Produkte > AOT
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||||
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| AOT-02RB | SRA Soldering Products | Description: BEVEL SOLDERING IRON TIP T-0.2RB Packaging: Bag For Use With/Related Products: Tesla, 469, 701, 702, 703, 703B, 768, 926, 927, 928, 936, 936A, 937, 937+, 9378, 968, 908, 938, 9378 Tip Shape: Bevel Tip Type: Soldering Part Status: Active | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT-05C | SRA Soldering Products | Description: BEVEL SOLDERING IRON TIP T-0.5C Packaging: Bag For Use With/Related Products: Tesla, 469, 701, 702, 703, 703B, 768, 926, 927, 928, 936, 936A, 937, 937+, 9378, 968, 908, 938, 9378 Tip Shape: Bevel Tip Type: Soldering Part Status: Active | auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT-0603-2D-RB | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AOT-0603-B01-VB | auf Bestellung 9300 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AOT-0603-B01-VB | 0603LED | auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| AOT-0603-B110-H | AOT | SOD-523 | auf Bestellung 120000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT-0603-BW3 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AOT-0603-W310-H | QFN?? | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| AOT-0603P-2D-RB1 | auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AOT-0603P-B01 | AOT | 2010+ 0603 | auf Bestellung 34000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT-0603P-B01-S01 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AOT-0603P-B01A(-VC) | auf Bestellung 19600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AOT-0603P-G01-Z-HO | N/A | 08+ | auf Bestellung 4053 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT-0603P-R01-S | auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AOT-0603P-W01-V | 0603LED | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| AOT-0603P-W01-V | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AOT-0603P2-B04-M01 | AOT | SMD | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT-08C | SRA Soldering Products | Description: BEVEL SOLDERING IRON TIP T-0.8C Packaging: Bag For Use With/Related Products: Tesla, 469, 701, 702, 703, 703B, 768, 926, 927, 928, 936, 936A, 937, 937+, 9378, 968, 908, 938, 9378 Tip Shape: Bevel Tip Type: Soldering Part Status: Active | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT-08D | SRA Soldering Products | Description: CHISEL SOLDERING IRON TIP 0.8D Packaging: Bag For Use With/Related Products: Tesla, 469, 701, 702, 703, 703B, 768, 926, 927, 928, 936, 936A, 937, 937+, 9378, 968, 908, 938, 9378 Tip Shape: Chisel Tip Type: Soldering Part Status: Active | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT-1204-2D-YY02-H | N/A | SMD | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT-1204-3D-RGB03-H | AOT | 08+ DIP8 | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT-1206-3D-RGB03 | AOT | 2010+ 1206RGB | auf Bestellung 43000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT-12D | SRA Soldering Products | Description: CHISEL SOLDERING IRON TIP 1.2D Packaging: Bag For Use With/Related Products: Tesla, 469, 701, 702, 703, 703B, 768, 926, 927, 928, 936, 936A, 937, 937+, 9378, 968, 908, 938, 9378 Tip Shape: Chisel Tip Type: Soldering Part Status: Active | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT-12LD | SRA Soldering Products | Description: CHISEL SOLDERING IRON TIP 1.2LD Packaging: Bag For Use With/Related Products: Tesla, 469, 701, 702, 703, 703B, 768, 926, 927, 928, 936, 936A, 937, 937+, 9378, 968, 908, 938, 9378 Tip Shape: Chisel Tip Type: Soldering Part Status: Active | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT-15CF | SRA Soldering Products | Description: BEVEL SOLDERING IRON TIP 1.5CF Packaging: Bag For Use With/Related Products: Tesla, 469, 701, 702, 703, 703B, 768, 926, 927, 928, 936, 936A, 937, 937+, 9378, 968, 908, 938, 9378 Tip Shape: Bevel Tip Type: Soldering Part Status: Active | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT-1608 HPW | AOT | 2010+ LED | auf Bestellung 68000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT-1615-3D-RGB01 | AOT | SMD | auf Bestellung 11660 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT-1615-3D-RGB01 | AOT | auf Bestellung 5860 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| AOT-1615RGB43 | AOT | 2010+ LED | auf Bestellung 43000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT-16D | SRA Soldering Products | Description: CHISEL SOLDERING IRON TIP 1.6D Packaging: Bag For Use With/Related Products: Tesla, 469, 701, 702, 703, 703B, 768, 926, 927, 928, 936, 936A, 937, 937+, 9378, 968, 908, 938, 9378 Tip Shape: Chisel Tip Type: Soldering Part Status: Active | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT-18H | SRA Soldering Products | Description: BEVEL SOLDERING IRON TIP T-1.8H Packaging: Bag For Use With/Related Products: Tesla, 469, 701, 702, 703, 703B, 768, 926, 927, 928, 936, 936A, 937, 937+, 9378, 968, 908, 938, 9378 Tip Shape: Bevel Tip Type: Soldering Part Status: Active | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT-1C | SRA Soldering Products | Description: BEVEL SOLDERING IRON TIP T-1C Packaging: Bag For Use With/Related Products: Tesla, 469, 701, 702, 703, 703B, 768, 926, 927, 928, 936, 936A, 937, 937+, 9378, 968, 908, 938, 9378 Tip Shape: Bevel Tip Type: Soldering Part Status: Active | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT-1CF | SRA Soldering Products | Description: BEVEL SOLDERING IRON TIP T-1CF Packaging: Bag For Use With/Related Products: Tesla, 469, 701, 702, 703, 703B, 768, 926, 927, 928, 936, 936A, 937, 937+, 9378, 968, 908, 938, 9378 Tip Shape: Bevel Tip Type: Soldering Part Status: Active | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT-210C-1 | AOTAI INDUSTRY | Кабель "Вилка/Розетка"/Вилка; К-сть конт. = 8; OBDII; L = 1 м; 1 m | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT-24D | SRA Soldering Products | Description: CHISEL SOLDERING IRON TIP 2.4D Packaging: Bag For Use With/Related Products: Tesla, 469, 701, 702, 703, 703B, 768, 926, 927, 928, 936, 936A, 937, 937+, 9378, 968, 908, 938, 9378 Tip Shape: Chisel Tip Type: Soldering Part Status: Active | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT-2808-HPW-0301B(RW01-BI | 0603LED | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| AOT-2808-HPW-0301B(RW01-BIN9/BIN5) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AOT-2C | SRA Soldering Products | Description: BEVEL SOLDERING IRON TIP T-2C Packaging: Bag For Use With/Related Products: Tesla, 469, 701, 702, 703, 703B, 768, 926, 927, 928, 936, 936A, 937, 937+, 9378, 968, 908, 938, 9378 Tip Shape: Bevel Tip Type: Soldering Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT-2CF | SRA Soldering Products | Description: BEVEL SOLDERING IRON TIP T-2CF Packaging: Bag For Use With/Related Products: Tesla, 469, 701, 702, 703, 703B, 768, 926, 927, 928, 936, 936A, 937, 937+, 9378, 968, 908, 938, 9378 Tip Shape: Bevel Tip Type: Soldering Part Status: Active | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT-2LD | SRA Soldering Products | Description: CHISEL SOLDERING IRON TIP 2LD Packaging: Bag For Use With/Related Products: Tesla, 469, 701, 702, 703, 703B, 768, 926, 927, 928, 936, 936A, 937, 937+, 9378, 968, 908, 938, 9378 Tip Shape: Chisel Tip Type: Soldering Part Status: Active | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT-3020BLW-0201-Z-2-Y | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AOT-302OBLW-0201-Z-2-Y-H | QUNGCHUANG | 06+ | auf Bestellung 8010 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT-3218HPW-0304B | AOT | 0520+ SMD | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT-3228UV21B-ZO-HO | GH | LED | auf Bestellung 2825 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT-32D | SRA Soldering Products | Description: CHISEL SOLDERING IRON TIP 3.2D Packaging: Bag For Use With/Related Products: Tesla, 469, 701, 702, 703, 703B, 768, 926, 927, 928, 936, 936A, 937, 937+, 9378, 968, 908, 938, 9378 Tip Shape: Chisel Tip Type: Soldering Part Status: Active | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT-32LD | SRA Soldering Products | Description: CHISEL SOLDERING IRON TIP 3.2LD Packaging: Bag For Use With/Related Products: Tesla, 469, 701, 702, 703, 703B, 768, 926, 927, 928, 936, 936A, 937, 937+, 9378, 968, 908, 938, 9378 Tip Shape: Chisel Tip Type: Soldering Part Status: Active | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT-3535HPW | AOT | 2010+ LED | auf Bestellung 32000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT-3C | SRA Soldering Products | Description: BEVEL SOLDERING IRON TIP T-3C Packaging: Bag For Use With/Related Products: Tesla, 469, 701, 702, 703, 703B, 768, 926, 927, 928, 936, 936A, 937, 937+, 9378, 968, 908, 938, 9378 Tip Shape: Bevel Tip Type: Soldering Part Status: Active | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT-3CF | SRA Soldering Products | Description: BEVEL SOLDERING IRON TIP T-3CF Packaging: Bag For Use With/Related Products: Tesla, 469, 701, 702, 703, 703B, 768, 926, 927, 928, 936, 936A, 937, 937+, 9378, 968, 908, 938, 9378 Tip Shape: Bevel Tip Type: Soldering Part Status: Active | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT-4C | SRA Soldering Products | Description: BEVEL SOLDERING IRON TIP T-4C Packaging: Bag For Use With/Related Products: Tesla, 469, 701, 702, 703, 703B, 768, 926, 927, 928, 936, 936A, 937, 937+, 9378, 968, 908, 938, 9378 Tip Shape: Bevel Tip Type: Soldering Part Status: Active | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT-4CF | SRA Soldering Products | Description: BEVEL SOLDERING IRON TIP T-4CF Packaging: Bag For Use With/Related Products: Tesla, 469, 701, 702, 703, 703B, 768, 926, 927, 928, 936, 936A, 937, 937+, 9378, 968, 908, 938, 9378 Tip Shape: Bevel Tip Type: Soldering Part Status: Active | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT-AELBU-H | N/A | SMD | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT-B | SRA Soldering Products | Description: CONICAL SOLDERING IRON TIP T-B Packaging: Bag For Use With/Related Products: Tesla, 469, 701, 702, 703, 703B, 768, 926, 927, 928, 936, 936A, 937, 937+, 9378, 968, 908, 938, 9378 Tip Shape: Conical Tip Type: Soldering Part Status: Active | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT-H | SRA Soldering Products | Description: BEVEL SOLDERING IRON TIP T-H Packaging: Bag For Use With/Related Products: Tesla, 469, 701, 702, 703, 703B, 768, 926, 927, 928, 936, 936A, 937, 937+, 9378, 968, 908, 938, 9378 Tip Shape: Bevel Tip Type: Soldering Part Status: Active | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT-I | SRA Soldering Products | Description: CONICAL SOLDERING IRON TIP T-I Packaging: Bag For Use With/Related Products: Tesla, 469, 701, 702, 703, 703B, 768, 926, 927, 928, 936, 936A, 937, 937+, 9378, 968, 908, 938, 9378 Tip Shape: Conical Tip Type: Soldering Part Status: Active | auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT-K | SRA Soldering Products | Description: BEVEL SOLDERING IRON TIP T-K Packaging: Bag For Use With/Related Products: Tesla, 469, 701, 702, 703, 703B, 768, 926, 927, 928, 936, 936A, 937, 937+, 9378, 968, 908, 938, 9378 Tip Shape: Bevel Tip Type: Soldering Part Status: Active | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT-LB | SRA Soldering Products | Description: CONICAL SOLDERING IRON TIP T-LB Packaging: Bag For Use With/Related Products: Tesla, 469, 701, 702, 703, 703B, 768, 926, 927, 928, 936, 936A, 937, 937+, 9378, 968, 908, 938, 9378 Tip Shape: Conical Tip Type: Soldering Part Status: Active | auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT-R | SRA Soldering Products | Description: BEVEL SOLDERING IRON TIP T-R Packaging: Bag For Use With/Related Products: Tesla, 469, 701, 702, 703, 703B, 768, 926, 927, 928, 936, 936A, 937, 937+, 9378, 968, 908, 938, 9378 Tip Shape: Bevel Tip Type: Soldering Part Status: Active | auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT-RT | SRA Soldering Products | Description: BEVEL SOLDERING IRON TIP T-RT Packaging: Bag For Use With/Related Products: Tesla, 469, 701, 702, 703, 703B, 768, 926, 927, 928, 936, 936A, 937, 937+, 9378, 968, 908, 938, 9378 Tip Shape: Bevel Tip Type: Soldering Part Status: Active | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT-S3 | SRA Soldering Products | Description: CHISEL SOLDERING IRON TIP S3 Packaging: Bag For Use With/Related Products: Tesla, 469, 701, 702, 703, 703B, 768, 926, 927, 928, 936, 936A, 937, 937+, 9378, 968, 908, 938, 9378 Tip Shape: Chisel Tip Type: Soldering Part Status: Active | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT-S4 | SRA Soldering Products | Description: CONICAL SOLDERING IRON TIP T-S4 Packaging: Bag For Use With/Related Products: Tesla, 469, 701, 702, 703, 703B, 768, 926, 927, 928, 936, 936A, 937, 937+, 9378, 968, 908, 938, 9378 Tip Shape: Conical Tip Type: Soldering Part Status: Active | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT-S6 | SRA Soldering Products | Description: BEVEL SOLDERING IRON TIP T-S6 Packaging: Bag For Use With/Related Products: Tesla, 469, 701, 702, 703, 703B, 768, 926, 927, 928, 936, 936A, 937, 937+, 9378, 968, 908, 938, 9378 Tip Shape: Bevel Tip Type: Soldering Part Status: Active | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT-S7 | SRA Soldering Products | Description: BEVEL SOLDERING IRON TIP T-S7 Packaging: Bag For Use With/Related Products: Tesla, 469, 701, 702, 703, 703B, 768, 926, 927, 928, 936, 936A, 937, 937+, 9378, 968, 908, 938, 9378 Tip Shape: Bevel Tip Type: Soldering Part Status: Active | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT-S8 | SRA Soldering Products | Description: CONICAL SOLDERING IRON TIP T-S8 Packaging: Bag For Use With/Related Products: Tesla, 469, 701, 702, 703, 703B, 768, 926, 927, 928, 936, 936A, 937, 937+, 9378, 968, 908, 938, 9378 Tip Shape: Conical Tip Type: Soldering Part Status: Active | auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT-S9 | SRA Soldering Products | Description: CHISEL SOLDERING IRON TIP T-S9 Packaging: Bag For Use With/Related Products: Tesla, 469, 701, 702, 703, 703B, 768, 926, 927, 928, 936, 936A, 937, 937+, 9378, 968, 908, 938, 9378 Tip Shape: Chisel Tip Type: Soldering Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT-SB | SRA Soldering Products | Description: CONICAL SOLDERING IRON TIP T-SB Packaging: Bag For Use With/Related Products: Tesla, 469, 701, 702, 703, 703B, 768, 926, 927, 928, 936, 936A, 937, 937+, 9378, 968, 908, 938, 9378 Tip Shape: Conical Tip Type: Soldering Part Status: Active | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT-SI | SRA Soldering Products | Description: CONICAL SOLDERING IRON TIP T-SI Packaging: Bag For Use With/Related Products: Tesla, 469, 701, 702, 703, 703B, 768, 926, 927, 928, 936, 936A, 937, 937+, 9378, 968, 908, 938, 9378 Tip Shape: Conical Tip Type: Soldering Part Status: Active | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT-TAWS-23YY | AOT | 07+ | auf Bestellung 240000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT-TAWS-23YY | AOT | 07+ | auf Bestellung 240000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT002 | SRA Soldering Products | Description: SOLDERING TWEEZERS FOR AOYUE MOD Packaging: Bag Power (Watts): 60W For Use With/Related Products: 2702, 2702A+, 2703A+ Voltage - Input: 24V Type: Tweezers, Desoldering Workstand: Not Included Part Status: Active | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT004 | SRA Soldering Products | Description: SOLDERING TWEEZERS FOR AOYUE MOD Power (Watts): 60W Features: Ceramic Heating Element Packaging: Bag For Use With/Related Products: 968A+, 701A++, N Series Voltage - Input: 24V Type: Tweezers, Desoldering Workstand: Not Included Part Status: Active | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT005 | SRA Soldering Products | Description: SOLDERING TWEEZERS FOR AOYUE MOD Power (Watts): 60W Features: Ceramic Heating Element Packaging: Bag For Use With/Related Products: 738, 3210, N Series Voltage - Input: 24V Type: Tweezers, Desoldering Workstand: Not Included Part Status: Active | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT007 | SRA Soldering Products | Description: SOLDERING TWEEZERS FOR AOYUE MOD Power (Watts): 60W Features: Ceramic Heating Element Packaging: Bag For Use With/Related Products: 866, 9378, N Series Voltage - Input: 24V Type: Tweezers, Desoldering Workstand: Not Included Part Status: Active | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT008-P | SRA Soldering Products | Description: SOLDERING TWEEZERS FOR AOYUE MOD Power (Watts): 60W Features: Ceramic Heating Element Packaging: Bag For Use With/Related Products: 937+ Pro, 9378 Pro, N Series Voltage - Input: 24V Type: Tweezers, Desoldering Workstand: Not Included Part Status: Active | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT095A60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 38A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 378W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4010 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT095A60L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOT095A60L THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT095A60L | Alpha & Omega Semiconductor | N Channel Power Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT101AC | ПРОЧИЕ ИЗГОТОВИТЕЛИ | Оптопары АОТ101АС транзисторные, двухканальные DIP-8 | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOT10B60D | ALPHA&OMEGA | Transistor IGBT; 600V; 20V; 10A; 40A; 163W; 5,6V; 17,4nC; -55°C~175°C; AOT10B60D TAOT10b60d Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOT10B60D | Alpha & Omega Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 163000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT10B60D | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOT10B60D THT IGBT transistors | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOT10B60D | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: IGBT 600V 20A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 105 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-220 Td (on/off) @ 25°C: 10ns/72ns Switching Energy: 260µJ (on), 70µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 30Ohm, 15V Gate Charge: 17.4 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 163 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT10B60D | Alpha & Omega Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 163W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT10B60M1 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: IGBT 600V 20A TO-220 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-220 Td (on/off) @ 25°C: 5.5ns/61ns Switching Energy: 190µJ (on), 140µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 30Ohm, 15V Gate Charge: 14 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A Power - Max: 83 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT10B65M1 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT10B65M1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOT10B65M1 THT IGBT transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT10B65M1 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: IGBT 650V 10A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 262 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-220 Td (on/off) @ 25°C: 12ns/91ns Switching Energy: 180µJ (on), 130µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 30Ohm, 15V Gate Charge: 24 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 150 W | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT10B65M2 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOT10B65M2 THT IGBT transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT10B65M2 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: IGBT 650V 10A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 262 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-220 Td (on/off) @ 25°C: 12ns/91ns Switching Energy: 180µJ (on), 130µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 30Ohm, 15V Gate Charge: 24 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 150 W | auf Bestellung 737 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT10B65M2 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT10B65MQ2 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: IGBT 10A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 106 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-220 Td (on/off) @ 25°C: 12ns/91ns Switching Energy: 180µJ (on), 130µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 30Ohm, 15V Gate Charge: 24 nC Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 150 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT10B65MQ2 | Alpha & Omega Semiconductor | Alpha IGBT and Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT10B65MQ2 | Alpha & Omega Semiconductor | Alpha IGBT and Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT10B65MQ2 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOT10B65MQ2 THT IGBT transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT10N60 | ALPHA&OMEGA | Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 250W; -55°C ~ 150°C; AOT10N60 TAOT10n60 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOT10N60 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT10N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 250W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.2A Power dissipation: 250W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 31nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 897 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOT10N60 Produktcode: 188862
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| AOT10N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V | auf Bestellung 503 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT10N60 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT10N60 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | auf Bestellung 940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOT10N60 Produktcode: 116729
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| AOT10N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 250W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.2A Power dissipation: 250W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 31nC | auf Bestellung 897 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOT10N60CL | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: N Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Last Time Buy | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT10N60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 10A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT10N60L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT10N60_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT10N65 | ALPHA&OMEGA | Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 10A; 250W; -55°C ~ 150°C; AOT10N65 TAOT10n65 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOT10N65 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; 250W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6.2A Power dissipation: 250W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 27.7nC | auf Bestellung 488 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOT10N65 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT10N65 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; 250W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6.2A Power dissipation: 250W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 27.7nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 488 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOT10N65 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1645 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT10N90 | Alpha & Omega Semiconductor | 600V,10A N-CHANNEL MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT10T60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1346 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT10T60L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT10T60P | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 10A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1595 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT10T60P | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT10T60PL | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1595 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT1100L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 8A/130A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4833 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT1100L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT110A Produktcode: 43609
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| IC > Optokoppler (Optrone) Typ: Транзистор U-isol, kV: 500 V U ausg, V: 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| AOT11C60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT11C60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT11C60L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT11C60PL | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT11C60PL | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT11N60 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT11N60L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT11N60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 272W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT11N70 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 700V 11A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 870mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 271W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT11N70 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 700V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT11S60L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT11S60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 178W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT11S65L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT11S65L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 198W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT11S65L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT125A60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2993 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT125A60L | Alpha & Omega Semiconductor | N Channel Power Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT128Б Produktcode: 191537
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Lieblingsprodukt
