Produkte > SiR
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||||
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| SIR-0030 | Smiths Interconnect | EXTRACTION TOOL, SPECIAL #8 CONTACT WITH TIMESMICROWAVE LMR-240-75 CABLE | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-0030 | Smiths Interconnect | EXTRACTION TOOL, SPECIAL #8 CONTACT WITH TIMESMICROWAVE LMR-240-75 CABLE | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-023 | Smiths Interconnect | EXTRACTION TOOL, SPECIAL #8 CONTACT REAR RELEASE, | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-027 | Smiths Interconnect | Removal Tool | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-027 | Smiths Interconnect | Removal Tool | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-038 | Smiths Interconnect | REMOVAL TOOL, SPECIAL #8 TWINAX/QUADRAX | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-22ST3F | ROHM | 04+ | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-22UT3F | ROHM | 04+ | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-312STT32 | ROHM | DIP-2 | auf Bestellung 360000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-312STT32M | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-312STT32N | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-312STT32P | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-320ST3F | ROHM Semiconductor | Infrared Emitters FLAT SIDE IR EMITTER | auf Bestellung 1036 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-320ST3F | Rohm Semiconductor | Description: SIR-320ST3F Packaging: Bulk Part Status: Last Time Buy | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-320ST3FF | Rohm Semiconductor | Description: EMITTER IR 940NM 75MA T-1 Packaging: Bulk Package / Case: T-1 Wavelength: 940nm Mounting Type: Through Hole Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V Viewing Angle: 36° Current - DC Forward (If) (Max): 75mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 5.6mW/sr @ 50mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-320ST3FF | ROHM Semiconductor | Infrared Emitters IR 940nm GaAs LED 100mW Po; 18deg | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-320ST3FL | Rohm Semiconductor | Description: SIR-320ST3FL Packaging: Bulk Part Status: Last Time Buy | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-320ST3FM | Rohm Semiconductor | Description: SIR-320ST3FM Packaging: Bulk Part Status: Last Time Buy | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-320ST3FN | Rohm Semiconductor | Description: SIR-320ST3FN Packaging: Bulk Part Status: Last Time Buy | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-320ST3FP | Rohm Semiconductor | Description: SIR-320ST3FP Packaging: Bulk Part Status: Last Time Buy | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-33ST3FK | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-33ST3FL | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-33ST3FM | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-341ST3F | ROHM Semiconductor | Infrared Emitters IR EMITTER FOR REMOTE CONTROLLER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-341ST3F | ROHM | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SIR-341ST3FF | Rohm Semiconductor | Description: EMITTER IR 940NM 75MA T-1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-341ST3FFL | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-341ST3FFM | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-341ST3FFN | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-341ST3FFP | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-34ST3F | Rohm Semiconductor | Description: EMITTER IR 950NM 100MA T-1 | auf Bestellung 1759 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR-34ST3F | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR-34ST3F | ROHM Semiconductor | Infrared Emitters IR EMITTER FOR REMOTE CONTROLLER | auf Bestellung 4285 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR-381SB | ROHM | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SIR-381SB3F | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR-381SB3FX1 | auf Bestellung 8500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR-481ST3FFL | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-481ST3FFM | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-481ST3FL | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-481ST3FM | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-481ST3FN | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-481ST3HL | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-481ST3HM | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-48IT3(P) | auf Bestellung 4574 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR-505STA47 | ROHM | 04+ | auf Bestellung 100000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-505STA47 | ROHM Semiconductor | Infrared Emitters CLEAR REMOTE IR EMIT DIRECT MOUNTING TYP | auf Bestellung 1604 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR-505STA47 | Rohm Semiconductor | Description: EMITTER IR 950NM 100MA T 1 3/4 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: T 1 3/4 Wavelength: 950nm Mounting Type: Through Hole Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.38V Viewing Angle: 30° Current - DC Forward (If) (Max): 100mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 5.6mW/sr @ 50mA | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR-505STA47F | Rohm Semiconductor | Description: EMITTER IR 950NM 100MA T 1 3/4 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-563ST3F | ROHM | 04+ | auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-563ST3F | ROHM Semiconductor | Infrared Emitters IR LED HIGH OUTPUT | auf Bestellung 1834 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR-563ST3F | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED LIGHT EMITTING DIODES T Packaging: Bulk Package / Case: Radial Wavelength: 940nm Mounting Type: Through Hole Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.34V Viewing Angle: 30° Current - DC Forward (If) (Max): 100mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 8.2mW/sr @ 50mA Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-563ST3FM | ROHM Semiconductor | Infrared Emitters IR 940nm GaAs LED 11mW Po; 15deg | auf Bestellung 1582 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR-563ST3FN | Rohm Semiconductor | Description: EMITTER IR 940NM 100MA T 1 3/4 Packaging: Bulk Package / Case: T 1 3/4 Wavelength: 940nm Mounting Type: Through Hole Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.34V Viewing Angle: 30° Current - DC Forward (If) (Max): 100mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 9mW/sr @ 50mA | auf Bestellung 1378 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR-563ST3FX | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR-563STT32Z1P | Rohm Semiconductor | Description: SIR-563STT32Z1P Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-568ST3F | ROHM Semiconductor | Infrared Emitters IR LED HIGH SPEED | auf Bestellung 1356 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR-568ST3F | Rohm Semiconductor | Description: EMITTER IR 850NM 100MA T 1 3/4 Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA) Orientation: Top View Type: Infrared (IR) Mounting Type: Through Hole Wavelength: 850nm Package / Case: T 1 3/4 Packaging: Bulk Part Status: Not For New Designs Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 18mW/sr @ 50mA Current - DC Forward (If) (Max): 100mA Viewing Angle: 26° | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR-568ST3FFP | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-568ST3FFQ | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-568ST3FFR | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-568ST3FFS | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-56ST3F | ROHM | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SIR-56ST3F | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED LIGHT EMITTING DIODES T Current - DC Forward (If) (Max): 100mA Viewing Angle: 30° Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Orientation: Top View Type: Infrared (IR) Mounting Type: Through Hole Wavelength: 950nm Package / Case: Radial Packaging: Bulk Part Status: Active Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 5.6mW/sr @ 50mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-56ST3F | ROHM Semiconductor | Infrared Emitters IR LED FOR REMOTE CONTROLLER | auf Bestellung 711 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR-56ST3FF | Rohm Semiconductor | Description: EMITTER IR 950NM 100MA T 1 3/4 Packaging: Bulk Package / Case: T 1 3/4 Wavelength: 950nm Mounting Type: Through Hole Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V Viewing Angle: 30° Current - DC Forward (If) (Max): 100mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 5.6mW/sr @ 50mA Part Status: Active | auf Bestellung 2274 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR-56ST3FFL | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-56ST3FFM | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-56ST3FFN | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-56ST3FFP | Rohm Semiconductor | Description: INFRARED EMITTER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-59SSTA47 | ROHM | 04+ | auf Bestellung 5500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-935 | ROHM | 04+ | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-S4-105A | GOODSKY | ZIP-4 | auf Bestellung 334 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR-S4-105AAP | auf Bestellung 381 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR1-03-L-S | Samtec Inc. | Description: CONN SPRING MOD 3POS R/A SMD Number of Rows: 1 Number of Contacts: 3 Part Status: Active Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Pitch: 0.100" (2.54mm) Material: Phosphor Bronze Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Contact Finish: Gold Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Packaging: Tube | auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR1-03-L-S | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | auf Bestellung 68 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR1-03-L-S-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | auf Bestellung 53 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR1-03-L-S-A-K | SAMTEC | Description: SAMTEC - SIR1-03-L-S-A-K - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 3 Kontakt(e) Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte Rastermaß: 2.54 Anzahl der Kontakte: 3 Kontaktmaterial: Phosphorbronze Anzahl der Reihen: 1 Reihe Federbelasteter Steckverbinder: Kompressionssteckverbinder Steckverbindermontage: Oberflächenmontage, abgewinkelt Produktpalette: SIR1 Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-03-L-S-A-K | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-03-L-S-A-K-TR | SAMTEC | Description: SAMTEC - SIR1-03-L-S-A-K-TR - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 3 Kontakt(e) Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte Rastermaß: 2.54 Anzahl der Kontakte: 3 Kontaktmaterial: Phosphorbronze Anzahl der Reihen: 1 Reihe Federbelasteter Steckverbinder: Kompressionssteckverbinder Steckverbindermontage: Oberflächenmontage, abgewinkelt Produktpalette: SIR1 Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-03-L-S-A-K-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | auf Bestellung 299 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR1-03-L-S-K | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 53 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-03-L-S-K | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-03-L-S-K-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SPRING MOD 3POS R/A SMD Packaging: Cut Tape (CT) Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Part Status: Active Number of Contacts: 3 Number of Rows: 1 | auf Bestellung 418 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR1-03-L-S-K-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SPRING MOD 3POS R/A SMD Number of Rows: 1 Number of Contacts: 3 Part Status: Active Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Pitch: 0.100" (2.54mm) Material: Phosphor Bronze Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Contact Finish: Gold Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-03-L-S-K-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | auf Bestellung 650 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR1-03-L-S-K-TR | SAMTEC | Description: SAMTEC - SIR1-03-L-S-K-TR - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 3 Kontakt(e) tariffCode: 85366990 productTraceability: No Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte rohsCompliant: YES Rastermaß: 2.54mm Anzahl der Kontakte: 3Kontakt(e) euEccn: NLR Kontaktmaterial: Phosphorbronze Anzahl der Reihen: 1 Reihe Federbelasteter Steckverbinder: Kompressionssteckverbinder hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Steckverbindermontage: Oberflächenmontage, abgewinkelt Produktpalette: SIR1 Series SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 68 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-03-L-S-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SPRING MOD 3POS R/A SMD Contact Finish: Gold Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Packaging: Tape & Reel (TR) Number of Rows: 1 Number of Contacts: 3 Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Pitch: 0.100" (2.54mm) Material: Phosphor Bronze Mounting Type: Surface Mount, Right Angle | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-03-S-S | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-03-S-S-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-03-S-S-A-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-03-S-S-K-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SPRING MOD 3POS R/A SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-03-S-S-K-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-03-S-S-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-05-L-S | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-05-L-S | Samtec Inc. | Description: CONN SPRING MOD 5POS R/A SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-05-L-S-A | SAMTEC | Description: SAMTEC - SIR1-05-L-S-A - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 5 Kontakt(e) Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte Rastermaß: 2.54 Anzahl der Kontakte: 5 Kontaktmaterial: Phosphorbronze Anzahl der Reihen: 1 Reihe Federbelasteter Steckverbinder: Kompressionssteckverbinder Steckverbindermontage: Oberflächenmontage, abgewinkelt Produktpalette: SIR1 Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-05-L-S-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-05-L-S-A-TR | SAMTEC | Description: SAMTEC - SIR1-05-L-S-A-TR - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 5 Kontakt(e) Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte Rastermaß: 2.54 Anzahl der Kontakte: 5 Kontaktmaterial: Phosphorbronze Anzahl der Reihen: 1 Reihe Federbelasteter Steckverbinder: Kompressionssteckverbinder Steckverbindermontage: Oberflächenmontage, abgewinkelt Produktpalette: SIR1 Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-05-L-S-A-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-05-L-S-A-TR | Samtec | Conn One Piece Interface M 5 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-05-L-S-A-TR | Samtec | Conn One Piece Interface M 5 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-05-L-S-K | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-05-L-S-K-FR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-05-L-S-K-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | auf Bestellung 2253 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR1-05-L-S-K-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SPRING MOD 5POS R/A SMD Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Contact Finish: Gold Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Packaging: Cut Tape (CT) Number of Rows: 1 Number of Contacts: 5 Part Status: Active Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Pitch: 0.100" (2.54mm) Material: Phosphor Bronze | auf Bestellung 1210 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR1-05-L-S-K-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SPRING MOD 5POS R/A SMD Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Packaging: Tape & Reel (TR) Number of Rows: 1 Number of Contacts: 5 Part Status: Active Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Pitch: 0.100" (2.54mm) Material: Phosphor Bronze Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Contact Finish: Gold | auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR1-05-L-S-TR | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-05-S-S | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-05-S-S-K-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-05-S-S-TR | SAMTEC | Category: Raster signal connectors 2,54mm Description: SIR1-05-S-S-TR | auf Bestellung 115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR1-05-S-S-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-07-L-S | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-07-L-S-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR1-07-L-S-A-K | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-07-L-S-A-K-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 350 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-07-L-S-K-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 350 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-07-L-S-TR | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 350 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-07-L-S-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 350 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-07-S-S | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR1-07-S-S-A-K-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 350 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-07-S-S-A-K-TR | SAMTEC | Description: SAMTEC - SIR1-07-S-S-A-K-TR - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 7 Kontakt(e) tariffCode: 85366990 productTraceability: No Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte rohsCompliant: YES Rastermaß: 2.54mm Anzahl der Kontakte: 7Kontakt(e) euEccn: NLR Kontaktmaterial: Phosphorbronze Anzahl der Reihen: 1 Reihe Federbelasteter Steckverbinder: Kompressionssteckverbinder hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Steckverbindermontage: Oberflächenmontage, abgewinkelt Produktpalette: SIR1 Series SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-07-S-S-A-K-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SPRING MOD 7POS R/A SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Part Status: Active Number of Contacts: 7 Number of Rows: 1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 350 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-07-S-S-A-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 350 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-07-S-S-K | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-07-S-S-K-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 350 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S | Samtec Inc. | Description: CONN SPRING MOD 10POS R/A SMD Packaging: Tube Number of Rows: 1 Number of Contacts: 10 Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Pitch: 0.100" (2.54mm) Material: Phosphor Bronze Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Contact Finish: Gold Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered | auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR1-10-L-S | Samtec Inc. | Description: CONN SPRING MOD 10POS R/A SMD Number of Rows: 1 Number of Contacts: 10 Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Pitch: 0.100" (2.54mm) Material: Phosphor Bronze Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Contact Finish: Gold Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Packaging: Tube | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR1-10-L-S-A | SAMTEC | Description: SAMTEC - SIR1-10-L-S-A - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 10 Kontakt(e) Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte Rastermaß: 2.54 Anzahl der Kontakte: 10 Kontaktmaterial: Phosphorbronze Anzahl der Reihen: 1 Reihe Federbelasteter Steckverbinder: Kompressionssteckverbinder Steckverbindermontage: Oberflächenmontage, abgewinkelt Produktpalette: SIR1 Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | auf Bestellung 56 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR1-10-L-S-A | Samtec Inc. | Description: CONN SPRING MOD 10POS R/A SMD Number of Rows: 1 Number of Contacts: 10 Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Pitch: 0.100" (2.54mm) Material: Phosphor Bronze Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Contact Finish: Gold Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-A-K | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-A-K | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tube Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Number of Contacts: 10 Number of Rows: 1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 19 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-A-K-FR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 425 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-A-K-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 425 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-A-K-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SPRING MOD 10POS R/A SMD Number of Rows: 1 Number of Contacts: 10 Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Pitch: 0.100" (2.54mm) Material: Phosphor Bronze Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Contact Finish: Gold Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 425 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-A-K-TR | SAMTEC | Description: SAMTEC - SIR1-10-L-S-A-K-TR - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 10 Kontakt(e) Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte Rastermaß: 2.54 Anzahl der Kontakte: 10 Kontaktmaterial: Phosphorbronze Anzahl der Reihen: 1 Reihe Federbelasteter Steckverbinder: Kompressionssteckverbinder Steckverbindermontage: Oberflächenmontage, abgewinkelt Produktpalette: SIR1 Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-A-TR | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Number of Contacts: 10 Number of Rows: 1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 425 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-A-TR | SAMTEC | Description: SAMTEC - SIR1-10-L-S-A-TR - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 10 Kontakt(e) Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte Rastermaß: 2.54 Anzahl der Kontakte: 10 Kontaktmaterial: Phosphorbronze Anzahl der Reihen: 1 Reihe Federbelasteter Steckverbinder: Kompressionssteckverbinder Steckverbindermontage: Oberflächenmontage, abgewinkelt Produktpalette: SIR1 Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-A-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 425 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-FR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-FR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 425 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-K | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-K | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tube Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Number of Contacts: 10 Number of Rows: 1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 19 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-K-FR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 425 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-K-FR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-K-TR | Samtec | Conn One Piece Interface M 10 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 425 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-K-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SPRING MOD 10POS R/A SMD Number of Rows: 1 Number of Contacts: 10 Part Status: Active Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Pitch: 0.100" (2.54mm) Material: Phosphor Bronze Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Contact Finish: Gold Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 231 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR1-10-L-S-K-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | auf Bestellung 702 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR1-10-L-S-K-TR | Samtec | Conn One Piece Interface M 10 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole T/R | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR1-10-L-S-K-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SPRING MOD 10POS R/A SMD Number of Rows: 1 Number of Contacts: 10 Part Status: Active Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Pitch: 0.100" (2.54mm) Material: Phosphor Bronze Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Contact Finish: Gold Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 425 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 425 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-10-L-S-TR | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Number of Contacts: 10 Number of Rows: 1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 425 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tube Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Number of Contacts: 10 Number of Rows: 1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 19 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR1-10-S-S-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR1-10-S-S-A | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tube Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Number of Contacts: 10 Number of Rows: 1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 19 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S-A-FR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 425 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S-A-K | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S-A-K | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Number of Rows: 1 Number of Contacts: 10 Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Pitch: 0.100" (2.54mm) Material: Phosphor Bronze Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Contact Finish: Gold Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 19 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S-A-K-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 425 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S-A-K-TR | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Number of Rows: 1 Number of Contacts: 10 Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Pitch: 0.100" (2.54mm) Material: Phosphor Bronze Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Contact Finish: Gold Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 425 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S-A-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 425 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S-A-TR | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Material: Phosphor Bronze Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Contact Finish: Gold Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Packaging: Tape & Reel (TR) Number of Rows: 1 Number of Contacts: 10 Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Pitch: 0.100" (2.54mm) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 425 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S-FR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 425 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S-K | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tube Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Number of Contacts: 10 Number of Rows: 1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 19 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S-K | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S-K-FR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 425 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S-K-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S-K-TR | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Number of Contacts: 10 Number of Rows: 1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 425 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S-TR | SAMTEC | Description: SAMTEC - SIR1-10-S-S-TR - 2.54MM PITCH ONE PIECE INTERFACE SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 125 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S-TR | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Number of Contacts: 10 Number of Rows: 1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 425 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-10-S-S-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 425 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-15-L-S | Samtec Inc. | Description: CONN SPRING MOD 15POS R/A SMD Number of Rows: 1 Number of Contacts: 15 Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Pitch: 0.100" (2.54mm) Material: Phosphor Bronze Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Contact Finish: Gold Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Packaging: Bulk | auf Bestellung 94 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR1-15-L-S | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR1-15-L-S | Samtec | .100 Inch Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-15-L-S-A | SAMTEC | Description: SAMTEC - SIR1-15-L-S-A - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 15 Kontakt(e) Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte Rastermaß: 2.54 Anzahl der Kontakte: 15 Kontaktmaterial: Phosphorbronze Anzahl der Reihen: 1 Reihe Federbelasteter Steckverbinder: Kompressionssteckverbinder Steckverbindermontage: Oberflächenmontage, abgewinkelt Produktpalette: SIR1 Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-15-L-S-A | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tube Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Number of Contacts: 15 Number of Rows: 1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 13 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-15-L-S-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-15-L-S-A-K | SAMTEC | Description: SAMTEC - SIR1-15-L-S-A-K - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 15 Kontakt(e) Kontaktüberzug: 0 Rastermaß: 0 Anzahl der Kontakte: 0 Kontaktmaterial: 0 Anzahl der Reihen: 0 Federbelasteter Steckverbinder: 0 Steckverbindermontage: 0 Produktpalette: 0 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-15-L-S-A-K | Samtec | ECE POWER RIGHT ANGLE ASSEMBLY | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-15-L-S-A-K | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tube Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Number of Contacts: 15 Number of Rows: 1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 13 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-15-L-S-A-K | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-15-L-S-A-K-TR | SAMTEC | Description: SAMTEC - SIR1-15-L-S-A-K-TR - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 15 Kontakt(e) Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte Rastermaß: 2.54 Anzahl der Kontakte: 15 Kontaktmaterial: Phosphorbronze Anzahl der Reihen: 1 Reihe Federbelasteter Steckverbinder: Kompressionssteckverbinder Steckverbindermontage: Oberflächenmontage, abgewinkelt Produktpalette: SIR1 Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-15-L-S-A-K-TR | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Number of Rows: 1 Number of Contacts: 15 Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Pitch: 0.100" (2.54mm) Material: Phosphor Bronze Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Contact Finish: Gold Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 350 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-15-L-S-A-K-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 350 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-15-L-S-K | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tube Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Number of Contacts: 15 Number of Rows: 1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 13 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-15-L-S-K | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-15-L-S-K-FR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 350 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-15-L-S-K-TR | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Number of Contacts: 15 Number of Rows: 1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 350 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-15-L-S-K-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 350 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-15-S-S | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-15-S-S-A | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Packaging: Tube Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Material: Phosphor Bronze Pitch: 0.100" (2.54mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Number of Contacts: 15 Number of Rows: 1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 13 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-15-S-S-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR1-15-S-S-A-FR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 350 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-15-S-S-A-K-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 350 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-15-S-S-A-K-TR | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Packaging: Tape & Reel (TR) Number of Rows: 1 Number of Contacts: 15 Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Pitch: 0.100" (2.54mm) Material: Phosphor Bronze Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Contact Finish: Gold | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 350 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-15-S-S-A-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 350 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-15-S-S-A-TR | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Number of Rows: 1 Number of Contacts: 15 Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Pitch: 0.100" (2.54mm) Material: Phosphor Bronze Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Contact Finish: Gold Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 350 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-15-S-S-K | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 2.54MM ONE-PIECE RA INTERFACE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-15-S-S-K-TR | SAMTEC | Description: SAMTEC - SIR1-15-S-S-K-TR - 2.54MM PITCH ONE PIECE INTERFACE SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 125 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-15-S-S-K-TR | Samtec Inc. | Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE Number of Rows: 1 Number of Contacts: 15 Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Pitch: 0.100" (2.54mm) Material: Phosphor Bronze Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Contact Finish: Gold Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 350 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-15-S-S-K-TR | Samtec | Conn One Piece Interface M 15 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 350 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1-15-S-S-K-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 350 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR104ADP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 50 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR104ADP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-CHANNEL 100V PowerPAK SO-8 | auf Bestellung 3214 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR104ADP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 5937 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR104DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | auf Bestellung 4913 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR104DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 18.3A/79A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR104DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 18.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | auf Bestellung 5988 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR104DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 18.3A/79A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR104LDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 50 V | auf Bestellung 8411 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR104LDP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR104LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 81 A, 6100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 81A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm SVHC: Lead (04-Feb-2026) | auf Bestellung 8938 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR104LDP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 18.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR104LDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 50 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR104LDP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR104LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 81 A, 6100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 81A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm SVHC: Lead (04-Feb-2026) | auf Bestellung 8938 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR104LDP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 18.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR104LDP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-CHANNEL 100 V | auf Bestellung 18827 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR106ADP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 16.1A/65.8 PPAK Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 65.8 (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V | auf Bestellung 6653 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR106ADP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR106ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 65.8 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 65.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 4952 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR106ADP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-CHANNEL 100V PowerPAK SO-8 | auf Bestellung 25427 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR106ADP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 16.1A/65.8 PPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 65.8 (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR106ADP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR106ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 65.8 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 65.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 4952 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR106DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 16.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | auf Bestellung 5644 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR106DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 16.1A PPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 83.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 65.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 6804 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR106DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR106DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 65.8 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 65.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 889 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR106DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 16.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR106DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 16.1A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 65.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 50 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR106DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 16.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR106DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | auf Bestellung 1240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR106DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR106DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 65.8 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 65.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 889 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR108DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | auf Bestellung 6408 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR108DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/45A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 50 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR108DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/45A PPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 45A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 5490 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR112DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 37.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR112DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | auf Bestellung 8304 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR112DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 37.6A/133A PPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): +20V, -16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.96mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.6A (Ta), 133A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR112DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 37.6A/133A PPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): +20V, -16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.96mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.6A (Ta), 133A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR112DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 133A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 133A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 62.5W Case: PowerPAK® SO8 On-state resistance: 2.65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 89nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR12-21C/TR8 | Everlight Electronics Co Ltd | Description: EMITTER IR 875NM 65MA 1208 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, No Lead Wavelength: 875nm Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Type: Infrared (IR) Orientation: Side View Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V Viewing Angle: 160° Current - DC Forward (If) (Max): 65mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 0.5mW/sr @ 20mA Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR12-21C/TR8 | EVERLIGHT | Category: IR LEDs Description: IR transmitter; transparent; 160°; 875nm; SMD; 20mA; 0.5mW/sr; 1.3V Mounting: SMD Type of diode: IR transmitter LED lens: transparent Wavelength of peak sensitivity: 875nm radiant intensity: 0.5mW/sr LED current: 20mA Operating voltage: 1.3V Viewing angle: 160° Case - inch: 1208 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR12-21C/TR8 | Everlight | Infrared Emitters Infrared LED | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR12-21C/TR8 | Everlight Electronics Co Ltd | Description: EMITTER IR 875NM 65MA 1208 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-SMD, No Lead Wavelength: 875nm Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Type: Infrared (IR) Orientation: Side View Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V Viewing Angle: 160° Current - DC Forward (If) (Max): 65mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 0.5mW/sr @ 20mA Part Status: Active | auf Bestellung 706 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR120DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 106A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 106A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 100W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 94nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR120DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 24.7A/106A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 106A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 40 V | auf Bestellung 1786 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR120DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR120DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 106 A, 3550 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 106A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 100W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00296ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3550µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 17283 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR120DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs PPAKSO8 N-CH 80V 24.7A | auf Bestellung 4065 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR120DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 24.7A/106A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 106A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 40 V | auf Bestellung 1786 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 1786 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR120DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR120DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 106 A, 3550 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 106A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3550µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 17283 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR120DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 24.