04R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8SOIC
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NTMD6N04R2GonsemiMOSFET NFET SO8 40V 5.8A 0.027R
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NTMD6N04R2G
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD6N04R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 5.8A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD6N04R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD6P02onsemionsemi PFET SO8 20V 6A 33MOHM
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NTMD6P02ON07+ SO-8
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD6P02ONSO-8
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD6P02DR2G
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD6P02R2
auf Bestellung 4792 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMD6P02R2onsemiDescription: MOSFET PWR P-CHAN DUAL 20V 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD6P02R2onsemiMOSFET 20V 6A P-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD6P02R2GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD6P02R2GON-SemicoductorTransistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6,2A; 1,28W; -55°C ~ 150°C; NTMD6P02R2G TNTMD6p02
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 25
NTMD6P02R2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-Pin SOIC N T/R
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NTMD6P02R2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMD6P02R2GonsemiMOSFET 20V 6A P-Channel
auf Bestellung 2992 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
18+2.94 EUR
22+ 2.41 EUR
100+ 1.87 EUR
500+ 1.51 EUR
1000+ 1.3 EUR
2500+ 1.22 EUR
5000+ 1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 18
NTMD6P02R2GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.7A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.7A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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NTMD6P02R2GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.7A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.7A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD6P02R2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD6P02R2GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD6P02R2SGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
NTMD6P02R2SGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
auf Bestellung 1270 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
704+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 704
NTMED2P01R2G
auf Bestellung 923 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMF1N05MOT09+ SO-8
auf Bestellung 2227 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMF1N05MOT
auf Bestellung 1227 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMF4708NT1G
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMF4N02MOT
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMF4N02MOT09+ SO-8
auf Bestellung 1062 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFC013NP10M5Lonsemionsemi MV5_100V_N_P_IN DUALS AND SINGLE
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NTMFD016N06ConsemiON Semiconductor
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NTMFD016N06CT1GonsemiMOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
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NTMFD016N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 9A/32A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 32A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
auf Bestellung 1440 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.84 EUR
10+ 5.67 EUR
100+ 4.51 EUR
500+ 3.82 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NTMFD016N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 9A/32A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 32A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD020N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A/27A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
auf Bestellung 1340 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.25 EUR
10+ 4.37 EUR
100+ 3.48 EUR
500+ 2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 5
NTMFD020N06CT1GonsemiMOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
auf Bestellung 1470 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.36 EUR
12+ 4.45 EUR
100+ 3.56 EUR
250+ 3.41 EUR
500+ 2.99 EUR
1000+ 2.54 EUR
1500+ 2.41 EUR
Mindestbestellmenge: 10
NTMFD020N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A/27A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 30V
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD024N06CT1GonsemiMOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD024N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A/24A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD024N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A/24A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD030N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A/19A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 19A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD030N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A/19A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 19A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
11+2.55 EUR
13+ 2.09 EUR
100+ 1.62 EUR
500+ 1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 11
NTMFD030N06CT1GonsemiMOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD030N06CT1GON SemiconductorPower MOSFET Power, N Channel, DUAL SO8FL, 60 V, 29.7 m, 19 A
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD0D9N02P1EonsemiDescription: IFET 25V 0.9 MOHM PQFN56MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 960mW (Ta), 1.04W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 30A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 15V, 5050pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V, 720µOhm @ 41A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V, 30nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 340µA, 2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD1D1N02XonsemiMOSFET Dual Power MOSFETs, N-Channel, 25V, 3.0mohm/75A, 0.87mohm/178A, Asymmetric, Power Clip Dual 5x6 25V, N-Channel, Power MOSFETs, Power Clip Dual 5x6
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD1D1N02XON SemiconductorMOSFET-Power Dual N-Channel Power Clip
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD1D1N02XonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 14A/75A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 960mW (Ta), 27W (Tc), 1W (Ta), 44W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 75A (Tc), 27A (Ta), 178A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 12V, 4265pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V, 870µOhm @ 37A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 59nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 240µA, 2.1V @ 850µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+2.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTMFD1D4N02P1EonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A/74A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 960mW (Ta), 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 74A (Tc), 24A (Ta), 155A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 13V, 3603pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V, 1.1mOhm @ 37A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 4.5V, 21.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 2V @ 800µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
auf Bestellung 5940 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.72 EUR
10+ 4.75 EUR
100+ 3.78 EUR
500+ 3.2 EUR
1000+ 2.72 EUR
Mindestbestellmenge: 5
NTMFD1D4N02P1EonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A/74A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 960mW (Ta), 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 74A (Tc), 24A (Ta), 155A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 13V, 3603pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V, 1.1mOhm @ 37A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 4.5V, 21.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 2V @ 800µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
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3000+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTMFD1D6N03P8onsemiMOSFET PT8 N-CH DUAL 30V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD1D6N03P8onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A/56A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Ta), 23W (Tc), 2.3W (Ta), 29W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 56A (Tc), 32A (Ta), 109A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V, 6430pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V, 1.6mOhm @ 32A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, 87nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
auf Bestellung 1724994 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.61 EUR
10+ 2.99 EUR
100+ 2.38 EUR
500+ 2.01 EUR
1000+ 1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 8
NTMFD1D6N03P8onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A/56A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Ta), 23W (Tc), 2.3W (Ta), 29W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 56A (Tc), 32A (Ta), 109A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V, 6430pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V, 1.6mOhm @ 32A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, 87nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
auf Bestellung 1722000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+1.62 EUR
6000+ 1.56 EUR
9000+ 1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTMFD2D4N03P8onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A/56A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta), 23W (Tc), 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 56A (Tc), 25A (Ta), 84A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V, 3825pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V, 2.4mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, 55nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
auf Bestellung 366000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
9+3.2 EUR
10+ 2.62 EUR
100+ 2.04 EUR
500+ 1.73 EUR
1000+ 1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 9
NTMFD2D4N03P8onsemiMOSFET PT8 N-CH DUAL 30V
auf Bestellung 2880 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
16+3.28 EUR
20+ 2.68 EUR
100+ 2.07 EUR
500+ 1.76 EUR
1000+ 1.43 EUR
3000+ 1.34 EUR
6000+ 1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 16
NTMFD2D4N03P8onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A/56A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta), 23W (Tc), 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 56A (Tc), 25A (Ta), 84A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V, 3825pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V, 2.4mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, 55nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
auf Bestellung 366000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+1.32 EUR
6000+ 1.26 EUR
9000+ 1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTMFD4901NFonsemionsemi NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4901NFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.3A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W, 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A, 17.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4901NFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.5A/23.4A 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
LPC11U35FHI33/501
Produktcode: 91879		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4901NFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTMFD4901NFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4901NFT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.3A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W, 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A, 17.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4901NFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.5A/23.4A 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4902NFT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4902NFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.3A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W, 1.16W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A, 13.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4902NFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.5A/17.5A 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4902NFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.3A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W, 1.16W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A, 13.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4902NFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.5A/17.5A 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4902NFT3GON Semiconductor