| IC > Optokoppler (Optrone) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| AOT12N30L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N CH 300V 11.5A TO220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT12N30L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 300V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT12N40L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 7A; 184W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 7A Power dissipation: 184W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 590mΩ Mounting: THT Gate charge: 17nC Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 274 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOT12N40L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 400V 11A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 590mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 184W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT12N40L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 400V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT12N40L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 7A; 184W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 7A Power dissipation: 184W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 590mΩ Mounting: THT Gate charge: 17nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 274 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOT12N50 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.4A; 250W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 250W Case: TO220 Mounting: THT Gate charge: 37nC On-state resistance: 0.52Ω Kind of channel: enhancement Drain current: 8.4A Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 500V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 466 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOT12N50 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT12N50 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT12N50 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.4A; 250W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 250W Case: TO220 Mounting: THT Gate charge: 37nC On-state resistance: 0.52Ω Kind of channel: enhancement Drain current: 8.4A Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 500V | auf Bestellung 466 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOT12N50 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1633 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT12N50 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT12N60 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT12N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT12N60 | ALPHA&OMEGA | Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 550mOhm; 12A; 278W; -55°C ~ 150°C; AOT12N60 TAOT12n60 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOT12N60FD | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: N Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT12N60FD | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT12N60FDL | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT12N60_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT12N65 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT12N65 | Alpha & Omega Semiconductor | auf Bestellung 970 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| AOT12N65 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT12N65_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT13N50 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1633 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT13N50 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.5A; 250W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8.5A Power dissipation: 250W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 510mΩ Mounting: THT Gate charge: 30.7nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 951 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOT13N50 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT13N50 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.5A; 250W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8.5A Power dissipation: 250W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 510mΩ Mounting: THT Gate charge: 30.7nC Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 951 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOT13N50 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT1404L Produktcode: 177805
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| AOT1404L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 220A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT1404L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 15A/220A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 220A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT1404L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 157A; 208W; TO220 Case: TO220 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Gate charge: 71nC On-state resistance: 4.2mΩ Power dissipation: 208W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Drain current: 157A Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 699 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOT1404L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 157A; 208W; TO220 Case: TO220 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Gate charge: 71nC On-state resistance: 4.2mΩ Power dissipation: 208W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Drain current: 157A Polarisation: unipolar | auf Bestellung 699 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOT14N50 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT14N50 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2297 pF @ 25 V | auf Bestellung 889 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT14N50 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOT14N50 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT14N50FD | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT15B60D | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: IGBT 600V 30A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 196 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-220 Td (on/off) @ 25°C: 21ns/73ns Switching Energy: 420µJ (on), 110µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 20Ohm, 15V Gate Charge: 25.4 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 167 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT15B60D | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 83.3W; TO220; Eoff: 0.11mJ; Eon: 0.42mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 15A Power dissipation: 83.3W Case: TO220 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 25.4nC Kind of package: tube Turn-on time: 40ns Turn-off time: 83ns Turn-off switching energy: 0.11mJ Turn-on switching energy: 0.42mJ Collector-emitter saturation voltage: 1.6V | auf Bestellung 909 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOT15B60D | ALPHA&OMEGA | Transistor IGBT; 600V; 20V; 30A; 60A; 167W; 5,6V; 25,4nC; -55°C~175°C; AOT15B60D TAOT15b60d Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOT15B60D | Alpha & Omega Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT15B60D | Alpha & Omega Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT15B60D | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 83.3W; TO220; Eoff: 0.11mJ; Eon: 0.42mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 15A Power dissipation: 83.3W Case: TO220 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 25.4nC Kind of package: tube Turn-on time: 40ns Turn-off time: 83ns Turn-off switching energy: 0.11mJ Turn-on switching energy: 0.42mJ Collector-emitter saturation voltage: 1.6V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 909 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOT15B65M1 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: IGBT 650V 15A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 317 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-220 Td (on/off) @ 25°C: 13ns/116ns Switching Energy: 290µJ (on), 200µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 20Ohm, 15V Gate Charge: 32 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 214 W | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT15B65M1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOT15B65M1 THT IGBT transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT15B65M1 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 214000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT15B65M3 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOT15B65M3 THT IGBT transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT15B65M3 | Alpha & Omega Semiconductor | 650V, 15A Alpha IGBT With soft and fast recovery anti-parallel diode | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT15B65MQ1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOT15B65MQ1 THT IGBT transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT15B65MQ1 | Alpha & Omega Semiconductor | Alpha IGBT and Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT15B65MQ1 | Alpha & Omega Semiconductor | Alpha IGBT and Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT15B65MQ1 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: IGBT 15A Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 106 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-220 Td (on/off) @ 25°C: 15ns/94ns Switching Energy: 290µJ (on), 200µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 20Ohm, 15V Gate Charge: 32 nC Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 214 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT15S60L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT15S60L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT15S60L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; Idm: 63A; 208W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15A Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Gate charge: 15.6nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 63A Power dissipation: 208W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT15S60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT15S60L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; Idm: 63A; 208W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15A Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Gate charge: 15.6nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 63A Power dissipation: 208W Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT15S65L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 841 pF @ 100 V | auf Bestellung 71 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT15S65L Produktcode: 196122
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| AOT1606L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 12A/178A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 178A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT1606L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 178A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT1608L | ALPHA&OMEGA | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 13,2mOhm; 140A; 333W; -55°C ~ 175°C; AOT1608L TAOT1608l Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOT1608L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT1608L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 166W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 166W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 69nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 92 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOT1608L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOT1608L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 166W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 166W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 69nC Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 92 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOT1608L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 11A/140A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3690 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT1608L; 140A; 60V; 333W; 0.0076R; N-канальний; Корпус: TO-220; ALPHA & OMEGA (шт) | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AOT160A60L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 96A; 250W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Pulsed drain current: 96A Power dissipation: 250W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 46nC Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT160A60L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 96A; 250W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Pulsed drain current: 96A Power dissipation: 250W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 46nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT160A60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT160A60L | Alpha & Omega Semiconductor | N Channel Power Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT16N50 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2297 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT16N50 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT16N50 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT16N50 Produktcode: 128900
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| AOT16N50 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 278W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Power dissipation: 278W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 370mΩ Mounting: THT Gate charge: 42.8nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT16N50 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 278W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Power dissipation: 278W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 370mΩ Mounting: THT Gate charge: 42.8nC Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT190A60CL | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 208W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 208W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT190A60CL | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 208W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 208W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT190A60CL | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT190A60CL | Alpha & Omega Semiconductor | N Channel Power Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT190A60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.6A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT1N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.9A; 41.7W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.9A Power dissipation: 41.7W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 6.1nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 391 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOT1N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.9A; 41.7W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.9A Power dissipation: 41.7W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 6.1nC | auf Bestellung 391 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOT1N60 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 1.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT1N60 | ALPHA&OMEGA | Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 9Ohm; 1,3A; 41,7W; -55°C ~ 150°C; AOT1N60 TAOT1n60 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOT1N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 1.3A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 650mA, 10V Power Dissipation (Max): 41.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V | auf Bestellung 855 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT20B65M1 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 227000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT20B65M1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 114W; TO220; Eoff: 0.27mJ; Eon: 0.47mJ Type of transistor: IGBT Power dissipation: 114W Kind of package: tube Gate charge: 46nC Turn-on switching energy: 0.47mJ Turn-off switching energy: 0.27mJ Mounting: THT Case: TO220 Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±30V Collector-emitter saturation voltage: 1.7V Collector current: 20A Pulsed collector current: 60A Turn-on time: 51ns Turn-off time: 135ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 117 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOT20B65M1 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOT20B65M1 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: IGBT 650V 20A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 322 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-220 Td (on/off) @ 25°C: 26ns/122ns Switching Energy: 470µJ (on), 270µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 46 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 227 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT20B65M1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 114W; TO220; Eoff: 0.27mJ; Eon: 0.47mJ Type of transistor: IGBT Power dissipation: 114W Kind of package: tube Gate charge: 46nC Turn-on switching energy: 0.47mJ Turn-off switching energy: 0.27mJ Mounting: THT Case: TO220 Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±30V Collector-emitter saturation voltage: 1.7V Collector current: 20A Pulsed collector current: 60A Turn-on time: 51ns Turn-off time: 135ns | auf Bestellung 117 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOT20B65M1 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT20B65M1 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOT20C60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 463W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT20C60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 463W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT20C60L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT20C60PL | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 463W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3607 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT20C60PL | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT20N25L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOT20N25L THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT20N25L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 250V 20A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT20N25L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT20N60L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT20N60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT20N60L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT20S60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 266W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1038 pF @ 100 V | auf Bestellung 2002 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT20S60L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 266W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 266W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.199Ω Mounting: THT Gate charge: 19.8nC Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT20S60L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT20S60L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 266W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 266W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.199Ω Mounting: THT Gate charge: 19.8nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT20S60L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT20S60L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT210L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT210L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 20A/105A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 176W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT2140L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: N Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 272W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9985 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT2140L | Alpha & Omega Semiconductor | 40V N-Channel AlphaSGT TM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT2142L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOT2142L THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT2142L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT2142L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 120A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 312W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT2142L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT2144L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: N Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 205A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5225 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT2144L | Alpha & Omega Semiconductor | N-Channel MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT2144L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOT2144L THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT2144L | Alpha & Omega Semiconductor | N-Channel MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT2146L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: N Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 119W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT2146L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOT2146L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 47.5W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 47.5W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT2146L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT2146L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOT2146L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 47.5W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 47.5W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT22N50L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT22N50L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT22N50L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 417W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 15A Power dissipation: 417W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 69nC Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 101 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOT22N50L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3710 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT22N50L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 417W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 15A Power dissipation: 417W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 69nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 101 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOT240L | ALPHA&OMEGA | Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4,7mOhm; 105A; 176W; -55°C ~ 175°C; AOT240L TAOT240l Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOT240L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 20A/105A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 176W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V | auf Bestellung 1273 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT240L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 82A; 88W; TO220 Case: TO220 Drain-source voltage: 40V Drain current: 82A On-state resistance: 2.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 88W Polarisation: unipolar Gate charge: 22nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 442 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOT240L | ALPHA&OMEGA | Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4,7mOhm; 105A; 176W; -55°C ~ 175°C; AOT240L TAOT240l Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOT240L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT240L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT240L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 82A; 88W; TO220 Case: TO220 Drain-source voltage: 40V Drain current: 82A On-state resistance: 2.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 88W Polarisation: unipolar Gate charge: 22nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT | auf Bestellung 442 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOT2500L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 152A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | auf Bestellung 999 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOT2500L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 107A; 187.5W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 107A Power dissipation: 187.5W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 97nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 269 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOT2500L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 152A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT2500L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 152A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT2500L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 107A; 187.5W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 107A Power dissipation: 187.5W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 97nC Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 269 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOT2500L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 152A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOT2500L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 150V 11.5/152A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 152A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 75 V | auf Bestellung 2624 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT2502L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT2502L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 150V 18.5/106A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 106A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 277W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3010 pF @ 75 V | auf Bestellung 749 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT2502L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT254L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 150V 4.2A/32A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 75 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT254L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT25S65L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1278 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT25S65L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOT2606L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT2606L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 13A/72A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT2606L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOT2606L THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT2608L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT2608L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 11A/72A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2995 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT260L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT260L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT260L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOT260L THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT260L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 20A/140A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 30 V | auf Bestellung 2036 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT260L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT2610L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 9A/55A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2007 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT2610L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT2610L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOT2610L THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT2618L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT2618L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOT2618L THT N channel transistors | auf Bestellung 83 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOT2618L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 7A/23A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 30 V | auf Bestellung 1595 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT2618L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT262L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT262L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOT262L THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT262L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 20A/140A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT264L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT264L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOT264L THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT264L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 19A/140A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT266L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT266L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT266L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOT266L THT N channel transistors | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOT266L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 18A/140A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 268W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5650 pF @ 30 V | auf Bestellung 613 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT270AL | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT270AL | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT270AL | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOT270AL THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT270AL | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 75V 21.5A/140A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10830 pF @ 37.5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT270L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT270L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 75V 21.5A/140A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10350 pF @ 37.5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT27S60L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT27S60L Produktcode: 122782
