Produkte > IKW
Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||||
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IKW03N120H | Infineon Technologies | Description: IGBT WITH ANTI-PARALLEL DIODE Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns Switching Energy: 140µJ (on), 150µJ (off) Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V Gate Charge: 22 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A Power - Max: 62.5 W | auf Bestellung 683 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW03N120H2 | INF | TO-247 | auf Bestellung 8640 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW03N120H2 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW03N120H2 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62500mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW03N120H2 | Infineon Technologies | Description: IGBT WITH ANTI-PARALLEL DIODE Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns Switching Energy: 290µJ Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V Gate Charge: 22 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A Power - Max: 62.5 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW03N120H2 | INF | 07+; | auf Bestellung 3145 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW03N120H2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62.5mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW03N120H2FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns Switching Energy: 290µJ Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V Gate Charge: 22 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A Power - Max: 62.5 W | auf Bestellung 3415 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW03N120H2FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns Switching Energy: 290µJ Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V Gate Charge: 22 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A Power - Max: 62.5 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW08N120 | Infineon | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IKW08N120CS7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW08N120CS7XKSA1 - IGBT, 21 A, 1.65 V, 106 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 106W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 21A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW08N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 21A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 130 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 8A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 17ns/160ns Switching Energy: 370µJ (on), 400µJ (off) Test Condition: 600V, 8A, 20Ohm, 15V Gate Charge: 52 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 21 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A Power - Max: 106 W | auf Bestellung 123 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW08N120CS7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IKW08N120CS7XKSA1 THT IGBT transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW08N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | Short Circuit Rugged IGBT 7 Technology | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW08N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | auf Bestellung 335 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW08T120 Produktcode: 113720
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| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IKW08T120 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 8A | auf Bestellung 823 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW08T120 | Infineon technologies | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IKW08T120 | INFINEON | MODULE | auf Bestellung 100087 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW08T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW08T120FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 8A | auf Bestellung 211 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW08T120FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 8A; 70W; TO247-3 Collector current: 8A Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 24A Technology: TRENCHSTOP™ Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Mounting: THT Collector-emitter voltage: 1.2kV Turn-on time: 63ns Turn-off time: 520ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 70W Kind of package: tube Gate charge: 53nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW08T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW08T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 972 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW08T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 6480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW08T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW08T120FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW08T120FKSA1 - IGBT, Universal, 16 A, 2.2 V, 70 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 16A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW08T120FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 8A; 70W; TO247-3 Collector current: 8A Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 24A Technology: TRENCHSTOP™ Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Mounting: THT Collector-emitter voltage: 1.2kV Turn-on time: 63ns Turn-off time: 520ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 70W Kind of package: tube Gate charge: 53nC | auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW08T120FKSA1 Produktcode: 166948
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| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IKW08T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 252 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW08T120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT FS 1200V 16A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 80 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 8A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 40ns/450ns Switching Energy: 1.37mJ Test Condition: 600V, 8A, 81Ohm, 15V Gate Charge: 53 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A Power - Max: 70 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW15N120BH6 | Infineon Technologies | Infineon INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW15N120BH6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW15N120BH6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW15N120BH6XKSA1 - IGBT, 30 A, 1.9 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 6 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW15N120BH6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3 Mounting: THT Pulsed collector current: 60A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 100W Collector-emitter voltage: 1.2kV Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 92nC Technology: TRENCHSTOP™ 6 Case: TO247-3 Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 15A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW15N120BH6XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | auf Bestellung 218 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW15N120BH6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 20880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW15N120BH6XKSA1 Produktcode: 174089
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| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IKW15N120BH6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 340 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/240ns Switching Energy: 700µJ (on), 550µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 92 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 200 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW15N120BH6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3 Mounting: THT Pulsed collector current: 60A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 100W Collector-emitter voltage: 1.2kV Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 92nC Technology: TRENCHSTOP™ 6 Case: TO247-3 Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 15A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW15N120BH6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 367 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW15N120BH6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW15N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 36A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 135 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns Switching Energy: 750µJ (on), 700µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 36 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 176 W | auf Bestellung 216 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW15N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW15N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW15N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | SP005419706 | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW15N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW15N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW15N120CS7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW15N120CS7XKSA1 - IGBT, 36 A, 1.65 V, 176 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 176W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 36A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW15N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 1200 V, 15 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package | auf Bestellung 466 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW15N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW15N120H3 Produktcode: 100561
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IKW15N120H3 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 316 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW15N120H3 | Infineon Technologies | Description: IKW15N120 - DISCRETE IGBT WITH A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW15N120H3 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 347 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 377 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 377 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 377 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 260 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns Switching Energy: 1.55mJ Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V Gate Charge: 75 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 217 W | auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW15N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3 Mounting: THT Manufacturer series: H3 Pulsed collector current: 60A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 217W Collector-emitter voltage: 1.2kV Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 75nC Technology: TRENCHSTOP™ 3 Case: TO247-3 Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW15N120H3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW15N120H3FKSA1 - IGBT, 30 A, 2.05 V, 217 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 217W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 56 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 88 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 88 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW15N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3 Mounting: THT Manufacturer series: H3 Pulsed collector current: 60A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 217W Collector-emitter voltage: 1.2kV Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 75nC Technology: TRENCHSTOP™ 3 Case: TO247-3 Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A | auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW15N120H3FKSA1 | Infineon | Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3FKSA1 TIKW15n120h3 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW15N120T2 | Infineon | IGBT Trench 1200V 30A 235W IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2 TIKW15n120t2 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW15N120T2 Produktcode: 126256
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IKW15N120T2 | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 15A | auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW15N120T2FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW15N120T2FKSA1 - IGBT, 30 A, 1.7 V, 235 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 235W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchStop® 2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 509 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW15N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 182 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW15N120T2FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3 Mounting: THT Pulsed collector current: 60A Turn-on time: 57ns Turn-off time: 457ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 235W Collector-emitter voltage: 1.2kV Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 93nC Technology: TRENCHSTOP™ 2 Case: TO247-3 Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW15N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW15N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW15N120T2FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3 Mounting: THT Pulsed collector current: 60A Turn-on time: 57ns Turn-off time: 457ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 235W Collector-emitter voltage: 1.2kV Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 93nC Technology: TRENCHSTOP™ 2 Case: TO247-3 Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A | auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW15N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 182 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW15N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW15N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 266 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW15N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 182 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW15N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 266 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW15N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 1200V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 32ns/362ns Switching Energy: 2.05mJ Test Condition: 600V, 15A, 41.8Ohm, 15V Gate Charge: 93 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 235 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW15T120 Produktcode: 119901
