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MOSFET 200V N-Channel QFET

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FQP10N20

Description: MOSFET N-CH 200V 10A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

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FQP10N20

TO-220AB

auf Bestellung 13000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FQP10N20C

MOSFET 200V N-Ch MOSFET

auf Bestellung 99 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.59 EUR
10+	2.34 EUR
100+	1.83 EUR
500+	1.5 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FQP10N20C

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V

auf Bestellung 17045 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

378+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 378

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FQP10N20C

Trans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 320 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	1.45 EUR
101+	1.38 EUR
106+	1.27 EUR
182+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 100

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FQP10N20C

auf Bestellung 33924 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FQP10N20C

Description: MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V

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FQP10N20C

Trans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 320 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

107+	1.35 EUR
112+	1.25 EUR
193+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 107

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FQP10N20CTSTU

Description: MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V

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FQP10N20L

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V

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FQP10N60C

Trans MOSFET N-CH 600V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

auf Bestellung 244 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

216+	2.51 EUR

Mindestbestellmenge: 216

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FQP10N60C

09+ SSOP

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FQP10N60C

Description: MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V

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FQP10N60C

MOSFETs 600V N-Ch Q-FET advance C-Series

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FQP10N60C_NL

MOSFETs N-CH/600V/10A/QFET C-Series

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FQP10N60C_Q

MOSFETs 600V N-Ch Q-FET advance C-Series

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FQP11N40

Description: MOSFET N-CH 400V 11.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

auf Bestellung 1919 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

226+	1.98 EUR

Mindestbestellmenge: 226

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FQP11N40

MOSFET 400V N-Channel QFET

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FQP11N40C

Trans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1186 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	1.46 EUR
101+	1.39 EUR
106+	1.27 EUR
500+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 100

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FQP11N40C

N-MOSFET 400V 10.5A 530mΩ 135W FQP11N40C Fairchild TFQP11n40c
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 20

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FQP11N40C

Description: ONSEMI - FQP11N40C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10.5 A, 0.43 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 499 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FQP11N40C

MOSFETs 400V N-Channel Advance Q-FET

auf Bestellung 958 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.95 EUR
10+	1.72 EUR
100+	1.62 EUR
500+	1.53 EUR
1000+	1.48 EUR
2500+	1.46 EUR
5000+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FQP11N40C
Produktcode: 203650

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FQP11N40C

Trans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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FQP11N40C

N-MOSFET 400V 10.5A 530mΩ 135W FQP11N40C Fairchild TFQP11n40c
Anzahl je Verpackung: 48 Stücke

auf Bestellung 18 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

48+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 48

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP11N40C

Description: MOSFET N-CH 400V 10.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V

auf Bestellung 3703 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.4 EUR
50+	2.19 EUR
100+	1.97 EUR
500+	1.59 EUR
1000+	1.47 EUR
2000+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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FQP11N40C

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; 135W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 135W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

33+	2.17 EUR
37+	1.94 EUR
44+	1.64 EUR
50+	1.56 EUR

Mindestbestellmenge: 33

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP11N40C

Trans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1186 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

99+	1.47 EUR
100+	1.41 EUR
105+	1.28 EUR
500+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 99

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FQP11N40C

MOSFETs 400V N-Channel Advance Q-FET

auf Bestellung 1849 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.2 EUR
10+	2.06 EUR
100+	1.88 EUR
500+	1.56 EUR

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FQP11N40C_Q

MOSFETs 400V N-Channel Advance Q-FET

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FQP11N50CF

FQP11N50CF

auf Bestellung 950 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

181+	3 EUR
500+	2.75 EUR

Mindestbestellmenge: 181

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP11N50CF

Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V

auf Bestellung 2116 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

137+	3.27 EUR

Mindestbestellmenge: 137

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP11N50CF

FQP11N50CF

auf Bestellung 934 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

181+	3 EUR
500+	2.75 EUR

Mindestbestellmenge: 181

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FQP11P06
Produktcode: 34162

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FQP11P06

Trans MOSFET P-CH 60V 11.4A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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FQP11P06

MOSFET 60V P-Channel QFET

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP11P06

Description: MOSFET P-CH 60V 11.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V

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FQP12N60

FQP12N60

auf Bestellung 9376 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

189+	2.87 EUR
500+	2.49 EUR
1000+	2.21 EUR

Mindestbestellmenge: 189

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FQP12N60

MOSFETs

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP12N60

Description: MOSFET N-CH 600V 10.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V

auf Bestellung 9664 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

151+	2.98 EUR

Mindestbestellmenge: 151

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP12N60

FQP12N60

auf Bestellung 288 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

189+	2.87 EUR

Mindestbestellmenge: 189

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FQP12N60

Група товару: Транзистори Од. вим: шт

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FQP12N60C

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V

auf Bestellung 3340 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

170+	2.63 EUR

Mindestbestellmenge: 170

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FQP12N60C

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 817 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

213+	2.55 EUR
500+	2.21 EUR

Mindestbestellmenge: 213

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FQP12N60C

TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP12N60C

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V

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FQP12N60C
Produktcode: 166497

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP12N60C

Description: ONSEMI - FQP12N60C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.53 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 4951 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP12N60C

MOSFETs 600V N-Ch Q-FET advance C-Series

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FQP12N60C

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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213+	2.55 EUR
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FQP12P10

MOSFET P-CH 100V 11.5A TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

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FQP12P10

Trans MOSFET P-CH 100V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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112+	1.3 EUR
125+	1.12 EUR
156+	0.86 EUR
500+	0.74 EUR

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FQP12P10

Description: MOSFET P-CH 100V 11.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V

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FQP12P10

MOSFET 100V P-Channel QFET

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10+	2.13 EUR
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250+	1.7 EUR
500+	1.64 EUR
1000+	1.46 EUR

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FQP12P10

Trans MOSFET P-CH 100V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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FQP12P10

Trans MOSFET P-CH 100V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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FQP12P20

MOSFETs 200V P-Channel QFET

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FQP12P20

Trans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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FQP12P20
Produktcode: 46795

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FQP12P20

Description: ONSEMI - FQP12P20 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11.5 A, 0.36 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 120W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.36ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

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FQP12P20

Description: MOSFET P-CH 200V 11.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V

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FQP13N06

Description: MOSFET N-CH 60V 13A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V

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FQP13N06

Description: MOSFET N-CH 60V 13A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V

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606+	0.76 EUR

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FQP13N06

FAIR

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FQP13N06L

Description: ONSEMI - FQP13N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 13.6 A, 0.088 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

auf Bestellung 287 Stücke:

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FQP13N06L

Description: MOSFET N-CH 60V 13.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

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FQP13N06L

Trans MOSFET N-CH 60V 13.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FQP13N06L

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

auf Bestellung 38438 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

443+	1.03 EUR

Mindestbestellmenge: 443

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FQP13N06L

MOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level

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FQP13N06L

Trans MOSFET N-CH 60V 13.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 36442 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

645+	0.84 EUR
1000+	0.75 EUR
10000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 645

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FQP13N06L.

Description: ONSEMI - FQP13N06L. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 13.6 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 13.6
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 45
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

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FQP13N06L_Q

MOSFETs

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FQP13N10

Trans MOSFET N-CH 100V 12.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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FQP13N10

Description: ONSEMI - FQP13N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12.8 A, 0.142 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 12.8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.142
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

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FQP13N10

Trans MOSFET N-CH 100V 12.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 5700 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP13N10

Trans MOSFET N-CH 100V 12.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 5700 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

147+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 147

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP13N10

Description: MOSFET N-CH 100V 12.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

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FQP13N10

MOSFETs N-CH/100V/12.8A 0.18OHM

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FQP13N10L

Description: MOSFET N-CH 100V 12.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP13N10L

MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP13N10L

Trans MOSFET N-CH 100V 12.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP13N10L

Description: ONSEMI - FQP13N10L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12.8 A, 0.142 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.142ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

auf Bestellung 52 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP13N10L

Trans MOSFET N-CH 100V 12.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP13N50

Description: MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 6.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

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FQP13N50

MOSFETs 500V N-Channel QFET

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FQP13N50

Trans MOSFET N-CH 500V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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FQP13N50

Trans MOSFET N-CH 500V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP13N50 TFQP13n50
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 27 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	6.42 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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FQP13N50
Produktcode: 143458

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FQP13N50C
Produktcode: 152424

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FQP13N50C

Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

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FQP13N50C

MOSFETs 500V N-Ch Q-FET advance C-Series

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FQP13N50C

Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 22000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

268+	2.02 EUR
500+	1.76 EUR
1000+	1.56 EUR
10000+	1.34 EUR

Mindestbestellmenge: 268

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FQP13N50C-G

Description: N-CHANNEL QFET MOSFET 500V, 13A,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP13N50C_F105

Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

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FQP14N15

Description: MOSFET N-CH 150V 14.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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FQP14N30

Description: MOSFET N-CH 300V 14.4A TO220-3

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FQP14N30

MOSFET 300V N-Channel QFET

auf Bestellung 1140 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FQP14N30

Trans MOSFET N-CH 300V 14.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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FQP15P12

Description: ONSEMI - FQP15P12 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

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FQP15P12

Description: MOSFET P-CH 120V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

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FQP15P12

MOSFETs 120V P-Channel QFET

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FQP15P12

Trans MOSFET P-CH 120V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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FQP16N15

Description: MOSFET N-CH 150V 16.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 108W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V

auf Bestellung 4866 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

319+	1.41 EUR

Mindestbestellmenge: 319

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FQP16N25

Description: ONSEMI - FQP16N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 16 A, 0.18 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 16
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 142
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 142
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

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FQP16N25

Trans MOSFET N-CH 250V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 406 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

87+	1.66 EUR
98+	1.43 EUR
118+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 87

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FQP16N25

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10A; Idm: 64A; 142W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 142W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 64A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
On-state resistance: 0.23Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 10A
Gate-source voltage: ±30V

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FQP16N25

MOSFET 250V N-Channel QFET

auf Bestellung 595 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.12 EUR
10+	2.82 EUR
100+	2.25 EUR
500+	1.87 EUR

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FQP16N25

Trans MOSFET N-CH 250V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 987 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

79+	1.85 EUR
90+	1.56 EUR
111+	1.22 EUR
500+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 79

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FQP16N25

auf Bestellung 100000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FQP16N25

Description: MOSFET N-CH 250V 16A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V

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FQP16N25C

Description: MOSFET N-CH 250V 15.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V

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FQP16N25C-F105

Description: FQP16N25 - POWER FIELD-EFFECT TR
Packaging: Bulk

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FQP16N25C-F105

Description: FQP16N25 - POWER FIELD-EFFECT TR
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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FQP17N08

Description: MOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 8.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

auf Bestellung 2331 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

888+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 888

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FQP17N08

Description: ONSEMI - FQP17N08 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 2331 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FQP17N08

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FQP17N08L

MOSFETs 80V N-Channel QFET Logic Level

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FQP17N08L

Description: ONSEMI - FQP17N08L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2957 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP17N08L

Description: MOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP17N08L

Description: MOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V

auf Bestellung 2957 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

650+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 650

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FQP17N40
Produktcode: 43558

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Transistoren > MOSFET N-CH

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FQP17N40

Trans MOSFET N-CH 400V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP17N40