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| AOT27S60L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT27S60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 27A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1294 pF @ 100 V | auf Bestellung 3170 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT27S60L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT27S60L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOT27S60L THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT27S60L_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1294 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT280A60L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOT280A60L THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT280A60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT280A60L | Alpha & Omega Semiconductor | N Channel Power Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT280L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT280L Produktcode: 154540
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| AOT280L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT280L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOT280L THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT280L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 20.5A/140A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Ta), 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11135 pF @ 40 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT282L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOT282L THT N channel transistors | auf Bestellung 514 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOT282L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 18.5A/105A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 272.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7765 pF @ 40 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT282L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT284L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 16A/105A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5154 pF @ 40 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT284L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT286L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 83W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 55A Power dissipation: 83W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: THT Gate charge: 44.5nC Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 878 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOT286L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | auf Bestellung 3884 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOT286L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 13A/70A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3142 pF @ 40 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT286L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | auf Bestellung 3876 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOT286L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 83W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 55A Power dissipation: 83W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: THT Gate charge: 44.5nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 878 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOT286L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | auf Bestellung 3884 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT288L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 10.5A/46A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 93.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 40 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT288L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOT288L THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT288L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT2904 | Alpha & Omega Semiconductor | 100V N-Channel AlphaSGT TM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT2904 Produktcode: 193039
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Lieblingsprodukt
| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| AOT2904 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 326W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7085 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT2906 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 122A (Tc) Supplier Device Package: TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT290L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT290L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 110A; 250W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 110A Power dissipation: 250W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT290L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 18A/140A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9550 pF @ 50 V | auf Bestellung 1912 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT290L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R | auf Bestellung 21585 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOT290L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOT290L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 110A; 250W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 110A Power dissipation: 250W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT290L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT2910L | ALPHA&OMEGA | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 43mOhm; 30A; 50W; -55°C ~ 175°C; AOT2910L TAOT2910l Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOT2910L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT2910L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOT2910L THT N channel transistors | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOT2910L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N CH 100V 6A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT2916L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N CH 100V 5A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT2916L | ALPHA&OMEGA | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 62mOhm; 23A; 41,5W; -55°C ~ 175°C; AOT2916L TAOT2916l Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOT2916L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT2918L | ALPHA&OMEGA | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 12mOhm; 90A; 267W; -55°C ~ 175°C; AOT2918L TAOT2918l Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOT2918L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT2918L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 13A/90A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 267W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT292L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 82A; 150W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 82A Power dissipation: 150W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT292L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT292L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT292L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 82A; 150W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 82A Power dissipation: 150W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT292L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 105A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6775 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT296L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 9.5A/70A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2785 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT296L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 54W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A Power dissipation: 54W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: THT Gate charge: 16.5nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 390 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOT296L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT296L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT296L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 54W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A Power dissipation: 54W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: THT Gate charge: 16.5nC Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOT298L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT298L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 9A/58A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT29S50L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 500V 29A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT2N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 2A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT2N60 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT360A70L | Alpha & Omega Semiconductor | N Channel Power Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT360A70L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 700V 12A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT360A70L | Alpha & Omega Semiconductor | N Channel Power Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT380A60CL | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 131W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955 pF @ 100 V | auf Bestellung 975 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT380A60CL | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 131W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 131W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT380A60CL | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 131W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 131W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT380A60L | Alpha & Omega Semiconductor | N-Channel MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT380A60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 131W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT380A60L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOT380A60L THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT380A60L | Alpha & Omega Semiconductor | N-Channel MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT3N100 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 1000V 2.8A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 132W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT3N100 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOT3N100 THT N channel transistors | auf Bestellung 595 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOT3N50 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT3N50 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 500V 3A TO220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT3N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT404 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 105V 40A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 105 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2445 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT410L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 108A; 167W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 108A Power dissipation: 167W Case: TO220 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 107nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOT410L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 108A; 167W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 108A Power dissipation: 167W Case: TO220 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 107nC Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOT410L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT410L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT410L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 12A/150A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7950 pF @ 50 V | auf Bestellung 916 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT410L | ALPHA&OMEGA | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 11mOhm; 150A; 333W; -55°C ~ 175°C; AOT410L TAOT410l Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOT412 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT412 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 8.2A/60A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT412 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOT412 THT N channel transistors | auf Bestellung 787 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOT412 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT414 | ALPHA&OMEGA | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 43mOhm; 43A; 115W; -55°C ~ 175°C; AOT414 TAOT414 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOT414 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT414 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A/43A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V | auf Bestellung 702 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT414 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOT414 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT416 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT416 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 4.7A/42A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT416 Produktcode: 62537
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Lieblingsprodukt
| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| AOT416L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 4.7A/42A TO220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT416_002 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V TO220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT418L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 9.5A/105A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT418L Produktcode: 149796
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| AOT418L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT418L_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 9.5A/105A TO220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT424 | ALPHA&OMEGA | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 6mOhm; 110A; 100W; -55°C ~ 175°C; AOT424 TAOT424 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOT424 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT424 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 110A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT424 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT428 | AO | 07+ 220 | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT42S60L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOT42S60L THT N channel transistors | auf Bestellung 97 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOT42S60L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT42S60L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT42S60L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT42S60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2154 pF @ 100 V | auf Bestellung 694 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT430 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT430 | ALPHA&OMEGA | Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 25V; 19mOhm; 80A; 268W; -55°C ~ 175°C; AOT430 TAOT430 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOT430 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 268W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT430 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 78A; 134W; TO220 Case: TO220 Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate charge: 114nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Drain-source voltage: 75V Drain current: 78A On-state resistance: 11.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 134W | auf Bestellung 123 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOT430 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 78A; 134W; TO220 Case: TO220 Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate charge: 114nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Drain-source voltage: 75V Drain current: 78A On-state resistance: 11.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 134W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 123 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOT430 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT430 | ALPHA&OMEGA | Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 25V; 19mOhm; 80A; 268W; -55°C ~ 175°C; AOT430 TAOT430 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOT430 Produktcode: 191510
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| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| AOT440 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 15.5A/105A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT440 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT4531-1 | Amphenol Fiber Systems International | Description: TERMINI, LUMIERE SHORT BOOT Packaging: Bulk Connector Type: Plug Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Cable Diameter: 2.5mm Fastening Type: Push-Pull Mode: Multimode Connector Style: ST Simplex/Duplex: Simplex Fiber Core Diameter: 50µm/62.5µm Fiber Cladding Diameter: 125µm Part Status: Active | auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT4531-1 | Amphenol FSI | Fibre Optic Connectors TERMINI, LUMIERE SHORT BOOT | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT4531-11 | Amphenol Fiber Systems International | Description: LUMIERE TERMINI, SHORT BOOT, Packaging: Bulk Connector Type: Plug Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Cable Diameter: 2.5mm Fastening Type: Push-Pull Mode: Singlemode Connector Style: ST Simplex/Duplex: Simplex Fiber Core Diameter: 9µm Fiber Cladding Diameter: 125µm Part Status: Active | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT4531-11 | Amphenol FSI | Fibre Optic Connectors LUMIERE TERMINI, SHORT BOOT, | auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT4531-12 | Amphenol FSI | Fibre Optic Connectors LUMIERE TERMINI ASSY, LONG BOOT | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT4531-12 | Amphenol Fiber Systems International | Description: LUMIERE TERMINI ASSY, LONG BOOT Packaging: Bulk Connector Type: Plug Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Cable Diameter: 2.5mm Fastening Type: Push-Pull Mode: Singlemode Connector Style: ST Simplex/Duplex: Simplex Fiber Core Diameter: 9µm Fiber Cladding Diameter: 125µm Part Status: Active | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT4531-2 | Amphenol Fiber Systems International | Description: TERMINI, LUMIERE LONG BOOT, Packaging: Bulk Connector Type: Plug Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Cable Diameter: 2.5mm Fastening Type: Push-Pull Mode: Multimode Connector Style: ST Simplex/Duplex: Simplex Fiber Core Diameter: 50µm/62.5µm Fiber Cladding Diameter: 125µm Part Status: Active | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT4531-2 | Amphenol FSI | Fibre Optic Connectors TERMINI, LUMIERE LONG BOOT, | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT4531-5 | Amphenol Fiber Systems International | Description: TERMINI, LUMIERE W/O BOOT Packaging: Bulk Connector Type: Plug Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Cable Diameter: 2.5mm Fastening Type: Push-Pull Mode: Multimode Connector Style: ST Simplex/Duplex: Simplex Fiber Core Diameter: 50µm/62.5µm Fiber Cladding Diameter: 125µm Part Status: Active | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT4531-5 | Amphenol FSI | Fibre Optic Connectors TERMINI, LUMIERE W/O BOOT | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT460 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT460 | Alpha & Omega Semiconductor | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| AOT460 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 85A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 268W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT460_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 85A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 268W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT460_002 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 85A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 268W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT462 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 70A TO220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT462 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT462L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 7A/35A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT462L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOT462L THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT462L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT462_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V TO220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT462_002 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V TO220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT470 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT470 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 78A; 134W; TO220 Mounting: THT Power dissipation: 134W Polarisation: unipolar Gate charge: 114nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Case: TO220 Drain-source voltage: 75V Drain current: 78A On-state resistance: 10.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET | auf Bestellung 937 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOT470 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT470 Produktcode: 144006
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| AOT470 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 78A; 134W; TO220 Mounting: THT Power dissipation: 134W Polarisation: unipolar Gate charge: 114nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Case: TO220 Drain-source voltage: 75V Drain current: 78A On-state resistance: 10.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 937 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOT470 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 75V 10A/100A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 268W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT472 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 75V 10A/140A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT472 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT474 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 75V 9A/127A TO220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT474 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT474_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 75V TO220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT474_002 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 75V 9A/127A TO220-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT480L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT480L Produktcode: 189685
