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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
BSP 2 Way Brass 1'' Valve
Produktcode: 132833		Verschiedene Bauteile > Other components 3
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BSP 2 Way Stainless Steel 1'' Valve
Produktcode: 132834		Verschiedene Bauteile > Other components 3
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10 Stück - erwartet 01.05.2024
BSP 350Infineon TechnologiesSmart High-Side Current Limit Switch
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BSP 50 E6327Infineon TechnologiesDarlington Transistors NPN Silicn Darlingtn TRANSISTORS
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
BSP 50 H6327Infineon TechnologiesTrans Darlington NPN 45V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP 50 H6327Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR
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BSP 51 E6327Infineon TechnologiesDescription: TRANS NPN DARL 60V 1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
BSP 51 E6327Infineon TechnologiesDescription: TRANS NPN DARL 60V 1A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
BSP 51 H6327Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
BSP 52 E6327Infineon TechnologiesDescription: TRANS NPN DARL 80V 1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP 52 E6327Infineon TechnologiesDescription: TRANS NPN DARL 80V 1A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
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BSP 52 E6327Infineon TechnologiesTrans Darlington NPN 80V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP 52 H6327Infineon TechnologiesTrans Darlington NPN 80V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP 52 H6327Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR
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BSP 550 GEGInfineon TechnologiesPower N-Ch. 1.4W SOT-223
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BSP 60 E6433Infineon TechnologiesTrans Darlington PNP 45V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP 60 E6433Infineon TechnologiesDescription: TRANS PNP DARL 45V 1A SOT-223
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BSP 60 H6327Infineon TechnologiesTrans Darlington PNP 45V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP 60 H6327Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR
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BSP 61 H6327Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR
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BSP 61 H6327Infineon TechnologiesTrans Darlington PNP 60V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP 62 E6327
Produktcode: 162838		Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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BSP 62 E6327Infineon TechnologiesDarlington Transistors PNP Silicn Darlingtn TRANSISTOR
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
BSP 62 H6327Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR
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BSP 62 H6327Infineon TechnologiesTrans Darlington PNP 80V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP 75Infineon TechnologiesCurrent Limit Switch Lo Side 1-OUT 0.7A 0.55Ohm Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223
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BSP-0NeutrikHeat Shrink Cable Boots & End Caps COLORED BOOT NPC PLG NEUTRICN BLK
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
BSP-1NEUTRIKCategory: Other Neutrik Connectors
Description: BROWN BUSH > NP*C
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BSP-1BEPMOUNTING PLATE FOR 701 SINGLE RECESSED
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BSP-1NeutrikPhone Connectors NP-C plugs neutriCon SC8/MC8;Brown
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BSP-1NEUTRIKCategory: Other Neutrik Connectors
Description: BROWN BUSH > NP*C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSP-1/2CaplugsConduit Fittings & Accessories BSP-1/2 PP08 YEL002
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BSP-1/4CaplugsConduit Fittings & Accessories BSP-1/4 PP08 YEL002
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BSP-104-BCategory: 4mm Banana Plugs
Description: Plug; 4mm banana; 32A; black; insulated,with 4mm axial socket
Connector: plug
Type of connector: 4mm banana
Current rating: 32A
Colour: black
Connector variant: insulated; with 4mm axial socket
Overall length: 56mm
Contact plating: nickel plated
Mounting: on cable
Connection: soldered
Insulator material: polyamide
Conform to the norm: CAT II 600V; EN 61010
Material: brass
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1221 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.66 EUR
50+ 1.43 EUR
82+ 0.87 EUR
87+ 0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 44
BSP-104-B
Produktcode: 104292		Multi-ContactSteckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Klemmenblock
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BSP-104-BCategory: 4mm Banana Plugs
Description: Plug; 4mm banana; 32A; black; insulated,with 4mm axial socket
Connector: plug
Type of connector: 4mm banana
Current rating: 32A
Colour: black
Connector variant: insulated; with 4mm axial socket
Overall length: 56mm
Contact plating: nickel plated
Mounting: on cable
Connection: soldered
Insulator material: polyamide
Conform to the norm: CAT II 600V; EN 61010
Material: brass
auf Bestellung 1221 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+1.66 EUR
50+ 1.43 EUR
82+ 0.87 EUR
87+ 0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 44
BSP-104-BLCategory: 4mm Banana Plugs
Description: Plug; 4mm banana; 32A; blue; insulated,with 4mm axial socket
Connection: soldered
Mounting: on cable
Conform to the norm: CAT II 600V; EN 61010
Material: brass
Connector variant: insulated; with 4mm axial socket
Overall length: 56mm
Colour: blue
Type of connector: 4mm banana
Connector: plug
Contact plating: nickel plated
Insulator material: polyamide
Current rating: 32A
auf Bestellung 872 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+1.59 EUR
53+ 1.37 EUR
81+ 0.89 EUR
87+ 0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 46
BSP-104-BLCategory: 4mm Banana Plugs
Description: Plug; 4mm banana; 32A; blue; insulated,with 4mm axial socket
Connection: soldered
Mounting: on cable
Conform to the norm: CAT II 600V; EN 61010
Material: brass
Connector variant: insulated; with 4mm axial socket
Overall length: 56mm
Colour: blue
Type of connector: 4mm banana
Connector: plug
Contact plating: nickel plated
Insulator material: polyamide
Current rating: 32A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 872 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.59 EUR
53+ 1.37 EUR
81+ 0.89 EUR
87+ 0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 46
BSP-104-BL
Produktcode: 104290		Multi-ContactSteckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Klemmenblock
Produkt ist nicht verfügbar
BSP-104-GCategory: 4mm Banana Plugs
Description: Plug; 4mm banana; 32A; green; insulated,with 4mm axial socket
Connector: plug
Type of connector: 4mm banana
Current rating: 32A
Colour: green
Connector variant: insulated; with 4mm axial socket
Overall length: 56mm
Contact plating: nickel plated
Mounting: on cable
Connection: soldered
Insulator material: polyamide
Conform to the norm: CAT II 600V; EN 61010
Material: brass
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 643 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.66 EUR
50+ 1.43 EUR
82+ 0.87 EUR
87+ 0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 44
BSP-104-GCategory: 4mm Banana Plugs
Description: Plug; 4mm banana; 32A; green; insulated,with 4mm axial socket
Connector: plug
Type of connector: 4mm banana
Current rating: 32A
Colour: green
Connector variant: insulated; with 4mm axial socket
Overall length: 56mm
Contact plating: nickel plated
Mounting: on cable
Connection: soldered
Insulator material: polyamide
Conform to the norm: CAT II 600V; EN 61010
Material: brass
auf Bestellung 643 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+1.66 EUR
50+ 1.43 EUR
82+ 0.87 EUR
87+ 0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 44
BSP-104-RCategory: 4mm Banana Plugs
Description: Plug; 4mm banana; 32A; red; insulated,with 4mm axial socket; 56mm
Connection: soldered
Mounting: on cable
Conform to the norm: CAT II 600V; EN 61010
Material: brass
Connector variant: insulated; with 4mm axial socket
Overall length: 56mm
Colour: red
Type of connector: 4mm banana
Connector: plug
Contact plating: nickel plated
Insulator material: polyamide
Current rating: 32A
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+1.59 EUR
53+ 1.37 EUR
81+ 0.89 EUR
87+ 0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 46
BSP-104-R
Produktcode: 104291		Multi-ContactSteckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Klemmenblock
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BSP-104-RCategory: 4mm Banana Plugs
Description: Plug; 4mm banana; 32A; red; insulated,with 4mm axial socket; 56mm
Connection: soldered
Mounting: on cable
Conform to the norm: CAT II 600V; EN 61010
Material: brass
Connector variant: insulated; with 4mm axial socket
Overall length: 56mm
Colour: red
Type of connector: 4mm banana
Connector: plug
Contact plating: nickel plated
Insulator material: polyamide
Current rating: 32A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.59 EUR
53+ 1.37 EUR
81+ 0.89 EUR
87+ 0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 46
BSP-11U-12MKBelden Wire & CableOther Tools SECURE PATCH ENCL, 11U X 12D
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BSP-11U-12PKBelden Wire & CableOther Tools SECURE PATCH ENCL, 11U X 12D
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BSP-11U-12SKBelden Wire & CableOther Tools SECURE PATCH ENCL, 11U X 12D
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BSP-11U-6MKBelden Wire & CableOther Tools SECURE PATCH ENCL, 11U X 6D
Produkt ist nicht verfügbar
BSP-11U-6PKBelden Wire & CableOther Tools SECURE PATCH ENCL, 11U X 6D
Produkt ist nicht verfügbar
BSP-11U-6SKBelden Wire & CableOther Tools SECURE PATCH ENCL, 11U X 6D
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BSP-15-350(BSP-15A)INTERSIL08+;
auf Bestellung 6540 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP-15AEQUATOR
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP-15AEQUATROO2
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP-15AEQUATORBGA
auf Bestellung 13970 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP-15A LF
Produktcode: 37296		Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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BSP-15A-LFEQUATR
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP-15A-LFEQUATOR07+ SOP
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP-15A-LFEQUATOR
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP-15A/100-0004-22AMDQFP
auf Bestellung 2215 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP-196383-01Samtec Inc.Description: XCEDE HD HIGH-DENSITY BACKPLANE
Packaging: Tray
Connector Usage: Backplane
Connector Style: XCede®
Part Status: Active
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BSP-196386-01Samtec Inc.Description: XCEDE HD HIGH-DENSITY BACKPLANE
Packaging: Tray
Connector Usage: Backplane
Connector Style: XCede®
Part Status: Active
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BSP-2NEUTRIKCategory: Other Neutrik Connectors
Description: RED BUSH > NP*C
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BSP-2NEUTRIKCategory: Other Neutrik Connectors
Description: RED BUSH > NP*C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSP-2Mueller ElectricMueller Electric NEUTRIC RED STRAIN RELIEF
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BSP-2NeutrikConnector Accessories Boot Red Box
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BSP-2NeutrikPhone Connectors RED BOOT FOR C-SERIE
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BSP-204-BCategory: 4mm Banana Plugs
Description: Plug; 4mm banana; 32A; 30VAC; 60VDC; black; 68.3mm; nickel plated
Mounting: on cable
Current rating: 32A
Rated voltage: 30V AC; 60V DC
Insulator material: polyamide
Contact plating: nickel plated
Connector: plug
Connector variant: insulated; with 4mm axial socket; with sliding cover
Overall length: 68.3mm
Type of connector: 4mm banana
Colour: black
Material: brass
auf Bestellung 1746 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+1.8 EUR
54+ 1.33 EUR
61+ 1.17 EUR
65+ 1.12 EUR
100+ 1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 40
BSP-204-BCategory: 4mm Banana Plugs
Description: Plug; 4mm banana; 32A; 30VAC; 60VDC; black; 68.3mm; nickel plated
Mounting: on cable
Current rating: 32A
Rated voltage: 30V AC; 60V DC
Insulator material: polyamide
Contact plating: nickel plated
Connector: plug
Connector variant: insulated; with 4mm axial socket; with sliding cover
Overall length: 68.3mm
Type of connector: 4mm banana
Colour: black
Material: brass
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1746 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.8 EUR
54+ 1.33 EUR
61+ 1.17 EUR
65+ 1.12 EUR
100+ 1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 40
BSP-204-RCategory: 4mm Banana Plugs
Description: Plug; 4mm banana; 32A; 30VAC; 60VDC; red; 68.3mm; nickel plated
Mounting: on cable
Current rating: 32A
Rated voltage: 30V AC; 60V DC
Insulator material: polyamide
Contact plating: nickel plated
Connector: plug
Connector variant: insulated; with 4mm axial socket; with sliding cover
Overall length: 68.3mm
Type of connector: 4mm banana
Colour: red
Material: brass
auf Bestellung 922 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+1.8 EUR
54+ 1.33 EUR
61+ 1.17 EUR
65+ 1.12 EUR
100+ 1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 40
BSP-204-RCategory: 4mm Banana Plugs
Description: Plug; 4mm banana; 32A; 30VAC; 60VDC; red; 68.3mm; nickel plated
Mounting: on cable
Current rating: 32A
Rated voltage: 30V AC; 60V DC
Insulator material: polyamide
Contact plating: nickel plated
Connector: plug
Connector variant: insulated; with 4mm axial socket; with sliding cover
Overall length: 68.3mm
Type of connector: 4mm banana
Colour: red
Material: brass
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 922 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.8 EUR
54+ 1.33 EUR
61+ 1.17 EUR
65+ 1.12 EUR
100+ 1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 40
BSP-226769-01SamtecHigh Speed/Modular Connectors XCede HD 1.80 mm High-Density Backplane Right-Angle Receptacle
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+71.68 EUR
10+ 67.6 EUR
28+ 60.53 EUR
56+ 60.5 EUR
112+ 59.75 EUR
252+ 57.98 EUR
504+ 56.13 EUR
BSP-226769-01Samtec Inc.Description: XCEDE HD DAUGHTER CARD ASSEMBLY
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle, Female Sockets and Blade Sockets
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Pitch: 0.071" (1.80mm)
Connector Usage: Daughtercard
Connector Style: XCede®
Part Status: Active
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+82.29 EUR
10+ 72.07 EUR
25+ 68.95 EUR
BSP-22U-12MKBelden Inc.Description: SECURE PATCH ENCL 22U X 12D
Packaging: Bulk
Color: Black
Size / Dimension: 12.000" L x 38.500" H (304.80mm x 977.90mm)
For Use With/Related Products: 19" Panel Width Racks
Material: Metal, Steel
Type: Security Door
Ventilation: Non-Vented
Produkt ist nicht verfügbar
BSP-22U-12MKBelden Wire & CableOther Tools SECURE PATCH ENCL, 22U X 12D
Produkt ist nicht verfügbar
BSP-22U-12PKBelden Wire & CableOther Tools SECURE PATCH ENCL, 22U X 12D
Produkt ist nicht verfügbar
BSP-22U-12PKBelden Inc.Description: SECURE PATCH ENCL 22U X 12D
Packaging: Bulk
Color: Black
Size / Dimension: 12.000" L x 38.500" H (304.80mm x 977.90mm)
For Use With/Related Products: 19" Panel Width Racks
Material: Metal, Steel
Type: Security Door
Ventilation: Non-Vented
Produkt ist nicht verfügbar
BSP-22U-12SKBelden Inc.Description: SECURE PATCH ENCL 22U X 12D
Packaging: Bulk
Color: Black
Size / Dimension: 12.000" L x 38.500" H (304.80mm x 977.90mm)
For Use With/Related Products: 19" Panel Width Racks
Material: Metal, Steel
Type: Security Door
Ventilation: Non-Vented
Produkt ist nicht verfügbar
BSP-22U-12SKBelden Wire & CableOther Tools SECURE PATCH ENCL, 22U X 12D
Produkt ist nicht verfügbar
BSP-22U-6MKBelden Wire & CableOther Tools SECURE PATCH ENCL, 22U X 6D
Produkt ist nicht verfügbar
BSP-22U-6MKBelden Inc.Description: SECURE PATCH ENCL 22U X 6D
Packaging: Bulk
Color: Black
Size / Dimension: 6.000" L x 38.500" H (152.40mm x 977.90mm)
For Use With/Related Products: 19" Panel Width Racks
Material: Metal, Steel
Type: Security Door
Ventilation: Non-Vented
Produkt ist nicht verfügbar
BSP-22U-6PKBelden Inc.Description: SECURE PATCH ENCL 22U X 6D
Packaging: Bulk
Color: Black
Size / Dimension: 6.000" L x 38.500" H (152.40mm x 977.90mm)
For Use With/Related Products: 19" Panel Width Racks
Material: Metal, Steel
Type: Security Door
Ventilation: Non-Vented
Produkt ist nicht verfügbar
BSP-22U-6PKBelden Wire & CableOther Tools SECURE PATCH ENCL, 22U X 6D
Produkt ist nicht verfügbar
BSP-22U-6SKBelden Inc.Description: SECURE PATCH ENCL 22U X 6D
Packaging: Bulk
Color: Black
Size / Dimension: 6.000" L x 38.500" H (152.40mm x 977.90mm)
For Use With/Related Products: 19" Panel Width Racks
Material: Metal, Steel
Type: Security Door
Ventilation: Non-Vented
Produkt ist nicht verfügbar
BSP-22U-6SKBelden Wire & CableOther Tools SECURE PATCH ENCL, 22U X 6D
Produkt ist nicht verfügbar
BSP-3NEUTRIKCategory: Other Neutrik Connectors
Description: ORANGE BUSH > NP*C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSP-3NeutrikHeat Shrink Cable Boots & End Caps NP-C plugs neutriCon SC8/MC8;Orange
auf Bestellung 755 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
BSP-3NEUTRIKCategory: Other Neutrik Connectors
Description: ORANGE BUSH > NP*C
Produkt ist nicht verfügbar
BSP-3/4CaplugsConduit Fittings & Accessories BSP-3/4 PP08 YEL002
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
22+2.44 EUR
26+ 2.07 EUR
100+ 1.86 EUR
500+ 1.52 EUR
1000+ 1.35 EUR
2000+ 1.22 EUR
10000+ 1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 22
BSP-4NeutrikPhone Connectors NP-C plug neutriCon SC8/MC8;Yellow
Produkt ist nicht verfügbar
BSP-4NEUTRIKCategory: Other Neutrik Connectors
Description: YELLOW BUSH > NP*C
Produkt ist nicht verfügbar
BSP-4NEUTRIKCategory: Other Neutrik Connectors
Description: YELLOW BUSH > NP*C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSP-44U-6MKBelden Inc.Description: SECURE PATCH ENCL 44U X 6D
Packaging: Bulk
Color: Black
Size / Dimension: 6.000" L x 77.000" H (152.40mm x 1955.80mm)
