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IKW03N120H

Infineon Technologies

Description: IGBT WITH ANTI-PARALLEL DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns
Switching Energy: 140µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A
Power - Max: 62.5 W

auf Bestellung 683 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

226+	3.15 EUR

Mindestbestellmenge: 226

IKW03N120H2

07+;

auf Bestellung 3145 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IKW03N120H2

Infineon Technologies

IGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A

Produkt ist nicht verfügbar

IKW03N120H2

TO-247

auf Bestellung 8640 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IKW03N120H2

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62500mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW03N120H2

Infineon Technologies

Description: IGBT WITH ANTI-PARALLEL DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns
Switching Energy: 290µJ
Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A
Power - Max: 62.5 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKW03N120H2FKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns
Switching Energy: 290µJ
Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A
Power - Max: 62.5 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKW03N120H2FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62.5mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW03N120H2FKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns
Switching Energy: 290µJ
Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A
Power - Max: 62.5 W

auf Bestellung 3415 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

219+	3.33 EUR

Mindestbestellmenge: 219

IKW08N120

auf Bestellung 480 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IKW08N120CS7XKSA1

Description: INFINEON - IKW08N120CS7XKSA1 - IGBT, 21 A, 1.65 V, 106 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 106W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

auf Bestellung 114 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW08N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

auf Bestellung 335 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	15.55 EUR
10+	13.96 EUR
25+	13.21 EUR
100+	11.44 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IKW08N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

Description: INDUSTRY 14 PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 130 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/160ns
Switching Energy: 370µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 600V, 8A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 52 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 106 W

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	15.55 EUR
10+	13.97 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IKW08N120CS7XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IKW08N120CS7XKSA1 THT IGBT transistors

Produkt ist nicht verfügbar

IKW08T120

Infineon technologies

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IKW08T120

MODULE

auf Bestellung 100087 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IKW08T120
Produktcode: 113720

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

Produkt ist nicht verfügbar

IKW08T120

Infineon Technologies

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 8A

auf Bestellung 915 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	8.32 EUR
10+	6.99 EUR
25+	6.6 EUR
100+	5.67 EUR
240+	4.78 EUR
1200+	4.32 EUR
2640+	4.06 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IKW08T120FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW08T120FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 8A; 70W; TO247-3
Turn-off time: 520ns
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Power dissipation: 70W
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 53nC
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 8A
Pulsed collector current: 24A
Turn-on time: 63ns

auf Bestellung 63 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	3.95 EUR
21+	3.49 EUR
24+	3.03 EUR
25+	2.86 EUR

Mindestbestellmenge: 19

IKW08T120FKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 1200V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/450ns
Switching Energy: 1.37mJ
Test Condition: 600V, 8A, 81Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 70 W

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	8.97 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IKW08T120FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 170 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

26+	6.07 EUR
29+	5.28 EUR
30+	4.9 EUR
50+	4.29 EUR
100+	3.78 EUR

Mindestbestellmenge: 26

IKW08T120FKSA1
Produktcode: 166948

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

Produkt ist nicht verfügbar

IKW08T120FKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 8A

auf Bestellung 244 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	8.35 EUR
10+	7.02 EUR
25+	5.17 EUR
100+	4.58 EUR
240+	4.55 EUR
480+	4.32 EUR
1200+	4.06 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IKW08T120FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 8A; 70W; TO247-3
Turn-off time: 520ns
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Power dissipation: 70W
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 53nC
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 8A
Pulsed collector current: 24A
Turn-on time: 63ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 63 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

19+	3.95 EUR
21+	3.49 EUR
24+	3.03 EUR
25+	2.86 EUR

Mindestbestellmenge: 19

IKW08T120FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 168 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

58+	2.74 EUR
60+	2.53 EUR
62+	2.34 EUR
100+	2.18 EUR

Mindestbestellmenge: 58

IKW08T120FKSA1

Description: INFINEON - IKW08T120FKSA1 - IGBT, Universal, 16 A, 2.2 V, 70 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 70W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99

auf Bestellung 348 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW08T120FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 142 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW15N120BH6

Infineon Technologies

Infineon INDUSTRY 14

Produkt ist nicht verfügbar

IKW15N120BH6XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 100W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 92nC
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 15A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IKW15N120BH6XKSA1

Description: INFINEON - IKW15N120BH6XKSA1 - IGBT, 30 A, 1.9 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

auf Bestellung 86 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW15N120BH6XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW15N120BH6XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

auf Bestellung 374 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	7.77 EUR
10+	7.54 EUR
25+	6.16 EUR
100+	5.3 EUR
240+	5.28 EUR
480+	4 EUR
1200+	3.8 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IKW15N120BH6XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 100W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 92nC
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 15A

Produkt ist nicht verfügbar

IKW15N120BH6XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 1200 V 15A TO247-3-46
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 340 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/240ns
Switching Energy: 700µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 92 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 200 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKW15N120BH6XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW15N120BH6XKSA1
Produktcode: 174089

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

Produkt ist nicht verfügbar

IKW15N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode

Produkt ist nicht verfügbar

IKW15N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

SP005419706

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW15N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

auf Bestellung 116 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	13.75 EUR
10+	12.56 EUR
25+	10.89 EUR
100+	9.54 EUR
240+	9.28 EUR
480+	7.1 EUR
1200+	6.71 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IKW15N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns
Switching Energy: 750µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 176 W

auf Bestellung 37 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	13.68 EUR
30+	10.84 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IKW15N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode

Produkt ist nicht verfügbar

IKW15N120CS7XKSA1

Description: INFINEON - IKW15N120CS7XKSA1 - IGBT, 36 A, 1.65 V, 176 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 176
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 36
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

auf Bestellung 157 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW15N120H3

Infineon Technologies

Description: IKW15N120 - DISCRETE IGBT WITH A

Produkt ist nicht verfügbar

IKW15N120H3
Produktcode: 100561

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

Produkt ist nicht verfügbar

IKW15N120H3

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	7.9 EUR
25+	7.29 EUR
50+	6.75 EUR
100+	6.27 EUR

Mindestbestellmenge: 20

IKW15N120H3

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

auf Bestellung 137 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	13.23 EUR
10+	11.13 EUR
25+	10.5 EUR
100+	9 EUR
240+	8.48 EUR
480+	7.98 EUR
1200+	6.81 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IKW15N120H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 2214 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

33+	4.8 EUR
35+	4.43 EUR
50+	4.1 EUR
100+	3.81 EUR
250+	3.55 EUR
500+	3.31 EUR
1000+	3.09 EUR

Mindestbestellmenge: 33

IKW15N120H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	12.05 EUR
15+	10.37 EUR
50+	8.64 EUR
100+	7.86 EUR
200+	7.24 EUR

Mindestbestellmenge: 13

IKW15N120H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

25+	6.42 EUR
26+	6.01 EUR
34+	4.29 EUR

Mindestbestellmenge: 25

IKW15N120H3FKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

auf Bestellung 23 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	13.21 EUR
10+	11.1 EUR
25+	10.48 EUR
100+	8.97 EUR
240+	8.48 EUR
480+	7.98 EUR
1200+	6.81 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IKW15N120H3FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Manufacturer series: H3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 217W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 75nC
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 30A

Produkt ist nicht verfügbar

IKW15N120H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	8.29 EUR
23+	6.78 EUR
33+	4.49 EUR
100+	4.27 EUR

Mindestbestellmenge: 19

IKW15N120H3FKSA1

Description: INFINEON - IKW15N120H3FKSA1 - IGBT, 30 A, 2.05 V, 217 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

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IKW15N120H3FKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 260 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns
Switching Energy: 1.55mJ
Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 217 W

auf Bestellung 273 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	13.13 EUR
30+	10.4 EUR
120+	8.92 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IKW15N120H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 2216 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

21+	7.53 EUR
22+	6.93 EUR
34+	4.37 EUR
100+	4.16 EUR
240+	3.95 EUR
480+	3.53 EUR
1200+	3.21 EUR

Mindestbestellmenge: 21

IKW15N120H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 2006 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW15N120H3FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Manufacturer series: H3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 217W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 75nC
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 30A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IKW15N120H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IKW15N120T2

Infineon Technologies

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 15A

auf Bestellung 12 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	15.34 EUR
10+	14.22 EUR
25+	9.26 EUR
100+	8.03 EUR
240+	7.07 EUR
480+	6.58 EUR
1200+	6.19 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IKW15N120T2
Produktcode: 126256

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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IKW15N120T2

IGBT Trench 1200V 30A 235W IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2 TIKW15n120t2
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	17.34 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IKW15N120T2FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 457ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 235W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 93nC
Turn-on time: 57ns
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 30A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

6+	11.91 EUR
9+	7.95 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IKW15N120T2FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 476 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

33+	4.74 EUR
34+	4.27 EUR
50+	4.07 EUR
100+	3.83 EUR

Mindestbestellmenge: 33

IKW15N120T2FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 457ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 235W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 93nC
Turn-on time: 57ns
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 30A

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6+	11.91 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IKW15N120T2FKSA1

Description: INFINEON - IKW15N120T2FKSA1 - IGBT, 30 A, 1.7 V, 235 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 235W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

auf Bestellung 462 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW15N120T2FKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 1200V 30A 235W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/362ns
Switching Energy: 2.05mJ
Test Condition: 600V, 15A, 41.8Ohm, 15V
Gate Charge: 93 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 235 W

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IKW15N120T2FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 870 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

21+	7.52 EUR
23+	6.69 EUR
25+	6.41 EUR
50+	5.95 EUR
100+	5.08 EUR
480+	4.29 EUR
720+	3.81 EUR

Mindestbestellmenge: 21

IKW15N120T2FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 302 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW15N120T2FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IKW15N120T2FKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

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IKW15N120T2FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 872 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	7.93 EUR
22+	7.04 EUR
25+	6.75 EUR
50+	6.26 EUR
100+	5.35 EUR
480+	4.52 EUR
720+	4.01 EUR

Mindestbestellmenge: 20

IKW15N120T2FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 476 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

33+	4.74 EUR
34+	4.27 EUR
50+	4.07 EUR
100+	3.83 EUR

Mindestbestellmenge: 33

IKW15T120

Infineon Technologies

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 15A

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IKW15T120
Produktcode: 119901

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 1200 V
Vce: 1,7 V
Ic 25: 30 A
Ic 100: 15 A
Pd 25: 110 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 50/520

auf Bestellung 48 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IKW15T120

Infineon Technologies

Description: IKW15T120 - DISCRETE IGBT WITH A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/520ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 56Ohm, 15V
Gate Charge: 85 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 110 W

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IKW15T120 E8161

Infineon Technologies

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 15A

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IKW15T120FKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

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IKW15T120FKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 1200V 30A 110W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/520ns
Switching Energy: 2.7mJ
Test Condition: 600V, 15A, 56Ohm, 15V
Gate Charge: 85 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 110 W

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	9.83 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IKW15T120FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 110W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 14730 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	6.39 EUR
3000+	6.1 EUR
6000+	5.81 EUR
9000+	5.53 EUR

Mindestbestellmenge: 30

IKW15T120FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 110W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 14730 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	6.41 EUR
3000+	6.12 EUR
6000+	5.83 EUR
9000+	5.55 EUR

Mindestbestellmenge: 240

IKW15T120FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 110000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 14733 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW15T120T2

MODULE

auf Bestellung 59 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IKW20N60H3

Infineon Technologies

Description: IKW20N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/194ns
Switching Energy: 560µJ (on), 240µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKW20N60H3

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	8.17 EUR
31+	5.01 EUR
50+	3.92 EUR
100+	3.52 EUR

Mindestbestellmenge: 20

IKW20N60H3

Infineon technologies

auf Bestellung 140 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IKW20N60H3

Infineon Technologies

IGBT Transistors 600V 20A 170W

Produkt ist nicht verfügbar

IKW20N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW20N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 225 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

42+	3.73 EUR
49+	3.11 EUR
52+	2.82 EUR
100+	2.38 EUR

Mindestbestellmenge: 42

IKW20N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 227 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW20N60H3FKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors 600V 20A 170W

auf Bestellung 1980 Stücke:

Lieferzeit 168-182 Tag (e)

8+	6.71 EUR
10+	6.01 EUR
25+	5.28 EUR
100+	4.55 EUR
240+	4.32 EUR
480+	3.46 EUR
1200+	3.25 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IKW20N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/194ns
Switching Energy: 800µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKW20N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW20N60H3FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4+	17.88 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IKW20N60H3FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