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR122DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 16.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR122DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 80V 16.7A/59.6A PPAK-8 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR122DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 16.7A/59.6A PPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Ta), 59.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR122DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 59.6A; Idm: 150A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 59.6A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 65.7W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 44nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR122DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 16.7A/59.6A PPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Ta), 59.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 12554 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR122DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR122DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 59.6 A, 7400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 59.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 65.7W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 50°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm | auf Bestellung 32922 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR122DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | auf Bestellung 34325 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR122LDP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 62.3A; Idm: 150A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 62.3A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 65.7W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 52nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR122LDP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR122LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62.3 A, 7350 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 62.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7350µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 4657 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR122LDP-T1-RE3 | Vishay | MOSFETs PPAKSO8 N-CH 80V 17.2A | auf Bestellung 6545 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR122LDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.35mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 62.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 5096 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR122LDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.35mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 62.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR122LDP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR122LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62.3 A, 7350 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 62.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7350µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 4657 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR124DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 16.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR124DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 80V Vds; 20V Vgs PowerPAK SO-8 | auf Bestellung 8783 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR124DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 16.1A/56.8A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 56.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1666 pF @ 40 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR124DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 16.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR124DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 16.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR124DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 16.1A/56.8A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 56.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1666 pF @ 40 V | auf Bestellung 7453 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR124DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 16.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR124DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 56.8A; Idm: 120A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 56.8A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 62.5W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1309DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR1309DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 65.7 A, 0.006 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 65.7 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 56.8 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 56.8 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | auf Bestellung 4486 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1309DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 19.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1309DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.1A (Ta), 65.7A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1309DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR1309DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 65.7 A, 0.006 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 65.7 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 56.8 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 56.8 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | auf Bestellung 4486 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1309DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs PPAKSO8 P-CH 30V 19.1A | auf Bestellung 5192 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR1309DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 19,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3250 @ 15, Qg, нКл = 87 @ 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 4,8, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerPAK® SO-8 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1309DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.1A (Ta), 65.7A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 4519 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR140DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 71.9A/100A PPAK Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): +20V, -16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71.9A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | auf Bestellung 11305 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR140DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 25V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | auf Bestellung 4187 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR140DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR140DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 540 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 540µohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 8834 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR140DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 71.9A/100A PPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): +20V, -16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71.9A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR140DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR140DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 540 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 540µohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 8834 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR140DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 25V 71.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | auf Bestellung 5890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR15-21C | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR150DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Vgs (Max): +20V, -16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.71mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.9A (Ta), 110A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 4430 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR150DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 45V 110A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR150DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR150DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 110 A, 2710 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00225ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2710µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 10952 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR150DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Vgs (Max): +20V, -16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.71mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.9A (Ta), 110A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR150DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 45-V (D-S) MOSFET N-CHANNEL PowerPAK | auf Bestellung 9914 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR150DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR150DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 110 A, 2710 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2710µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 10952 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR158DP | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR158DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR158DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 1800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 4803 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR158DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | auf Bestellung 6018 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR158DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 15 V | auf Bestellung 7626 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR158DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR158DP-T1-GE3 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR158DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR158DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 1800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 4803 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR158DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 15 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR158DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR158DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR158DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR158DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR158DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 1800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 83W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm | auf Bestellung 2474 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR158DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 15 V | auf Bestellung 524 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR158DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR158DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 1800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 83W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm | auf Bestellung 2474 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR164 | VISHAY | 09+ | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR164ADP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR164ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2274 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR164ADP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | auf Bestellung 1961 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR164ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 35.9A/40A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.9A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR164ADP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR164ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm SVHC: Lead (04-Feb-2026) | auf Bestellung 2272 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR164ADP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | auf Bestellung 2988 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR164ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 35.9A/40A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.9A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V | auf Bestellung 8814 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR164DP | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR164DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 15 V | auf Bestellung 3273 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR164DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 33.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR164DP-T1-GE3 | VISHAY | QFN | auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR164DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR164DP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 50A; Idm: 70A; 69W Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Case: PowerPAK® SO8 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 123nC On-state resistance: 3.2mΩ Power dissipation: 69W Gate-source voltage: ±20V Drain current: 50A Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 70A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR164DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V 50A 69W 2.5mohm @ 10V | auf Bestellung 4614 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR164DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 30V Vds TrenchFET PowerPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR164DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR164DY-T1-GE3 | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR165DP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -60A; Idm: -120A Drain current: -60A Drain-source voltage: -30V Gate charge: 138nC On-state resistance: 7.5mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 65.8W Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: PowerPAK® SO8 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -120A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR165DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 15 V | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR165DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR165DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 4600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.8W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm SVHC: Lead (04-Feb-2026) | auf Bestellung 4997 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR165DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR165DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 60 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4930 @ 15, Qg, нКл = 138 @ 10 В, Rds = 4,6 мОм, Ugs(th) = 2,3 В, Р, Вт = 69,4, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerPAK® SO-8 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | verfügbar 4 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR165DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR165DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 4600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.8W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm SVHC: Lead (04-Feb-2026) | auf Bestellung 4997 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR165DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR165DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 15 V | auf Bestellung 12974 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR165DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR165DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | auf Bestellung 13215 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR166DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR166DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 29.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR166DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 15 V | auf Bestellung 2380 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR167DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V | auf Bestellung 15798 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR167DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR167DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 5500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.8W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm SVHC: Lead (04-Feb-2026) | auf Bestellung 1861 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR167DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs -30V Vds 25V Vgs PowerPAK SO-8 | auf Bestellung 33981 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR167DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR167DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR167DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 5500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.8W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm SVHC: Lead (04-Feb-2026) | auf Bestellung 1861 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR168DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 40A 34.7W 4.4mohm @ 10V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR168DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR17-21C/TR8 | Everlight Electronics Co Ltd | Description: EMITTER Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0805 (2012 Metric) Wavelength: 875nm Mounting Type: Surface Mount Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V, 1.4V Viewing Angle: 150° Current - DC Forward (If) (Max): 65mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 0.2mW/sr @ 65mA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR17-21C/TR8 | Everlight | Infrared Emitters | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR170DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR170DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 0.0048 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 6155 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR170DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO EP | auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR170DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO EP | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR170DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs SOT669 100V 95A N-CH MOSFET | auf Bestellung 8063 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR170DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 50 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR170DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR170DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 0.0048 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 6155 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR170DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO EP | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR170DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO EP | auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR170DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 50 V | auf Bestellung 7386 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR172ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 29.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 15 V | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR172ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 29.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 15 V | auf Bestellung 11431 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR172ADP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | auf Bestellung 387 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR172DP-T1-GE3 | auf Bestellung 4152 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR172DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 29.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 16.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR172DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 20A 29.8W 8.9mohm @ 10V | auf Bestellung 3166 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR172DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 29.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 16.