For Use With/Related Products: 19" Panel Width Racks
Material: Metal, Steel
Type: Security Door
Ventilation: Non-Vented
Produkt ist nicht verfügbar
BSP-44U-6MKBelden Wire & CableOther Tools SECURE PATCH ENCL,44U X 6D
Produkt ist nicht verfügbar
BSP-44U-6PKBelden Inc.Description: SECURE PATCH ENCL 44U X 6D
Packaging: Bulk
Color: Black
Size / Dimension: 6.000" L x 77.000" H (152.40mm x 1955.80mm)
For Use With/Related Products: 19" Panel Width Racks
Material: Metal, Steel
Type: Security Door
Ventilation: Non-Vented
Produkt ist nicht verfügbar
BSP-44U-6PKBelden Wire & CableOther Tools SECURE PATCH ENCL,44U X 6D
Produkt ist nicht verfügbar
BSP-44U-6SKBelden Wire & CableOther Tools SECURE PATCH ENCL,44U X 6D
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BSP-44U-6SKBelden Inc.Description: SECURE PATCH ENCL 44U X 6D
Packaging: Bulk
Color: Black
Size / Dimension: 6.000" L x 77.000" H (152.40mm x 1955.80mm)
For Use With/Related Products: 19" Panel Width Racks
Material: Metal, Steel
Type: Security Door
Ventilation: Non-Vented
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BSP-4PR-01-HDTFSamtec Inc.Description: XCEDE HD HIGH-DENSITY BACKPLANE
Packaging: Bulk
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BSP-5NeutrikCable Bush NP2/3C/RCS - green
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BSP-5NeutrikPhone Connectors NP-C plug neutriCon SC8/MC8;Green
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BSP-6NeutrikHeat Shrink Cable Boots & End Caps NP-C plug neutriCon SC8/MC8;Blue
auf Bestellung 796 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
BSP-7NEUTRIKCategory: Other Neutrik Connectors
Description: VIOLET BUSH > NP*C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSP-7NeutrikPhone Connectors NP-C plug neutriCon SC8/MC8;Violet
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BSP-7NEUTRIKCategory: Other Neutrik Connectors
Description: VIOLET BUSH > NP*C
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BSP-8NeutrikHeat Shrink Cable Boots & End Caps NP-C plug neutriCon SC8/MC8;Grey
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
BSP-8NEUTRIKCategory: Other Neutrik Connectors
Description: GREY BUSH > NP*C
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BSP-8NEUTRIKCategory: Other Neutrik Connectors
Description: GREY BUSH > NP*C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSP-9NeutrikHeat Shrink Cable Boots & End Caps NP-C plug neutriCon SC8/MC8;White
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BSP-9NEUTRIKCategory: Other Neutrik Connectors
Description: WHITE BUSH > NP*C
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BSP-9NEUTRIKCategory: Other Neutrik Connectors
Description: WHITE BUSH > NP*C
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BSP-KITSLeaderTechComponent Kits Board Shield Prototyping Kit
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BSP-NS4KCategory: 4mm Banana Plugs
Description: Plug; 4mm banana; Max.wire diam: 2.5mm; Overall len: 30mm
Connector: plug
Type of connector: 4mm banana
Max. wire diameter: 2.5mm
Overall length: 30mm
Contact plating: nickel plated
Mounting: on cable
Connection: soldered
Test accessories version: non-insulated
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3639 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
136+ 0.53 EUR
179+ 0.4 EUR
193+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 120
BSP-NS4KCategory: 4mm Banana Plugs
Description: Plug; 4mm banana; Max.wire diam: 2.5mm; Overall len: 30mm
Connector: plug
Type of connector: 4mm banana
Max. wire diameter: 2.5mm
Overall length: 30mm
Contact plating: nickel plated
Mounting: on cable
Connection: soldered
Test accessories version: non-insulated
auf Bestellung 3639 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+0.6 EUR
136+ 0.53 EUR
179+ 0.4 EUR
193+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 120
BSP-NS4LCategory: 4mm Banana Plugs
Description: Plug; 4mm banana; Max.wire diam: 2.8mm; Overall len: 35.5mm
Connector: plug
Type of connector: 4mm banana
Max. wire diameter: 2.8mm
Overall length: 35.5mm
Contact plating: nickel plated
Mounting: on cable
Connection: soldered
Test accessories version: non-insulated
auf Bestellung 932 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+0.84 EUR
95+ 0.76 EUR
109+ 0.66 EUR
117+ 0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 85
BSP-NS4LCategory: 4mm Banana Plugs
Description: Plug; 4mm banana; Max.wire diam: 2.8mm; Overall len: 35.5mm
Connector: plug
Type of connector: 4mm banana
Max. wire diameter: 2.8mm
Overall length: 35.5mm
Contact plating: nickel plated
Mounting: on cable
Connection: soldered
Test accessories version: non-insulated
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 932 Stücke:
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85+0.84 EUR
95+ 0.76 EUR
109+ 0.66 EUR
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Mindestbestellmenge: 85
BSP-PIR90-UCarlo GavazziInfrared Detectors SMART-DUPLINE OUTDOOR PIR SENSOR REV.2
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BSP-PIR90A-UCarlo GavazziInfrared Detectors SMART-DUPLINE INDOOR PIR SENSOR REV.2
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BSP00HJBalluffDescription: MEASURING RANGE=0...250 BAR, ACC
auf Bestellung 3 Stücke:
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BSP030PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP030PHILIPSSOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP030,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 10A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 24 V
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BSP030,115NexperiaMOSFET TAPE-7 MOSFET
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BSP030,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 10A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 24 V
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BSP030,115NEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 10A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BSP030,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP030,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.02 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 8.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 8.3
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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BSP030/BSP030PHILIPS
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP05DremelDescription: BOSCH SCREW PILOT COUNTER SINK P
Packaging: Bulk
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BSP090PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP090PHILIPSSOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP100PHILIPSSOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP100PH09+
auf Bestellung 34391 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP100PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP100Dupli-ColorDescription: PAINT SHOP FINISH SYSTEM PRIMER
Packaging: Box
Type: Paint Shop Primer
Size: 32 oz
Specifications: Gray
Part Status: Active
Package Quantity: 2
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BSP100PHILIPSSOT223
auf Bestellung 11500 Stücke:
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BSP100PHI00+
auf Bestellung 178 Stücke:
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BSP100,135NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA BSP100 - 3.5A, 30V, 0.1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V
auf Bestellung 23578 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1480+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1480
BSP100,135NEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BSP100,135NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP100,135 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 15920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP1010-05H03 LFBeStar ElectronicsAudio Sounder Piezo 1Vp-p 25Vp-p 2.5mA 5Vp-p 70dB 4700Hz to 5700Hz Surface Mount Solder Pad T/R
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BSP103PH09+
auf Bestellung 8018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP103PHILIPSSOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP103PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP105PHILIPSSOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP105PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP105PH09+
auf Bestellung 8018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP106PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP106PH09+
auf Bestellung 5018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP106PHILIPSSOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP107PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP107PH09+
auf Bestellung 7018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP107PHILIPSSOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP108PH09+
auf Bestellung 8018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP108PHILIPSSOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP108PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP109PH09+
auf Bestellung 8018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP109PHILIPSSOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP109PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP10TCQCIT Relay and SwitchDescription: SWITCH PB SPST-NO 3A 120V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 3A (AC/DC)
Mounting Type: Through Hole
Circuit: SPST-NO
Type: Standard
Switch Function: Off-Mom
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Actuator Type: Round, Plunger
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Color - Actuator/Cap: Black
Actuator Marking: No Marking
Part Status: Active
Voltage Rating - AC: 120 V
Voltage Rating - DC: 28 V
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.72 EUR
10+ 6.93 EUR
Mindestbestellmenge: 4
BSP110PHILIPSSOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP110PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP110PH09+
auf Bestellung 8018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP110,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 5V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
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BSP110,115NexperiaMOSFET TAPE-7 MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
BSP110,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 5V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP110,115NEXPERIATrans MOSFET N-CH 100V 0.52A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP1109-05H1.7BeStar Technologies, Inc.Description: BUZZER PIEZO 5V 11X9MM SMD
Packaging: Box
Size / Dimension: 0.433" L x 0.354" W (11.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 4.1kHz
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Sound Pressure Level (SPL): 70dB @ 5V, 10cm
Current - Supply: 1mA
Input Type: Peak-Peak Signal
Operating Mode: Single Tone
Voltage Range: 1 ~ 25V
Technology: Piezo
Termination: Solder Tabs
Port Location: Top
Driver Circuitry: Transducer, Externally Driven
Height - Seated (Max): 0.067" (1.70mm)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 5 V
auf Bestellung 1814 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.68 EUR
10+ 3.07 EUR
50+ 2.55 EUR
100+ 1.92 EUR
1000+ 1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 6
BSP1109-05H1.7 LFBeStar ElectronicsAudio Buzzer Piezo 1Vp-p 25Vp-p 4.5mA 5Vp-p 70dB 3600Hz to 4600Hz Surface Mount Solder Pad T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP120BROADFIXDescription: BROADFIX - BSP120 - BROADFIX FLAT PACKERS 120 PER BAG MIXED
tariffCode: 83024200
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP120PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP120PH09+
auf Bestellung 32430 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP120PHILIPSSOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP121PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP121PH09+
auf Bestellung 18318 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP121PHILIPSSOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP1212-03H03-01 LFBeStar ElectronicsAudio Buzzer Piezo 1Vp-p 25Vp-p 1mA 3Vp-p 75dB Surface Mount Solder Pad T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP1212-03H03-06BeStar Technologies, Inc.Description: 12X12 MM PIEZOELECTRIC BUZZER
Packaging: Box
Size / Dimension: 0.472" L x 0.472" W (12.00mm x 12.00mm)
Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Capacitance @ Frequency: 16000pF @ 120Hz
Voltage - Input (Max): 3V p-p
Termination: Solder Pads
Part Status: Active
Frequency: 4 kHz
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.87 EUR
10+ 2.93 EUR
50+ 2.43 EUR
100+ 1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 7
BSP1212-03H03-06 LFBestar TechnologyAudio Buzzer Piezo 1Vp-p 25Vp-p 1mA 3Vp-p 75dB Surface Mount Solder Pad
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP1212-03H03-06 LFBestar TechnologyAudio Buzzer Piezo 1Vp-p 25Vp-p 1mA 3Vp-p 75dB Surface Mount Solder Pad
Produkt ist nicht verfügbar
BSP1212-03H03-06 LFBestar ElectricAudio Buzzer Piezo 1Vp-p 25Vp-p 1mA 3Vp-p 75dB Surface Mount Solder Pad
Produkt ist nicht verfügbar
BSP1212-05H2.5 LFBeStar ElectronicsAudio Sounder Piezo 1Vp-p 25Vp-p 3mA 5Vp-p 78dB Surface Mount Solder Pad T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP122PH09+
auf Bestellung 5033 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP122PHILIPSSOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP122PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP122NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
Produkt ist nicht verfügbar
BSP122,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.55A; 1.5W; SC73,SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±2V
Case: SC73; SOT223
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.55A
On-state resistance: 2.5Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 379 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
72+1 EUR
147+ 0.49 EUR
165+ 0.43 EUR
193+ 0.37 EUR
200+ 0.36 EUR
500+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 72
BSP122,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP122,115NEXPERIATrans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP122,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 550MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
auf Bestellung 6506 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
19+1.4 EUR
22+ 1.22 EUR
100+ 0.85 EUR
500+ 0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 19
BSP122,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP122,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 750 mA, 1.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP122,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP122,115NexperiaMOSFET BSP122/SOT223/SC-73
auf Bestellung 5833 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
42+1.26 EUR
48+ 1.09 EUR
100+ 0.79 EUR
500+ 0.64 EUR
1000+ 0.51 EUR
2000+ 0.46 EUR
10000+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 42
BSP122,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP122,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 550MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+0.54 EUR
2000+ 0.48 EUR
5000+ 0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP122,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP122,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 750 mA, 1.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP122,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
365+0.43 EUR
427+ 0.35 EUR
432+ 0.34 EUR
500+ 0.3 EUR
1000+ 0.23 EUR
3000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 365
BSP122,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
340+0.46 EUR
362+ 0.42 EUR
365+ 0.4 EUR
427+ 0.33 EUR
432+ 0.31 EUR
500+ 0.27 EUR
1000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 340
BSP122,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.55A; 1.5W; SC73,SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±2V
Case: SC73; SOT223
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.55A
On-state resistance: 2.5Ω
auf Bestellung 379 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+1 EUR
147+ 0.49 EUR
165+ 0.43 EUR
193+ 0.37 EUR
200+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 72
BSP122T/RPHILIPSO6 TO223
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP123Infineon TechnologiesMOSFET N-Channel Small Signal MOSFETs (20 V to 800 V)
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BSP123INF09+
auf Bestellung 8317 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP123INFLNEONSOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP123INFLNEON07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP123 L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 370mA SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
BSP123 L6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.37A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP123E6327TInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 370mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP123L6327HTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.37A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP123L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 370mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP124PHI
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP124PHILIPSSOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP124PH09+
auf Bestellung 5018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP124PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP124NXP
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP125INFINEON09+ SSOP16
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP125INFLNEON07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP125INFINEON
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP125
Produktcode: 25351		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
BSP125INFINEONTO-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP125INFLNEONSOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP125INF09+
auf Bestellung 5018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP125 E6327Infineon TechnologiesMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
BSP125 E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP125 E6433Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP125 E6433Infineon TechnologiesInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
BSP125 H6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
auf Bestellung 6586 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
27+1.96 EUR
30+ 1.73 EUR
100+ 1.18 EUR
500+ 0.99 EUR
1000+ 0.84 EUR