4+	17.88 EUR
5+	14.3 EUR
14+	5.11 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IKW20N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 227 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

43+	3.7 EUR
49+	3.08 EUR
52+	2.8 EUR
100+	2.36 EUR

Mindestbestellmenge: 43

IKW20N60T

Infineon Technologies

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A

auf Bestellung 861 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	8.71 EUR
10+	7.31 EUR
25+	6.89 EUR
100+	5.93 EUR
240+	5.56 EUR
480+	5.25 EUR
1200+	4.47 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IKW20N60T
Produktcode: 187316

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

Produkt ist nicht verfügbar

IKW20N60T E8161

Infineon Technologies

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A

Produkt ist nicht verfügbar

IKW20N60TA

Infineon Technologies

Description: IKW20N60 - AUTOMOTIVE IGBT DISCR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKW20N60TA

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop

Produkt ist nicht verfügbar

IKW20N60TAFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW20N60TAFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW20N60TAFKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 600V 40A 166W TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W

auf Bestellung 347 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

132+	5.47 EUR

Mindestbestellmenge: 132

IKW20N60TAFKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 600V 40A 166W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKW20N60TAFKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

Produkt ist nicht verfügbar

IKW20N60TFKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W

auf Bestellung 258 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	8.63 EUR
30+	6.84 EUR
120+	5.86 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IKW20N60TFKSA1

40A; 600V; 166W; IGBT w/ Diode IKW20N60T TIKW20n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

5+	8.86 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IKW20N60TFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 30 Stücke:

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IKW20N60TFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW20N60TFKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

Produkt ist nicht verfügbar

IKW20N60TFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 508 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

29+	5.54 EUR
33+	4.59 EUR
36+	4.05 EUR
100+	3.38 EUR
240+	2.85 EUR
480+	2.38 EUR

Mindestbestellmenge: 29

IKW20N60TFKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IKW20N60TFKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A

auf Bestellung 385 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	8.71 EUR
10+	7.93 EUR
25+	6.89 EUR
100+	5.93 EUR
240+	5.9 EUR
480+	4.45 EUR
1200+	4.24 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IKW20N60TFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 403 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

42+	3.75 EUR
50+	3.22 EUR
100+	2.99 EUR
200+	2.86 EUR

Mindestbestellmenge: 42

IKW20N60TFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 508 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

29+	5.54 EUR
33+	4.59 EUR
36+	4.05 EUR
100+	3.38 EUR
240+	2.85 EUR
480+	2.38 EUR

Mindestbestellmenge: 29

IKW20N60TFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW20N60TFKSA1

Description: INFINEON - IKW20N60TFKSA1 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 166 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 166W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

auf Bestellung 1234 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW20N60TFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW20N60TFKSA1
Produktcode: 188050

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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IKW20N60TFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW20N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

auf Bestellung 4170 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	8.48 EUR
10+	7.1 EUR
25+	6.73 EUR
100+	5.75 EUR
240+	5.41 EUR
480+	5.1 EUR
1200+	4.13 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IKW20N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

SP005348286

Produkt ist nicht verfügbar

IKW20N65ET7XKSA1

Description: INFINEON - IKW20N65ET7XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 136 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 136W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW20N65ET7XKSA1
Produktcode: 178407

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

Produkt ist nicht verfügbar

IKW20N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/210ns
Switching Energy: 360µJ (on), 360µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 136 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1432 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	8.4 EUR
30+	6.66 EUR
120+	5.71 EUR
510+	5.08 EUR
1020+	4.35 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IKW20N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT with Anti-parallel Diode

Produkt ist nicht verfügbar

IKW25N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode

auf Bestellung 2377 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	8.61 EUR
21+	7.34 EUR
25+	6.52 EUR
50+	6.25 EUR
100+	5.35 EUR
480+	4.86 EUR
720+	4.02 EUR

Mindestbestellmenge: 19

IKW25N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 55A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/160ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 250 W

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	20.23 EUR
30+	16.15 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IKW25N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode

Produkt ist nicht verfügbar

IKW25N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode

auf Bestellung 42000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	6.6 EUR

Mindestbestellmenge: 240

IKW25N120CS7XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 125W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 150nC
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 37A
Pulsed collector current: 75A
Turn-on time: 38ns
Turn-off time: 490ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IKW25N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode

Produkt ist nicht verfügbar

IKW25N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

auf Bestellung 447 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	14.79 EUR
10+	12.66 EUR
25+	11.52 EUR
100+	10.56 EUR
240+	9.93 EUR
480+	9.33 EUR
1200+	8.4 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IKW25N120CS7XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 125W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 150nC
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 37A
Pulsed collector current: 75A
Turn-on time: 38ns
Turn-off time: 490ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W

Produkt ist nicht verfügbar

IKW25N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

SP005419560

auf Bestellung 2377 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW25N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode

auf Bestellung 2376 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	7.94 EUR
23+	6.78 EUR
25+	6.02 EUR
50+	5.77 EUR
100+	4.94 EUR
480+	4.48 EUR
720+	3.71 EUR

Mindestbestellmenge: 20

IKW25N120CS7XKSA1

Description: INFINEON - IKW25N120CS7XKSA1 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 250 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A

auf Bestellung 137 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW25N120H3
Produktcode: 113551

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

Produkt ist nicht verfügbar

IKW25N120H3

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 380 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

21+	7.66 EUR
25+	7.07 EUR
50+	6.55 EUR
100+	6.08 EUR
250+	5.66 EUR

Mindestbestellmenge: 21

IKW25N120H3

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

auf Bestellung 1484 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	14.9 EUR
10+	12.77 EUR
25+	11.57 EUR
100+	10.63 EUR
240+	9.98 EUR
480+	9.36 EUR
1200+	8.42 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IKW25N120H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 203 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	10.27 EUR
17+	8.96 EUR
50+	7.56 EUR
100+	6.92 EUR
200+	6.39 EUR

Mindestbestellmenge: 16

IKW25N120H3FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 115nC
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 100A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 326W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

8+	9.72 EUR
10+	7.45 EUR
11+	7.05 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IKW25N120H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW25N120H3FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 115nC
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 100A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 326W

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

8+	9.72 EUR
10+	7.45 EUR
11+	7.05 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IKW25N120H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW25N120H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 1597 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW25N120H3FKSA1

Description: INFINEON - IKW25N120H3FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.4 V, 326 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 25A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1210 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW25N120H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW25N120H3FKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 290 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/277ns
Switching Energy: 2.65mJ
Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 326 W

auf Bestellung 399 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	14.77 EUR
30+	11.79 EUR
120+	10.55 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IKW25N120H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW25N120H3FKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

auf Bestellung 480 Stücke:

Lieferzeit 168-182 Tag (e)

4+	14.33 EUR
10+	13.86 EUR
25+	11.52 EUR
100+	10.37 EUR
240+	10.19 EUR
480+	8.22 EUR
1200+	8.03 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IKW25N120H3XK

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

auf Bestellung 510 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	13.88 EUR
10+	12.19 EUR
25+	11.13 EUR
100+	10.32 EUR
240+	9.75 EUR
480+	9.18 EUR
1200+	8.42 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IKW25N120T2

Infineon Technologies

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 25A

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 168-182 Tag (e)

4+	14.48 EUR
10+	14.25 EUR
25+	11.44 EUR
100+	10.69 EUR
240+	10.66 EUR
480+	8.66 EUR
1200+	8.29 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IKW25N120T2
Produktcode: 39789

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

Produkt ist nicht verfügbar

IKW25N120T2FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 100A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 349W

auf Bestellung 148 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

7+	10.87 EUR
10+	7.45 EUR
11+	7.05 EUR
100+	6.78 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IKW25N120T2FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 238 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

24+	6.61 EUR
30+	5.44 EUR
120+	5.13 EUR

Mindestbestellmenge: 24

IKW25N120T2FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW25N120T2FKSA1

Description: INFINEON - IKW25N120T2FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.2 V, 349 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 25A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1180 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW25N120T2FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	12.4 EUR
14+	10.81 EUR
50+	9.14 EUR
100+	8.37 EUR
200+	7.73 EUR

Mindestbestellmenge: 13

IKW25N120T2FKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/265ns
Switching Energy: 2.9mJ
Test Condition: 600V, 25A, 16.4Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 349 W

auf Bestellung 306 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	15.21 EUR
30+	12.15 EUR
120+	10.87 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IKW25N120T2FKSA1

50A; 1200V; 349W; IGBT w/ Diode IKW25N120T2 TIKW25n120t2
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

5+	14.78 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IKW25N120T2FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 238 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

24+	6.61 EUR
30+	5.44 EUR
120+	5.13 EUR

Mindestbestellmenge: 24

IKW25N120T2FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 119 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

26+	6.13 EUR
27+	5.65 EUR
50+	5.24 EUR
100+	4.86 EUR

Mindestbestellmenge: 26

IKW25N120T2FKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

Produkt ist nicht verfügbar

IKW25N120T2FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 100A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 349W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 148 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

7+	10.87 EUR
10+	7.45 EUR
11+	7.05 EUR
100+	6.78 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IKW25N120T2FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW25N120T2XK

Infineon Technologies

Description: IGBT, 50A, 1200V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/265ns
Switching Energy: 1.55mJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 16.4Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 349 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKW25T120
Produktcode: 175269

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

Produkt ist nicht verfügbar

IKW25T120

Infineon Technologies

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 25A

auf Bestellung 1499 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	15.86 EUR
10+	13.6 EUR
25+	12.32 EUR
100+	11.31 EUR
240+	10.63 EUR
480+	9.96 EUR
1200+	9.44 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IKW25T120

Infineon Technologies

Description: IKW25T120 - DISCRETE IGBT WITH A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns
Switching Energy: 2mJ (on), 2.2mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 190 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKW25T120FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 108 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

26+	6.12 EUR
28+	5.5 EUR
29+	5.17 EUR
50+	4.92 EUR
100+	4.17 EUR

Mindestbestellmenge: 26

IKW25T120FKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT NPT FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns
Switching Energy: 4.2mJ
Test Condition: 600V, 25A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 190 W

auf Bestellung 205 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	15.73 EUR
30+	12.56 EUR
120+	11.24 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IKW25T120FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 558 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

32+	4.78 EUR
33+	4.24 EUR
50+	3.75 EUR
100+	3.47 EUR
250+	3.36 EUR

Mindestbestellmenge: 32

IKW25T120FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 108 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

26+	6.12 EUR
28+	5.5 EUR
29+	5.17 EUR
50+	4.92 EUR
100+	4.17 EUR

Mindestbestellmenge: 26

IKW25T120FKSA1

1200V 50A 190W IKW25T120FKSA1 INFINEON IKW25T120 TIKW25t120
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

4+	13.24 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IKW25T120FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	15.22 EUR
12+	13.1 EUR
50+	10.91 EUR
100+	9.94 EUR
200+	9.15 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IKW25T120FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 190W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 75A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 155nC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Collector current: 50A

auf Bestellung 27 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

8+	8.95 EUR
12+	6.06 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IKW25T120FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 380 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW25T120FKSA1

Description: INFINEON - IKW25T120FKSA1 - IGBT, Universal, 50 A, 2.2 V, 190 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1885 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW25T120FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 560 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

23+	6.95 EUR
25+	6.07 EUR
26+	5.64 EUR
50+	5.37 EUR
100+	4.35 EUR
480+	4.13 EUR

Mindestbestellmenge: 23

IKW25T120FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW25T120FKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 25A

auf Bestellung 2094 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	12.32 EUR
10+	12.19 EUR
25+	9.88 EUR
100+	9.15 EUR
240+	8.55 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IKW25T120FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 190W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 75A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 155nC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Collector current: 50A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 27 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

8+	8.95 EUR
12+	6.06 EUR
120+	5.98 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IKW25T120T2

MODULE

auf Bestellung 59 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IKW30N60DTP

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

Produkt ist nicht verfügbar

IKW30N60DTP

Infineon Technologies

Description: HIGH SPEED IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/179ns
Switching Energy: 710µJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 53 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 200 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKW30N60DTP

auf Bestellung 91440 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IKW30N60DTPXKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW30N60DTPXKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

auf Bestellung 389 Stücke:

Lieferzeit 168-182 Tag (e)

9+	5.85 EUR
25+	5.15 EUR
100+	4.39 EUR
240+	4.37 EUR
480+	3.33 EUR
1200+	3.15 EUR

Mindestbestellmenge: 9

IKW30N60DTPXKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

50+	3.19 EUR
57+	2.67 EUR
100+	2.44 EUR

Mindestbestellmenge: 50

IKW30N60DTPXKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW30N60DTPXKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 53A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/179ns
Switching Energy: 710µJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 53 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 200 W

auf Bestellung 1920 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	6.42 EUR
30+	5.1 EUR
120+	4.37 EUR
510+	3.88 EUR
1020+	3.32 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IKW30N60DTPXKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW30N60DTPXKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 480 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

50+	3.14 EUR
57+	2.65 EUR
70+	2.07 EUR
100+	1.97 EUR
240+	1.88 EUR
480+	1.53 EUR

Mindestbestellmenge: 50

IKW30N60DTPXKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 480 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

47+	3.39 EUR
53+	2.86 EUR
65+	2.23 EUR
100+	2.13 EUR
240+	2.02 EUR
480+	1.65 EUR

Mindestbestellmenge: 47

IKW30N60H3

60A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode IKW30N60H3 TIKW30n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

5+	6.67 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IKW30N60H3

Infineon Technologies

IGBT Transistors 600V 30A 187W

auf Bestellung 1567 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	7.98 EUR
10+	6.71 EUR
25+	6.34 EUR
100+	5.41 EUR
240+	5.1 EUR
480+	4.78 EUR
1200+	4.11 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IKW30N60H3
Produktcode: 94542

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

Produkt ist nicht verfügbar

IKW30N60H3

60A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode IKW30N60H3 TIKW30n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

5+	6.67 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IKW30N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 676 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

36+	4.35 EUR
39+	3.96 EUR
45+	3.24 EUR
100+	2.82 EUR
240+	2.61 EUR
480+	2.06 EUR

Mindestbestellmenge: 36

IKW30N60H3FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

auf Bestellung 65 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	5.11 EUR
21+	3.52 EUR
22+	3.33 EUR

Mindestbestellmenge: 15

IKW30N60H3FKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors 600V 30A 187W

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	7.98 EUR
10+	7.23 EUR
25+	5.98 EUR
100+	5.23 EUR
240+	5.2 EUR
480+	4.63 EUR
1200+	3.9 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IKW30N60H3FKSA1

Description: INFINEON - IKW30N60H3FKSA1 - IGBT, 30 A, 2.4 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 631 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW30N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 720 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

28+	5.76 EUR
31+	4.88 EUR
50+	3.74 EUR
100+	3.57 EUR
200+	3.26 EUR
480+	2.95 EUR

Mindestbestellmenge: 28

IKW30N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW30N60H3FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 65 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

15+	5.11 EUR
21+	3.52 EUR
22+	3.33 EUR

Mindestbestellmenge: 15

IKW30N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 220 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

48+	3.27 EUR
49+	3.08 EUR
54+	2.73 EUR
100+	2.49 EUR

Mindestbestellmenge: 48

IKW30N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 676 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

37+	4.3 EUR
39+	3.92 EUR
46+	3.21 EUR
100+	2.79 EUR
240+	2.58 EUR
480+	2.04 EUR

Mindestbestellmenge: 37

IKW30N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 616 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW30N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 38 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/207ns
Switching Energy: 1.38mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W

auf Bestellung 247 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	7.93 EUR
30+	6.27 EUR
120+	5.37 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IKW30N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 220 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

48+	3.27 EUR
49+	3.08 EUR
54+	2.73 EUR
100+	2.49 EUR

Mindestbestellmenge: 48

IKW30N60T
Produktcode: 99658

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

Produkt ist nicht verfügbar

IKW30N60T

Infineon Technologies

Description: IKW30N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 690µJ (on), 770µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKW30N60T

Infineon Technologies

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 30A

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	10.63 EUR
10+	8.94 EUR
25+	8.45 EUR
100+	7.23 EUR
240+	6.79 EUR
480+	6.4 EUR
1200+	5.49 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IKW30N60T

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

23+	7.03 EUR
25+	6.49 EUR
50+	6.01 EUR
100+	5.59 EUR

Mindestbestellmenge: 23

IKW30N60TA

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT TrnchStp w/Soft Fast recovery

auf Bestellung 243 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

IKW30N60TAFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW30N60TAFKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH/FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKW30N60TAFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW30N60TAFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 220 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	4.53 EUR
75+	2.02 EUR

Mindestbestellmenge: 35

IKW30N60TFKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 30A

auf Bestellung 1384 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	10.63 EUR
10+	9.7 EUR
25+	8.29 EUR
100+	7.15 EUR
240+	6.99 EUR
480+	5.49 EUR
1200+	5.17 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IKW30N60TFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 1170 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW30N60TFKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 39A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IKW30N60TFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW30N60TFKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W

auf Bestellung 2094 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	10.56 EUR
30+	8.36 EUR
120+	7.17 EUR
510+	6.37 EUR
1020+	5.46 EUR
2010+	5.14 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IKW30N60TFKSA1

45A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode IKW30N60T TIKW30n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

5+	13.06 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IKW30N60TFKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 39A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

Produkt ist nicht verfügbar

IKW30N60TFKSA1

Description: INFINEON - IKW30N60TFKSA1 - IGBT, Universal, 60 A, 2.05 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 618 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW30N65EL5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW30N65EL5XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/308ns
Switching Energy: 470µJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 227 W

auf Bestellung 86 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	11.78 EUR
30+	9.34 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IKW30N65EL5XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 62A; 114W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 62A
Power dissipation: 114W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 359ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IKW30N65EL5XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 62A; 114W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 62A
Power dissipation: 114W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 359ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

Produkt ist nicht verfügbar

IKW30N65EL5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 570 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	10.02 EUR
19+	8.18 EUR
50+	5.99 EUR
200+	5.41 EUR

Mindestbestellmenge: 16

IKW30N65EL5XKSA1

Description: INFINEON - IKW30N65EL5XKSA1 - IGBT, 85 A, 1.05 V, 227 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 227W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.05V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

auf Bestellung 1176 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW30N65EL5XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors 650V IGBT Trenchstop 5

auf Bestellung 3080 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	11.88 EUR
10+	9.98 EUR
25+	9.41 EUR
100+	7.05 EUR
240+	5.85 EUR
1200+	5.77 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IKW30N65EL5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 213 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW30N65EL5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW30N65ES5

Infineon Technologies

IGBT Transistors Trenchstop 5 IGBT

auf Bestellung 1528 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	9.93 EUR
10+	8.35 EUR
25+	7.85 EUR
100+	6.73 EUR
240+	6.37 EUR
480+	6.01 EUR
1200+	5.33 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IKW30N65ES5

auf Bestellung 22080 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IKW30N65ES5XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 39.5A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 154ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	6.79 EUR
12+	6.11 EUR
17+	4.45 EUR
18+	4.2 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IKW30N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW30N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 114 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

34+	4.68 EUR
37+	4.11 EUR
38+	3.83 EUR
100+	3.36 EUR

Mindestbestellmenge: 34

IKW30N65ES5XKSA1

Description: INFINEON - IKW30N65ES5XKSA1 - IGBT, 62 A, 1.35 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™ 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 62A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 96 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW30N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 1574 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW30N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 1602 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

40+	3.98 EUR
43+	3.53 EUR
45+	3.29 EUR
100+	2.91 EUR
240+	2.7 EUR
480+	2.34 EUR
1200+	2.16 EUR

Mindestbestellmenge: 40

IKW30N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 1604 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

37+	4.33 EUR
40+	3.84 EUR
41+	3.58 EUR
100+	3.17 EUR
240+	2.94 EUR
480+	2.55 EUR
1200+	2.35 EUR

Mindestbestellmenge: 37

IKW30N65ES5XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 39.5A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 154ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

11+	6.79 EUR
12+	6.11 EUR
17+	4.45 EUR
18+	4.2 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IKW30N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 114 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

34+	4.68 EUR
37+	4.11 EUR
38+	3.83 EUR
100+	3.36 EUR

Mindestbestellmenge: 34

IKW30N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

auf Bestellung 169 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	9.39 EUR
10+	8.89 EUR
25+	7.62 EUR
100+	6.63 EUR
240+	6.6 EUR
480+	5.12 EUR
1200+	4.84 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IKW30N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 720 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	7.85 EUR
24+	6.42 EUR
50+	4.7 EUR
100+	4.5 EUR
200+	4.08 EUR

Mindestbestellmenge: 20

IKW30N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 650V 62A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns
Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 62 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 188 W

auf Bestellung 1783 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	9.88 EUR
30+	7.82 EUR
120+	6.71 EUR
510+	5.96 EUR
1020+	5.1 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IKW30N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

auf Bestellung 1234 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	9.98 EUR
10+	8.4 EUR
25+	7.9 EUR
100+	6.76 EUR
240+	6.4 EUR
480+	5.25 EUR
1200+	4.91 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IKW30N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/245ns
Switching Energy: 590µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 230 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	9.93 EUR
30+	7.87 EUR
120+	6.74 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IKW30N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT with Anti-parallel Diode

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	8.27 EUR
22+	7.11 EUR
50+	6.25 EUR
100+	5.46 EUR
200+	5.21 EUR

Mindestbestellmenge: 19

IKW30N65ET7XKSA1

Description: INFINEON - IKW30N65ET7XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.35 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A

auf Bestellung 588 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW30N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

IKW30N65ET7

Produkt ist nicht verfügbar

IKW30N65H5

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

Produkt ist nicht verfügbar

IKW30N65H5

Infineon technologies

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IKW30N65H5XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 650V 55A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/190ns
Switching Energy: 280µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W

auf Bestellung 333 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	9.8 EUR
30+	7.76 EUR
120+	6.66 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IKW30N65H5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IKW30N65H5XKSA1

Description: INFINEON - IKW30N65H5XKSA1 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A

auf Bestellung 245 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW30N65H5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	8.43 EUR
22+	7.13 EUR
50+	6.2 EUR
100+	5.37 EUR
200+	5.11 EUR

Mindestbestellmenge: 19

IKW30N65H5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IKW30N65H5XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

auf Bestellung 204 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	9.85 EUR
10+	9.18 EUR
25+	7.83 EUR
100+	6.73 EUR
240+	6.42 EUR
480+	5.07 EUR
1200+	4.81 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IKW30N65H5XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 35A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 209ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

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IKW30N65H5XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 35A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 209ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IKW30N65H5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IKW30N65NL5

Infineon Technologies

Description: IKW30N65 - DISCRETE IGBT WITH AN

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IKW30N65NL5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IKW30N65NL5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 7 Stücke:

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IKW30N65NL5XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors 650V IGBT Trenchstop 5

auf Bestellung 2403 Stücke:

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4+	13.57 EUR
10+	11.54 EUR
100+	10.01 EUR
240+	9.49 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IKW30N65NL5XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 59ns/283ns
Switching Energy: 560µJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 227 W

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IKW30N65NL5XKSA1

Description: INFINEON - IKW30N65NL5XKSA1 - IGBT, 85 A, 1.05 V, 227 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.05
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 227
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 85
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

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IKW30N65WR5

Infineon technologies

auf Bestellung 9 Stücke:

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IKW30N65WR5

Infineon Technologies

IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14

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IKW30N65WR5XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 376ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

auf Bestellung 36 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	5.35 EUR
15+	4.8 EUR
19+	3.78 EUR
21+	3.56 EUR

Mindestbestellmenge: 14

IKW30N65WR5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 185W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IKW30N65WR5XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14

auf Bestellung 166 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.84 EUR
10+	6.24 EUR
25+	5.43 EUR
100+	4.65 EUR
240+	4.55 EUR
480+	3.54 EUR
1200+	3.33 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IKW30N65WR5XKSA1

Description: INFINEON - IKW30N65WR5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.4 V, 185 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 185W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A

auf Bestellung 180 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW30N65WR5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 185000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IKW30N65WR5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 185W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IKW30N65WR5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 185W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

24+	6.75 EUR
27+	5.74 EUR
50+	4.9 EUR
100+	4.27 EUR
200+	4.06 EUR

Mindestbestellmenge: 24

IKW30N65WR5XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 650V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/367ns
Switching Energy: 990µJ (on), 330µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 185 W

auf Bestellung 350 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	6.58 EUR
30+	5.22 EUR
120+	4.48 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IKW30N65WR5XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 376ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 36 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

14+	5.35 EUR
15+	4.8 EUR
19+	3.78 EUR
21+	3.56 EUR

Mindestbestellmenge: 14

IKW40N120CH7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IKW40N120CH7XKSA1

Description: INFINEON - IKW40N120CH7XKSA1 - IGBT, 82 A, 1.7 V, 330 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 206 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW40N120CH7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW40N120CH7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW40N120CH7XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/336ns
Switching Energy: 1.69mJ (on), 920µJ (off)
Gate Charge: 290 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 82 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 330 W

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IKW40N120CH7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

auf Bestellung 719 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

3+	17.65 EUR
10+	15.13 EUR
25+	13.73 EUR
100+	12.61 EUR
240+	11.86 EUR
480+	11.1 EUR
1200+	9.98 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IKW40N120CS6

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

Produkt ist nicht verfügbar

IKW40N120CS6XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/315ns
Switching Energy: 2.55mJ (on), 1.55mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 285 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 500 W

auf Bestellung 511 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	16.3 EUR
30+	13.02 EUR
120+	11.65 EUR
510+	10.28 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IKW40N120CS6XKSA1
Produktcode: 193315

Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1

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IKW40N120CS6XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

auf Bestellung 384 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	14.46 EUR
10+	14.3 EUR
25+	11.57 EUR
100+	10.56 EUR
240+	10.5 EUR
480+	8.89 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IKW40N120CS6XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 384 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	13.41 EUR
16+	9.43 EUR
50+	8.05 EUR
100+	7.27 EUR
200+	6.57 EUR

Mindestbestellmenge: 12

IKW40N120CS6XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

26+	6.01 EUR

Mindestbestellmenge: 26

IKW40N120CS6XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 4078 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

23+	7.01 EUR
24+	6.42 EUR
25+	5.83 EUR
50+	5.58 EUR
100+	5.04 EUR
480+	4.53 EUR
720+	3.91 EUR

Mindestbestellmenge: 23

IKW40N120CS6XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 39 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

7+	10.27 EUR
11+	6.69 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IKW40N120CS6XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 4078 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	5.36 EUR

Mindestbestellmenge: 30

IKW40N120CS6XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

23+	7.09 EUR
24+	6.51 EUR
25+	5.93 EUR
50+	5.68 EUR
100+	5.15 EUR

Mindestbestellmenge: 23

IKW40N120CS6XKSA1

Description: INFINEON - IKW40N120CS6XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 500W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

auf Bestellung 260 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW40N120CS6XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

auf Bestellung 39 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

7+	10.27 EUR
11+	6.69 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IKW40N120CS6XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 1970 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	8.85 EUR
20+	7.84 EUR
25+	6.9 EUR
50+	6.58 EUR
100+	5.77 EUR
480+	5.04 EUR
720+	4.21 EUR

Mindestbestellmenge: 18

IKW40N120CS6XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 1898 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW40N120CS6XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 1970 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

34+	4.6 EUR

Mindestbestellmenge: 34

IKW40N120CS7XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 56A; 179W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 56A
Power dissipation: 179W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 0.5µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IKW40N120CS7XKSA1

Description: INFINEON - IKW40N120CS7XKSA1 - IGBT, 82 A, 1.65 V, 357 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 357W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

auf Bestellung 387 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW40N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW40N120CS7XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 56A; 179W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 56A
Power dissipation: 179W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 0.5µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

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IKW40N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

SP005415716

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IKW40N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 175 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/190ns
Switching Energy: 2.55mJ (on), 1.75mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 4Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 82 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 357 W

auf Bestellung 207 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	18.43 EUR
30+	14.72 EUR
120+	13.17 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IKW40N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

auf Bestellung 291 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

3+	18.56 EUR
10+	17.11 EUR
25+	14.64 EUR
100+	13.29 EUR
240+	12.48 EUR
480+	11.7 EUR
1200+	10.04 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IKW40N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode

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IKW40N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW40N120H3

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

auf Bestellung 2982 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

3+	19.32 EUR
10+	16.56 EUR
25+	15.03 EUR
100+	13.81 EUR
240+	12.95 EUR
480+	12.17 EUR
1200+	11.86 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IKW40N120H3

Infineon Technologies

High speed Trans IGBT Chip

auf Bestellung 290 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	10.21 EUR
25+	9.42 EUR
50+	8.73 EUR
100+	8.11 EUR
250+	7.55 EUR

Mindestbestellmenge: 16

IKW40N120H3
Produktcode: 153177

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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IKW40N120H3

80A; 1200V; 483W; IGBT w/ Diode IKW40N120H3 TIKW40n120h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 75 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

5+	17.16 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IKW40N120H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IKW40N120H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 2300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	16.57 EUR
11+	14.27 EUR
50+	11.88 EUR
100+	10.81 EUR
200+	9.95 EUR
960+	9.49 EUR
1920+	8.01 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IKW40N120H3FKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

auf Bestellung 478 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

3+	18.69 EUR
10+	16.69 EUR
25+	14.72 EUR
100+	13.81 EUR
240+	12.12 EUR
480+	10.92 EUR
1200+	10.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IKW40N120H3FKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 355 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/290ns
Switching Energy: 4.4mJ
Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 185 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 483 W

auf Bestellung 6522 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	19.19 EUR
30+	15.3 EUR
120+	13.69 EUR
510+	12.08 EUR
1020+	10.87 EUR
2010+	10.19 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IKW40N120H3FKSA1
Produktcode: 144428

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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IKW40N120H3FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 80A
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IKW40N120H3FKSA1

Description: INFINEON - IKW40N120H3FKSA1 - IGBT, 40 A, 2.4 V, 483 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 483W
Anzahl der Pins: 3Pins
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -

auf Bestellung 13950 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW40N120H3FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 80A
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

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IKW40N120T2
Produktcode: 150870

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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IKW40N120T2

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 720 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	10.6 EUR
25+	9.79 EUR
50+	9.07 EUR
100+	8.42 EUR
250+	7.84 EUR
500+	7.31 EUR

Mindestbestellmenge: 15

IKW40N120T2

Infineon Technologies

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A

auf Bestellung 2371 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

3+	20.9 EUR
10+	17.91 EUR
25+	16.25 EUR
100+	14.92 EUR
240+	14.04 EUR
480+	13.18 EUR
1200+	11.86 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IKW40N120T2
Produktcode: 73806

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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IKW40N120T2

Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

5+	22.38 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IKW40N120T2FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 444 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	11.82 EUR
15+	10.1 EUR
25+	9.17 EUR
100+	7.85 EUR
240+	7.21 EUR

Mindestbestellmenge: 14

IKW40N120T2FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IKW40N120T2FKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A

auf Bestellung 457 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

3+	20.9 EUR
10+	20.59 EUR
25+	16.69 EUR
100+	14.92 EUR
240+	14.85 EUR
480+	11.83 EUR
1200+	11.34 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IKW40N120T2FKSA1

Description: INFINEON - IKW40N120T2FKSA1 - IGBT, 75 A, 1.75 V, 480 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 565 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW40N120T2FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 165A
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

7+	11.85 EUR
8+	9.08 EUR
9+	8.58 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IKW40N120T2FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 444 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	7.84 EUR
25+	7.23 EUR
50+	6.7 EUR
100+	6.22 EUR
250+	5.79 EUR

Mindestbestellmenge: 20

IKW40N120T2FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 165A
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

7+	11.85 EUR
8+	9.08 EUR
9+	8.58 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IKW40N120T2FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 444 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW40N120T2FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 2481 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	14.42 EUR
12+	12.56 EUR
50+	10.62 EUR
100+	9.71 EUR
200+	8.98 EUR
960+	7.95 EUR
1920+	6.78 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IKW40N120T2FKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 1200V 75A 480W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 258 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/314ns
Switching Energy: 5.25mJ
Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 192 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 480 W

auf Bestellung 1991 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	20.77 EUR
30+	16.58 EUR
120+	14.84 EUR
510+	13.09 EUR
1020+	11.78 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IKW40N120T2FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IKW40N60DTP

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

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IKW40N60DTP

auf Bestellung 21840 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IKW40N60DTPXKSA1

Description: INFINEON - IKW40N60DTPXKSA1 - IGBT, 67 A, 1.6 V, 246 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6
Verlustleistung Pd: 246
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP
DC-Kollektorstrom: 67
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

IKW40N60DTPXKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW40N60DTPXKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 67A 246W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW40N60DTPXKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 67A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 87 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/222ns
Switching Energy: 1.06mJ (on), 610µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10.1Ohm, 15V
Gate Charge: 177 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 67 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 246 W

auf Bestellung 108 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	7.38 EUR
30+	5.86 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IKW40N60DTPXKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 67A 246W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

33+	4.79 EUR
38+	4.02 EUR
39+	3.76 EUR
100+	2.95 EUR

Mindestbestellmenge: 33

IKW40N60DTPXKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

Produkt ist nicht verfügbar

IKW40N60DTPXKSA1

Infineon Technologies

IKW40N60DT Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306mW TO-247

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW40N60DTPXKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 67A 246W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

69+	2.27 EUR
100+	2.09 EUR

Mindestbestellmenge: 69

IKW40N60H3

Infineon Technologies

Description: IKW40N60 - DISCRETE IGBT WITH AN

Produkt ist nicht verfügbar

IKW40N60H3
Produktcode: 128556

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

Produkt ist nicht verfügbar

IKW40N60H3

Infineon Technologies

IGBT Transistors 600V 40A 306W

auf Bestellung 306 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	12.71 EUR
10+	11.36 EUR
25+	9.72 EUR
100+	8.55 EUR
240+	7.98 EUR
480+	6.58 EUR
1200+	6.19 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IKW40N60H3

Infineon technologies

auf Bestellung 243 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IKW40N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW40N60H3FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 153W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 218ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	7.85 EUR
11+	7.06 EUR
14+	5.12 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IKW40N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 224 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	10.04 EUR
18+	8.62 EUR
50+	7.58 EUR
100+	6.63 EUR
200+	6.32 EUR

Mindestbestellmenge: 16

IKW40N60H3FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 153W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 218ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	7.85 EUR
11+	7.06 EUR
14+	5.12 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IKW40N60H3FKSA1

Description: INFINEON - IKW40N60H3FKSA1 - IGBT, 40 A, 2.4 V, 306 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A

auf Bestellung 153 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW40N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 124 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/197ns
Switching Energy: 1.68mJ
Test Condition: 400V, 40A, 7.9Ohm, 15V
Gate Charge: 223 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 306 W

auf Bestellung 1292 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	12.64 EUR
30+	10.02 EUR
120+	8.59 EUR
510+	7.63 EUR
1020+	6.53 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IKW40N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IKW40N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IKW40N60H3FKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

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IKW40N60H3FKSA1

Infineon Technologies

IKW40N60H3 IGBT 600V 80A 306.0W TO247-3

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW40N60H3FKSA1 (TO-247, Infineon) IGBT N-ch 600V/80A
Produktcode: 160842

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V

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IKW40N65ES5

Infineon Technologies

IGBT Transistors Trenchstop 5 IGBT

auf Bestellung 310 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	11.73 EUR
10+	9.85 EUR
25+	9.31 EUR
100+	7.98 EUR
240+	7.51 EUR
480+	7.07 EUR
1200+	6.29 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IKW40N65ES5XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 153ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IKW40N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IKW40N65ES5XKSA1

Description: INFINEON - IKW40N65ES5XKSA1 - IGBT, 79 A, 1.7 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 79A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2615 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW40N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 650V 79A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 79 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W

auf Bestellung 523 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	11.31 EUR
30+	8.97 EUR
120+	7.69 EUR
510+	6.83 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IKW40N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 220 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	8.33 EUR
22+	7.05 EUR
25+	6.21 EUR
50+	5.8 EUR
100+	3.72 EUR

Mindestbestellmenge: 19

IKW40N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 80 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW40N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW40N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW40N65ES5XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 153ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

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IKW40N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 220 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	8.33 EUR
22+	7.05 EUR
25+	6.21 EUR
50+	5.8 EUR
100+	3.72 EUR

Mindestbestellmenge: 19

IKW40N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	11.39 EUR
10+	10.87 EUR
25+	8.74 EUR
100+	7.57 EUR
240+	7.54 EUR
480+	5.88 EUR
1200+	5.54 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IKW40N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

IKW40N65ET7XKSA1

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IKW40N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

auf Bestellung 12362 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	10.95 EUR
10+	9.2 EUR
25+	8.5 EUR
100+	7.28 EUR
240+	7.05 EUR
480+	6.34 EUR
1200+	5.49 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IKW40N65ET7XKSA1

Description: INFINEON - IKW40N65ET7XKSA1 - IGBT, 76 A, 1.35 V, 230.8 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 230.8W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

auf Bestellung 230 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW40N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 76A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/310ns
Switching Energy: 1.05mJ (on), 590µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 235 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 76 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 230.8 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 876 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	10.87 EUR
30+	8.62 EUR
120+	7.39 EUR
510+	6.57 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IKW40N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

IKW40N65ET7XKSA1

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IKW40N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

SP005403468

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IKW40N65F5

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

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IKW40N65F5AXKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/165ns
Switching Energy: 350µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

IKW40N65F5AXKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IKW40N65F5AXKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

auf Bestellung 190 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

IKW40N65F5F

Infineon Technologies

Description: IGBT WITH ANTI-PARALLEL DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 360µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 255 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKW40N65F5FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 185 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

21+	7.81 EUR
23+	6.78 EUR
25+	6.52 EUR
50+	5.88 EUR
100+	4.79 EUR

Mindestbestellmenge: 21

IKW40N65F5FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 2196 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW40N65F5FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

auf Bestellung 18 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	6.76 EUR
12+	6.09 EUR
16+	4.66 EUR
17+	4.4 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IKW40N65F5FKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

auf Bestellung 247 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	9.96 EUR
10+	9.49 EUR
25+	8.09 EUR
100+	6.97 EUR
240+	6.81 EUR
480+	5.36 EUR
1200+	5.04 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IKW40N65F5FKSA1

Description: INFINEON - IKW40N65F5FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.6 V, 255 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 255W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

auf Bestellung 169 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW40N65F5FKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 650V 74A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 360µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 255 W

auf Bestellung 1722 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	10.3 EUR
30+	8.17 EUR
120+	7 EUR
510+	6.23 EUR
1020+	5.33 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IKW40N65F5FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 18 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

11+	6.76 EUR
12+	6.09 EUR
16+	4.66 EUR
17+	4.4 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IKW40N65F5FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	8.21 EUR
23+	6.7 EUR
50+	4.92 EUR
200+	4.43 EUR

Mindestbestellmenge: 20

IKW40N65H5

Infineon Technologies

Description: IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3

Produkt ist nicht verfügbar

IKW40N65H5

Infineon technologies

auf Bestellung 242 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IKW40N65H5

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 720 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

28+	5.65 EUR
29+	5.22 EUR
50+	4.83 EUR
100+	4.49 EUR
250+	4.18 EUR
500+	3.89 EUR

Mindestbestellmenge: 28

IKW40N65H5

IGBT Chip N-CH Trench Field Stop 650V 74A 255W IKW40N65H5FKSA1 TIKW40n65h5
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

5+	11.45 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IKW40N65H5

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

Produkt ist nicht verfügbar

IKW40N65H5AXKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES

auf Bestellung 58 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

IKW40N65H5AXKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW40N65H5AXKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/153ns
Switching Energy: 380µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 92 nC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

IKW40N65H5FKSA1

Description: INFINEON - IKW40N65H5FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 255 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A

auf Bestellung 20874 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW40N65H5FKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

auf Bestellung 326 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	11.47 EUR
10+	10.11 EUR
25+	9.1 EUR
100+	7.8 EUR
240+	7.54 EUR
480+	5.93 EUR
1200+	5.59 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IKW40N65H5FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 45 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW40N65H5FKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 650V 74A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/165ns
Switching Energy: 390µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 255 W

auf Bestellung 665 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	11.39 EUR
30+	9.02 EUR
120+	7.73 EUR
510+	6.88 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IKW40N65H5FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IKW40N65H5FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW40N65H5FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 460 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

22+	7.41 EUR
25+	6.05 EUR
50+	4.44 EUR
200+	4 EUR

Mindestbestellmenge: 22

IKW40N65H5FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW40N65H5FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

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IKW40N65H5FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 20 Stücke:

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IKW40N65RH5XKSA1

Description: INFINEON - IKW40N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 74A, 250W, To-247, 1.65Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A

auf Bestellung 436 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW40N65RH5XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors SIC DISCRETE

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4+	15.18 EUR
10+	12.77 EUR
25+	12.04 EUR
100+	10.32 EUR
240+	9.72 EUR
480+	9.15 EUR
1200+	7.83 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IKW40N65RH5XKSA1

Infineon Technologies

SP004038146

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IKW40N65RH5XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/165ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W

auf Bestellung 216 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	15.08 EUR
30+	11.95 EUR
120+	10.24 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IKW40N65WR5

Infineon Technologies

IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14

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IKW40N65WR5

Infineon technologies

auf Bestellung 30 Stücke:

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IKW40N65WR5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

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21+	7.75 EUR
23+	6.61 EUR
50+	5.62 EUR
100+	4.89 EUR
200+	4.66 EUR

Mindestbestellmenge: 21

IKW40N65WR5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 92 Stücke:

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43+	3.7 EUR
47+	3.24 EUR
48+	3.03 EUR
50+	2.88 EUR

Mindestbestellmenge: 43

IKW40N65WR5XKSA1

Description: INFINEON - IKW40N65WR5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A

auf Bestellung 8 Stücke:

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IKW40N65WR5XKSA1
Produktcode: 200399

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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IKW40N65WR5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 23 Stücke:

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IKW40N65WR5XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 448ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

auf Bestellung 45 Stücke:

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13+	5.85 EUR
14+	5.26 EUR
18+	4.03 EUR
19+	3.82 EUR

Mindestbestellmenge: 13

IKW40N65WR5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 253 Stücke:

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IKW40N65WR5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 23 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW40N65WR5XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/432ns
Switching Energy: 770µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 193 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 230 W

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IKW40N65WR5XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 448ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 45 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

13+	5.85 EUR
14+	5.26 EUR
18+	4.03 EUR
19+	3.82 EUR

Mindestbestellmenge: 13

IKW40N65WR5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IKW40N65WR5XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14

auf Bestellung 215 Stücke:

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7+	8.32 EUR
10+	7.85 EUR
25+	6.81 EUR
100+	6.24 EUR
240+	5.02 EUR
480+	3.95 EUR
1200+	3.72 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IKW40N65WR5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 92 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

43+	3.7 EUR
47+	3.24 EUR
48+	3.03 EUR
50+	2.88 EUR

Mindestbestellmenge: 43

IKW40T120

auf Bestellung 2100 Stücke:

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IKW40T120

MODULE

auf Bestellung 500094 Stücke:

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IKW40T120

Infineon Technologies

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A

auf Bestellung 21 Stücke:

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3+	19.27 EUR
10+	16.51 EUR
25+	14.98 EUR
100+	13.75 EUR
240+	12.95 EUR
480+	12.12 EUR
1200+	10.89 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IKW40T120

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

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14+	11.74 EUR
25+	10.83 EUR
50+	10.03 EUR
100+	9.32 EUR

Mindestbestellmenge: 14

IKW40T120

10+ TO-247

auf Bestellung 3240 Stücke:

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IKW40T120
Produktcode: 48060

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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IKW40T120

Infineon technologies

auf Bestellung 240 Stücke:

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IKW40T120FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 180 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	5.99 EUR
28+	5.53 EUR
50+	5.12 EUR
100+	4.76 EUR

Mindestbestellmenge: 27

IKW40T120FKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A

auf Bestellung 48 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

3+	19.24 EUR
10+	18.41 EUR
25+	14.9 EUR
100+	13.73 EUR
240+	13.49 EUR
480+	10.89 EUR
1200+	10.43 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IKW40T120FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 270W; TO247-3
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 92ns
Turn-off time: 700ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 203nC
Technology: TRENCHSTOP™
Mounting: THT
Case: TO247-3

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

8+	9.08 EUR
10+	7.44 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IKW40T120FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW40T120FKSA1

IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 75A 270W IKW40T120FKSA1 IKW40T120 TIKW40t120
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke

auf Bestellung 28 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	20.76 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IKW40T120FKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT NPT FS 1200V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 240 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/480ns
Switching Energy: 6.5mJ
Test Condition: 600V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 203 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 270 W

auf Bestellung 590 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	19.11 EUR
30+	15.26 EUR
120+	13.66 EUR
510+	12.05 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IKW40T120FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW40T120FKSA1
Produktcode: 152618

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

Produkt ist nicht verfügbar

IKW40T120FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 180 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	10.24 EUR
18+	8.78 EUR
25+	7.67 EUR
100+	5.04 EUR

Mindestbestellmenge: 16

IKW40T120FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 270W; TO247-3
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 92ns
Turn-off time: 700ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 203nC
Technology: TRENCHSTOP™
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

8+	9.08 EUR
10+	7.44 EUR
30+	7.15 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IKW40T120FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 230 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	14.86 EUR
12+	12.95 EUR
50+	10.93 EUR
100+	10.01 EUR
200+	9.25 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IKW40T120FKSA1

Description: INFINEON - IKW40T120FKSA1 - IGBT, Universal, 75 A, 2.3 V, 270 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 68 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW40T120FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW40T120XK

Infineon Technologies

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A

Produkt ist nicht verfügbar

IKW40TI20FKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT, 75A, 1200V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 240 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/480ns
Switching Energy: 3.3mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 203 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 270 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKW50N120CH7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 86A 398W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	13.38 EUR
14+	11.1 EUR
25+	9.71 EUR
30+	9.24 EUR
100+	8.24 EUR
120+	7.89 EUR
240+	7.11 EUR

Mindestbestellmenge: 12

IKW50N120CH7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

auf Bestellung 430 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

3+	20.31 EUR
10+	17.42 EUR
25+	15.78 EUR
100+	14.51 EUR
240+	13.62 EUR
480+	12.77 EUR
1200+	11.49 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IKW50N120CH7XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 86A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 116 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/319ns
Switching Energy: 2.33mJ (on), 1.12mJ (off)
Gate Charge: 375 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 86 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 398 W

auf Bestellung 183 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	20.15 EUR
30+	16.08 EUR
120+	14.39 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IKW50N120CH7XKSA1

Description: INFINEON - IKW50N120CH7XKSA1 - IGBT, 86 A, 1.7 V, 398 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 398W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 86A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 223 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW50N120CH7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 86A 398W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW50N120CH7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 86A 398W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW50N120CH7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 86A 398W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	13.38 EUR
14+	11.1 EUR
25+	9.71 EUR
30+	9.24 EUR
100+	8.24 EUR
120+	7.89 EUR
240+	7.11 EUR

Mindestbestellmenge: 12

IKW50N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 233 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	9.77 EUR
17+	9.12 EUR
25+	8.29 EUR
100+	7.58 EUR

Mindestbestellmenge: 16

IKW50N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 233 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	9.77 EUR
17+	9.12 EUR
25+	8.29 EUR
100+	7.58 EUR

Mindestbestellmenge: 16

IKW50N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

SP005419710

auf Bestellung 215 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW50N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	12.43 EUR
14+	11.21 EUR
25+	9.78 EUR
30+	9.24 EUR
100+	8.41 EUR
120+	7.75 EUR
240+	7.13 EUR

Mindestbestellmenge: 13

IKW50N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW50N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	15.47 EUR
12+	12.78 EUR
25+	10.95 EUR
100+	9.87 EUR
240+	8.91 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IKW50N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

auf Bestellung 1549 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

3+	21.37 EUR
10+	19.68 EUR
25+	16.82 EUR
100+	15.29 EUR
240+	14.74 EUR
480+	13.75 EUR
1200+	12.12 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IKW50N120CS7XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 165 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/170ns
Switching Energy: 2.8mJ (on), 2.2mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 2.3Ohm, 15V
Gate Charge: 290 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 82 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 428 W

auf Bestellung 429 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	21.22 EUR
30+	16.94 EUR
120+	15.16 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IKW50N120CS7XKSA1

Description: INFINEON - IKW50N120CS7XKSA1 - IGBT, 82 A, 1.65 V, 428 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A

auf Bestellung 449 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW50N60DTP

Infineon technologies

auf Bestellung 239 Stücke:

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IKW50N60DTP

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

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IKW50N60DTP

auf Bestellung 15600 Stücke:

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IKW50N60DTPXKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 319.2W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IKW50N60DTPXKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

auf Bestellung 1700 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	8.03 EUR
10+	7.54 EUR
25+	6.29 EUR
100+	6.06 EUR
240+	5.2 EUR
480+	5.17 EUR
1200+	4.58 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IKW50N60DTPXKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/215ns
Switching Energy: 1.53mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 249 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 319.2 W

auf Bestellung 114 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	8.81 EUR
30+	6.99 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IKW50N60DTPXKSA1

Description: INFINEON - IKW50N60DTPXKSA1 - IGBT, 80 A, 1.6 V, 319.2 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 319.2
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
Kollektorstrom: 80
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW50N60DTPXKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 319.2W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IKW50N60DTPXKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

auf Bestellung 163 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	4.88 EUR
17+	4.3 EUR
20+	3.73 EUR
21+	3.53 EUR

Mindestbestellmenge: 15

IKW50N60DTPXKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IKW50N60DTPXKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 163 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

15+	4.88 EUR
17+	4.3 EUR
20+	3.73 EUR
21+	3.53 EUR

Mindestbestellmenge: 15

IKW50N60H3
Produktcode: 94376

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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IKW50N60H3

100A; 600V; 333W; IGBT w/ Diode IKW50N60H3 TIKW50n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

5+	10.29 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IKW50N60H3

Infineon Technologies

Description: IKW50N60 - DISCRETE IGBT WITH AN

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IKW50N60H3

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

22+	7.14 EUR
25+	6.58 EUR
50+	6.1 EUR
100+	5.67 EUR

Mindestbestellmenge: 22

IKW50N60H3

100A; 600V; 333W; IGBT w/ Diode IKW50N60H3 TIKW50n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

5+	10.29 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IKW50N60H3

Infineon Technologies

IGBT Transistors HIGH SPEED SWITCHING

auf Bestellung 178 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	15.63 EUR
10+	13.13 EUR
25+	12.38 EUR
100+	10.61 EUR
240+	10.01 EUR
480+	9.41 EUR
1200+	8.06 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IKW50N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 238 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

22+	7.18 EUR
23+	6.8 EUR
25+	5.92 EUR
100+	5.12 EUR

Mindestbestellmenge: 22

IKW50N60H3FKSA1

Description: INFINEON - IKW50N60H3FKSA1 - IGBT, 100 A, 1.85 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 368 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW50N60H3FKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors HIGH SPEED SWITCHING

auf Bestellung 140 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	15.57 EUR
10+	14.59 EUR
25+	12.19 EUR
100+	10.22 EUR
240+	10.19 EUR
480+	8.06 EUR
1200+	7.59 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IKW50N60H3FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

auf Bestellung 61 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	7.78 EUR
12+	5.96 EUR
13+	5.63 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IKW50N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW50N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW50N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 630 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	8.85 EUR
21+	7.23 EUR
50+	5.3 EUR
100+	5.07 EUR
200+	4.6 EUR

Mindestbestellmenge: 18

IKW50N60H3FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 61 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	7.78 EUR
12+	5.96 EUR
13+	5.63 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IKW50N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 130 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/235ns
Switching Energy: 2.36mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 315 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 333 W

auf Bestellung 505 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	15.52 EUR
30+	12.29 EUR
120+	10.53 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IKW50N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW50N60T

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	8.8 EUR
25+	8.12 EUR
50+	7.52 EUR
100+	6.99 EUR

Mindestbestellmenge: 18

IKW50N60T

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

4+	14.73 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IKW50N60T

Infineon Technologies

Description: IKW50N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKW50N60T
Produktcode: 145126

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

Produkt ist nicht verfügbar

IKW50N60T

Infineon Technologies

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 50A

auf Bestellung 741 Stücke:

Lieferzeit 168-182 Tag (e)

4+	15.7 EUR
10+	13.44 EUR
25+	12.19 EUR
100+	11.21 EUR
240+	10.53 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IKW50N60T

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

4+	14.73 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IKW50N60TA
Produktcode: 139366

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

Produkt ist nicht verfügbar

IKW50N60TA

Infineon Technologies

Description: IKW50N60 - AUTOMOTIVE IGBT DISCR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKW50N60TAFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW50N60TAFKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W

auf Bestellung 9853 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

68+	10.61 EUR

Mindestbestellmenge: 68

IKW50N60TAFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW50N60TAFKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKW50N60TAFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 232 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	12.67 EUR
14+	11.19 EUR
25+	10.17 EUR
100+	9.47 EUR

Mindestbestellmenge: 13

IKW50N60TFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 454 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	8.52 EUR
21+	7.21 EUR
25+	6.36 EUR
100+	5.64 EUR
240+	5.11 EUR

Mindestbestellmenge: 19

IKW50N60TFKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 50A

auf Bestellung 319 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	15.7 EUR
25+	12.35 EUR
100+	11.1 EUR
240+	10.97 EUR
480+	8.89 EUR
1200+	8.48 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IKW50N60TFKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

9+	8.42 EUR
12+	6.09 EUR

Mindestbestellmenge: 9

IKW50N60TFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 455 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	9.18 EUR
20+	7.76 EUR
25+	6.85 EUR
100+	6.08 EUR
240+	5.51 EUR

Mindestbestellmenge: 18

IKW50N60TFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 807 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW50N60TFKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W

auf Bestellung 236 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	15.57 EUR
30+	12.44 EUR
120+	11.13 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IKW50N60TFKSA1

Description: INFINEON - IKW50N60TFKSA1 - IGBT, Universal, 80 A, 2 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 333W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

auf Bestellung 5189 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW50N60TFKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

9+	8.42 EUR
12+	6.09 EUR

Mindestbestellmenge: 9

IKW50N60TFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 470 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	13.13 EUR
15+	10.28 EUR
50+	8.55 EUR
100+	7.79 EUR
200+	7.17 EUR

Mindestbestellmenge: 12

IKW50N65EH5

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

Produkt ist nicht verfügbar

IKW50N65EH5

auf Bestellung 12360 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IKW50N65EH5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW50N65EH5XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 81 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/172ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 275 W

auf Bestellung 163 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	13.99 EUR
30+	11.09 EUR
120+	9.5 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IKW50N65EH5XKSA1

Description: INFINEON - IKW50N65EH5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 275 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 275
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 80
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

IKW50N65EH5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 162 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	9.27 EUR
21+	7.47 EUR
25+	6.72 EUR
100+	5.14 EUR

Mindestbestellmenge: 17

IKW50N65EH5XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 138W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 207ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

Produkt ist nicht verfügbar

IKW50N65EH5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	11.26 EUR
16+	9.82 EUR
50+	8.29 EUR
100+	7.59 EUR
200+	7.02 EUR

Mindestbestellmenge: 14

IKW50N65EH5XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

auf Bestellung 398 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	14.09 EUR
10+	12.95 EUR
25+	11.18 EUR
100+	9.52 EUR
240+	9.02 EUR
480+	7.28 EUR
1200+	6.84 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IKW50N65EH5XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 138W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 207ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IKW50N65EH5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW50N65EH5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 162 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	9.27 EUR
21+	7.47 EUR
25+	6.72 EUR
100+	5.14 EUR

Mindestbestellmenge: 17

IKW50N65ES5

Infineon Technologies

IGBT Transistors Trenchstop 5 IGBT

auf Bestellung 239 Stücke:

Lieferzeit 98-112 Tag (e)

4+	14.51 EUR
10+	12.19 EUR
25+	11.52 EUR
100+	9.85 EUR
240+	9.31 EUR
480+	8.76 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IKW50N65ES5XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 161ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

Produkt ist nicht verfügbar

IKW50N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 210 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	8.48 EUR
22+	6.91 EUR
50+	5.08 EUR
100+	4.87 EUR
200+	4.4 EUR

Mindestbestellmenge: 19

IKW50N65ES5XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 161ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IKW50N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 254 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	7.91 EUR
23+	6.61 EUR
25+	5.81 EUR
100+	5.06 EUR
240+	4.82 EUR

Mindestbestellmenge: 20

IKW50N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 254 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	7.89 EUR
23+	6.59 EUR
26+	5.8 EUR
100+	5.05 EUR
240+	4.81 EUR

Mindestbestellmenge: 20

IKW50N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

auf Bestellung 236 Stücke:

Lieferzeit 98-112 Tag (e)

4+	14.09 EUR
25+	11.21 EUR
100+	9.59 EUR
480+	7.57 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IKW50N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 254 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW50N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/127ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKW50N65ES5XKSA1

Description: INFINEON - IKW50N65ES5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 274 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 274W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

auf Bestellung 210 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW50N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

auf Bestellung 185 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	11.44 EUR
10+	10.95 EUR
25+	9.52 EUR
100+	8.45 EUR
240+	8.4 EUR
480+	6.81 EUR
1200+	6.42 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IKW50N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW50N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 93 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/350ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 290 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 273 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 92 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	12.14 EUR
30+	9.62 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IKW50N65ET7XKSA1

Description: INFINEON - IKW50N65ET7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 273 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 273W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

auf Bestellung 155 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW50N65ET7XKSA1
Produktcode: 178408

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

Produkt ist nicht verfügbar

IKW50N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 80 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	9.46 EUR
19+	7.99 EUR
50+	6.97 EUR

Mindestbestellmenge: 17

IKW50N65F5

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

Produkt ist nicht verfügbar

IKW50N65F5

Infineon Technologies

Description: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3

Produkt ist nicht verfügbar

IKW50N65F5
Produktcode: 187321

Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1

Produkt ist nicht verfügbar

IKW50N65F5

auf Bestellung 960 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IKW50N65F5AXKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW50N65F5AXKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES

Produkt ist nicht verfügbar

IKW50N65F5AXKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 77 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/156ns
Switching Energy: 490µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

IKW50N65F5FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW50N65F5FKSA1

Description: INFINEON - IKW50N65F5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A

auf Bestellung 14315 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW50N65F5FKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

auf Bestellung 201 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	10.97 EUR
10+	10.95 EUR
25+	8.71 EUR
100+	7.46 EUR
240+	6.89 EUR
480+	5.56 EUR
1200+	5.25 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IKW50N65F5FKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 52 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/175ns
Switching Energy: 490µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 305 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKW50N65F5FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Manufacturer series: F5
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 305W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IKW50N65F5FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW50N65F5FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW50N65F5FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Manufacturer series: F5
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 305W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5

Produkt ist nicht verfügbar

IKW50N65F5FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 235 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	8.42 EUR
22+	6.87 EUR
50+	5.04 EUR
100+	4.83 EUR
200+	4.37 EUR

Mindestbestellmenge: 19

IKW50N65F5FKSA1
Produktcode: 162192

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

Produkt ist nicht verfügbar

IKW50N65H5

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

Produkt ist nicht verfügbar

IKW50N65H5A

Infineon Technologies

IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES

Produkt ist nicht verfügbar

IKW50N65H5AXKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW50N65H5AXKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW50N65H5AXKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/173ns
Switching Energy: 450µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 116 nC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

IKW50N65H5AXKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW50N65H5AXKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES

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IKW50N65H5FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 32 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

13+	5.52 EUR
15+	4.88 EUR
17+	4.22 EUR
18+	3.99 EUR

Mindestbestellmenge: 13

IKW50N65H5FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 2590 Stücke:

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21+	7.32 EUR
26+	5.64 EUR
100+	4.04 EUR
480+	3.24 EUR

Mindestbestellmenge: 21

IKW50N65H5FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 15 Stücke:

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IKW50N65H5FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 2590 Stücke:

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21+	7.32 EUR
26+	5.64 EUR
100+	4.04 EUR
480+	3.24 EUR

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IKW50N65H5FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

auf Bestellung 32 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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15+	4.88 EUR
17+	4.22 EUR
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IKW50N65H5FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 480 Stücke:

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17+	9.41 EUR
19+	8.08 EUR
50+	7.11 EUR
100+	6.21 EUR
200+	5.93 EUR

Mindestbestellmenge: 17

IKW50N65H5FKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 57 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/180ns
Switching Energy: 520µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 305 W

auf Bestellung 403 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	11.6 EUR
30+	9.19 EUR
120+	7.88 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IKW50N65H5FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

32+	4.76 EUR
35+	4.23 EUR
100+	3.64 EUR

Mindestbestellmenge: 32

IKW50N65H5FKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

auf Bestellung 2 Stücke:

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5+	12.58 EUR
10+	12.27 EUR
25+	10.17 EUR
100+	8.19 EUR
480+	7.23 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IKW50N65H5FKSA1
Produktcode: 125871

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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IKW50N65H5FKSA1

80A; 650V; 305W; IGBT w/ Diode IKW50N65H5 TIKW50n65h5
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke

auf Bestellung 101 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

4+	13.21 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IKW50N65H5FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

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32+	4.76 EUR
35+	4.23 EUR
100+	3.64 EUR

Mindestbestellmenge: 32

IKW50N65H5FKSA1

Description: INFINEON - IKW50N65H5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A

auf Bestellung 362 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW50N65H5FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 255 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW50N65H5FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 15 Stücke:

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IKW50N65RH5XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/180ns
Switching Energy: 230µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 305 W

auf Bestellung 96 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	20.85 EUR
30+	16.65 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IKW50N65RH5XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors SIC DISCRETE

auf Bestellung 1074 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	16.07 EUR
10+	13.78 EUR
25+	12.51 EUR
100+	11.49 EUR
240+	10.79 EUR
480+	10.5 EUR
2640+	8.68 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IKW50N65RH5XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Discrete Chip

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IKW50N65RH5XKSA1

Description: INFINEON - IKW50N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 305W, To-247, 1.65Vsat
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 305W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

auf Bestellung 639 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW50N65RH5XKSA1

Infineon Technologies

SP004038142

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IKW50N65RH5XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Discrete Chip

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IKW50N65RH5XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Discrete Chip

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

8+	20.12 EUR
10+	17.65 EUR
50+	15.11 EUR
100+	13.25 EUR
200+	12.28 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IKW50N65SS5XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Discrete Chip

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IKW50N65SS5XKSA1

Infineon Technologies

SP001668430

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IKW50N65SS5XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Discrete Chip

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

7+	24.9 EUR
10+	21.71 EUR
50+	18.68 EUR
100+	16.38 EUR
200+	15.2 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IKW50N65SS5XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Discrete Chip

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IKW50N65SS5XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Discrete Chip

auf Bestellung 20160 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	13.5 EUR

Mindestbestellmenge: 240

IKW50N65SS5XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/140ns
Switching Energy: 320µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W

auf Bestellung 121 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	23.69 EUR
30+	18.92 EUR
120+	16.93 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IKW50N65SS5XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors SIC DISCRETE

auf Bestellung 671 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

3+	23.87 EUR
10+	20.49 EUR
25+	18.56 EUR
100+	17.06 EUR
240+	16.04 EUR
480+	15.03 EUR
1200+	13.52 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IKW50N65SS5XKSA1

Description: INFINEON - IKW50N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 274W, To-247, 1.35Vsat
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 274W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

auf Bestellung 171 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW50N65WR5XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 112 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

11+	6.99 EUR
12+	6.29 EUR
15+	4.82 EUR
16+	4.55 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IKW50N65WR5XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/417ns
Switching Energy: 840µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 16Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 282 W

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	9.05 EUR
30+	7.17 EUR
120+	6.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IKW50N65WR5XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14

auf Bestellung 417 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	9.13 EUR
10+	7.67 EUR
25+	7.2 EUR
100+	6.19 EUR
240+	5.3 EUR
480+	4.68 EUR
1200+	4.42 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IKW50N65WR5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	9.96 EUR
18+	8.41 EUR
50+	7.33 EUR
100+	6.33 EUR
200+	6.03 EUR

Mindestbestellmenge: 16

IKW50N65WR5XKSA1

Description: INFINEON - IKW50N65WR5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 282 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 282W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

auf Bestellung 85 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW50N65WR5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW50N65WR5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW50N65WR5XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

auf Bestellung 112 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	6.99 EUR
12+	6.29 EUR
15+	4.82 EUR
16+	4.55 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IKW60N60H3

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop

auf Bestellung 180 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

3+	18.17 EUR
10+	15.6 EUR
25+	14.14 EUR
100+	12.97 EUR
240+	12.22 EUR
480+	11.44 EUR
1200+	10.82 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IKW60N60H3FKSA1

Description: INFINEON - IKW60N60H3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 416 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Produktreihe TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 174 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW60N60H3
Produktcode: 198550

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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IKW60N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW60N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 160 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW60N60H3FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

auf Bestellung 18 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

8+	9.98 EUR
11+	6.51 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IKW60N60H3FKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop

Produkt ist nicht verfügbar

IKW60N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 1920 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	8.11 EUR

Mindestbestellmenge: 240

IKW60N60H3FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 18 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

8+	9.98 EUR
11+	6.51 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IKW60N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/252ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.13mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 375 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 416 W

auf Bestellung 216 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	18.04 EUR
10+	15.47 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IKW60N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW75N120CH7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

auf Bestellung 960 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

3+	24.49 EUR
10+	21.01 EUR
25+	19.06 EUR
100+	17.5 EUR
240+	16.43 EUR
480+	15.42 EUR
1200+	13.88 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IKW75N120CH7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 92A 549W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 355 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	16.88 EUR
12+	12.72 EUR
100+	9.94 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IKW75N120CH7XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 92A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/461ns
Switching Energy: 4.22mJ (on), 1.66mJ (off)
Gate Charge: 535 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 92 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 549 W

auf Bestellung 380 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	25.19 EUR
30+	20.1 EUR
120+	17.98 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IKW75N120CH7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 92A 549W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 355 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	16.88 EUR
12+	12.72 EUR
100+	9.94 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IKW75N120CH7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 92A 549W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IKW75N120CH7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 92A 549W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IKW75N60H3

Infineon Technologies

Description: IKW75N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 190 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/265ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.7mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5.2Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKW75N60H3

Infineon technologies

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IKW75N60H3

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

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IKW75N60H3FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 47 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

6+	12.71 EUR
8+	9.21 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IKW75N60H3FKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

auf Bestellung 47 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6+	12.71 EUR
8+	9.21 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IKW75N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IKW75N60H3FKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

auf Bestellung 815 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

3+	20.88 EUR
10+	20.8 EUR
25+	16.67 EUR
100+	14.92 EUR
480+	12.87 EUR
1200+	10.87 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IKW75N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 263 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	14.02 EUR
16+	9.85 EUR
50+	8.42 EUR
100+	7.59 EUR
200+	6.88 EUR

Mindestbestellmenge: 12

IKW75N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IKW75N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	9.77 EUR
18+	8.82 EUR
25+	8.37 EUR
100+	7.49 EUR
240+	6.82 EUR

Mindestbestellmenge: 16

IKW75N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 600V 80A 428W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 190 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/265ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.7mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5.2Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKW75N60H3FKSA1

Description: INFINEON - IKW75N60H3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 428W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

auf Bestellung 121 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW75N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	9.77 EUR
18+	8.82 EUR
25+	8.37 EUR
100+	7.49 EUR
240+	6.82 EUR

Mindestbestellmenge: 16

IKW75N60H3FKSA1
Produktcode: 138035

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

Produkt ist nicht verfügbar

IKW75N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 480 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	9.25 EUR

Mindestbestellmenge: 240

IKW75N60T
Produktcode: 40498

Transistoren > MOSFET N-CH

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IKW75N60T

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 1180 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	11.63 EUR
25+	10.74 EUR
50+	9.94 EUR
100+	9.24 EUR
250+	8.6 EUR
500+	8.02 EUR
1000+	7.48 EUR

Mindestbestellmenge: 14

IKW75N60T

Infineon Technologies

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 75A

auf Bestellung 882 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

3+	20.77 EUR
10+	17.78 EUR
25+	16.15 EUR
100+	14.82 EUR
240+	13.96 EUR
480+	13.08 EUR
1200+	11.78 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IKW75N60TA

Infineon Technologies

Description: IKW75N60 - AUTOMOTIVE IGBT DISCR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 121 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns
Switching Energy: 2mJ (on), 2.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKW75N60TA

Infineon Technologies

IGBT Transistors 600V 75A 100nA

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

IKW75N60TAFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW75N60TAFKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors 600V 75A 100nA

Produkt ist nicht verfügbar

IKW75N60TAFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW75N60TAFKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 121 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns
Switching Energy: 4.5mJ
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKW75N60TFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 31 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	12.64 EUR
14+	11.5 EUR
25+	8.64 EUR

Mindestbestellmenge: 13

IKW75N60TFKSA1

80A; 600V; 428W; IGBT w/ Diode IKW75N60T TIKW75n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 31 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

5+	19.07 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IKW75N60TFKSA1

Description: INFINEON - IKW75N60TFKSA1 - IGBT, Universal, 80 A, 2 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 6823 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW75N60TFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	13.67 EUR

Mindestbestellmenge: 12

IKW75N60TFKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 121 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns
Switching Energy: 4.5mJ
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W

auf Bestellung 3683 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	20.02 EUR
30+	15.98 EUR
120+	14.3 EUR
510+	12.62 EUR
1020+	11.35 EUR
2010+	10.64 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IKW75N60TFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 549 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	14.65 EUR
15+	10.3 EUR
50+	8.8 EUR
100+	7.95 EUR
200+	7.18 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IKW75N60TFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	12.68 EUR
14+	11.54 EUR
25+	8.67 EUR

Mindestbestellmenge: 13

IKW75N60TFKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 28 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

6+	12.96 EUR
8+	9.4 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IKW75N60TFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 331 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW75N60TFKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

auf Bestellung 28 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6+	12.96 EUR
8+	9.4 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IKW75N60TFKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 75A

auf Bestellung 190 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

3+	20.8 EUR
10+	20.31 EUR
25+	16.17 EUR
100+	14.85 EUR
240+	14.69 EUR
480+	11.78 EUR
1200+	11.02 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IKW75N60TFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW75N60TFKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW75N60TFKSA1
Produktcode: 169611

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

IKW75N60TXK

Infineon Technologies

Description: IKW75N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

IKW75N65EH5

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

Produkt ist nicht verfügbar

IKW75N65EH5

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	10.43 EUR
25+	9.63 EUR
50+	8.92 EUR
100+	8.29 EUR

Mindestbestellmenge: 15

IKW75N65EH5

Infineon Technologies

IKW75N65EH5XKSA1 IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3

auf Bestellung 81 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW75N65EH5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 270 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	15.8 EUR
14+	11.1 EUR
50+	9.49 EUR
100+	8.57 EUR
200+	7.75 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IKW75N65EH5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW75N65EH5XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 198W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 215ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

Produkt ist nicht verfügbar

IKW75N65EH5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW75N65EH5XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 198W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 215ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IKW75N65EH5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 105 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	8.89 EUR
20+	7.75 EUR
25+	7.01 EUR
100+	6.32 EUR

Mindestbestellmenge: 18

IKW75N65EH5XKSA1
Produktcode: 177738

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

Produkt ist nicht verfügbar

IKW75N65EH5XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/174ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 900µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W

auf Bestellung 388 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	15.99 EUR
30+	12.76 EUR
120+	11.42 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IKW75N65EH5XKSA1

Description: INFINEON - IKW75N65EH5XKSA1 - IGBT, 90 A, 1.65 V, 395 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 90A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 14628 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW75N65EH5XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 289-303 Tag (e)

4+	16.09 EUR
10+	14.85 EUR
25+	12.66 EUR
100+	11.52 EUR
240+	10.3 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IKW75N65EH5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 105 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	8.89 EUR
20+	7.75 EUR
25+	7.01 EUR
100+	6.32 EUR

Mindestbestellmenge: 18

IKW75N65EL5

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

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IKW75N65EL5

Infineon technologies

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IKW75N65EL5XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors 650V IGBT Trenchstop 5

auf Bestellung 905 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	15.99 EUR
10+	15.65 EUR
25+	13.73 EUR
100+	11.96 EUR
240+	11.54 EUR
480+	11.13 EUR
1200+	10.56 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IKW75N65EL5XKSA1
Produktcode: 190876

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

Produkt ist nicht verfügbar

IKW75N65EL5XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/275ns
Switching Energy: 1.61mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4Ohm, 15V
Gate Charge: 436 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 536 W

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	19.37 EUR
30+	15.47 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IKW75N65EL5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 358 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	14.41 EUR
13+	12.45 EUR
100+	7.65 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IKW75N65EL5XKSA1

Description: INFINEON - IKW75N65EL5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.1 V, 536 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 536W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

auf Bestellung 199 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW75N65EL5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 564 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	9.69 EUR
25+	8.94 EUR
50+	8.28 EUR
100+	7.69 EUR
250+	7.16 EUR
500+	6.68 EUR

Mindestbestellmenge: 17

IKW75N65EL5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 358 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	14.41 EUR
13+	12.45 EUR
100+	7.65 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IKW75N65EL5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 330 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW75N65EL5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 565 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	12.46 EUR
14+	10.98 EUR
100+	7.3 EUR
500+	7.01 EUR

Mindestbestellmenge: 13

IKW75N65ES5

Infineon technologies

auf Bestellung 167 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IKW75N65ES5

Infineon Technologies

IGBT Transistors Trenchstop 5 IGBT

auf Bestellung 2243 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	16.61 EUR
10+	14.25 EUR
25+	12.92 EUR
100+	11.88 EUR
240+	11.15 EUR
480+	10.45 EUR
1200+	9.41 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IKW75N65ES5
Produktcode: 169192

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

Produkt ist nicht verfügbar

IKW75N65ES5XKSA1

Description: INFINEON - IKW75N65ES5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.42 V, 395 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.42
DC-Kollektorstrom: 80
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Verlustleistung Pd: 395
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP™ 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

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IKW75N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 720 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	14.74 EUR
15+	10.35 EUR
50+	8.84 EUR
100+	7.99 EUR
200+	7.22 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IKW75N65ES5XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 86ns
Turn-off time: 185ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IKW75N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	16.09 EUR
10+	13.91 EUR
25+	11.28 EUR
240+	9.57 EUR
1200+	9.18 EUR
2640+	9 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IKW75N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW75N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/144ns
Switching Energy: 2.4mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W

auf Bestellung 14509 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	16.48 EUR
30+	13.16 EUR
120+	11.78 EUR
510+	10.39 EUR
1020+	9.35 EUR
2010+	8.76 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IKW75N65ES5XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 86ns
Turn-off time: 185ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

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IKW75N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 145 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	11.51 EUR
15+	10.26 EUR
25+	7.73 EUR
50+	7.36 EUR
100+	6.58 EUR

Mindestbestellmenge: 14

IKW75N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/310ns
Switching Energy: 2.17mJ (on), 1.23mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 435 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 333 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 454 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	17.39 EUR
30+	13.87 EUR
120+	12.41 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IKW75N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	15.26 EUR
12+	13.31 EUR
50+	11.25 EUR
100+	10.3 EUR
200+	9.51 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IKW75N65ET7XKSA1

Description: INFINEON - IKW75N65ET7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 333 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A

auf Bestellung 226 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW75N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW75N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 145 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	11.51 EUR
15+	10.26 EUR
25+	7.73 EUR
50+	7.36 EUR
100+	6.58 EUR

Mindestbestellmenge: 14

IKW75N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

auf Bestellung 458 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

3+	17.6 EUR
10+	16.04 EUR
25+	12.27 EUR
100+	11.47 EUR
240+	11.23 EUR
480+	10.22 EUR
1200+	9.57 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IKW75N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333000mW Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW75N65RH5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW75N65RH5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

8+	20.72 EUR
11+	14.89 EUR
50+	13.41 EUR
100+	11.42 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IKW75N65RH5XKSA1

Description: INFINEON - IKW75N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 395W, To-247, 1.65Vsat
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 395W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

auf Bestellung 28 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKW75N65RH5XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors SIC DISCRETE

auf Bestellung 456 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

3+	21.94 EUR
10+	18.8 EUR
25+	17.06 EUR
100+	15.68 EUR
240+	14.72 EUR
480+	13.81 EUR
1200+	11.86 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IKW75N65RH5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW75N65RH5XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IKW75N65RH5XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/180ns
Switching Energy: 360µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W

auf Bestellung 279 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	21.79 EUR
30+	17.38 EUR
120+	15.55 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IKW75N65SS5XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode

auf Bestellung 228 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

9+	19.17 EUR
10+	17.59 EUR
25+	16.87 EUR
50+	15.86 EUR
100+	14.7 EUR

Mindestbestellmenge: 9

IKW75N65SS5XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors SIC DISCRETE

auf Bestellung 637 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

2+	31.23 EUR
10+	30.94 EUR
25+	27.69 EUR
50+	24.47 EUR
100+	22.93 EUR
240+	22.26 EUR
1200+	19.06 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IKW75N65SS5XKSA1

Infineon Technologies

SP004038158

Produkt ist nicht verfügbar

IKW75N65SS5XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode

auf Bestellung 228 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

9+	19.17 EUR
10+	17.59 EUR
25+	16.87 EUR
50+	15.86 EUR
100+	14.7 EUR

Mindestbestellmenge: 9

IKW75N65SS5XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/145ns
Switching Energy: 450µJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKW75N65SS5XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5+	36.26 EUR
6+	28.24 EUR
10+	27.01 EUR
50+	22.94 EUR
100+	20.49 EUR
200+	19.15 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IKW75N65SS5XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode

Produkt ist nicht verfügbar

IKW75N65SS5XKSA1

Description: INFINEON - IKW75N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 395W, To-247, 1.35Vsat
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 395W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

auf Bestellung 213 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKWH100N65EH7XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 140A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 106 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 100A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/240ns
Switching Energy: 3.58mJ (on), 2.37mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 199 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 427 W

auf Bestellung 216 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	21.97 EUR
10+	18.83 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IKWH100N65EH7XKSA1

Description: INFINEON - IKWH100N65EH7XKSA1 - IGBT, 140 A, 1.4 V, 427 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 427W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 140A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 220 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKWH100N65EH7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

auf Bestellung 167 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

3+	22.13 EUR
10+	18.98 EUR
25+	17.21 EUR
100+	15.81 EUR
240+	14.85 EUR
480+	13.94 EUR
1200+	12.53 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IKWH100N65EH7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 140A 427W

Produkt ist nicht verfügbar

IKWH20N65WR6XKSA1

Description: INFINEON - IKWH20N65WR6XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 140 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A

auf Bestellung 55 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKWH20N65WR6XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14

auf Bestellung 263 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.58 EUR
10+	5.3 EUR
100+	4.34 EUR
240+	3.98 EUR
480+	3.67 EUR
1200+	2.94 EUR
5040+	2.86 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IKWH20N65WR6XKSA1

Infineon Technologies

SP005545963

Produkt ist nicht verfügbar

IKWH20N65WR6XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Gate Charge: 97 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 136 W

auf Bestellung 103 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	6.53 EUR
30+	5.24 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IKWH30N65WR5XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 41ns/398ns
Switching Energy: 870µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 27Ohm, 15V
Gate Charge: 133 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 190 W

auf Bestellung 168 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	6.94 EUR
30+	5.51 EUR
120+	4.72 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IKWH30N65WR5XKSA1

Description: INFINEON - IKWH30N65WR5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.4 V, 190 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 190
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

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IKWH30N65WR5XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14

auf Bestellung 91 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.99 EUR
10+	5.88 EUR
25+	5.54 EUR
100+	4.73 EUR
240+	4.47 EUR
480+	4.21 EUR
1200+	3.61 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IKWH30N65WR5XKSA1

Infineon Technologies

SP005430891

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IKWH30N65WR6XKSA1

Description: INFINEON - IKWH30N65WR6XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.45 V, 165 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 165
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

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IKWH30N65WR6XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14

auf Bestellung 923 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.99 EUR
10+	5.64 EUR
100+	4.65 EUR
240+	4.26 EUR
480+	3.98 EUR
1200+	3.15 EUR
5040+	3.04 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IKWH30N65WR6XKSA1

Infineon Technologies

SP005430886

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IKWH30N65WR6XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 67A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Gate Charge: 97 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 67 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 136 W

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	6.94 EUR
30+	5.58 EUR
120+	4.59 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IKWH40N65EH7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

auf Bestellung 163 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	12.95 EUR
10+	10.89 EUR
25+	10.27 EUR
100+	8.81 EUR
240+	8.29 EUR
480+	7.8 EUR
1200+	6.68 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IKWH40N65EH7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IKWH40N65EH7XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 40A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/141ns
Switching Energy: 970µJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 12.5Ohm, 15V
Gate Charge: 81 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 208 W

auf Bestellung 209 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	12.84 EUR
10+	10.79 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IKWH40N65EH7XKSA1

Description: INFINEON - IKWH40N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 208 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 215 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKWH40N65WR6XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 79 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/353ns
Switching Energy: 1.09mJ (on), 570µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 27Ohm, 15V
Gate Charge: 117 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 175 W

auf Bestellung 246 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	7.2 EUR
30+	5.71 EUR
120+	4.89 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IKWH40N65WR6XKSA1

Description: INFINEON - IKWH40N65WR6XKSA1 - IGBT, 75 A, 1.55 V, 175 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A

auf Bestellung 266 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKWH40N65WR6XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14

auf Bestellung 576 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	7.25 EUR
10+	6.63 EUR
25+	5.75 EUR
100+	4.94 EUR
240+	4.65 EUR
480+	4.47 EUR
1200+	3.54 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IKWH40N65WR6XKSA1

Infineon Technologies

SP005542785

Produkt ist nicht verfügbar

IKWH50N65EH7XKSA1

Description: INFINEON - IKWH50N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 249 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 249W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 168 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKWH50N65EH7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

auf Bestellung 179 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	14.79 EUR
10+	12.43 EUR
25+	11.75 EUR
100+	10.06 EUR
240+	9.49 EUR
480+	8.92 EUR
1200+	7.64 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IKWH50N65EH7XKSA1

Infineon Technologies

INDUSTRY 14

Produkt ist nicht verfügbar

IKWH50N65EH7XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/147ns
Switching Energy: 1.27mJ (on), 650µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 102 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 249 W
Package / Case: TO-247-3
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns

auf Bestellung 195 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	14.69 EUR
10+	12.34 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IKWH50N65WR6XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/351ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 730µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 144 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 205 W

auf Bestellung 456 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	8.94 EUR
30+	7.1 EUR
120+	6.08 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IKWH50N65WR6XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14

auf Bestellung 605 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	9.02 EUR
10+	8.22 EUR
25+	7.15 EUR
100+	6.14 EUR
240+	5.93 EUR
480+	5.56 EUR
1200+	4.39 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IKWH50N65WR6XKSA1

Infineon Technologies

SP005542787

Produkt ist nicht verfügbar

IKWH60N65WR6XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14

auf Bestellung 11 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	10.3 EUR
10+	9.39 EUR
25+	8.16 EUR
100+	7.02 EUR
240+	6.76 EUR
480+	6.21 EUR
1200+	5.02 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IKWH60N65WR6XKSA1

Infineon Technologies

SP005430894

Produkt ist nicht verfügbar

IKWH60N65WR6XKSA1

Description: INFINEON - IKWH60N65WR6XKSA1 - IGBT, 100 A, 1.55 V, 240 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A

auf Bestellung 188 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKWH60N65WR6XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/311ns
Switching Energy: 1.82mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 174 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 240 W

auf Bestellung 438 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	10.22 EUR
30+	8.1 EUR
120+	6.94 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IKWH70N65WR6XKSA1

Infineon Technologies

SP005430896

Produkt ist nicht verfügbar

IKWH70N65WR6XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 122A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/378ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.07mJ (off)
Test Condition: 400V, 70A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 269 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 122 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 210 A
Power - Max: 290 W

auf Bestellung 248 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	11.49 EUR
30+	9.12 EUR
120+	7.82 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IKWH70N65WR6XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	11.6 EUR
10+	9.75 EUR
25+	9.18 EUR
100+	6.01 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IKWH75N65EH7XKSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 89 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/45ns
Switching Energy: 2.42mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 341 W

auf Bestellung 184 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	16.77 EUR
10+	14.38 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IKWH75N65EH7XKSA1

Description: INFINEON - IKWH75N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 341 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 186 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKWH75N65EH7XKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors INDUSTRY 14

auf Bestellung 73 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	16.9 EUR
10+	14.48 EUR
25+	13.16 EUR
100+	12.06 EUR
240+	11.34 EUR
480+	10.63 EUR
1200+	9.57 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IKWH75N65EH7XKSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 341W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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