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR178DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR178DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 100A/430A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), 430A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 6.3W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): +12V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12430 pF @ 10 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR178DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 20V N-CHANNEL (D-S) MOS | auf Bestellung 852 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR178DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR178DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 430 A, 400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 430A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 1365 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR178DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR178DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 100A/430A PPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12430 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): +12V, -8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 6.3W (Ta), 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), 430A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 8263 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR178DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 100A/430A PPAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR178DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR178DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 430 A, 0.00031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 430A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310µohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2935 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR180ADP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR180ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 2200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 137A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 934 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR180ADP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 35A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR180ADP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V PPAK SO-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 137A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 3120 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR180ADP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR180ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 2200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 137A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 934 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR180ADP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 35A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR180ADP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V PPAK SO-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 137A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR180ADP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs POWRPK N CHAN 60V | auf Bestellung 4711 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR180ADP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 35A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR180DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR180DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 2050 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 399 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR180DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR180DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 32.4A/60A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.4A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 30 V | auf Bestellung 553 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR180DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR180DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 2050 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 399 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR180DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 32.4A/60A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.4A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR182DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 117A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR182DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 30 V | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR182DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 117A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR182DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR182DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0023 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 69.4W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) | auf Bestellung 20529 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR182DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 117A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR182DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 117A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR182DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 30 V | auf Bestellung 15991 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR182DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR182DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 2800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 69.4W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 12300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR182DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | auf Bestellung 74740 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR182DP-T1-RE3-X | Vishay | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR182LDP-T1-RE3 | Vishay | MOSFETs POWRPK N CHAN 60V | auf Bestellung 8400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR182LDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.7A (Ta), 130A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR182LDP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 31.7A T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR182LDP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR182LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 2750 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2750µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 4105 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR182LDP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 31.7A T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR182LDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.7A (Ta), 130A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 7799 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR182LDP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR182LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 2750 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 83W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2750µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 4105 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR184DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 20.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR184DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 20.7A/73A PPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Ta), 73A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 9298 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR184DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR184DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 73 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 73A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 25227 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR184DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 20.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR184DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 20.7A/73A PPAK Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Ta), 73A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR184DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 20.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR184DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | auf Bestellung 336474 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR184DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR184DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 73 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 73A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 25227 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR184DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 20.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR184LDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 73A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | auf Bestellung 4082 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR184LDP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs POWRPK N CHAN 60V | auf Bestellung 16661 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR184LDP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR184LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 73 A, 5400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 73A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 56.8W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1136 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR184LDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 73A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR184LDP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR184LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 73 A, 5400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 73A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 56.8W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1136 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR186DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR186DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR186DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 4500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 5791 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR186DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR186DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin PowerPAK SO EP Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR186DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V | auf Bestellung 9480 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR186DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR186DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR186DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 4500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm SVHC: Lead (04-Feb-2026) | auf Bestellung 2666 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR186DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR186DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR186DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | auf Bestellung 11262 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR186LDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Ta), 80.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 30 V | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR186LDP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR186LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80.3 A, 4400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 57W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 7252 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR186LDP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs POWRPK N CHAN 60V | auf Bestellung 11677 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR186LDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Ta), 80.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 30 V | auf Bestellung 36906 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR186LDP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR186LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80.3 A, 4400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 7252 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR188DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | auf Bestellung 1702 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR188DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 25.5A/60A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR188DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 25.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR188DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR188DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 3850 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3850µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 7348 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR188DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 25.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR188DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 25.5A/60A PPAK FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Ta), 60A (Tc) | auf Bestellung 805 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR188DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR188DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 3850 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3850µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 7220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR188DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 25.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR188LDP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR188LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 93.6 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 93.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 4708 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR188LDP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 25.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR188LDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.8A (Ta), 93.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR188LDP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 25.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR188LDP-T1-RE3 | Vishay | MOSFETs PPAKSO8 N-CH 60V 25.8A | auf Bestellung 2280 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR188LDP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR188LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 93.6 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 93.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 4708 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR188LDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR188LDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.8A (Ta), 93.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 3955 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR19-21C | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR19-21C/TR8 | EVERLIGH | 2010+ LED | auf Bestellung 38000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR19-21C/TR8 | Everlight Electronics Co Ltd | Description: EMITTER IR 875NM 65MA 0603 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0603 (1608 Metric) Wavelength: 875nm Mounting Type: Surface Mount Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V Viewing Angle: 145° Current - DC Forward (If) (Max): 65mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 0.2mW/sr @ 20mA Part Status: Active | auf Bestellung 37128 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR19-21C/TR8 | Everlight | Infrared Emitters Infrared LED | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR19-21C/TR8 | Everlight Electronics Co Ltd | Description: EMITTER IR 875NM 65MA 0603 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0603 (1608 Metric) Wavelength: 875nm Mounting Type: Surface Mount Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V Viewing Angle: 145° Current - DC Forward (If) (Max): 65mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 0.2mW/sr @ 20mA Part Status: Active | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR19-315 | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR19-315/TR8 | Everlight Electronics Co Ltd | Description: EMITTER IR 870NM 70MA 0603 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0603 (1608 Metric) Wavelength: 870nm Mounting Type: Surface Mount Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.35V Viewing Angle: 140° Current - DC Forward (If) (Max): 70mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 1mW/sr @ 20mA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR19-315/TR8 | Everlight | Infrared Emitters Infrared LED | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1B6B4 | Littelfuse Inc. | Description: SSR RELAY SPST-NC 6A 0-120V Packaging: Bulk Package / Case: Module Output Type: AC Mounting Type: Chassis Mount Voltage - Input: 90 ~ 150VAC/DC Circuit: SPST-NC (1 Form B) Operating Temperature: -20°C ~ 60°C Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm) Load Current: 6 A Approval Agency: UR Voltage - Load: 0 V ~ 120 V | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR1B6B4 | Littelfuse | Solid State Relays - SSRs SOLIDSTATERELAY | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR1C20B6 | Littelfuse | Solid State Relays - SSRs SOLIDSTATERELAY | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR2 | N/A | 09+ SOP8 | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR204-A | EVERLIGHT | Category: IR LEDs Description: IR transmitter; 3mm; blue; 30°; λp max: 875nm; THT; 20mA; 4mW/sr Type of diode: IR transmitter LED diameter: 3mm LED lens: blue Viewing angle: 30° Wavelength of peak sensitivity: 875nm Mounting: THT LED current: 20mA radiant intensity: 4mW/sr Operating voltage: 1.3V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR204-A | Everlight | Infrared Emitters Infrared LED Lamp | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR204-A | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR204-A | Everlight Electronics Co Ltd | Description: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL Packaging: Bulk Package / Case: Radial Wavelength: 875nm Mounting Type: Through Hole Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V Viewing Angle: 30° Current - DC Forward (If) (Max): 100mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 4mW/sr @ 20mA Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR204C | Everlight | Infrared Emitters Infrared LED | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR204C | Everlight Electronics Co Ltd | Description: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL Packaging: Bulk Package / Case: Radial Wavelength: 875nm Mounting Type: Through Hole Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V Viewing Angle: 30° Current - DC Forward (If) (Max): 100mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 4mW/sr @ 20mA Part Status: Active | auf Bestellung 2987 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR2167 | auf Bestellung 12060 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR234 | Everlight Electronics Co Ltd | Description: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL Packaging: Bulk Package / Case: Radial Wavelength: 875nm Mounting Type: Through Hole Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V Viewing Angle: 30° Current - DC Forward (If) (Max): 100mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 5.6mW/sr @ 20mA Part Status: Active | auf Bestellung 174 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR234 | Everlight | Infrared Emitters Infrared LED | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR25-15-L5 | SunStar | Description: PROPANE HEATER INFRARED U-TUBE Packaging: Bulk Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors Height: 8" Part Status: Active Fuel Type: Propane Length (Inches): 110 Width (Inches): 18 BTU's: 25000 Ignition Type: Direct Spark | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR25-15-N5 | SunStar | Description: NATURAL GAS HEATER INFRARED VACU Packaging: Bulk Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors Height: 8" Part Status: Active Fuel Type: Natural Gas Length (Inches): 110 Width (Inches): 18 BTU's: 25000 Ignition Type: Direct Spark | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR2A20A4 | Littelfuse | Solid State Relays - SSRs SOLIDSTATERELAY-ISOL ATED | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR2A20A4 | Littelfuse Inc. | Description: SOLID STATE RELAY-ISOLATED | auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR2B20A4 | Littelfuse | Solid State Relays - SSRs SOLIDSTATERELAY-ISOL ATED | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR2B20A4 | Littelfuse Inc. | Description: SOLID STATE RELAY-ISOLATED | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR2B20B4 | Littelfuse Inc. | Description: SSR RELAY SPST-NC 20A 0-120V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR2B20B4 | Littelfuse | Solid State Relays - SSRs SOLIDSTATERELAY-ISOL ATED | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR300B | auf Bestellung 25500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR312-24VDC | ELESTA Relays | PCB Power Relay | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR312-24VDC | ELESTA Relays | PCB Power Relay | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR3123 | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR312P-24VDC | ELESTA Relays | PCB relay with forcibly guided contacts | auf Bestellung 165 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR312P-24VDC | ELESTA Relays | PCB relay with forcibly guided contacts | auf Bestellung 165 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR314M200S043 | NextGen Components | Description: 314.2MHz SAW Res. +/100KHz 4P 50 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: SAW Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Height: 0.059" (1.50mm) Frequency Tolerance: ±100kHz Impedance: 50 Ohms Frequency: 314.2 MHz | auf Bestellung 600000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR315M000S041 | NextGen Components | Description: 315MHz SAW Res. +/-50KHz 4P 5035 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: SAW Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Height: 0.059" (1.50mm) Frequency Tolerance: ±50kHz Impedance: 50 Ohms Frequency: 315 MHz | auf Bestellung 600000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR315M000S042 | NextGen Components | Description: 315MHz SAW Res. +/-75KHz 4P 5035 Frequency Tolerance: ±75kHz Height: 0.059" (1.50mm) Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Type: SAW Mounting Type: Surface Mount Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm) Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) Frequency: 315 MHz Impedance: 50 Ohms | auf Bestellung 600000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR315M000S043 | NextGen Components | Description: 315MHz SAW Res. +/-100KHz 4P 503 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: SAW Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Height: 0.059" (1.50mm) Frequency Tolerance: ±100kHz Impedance: 50 Ohms Frequency: 315 MHz | auf Bestellung 600000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR315M050S042 | NextGen Components | Description: 315.05MHz SAW Res. +/-75KHz 4P 5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: SAW Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Height: 0.059" (1.50mm) Frequency Tolerance: ±75kHz Impedance: 50 Ohms Frequency: 315.05 MHz | auf Bestellung 600000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR315M500S042 | NextGen Components | Description: 315.5MHz SAW Res. +/-75KHz 4P 50 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: SAW Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Height: 0.059" (1.50mm) Frequency Tolerance: ±75kHz Impedance: 50 Ohms Frequency: 315.5 MHz | auf Bestellung 600000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR318M000S041 | NextGen Components | Description: 318MHz SAW Res. +/-50KHz 4P 5035 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: SAW Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Height: 0.059" (1.50mm) Frequency Tolerance: ±50kHz Impedance: 50 Ohms Frequency: 318 MHz | auf Bestellung 600000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR318M000S042 | NextGen Components | Description: 318MHz SAW Res. +/-75KHz 4P 5035 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: SAW Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Height: 0.059" (1.50mm) Frequency Tolerance: ±75kHz Impedance: 50 Ohms Frequency: 318 MHz | auf Bestellung 600000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR323-5 | Everlight Electronics Co Ltd | Description: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL Part Status: Active Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 4mW/sr @ 20mA Current - DC Forward (If) (Max): 100mA Viewing Angle: 35° Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Orientation: Top View Type: Infrared (IR) Mounting Type: Through Hole Wavelength: 875nm Package / Case: Radial Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR330DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 27.7W (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR330DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 27.