Description: MOSFET N-CH 400V 16A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

auf Bestellung 2174 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.42 EUR
50+	2.74 EUR
100+	2.48 EUR
500+	2.02 EUR
1000+	1.87 EUR
2000+	1.77 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP17N40

MOSFETs 400V N-Channel QFET

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP17N40

Trans MOSFET N-CH 400V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP17N40

Description: ONSEMI - FQP17N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 16 A, 0.27 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 16
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 170
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP17P06

Trans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1608 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

78+	1.86 EUR
86+	1.63 EUR
100+	1.51 EUR
500+	1.2 EUR
1000+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 78

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP17P06

Description: MOSFET P-CH 60V 17A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V

auf Bestellung 1195 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4 EUR
50+	1.97 EUR
100+	1.77 EUR
500+	1.42 EUR
1000+	1.31 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP17P06

MOSFETs 60V P-Channel QFET

auf Bestellung 14946 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.05 EUR
10+	1.95 EUR
100+	1.65 EUR
500+	1.39 EUR
1000+	1.36 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP17P06

Description: ONSEMI - FQP17P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 17 A, 0.12 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 5710 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP17P06

Trans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1612 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

78+	1.87 EUR
85+	1.65 EUR
100+	1.53 EUR
500+	1.21 EUR
1000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 78

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FQP17P06
Produktcode: 126278

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP17P06

Trans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP17P06

Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 61 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	2.04 EUR
50+	1.46 EUR
53+	1.36 EUR

Mindestbestellmenge: 35

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FQP17P06TU

TO-220 04+

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP17P06_Q

MOSFETs

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FQP17P10

Trans MOSFET P-CH 100V 16.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP17P10

MOSFETs 100V P-Channel QFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP17P10

Trans MOSFET P-CH 100V 16.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP17P10

Description: MOSFET P-CH 100V 16.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

auf Bestellung 5828 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.4 EUR
50+	1.65 EUR
100+	1.48 EUR
500+	1.18 EUR
1000+	1.08 EUR
2000+	1 EUR
5000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP18N20V2

Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO-220

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FQP18N50
Produktcode: 118942

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP18N50V2

MOSFET 500V N-Ch QFET V2 Series

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP18N50V2

N-кан. MOSFET 500V, 18A, TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP18N50V2

Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V

auf Bestellung 532 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

60+	7.43 EUR

Mindestbestellmenge: 60

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP18N50V2

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP18N50V2_Q

MOSFET 500V N-Ch QFET V2 Series

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FQP19N10

auf Bestellung 9080 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP19N10

Description: MOSFET N-CH 100V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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FQP19N10L

Description: MOSFET N-CH 100V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP19N20

MOSFETs 200V N-Channel QFET

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FQP19N20

Trans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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FQP19N20

Description: MOSFET N-CH 200V 19.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V

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FQP19N20

auf Bestellung 6855 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FQP19N20

Trans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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FQP19N20
Produktcode: 35440

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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 19.04.2015
Rds(on), Ohm: 0.15
Ciss, pF/Qg, nC: 1220/31
JHGF: THT

auf Bestellung 3 St.:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	1.13 EUR
10+	0.98 EUR

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FQP19N20 /FSC

08+;

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FQP19N20-T

Description: MOSFET N-CH 200V 28A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V

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FQP19N20C

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 860 Stücke:

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375+	1.45 EUR
500+	1.26 EUR

Mindestbestellmenge: 375

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FQP19N20C

Description: ONSEMI - FQP19N20C - MOSFET, N-KANAL, 200V, 19A, TO-220-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 836 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP19N20C

MOSFETs 200V N-Channel Advance Q-FET

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FQP19N20C

Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP19N20CTSTU

Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP19N20C_F080

Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V

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FQP19N20C_Q

MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET

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FQP19N20L

Description: MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP1N50

Description: MOSFET N-CH 500V 1.4A TO-220

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FQP1N60

MOSFET 600V N-Channel QFET

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP1N60

Description: MOSFET N-CH 600V 1.2A TO-220

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FQP1N60

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FQP1N60C

MOSFET

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FQP1P50

Description: MOSFET P-CH 500V 1.5A TO-220

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FQP1P50

auf Bestellung 1080 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP20N06

Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP20N06

auf Bestellung 1080 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP20N06

Aptina Imaging

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 3767 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

131+	1.11 EUR
142+	0.99 EUR
148+	0.91 EUR
158+	0.82 EUR
1000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 131

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FQP20N06

MOSFETs 60V N-Channel QFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP20N06

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 3767 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

111+	1.31 EUR
131+	1.07 EUR
142+	0.95 EUR
148+	0.87 EUR
158+	0.79 EUR
1000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 111

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FQP20N06

Description: ONSEMI - FQP20N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.048 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

auf Bestellung 623 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP20N06

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP20N06L

Description: ONSEMI - FQP20N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.042 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 53
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

auf Bestellung 467 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP20N06L

Trans MOSFET N-CH 60V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 99 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP20N06L
Produktcode: 114280

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP20N06L

Description: MOSFET N-CH 60V 21A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V

auf Bestellung 1103 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	2.99 EUR
50+	1.44 EUR
100+	1.29 EUR
500+	1.02 EUR
1000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP20N06L

Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 70mOhm; 21A; 53W; -55°C ~ 175°C; FQP20N06L TFQP20n06l
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	1.39 EUR

Mindestbestellmenge: 20

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP20N06L

MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP20N06L

Trans MOSFET N-CH 60V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 99 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

69+	2.11 EUR

Mindestbestellmenge: 69

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP20N06TSTU

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP20N06TSTU

Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP20N06_Q

MOSFETs

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP22N30

MOSFET N-CH 300V 21A TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP22N30

Description: MOSFET N-CH 300V 21A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP22N30

Trans MOSFET N-CH 300V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP22N30

Description: ONSEMI - FQP22N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 21 A, 0.16 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

auf Bestellung 47 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP22N30

MOSFETs 300V N-Channel QFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP22P10

Description: MOSFET P-CH 100V 22A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP22P10

MOSFETs 100V P-Channel QFET

Produkt ist nicht verfügbar

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FQP22P10

auf Bestellung 40000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FQP22P10_NL

MOSFET

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FQP24N08

Trans MOSFET N-CH 80V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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FQP24N08

Description: MOSFET N-CH 80V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP24N08

MOSFETs 80V N-Channel QFET

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FQP27N25

Description: MOSFET N-CH 250V 25.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V

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FQP27N25

MOSFETs 250V N-Channel QFET

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FQP27N25

Description: ONSEMI - FQP27N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25.5 A, 0.083 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 25.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 180
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 180
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

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FQP27N25

Trans MOSFET N-CH 250V 25.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.85 EUR
2000+	1.78 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

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FQP27N25..

Description: ONSEMI - FQP27N25.. - N CH MOSFET, 250V, 25.5A, TO-220
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 25.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 180
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 180
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11
SVHC: Lead

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FQP27P06

Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 175 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	4.18 EUR
76+	1.85 EUR
100+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 35

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FQP27P06
Produktcode: 197511

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Transistoren > MOSFET N-CH

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FQP27P06

Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

110+	1.32 EUR
115+	1.22 EUR

Mindestbestellmenge: 110

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FQP27P06

UMW

Description: MOSFET P-CH 60V 27A TO220
Packaging: Tube

auf Bestellung 2139 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.64 EUR
11+	1.67 EUR
100+	1.11 EUR
500+	0.88 EUR
1000+	0.8 EUR
2000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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FQP27P06

P-MOSFET 60V 0.07Ohm FQP27P06 TFQP27p06
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 48 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	7.1 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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FQP27P06

Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 3400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

71+	2.05 EUR
250+	1.78 EUR
500+	1.6 EUR
1000+	1.47 EUR
2500+	1.35 EUR

Mindestbestellmenge: 71

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FQP27P06

Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27A; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -27A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

25+	2.95 EUR
31+	2.32 EUR
36+	2.02 EUR
50+	1.49 EUR
100+	1.44 EUR

Mindestbestellmenge: 25

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FQP27P06

Description: ONSEMI - FQP27P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27 A, 0.07 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 12184 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FQP27P06

Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 178 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	4.18 EUR
76+	1.85 EUR
100+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 35

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FQP27P06

Description: MOSFET P-CH 60V 27A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

auf Bestellung 15846 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.36 EUR
50+	2.17 EUR
100+	1.95 EUR
500+	1.58 EUR
1000+	1.46 EUR
2000+	1.36 EUR
5000+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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FQP27P06

MOSFETs 60V P-Channel QFET

auf Bestellung 2340 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.42 EUR
10+	2.2 EUR
100+	1.92 EUR

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FQP27P06

Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

115+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 115

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FQP27P06-SW82127

MOSFET 60V 27A 0.07 Ohm P-Channel QFET

auf Bestellung 542 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FQP27P06_SW82127

Description: MOSFET P-CH 60V 27A TO-220

auf Bestellung 166 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FQP2N30

Description: MOSFET N-CH 300V 2.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 25 V

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FQP2N40

Description: MOSFET N-CH 400V 1.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V

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FQP2N40-F080

MOSFET N-CH 400V 1.8A 5.8OHM

auf Bestellung 759 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.31 EUR
10+	2.09 EUR
100+	1.62 EUR
500+	1.34 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FQP2N40-F080

Trans MOSFET N-CH 400V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP2N40-F080

Description: MOSFET N-CH 400V 1.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP2N50

Description: MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V

auf Bestellung 3015 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

466+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 466

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FQP2N60

09+

auf Bestellung 4618 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FQP2N60

MOSFET

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FQP2N60

Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

auf Bestellung 84915 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

209+	2.15 EUR

Mindestbestellmenge: 209

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FQP2N60B

auf Bestellung 87090 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FQP2N60C

N-Channel MOSFET 1.35A, 600V, ,TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт

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FQP2N60C

MOSFETs 600V N-Channel Advance Q-FET

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FQP2N60C

Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 960 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

82+	1.77 EUR
94+	1.48 EUR
102+	1.32 EUR
110+	1.18 EUR
500+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 82

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP2N60C

Description: MOSFET N-CH 600V 2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP2N60C MOSFET, N, TO-220 (Transistor)
Produktcode: 48426

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Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 600 V
Idd,A: 2 А
Rds(on), Ohm: 3,6 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 180/8.5

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP2N60C

N-NOSFET 2A 600V 54W 4.7Ω FQP2N60C TFQP2n60c
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 20

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP2N60C

Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 960 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

94+	1.54 EUR
102+	1.37 EUR
110+	1.23 EUR
500+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 94

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP2N60C_Q

MOSFETs 600V N-Channel Advance Q-FET

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FQP2N80

Trans MOSFET N-CH 800V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP2N80

Description: MOSFET N-CH 800V 2.4A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V

auf Bestellung 900 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

283+	1.57 EUR

Mindestbestellmenge: 283

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP2N80

2.4A, 800V, N-Channel MOSFET,TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

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FQP2N80

MOSFET 800V N-Channel QFET

auf Bestellung 993 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.76 EUR
10+	2.48 EUR
100+	1.94 EUR
500+	1.6 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP2N90