2000+ 0.76 EUR
5000+ 0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 27
BSP125 H6433Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
auf Bestellung 1674 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
28+1.88 EUR
32+ 1.65 EUR
100+ 1.13 EUR
500+ 0.94 EUR
1000+ 0.8 EUR
2000+ 0.76 EUR
4000+ 0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 28
BSP125 L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
BSP125 L6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP125 L6433Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
BSP125 L6433Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP125-L6327InfineonN-MOSFET 0.12A 600V 1.8W 45Ω BSP125 TBSP125
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 50
BSP125E6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP125H6327Infineon technologies
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP125H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
auf Bestellung 28201 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
14+1.98 EUR
16+ 1.7 EUR
100+ 1.17 EUR
500+ 0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 14
BSP125H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP125H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP125H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP125H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP125H6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 45Ω
auf Bestellung 1183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+0.68 EUR
117+ 0.61 EUR
153+ 0.47 EUR
162+ 0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 106
BSP125H6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 45Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1183 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
106+0.68 EUR
117+ 0.61 EUR
153+ 0.47 EUR
162+ 0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 106
BSP125H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP125H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+0.83 EUR
2000+ 0.74 EUR
5000+ 0.7 EUR
10000+ 0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP125H6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
auf Bestellung 875 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
27+1.98 EUR
31+ 1.71 EUR
100+ 1.18 EUR
500+ 0.99 EUR
1000+ 0.84 EUR
2000+ 0.75 EUR
5000+ 0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 27
BSP125H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP125H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP125H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 9440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
190+0.82 EUR
222+ 0.68 EUR
234+ 0.62 EUR
500+ 0.56 EUR
1000+ 0.5 EUR
2000+ 0.46 EUR
4000+ 0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 190
BSP125H6433XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP125H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 11999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP125H6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.19 EUR
154+ 0.98 EUR
155+ 0.94 EUR
242+ 0.58 EUR
250+ 0.55 EUR
500+ 0.47 EUR
1000+ 0.35 EUR
3000+ 0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 132
BSP125H6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
140+1.12 EUR
164+ 0.92 EUR
191+ 0.76 EUR
202+ 0.69 EUR
500+ 0.62 EUR
1000+ 0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 140
BSP125H6433XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
BSP125H6433XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
auf Bestellung 26448 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
28+1.88 EUR
32+ 1.63 EUR
100+ 1.06 EUR
500+ 0.93 EUR
1000+ 0.75 EUR
2000+ 0.71 EUR
4000+ 0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 28
BSP125H6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
BSP125H6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP125H6433XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP125H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 11999 Stücke:
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BSP125H6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3080 Stücke:
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155+1.01 EUR
242+ 0.62 EUR
250+ 0.59 EUR
500+ 0.51 EUR
1000+ 0.38 EUR
3000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 155
BSP125H6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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4000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
BSP125H6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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BSP125H6433XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
auf Bestellung 4882 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
14+1.87 EUR
17+ 1.61 EUR
100+ 1.12 EUR
500+ 0.93 EUR
1000+ 0.79 EUR
2000+ 0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 14
BSP125L6327Infineon technologies
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP125L6327Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP125L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP125L6327HTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP125L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
auf Bestellung 343141 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
693+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 693
BSP125L6327XTInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP125L6327XTInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP125L6433Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
auf Bestellung 211159 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
903+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 903
BSP125L6433HTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP126PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP126PHI
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP126PHILIPSSOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP126PH09+
auf Bestellung 4822 Stücke:
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BSP126NexperiaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
BSP126,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 3400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
471+0.33 EUR
490+ 0.31 EUR
547+ 0.27 EUR
559+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 471
BSP126,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 4477 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
421+0.37 EUR
427+ 0.35 EUR
433+ 0.34 EUR
439+ 0.32 EUR
446+ 0.3 EUR
500+ 0.28 EUR
1000+ 0.27 EUR
3000+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 421
BSP126,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
auf Bestellung 78046 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
27+0.99 EUR
31+ 0.84 EUR
100+ 0.58 EUR
500+ 0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 27
BSP126,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.375A; 1.5W; SC73,SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SC73; SOT223
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.375A
On-state resistance: 7.5Ω
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+5.96 EUR
Mindestbestellmenge: 12
BSP126,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.3 EUR
2000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP126,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP126,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 300 mA, 2.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
auf Bestellung 2515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP126,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 4477 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
433+0.36 EUR
439+ 0.34 EUR
446+ 0.33 EUR
500+ 0.31 EUR
1000+ 0.29 EUR
3000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 433
BSP126,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.375A; 1.5W; SC73,SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SC73; SOT223
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.375A
On-state resistance: 7.5Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+5.96 EUR
25+ 2.86 EUR
43+ 1.66 EUR
118+ 0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 12
BSP126,115NEXPERIATrans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP126,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.3 EUR
2000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP126,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP126,115NexperiaMOSFET BSP126/SOT223/SC-73
auf Bestellung 4790 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
36+1.47 EUR
55+ 0.95 EUR
100+ 0.93 EUR
1000+ 0.79 EUR
5000+ 0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 36
BSP126,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.3 EUR
2000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP126,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.3 EUR
2000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP126,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP126,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 300 mA, 2.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
auf Bestellung 2515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP126,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 3400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
490+0.32 EUR
547+ 0.28 EUR
559+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 490
BSP126,135NexperiaMOSFET BSP126/SOT223/SC-73
auf Bestellung 3328 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
38+1.4 EUR
44+ 1.21 EUR
100+ 0.84 EUR
500+ 0.7 EUR
1000+ 0.6 EUR
2000+ 0.53 EUR
4000+ 0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 38
BSP126,135Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
auf Bestellung 12435 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
19+1.4 EUR
22+ 1.2 EUR
100+ 0.83 EUR
500+ 0.69 EUR
1000+ 0.59 EUR
2000+ 0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 19
BSP126,135Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4000+0.53 EUR
8000+ 0.5 EUR
12000+ 0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
BSP126,135NexperiaTrans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP126,135NEXPERIATrans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP126/S911115NXPDescription: NXP - BSP126/S911115 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 204767 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP126/S911115NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP127PHILIPSSOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP127PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP127PH09+
auf Bestellung 16772 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP128PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP128PH09+
auf Bestellung 12430 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP128PHILIPSSOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP129
Produktcode: 100165		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
BSP129Infineon TechnologiesMOSFET N-Channel Depletion MOSFETs (60 V to 600 V)
Produkt ist nicht verfügbar
BSP129 E6327Infineon TechnologiesMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
BSP129 H6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 352 Stücke:
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154+1.02 EUR
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BSP129 H6327Infineon
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BSP129 H6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 240V 350mA SOT-223-3
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26+2.06 EUR
29+ 1.81 EUR
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2000+ 0.8 EUR
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BSP129 H6906Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 240V 50mA SOT-223-3
auf Bestellung 9639 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
19+2.78 EUR
23+ 2.28 EUR
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BSP129 L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 240V 350mA SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
BSP129 L6906Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 240V 350mA SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
BSP129E6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP129E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP129E6327TInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP129H6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 50mA
On-state resistance: 6.5Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
87+0.83 EUR
99+ 0.73 EUR
114+ 0.63 EUR
121+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 87
BSP129H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP129H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 350 mA, 4.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm
auf Bestellung 3949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP129H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP129H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
273+0.57 EUR
281+ 0.54 EUR
285+ 0.51 EUR
500+ 0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 273
BSP129H6327XTSA1InfineonTransistor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 20Ohm; 350mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; BSP129H6327; BSP129H6327XTSA1; BSP129H6327XTSA1/SN; BSP129H6906XTSA1; BSP129L6906HTSA1; BSP129 TBSP129
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
BSP129H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V
auf Bestellung 8669 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+0.87 EUR
2000+ 0.78 EUR
5000+ 0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP129H6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 240V 350mA SOT-223-3
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
26+2.06 EUR
30+ 1.79 EUR
100+ 1.24 EUR
500+ 1.04 EUR
1000+ 0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 26
BSP129H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP129H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP129H6327XTSA1InfineonTransistor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 20Ohm; 350mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; BSP129H6327; BSP129H6327XTSA1; BSP129H6327XTSA1/SN; BSP129H6906XTSA1; BSP129L6906HTSA1; BSP129 TBSP129
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 20
BSP129H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP129H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 350 mA, 4.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm
auf Bestellung 3949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP129H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP129H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V
auf Bestellung 8669 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2.03 EUR
15+ 1.78 EUR
100+ 1.23 EUR
500+ 1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 13
BSP129H6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 50mA
On-state resistance: 6.5Ω
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+0.83 EUR
99+ 0.73 EUR
114+ 0.63 EUR
121+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 87
BSP129H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 516 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
140+1.12 EUR
250+ 1.04 EUR
500+ 0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 140
BSP129H6327XTSA1
Produktcode: 139226		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
BSP129H6327XTSA1InfineonTransistor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 20Ohm; 350mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; BSP129H6327; BSP129H6327XTSA1; BSP129H6327XTSA1/SN; BSP129H6906XTSA1; BSP129L6906HTSA1; BSP129 TBSP129
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 875 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 20
BSP129H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP129H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP129H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 35428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+0.59 EUR
267+ 0.57 EUR
269+ 0.54 EUR
270+ 0.52 EUR
500+ 0.5 EUR
1000+ 0.48 EUR
3000+ 0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 264
BSP129H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP129H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
BSP129H6906XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depleted
Produkt ist nicht verfügbar
BSP129H6906XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depleted
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSP129H6906XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP129H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 35428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
261+0.6 EUR
264+ 0.57 EUR
267+ 0.54 EUR
269+ 0.52 EUR
270+ 0.5 EUR
500+ 0.48 EUR
1000+ 0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 261
BSP129H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP129H6906XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP129H6906XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 240V 350mA SOT-223-3
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
23+2.35 EUR
27+ 1.96 EUR
100+ 1.57 EUR
500+ 1.29 EUR
1000+ 1.09 EUR
2000+ 1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 23
BSP129H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP129L6327Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V
auf Bestellung 68029 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1039+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 1039
BSP129L6327
Produktcode: 47967		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
BSP129L6327Infineon technologies
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP129L6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP129L6327INFINEON
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP129L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V
auf Bestellung 237893 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
799+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 799
BSP129L6327HTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP129L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP129L6906Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
944+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 944
BSP129L6906HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V
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BSP130NexperiaMOSFET
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BSP130
Produktcode: 41803		Transistoren > MOSFET N-CH
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BSP130 T/RNXP SemiconductorsMOSFET TAPE-7 MOSFET