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR333-A | EVERLIGHT | Category: IR LEDs Description: IR transmitter; 5mm; blue; 20°; λp max: 875nm; THT; 20mA; 7.8mW/sr Type of diode: IR transmitter LED lens: blue Viewing angle: 20° Operating voltage: 1.3V Wavelength of peak sensitivity: 875nm Mounting: THT LED current: 20mA radiant intensity: 7.8mW/sr LED diameter: 5mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR333-A | Everlight Electronics Co Ltd | Description: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 7.8mW/sr @ 20mA Current - DC Forward (If) (Max): 100mA Viewing Angle: 20° Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Orientation: Top View Type: Infrared (IR) Mounting Type: Through Hole Wavelength: 875nm Package / Case: Radial Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR333-A | EVERLIGHT | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SIR333-A/TR1(R) | EVERLIGHT | Category: IR LEDs Description: IR transmitter; 5mm; blue; 20°; λp max: 875nm; 20mA; 7.8mW/sr Type of diode: IR transmitter LED lens: blue Viewing angle: 20° Wavelength of peak sensitivity: 875nm LED current: 20mA radiant intensity: 7.8mW/sr LED diameter: 5mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR333/H19-R11 | EVERLIGHT | Category: IR LEDs Description: IR transmitter; blue; 20°; 1.3÷1.6VDC; 875nm; THT; 20mA; 20mW/sr Type of diode: IR transmitter LED lens: blue Viewing angle: 20° Operating voltage: 1.3...1.6V DC Wavelength of peak sensitivity: 875nm Mounting: THT LED current: 20mA radiant intensity: 20mW/sr | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR333/H19/F51-R11 | Everlight | Infrared Emitters | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR333/H19/F51-R11 | Everlight Electronics Co Ltd | Description: EMITTER Packaging: Bulk Package / Case: Radial Wavelength: 875nm Mounting Type: Through Hole, Right Angle Type: Infrared (IR) Orientation: Top View Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V, 1.4V, 2.6V Viewing Angle: 15° Current - DC Forward (If) (Max): 50mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 15mW/sr @ 50mA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR333/H19/F51-R11 S7440 | EVERLIGHT | Category: IR LEDs Description: IR transmitter; blue; 20°; 1.3÷1.6VDC; 875nm; THT; 20mA; 20mW/sr Type of diode: IR transmitter LED lens: blue Viewing angle: 20° Operating voltage: 1.3...1.6V DC Wavelength of peak sensitivity: 875nm Mounting: THT LED current: 20mA radiant intensity: 20mW/sr | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR333C | Everlight Electronics Co Ltd | Description: EMITTER Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 7.8mW/sr @ 100mA Current - DC Forward (If) (Max): 100mA Viewing Angle: 20° Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V, 1.4V, 2.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Orientation: Top View Type: Infrared (IR) Mounting Type: Through Hole Wavelength: 875nm Package / Case: Radial Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR333C | Everlight | Infrared Emitters | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR341STA49 | auf Bestellung 5500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR341STA9 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR36150 | Brady Corporation | Description: (RUG) SIR36150, INDUSTRIAL RUG, | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR383 | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR383 | Everlight | Infrared Emitters Infrared LED | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR383 | Everlight Electronics Co Ltd | Description: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR383C | Everlight Electronics CO., LTD | Infrared Emitter 875nm 950mW/sr Circular Top Mount 2-Pin T-1 3/4 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR383C | Everlight Electronics Co Ltd | Description: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL Part Status: Active Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 11mW/sr @ 20mA Current - DC Forward (If) (Max): 100mA Viewing Angle: 20° Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Orientation: Top View Type: Infrared (IR) Mounting Type: Through Hole Wavelength: 875nm Package / Case: Radial Packaging: Bulk | auf Bestellung 1575 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR383C | Everlight | Infrared Emitters Infrared LED | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR3850A | auf Bestellung 53 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR401DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR401DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 3200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm SVHC: Lead (04-Feb-2026) | auf Bestellung 879 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR401DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 50A 8-Pin PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR401DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9080 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 39W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 4805 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR401DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 50A 8-Pin PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR401DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8 | auf Bestellung 7783 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR401DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 50A 8-Pin PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR401DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8 Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 39W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9080 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR401DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR401DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 3200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm SVHC: Lead (04-Feb-2026) | auf Bestellung 879 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR401DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 50A 8-Pin PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR402DP-T1-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR402DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.006 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) | auf Bestellung 3164 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR402DP-T1-E3 | auf Bestellung 17500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR402DP-T1-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR402DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.006 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) | auf Bestellung 3164 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR402DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | auf Bestellung 10083 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR402DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR402DP-T1-GE3 | auf Bestellung 200000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR402DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR403EDP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR403EDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 15 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR403EDP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -30V Vds 25V Vgs PowerPAK SO-8 | auf Bestellung 116184 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR403EDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 15 V | auf Bestellung 8200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR404DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR404DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 60 A, 1600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2118 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR404DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR404DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8 | auf Bestellung 6471 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR404DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 10 V | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR404DP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 60A; Idm: 100A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 60A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 104W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 2.25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 47.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR404DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR404DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 60 A, 1600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2118 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR404DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR404DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 10 V | auf Bestellung 13886 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR406DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2083 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR408DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 44.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR410DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 4330 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR410DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR410DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR410DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1310 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR410DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | auf Bestellung 4462 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR412DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 15.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR412DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 25V 20A N-CH MOSFET | auf Bestellung 1825 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR412DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 15.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR414DP | auf Bestellung 980 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR414DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR414DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | auf Bestellung 12902 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR414DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR414DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 2800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 83W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm | auf Bestellung 1615 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR414DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 20 V | auf Bestellung 5034 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR4156LDP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR416DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR416DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 3800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 69W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm | auf Bestellung 768 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR416DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR416DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR416DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | auf Bestellung 8549 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR416DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR416DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR416DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 3800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 69W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm | auf Bestellung 768 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR416DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR416DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 20 V | auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SiR418DP-T1-E3 | VISHAY | QFN 10+ | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR418DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 20 V | auf Bestellung 11014 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR418DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 20 V | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR418DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR418DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | auf Bestellung 5462 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR418M000S041 | NextGen Components | Description: 418MHz SAW Res. +/-50KHz 4P 5035 Frequency: 418 MHz Impedance: 50 Ohms Frequency Tolerance: ±50kHz Height: 0.059" (1.50mm) Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Type: SAW Mounting Type: Surface Mount Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm) Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 600000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR418M000S042 | NextGen Components | Description: 418MHz SAW Res. +/-75KHz 4P 5035 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: SAW Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Height: 0.059" (1.50mm) Frequency Tolerance: ±75kHz Impedance: 50 Ohms Frequency: 418 MHz | auf Bestellung 600000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR422 21VDC Produktcode: 128096
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| Relais | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SiR422DP-T1-E3 | auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR422DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR422DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR422DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 5W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm | auf Bestellung 35697 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR422DP-T1-GE3 Produktcode: 101557
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| SIR422DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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| SIR424DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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| SIR424DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR424DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR424DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 30 A, 5500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 41.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm SVHC: Lead (04-Feb-2026) | auf Bestellung 11585 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR424DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR424DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) | auf Bestellung 1572 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR424DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR426DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR426DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 41.7W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 4232 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR426DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR426DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 30A Automotive 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR426DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 20 V | auf Bestellung 45370 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR426DP-T1-GE3 | Siliconix | MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8 SIR426DP-T1-GE3 Vishay Siliconix TSIR426dp Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SIR426DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR426DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 41.7W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 4232 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR426DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 30A Automotive 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR426DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | auf Bestellung 48891 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR426DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 20 V | auf Bestellung 46056 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR428DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIRA12DP-T1-GE3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR428DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR428DP-T1-GE3 | auf Bestellung 2122 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR432DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 28.4A PPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR433M220S042 | NextGen Components | Description: 433.22MHz SAW Res. +/-75KHz 4P 5 Frequency: 433.22 MHz Impedance: 50 Ohms Frequency Tolerance: ±75kHz Height: 0.059" (1.50mm) Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Type: SAW Mounting Type: Surface Mount Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm) Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 600000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR433M420S042 | NextGen Components | Description: 433.42MHz SAW Res. +/-75KHz 4P 5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: SAW Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Height: 0.059" (1.50mm) Frequency Tolerance: ±75kHz Impedance: 50 Ohms Frequency: 433.42 MHz | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR433M920S041 | NextGen Components | Description: 433.92MHz SAW Res. +/-50KHz 4P 5 Frequency: 433.92 MHz Impedance: 50 Ohms Frequency Tolerance: ±50kHz Height: 0.059" (1.50mm) Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Type: SAW Mounting Type: Surface Mount Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm) Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 600000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR433M920S042 | NextGen Components | Description: 433.92MHz SAW Res. +/-75KHz 4P 5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: SAW Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Height: 0.059" (1.50mm) Frequency Tolerance: ±75kHz Impedance: 50 Ohms Frequency: 433.92 MHz | auf Bestellung 600000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR433M920S043 | NextGen Components | Description: 433.92MHz SAW Res. +/-100KHz 4P Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: SAW Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Height: 0.059" (1.50mm) Frequency Tolerance: ±100kHz Impedance: 50 Ohms Frequency: 433.92 MHz | auf Bestellung 600000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR433M920S046 | NextGen Components | Description: 433.92MHz SAW Res. +/-30KHz 4P 5 Height: 0.059" (1.50mm) Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Type: SAW Mounting Type: Surface Mount Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm) Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) Frequency: 433.92 MHz Impedance: 50 Ohms Frequency Tolerance: ±30kHz | auf Bestellung 600000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR433M970S041 | NextGen Components | Description: 433.97MHz SAW Res. +/-50KHz 4P 5 Frequency: 433.97 MHz Impedance: 50 Ohms Frequency Tolerance: ±50kHz Height: 0.059" (1.50mm) Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Type: SAW Mounting Type: Surface Mount Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm) Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 600000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR436DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR436DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR436DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 25V 40A 50W | auf Bestellung 2824 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR438DP-T1-GE3 | Vishay | SIR438DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 25V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com | auf Bestellung 1160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR438DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 25V 60A 83W | auf Bestellung 2804 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR438DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V | auf Bestellung 199 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR438DP-T1-GE3 | Vishay | SIR438DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 25V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR438DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR4406DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs PPAKSO8 N-CH 40V 78A | auf Bestellung 10934 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR4406DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.3A (Ta), 78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.75mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 41.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1851 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR4406DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR4406DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 78 A, 4750 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 41.6W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4750µohm | auf Bestellung 5680 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR4406DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR4406DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 78 A, 4750 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 41.6W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4750µohm | auf Bestellung 5680 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR4409DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 60.