MOSFET N-CH 900V 2.2A TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

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FQP2N90

MOSFET 900V N-Channel QFET

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.97 EUR
10+	2.69 EUR
25+	2.6 EUR
100+	2.18 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP2N90

Description: ONSEMI - FQP2N90 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.2 A, 5.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.6ohm

auf Bestellung 233 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP2N90

Trans MOSFET N-CH 900V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP2N90

Description: MOSFET N-CH 900V 2.2A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V

auf Bestellung 1478 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

256+	1.78 EUR

Mindestbestellmenge: 256

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP2N90
Produktcode: 61646

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP2N90

Trans MOSFET N-CH 900V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1132 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

74+	1.97 EUR
89+	1.57 EUR
100+	1.35 EUR
500+	0.97 EUR
1000+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 74

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP2N90

Trans MOSFET N-CH 900V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP2N90

Description: MOSFET N-CH 900V 2.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V

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FQP2N90

Trans MOSFET N-CH 900V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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FQP2NA90

Description: MOSFET N-CH 900V 2.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V

auf Bestellung 1789 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

523+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 523

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FQP2NA90

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FQP2P25

Description: MOSFET P-CH 250V 2.3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V

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FQP2P25

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FQP2P40

Description: MOSFET P-CH 400V 2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

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FQP2P40

auf Bestellung 87090 Stücke:

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FQP2P40

MOSFET 400V P-Channel QFET

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FQP2P40-F080

MOSFET QF -400V 6.5OHM TO220

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FQP2P40-F080

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FQP2P40_F080

Trans MOSFET P-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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FQP2P40_F080

Description: MOSFET P-CH 400V 2A TO-220

auf Bestellung 8275000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FQP30N06

Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 25 V

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FQP30N06

Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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75+	1.94 EUR

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FQP30N06

Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1804 Stücke:

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75+	1.94 EUR

Mindestbestellmenge: 75

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FQP30N06

Description: ONSEMI - FQP30N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.031 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 30
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 79
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

auf Bestellung 3 Stücke:

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FQP30N06

MOSFETs 60V N-Channel QFET

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FQP30N06L

Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP30N06L TFQP30n06l
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 43 Stücke:

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20+	1.96 EUR

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FQP30N06L

Description: ONSEMI - FQP30N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 32 A, 0.027 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm

auf Bestellung 169 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FQP30N06L

MOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level

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FQP30N06L

Description: MOSFET N-CH 60V 32A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

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FQP30N06L

Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 25 Stücke:

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FQP30N06_Q

MOSFETs

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FQP32N12V2

Description: MOSFET N-CH 120V 32A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V

auf Bestellung 1244 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

468+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 468

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FQP32N20C

Trans MOSFET N-CH 200V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 7527 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

103+	1.41 EUR

Mindestbestellmenge: 103

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FQP32N20C

Trans MOSFET N-CH 200V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 12150 Stücke:

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213+	2.55 EUR
500+	2.32 EUR
1000+	2.11 EUR
10000+	1.9 EUR

Mindestbestellmenge: 213

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FQP32N20C

MOSFETs 200V N-Channel Advance Q-FET

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP32N20C

Description: MOSFET N-CH 200V 28A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

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FQP32N20C

Description: ONSEMI - FQP32N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 28 A, 0.068 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 28
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 156
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 156
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

auf Bestellung 2896 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP32N20C_F080

Description: MOSFET N-CH 200V 28A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

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FQP32N20C_Q

MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET

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FQP33N10

Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP33N10

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

71+	2.06 EUR
100+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 71

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FQP33N10

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 27096 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

78+	1.86 EUR
100+	1.4 EUR

Mindestbestellmenge: 78

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FQP33N10

Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 52mOhm; 33A; 127W; -55°C ~ 175°C; FQP33N10 TFQP33n10
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	4.32 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP33N10

Description: ONSEMI - FQP33N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.052 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 33
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 127
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

auf Bestellung 175 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP33N10

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

64+	2.29 EUR
71+	1.98 EUR
100+	1.47 EUR

Mindestbestellmenge: 64

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FQP33N10

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 27100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

78+	1.87 EUR
84+	1.66 EUR
104+	1.3 EUR

Mindestbestellmenge: 78

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP33N10

MOSFETs 100V N-Channel QFET

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FQP33N10

MOSFET N-CH 100V 33A TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

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FQP33N10
Produktcode: 30515

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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 33
Rds(on), Ohm: 0.052
Ciss, pF/Qg, nC: 1150/38
JHGF: THT

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erwartet 100 St.:

100 St. - erwartet 20.06.2026

1+	1.54 EUR

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FQP33N10L

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FQP33N10L

MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level

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FQP33N10L

Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V

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FQP34N20

Trans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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FQP34N20

MOSFET 200V N-Channel QFET

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10+	4.95 EUR
100+	3.98 EUR
500+	3.27 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP34N20

Description: MOSFET N-CH 200V 31A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V

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FQP34N20
Produktcode: 100818

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FQP34N20(Transistor)
Produktcode: 86825

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FQP34N20L

Description: MOSFET N-CH 200V 31A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V

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FQP3652

auf Bestellung 10005 Stücke:

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FQP3N25

Description: MOSFET N-CH 250V 2.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V

auf Bestellung 5900 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1025+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 1025

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FQP3N25

MOSFET 250V N-Channel QFET

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FQP3N30

Description: MOSFET N-CH 300V 3.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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FQP3N30

Description: ONSEMI - FQP3N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 3.2 A, 1.65 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

auf Bestellung 1423 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FQP3N30

Trans MOSFET N-CH 300V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1507 Stücke:

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722+	0.75 EUR
1000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 722

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FQP3N30

FAIRCHIL

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FQP3N30

MOSFETs 300V N-Channel QFET

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FQP3N30

Trans MOSFET N-CH 300V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 8500 Stücke:

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722+	0.75 EUR
1000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 722

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FQP3N30

Trans MOSFET N-CH 300V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 767 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

722+	0.75 EUR

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FQP3N30
Produktcode: 173281

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Transistoren > MOSFET N-CH

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FQP3N30

Trans MOSFET N-CH 300V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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722+	0.75 EUR
1000+	0.67 EUR
10000+	0.57 EUR

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FQP3N30_NL

MOSFET

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FQP3N40

Description: MOSFET N-CH 400V 2.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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FQP3N50C

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 25 V

auf Bestellung 1362 Stücke:

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740+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 740

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FQP3N50C

MOSFET N-CH/400V/ .5A/3.4OHM

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FQP3N50C-F080

MOSFET CFET 3A / 500V

auf Bestellung 690 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.64 EUR
10+	2.38 EUR
100+	1.85 EUR
500+	1.53 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FQP3N50C-F080

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.8A; Idm: 12A; 62W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 62W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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FQP3N50C-F080

Description: ONSEMI - FQP3N50C-F080 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

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FQP3N50C-F080

Description: MOSFET N-CH 500V 1.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 25 V

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FQP3N50C-F080

Rochester Electronics, LLC

Trans MOSFET N-CH 500V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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FQP3N50CTF

Description: 21A, 60V, N-CHANNEL, MOSFET

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FQP3N60

Description: MOSFET N-CH 600V 3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

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FQP3N60

auf Bestellung 87090 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FQP3N60

auf Bestellung 45287 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

468+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 468

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FQP3N60C

Description: MOSFET N-CH 600V 3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 25 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP3N60C

Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 7 Stücke:

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FQP3N60C

MOSFET N-CH/600V 3A/3.6OHM

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FQP3N60C

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.8A; Idm: 12A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

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FQP3N80

MOSFET 800V N-Channel QFET

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FQP3N80

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FQP3N80

Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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FQP3N80C

Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP3N80C

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; Idm: 12A; 107W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 107W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 12A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP3N80C

Description: ONSEMI - FQP3N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 963 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP3N80C

Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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FQP3N80C

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 25 V

auf Bestellung 40533 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

273+	1.67 EUR

Mindestbestellmenge: 273

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP3N80C

Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 103 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

77+	1.9 EUR
88+	1.59 EUR

Mindestbestellmenge: 77

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP3N80C

MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series

auf Bestellung 696 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.97 EUR
10+	2.69 EUR
100+	2.09 EUR
500+	1.75 EUR
1000+	1.36 EUR
2000+	1.16 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP3N80C

Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP3N80C_Q

MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP3N90

FQP3N90

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

319+	1.36 EUR
500+	1.18 EUR
1000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 319

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP3N90

Description: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP3N90

FQP3N90

auf Bestellung 716 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

319+	1.36 EUR
500+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 319

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP3N90

Description: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V

auf Bestellung 22834 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

384+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 384

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP3N90

FQP3N90

auf Bestellung 720 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

319+	1.36 EUR
500+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 319

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP3N90

FQP3N90

auf Bestellung 20245 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

319+	1.36 EUR
500+	1.18 EUR
1000+	1.05 EUR
10000+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 319

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FQP3N90

MOSFETs 900V N-Channel QFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP3P20

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FQP3P20
Produktcode: 173282

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FQP3P20

Trans MOSFET P-CH 200V 2.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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FQP3P20

MOSFET 200V P-Channel QFET

Produkt ist nicht verfügbar

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FQP3P20

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V

auf Bestellung 2731 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

422+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 422

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP3P20

Trans MOSFET P-CH 200V 2.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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FQP3P20

Description: ONSEMI - FQP3P20 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 2.8 A, 2.06 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 2.8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 52
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.06
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

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FQP3P50

Trans MOSFET P-CH 500V 2.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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FQP3P50

MOSFETs 500V P-Channel QFET

auf Bestellung 910 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.63 EUR
10+	1.78 EUR
100+	1.59 EUR
500+	1.27 EUR
1000+	1.17 EUR

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FQP3P50

Description: MOSFET P-CH 500V 2.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.35A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V

auf Bestellung 1645 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.63 EUR
50+	1.77 EUR
100+	1.59 EUR
500+	1.27 EUR
1000+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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FQP3P50

Trans MOSFET P-CH 500V 2.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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FQP3P50

MOSFET P-CH QFET 500V 2.7A TO-220-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

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FQP3P50
Produktcode: 154101

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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 500 V
Id,A: 2,7 A
Rds(on),Om: 3,9 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 510/18
/: THT

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FQP44N08

Description: MOSFET N-CH 80V 44A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V

auf Bestellung 1147 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

308+	1.46 EUR

Mindestbestellmenge: 308

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FQP44N08

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FQP44N10

Description: MOSFET N-CH 100V 43.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

auf Bestellung 518 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.26 EUR
50+	2.09 EUR
100+	1.88 EUR
500+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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FQP44N10

Trans MOSFET N-CH 100V 43.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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FQP44N10

Trans MOSFET N-CH 100V 43.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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FQP44N10

MOSFETs 100V N-Channel QFET

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FQP44N10F

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FQP45N15V2

Description: MOSFET N-CH 150V 45A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 25 V

auf Bestellung 595 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.54 EUR
50+	1.91 EUR
100+	1.83 EUR
500+	1.81 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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FQP45N15V2

MOSFETs N-CH/150V/45A/Q-FETI

auf Bestellung 13330 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.95 EUR
10+	2.48 EUR
100+	2.24 EUR
500+	2.06 EUR
1000+	1.78 EUR

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FQP45N15V2
Produktcode: 147581