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| Infineon | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule Gehäuse: TO-247 Vces: 1200 V Vce: 1,7 V Ic 25: 30 A Ic 100: 15 A Pd 25: 110 W td(on)/td(off) 100-150 Grad: 50/520 | auf Bestellung 20 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW15T120 | Infineon Technologies | Description: IKW15T120 - DISCRETE IGBT WITH A Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 140 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 50ns/520ns Switching Energy: 1.3mJ (on), 1.4mJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 56Ohm, 15V Gate Charge: 85 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 110 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW15T120 | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 15A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW15T120 E8161 | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 15A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW15T120FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW15T120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT FS 1200V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 140 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 50ns/520ns Switching Energy: 2.7mJ Test Condition: 600V, 15A, 56Ohm, 15V Gate Charge: 85 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 110 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW15T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 110W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 14733 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW15T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 110000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW15T120T2 | MODULE | auf Bestellung 59 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IKW20N60H3 | Infineon technologies | auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IKW20N60H3 | Infineon Technologies | IGBTs 600V 20A 170W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW20N60H3 | Infineon Technologies | Description: IKW20N60 - DISCRETE IGBT WITH AN Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 112 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 17ns/194ns Switching Energy: 560µJ (on), 240µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 170 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW20N60H3 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW20N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW20N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 85W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 0.12µC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 80A Turn-on time: 28ns Turn-off time: 205ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW20N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 600V 20A 170W | auf Bestellung 1902 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW20N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 112 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 17ns/194ns Switching Energy: 800µJ Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 170 W | auf Bestellung 390 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW20N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW20N60H3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW20N60H3FKSA1 - IGBT, 20 A, 2.4 V, 170 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 245 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW20N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 167 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW20N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 85W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 0.12µC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 80A Turn-on time: 28ns Turn-off time: 205ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW20N60T Produktcode: 187316
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IKW20N60T | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW20N60T E8161 | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW20N60TA | Infineon Technologies | Description: IKW20N60 - AUTOMOTIVE IGBT DISCR Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 41 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 166 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW20N60TA | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW20N60TAFKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 41 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns Switching Energy: 770µJ Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 166 W | auf Bestellung 347 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW20N60TAFKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IKW20N60TAFKSA1 - IKW20N60 - AUTOMOTIVE IGBT DISCRETES euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 347 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW20N60TAFKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 41 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns Switching Energy: 770µJ Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 166 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW20N60TAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW20N60TAFKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW20N60TAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 347 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW20N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW20N60TFKSA1 | Infineon | Transistor IGBT ; 600V; 20V; 40A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; IKW20N60T TIKW20n60t Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW20N60TFKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A | auf Bestellung 692 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW20N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW20N60TFKSA1 Produktcode: 188050
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IKW20N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW20N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 166W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Turn-on time: 36ns Turn-off time: 299ns Gate charge: 0.12µC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 156 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW20N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 166W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Turn-on time: 36ns Turn-off time: 299ns Gate charge: 0.12µC | auf Bestellung 156 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW20N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 41 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns Switching Energy: 770µJ Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 166 W | auf Bestellung 529 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW20N60TFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW20N60TFKSA1 - IGBT, 41 A, 1.5 V, 166 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 166W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 41A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 339 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW20N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 139 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW20N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT with Anti-parallel Diode | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW20N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 70 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16ns/210ns Switching Energy: 360µJ (on), 360µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 128 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 136 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1424 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW20N65ET7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW20N65ET7XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 136 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 232 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW20N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT with Anti-parallel Diode | auf Bestellung 11520 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW20N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | SP005348286 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW20N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650 V, 20 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package | auf Bestellung 3432 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW20N65ET7XKSA1 Produktcode: 178407
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IKW25N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode | auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW25N120CS7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 125W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 37A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 75A Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ Turn-on time: 38ns Turn-off time: 490ns | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW25N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | SP005419560 | auf Bestellung 1877 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW25N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 1200 V, 25 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW25N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode | auf Bestellung 304560 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW25N120CS7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 125W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 37A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 75A Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ Turn-on time: 38ns Turn-off time: 490ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW25N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode | auf Bestellung 1276 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 55A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 21ns/160ns Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.1mJ (off) Test Condition: 600V, 25A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 150 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 55 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Power - Max: 250 W | auf Bestellung 279 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW25N120CS7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW25N120CS7XKSA1 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 250 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 78 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW25N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode | auf Bestellung 1277 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25N120H3 | Infineon | Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3 TIKW25n120h3 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW25N120H3 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 375 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25N120H3 Produktcode: 113551
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IKW25N120H3 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 1317 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW25N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 203 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 290 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 27ns/277ns Switching Energy: 2.65mJ Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 115 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 326 W | auf Bestellung 355 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW25N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW25N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 262 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW25N120H3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW25N120H3FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.4 V, 326 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 326W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 25A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 562 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW25N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 15131 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 326W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ 3 Manufacturer series: H3 | auf Bestellung 221 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW25N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 326W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ 3 Manufacturer series: H3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 221 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW25N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW25N120H3XK | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 362 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW25N120T2 Produktcode: 39789
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| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IKW25N120T2 | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 25A | auf Bestellung 940 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW25N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 195 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 27ns/265ns Switching Energy: 2.9mJ Test Condition: 600V, 25A, 16.4Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 349 W | auf Bestellung 542 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW25N120T2FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 349W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 236 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW25N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25N120T2FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW25N120T2FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.2 V, 349 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 349W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 25A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 694 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW25N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 622 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW25N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW25N120T2FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 349W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | auf Bestellung 236 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1248 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW25N120T2FKSA1 | Infineon | Транз. IGBT UltraFast TO247-3 Uces=1200V; Ic=50A; Pdmax=349W | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 218 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25N120T2FKSA1 | Infineon | Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 349W; 5,2V~6,4V; 120nC; -40°C~175°C; IKW25N120T2 TIKW25n120t2 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW25N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 623 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 218 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25N120T2XK | Infineon Technologies | Description: IGBT, 50A, 1200V, N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 195 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 27ns/265ns Switching Energy: 1.55mJ (on), 1.35mJ (off) Test Condition: 600V, 25A, 16.4Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 349 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW25T120 | Infineon Technologies | Description: IKW25T120 - DISCRETE IGBT WITH A Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns Switching Energy: 2mJ (on), 2.2mJ (off) Test Condition: 600V, 25A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 155 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Power - Max: 190 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW25T120 Produktcode: 175269