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 59.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5670 pF @ 20 V | auf Bestellung 12405 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR4409DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR4409DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60.6 A, 9000 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 59.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR4409DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs PPAKSO8 P-CH 40V 17.2A | auf Bestellung 6998 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR4409DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 60.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 59.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5670 pF @ 20 V | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR4409DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR4409DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60.6 A, 9000 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 59.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR440DP-T1-E3 | auf Bestellung 17500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR440DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR440DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | auf Bestellung 5383 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR440DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 10 V | auf Bestellung 4701 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR440DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR440DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 60 A, 1550 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1550µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1272 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR440DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR440DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 10 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR440DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR4411DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR4411DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs PPAKSO8 P-CH 40V 48.3A | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR450DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR450DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 113 A, 1800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 113A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 4805 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR450DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 113A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5920 pF @ 20 V | auf Bestellung 5524 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR450DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs PPAKSO8 N-CH 45V 36A | auf Bestellung 2950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR450DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 113A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5920 pF @ 20 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR450DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR450DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 113 A, 1800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 113A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 48W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 4805 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR450DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 45V 36A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR460 | VISHAY | 09+ | auf Bestellung 49 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR4602LDP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs PPAKSO8 N-CH 60V 15.2A | auf Bestellung 20749 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR4602LDP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR4602LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 52.1 A, 8800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 4407 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR4602LDP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 15.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR4602LDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: POWERPAK SO-8, 8.8 M @ 10V, 12.5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 52.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1185 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR4602LDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: POWERPAK SO-8, 8.8 M @ 10V, 12.5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 52.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1185 pF @ 30 V | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR4602LDP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR4602LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 52.1 A, 8800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 4407 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR4602LDP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 15.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR4604DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Ta), 49.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 41.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR4604DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR4604DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 49.3 A, 0.0079 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 49.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 41.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 5837 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR4604DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR4604DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 49.3 A, 0.0079 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 49.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 41.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 5837 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR4604DP-T1-GE3 | Vishay | MOSFETs PPAKSO8 N-CH 60V 15.1A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR4604DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Ta), 49.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 41.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR4604LDP-T1-GE3 | Vishay | MOSFETs PPAKSO8 N-CH 60V 15.6A | auf Bestellung 6509 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR4604LDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 41.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 30 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR4604LDP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR4604LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 51 A, 8900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 41.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 5923 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR4604LDP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR4604LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 51 A, 8900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 41.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 5923 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR4604LDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 41.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR4606DP | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 10.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR4606DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 31.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR4606DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 10.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR4606DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 31.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR4606DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR4606DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.0185 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 31.2W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0185ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2830 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR4606DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET | auf Bestellung 30487 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR4606DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR4606DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.0185 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 31.2W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0185ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2830 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR4608DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR4608DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 42.8 A, 0.0099 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2929 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR4608DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 42.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR4608DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 13.1A T/R | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR4608DP-T1-GE3 | Vishay | MOSFETs PPAKSO8 N-CH 60V 13.1A | auf Bestellung 2847 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR4608DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 42.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 30 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR4608DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR4608DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 42.8 A, 0.0099 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2929 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR4608DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 13.1A T/R | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 15 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR4608LDP-T1-GE3 | Vishay | MOSFETs PPAKSO8 N-CH 60V 13.3A | auf Bestellung 1584 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR4608LDP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR4608LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43.4 A, 0.0094 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 5945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR4608LDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 43.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR4608LDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 43.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR4608LDP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR4608LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43.4 A, 0.0094 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 5945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR460DP | auf Bestellung 1450 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR460DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR460DP-T1-GE3 | auf Bestellung 2080 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR460DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR460DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | auf Bestellung 1235 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR460DP-T1-GE3 Produktcode: 100038
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SIR460DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR462DP | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR462DP-T1-E3 | auf Bestellung 37500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR462DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR462DP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 70A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 30A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 41.7W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR462DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V | auf Bestellung 20667 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR462DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | auf Bestellung 11879 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR462DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR462DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 41.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 119 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR462DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR462DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V | auf Bestellung 21612 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR462DP-T1-GE3 | VISHAY | QFN | auf Bestellung 5435 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR462DPR462 | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR464 | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR464DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR464DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR464DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR464DP-T1-GE3 | VISHAY | 08+ DIP | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR464DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR464DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V 50A 69W 3.1mohm @ 10V | auf Bestellung 3282 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR464DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR464DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 1681 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR464DPR464 | auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR466DP | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR466DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR466DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 6571 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR466DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR466DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 20509 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR466DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR466DP-T1-GE3 | VISHAY | 1041+ QFN-8 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR466DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | auf Bestellung 10789 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR466DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR466DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR468DP-T1-E3 | auf Bestellung 17500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR468DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR468DP-T1-GE3 | VISHAY QFN 12+ | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SIR468DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR468DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 40A 50W 5.7mohm @ 10V | auf Bestellung 2225 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR470DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | auf Bestellung 2612 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR470DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR470DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 20 V | auf Bestellung 26670 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR470DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | auf Bestellung 29837 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR470DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR470DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 2300 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: Lead (04-Feb-2026) | auf Bestellung 7999 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR470DP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 100A Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerPAK® SO8 Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Gate charge: 155nC On-state resistance: 2.3mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Drain current: 60A Power dissipation: 66.6W Pulsed drain current: 100A Kind of channel: enhancement Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR470DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | auf Bestellung 2612 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR470DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 20 V | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR472ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 14.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR472ADP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR472ADP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH Si 30V 18A 8-Pin PowerPAK SO EP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR472ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8 Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 14.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V | auf Bestellung 6053 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR472DP | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR472DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | auf Bestellung 2298 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR472DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR472DP-T1-GE3 - N CHANNEL MOSFET, 30V, 20A, SOIC Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 20 Rds(on)-Messspannung Vgs: 20 MSL: MSL 1 - Unlimited Verlustleistung Pd: 3.9 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2.5 SVHC: To Be Advised | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR472DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 29.8W (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR472DP-T1-GE3 | auf Bestellung 1829 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR472DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIRA18DP-T1-GE3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR472DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 29.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR474 | VISHAY | 09+ | auf Bestellung 112 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR474DP | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR474DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8 | auf Bestellung 618 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR474DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR474DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V 20A 29.8W | auf Bestellung 2992 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR474DP-T1-GE3 Produktcode: 100039
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SIR474DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR474DP-T1-GE3 | VISHAY | QFN | auf Bestellung 890 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR474DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR474DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR474DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V Vds TrenchFET PowerPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR474DPR474 | auf Bestellung 92 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR476DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR476DP-T1-GE3 | auf Bestellung 2410 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR476DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 25V 60A 104W 1.7mohm @ 10V | auf Bestellung 3255 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR476DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR482DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR484DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 20A PPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR484DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | auf Bestellung 92 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR484DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 20A PPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR484DP-T1-GE3 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR492DP | auf Bestellung 72 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR492DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8 Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 6 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 8 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR492DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 12V 40A 36W 3.8mohm @ 4.5V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR492DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8 Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 6 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 8 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR494 | EVERLIGHT | 04+ | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR494DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 12V 60A PPAK SO-8 | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR494DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 12V 60A 104W 1.2mohm @ 10V | auf Bestellung 3352 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR494DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 12V 60A PPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SiR496DP-T1-E3 | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR496DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR496DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SiR500DP | Vishay | Vishay | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR500DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 85.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR500DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 350.8A; Idm: 500A Technology: TrenchFET® Gate charge: 180nC On-state resistance: 0.68mΩ Power dissipation: 104.1W Drain-source voltage: 30V Drain current: 350.8A Pulsed drain current: 500A Case: PowerPAK® SO8 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR500DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85.9A (Ta), 350.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8960 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR500DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 85.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR500DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR500DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 350.8 A, 0.00039 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104.1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 104.1W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 390µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00039ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 38958 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR500DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs PPAKSO8 N-CH 30V 85.9A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR500DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 85.