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| AOT480L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOT480L THT N channel transistors | auf Bestellung 346 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOT480L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT480L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 15A/180A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7820 pF @ 40 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT480L; 180A; 80V; 333W; 0.0045R; N-канальний; Корпус: TO-220; ALPHA & OMEGA (шт) | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| AOT482L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT482L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 11A/105A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 40 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT482L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOT482L THT N channel transistors | auf Bestellung 369 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOT4N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V | auf Bestellung 1424 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT4N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.7A; 104W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.7A Power dissipation: 104W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: THT Gate charge: 15nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT4N60 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | auf Bestellung 652 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOT4N60 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | auf Bestellung 652 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOT4N60 | ALPHA&OMEGA | Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOT4N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.7A; 104W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.7A Power dissipation: 104W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: THT Gate charge: 15nC Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT4N60 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT4S60L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT4S60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 263 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT500 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 33V 80A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 33 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT502 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 33V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT502 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 33V 9A/60A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 33 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT5B60D | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: IGBT 600V 23A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 98 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 5A Supplier Device Package: TO-220 Td (on/off) @ 25°C: 12ns/83ns Switching Energy: 140µJ (on), 40µJ (off) Test Condition: 400V, 5A, 60Ohm, 15V Gate Charge: 9.4 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 23 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A Power - Max: 82.4 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT5B60D | Alpha & Omega Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 82400mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT5B65M1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOT5B65M1 THT IGBT transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT5B65M1 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 10A 83000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT5B65M1 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: IGBT 650V 5A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 195 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.98V @ 15V, 5A Supplier Device Package: TO-220 Td (on/off) @ 25°C: 8.5ns/106ns Switching Energy: 80µJ (on), 70µJ (off) Test Condition: 400V, 5A, 60Ohm, 15V Gate Charge: 14 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 15 A Power - Max: 83 W | auf Bestellung 630 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT5N100 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2.5A; 195W; TO220 Polarisation: unipolar Gate charge: 19nC On-state resistance: 4.2Ω Drain current: 2.5A Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 1kV Power dissipation: 195W Case: TO220 Kind of channel: enhancement Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT5N100 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | auf Bestellung 35000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOT5N100 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | auf Bestellung 35000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT5N100 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT5N100 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | auf Bestellung 35000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOT5N100 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2.5A; 195W; TO220 Polarisation: unipolar Gate charge: 19nC On-state resistance: 4.2Ω Drain current: 2.5A Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 1kV Power dissipation: 195W Case: TO220 Kind of channel: enhancement Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT5N100 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT5N50 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.3A; 104W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3.3A Power dissipation: 104W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 15.5nC Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT5N50 | ALPHA&OMEGA | Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 1,5Ohm; 5A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT5N50 TAOT5n50 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOT5N50 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT5N50 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V | auf Bestellung 426 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT5N50 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.3A; 104W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3.3A Power dissipation: 104W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 15.5nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT5N50_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT5N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT600A60L | Alpha & Omega Semiconductor | N Channel Power Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT600A60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO220 | auf Bestellung 991 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT600A70FL | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT600A70L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT66518L | Alpha & Omega Semiconductor | 150V N-Channel AlphaSGT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT66518L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 150V 30A/120A TO220 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 75 V | auf Bestellung 831 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT66518L | Alpha & Omega Semiconductor | 150V N-Channel AlphaSGT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT66518L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOT66518L THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT66518L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 150V 30A/120A TO220 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 75 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT66613L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOT66613L THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT66613L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 44.5A/120A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44.5A (Ta), 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 260W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT66613L | Alpha & Omega Semiconductor | 60V N-Channel MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT66616L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 38.5A/140A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.5A (Ta), 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT66616L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT66616L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 50W; TO220 Mounting: THT Drain-source voltage: 60V Drain current: 95A On-state resistance: 3.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Gate charge: 42.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: TO220 | auf Bestellung 128 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOT66616L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT66616L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 50W; TO220 Mounting: THT Drain-source voltage: 60V Drain current: 95A On-state resistance: 3.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Gate charge: 42.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: TO220 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 128 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOT66811L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: N Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 40 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT66811L | Alpha & Omega Semiconductor | Medium Voltage MOSFETs (40V - 400V) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT66811L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 480A; 155W; TO220 Mounting: THT Drain-source voltage: 80V Drain current: 120A On-state resistance: 3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 155W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 77nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 480A Gate-source voltage: ±20V Case: TO220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT66811L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 480A; 155W; TO220 Mounting: THT Drain-source voltage: 80V Drain current: 120A On-state resistance: 3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 155W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 77nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 480A Gate-source voltage: ±20V Case: TO220 Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT66914L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOT66914L THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT66914L | Alpha & Omega Semiconductor | N Channel Trench Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT66916L | Alpha & Omega Semiconductor | N-Channel MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT66916L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOT66916L THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT66916L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 35.5/120A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Ta), 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 277W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 50 V | auf Bestellung 858 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT66918L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: LINEAR IC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT66919L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: N Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT66920L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOT66920L THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT66920L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT66920L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 22.5A/80A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V | auf Bestellung 2208 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT66920L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT780A70L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: N Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT7N60 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT7N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT7N60 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT7N65 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT7N65 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | auf Bestellung 569 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOT7N65 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56Ohm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT7N65 | ALPHA&OMEGA | Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1,56Ohm; 7A; 192W; -55°C ~ 150°C; AOT7N65 TAOT7n65 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOT7N65 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOT7N65 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.5A; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.5A Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.56Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 296 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOT7N65 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.5A; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.5A Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.56Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 296 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOT7N70 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 700V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT7N70 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 700V 7A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 198W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT7S60L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT7S60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT7S65L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 100 V | auf Bestellung 373 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT7S65L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT7S65L Produktcode: 109358
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| Verschiedene Bauteile > Other components 3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| AOT8B65M3 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOT8B65M3 THT IGBT transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT8B65M3 | Alpha & Omega Semiconductor | Alpha IGBT and Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT8N50 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOT8N50 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.6A; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.6A Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 23.6nC Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 691 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOT8N50 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT8N50 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | auf Bestellung 988 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOT8N50 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.6A; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.6A Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 23.6nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 691 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOT8N50 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1042 pF @ 25 V | auf Bestellung 135 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT8N50 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT8N50L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1042 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT8N60 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT8N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT8N65 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT8N65_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT8N80 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 7.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT8N80 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOT8N80 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT8N80 | Alpha & Omega Semiconductor Inc | Description: MOSFET N-CH 800V 7.4A TO220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT8N80 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 7.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT8N80L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 800V 7.4A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63Ohm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V | auf Bestellung 968 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOT8N80L_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 800V 7.4A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63Ohm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT9N40 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 400V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT9N40 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 400V 8A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 132W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT9N50 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT9N50 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1042 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT9N70 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 700V 9A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 236W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOT9N70 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 700V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B141206SR33MT | Abracon LLC | Description: IND 0.33UH 3.5A 32MOHM Tolerance: ±20% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0505 (1412 Metric) Size / Dimension: 0.055" L x 0.047" W (1.40mm x 1.20mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 32mOhm Max Frequency - Self Resonant: 120MHz Current - Saturation (Isat): 5.4A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0505 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Inductance: 330 nH Current Rating (Amps): 3.5 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B141206SR33MT | Abracon LLC | Description: IND 0.33UH 3.5A 32MOHM Tolerance: ±20% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0505 (1412 Metric) Size / Dimension: 0.055" L x 0.047" W (1.40mm x 1.20mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 32mOhm Max Frequency - Self Resonant: 120MHz Current - Saturation (Isat): 5.4A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0505 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Inductance: 330 nH Current Rating (Amps): 3.5 A | auf Bestellung 2580 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B141206SR33MT | ABRACON | Power Inductors - SMD IND 0.33uH 3.5A 32mOhm | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B141206SR47MT | Abracon LLC | Description: IND 0.47UH 2.9A 41MOHM Tolerance: ±20% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0505 (1412 Metric) Size / Dimension: 0.055" L x 0.047" W (1.40mm x 1.20mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 41mOhm Max Frequency - Self Resonant: 115MHz Current - Saturation (Isat): 3A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0505 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Inductance: 470 nH Current Rating (Amps): 2.9 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B141206SR47MT | ABRACON | Power Inductors - SMD IND 0.47uH 2.9A 41mOhm | auf Bestellung 2930 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B141206SR47MT | Abracon LLC | Description: IND 0.47UH 2.9A 41MOHM Tolerance: ±20% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0505 (1412 Metric) Size / Dimension: 0.055" L x 0.047" W (1.40mm x 1.20mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 41mOhm Max Frequency - Self Resonant: 115MHz Current - Saturation (Isat): 3A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0505 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Inductance: 470 nH Current Rating (Amps): 2.9 A | auf Bestellung 2805 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B141208SR24MT | ABRACON | Power Inductors - SMD IND 0.24uH 4.9A 24mOhm | auf Bestellung 5980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B141208SR24MT | Abracon LLC | Description: IND 0.24UH 4.9A 24MOHM Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Package / Case: 0505 (1412 Metric) Size / Dimension: 0.055" L x 0.047" W (1.40mm x 1.20mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 24mOhm Max Frequency - Self Resonant: 135MHz Current - Saturation (Isat): 6.5A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0505 Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Inductance: 240 nH Current Rating (Amps): 4.9 A | auf Bestellung 1580 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B141208SR24MT | Abracon Corporation | AOTA-B141208SR24MT | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOTA-B141208SR24MT | Abracon LLC | Description: IND 0.24UH 4.9A 24MOHM Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Package / Case: 0505 (1412 Metric) Size / Dimension: 0.055" L x 0.047" W (1.40mm x 1.20mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 24mOhm Max Frequency - Self Resonant: 135MHz Current - Saturation (Isat): 6.5A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0505 Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Inductance: 240 nH Current Rating (Amps): 4.9 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B141208SR33MT | Abracon LLC | Description: IND 0.33UH 4A 27MOHM Tolerance: ±20% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0505 (1412 Metric) Size / Dimension: 0.055" L x 0.047" W (1.40mm x 1.20mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 27mOhm Max Frequency - Self Resonant: 130MHz Current - Saturation (Isat): 5.2A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0505 Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Inductance: 330 nH Current Rating (Amps): 4 A | auf Bestellung 2890 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B141208SR33MT | ABRACON | Power Inductors - SMD IND 330nH 4A 27mOhm | auf Bestellung 2007 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B141208SR33MT | Abracon LLC | Description: IND 0.33UH 4A 27MOHM Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Package / Case: 0505 (1412 Metric) Size / Dimension: 0.055" L x 0.047" W (1.40mm x 1.20mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 27mOhm Max Frequency - Self Resonant: 130MHz Current - Saturation (Isat): 5.2A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0505 Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Inductance: 330 nH Current Rating (Amps): 4 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B141208SR33MT | Abracon Corporation | AOTA-B141208SR33MT | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOTA-B141208SR47MT | ABRACON | Power Inductors - SMD IND 470nH 3.2A 32mOhm | auf Bestellung 2507 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B141208SR47MT | Abracon Corporation | AOTA-B141208SR47MT | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOTA-B141208SR47MT | Abracon LLC | Description: IND 0.47UH 3.2A 32MOHM Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Package / Case: 0505 (1412 Metric) Size / Dimension: 0.055" L x 0.047" W (1.40mm x 1.20mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 32mOhm Max Frequency - Self Resonant: 110MHz Current - Saturation (Isat): 4A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0505 Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Inductance: 470 nH Current Rating (Amps): 3.2 A | auf Bestellung 2695 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B141208SR47MT | Abracon LLC | Description: IND 0.47UH 3.2A 32MOHM Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Package / Case: 0505 (1412 Metric) Size / Dimension: 0.055" L x 0.047" W (1.40mm x 1.20mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 32mOhm Max Frequency - Self Resonant: 110MHz Current - Saturation (Isat): 4A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0505 Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Inductance: 470 nH Current Rating (Amps): 3.2 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B160808S1R0MT | Abracon LLC | Description: FIXED IND 1.0UH 1.8A 110MOHM SMD Tolerance: ±20% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0603 (1608 Metric) Size / Dimension: 0.063" L x 0.032" W (1.60mm x 0.80mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 110mOhm Max Frequency - Self Resonant: 60MHz Current - Saturation (Isat): 2.1A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0603 Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Inductance: 1 µH Current Rating (Amps): 1.8 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B160808S1R0MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B160808S1R0MT - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, 2 A, Geschirmt, 2.3 A, AOTA-B160808S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 0.8mm rohsCompliant: YES Induktivität: 1µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 0603 [Metrisch 1608] DC-Widerstand, max.: 0.11ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 2A Sättigungsstrom (Isat): 2.3A Produktlänge: 1.6mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B160808S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 0.8mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B160808S1R0MT | Abracon Corporation | AOTA-B160808S1R0MT | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B160808S1R0MT | Abracon LLC | Description: FIXED IND 1.0UH 1.8A 110MOHM SMD Tolerance: ±20% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0603 (1608 Metric) Size / Dimension: 0.063" L x 0.032" W (1.60mm x 0.80mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 110mOhm Max Frequency - Self Resonant: 60MHz Current - Saturation (Isat): 2.1A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0603 Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Inductance: 1 µH Current Rating (Amps): 1.8 A | auf Bestellung 2133 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B160808S1R0MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B160808S1R0MT - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, 2 A, Geschirmt, 2.3 A, AOTA-B160808S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 0.8mm rohsCompliant: YES Induktivität: 1µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 0603 [Metrisch 1608] DC-Widerstand, max.: 0.11ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 2A Sättigungsstrom (Isat): 2.3A Produktlänge: 1.6mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B160808S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 0.8mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B160808S2R2MT | Abracon Corporation | Inductor Power Shielded/Mini Molded Wirewound 2.2uH 20% 1MHz Metal Alloy Powder 1A 0.29Ohm DCR 0603 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B160808S2R2MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B160808S2R2MT - Leistungsinduktivität (SMD), 2.2 µH, 1.1 A, Geschirmt, 1.3 A, AOTA-B160808S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 0.8mm rohsCompliant: YES Induktivität: 2.2µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 0603 [Metrisch 1608] DC-Widerstand, max.: 0.29ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 1.1A Sättigungsstrom (Isat): 1.3A Produktlänge: 1.6mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B160808S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 0.8mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B160808S2R2MT | Abracon LLC | Description: FIXED IND 2.2UH 1.0A 290MOHM SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Package / Case: 0603 (1608 Metric) Size / Dimension: 0.063" L x 0.032" W (1.60mm x 0.80mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 290mOhm Max Frequency - Self Resonant: 40MHz Current - Saturation (Isat): 1.2A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0603 Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Inductance: 2.2 µH Current Rating (Amps): 1 A | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B160808S2R2MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B160808S2R2MT - Leistungsinduktivität (SMD), 2.2 µH, 1.1 A, Geschirmt, 1.3 A, AOTA-B160808S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 0.8mm rohsCompliant: YES Induktivität: 2.2µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 0603 [Metrisch 1608] DC-Widerstand, max.: 0.29ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 1.1A Sättigungsstrom (Isat): 1.3A Produktlänge: 1.6mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B160808S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 0.8mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B160808S2R2MT | ABRACON | Power Inductors - SMD IND 2.2uH 1A 290mOhms | auf Bestellung 3140 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B160808S2R2MT | Abracon LLC | Description: FIXED IND 2.2UH 1.0A 290MOHM SMD Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Package / Case: 0603 (1608 Metric) Size / Dimension: 0.063" L x 0.032" W (1.60mm x 0.80mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 290mOhm Max Frequency - Self Resonant: 40MHz Current - Saturation (Isat): 1.2A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0603 Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Inductance: 2.2 µH Current Rating (Amps): 1 A | auf Bestellung 3382 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B160808SR47MT | Abracon LLC | Description: FIXED IND 0.47UH 3A 43MOHM SMD Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Package / Case: 0603 (1608 Metric) Size / Dimension: 0.063" L x 0.032" W (1.60mm x 0.80mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 43mOhm Max Frequency - Self Resonant: 100MHz Current - Saturation (Isat): 3.3A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0603 Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Inductance: 470 nH Current Rating (Amps): 3 A | auf Bestellung 1284 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B160808SR47MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B160808SR47MT - Leistungsinduktivität (SMD), 0.47 µH, 3.3 A, Geschirmt, 3.6 A, AOTA-B160808S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 0.8mm rohsCompliant: YES Induktivität: 0.47µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 0603 [Metrisch 1608] DC-Widerstand, max.: 0.043ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 3.3A Sättigungsstrom (Isat): 3.6A Produktlänge: 1.6mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B160808S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 0.8mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B160808SR47MT | ABRACON | Power Inductors - SMD IND 0.47uH 3A 43mOhms | auf Bestellung 2072 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B160808SR47MT | Abracon LLC | Description: FIXED IND 0.47UH 3A 43MOHM SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Package / Case: 0603 (1608 Metric) Size / Dimension: 0.063" L x 0.032" W (1.60mm x 0.80mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 