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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
BSP 2 Way Brass 1'' Valve
Produktcode: 132833
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BSP 2 Way Stainless Steel 1'' Valve
Produktcode: 132834
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BSP 50 E6327Infineon TechnologiesDarlington Transistors NPN Silicn Darlingtn TRANSISTORS
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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BSP 50 H6327Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR
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BSP 51 E6327Infineon TechnologiesDescription: TRANS NPN DARL 60V 1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
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BSP 51 H6327Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR
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BSP 52 E6327Infineon TechnologiesDescription: TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
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BSP 52 H6327Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR
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BSP 60 E6433Infineon TechnologiesDescription: TRANS PNP DARL 45V 1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.5 W
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BSP 60 H6327Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR
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BSP 61 H6327Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR
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BSP 62 E6327
Produktcode: 162838
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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BSP 62 E6327Infineon TechnologiesDarlington Transistors PNP Silicn Darlingtn TRANSISTOR
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BSP 62 H6327Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR
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BSP 76 : BSP76E6433 : BSP76E6433HUMA1 BSP76InfineonSOT-223-4 Група товару: Інтелектуальні силові ключі (IPS) Од. вим: шт
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BSP-0NeutrikHeat Shrink Cable Boots & End Caps COLORED BOOT NPC PLG NEUTRICN BLK
auf Bestellung 88 Stücke:
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BSP-1NeutrikPhone Connectors NP-C plugs neutriCon SC8/MC8;Brown
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BSP-1BEPPanel Mounted Switches Plate
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BSP-1/2CaplugsConduit Fittings & Accessories BSP-1/2 PP08 YEL002 MICRO
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-1/4CaplugsConduit Fittings & Accessories BSP-1/4 PP08 YEL002 MICRO
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-104-BDIVРоз'єм низьковольтного живлення "банан", 4 мм, Вид = Вилка, Тип монт. = на кабель, Колір = чорний, Довж., мм = 56,... Група товару: Роз'єми Корпус: 4 mm Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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BSP-104-BAXIOMETCategory: 4mm Banana Plugs
Description: Laboratory connector: 4mm banana; plug; 32A; black; 56mm; brass
Type of lab connector: 4mm banana
Connector: plug
Current rating: 32A
Colour: black
Connector variant: insulated; with 4mm axial socket
Mounting: on cable; soldered
Conform to the norm: CAT II 600V; EN 61010
Insulator material: polyamide
Overall length: 56mm
Material: brass
Contact plating: nickel plated
auf Bestellung 2553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+1.34 EUR
62+1.16 EUR
76+0.94 EUR
100+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-104-B
Produktcode: 104292
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Multi-ContactSteckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Klemmenblock
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BSP-104-BLAXIOMETCategory: 4mm Banana Plugs
Description: Laboratory connector: 4mm banana; plug; 32A; blue; 56mm; brass
Material: brass
Conform to the norm: CAT II 600V; EN 61010
Connector variant: insulated; with 4mm axial socket
Contact plating: nickel plated
Mounting: on cable; soldered
Connector: plug
Insulator material: polyamide
Overall length: 56mm
Current rating: 32A
Type of lab connector: 4mm banana
Colour: blue
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+1.33 EUR
63+1.14 EUR
77+0.93 EUR
100+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 54
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BSP-104-BL
Produktcode: 104290
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Multi-ContactSteckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Klemmenblock
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-104-BLDIVРоз'єм низьковольтного живлення "банан", 4 мм, Вид = Вилка, Тип монт. = На кабель, Колір = синій, Довж., мм = 56,... Група товару: Роз'єми Корпус: 4 mm Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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BSP-104-GDIVРоз'єм низьковольтного живлення "банан", 4 мм, Вид = Вилка, Тип монт. = На кабель, Колір = зелений, Довж., мм = 56,... Група товару: Роз'єми Корпус: 4 mm Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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BSP-104-GAXIOMETCategory: 4mm Banana Plugs
Description: Laboratory connector: 4mm banana; plug; 32A; green; 56mm; brass
Material: brass
Conform to the norm: CAT II 600V; EN 61010
Connector variant: insulated; with 4mm axial socket
Contact plating: nickel plated
Mounting: on cable; soldered
Connector: plug
Insulator material: polyamide
Overall length: 56mm
Current rating: 32A
Type of lab connector: 4mm banana
Colour: green
auf Bestellung 571 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+1.33 EUR
63+1.14 EUR
77+0.93 EUR
100+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 54
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BSP-104-RAXIOMETCategory: 4mm Banana Plugs
Description: Laboratory connector: 4mm banana; plug; 32A; red; 56mm; brass
Type of lab connector: 4mm banana
Connector: plug
Current rating: 32A
Colour: red
Connector variant: insulated; with 4mm axial socket
Mounting: on cable; soldered
Conform to the norm: CAT II 600V; EN 61010
Insulator material: polyamide
Overall length: 56mm
Material: brass
Contact plating: nickel plated
auf Bestellung 4131 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+1.34 EUR
62+1.16 EUR
76+0.94 EUR
100+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 54
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BSP-104-RDIVРоз'єм низьковольтного живлення "банан", 4 мм, Вид = Вилка, Тип монт. = на кабель, Колір = червоний, Довж., мм = 56,... Група товару: Роз'єми Корпус: 4 mm Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-104-R
Produktcode: 104291
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Multi-ContactSteckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Klemmenblock
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-11U-12MKBelden Wire & CableOther Tools SECURE PATCH ENCL, 11U X 12D
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BSP-11U-12PKBelden Wire & CableOther Tools SECURE PATCH ENCL, 11U X 12D
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-11U-12SKBelden Wire & CableOther Tools SECURE PATCH ENCL, 11U X 12D
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BSP-11U-6MKBelden Wire & CableOther Tools SECURE PATCH ENCL, 11U X 6D
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1004.66 EUR
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BSP-11U-6PKBelden Wire & CableOther Tools SECURE PATCH ENCL, 11U X 6D
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-11U-6SKBelden Wire & CableOther Tools SECURE PATCH ENCL, 11U X 6D
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BSP-15-350(BSP-15A)INTERSIL08+;
auf Bestellung 6540 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSP-15AEQUATORBGA
auf Bestellung 13970 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSP-15A LF
Produktcode: 37296
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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BSP-15A-LFEQUATR
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSP-15A/100-0004-22AMDQFP
auf Bestellung 2215 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSP-196383-01Samtec Inc.Description: XCEDE HD HIGH-DENSITY BACKPLANE
Packaging: Tray
Connector Usage: Backplane
Connector Style: XCede®
Part Status: Active
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-196386-01Samtec Inc.Description: XCEDE HD HIGH-DENSITY BACKPLANE
Packaging: Tray
Connector Usage: Backplane
Connector Style: XCede®
Part Status: Active
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BSP-2NeutrikPhone Connectors RED BOOT FOR C-SERIE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-2Mueller ElectricMueller Electric NEUTRIC RED STRAIN RELIEF
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BSP-204-BAXIOMETCategory: 4mm Banana Plugs
Description: Laboratory connector: 4mm banana; plug; 32A; 30VAC; 60VDC; black
Connector: plug
Connector variant: insulated; with 4mm axial socket; with sliding cover
Contact plating: nickel plated
Mounting: on cable
Insulator material: polyamide
Overall length: 68.3mm
Current rating: 32A
Rated voltage: 30V AC; 60V DC
Type of lab connector: 4mm banana
Colour: black
Material: brass
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+1.52 EUR
65+1.12 EUR
100+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 48
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BSP-204-RAXIOMETCategory: 4mm Banana Plugs
Description: Laboratory connector: 4mm banana; plug; 32A; 30VAC; 60VDC; red
Connector: plug
Connector variant: insulated; with 4mm axial socket; with sliding cover
Contact plating: nickel plated
Mounting: on cable
Insulator material: polyamide
Overall length: 68.3mm
Current rating: 32A
Rated voltage: 30V AC; 60V DC
Type of lab connector: 4mm banana
Colour: red
Material: brass
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+1.52 EUR
65+1.12 EUR
100+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-226769-01SamtecHigh Speed/Modular Connectors XCede(R) HD High-Density Backplane Custom Right-Angle Module
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+50.28 EUR
10+40.94 EUR
28+38.98 EUR
56+37.12 EUR
112+35.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-226769-01Samtec Inc.Description: XCEDE HD DAUGHTER CARD ASSEMBLY
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle, Female Sockets and Blade Sockets
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Pitch: 0.071" (1.80mm)
Connector Usage: Daughtercard
Connector Style: XCede®
Part Status: Active
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+56.95 EUR
10+48.4 EUR
25+45.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-22U-12MKBelden Wire & CableOther Tools SECURE PATCH ENCL, 22U X 12D
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-22U-12MKBelden Inc.Description: SECURE PATCH ENCL 22U X 12D
Packaging: Bulk
Color: Black
Size / Dimension: 12.000" L x 38.500" H (304.80mm x 977.90mm)
For Use With/Related Products: 19" Panel Width Racks
Material: Metal, Steel
Type: Security Door
Ventilation: Non-Vented
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-22U-12PKBelden Wire & CableOther Tools SECURE PATCH ENCL, 22U X 12D
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-22U-12PKBelden Inc.Description: SECURE PATCH ENCL 22U X 12D
Packaging: Bulk
Color: Black
Size / Dimension: 12.000" L x 38.500" H (304.80mm x 977.90mm)
For Use With/Related Products: 19" Panel Width Racks
Material: Metal, Steel
Type: Security Door
Ventilation: Non-Vented
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-22U-12SKBelden Inc.Description: SECURE PATCH ENCL 22U X 12D
Packaging: Bulk
Color: Black
Size / Dimension: 12.000" L x 38.500" H (304.80mm x 977.90mm)
For Use With/Related Products: 19" Panel Width Racks
Material: Metal, Steel
Type: Security Door
Ventilation: Non-Vented
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-22U-12SKBelden Wire & CableOther Tools SECURE PATCH ENCL, 22U X 12D
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BSP-22U-6MKBelden Wire & CableOther Tools SECURE PATCH ENCL, 22U X 6D
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-22U-6MKBelden Inc.Description: SECURE PATCH ENCL 22U X 6D
Packaging: Bulk
Color: Black
Size / Dimension: 6.000" L x 38.500" H (152.40mm x 977.90mm)
For Use With/Related Products: 19" Panel Width Racks
Material: Metal, Steel
Type: Security Door
Ventilation: Non-Vented
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-22U-6PKBelden Wire & CableOther Tools SECURE PATCH ENCL, 22U X 6D
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-22U-6PKBelden Inc.Description: SECURE PATCH ENCL 22U X 6D
Packaging: Bulk
Color: Black
Size / Dimension: 6.000" L x 38.500" H (152.40mm x 977.90mm)
For Use With/Related Products: 19" Panel Width Racks
Material: Metal, Steel
Type: Security Door
Ventilation: Non-Vented
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-22U-6SKBelden Wire & CableOther Tools SECURE PATCH ENCL, 22U X 6D
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-22U-6SKBelden Inc.Description: SECURE PATCH ENCL 22U X 6D
Packaging: Bulk
Color: Black
Size / Dimension: 6.000" L x 38.500" H (152.40mm x 977.90mm)
For Use With/Related Products: 19" Panel Width Racks
Material: Metal, Steel
Type: Security Door
Ventilation: Non-Vented
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-3NeutrikHeat Shrink Cable Boots & End Caps NP-C plugs neutriCon SC8/MC8;Orange
auf Bestellung 755 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-3/4CaplugsConduit Fittings & Accessories BSP-3/4 PP08 YEL002
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.65 EUR
10+1.4 EUR
100+1.26 EUR
500+1.03 EUR
1000+0.91 EUR
2000+0.83 EUR
10000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-3/8CaplugsConduit Fittings & Accessories BSP-3/8 PP08 YEL002
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-4NeutrikPhone Connectors NP-C plug neutriCon SC8/MC8;Yellow
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-44U-6MKBelden Inc.Description: SECURE PATCH ENCL 44U X 6D
Packaging: Bulk
Color: Black
Size / Dimension: 6.000" L x 77.000" H (152.40mm x 1955.80mm)
For Use With/Related Products: 19" Panel Width Racks
Material: Metal, Steel
Type: Security Door
Ventilation: Non-Vented
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-44U-6MKBelden Wire & CableOther Tools SECURE PATCH ENCL,44U X 6D
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-44U-6PKBelden Inc.Description: SECURE PATCH ENCL 44U X 6D
Packaging: Bulk
Color: Black
Size / Dimension: 6.000" L x 77.000" H (152.40mm x 1955.80mm)
For Use With/Related Products: 19" Panel Width Racks
Material: Metal, Steel
Type: Security Door
Ventilation: Non-Vented
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-44U-6PKBelden Wire & CableOther Tools SECURE PATCH ENCL,44U X 6D
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-44U-6SKBelden Inc.Description: SECURE PATCH ENCL 44U X 6D
Packaging: Bulk
Color: Black
Size / Dimension: 6.000" L x 77.000" H (152.40mm x 1955.80mm)
For Use With/Related Products: 19" Panel Width Racks
Material: Metal, Steel
Type: Security Door
Ventilation: Non-Vented
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-44U-6SKBelden Wire & CableOther Tools SECURE PATCH ENCL,44U X 6D
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-4PR-01-HDTFSamtec Inc.Description: XCEDE HD HIGH-DENSITY BACKPLANE
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-5NeutrikPhone Connectors NP-C plug neutriCon SC8/MC8;Green
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-6NeutrikPhone Connectors NP-C plug neutriCon SC8/MC8;Blue
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-6Neutrik USA Inc.Connector Accessories Boot Blue Box
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+3.4 EUR
60+3.15 EUR
120+2.6 EUR
270+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-7NeutrikPhone Connectors NP-C plug neutriCon SC8/MC8;Violet
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-8NeutrikHeat Shrink Cable Boots & End Caps NP-C plug neutriCon SC8/MC8;Grey
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-9NeutrikHeat Shrink Cable Boots & End Caps NP-C plug neutriCon SC8/MC8;White
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-KITSLeaderTechComponent Kits Board Shield Prototyping Kit
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-PIR90-UCarlo GavazziInfrared Detectors SMART-DUPLINE OUTDOOR PIR SENSOR REV.2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-PIR90A-UCarlo GavazziInfrared Detectors SMART-DUPLINE INDOOR PIR SENSOR REV.2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP00HJBalluffDescription: MEASURING RANGE=0...250 BAR, ACC
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP030PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP030,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 10A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 24 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP030,115NexperiaMOSFETs TAPE-7 MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP030,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 10A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 24 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP030,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP030,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.02 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 8.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 8.3
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP030/BSP030PHILIPS
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP05DremelDescription: BOSCH SCREW PILOT COUNTER SINK P
Packaging: Bulk
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BSP090PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP100Dupli-ColorDescription: PAINT SHOP FINISH SYSTEM PRIMER
Packaging: Box
Type: Paint Shop Primer
Size: 32 oz
Specifications: Gray
Part Status: Active
Package Quantity: 2
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BSP100PH09+
auf Bestellung 34391 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP100,135NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP100,135 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 23578 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP100,135NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 20557 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
720+0.75 EUR
1000+0.67 EUR
10000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 720
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP100,135Nexperia USA Inc.Description: NEXPERIA BSP100 - 3.5A, 30V, 0.1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V
auf Bestellung 20683 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
518+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 518
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP100,135NexperiaMOSFETs TAPE13 MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP1010-05H03 LFBeStar ElectronicsAudio Sounder Piezo 1Vp-p 25Vp-p 2.5mA 5Vp-p 70dB 4700Hz to 5700Hz Surface Mount Solder Pad T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP103PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP105PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP106PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP107PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP108PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP109PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSP10TCQCIT Relay and SwitchDescription: SWITCH PB SPST-NO 3A 120V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 3A (AC/DC)
Mounting Type: Through Hole
Circuit: SPST-NO
Type: Standard
Switch Function: Off-Mom
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Actuator Type: Round, Plunger
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Color - Actuator/Cap: Black
Actuator Marking: No Marking
Part Status: Active
Voltage Rating - AC: 120 V
Voltage Rating - DC: 28 V
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.86 EUR
10+4.2 EUR
25+3.96 EUR
50+3.79 EUR
200+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP110PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSP110,115NexperiaMOSFET TAPE-7 MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP110,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 5V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP110,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 5V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP1109-05H1.7BeStar Technologies, Inc.Description: BUZZER PIEZO 5V 11X9MM SMD
Packaging: Box
Size / Dimension: 0.433" L x 0.354" W (11.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 4.1kHz
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Sound Pressure Level (SPL): 70dB @ 5V, 10cm
Current - Supply: 1mA
Input Type: Peak-Peak Signal
Operating Mode: Single Tone
Voltage Range: 1 ~ 25V
Technology: Piezo
Termination: Solder Tabs
Port Location: Top
Driver Circuitry: Transducer, Externally Driven
Height - Seated (Max): 0.067" (1.70mm)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 5 V
auf Bestellung 1814 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.17 EUR
10+2.08 EUR
50+1.72 EUR
100+1.3 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP1109-05H1.7 LFBeStar ElectronicsAudio Buzzer Piezo 1Vp-p 25Vp-p 4.5mA 5Vp-p 70dB 3600Hz to 4600Hz Surface Mount Solder Pad T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP120PH09+
auf Bestellung 32430 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP120BROADFIXDescription: BROADFIX - BSP120 - BROADFIX FLAT PACKERS 120 PER BAG MIXED
tariffCode: 83024200
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP121PH09+
auf Bestellung 18318 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP1212-03H03-01 LFBeStar ElectronicsAudio Buzzer Piezo 1Vp-p 25Vp-p 1mA 3Vp-p 75dB Surface Mount Solder Pad T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP1212-03H03-06BeStar Technologies, Inc.Description: 12X12 MM PIEZOELECTRIC BUZZER
Packaging: Box
Size / Dimension: 0.472" L x 0.472" W (12.00mm x 12.00mm)
Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Capacitance @ Frequency: 16000pF @ 120Hz
Voltage - Input (Max): 3V p-p
Termination: Solder Pads
Part Status: Active
Frequency: 4 kHz
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.62 EUR
10+1.98 EUR
50+1.65 EUR
100+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP1212-03H03-06 LFBeStar ElectronicsAudio Buzzer Piezo 1Vp-p 25Vp-p 1mA 3Vp-p 75dB Surface Mount Solder Pad
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP1212-03H03-06 LFBeStar ElectronicsAudio Buzzer Piezo 1Vp-p 25Vp-p 1mA 3Vp-p 75dB Surface Mount Solder Pad
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP1212-03H03-06 LFBESTARCase: SMD; Frequency: 4000Hz; Sound pressure: 75dB; Dimensions: 12.2/12/3.1 mm; Voltage: 3 V BSP1212-03H03-06 LF FHD PBBSP1212-03H03-06 LF
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP1212-05H2.5 LFBeStar ElectronicsAudio Sounder Piezo 1Vp-p 25Vp-p 3mA 5Vp-p 78dB Surface Mount Solder Pad T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 14955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
785+0.69 EUR
1000+0.61 EUR
10000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 785
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.55A; 1.5W; SC73,SOT223
Case: SC73; SOT223
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.55A
On-state resistance: 2.5Ω
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±2V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+0.66 EUR
137+0.52 EUR
175+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP122,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 750 mA, 2.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 550MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
446+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
2000+0.34 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 446
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP122,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 750 mA, 2.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115NexperiaMOSFETs BSP122/SOT223/SC-73
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115InfineonMOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
785+0.69 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 785
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP122,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 750 mA, 2.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 550MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122T/RPHILIPSO6 TO223
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP123Infineon TechnologiesMOSFET N-Channel Small Signal MOSFETs (20 V to 800 V)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP123INFLNEON07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP123 L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 370mA SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP123E6327TInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 370mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP123L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 370mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP124PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125INFINEONTO-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125
Produktcode: 25351
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125 E6327Infineon TechnologiesMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125 E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125 E6433Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125 E6433Infineon TechnologiesArray
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125 H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
auf Bestellung 5730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.71 EUR
10+1.05 EUR
100+0.69 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.46 EUR
2000+0.42 EUR
5000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125 H6327InfineonMOSFET N-Ch 600V 120mA SOT-223-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125 H6433Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
auf Bestellung 1529 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.69 EUR
10+1.05 EUR
100+0.69 EUR
500+0.53 EUR
1000+0.48 EUR
2000+0.44 EUR
4000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125 L6327Infineon TechnologiesGaN FETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125 L6433Infineon TechnologiesGaN FETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125-L6327InfineonN-MOSFET 0.12A 600V 1.8W 45Ω BSP125 TBSP125
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327Infineon technologies
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP125H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3503 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 110000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.4 EUR
2000+0.34 EUR
3000+0.32 EUR
5000+0.3 EUR
7000+0.28 EUR
10000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.46 EUR
2000+0.42 EUR
3000+0.4 EUR
5000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 110000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.41 EUR
2000+0.34 EUR
3000+0.32 EUR
5000+0.3 EUR
7000+0.28 EUR
10000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP125H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3503 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 846 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+1.1 EUR
103+0.7 EUR
140+0.51 EUR
159+0.45 EUR
200+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6791 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.64 EUR
18+1.02 EUR
100+0.66 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
auf Bestellung 4206 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.61 EUR
10+1.03 EUR
100+0.65 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.42 EUR
2000+0.36 EUR
5000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP125H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7911 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 120mA; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
Gate charge: 6.6nC
On-state resistance: 45Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: 20V
Application: automotive industry
Polarisation: N
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
auf Bestellung 10962 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.73 EUR
100+0.58 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.49 EUR
2000+0.47 EUR
4000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
225+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 225
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7077 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.8 EUR
16+1.12 EUR
100+0.73 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.51 EUR
2000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP125H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7911 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125L6327INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125L6327Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125L6327Infineon technologies
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125L6327HTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 343141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
656+0.83 EUR
1000+0.73 EUR
10000+0.63 EUR
100000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 656
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125L6327HTSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP125L6327HTSA1 - BSP125 250V-600V SMALL SIGNALOR
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 343141 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
472+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 472
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125L6433Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
auf Bestellung 211159 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
903+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 903
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125L6433HTMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP125L6433HTMA1 - BSP125 250V-600V SMALL SIGNALOR
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 88000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125L6433HTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 130700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
856+0.63 EUR
1000+0.56 EUR
10000+0.48 EUR
100000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 856
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125L6433HTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125L6433HTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 22359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
856+0.63 EUR
1000+0.56 EUR
10000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 856
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSP126NexperiaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
693+0.78 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 693
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BSP126,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP126,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 300 mA, 5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1569 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.41 EUR
2000+0.37 EUR
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.375A; 1.5W; SC73,SOT223
Case: SC73; SOT223
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.375A
On-state resistance: 7.5Ω
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 659 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+0.74 EUR
117+0.61 EUR
137+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP126,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 300 mA, 5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,115NexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.9 EUR
10+1.36 EUR
100+0.84 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP126,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 300 mA, 5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1569 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
auf Bestellung 51225 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.44 EUR
20+0.9 EUR
100+0.59 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,135Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.43 EUR
20+0.89 EUR
100+0.58 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,135NexperiaTrans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,135NexperiaMOSFETs BSP126/SOT223/SC-73
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.81 EUR
10+1.14 EUR
50+0.84 EUR
100+0.74 EUR
1000+0.55 EUR
2000+0.44 EUR
4000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,135Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,135NexperiaTrans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,135NexperiaTrans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126/S911,115NXP SemiconductorsBSP126/S911,115
auf Bestellung 195767 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
617+0.88 EUR
1000+0.78 EUR
10000+0.67 EUR
100000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 617
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126/S911,115NXP SemiconductorsBSP126/S911,115
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
617+0.88 EUR
1000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 617
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126/S911115NXPDescription: NXP - BSP126/S911115 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 204767 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126/S911115NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SC-73
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP127PH09+
auf Bestellung 16772 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP128PH09+
auf Bestellung 12430 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129
Produktcode: 100165
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129Infineon TechnologiesMOSFETs N-Channel Depletion MOSFETs (60 V to 600 V)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129 E6327Infineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129 H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 240V 350mA SOT-223-3
auf Bestellung 3301 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.66 EUR
10+1.02 EUR
100+0.67 EUR
500+0.53 EUR
1000+0.45 EUR
2000+0.41 EUR
5000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129 H6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 331 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.13 EUR
250+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 128
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129 H6327Infineon
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129 H6906Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 240V 50mA SOT-223-3
auf Bestellung 9601 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.71 EUR
10+1.72 EUR
100+1.15 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.82 EUR
2000+0.76 EUR
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129 L6327Infineon TechnologiesGaN FETs N-Ch 240V 350mA SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129 L6327InfineonГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129 L6906Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 240V 350mA SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129E6327InfineonГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129E6327TInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.45 EUR
2000+0.41 EUR
3000+0.39 EUR
5000+0.36 EUR
7000+0.35 EUR
10000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 50mA
On-state resistance: 6.5Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 1263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+0.84 EUR
122+0.59 EUR
154+0.46 EUR
161+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6327XTSA1InfineonTransistor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 20Ohm; 350mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; BSP129H6327; BSP129H6327XTSA1; BSP129H6327XTSA1/SN; BSP129H6906XTSA1; BSP129L6906HTSA1; BSP129 TBSP129
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.37 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6327XTSA1
Produktcode: 139226
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 13131 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.57 EUR
18+0.98 EUR
100+0.64 EUR
500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6327XTSA1InfineonTransistor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 20Ohm; 350mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; BSP129H6327; BSP129H6327XTSA1; BSP129H6327XTSA1/SN; BSP129H6906XTSA1; BSP129L6906HTSA1; BSP129 TBSP129
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 655 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 240V 350mA SOT-223-3
auf Bestellung 3868 Stücke:
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3+1.24 EUR
10+0.93 EUR
100+0.61 EUR
500+0.47 EUR
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2000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP129H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 350 mA, 6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 9751 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6327XTSA1InfineonMOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 117000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.38 EUR
2000+0.32 EUR
3000+0.3 EUR
5000+0.29 EUR
7000+0.27 EUR
10000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6327XTSA1InfineonTransistor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 20Ohm; 350mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; BSP129H6327; BSP129H6327XTSA1; BSP129H6327XTSA1/SN; BSP129H6906XTSA1; BSP129L6906HTSA1; BSP129 TBSP129
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 117000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.38 EUR
2000+0.32 EUR
3000+0.3 EUR
5000+0.28 EUR
7000+0.27 EUR
10000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP129H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 350 mA, 6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 9751 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
571+0.95 EUR
1000+0.84 EUR
10000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 571
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6906XTSA1InfineonМОП-транзистор 240V 6Ohm 0.05Amp, SOT-223-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4548 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
571+0.95 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 571
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6906XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 240V 350mA SOT-223-3
auf Bestellung 9851 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.85 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6906XTSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP129H6906XTSA1 - BSP129 0.35A, 240V, NCHANEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
571+0.95 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 571