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BSP130,115NEXPERIATrans MOSFET N-CH 300V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BSP130,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 350MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
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BSP130,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 300V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BSP130,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 350MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
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BSP130,115NexperiaMOSFET TAPE-7 MOSFET
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BSP1313-05H2.5 LFBeStar ElectronicsAudio Sounder Piezo 1Vp-p 25Vp-p 5mA 5Vp-p 75dB 3600Hz to 4600Hz Surface Mount Solder Pad T/R
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BSP135INF09+
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BSP135Infineon TechnologiesMOSFET N-Channel Depletion MOSFETs (60 V to 600 V)
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BSP135INFLNEON07+ SOT-223
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BSP135
Produktcode: 73096		Transistoren > MOSFET N-CH
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BSP135INFINEON
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BSP135INFLNEONSOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP135 E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
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BSP135 E6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP135 E6327Infineon TechnologiesInfineon
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BSP135 E6906Infineon TechnologiesInfineon
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BSP135 E6906Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
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BSP135 H6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
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17+3.17 EUR
20+ 2.6 EUR
100+ 2.02 EUR
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1000+ 1.4 EUR
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BSP135 H6433Infineon TechnologiesMOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS
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BSP135 H6906Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 20mA SOT-223-3
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BSP135 L6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP135 L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
BSP135 L6433Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
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BSP135 L6433Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP135 L6906Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
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BSP135 L6906Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP135-L6327NXP
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BSP135EINFINEON09+ DIP-4
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BSP135E6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP135H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP135H6327XTSA1
Produktcode: 119867		Transistoren > MOSFET N-CH
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BSP135H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP135H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
auf Bestellung 27056 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP135H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2946 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.32 EUR
75+ 2.03 EUR
100+ 1.6 EUR
200+ 1.44 EUR
500+ 1.32 EUR
1000+ 1.12 EUR
2000+ 0.97 EUR
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BSP135H6327XTSA1InfineonN-MOSFET 0.12A 600V 1.8W 45Ω BSP135 TBSP135
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 10
BSP135H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
auf Bestellung 52973 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
9+3.17 EUR
11+ 2.58 EUR
100+ 2.01 EUR
500+ 1.7 EUR
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BSP135H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 14000 Stücke:
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1000+0.79 EUR
2000+ 0.71 EUR
5000+ 0.68 EUR
10000+ 0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP135H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 23552 Stücke:
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BSP135H6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
auf Bestellung 58117 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
17+3.17 EUR
20+ 2.6 EUR
100+ 2.02 EUR
500+ 1.72 EUR
1000+ 1.33 EUR
2000+ 1.31 EUR
5000+ 1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 17
BSP135H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP135H6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 60Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1387 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.39 EUR
58+ 1.24 EUR
74+ 0.97 EUR
79+ 0.92 EUR
1000+ 0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 52
BSP135H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP135H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
auf Bestellung 27056 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP135H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 23000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.79 EUR
2000+ 0.72 EUR
5000+ 0.68 EUR
10000+ 0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP135H6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 60Ω
auf Bestellung 1387 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+1.39 EUR
58+ 1.24 EUR
74+ 0.97 EUR
79+ 0.92 EUR
1000+ 0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 52
BSP135H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
auf Bestellung 52973 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+1.39 EUR
2000+ 1.31 EUR
5000+ 1.24 EUR
10000+ 1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP135H6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
BSP135H6433XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP135H6433XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 20mA SOT-223-3
auf Bestellung 3983 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
15+3.51 EUR
19+ 2.89 EUR
100+ 2.25 EUR
500+ 1.91 EUR
1000+ 1.55 EUR
2000+ 1.46 EUR
4000+ 1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 15
BSP135H6433XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP135H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
auf Bestellung 7508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP135H6433XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP135H6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
BSP135H6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP135H6433XTMA1Infineon
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP135H6433XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP135H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 25ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
auf Bestellung 7508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP135H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP135H6906XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
auf Bestellung 14744 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.86 EUR
10+ 4.04 EUR
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BSP135H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP135H6906XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 1000
BSP135H6906XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 20mA SOT-223-3
auf Bestellung 9025 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+4.91 EUR
13+ 4.08 EUR
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1000+ 2.33 EUR
2000+ 2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 11
BSP135H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP135IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP135IXTSA1Infineon TechnologiesN-channel Depletion Mode Small Signal MOSFET
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP135IXTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP135IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 25ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
auf Bestellung 571 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP135IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 1000
BSP135IXTSA1Infineon TechnologiesMOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS
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Lieferzeit 14-28 Tag (e)
23+2.27 EUR
29+ 1.85 EUR
100+ 1.44 EUR
500+ 1.22 EUR
1000+ 0.99 EUR
2000+ 0.94 EUR
10000+ 0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 23
BSP135IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+1.61 EUR
114+ 1.32 EUR
134+ 1.09 EUR
200+ 0.99 EUR
500+ 0.89 EUR
1000+ 0.8 EUR
2000+ 0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 97
BSP135IXTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 98 pF @ 25 V
auf Bestellung 2591 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2.13 EUR
15+ 1.75 EUR
100+ 1.36 EUR
500+ 1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 13
BSP135IXTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP135IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
auf Bestellung 571 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP135IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP135IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP135IXTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 98 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+0.94 EUR
2000+ 0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP135L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP135L6327HTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP135L6327HTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP135L6433Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP135L6433HTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP135L6906INF
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP135L6906Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP135L6906HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP14-3KPanduitSplice Terminal 14-18AWG Copper Blue 24.4mm T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP14-3KPanduit CorpDescription: CONN SPLICE 14-18 AWG CRIMP
Features: Brazed Seam
Packaging: Tape & Reel (TR)
Color: Blue
Wire Gauge: 14-18 AWG
Insulation: Fully Insulated
Terminal Type: Butt Splice, Inline, Individual Openings
Termination: Crimp
Number of Wire Entries: 2
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSP14-3KPanduitSplice Terminal 14-18AWG Copper Blue 24.4mm T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.94 EUR
6000+ 0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSP14-3KPanduitSplice Terminal 14-18AWG Copper Blue 24.4mm T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP14-3KPanduit CorpDescription: CONN SPLICE 14-18 AWG CRIMP
Features: Brazed Seam
Packaging: Cut Tape (CT)
Color: Blue
Wire Gauge: 14-18 AWG
Insulation: Fully Insulated
Terminal Type: Butt Splice, Inline, Individual Openings
Termination: Crimp
Number of Wire Entries: 2
Part Status: Active
auf Bestellung 4750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
20+1.32 EUR
25+ 1.29 EUR
50+ 1.26 EUR
100+ 1.19 EUR
500+ 1.16 EUR
1000+ 1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 20
BSP14-3KPanduitSplice Terminal 14-18AWG Copper Blue 24.4mm T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP14-3KPanduitTerminals Butt Splice premium nylon insulated 18
Produkt ist nicht verfügbar
BSP145PH09+
auf Bestellung 12618 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP145PHILIPSSOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP145PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP149Infineon TechnologiesMOSFET N-Channel Depletion MOSFETs (60 V to 600 V)
Produkt ist nicht verfügbar
BSP149 E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP149 E6906Infineon TechnologiesInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
BSP149 E6906Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP149 H6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
auf Bestellung 452 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
18+2.99 EUR
22+ 2.47 EUR
100+ 1.91 EUR
500+ 1.62 EUR
1000+ 1.32 EUR
2000+ 1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 18
BSP149 H6906Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 200V 140mA SOT-223-3
auf Bestellung 4862 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
16+3.28 EUR
20+ 2.7 EUR
100+ 2.09 EUR
500+ 1.78 EUR
1000+ 1.44 EUR
2000+ 1.36 EUR
5000+ 1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 16
BSP149 L6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP149 L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
BSP149 L6906Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
BSP149E6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP149E6327
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP149H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+1.31 EUR
2000+ 1.23 EUR
5000+ 1.18 EUR
10000+ 1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP149H6327XTSA1InfineonN-MOSFET 660mA 200V 1.8W 1.8 Ohm BSP149H6327XTSA1 BSP149 TBSP149
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 20
BSP149H6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
17+3.09 EUR
21+ 2.51 EUR
100+ 1.91 EUR
500+ 1.62 EUR
1000+ 1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 17
BSP149H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP149H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP149H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 660mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
auf Bestellung 2231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP149H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP149H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
auf Bestellung 27485 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
9+2.99 EUR
11+ 2.44 EUR
100+ 1.9 EUR
500+ 1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 9
BSP149H6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.6A
Case: SOT223
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
On-state resistance: 3.5Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1073 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.44 EUR
84+ 0.86 EUR
97+ 0.74 EUR
103+ 0.7 EUR
1000+ 0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 50
BSP149H6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.6A
Case: SOT223
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
On-state resistance: 3.5Ω
auf Bestellung 1073 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+1.44 EUR
84+ 0.86 EUR
97+ 0.74 EUR
103+ 0.7 EUR
1000+ 0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 50
BSP149H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 17000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP149H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 17000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP149H6327XTSA1InfineonN-MOSFET 660mA 200V 1.8W 1.8 Ohm BSP149H6327XTSA1 BSP149 TBSP149
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 10
BSP149H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP149H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 660mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
auf Bestellung 2231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP149H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP149H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1606 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+1.49 EUR
111+ 1.36 EUR
114+ 1.28 EUR
200+ 1.17 EUR
500+ 1.12 EUR
1000+ 0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 105
BSP149H6906XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS®
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.6A
Case: SOT223
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
On-state resistance: 3.5Ω
Produkt ist nicht verfügbar
BSP149H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
BSP149H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.78 EUR
2000+ 0.75 EUR
10000+ 0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP149H6906XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP149H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP149H6906XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS®
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.6A
Case: SOT223
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
On-state resistance: 3.5Ω
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSP149H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5644 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
141+1.11 EUR
142+ 1.06 EUR
162+ 0.9 EUR
250+ 0.86 EUR
500+ 0.69 EUR
1000+ 0.65 EUR
3000+ 0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 141
BSP149H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP149H6906XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.28 EUR
10+ 2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 8
BSP149H6906XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 200V 140mA SOT-223-3
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
16+3.28 EUR
20+ 2.68 EUR
100+ 2.06 EUR
500+ 1.7 EUR
1000+ 1.38 EUR
2000+ 1.3 EUR
5000+ 1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 16
BSP149H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5644 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.21 EUR
141+ 1.07 EUR
142+ 1.02 EUR
162+ 0.86 EUR
250+ 0.82 EUR
500+ 0.66 EUR
1000+ 0.63 EUR
3000+ 0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 129
BSP149H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.78 EUR
2000+ 0.75 EUR
10000+ 0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP149L6327
Produktcode: 36908		Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
BSP149L6327Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
auf Bestellung 1910 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
692+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 692
BSP149L6327BSP149L6327 Транзисторы MOS FET Small Signal
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
BSP149L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP149L6327HTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP149L6327HTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP149L6906Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
auf Bestellung 34268 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
770+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 770
BSP149L6906HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
auf Bestellung 130202 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
416+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 416
BSP149L6906HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP15PHILIPS07+ SOT223
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP15EQUATOR
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP15PHILIPSSOT223
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP152PHILIPSSOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP152KEJIAXIN09+
auf Bestellung 968 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP152PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP152PH09+
auf Bestellung 15018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP15AEQUATOR
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP15ALFEQUATOR
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP16PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP16PHILIPSSOT-223
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP16PHILIPS
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP16PHILIPS09+
auf Bestellung 2018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP16T1
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP16T1onsemiBipolar Transistors - BJT 1A 300V PNP
Produkt ist nicht verfügbar
BSP16T1onsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
BSP16T1GonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 2540 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
22+1.22 EUR
28+ 0.94 EUR
100+ 0.57 EUR
500+ 0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 22
BSP16T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP16T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 7000
BSP16T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7000+0.19 EUR
10000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 7000
BSP16T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP16T1GonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+0.36 EUR
2000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP16T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP16T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.1A; 1.5W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 300V
Current gain: 30...120
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: bipolar
Frequency: 15MHz
auf Bestellung 2260 Stücke:
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240+0.3 EUR
270+ 0.27 EUR
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BSP16T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP16T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP16T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.1A; 1.5W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 300V
Current gain: 30...120
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: bipolar
Frequency: 15MHz
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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BSP16T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 100mA 300V PNP
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44+1.19 EUR
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BSP16T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP16T1GONSEMIDescription: ONSEMI - BSP16T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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BSP17PH09+
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BSP17INFINEON
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BSP17INFLNEONSOT-223
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BSP17INFLNEON07+ SOT-223
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BSP170INFLNEON07+ SOT-223
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BSP170INF09+
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BSP170INFLNEONSOT-223
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BSP170PINFINEON
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BSP170PINF09+
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BSP170PINFINEON06+ SOT23-5
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BSP170P (BSP170PH6327XTSA1) SOT223-4
Produktcode: 115573		Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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BSP170P E6327Infineon TechnologiesMOSFET P-KANAL
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BSP170P H6327Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -60V -1.9A SOT-223-3
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24+2.18 EUR
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500+ 1.1 EUR
1000+ 0.93 EUR
2000+ 0.85 EUR
5000+ 0.79 EUR
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BSP170P H6327Infineon
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BSP170P L6327Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3
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BSP170PE6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP170PE6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP170PE6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP170PE6327TInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP170PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2955 Stücke:
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112+1.4 EUR
131+ 1.15 EUR
153+ 0.95 EUR
200+ 0.86 EUR
500+ 0.8 EUR
1000+ 0.72 EUR
2000+ 0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 112
BSP170PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP170PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.239 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.239ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 33918 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP170PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP170PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.5 EUR
2000+ 0.45 EUR
5000+ 0.41 EUR
10000+ 0.25 EUR
25000+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP170PH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
auf Bestellung 2592 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+1.36 EUR
113+ 0.63 EUR
139+ 0.52 EUR
159+ 0.45 EUR
168+ 0.43 EUR
1000+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 53
BSP170PH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -60V -1.9A SOT-223-3
auf Bestellung 36136 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
25+2.15 EUR
33+ 1.59 EUR
100+ 1.21 EUR
500+ 1.06 EUR
1000+ 0.91 EUR
2000+ 0.83 EUR
5000+ 0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 25
BSP170PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
auf Bestellung 16087 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
12+2.18 EUR
14+ 1.88 EUR
100+ 1.3 EUR
500+ 1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 12
BSP170PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.58 EUR
2000+ 0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP170PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP170PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.239 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.239ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 33918 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP170PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.5 EUR
2000+ 0.45 EUR
5000+ 0.41 EUR
10000+ 0.25 EUR
25000+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP170PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP170PH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2592 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.36 EUR
113+ 0.63 EUR
139+ 0.52 EUR
159+ 0.45 EUR
168+ 0.43 EUR
1000+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 53
BSP170PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.58 EUR
2000+ 0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP170PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+0.93 EUR
2000+ 0.83 EUR
5000+ 0.78 EUR
10000+ 0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PInfineonTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 300mOhm; 1,9A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; BSP170PH6327XTSA1 BSP170P TBSP170p
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 20
BSP170PL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP170PL6327HTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP170PL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP170PL6327XTInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP171INF
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP171INFLNEON07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP171INF09+
auf Bestellung 1994 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP171INFLNEONSOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP171
Produktcode: 83584		Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
BSP171PInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP171P E6327Infineon TechnologiesMOSFET P-KANAL
Produkt ist nicht verfügbar
BSP171P H6327InfineonTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 450mOhm; 1,9A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; BSP171PH6327XTSA1 BSP171P TBSP171
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1780 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 10
BSP171P H6327Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3
auf Bestellung 1196 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
25+2.13 EUR
28+ 1.87 EUR
100+ 1.28 EUR
500+ 1.07 EUR
1000+ 0.91 EUR
2000+ 0.82 EUR
5000+ 0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 25
BSP171P H6327
Produktcode: 122767		InfineonTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-223
Uds,V: 60 V
Id,A: 1,9 A
Rds(on),Om: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 365/13
/: SMD
auf Bestellung 103 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP171P L6327Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
BSP171P L6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP171PE6327
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP171PE6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP171PE6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP171PE6327TInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP171PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.47 EUR
2000+ 0.43 EUR
5000+ 0.35 EUR
10000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP171PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
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1000+0.47 EUR
2000+ 0.43 EUR
5000+ 0.35 EUR
10000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP171PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP171PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.21 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 61842 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP171PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP171PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
146+1.08 EUR
165+ 0.91 EUR
188+ 0.77 EUR
200+ 0.71 EUR
500+ 0.64 EUR
1000+ 0.59 EUR
2000+ 0.53 EUR
4000+ 0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 146
BSP171PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+0.9 EUR
2000+ 0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP171PH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1147 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.23 EUR
106+ 0.67 EUR
143+ 0.5 EUR
162+ 0.44 EUR
172+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 59
BSP171PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
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1000+0.54 EUR
2000+ 0.49 EUR
5000+ 0.38 EUR
10000+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP171PH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3
auf Bestellung 22888 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
25+2.13 EUR
29+ 1.85 EUR
100+ 1.28 EUR
500+ 1.07 EUR
1000+ 0.9 EUR
2000+ 0.81 EUR
5000+ 0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 25
BSP171PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP171PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.21 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 61842 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP171PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 23000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.54 EUR
2000+ 0.49 EUR
5000+ 0.38 EUR
10000+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP171PH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
auf Bestellung 1147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+1.23 EUR
106+ 0.67 EUR
143+ 0.5 EUR
162+ 0.44 EUR
172+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 59
BSP171PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
auf Bestellung 3371 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2.11 EUR
15+ 1.83 EUR
100+ 1.27 EUR
500+ 1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 13
BSP171PL6327INFINEON
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP171PL6327INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.7A; 1.6W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
BSP171PL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP171PL6327HTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP171PL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP171PL6327HTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP179H6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS
Produkt ist nicht verfügbar
BSP179H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 400V 210MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18Ohm @ 210mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP179H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 400V 0.21A Automotive T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP179H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 400V 210MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18Ohm @ 210mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
auf Bestellung 40640 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
683+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 683
BSP18-3KPanduit CorpDescription: CONN SPLICE 16-22 AWG CRIMP
Produkt ist nicht verfügbar
BSP18-3KPanduitTerminals Butt Splice premium nylon insulated 22
Produkt ist nicht verfügbar
BSP19PHILIPS09+
auf Bestellung 2768 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP19PHILIPS08+
auf Bestellung 344 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP19NexperiaNXP Semiconductors
Produkt ist nicht verfügbar
BSP19PHILIPSSOT-223
auf Bestellung 43000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP19PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP19 T/Ronsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
BSP19,115NexperiaTrans GP BJT NPN 350V 0.1A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.34 EUR
2000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP19,115NEXPERIACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 0.1A; 1.2W; SC73,SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SC73; SOT223
Frequency: 70MHz
Collector-emitter voltage: 400V
Current gain: 40
Collector current: 0.1A
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+1.04 EUR
105+ 0.68 EUR
150+ 0.48 EUR
215+ 0.33 EUR
227+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 69
BSP19,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 350V 0.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 1.2 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+0.53 EUR
2000+ 0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP19,115NEXPERIATrans GP BJT NPN 350V 0.1A 1200mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP19,115NEXPERIACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 0.1A; 1.2W; SC73,SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SC73; SOT223
Frequency: 70MHz
Collector-emitter voltage: 400V
Current gain: 40
Collector current: 0.1A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
69+1.04 EUR
105+ 0.68 EUR
150+ 0.48 EUR
215+ 0.33 EUR
227+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 69
BSP19,115NexperiaTrans GP BJT NPN 350V 0.1A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.33 EUR
2000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP19,115NexperiaTrans GP BJT NPN 350V 0.1A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.34 EUR
2000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP19,115NexperiaTrans GP BJT NPN 350V 0.1A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.33 EUR
2000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP19,115NexperiaBipolar Transistors - BJT BSP19/SOT223/SC-73
auf Bestellung 7759 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
38+1.4 EUR
44+ 1.19 EUR
100+ 0.83 EUR
500+ 0.66 EUR
1000+ 0.53 EUR
2000+ 0.46 EUR
10000+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 38
BSP19,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 350V 0.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 1.2 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5106 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
19+1.4 EUR
22+ 1.21 EUR
100+ 0.84 EUR
500+ 0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 19
BSP19,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP19,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 100 mA, 1.2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Anzahl der Pins: 4Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 70MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 7972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP19-QXNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT223 350V .1A NPN BJT
Produkt ist nicht verfügbar
BSP19-QXNexperia USA Inc.Description: BSP19-Q/SOT223/SC-73
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 1.2 W
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BSP19-QXNexperia USA Inc.Description: BSP19-Q/SOT223/SC-73
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 1.2 W
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BSP19AT1onsemiDescription: TRANS NPN 1A 350V SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
BSP19AT1MOTSOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP19AT1 1A/400VOnsemiSOT223
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP19AT1/SP19AON
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP19AT1GonsemiDescription: TRANS NPN 350V 0.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
BSP19AT1GOn SemiconductorSOT223
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP19AT1GonsemiDescription: TRANS NPN 350V 0.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
BSP19AT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.1A 800mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP19TADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 350V 0.5A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
BSP20PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP20PHILIPSSOT223
auf Bestellung 3540 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP20PHILIPSSOT-223