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR500DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85.9A (Ta), 350.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8960 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR500DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR500DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 350.8 A, 470 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 104.1W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 38002 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR500DP-T1-RE3-X | Vishay | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR500DP-T1-UE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET 150 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85.9A (Ta), 350.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8960 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR500DP-T1-UE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET 150 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85.9A (Ta), 350.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8960 pF @ 15 V | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR500DP-T1-UE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 150 C 4.7 m 10V 6.8 m 4.5V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR505ST47 | ROHM | 04+ | auf Bestellung 100000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR5102DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR5102DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 4100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 14360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR5102DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 110A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR5102DP-T1-RE3 | Vishay | MOSFETs SOT669 100V 110A N-CH MOSFET | auf Bestellung 3192 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR5102DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR5102DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 4100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 14360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR5102DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 110A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 4684 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR5102DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 110A; Idm: 300A Technology: TrenchFET® Gate charge: 51nC On-state resistance: 5.6mΩ Power dissipation: 104W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 110A Pulsed drain current: 300A Case: PowerPAK® SO8 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SiR5108DP | Vishay / Siliconix | MOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 10.5 mohm a. 10V 10.1 mohm a. 7.5V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR5108DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.45mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 55.9A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR5108DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs SO8 100V 55.9A N CHAN | auf Bestellung 904 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR5108DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.45mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 55.9A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR510DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs SOT669 100V 126A N-CH MOSFET | auf Bestellung 10610 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR510DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 126A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 50 V | auf Bestellung 5435 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR510DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR510DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 126 A, 3000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 126A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 7346 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR510DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 126A; Idm: 300A Technology: TrenchFET® Gate charge: 81nC On-state resistance: 4.2mΩ Power dissipation: 104W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 126A Pulsed drain current: 300A Case: PowerPAK® SO8 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR510DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 126A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 50 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR510DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR510DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 126 A, 3000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 126A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 7346 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR510DP-T1-RE3-X | Vishay | Vishay | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR5110DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR5110DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47.6 A, 0.0125 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 47.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 59.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm | auf Bestellung 6040 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR5110DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 12.5 m a. 10V 12.3 m a. 7.5V | auf Bestellung 5583 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR5110DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 59.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 35A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 47.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR5110DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR5110DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47.6 A, 0.0125 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 47.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 59.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm | auf Bestellung 6040 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR5110DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 59.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 35A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 47.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SiR5112DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 42.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | auf Bestellung 5941 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SiR5112DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8S, 14.9 mohm a. 10V 14.4 mohm a. 7.5V | auf Bestellung 3966 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SiR5112DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 42.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR512DP-T1-BE3 | Vishay | Vishay N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR512DP-T1-BE3 | Vishay | MOSFETs SOT669 100V 100A N-CH MOSFET | auf Bestellung 2648 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR512DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 96.2W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.1A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR512DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR512DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 96.2W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR512DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR512DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 96.2W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR512DP-T1-RE3 | Vishay | MOSFETs SOT669 100V 100A N-CH MOSFET | auf Bestellung 6286 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR512DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 96.2W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.1A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 | auf Bestellung 429 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR514DP-T1-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 150 C 5.8 m 10V | auf Bestellung 5442 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR514DP-T1-BE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR514DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 84.8 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 84.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR514DP-T1-BE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR514DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 84.8 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 84.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR514DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.8A (Ta), 84.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR514DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR514DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 84.8 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 84.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 83.3W SVHC: Lead (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm | auf Bestellung 5205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR514DP-T1-RE3 | Vishay | MOSFETs SOT669 100V 84.8A N-CH MOSFET | auf Bestellung 5438 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR514DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.8A (Ta), 84.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V | auf Bestellung 5836 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR514DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR514DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 84.8 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 84.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 83.3W SVHC: Lead (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm | auf Bestellung 5205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR516DP-T1-BE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR516DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63.7 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 63.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 71.4W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR516DP-T1-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 150 C 8 m 10V | auf Bestellung 5590 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR516DP-T1-BE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR516DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63.7 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 63.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 71.4W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR516DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 100volts 63.7amp | auf Bestellung 4731 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR516DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Ta), 63.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR516DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 63.7A; Idm: 200A Technology: TrenchFET® Gate charge: 27nC On-state resistance: 9mΩ Power dissipation: 71.4W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 63.7A Pulsed drain current: 200A Case: PowerPAK® SO8 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR516DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR516DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63.7 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 71.4W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 71.4W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0064ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 719 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR516DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Ta), 63.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR516DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR516DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63.7 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 71.4W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 719 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR5203DP-T1-UE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR5205DP-T1-UE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR5208DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 20-V (D-S) 150C MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR5211DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR5211DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 105 A, 3200 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 56.8W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 3720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR5211DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET POWE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Ta), 105A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 5600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR5211DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET | auf Bestellung 2903 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR5211DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR5211DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 105 A, 3200 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 56.8W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 3720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR5211DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET POWE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Ta), 105A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR5308-0.3 | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR5308-0.3W | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR5308-0.5 | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR5308-1W | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR532 24VDC SIR 532 24VDC | --- | Производитель ELESTA GmbH Реле електромеханічні та геркони | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR5402DP-T1-UE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49.9A (Ta), 201.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 92.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5325 pF @ 20 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR5402DP-T1-UE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49.9A (Ta), 201.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 92.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5325 pF @ 20 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR5402DP-T1-UE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET | auf Bestellung 8557 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR5404DP-T1-UE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR5406DP-T1-UE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.3A (Ta), 126A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2675 pF @ 20 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR5406DP-T1-UE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET | auf Bestellung 2940 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR5406DP-T1-UE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.3A (Ta), 126A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2675 pF @ 20 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR5408DP-T1-UE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Ta), 101A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 59.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2243 pF @ 20 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR5408DP-T1-UE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR5408DP-T1-UE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Ta), 101A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 59.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2243 pF @ 20 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR5607DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.2A (Ta), 90.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5020 pF @ 30 V | auf Bestellung 8812 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR5607DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 90.9A 8-Pin PowerPAK SO EP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR5607DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR5607DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 90.9 A, 7000 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V Verlustleistung: 104W SVHC: Lead (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm | auf Bestellung 8249 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR5607DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET | auf Bestellung 13798 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR5607DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.2A (Ta), 90.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5020 pF @ 30 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR5607DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR5607DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 90.9 A, 7000 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V Verlustleistung: 104W SVHC: Lead (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm | auf Bestellung 8249 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR5607DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR5607DP-T1-UE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET | auf Bestellung 3120 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SiR5623DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 37.1A(Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 59.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 30 V | auf Bestellung 10661 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SiR5623DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-Channel 60 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 24 mohm a. 10V, 46 mohm a. 4.5V | auf Bestellung 6951 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SiR5623DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 37.1A(Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 59.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 30 V | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR5623DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR5623DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 37.1 A, 0.024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 37.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 59.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 5081 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR563ST3FX | ROHM | 04+ | auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR56SB3 | auf Bestellung 2417 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR56SB3-Rohm (infrarot LED 5mm) Produktcode: 14584
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| LEDs > LED Infrarot (IR) Größe: 5mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SIR56SB3F | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR56ST3 | auf Bestellung 5500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR5708DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR5708DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33.8 A, 0.019 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 5750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR5708DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs SOT669 150V 33.8A N-CH MOSFET | auf Bestellung 16277 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR5708DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 150V 9.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR5708DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 33.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | auf Bestellung 5968 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR5708DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR5708DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33.8 A, 0.019 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 5750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR5708DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 33.8A; Idm: 80A Technology: TrenchFET® Gate charge: 20nC On-state resistance: 27mΩ Power dissipation: 65.7W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 150V Drain current: 33.8A Pulsed drain current: 80A Case: PowerPAK® SO8 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR5708DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 150V 9.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR5708DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 33.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR5708DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 150V 9.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR570DP-T1-BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175 C MOSF Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR570DP-T1-BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175 C MOSF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR570DP-T1-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET | auf Bestellung 5057 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR570DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 150V 19A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | auf Bestellung 1538 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR570DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR570DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR570DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77.4 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 77.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 1604 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR570DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs SOT669 150V 77.4A N-CH MOSFET | auf Bestellung 6820 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR570DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 77.4A; Idm: 200A Technology: TrenchFET® Gate charge: 71nC On-state resistance: 8.5mΩ Power dissipation: 104W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 150V Drain current: 77.4A Pulsed drain current: 200A Case: PowerPAK® SO8 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR570DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 150V 19A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | auf Bestellung 1538 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR570DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 150V 19A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR570DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 150V 19A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR570DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR570DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77.4 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 77.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 1604 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR570DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 150V 19A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR570DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 1019 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR570DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 150V 19A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR5710DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR5710DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs SOT669 150V 26.8A N-CH MOSFET | auf Bestellung 18068 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR5710DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 150V; 4.8W; PowerPAK® SO8 Gate charge: 15nC On-state resistance: 31.5mΩ Power dissipation: 4.8W Gate-source voltage: 20V Drain-source voltage: 150V Case: PowerPAK® SO8 Kind of channel: enhancement Polarisation: N Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR5710DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR5712DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR5712DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.0555 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 40W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0555ohm | auf Bestellung 5936 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR5712DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET | auf Bestellung 10375 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR5712DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR5712DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.0555 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 40W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0555ohm | auf Bestellung 5936 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR572DP-T1-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 10.8 m 10V | auf Bestellung 5821 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR572DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR572DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 59.7 A, 0.0086 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 59.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 92.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 92.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0086ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 4201 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR572DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 92.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 59.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | auf Bestellung 6501 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR572DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 59.7A; Idm: 180A Technology: TrenchFET® Gate charge: 54nC On-state resistance: 11.5mΩ Power dissipation: 92.5W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 150V Drain current: 59.7A Pulsed drain current: 180A Case: PowerPAK® SO8 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR572DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 92.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 59.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR572DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR572DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 59.7 A, 0.0086 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 59.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 92.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 4201 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR572DP-T1-RE3 | Vishay | MOSFETs SOT669 150V 59.7A N-CH MOSFET | auf Bestellung 944 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR574DP-T1-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 13.8 m 10V | auf Bestellung 5870 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR574DP-T1-BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta), 48.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 75 V | auf Bestellung 5950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR574DP-T1-BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta), 48.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 75 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR574DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 48.1A; Idm: 150A Technology: TrenchFET® Gate charge: 48nC On-state resistance: 14.3mΩ Power dissipation: 78W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 150V Drain current: 48.1A Pulsed drain current: 150A Case: PowerPAK® SO8 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR574DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR574DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 48.1 A, 0.0112 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 48.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 78W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0112ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 5915 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR574DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta), 48.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 75 V | auf Bestellung 5935 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR574DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR574DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 48.1 A, 0.0112 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 48.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 5915 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR574DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta), 48.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 75 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR576DP-T1-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 16 m 10V | auf Bestellung 5734 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR576DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR576DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 42.2 A, 0.0133 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 71.4W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 71.4W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0133ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 5914 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR576DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), 42.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR576DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR576DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 42.2 A, 0.0133 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 71.4W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 5914 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR576DP-T1-RE3 | Vishay | MOSFETs SOT669 150V 42.2A N-CH MOSFET | auf Bestellung 4698 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR576DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 42.2A; Idm: 120A Technology: TrenchFET® Gate charge: 38nC On-state resistance: 17mΩ Power dissipation: 71.4W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 150V Drain current: 42.2A Pulsed drain current: 120A Case: PowerPAK® SO8 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR576DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), 42.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V | auf Bestellung 5880 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR578DP-T1-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 8.8 M 10V | auf Bestellung 5785 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR578DP-T1-BE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR578DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70.2 A, 8800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 70.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 45 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR578DP-T1-BE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR578DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70.2 A, 8800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 70.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR578DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 70.2A; Idm: 200A Technology: TrenchFET® Gate charge: 49nC On-state resistance: 10mΩ Power dissipation: 104W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 150V Drain current: 70.2A Pulsed drain current: 200A Case: PowerPAK® SO8 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR578DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 70.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 75 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR578DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR578DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70.2 A, 8800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 4982 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR578DP-T1-RE3 | Vishay | MOSFETs SOT669 150V 70.2A N-CH MOSFET | auf Bestellung 6843 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR578DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR578DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70.2 A, 8800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 4982 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR578DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 70.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 75 V | auf Bestellung 3801 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR5802DP-T1-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR5802DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR5802DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 137.5 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 137.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | auf Bestellung 4739 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR5802DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Ta), 137.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 40 V | auf Bestellung 1092 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR5802DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 33.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR5802DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Ta), 137.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 40 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR5802DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR5802DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 137.5 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 137.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | auf Bestellung 4739 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR5802DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 33.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR5802DP-T1-RE3 | Vishay | MOSFETs PPAKSO8 N-CH 80V 33.6A | auf Bestellung 5775 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR5802DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 137.5A; Idm: 300A Technology: TrenchFET® Gate charge: 60nC On-state resistance: 4mΩ Power dissipation: 104W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Drain current: 137.5A Pulsed drain current: 300A Case: PowerPAK® SO8 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR5802DP-T1-RE3-X | Vishay | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR5808DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET | auf Bestellung 11568 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR5808DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR5808DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 66.8 A, 7350 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 66.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7350µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 5903 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR5808DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 66.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 40 V | auf Bestellung 11931 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR5808DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 66.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 40 V | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR5808DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR5808DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 66.8 A, 7350 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 66.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7350µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 5903 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR580DP-T1-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET | auf Bestellung 4858 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR580DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs PPAKSO8 N-CH 80V 35.8A | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR580DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 35.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR580DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR580DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 146 A, 0.0027 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 146A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 563 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR580DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 146A; Idm: 300A Technology: TrenchFET® Gate charge: 76nC On-state resistance: 3.2mΩ Power dissipation: 104W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Drain current: 146A Pulsed drain current: 300A Case: PowerPAK® SO8 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR580DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Ta), 146A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 40 V | auf Bestellung 13869 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR580DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 35.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR580DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Ta), 146A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Vgs (Max): ±20V | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR580DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 35.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR580DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR580DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 146 A, 0.0027 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 146A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00215ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 563 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR5810DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 150C MOSFET | auf Bestellung 2785 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR5812DP-T1-RE3 | Vishay | MOSFETs PPAKSO8 N-CH 80V 13A | auf Bestellung 6840 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR582DP-T1-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Channel 80 V (D-S) MOSFET 150 C 3.4 m 10V | auf Bestellung 5934 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR582DP-T1-BE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR582DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 3400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 116A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 92.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR582DP-T1-BE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR582DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 3400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 116A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 92.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR582DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 116A; Idm: 300A Technology: TrenchFET® Gate charge: 67nC On-state resistance: 3.9mΩ Power dissipation: 92.5W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Drain current: 116A Pulsed drain current: 300A Case: PowerPAK® SO8 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR582DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 92.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.9A (Ta), 116A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR582DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR582DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 2800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 116A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 92.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 92.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1325 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR582DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs PPAKSO8 N-CH 80V 28.9A | auf Bestellung 7838 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR582DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 92.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.9A (Ta), 116A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 3189 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR582DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR582DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 2800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 116A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 92.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1325 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR584DP-T1-BE3 | Vishay | MOSFETs PPAKSO8 N-CH 80V 24.7A | auf Bestellung 2957 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR584DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 2900 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR584DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR584DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 100 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 83.3 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 5620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR584DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 100A; Idm: 250A Technology: TrenchFET® Gate charge: 56nC On-state resistance: 4.7mΩ Power dissipation: 83.3W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Drain current: 100A Pulsed drain current: 250A Case: PowerPAK® SO8 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR584DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs PPAKSO8 N-CH 80V 24.7A | auf Bestellung 3738 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR584DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc) | auf Bestellung 2947 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR584DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR584DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 100 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 83.3 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 5620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR5850A | auf Bestellung 53 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SIR586DP-T1-BE3 | Vishay | MOSFETs PPAKSO8 N-CH 80V 20.7A | auf Bestellung 2930 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR586DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Ta), 78.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1905 pF @ 40 V | auf Bestellung 31482 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR586DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR586DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 78.4 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 78.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 71.4W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 71.4W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1781 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR586DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Ta), 78.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1905 pF @ 40 V | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR586DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR586DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 78.4 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 78.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 71.4W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1781 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR586DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs PPAKSO8 N-CH 80V 20.7A | auf Bestellung 19325 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR588DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 59.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 59.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 40 V | auf Bestellung 8519 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR588DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR588DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 59.5 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 59.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 59.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2597 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR588DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs PPAKSO8 N-CH 80V 17.2A | auf Bestellung 5542 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR588DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 59.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 59.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 40 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR588DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR588DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 59.5 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 59.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 59.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 59.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0063ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2597 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR606BDP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 10.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR606BDP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR606BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 38.7 A, 0.0145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm | auf Bestellung 29328 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR606BDP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | auf Bestellung 3887 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR606BDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 38.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V | auf Bestellung 8914 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIR606BDP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIR606BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 38.7 A, 0.0145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm | auf Bestellung 29328 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIR606BDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 38.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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