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFD4902NFT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.3A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W, 1.16W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A, 13.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4902NFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4902NFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.5A/17.5A 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4902NFT3G-SonsemiDescription: NTMFD4902NFT3G-S
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4951NFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL
Packaging: Bulk
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
190+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 190
NTMFD4951NFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4951NFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4951NFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFD4951NFT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFD4951NFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4951NFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8DFN DL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
172+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 172
NTMFD4951NFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8DFN DL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4952NFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4952NFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8DFN DL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4952NFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4952NFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8DFN DL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C20NT1GON Semiconductor
auf Bestellung 1268 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFD4C20NT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 27A 3.4MOH
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+5.04 EUR
13+ 4.21 EUR
100+ 3.95 EUR
250+ 3.82 EUR
500+ 3.69 EUR
1000+ 3.54 EUR
1500+ 3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 11
NTMFD4C20NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/13.7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.09W, 1.15W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A, 13.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C20NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12A/18A 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C20NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/13.7A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.09W, 1.15W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A, 13.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V
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Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFD4C20NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12A/18A 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C20NT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/13.7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.09W, 1.15W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A, 13.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C20NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 27A 3.4MOH
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C50NT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C50NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8DFN DL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C50NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8DFN DL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
auf Bestellung 16500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
337+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 337
NTMFD4C50NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8DFN DL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C50NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C85NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 25.4A/49.2A 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C85NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFD4C85NT1G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 25.4 A, 0.0022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0022ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.95W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 182728 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFD4C85NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15.4A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A, 29.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C85NT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 40A 1.2MOH
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+11.54 EUR
10+ 9.7 EUR
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100+ 7.85 EUR
Mindestbestellmenge: 5
NTMFD4C85NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15.4A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A, 29.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C85NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15.4A 8DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A, 29.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
auf Bestellung 182728 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
130+5.5 EUR
Mindestbestellmenge: 130
NTMFD4C85NT3GonsemiMOSFET NFET SO8FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C85NT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15.4A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A, 29.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C85NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 25.4A/49.2A 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C86NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.3A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A, 18.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1153pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C86NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.8A/23.7A 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C86NT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 32A 2.1MOH
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C86NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.3A 8DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A, 18.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1153pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 40079 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
117+6.09 EUR
Mindestbestellmenge: 117
NTMFD4C86NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFD4C86NT1G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 20.2 A, 0.0043 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0043ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.89W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 40079 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFD4C86NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 32A 2.1MOH
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C86NT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.3A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A, 18.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1153pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C86NT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.3A 8DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A, 18.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1153pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
auf Bestellung 795000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
117+6.09 EUR
Mindestbestellmenge: 117
NTMFD4C87NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.7A 8DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A, 14.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
auf Bestellung 10500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
130+5.48 EUR
Mindestbestellmenge: 130
NTMFD4C87NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A, 14.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C87NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFD4C87NT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 10500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFD4C87NT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 26A 3.1MOH
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C87NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 26A 3.1MOH
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C87NT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A, 14.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C88NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFD4C88NT1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFD4C88NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A, 14.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C88NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.7A 8DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A, 14.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
160+4.51 EUR
Mindestbestellmenge: 160
NTMFD4C88NT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 24A 3.4MOH
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C88NT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A, 14.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C88NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD4C88NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15.4A/18.7A 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD5875NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A/22A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 32W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD5875NLT1GonsemiMOSFET 60V 22A 33MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD5875NLT1GON SemiconductorNFET SO8FL 60V 22A 33MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD5C446NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD5C446NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 25A/145A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 145A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD5C446NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 25A/145A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 145A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD5C446NLT1GonsemiMOSFET T6 40V LL S08FL DS
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 553-567 Tag (e)
5+12.45 EUR
10+ 11.62 EUR
100+ 10.32 EUR
500+ 9.72 EUR
1000+ 8.71 EUR
Mindestbestellmenge: 5
NTMFD5C462NLT1GON SemiconductorDescription: T6 40V LL S08FL DS
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFD5C466NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 40V LL S08FL DS
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD5C466NLT1GON SemiconductorDescription: T6 40V LL S08FL DS
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFD5C466NT1GonsemiDescription: MOSFET 40V S08FL DUAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD5C466NT1GonsemiDescription: MOSFET 40V S08FL DUAL
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.74 EUR
10+ 3.06 EUR
100+ 2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 7
NTMFD5C466NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin DFN EP Reel
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD5C466NT1GON SemiconductorDual N Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD5C466NT1GonsemiMOSFET 40V 8.1 MOHM T6 S08FL DUAL
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD5C470NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11A/36A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1500+3.29 EUR
3000+ 3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
NTMFD5C470NLT1GonsemiMOSFET T6 40V LL S08FL DS
auf Bestellung 1239 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.97 EUR
10+ 5.77 EUR
100+ 4.6 EUR
250+ 4.26 EUR
500+ 3.85 EUR
1000+ 3.28 EUR
1500+ 3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 8
NTMFD5C470NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11A/36A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
auf Bestellung 5713 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.94 EUR
10+ 5.75 EUR
100+ 4.58 EUR
500+ 3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NTMFD5C650NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL S08FL DS
auf Bestellung 1770 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTMFD5C650NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD5C650NLT1GON Semiconductor
auf Bestellung 2829 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFD5C650NLT1GON SemiconductorDescription: T6 60V LL S08FL DS
auf Bestellung 1500 Stücke:
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NTMFD5C650NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin DFN EP T/R
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NTMFD5C672NLT1GON SemiconductorPower MOSFET
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NTMFD5C672NLT1GonsemiDescription: T6 60V LL S08FL DS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD5C672NLT1GonsemiDescription: T6 60V LL S08FL DS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFD5C674NLT1GON Semiconductor
auf Bestellung 1250 Stücke:
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NTMFD5C674NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL S08FL DS
auf Bestellung 2987 Stücke:
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NTMFD5C674NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin DFN EP T/R
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NTMFD5C680NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7.5A/26A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
auf Bestellung 40500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.63 EUR
10+ 5.52 EUR
100+ 4.39 EUR
500+ 3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NTMFD5C680NLT1GonsemiMOSFET T6 60V LL SO8FL DUAL
auf Bestellung 11981 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.73 EUR
10+ 5.3 EUR
100+ 4.45 EUR
250+ 4.11 EUR
500+ 3.72 EUR
1000+ 3.2 EUR
1500+ 3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 8
NTMFD5C680NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7.5A/26A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
auf Bestellung 40500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1500+3.15 EUR
3000+ 3 EUR
7500+ 2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
NTMFD5C680NLT1GON Semiconductor
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFD6H846NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 9.4A/31A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 31A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
auf Bestellung 940 Stücke:
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7+3.77 EUR
10+ 3.11 EUR
100+ 2.48 EUR
500+ 2.1 EUR
Mindestbestellmenge: 7
NTMFD6H846NLT1GON Semiconductor
auf Bestellung 1430 Stücke:
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NTMFD6H846NLT1GON SemiconductorDual N Channel Power MOSFET 80V, 31A, 15m
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NTMFD6H846NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 9.4A/31A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 31A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
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NTMFD6H846NLT1GonsemiMOSFET T8 80V LL SO8FL DS
auf Bestellung 2239 Stücke:
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14+3.82 EUR
17+ 3.2 EUR
100+ 2.54 EUR
500+ 2.13 EUR
1000+ 1.85 EUR
Mindestbestellmenge: 14
NTMFRS4707NT1G
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS002N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 175A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 351µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V
auf Bestellung 1439 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.7 EUR
10+ 6.47 EUR
100+ 5.24 EUR
500+ 4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NTMFS002N10MCLT1GonsemiMOSFET MOSFET - Power, Single, N-Channel 100 V, 2.8 mohm, 175A MOSFET - Power, Single, N-Channel 100 V, 2.8 mohm, 175A
auf Bestellung 4364 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+8.22 EUR
10+ 7.41 EUR
100+ 6.06 EUR
500+ 5.17 EUR
1000+ 4.37 EUR
1500+ 4.13 EUR
3000+ 3.95 EUR
Mindestbestellmenge: 7
NTMFS002N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS002N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 175 A, 0.0023 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 189W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 189W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS002N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 175A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 351µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS002P03P8ZT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 40.2A 5-Pin SO-FL EP Reel
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS002P03P8ZT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER -30V P-CHANNEL, SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.2A (Ta), 263A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 138.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 217 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14950 pF @ 15 V
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1500+3.83 EUR
3000+ 3.61 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
NTMFS002P03P8ZT1GonsemiMOSFET PFET SO8FL -30V 2MO
auf Bestellung 5709 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+7.46 EUR
10+ 6.27 EUR
25+ 6.16 EUR
100+ 5.07 EUR
250+ 5.02 EUR
500+ 4.52 EUR
1000+ 4.16 EUR
Mindestbestellmenge: 7
NTMFS002P03P8ZT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS002P03P8ZT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 226 A, 0.0012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 226A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138.9W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
auf Bestellung 903 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS002P03P8ZT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER -30V P-CHANNEL, SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.2A (Ta), 263A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 138.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 217 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14950 pF @ 15 V
auf Bestellung 69871 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.41 EUR
10+ 6.22 EUR
100+ 5.03 EUR
500+ 4.47 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NTMFS002P03P8ZT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS002P03P8ZT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 226 A, 0.0012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 226A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 138.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138.9W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1028 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS005N10MCLT1GonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 192µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 50 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1500+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
NTMFS005N10MCLT1GON Semiconductor
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS005N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16A 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS005N10MCLT1GonsemiMOSFET PTNG 100V LL SO8FL
auf Bestellung 9719 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+4.91 EUR
13+ 4.13 EUR
100+ 3.33 EUR
250+ 3.25 EUR
500+ 2.83 EUR
1000+ 2.59 EUR
1500+ 2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 11
NTMFS005N10MCLT1GonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 192µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 50 V
auf Bestellung 4115 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+5.02 EUR
10+ 4.16 EUR
100+ 3.31 EUR
500+ 2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 6
NTMFS005P03P8ZT1GON SemiconductorPower, Single P-Channel, SO8-FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS006N08MCON Semiconductor
auf Bestellung 2936 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS006N08MConsemiMOSFET 80V PTNG IN PQFN8
auf Bestellung 2498 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+5.12 EUR
13+ 4.26 EUR
100+ 3.38 EUR
250+ 3.12 EUR
500+ 2.83 EUR
1000+ 2.42 EUR
3000+ 2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 11
NTMFS006N08MConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 9.3A/82A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 40 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTMFS006N08MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14.7A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS006N08MConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 9.3A/82A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 40 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+5.1 EUR
10+ 4.24 EUR
100+ 3.37 EUR
500+ 2.85 EUR
1000+ 2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 6
NTMFS006N12MCT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS006N12MCT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, 120V SINGLE N CHAN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3365 pF @ 60 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS006N12MCT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 15A
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS006N12MCT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS006N12MCT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, 120V SINGLE N CHAN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3365 pF @ 60 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS006N12MCT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS006N12MCT1GON Semiconductor
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS006N12MCT1GonsemiMOSFET PTNG 120V SG
auf Bestellung 26930 Stücke:
Lieferzeit 779-793 Tag (e)
8+7.1 EUR
10+ 5.98 EUR
100+ 4.84 EUR
500+ 4.32 EUR
1000+ 4.16 EUR
1500+ 3.64 EUR
3000+ 3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 8
NTMFS008N12MCT1GonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 12
auf Bestellung 1147 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+6.4 EUR
10+ 5.74 EUR
100+ 4.62 EUR
500+ 3.79 EUR
Mindestbestellmenge: 5
NTMFS008N12MCT1GonsemiMOSFET PTNG 120V SG
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTMFS008N12MCT1GonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 12
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS008N12MCT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 12A 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS010N10GTWGonsemiDescription: 100V MVSOA IN PQFN56 PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 164µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS010N10GTWGonsemiDescription: 100V MVSOA IN PQFN56 PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 164µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS011N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS011N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 78 A, 0.009 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 147W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5953 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS011N15MConsemiMOSFET PTNG 150V 11MOHM, PQFN56
auf Bestellung 2556 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+28.65 EUR
10+ 25.25 EUR
25+ 25.04 EUR
50+ 24.7 EUR
100+ 21.84 EUR
250+ 21.63 EUR
500+ 19.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTMFS011N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 10.7A/78A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 194µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3592 pF @ 75 V
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NTMFS011N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS011N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS011N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 78 A, 0.009 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5953 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS011N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS011N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 10.7A/78A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 194µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3592 pF @ 75 V
auf Bestellung 2848 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+28.16 EUR
10+ 24.8 EUR
100+ 21.45 EUR
500+ 19.44 EUR
1000+ 17.83 EUR
NTMFS015N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10.5A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS015N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10.5A/54A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 282µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13380 pF @ 50 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
NTMFS015N10MCLT1GonsemiMOSFET PTNG 100V LL NCH SO-8FL FOR INDUSTRIAL MARKET
auf Bestellung 1997 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
18+2.96 EUR
21+ 2.49 EUR
100+ 1.91 EUR
500+ 1.74 EUR
1500+ 1.47 EUR
3000+ 1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 18
NTMFS015N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10.5A/54A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 282µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13380 pF @ 50 V
auf Bestellung 2723 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.41 EUR
10+ 2.79 EUR
100+ 2.17 EUR
500+ 1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 8
NTMFS015N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 9.2A/61A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 108.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 162µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 75 V
auf Bestellung 11978 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.57 EUR
10+ 6.35 EUR
100+ 5.14 EUR
500+ 4.56 EUR
1000+ 3.91 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NTMFS015N15MConsemiMOSFET PTNG 150V 15MOHM, PQFN56
auf Bestellung 6498 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+7.54 EUR
10+ 6.4 EUR
25+ 6.37 EUR
100+ 5.2 EUR
250+ 5.17 EUR
500+ 4.63 EUR
1000+ 3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7
NTMFS015N15MCON Semiconductor
auf Bestellung 2755 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS015N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS015N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 9.2A/61A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 108.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 162µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 75 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+3.68 EUR
6000+ 3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTMFS015N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTMFS015N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS015N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 61 A, 0.0102 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 108.7W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6418 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS015N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS015N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS015N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTMFS016N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/33A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.85 EUR
10+ 3.15 EUR
100+ 2.45 EUR
500+ 2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 7
NTMFS016N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/33A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1500+1.69 EUR
3000+ 1.59 EUR
7500+ 1.52 EUR
10500+ 1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
NTMFS016N06CT1GonsemiMOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS020N06CT1GonsemiMOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS020N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A/28A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.6mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
auf Bestellung 4476 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.51 EUR
10+ 2.89 EUR
100+ 2.24 EUR
500+ 1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 8
NTMFS020N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A/28A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.6mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1500+1.55 EUR
3000+ 1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
NTMFS020N06CT1GON Semiconductor
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS022N15MConsemiMOSFET PTNG 150V 22MOHM, PQFN56
auf Bestellung 1511 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+5.82 EUR
11+ 4.86 EUR
100+ 3.87 EUR
250+ 3.67 EUR
500+ 3.28 EUR
1000+ 2.78 EUR
3000+ 2.6 EUR
Mindestbestellmenge: 9
NTMFS022N15MConsemiDescription: POWER MOSFET, 150V SINGLE N CHAN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 41.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 80.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 75 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTMFS022N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 7.3A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS022N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 7.3A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS022N15MConsemiDescription: POWER MOSFET, 150V SINGLE N CHAN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 41.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 80.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 75 V
auf Bestellung 3152 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.95 EUR
10+ 4.94 EUR
100+ 3.93 EUR
500+ 3.33 EUR
1000+ 2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 5
NTMFS024N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/25A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS024N06CT1GonsemiMOSFET T6 60V SG HIGHER
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS024N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/25A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS024N06CT1GON SemiconductorT6 60V SG HIGHER RDS-ON P
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS034N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 6.1A/31A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
auf Bestellung 2589 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.6 EUR
10+ 3.82 EUR
100+ 3.04 EUR
500+ 2.57 EUR
1000+ 2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 6
NTMFS034N15MConsemiMOSFET PTNG 150V 34MOHM PQFN56
auf Bestellung 4936 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+4.32 EUR
15+ 3.64 EUR
100+ 2.99 EUR
500+ 2.6 EUR
1000+ 2.2 EUR
3000+ 2.09 EUR
6000+ 2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 13
NTMFS034N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 6.1A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS034N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 6.1A/31A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS034N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 6.1A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS034N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 6.1A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+3.23 EUR
55+ 2.79 EUR
59+ 2.48 EUR
100+ 2.04 EUR
250+ 1.76 EUR
500+ 1.52 EUR
1000+ 1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 49
NTMFS08N003CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin Power 56 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS08N003ConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 22A/147A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 147A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA
Supplier Device Package: Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 40 V
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+10.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTMFS08N003CON Semiconductor
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS08N003CON SemiconductorNTMFS08N003C ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 22A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS08N003ConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 22A/147A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 147A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA
Supplier Device Package: Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 40 V
auf Bestellung 62948 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+19.94 EUR
10+ 17.09 EUR
100+ 14.24 EUR
500+ 12.57 EUR
1000+ 11.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTMFS08N003ConsemiMOSFET PTNG 80/20V IN 5X6CLIP
auf Bestellung 2564 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+15.86 EUR
10+ 14.22 EUR
25+ 14.07 EUR
100+ 12.74 EUR
250+ 12.64 EUR
500+ 11.83 EUR
1000+ 11.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NTMFS08N003CON SemiconductorNTMFS08N003C ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 22A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+12.49 EUR
16+ 9.8 EUR
25+ 9.35 EUR
100+ 8.37 EUR
250+ 7.73 EUR
500+ 7.14 EUR
1000+ 6.38 EUR
3000+ 6.37 EUR
Mindestbestellmenge: 13
NTMFS08N004CON Semiconductor / FairchildMOSFET 80V/20V N-Channel PTNG MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS08N004CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 18A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS08N2D5Consemi / FairchildMOSFET PTNG 80V/20V N-Channel MOSFET
auf Bestellung 2786 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+16.95 EUR
10+ 15.31 EUR
100+ 12.69 EUR
500+ 11.05 EUR
1000+ 9.62 EUR
3000+ 9.23 EUR
9000+ 9.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NTMFS08N2D5CONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS08N2D5C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 166 A, 0.0022 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 138W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS08N2D5CONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS08N2D5C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 166 A, 0.0022 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 138W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS0D4N04XMT1GON SemiconductorNTMFS0D4N04XMT1G
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS0D4N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 509A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8577 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS0D4N04XMT1GonsemiMOSFET 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 259-273 Tag (e)
8+6.73 EUR
10+ 5.67 EUR
25+ 5.33 EUR
100+ 4.58 EUR
250+ 4.32 EUR
500+ 4.06 EUR
1000+ 3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 8
NTMFS0D4N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 509A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8577 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS0D55N03CGT1GonsemiDescription: WIDE SOA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18500 pF @ 15 V
auf Bestellung 2064000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1500+3.29 EUR
3000+ 3.1 EUR
7500+ 2.97 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
NTMFS0D55N03CGT1GonsemiMOSFET WIDE SOA
auf Bestellung 1370 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+6.47 EUR
10+ 5.43 EUR
100+ 4.39 EUR
500+ 3.93 EUR
1000+ 3.35 EUR
1500+ 3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 9
NTMFS0D55N03CGT1GonsemiDescription: WIDE SOA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18500 pF @ 15 V
auf Bestellung 2065410 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+6.37 EUR
10+ 5.34 EUR
100+ 4.32 EUR
500+ 3.84 EUR
Mindestbestellmenge: 5
NTMFS0D55N03CGT1GON SemiconductorMOSFET, Power, 30V N Channel, SO8 FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS0D5N03CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D5N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 464 A, 0.00043 ohm, SO-8 FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 430µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00043ohm
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS0D5N03CT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), 464A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS0D5N03CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D5N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 464 A, 0.00043 ohm, SO-8 FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00043ohm
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS0D5N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 65A 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS0D5N03CT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), 464A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+11.36 EUR
10+ 9.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NTMFS0D5N03CT1GonsemiMOSFET LFPAK WIDE SOA AND SO8FL EXPANSION
auf Bestellung 5968 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+11.18 EUR
10+ 9.44 EUR
25+ 9.41 EUR
100+ 8.03 EUR
250+ 8.01 EUR
500+ 7.12 EUR
1500+ 6.08 EUR
Mindestbestellmenge: 5
NTMFS0D5N04XLT1GonsemiMOSFET 40V T10S IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE
auf Bestellung 1485 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+8.92 EUR
10+ 7.49 EUR
25+ 7.07 EUR
100+ 6.06 EUR
250+ 5.72 EUR
500+ 5.38 EUR
1000+ 4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 6
NTMFS0D6N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS0D6N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 82
NTMFS0D6N03CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D6N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 0.00052 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 433A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 520µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00052ohm
auf Bestellung 1244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS0D6N03CT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 433A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.62mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1500+5.2 EUR
3000+ 4.89 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
NTMFS0D6N03CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D6N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 0.00052 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 433A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00052ohm
auf Bestellung 1244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS0D6N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS0D6N03CT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 433A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.62mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V
auf Bestellung 3296 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+10.06 EUR
10+ 8.44 EUR
100+ 6.83 EUR
500+ 6.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NTMFS0D6N03CT1GonsemiMOSFET LFPAK WIDE SOA AND SO8FL EXPANSION
auf Bestellung 4754 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+9.93 EUR
10+ 8.42 EUR
25+ 8.32 EUR
100+ 6.89 EUR
250+ 6.79 EUR
500+ 6.14 EUR
1000+ 5.64 EUR
Mindestbestellmenge: 6
NTMFS0D7N03CGT1GON Semiconductor
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS0D7N03CGT1GonsemiMOSFET WIDE SOA
auf Bestellung 1440 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+11.83 EUR
10+ 10.63 EUR
100+ 8.71 EUR
500+ 7.41 EUR
1000+ 6.79 EUR
1500+ 6.24 EUR
3000+ 5.93 EUR
Mindestbestellmenge: 5
NTMFS0D7N03CGT1GON SemiconductorN-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS0D7N04XLT1GonsemiMOSFET 40V T10S IN S08FL PACKAGE
auf Bestellung 1485 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.73 EUR
10+ 5.69 EUR
25+ 5.36 EUR
100+ 4.6 EUR
250+ 4.32 EUR
500+ 4.08 EUR
1000+ 3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 8
NTMFS0D7N04XMT1GonsemiMOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 259-273 Tag (e)
14+3.82 EUR
17+ 3.17 EUR
100+ 2.51 EUR
250+ 2.34 EUR
500+ 2.12 EUR
1000+ 1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 14
NTMFS0D8N02P1ET1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 55A/365A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta), 365A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.68mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 13 V
auf Bestellung 16494 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+9.41 EUR
10+ 8.45 EUR
100+ 6.93 EUR
500+ 5.9 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NTMFS0D8N02P1ET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 55A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
auf Bestellung 2903 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.12 EUR
78+ 1.94 EUR
79+ 1.85 EUR
80+ 1.76 EUR
100+ 1.59 EUR
250+ 1.51 EUR
500+ 1.37 EUR
1000+ 1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 74
NTMFS0D8N02P1ET1GonsemiMOSFET FET 25V 0.8 MOHM SO8FL
auf Bestellung 1379 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.53 EUR
10+ 5.75 EUR
25+ 5.72 EUR
100+ 4.89 EUR
250+ 4.86 EUR
500+ 4.5 EUR
1000+ 4.42 EUR
Mindestbestellmenge: 8
NTMFS0D8N02P1ET1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 55A/365A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta), 365A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.68mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 13 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1500+4.97 EUR
3000+ 4.72 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
NTMFS0D8N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 54A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.58 EUR
39+ 3.72 EUR
100+ 3.21 EUR
250+ 3.06 EUR
500+ 2.9 EUR
1000+ 2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 35
NTMFS0D8N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 54A 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS0D8N03CT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS0D8N03CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D8N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 337 A, 0.00062 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 337A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 620µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00062ohm
auf Bestellung 2988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS0D8N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 54A 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS0D8N03CT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS0D8N03CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D8N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 337 A, 0.00062 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 337A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00062ohm
auf Bestellung 2988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS0D8N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 54A 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS0D8N03CT1GonsemiMOSFET LFPAK WIDE SOA AND SO8FL EXPANSION
auf Bestellung 4085 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+8.11 EUR
10+ 6.84 EUR
25+ 6.63 EUR
100+ 5.54 EUR
250+ 5.36 EUR
500+ 4.91 EUR
1000+ 4.21 EUR
Mindestbestellmenge: 7
NTMFS0D9N03CGT1GonsemiMOSFET WIDE SOA
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+5.93 EUR
11+ 5.1 EUR
100+ 4.08 EUR
250+ 3.93 EUR
500+ 3.69 EUR
1000+ 3.07 EUR
1500+ 2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 9
NTMFS0D9N03CGT1GON Semiconductor30 V, Single N Channel Power Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS0D9N03CGT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6DFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS0D9N04XLT1GonsemiMOSFET 40V T10S IN S08FL PACKAGE
auf Bestellung 1495 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.69 EUR
11+ 4.73 EUR
100+ 3.77 EUR
250+ 3.48 EUR
500+ 3.17 EUR
1000+ 2.7 EUR
1500+ 2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 10
NTMFS0D9N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3918 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS0D9N04XMT1GON SemiconductorPower MOSFET, Single, N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS0D9N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3918 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS0D9N04XMT1GON SemiconductorPower MOSFET, Single, N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS0D9N04XMT1GonsemiMOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 336-350 Tag (e)
14+3.85 EUR
17+ 3.17 EUR
100+ 2.47 EUR
500+ 2.09 EUR
1000+ 1.71 EUR
1500+ 1.6 EUR
3000+ 1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 14
NTMFS10N3D2CONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS10N3D2C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 151 A, 0.0024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 138W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS10N3D2Consemi / FairchildMOSFET 100V/20V N-Channel PTNG MOSFET
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+17.84 EUR
10+ 15.31 EUR
25+ 13.88 EUR
100+ 12.77 EUR
250+ 12.01 EUR
500+ 11.26 EUR
1000+ 9.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NTMFS10N3D2ConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 151A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 370µA
Supplier Device Package: Power56
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6215 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS10N3D2CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS10N3D2ConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 151A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 370µA
Supplier Device Package: Power56
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6215 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS10N7D2CONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS10N7D2C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 0.0072 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2682 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS10N7D2ConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN
auf Bestellung 14822 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+8.71 EUR
10+ 7.81 EUR
100+ 6.4 EUR
500+ 5.45 EUR
1000+ 4.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NTMFS10N7D2CONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS10N7D2C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 0.0072 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2682 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS10N7D2Consemi / FairchildMOSFET PTNG 100/20V Nch Power Trench MOSFET
auf Bestellung 711 Stücke:
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7+7.72 EUR
10+ 6.47 EUR
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500+ 4.65 EUR
1000+ 3.98 EUR
3000+ 3.74 EUR
Mindestbestellmenge: 7
NTMFS10N7D2ConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTMFS10N7D2CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS1D15N03CGT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 43A/245A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 245A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 160µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS1D15N03CGT1GonsemiMOSFET WIDE SOA
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS1D15N03CGT1GON Semiconductor30 V, Single N Channel Power Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS1D15N03CGT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 43A/245A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 245A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 160µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS1D15N03CGT1GON Semiconductor
auf Bestellung 1420 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS1D7N03CGT1GonsemiMOSFET WIDE SOA
auf Bestellung 5338 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+5.88 EUR
11+ 4.89 EUR
100+ 3.9 EUR
500+ 3.28 EUR
1500+ 2.81 EUR
3000+ 2.56 EUR
9000+ 2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 9
NTMFS1D7N03CGT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 35A 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS1D7N03CGT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER, 30V N-CHANNEL, SO
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1500+3.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
NTMFS1D7N03CGT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS1D7N03CGT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 170 A, 0.00145 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 87W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00145ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS1D7N03CGT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS1D7N03CGT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 170 A, 0.00145 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 87W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00145ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 841 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS1D7N03CGT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER, 30V N-CHANNEL, SO
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.81 EUR
10+ 6.12 EUR
100+ 4.92 EUR
500+ 4.04 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NTMFS23D9N06HLT1GonsemiMOSFET T8 60V LOW COSS
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS23D9N06HLT1GON SemiconductorPower MOSFET 60 V, 23.9 mW, 23 A, Single N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS2D1N08XT1GonsemiMOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 259-273 Tag (e)
10+5.36 EUR
12+ 4.45 EUR
100+ 3.54 EUR
250+ 3.28 EUR
500+ 2.96 EUR
1000+ 2.54 EUR
Mindestbestellmenge: 10
NTMFS3D2N10MDT1GonsemiDescription: PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET, HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 316µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 50 V
auf Bestellung 116 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.46 EUR
10+ 6.26 EUR
100+ 5.07 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NTMFS3D2N10MDT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 19A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS3D2N10MDT1GonsemiDescription: PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET, HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 316µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS3D2N10MDT1GonsemiMOSFET PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET, HE SO8FL
auf Bestellung 422 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+7.49 EUR
10+ 6.29 EUR
25+ 5.95 EUR
100+ 5.1 EUR
250+ 4.81 EUR
500+ 4.52 EUR
1000+ 3.87 EUR
Mindestbestellmenge: 7
NTMFS3D6N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 19.5A/131A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Ta), 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4411 pF @ 50 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.38 EUR
10+ 6.62 EUR
100+ 5.32 EUR
500+ 4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NTMFS3D6N10MCLT1GonsemiMOSFET PTNG 100V LL NCH SO-8FL FOR INDUSTRIAL MARKET
auf Bestellung 10499 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+6.45 EUR
10+ 5.36 EUR
100+ 4.26 EUR
250+ 3.95 EUR
500+ 3.59 EUR
1000+ 3.15 EUR
3000+ 2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 9
NTMFS3D6N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS3D6N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 131 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS3D6N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 19.5A/131A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Ta), 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4411 pF @ 50 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1500+3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
NTMFS3D6N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 19.5A 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS3D6N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS3D6N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 131 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS4108N
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4108NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A 5DFN
auf Bestellung 15066 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4108NT1GON06+
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4108NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A 5DFN
auf Bestellung 14636 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4108NT3G
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4119N
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4119NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
auf Bestellung 5358 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
589+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 589
NTMFS4119NT1GONQFN8 0749+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4119NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4119NT1GON07+;
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4119NT1GON2005
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4119NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4119NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4119NT1GON06+ QFN8
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4119NT1GON0737+ QFN8
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4119NT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4119NT3G - NTMFS4119NT3G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS4119NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4119NT3G
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4119NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
545+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 545
NTMFS4120NON09+
auf Bestellung 429 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4120NT1
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4120NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 24 V
auf Bestellung 131261 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
683+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 683
NTMFS4120NT1GON2005
auf Bestellung 1553 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4120NT1GON
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4120NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 24 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4120NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4121NT1GonsemiMOSFET NFET 24A 30V 4.0MOH
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4121NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.25mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 24 V
auf Bestellung 728470 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
807+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 807
NTMFS4121NT1G
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4121NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.25mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 24 V
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NTMFS4121NT3G
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4121NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL
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NTMFS4122NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.1A 5DFN
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NTMFS4122NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.1A 5DFN
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NTMFS4122NT1GonsemiMOSFET NFET 23A 30V 4.6MO
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NTMFS4122NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.1A 5DFN
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NTMFS4122NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.1A 5DFN
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NTMFS4701NONSO-8
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4701NON07+ SO-8
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4701NT1GON
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NTMFS4701NT1GonsemiMOSFET 30V 20A N-Channel
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NTMFS4701NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.7A 5DFN
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NTMFS4701NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.7A SO8FL
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NTMFS4707NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A 5DFN
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NTMFS4707NT1GON08+ QFN8
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NTMFS4707NT1GON2005
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NTMFS4707NT1GON07+;
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4707NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A 5DFN
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NTMFS4707NT1GON0814+ QFN8
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4707NT1GonsemiMOSFET 30V 17A N-Channel
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NTMFS4707NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A SO8FL
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NTMFS4707NT3G
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4708N
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NTMFS4708NT1GON07+;
auf Bestellung 1500 Stücke:
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NTMFS4708NT1GON09+
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NTMFS4708NT1GON0732+
auf Bestellung 1169 Stücke:
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NTMFS4708NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.8A 5DFN
auf Bestellung 64433 Stücke:
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NTMFS4708NT1GON2005 QFN
auf Bestellung 1138 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4708NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.8A 5DFN
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4708NT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4708NT3G - NTMFS4708NT3G, SINGLE MOSFETS
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS4709NT1G
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4709NT3G
auf Bestellung 13516 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4741N
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4744NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7A 5DFN
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NTMFS4744NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
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NTMFS4744NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7A 5DFN
auf Bestellung 153685 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4744NT1GON05+
auf Bestellung 587 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4744NT1GonsemiMOSFET NFET 30V 53A 10MOHM
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NTMFS4744NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7A 5DFN
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NTMFS4744NT3GonsemiMOSFET NFET 30V 53A 10MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4744NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7A 5DFN
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4744NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7A 5DFN
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NTMFS4821NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A/58.5A 5DFN
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4821NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4821NT1G - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 13.8A, DFN-5
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 81458 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS4821NT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V TR
auf Bestellung 7004 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTMFS4821NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A/58.5A 5DFN
auf Bestellung 16250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4821NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.8A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
396+0.39 EUR
402+ 0.38 EUR
408+ 0.36 EUR
415+ 0.34 EUR
422+ 0.32 EUR
429+ 0.3 EUR
500+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 396
NTMFS4821NT1GON Semiconductor
auf Bestellung 716 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4821NT1GNTMFS4821NT3G4821N
auf Bestellung 17 Stücke:
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NTMFS4821NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A SO-8FL
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NTMFS4823NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10.8A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
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NTMFS4823NT1GON Semiconductor
auf Bestellung 256 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4823NT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V
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NTMFS4823NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A/30A 5DFN
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4823NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10.8A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
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NTMFS4823NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A/30A 5DFN
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NTMFS4823NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A SO-8FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4825NFET1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), 96.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 15 V
auf Bestellung 5200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
173+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 173
NTMFS4825NFET1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), 96.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 15 V
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NTMFS4825NFET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 29A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4825NFET1GonsemiMOSFET NFETFL 30V 171A 2mOHM
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4825NFET1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4825NFET1G - MOSFET, N CH, W SCH, 30V, 17A, SO8FL
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS4825NFET3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), 96.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4825NFET3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), 96.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4826NET1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4826NET1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4826NET1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4826NET3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4826NET3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4826NET3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4827NET1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 58.5A SO-8FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4827NET1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 58.5A SO-8FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4827NET1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 58.5A SO-8FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4827NET3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A SO-8FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4827NET3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A SO-8FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4827NET3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A SO-8FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4833NonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 191A 2MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4833NAT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 191A 2MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4833NAT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/191A 5DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 191A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 12 V
auf Bestellung 16335 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
165+4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 165
NTMFS4833NAT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/191A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 191A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4833NST1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/156A SO-8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 86.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SO-8FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4833NST1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 26A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4833NST1GonsemiMOSFET Power MOSFET, Single, N-Channel, 30 V, 156 A, SO-8FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4833NST3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/156A SO-8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 86.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SO-8FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4833NT1GonsemiMOSFET NFET 30V 191A 2MOHM
auf Bestellung 8943 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTMFS4833NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/156A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 910mW (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4833NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 28A 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4833NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 28A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4833NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/156A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 910mW (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4833NT3GON SemiconductorNTMFS4833NT3G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 28A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4833NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 28A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4833NT3G
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4833NT3GON SemiconductorMOSFET NFET 30V 191A 2MOHM
auf Bestellung 11144 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTMFS4833NT3GON SemiconductorNTMFS4833NT3G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 28A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
137+1.15 EUR
141+ 1.07 EUR
143+ 1.02 EUR
150+ 0.93 EUR
250+ 0.87 EUR
500+ 0.82 EUR
1000+ 0.73 EUR
3000+ 0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 137
NTMFS4834NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 21A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4834NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 21A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4834NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/130A 5DFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4834NT1GON
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4834NT1GonsemiMOSFET NFET 30V 130A 3MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4834NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 21A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4834NT1GONQFN
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4834NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/130A 5DFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4834NT1GON0806+
auf Bestellung 317 Stücke:
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NTMFS4834NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13A SO-8FL
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NTMFS4835NT
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NTMFS4835NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/130A 5DFN
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NTMFS4835NT1G
Produktcode: 133508		Transistoren > MOSFET N-CH
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NTMFS4835NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/130A 5DFN
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NTMFS4835NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4835NT1G - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 20A, DFN-5
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SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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NTMFS4835NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
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NTMFS4835NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
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NTMFS4835NT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 104A 3.5mOhm
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NTMFS4835NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
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NTMFS4835NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/130A 5DFN
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NTMFS4836Nonsemionsemi
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NTMFS4836NT1GonsemiMOSFET NFET 30V 90A 4MOHM
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NTMFS4836NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/90A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 90A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 55.6W (Tc)
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Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2677 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4836NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/90A 5DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2677 pF @ 12 V
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761+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 761
NTMFS4836NT1G
auf Bestellung 4500 Stücke:
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NTMFS4836NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/90A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
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Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
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NTMFS4836NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
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NTMFS4836NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/90A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
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Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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NTMFS4836NT3GonsemiMOSFET NFET 30V 90A 4MOHM
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NTMFS4837NHT1G
Produktcode: 179189		Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
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NTMFS4837NHT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.2A/75A 5DFN
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NTMFS4837NHT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
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NTMFS4837NHT1GON Semiconductor
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NTMFS4837NHT1GonsemiMOSFET NFET S08FL 30V 74A 5mOhm
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NTMFS4837NHT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
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NTMFS4837NHT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.2A/75A 5DFN
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NTMFS4837NHT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.2A/75A 5DFN
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NTMFS4837NHT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10.2A SO-8FL
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NTMFS4837NHT3G
auf Bestellung 5000 Stücke:
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NTMFS4837NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10A/74A 5DFN
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NTMFS4837NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10A/74A 5DFN
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NTMFS4837NT1G
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NTMFS4837NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10A/74A 5DFN
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NTMFS4837NT1GonsemiMOSFET NFET 30V 16A 5MOHM
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NTMFS4837NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10A SO-8FL
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NTMFS4839NHT1G
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NTMFS4839NHT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A/64A 5DFN
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NTMFS4839NHT1GonsemiMOSFET NFET S08FL 30V 66A 5.5mOhm
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NTMFS4839NHT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A/64A 5DFN
auf Bestellung 735321 Stücke:
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NTMFS4839NHT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A/64A 5DFN
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NTMFS4839NHT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A/64A 5DFN
auf Bestellung 10000 Stücke:
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NTMFS4839NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A/64A 5DFN
auf Bestellung 268110 Stücke:
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NTMFS4839NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL
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NTMFS4841NonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 57A 7MOHM
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NTMFS4841NON09+
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NTMFS4841NHonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 57A 7MOHM
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NTMFS4841NHG
auf Bestellung 93 Stücke:
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NTMFS4841NHT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.5A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
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NTMFS4841NHT1GonsemiMOSFET NFET S08FL 30V 57A 7mOhm
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NTMFS4841NHT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.5A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
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NTMFS4841NHT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.6A/59A 5DFN
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NTMFS4841NHT1G
auf Bestellung 289 Stücke:
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NTMFS4841NHT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.5A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
auf Bestellung 45 Stücke:
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NTMFS4841NHT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.6A/59A 5DFN
auf Bestellung 10500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4841NHT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.6A SO-8FL
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NTMFS4841NT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A SO-8FL
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NTMFS4841NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.1A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
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NTMFS4841NT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A SO-8FL
auf Bestellung 1500 Stücke:
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NTMFS4841NT1GON SemiconductorMOSFET NFET 30V 57A 7MOHM
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NTMFS4841NT3GVISHAYQFN-8 08+
auf Bestellung 300 Stücke:
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NTMFS4841NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.1A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
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NTMFS4841NT3GVISHAY08+ QFN-8
auf Bestellung 300 Stücke:
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NTMFS4841NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A SO-8FL
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NTMFS4845NT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13.7A/115A 5DFN
auf Bestellung 28468 Stücke:
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NTMFS4845NT1GonsemiCircular MIL Spec Backshells PROTECTIVE COVER ASSY
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NTMFS4845NT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13.7A/115A 5DFN
auf Bestellung 27000 Stücke:
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NTMFS4845NT1GON Semiconductor
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NTMFS4845NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 35.5A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
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NTMFS4845NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 35.5A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
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NTMFS4845NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13.7A SO-8FL
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NTMFS4846NT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V TR
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NTMFS4846NT1GONQFN
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4846NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12.7A/100A 5DFN
auf Bestellung 50133 Stücke:
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NTMFS4846NT1GON Semiconductor
auf Bestellung 809 Stücke:
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NTMFS4846NT3GonsemiMOSFET Power MOSFET 30V 100A 3.4 mOhm Single N-Channel SO-8FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4846NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 12.7A SO-8FL
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NTMFS4847NAG
auf Bestellung 91 Stücke:
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NTMFS4847NAT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4847NAT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.5A/85A 5DFN
auf Bestellung 168000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4847NAT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11.5A SO-8FL
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NTMFS4847NAT3GON SemiconductorMOSFET 30V N-CH TRENCH 2.6 S0-8FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4847NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.5A/85A 5DFN
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4847NT1G
auf Bestellung 2413 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4847NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11.5A SO-8FL
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NTMFS4849NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4849NT1G - NTMFS4849NT1G, SINGLE MOSFETS
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 67500 Stücke:
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NTMFS4849NT1GON Semiconductor
auf Bestellung 730 Stücke:
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NTMFS4849NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.2A/71A 5DFN
auf Bestellung 67500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4849NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10.2A SO-8FL
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NTMFS4851NT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL
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NTMFS4851NT1G
auf Bestellung 60 Stücke:
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NTMFS4851NT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V TR
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTMFS4851NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL
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NTMFS4852NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 25A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 1255 Stücke:
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155+1.01 EUR
159+ 0.95 EUR
185+ 0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 155
NTMFS4852NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/155A 5DFN
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NTMFS4852NT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 155A 2.1MO
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTMFS4852NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 25A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
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NTMFS4852NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4852NT1G - MOSFET, N-CH, 30V, 25A, 150DEG C, 86.2W
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2049 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS4852NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 155A 2.1MO
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4852NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 25A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4852NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 16A SO8FL
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NTMFS4854NSGEVBON SemiconductorDescription: EVAL BOARD NTMFS4854NSG
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NTMFS4854NSGEVBON SemiconductorPower Management IC Development Tools LOADSWITCH CURRENT SENSE
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTMFS4854NSGEVBON SemiconductorEVALUATION BOARD TO DEMONSTRATE THE NTMFS4854NS ACCURATE, LOSSLESS CURRENT SENSING MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4854NST1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 15.2A/149A SO8FL
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4854NST3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 15.2A/149A SO8FL
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4897NFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN
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NTMFS4897NFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 191A 2MOHM
auf Bestellung 1477 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTMFS4897NFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4897NFT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN
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NTMFS4897NFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 191A 2MOHM
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NTMFS4898NFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22.5A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
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NTMFS4898NFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22.5A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4898NFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22.5A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
NTMFS4898NFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.2A/117A 5DFN
auf Bestellung 23815 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4898NFT3GRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 30V 13.2A/117A 5DFN
auf Bestellung 5671 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4898NFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22.5A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
auf Bestellung 1790 Stücke:
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NTMFS4898NFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22.5A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4898NFT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4898NFT3G - MOSFET,N CH,W DIODE,30V,13.2A,SO8 FL
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productTraceability: No
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5671 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS4898NFT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13.2A/117A 5DFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4898NFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22.5A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
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NTMFS4898NFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22.5A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
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NTMFS4899NFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 75A 5MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4899NFT1GON Semiconductor
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4899NFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V SO-8FL
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NTMFS4921NBT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.8A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4921NBT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.8A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
auf Bestellung 113250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.13 EUR
1501+ 0.12 EUR
3001+ 0.1 EUR
39001+ 0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
NTMFS4921NT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V TR
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NTMFS4921NT1G
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4921NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A/58.5A 5DFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4921NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.8A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
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NTMFS4921NT1G
Produktcode: 43590		Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4921NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A/58.5A 5DFN
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NTMFS4921NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.8A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4921NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A/58.5A 5DFN
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NTMFS4921NT3GonsemiMOSFET Power MOSFET 30V 58.5A 6.95 mOhm Single N-Channel SO-8FL
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NTMFS4922NET1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17.1A/147A 5DFN
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NTMFS4922NET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 29.1A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
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NTMFS4922NET1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17.1A/147A 5DFN
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NTMFS4923NET1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 91A SO-8FL
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NTMFS4923NET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 21.4A 5-Pin SO-FL EP T/R
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NTMFS4923NET1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 91A SO-8FL
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NTMFS4923NET1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4923NET1G - MOSFET, N CH, 30V, 12.7A, SO-8FL
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NTMFS4923NET3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12.7A/91A 5DFN
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NTMFS4923NET3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12.7A/91A 5DFN
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NTMFS4923NET3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12.7A/91A 5DFN
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NTMFS4925NET1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 48A SO8-FL
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NTMFS4925NET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16.7A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
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NTMFS4925NET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16.7A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
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NTMFS4925NET1GON Semiconductor
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NTMFS4925NT1GON SemiconductorMOSFET TRENCH 3.1 30V 6 M Ohm NCH
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NTMFS4925NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.7A/48A 5DFN
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NTMFS4925NT1GON Semiconductor
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NTMFS4925NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16.7A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
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NTMFS4925NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.7A/48A 5DFN
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NTMFS4925NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16.7A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
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NTMFS4925NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16.7A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
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NTMFS4925NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.7A/48A 5DFN
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NTMFS4925NT3GON Semiconductor
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NTMFS4925NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16.7A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
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NTMFS4925NT3GON SemiconductorMOSFET TRENCH 3.1 30V 6 Ohm NCH
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NTMFS4926NET1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/44A 5DFN
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NTMFS4926NET1GSanyoDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/44A 5DFN
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