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| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IKW25T120 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 25A | auf Bestellung 1464 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW25T120FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 190W; TO247-3 Collector current: 50A Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 75A Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Mounting: THT Collector-emitter voltage: 1.2kV Type of transistor: IGBT Power dissipation: 190W Kind of package: tube Gate charge: 155nC | auf Bestellung 56 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 740 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 108 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25T120FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 190W; TO247-3 Collector current: 50A Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 75A Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Mounting: THT Collector-emitter voltage: 1.2kV Type of transistor: IGBT Power dissipation: 190W Kind of package: tube Gate charge: 155nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 56 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 558 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 108 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 25A | auf Bestellung 2097 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25T120FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW25T120FKSA1 - IGBT, Universal, 50 A, 2.2 V, 190 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1884 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT FS 1200V 50A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns Switching Energy: 4.2mJ Test Condition: 600V, 25A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 155 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Power - Max: 190 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW25T120FKSA1 | Infineon | 1200V 50A 190W IKW25T120FKSA1 INFINEON IKW25T120 TIKW25t120 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 560 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW25T120T2 | MODULE | auf Bestellung 59 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IKW30N60DTP | Infineon | auf Bestellung 91440 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IKW30N60DTP | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW30N60DTP | Infineon Technologies | Description: HIGH SPEED IGBT Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 76 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 15ns/179ns Switching Energy: 710µJ (on), 420µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V Gate Charge: 130 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 53 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 200 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW30N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 53A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 76 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 15ns/179ns Switching Energy: 710µJ (on), 420µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V Gate Charge: 130 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 53 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 200 W | auf Bestellung 3026 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW30N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW30N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW30N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW30N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | auf Bestellung 596 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW30N60H3 | Infineon Technologies | IGBTs 600V 30A 187W | auf Bestellung 3391 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW30N60H3 Produktcode: 94542
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IKW30N60H3 | Infineon | Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C; IKW30N60H3 TIKW30n60h3 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW30N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 356 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 94W Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 165nC Manufacturer series: H3 Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 120A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 119 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW30N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 218 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 616 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW30N60H3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW30N60H3FKSA1 - IGBT, 30 A, 2.4 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW30N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 356 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 38 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 21ns/207ns Switching Energy: 1.38mJ Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V Gate Charge: 165 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 187 W | auf Bestellung 247 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW30N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 94W Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 165nC Manufacturer series: H3 Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 120A | auf Bestellung 119 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW30N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 218 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 600V 30A 187W | auf Bestellung 433 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW30N60T | Infineon Technologies | Description: IKW30N60 - DISCRETE IGBT WITH AN Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 143 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns Switching Energy: 690µJ (on), 770µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V Gate Charge: 167 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 45 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 187 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW30N60T | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N60T | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 30A | auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW30N60T | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW30N60T Produktcode: 99658
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IKW30N60TA | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT TrnchStp w/Soft Fast recovery | auf Bestellung 243 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW30N60TAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N60TAFKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 143 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns Switching Energy: 1.46mJ Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V Gate Charge: 167 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 187 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW30N60TAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW30N60TAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3840 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 735 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3 Type of transistor: IGBT Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 167nC Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 39A Pulsed collector current: 90A Turn-on time: 44ns Turn-off time: 0.3µs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW30N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 143 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns Switching Energy: 1.46mJ Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V Gate Charge: 167 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 187 W | auf Bestellung 6279 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW30N60TFKSA1 | Infineon | Transistor IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C; IKW30N60T TIKW30n60t Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW30N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW30N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N60TFKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 30A | auf Bestellung 1162 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW30N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 735 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3 Type of transistor: IGBT Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 167nC Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 39A Pulsed collector current: 90A Turn-on time: 44ns Turn-off time: 0.3µs Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW30N60TFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW30N60TFKSA1 - IGBT, Universal, 60 A, 2.05 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 287 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW30N65EL5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IKW30N65EL5 THT IGBT transistors | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW30N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW30N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650V IGBT Trenchstop 5 | auf Bestellung 3005 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW30N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 7920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 7920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N65EL5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW30N65EL5XKSA1 - IGBT, 85 A, 1.05 V, 227 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.05V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1129 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW30N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1919 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 57960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW30N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 85A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 33ns/308ns Switching Energy: 470µJ (on), 1.35mJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 168 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 85 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 227 W | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW30N65ES5 | Infineon | auf Bestellung 22080 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IKW30N65ES5 | Infineon Technologies | IGBTs Trenchstop 5 IGBT | auf Bestellung 1338 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW30N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N65ES5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW30N65ES5XKSA1 - IGBT, 62 A, 1.35 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP™ 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 62A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 245 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW30N65ES5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 39.5A Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Turn-on time: 29ns Turn-off time: 154ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW30N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW30N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 176 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 62A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V Gate Charge: 70 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 62 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 188 W | auf Bestellung 631 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW30N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW30N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1497 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW30N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 179 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N65ES5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 39.5A Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Turn-on time: 29ns Turn-off time: 154ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 88 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 88 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT with Anti-parallel Diode | auf Bestellung 1440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 80 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20ns/245ns Switching Energy: 590µJ (on), 500µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 180 nC Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 188 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 252 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW30N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650 V, 30 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package | auf Bestellung 1145 Stücke: Lieferzeit 143-147 Tag (e) |
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IKW30N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | IKW30N65ET7 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW30N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT with Anti-parallel Diode | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N65ET7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW30N65ET7XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.35 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW30N65H5 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW30N65H5 | Infineon technologies | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IKW30N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW30N65H5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW30N65H5XKSA1 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 105 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW30N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | auf Bestellung 179 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW30N65H5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IKW30N65H5 THT IGBT transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW30N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW30N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 55A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 70 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 20ns/190ns Switching Energy: 280µJ (on), 100µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 70 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 55 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 188 W | auf Bestellung 292 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW30N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW30N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N65NL5 | Infineon Technologies | Description: IKW30N65 - DISCRETE IGBT WITH AN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW30N65NL5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW30N65NL5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW30N65NL5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW30N65NL5XKSA1 - IGBT, 85 A, 1.05 V, 227 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.05 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 227 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Betriebstemperatur, max.: 175 Kollektorstrom: 85 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW30N65NL5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 85A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 59 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 59ns/283ns Switching Energy: 560µJ (on), 1.35mJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 168 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 85 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 227 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW30N65NL5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors 650V IGBT Trenchstop 5 | auf Bestellung 2403 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW30N65WR5 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW30N65WR5 | Infineon technologies | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IKW30N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 185000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW30N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 185W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW30N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES 14 | auf Bestellung 488 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW30N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 185W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N65WR5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW30N65WR5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.4 V, 185 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 185W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 147 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW30N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 95 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 39ns/367ns Switching Energy: 990µJ (on), 330µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 26Ohm, 15V Gate Charge: 155 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 185 W | auf Bestellung 124 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW30N65WR5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IKW30N65WR5 THT IGBT transistors | auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW30N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 185W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 234 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N120CH7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW40N120CH7XKSA1 - IGBT, 82 A, 1.7 V, 330 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 156 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 36ns/336ns Switching Energy: 1.69mJ (on), 920µJ (off) Gate Charge: 290 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 82 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 330 W | auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 410 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package | auf Bestellung 830 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N120CS6 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N120CS6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N120CS6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 285nC Kind of package: tube Pulsed collector current: 160A Collector-emitter voltage: 1.2kV Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector current: 40A Technology: TRENCHSTOP™ 6 Gate-emitter voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW40N120CS6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 213 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N120CS6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1808 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N120CS6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N120CS6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 285nC Kind of package: tube Pulsed collector current: 160A Collector-emitter voltage: 1.2kV Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector current: 40A Technology: TRENCHSTOP™ 6 Gate-emitter voltage: ±20V | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N120CS6XKSA1 Produktcode: 193315
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| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IKW40N120CS6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 376 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N120CS6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 213 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N120CS6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW40N120CS6XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 249 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N120CS6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 400 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 27ns/315ns Switching Energy: 2.55mJ (on), 1.55mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 9Ohm, 15V Gate Charge: 285 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 500 W | auf Bestellung 372 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N120CS6XKSA1 | Infineon | IGBT 1200V 40A TO247-3-46 TrenchStop -40+175°C IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies TIKW40n120cs6 | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N120CS6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 328 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N120CS6XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | auf Bestellung 564 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N120CS6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 327 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode | auf Bestellung 178 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N120CS7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW40N120CS7XKSA1 - IGBT, 82 A, 1.65 V, 357 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 357W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 367 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 175 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 27ns/190ns Switching Energy: 2.55mJ (on), 1.75mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 4Ohm, 15V Gate Charge: 230 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 82 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 357 W | auf Bestellung 152 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N120CS7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 56A; 179W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 179W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 230nC Kind of package: tube Turn-on time: 45ns Pulsed collector current: 120A Collector-emitter voltage: 1.2kV Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector current: 56A Technology: TRENCHSTOP™ Turn-off time: 0.5µs Gate-emitter voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode | auf Bestellung 113 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package | auf Bestellung 1055 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode | auf Bestellung 719040 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | SP005415716 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N120CS7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 56A; 179W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 179W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 230nC Kind of package: tube Turn-on time: 45ns Pulsed collector current: 120A Collector-emitter voltage: 1.2kV Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector current: 56A Technology: TRENCHSTOP™ Turn-off time: 0.5µs Gate-emitter voltage: ±20V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N120H3 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 1878 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N120H3 Produktcode: 153177
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| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IKW40N120H3 | Infineon Technologies | High speed Trans IGBT Chip | auf Bestellung 290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N120H3 | Infineon | Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 483W; 5,0V~6,5V; 185nC; -40°C~175°C; IKW40N120H3 TIKW40n120h3 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW40N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 483W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 185nC Kind of package: tube Pulsed collector current: 160A Collector-emitter voltage: 1.2kV Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector current: 80A Manufacturer series: H3 Technology: TRENCHSTOP™ 3 Gate-emitter voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 483W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 185nC Kind of package: tube Pulsed collector current: 160A Collector-emitter voltage: 1.2kV Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector current: 80A Manufacturer series: H3 Technology: TRENCHSTOP™ 3 Gate-emitter voltage: ±20V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 799 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N120H3FKSA1 Produktcode: 144428
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IKW40N120H3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW40N120H3FKSA1 - IGBT, 40 A, 2.4 V, 483 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 483W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 10738 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 2140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 355 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 30ns/290ns Switching Energy: 4.4mJ Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 185 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 483 W | auf Bestellung 4879 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N120T2 | Infineon | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW40N120T2 | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A | auf Bestellung 940 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N120T2 Produktcode: 73806
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IKW40N120T2 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N120T2 Produktcode: 150870
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IKW40N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N120T2FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 480W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 192nC Kind of package: tube Pulsed collector current: 165A Collector-emitter voltage: 1.2kV Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector current: 40A Technology: TRENCHSTOP™ Gate-emitter voltage: ±20V | auf Bestellung 68 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 2673 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N120T2FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW40N120T2FKSA1 - IGBT, 75 A, 1.75 V, 480 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 480W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 179 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 1200V 75A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 258 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 33ns/314ns Switching Energy: 5.25mJ Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 192 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 480 W | auf Bestellung 801 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N120T2FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 480W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 192nC Kind of package: tube Pulsed collector current: 165A Collector-emitter voltage: 1.2kV Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector current: 40A Technology: TRENCHSTOP™ Gate-emitter voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 68 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW40N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A | auf Bestellung 204 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 374 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N60DTP | Infineon | auf Bestellung 21840 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IKW40N60DTP | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 67A 246W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N60DTPXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW40N60DTPXKSA1 - IGBT, 67 A, 1.6 V, 246 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6 Verlustleistung Pd: 246 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TRENCHSTOP DC-Kollektorstrom: 67 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 67A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 87 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/222ns Switching Energy: 1.06mJ (on), 610µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10.1Ohm, 15V Gate Charge: 177 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 67 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 246 W | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 67A 246W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 67A 246W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | IKW40N60DT Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306mW TO-247 | auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N60H3 Produktcode: 128556
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| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IKW40N60H3 | Infineon technologies | auf Bestellung 243 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IKW40N60H3 | Infineon Technologies | Description: IKW40N60 - DISCRETE IGBT WITH AN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N60H3 | Infineon Technologies | IGBTs 600V 40A 306W | auf Bestellung 259 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 153W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 153W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 223nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Pulsed collector current: 160A Turn-on time: 52ns Turn-off time: 218ns Collector-emitter voltage: 600V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW40N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 124 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 19ns/197ns Switching Energy: 1.68mJ Test Condition: 400V, 40A, 7.9Ohm, 15V Gate Charge: 223 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 306 W | auf Bestellung 1078 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 197 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N60H3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW40N60H3FKSA1 - IGBT, 40 A, 2.4 V, 306 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 306W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | IKW40N60H3 IGBT 600V 80A 306.0W TO247-3 | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 153W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 153W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 223nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Pulsed collector current: 160A Turn-on time: 52ns Turn-off time: 218ns Collector-emitter voltage: 600V | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N60H3FKSA1 (TO-247, Infineon) IGBT N-ch 600V/80A Produktcode: 160842
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| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule Gehäuse: TO-247 Vces: 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IKW40N65ES5 | Infineon Technologies | IGBTs Trenchstop 5 IGBT | auf Bestellung 201 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1437 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N65ES5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW40N65ES5XKSA1 - IGBT, 79 A, 1.7 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 79A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N65ES5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 115W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 95nC Kind of package: tube Turn-on time: 37ns Turn-off time: 153ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ 5 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N65ES5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 115W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 95nC Kind of package: tube Turn-on time: 37ns Turn-off time: 153ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ 5 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | auf Bestellung 361 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 78 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 79A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 73 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 79 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 230 W | auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT with Anti-parallel Diode | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package | auf Bestellung 1467 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT with Anti-parallel Diode | auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | SP005403468 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 76A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 85 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20ns/310ns Switching Energy: 1.05mJ (on), 590µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 235 nC Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 76 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 230.8 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 106 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT with Anti-parallel Diode | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT with Anti-parallel Diode | auf Bestellung 34800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N65ET7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW40N65ET7XKSA1 - IGBT, 76 A, 1.35 V, 230.8 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 230.8W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 76A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 241 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N65F5 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N65F5AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 74A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 73 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 19ns/165ns Switching Energy: 350µJ (on), 100µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Grade: Automotive Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 250 W Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N65F5AXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 190 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N65F5AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N65F5F | Infineon Technologies | Description: IGBT WITH ANTI-PARALLEL DIODE Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns Switching Energy: 360µJ (on), 100µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 255 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 74A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns Switching Energy: 360µJ (on), 100µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 255 W | auf Bestellung 1506 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 216 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N65F5FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW40N65F5FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.6 V, 255 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 237 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 641 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 121 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 702 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N65F5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 74A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: F5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW40N65F5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 74A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: F5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N65H5 | Infineon | IGBT Chip N-CH Trench Field Stop 650V 74A 255W IKW40N65H5FKSA1 TIKW40n65h5 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW40N65H5 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N65H5 | Infineon technologies | auf Bestellung 242 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IKW40N65H5 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N65H5 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N65H5 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N65H5AXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES | auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N65H5AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N65H5AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 74A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 20ns/153ns Switching Energy: 380µJ (on), 120µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 92 nC Grade: Automotive Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 250 W Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N65H5FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW40N65H5FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 255 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 18055 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 74A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 62 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 22ns/165ns Switching Energy: 390µJ (on), 120µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 255 W | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 592 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N65H5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 74A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: H5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 656 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N65H5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 74A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: H5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Discrete Chip | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode | auf Bestellung 526 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | SP004038146 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Discrete Chip | auf Bestellung 7440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N65RH5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW40N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 74A, 250W, To-247, 1.65Vsat tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 415 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/165ns Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 250 W | auf Bestellung 113 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Discrete Chip | auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N65WR5 | Infineon technologies | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IKW40N65WR5 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N65WR5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 115W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 115W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 193nC Kind of package: tube Turn-on time: 60ns Turn-off time: 448ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ 5 | auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N65WR5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW40N65WR5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 112 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 42ns/432ns Switching Energy: 770µJ (on), 160µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V Gate Charge: 193 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 230 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES 14 | auf Bestellung 174 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 253 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 252 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N65WR5XKSA1 Produktcode: 200399
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| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IKW40N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N65WR5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 115W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 115W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 193nC Kind of package: tube Turn-on time: 60ns Turn-off time: 448ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ 5 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW40N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 253 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40T120 | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A | auf Bestellung 649 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40T120 | INFINEON | 10+ TO-247 | auf Bestellung 3240 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40T120 | Infineon technologies | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IKW40T120 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40T120 Produktcode: 48060
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IKW40T120 | INFINEON | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IKW40T120 | INFINEON | MODULE | auf Bestellung 500094 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40T120FKSA1 | Infineon | IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 75A 270W IKW40T120FKSA1 IKW40T120 TIKW40t120 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW40T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40T120FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A | auf Bestellung 989 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40T120FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 270W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 270W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 105A Mounting: THT Gate charge: 203nC Kind of package: tube Turn-on time: 92ns Turn-off time: 700ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ | auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40T120FKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IKW40T120FKSA1 - IKW40T120 DISCRETE IGBT WITH ANTI-PARAL tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 385 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40T120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT FS 1200V 75A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 240 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 48ns/480ns Switching Energy: 6.5mJ Test Condition: 600V, 40A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 203 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A Power - Max: 270 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40T120FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 270W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 270W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 105A Mounting: THT Gate charge: 203nC Kind of package: tube Turn-on time: 92ns Turn-off time: 700ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW40T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 221 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40T120FKSA1 Produktcode: 152618
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IKW40T120XK | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW40TI20FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT, 75A, 1200V, N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 240 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 48ns/480ns Switching Energy: 3.3mJ (on), 3.2mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 203 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A Power - Max: 270 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 86A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 116 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 39ns/319ns Switching Energy: 2.33mJ (on), 1.12mJ (off) Gate Charge: 375 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 86 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 398 W | auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 86A 398W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 86A 398W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 86A 398W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N120CH7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW50N120CH7XKSA1 - IGBT, 86 A, 1.7 V, 398 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 398W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 86A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 206 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 86A 398W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 86A 398W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package | auf Bestellung 473 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N120CS7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW50N120CS7XKSA1 - IGBT, 82 A, 1.65 V, 428 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 428W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 296 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 193 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 155 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 1200 V, 50 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package | auf Bestellung 711 Stücke: Lieferzeit 94-98 Tag (e) |
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IKW50N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 165 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 29ns/170ns Switching Energy: 2.8mJ (on), 2.2mJ (off) Test Condition: 600V, 50A, 2.3Ohm, 15V Gate Charge: 290 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 82 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 428 W | auf Bestellung 114 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 154 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | SP005419710 | auf Bestellung 155 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 626880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 193 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N60DTP | Infineon | auf Bestellung 15600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IKW50N60DTP | Infineon technologies | auf Bestellung 239 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IKW50N60DTP | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 319.2W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 115 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20ns/215ns Switching Energy: 1.53mJ (on), 850µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V Gate Charge: 249 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 319.2 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N60DTPXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 61A Pulsed collector current: 150A Turn-on time: 50ns Turn-off time: 233ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 159.6W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 249nC Technology: TRENCHSTOP™ Case: TO247-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW50N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N60DTPXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 61A Pulsed collector current: 150A Turn-on time: 50ns Turn-off time: 233ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 159.6W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 249nC Technology: TRENCHSTOP™ Case: TO247-3 | auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 319.2W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 3648 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 319.2W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | auf Bestellung 910 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N60DTPXKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IKW50N60DTPXKSA1 - IKW50N60 DISCRETE IGBT WITH ANTI-PARALL tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 319.2W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 319.2W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 3650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N60DTPXKSA1 транзистор Produktcode: 205715
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IKW50N60H3 Produktcode: 94376
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IKW50N60H3 | Infineon Technologies | IGBTs HIGH SPEED SWITCHING | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N60H3 | Infineon | Transistor IGBT ; 600V; 20V; 100A; 200A; 333W; 4,1V~5,7V; 315nC; -40°C~175°C; IKW50N60H3 TIKW50n60h3 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW50N60H3 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 208 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N60H3 | Infineon Technologies | Description: IKW50N60 - DISCRETE IGBT WITH AN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N60H3 | Infineon | Transistor IGBT ; 600V; 20V; 100A; 200A; 333W; 4,1V~5,7V; 315nC; -40°C~175°C; IKW50N60H3 TIKW50n60h3 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N60H3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW50N60H3FKSA1 - IGBT, 100 A, 1.85 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 253 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 238 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 130 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 23ns/235ns Switching Energy: 2.36mJ Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V Gate Charge: 315 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 333 W | auf Bestellung 148 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1722 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs HIGH SPEED SWITCHING | auf Bestellung 431 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Power dissipation: 167W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 315nC Kind of package: tube Turn-off time: 297ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: H3 Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 200A Turn-on time: 54ns | auf Bestellung 221 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Power dissipation: 167W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 315nC Kind of package: tube Turn-off time: 297ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: H3 Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 200A Turn-on time: 54ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 221 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW50N60T | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N60T | Infineon | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t Anzahl je Verpackung: 2 Stücke | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW50N60T | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 50A | auf Bestellung 468 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N60T | Infineon | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t Anzahl je Verpackung: 2 Stücke | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW50N60T Produktcode: 145126
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| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IKW50N60T | Infineon Technologies | Description: IKW50N60 - DISCRETE IGBT WITH AN Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 143 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.4mJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V Gate Charge: 310 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 333 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N60TA Produktcode: 139366
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| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IKW50N60TA | Infineon Technologies | Description: IKW50N60 - AUTOMOTIVE IGBT DISCR Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 143 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.4mJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V Gate Charge: 310 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 333 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N60TAFKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 143 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns Switching Energy: 2.6mJ Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V Gate Charge: 310 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 333 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N60TAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N60TAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N60TAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 232 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N60TAFKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 143 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns Switching Energy: 2.6mJ Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V Gate Charge: 310 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 333 W | auf Bestellung 9853 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N60TAFKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IKW50N60TAFKSA1 - IKW50N60 DISCRETE IGBT WITH ANTI-PARALL tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 9853 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 166 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 167 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 209 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 143 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns Switching Energy: 2.6mJ Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V Gate Charge: 310 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 333 W | auf Bestellung 1165 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N60TFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW50N60TFKSA1 - IGBT, Universal, 80 A, 2 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 4973 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 167 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 50A Power dissipation: 333W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ | auf Bestellung 202 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 9565 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 50A Power dissipation: 333W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 202 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 209 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 9565 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 50A | auf Bestellung 657 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N65EH5 | Infineon | auf Bestellung 12360 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IKW50N65EH5 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N65EH5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 138W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: H5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 Turn-on time: 54ns Turn-off time: 207ns | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | auf Bestellung 233 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 197 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 156 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N65EH5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 138W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: H5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 Turn-on time: 54ns Turn-off time: 207ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 81 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 25ns/172ns Switching Energy: 1.5mJ (on), 500µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 275 W | auf Bestellung 198 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N65EH5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW50N65EH5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 275 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 275W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 156 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65ES5 | Infineon Technologies | IGBTs Trenchstop 5 IGBT | auf Bestellung 179 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 254 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 252 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65ES5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60.5A Power dissipation: 137W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ 5 Turn-on time: 47ns Turn-off time: 161ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 70 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 20ns/127ns Switching Energy: 1.23mJ (on), 550µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 274 W | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65ES5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW50N65ES5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 274 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 274W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP™ 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 172 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N65ES5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60.5A Power dissipation: 137W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ 5 Turn-on time: 47ns Turn-off time: 161ns | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 254 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 93 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 26ns/350ns Switching Energy: 1.2mJ (on), 850µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V Gate Charge: 290 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 273 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N65ET7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW50N65ET7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 273 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 273W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 195 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65ET7XKSA1 Produktcode: 178408
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| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IKW50N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package | auf Bestellung 256 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N65F5 | Infineon | auf Bestellung 960 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IKW50N65F5 Produktcode: 187321
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IKW50N65F5 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N65F5 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N65F5AXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N65F5AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 77 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 21ns/156ns Switching Energy: 490µJ (on), 140µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 108 nC Grade: Automotive Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 270 W Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N65F5AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N65F5FKSA1 Produktcode: 162192
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| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IKW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1218 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65F5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 305W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: F5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 | auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | IKW50N65F5 IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N65F5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 305W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: F5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW50N65F5FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW50N65F5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 305W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 6758 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 74 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 52 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 21ns/175ns Switching Energy: 490µJ (on), 160µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 305 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N65H5 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N65H5A | Infineon Technologies | IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N65H5AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N65H5AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N65H5AXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N65H5AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 58 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 21ns/173ns Switching Energy: 450µJ (on), 160µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 116 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 270 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N65H5AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 330 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 57 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 21ns/180ns Switching Energy: 520µJ (on), 180µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 305 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65H5FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW50N65H5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 305W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 196 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 138 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65H5FKSA1 | Infineon | 80A; 650V; 305W; IGBT w/ Diode IKW50N65H5 TIKW50n65h5 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke | auf Bestellung 101 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW50N65H5FKSA1 Produktcode: 125871
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| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IKW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65H5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 305W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: H5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 | auf Bestellung 196 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65H5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 305W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: H5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 196 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW50N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Discrete Chip | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Discrete Chip | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Discrete Chip | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode | auf Bestellung 926 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 22ns/180ns Switching Energy: 230µJ (on), 180µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 305 W | auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Discrete Chip | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | SP004038142 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N65RH5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW50N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 305W, To-247, 1.65Vsat tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 305W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 615 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Discrete Chip | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Discrete Chip | auf Bestellung 15360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode | auf Bestellung 602 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20ns/140ns Switching Energy: 320µJ (on), 550µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V Gate Charge: 110 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 274 W | auf Bestellung 116 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | SP001668430 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N65SS5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW50N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 274W, To-247, 1.35Vsat tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 274W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5 CoolSiC Gen VI Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 171 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Discrete Chip | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Discrete Chip | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65WR5 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N65WR5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 141W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 230nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ 5 Turn-on time: 79ns Turn-off time: 420ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 102 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW50N65WR5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW50N65WR5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 282 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 282W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N65WR5XKSA1 Produktcode: 208262
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| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IKW50N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW50N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES 14 | auf Bestellung 348 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N65WR5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 141W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 230nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ 5 Turn-on time: 79ns Turn-off time: 420ns | auf Bestellung 102 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 110 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 45ns/417ns Switching Energy: 840µJ (on), 220µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 16Ohm, 15V Gate Charge: 230 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 282 W | auf Bestellung 176 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 239 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW60N60H3 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop | auf Bestellung 294 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW60N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Power dissipation: 416W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 375nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: H3 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 60A Pulsed collector current: 180A Turn-on time: 64ns Turn-off time: 314ns Collector-emitter voltage: 600V | auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW60N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW60N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 143 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 27ns/252ns Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.13mJ (off) Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 375 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A Power - Max: 416 W | auf Bestellung 186 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW60N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW60N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW60N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW60N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Power dissipation: 416W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 375nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: H3 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 60A Pulsed collector current: 180A Turn-on time: 64ns Turn-off time: 314ns Collector-emitter voltage: 600V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW60N60H3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW60N60H3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 416 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 416W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 123 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW60N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW60N60H3 Produktcode: 198550
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| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IKW75N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 92A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 145 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 55ns/461ns Switching Energy: 4.22mJ (on), 1.66mJ (off) Gate Charge: 535 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 92 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 549 W | auf Bestellung 242 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW75N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 92A 549W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW75N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package | auf Bestellung 923 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW75N120CH7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW75N120CH7XKSA1 - IGBT, 92 A, 1.7 V, 549 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 549W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 92A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 111 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW75N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 92A 549W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 355 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 92A 549W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW75N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 92A 549W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 355 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N60H3 | Infineon technologies | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IKW75N60H3 | Infineon Technologies | Description: IKW75N60 - DISCRETE IGBT WITH AN Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 190 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 31ns/265ns Switching Energy: 3mJ (on), 1.7mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 5.2Ohm, 15V Gate Charge: 470 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 428 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW75N60H3 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW75N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 190 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 31ns/265ns Switching Energy: 3mJ (on), 1.7mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 5.2Ohm, 15V Gate Charge: 470 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 428 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW75N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | auf Bestellung 652 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW75N60H3FKSA1 Produktcode: 138035
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| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IKW75N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 225A Turn-on time: 85ns Turn-off time: 332ns | auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW75N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW75N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 225A Turn-on time: 85ns Turn-off time: 332ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW75N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 263 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N60H3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW75N60H3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 428W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW75N60T | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 75A | auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW75N60T Produktcode: 40498
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IKW75N60T | Infineon | Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IKW75N60T TIKW75n60t Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW75N60T | Infineon Technologies | IGBTs - Single, 600V, 80A, TO-247-3 | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW75N60T | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N60TA | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V 75A 100nA | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW75N60TA | Infineon Technologies | Description: IKW75N60 - AUTOMOTIVE IGBT DISCR Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 121 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns Switching Energy: 2mJ (on), 2.5mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 470 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 428 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW75N60TAFKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V 75A 100nA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW75N60TAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW75N60TAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW75N60TAFKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 121 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns Switching Energy: 4.5mJ Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 470 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 428 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 121 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns Switching Energy: 4.5mJ Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 470 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 428 W | auf Bestellung 1735 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW75N60TFKSA1 | Infineon | Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IKW75N60T TIKW75n60t Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 591 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 225A Turn-on time: 69ns Turn-off time: 401ns | auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N60TFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW75N60TFKSA1 - IGBT, Universal, 80 A, 2 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 428W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 6648 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW75N60TFKSA1 Produktcode: 169611
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IKW75N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 225A Turn-on time: 69ns Turn-off time: 401ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 499 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 75A | auf Bestellung 338 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 591 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW75N60TXK | Infineon Technologies | Description: IKW75N60 - DISCRETE IGBT WITH AN Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW75N65EH5 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW75N65EH5 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW75N65EH5 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65EH5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW75N65EH5XKSA1 - IGBT, 90 A, 1.65 V, 395 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 395W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 90A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 13998 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW75N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 2764 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65EH5XKSA1 Produktcode: 177738
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| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IKW75N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 92 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 28ns/174ns Switching Energy: 2.3mJ (on), 900µJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 8Ohm, 15V Gate Charge: 160 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 90 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 395 W | auf Bestellung 223 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW75N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW75N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 248 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW75N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW75N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW75N65EH5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 198W Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 160nC Manufacturer series: H5 Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 300A Turn-on time: 61ns Turn-off time: 215ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW75N65EH5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 198W Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 160nC Manufacturer series: H5 Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 300A Turn-on time: 61ns Turn-off time: 215ns | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | auf Bestellung 382 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW75N65EL5 | Infineon technologies | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IKW75N65EL5 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW75N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650V IGBT Trenchstop 5 | auf Bestellung 529 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW75N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW75N65EL5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW75N65EL5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.1 V, 536 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 536W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 123 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW75N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65EL5XKSA1 Produktcode: 190876
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| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IKW75N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 114 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 40ns/275ns Switching Energy: 1.61mJ (on), 3.2mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 4Ohm, 15V Gate Charge: 436 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 536 W | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW75N65ES5 | Infineon technologies | auf Bestellung 167 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IKW75N65ES5 Produktcode: 169192
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| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IKW75N65ES5 | Infineon Technologies | IGBTs Trenchstop 5 IGBT | auf Bestellung 1513 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW75N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 6042 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65ES5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW75N65ES5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.42 V, 395 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.42V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 395W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP™ 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 213 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW75N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | auf Bestellung 189 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW75N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 85 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 40ns/144ns Switching Energy: 2.4mJ (on), 950µJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 18Ohm, 15V Gate Charge: 164 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 395 W | auf Bestellung 972 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW75N65ES5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 197W Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 164nC Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 80A Pulsed collector current: 300A Turn-on time: 86ns Turn-off time: 185ns | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW75N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW75N65ES5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 197W Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 164nC Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 80A Pulsed collector current: 300A Turn-on time: 86ns Turn-off time: 185ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW75N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW75N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 6042 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 28ns/310ns Switching Energy: 2.17mJ (on), 1.23mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 435 nC Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 333 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 358 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW75N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333000mW Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW75N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 145 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 384 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW75N65ET7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW75N65ET7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 333 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 145 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW75N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package | auf Bestellung 396 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW75N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 145 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 670 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW75N65RH5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW75N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 395W, To-247, 1.65Vsat tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 395W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 912 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW75N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC diode | auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 150-154 Tag (e) |
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IKW75N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 26ns/180ns Switching Energy: 360µJ (on), 300µJ (off) Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V Gate Charge: 168 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 395 W | auf Bestellung 249 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW75N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW75N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW75N65SS5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW75N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 395W, To-247, 1.35Vsat tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 395W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5 CoolSiC Gen VI Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 1172 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW75N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode | auf Bestellung 9360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode | auf Bestellung 424 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW75N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 22ns/145ns Switching Energy: 450µJ (on), 750µJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 5.6Ohm, 15V Gate Charge: 164 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 395 W | auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW75N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode | auf Bestellung 153 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | SP004038158 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW75N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode | auf Bestellung 239 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKW75N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode | auf Bestellung 153 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKWH100N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 140A 427W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKWH100N65EH7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKWH100N65EH7XKSA1 - IGBT, 140 A, 1.4 V, 427 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 427W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 140A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 248 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKWH100N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package | auf Bestellung 402 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKWH100N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 140A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: PG-TO247-3-32 Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 106 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 100A IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 32ns/240ns Switching Energy: 3.58mJ (on), 2.37mJ (off) Test Condition: 400V, 100A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 199 nC Current - Collector (Ic) (Max): 140 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A Power - Max: 427 W | auf Bestellung 83 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKWH20N65WR6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKWH20N65WR6XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 140 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKWH20N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES 14 | auf Bestellung 147 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKWH20N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3-32 IGBT Type: Trench Field Stop Gate Charge: 97 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 55 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 136 W | auf Bestellung 92 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKWH20N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | SP005545963 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKWH30N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | SP005430891 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKWH30N65WR5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKWH30N65WR5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.4 V, 190 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Verlustleistung: 190 Anzahl der Pins: 3 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR5 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKWH30N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES 14 | auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKWH30N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 75A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-32 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 41ns/398ns Switching Energy: 870µJ (on), 400µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 27Ohm, 15V Gate Charge: 133 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 190 W | auf Bestellung 148 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKWH30N65WR6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKWH30N65WR6XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.45 V, 165 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Verlustleistung: 165 Anzahl der Pins: 3 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKWH30N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES 14 | auf Bestellung 887 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKWH30N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 67A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-32 IGBT Type: Trench Field Stop Gate Charge: 97 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 67 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 136 W | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKWH30N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | SP005430886 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKWH30N67PR7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKWH30N67PR7XKSA1 - IGBT, 71 A, 1.4 V, 179 W, 670 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 179W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 670V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 71A SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKWH30N67PR7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT7 PR7 optimized for boost PFC stage like RAC/CAC and HVAC applications | auf Bestellung 212 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKWH30N67PR7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 670V 71A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-32 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/124ns Switching Energy: 450µJ (on), 260µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 9.8Ohm, 15V Gate Charge: 85 nC Current - Collector (Ic) (Max): 71 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 670 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 179 W | auf Bestellung 223 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKWH40N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKWH40N65EH7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKWH40N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 208 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 152 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKWH40N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package | auf Bestellung 102 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKWH40N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: PG-TO247-3-32 Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 74 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 40A IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/141ns Switching Energy: 970µJ (on), 420µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 12.5Ohm, 15V Gate Charge: 81 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 208 W | auf Bestellung 199 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKWH40N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | SP005542785 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKWH40N65WR6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKWH40N65WR6XKSA1 - IGBT, 75 A, 1.55 V, 175 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 175W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKWH40N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES 14 | auf Bestellung 512 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKWH40N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 75A TO247-3-32 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 79 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-32 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 37ns/353ns Switching Energy: 1.09mJ (on), 570µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 27Ohm, 15V Gate Charge: 117 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 175 W | auf Bestellung 141 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKWH40N67PR7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKWH40N67PR7XKSA1 - IGBT, 88 A, 1.4 V, 208 W, 670 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 670V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 88A SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKWH40N67PR7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT7 PR7 optimized for boost PFC stage like RAC/CAC and HVAC applications | auf Bestellung 205 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKWH40N67PR7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 670V 88A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Supplier Device Package: PG-TO247-3-32 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16ns/146ns Switching Energy: 660µJ (on), 400µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 9.8Ohm, 15V Gate Charge: 102 nC Current - Collector (Ic) (Max): 88 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 670 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 208 W | auf Bestellung 220 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKWH50N65EH7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKWH50N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 249 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 249W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 53 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKWH50N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKWH50N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 19ns/147ns Switching Energy: 1.27mJ (on), 650µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 102 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 249 W Package / Case: TO-247-3 Supplier Device Package: PG-TO247-3-32 Reverse Recovery Time (trr): 76 ns | auf Bestellung 157 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKWH50N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKWH50N65WR6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKWH50N65WR6XKSA1 - IGBT, 85 A, 1.55 V, 205 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 205W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 236 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKWH50N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES 14 | auf Bestellung 593 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKWH50N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 85A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-32 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 40ns/351ns Switching Energy: 1.5mJ (on), 730µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 144 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 85 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 205 W | auf Bestellung 412 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKWH50N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | SP005542787 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKWH50N67PR7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKWH50N67PR7XKSA1 - IGBT, 105 A, 1.4 V, 246 W, 670 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 246W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 670V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 105A SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKWH50N67PR7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT7 PR7 optimized for boost PFC stage like RAC/CAC and HVAC applications | auf Bestellung 177 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKWH50N67PR7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 670V 105A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-32 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/182ns Switching Energy: 980µJ (on), 560µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 9.8Ohm, 15V Gate Charge: 127 nC Current - Collector (Ic) (Max): 105 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 670 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 246 W | auf Bestellung 221 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKWH60N65WR6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKWH60N65WR6XKSA1 - IGBT, 100 A, 1.55 V, 240 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 240W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 164 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKWH60N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES 14 | auf Bestellung 222 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKWH60N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 60A Supplier Device Package: PG-TO247-3-32 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 35ns/311ns Switching Energy: 1.82mJ (on), 850µJ (off) Test Condition: 400V, 60A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 174 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A Power - Max: 240 W | auf Bestellung 106 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKWH60N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | SP005430894 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKWH60N67PR7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKWH60N67PR7XKSA1 - IGBT, 122 A, 1.4 V, 283 W, 670 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 283W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 670V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 122A SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKWH60N67PR7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT7 PR7 optimized for boost PFC stage like RAC/CAC and HVAC applications | auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKWH60N67PR7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 670V 122A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Supplier Device Package: PG-TO247-3-32 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20ns/208ns Switching Energy: 1.28mJ (on), 780µJ (off) Test Condition: 400V, 60A, 9.8Ohm, 15V Gate Charge: 148 nC Current - Collector (Ic) (Max): 122 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 670 V Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A Power - Max: 283 W | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKWH70N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES 14 | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKWH70N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | SP005430896 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKWH70N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 122A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 70A Supplier Device Package: PG-TO247-3-32 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 42ns/378ns Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.07mJ (off) Test Condition: 400V, 70A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 269 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 122 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 210 A Power - Max: 290 W | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKWH70N67PR7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT7 PR7 optimized for boost PFC stage like RAC/CAC and HVAC applications | auf Bestellung 208 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKWH70N67PR7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 670V 140A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 70A Supplier Device Package: PG-TO247-3-32 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 22ns/246ns Switching Energy: 1.58mJ (on), 1.14mJ (off) Test Condition: 400V, 70A, 9.8Ohm, 15V Gate Charge: 181 nC Current - Collector (Ic) (Max): 140 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 670 V Current - Collector Pulsed (Icm): 210 A Power - Max: 313 W | auf Bestellung 225 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKWH70N67PR7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKWH70N67PR7XKSA1 - IGBT, 140 A, 1.4 V, 313 W, 670 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 670V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 140A SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKWH75N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 341W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKWH75N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 341W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKWH75N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 341W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IKWH75N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package | auf Bestellung 133 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKWH75N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: PG-TO247-3-32 Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 89 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 25ns/45ns Switching Energy: 2.42mJ (on), 1.4mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 150 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 341 W | auf Bestellung 235 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKWH75N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 341W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKWH75N65EH7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKWH75N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 341 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 341W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |