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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FQP10N20onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 10A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP10N20FAIRCHILDTO-220AB
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP10N20ON Semiconductor / FairchildMOSFET 200V N-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP10N20CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.75 EUR
101+1.67 EUR
106+1.54 EUR
182+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP10N20ConsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP10N20Consemi / FairchildMOSFET 200V N-Ch MOSFET
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.08 EUR
10+2.78 EUR
100+2.18 EUR
500+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP10N20CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+1.63 EUR
112+1.54 EUR
193+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP10N20CFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
auf Bestellung 11045 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
452+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 452 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP10N20CFairchild
auf Bestellung 33924 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP10N20CTSTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP10N20LFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP10N60ConsemiMOSFETs 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP10N60ConsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP10N60CFSC09+ SSOP
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP10N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
216+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 216 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP10N60C_NLonsemi / FairchildMOSFETs N-CH/600V/10A/QFET C-Series
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP10N60C_Qonsemi / FairchildMOSFETs 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP11N40Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 11.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 1919 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
226+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 226 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP11N40ON Semiconductor / FairchildMOSFET 400V N-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP11N40CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1586 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.02 EUR
88+1.93 EUR
100+1.76 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP11N40CFairchildN-MOSFET 400V 10.5A 530mΩ 135W FQP11N40C Fairchild TFQP11n40c
Anzahl je Verpackung: 48 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
48+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP11N40CONSEMIDescription: ONSEMI - FQP11N40C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10.5 A, 0.43 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+3.07 EUR
88+2.64 EUR
100+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP11N40ConsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 10.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V
auf Bestellung 3605 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.43 EUR
50+2.7 EUR
100+2.44 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.82 EUR
2000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP11N40ConsemiMOSFETs 400V N-Channel Advance Q-FET
auf Bestellung 1844 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.44 EUR
10+2.67 EUR
100+2.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP11N40CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP11N40CONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; 135W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 135W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+2.7 EUR
35+2.46 EUR
40+2.13 EUR
50+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP11N40C
Produktcode: 203650
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP11N40CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1582 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.01 EUR
88+1.96 EUR
100+1.82 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP11N40CFairchildN-MOSFET 400V 10.5A 530mΩ 135W FQP11N40C Fairchild TFQP11n40c
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP11N40C_Qonsemi / FairchildMOSFETs 400V N-Channel Advance Q-FET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP11N50CFON SemiconductorFQP11N50CF
auf Bestellung 934 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
181+3.61 EUR
500+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 181 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP11N50CFON SemiconductorFQP11N50CF
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
181+3.61 EUR
500+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 181 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP11N50CFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
auf Bestellung 2116 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
137+3.89 EUR
Mindestbestellmenge: 137 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP11P06
Produktcode: 34162
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP11P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 11.4A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP11P06onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 11.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP11P06onsemi / FairchildMOSFET 60V P-Channel QFET
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP12N60ON SemiconductorFQP12N60
auf Bestellung 9376 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
189+3.45 EUR
500+3.07 EUR
1000+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP12N60Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 10.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
auf Bestellung 9664 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
151+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 151 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP12N60onsemiMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP12N60ONS/FAIТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP12N60ON SemiconductorFQP12N60
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
189+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP12N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 817 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
213+3.07 EUR
500+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 213 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP12N60ConsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP12N60CONSEMIDescription: ONSEMI - FQP12N60C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.53 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4951 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+4.34 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP12N60CFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
auf Bestellung 3340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
170+3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
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FQP12N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 3340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
213+3.07 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 213 Stücke
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FQP12N60C
Produktcode: 166497
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Transistoren > MOSFET N-CH
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FQP12N60Consemi / FairchildMOSFETs 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
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FQP12N60CONS/FAITO-220 Транзистори
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FQP12P10ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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FQP12P10onsemi / FairchildMOSFET 100V P-Channel QFET
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.78 EUR
10+2.53 EUR
25+2.48 EUR
100+2.07 EUR
250+2.02 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FQP12P10ONS/FAIMOSFET P-CH 100V 11.5A TO-220 Транзистори
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FQP12P10ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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FQP12P10onsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 11.5A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP12P10ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 859 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+1.56 EUR
125+1.36 EUR
156+1.04 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
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FQP12P20onsemiMOSFETs 200V P-Channel QFET
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FQP12P20ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP12P20ONSEMIDescription: ONSEMI - FQP12P20 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11.5 A, 0.36 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 120W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.36ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+6.38 EUR
45+5.18 EUR
100+3.96 EUR
500+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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FQP12P20
Produktcode: 46795
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP12P20onsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 11.5A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 5.75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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FQP13N06FAIR
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP13N06Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 13A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 79627 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
606+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 606 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP13N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP13N06LFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 32918 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
464+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 464 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP13N06LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 13.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP13N06LonsemiMOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP13N06LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 13.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 32442 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
645+1.01 EUR
1000+0.92 EUR
10000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 645 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP13N06LONSEMIDescription: ONSEMI - FQP13N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 13.6 A, 0.088 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.52 EUR
127+1.83 EUR
165+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP13N06LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP13N06L.ONSEMIDescription: ONSEMI - FQP13N06L. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 13.6 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 13.6
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 45
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP13N06L_Qonsemi / FairchildMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP13N10ONSEMIDescription: ONSEMI - FQP13N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12.8 A, 0.142 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 12.8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.142
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP13N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 5700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP13N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12.8A TO220-3
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP13N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 5700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
147+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 147 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP13N10onsemi / FairchildMOSFETs N-CH/100V/12.8A 0.18OHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP13N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP13N10LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12.8A TO220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP13N10LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP13N10Lonsemi / FairchildMOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP13N10LONSEMIDescription: ONSEMI - FQP13N10L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12.8 A, 0.142 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.142ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP13N10LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP13N50
Produktcode: 143458
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP13N50ON-SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP13N50 TFQP13n50
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.57 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP13N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 6.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP13N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP13N50onsemiMOSFETs 500V N-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP13N50ConsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP13N50CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
268+2.44 EUR
500+2.17 EUR
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FQP13N50ConsemiMOSFETs 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
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FQP13N50C
Produktcode: 152424
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Transistoren > MOSFET N-CH
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FQP13N50C-GonsemiDescription: N-CHANNEL QFET MOSFET 500V, 13A,
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
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FQP13N50C_F105onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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FQP14N15onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 14.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 25 V
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FQP14N30ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 300V 14.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FQP14N30ON Semiconductor / FairchildMOSFET 300V N-Channel QFET
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FQP14N30onsemiDescription: MOSFET N-CH 300V 14.4A TO220-3
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FQP15P12onsemiDescription: MOSFET P-CH 120V 15A TO220-3
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: P-Channel
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FQP15P12ONSEMIDescription: ONSEMI - FQP15P12 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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