auf Bestellung 43000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP20,115NXP SemiconductorsTrans GP BJT NPN 250V 0.1A 1200mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP202Dupli-ColorDescription: PAINT SHOP FINISH SYSTEM BASE CO
Packaging: Box
Type: Paint Shop Base Coat
Size: 32 oz
Specifications: Brilliant Silver (Metallic)
Part Status: Active
Package Quantity: 2
Produkt ist nicht verfügbar
BSP203Dupli-ColorDescription: PAINT SHOP FINISH SYSTEM BASE CO
Packaging: Box
Type: Paint Shop Base Coat
Size: 32 oz
Specifications: Performance Red
Part Status: Active
Package Quantity: 2
Produkt ist nicht verfügbar
BSP204PHILIPSSOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP204PHILIPS07+ SOT-223
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP204PH09+
auf Bestellung 3418 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP205PHILIPSSOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP205PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP206PHILIPSSOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP206PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP207Dupli-ColorDescription: PAINT SHOP FINISH SYSTEM BASE CO
Packaging: Box
Type: Paint Shop Base Coat
Size: 32 oz
Specifications: Hugger Orange
Part Status: Active
Package Quantity: 2
Produkt ist nicht verfügbar
BSP209Dupli-ColorDescription: PAINT SHOP FINISH SYSTEM BASE CO
Packaging: Box
Type: Paint Shop Base Coat
Size: 32 oz
Specifications: Dark Emerald Green Metallic
Part Status: Active
Package Quantity: 2
Produkt ist nicht verfügbar
BSP220PH09+
auf Bestellung 4018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP220PHILIPSSOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP220PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP220NexperiaMOSFET
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BSP220 T/RNXP SemiconductorsMOSFET TAPE-7 MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
BSP220,115NexperiaMOSFET BSP220/SOT223/SC-73
Produkt ist nicht verfügbar
BSP220,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.43 EUR
2000+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP220,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 200V 225MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+0.86 EUR
2000+ 0.76 EUR
5000+ 0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP220,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 1737 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
241+0.65 EUR
257+ 0.59 EUR
258+ 0.56 EUR
297+ 0.47 EUR
300+ 0.45 EUR
500+ 0.4 EUR
1000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 241
BSP220,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP220,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 200 mA, 10 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP220,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.43 EUR
2000+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP220,115NEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -220V; -0.225A; 1.5W; SC73,SOT223
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SC73; SOT223
Drain-source voltage: -220V
Drain current: -0.225A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 1455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+1.24 EUR
120+ 0.6 EUR
133+ 0.54 EUR
162+ 0.44 EUR
171+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 58
BSP220,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP220,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 200V 225MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
auf Bestellung 6561 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2 EUR
15+ 1.74 EUR
100+ 1.2 EUR
500+ 1 EUR
Mindestbestellmenge: 13
BSP220,115NEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -220V; -0.225A; 1.5W; SC73,SOT223
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SC73; SOT223
Drain-source voltage: -220V
Drain current: -0.225A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1455 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
58+1.24 EUR
120+ 0.6 EUR
133+ 0.54 EUR
162+ 0.44 EUR
171+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 58
BSP220,115NEXPERIATrans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP220,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 1737 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
258+0.61 EUR
297+ 0.51 EUR
300+ 0.48 EUR
500+ 0.43 EUR
1000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 258
BSP225PHISOT223
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP225
Produktcode: 156034		Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
BSP225PHILIPSSOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP225PH09+
auf Bestellung 4018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP225NexperiaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
BSP225PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP225,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 250V 225MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
auf Bestellung 8834 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
17+1.53 EUR
20+ 1.33 EUR
100+ 0.92 EUR
500+ 0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 17
BSP225,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP225,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 200 mA, 10 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 11939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP225,115NEXPERIATrans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP225,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.35 EUR
2000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP225,115NexperiaMOSFET BSP225/SOT223/SC-73
auf Bestellung 8993 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
34+1.55 EUR
43+ 1.24 EUR
100+ 0.92 EUR
500+ 0.77 EUR
1000+ 0.64 EUR
2000+ 0.58 EUR
5000+ 0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 34
BSP225,115NEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.225A; 1.5W; SC73,SOT223
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SC73; SOT223
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -0.225A
On-state resistance: 15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 639 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+0.96 EUR
118+ 0.61 EUR
131+ 0.55 EUR
152+ 0.47 EUR
161+ 0.45 EUR
500+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 75
BSP225,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
297+0.53 EUR
351+ 0.43 EUR
500+ 0.32 EUR
1000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 297
BSP225,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP225,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 250V 225MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+0.65 EUR
2000+ 0.58 EUR
5000+ 0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP225,115NEXPERIATrans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP225,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 4141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
237+0.66 EUR
242+ 0.63 EUR
250+ 0.59 EUR
500+ 0.55 EUR
1000+ 0.52 EUR
3000+ 0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 237
BSP225,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP225,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 200 mA, 10 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 6736 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP225,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.34 EUR
2000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP225,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
267+0.59 EUR
297+ 0.51 EUR
351+ 0.41 EUR
500+ 0.3 EUR
1000+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 267
BSP225,115NEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.225A; 1.5W; SC73,SOT223
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SC73; SOT223
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -0.225A
On-state resistance: 15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 639 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.96 EUR
118+ 0.61 EUR
131+ 0.55 EUR
152+ 0.47 EUR
161+ 0.45 EUR
500+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 75
BSP225,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 4141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
160+0.98 EUR
201+ 0.75 EUR
237+ 0.61 EUR
242+ 0.58 EUR
250+ 0.54 EUR
500+ 0.51 EUR
1000+ 0.48 EUR
3000+ 0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 160
BSP225/S911115NXPDescription: NXP - BSP225/S911115 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 313000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP225/S911115NXP USA Inc.Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 313000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1065+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 1065
BSP230PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP230PH09+
auf Bestellung 6546 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP230PHILIPSSOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP230NexperiaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
BSP230,135NexperiaTrans MOSFET P-CH 300V 0.21A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP230,135Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 300V 210MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4000+0.53 EUR
8000+ 0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
BSP230,135NEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -300V; -210mA; Idm: -0.75A; 1.5W
Mounting: SMD
Technology: DMOS
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -0.75A
Case: SC73; SOT223
Drain-source voltage: -300V
Drain current: -0.21A
On-state resistance: 17Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 904 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
66+1.09 EUR
105+ 0.69 EUR
138+ 0.52 EUR
181+ 0.4 EUR
191+ 0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 66
BSP230,135NexperiaMOSFET BSP230/SOT223/SC-73
auf Bestellung 241 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
41+1.28 EUR
48+ 1.1 EUR
100+ 0.8 EUR
500+ 0.72 EUR
1000+ 0.53 EUR
8000+ 0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 41
BSP230,135NexperiaTrans MOSFET P-CH 300V 0.21A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP230,135NexperiaTrans MOSFET P-CH 300V 0.21A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP230,135NEXPERIATrans MOSFET P-CH 300V 0.21A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP230,135Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 300V 210MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
auf Bestellung 10527 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
17+1.56 EUR
20+ 1.33 EUR
100+ 0.93 EUR
500+ 0.72 EUR
1000+ 0.59 EUR
2000+ 0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 17
BSP230,135NEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -300V; -210mA; Idm: -0.75A; 1.5W
Mounting: SMD
Technology: DMOS
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -0.75A
Case: SC73; SOT223
Drain-source voltage: -300V
Drain current: -0.21A
On-state resistance: 17Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+1.09 EUR
105+ 0.69 EUR
138+ 0.52 EUR
181+ 0.4 EUR
191+ 0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 66
BSP230,135NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP230,135 - Leistungs-MOSFET, D-MOS, p-Kanal, 300 V, 210 mA, 17 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 210
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.5
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 17
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.8
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP230,135NexperiaTrans MOSFET P-CH 300V 0.21A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP230.115
Produktcode: 130371		Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
BSP230.115Nexperia Inc.BSP230,115 P-MOSFET, unipolar, -300V, -210mA, 1.5W, SOT223
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP250NexperiaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
BSP250 T/RNXP SemiconductorsMOSFET TAPE-7 MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
BSP250,115NXPP-MOSFET 3A 30V 1.65W 0.25Ω BSP250 TBSP250
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 985 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 50
BSP250,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP250,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7922 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP250,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 106000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.34 EUR
2000+ 0.31 EUR
5000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP250,115NexperiaMOSFET BSP250/SOT223/SC-73
auf Bestellung 3690 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
30+1.77 EUR
39+ 1.33 EUR
100+ 1.09 EUR
1000+ 0.93 EUR
5000+ 0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 30
BSP250,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 106000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.34 EUR
2000+ 0.31 EUR
5000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP250,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP250,115NEXPERIATrans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP250,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V
auf Bestellung 22998 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+0.65 EUR
2000+ 0.58 EUR
5000+ 0.55 EUR
10000+ 0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP250,115NEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1.65W
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Technology: DMOS
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -12A
Case: SC73; SOT223
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.65W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1422 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.1 EUR
97+ 0.74 EUR
128+ 0.56 EUR
161+ 0.45 EUR
170+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 65
BSP250,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSP250,115NEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1.65W
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Technology: DMOS
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -12A
Case: SC73; SOT223
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.65W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 1422 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+1.1 EUR
97+ 0.74 EUR
128+ 0.56 EUR
161+ 0.45 EUR
170+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 65
BSP250,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP250,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7922 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP250,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.38 EUR
2000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP250,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
283+0.55 EUR
300+ 0.5 EUR
303+ 0.48 EUR
304+ 0.46 EUR
362+ 0.37 EUR
366+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 283
BSP250,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSP250,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.38 EUR
2000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP250,115NEXPERIATrans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 106000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP250,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V
auf Bestellung 23357 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
17+1.53 EUR
20+ 1.33 EUR
100+ 0.92 EUR
500+ 0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 17
BSP250,135NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP250,135Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V
auf Bestellung 115226 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
24+1.09 EUR
28+ 0.93 EUR
100+ 0.64 EUR
500+ 0.54 EUR
1000+ 0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 24
BSP250,135NEXPERIATrans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP250,135Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V
auf Bestellung 112000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
BSP250,135NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP250,135 - MOSFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
BSP250,135NexperiaMOSFET BSP250/SOT223/SC-73
auf Bestellung 15391 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
34+1.55 EUR
39+ 1.33 EUR
100+ 0.92 EUR
500+ 0.77 EUR
1000+ 0.66 EUR
2000+ 0.64 EUR
4000+ 0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 34
BSP250GEG
Produktcode: 30597		Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
BSP254PHILIPSSOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP254PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP254A
Produktcode: 79931		PhilipsTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 250
Id,A: 0.2
Rds(on),Om: 10
Ciss, pF/Qg, nC: 65
/: THT
Produkt ist nicht verfügbar
BSP254A,126NXP SemiconductorsTrans MOSFET P-CH 250V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
Produkt ist nicht verfügbar
BSP254A,126NXP USA Inc.Description: MOSFET P-CH 250V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP255PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP255PH09+
auf Bestellung 8618 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP255PHILIPSSOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP280INFLNEON07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP280INFINEONTO-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP280INFLNEONSOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP295Infineon TechnologiesMOSFET N-Channel Small Signal MOSFETs (20 V to 800 V)
Produkt ist nicht verfügbar
BSP295 E6327Infineon TechnologiesMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
BSP295 H6327Infineon
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP295 H6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3
auf Bestellung 26215 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
24+2.25 EUR
27+ 1.98 EUR
100+ 1.35 EUR
500+ 1.13 EUR
1000+ 0.96 EUR
2000+ 0.87 EUR
5000+ 0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 24
BSP295 L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
BSP295 L6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP295-E6327SIEMENSSOT89
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP295E6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP295E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP295E6327TInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.35 EUR
137+ 1.11 EUR
160+ 0.91 EUR
200+ 0.83 EUR
500+ 0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 116
BSP295H6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+1.41 EUR
129+ 1.17 EUR
137+ 1.06 EUR
182+ 0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 111
BSP295H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP295H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.22 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1306 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.49 EUR
2000+ 0.43 EUR
5000+ 0.36 EUR
10000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP295H6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
auf Bestellung 1728 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
12+2.24 EUR
15+ 1.83 EUR
100+ 1.43 EUR
500+ 1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 12
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.39 EUR
2000+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.39 EUR
2000+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3
auf Bestellung 4696 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
24+2.25 EUR
28+ 1.92 EUR
100+ 1.35 EUR
500+ 1.13 EUR
1000+ 0.91 EUR
2000+ 0.83 EUR
5000+ 0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 24
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.21 EUR
137+ 1.11 EUR
182+ 0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 129
BSP295H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP295H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.22 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 8817 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP295L6327Infineon TechnologiesDescription: SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
auf Bestellung 308310 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
831+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 831
BSP295L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP295L6327HTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP295L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP296INF09+
auf Bestellung 11018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP296INFLNEONSOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP296INFLNEON07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP296PHILIPS
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP296 E6327INFINEON00+;
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP296 E6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP296 E6433Infineon TechnologiesInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
BSP296 E6433Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP296 L6327INFINEONSMD 01+
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP296 L6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP296 L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
BSP296 L6433Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP296 L6433Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
BSP296E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP296E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP296L6327Infineon TechnologiesDescription: SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
BSP296L6327INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.1A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
BSP296L6327Infineon technologies
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP296L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP296L6327HTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP296L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP296L6433Infineon TechnologiesDescription: SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 25 V
auf Bestellung 6756 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1094+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 1094
BSP296L6433INFINEON
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP296L6433HTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP296L6433HTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP296L6433HTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP296N H6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3
auf Bestellung 8568 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
24+2.25 EUR
27+ 1.98 EUR
100+ 1.35 EUR
500+ 1.13 EUR
1000+ 0.96 EUR
2000+ 0.87 EUR
5000+ 0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 24
BSP296N H6433Infineon TechnologiesMOSFET SMALL SIGNAL N-CH
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
24+2.23 EUR
27+ 1.98 EUR
100+ 1.35 EUR
500+ 1.13 EUR
1000+ 0.96 EUR
2000+ 0.87 EUR
4000+ 0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 24
BSP296NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP296NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.329 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.329ohm
auf Bestellung 11231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP296NH6327XTSA1InfineonTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 BSP296NH6433XTMA1 BSP296NH6327XTSA1 TBSP296N
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 50
BSP296NH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.2A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+1.23 EUR
112+ 0.64 EUR
122+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 59
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3
auf Bestellung 62060 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
24+2.25 EUR
28+ 1.87 EUR
100+ 1.35 EUR
500+ 1.13 EUR
1000+ 0.9 EUR
2000+ 0.83 EUR
5000+ 0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 24
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.61 EUR
2000+ 0.53 EUR
5000+ 0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP296NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP296NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.329 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.329ohm
auf Bestellung 11231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V
auf Bestellung 11562 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
12+2.18 EUR
15+ 1.79 EUR
100+ 1.39 EUR
500+ 1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 12
BSP296NH6327XTSA1InfineonTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 BSP296NH6433XTMA1 BSP296NH6327XTSA1 TBSP296N
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 50
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.61 EUR
2000+ 0.53 EUR
5000+ 0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
188+0.83 EUR
220+ 0.69 EUR
232+ 0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 188
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+0.96 EUR
2000+ 0.9 EUR
5000+ 0.86 EUR
10000+ 0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP296NH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.2A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.23 EUR
112+ 0.64 EUR
122+ 0.59 EUR
1000+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 59
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.22 EUR
151+ 1 EUR
177+ 0.82 EUR
200+ 0.75 EUR
500+ 0.67 EUR
1000+ 0.61 EUR
2000+ 0.55 EUR
4000+ 0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 129
BSP296NH6433XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4000+0.9 EUR
8000+ 0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
BSP296NH6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP296NH6433XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP296NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.329 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.329ohm
auf Bestellung 1065 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP296NH6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP296NH6433XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP296NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.329 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.329ohm
auf Bestellung 1065 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP296NH6433XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V
auf Bestellung 14692 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
12+2.18 EUR
15+ 1.79 EUR
100+ 1.39 EUR
500+ 1.18 EUR
1000+ 0.96 EUR
2000+ 0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 12
BSP296NH6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+1.27 EUR
145+ 1.05 EUR
169+ 0.86 EUR
200+ 0.78 EUR
500+ 0.7 EUR
1000+ 0.64 EUR
4000+ 0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 123
BSP296NH6433XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SMALL SIGNAL N-CH
auf Bestellung 2780 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
24+2.25 EUR
27+ 1.95 EUR
100+ 1.35 EUR
500+ 1.13 EUR
1000+ 0.96 EUR
2000+ 0.86 EUR
4000+ 0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 24
BSP296NL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BSP297InfineonN-MOSFET 0.66A 200V 1.8W 1.8Ω BSP297 TBSP297
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 20
BSP297 E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 357 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP297 H6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
auf Bestellung 10507 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
25+2.1 EUR
28+ 1.86 EUR
100+ 1.27 EUR
500+ 1.06 EUR
1000+ 0.9 EUR
2000+ 0.82 EUR
5000+ 0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 25
BSP297 L6327Infineon
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP297 L6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP297E6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP297H6327Infineon technologies
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP297H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 357 pF @ 25 V
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+0.89 EUR
2000+ 0.84 EUR
5000+ 0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP297H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP297H6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
auf Bestellung 94127 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
25+2.1 EUR
29+ 1.83 EUR
100+ 1.27 EUR
500+ 1.06 EUR
1000+ 0.88 EUR
2000+ 0.79 EUR
5000+ 0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 25
BSP297H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
176+0.89 EUR
202+ 0.75 EUR
242+ 0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 176
BSP297H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 53000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.58 EUR
2000+ 0.52 EUR
5000+ 0.47 EUR
10000+ 0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP297H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 53000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.58 EUR
2000+ 0.52 EUR
5000+ 0.47 EUR
10000+ 0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP297H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP297H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1.8W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3743 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP297H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 357 pF @ 25 V
auf Bestellung 7504 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2.03 EUR
16+ 1.66 EUR
100+ 1.29 EUR
500+ 1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 13
BSP297H6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.66A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.66A
On-state resistance: 1.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 762 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
123+0.58 EUR
141+ 0.51 EUR
146+ 0.49 EUR
152+ 0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 123
BSP297H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.47 EUR
2000+ 0.43 EUR
5000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP297H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP297H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.47 EUR
2000+ 0.43 EUR
5000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP297H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP297H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 660mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3743 Stücke:
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BSP297H6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.66A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.66A
On-state resistance: 1.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 762 Stücke:
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123+0.58 EUR
141+ 0.51 EUR
146+ 0.49 EUR
152+ 0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 123
BSP297H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+1.42 EUR
119+ 1.27 EUR
141+ 1.03 EUR
200+ 0.94 EUR
500+ 0.9 EUR
1000+ 0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 111
BSP297H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1633 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.22 EUR
142+ 1.06 EUR
158+ 0.92 EUR
200+ 0.85 EUR
500+ 0.78 EUR
1000+ 0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 128
BSP297L6327Infineon TechnologiesDescription: SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 357 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP297L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 357 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP297L6327HTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP297L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 357 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP298INF09+
auf Bestellung 32518 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP298INFLNEONSOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
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BSP298INFLNEON07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP298 E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 400V 500MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP298 E6327Infineon TechnologiesInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
BSP298 E6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 400V 0.5A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP298 H6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 400V 500mA SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
BSP298 L6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 400V 0.5A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP298 L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 400V 500mA SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
BSP298H6327XUSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP298H6327XUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 500 mA, 2.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
BSP298H6327XUSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 400V 0.5A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.87 EUR
2000+ 1.64 EUR
3000+ 1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP298H6327XUSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 400V 500mA SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
BSP298H6327XUSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 400V 0.5A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP298H6327XUSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 400V 500MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP298H6327XUSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP298H6327XUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 500 mA, 2.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 500
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.8
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.2
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
BSP298H6327XUSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 400V 500MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP298H6327XUSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 400V 0.5A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP298L6327
Produktcode: 56811		Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
BSP298L6327HUSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 400V 500MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP299INFLNEON07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP299Infineon TechnologiesMOSFET N-Channel Small Signal MOSFETs (20 V to 800 V)
Produkt ist nicht verfügbar
BSP299INFINEON
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP299INFLNEONSOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP299INF09+
auf Bestellung 36772 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP299 E6327Infineon TechnologiesInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
BSP299 E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP299 H6327InfineonTrans MOSFET N-CH 500V 0.4A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 BSP299H6327XUSA1 BSP299H TBSP299h
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 20
BSP299 H6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 500V 400mA SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
BSP299 L6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 0.4A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP299 L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 500V 400mA SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
BSP299E6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 0.4A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP299H6327Infineon technologies
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP299H6327XUSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP299H6327XUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 400 mA, 3.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 400
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.8
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
BSP299H6327XUSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP299H6327XUSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 500V 400mA SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
BSP299H6327XUSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 0.4A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP299H6327XUSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 0.4A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP299H6327XUSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP299H6327XUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 400 mA, 3.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
BSP299H6327XUSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP299L6327Infineon TechnologiesDescription: SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
BSP299L6327HUSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP299L6327HUSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
auf Bestellung 29062 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
547+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 547
BSP299L6327HUSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 0.4A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP299L6327HUSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP299L6327XTInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 0.4A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP3-120Thomas Research ProductsDescription: LIGHTING SURGE PROTECTOR 120V
Packaging: Box
Mounting Type: Free Hanging
Approval Agency: cURus, UL
Form: Module Only
Part Status: Active
Number of Poles: 3
Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 150VAC, 200VDC
Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 10 kA
Current - Discharge (Max) (8/20µS): 10 kA
Produkt ist nicht verfügbar
BSP3-120-LCThomas Research ProductsDescription: LIGHTING SURGE PROTECTOR 120V
Packaging: Box
Mounting Type: Free Hanging
Approval Agency: cURus, UL
Form: Module Only
Number of Poles: 3
Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 150VAC, 200VDC
Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 10 kA
Current - Discharge (Max) (8/20µS): 10 kA
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+38.9 EUR
10+ 35.76 EUR
25+ 34.28 EUR
BSP3-208/240Thomas Research ProductsDescription: LIGHTING SURGE PROTECTOR 240V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP3-208/240-LCThomas Research ProductsDescription: LIGHTING SURGE PROTECTOR 240V
Packaging: Box
Mounting Type: Free Hanging
Approval Agency: cURus, UL
Form: Module Only
Part Status: Active
Number of Poles: 3
Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 275VAC, 350VDC
Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 10 kA
Current - Discharge (Max) (8/20µS): 10 kA
Produkt ist nicht verfügbar
BSP3-277Thomas Research ProductsDescription: LIGHTING SURGE PROTECTOR 277V
Packaging: Box
Mounting Type: Free Hanging
Approval Agency: cURus, UL
Form: Module Only
Number of Poles: 3
Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 320VAC, 420VDC
Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 10 kA
Current - Discharge (Max) (8/20µS): 10 kA
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+46.67 EUR
10+ 42.9 EUR
25+ 41.12 EUR
100+ 36.23 EUR
BSP3-277-20KAThomas Research ProductsDescription: LIGHTING SURGE PROTECT 100-277V
Packaging: Box
Mounting Type: Free Hanging
Approval Agency: CE, cURus, UL
Form: Module Only
Number of Poles: 3
Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 320VAC, 420VDC
Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 20 kA
Current - Discharge (Max) (8/20µS): 20 kA
Produkt ist nicht verfügbar
BSP3-277-20KA-TNThomas Research ProductsDescription: LIGHTING SURGE PROTECT 100-277V
Packaging: Box
Mounting Type: Free Hanging
Approval Agency: CE, cURus, UL
Form: Module Only
Number of Poles: 3
Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 320VAC, 420VDC
Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 20 kA
Current - Discharge (Max) (8/20µS): 20 kA
auf Bestellung 417 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+52.7 EUR
BSP3-277-LCThomas Research ProductsDescription: LIGHTING SURGE PROTECTOR 277V
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP3-347Thomas Research ProductsDescription: SPD 420VAC/560VDC MCOV 3 POLE
Packaging: Box
Mounting Type: Free Hanging
Approval Agency: cURus, UL
Form: Module Only
Part Status: Active
Number of Poles: 3
Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 420VAC, 560VDC
Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 10 kA
Current - Discharge (Max) (8/20µS): 10 kA
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+47.16 EUR
10+ 43.34 EUR
BSP3-347-LCThomas Research ProductsDescription: SPD 420VAC/560VDC MCOV 3 POLE
Packaging: Box
Mounting Type: Free Hanging
Approval Agency: cURus, UL
Form: Module Only
Part Status: Active
Number of Poles: 3
Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 420VAC, 560VDC
Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 10 kA
Current - Discharge (Max) (8/20µS): 10 kA
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+39.31 EUR
BSP3-480Thomas Research ProductsDescription: SPD 550VAC/715VDC MCOV 3 POLE
Packaging: Box
Mounting Type: Free Hanging
Approval Agency: cURus, UL
Form: Module Only
Number of Poles: 3
Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 550VAC, 715VDC
Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 10 kA
Current - Discharge (Max) (8/20µS): 10 kA
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+48.65 EUR
10+ 44.69 EUR
25+ 42.84 EUR
BSP3-480-20KAThomas Research ProductsDescription: SPD 550VAC/745VDC MCOV 3 POLE
Packaging: Box
Mounting Type: Free Hanging
Approval Agency: CE, cURus, UL
Form: Module Only
Part Status: Active
Number of Poles: 3
Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 550VAC, 745VDC
Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 20 kA
Current - Discharge (Max) (8/20µS): 20 kA
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+55.07 EUR
10+ 50.8 EUR
25+ 48.52 EUR
BSP3-480-20KA-TNThomas Research ProductsDescription: LIGHTING SURGE PROTECTOR 480V
Packaging: Box
Mounting Type: Free Hanging
Approval Agency: CE, cURus, UL
Form: Module Only
Part Status: Active
Number of Poles: 3
Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 550VAC, 745VDC
Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 20 kA
Current - Discharge (Max) (8/20µS): 20 kA
Produkt ist nicht verfügbar
BSP3-480-LCThomas Research ProductsDescription: SPD 550VAC/715VDC MCOV 3 POLE
Packaging: Box
Mounting Type: Free Hanging
Approval Agency: cURus, UL
Form: Module Only
Number of Poles: 3
Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 550VAC, 715VDC
Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 10 kA
Current - Discharge (Max) (8/20µS): 10 kA
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+40.07 EUR
10+ 36.83 EUR
BSP30STMSOT-223
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP30PHILIPS07+ SOT223
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP30PHILIPSSOT223
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP30PHILIPSSOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP300BROADFIXDescription: BROADFIX - BSP300 - BROADFIX FLAT PACKERS 300 PER TUB MIXED
tariffCode: 83024200
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP300 E6327Infineon TechnologiesInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
BSP300 E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 190MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP300 H6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 800V 190mA SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
BSP300 L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 800V 190mA SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
BSP300 L6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 0.19A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP300E6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 0.19A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP300H6327XUSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 0.19A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP300H6327XUSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 190MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP300H6327XUSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP300H6327XUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 190 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
BSP300H6327XUSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 0.19A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP300H6327XUSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 800V 190mA SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
BSP300H6327XUSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 190MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP300H6327XUSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP300H6327XUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 190 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 190
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.8
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: SIPMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 15
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
BSP300L6327HUSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 190MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP300L6327HUSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 0.19A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP304PHILIPSSOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP304PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP304A,126NXP USA Inc.Description: MOSFET P-CH 300V 170MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP308INFLNEONSOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP308INFLNEON07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP31PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP31STMSOT-223
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP31PHILIPSSOT-223
auf Bestellung 43000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP31,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP31,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP31,115NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BSP31 - POWER BIPOL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
auf Bestellung 4139 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1989+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1989
BSP31,115NexperiaBipolar Transistors - BJT BSP31/SOT223/SC-73
auf Bestellung 2806 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
33+1.62 EUR
38+ 1.4 EUR
100+ 1.06 EUR
500+ 0.99 EUR
1000+ 0.49 EUR
2000+ 0.42 EUR
10000+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 33
BSP31,115NEXPERIACategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; 1.3W; SC73,SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SC73; SOT223
Frequency: 100MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 30...300
Collector current: 1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: bipolar
auf Bestellung 1061 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
168+0.43 EUR
187+ 0.38 EUR
247+ 0.29 EUR
261+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 168
BSP31,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP31,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP31,115NexperiaTrans GP BJT PNP 60V 1A 1300mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP31,115NEXPERIATrans GP BJT PNP 60V 1A 1300mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP31,115NEXPERIACategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; 1.3W; SC73,SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SC73; SOT223
Frequency: 100MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 30...300
Collector current: 1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1061 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
168+0.43 EUR
187+ 0.38 EUR
247+ 0.29 EUR
261+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 168
BSP31-FILTERBrady CorporationDescription: ASSY FILTER BSP31 RC
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
BSP31/PH1BPHI
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP315INF09+
auf Bestellung 33427 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP315INFINEON
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP315SiemensDescription: MOSFET P-CH 50V 1A SOT223
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Power Dissipation (Max): 1.8W
Supplier Device Package: SOT-223
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP315INFLNEONSOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP315infinenSOT223
auf Bestellung 1298 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP315INFINEON09+ SOT223
auf Bestellung 3800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP315 E6327INFINEONSOT223
auf Bestellung 1519 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP315PTECH PUBLICTransistor P-Channel MOSFET; -60V; +/-20V; 130mOhm; -3A; 2W; -55°C~150°C; BSP315P SOT223 TEC TBSP315p TEC
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 50
BSP315P
Produktcode: 41790		Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
BSP315PUMWTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 95mOhm; 1,17A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSP315P-E6327; BSP315PH6327XTSA1; BSP315P UMW TBSP315p UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 50
BSP315PINFINEON
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP315PTECH PUBLICTransistor P-Channel MOSFET; -60V; +/-20V; 130mOhm; -3A; 2W; -55°C~150°C; BSP315P SOT223 TEC TBSP315p TEC
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 50
BSP315PTECH PUBLICTransistor P-Channel MOSFET; -60V; +/-20V; 130mOhm; -3A; 2W; -55°C~150°C; BSP315P SOT223 TEC TBSP315p TEC
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 493 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 50
BSP315PINF09+
auf Bestellung 32430 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP315PJGSEMITransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 230mOhm; 2A; 2W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: BSP315P-E6327; BSP315PH6327XTSA1; BSP315P JGSEMI TBSP315p JGS
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 100
BSP315P E6327Infineon TechnologiesMOSFET P-KANAL
Produkt ist nicht verfügbar
BSP315P H6327Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -60V -1.17A SOT-223-3
auf Bestellung 797 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
24+2.23 EUR
27+ 1.97 EUR
100+ 1.34 EUR
500+ 1.12 EUR
1000+ 0.95 EUR
2000+ 0.86 EUR
5000+ 0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 24
BSP315P L6327Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -60V 1.17A SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
BSP315P L6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.17A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP315P-E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP315P-E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP315PE6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.17A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP315PE6327TInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP315PE6327TInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP315PH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.17A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
137+0.52 EUR
152+ 0.47 EUR
195+ 0.37 EUR
206+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 137
BSP315PH6327XTSA1InfineonP-MOSFET 1.17A 50V 1.8W 0.8Ω BSP315P TBSP315p
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 50
BSP315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.17A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.44 EUR
2000+ 0.4 EUR
5000+ 0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.17A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.43 EUR
2000+ 0.4 EUR
5000+ 0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.17A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP315PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.17 A, 0.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 10795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
auf Bestellung 30736 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2 EUR
15+ 1.73 EUR
100+ 1.2 EUR
500+ 1 EUR
Mindestbestellmenge: 13
BSP315PH6327XTSA1InfineonP-MOSFET 1.17A 50V 1.8W 0.8Ω BSP315P TBSP315p
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 50
BSP315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.17A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.17A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4023 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+1.58 EUR
117+ 1.3 EUR
136+ 1.07 EUR
200+ 0.97 EUR
500+ 0.77 EUR
1000+ 0.69 EUR
2000+ 0.62 EUR
4000+ 0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 99
BSP315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.17A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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BSP315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -60V -1.17A SOT-223-3
auf Bestellung 13781 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
26+2.01 EUR
30+ 1.74 EUR
100+ 1.21 EUR
500+ 1.01 EUR
1000+ 0.86 EUR
2000+ 0.76 EUR
5000+ 0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 26
BSP315PH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.17A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
137+0.52 EUR
152+ 0.47 EUR
195+ 0.37 EUR
206+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 137
BSP315PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.17 A, 0.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 1.8
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
BSP315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+0.85 EUR
2000+ 0.76 EUR
5000+ 0.72 EUR
10000+ 0.67 EUR
25000+ 0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSP315PL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP315PL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSP315PL6327XTInfineon
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP315PL6327 
auf Bestellung 5080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP316INFINEON09+ 3/TO252
auf Bestellung 2020 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP316SIESOT223
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP316INF09+
auf Bestellung 1668 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP316INFLNEONSOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP316PINF09+
auf Bestellung 38774 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSP316P E6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.68A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP316P H6327Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -100V -680mA SOT-223-3
auf Bestellung 15840 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
24+2.2 EUR
27+ 1.96 EUR
100+ 1.33 EUR
500+ 1.12 EUR
1000+ 0.95 EUR
2000+ 0.86 EUR
5000+ 0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 24
BSP316P L6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.68A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSP316PE6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
Produkt ist nicht verfügbar
BSP316PE6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
Produkt ist nicht verfügbar
BSP316PE6327TInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
Produkt ist nicht verfügbar
BSP316PE6327TInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
Produkt ist nicht verfügbar
BSP316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.68A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSP316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
auf Bestellung 32421 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2 EUR
16+ 1.72 EUR
100+ 1.19 EUR
500+ 1 EUR
Mindestbestellmenge: 13
BSP316PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 680 mA, 1.4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
auf Bestellung 3579 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)