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 30820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
255+0.57 EUR
484+0.29 EUR
491+0.27 EUR
499+0.26 EUR
506+0.25 EUR
514+0.23 EUR
521+0.22 EUR
530+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 255
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 30820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
491+0.29 EUR
499+0.28 EUR
506+0.27 EUR
514+0.25 EUR
521+0.24 EUR
530+0.22 EUR
1000+0.21 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 491
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 8600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
571+0.95 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 571
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6906XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
571+0.95 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 571
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
571+0.95 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 571
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 30341 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
571+0.95 EUR
1000+0.84 EUR
10000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 571
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129L6327Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129L6327INFINEON
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129L6327
Produktcode: 47967
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 236388 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
709+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 709
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129L6327HTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 236388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
985+0.55 EUR
1068+0.49 EUR
10000+0.42 EUR
100000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 985
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129L6327HTSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP129L6327HTSA1 - BSP129 0.35A, 240V, NCHANEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129L6906Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
895+0.61 EUR
1000+0.54 EUR
10000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 895
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129L6906ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP129L6906 - BSP129 0.35A, 240V, NCHANEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129L6906Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
644+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 644
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BSP129L6906HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BSP130NXPГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
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BSP130
Produktcode: 41803
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BSP130NexperiaMOSFET
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BSP130 T/RNXP SemiconductorsMOSFET TAPE-7 MOSFET
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BSP130,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 350MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
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BSP130,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 350MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
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BSP130,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 300V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BSP130,115NexperiaГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
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BSP130,115NexperiaMOSFET TAPE-7 MOSFET
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BSP1313-05H2.5 LFBeStar ElectronicsAudio Sounder Piezo 1Vp-p 25Vp-p 5mA 5Vp-p 75dB 3600Hz to 4600Hz Surface Mount Solder Pad T/R
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BSP1313-05H2.5 LFBESTARCase: SMD; Frequency: 4100Hz; Sound pressure: 85dB; Dimensions: 17/13/2.5 mm; Voltage: 12 V BSP1313-05H2.5 LF FHD PBBSP1313-05H2.5 LF
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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BSP135
Produktcode: 73096
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BSP135Infineon TechnologiesMOSFETs N-Channel Depletion MOSFETs (60 V to 600 V)
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BSP135INF09+
auf Bestellung 36772 Stücke:
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BSP135 E6327Infineon TechnologiesArray
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BSP135 E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BSP135 E6906Infineon TechnologiesArray
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BSP135 E6906Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BSP135 H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
auf Bestellung 22288 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.76 EUR
10+1.72 EUR
100+1.14 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.78 EUR
2000+0.73 EUR
5000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BSP135 H6327
Produktcode: 219814
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Transistoren > MOSFET N-CH
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BSP135 H6433Infineon TechnologiesMOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
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BSP135 H6906Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 20mA SOT-223-3
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BSP135 L6327Infineon TechnologiesGaN FETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
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BSP135 L6433Infineon TechnologiesGaN FETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
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BSP135 L6906Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
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BSP135-L6327NXP
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSP135EINFINEON09+ DIP-4
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSP135H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.99 EUR
2000+0.91 EUR
3000+0.87 EUR
5000+0.83 EUR
7000+0.8 EUR
10000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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BSP135H6327XTSA1
Produktcode: 119867
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Transistoren > MOSFET N-CH
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BSP135H6327XTSA1InfineonN-MOSFET 0.12A 600V 1.8W 45Ω BSP135 TBSP135
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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BSP135H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP135H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 9917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSP135H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10671 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.24 EUR
10+2.05 EUR
100+1.38 EUR
500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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BSP135H6327XTSA1InfineonMOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BSP135H6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Case: SOT223
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60Ω
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 1662 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+1.82 EUR
60+1.2 EUR
78+0.92 EUR
100+0.82 EUR
200+0.73 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135H6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
auf Bestellung 21161 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.8 EUR
10+1.71 EUR
100+1.19 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.86 EUR
2000+0.76 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP135H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 9917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 46000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.71 EUR
2000+0.64 EUR
3000+0.61 EUR
5000+0.58 EUR
7000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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BSP135H6433XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP135H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 6033 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135H6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
405+1.34 EUR
500+1.16 EUR
1000+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 405
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BSP135H6433XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6094 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.31 EUR
10+2.11 EUR
100+1.43 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.04 EUR
2000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135H6433XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 20mA SOT-223-3
auf Bestellung 1823 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.04 EUR
10+1.99 EUR
100+1.35 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.99 EUR
2000+0.92 EUR
4000+0.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135H6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 26655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
405+1.34 EUR
500+1.16 EUR
1000+1.03 EUR
10000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 405
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135H6433XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP135H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 25ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 6033 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSP135H6433XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135H6433XTMA1Infineon
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135H6906XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12934 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.73 EUR
10+2.4 EUR
100+1.64 EUR
500+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135H6906XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+1.2 EUR
2000+1.12 EUR
3000+1.07 EUR
5000+1.02 EUR
7000+0.99 EUR
10000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135H6906XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 20mA SOT-223-3
auf Bestellung 7901 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.78 EUR
10+2.43 EUR
100+1.66 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.22 EUR
2000+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135IXTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 98 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.39 EUR
2000+0.36 EUR
3000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1930+0.28 EUR
10000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 1930
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135IXTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP135IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135IXTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 120mA; 1.8W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 3.7nC
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 1.8W
On-state resistance: 30Ω
Drain-source voltage: 600V
Case: SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.3 EUR
2000+0.23 EUR
3000+0.22 EUR
5000+0.21 EUR
7000+0.2 EUR
10000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135IXTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
auf Bestellung 4852 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.24 EUR
10+0.77 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.34 EUR
2000+0.27 EUR
5000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135IXTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 98 pF @ 25 V
auf Bestellung 3576 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.44 EUR
20+0.89 EUR
100+0.57 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135IXTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP135IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 25ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.3 EUR
2000+0.23 EUR
3000+0.22 EUR
5000+0.21 EUR
7000+0.2 EUR
10000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135L6433Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135L6433HTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135L6906Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135L6906INF
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135L6906HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP14-3KPanduitTerminals Butt Splice, premium nylon insulated, 18 - 14 AWG
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP14-3KPanduit CorpDescription: CONN SPLICE 14-18 AWG CRIMP
Features: Brazed Seam
Packaging: Tape & Reel (TR)
Color: Blue
Wire Gauge: 14-18 AWG
Insulation: Fully Insulated
Terminal Type: Butt Splice, Inline, Individual Openings
Termination: Crimp
Number of Wire Entries: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP14-3KPanduitSplice Terminal 14-18AWG Copper Blue 24.4mm T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP14-3KPanduitSplice Terminal 14-18AWG Copper Blue 24.4mm T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP14-3KPanduit CorpDescription: CONN SPLICE 14-18 AWG CRIMP
Features: Brazed Seam
Packaging: Cut Tape (CT)
Color: Blue
Wire Gauge: 14-18 AWG
Insulation: Fully Insulated
Terminal Type: Butt Splice, Inline, Individual Openings
Termination: Crimp
Number of Wire Entries: 2
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+0.95 EUR
20+0.89 EUR
25+0.87 EUR
50+0.85 EUR
100+0.83 EUR
250+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP145PH09+
auf Bestellung 12618 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149TECH PUBLICMOSFET N-CH 200V 1,0A SOT-223-4 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149Infineon TechnologiesMOSFETs N-Channel Depletion MOSFETs (60 V to 600 V)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149 E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149 E6906Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149 E6906Infineon Technologies
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149 H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149 H6906Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 140mA SOT-223-3
auf Bestellung 1679 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.97 EUR
10+1.9 EUR
100+1.31 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.93 EUR
2000+0.86 EUR
5000+0.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149 L6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149 L6327Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Id = 660 мА, Ptot, Вт = 1,8, Udss, В = 200, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 430 @ 25, Qg, нКл = 14 @ 5, Rds = 1,8 Ом @ 660 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 400 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149 L6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 53751 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
757+0.72 EUR
1000+0.64 EUR
10000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 757
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149 L6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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BSP149 L6906Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
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BSP149E6327InfineonГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
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BSP149E6327
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BSP149H6327 BSP149 H6327InfineonMOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223-4 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BSP149H6327XTSA1InfineonTranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327; BSP149 TBSP149
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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BSP149H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP149H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 660mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BSP149H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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BSP149H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BSP149H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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86+1.69 EUR
112+1.25 EUR
113+1.19 EUR
158+0.82 EUR
250+0.78 EUR
500+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 86
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BSP149H6327XTSA1InfineonMOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BSP149H6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
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BSP149H6327XTSA1InfineonTranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327; BSP149 TBSP149
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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BSP149H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP149H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 660mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1241 Stücke:
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BSP149H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 685 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.45 EUR
12+1.55 EUR
100+1.03 EUR
500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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BSP149H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+1.3 EUR
113+1.24 EUR
158+0.85 EUR
250+0.81 EUR
500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 112
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BSP149H6327XTSA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 660 мА, Ptot, Вт = 1,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 430 @ 25, Qg, нКл = 14 @ 5 В, Rds = 1,8 Ом @ 660 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 400 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-223 Од. в
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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BSP149H6327XTSA1InfineonTranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327; BSP149 TBSP149
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
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20+1.57 EUR
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BSP149H6327XTSA1
Produktcode: 218518
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BSP149H6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
On-state resistance: 3.5Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.6A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 43
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BSP149H6327XTSA1 BSP149 H6327InfineonMOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223-4 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BSP149H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
434+1.25 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.96 EUR
10000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 434
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BSP149H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4824 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
313+0.46 EUR
317+0.44 EUR
322+0.42 EUR
328+0.39 EUR
333+0.37 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 313
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BSP149H6906XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BSP149H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
434+1.25 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 434
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BSP149H6906XTSA1
Produktcode: 218935
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BSP149H6906XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A
Case: SOT223
Technology: SIPMOS®
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
On-state resistance: 3.5Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.6A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
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BSP149H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
434+1.25 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 434
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BSP149H6906XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4824 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
215+0.67 EUR
308+0.45 EUR
313+0.43 EUR
317+0.41 EUR
322+0.38 EUR
328+0.36 EUR
333+0.34 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 215
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BSP149H6906XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 140mA SOT-223-3
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.97 EUR
10+1.9 EUR
100+1.31 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.93 EUR
2000+0.88 EUR
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BSP149L6327Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
auf Bestellung 1910 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
545+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 545
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BSP149L6327
Produktcode: 36908
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BSP149L6327BSP149L6327 Транзисторы MOS FET Small Signal
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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BSP149L6327ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP149L6327 - BSP149 60V-600V N-CHANNEL DEPLETION MOD
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSP149L6327InfineonMOSFET N-Ch 200V 0.66A, TO-261AA Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
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BSP149L6327HTSA1InfineonГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
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BSP149L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
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BSP149L6327XTInfineonГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
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BSP149L6906Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
auf Bestellung 34268 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
770+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 770
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BSP149L6906HTSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP149L6906HTSA1 - BSP149 60V-600V N-CHANNEL DEPLETION MOD
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 117202 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSP149L6906HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 122202 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
525+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 525
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BSP149L6906HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149L6906HTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 122202 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
729+0.74 EUR
1000+0.66 EUR
10000+0.57 EUR
100000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 729
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BSP15PHILIPS07+ SOT223
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSP152PH09+
auf Bestellung 15018 Stücke:
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BSP15AEQUATOR
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP15ALFEQUATOR
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP16PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSP16T1onsemiBipolar Transistors - BJT 1A 300V PNP
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BSP16T1
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP16T1onsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP16T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP16T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP16T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 100mA 300V PNP
auf Bestellung 2199 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.8 EUR
10+0.5 EUR
100+0.39 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP16T1GonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.04 EUR
28+0.64 EUR
100+0.41 EUR
500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP16T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223-4; TO261-4
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 1.5W
Current gain: 30...120
Collector-emitter voltage: 300V
Frequency: 15MHz
Polarisation: bipolar
auf Bestellung 929 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+0.59 EUR
203+0.35 EUR
315+0.23 EUR
363+0.2 EUR
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP16T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 7000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP16T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.24 EUR
2000+0.22 EUR
3000+0.2 EUR
5000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP16T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.24 EUR
2000+0.22 EUR
3000+0.2 EUR
5000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP16T1GonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP16T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 7988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2466+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2466
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP16T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP16T1GONSEMIDescription: ONSEMI - BSP16T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6226 Stücke:
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BSP17PH09+
auf Bestellung 10018 Stücke:
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BSP17InfineonГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP170INFLNEON07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSP170IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP170IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2490 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP170IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
311+0.46 EUR
380+0.37 EUR
382+0.35 EUR
483+0.27 EUR
485+0.26 EUR
573+0.21 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 311
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP170IATMA1Infineon TechnologiesDescription: BSP170IATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.88A (Ta), 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.9A, 10V
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
auf Bestellung 1958 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.16 EUR
25+0.72 EUR
100+0.47 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP170IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP170IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP170IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP170IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.24 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP170IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP170IATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs Small Signal MOSFET, -60 V
auf Bestellung 2632 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.18 EUR
10+0.73 EUR
100+0.47 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.32 EUR
3000+0.25 EUR
6000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP170IATMA1Infineon TechnologiesDescription: BSP170IATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.88A (Ta), 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.9A, 10V
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP170IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
382+0.38 EUR
483+0.29 EUR
485+0.28 EUR
573+0.23 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 382
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP170IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.88A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.24 EUR
6000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP170PUMWDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
auf Bestellung 698 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.81 EUR
16+1.13 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP170PUMWDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP170PINF09+
auf Bestellung 5018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP170P (BSP170PH6327XTSA1) SOT223-4
Produktcode: 115573
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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BSP170P E6327Infineon TechnologiesMOSFETs P-KANAL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP170P H6327Infineon
auf Bestellung 118998 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP170P H6327Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -60V -1.9A SOT-223-3
auf Bestellung 369 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.72 EUR
10+1.08 EUR
100+0.71 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.48 EUR
2000+0.45 EUR
5000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP170P L6327Infineon TechnologiesGaN FETs P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP170PE6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP170PE6327TInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP170PH6327InfineonTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 300mOhm; 1,9A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; BSP170PH6327XTSA1 BSP170P TBSP170p
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP170PH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -60V -1.9A SOT-223-3
auf Bestellung 12247 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.87 EUR
10+1.15 EUR
100+0.77 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.54 EUR
2000+0.47 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP170PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP170PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP170PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 20723 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP170PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8369 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.81 EUR
16+1.14 EUR
100+0.74 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP170PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2160+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2160
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP170PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
356+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 356
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP170PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP170PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 20723 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP170PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP170PH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+1.22 EUR
91+0.79 EUR
138+0.52 EUR
200+0.46 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
2000+0.33 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP170PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.52 EUR
2000+0.48 EUR
3000+0.45 EUR
5000+0.43 EUR
7000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP170PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+0.63 EUR
250+0.59 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.51 EUR
2500+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP170PL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP170PL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP171
Produktcode: 83584
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP171INF
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP171IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
403+0.36 EUR
453+0.31 EUR
458+0.29 EUR
533+0.24 EUR
539+0.23 EUR
596+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 403
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP171IATMA1Infineon TechnologiesDescription: BSP171IATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.9A, 10V
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
auf Bestellung 2912 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.25 EUR
23+0.78 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP171IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
458+0.32 EUR
533+0.26 EUR
539+0.25 EUR
596+0.22 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 458
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP171IATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs Small Signal MOSFET, -60 V
auf Bestellung 2515 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.27 EUR
10+0.78 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP171IATMA1Infineon TechnologiesDescription: BSP171IATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.9A, 10V
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP171IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP171IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP171IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP171IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
auf Bestellung 81000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.31 EUR
42000+0.27 EUR
63000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP171P E6327Infineon TechnologiesMOSFETs P-KANAL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP171P H6327InfineonTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 450mOhm; 1,9A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; BSP171PH6327XTSA1 BSP171P TBSP171
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 1280 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP171P H6327
Produktcode: 122767
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
InfineonTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-223
Uds,V: 60 V
Id,A: 1,9 A
Rds(on),Om: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 365/13
/: SMD
auf Bestellung 20 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP171P H6327Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP171P L6327Infineon TechnologiesGaN FETs P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP171PE6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP171PE6327
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP171PE6327TInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP171PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP171PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 41489 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP171PH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3
auf Bestellung 4992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.85 EUR
10+1.16 EUR
100+0.76 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.53 EUR
2000+0.46 EUR
5000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP171PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12789 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.83 EUR
16+1.14 EUR
100+0.75 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP171PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 218000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.44 EUR
2000+0.39 EUR
3000+0.37 EUR
5000+0.35 EUR
7000+0.33 EUR
10000+0.31 EUR
25000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP171PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 218000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.43 EUR
2000+0.39 EUR
3000+0.37 EUR
5000+0.35 EUR
7000+0.33 EUR
10000+0.31 EUR
25000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP171PH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1987 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+1.19 EUR
97+0.74 EUR
137+0.52 EUR
200+0.47 EUR
250+0.46 EUR
500+0.41 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP171PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP171PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 41489 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSP171PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.37 EUR
2000+0.33 EUR
3000+0.31 EUR
5000+0.3 EUR
7000+0.28 EUR
10000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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BSP171PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.53 EUR
2000+0.48 EUR
3000+0.46 EUR
5000+0.43 EUR
7000+0.42 EUR
10000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP171PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.37 EUR
2000+0.33 EUR
3000+0.31 EUR
5000+0.3 EUR
7000+0.28 EUR
10000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP171PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 9950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
326+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 326
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BSP171PH6327XTSA1 : BSP171P L6327 BSP171PInfineonTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BSP171PL6327INFINEON
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSP171PL6327InfineonSOT-223, -60V, -1.7A, 0.35 Ohm Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BSP171PL6327INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.7A; 1.6W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
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BSP171PL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
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BSP179H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 400V 210MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18Ohm @ 210mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 40640 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
466+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 466
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BSP179H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 400V 0.21A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 41068 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
647+0.84 EUR
1000+0.74 EUR
10000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 647
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BSP179H6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS
Produkt ist nicht verfügbar
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BSP179H6327XTSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP179H6327XTSA1 - BSP179 SIPMOS, SMALL SIGNAL N-CHANNEL
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 40640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSP179H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 400V 210MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18Ohm @ 210mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BSP18-3KPanduit CorpDescription: CONN SPLICE 16-22 AWG CRIMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Brazed Seam
Color: Red
Wire Gauge: 16-22 AWG
Insulation: Fully Insulated
Terminal Type: Butt Splice, Inline, Individual Openings
Termination: Crimp
Number of Wire Entries: 2
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BSP18-3KPanduitTerminals Butt Splice premium nylon insulated 22
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BSP1818-12H08BeStar ElectronicsCOO= CHINA
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BSP19PHILIPSSOT-223
auf Bestellung 43000 Stücke:
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BSP19NexperiaNXP Semiconductors
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BSP19 T/Ronsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
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BSP19,115NexperiaBipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product.
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.68 EUR
10+1.05 EUR
50+0.77 EUR
100+0.68 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BSP19,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 350V 0.1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 1.2 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
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BSP19,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP19,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 100 mA, 1.2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 70MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSP19,115NEXPERIACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 0.1A; 1.2W; SC73,SOT223
Case: SC73; SOT223
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 1.2W
Current gain: 40
Collector-emitter voltage: 400V
Frequency: 70MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
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BSP19,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 350V 0.1A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 1.2 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
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BSP19,115NexperiaTrans GP BJT NPN 350V 0.1A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 94873 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
677+0.8 EUR
1000+0.71 EUR
10000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 677
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BSP19,115NXPSOT223 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BSP19-QXNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 350V 0.1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 1.2 W
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP19-QXNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT223 350V .1A NPN BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP19-QXNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 350V 0.1A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 1.2 W
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP19AT1onsemiDescription: TRANS NPN 1A 350V SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
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BSP19AT1MOTSOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP19AT1 1A/400VOnsemiSOT223
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP19AT1/SP19AON
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP19AT1GonsemiDescription: TRANS NPN 350V 0.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
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BSP19AT1GOn SemiconductorSOT223 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP19AT1GonsemiDescription: TRANS NPN 350V 0.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP19GEGSMD BSP19NXPSOT223, PBFree Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP19TADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 350V 0.5A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP20NXPSOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
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BSP20PHILIPSSOT-223
auf Bestellung 43000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSP202Dupli-ColorDescription: PAINT SHOP FINISH SYSTEM BASE CO
Packaging: Box
Type: Paint Shop Base Coat
Size: 32 oz
Specifications: Brilliant Silver (Metallic)
Part Status: Active
Package Quantity: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP203Dupli-ColorDescription: PAINT SHOP FINISH SYSTEM BASE CO
Packaging: Box
Type: Paint Shop Base Coat
Size: 32 oz
Specifications: Performance Red
Part Status: Active
Package Quantity: 2
Produkt ist nicht verfügbar
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BSP204PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP205PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSP206PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP207Dupli-ColorDescription: PAINT SHOP FINISH SYSTEM BASE CO
Packaging: Box
Type: Paint Shop Base Coat
Size: 32 oz
Specifications: Hugger Orange
Part Status: Active
Package Quantity: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP209Dupli-ColorDescription: PAINT SHOP FINISH SYSTEM BASE CO
Packaging: Box
Type: Paint Shop Base Coat
Size: 32 oz
Specifications: Dark Emerald Green Metallic
Part Status: Active
Package Quantity: 2
Produkt ist nicht verfügbar
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BSP220NexperiaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
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BSP220PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSP220 T/RNXP SemiconductorsMOSFET TAPE-7 MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
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BSP220,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.47 EUR
2000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP220,115NXPГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
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BSP220,115NEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -220V; -0.225A; 1.5W; SC73,SOT223
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SC73; SOT223
Drain-source voltage: -220V
Drain current: -0.225A
Power dissipation: 1.5W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP220,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BSP220,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BSP220,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 200V 225MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
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BSP220,115NexperiaMOSFETs P-channel vertical D-MOS intermediate level FET
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BSP220,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BSP220,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BSP220,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 200V 225MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
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BSP220,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BSP220,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP220,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 200 mA, 12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BSP220,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BSP225
Produktcode: 156034
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BSP225PHISOT223
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BSP225NexperiaMOSFETs
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BSP225,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BSP225,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP225,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 200 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5392 Stücke:
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BSP225,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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539+0.27 EUR
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BSP225,115NXPMOSFET P-CH 250V 225MA SOT223 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BSP225,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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252+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 252
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BSP225,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP225,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 200 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5392 Stücke:
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BSP225,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 250V 225MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.55 EUR
19+0.97 EUR
100+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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BSP225,115NexperiaMOSFETs SOT223 250V .225A P-CH DMOS
auf Bestellung 3881 Stücke:
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2+1.54 EUR
10+0.96 EUR
100+0.62 EUR
500+0.51 EUR
5000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BSP225,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 4041 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
461+0.36 EUR
576+0.22 EUR
579+0.21 EUR
716+0.17 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 461
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BSP225,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP225,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 200 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSP225,115NEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.225A; 1.5W; SC73,SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SC73; SOT223
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -0.225A
Power dissipation: 1.5W
On-state resistance: 15Ω
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+0.89 EUR
115+0.62 EUR
126+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP225,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP225,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 250V 225MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP225,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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BSP225/S911,115NXP SemiconductorsBSP225/S911,115
auf Bestellung 313000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1095+0.49 EUR
10000+0.43 EUR
100000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1095
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP225/S911115NXP USA Inc.Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 313000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1065+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1065
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP225/S911115NXPDescription: NXP - BSP225/S911115 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 313000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP230NexperiaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP230PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP230,135NexperiaTrans MOSFET P-CH 300V 0.21A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP230,135Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 300V 210MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP230,135NexperiaTrans MOSFET P-CH 300V 0.21A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP230,135NXPMOSFET P-CH 300V 210MA SOT223 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP230,135Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 300V 210MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP230,135NexperiaMOSFET BSP230/SOT223/SC-73
auf Bestellung 241 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.87 EUR
10+0.74 EUR
100+0.54 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.36 EUR
8000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP230,135NexperiaTrans MOSFET P-CH 300V 0.21A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP230,135NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP230,135 - Leistungs-MOSFET, D-MOS, p-Kanal, 300 V, 210 mA, 17 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 210
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.5
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 17
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.8
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP230,135NexperiaTrans MOSFET P-CH 300V 0.21A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP230.115
Produktcode: 130371
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP230.115 BSP230,115NexperiaP-MOSFET, unipolar, -300V, -210mA, 1.5W, SOT223 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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BSP250NexperiaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP250JGSEMITransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 90mOhm; 5A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSP250,115; BSP250,135; BSP250 JGSEMI TBSP250 JGS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 994 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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BSP250 T/RNXP SemiconductorsMOSFETs TAPE-7 MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP250,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP250,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.3 EUR
2000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP250,115NXPP-MOSFET 3A 30V 1.65W 0.25Ω BSP250 TBSP250
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.97 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP250,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP250,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP250,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 23850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP250,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V
auf Bestellung 11740 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.95 EUR
15+1.22 EUR
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100+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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BSP250,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BSP250,115NexperiaMOSFETs BSP250/SOT223/SC-73
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BSP250,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BSP250,115
Produktcode: 210021
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BSP250,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BSP250,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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2000+0.28 EUR
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BSP250,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.56 EUR
2000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP250,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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BSP250,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP250,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 23850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP250,135Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP250,135NexperiaMOSFETs BSP250/SOT223/SC-73
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP250,135NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP250,135NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
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BSP250,135NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP250,135 - MOSFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP250,135Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V
auf Bestellung 317 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.55 EUR
19+0.97 EUR
100+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP250,135NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
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BSP250GEG
Produktcode: 30597
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BSP254PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSP254A
Produktcode: 79931
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PhilipsTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 250
Id,A: 0.2
Rds(on),Om: 10
Ciss, pF/Qg, nC: 65
/: THT
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1+0.29 EUR
10+0.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP254A,126NXP USA Inc.Description: MOSFET P-CH 250V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP254A,126NXPаналог BSS92, VP2410L (TO-92) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP255PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP280INFINEONTO-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295Infineon TechnologiesMOSFETs N-Channel Small Signal MOSFETs (20 V to 800 V)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295 E6327Infineon TechnologiesMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295 H6327Infineon
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295 H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3
auf Bestellung 3816 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.76 EUR
10+1.1 EUR
100+0.73 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.5 EUR
2000+0.47 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295 L6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295-E6327SIEMENSSOT89
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295E6327InfineonMOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295E6327TInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295H6327InfineonMOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
291+0.5 EUR
1000+0.43 EUR
2000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 291
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.94 EUR
15+1.22 EUR
100+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3
auf Bestellung 611 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.78 EUR
10+1.1 EUR
100+0.73 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.5 EUR
2000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP295H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1954 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.42 EUR
2000+0.32 EUR
4000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
367+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 367
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295H6327XTSA1InfineonN-MOSFET 1.8A 60V 1.8W 0.3Ω BSP295 TBSP295
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP295H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.22 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3773 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.42 EUR
2000+0.31 EUR
4000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
230+0.63 EUR
231+0.6 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 230
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295L6327InfineonГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
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BSP295L6327Infineon TechnologiesDescription: SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
auf Bestellung 308310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
831+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 831
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BSP295L6327HTSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP295L6327HTSA1 - BSP295 SIPMOS SMALL-SIGNAL N-CHANNEL
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 308219 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSP295L6327HTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 308219 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
960+0.56 EUR
1017+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 960
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BSP295L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
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BSP295L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
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BSP296INF09+
auf Bestellung 11018 Stücke:
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BSP296 E6327INFINEON00+;
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSP296 E6433Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BSP296 E6433Infineon TechnologiesInfineon
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BSP296 L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3
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BSP296 L6327INFINEONSMD 01+
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSP296 L6433Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BSP296L6327Infineon TechnologiesDescription: SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
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BSP296L6327Infineon technologies
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSP296L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BSP296L6433INFINEON
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSP296L6433Infineon TechnologiesDescription: SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 25 V
auf Bestellung 6756 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1094+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1094
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BSP296L6433HTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BSP296L6433HTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4081 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1124+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1124
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BSP296L6433HTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1124+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1124
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BSP296L6433HTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1124+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1124
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BSP296N H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3
auf Bestellung 3103 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.53 EUR
10+0.95 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
2000+0.39 EUR
5000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BSP296N H6433Infineon TechnologiesMOSFETs SMALL SIGNAL N-CH
auf Bestellung 2273 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.65 EUR
10+1.03 EUR
100+0.67 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.47 EUR
2000+0.44 EUR
4000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
401+0.36 EUR
451+0.31 EUR
455+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 401
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4713 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.65 EUR
18+1.03 EUR
100+0.67 EUR
500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6327XTSA1InfineonTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 BSP296NH6433XTMA1; BSP296NH6433XTMA-0; BSP296NH6327XTSA1 TBSP296N
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
316+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 316
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP296NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.41 EUR
2000+0.38 EUR
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3
auf Bestellung 31989 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.36 EUR
10+0.82 EUR
100+0.54 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.39 EUR
2000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6327XTSA1InfineonTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 BSP296NH6433XTMA1; BSP296NH6433XTMA-0; BSP296NH6327XTSA1 TBSP296N
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
345+0.42 EUR
387+0.36 EUR
434+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 345
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSP296NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP296NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4523 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 68000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 68000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+1.25 EUR
171+0.82 EUR
200+0.78 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6433XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP296NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.329 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.329ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6433XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs SMALL SIGNAL N-CH
auf Bestellung 3193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.64 EUR
10+1.02 EUR
100+0.67 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.47 EUR
2000+0.43 EUR
4000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6433XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 11803 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.8 EUR
16+1.12 EUR
100+0.73 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.51 EUR
2000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6433XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP296NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.329 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.329ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6433XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.38 EUR
8000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP297TECH PUBLICN-CHANNEL 200V 1A 2.1W Surface Mount SOT-223 BSP297 SOT-223 TECH PUBLIC TBSP297 TEC
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP297InfineonN-MOSFET 0.66A 200V 1.8W 1.8Ω BSP297 TBSP297
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP297InfineonГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP297 E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 357 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP297 H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
auf Bestellung 1058 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.85 EUR
10+1.15 EUR
100+0.76 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.52 EUR
2000+0.49 EUR
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP297 L6327Infineon TechnologiesGaN FETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP297 L6327Infineon
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP297E6327InfineonГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP297H6327Infineon technologies
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP297H6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
auf Bestellung 42706 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.83 EUR
10+1.15 EUR
100+0.76 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.52 EUR
2000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP297H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP297H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 357 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8119 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.01 EUR
14+1.26 EUR
100+0.83 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP297H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.47 EUR
2000+0.41 EUR
5000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP297H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.43 EUR
2000+0.38 EUR
5000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP297H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP297H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 660mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP297H6327XTSA1InfineonN-Channel 200V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP297H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP297H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.47 EUR
2000+0.41 EUR
5000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP297H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+1.21 EUR
128+1.09 EUR
168+0.8 EUR
200+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP297H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 357 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.58 EUR
2000+0.53 EUR
3000+0.51 EUR
5000+0.48 EUR
7000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP297H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.43 EUR
2000+0.38 EUR
5000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP297H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1633 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
137+1.05 EUR
147+0.95 EUR
192+0.7 EUR
500+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 137
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP297H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP297H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 660mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 837 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP297L6327Infineon TechnologiesDescription: SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 357 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP297L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 357 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP298INF09+
auf Bestellung 32518 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP298 E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 400V 500MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP298 E6327Infineon Technologies
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP298 H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 400V 500mA SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP298 L6327Infineon TechnologiesGaN FETs N-Ch 400V 500mA SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP298H6327XUSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 400V 0.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
194+2.8 EUR
500+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 194
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP298H6327XUSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP298H6327XUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 500 mA, 2.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 500
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.8
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.2
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP298H6327XUSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 400V 500MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP298H6327XUSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 400V 500mA SOT-223-3
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BSP298H6327XUSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP298H6327XUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 500 mA, 2.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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BSP298H6327XUSA1InfineonMOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BSP298L6327
Produktcode: 56811
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BSP298L6327HUSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 400V 500MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BSP299Infineon TechnologiesMOSFET N-Channel Small Signal MOSFETs (20 V to 800 V)
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BSP299INF09+
auf Bestellung 36772 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSP299 E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP299 E6327Infineon TechnologiesInfineon
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BSP299 H6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 500V 400mA SOT-223-3
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BSP299 H6327InfineonTrans MOSFET N-CH 500V 0.4A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 BSP299H6327XUSA1 BSP299H TBSP299h
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP299 L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 500V 400mA SOT-223-3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP299H6327Infineon technologies
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP299H6327XUSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP299H6327XUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 400 mA, 3.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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BSP299H6327XUSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 500V 400mA SOT-223-3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP299H6327XUSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP299H6327XUSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 0.4A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP299H6327XUSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP299H6327XUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 400 mA, 3.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 400
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.8
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP299H6327XUSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP299L6327Infineon TechnologiesDescription: SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP299L6327HUSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
auf Bestellung 18062 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
547+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 547
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP299L6327HUSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP3-120Thomas Research ProductsDescription: SPD 150VAC/200VDC MCOV 3 POLE
Packaging: Box
Mounting Type: Free Hanging
Approval Agency: cURus, UL
Form: Module Only
Part Status: Active
Number of Poles: 3
Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 150VAC, 200VDC
Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 10 kA
Current - Discharge (Max) (8/20µS): 10 kA
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP3-120-LCThomas Research ProductsDescription: SPD 150VAC/200VDC MCOV 3 POLE
Packaging: Box
Mounting Type: Free Hanging
Approval Agency: cURus, UL
Form: Module Only
Number of Poles: 3
Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 150VAC, 200VDC
Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 10 kA
Current - Discharge (Max) (8/20µS): 10 kA
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP3-208/240Thomas Research ProductsDescription: SPD 275VAC/350VDC MCOV 3 POLE
Packaging: Box
Mounting Type: Free Hanging
Approval Agency: cURus, UL
Form: Module Only
Number of Poles: 3
Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 275VAC, 350VDC
Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 10 kA
Current - Discharge (Max) (8/20µS): 10 kA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP3-208/240-LCThomas Research ProductsDescription: SPD 275VAC/350VDC MCOV 3 POLE
Packaging: Box
Mounting Type: Free Hanging
Approval Agency: cURus, UL
Form: Module Only
Part Status: Active
Number of Poles: 3
Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 275VAC, 350VDC
Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 10 kA
Current - Discharge (Max) (8/20µS): 10 kA
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP3-277Thomas Research ProductsDescription: SPD 320VAC/420VDC MCOV 3 POLE
Packaging: Box
Mounting Type: Free Hanging
Approval Agency: cURus, UL
Form: Module Only
Number of Poles: 3
Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 320VAC, 420VDC
Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 10 kA
Current - Discharge (Max) (8/20µS): 10 kA
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP3-277-20KAThomas Research ProductsDescription: SPD 320VAC/420VDC MCOV 3 POLE
Packaging: Box
Mounting Type: Free Hanging
Approval Agency: CE, cURus, UL
Form: Module Only
Number of Poles: 3
Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 320VAC, 420VDC
Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 20 kA
Current - Discharge (Max) (8/20µS): 20 kA
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP3-277-20KA-TNThomas Research ProductsDescription: SPD 320VAC/420VDC MCOV 3 POLE
Packaging: Box
Mounting Type: Free Hanging
Approval Agency: CE, cURus, UL
Form: Module Only
Number of Poles: 3
Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 320VAC, 420VDC
Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 20 kA
Current - Discharge (Max) (8/20µS): 20 kA
auf Bestellung 214 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.9 EUR
10+32.14 EUR
25+30.2 EUR
100+28.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP3-277-LCThomas Research ProductsDescription: SPD 320VAC/420VDC MCOV 3 POLE
Packaging: Box
Mounting Type: Free Hanging
Approval Agency: cURus, UL
Form: Module Only
Number of Poles: 3
Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 320VAC, 420VDC
Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 10 kA
Current - Discharge (Max) (8/20µS): 10 kA
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP3-347Thomas Research ProductsDescription: SPD 420VAC/560VDC MCOV 3 POLE
Packaging: Box
Mounting Type: Free Hanging
Approval Agency: cURus, UL
Form: Module Only
Part Status: Active
Number of Poles: 3
Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 420VAC, 560VDC
Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 10 kA
Current - Discharge (Max) (8/20µS): 10 kA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP3-347-LCThomas Research ProductsDescription: SPD 420VAC/560VDC MCOV 3 POLE
Packaging: Box
Mounting Type: Free Hanging
Approval Agency: cURus, UL
Form: Module Only
Part Status: Active
Number of Poles: 3
Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 420VAC, 560VDC
Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 10 kA
Current - Discharge (Max) (8/20µS): 10 kA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP3-480Thomas Research ProductsDescription: SPD 550VAC/715VDC MCOV 3 POLE
Packaging: Box
Mounting Type: Free Hanging
Approval Agency: cURus, UL
Form: Module Only
Number of Poles: 3
Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 550VAC, 715VDC
Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 10 kA
Current - Discharge (Max) (8/20µS): 10 kA
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP3-480-20KAThomas Research ProductsDescription: SPD 550VAC/745VDC MCOV 3 POLE
Packaging: Box
Mounting Type: Free Hanging
Approval Agency: CE, cURus, UL
Form: Module Only
Part Status: Active
Number of Poles: 3
Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 550VAC, 745VDC
Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 20 kA
Current - Discharge (Max) (8/20µS): 20 kA
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP3-480-20KA-TNThomas Research ProductsDescription: LIGHTING SURGE PROTECTOR 480V
Packaging: Box
Mounting Type: Free Hanging
Approval Agency: CE, cURus, UL
Form: Module Only
Part Status: Active
Number of Poles: 3
Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 550VAC, 745VDC
Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 20 kA
Current - Discharge (Max) (8/20µS): 20 kA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP3-480-LCThomas Research ProductsDescription: SPD 550VAC/715VDC MCOV 3 POLE
Packaging: Box
Mounting Type: Free Hanging
Approval Agency: cURus, UL
Form: Module Only
Number of Poles: 3
Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 550VAC, 715VDC
Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 10 kA
Current - Discharge (Max) (8/20µS): 10 kA
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP30PHILIPS07+ SOT223
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP300BROADFIXDescription: BROADFIX - BSP300 - BROADFIX FLAT PACKERS 300 PER TUB MIXED
tariffCode: 83024200
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP300 E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 190MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP300 E6327Infineon TechnologiesInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP300 H6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 800V 190mA SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP300 L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 800V 190mA SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP300H6327XUSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP300H6327XUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 190 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP300H6327XUSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 0.19A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP300H6327XUSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 190MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP300H6327XUSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP300H6327XUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 190 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 190
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.8
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: SIPMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 15
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP300H6327XUSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 800V 190mA SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP300H6327XUSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 190MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP300L6327HUSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 190MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
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BSP304PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSP304A,126NXP USA Inc.Description: MOSFET P-CH 300V 170MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
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BSP308INFLNEON07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSP31NexperiaArray
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BSP31PHILIPSSOT-223
auf Bestellung 43000 Stücke:
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BSP31 T/RonsemiBipolar Transistors - BJT
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BSP31,115NexperiaTrans GP BJT PNP 60V 1A 1300mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSP31,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 60V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
Qualification: AEC-Q100
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP31,115NexperiaTrans GP BJT PNP 60V 1A 1300mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 2240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
674+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 674
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BSP31,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP31,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 983 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSP31,115NexperiaTrans GP BJT PNP 60V 1A 1300mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 2240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
674+0.21 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 674
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP31,115NexperiaTrans GP BJT PNP 60V 1A 1300mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2434+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2434
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BSP31,115NexperiaBipolar Transistors - BJT SOT223 60V PNP GP BJT
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BSP31,115NexperiaTrans GP BJT PNP 60V 1A 1300mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2434+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2434
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP31,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP31,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 898 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSP31,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 60V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 774 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.32 EUR
22+0.82 EUR
100+0.53 EUR
500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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BSP31,115NexperiaTrans GP BJT PNP 60V 1A 1300mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP31,115NexperiaTrans GP BJT PNP 60V 1A 1300mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP31-FILTERBrady CorporationDescription: ASSY FILTER BSP31 RC
Packaging: Bulk
Part Status: Active
For Use With/Related Products: Printers
Accessory Type: Filter
Specifications: Black
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BSP31-QXNexperia BSP31-Q/SOT223/SC-73
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BSP31/PH1BPHI
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSP315SiemensDescription: MOSFET P-CH 50V 1A SOT223
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Power Dissipation (Max): 1.8W
Supplier Device Package: SOT-223
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
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BSP315INF09+
auf Bestellung 33427 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP315 E6327INFINEONSOT223
auf Bestellung 1519 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSP315P
Produktcode: 41790
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BSP315PUMWDescription: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.39 EUR
21+0.86 EUR
100+0.56 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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BSP315PINF09+
auf Bestellung 32430 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSP315PTECH PUBLICTransistor P-Channel MOSFET; -60V; +/-20V; 130mOhm; -3A; 2W; -55°C~150°C; BSP315P SOT223 TEC TBSP315p TEC
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 493 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP315PUMWTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 95mOhm; 1,17A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSP315P-E6327; BSP315PH6327XTSA1; BSP315P UMW TBSP315p UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP315PUMWDescription: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP315PJGSEMITransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 230mOhm; 2A; 2W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: BSP315P-E6327; BSP315PH6327XTSA1; BSP315P JGSEMI TBSP315p JGS
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP315PTECH PUBLICTransistor P-Channel MOSFET; -60V; +/-20V; 130mOhm; -3A; 2W; -55°C~150°C; BSP315P SOT223 TEC TBSP315p TEC
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1467 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP315P E6327Infineon TechnologiesMOSFET P-KANAL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP315P H6327InfineonP-CHMOS-FET1,17A60VSOT223 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP315P H6327Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -60V -1.17A SOT-223-3
auf Bestellung 1956 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.53 EUR
10+0.95 EUR
100+0.62 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.41 EUR
2000+0.39 EUR
5000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP315P L6327Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -60V 1.17A SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP315P-E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP315PE6327InfineonP-CHMOS-FET1,17A60VSOT223 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP315PE6327TInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.28 EUR
2000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP315PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.17 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP315PH6327XTSA1InfineonP-MOSFET 1.17A 50V 1.8W 0.8Ω BSP315P TBSP315p
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.28 EUR
2000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesP-канальний ПТ, Udss, В = 10, Id = 1,17, Ciss, пФ @ Uds, В = 60 @ 25, Qg, нКл = 7.8, Rds = 800 мОм, Ugs(th) = ±20, Р, Вт = 1.8, Тексп, °C = -55...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: PG-SOT223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4018 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
138+1.05 EUR
204+0.68 EUR
500+0.58 EUR
2000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 138
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP315PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.17 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP315PH6327XTSA1InfineonP-MOSFET 1.17A 50V 1.8W 0.8Ω BSP315P TBSP315p
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.45 EUR
2000+0.41 EUR
3000+0.39 EUR
5000+0.37 EUR
7000+0.35 EUR
10000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -60V -1.17A SOT-223-3
auf Bestellung 2849 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.48 EUR
10+0.9 EUR
100+0.61 EUR
500+0.47 EUR
1000+0.32 EUR
10000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.29 EUR
2000+0.28 EUR
3000+0.27 EUR
5000+0.25 EUR
7000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP315PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.17 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP315PH6327XTSA1InfineonMOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 20123 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.58 EUR
18+0.99 EUR
100+0.65 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.29 EUR
2000+0.28 EUR
3000+0.26 EUR
5000+0.25 EUR
7000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP315PL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP315PL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP315PL6327XTInfineon
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP315PL6327 
auf Bestellung 5080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP316INFLNEONSOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP316PINF09+
auf Bestellung 38774 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP316P H6327Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -100V -680mA SOT-223-3
auf Bestellung 15167 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.71 EUR
10+1.05 EUR
100+0.69 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
2000+0.42 EUR
5000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP316PE6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP316PE6327TInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
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Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.43 EUR
2000+0.39 EUR
3000+0.38 EUR
5000+0.35 EUR
7000+0.34 EUR
10000+0.33 EUR
25000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
253+0.57 EUR
263+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 253
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP316PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 680 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 25301 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.51 EUR
19+0.95 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.28 EUR
5000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP316PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 680 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -100V -680mA SOT-223-3
auf Bestellung 37705 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.62 EUR
10+0.97 EUR
100+0.66 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.37 EUR
2000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
305+0.47 EUR
306+0.46 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 305
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP316PL6327INFINEON
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP316PL6327Infineon TechnologiesDescription: P-CHANNEL MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP316PL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP317INFLNEONSOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP317P E6327Infineon TechnologiesMOSFET P-KANAL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP317P H6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 250V 0.43A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+0.96 EUR
250+0.88 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.76 EUR
2500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP317P H6327Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -250V -430mA SOT-223-3
auf Bestellung 16241 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.83 EUR
10+1.14 EUR
100+0.74 EUR
500+0.59 EUR
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Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP317P L6327Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -250V 430mA SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP317PE6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 430mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 262 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP317PE6327TInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 430mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 262 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP317PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 430mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 262 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5096 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.76 EUR
16+1.11 EUR
100+0.73 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP317PH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -250V -430mA SOT-223-3
auf Bestellung 18728 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.72 EUR
10+1.1 EUR
100+0.73 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
2000+0.42 EUR
5000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP317PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 250V 0.43A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.44 EUR
2000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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BSP317PH6327XTSA1InfineonMOSFET P-CH 250V 0.43A SOT223 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BSP317PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 250V 0.43A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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BSP317PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 250V 0.43A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.45 EUR
2000+0.4 EUR
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BSP317PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 430mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 262 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.51 EUR
2000+0.47 EUR
3000+0.45 EUR
5000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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BSP317PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 250V 0.43A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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BSP317PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP317PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 430 mA, 3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSP317PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 250V 0.43A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
155+0.94 EUR
176+0.79 EUR
204+0.66 EUR
213+0.61 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 155
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BSP317PL6327Infineon TechnologiesDescription: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 430mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 262 pF @ 25 V
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BSP317PL6327
Produktcode: 43505
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BSP317PL6327InfineonP-кан. MOSFET 250V, 0.43A, 1.8Вт, 4.0Ом, SOT-223 (SMD) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BSP317PL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 430mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 262 pF @ 25 V
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BSP318INFLNEONSOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
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BSP318S E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BSP318S H6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 2.6A SOT-223-3
auf Bestellung 34252 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+1.14 EUR
100+0.89 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.61 EUR
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BSP318S L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 2.6A SOT-223-3
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BSP318S Transistor
Produktcode: 57383
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BSP318S-L6327Infineon
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSP318SH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP318SH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -999
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 9577 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSP318SH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
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BSP318SH6327XTSA1InfineonMOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BSP318SH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
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BSP318SH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP318SH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -999
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 9577 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP318SH6327XTSA1InfineonTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 150mOhm; 2,6A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSP318SH6327XTSA1; BSP318SH6534XTMA1; BSP318SL6327HTSA1; BSP318S L6327; BSP318SH6327XTSA1; BSP318S; BSP318S-VB; BSP318S(UMW); BSP318SH6327XTSA1 TBSP318s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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BSP318SH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP318SH6327XTSA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 2,6 А, Ptot, Вт = 1,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 380 @ 25, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 90 мОм @ 2,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 20 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим:
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
verfügbar 207 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP318SH6327XTSA1
Produktcode: 144529
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP318SH6327XTSA1InfineonTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 150mOhm; 2,6A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSP318SH6327XTSA1; BSP318SH6534XTMA1; BSP318SL6327HTSA1; BSP318S L6327; BSP318SH6327XTSA1; BSP318S; BSP318S-VB; BSP318S(UMW); BSP318SH6327XTSA1 TBSP318s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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BSP318SH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 2.6A SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP318SL6327INFINEONTO126
auf Bestellung 16300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP318SL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP318SL6327HTSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP318SL6327HTSA1 - BSP318 SIPS SMALL-SIGNAL N-CHANNEL
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2793000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP318SL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2256860 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
945+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 945
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP318SL6327HTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 2.6A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2256860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1424+0.38 EUR
10000+0.33 EUR
100000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 1424
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP319INF09+
auf Bestellung 10018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP319S
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP32PHILIPSSOT-223
auf Bestellung 43000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP32,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 80V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.3 W
Qualification: AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP32,115NexperiaBipolar Transistors - BJT BSP32/SOT223/SC-73
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP32,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 80V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.3 W
Qualification: AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
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BSP320INF09+
auf Bestellung 52604 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP320SInfineon TechnologiesMOSFETs N-Channel Small Signal MOSFETs (20 V to 800 V)
Produkt ist nicht verfügbar
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BSP320SINF09+
auf Bestellung 32430 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSP320S E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP320S E6327Infineon TechnologiesInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP320S E6433Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BSP320S E6433Infineon TechnologiesInfineon
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BSP320S H6327Infineon
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BSP320S H6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 2.9A SOT-223-3
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3+1.23 EUR
10+1.08 EUR
100+0.74 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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BSP320S H6433Infineon TechnologiesMOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS
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BSP320S L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 2.9A SOT-223-3
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BSP320S L6433Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 2.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2441 Stücke:
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1424+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1424
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BSP320S L6433Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 2.9A SOT-223-3
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BSP320SH6327Infineon technologies
auf Bestellung 50 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP320SH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 2.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP320SH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP320SH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP320SH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 2.9A SOT-223-3
auf Bestellung 15501 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.23 EUR
10+0.92 EUR
100+0.69 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP320SH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 582 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.83 EUR
16+1.15 EUR
100+0.75 EUR
500+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP320SH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 2.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP320SH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP320SH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP320SH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP320SH6433XTMA1Infineon TechnologiesBSP320SH6433XTMA1
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
944+0.57 EUR
1023+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 944
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP320SH6433XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SIPMOS Sm-Signal 60V 120mOhm 2.9A
auf Bestellung 2615 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.29 EUR
10+1.14 EUR
100+0.78 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.55 EUR
2000+0.5 EUR
4000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP320SH6433XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP320SL6327Infineon TechnologiesDescription: SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1385+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1385
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP320SL6327Infineon technologies
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP320SL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP320SL6327HTSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP320SL6327HTSA1 - BSP320 SIPS SMALL-SIGNAL N-CHANNEL
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP320SL6327HTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 2.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 53000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1124+0.48 EUR
10000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 1124
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP320SL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP320SL6327HTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 2.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1124+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1124
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP320SL6433Infineon TechnologiesDescription: SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6378 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1385+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1385
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP320SL6433HTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP320SL6433HTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP321PINF09+
auf Bestellung 38774 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP321PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.98A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1968 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
386+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 386
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP321PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 980MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 980mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 980mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 380µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 319 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP321PH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs SIPMOS Sm-Signal 900mOhm -100V 980mA
auf Bestellung 3560 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.59 EUR
10+1.27 EUR
100+0.92 EUR
500+0.91 EUR
2000+0.86 EUR
5000+0.63 EUR
10000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP321PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP321PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 980 mA, 0.689 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1.8W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.689ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP321PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.98A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP321PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 980MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 980mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 980mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 380µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 319 pF @ 25 V
auf Bestellung 371 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.32 EUR
12+1.47 EUR
100+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP321PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP321PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 980 mA, 0.689 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 980mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.689ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.689ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP321PL6327Infineon TechnologiesDescription: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 980mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 980mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 380µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 319 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 36771 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
787+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 787
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP321PL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 980MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 980mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 980mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 380µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 319 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322P H6327Infineon
auf Bestellung 123000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322P H6327Infineon TechnologiesMOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322P L6327Infineon TechnologiesGaN FETs P-Ch -100V 1A SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 380µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -100V 1A SOT-223-3
auf Bestellung 14527 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.42 EUR
10+1.05 EUR
100+0.71 EUR
250+0.64 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP322PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 35045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.47 EUR
2000+0.39 EUR
5000+0.35 EUR
10000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
254+0.57 EUR
278+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 254
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1A
Power dissipation: 1.8W
On-state resistance: 0.8Ω
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 762 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+1.02 EUR
118+0.61 EUR
131+0.55 EUR
148+0.48 EUR
250+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2371 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+0.61 EUR
500+0.58 EUR
2000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 380µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.14 EUR
100+0.75 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1InfineonP-MOSFET 100V 1A 800mΩ 1.8W BSP322P Infineon TBSP322p
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.47 EUR
2000+0.39 EUR
5000+0.34 EUR
10000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP322PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 35045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PL6327Infineon TechnologiesDescription: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 380µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 380µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP324INF09+
auf Bestellung 36772 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP324 E6327Infineon TechnologiesInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP324 E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 400V 170MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 154 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP324 H6327Infineon TechnologiesMOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP324 L6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 400V 0.17A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 26474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
985+0.55 EUR
1068+0.49 EUR
10000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 985
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP324 L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 400V 170mA SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP324H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 400V 170MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 154 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP324H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 400V 0.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP324H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP324H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 170 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP324H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 400V 0.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP324H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 400V 170MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 154 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1538 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.65 EUR
17+1.04 EUR
100+0.68 EUR
500+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP324H6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 400V 170mA SOT-223-3
auf Bestellung 2737 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.35 EUR
10+0.95 EUR
100+0.65 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.38 EUR
5000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP324H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 400V 0.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 118000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.32 EUR
2000+0.3 EUR
3000+0.23 EUR
5000+0.22 EUR
7000+0.21 EUR
10000+0.2 EUR
25000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP324H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 400V 0.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 118000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.32 EUR
2000+0.3 EUR
3000+0.23 EUR
5000+0.22 EUR
7000+0.21 EUR
10000+0.2 EUR
25000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP324H6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0.17A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+1.17 EUR
95+0.76 EUR
145+0.49 EUR
200+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP324H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP324H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 170 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 807 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP324H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 400V 0.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+1.28 EUR
200+0.87 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 127
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP324L6327ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP324L6327 - BSP324 - 0.17A, 400V, N-CHANNEL, MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 80249 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP324L6327Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 154 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 26474 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
709+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 709
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BSP324L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 400V 170MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 154 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BSP33NexperiaArray
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BSP33
Produktcode: 41120
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BSP33PhilipsГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
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BSP33 T/RonsemiBipolar Transistors - BJT
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BSP33 T/RNXP SemiconductorsBipolar Transistors - BJT TRANS MED PWR TAPE-7
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BSP33,115NXPГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
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BSP33,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP33,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1369 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSP33,115NXP/Nexperia/We-EnТранзистор PNP, Ptot, Вт = 1,3, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 100 мA, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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BSP33,115NexperiaTrans GP BJT PNP 80V 1A 1300mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BSP33,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.3 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 2626 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.39 EUR
21+0.86 EUR
100+0.56 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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BSP33,115PhilipsГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
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BSP33,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP33,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1369 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP33,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.3 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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BSP33,115NexperiaBipolar Transistors - BJT BSP33/SOT223/SC-73
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.57 EUR
10+0.97 EUR
50+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BSP33,115NXP SEMICONDUTORSTRANS PNP 80V 1000MA SOT223
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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BSP33-QXNexperia BSP33-Q/SOT223/SC-73
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BSP33TADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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BSP33TAonsemiBipolar Transistors - BJT
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BSP33TCDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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BSP350INF09+
auf Bestellung 15258 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSP3505D-PO-B3MICRONAS2002
auf Bestellung 3944 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSP3505D-PP-A2MICRONAS93+ PDIP
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP365INF09+
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP372INF09+
auf Bestellung 38774 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSP372Infineon TechnologiesMOSFET N-Channel Small Signal MOSFETs (20 V to 800 V)
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BSP372
Produktcode: 60054
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Transistoren > MOSFET N-CH
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BSP372 E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.7A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±14V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
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BSP372 E6327Infineon TechnologiesInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP372 L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 1.7A SOT-223-3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP372 L6327InfineonMOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BSP372L6327INFINEON09+ SOP
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP372L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.7A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±14V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP372L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.7A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±14V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP372N H6327Infineon TechnologiesMOSFETs SMALL SIGNAL N-CH
auf Bestellung 1309 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+1.05 EUR
100+0.69 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.46 EUR
2000+0.44 EUR
5000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP372N H6327InfineonTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 270mOhm; 1,8A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; BSP372 TBSP372
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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