43mOhm Max Frequency - Self Resonant: 100MHz Current - Saturation (Isat): 3.3A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0603 Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Inductance: 470 nH Current Rating (Amps): 3 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B160808SR47MT | Abracon Corporation | Inductor Power Shielded/Mini Molded Wirewound 0.47uH 20% 1MHz Metal Alloy Powder 3A 0.043Ohm DCR 0603 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B160808SR47MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B160808SR47MT - Leistungsinduktivität (SMD), 0.47 µH, 3.3 A, Geschirmt, 3.6 A, AOTA-B160808S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 0.8mm rohsCompliant: YES Induktivität: 0.47µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 0603 [Metrisch 1608] DC-Widerstand, max.: 0.043ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 3.3A Sättigungsstrom (Isat): 3.6A Produktlänge: 1.6mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B160808S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 0.8mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201206S1R0MT | ABRACON | Power Inductors - SMD IND 1uH 2.4A 86mOhm | auf Bestellung 3442 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B201206S1R0MT | Abracon Corporation | Inductor Power Shielded/Mini Molded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal Alloy Powder 2.4A 0.086Ohm DCR 0805 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201206S1R0MT | Abracon LLC | Description: IND 1UH 2.4A 86MOHM Tolerance: ±20% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0805 (2012 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 86mOhm Max Frequency - Self Resonant: 53MHz Current - Saturation (Isat): 2.5A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Inductance: 1 µH Current Rating (Amps): 2.4 A | auf Bestellung 615 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B201206S1R0MT | Abracon LLC | Description: IND 1UH 2.4A 86MOHM Tolerance: ±20% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0805 (2012 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 86mOhm Max Frequency - Self Resonant: 53MHz Current - Saturation (Isat): 2.5A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Inductance: 1 µH Current Rating (Amps): 2.4 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201206S2R2MT | Abracon LLC | Description: IND 2.2UH 1.5A 200MOHM Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 200mOhm Max Frequency - Self Resonant: 50MHz Current - Saturation (Isat): 1.6A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Inductance: 2.2 µH Current Rating (Amps): 1.5 A | auf Bestellung 3874 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B201206S2R2MT | ABRACON | Power Inductors - SMD IND 2.2uH 1.5A 200mOhm | auf Bestellung 7439 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B201206S2R2MT | Abracon LLC | Description: IND 2.2UH 1.5A 200MOHM Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 200mOhm Max Frequency - Self Resonant: 50MHz Current - Saturation (Isat): 1.6A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Inductance: 2.2 µH Current Rating (Amps): 1.5 A | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B201206SR47MT | Abracon LLC | Description: IND 0.47UH 4A 34MOHM Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 34mOhm Max Frequency - Self Resonant: 96MHz Current - Saturation (Isat): 4.5A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Inductance: 470 nH Current Rating (Amps): 4 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201206SR47MT | ABRACON | Power Inductors - SMD IND 0.47uH 4A 34mOhm | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B201206SR47MT | Abracon LLC | Description: IND 0.47UH 4A 34MOHM Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 34mOhm Max Frequency - Self Resonant: 96MHz Current - Saturation (Isat): 4.5A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Inductance: 470 nH Current Rating (Amps): 4 A | auf Bestellung 2915 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B201208S1R0MT | Abracon LLC | Description: IND 1UH 3.2A 50MOHM Tolerance: ±20% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0805 (2012 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 50mOhm Max Frequency - Self Resonant: 60MHz Current - Saturation (Isat): 3.3A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Inductance: 1 µH Current Rating (Amps): 3.2 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201208S1R0MT | Abracon Corporation | Inductor Power Shielded/Mini Molded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal Alloy Powder 3.2A 0.05Ohm DCR 0805 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201208S1R0MT | ABRACON | Power Inductors - SMD IND 1uH 3.2A 50mOhm | auf Bestellung 757 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B201208S1R0MT | Abracon LLC | Description: IND 1UH 3.2A 50MOHM Tolerance: ±20% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0805 (2012 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 50mOhm Max Frequency - Self Resonant: 60MHz Current - Saturation (Isat): 3.3A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Inductance: 1 µH Current Rating (Amps): 3.2 A | auf Bestellung 1762 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B201208S2R2MT | ABRACON | Power Inductors - SMD IND 2.2uH 1.8A 130mOhm | auf Bestellung 1676 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B201208SR11MT | Abracon LLC | Description: IND 0.11UH 5.6A 13MOHM Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 13mOhm Max Frequency - Self Resonant: 185MHz Current - Saturation (Isat): 10A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Inductance: 110 nH Current Rating (Amps): 5.6 A | auf Bestellung 2555 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B201208SR11MT | Abracon LLC | Description: IND 0.11UH 5.6A 13MOHM Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 13mOhm Max Frequency - Self Resonant: 185MHz Current - Saturation (Isat): 10A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Inductance: 110 nH Current Rating (Amps): 5.6 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201208SR11MT | ABRACON | Power Inductors - SMD IND 0.11uH 5.6A 13mOhm | auf Bestellung 2824 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B201208SR24MT | Abracon LLC | Description: IND 0.24UH 5.4A 19MOHM Tolerance: ±20% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0805 (2012 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 19mOhm Max Frequency - Self Resonant: 130MHz Current - Saturation (Isat): 6.5A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Inductance: 240 nH Current Rating (Amps): 5.4 A | auf Bestellung 2925 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B201208SR24MT | ABRACON | Power Inductors - SMD IND 0.24uH 5.4A 19mOhm | auf Bestellung 2690 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B201208SR24MT | Abracon LLC | Description: IND 0.24UH 5.4A 19MOHM Tolerance: ±20% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0805 (2012 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 19mOhm Max Frequency - Self Resonant: 130MHz Current - Saturation (Isat): 6.5A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Inductance: 240 nH Current Rating (Amps): 5.4 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201208SR33MT | ABRACON | Power Inductors - SMD IND 0.33uH 4A 28mOhm | auf Bestellung 2873 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B201208SR33MT | Abracon LLC | Description: IND 0.33UH 4A 28MOHM Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 28mOhm Max Frequency - Self Resonant: 125MHz Current - Saturation (Isat): 5.6A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Inductance: 330 nH Current Rating (Amps): 4 A | auf Bestellung 2915 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B201208SR33MT | Abracon LLC | Description: IND 0.33UH 4A 28MOHM Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 28mOhm Max Frequency - Self Resonant: 125MHz Current - Saturation (Isat): 5.6A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Inductance: 330 nH Current Rating (Amps): 4 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201208SR47MT | Abracon LLC | Description: IND 0.47UH 4A 25MOHM Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 25mOhm Max Frequency - Self Resonant: 96MHz Current - Saturation (Isat): 45A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Inductance: 470 nH Current Rating (Amps): 4 A | auf Bestellung 2495 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B201208SR47MT | ABRACON | Power Inductors - SMD IND 0.47uH 4A 25mOhm | auf Bestellung 2903 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B201208SR47MT | Abracon LLC | Description: IND 0.47UH 4A 25MOHM Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 25mOhm Max Frequency - Self Resonant: 96MHz Current - Saturation (Isat): 45A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Inductance: 470 nH Current Rating (Amps): 4 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201210S1R0MT | Abracon LLC | Description: IND 1UH 3.1A 51MOHM Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 51mOhm Max Frequency - Self Resonant: 56MHz Current - Saturation (Isat): 3.6A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Inductance: 1 µH Current Rating (Amps): 3.1 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201210S1R0MT | ABRACON | Power Inductors - SMD IND 1uH 3.1A 51mOhm | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B201210S1R0MT | Abracon Corporation | Inductor Power Shielded/Mini Molded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal Alloy Powder 3.1A 0.051Ohm DCR 0805 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201210S1R0MT | Abracon LLC | Description: IND 1UH 3.1A 51MOHM Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 51mOhm Max Frequency - Self Resonant: 56MHz Current - Saturation (Isat): 3.6A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Inductance: 1 µH Current Rating (Amps): 3.1 A | auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B201210S2R2MT | Abracon LLC | Description: IND 2.2UH 1.9A 112MOHM Tolerance: ±20% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0805 (2012 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 112mOhm Max Frequency - Self Resonant: 36MHz Current - Saturation (Isat): 2.1A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Inductance: 2.2 µH Current Rating (Amps): 1.9 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201210S2R2MT | Abracon LLC | Description: IND 2.2UH 1.9A 112MOHM Tolerance: ±20% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0805 (2012 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 112mOhm Max Frequency - Self Resonant: 36MHz Current - Saturation (Isat): 2.1A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Inductance: 2.2 µH Current Rating (Amps): 1.9 A | auf Bestellung 2755 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B201210S2R2MT | ABRACON | Power Inductors - SMD IND 2.2uH 1.9A 112mOhm | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B201210SR11MT | Abracon LLC | Description: IND 0.11UH 6.4A 10MOHM Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 10mOhm Max Frequency - Self Resonant: 264MHz Current - Saturation (Isat): 13A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Inductance: 110 nH Current Rating (Amps): 6.4 A | auf Bestellung 2459 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B201210SR11MT | Abracon LLC | Description: IND 0.11UH 6.4A 10MOHM Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 10mOhm Max Frequency - Self Resonant: 264MHz Current - Saturation (Isat): 13A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Inductance: 110 nH Current Rating (Amps): 6.4 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201210SR11MT | ABRACON | Power Inductors - SMD IND 0.11uH 6.4A 10mOhm | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B201210SR24MT | Abracon LLC | Description: IND 0.24UH 5A 15MOHM Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 15mOhm Max Frequency - Self Resonant: 136MHz Current - Saturation (Isat): 6.8A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Inductance: 240 nH Current Rating (Amps): 5 A | auf Bestellung 2905 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B201210SR24MT | ABRACON | Power Inductors - SMD IND 0.24uH 5A 15mOhm | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B201210SR24MT | Abracon LLC | Description: IND 0.24UH 5A 15MOHM Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 15mOhm Max Frequency - Self Resonant: 136MHz Current - Saturation (Isat): 6.8A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Inductance: 240 nH Current Rating (Amps): 5 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201210SR47MT | ABRACON | Power Inductors - SMD IND 0.47uH 4.8A 24mOhm | auf Bestellung 2952 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B201210SR47MT | Abracon LLC | Description: IND 0.47UH 4.8A 24MOHM Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 24mOhm Max Frequency - Self Resonant: 96MHz Current - Saturation (Isat): 5.1A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Inductance: 470 nH Current Rating (Amps): 4.8 A | auf Bestellung 8576 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B201210SR47MT | Abracon LLC | Description: IND 0.47UH 4.8A 24MOHM Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 24mOhm Max Frequency - Self Resonant: 96MHz Current - Saturation (Isat): 5.1A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Inductance: 470 nH Current Rating (Amps): 4.8 A | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B201608S1R0MT | Abracon LLC | Description: FIXED IND 1.0UH 3.7A 52MOHM SMD Tolerance: ±20% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0806 (2016 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 52mOhm Max Frequency - Self Resonant: 57MHz Current - Saturation (Isat): 4.1A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0806 Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Inductance: 1 µH Current Rating (Amps): 3.7 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201608S1R0MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B201608S1R0MT - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, 4.2 A, Geschirmt, 4.5 A, AOTA-B201608S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 0.8mm rohsCompliant: YES Induktivität: 1µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 0806 [Metrisch 2016] DC-Widerstand, max.: 0.052ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 4.2A Sättigungsstrom (Isat): 4.5A Produktlänge: 2mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B201608S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 1.6mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201608S1R0MT | Abracon LLC | Description: FIXED IND 1.0UH 3.7A 52MOHM SMD Tolerance: ±20% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0806 (2016 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 52mOhm Max Frequency - Self Resonant: 57MHz Current - Saturation (Isat): 4.1A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0806 Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Inductance: 1 µH Current Rating (Amps): 3.7 A | auf Bestellung 830 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B201608S1R0MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B201608S1R0MT - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, 4.2 A, Geschirmt, 4.5 A, AOTA-B201608S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 0.8mm rohsCompliant: YES Induktivität: 1µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 0806 [Metrisch 2016] DC-Widerstand, max.: 0.052ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 4.2A Sättigungsstrom (Isat): 4.5A Produktlänge: 2mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B201608S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 1.6mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201608S2R2MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B201608S2R2MT - Leistungsinduktivität (SMD), 2.2 µH, 2 A, Geschirmt, 2.6 A, AOTA-B201608S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 0.8mm rohsCompliant: YES Induktivität: 2.2µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 0806 [Metrisch 2016] DC-Widerstand, max.: 0.148ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 2A Sättigungsstrom (Isat): 2.6A Produktlänge: 2mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B201608S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 1.6mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201608S2R2MT | Abracon LLC | Description: FIXED IND 2.2UH 1.8A 148MOHM SMD Tolerance: ±20% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0806 (2016 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 148mOhm Max Frequency - Self Resonant: 40MHz Current - Saturation (Isat): 2.3A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0806 Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Inductance: 2.2 µH Current Rating (Amps): 1.8 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201608S2R2MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B201608S2R2MT - Leistungsinduktivität (SMD), 2.2 µH, 2 A, Geschirmt, 2.6 A, AOTA-B201608S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 0.8mm rohsCompliant: YES Induktivität: 2.2µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 0806 [Metrisch 2016] DC-Widerstand, max.: 0.148ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 2A Sättigungsstrom (Isat): 2.6A Produktlänge: 2mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B201608S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 1.6mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201608S2R2MT | ABRACON | Power Inductors - SMD IND 2.2uH 1.8A 148mOhms | auf Bestellung 2925 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B201608S2R2MT | Abracon LLC | Description: FIXED IND 2.2UH 1.8A 148MOHM SMD Tolerance: ±20% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0806 (2016 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 148mOhm Max Frequency - Self Resonant: 40MHz Current - Saturation (Isat): 2.3A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0806 Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Inductance: 2.2 µH Current Rating (Amps): 1.8 A | auf Bestellung 2550 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B201608SR24MT | Abracon LLC | Description: FIXED IND 0.24UH 5.5A 22MOHM SMD Tolerance: ±20% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0806 (2016 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 22mOhm Max Frequency - Self Resonant: 120MHz Current - Saturation (Isat): 7.5A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0806 Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Inductance: 240 nH Current Rating (Amps): 5.5 A | auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B201608SR24MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B201608SR24MT - Leistungsinduktivität (SMD), 0.24 µH, 6.2 A, Geschirmt, 8.2 A, AOTA-B201608S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 0.8mm rohsCompliant: YES Induktivität: 0.24µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 0806 [Metrisch 2016] DC-Widerstand, max.: 0.022ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 6.2A Sättigungsstrom (Isat): 8.2A Produktlänge: 2mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B201608S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 1.6mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201608SR24MT | ABRACON | Power Inductors - SMD IND 0.24uH 5.5A 22mOhms | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B201608SR24MT | Abracon LLC | Description: FIXED IND 0.24UH 5.5A 22MOHM SMD Tolerance: ±20% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0806 (2016 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 22mOhm Max Frequency - Self Resonant: 120MHz Current - Saturation (Isat): 7.5A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0806 Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Inductance: 240 nH Current Rating (Amps): 5.5 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201608SR24MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B201608SR24MT - Leistungsinduktivität (SMD), 0.24 µH, 6.2 A, Geschirmt, 8.2 A, AOTA-B201608S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 0.8mm rohsCompliant: YES Induktivität: 0.24µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 0806 [Metrisch 2016] DC-Widerstand, max.: 0.022ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 6.2A Sättigungsstrom (Isat): 8.2A Produktlänge: 2mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B201608S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 1.6mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201608SR47MT | ABRACON | Power Inductors - SMD IND 0.47uH 3.6A 24mOhms | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B201608SR47MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B201608SR47MT - Leistungsinduktivität (SMD), 0.47 µH, 4.1 A, Geschirmt, 5.5 A, AOTA-B201608S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 0.8mm rohsCompliant: YES Induktivität: 0.47µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 0806 [Metrisch 2016] DC-Widerstand, max.: 0.024ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 4.1A Sättigungsstrom (Isat): 5.5A Produktlänge: 2mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B201608S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 1.6mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201608SR47MT | Abracon LLC | Description: FIXED IND 0.47UH 3.6A 24MOHM SMD Tolerance: ±20% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0806 (2016 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 24mOhm Max Frequency - Self Resonant: 104MHz Current - Saturation (Isat): 5A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0806 Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Inductance: 470 nH Current Rating (Amps): 3.6 A | auf Bestellung 2645 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B201608SR47MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B201608SR47MT - Leistungsinduktivität (SMD), 0.47 µH, 4.1 A, Geschirmt, 5.5 A, AOTA-B201608S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 0.8mm rohsCompliant: YES Induktivität: 0.47µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 0806 [Metrisch 2016] DC-Widerstand, max.: 0.024ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 4.1A Sättigungsstrom (Isat): 5.5A Produktlänge: 2mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B201608S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 1.6mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201608SR47MT | Abracon LLC | Description: FIXED IND 0.47UH 3.6A 24MOHM SMD Tolerance: ±20% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0806 (2016 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 24mOhm Max Frequency - Self Resonant: 104MHz Current - Saturation (Isat): 5A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0806 Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Inductance: 470 nH Current Rating (Amps): 3.6 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201610S1R0MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B201610S1R0MT - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, 4.5 A, Geschirmt, 4.5 A, AOTA-B201610S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 1µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.037ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 4.5A Sättigungsstrom (Isat): 4.5A Produktlänge: 2mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B201610S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 1.6mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 1950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201610S1R0MT | Abracon LLC | Description: IND 1UH 4.2A 37M Tolerance: ±20% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0806 (2016 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 37mOhm Max Frequency - Self Resonant: 60MHz Current - Saturation (Isat): 4.2A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0806 Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Inductance: 1 µH Current Rating (Amps): 4.2 A | auf Bestellung 1767 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B201610S1R0MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B201610S1R0MT - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, 4.5 A, Geschirmt, 4.5 A, AOTA-B201610S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 1µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.037ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 4.5A Sättigungsstrom (Isat): 4.5A Produktlänge: 2mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B201610S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 1.6mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 1950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201610S1R0MT | Abracon LLC | Description: IND 1UH 4.2A 37M Tolerance: ±20% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0806 (2016 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 37mOhm Max Frequency - Self Resonant: 60MHz Current - Saturation (Isat): 4.2A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0806 Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Inductance: 1 µH Current Rating (Amps): 4.2 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201610S1R0MT | Abracon Corporation | Inductor Power Shielded/Mini Molded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal Alloy Powder 4.2A 0.037Ohm DCR 0806 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201610S1R5MT | Abracon LLC | Description: IND 1.5UH 2.8A 74M Tolerance: ±20% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0806 (2016 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 74mOhm Max Frequency - Self Resonant: 40MHz Current - Saturation (Isat): 3.2A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0806 Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Inductance: 1.5 µH Current Rating (Amps): 2.8 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201610S1R5MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B201610S1R5MT - Leistungsinduktivität (SMD), 1.5 µH, 3.2 A, Geschirmt, 3.5 A, AOTA-B201610S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 1.5µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.064ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 3.2A Sättigungsstrom (Isat): 3.5A Produktlänge: 2mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B201610S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 1.6mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 1660 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201610S1R5MT | Abracon Corporation | AOTA-B201610S1R5MT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201610S1R5MT | Abracon LLC | Description: IND 1.5UH 2.8A 74M Tolerance: ±20% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0806 (2016 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 74mOhm Max Frequency - Self Resonant: 40MHz Current - Saturation (Isat): 3.2A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0806 Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Inductance: 1.5 µH Current Rating (Amps): 2.8 A | auf Bestellung 1245 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B201610S1R5MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B201610S1R5MT - Leistungsinduktivität (SMD), 1.5 µH, 3.2 A, Geschirmt, 3.5 A, AOTA-B201610S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 1.5µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.064ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 3.2A Sättigungsstrom (Isat): 3.5A Produktlänge: 2mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B201610S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 1.6mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 1660 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201610S2R2MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B201610S2R2MT - Leistungsinduktivität (SMD), 2.2 µH, 2.3 A, Geschirmt, 2.9 A, AOTA-B201610S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 2.2µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.074ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 2.3A Sättigungsstrom (Isat): 2.9A Produktlänge: 2mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B201610S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 1.6mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 3065 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201610S2R2MT | Abracon LLC | Description: IND 2.2UH 2A 74M Tolerance: ±20% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0806 (2016 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 74mOhm Max Frequency - Self Resonant: 30MHz Current - Saturation (Isat): 2.6A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0806 Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Inductance: 2.2 µH Current Rating (Amps): 2 A | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B201610S2R2MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B201610S2R2MT - Leistungsinduktivität (SMD), 2.2 µH, 2.3 A, Geschirmt, 2.9 A, AOTA-B201610S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 2.2µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.074ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 2.3A Sättigungsstrom (Isat): 2.9A Produktlänge: 2mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B201610S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 1.6mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 3065 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201610S2R2MT | ABRACON | Power Inductors - SMD IND 2.2uH 2A 74m? | auf Bestellung 3165 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B201610S2R2MT | Abracon LLC | Description: IND 2.2UH 2A 74M Tolerance: ±20% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0806 (2016 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 74mOhm Max Frequency - Self Resonant: 30MHz Current - Saturation (Isat): 2.6A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0806 Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Inductance: 2.2 µH Current Rating (Amps): 2 A | auf Bestellung 5532 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B201610S3R3-101-T | ABRACON | Category: Inductors Description: Inductor: coil; 0806; 3.3uH; Ioper: 2.1A; 140mΩ; ±20%; Isat: 2.4A Type of inductor: coil Inductance: 3.3µH Operating current: 2.1A Resistance: 0.14Ω Tolerance: ±20% Saturation current: 2.4A Related items: SC1509; SC1509-13; SC1510; SC1510-13 Dimensions (a x b x c): 2x1.6x1mm Case - mm: 2016 Case - inch: 0806 Operating temperature: -40...125°C Test frequency: 1MHz | auf Bestellung 2872 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOTA-B201610S3R3-101-T | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B201610S3R3-101-T - Leistungsinduktivität (SMD), 3.3 µH, 2.3 A, Geschirmt, 2.8 A, 0806 [Metrisch 2016] tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 3.3µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Bauform/Gehäuse der Induktivität: 0806 [Metrisch 2016] DC-Widerstand, max.: 0.14ohm usEccn: EAR99 Sättigungsstrom (Isat): 2.8A RMS-Strom Irms: 2.3A Produktlänge: 2mm euEccn: NLR Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 1.6mm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 11645 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201610S3R3-101-T | ABRACON | Power Inductors - SMD IND 3.3uH | auf Bestellung 8217 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B201610S3R3-101-T | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B201610S3R3-101-T - Leistungsinduktivität (SMD), 3.3 µH, 2.3 A, Geschirmt, 2.8 A, 0806 [Metrisch 2016] tariffCode: 85045000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 | auf Bestellung 11645 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201610S4R7MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B201610S4R7MT - Leistungsinduktivität (SMD), 4.7 µH, 1.5 A, Geschirmt, 1.9 A, AOTA-B201610S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 4.7µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.235ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 1.5A Sättigungsstrom (Isat): 1.9A Produktlänge: 2mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B201610S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 1.6mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 1254 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201610S4R7MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B201610S4R7MT - Leistungsinduktivität (SMD), 4.7 µH, 1.5 A, Geschirmt, 1.9 A, AOTA-B201610S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 4.7µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.235ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 1.5A Sättigungsstrom (Isat): 1.9A Produktlänge: 2mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B201610S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 1.6mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 1254 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201610S4R7MT | ABRACON | Power Inductors - SMD IND 4.7uH 1.3A 235m? | auf Bestellung 2930 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B201610SR24MT | Abracon LLC | Description: IND 0.24UH 5A 15M Tolerance: ±20% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0806 (2016 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 15mOhm Max Frequency - Self Resonant: 120MHz Current - Saturation (Isat): 7A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0806 Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Inductance: 240 nH Current Rating (Amps): 5 A | auf Bestellung 2915 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B201610SR24MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B201610SR24MT - Leistungsinduktivität (SMD), 240 nH, 5.6 A, Geschirmt, 7.8 A, AOTA-B201610S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 240nH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.015ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 5.6A Sättigungsstrom (Isat): 7.8A Produktlänge: 2mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B201610S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 1.6mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2493 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201610SR24MT | Abracon LLC | Description: IND 0.24UH 5A 15M Tolerance: ±20% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0806 (2016 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 15mOhm Max Frequency - Self Resonant: 120MHz Current - Saturation (Isat): 7A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0806 Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Inductance: 240 nH Current Rating (Amps): 5 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201610SR24MT | ABRACON | Power Inductors - SMD IND 0.24uH 5A 15m? | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 96-100 Tag (e) |
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| AOTA-B201610SR24MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B201610SR24MT - Leistungsinduktivität (SMD), 240 nH, 5.6 A, Geschirmt, 7.8 A, AOTA-B201610S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 240nH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.015ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 5.6A Sättigungsstrom (Isat): 7.8A Produktlänge: 2mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B201610S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 1.6mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2493 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201610SR33MT | ABRACON | Power Inductors - SMD IND 0.33uH 4.8A 21m? | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B201610SR33MT | Abracon LLC | Description: IND 0.33UH 4.8A 21M Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Package / Case: 0806 (2016 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 21mOhm Max Frequency - Self Resonant: 110MHz Current - Saturation (Isat): 6.8A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0806 Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Inductance: 330 nH Current Rating (Amps): 4.8 A | auf Bestellung 2690 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B201610SR33MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B201610SR33MT - Leistungsinduktivität (SMD), 330 nH, 5.3 A, Geschirmt, 7.6 A, AOTA-B201610S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 330nH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.021ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 5.3A Sättigungsstrom (Isat): 7.6A Produktlänge: 2mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B201610S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 1.6mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201610SR33MT | Abracon LLC | Description: IND 0.33UH 4.8A 21M Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Package / Case: 0806 (2016 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 21mOhm Max Frequency - Self Resonant: 110MHz Current - Saturation (Isat): 6.8A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0806 Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Inductance: 330 nH Current Rating (Amps): 4.8 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201610SR33MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B201610SR33MT - Leistungsinduktivität (SMD), 330 nH, 5.3 A, Geschirmt, 7.6 A, AOTA-B201610S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 330nH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.021ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 5.3A Sättigungsstrom (Isat): 7.6A Produktlänge: 2mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B201610S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 1.6mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201610SR47MT | Abracon LLC | Description: IND 0.47UH 4.8A 21M Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Package / Case: 0806 (2016 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 21mOhm Max Frequency - Self Resonant: 72MHz Current - Saturation (Isat): 5.6A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0806 Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Inductance: 470 nH Current Rating (Amps): 4.8 A | auf Bestellung 1720 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B201610SR47MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B201610SR47MT - Leistungsinduktivität (SMD), 470 nH, 5.5 A, Geschirmt, 6.2 A, AOTA-B201610S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 470nH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.021ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 5.5A Sättigungsstrom (Isat): 6.2A Produktlänge: 2mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B201610S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 1.6mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2770 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201610SR47MT | ABRACON | Power Inductors - SMD IND 0.47uH 4.8A 21m? | auf Bestellung 2833 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B201610SR47MT | Abracon LLC | Description: IND 0.47UH 4.8A 21M Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Package / Case: 0806 (2016 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 21mOhm Max Frequency - Self Resonant: 72MHz Current - Saturation (Isat): 5.6A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0806 Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Inductance: 470 nH Current Rating (Amps): 4.8 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201610SR47MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B201610SR47MT - Leistungsinduktivität (SMD), 470 nH, 5.5 A, Geschirmt, 6.2 A, AOTA-B201610S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 470nH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.021ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 5.5A Sättigungsstrom (Isat): 6.2A Produktlänge: 2mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B201610S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 1.6mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2770 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201610SR68MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B201610SR68MT - Leistungsinduktivität (SMD), 680 nH, 3.9 A, Geschirmt, 5.4 A, AOTA-B201610S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 680nH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.035ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 3.9A Sättigungsstrom (Isat): 5.4A Produktlänge: 2mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B201610S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 1.6mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2685 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201610SR68MT | Abracon LLC | Description: IND 0.68UH 3.5A 35M Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Package / Case: 0806 (2016 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 35mOhm Max Frequency - Self Resonant: 68MHz Current - Saturation (Isat): 4.8A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0806 Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Inductance: 680 nH Current Rating (Amps): 3.5 A | auf Bestellung 1605 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B201610SR68MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B201610SR68MT - Leistungsinduktivität (SMD), 680 nH, 3.9 A, Geschirmt, 5.4 A, AOTA-B201610S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 680nH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.035ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 3.9A Sättigungsstrom (Isat): 5.4A Produktlänge: 2mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B201610S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 1.6mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2685 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201610SR68MT | Abracon LLC | Description: IND 0.68UH 3.5A 35M Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Package / Case: 0806 (2016 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 35mOhm Max Frequency - Self Resonant: 68MHz Current - Saturation (Isat): 4.8A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0806 Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Inductance: 680 nH Current Rating (Amps): 3.5 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201612Q1R0MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B201612Q1R0MT - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, 3.6 A, Geschirmt, 3.8 A, AOTA-B201612Q Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 1µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 0806 [Metrisch 2016] DC-Widerstand, max.: 0.045ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 3.6A Sättigungsstrom (Isat): 3.8A Produktlänge: 2mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B201612Q Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 1.6mm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201612Q1R0MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B201612Q1R0MT - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, 3.6 A, Geschirmt, 3.8 A, AOTA-B201612Q Series tariffCode: 85045000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201612Q1R5MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B201612Q1R5MT - Leistungsinduktivität (SMD), 1.5 µH, 2.5 A, Geschirmt, 3.2 A, AOTA-B201612Q Series tariffCode: 85045000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201612Q1R5MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B201612Q1R5MT - Leistungsinduktivität (SMD), 1.5 µH, 2.5 A, Geschirmt, 3.2 A, AOTA-B201612Q Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 1.5µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 0806 [Metrisch 2016] DC-Widerstand, max.: 0.08ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 2.5A Sättigungsstrom (Isat): 3.2A Produktlänge: 2mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B201612Q Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 1.6mm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201612Q2R2MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B201612Q2R2MT - Leistungsinduktivität (SMD), 2.2 µH, 2 A, Geschirmt, 2.8 A, AOTA-B201612Q Series tariffCode: 85045000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201612Q2R2MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B201612Q2R2MT - Leistungsinduktivität (SMD), 2.2 µH, 2 A, Geschirmt, 2.8 A, AOTA-B201612Q Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 2.2µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 0806 [Metrisch 2016] DC-Widerstand, max.: 0.12ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 2A Sättigungsstrom (Isat): 2.8A Produktlänge: 2mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B201612Q Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 1.6mm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201612Q4R7MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B201612Q4R7MT - Leistungsinduktivität (SMD), 4.7 µH, 1.2 A, Geschirmt, 1.4 A, AOTA-B201612Q Series tariffCode: 85045000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 1945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201612Q4R7MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B201612Q4R7MT - Leistungsinduktivität (SMD), 4.7 µH, 1.2 A, Geschirmt, 1.4 A, AOTA-B201612Q Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 4.7µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 0806 [Metrisch 2016] DC-Widerstand, max.: 0.378ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 1.2A Sättigungsstrom (Isat): 1.4A Produktlänge: 2mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B201612Q Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 1.6mm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201612QR10MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B201612QR10MT - Leistungsinduktivität (SMD), 0.1 µH, 8 A, Geschirmt, 10 A, AOTA-B201612Q Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 0.1µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 0806 [Metrisch 2016] DC-Widerstand, max.: 0.009ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 8A Sättigungsstrom (Isat): 10A Produktlänge: 2mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B201612Q Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 1.6mm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201612QR10MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B201612QR10MT - Leistungsinduktivität (SMD), 0.1 µH, 8 A, Geschirmt, 10 A, AOTA-B201612Q Series tariffCode: 85045000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201612QR24MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B201612QR24MT - Leistungsinduktivität (SMD), 0.24 µH, 5.8 A, Geschirmt, 8 A, AOTA-B201612Q Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 0.24µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 0806 [Metrisch 2016] DC-Widerstand, max.: 0.017ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 5.8A Sättigungsstrom (Isat): 8A Produktlänge: 2mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B201612Q Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 1.6mm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201612QR24MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B201612QR24MT - Leistungsinduktivität (SMD), 0.24 µH, 5.8 A, Geschirmt, 8 A, AOTA-B201612Q Series tariffCode: 85045000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201612QR33MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B201612QR33MT - Leistungsinduktivität (SMD), 0.33 µH, 5.5 A, Geschirmt, 6.4 A, AOTA-B201612Q Series tariffCode: 85045000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201612QR33MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B201612QR33MT - Leistungsinduktivität (SMD), 0.33 µH, 5.5 A, Geschirmt, 6.4 A, AOTA-B201612Q Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 0.33µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 0806 [Metrisch 2016] DC-Widerstand, max.: 0.022ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 5.5A Sättigungsstrom (Isat): 6.4A Produktlänge: 2mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B201612Q Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 1.6mm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201612QR47MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B201612QR47MT - Leistungsinduktivität (SMD), 0.47 µH, 4.5 A, Geschirmt, 5.4 A, AOTA-B201612Q Series tariffCode: 85045000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B201612QR47MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B201612QR47MT - Leistungsinduktivität (SMD), 0.47 µH, 4.5 A, Geschirmt, 5.4 A, AOTA-B201612Q Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 0.47µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 0806 [Metrisch 2016] DC-Widerstand, max.: 0.025ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 4.5A Sättigungsstrom (Isat): 5.4A Produktlänge: 2mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B201612Q Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 1.6mm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252008S100MT | ABRACON | Power Inductors - SMD IND 10uH 0.95A 570mOhms | auf Bestellung 1933 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B252008S100MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B252008S100MT - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, 1.05 A, Geschirmt, 1.4 A, AOTA-B252008S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 0.8mm rohsCompliant: YES Induktivität: 10µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520] DC-Widerstand, max.: 0.57ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 1.05A Sättigungsstrom (Isat): 1.4A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B252008S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 1270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252008S100MT | Abracon LLC | Description: FIXED IND 10UH 0.95A 570MOHM SMD Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 570mOhm Max Frequency - Self Resonant: 14MHz Current - Saturation (Isat): 1.2A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 1008 Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Inductance: 10 µH Current Rating (Amps): 950 mA | auf Bestellung 2750 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B252008S100MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B252008S100MT - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, 1.05 A, Geschirmt, 1.4 A, AOTA-B252008S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 0.8mm rohsCompliant: YES Induktivität: 10µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520] DC-Widerstand, max.: 0.57ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 1.05A Sättigungsstrom (Isat): 1.4A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B252008S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 1270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252008S100MT | Abracon LLC | Description: FIXED IND 10UH 0.95A 570MOHM SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 570mOhm Max Frequency - Self Resonant: 14MHz Current - Saturation (Isat): 1.2A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 1008 Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Inductance: 10 µH Current Rating (Amps): 950 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252008S1R0MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B252008S1R0MT - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, 3.8 A, Geschirmt, 4.8 A, AOTA-B252008S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 0.8mm rohsCompliant: YES Induktivität: 1µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520] DC-Widerstand, max.: 0.046ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 3.8A Sättigungsstrom (Isat): 4.8A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B252008S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252008S1R0MT | Abracon LLC | Description: FIXED IND 1.0UH 3.5A 46MOHM SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 46mOhm Max Frequency - Self Resonant: 56MHz Current - Saturation (Isat): 4.3A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 1008 Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Inductance: 1 µH Current Rating (Amps): 3.5 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252008S1R0MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B252008S1R0MT - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, 3.8 A, Geschirmt, 4.8 A, AOTA-B252008S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 0.8mm rohsCompliant: YES Induktivität: 1µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520] DC-Widerstand, max.: 0.046ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 3.8A Sättigungsstrom (Isat): 4.8A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B252008S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252008S1R0MT | Abracon LLC | Description: FIXED IND 1.0UH 3.5A 46MOHM SMD Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 46mOhm Max Frequency - Self Resonant: 56MHz Current - Saturation (Isat): 4.3A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 1008 Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Inductance: 1 µH Current Rating (Amps): 3.5 A | auf Bestellung 2750 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B252008S1R0MT | ABRACON | Power Inductors - SMD IND 1uH 3.5A 46mOhms | auf Bestellung 2834 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B252008S4R7MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B252008S4R7MT - Leistungsinduktivität (SMD), 4.7 µH, 2 A, Geschirmt, 1.95 A, AOTA-B252008S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 0.8mm rohsCompliant: YES Induktivität: 4.7µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520] DC-Widerstand, max.: 0.18ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 2A Sättigungsstrom (Isat): 1.95A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B252008S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252008S4R7MT | Abracon LLC | Description: FIXED IND 4.7UH 1.75A 180MOHM SM Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 180mOhm Max Frequency - Self Resonant: 20MHz Current - Saturation (Isat): 1.75A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 1008 Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Inductance: 4.7 µH Current Rating (Amps): 1.8 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252008S4R7MT | ABRACON | Power Inductors - SMD IND 4.7uH 1.75A 180mOhms | auf Bestellung 2875 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B252008S4R7MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B252008S4R7MT - Leistungsinduktivität (SMD), 4.7 µH, 2 A, Geschirmt, 1.95 A, AOTA-B252008S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 0.8mm rohsCompliant: YES Induktivität: 4.7µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520] DC-Widerstand, max.: 0.18ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 2A Sättigungsstrom (Isat): 1.95A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B252008S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252008S4R7MT | Abracon LLC | Description: FIXED IND 4.7UH 1.75A 180MOHM SM Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 