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FQP45N15V2

Description: ONSEMI - FQP45N15V2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 708 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FQP45N15V2

Trans MOSFET N-CH 150V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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FQP45N15V2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 31A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 31A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 89 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

22+	3.3 EUR
34+	2.16 EUR
50+	1.96 EUR

Mindestbestellmenge: 22

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FQP45N15V2

MOSFETs N-CH/150V/45A/Q-FETI

auf Bestellung 14735 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.47 EUR
10+	1.97 EUR
100+	1.8 EUR
500+	1.74 EUR
1000+	1.62 EUR

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FQP46N15

Trans MOSFET N-CH 150V 45.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FQP46N15

MOSFETs 150V N-Channel QFET

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FQP46N15

Description: MOSFET N-CH 150V 45.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V

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FQP47P06

Trans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 92 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

22+	6.58 EUR
50+	3.26 EUR

Mindestbestellmenge: 22

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP47P06
Produktcode: 166999

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP47P06

Trans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 824 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

50+	3.06 EUR
100+	2.67 EUR
500+	2.23 EUR

Mindestbestellmenge: 50

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP47P06

Description: ONSEMI - FQP47P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 47 A, 0.026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 101 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FQP47P06

MOSFETs 60V P-Channel QFET

auf Bestellung 1027 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.58 EUR
10+	3.4 EUR
100+	3.06 EUR
500+	2.64 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP47P06

MOSFET P-CH 60V 47A TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP47P06

Trans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

50+	3.06 EUR
100+	2.67 EUR
500+	2.23 EUR

Mindestbestellmenge: 50

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP47P06

Trans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

56+	2.5 EUR
100+	2.28 EUR
500+	2.01 EUR
1000+	1.87 EUR

Mindestbestellmenge: 56

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP47P06

Description: MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V

auf Bestellung 2323 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.51 EUR
50+	3.34 EUR
100+	3.03 EUR
500+	2.49 EUR
1000+	2.32 EUR
2000+	2.27 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP47P06

Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 291 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	3.98 EUR
24+	3.07 EUR
26+	2.76 EUR
30+	2.43 EUR
50+	2.42 EUR

Mindestbestellmenge: 18

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP47P06

Trans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP47P06

Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 26mOhm; 47A; 160W; -55°C ~ 175°C; FQP47P06 TFQP47p06
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 45 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

5+	8.1 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP47P06

Trans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

55+	2.63 EUR
56+	2.51 EUR
100+	2.29 EUR
500+	2.02 EUR
1000+	1.88 EUR

Mindestbestellmenge: 55

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP47P06-NW82049

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP47P06_NW82049

Description: MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP47P06_SW82049

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP4N20

Description: MOSFET N-CH 200V 3.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V

auf Bestellung 10753 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

888+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 888

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP4N20

MOSFET 200V N-Channel QFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP4N20L

Trans MOSFET N-CH 200V 3.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 148 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP4N20L

MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level

auf Bestellung 466 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.97 EUR
10+	1.78 EUR
100+	1.37 EUR
500+	1.14 EUR
1000+	0.9 EUR
2000+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP4N20L

Description: MOSFET N-CH 200V 3.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V

auf Bestellung 65 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	2.94 EUR
50+	1.4 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP4N20L

Trans MOSFET N-CH 200V 3.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 148 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP4N20L

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

548+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 548

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP4N20L

06+

auf Bestellung 100000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP4N25

Description: MOSFET N-CH 250V 3.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

auf Bestellung 2950 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

699+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 699

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP4N50

Description: 3.4A, 500V, 2.7OHM, N-CHANNEL MO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V

auf Bestellung 2116 Stücke:

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1110+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 1110

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FQP4N60

Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

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FQP4N60

auf Bestellung 2000 Stücke:

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FQP4N60

MOSFETs 600V N-Channel QFET

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FQP4N60_NL

MOSFET

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FQP4N80

MOSFET 800V N-Channel QFET

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FQP4N80

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FQP4N80
Produktcode: 162318

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Transistoren > MOSFET N-CH

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FQP4N80

Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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FQP4N80

Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V

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FQP4N80_Q

MOSFET 800V N-Channel QFET

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FQP4N90

FQP4N90

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209+	2.6 EUR
500+	2.4 EUR

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FQP4N90

MOSFETs 900V N-Channel QFET

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FQP4N90

Description: MOSFET N-CH 900V 4.2A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

auf Bestellung 2156 Stücke:

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167+	2.73 EUR

Mindestbestellmenge: 167

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FQP4N90

FQP4N90

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209+	2.6 EUR
500+	2.4 EUR
1000+	2.18 EUR

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FQP4N90

auf Bestellung 5080 Stücke:

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FQP4N90C

Description: MOSFET N-CH 900V 4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V

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FQP4N90C
Produktcode: 60621

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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 900 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/15
JHGF: THT

auf Bestellung 60 St.:

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1+	0.98 EUR

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FQP4N90C

MOSFET N-CH 900V 4A TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

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FQP4N90C

Trans MOSFET N-CH 900V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 14000 Stücke:

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292+	1.86 EUR
500+	1.62 EUR
1000+	1.44 EUR
10000+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 292

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FQP4N90C

Description: ONSEMI - FQP4N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 4 A, 3.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 140
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

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FQP4N90C

MOSFETs 900V N-Ch Q-FET advance C-Series

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FQP4N90_NL

MOSFET

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FQP4P25

Description: MOSFET P-CH 250V 4A TO220-3

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FQP4P40

MOSFETs 400V P-Channel QFET

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FQP4P40

Description: MOSFET P-CH 400V 3.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V

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FQP4P40

Trans MOSFET P-CH 400V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	3.37 EUR
2000+	3.22 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

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FQP4P40
Produktcode: 77220

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FQP50N06
Produktcode: 193976

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JSMicro

Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1180/31
JHGF: THT

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FQP50N06

Description: ONSEMI - FQP50N06 - MOSFET, N TO-220 TUBE 50
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FQP50N06
Produktcode: 31258

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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 50
Rds(on), Ohm: 0.022
Ciss, pF/Qg, nC: 1180/31
JHGF: THT

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1+	0.98 EUR

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FQP50N06

MOSFETs TO-220 N-CH 60V 50A

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FQP50N06

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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FQP50N06

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

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FQP50N06

JSMicro Semiconductor

Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 22mOhm; 50A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FQP50N06 Onsemi; FQP50N06 JSMICRO TFQP50n06 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke

auf Bestellung 78 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 50

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FQP50N06C
Produktcode: 205802

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JSMSemi

Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
JHGF: THT

auf Bestellung 176 St.:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FQP50N06FS-ND

MOSFET N-CH 60V 50A TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

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FQP50N06L

Trans MOSFET N-CH 60V 52,4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP50N06L TFQP50n06l
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	5.98 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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FQP50N06L
Produktcode: 180806

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Transistoren > MOSFET N-CH

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FQP50N06L

MOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level

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FQP50N06L

Description: MOSFET N-CH 60V 52.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 26.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP50N06L

Trans MOSFET N-CH 60V 52.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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FQP50N06L

Description: ONSEMI - FQP50N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 52.4 A, 0.017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 121W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

auf Bestellung 995 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP50N06L-EPKE0003

Description: MOSFET N-CH 60V 65A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 26.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP50N06LEPKE0003

auf Bestellung 77150 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP50N06L_Q

MOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level

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FQP50N06_NL/FSC

08+;

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP55N06

Description: MOSFET N-CH 60V 55A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V

auf Bestellung 2427 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

186+	2.44 EUR

Mindestbestellmenge: 186

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP55N06

MOSFETs

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FQP55N06

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FQP55N06

00+ TO-22SOP

auf Bestellung 91 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP55N06

FQP55N06

auf Bestellung 2427 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

244+	2.22 EUR
500+	2.02 EUR
1000+	1.84 EUR

Mindestbestellmenge: 244

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FQP55N10

MOSFETs 100V N-Channel QFET

auf Bestellung 390 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.63 EUR
10+	3.01 EUR
100+	2.39 EUR
250+	2.22 EUR
500+	2.2 EUR
1000+	1.87 EUR
2000+	1.64 EUR

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FQP55N10

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP55N10

Description: ONSEMI - FQP55N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 74 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP55N10

Trans MOSFET N-CH 100V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 883 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

266+	2.04 EUR
500+	1.88 EUR

Mindestbestellmenge: 266

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP55N10

Description: MOSFET N-CH 100V 55A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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FQP55N10
Produktcode: 88644

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Transistoren > MOSFET N-CH

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FQP58N08

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FQP58N08

Description: MOSFET N-CH 80V 57.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 28.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP58N08

MOSFET 80V N-Channel QFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP5N20

Description: MOSFET N-CH 200V 4.5A TO-220

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP5N20L

Rochester Electronics, LLC

Description: MOSFET N-CH 200V 4.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V

auf Bestellung 5950 Stücke:

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1025+	0.49 EUR

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FQP5N30

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

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FQP5N40

MOSFET 400V N-Channel QFET

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FQP5N40

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FQP5N40

Description: MOSFET N-CH 400V 4.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V

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FQP5N50

MOSFETs

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FQP5N50C

FQP5N50C

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733+	0.74 EUR
1000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 733

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FQP5N50C

Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V

auf Bestellung 52325 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

520+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 520

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FQP5N50C

FQP5N50C

auf Bestellung 2572 Stücke:

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733+	0.74 EUR
1000+	0.67 EUR

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FQP5N50C

MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series

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FQP5N50C

FQP5N50C

auf Bestellung 7206 Stücke:

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733+	0.74 EUR
1000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 733

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FQP5N50C

Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V

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FQP5N50C

FQP5N50C

auf Bestellung 7000 Stücke:

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733+	0.74 EUR
1000+	0.67 EUR

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FQP5N50C-F105

TO-220 06+

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FQP5N50C_F080

MOSFET

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FQP5N50C_F105

MOSFET

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FQP5N50C_NL

MOSFET N-CH/500V/5A/A.QFET C_Series

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FQP5N50C_Q

MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series

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FQP5N60C

Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

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FQP5N60C

Description: ONSEMI - FQP5N60C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 100
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

auf Bestellung 106 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FQP5N60C

MOSFETs 600V N-Ch Q-FET advance C-Series

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FQP5N60C

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

auf Bestellung 638 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

284+	1.6 EUR

Mindestbestellmenge: 284

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FQP5N60C

Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 540 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

356+	1.52 EUR
500+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 356

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FQP5N60C

N-MOSFET 600V 4.5A 2.5Ω 100W FQP5N60C FAI TFQP5n60c
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	2.83 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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FQP5N60C_Q

MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series

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FQP5N80

auf Bestellung 87090 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FQP5N80

MOSFET

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FQP5N80

Description: MOSFET N-CH 800V 4.8A TO220-3

auf Bestellung 8992 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FQP5N90

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP5N90

Description: MOSFET N-CH 900V 5.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

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FQP5N90C

2002 TO-220

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FQP5P10

Description: MOSFET P-CH 100V 4.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V

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FQP5P20

MOSFETs 200V P-Channel QFET

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP5P20

Description: MOSFET P-CH 200V 4.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V

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FQP5P20_NL

MOSFET

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FQP60N03

04+

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FQP60N03L

0122

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FQP630

Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V

auf Bestellung 5961 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

807+	0.6 EUR

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FQP630

MOSFET 200V N-Channel QFET

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FQP630
Produktcode: 116580

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP630

Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V

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FQP630TSTU

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FQP630TSTU

MOSFET Short Leads

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FQP630TSTU_NL

MOSFET

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FQP65N06
Produktcode: 57147

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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 46 A
Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1850/48
JHGF: THT

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP65N06

MOSFET TO-220 N-CH 60V 65A

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP65N06

Trans MOSFET N-CH 60V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP65N06

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP65N06

Description: ONSEMI - FQP65N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65 A, 0.016 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP65N06

Description: MOSFET N-CH 60V 65A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 25 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP6N15

Description: MOSFET N-CH 150V 6.4A TO-220

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP6N25

Description: MOSFET N-CH 250V 5.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V

auf Bestellung 1189 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

888+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 888

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FQP6N40C

TO-220

auf Bestellung 1629 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP6N40C

Description: ONSEMI - FQP6N40C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 6 A, 0.83 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.83ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 72 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP6N40C

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

469+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 469

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP6N40C

MOSFET 400V N-Ch Q-FET advance C-Series

auf Bestellung 958 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.69 EUR
10+	2.41 EUR
100+	1.88 EUR
500+	1.58 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP6N40CF

Description: MOSFET N-CH 400V 6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP6N40CF

MOSFET N-CH/400 /6A/CFET

auf Bestellung 986 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FQP6N40CF

Rochester Electronics, LLC

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FQP6N50

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

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FQP6N50

Description: MOSFET N-CH 500V 5.5A TO-220

Produkt ist nicht verfügbar

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FQP6N50C

Description: MOSFET N-CH 500V 5.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V

auf Bestellung 1661 Stücke:

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398+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 398

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FQP6N60

auf Bestellung 2000 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP6N60

Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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FQP6N60
Produktcode: 63524

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FQP6N60

MOSFETs 600V N-Channel QFET

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FQP6N60C

Description: MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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FQP6N60C

Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

391+	1.39 EUR
500+	1.28 EUR
1000+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 391

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FQP6N60C

MOSFETs 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series

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FQP6N60C

Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1700 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

391+	1.39 EUR
500+	1.28 EUR
1000+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 391

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FQP6N60C

Група товару: Транзистори Од. вим: шт

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FQP6N60C_F080

Description: MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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FQP6N70

MOSFET 700V N-Channel QFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP6N70

Description: MOSFET N-CH 700V 6.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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FQP6N70

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FQP6N70

Description: ONSEMI - FQP6N70 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FQP6N80

Description: MOSFET N-CH 800V 5.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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FQP6N80C

Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP6N80C TFQP6n80c
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 70 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	2.27 EUR

Mindestbestellmenge: 20

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FQP6N80C

Trans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FQP6N80C

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 158W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 141 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

23+	3.17 EUR
29+	2.5 EUR
33+	2.19 EUR
50+	1.64 EUR

Mindestbestellmenge: 23

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FQP6N80C
Produktcode: 129953

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FQP6N80C

MOSFETs 800V N-Ch Q-FET advance C-Series

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FQP6N80C

Description: ONSEMI - FQP6N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.5 A, 2.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 5.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 158
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

auf Bestellung 752 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FQP6N80C

Trans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

53+	2.75 EUR
63+	2.22 EUR
100+	1.45 EUR
1000+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 53

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP6N80C

Description: MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 25 V

auf Bestellung 838 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.73 EUR
50+	2.15 EUR
100+	2.11 EUR
500+	1.73 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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FQP6N80C

MOSFETs 800V N-Ch Q-FET advance C-Series

auf Bestellung 228 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.75 EUR
10+	2.38 EUR
100+	2.15 EUR
500+	1.78 EUR
1000+	1.69 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP6N80C

Trans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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FQP6N90

Description: MOSFET N-CH 900V 5.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP6N90

09+ SOT23-..

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP6N90

MOSFET 900V N-Channel QFET

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FQP6N90C

Description: ONSEMI - FQP6N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6 A, 1.93 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 167
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 167
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.93
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.93
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP6N90C

Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2,3Ohm; 6A; 167W; -55°C ~ 150°C; FQP6N90C TFQP6n90c
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 35 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

5+	5.6 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP6N90C

MOSFETs 900V N-Ch Q-FET advance C-Series

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP6N90C

Trans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 391 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

266+	2.04 EUR

Mindestbestellmenge: 266

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP6N90C

Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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FQP6N90C
Produktcode: 128174

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP6N90C_Q

MOSFETs 900V N-Ch Q-FET advance C-Series

Produkt ist nicht verfügbar

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FQP6N90_NL

MOSFET

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP6P25

Description: MOSFET P-CH 250V 6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V

auf Bestellung 127041 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

333+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 333

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP6P25

auf Bestellung 40000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP70N08

MOSFETs 80V N-Channel QFET

Produkt ist nicht verfügbar

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FQP70N08

FQP70N08

auf Bestellung 397 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

210+	2.58 EUR

Mindestbestellmenge: 210

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP70N08

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP70N08

Description: MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP70N08

FQP70N08

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

210+	2.58 EUR

Mindestbestellmenge: 210

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP70N08

Description: MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V

auf Bestellung 797 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

202+	2.31 EUR

Mindestbestellmenge: 202

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP70N10

Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP70N10

Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP70N10

Description: ONSEMI - FQP70N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.023 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 57
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 160
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 160
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

auf Bestellung 1192 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP70N10

MOSFET 100V N-Channel QFET

Produkt ist nicht verfügbar

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FQP70N10

Група товару: Транзистори Од. вим: шт

Produkt ist nicht verfügbar

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FQP7N10

Description: MOSFET N-CH 100V 7.3A TO-220

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP7N10L

Description: MOSFET N-CH 100V 7.3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 3.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V

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FQP7N10L

auf Bestellung 15200 Stücke:

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FQP7N20

auf Bestellung 2100 Stücke:

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FQP7N20

MOSFET 200V N-Channel QFET

auf Bestellung 2291 Stücke:

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2+	2.52 EUR
10+	2.27 EUR
100+	1.78 EUR
500+	1.46 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FQP7N20

Description: MOSFET N-CH 200V 6.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V

auf Bestellung 852 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.15 EUR
10+	1.92 EUR
100+	1.5 EUR
500+	1.24 EUR

Mindestbestellmenge: 9

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FQP7N20L

Description: MOSFET N-CH 200V 6.5A TO220-3

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FQP7N40

MOSFETs 400V N-Channel QFET

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FQP7N40

Description: MOSFET N-CH 400V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V

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FQP7N40

auf Bestellung 900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FQP7N60

auf Bestellung 2100 Stücke:

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FQP7N60

MOSFETs 600V N-Channel QFET

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FQP7N60

Description: MOSFET N-CH 600V 7.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V

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FQP7N60B

=SSP7N60B TO220 XPB Група товару: Транзистори Од. вим: шт

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FQP7N60C

TO-220

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FQP7N65C

Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V

auf Bestellung 25372 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

252+	1.78 EUR

Mindestbestellmenge: 252

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FQP7N80

auf Bestellung 7010 Stücke:

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FQP7N80

MOSFET NCh/800V/6.6a/1.5Ohm

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FQP7N80

Description: MOSFET N-CH 800V 6.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

auf Bestellung 11244 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

151+	3.25 EUR

Mindestbestellmenge: 151

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FQP7N80C

Trans MOSFET N-CH 800V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 66 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

44+	3.35 EUR
50+	2.79 EUR

Mindestbestellmenge: 44

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FQP7N80C

Description: MOSFET N-CH 800V 6.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V

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FQP7N80C

MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series

auf Bestellung 697 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.56 EUR
10+	4.08 EUR
100+	2.96 EUR
500+	2.55 EUR
1000+	2.45 EUR
2000+	2.36 EUR
5000+	2.34 EUR

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FQP7P06

Description: MOSFET P-CH 60V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 25 V

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FQP7P06

Trans MOSFET P-CH 60V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

390+	1.39 EUR
500+	1.21 EUR
1000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 390

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FQP7P06

Description: ONSEMI - FQP7P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 7 A, 0.41 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 45
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.41
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

auf Bestellung 849 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FQP7P06
Produktcode: 205268

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FQP7P06

MOSFETs 60V P-Channel QFET

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FQP7P06

Trans MOSFET P-CH 60V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 10897 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

253+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 253

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FQP7P06

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 25 V

auf Bestellung 350 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

312+	1.46 EUR

Mindestbestellmenge: 312

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FQP7P06

Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 410mOhm; 7A; 45W; -55°C ~ 175°C; FQP7P06 TFQP7p06
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

25+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 25

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FQP7P06

Trans MOSFET P-CH 60V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 46307 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

390+	1.39 EUR
500+	1.21 EUR
1000+	1.07 EUR
10000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 390

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FQP7P20

MOSFET 200V P-Channel QFET

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FQP7P20

Description: MOSFET P-CH 200V 7.3A TO220-3
Packaging: Tube

auf Bestellung 2458 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

468+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 468

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FQP85N06

Trans MOSFET N-CH 60V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP85N06

Trans MOSFET N-CH 60V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 5300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.94 EUR
2000+	1.76 EUR
5000+	1.64 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

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FQP85N06

Trans MOSFET N-CH 60V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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FQP85N06

Trans MOSFET N-CH 60V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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FQP85N06

MOSFETs 60V N-Channel QFET

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP85N06

Trans MOSFET N-CH 60V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 5300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

101+	1.43 EUR

Mindestbestellmenge: 101

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP85N06

Trans MOSFET N-CH 60V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP85N06

Description: ONSEMI - FQP85N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 85
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 160
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 160
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

auf Bestellung 1058 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP85N06

Description: MOSFET N-CH 60V 85A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 42.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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FQP85N06
Produktcode: 163330

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FQP8N60

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FQP8N60C

Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 4800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

320+	1.7 EUR
500+	1.47 EUR
1000+	1.31 EUR

Mindestbestellmenge: 320

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FQP8N60C

MOSFETs 600V N-Ch Q-FET advance C-Series

auf Bestellung 472 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.09 EUR
10+	3.31 EUR
100+	2.53 EUR
500+	2.11 EUR
1000+	1.85 EUR

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FQP8N60C

Description: ONSEMI - FQP8N60C - MOSFET, N, TO-220
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 5143 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP8N60C

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V

auf Bestellung 5143 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

256+	1.75 EUR

Mindestbestellmenge: 256

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP8N60C

Група товару: Транзистори Од. вим: шт

Produkt ist nicht verfügbar

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FQP8N60C

06+

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP8N60CLF

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP8N60C_NL

MOSFET

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FQP8N60C_Q

MOSFETs 600V N-Ch Q-FET advance C-Series

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FQP8N80C

Description: ONSEMI - FQP8N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 1.29 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.29ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2502 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP8N80C

Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.21 EUR
50+	3.17 EUR
100+	2.88 EUR
500+	2.36 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP8N80C

Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 840 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

840+	3.25 EUR

Mindestbestellmenge: 840

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP8N80C

Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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FQP8N80C

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.1A; Idm: 32A; 178W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 178W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
Gate charge: 45nC

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP8N80C

auf Bestellung 13000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP8N80C

Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	2.29 EUR

Mindestbestellmenge: 800

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FQP8N80C

MOSFETs 800V N-Ch Q-FET advance C-Series

auf Bestellung 989 Stücke:

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1+	6.11 EUR
10+	3.2 EUR
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FQP8N90C

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FQP8N90C

MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series

auf Bestellung 326 Stücke:

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1+	4.88 EUR
10+	4.4 EUR
25+	4.17 EUR
100+	3.61 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP8N90C

Description: MOSFET N-CH 900V 6.3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP8P10

MOSFET 100V P-Channel QFET

auf Bestellung 2666 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP8P10

Description: MOSFET P-CH 100V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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FQP8P10.

Description: ONSEMI - FQP8P10. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 8 A, 0.41 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.41
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (08-Jul-2021)

auf Bestellung 19 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP90N08

Description: MOSFET N-CH 80V 71A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 35.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP90N10V2

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP90N10V2

MOSFET 100V N-Channel Adv QFET V2 Series

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP90N10V2

fsc

09+

auf Bestellung 45200 Stücke:

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FQP90N10V2_NL

MOSFET

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FQP95N03L

MOSFETs TO-220

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP9N08

Description: MOSFET N-CH 80V 9.3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V

auf Bestellung 3153 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1025+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 1025

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP9N08L

Description: MOSFET N-CH 80V 9.3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V

auf Bestellung 5169 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1025+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 1025

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP9N15

Description: MOSFET N-CH 150V 9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V

auf Bestellung 1467 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

952+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 952

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP9N25

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP9N25

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V

auf Bestellung 132000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

533+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 533

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP9N25C

MOSFET 250V N-Channel Advance Q-FET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP9N25C

Description: MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP9N25C

auf Bestellung 50000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP9N25CTSTU

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP9N25CTSTU

Description: MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP9N25CTSTU_NL

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP9N25C_Q

MOSFET 250V N-Channel Advance Q-FET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP9N30

Description: Power Field-Effect Transistor, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP9N30

Trans MOSFET N-CH 300V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP9N30

MOSFET 300V N-Channel QFET

auf Bestellung 749 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP9N30

Description: MOSFET N-CH 300V 9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V

auf Bestellung 994 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.22 EUR
10+	2.89 EUR
100+	2.32 EUR
500+	1.91 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP9N50

2004 TO-220

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP9N50

MOSFETs 500V N-Channel QFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP9N50

500V 9A TO220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP9N50

Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP9N50C

Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP9N50C

MOSFETs 500V N-Ch Q-FET advance C-Series

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP9N50C

Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 18 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP9N50C(Mikroschaltung)
Produktcode: 60149

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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP9N50C/FSC

08+;

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP9N50C_Q

MOSFETs 500V N-Ch QFET Advane C-Series

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP9N90C

Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP9N90C
Produktcode: 117719

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP9N90C

Description: ONSEMI - FQP9N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 8 A, 1.12 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.12ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 406 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP9N90C

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 62 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	5.08 EUR
22+	3.33 EUR
50+	3.12 EUR

Mindestbestellmenge: 15

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP9N90C

Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 2825 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

22+	6.55 EUR
50+	3.44 EUR
100+	3 EUR
250+	2.86 EUR
500+	2.3 EUR

Mindestbestellmenge: 22

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP9N90C

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP9N90C

Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP9N90C

Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP9N90C

900V 8A TO220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP9N90C

MOSFETs 900V N-Channel Adv Q-FET C-Series

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.6 EUR
10+	3.94 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP9N90C

Description: MOSFET N-CH 900V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP9N90C

Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 2824 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

22+	6.56 EUR
50+	3.44 EUR
100+	3.01 EUR
250+	2.86 EUR
500+	2.3 EUR

Mindestbestellmenge: 22

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQP9P25

Description: MOSFET P-CH 250V 9.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V

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FQP9P25

ONN

auf Bestellung 840 Stücke:

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FQP9P25

MOSFETs 250V P-Channel QFET

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FQP9P25

Trans MOSFET P-CH 250V 9.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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FQP9P25
Produktcode: 77221

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FQP9P25

Description: ONSEMI - FQP9P25 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 9.4 A, 0.48 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 120W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.48ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

auf Bestellung 54 Stücke:

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FQPF1060C

auf Bestellung 20000 Stücke:

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FQPF10N20

MOSFET 200V N-Ch MOSFET

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FQPF10N20

FAIR

TO-220

auf Bestellung 60 Stücke:

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FQPF10N20

Description: MOSFET N-CH 200V 6.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

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FQPF10N20C

Trans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 2385 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

479+	1.13 EUR
533+	0.98 EUR
1000+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 479

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FQPF10N20C

Description: MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V

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FQPF10N20C

Trans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 975 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

479+	1.13 EUR
533+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 479

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FQPF10N20C

Description: ONSEMI - FQPF10N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.5 A, 0.29 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 9.5
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.29
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

auf Bestellung 350 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FQPF10N20C

MOSFETs 200V N-Ch MOSFET

auf Bestellung 2736 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.39 EUR
10+	1.67 EUR
100+	1.31 EUR
500+	1.11 EUR
1000+	0.9 EUR
2000+	0.85 EUR
5000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FQPF10N20C

Trans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

479+	1.13 EUR
533+	0.98 EUR
1000+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 479

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FQPF10N20TU

03+

auf Bestellung 2000 Stücke:

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FQPF10N50CF

MOSFET 500V N-Ch MOSFET

auf Bestellung 1983 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.82 EUR
10+	4.33 EUR
25+	4.19 EUR
100+	3.5 EUR

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FQPF10N50CF

Description: MOSFET N-CH 500V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 25 V

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FQPF10N50CF

Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 66340 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

231+	2.35 EUR
500+	2.04 EUR

Mindestbestellmenge: 231

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FQPF10N50CF

MOSFET N-CH 500V 10A TO220F Група товару: Транзистори Од. вим: шт

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FQPF10N50CF

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 25 V

auf Bestellung 67211 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

152+	2.98 EUR

Mindestbestellmenge: 152

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FQPF10N50CF

Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

231+	2.35 EUR
500+	2.04 EUR
1000+	1.81 EUR

Mindestbestellmenge: 231

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FQPF10N60

auf Bestellung 8500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FQPF10N60C

MOSFET N-CH 600V 9.5A TO-220F Група товару: Транзистори Од. вим: шт

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FQPF10N60C

Description: MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V

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FQPF10N60C

Trans MOSFET N-CH 600V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

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FQPF10N60C
Produktcode: 82364

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Transistoren > MOSFET N-CH

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FQPF10N60C

Trans MOSFET N-CH 600V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

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FQPF10N60C

MOSFETs 600V N-Ch Q-FET advance C-Series

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FQPF10N60CF

MOSFET 600V N-Ch MOSFET

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FQPF10N60CF

Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V

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FQPF10N60CT

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FQPF10N60CYDTU

MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series

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FQPF10N60CYDTU

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FQPF10N60CYDTUNL

MOSFETs

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FQPF10N60CYDTU_NL

MOSFET

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FQPF10N60C_F105

Description: MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V

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FQPF10N60C_F105

MOSFET N-CH/600V/10A/QFET C-Series

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FQPF11N40C

Description: ONSEMI - FQPF11N40C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10.5 A, 0.43 ohm, TO-220FP
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 10.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 44
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.43
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

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FQPF11N40C

Description: MOSFET N-CH 400V 10.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF11N40C

Група товару: Транзистори Од. вим: шт

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF11N40C

Trans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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FQPF11N40C

MOSFETs 400V N-Channel Advance Q-FET

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FQPF11N40C

TO-220 06+

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FQPF11N40C

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; Idm: 42A; 44W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 44W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF11N40C

Trans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF11N40CT

MOSFET N-CH/400V/11A QFET C-Series

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF11N40CT

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF11N40CT_NL

MOSFET N-CH/400V/11A/QFET C-Series

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF11N40CYDTU

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF11N40C_NL

MOSFET

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF11N40T

Description: MOSFET N-CH 400V 6.6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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FQPF11N50CF

Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 1835 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

115+	1.26 EUR

Mindestbestellmenge: 115

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF11N50CF

Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 305 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

237+	2.29 EUR

Mindestbestellmenge: 237

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF11N50CF

MOSFETs 500V N-Ch Adv Q-FET C-series (FRFET)

auf Bestellung 363 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.9 EUR
10+	3.29 EUR
100+	2.5 EUR
500+	2.25 EUR
1000+	2.24 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF11N50CF

Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 1835 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

115+	1.26 EUR

Mindestbestellmenge: 115

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF11N50CF

Description: ONSEMI - FQPF11N50CF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11 A, 0.48 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 1839 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF11N50CF

Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

237+	2.29 EUR
500+	1.99 EUR
1000+	1.76 EUR

Mindestbestellmenge: 237

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF11N50CF

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V

auf Bestellung 305 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

170+	2.67 EUR

Mindestbestellmenge: 170

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FQPF11P06

Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

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FQPF11P06

Description: ONSEMI - FQPF11P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.6 A, 0.14 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 8.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 30
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

auf Bestellung 788 Stücke:

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FQPF11P06

Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

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1000+	0.9 EUR

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FQPF11P06

Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

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2000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

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FQPF11P06

Description: MOSFET P-CH 60V 8.6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V

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FQPF11P06

Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

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FQPF11P06

Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

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FQPF11P06

Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

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FQPF11P06

Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

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FQPF11P06

MOSFET 60V P-Channel QFET

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2+	2.53 EUR
10+	2.27 EUR
100+	1.81 EUR
500+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FQPF12N50C

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FQPF12N60

FQPF12N60

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121+	4.48 EUR

Mindestbestellmenge: 121

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FQPF12N60

Description: MOSFET N-CH 600V 5.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V

auf Bestellung 55453 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

92+	4.88 EUR

Mindestbestellmenge: 92

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FQPF12N60

FQPF12N60

auf Bestellung 55000 Stücke:

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121+	4.48 EUR
500+	4.09 EUR
1000+	3.72 EUR
10000+	3.37 EUR

Mindestbestellmenge: 121

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FQPF12N60

auf Bestellung 100 Stücke:

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FQPF12N60

MOSFETs

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FQPF12N60

FQPF12N60

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121+	4.48 EUR

Mindestbestellmenge: 121

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FQPF12N60

Description: ONSEMI - FQPF12N60 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

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FQPF12N60C

MOSFETs The factory Is currently not accepting orders for this product

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FQPF12N60C

Description: ONSEMI - FQPF12N60C - MOSFET, N, TO-220F
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 623 Stücke:

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FQPF12N60C
Produktcode: 92799

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Transistoren > MOSFET N-CH

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FQPF12N60C

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V

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FQPF12N60C

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 623 Stücke:

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226+	2.4 EUR
500+	2.09 EUR

Mindestbestellmenge: 226

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FQPF12N60C
Produktcode: 92801

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Transistoren > MOSFET N-CH

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FQPF12N60C-FS

Description: 12A, 600V, 0.65OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V

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FQPF12N60C51W

auf Bestellung 2100 Stücke:

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FQPF12N60CT

MOSFET N-CH/600V/12A QFET C-Series

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FQPF12N60CT

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FQPF12N60CT_NL

MOSFET N-CH/600V/12A/QFET C-Series

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FQPF12N60C_NL

MOSFET

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FQPF12N60T

Trans MOSFET N-CH 600V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220F T/R

auf Bestellung 683 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

244+	2.22 EUR
500+	1.93 EUR

Mindestbestellmenge: 244

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FQPF12N60T

auf Bestellung 1336 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

195+	2.3 EUR

Mindestbestellmenge: 195

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FQPF12N60T

MOSFET 600V N-Channel QFET

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FQPF12N60T

Description: ONSEMI - FQPF12N60T - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1336 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FQPF12N60T

Trans MOSFET N-CH 600V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220F T/R

auf Bestellung 653 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

244+	2.22 EUR
500+	1.93 EUR

Mindestbestellmenge: 244

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FQPF12N60T_NL

MOSFET

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FQPF12N60_NL

MOSFET

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FQPF12P10

Description: MOSFET P-CH 100V 8.2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V

auf Bestellung 114717 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

356+	1.28 EUR

Mindestbestellmenge: 356

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FQPF12P10

FQPF12P10

auf Bestellung 114007 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

446+	1.22 EUR
500+	1.06 EUR
1000+	0.94 EUR
10000+	0.8 EUR
100000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 446

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FQPF12P10

MOSFETs 100V P-Channel QFET

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF12P10

Description: ONSEMI - FQPF12P10 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 18205 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FQPF12P10

FQPF12P10

auf Bestellung 710 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

446+	1.22 EUR
500+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 446

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FQPF12P20

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FQPF12P20

Description: MOSFET P-CH 200V 7.3A TO-220F

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FQPF12P20XDTU

Description: MOSFET P-CH 200V 7.3A TO-220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 3.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V

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FQPF12P20YDTU

Description: MOSFET P-CH 200V 7.3A TO-220F

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FQPF13N06

Description: ONSEMI - FQPF13N06 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2334 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF13N06

Description: MOSFET N-CH 60V 9.4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V

auf Bestellung 2334 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

606+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 606

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FQPF13N06

Trans MOSFET N-CH 60V 9.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail

auf Bestellung 1050 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

842+	0.64 EUR
1000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 842

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF13N06

Description: MOSFET N-CH 60V 9.4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF13N06L

FQPF13N06L

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FQPF13N06L

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.1A; Idm: 40A; 24W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.1A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 24W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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FQPF13N06L

FQPF13N06L

Produkt ist nicht verfügbar

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FQPF13N06L

Description: MOSFET N-CH 60V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

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FQPF13N06L

Description: ONSEMI - FQPF13N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.088 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 24
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 24
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

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FQPF13N06L

MOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level

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FQPF13N06L

FQPF13N06L

auf Bestellung 113 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FQPF13N06LTU

03+

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF13N10

Description: MOSFET N-CH 100V 8.7A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 4.35A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

auf Bestellung 146156 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

308+	1.47 EUR

Mindestbestellmenge: 308

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FQPF13N10

Description: ONSEMI - FQPF13N10 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 146156 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FQPF13N10

MOSFETs 100V N-Channel QFET

Produkt ist nicht verfügbar

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FQPF13N10L

MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level

Produkt ist nicht verfügbar

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FQPF13N10L

Description: MOSFET N-CH 100V 8.7A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 4.35A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V

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FQPF13N10_NL

MOSFET

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FQPF13N50
Produktcode: 42632

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FQPF13N50

FQPF13N50

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189+	2.87 EUR
500+	2.49 EUR
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FQPF13N50

MOSFETs 500V N-Channel QFET

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FQPF13N50

Description: MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 6.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V

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FQPF13N50

FQPF13N50

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FQPF13N50

02+

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FQPF13N50

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151+	2.98 EUR

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FQPF13N50

Description: ONSEMI - FQPF13N50 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2475 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FQPF13N50C

Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V

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FQPF13N50C

Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 358 Stücke:

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273+	1.99 EUR

Mindestbestellmenge: 273

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FQPF13N50C

auf Bestellung 24000 Stücke:

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FQPF13N50C

Description: QFC 500V 480MOHM TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

auf Bestellung 10735 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

218+	2.06 EUR

Mindestbestellmenge: 218

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FQPF13N50C

Description: ONSEMI - FQPF13N50C - QFC 500V 480MOHM TO220F
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 358 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FQPF13N50C
Produktcode: 130072

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Transistoren > MOSFET N-CH

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FQPF13N50C

MOSFETs 500V N-Ch Q-FET advance C-Series

auf Bestellung 12 Stücke:

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1+	5.14 EUR
10+	3.34 EUR
100+	2.55 EUR
500+	2.15 EUR
1000+	1.87 EUR

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FQPF13N50C

Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 10735 Stücke:

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273+	1.99 EUR
500+	1.72 EUR
1000+	1.53 EUR
10000+	1.31 EUR

Mindestbestellmenge: 273

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FQPF13N50C

MOSFET N-CH 500V 13A TO-220F Група товару: Транзистори Од. вим: шт

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FQPF13N50C-ON

Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

auf Bestellung 358 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

218+	2.06 EUR

Mindestbestellmenge: 218

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FQPF13N50CF

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 52A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 46 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	4.09 EUR
31+	2.33 EUR

Mindestbestellmenge: 18

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FQPF13N50CF

Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	3.35 EUR

Mindestbestellmenge: 500

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FQPF13N50CF

Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

auf Bestellung 21 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.04 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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FQPF13N50CF
Produktcode: 161545

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Transistoren > MOSFET N-CH

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FQPF13N50CF

MOSFETs HIGH VOLTAGE

auf Bestellung 39 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.11 EUR
10+	3.12 EUR
100+	2.82 EUR
500+	2.38 EUR

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FQPF13N50CF

Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

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FQPF13N50CSDTU

Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

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FQPF13N50CT

MOSFET N-CH/500V/13A QFET C-Series

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FQPF13N50CT

Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

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FQPF13N50CTC003

Description: MOSFET N-CHANNEL 500V, 13A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

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FQPF13N50CT_NL

MOSFET 500V, NCH, MOSFET

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FQPF13N50C_F105

Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF13N50T

Description: MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 6.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

Produkt ist nicht verfügbar

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FQPF14N15

Description: ONSEMI - FQPF14N15 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1856 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF14N15

FQPF14N15

auf Bestellung 856 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

629+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 629

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF14N15

FQPF14N15

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

629+	0.86 EUR
1000+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 629

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF14N15

Description: MOSFET N-CH 150V 9.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 25 V

auf Bestellung 1856 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

544+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 544

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF14N30

Description: MOSFET N-CH 300V 8.5A TO220F

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF14N30

auf Bestellung 8200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF15P12

Description: MOSFET P-CH 120V 15A TO220F

auf Bestellung 984 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.07 EUR
10+	3.66 EUR
100+	2.94 EUR
500+	2.42 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF15P12

MOSFET 120V P-Channel QFET

auf Bestellung 4796 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.31 EUR
10+	3.89 EUR
100+	3.12 EUR
500+	2.57 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF15P12

Description: ONSEMI - FQPF15P12 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 120 V, 15 A, 0.17 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 41
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 41
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF15P12

Trans MOSFET P-CH 120V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF16N15

Trans MOSFET N-CH 150V 11.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 218 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF16N15

Description: ONSEMI - FQPF16N15 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 754 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF16N15

Trans MOSFET N-CH 150V 11.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 218 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF16N15

Trans MOSFET N-CH 150V 11.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 754 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

379+	1.43 EUR
500+	1.24 EUR

Mindestbestellmenge: 379

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF16N15

Description: FQPF1611.61500.16OHN-CHANNEMOSFE
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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FQPF16N15

MOSFET 150V N-Ch QFET

auf Bestellung 19 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF16N25

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF16N25

Description: MOSFET N-CH 250V 9.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V

auf Bestellung 79828 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

222+	2.02 EUR

Mindestbestellmenge: 222

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF16N25

Description: ONSEMI - FQPF16N25 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 71828 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FQPF16N25C

Trans MOSFET N-CH 250V 15.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

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FQPF16N25C

MOSFET N-CH/250V /16A/QFET

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FQPF16N25C

Description: ONSEMI - FQPF16N25C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15.6 A, 0.22 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 15.6
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 43
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 43
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

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FQPF16N25C

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.8A; Idm: 62.4A; 43W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 43W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 53.5nC
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 62.4A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
On-state resistance: 0.27Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 9.8A
Gate-source voltage: ±30V

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FQPF16N25C

auf Bestellung 9950 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FQPF16N25C

Description: MOSFET N-CH 250V 15.6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V

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FQPF16N50

09+

auf Bestellung 68 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FQPF16N60

VBSEMI

N-Channel 650V 9A 123W Through Hole TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт

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FQPF17N08

Description: ONSEMI - FQPF17N08 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2970 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FQPF17N08

Description: MOSFET N-CH 80V 11.2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

auf Bestellung 2970 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

807+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 807

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FQPF17N08

FQPF17N08

auf Bestellung 2970 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

765+	0.71 EUR
1000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 765

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FQPF17N08L

Description: MOSFET N-CH 80V 11.2A TO220F

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FQPF17N40

MOSFET 400V N-Channel QFET

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FQPF17N40

Description: MOSFET N-CH 400V 9.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V

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FQPF17N40T

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FQPF17N40T

Trans MOSFET N-CH 400V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 995 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

168+	3.23 EUR
500+	2.98 EUR

Mindestbestellmenge: 168

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FQPF17N40T

MOSFET 400V N-Ch QFET

auf Bestellung 179 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FQPF17N40T

Description: ONSEMI - FQPF17N40T - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

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FQPF17P06

Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail

auf Bestellung 7029 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

429+	1.26 EUR
500+	1.1 EUR
1000+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 429

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FQPF17P06

Description: ONSEMI - FQPF17P06 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 64529 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF17P06

Description: MOSFET P-CH 60V 12A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V

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FQPF17P06

auf Bestellung 1400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FQPF17P06

Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail

auf Bestellung 57000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

429+	1.26 EUR
500+	1.1 EUR
1000+	0.97 EUR
10000+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 429

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF17P06

Description: MOSFET P-CH 60V 12A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V

auf Bestellung 64529 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

412+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 412

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF17P10

Description: MOSFET P-CH 100V 10.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF18N20V2

Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail

auf Bestellung 1234 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

219+	2.47 EUR
500+	2.14 EUR
1000+	1.91 EUR

Mindestbestellmenge: 219

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF18N20V2

Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V

auf Bestellung 1234 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

175+	2.56 EUR

Mindestbestellmenge: 175

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF18N20V2

Description: ONSEMI - FQPF18N20V2 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1234 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF18N20V2YDTU

Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V

auf Bestellung 102400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

198+	2.26 EUR

Mindestbestellmenge: 198

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF18N20V2YDTU

Description: ONSEMI - FQPF18N20V2YDTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 84800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF18N20V2YDTU

Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220F T/R

auf Bestellung 102400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

248+	2.19 EUR
500+	1.9 EUR
1000+	1.68 EUR
10000+	1.44 EUR
100000+	1.16 EUR

Mindestbestellmenge: 248

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF18N50

auf Bestellung 4463 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF18N50V2

MOSFET 500V N-Ch QFET V2 Series

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF18N50V2

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF18N50V2

Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF18N50V2SDTU

Description: ONSEMI - FQPF18N50V2SDTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 4950 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF18N50V2SDTU

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V

auf Bestellung 4845 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

173+	2.6 EUR

Mindestbestellmenge: 173

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF18N50V2SDTU

FQPF18N50V2SDTU

auf Bestellung 4845 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

228+	2.38 EUR
500+	2.18 EUR
1000+	1.98 EUR

Mindestbestellmenge: 228

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF18N50V2SDTU

MOSFET 500V/18A/.265ohm/NCH

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF18N50V2T

MOSFET 200V N-Ch adv QFET V2 Series

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF19N10

MOSFET 100V N-Channel QFET

auf Bestellung 1880 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.13 EUR
10+	1.9 EUR
100+	1.47 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	1.03 EUR
2000+	1.02 EUR
10000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF19N10

Trans MOSFET N-CH 100V 13.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF19N10

Trans MOSFET N-CH 100V 13.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 1007 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

563+	0.96 EUR
1000+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 563

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF19N10

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.6A; Idm: 54.4A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 54.4A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF19N10

06+

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF19N10

Trans MOSFET N-CH 100V 13.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

565+	0.96 EUR
1000+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 565

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF19N10

Description: ONSEMI - FQPF19N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13.6 A, 0.078 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 13.6
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.078
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF19N10

Trans MOSFET N-CH 100V 13.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 582 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

563+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 563

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF19N10

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V

auf Bestellung 1007 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

405+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 405

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF19N10L

Description: ONSEMI - FQPF19N10L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1448 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FQPF19N10L

FQPF19N10L

auf Bestellung 980 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

446+	1.22 EUR
500+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 446

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FQPF19N10L

Description: MOSFET N-CH 100V 13.6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V

auf Bestellung 1448 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

356+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 356

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FQPF19N10L

FQPF19N10L

auf Bestellung 468 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

446+	1.22 EUR

Mindestbestellmenge: 446

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FQPF19N20

Trans MOSFET N-CH 200V 11.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

310+	1.75 EUR
500+	1.61 EUR
1000+	1.47 EUR

Mindestbestellmenge: 310

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FQPF19N20

Trans MOSFET N-CH 200V 11.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

239+	2.28 EUR
500+	1.99 EUR
1000+	1.76 EUR

Mindestbestellmenge: 239

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF19N20

Description: MOSFET N-CH 200V 11.8A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V

auf Bestellung 15905 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

281+	1.74 EUR

Mindestbestellmenge: 281

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FQPF19N20

Trans MOSFET N-CH 200V 11.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail

auf Bestellung 9857 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

239+	2.28 EUR
500+	1.99 EUR
1000+	1.76 EUR

Mindestbestellmenge: 239

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF19N20

Description: MOSFET N-CH 200V 11.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF19N20

Trans MOSFET N-CH 200V 11.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

310+	1.75 EUR
500+	1.61 EUR
1000+	1.47 EUR

Mindestbestellmenge: 310

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FQPF19N20

Trans MOSFET N-CH 200V 11.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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FQPF19N20

MOSFET 200V N-Channel QFET

auf Bestellung 987 Stücke:

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1+	3.85 EUR
10+	3.47 EUR
25+	3.27 EUR
100+	2.8 EUR

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FQPF19N20

Trans MOSFET N-CH 200V 11.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

310+	1.75 EUR
500+	1.61 EUR
1000+	1.47 EUR

Mindestbestellmenge: 310

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FQPF19N20

Trans MOSFET N-CH 200V 11.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

239+	2.28 EUR

Mindestbestellmenge: 239

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF19N20

Description: MOSFET N-CH 200V 11.8A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V

auf Bestellung 10107 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

281+	1.74 EUR

Mindestbestellmenge: 281

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FQPF19N20

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 7.5A; Idm: 48A; 50W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 7.5A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF19N20

Trans MOSFET N-CH 200V 11.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 905 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

310+	1.75 EUR
500+	1.61 EUR

Mindestbestellmenge: 310

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FQPF19N20C

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 490 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

340+	1.6 EUR

Mindestbestellmenge: 340

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF19N20C

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 1107 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

83+	1.76 EUR
112+	1.25 EUR
500+	1.05 EUR
1000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 83

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FQPF19N20C

MOSFETs 200V N-Channel Advance Q-FET

auf Bestellung 4231 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.54 EUR
10+	1.72 EUR
100+	1.66 EUR
500+	1.42 EUR
1000+	1.25 EUR
2500+	1.13 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF19N20C

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

340+	1.6 EUR
500+	1.39 EUR
1000+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 340

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FQPF19N20C

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF19N20C

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.1A; 43W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12.1A
Power dissipation: 43W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®

auf Bestellung 999 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

32+	2.29 EUR
40+	1.79 EUR
46+	1.56 EUR
62+	1.16 EUR
100+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 32

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF19N20C

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 1647 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

91+	1.61 EUR
100+	1.41 EUR
500+	1.11 EUR
1000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 91

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF19N20C

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 1655 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

45+	3.23 EUR
91+	1.55 EUR
100+	1.36 EUR
500+	1.07 EUR
1000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 45

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF19N20C

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 358 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

340+	1.6 EUR

Mindestbestellmenge: 340

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF19N20C

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 680 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

54+	2.71 EUR
101+	1.39 EUR
109+	1.23 EUR
500+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 54

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF19N20C

Description: ONSEMI - FQPF19N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.14 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 19
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 43
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF19N20C

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF19N20C

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF19N20C

Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V

auf Bestellung 125 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.43 EUR
50+	1.67 EUR
100+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF19N20CYDTU

Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF19N20T

Description: 11.8A, 200V, 0.15OHM, N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

437+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 437

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF19N20T

FQPF19N20T

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

483+	1.12 EUR
505+	1.04 EUR
1000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 483

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF19N20T

Description: ONSEMI - FQPF19N20T - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF1N50

Description: MOSFET N-CH 500V 900MA TO220F

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF1N60

Description: MOSFET N-CH 600V 900MA TO220F

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF1N60T

Description: MOSFET N-CH 600V 900MA TO220F

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF1P50

Description: MOSFET P-CH 500V 1.03A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5Ohm @ 515mA, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF20N06

Description: ONSEMI - FQPF20N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.048 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 15
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 30
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF20N06

Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail

auf Bestellung 12550 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

403+	1.35 EUR

Mindestbestellmenge: 403

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF20N06

Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF20N06

Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

403+	1.35 EUR

Mindestbestellmenge: 403

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF20N06

Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail

auf Bestellung 29806 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

403+	1.35 EUR

Mindestbestellmenge: 403

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF20N06

Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

403+	1.35 EUR

Mindestbestellmenge: 403

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF20N06

MOSFETs 60V N-Channel QFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF20N06

Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

403+	1.35 EUR

Mindestbestellmenge: 403

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF20N06L

MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 269-273 Tag (e)

1+	3.26 EUR
10+	2.92 EUR
100+	2.24 EUR
500+	1.87 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF20N06L

Trans MOSFET N-CH 60V 15.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF20N06L

Description: ONSEMI - FQPF20N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15.7 A, 0.042 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 15.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 30
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF20N06L

Description: MOSFET N-CH 60V 15.7A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF20N06L

Trans MOSFET N-CH 60V 15.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF20N06L

Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 70mOhm; 15,7A; 30W; -55°C ~ 175°C; OBSOLETE; FQPF20N06L TFQPF20n06l
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	3.31 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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FQPF20N60

auf Bestellung 9450 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF22N30

Trans MOSFET N-CH 300V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 847 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

207+	2.62 EUR
500+	2.28 EUR

Mindestbestellmenge: 207

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF22N30

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 7.6A; Idm: 48A; 56W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 56W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF22N30

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF22N30

Description: MOSFET N-CH 300V 12A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

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FQPF22N30

MOSFET 300V N-Channel QFET

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FQPF22P10

Trans MOSFET P-CH 100V 13.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 1200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

45+	3.28 EUR
52+	2.71 EUR
100+	2.21 EUR
500+	1.72 EUR
1000+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 45

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FQPF22P10

Description: ONSEMI - FQPF22P10 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.2 A, 0.096 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 13.2
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 45
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.096
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

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FQPF22P10

MOSFET 100V P-Channel QFET

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FQPF22P10

Trans MOSFET P-CH 100V 13.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 1200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

48+	3.02 EUR
56+	2.49 EUR
100+	2.04 EUR
500+	1.59 EUR
1000+	1.26 EUR

Mindestbestellmenge: 48

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF22P10

Description: MOSFET P-CH 100V 13.2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF22P10
Produktcode: 197420

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FQPF27N25

MOSFETs 250V N-Channel QFET

auf Bestellung 793 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.85 EUR
10+	3.34 EUR
100+	2.92 EUR
500+	2.76 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF27N25

Description: MOSFET N-CH 250V 14A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V

auf Bestellung 46 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.46 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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FQPF27N25

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.9A; Idm: 56A; 55W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 55W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF27N25

Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF27N25

Description: ONSEMI - FQPF27N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.083 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 14
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 55
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 55
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF27N25T

Description: MOSFET N-CH 250V 14A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF27P06

Trans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 427 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

55+	2.64 EUR
67+	2.09 EUR
81+	1.67 EUR
100+	1.47 EUR

Mindestbestellmenge: 55

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF27P06

Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 47W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Power dissipation: 47W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®

auf Bestellung 37 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	2.7 EUR
37+	1.93 EUR

Mindestbestellmenge: 27

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF27P06

Trans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

92+	1.58 EUR
100+	1.41 EUR
500+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 92

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF27P06

Trans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

92+	1.58 EUR
100+	1.41 EUR
500+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 92

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF27P06

Description: ONSEMI - FQPF27P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 17 A, 0.07 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 602 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF27P06

Trans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 432 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

55+	2.65 EUR
67+	2.1 EUR
81+	1.67 EUR
100+	1.47 EUR

Mindestbestellmenge: 55

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF27P06

Description: MOSFET P-CH 60V 17A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

auf Bestellung 72 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.24 EUR
50+	2.1 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF27P06

Група товару: Транзистори Од. вим: шт

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FQPF27P06

MOSFETs 60V P-Channel QFET

auf Bestellung 3533 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.29 EUR
10+	2.13 EUR
100+	1.97 EUR
500+	1.62 EUR
1000+	1.57 EUR
2500+	1.51 EUR
5000+	1.47 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF27P06

Trans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 75 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

41+	3.53 EUR

Mindestbestellmenge: 41

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF27P06

Trans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF28N15

Description: ONSEMI - FQPF28N15 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1904 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF28N15

Description: MOSFET N-CH 150V 16.7A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 8.35A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V

auf Bestellung 1904 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

360+	1.34 EUR

Mindestbestellmenge: 360

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF28N15

FQPF28N15

auf Bestellung 1594 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

307+	1.77 EUR
500+	1.53 EUR
1000+	1.36 EUR

Mindestbestellmenge: 307

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF28N15

FQPF28N15

auf Bestellung 310 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

307+	1.77 EUR

Mindestbestellmenge: 307

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FQPF28N15T