180mOhm Max Frequency - Self Resonant: 20MHz Current - Saturation (Isat): 1.75A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 1008 Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Inductance: 4.7 µH Current Rating (Amps): 1.8 A | auf Bestellung 2640 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B252010S100MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B252010S100MT - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, 1.4 A, Geschirmt, 1.7 A, AOTA-B252010S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 10µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520] DC-Widerstand, max.: 0.42ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 1.4A Sättigungsstrom (Isat): 1.7A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B252010S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 5915 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252010S100MT | Abracon LLC | Description: FIXED IND 10UH 1.2A 420MOHM SMD Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 420mOhm Max Frequency - Self Resonant: 14MHz Current - Saturation (Isat): 1.5A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 1008 Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Inductance: 10 µH Current Rating (Amps): 1.2 A | auf Bestellung 5998 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B252010S100MT | Abracon Corporation | AOTA-B252010S100MT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252010S100MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B252010S100MT - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, 1.4 A, Geschirmt, 1.7 A, AOTA-B252010S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 10µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520] DC-Widerstand, max.: 0.42ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 1.4A Sättigungsstrom (Isat): 1.7A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B252010S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 5915 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252010S100MT | Abracon LLC | Description: FIXED IND 10UH 1.2A 420MOHM SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 420mOhm Max Frequency - Self Resonant: 14MHz Current - Saturation (Isat): 1.5A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 1008 Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Inductance: 10 µH Current Rating (Amps): 1.2 A | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B252010S100MT | ABRACON | Power Inductors - SMD IND 10uH 1.2A 420mOhms | auf Bestellung 3693 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B252010S1R0MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B252010S1R0MT - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, 4.7 A, Geschirmt, 5.4 A, AOTA-B252010S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 1µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520] DC-Widerstand, max.: 0.03ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 4.7A Sättigungsstrom (Isat): 5.4A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B252010S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2830 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252010S1R0MT | Abracon LLC | Description: FIXED IND 1.0UH 4.5A 30MOHM SMD Tolerance: ±20% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 30mOhm Max Frequency - Self Resonant: 53MHz Current - Saturation (Isat): 5A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 1008 Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Inductance: 1 µH Current Rating (Amps): 4.5 A | auf Bestellung 3305 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B252010S1R0MT | ABRACON | Power Inductors - SMD IND 1uH 4.5A 30mOhms | auf Bestellung 4696 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B252010S1R0MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B252010S1R0MT - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, 4.7 A, Geschirmt, 5.4 A, AOTA-B252010S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 1µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520] DC-Widerstand, max.: 0.03ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 4.7A Sättigungsstrom (Isat): 5.4A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B252010S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2830 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252010S1R0MT | Abracon LLC | Description: FIXED IND 1.0UH 4.5A 30MOHM SMD Tolerance: ±20% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 30mOhm Max Frequency - Self Resonant: 53MHz Current - Saturation (Isat): 5A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 1008 Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Inductance: 1 µH Current Rating (Amps): 4.5 A | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B252010S1R0MT | Abracon Corporation | AOTA-B252010S1R0MT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252010S1R5MT | ABRACON | Power Inductors - SMD IND 1.5uH 3.6A 42mOhms | auf Bestellung 3264 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B252010S1R5MT | Abracon Corporation | AOTA-B252010S1R5MT | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252010S1R5MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B252010S1R5MT - Leistungsinduktivität (SMD), 1.5 µH, 4.1 A, Geschirmt, 4 A, AOTA-B252010S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 1.5µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520] DC-Widerstand, max.: 0.042ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 4.1A Sättigungsstrom (Isat): 4A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B252010S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2347 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252010S1R5MT | Abracon LLC | Description: FIXED IND 1.5UH 3.6A 42MOHM SMD Tolerance: ±20% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 42mOhm Max Frequency - Self Resonant: 35MHz Current - Saturation (Isat): 3.7A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 1008 Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Inductance: 1.5 µH Current Rating (Amps): 3.6 A | auf Bestellung 1678 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B252010S1R5MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B252010S1R5MT - Leistungsinduktivität (SMD), 1.5 µH, 4.1 A, Geschirmt, 4 A, AOTA-B252010S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 1.5µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520] DC-Widerstand, max.: 0.042ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 4.1A Sättigungsstrom (Isat): 4A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B252010S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2347 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252010S1R5MT | Abracon LLC | Description: FIXED IND 1.5UH 3.6A 42MOHM SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 42mOhm Max Frequency - Self Resonant: 35MHz Current - Saturation (Isat): 3.7A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 1008 Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Inductance: 1.5 µH Current Rating (Amps): 3.6 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252010S2R2MT | Abracon LLC | Description: FIXED IND 2.2UH 2.3A 65MOHM SMD Tolerance: ±20% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 65mOhm Max Frequency - Self Resonant: 27MHz Current - Saturation (Isat): 3.2A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 1008 Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Inductance: 2.2 µH Current Rating (Amps): 2.3 A | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B252010S2R2MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B252010S2R2MT - Leistungsinduktivität (SMD), 2.2 µH, 2.6 A, Geschirmt, 3.5 A, AOTA-B252010S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 2.2µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520] DC-Widerstand, max.: 0.065ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 2.6A Sättigungsstrom (Isat): 3.5A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B252010S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 4630 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252010S2R2MT | Abracon LLC | Description: FIXED IND 2.2UH 2.3A 65MOHM SMD Tolerance: ±20% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 65mOhm Max Frequency - Self Resonant: 27MHz Current - Saturation (Isat): 3.2A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 1008 Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Inductance: 2.2 µH Current Rating (Amps): 2.3 A | auf Bestellung 11116 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B252010S2R2MT | ABRACON | Power Inductors - SMD IND 2.2uH 2.3A 65mOhms | auf Bestellung 3975 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B252010S2R2MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B252010S2R2MT - Leistungsinduktivität (SMD), 2.2 µH, 2.6 A, Geschirmt, 3.5 A, AOTA-B252010S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 2.2µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520] DC-Widerstand, max.: 0.065ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 2.6A Sättigungsstrom (Isat): 3.5A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B252010S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 4630 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252010S3R3MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B252010S3R3MT - Leistungsinduktivität (SMD), 3.3 µH, 2.2 A, Geschirmt, 2.9 A, AOTA-B252010S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 3.3µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520] DC-Widerstand, max.: 0.11ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 2.2A Sättigungsstrom (Isat): 2.9A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B252010S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 6055 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252010S3R3MT | Abracon LLC | Description: FIXED IND 3.3UH 1.9A 110MOHM SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 110mOhm Max Frequency - Self Resonant: 22MHz Current - Saturation (Isat): 2.6A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 1008 Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Inductance: 3.3 µH Current Rating (Amps): 1.9 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252010S3R3MT | ABRACON | Power Inductors - SMD IND 3.3uH 1.9A 110mOhms | auf Bestellung 4398 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B252010S3R3MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B252010S3R3MT - Leistungsinduktivität (SMD), 3.3 µH, 2.2 A, Geschirmt, 2.9 A, AOTA-B252010S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 3.3µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520] DC-Widerstand, max.: 0.11ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 2.2A Sättigungsstrom (Isat): 2.9A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B252010S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 6055 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252010S3R3MT | Abracon LLC | Description: FIXED IND 3.3UH 1.9A 110MOHM SMD Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 110mOhm Max Frequency - Self Resonant: 22MHz Current - Saturation (Isat): 2.6A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 1008 Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Inductance: 3.3 µH Current Rating (Amps): 1.9 A | auf Bestellung 2090 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B252010S4R7MT | Abracon Corporation | AOTA-B252010S4R7MT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252010S4R7MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B252010S4R7MT - Leistungsinduktivität (SMD), 4.7 µH, 1.7 A, Geschirmt, 2.2 A, AOTA-B252010S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 4.7µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520] DC-Widerstand, max.: 0.136ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 1.7A Sättigungsstrom (Isat): 2.2A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B252010S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 4135 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252010S4R7MT | Abracon LLC | Description: FIXED IND 4.7UH 1.6A 136MOHM SMD Tolerance: ±20% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 136mOhm Max Frequency - Self Resonant: 19MHz Current - Saturation (Isat): 1.9A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 1008 Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Inductance: 4.7 µH Current Rating (Amps): 1.6 A | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B252010S4R7MT | ABRACON | Power Inductors - SMD IND 4.7uH 1.6A 136mOhms | auf Bestellung 1035 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B252010S4R7MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B252010S4R7MT - Leistungsinduktivität (SMD), 4.7 µH, 1.7 A, Geschirmt, 2.2 A, AOTA-B252010S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 4.7µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520] DC-Widerstand, max.: 0.136ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 1.7A Sättigungsstrom (Isat): 2.2A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B252010S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 4135 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252010S4R7MT | Abracon LLC | Description: FIXED IND 4.7UH 1.6A 136MOHM SMD Tolerance: ±20% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 136mOhm Max Frequency - Self Resonant: 19MHz Current - Saturation (Isat): 1.9A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 1008 Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Inductance: 4.7 µH Current Rating (Amps): 1.6 A | auf Bestellung 5524 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B252010SR33MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B252010SR33MT - Leistungsinduktivität (SMD), 0.33 µH, 5.5 A, Geschirmt, 8.5 A, AOTA-B252010S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 0.33µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520] DC-Widerstand, max.: 0.016ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 5.5A Sättigungsstrom (Isat): 8.5A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B252010S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252010SR33MT | Abracon LLC | Description: FIXED IND 0.33UH 5.0A 16MOHM SMD Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 16mOhm Max Frequency - Self Resonant: 95MHz Current - Saturation (Isat): 7.5A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 1008 Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Inductance: 330 nH Current Rating (Amps): 5 A | auf Bestellung 2925 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B252010SR33MT | ABRACON | Power Inductors - SMD IND 0.33uH 5A 16mOhms | auf Bestellung 2528 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B252010SR33MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B252010SR33MT - Leistungsinduktivität (SMD), 0.33 µH, 5.5 A, Geschirmt, 8.5 A, AOTA-B252010S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 0.33µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520] DC-Widerstand, max.: 0.016ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 5.5A Sättigungsstrom (Isat): 8.5A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B252010S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252010SR33MT | Abracon LLC | Description: FIXED IND 0.33UH 5.0A 16MOHM SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 16mOhm Max Frequency - Self Resonant: 95MHz Current - Saturation (Isat): 7.5A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 1008 Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Inductance: 330 nH Current Rating (Amps): 5 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252010SR47MT | ABRACON | Power Inductors - SMD IND 0.47uH 5.7A 20mOhms | auf Bestellung 1925 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B252010SR47MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B252010SR47MT - Leistungsinduktivität (SMD), 0.47 µH, 6.1 A, Geschirmt, 7 A, AOTA-B252010S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 0.47µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520] DC-Widerstand, max.: 0.02ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 6.1A Sättigungsstrom (Isat): 7A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B252010S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252010SR47MT | Abracon LLC | Description: FIXED IND 0.47UH 5.7A 20MOHM SMD Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 20mOhm Max Frequency - Self Resonant: 81MHz Current - Saturation (Isat): 6.5A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 1008 Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Inductance: 470 nH Current Rating (Amps): 5.7 A | auf Bestellung 1147 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B252010SR47MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B252010SR47MT - Leistungsinduktivität (SMD), 0.47 µH, 6.1 A, Geschirmt, 7 A, AOTA-B252010S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 0.47µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520] DC-Widerstand, max.: 0.02ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 6.1A Sättigungsstrom (Isat): 7A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B252010S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252010SR47MT | Abracon LLC | Description: FIXED IND 0.47UH 5.7A 20MOHM SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 20mOhm Max Frequency - Self Resonant: 81MHz Current - Saturation (Isat): 6.5A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 1008 Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Inductance: 470 nH Current Rating (Amps): 5.7 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252010SR68MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B252010SR68MT - Leistungsinduktivität (SMD), 0.68 µH, 5.2 A, Geschirmt, 6.6 A, AOTA-B252010S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 0.68µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520] DC-Widerstand, max.: 0.029ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 5.2A Sättigungsstrom (Isat): 6.6A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B252010S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252010SR68MT | Abracon LLC | Description: FIXED IND 0.68UH 4.5A 29MOHM SMD Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 29mOhm Max Frequency - Self Resonant: 63MHz Current - Saturation (Isat): 5.8A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 1008 Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Inductance: 680 nH Current Rating (Amps): 4.5 A | auf Bestellung 1483 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B252010SR68MT | ABRACON | Power Inductors - SMD IND 0.68uH 4.5A 29mOhms | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B252010SR68MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B252010SR68MT - Leistungsinduktivität (SMD), 0.68 µH, 5.2 A, Geschirmt, 6.6 A, AOTA-B252010S Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 0.68µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520] DC-Widerstand, max.: 0.029ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 5.2A Sättigungsstrom (Isat): 6.6A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B252010S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252010SR68MT | Abracon LLC | Description: FIXED IND 0.68UH 4.5A 29MOHM SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 29mOhm Max Frequency - Self Resonant: 63MHz Current - Saturation (Isat): 5.8A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 1008 Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Inductance: 680 nH Current Rating (Amps): 4.5 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252012Q1R0MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B252012Q1R0MT - Leistungsinduktivität (SMD), 1.0 µH, 4.1 A, Geschirmt, 4.8 A, AOTA-B252012Q Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 1.0µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520] DC-Widerstand, max.: 0.041ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 4.1A Sättigungsstrom (Isat): 4.8A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B252012Q Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252012Q1R0MT | ABRACON | Power Inductors - SMD IND 1uH 4.1A 41m? | auf Bestellung 1592 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B252012Q1R0MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B252012Q1R0MT - Leistungsinduktivität (SMD), 1.0 µH, 4.1 A, Geschirmt, 4.8 A, AOTA-B252012Q Series tariffCode: 85045000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252012Q1R5MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B252012Q1R5MT - Leistungsinduktivität (SMD), 1.5 µH, 3.3 A, Geschirmt, 3.9 A, AOTA-B252012Q Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 1.5µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520] DC-Widerstand, max.: 0.057ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 3.3A Sättigungsstrom (Isat): 3.9A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B252012Q Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252012Q1R5MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B252012Q1R5MT - Leistungsinduktivität (SMD), 1.5 µH, 3.3 A, Geschirmt, 3.9 A, AOTA-B252012Q Series tariffCode: 85045000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252012Q1R5MT | ABRACON | Power Inductors - SMD IND 1.5uH 3.3A 57m? | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B252012Q2R2MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B252012Q2R2MT - Leistungsinduktivität (SMD), 2.2 µH, 2.8 A, Geschirmt, 3.5 A, AOTA-B252012Q Series tariffCode: 85045000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252012Q2R2MT | Abracon LLC | Description: FIXED IND 2.2 UH 2.8 A 77MOHM Tolerance: ±20% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 77mOhm Max Ratings: AEC-Q200 Current - Saturation (Isat): 3A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 1008 Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm) Inductance: 2.2 µH Current Rating (Amps): 2.6 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252012Q2R2MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B252012Q2R2MT - Leistungsinduktivität (SMD), 2.2 µH, 2.8 A, Geschirmt, 3.5 A, AOTA-B252012Q Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 2.2µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520] DC-Widerstand, max.: 0.077ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 2.8A Sättigungsstrom (Isat): 3.5A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B252012Q Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252012Q2R2MT | ABRACON | Power Inductors - SMD IND 2.2uH 2.8A 77m? | auf Bestellung 1773 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B252012Q2R2MT | Abracon LLC | Description: FIXED IND 2.2 UH 2.8 A 77MOHM Tolerance: ±20% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Molded Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 77mOhm Max Ratings: AEC-Q200 Current - Saturation (Isat): 3A Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 1008 Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm) Inductance: 2.2 µH Current Rating (Amps): 2.6 A | auf Bestellung 1955 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B252012Q3R3MT | ABRACON | Power Inductors - SMD IND 3.3uH 2.2A 131m? | auf Bestellung 1592 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B252012Q3R3MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B252012Q3R3MT - Leistungsinduktivität (SMD), 3.3 µH, 2.2 A, Geschirmt, 2.7 A, AOTA-B252012Q Series tariffCode: 85045000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252012Q3R3MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B252012Q3R3MT - Leistungsinduktivität (SMD), 3.3 µH, 2.2 A, Geschirmt, 2.7 A, AOTA-B252012Q Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 3.3µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520] DC-Widerstand, max.: 0.131ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 2.2A Sättigungsstrom (Isat): 2.7A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B252012Q Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252012QR10MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B252012QR10MT - Leistungsinduktivität (SMD), 0.1 µH, 12 A, Geschirmt, 12.8 A, AOTA-B252012Q Series tariffCode: 85045000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252012QR10MT | ABRACON | Power Inductors - SMD IND 0.1uH 12A 9m? | auf Bestellung 2300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B252012QR10MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B252012QR10MT - Leistungsinduktivität (SMD), 0.1 µH, 12 A, Geschirmt, 12.8 A, AOTA-B252012Q Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 0.1µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520] DC-Widerstand, max.: 0.009ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 12A Sättigungsstrom (Isat): 12.8A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B252012Q Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252012QR24MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B252012QR24MT - Leistungsinduktivität (SMD), 0.24 µH, 8.5 A, Geschirmt, 9 A, AOTA-B252012Q Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 0.24µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520] DC-Widerstand, max.: 0.013ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 8.5A Sättigungsstrom (Isat): 9A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B252012Q Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252012QR24MT | ABRACON | Power Inductors - SMD IND 0.24uH 8.5A 13m? | auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B252012QR24MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B252012QR24MT - Leistungsinduktivität (SMD), 0.24 µH, 8.5 A, Geschirmt, 9 A, AOTA-B252012Q Series tariffCode: 85045000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252012QR33MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B252012QR33MT - Leistungsinduktivität (SMD), 0.33 µH, 6.6 A, Geschirmt, 8.9 A, AOTA-B252012Q Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 0.33µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520] DC-Widerstand, max.: 0.015ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 6.6A Sättigungsstrom (Isat): 8.9A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B252012Q Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252012QR33MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B252012QR33MT - Leistungsinduktivität (SMD), 0.33 µH, 6.6 A, Geschirmt, 8.9 A, AOTA-B252012Q Series tariffCode: 85045000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252012QR33MT | ABRACON | Power Inductors - SMD IND 0.33uH 6.6A 15m? | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B252012QR47MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B252012QR47MT - Leistungsinduktivität (SMD), 0.47 µH, 5.4 A, Geschirmt, 6.5 A, AOTA-B252012Q Series tariffCode: 85045000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252012QR47MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B252012QR47MT - Leistungsinduktivität (SMD), 0.47 µH, 5.4 A, Geschirmt, 6.5 A, AOTA-B252012Q Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 0.47µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520] DC-Widerstand, max.: 0.02ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 5.4A Sättigungsstrom (Isat): 6.5A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B252012Q Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B252012QR47MT | ABRACON | Power Inductors - SMD IND 0.47uH 5.4A 20m? | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B322512Q1R0MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B322512Q1R0MT - Leistungsinduktivität (SMD), 1.0 µH, 4.4 A, Geschirmt, 5.2 A, AOTA-B322512Q Series tariffCode: 85045000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 1985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B322512Q1R0MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B322512Q1R0MT - Leistungsinduktivität (SMD), 1.0 µH, 4.4 A, Geschirmt, 5.2 A, AOTA-B322512Q Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 1.0µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1210 [Metrisch 3225] DC-Widerstand, max.: 0.036ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 4.4A Sättigungsstrom (Isat): 5.2A Produktlänge: 3.2mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B322512Q Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2.5mm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B322512Q1R5MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B322512Q1R5MT - Leistungsinduktivität (SMD), 1.5 µH, 3.5 A, Geschirmt, 4.5 A, AOTA-B322512Q Series tariffCode: 85045000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B322512Q1R5MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B322512Q1R5MT - Leistungsinduktivität (SMD), 1.5 µH, 3.5 A, Geschirmt, 4.5 A, AOTA-B322512Q Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 1.5µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1210 [Metrisch 3225] DC-Widerstand, max.: 0.054ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 3.5A Sättigungsstrom (Isat): 4.5A Produktlänge: 3.2mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B322512Q Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2.5mm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B322512Q2R2MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B322512Q2R2MT - Leistungsinduktivität (SMD), 2.2 µH, 3 A, Geschirmt, 3.8 A, AOTA-B322512Q Series tariffCode: 85045000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B322512Q2R2MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B322512Q2R2MT - Leistungsinduktivität (SMD), 2.2 µH, 3 A, Geschirmt, 3.8 A, AOTA-B322512Q Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 2.2µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1210 [Metrisch 3225] DC-Widerstand, max.: 0.075ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 3A Sättigungsstrom (Isat): 3.8A Produktlänge: 3.2mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B322512Q Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2.5mm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B322512Q3R3MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B322512Q3R3MT - Leistungsinduktivität (SMD), 3.3 µH, 2.5 A, Geschirmt, 2.9 A, AOTA-B322512Q Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 3.3µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1210 [Metrisch 3225] DC-Widerstand, max.: 0.113ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 2.5A Sättigungsstrom (Isat): 2.9A Produktlänge: 3.2mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B322512Q Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2.5mm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B322512Q3R3MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B322512Q3R3MT - Leistungsinduktivität (SMD), 3.3 µH, 2.5 A, Geschirmt, 2.9 A, AOTA-B322512Q Series tariffCode: 85045000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B322512QR10MT | ABRACON | Power Inductors - SMD IND 0.1uH 11A 9m? | auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTA-B322512QR10MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B322512QR10MT - Leistungsinduktivität (SMD), 0.1 µH, 11 A, Geschirmt, 14 A, AOTA-B322512Q Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 0.1µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1210 [Metrisch 3225] DC-Widerstand, max.: 0.009ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 11A Sättigungsstrom (Isat): 14A Produktlänge: 3.2mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B322512Q Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2.5mm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B322512QR10MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B322512QR10MT - Leistungsinduktivität (SMD), 0.1 µH, 11 A, Geschirmt, 14 A, AOTA-B322512Q Series tariffCode: 85045000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B322512QR24MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B322512QR24MT - Leistungsinduktivität (SMD), 0.24 µH, 9.5 A, Geschirmt, 13.4 A, AOTA-B322512Q Series tariffCode: 85045000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B322512QR24MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B322512QR24MT - Leistungsinduktivität (SMD), 0.24 µH, 9.5 A, Geschirmt, 13.4 A, AOTA-B322512Q Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 0.24µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1210 [Metrisch 3225] DC-Widerstand, max.: 0.011ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 9.5A Sättigungsstrom (Isat): 13.4A Produktlänge: 3.2mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B322512Q Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2.5mm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B322512QR33MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B322512QR33MT - Leistungsinduktivität (SMD), 0.33 µH, 7.3 A, Geschirmt, 9.5 A, AOTA-B322512Q Series tariffCode: 85045000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B322512QR33MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B322512QR33MT - Leistungsinduktivität (SMD), 0.33 µH, 7.3 A, Geschirmt, 9.5 A, AOTA-B322512Q Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 0.33µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1210 [Metrisch 3225] DC-Widerstand, max.: 0.015ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 7.3A Sättigungsstrom (Isat): 9.5A Produktlänge: 3.2mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B322512Q Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2.5mm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B322512QR47MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B322512QR47MT - Leistungsinduktivität (SMD), 0.47 µH, 6.1 A, Geschirmt, 8.2 A, AOTA-B322512Q Series tariffCode: 85045000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTA-B322512QR47MT | ABRACON | Description: ABRACON - AOTA-B322512QR47MT - Leistungsinduktivität (SMD), 0.47 µH, 6.1 A, Geschirmt, 8.2 A, AOTA-B322512Q Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 0.47µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1210 [Metrisch 3225] DC-Widerstand, max.: 0.021ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 6.1A Sättigungsstrom (Isat): 8.2A Produktlänge: 3.2mm euEccn: NLR Produktpalette: AOTA-B322512Q Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2.5mm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTBEVEL.SET | SRA Soldering Products | Description: SET OF 13 SOLDERING IRON TIP - B Packaging: Bag For Use With/Related Products: Tesla, Hakko, Sunkko Irons Diameter: Assorted Length: Assorted Width: Assorted Height: Assorted Tip Shape: Bevel Tip Type: Soldering Part Status: Active | auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTCHISEL.SET | SRA Soldering Products | Description: SET OF 10 SOLDERING IRON TIP - C Packaging: Bag For Use With/Related Products: Tesla, 469, 701, 702, 703, 703B, 768, 926, 927, 928, 936, 936A, 937, 937+, 9378, 968, 908, 938, 9378 Length: Assorted Width: Assorted Height: Assorted Tip Shape: Chisel Tip Type: Soldering Part Status: Active | auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTCONICAL.SET | SRA Soldering Products | Description: SET OF 7 SOLDERING IRON TIP - CO Packaging: Bag For Use With/Related Products: Tesla, 469, 701, 702, 703, 703B, 768, 926, 927, 928, 936, 936A, 937, 937+, 9378, 968, 908, 938, 9378 Length: Assorted Width: Assorted Height: Assorted Tip Shape: Conical Tip Type: Soldering Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTE21115C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOTE21115C SMD P channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTE21115C | Alpha & Omega Semiconductor | P-Channel MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTE32136C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOTE32136C SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTE32136C | Alpha & Omega Semiconductor | 20V N-Channel MOSFET | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF095A60L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOTF095A60L THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF095A60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 38A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4010 pF @ 100 V | auf Bestellung 872 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTF095A60L | Alpha & Omega Semiconductor | N Channel Power Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF095A60L | Alpha & Omega Semiconductor | N Channel Power Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF10B60D | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOTF10B60D THT IGBT transistors | auf Bestellung 839 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOTF10B60D | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: IGBT 600V 20A TO-220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 105 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-220F Td (on/off) @ 25°C: 10ns/72ns Switching Energy: 260µJ (on), 70µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 30Ohm, 15V Gate Charge: 17.4 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 42 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF10B60D | Alpha & Omega Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 42000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF10B60D2 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOTF10B60D2 THT IGBT transistors | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOTF10B60D2 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: IGBT 600V 23A TO-220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 98 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 5A Supplier Device Package: TO-220F Td (on/off) @ 25°C: 12ns/83ns Switching Energy: 140µJ (on), 40µJ (off) Test Condition: 400V, 5A, 60Ohm, 15V Gate Charge: 9.4 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 23 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A Power - Max: 31.2 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF10B60D2 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 31200mW 3-Pin(3+Tab) TO-220F T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF10B65M1 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 30W 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF10B65M1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOTF10B65M1 THT IGBT transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF10B65M1 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: IGBT 650V 10A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 263 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-220 Td (on/off) @ 25°C: 12ns/91ns Switching Energy: 180µJ (on), 130µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 30Ohm, 15V Gate Charge: 24 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 30 W | auf Bestellung 122 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTF10B65M1 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF10B65M2 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOTF10B65M2 THT IGBT transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF10B65M2 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: IGBT 650V 10A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 262 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-220 Td (on/off) @ 25°C: 12ns/91ns Switching Energy: 180µJ (on), 130µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 30Ohm, 15V Gate Charge: 24 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 30 W | auf Bestellung 199 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTF10B65M2 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 30mW 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF10N50FD | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF10N50FD | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF10N50FD_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3F Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF10N60 | ALPHA&OMEGA | Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF10N60 TAOTF10n60 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOTF10N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF10N60 Produktcode: 119569
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| AOTF10N60 | ALPHA&OMEGA | Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF10N60 TAOTF10n60 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOTF10N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; TO220F Case: TO220F Mounting: THT Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.4A Gate charge: 31.1nC On-state resistance: 0.75Ω Gate-source voltage: ±30V | auf Bestellung 437 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOTF10N60 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF10N60 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF10N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; TO220F Case: TO220F Mounting: THT Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.4A Gate charge: 31.1nC On-state resistance: 0.75Ω Gate-source voltage: ±30V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 437 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOTF10N60CL | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: N Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF10N60CL_0C1 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF10N60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF10N60L_002 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3F Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF10N60_002 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF10N60_003 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3F Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF10N60_006 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3F Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF10N62 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH TO-220F Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF10N65 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6.2A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 27.7nC | auf Bestellung 526 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOTF10N65 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF10N65 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO220-3F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1645 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF10N65 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6.2A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 27.7nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 526 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOTF10N65 Produktcode: 165192
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| AOTF10N90 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 900V 10A TO220-3F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3160 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF10N90 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 900V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF10T60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1346 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF10T60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3F Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1346 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF10T60P | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.6A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.6A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 127 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOTF10T60P | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF10T60P | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.6A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.6A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 127 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOTF10T60P | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1595 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF10T60PL | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1595 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF10T60_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V TO-220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Supplier Device Package: TO-220F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF11C60 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF11C60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF11C60L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF11C60P | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF11C60P | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2333 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF11C60PL | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2333 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF11C60P_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2333 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF11C60_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF11N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1656 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF11N60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 37.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF11N60L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 37.9W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Power dissipation: 37.9W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.65Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 37nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF11N60L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220F T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF11N60L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 37.9W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Power dissipation: 37.9W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.65Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 37nC Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF11N62 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 620V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF11N62 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 620V 11A TO220-3F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF11N62L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 620V 11A TO220-3F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF11N70 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 700V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF11N70 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 700V 11A TO220-3F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 870mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF11N70 | ALPHA&OMEGA | Transistor N-Channel MOSFET; 700V; 30V; 870mOhm; 11A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF11N70 TAOTF11n70 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOTF11N70 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 700V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF11N70 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.2A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 7.2A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.87Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 37.5nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 92 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOTF11N70 | ALPHA&OMEGA | Transistor N-Channel MOSFET; 700V; 30V; 870mOhm; 11A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF11N70 TAOTF11n70 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOTF11N70 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.2A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 7.2A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.87Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 37.5nC | auf Bestellung 92 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOTF11N70_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 870mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF11S60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF11S60 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF11S60L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220F | auf Bestellung 146 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOTF11S60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF11S60L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220F | auf Bestellung 146 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOTF11S60_900 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH TO220 Packaging: Tube Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF11S65L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 100 V | auf Bestellung 201 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTF11S65L | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220F T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF125A60FDL | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: LINEAR IC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF125A60FDL | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: LINEAR IC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF125A60L | Alpha & Omega Semiconductor | N Channel Power Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF125A60L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; Idm: 100A; 36W; TO220F Mounting: THT Case: TO220F Drain-source voltage: 600V Drain current: 28A On-state resistance: 0.125Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 36W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 39nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 100A Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF125A60L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; Idm: 100A; 36W; TO220F Mounting: THT Case: TO220F Drain-source voltage: 600V Drain current: 28A On-state resistance: 0.125Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 36W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 39nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 100A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF125A60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2993 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF12N30 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 300V 11.5A TO220-3F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF12N30 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 300V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220F T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF12N30 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOTF12N30 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF12N50 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220-3F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1633 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF12N50 | Alpha & Omega Semiconductor | auf Bestellung 995 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| AOTF12N50L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 50W Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1633 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF12N50_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH TO220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF12N50_007 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH TO220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF12N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.7A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 608 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOTF12N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.7A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 608 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOTF12N60 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220F T/R | auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOTF12N60 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220F T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF12N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF12N60 Produktcode: 129208
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| AOTF12N60 | ALPHA&OMEGA | Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 550mOhm; 12A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF12N60 TAOTF12n60 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOTF12N60 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220F T/R | auf Bestellung 944 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOTF12N60FD | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF12N60FD | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF12N60FD | ALPHA&OMEGA | Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 650mOhm; 12A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF12N60FD TAOTF12n60fd Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOTF12N60FD | ALPHA&OMEGA | Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 650mOhm; 12A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF12N60FD TAOTF12n60fd Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOTF12N60FD | ALPHA&OMEGA | Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 650mOhm; 12A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF12N60FD TAOTF12n60fd Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOTF12N60FD_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V TO220F Packaging: Tube Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF12N60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V | auf Bestellung 239 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AOTF12N60_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Last Time Buy | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF12N65 | ALPHA&OMEGA | Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 720mOhm; 12A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF12N65 TAOTF12n65 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOTF12N65 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220F | auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOTF12N65 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF12N65 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220F | auf Bestellung 2850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOTF12N65 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220F | auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF12N65 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF12N65A | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220F Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-220F Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF12T50P | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF12T50P | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO-220F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF12T50PL | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF12T50PL | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF12T60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1954 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF12T60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1954 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF12T60P | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF12T60P | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2028 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF12T60PL | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2028 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AOTF12T60PL | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |